KR20030045256A - 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법 및 그 장치 - Google Patents

칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법 및 그 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20030045256A
KR20030045256A KR1020010075668A KR20010075668A KR20030045256A KR 20030045256 A KR20030045256 A KR 20030045256A KR 1020010075668 A KR1020010075668 A KR 1020010075668A KR 20010075668 A KR20010075668 A KR 20010075668A KR 20030045256 A KR20030045256 A KR 20030045256A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
screen
wafer
laser beam
point
marking
Prior art date
Application number
KR1020010075668A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100445974B1 (ko
Inventor
한유희
이충신
민양기
안병민
장혁준
Original Assignee
주식회사 이오테크닉스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 이오테크닉스 filed Critical 주식회사 이오테크닉스
Priority to KR10-2001-0075668A priority Critical patent/KR100445974B1/ko
Priority to US10/138,257 priority patent/US6808117B2/en
Priority to TW091111645A priority patent/TW544896B/zh
Priority to MYPI20022059A priority patent/MY135275A/en
Priority to SG200203311A priority patent/SG111945A1/en
Priority to EP02253916A priority patent/EP1316989B1/en
Priority to DE60239658T priority patent/DE60239658D1/de
Priority to AT02253916T priority patent/ATE504939T1/de
Priority to JP2002239249A priority patent/JP4168699B2/ja
Publication of KR20030045256A publication Critical patent/KR20030045256A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100445974B1 publication Critical patent/KR100445974B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67282—Marking devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Radar Systems Or Details Thereof (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

본 발명은 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법 및 그 장치에 관하여 개시한다. 개시된 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법은 (가)웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 홀더 상에 상기 웨이퍼와 동일한 크기의 스크린을 안착시키는 단계; (나)상기 안착된 스크린의 하방으로부터 상기 스크린의 미리 정해진 점에 레이저를 조사하는 단계; (다)상기 스크린의 상방에서 X-Y 스테이지 상의 카메라로 상기 레이저빔이 상기 스크린 상에 조사된 점의 위치를 확인하는 단계; (라)상기 확인된 위치 정보를 제어기로 전송하는 단계; (마)상기 (나) 내지 (라)단계를 소정의 다수의 점에서 반복하는 단계; (바)상기 전송된 위치 정보 및 목표로 하는 마킹 점을 비교하는 단계; 및 (사)상기 (바)단계의 편차가 소정 이상인 경우, 이를 보정하기 위해 상기 갈바노 스캐너의 미러의 위치를 변경하여 상기 레이저 빔이 상기 웨이퍼에 닿는 위치를 조정하는 단계;를 구비한다.

