JP7205413B2 - レーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
[1]シリコンウェーハに複数のドットを有するレーザマークを印字する方法において、
前記複数のドットの各々は、紫外領域の波長のレーザ光を用いて形成することを特徴とするレーザマークの印字方法。
前記シリコンウェーハの少なくともレーザマークが印字された領域に対してエッチング処理を施すエッチング工程と、
前記エッチング工程後の前記シリコンウェーハの表面に対して研磨処理を施す研磨工程と、
を含むことを特徴とするレーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。本発明によるレーザマークの印字方法は、シリコンウェーハに複数のドットを有するレーザマークを印字する方法である。ここで、上記複数のドットの各々は、紫外領域の波長のレーザ光を用いて形成することを特徴とする。
次に、本発明によるレーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法について説明する。図1は、本発明によるレーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法のフローチャートを示している。この図に示すように、本発明は、CZ法やFZ法などの所定の方法で育成した単結晶シリコンインゴットをスライスし、面取り処理を施したシリコンウェーハに、上述した本発明によるレーザマークの印字方法によりレーザマークを印字するレーザマーク印字工程(ステップS1)と、上記シリコンウェーハの少なくともレーザマークが印字された領域に対してエッチング処理を施すエッチング工程(ステップS2)と、該エッチング工程後の上記シリコンウェーハの表面に対して研磨処理を施す研磨工程(ステップS3)とを含むことを特徴とする。
(発明例1~3)
図1に示したフローチャートに従って、本発明によるレーザマーク付きシリコンウェーハを作製した。まず、シリコンウェーハ外周部にレーザマークを印字した(レーザマーク印字工程)。具体的には、CZ法により育成された直径300mmの単結晶シリコンインゴットをブロックに切断し、外周研削した後、スライスした。得られたシリコンウェーハに対して面取り処理、ラップ処理を施した後、シリコンウェーハの裏面外周部に、深さ55μmの複数のドットで構成されたレーザマークを印字した。その際、レーザ光としては紫外領域の波長(355nm)のものを用いた。また、各ドットはレーザ光を18回照射することによって形成し、レーザ光照射のパルス数は、1秒当たり15000とした。
発明例1と同様に、レーザマーク付きシリコンウェーハを作製した。ただし、レーザマークを印字する際に用いたレーザ光は、赤外領域(波長1064nm)の波長のものを用いた。その他の条件は、発明例1と全て同じである。得られたXRT画像を図2に示す。
発明例2と同様に、レーザマーク付きシリコンウェーハを作製した。ただし、レーザマークを印字する際に用いたレーザ光は、赤外領域(波長1064nm)の波長のものを用いた。その他の条件は、発明例2と全て同じである。得られたXRT画像を図2に示す。
発明例3と同様に、レーザマーク付きシリコンウェーハを作製した。ただし、レーザマークを印字する際に用いたレーザ光は、赤外領域(波長1064nm)の波長のものを用いた。その他の条件は、発明例3と全て同じである。得られたXRT画像を図2に示す。
発明例1と同様に、レーザマーク付きシリコンウェーハを作製した。ただし、レーザマークを印字する際に用いたレーザ光は、可視領域(波長532nm)の波長のものを用いた。その他の条件は、発明例1と全て同じである。得られたXRT画像を図2に示す。
発明例2と同様に、レーザマーク付きシリコンウェーハを作製した。ただし、レーザマークを印字する際に用いたレーザ光は、可視領域(波長532nm)の波長のものを用いた。その他の条件は、発明例2と全て同じである。得られたXRT画像を図2に示す。
発明例3と同様に、レーザマーク付きシリコンウェーハを作製した。ただし、レーザマークを印字する際に用いたレーザ光は、可視領域(波長532nm)の波長のものを用いた。その他の条件は、発明例3と全て同じである。得られたXRT画像を図2に示す。
(発明例4)
発明例1と同様に、レーザマーク付きシリコンウェーハを作製した。ただし、複数のドットを形成する際のレーザ光照射のパルス数を10000とした。その他の条件は、発明例1と全て同じである。得られたXRT画像を図3に示す。
発明例2と同様に、レーザマーク付きシリコンウェーハを作製した。ただし、複数のドットを形成する際のレーザ光照射のパルス数を10000とした。その他の条件は、発明例2と全て同じである。得られたXRT画像を図3に示す。
発明例1と同様に、レーザマーク付きシリコンウェーハを作製した。ただし、複数のドットを形成する際のレーザ光照射のパルス数を20000とした。その他の条件は、発明例1と全て同じである。得られたXRT画像を図3に示す。
発明例2と同様に、レーザマーク付きシリコンウェーハを作製した。ただし、複数のドットを形成する際のレーザ光照射のパルス数を20000とした。その他の条件は、発明例2と全て同じである。得られたXRT画像を図3に示す。
発明例1と同様に、レーザマーク付きシリコンウェーハを作製した。ただし、複数のドットを形成する際のレーザ光照射のパルス数を25000とした。その他の条件は、発明例1と全て同じである。得られたXRT画像を図3に示す。
発明例2と同様に、レーザマーク付きシリコンウェーハを作製した。ただし、複数のドットを形成する際のレーザ光照射のパルス数を25000とした。その他の条件は、発明例2と全て同じである。得られたXRT画像を図3に示す。
Claims (2)
- 所定の方法で育成した単結晶シリコンインゴットをスライスし、面取り処理を施したシリコンウェーハに、複数のドットを有するレーザマークを印字するレーザマーク印字工程と、
前記シリコンウェーハの少なくともレーザマークが印字された領域に対してエッチング処理を施すエッチング工程と、
前記エッチング工程後の前記シリコンウェーハの表