Description

칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법 및 그 장치{Method and apparatus for calibrating the marking position with chip-scale marker}
본 발명은 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법 및 그 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 레이저를 사용하여 웨이퍼 칩 상에 문자를 마킹하는 칩 스케일 마커에 있어서 마킹 위치를 보정하는 방법 및 그 장치에 관한 것이다.
반도체 공정에서 사용하는 웨이퍼는 수천개 또는 수만개의 칩으로 이루어져 있다. 이들 칩들을 생상 로트별로 구별하기 위해서 각 칩의 표면에 문자 및/또는 숫자를 표시한다. 이 때 마킹을 위해 사용하는 장비로서 레이저 빔을 사용하는 칩 스케일 마커(chip scale marker) 장비를 사용한다.
도 1은 일반적인 칩 스케일 마커(10)의 개략 도면이다.
도면을 참조하면, 웨이퍼 홀더(20) 상에 웨이퍼(W)가 안착되어 있으며, 웨이퍼 홀더(20) 하방에는 레이저 발진장치(30)가 배치되어 있다. 레이저 발진장치(30)의 레이저 소스로부터 발진된 레이저 빔은 갈바노 스캐너(32)의 다수의 미러(미도시) 및 f-세타 렌즈(34)를 통해서 웨이퍼(W) 상의 칩들에 조사되어 칩들의 표면에 문자를 기록한다.
상기 웨이퍼 홀더(20)의 상방에는 웨이퍼 홀더(20)에 지지되는 것을 감시하는 카메라(40)가 배치되어 있으며, 이 카메라(40)는 X-Y 스테이지(50)에 연결되어 움직인다.
웨이퍼 상의 칩에 마킹을 정확히 하기 위해서는 웨이퍼의 정렬이 중요하다. 웨이퍼의 정렬은 웨이퍼의 기하학적 특성 내지 인식표를 기준으로 하여 마킹위치에 위치시키는 것이다. 마킹 공정은 웨이퍼의 인식특징(ball array, 인식마크 등)을 광학적 방법을 이용하여 인식한 후 마킹위치에 맞도록 마킹 데이터를 변환하여 레이저빔을 적합한 광학계를 이용하여 마킹위치에 조사함으로써 이루어진다. 여기에서 1 mm2이하의 칩에 마킹을 하기위해서는 칩의 정확한 위치 인식과 정확한 레이저 빔의 조사는 필수적이다. 처음 마킹작업시 웨이퍼의 정확한 위치 인식과 정확한 빔의 조사를 달성했다하여도 외란(진동,열)에 의해 레이저 빔의 조사위치는 시간이 경과함에 따라 변할 수 있다. 이러한 변화를 주기적으로 측정하고 레이저 빔 조사위치를 보정하는 기능이 필요하다. 이러한 마킹 위치 측정 및 보정의 주기는 장비 및 작업환경에 좌우되지만 불량방지 및 품질검사 차원에서 빔의 조사가 원하고자 하는 위치에 이루어지는가를 주기적으로, 간편하게 이루어져야 한다.
도 2는 종래의 마킹 오차를 측정하는 방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
종래에는 0.3 mm 직경의 작은 구멍(70a)을 일정한 간격으로 배열하여 만들어 놓은 웨이퍼 형상 및 크기의 플레이트(70)에 레이저 빔을 조사한 후, 상기 구멍(70a)을 통과한 레이저 빔의 위치를 카메라(40)로 관찰하여 레이저 빔의 목표 위치와 비교한다. 이어서 레이저 조사 위치의 오차정도를 파악하고 레이저 빔의 조사경로를 보정한다.
그러나 종래의 방법은 레이저 빔이 구멍(70a)을 통과하는 레이저 빔을 카메라(40)의 전면의 유리(42)를 통해서 관측하게 됨에 따라서 도 2에서 도시한 바와같이 구멍(70a)에 대해 경사를 가지는 레이저 빔(도 2의 점선 표시 레이저 빔)은 카메라(40)의 유리(42) 부분에서 굴절된다. 따라서 웨이퍼와 같은 위치에 놓인 플레이트(70) 상의 레이저 빔이 조사된 정확한 위치 파악이 어렵고, 카메라(40)의 중앙부분에 상기 홀을 수직으로 위치시키기 위해 카메라(40) 이동하는 시간이 걸리며, 정확한 위치 정보를 얻는 데 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 상기의 문제점을 개선하기 위해 창출된 것으로서, 본 발명의 목적은 웨이퍼 대신에 반투광성의 스크린 상에 마킹을 하고 그 마킹된 포인트를 관찰하여 칩 스케일 마커의 마킹 위치를 보정하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 보정방법을 위한 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 일반적인 칩 스케일 마커의 개략 도면,
도 2는 종래의 마킹 오차를 측정하는 방법을 개략적으로 도시한 도면,
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정장치의 개략 도면,
도 4는 도 3의 웨이퍼 홀더의 사시도,
도 5는 스크린에 레이저 빔을 조사시 광의 경로를 도식적으로 나타낸 도면,
도 6은 카메라의 센터점과 그로부터 벗어난 레이저 빔 포인트를 도식적으로 나타낸 도면,
도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 장치를 도시한 도면,
도 8은 스크린의 변형예를 도시한 도면.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명*
100: 칩 스케일 마커 120: 웨이퍼 홀더
130: 레이저 140: 카메라
150: X-Y 스테이지 170: 제어기
180, 280: 스크린 290: 카메라 스크린
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법은, 레이저 소스로부터 갈바노 스캐너 및 f-세타 렌즈를 통해서 웨이퍼에 마킹을 하는 칩 스케일 마커의 마킹 보정 방법에 있어서,
(가)웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 홀더 상에 상기 웨이퍼와 동일한 크기의 스크린을 안착시키는 단계;
(나)상기 안착된 스크린의 하방으로부터 상기 스크린의 미리 정해진 점에 레이저를 조사하는 단계;
(다)상기 스크린의 상방에서 X-Y 스테이지 상의 카메라로 상기 레이저빔이상기 스크린 상에 조사된 점의 위치를 확인하는 단계;
(라)상기 확인된 위치 정보를 제어기로 전송하는 단계;
(마)상기 (나) 내지 (라)단계를 소정의 다수의 점에서 반복하는 단계;
(바)상기 전송된 위치 정보 및 목표로 하는 마킹 점을 비교하는 단계; 및
(사)상기 (바)단계의 편차가 소정 이상인 경우, 이를 보정하기 위해 상기 갈바노 스캐너의 미러의 위치를 변경하여 상기 레이저 빔이 상기 웨이퍼에 닿는 위치를 조정하는 단계;를 구비한다.
상기의 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 장치는, 웨이퍼 마킹용 레이저와 가공대상 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 홀더와 상기 웨이퍼 홀더의 상방에서 X-Y 스테이지에 연결되어 움직이면서 상기 웨이퍼 홀더에 지지되는 것을 감시하는 카메라를 구비하는 칩 스케일 마커에 있어서,
상기 웨이퍼 칩의 마킹의 위치 및 목표의 포인트 사이의 편차를 측정하고 상기 편차를 보정하는 수단;을 구비한다.
상기 보정수단은, 상기 웨이퍼 홀더의 중앙홀 상에 배치되어 상기 레이저로부터의 레이저 빔을 받아서 그 레이저 빔이 조사된 위치를 표시하도록 형성된 스크린인 것이 바람직하다.
또한, 상기 보정수단은, 상기 카메라를 지지하는 지지대의 하부에 부착되어 그 일측에 마련된 지지봉을 회전시키는 모터; 및 상기 지지봉에 부착되고 상기 모터의 회전시 상기 카메라의 전단에 배치되는 반투광성 카메라 스크린;을 구비할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 장치에 따른 제1실시예를 상세히 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정장치의 개략 도면을 나타낸 것이다.
도면을 참조하면, 웨이퍼 홀더(120) 상에 스크린(180)이 안착되어 있으며, 웨이퍼 홀더(120) 하방에는 레이저 발진장치(130)가 배치되어 있다. 레이저 발진장치(130)의 레이저 소스로부터 발진된 레이저 빔은 갈바노 스캐너(132)의 다수의 미러(미도시) 및 f-세타 렌즈(134)를 통해서 웨이퍼 상에 조사되어 생산 로트 번호를 마킹을 한다. 웨이퍼 홀더(120) 상방에는 웨이퍼 또는 스크린(180)을 관찰하는 카메라(140)가 설치되며, 이 카메라(140)는 X-Y 스테이지(150)에 의해 이동되며, 지지된다. 상기 카메라(140) 및 X-Y 스테이지(150)는 제어기(170)에 전기적 신호를 입력하며, 상기 제어기(170)로부터의 출력 신호는 갈바노 스캐너(132) 및 X-Y 스테이지(150)에 출력된다.
상기 스크린(180)은 마킹 대상의 웨이퍼와 같은 형상 및 크기이며, 도 5에 도시된 바와 같이 두 개의 층으로 적층되어 있다. 하부층(182)은 레이저 광을 흡수하여 발광하는 형광층이며, 상부층(184)은 형광층으로부터의 광을 투과시키는 층이다. 상기 하부층(182)은 웨이퍼 홀더(120)의 중앙홀(도 4의 122 참조)에 안착되어 변형이 일어나지 않도록 어느 정도 딱딱한(rigid) 것이 바람직하다.
도 4는 상기 웨이퍼 홀더의 사시도이다. 웨이퍼가 안착되는 중앙홀(122) 주위에 다수의 홀들(124)이 형성되어 있으며, 그 홀들(124)위에는 빛을 반투과하는 반투광성막(126)이 부착되어 있다. 상기 홀들(124)은 중앙홀(122)의 중심축으로부터 외곽으로 동심원상에 배치되는 것이 바람직하다. 상기 반투광성막(126)은 상기 스크린(180)과 같은 작용을 한다.
상기 구조의 칩 스케일 마커(100)의 마킹위치 보정장치의 작용을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 5는 스크린(180)에 레이저 빔을 조사시 광의 경로를 도식적으로 나타낸 것이고, 도 6은 카메라의 센터점(146)과 그로부터 벗어난 레이저 빔 포인트(148)를 도식적으로 나타낸 도면이다.
먼저, 웨이퍼 대신에 그와 같은 크기의 스크린(180)을 웨이퍼 홀더(120)에 정착시킨다. 다음에, 레이저(130)로부터 그린색 광을 발진하면, 이 광은 갈바노 스캐너(132)의 여러 미러를 통해서 스크린(180)의 정해진 위치로 조사된다. 조사된 광은 형광층인 하부층(182)에 흡수되고 그로부터 발광하여 빛을 상부층(184)링 투과층을 통해서 상방으로 조사한다. 이 때 스크린(180)에 경사지게 입사된 광(도 5의 점선표시된 레이저빔)도 도 5의 점선으로 표시된 광의 경로처럼 상방의 카메라(140)에 대해서 수직으로 빛을 발산한다.
상기 카메라(140)는 레이저 빔의 목표점(146)의 상방에 위치하도록 X-Y 스테이지(150)에 의해 이동된 상태에서 그 하방의 스크린(180)에 형성된 레이저 빔 포인트(146)를 읽는다. 이 때 빔 포인트(148) 및 카메라의 정중앙 포인트(146)로부터 벗어난 정도를 파악하여 그 오차의 X-Y 좌표를 제어기(170)로 입력한다. 상기 빔포인트(148) 확인 과정은 다수의 칩의 위치에 상당하는 위치에서 상기 과정을 반복하여 실행된다.
상기 제어기(170)는 상기 입력된 위치 정보를 분석하여 웨이퍼 칩의 위치에 맞추어서 빔을 조사하도록 갈바노 스캐너(132)의 미러를 조절한다.
다음에, 상기 스크린(180)을 제거한 후, 웨이퍼 홀더(120)에 웨이퍼를 정착시킨다. 이때 웨이퍼가 정착되는 위치는 상기 스크린이 놓여 있던 위치와 동일하다.
상기 레이저(130)로부터 발진된 레이저 빔은 웨이퍼에 보정된 경로로 빔을 조사하여 마킹을 한다.
한편, 레이저 마킹 도중에 갈바노 스캐너(132)의 흔들림 등을 검출하고자 하는 경우에는 레이서 빔을 웨이퍼 홀더(120)의 외곽 홀(124) 상의 반투광성막(126) 상에 조사하고 카메라(140)를 조사될 목표 표인트의 상방으로 이동하여 상술한 방법으로 조사된 빔 포인트를 검출하고, 그로부터 레이저 빔을 보정한다.
상기 스크린의 변형예로는 그 하부층에 유리 또는 아크릴 표면을 거칠게 가공한 것을 사용하면, 조사된 빔을 산란시켜서 경사지게 조사된 빔이 경사진 방향으로 투과되는 것을 방해해서 상기 하부층에 상이 맺게 된다. 또한, 하부층의 산란광중 레이저 빔이 조사된 포인트를 구분하기 위하여 상기 하부층의 상부에 광감쇄기를 사용한다. 이 광감쇄기를 통과한 광은 하나의 빔 포인트를 표시하므로 카메라를 사용하여 상기 빔 포인트를 용이하게 관측할 수 있게 된다.
도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 칩 스케일 마커(200)의 마킹 위치 보정장치를 도시한 도면이고, 제1실시예와 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도면을 참조하면, 카메라(140)를 지지하는 지지대(142)의 하부에 설치되어 카메라(140)의 전면부에 카메라 스크린(290)을 배치 및 제거하는 모터(292)가 배치되어 있다. 그리고, 웨이퍼 홀더(220)의 중앙에 중앙홀(222)이 형성되어 있으며, 이 중앙홀(222)을 통해서 레이저 발진장치(130)으로부터의 레이저 빔이 카메라 스크린(290)에 조사된다.
상기 스크린(290)을 사용하여 마킹 위치를 검출하고자 하는 경우에는 도 7의 점선으로 표시된 카메라 스크린(290)을 모터(292)를 구동하여 카메라(140)의 전면에 배치한다. 다음에, 레이저빔을 조사코자 하는 웨이퍼의 위치에 대응하도록 X-Y 스테이지(150)로 카메라(140) 및 카메라 스크린(290)을 소정의 위치로 이동시킨 후, 카메라 스크린(290)에 레이저 빔을 조사한다. 다음에 카메라(140)로 카메라 스크린(290) 상의 조사된 빔 포인트를 관측하고 그 위치를 제어기(170)로 입력한다.
도 8은 스크린의 변형예이다. 웨이퍼와 동일한 크기의 원형 틀(282) 위에 반투광성 시트(284)를 부착한 것이다. 반투광성 시트(284)은 예컨대, 창호지를 사용할 수 있다. 이러한 반투광성 시트(284)는 컬러 레이저 빔을 받은 포인트를 표시하여서 그 위치를 표시한다.
또한, 상기 실시예에서는 두층으로된 스크린을 사용하였으나 반투광 유리와 같이 딱딱한 반투광성 물질을 사용시는 하나의 층으로 사용할 수도 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법 및 그 장치에 따르면, 웨이퍼 마킹전에 웨이퍼 칩에 마킹되는 위치를 측정하여 그로부터 레이저 빔의 방향을 보정할 수 있으며, 마킹 작업중에도 레이저 빔을 웨이퍼 홀더 가장자리에 형성된 반투광성막에 조사하고 조사된 레이저 빔 포인트를 측정함으로써 레이저빔의 간이 조정도 가능하다. 또한, 스크린 상의 빔 포인트를 기준으로 보정을 행하므로 보정이 정확해져 웨이퍼 칩 상의 정확한 위치에 마킹을 할 수 있게 된다.
본 발명은 도면을 참조하여 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 한해서 정해져야 할 것이다.

Claims (23)

  1. 레이저 소스로부터 갈바노 스캐너 및 f-세타 렌즈를 통해서 웨이퍼에 마킹을 하는 칩 스케일 마커의 마킹 보정 방법에 있어서,
    (가)웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 홀더 상에 상기 웨이퍼와 동일한 크기의 스크린을 안착시키는 단계;
    (나)상기 안착된 스크린의 하방으로부터 상기 스크린의 미리 정해진 점에 레이저를 조사하는 단계;
    (다)상기 스크린의 상방에서 X-Y 스테이지 상의 카메라로 상기 레이저빔이상기 스크린 상에 조사된 점의 위치를 확인하는 단계;
    (라)상기 확인된 위치 정보를 제어기로 전송하는 단계;
    (마)상기 (나) 내지 (라)단계를 소정의 다수의 점에서 반복하는 단계;
    (바)상기 전송된 위치 정보 및 목표로 하는 마킹 점을 비교하는 단계; 및
    (사)상기 (바)단계의 편차가 소정 이상인 경우, 이를 보정하기 위해 상기 갈바노 스캐너의 미러의 위치를 변경하여 상기 레이저 빔이 상기 웨이퍼에 닿는 위치를 조정하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 (가)단계의 스크린은 상기 (나)단계의 레이저 빔을 흡수하여 상방으로 평행한 빔을 발산하는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 (가)단계의 스크린은 상기 (나)단계의 레이저 빔이 조사된 포인트에서 광을 산란시키는 표면이 거칠게 가공된 유리 또는 아크릴 층을 하부층으로 하고, 상기 하부층 상부에 상기 산란된 광을 필터링하여 상방으로 하나의 포인트를 제공하는 광 감쇄기가 마련되는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 (가)단계의 스크린은 상기 (나)단계의 레이저 빔이 조사된 포인트를 표시하는 반투광막인 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 (나)단계의 레이저는 컬러 레이저인 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기(가) 내지 (사)단계의 보정에 의해서 웨이퍼 홀더에 마킹 대상 웨이퍼를 올려놓고 마킹작업을 하는 동안에 간이 보정을 하려는 경우,
    (아1)상기 웨이퍼 홀더의 외곽에 배치된 홀 상의 반투광막에 레이저 빔을 조사하는 단계;
    (아2)상기 반투광막의 상방으로 상기 카메라를 이동시킨 후, 상기 레이저빔이 상기 반투광막 상에 조사된 점의 위치를 확인하는 단계;
    (아3)상기 확인된 위치 정보를 제어기로 전송하는 단계;
    (아4)상기 (아1) 내지 (아3)단계를 다수의 홀에서 반복하는 단계;
    (아5)상기 전송된 위치 정보 및 상기 반투광막의 마킹 점을 비교하는 단계; 및
    (아6)상기 (아5)단계의 편차가 소정 이상인 경우, 이를 보정하기 위해 상기갈바노 스캐너의 미러의 위치를 변경하여 상기 레이저 빔이 상기 웨이퍼에 닿는 위치를 조정하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 (아1)단계의 반투광막은 레이저 빔을 흡수하여 상방으로 평행한 빔을 발산하는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 (아1)단계의 스크린은 레이저 빔이 조사된 포인트에서 광을 산란시키는 표면이 거칠게 가공된 유리 또는 아크릴 층을 하부층으로 하고, 상기 하부층 상부에 상기 산란된 광을 필터링하여 상방으로 하나의 포인트를 제공하는 광 감쇄기가 마련되는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 (아1)단계의 반투광막은 레이저 빔을 받은 점을 표시하는 반투광막인 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 (아1)단계의 레이저는 컬러 레이저인 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법.
  11. 제 6 항에 있어서,
    상기 (아1)단계의 상기 웨이퍼 홀더의 홀은 상기 웨이퍼 홀더의 중심으로부터 상기 웨이퍼가 안착되는 부분의 바깥에 동심원으로 등간격으로 배치된 다수의 홀인 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법.
  12. 레이저 소스로부터 갈바노 스캐너 및 f-세타 렌즈를 통해서 웨이퍼에 마킹을 하는 칩 스케일 마커의 마킹 보정 방법에 있어서,
    (가)웨이퍼 홀더로부터 웨이퍼를 제거하는 단계;
    (나)위치측정 카메라의 하부에 스크린을 배치하는 단계;
    (다)상기 카메라를 X-Y 스테이지로 소정의 위치로 배치하는 단계;
    (라)상기 스크린의 미리 정해진 점에 상기 레이저를 조사하는 단계;
    (마)상기 레이저빔이 조사된 상기 스크린 상의 점의 위치를 상기 카메라로 확인하는 단계;
    (바)상기 확인된 위치 정보를 제어기로 전송하는 단계;
    (사)상기 (다) 내지 (바)단계를 다수의 점에서 반복하는 단계;
    (아)상기 전송된 위치 정보 및 목표로 하는 마킹 점을 비교하는 단계; 및
    (자)상기 (아)단계의 편차가 소정 이상인 경우, 이를 보정하기 위해 상기 갈바노 스캐너의 미러의 위치를 변경하여 상기 레이저 빔이 상기 웨이퍼에 닿는 위치를 조정하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 (나)단계의 스크린은 상기 (라)단계의 레이저 빔을 흡수하여 상방으로 평행한 빔을 발산하는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 (나)단계의 스크린은 상기 (라)단계의 레이저 빔이 조사된 포인트에서 광을 산란시키는 표면이 거칠게 가공된 유리 또는 아크릴 층을 하부층으로 하고, 상기 하부층 상부에 상기 산란된 광을 필터링하여 상방으로 하나의 포인트를 제공하는 광 감쇄기가 마련되는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 (나)단계의 스크린은 상기 (라)단계의 레이저 빔을 받은 점을 표시하는 반투광 막인 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법.
  16. 제 12 항에 있어서,
    상기 (라)단계의 레이저는 컬러 레이저인 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법.
  17. 웨이퍼 마킹용 레이저와 가공대상 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 홀더와 상기 웨이퍼 홀더의 상방에서 X-Y 스테이지에 연결되어 움직이면서 상기 웨이퍼 홀더에 지지되는 것을 감시하는 카메라를 구비하는 칩 스케일 마커에 있어서,
    상기 웨이퍼 칩의 마킹의 위치 및 목표의 포인트 사이의 편차를 측정하고 상기 편차를 보정하는 수단;을 구비하는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 보정수단은,
    상기 웨이퍼 홀더의 중앙홀 상에 배치되어 상기 레이저로부터의 레이저 빔을 받아서 그 레이저 빔이 조사된 위치를 표시하도록 형성된 스크린;인 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 스크린은,
    조사된 레이저 빔을 흡수하는 하부층; 및
    상기 하부층에 적층되어서 상기 하부층으로부터의 광을 상방으로 수직방향으로 투과시키는 상부층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 장치.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 스크린은,
    레이저 빔이 조사된 포인트에서 광을 산란시키는 표면이 거칠게 가공된 유리 또는 아크릴 층인 하부층;
    상기 하부층 상부에 마련되어 상기 산란된 광을 필터링하여 상방으로 하나의 포인트를 제공하는 광 감쇄기;를 구비하는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법.
  21. 제 18 항에 있어서,
    상기 스크린은,
    반투광성 유리인 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 장치.
  22. 제 18 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 홀더는, 그 중앙에 웨이퍼를 안착시키도록 형성된 중앙홀의 외곽에서 상기 중앙홀의 중심축으로부터 소정 거리 이격된 동심원상에 형성된 다수의 홀;이 더 형성되고,
    상기 다수의 홀 상에는 반투광성막이 더 마련된 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 장치.
  23. 제 17 항에 있어서,
    상기 보정수단은,
    상기 카메라를 지지하는 지지대의 하부에 부착된 모터; 및
    상기 모터에 그 일측이 연결되고, 상기 모터에 위해 상기 카메라의 전단에 배치되는 반투광성 카메라 스크린;을 구비하는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 장치.
KR10-2001-0075668A 2001-12-01 2001-12-01 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법 및 그 장치 KR100445974B1 (ko)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0075668A KR100445974B1 (ko) 2001-12-01 2001-12-01 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법 및 그 장치
US10/138,257 US6808117B2 (en) 2001-12-01 2002-05-06 Method and apparatus for calibrating marking position in chip scale marker
TW091111645A TW544896B (en) 2001-12-01 2002-05-31 Method and apparatus for calibrating marking position in chip scale marker
SG200203311A SG111945A1 (en) 2001-12-01 2002-06-04 Method and apparatus in calibrating marking position in chip scale marker
MYPI20022059A MY135275A (en) 2001-12-01 2002-06-04 Method and apparatus for calibrating marking position in chip scale marker
EP02253916A EP1316989B1 (en) 2001-12-01 2002-06-06 Method and apparatus for calibrating marking position in chip scale marker
DE60239658T DE60239658D1 (de) 2001-12-01 2002-06-06 Verfahren und Vorrichtung zur Kalibrierung einer Positionsmarkierung in einem Chipmasstabskennzeichner
AT02253916T ATE504939T1 (de) 2001-12-01 2002-06-06 Verfahren und vorrichtung zur kalibrierung einer positionsmarkierung in einem chipmasstabskennzeichner
JP2002239249A JP4168699B2 (ja) 2001-12-01 2002-08-20 チップスケールマーカのマーキング位置補正方法及びその装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0075668A KR100445974B1 (ko) 2001-12-01 2001-12-01 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법 및 그 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030045256A true KR20030045256A (ko) 2003-06-11
KR100445974B1 KR100445974B1 (ko) 2004-08-25

Family

ID=19716533

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0075668A KR100445974B1 (ko) 2001-12-01 2001-12-01 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법 및 그 장치

Country Status (9)

Country Link
US (1) US6808117B2 (ko)
EP (1) EP1316989B1 (ko)
JP (1) JP4168699B2 (ko)
KR (1) KR100445974B1 (ko)
AT (1) ATE504939T1 (ko)
DE (1) DE60239658D1 (ko)
MY (1) MY135275A (ko)
SG (1) SG111945A1 (ko)
TW (1) TW544896B (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101122240B1 (ko) * 2009-02-23 2012-03-21 한미반도체 주식회사 반도체 패키지 가공을 위한 레이저 빔 조사 위치 보정방법
KR101511645B1 (ko) * 2013-11-14 2015-04-13 주식회사 엘티에스 레이저빔의 조사위치 보정방법
KR20160097053A (ko) * 2015-02-06 2016-08-17 주식회사 이오테크닉스 레이저를 이용한 웨이퍼 마킹 공정에서 웨이퍼의 마킹 위치 변동을 방지하는 장치 및 방법과, 레이저를 이용한 웨이퍼 마킹 장치 및 방법
KR20220089635A (ko) * 2020-12-21 2022-06-28 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 광 조사 장치

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030024913A1 (en) * 2002-04-15 2003-02-06 Downes Joseph P. Laser scanning method and system for marking articles such as printed circuit boards, integrated circuits and the like
US7119351B2 (en) * 2002-05-17 2006-10-10 Gsi Group Corporation Method and system for machine vision-based feature detection and mark verification in a workpiece or wafer marking system
JP2005177777A (ja) * 2003-12-17 2005-07-07 Barudan Co Ltd パラメータ設定方法及びパラメータ設定装置
JP4428256B2 (ja) * 2005-02-28 2010-03-10 住友電気工業株式会社 レーザ加工装置
JP4684687B2 (ja) * 2005-03-11 2011-05-18 株式会社ディスコ ウエーハのレーザー加工方法および加工装置
WO2007005639A2 (en) * 2005-06-30 2007-01-11 Controlled Semiconductor, Inc. Lead frame isolation using laser technology
KR100870710B1 (ko) * 2007-06-07 2008-11-27 주식회사 이오테크닉스 스캐너 오작동 감지방법
SG152090A1 (en) * 2007-10-23 2009-05-29 Hypertronics Pte Ltd Scan head calibration system and method
US20130256286A1 (en) * 2009-12-07 2013-10-03 Ipg Microsystems Llc Laser processing using an astigmatic elongated beam spot and using ultrashort pulses and/or longer wavelengths
TW201143947A (en) * 2009-12-07 2011-12-16 J P Sercel Associates Inc Laser machining and scribing systems and methods
US20130200053A1 (en) * 2010-04-13 2013-08-08 National Research Council Of Canada Laser processing control method
KR100984727B1 (ko) * 2010-04-30 2010-10-01 유병소 대상물 가공 방법 및 대상물 가공 장치
US9718146B2 (en) 2013-06-03 2017-08-01 Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. System and method for calibrating laser processing machines
US10433670B2 (en) 2014-05-13 2019-10-08 Societe Des Produits Nestle S.A. Container and code of system for preparing a beverage or foodstuff
HUE055446T2 (hu) * 2014-05-13 2021-11-29 Nestle Sa Tárolóeszköz és kód ital vagy élelmiszer készítésére szolgáló összeállításhoz
DK3143552T3 (da) * 2014-05-13 2021-06-28 Nestle Sa Beholder og kode i system til tilberedelse af en drikkevare eller et levenedsmiddel
US9950389B1 (en) 2014-09-19 2018-04-24 EMC IP Holding Company LLC Laser calibration
JP5996687B2 (ja) 2015-02-10 2016-09-21 浜松ホトニクス株式会社 検査装置及び検査方法
TWI595952B (zh) * 2016-01-14 2017-08-21 蔡宜興 雷射及影像擷取定位裝置及其定位方法
KR101812210B1 (ko) * 2016-02-15 2017-12-26 주식회사 이오테크닉스 마킹 위치 보정장치 및 방법
KR101857414B1 (ko) * 2016-02-25 2018-05-15 주식회사 이오테크닉스 마킹 위치 보정장치 및 방법
TWI648813B (zh) * 2017-11-09 2019-01-21 台灣積體電路製造股份有限公司 處理腔室、半導體製造設備以及其校正方法
US10766102B2 (en) * 2017-11-20 2020-09-08 Wipro Limited Method and system for performing laser marking
JP7205413B2 (ja) * 2019-08-07 2023-01-17 株式会社Sumco レーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法
CN115136288A (zh) * 2020-02-18 2022-09-30 浜松光子学株式会社 半导体故障解析装置及半导体故障解析方法
CN112864071B (zh) * 2021-01-18 2022-04-01 长鑫存储技术有限公司 校正半导体制造机台中晶圆位置的工具和方法
CN113275758B (zh) * 2021-06-28 2022-12-16 苏州赛腾精密电子股份有限公司 一种芯片规模晶圆级标记系统及激光标记方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4918284A (en) * 1988-10-14 1990-04-17 Teradyne Laser Systems, Inc. Calibrating laser trimming apparatus
FR2656444B1 (fr) * 1989-12-27 1992-04-17 Sagem Appareil d'edition de facturettes.
US5612525A (en) * 1992-06-02 1997-03-18 Elpatronic Ag Apparatus for marking refillable containers, more especially plastic bottles
US5362681A (en) * 1992-07-22 1994-11-08 Anaglog Devices, Inc. Method for separating circuit dies from a wafer
JP2833959B2 (ja) * 1993-05-11 1998-12-09 山口日本電気株式会社 集積回路装置のレーザマーキング装置
JPH07147302A (ja) * 1993-11-25 1995-06-06 Nec Corp 半導体素子片の特性分級方法
JPH0950951A (ja) * 1995-08-04 1997-02-18 Nikon Corp リソグラフィ方法およびリソグラフィ装置
JP3106973B2 (ja) * 1996-09-03 2000-11-06 日本電気株式会社 レーザマーキング装置
US5798947A (en) * 1996-09-25 1998-08-25 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Jr. University Methods, apparatus and computer program products for self-calibrating two-dimensional metrology stages
US5818018A (en) * 1997-03-27 1998-10-06 Advanced Micro Devices, Inc. Reflective/refractive optical bar code scanning through a transparent/translucent apparatus
FR2790842B1 (fr) * 1999-03-12 2001-04-20 St Microelectronics Sa Procede de fabrication d'un circuit de test sur une plaquette de silicium
JP2000294607A (ja) * 1999-04-08 2000-10-20 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
US6501061B1 (en) * 1999-04-27 2002-12-31 Gsi Lumonics Inc. Laser calibration apparatus and method
SE522531C2 (sv) * 1999-11-24 2004-02-17 Micronic Laser Systems Ab Metod och anordning för märkning av halvledare
KR20010073299A (ko) * 2000-01-13 2001-08-01 성규동 웨이퍼 마킹 장치
KR20010073297A (ko) * 2000-01-13 2001-08-01 성규동 웨이퍼 마킹시스템용 교정장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101122240B1 (ko) * 2009-02-23 2012-03-21 한미반도체 주식회사 반도체 패키지 가공을 위한 레이저 빔 조사 위치 보정방법
KR101511645B1 (ko) * 2013-11-14 2015-04-13 주식회사 엘티에스 레이저빔의 조사위치 보정방법
KR20160097053A (ko) * 2015-02-06 2016-08-17 주식회사 이오테크닉스 레이저를 이용한 웨이퍼 마킹 공정에서 웨이퍼의 마킹 위치 변동을 방지하는 장치 및 방법과, 레이저를 이용한 웨이퍼 마킹 장치 및 방법
KR20220089635A (ko) * 2020-12-21 2022-06-28 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 광 조사 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR100445974B1 (ko) 2004-08-25
DE60239658D1 (de) 2011-05-19
TW544896B (en) 2003-08-01
US20030102292A1 (en) 2003-06-05
EP1316989A2 (en) 2003-06-04
MY135275A (en) 2008-03-31
ATE504939T1 (de) 2011-04-15
JP4168699B2 (ja) 2008-10-22
EP1316989A3 (en) 2005-04-20
EP1316989B1 (en) 2011-04-06
SG111945A1 (en) 2005-06-29
JP2003188059A (ja) 2003-07-04
US6808117B2 (en) 2004-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100445974B1 (ko) 칩 스케일 마커의 마킹 위치 보정 방법 및 그 장치
KR100584840B1 (ko) 칩 스케일 마커 및 마킹위치 보정방법
US7538564B2 (en) Methods and apparatus for utilizing an optical reference
KR100710721B1 (ko) 결함 검사 장치 및 방법과 포토마스크의 제조 방법
US5694214A (en) Surface inspection method and apparatus
KR100914053B1 (ko) 반도체 웨이퍼와 같은 워크피이스를 마킹하는 방법 및 장치와 이에 이용하는 레이저마커
CN100516846C (zh) 玻璃基板的切断面检查装置
KR101561895B1 (ko) 레이저 장치와 워크피스 표면에 레이저를 조사하는 방법
TW200305269A (en) Chip scale marker and marking method
TWI627725B (zh) 標記位置校正裝置與方法
TWI608584B (zh) 標記位置校正裝置及方法
KR100952522B1 (ko) 웨이퍼 결함 검출 장치 및 이의 방법
JPH0194631A (ja) ウエハプローバ
JP4708292B2 (ja) 基板検査装置及び基板検査方法
KR20150095377A (ko) 평판 디스플레이용 전기적 특성 시험 장치의 프로브 카드 자동위치 보정 장치
KR102543759B1 (ko) 고정맵 기반 얼라이먼트 보상제어방식을 이용한 레이저 가공장치 및 그 방법
JP2009177166A (ja) 検査装置
JP3909592B2 (ja) 平板基板の部分歪み測定方法及び部分歪み測定装置、並びに表示用パネルの製造方法
JP2003149299A (ja) 位置決め装置及び位置決め方法
JP2005017168A (ja) 外観検査装置、外観検査方法、及び半導体チップの製造方法
CN110794560A (zh) 用于扫描显微成像系统的动态准直方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130802

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140703

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150710

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160630

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170731

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180620

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190725

Year of fee payment: 16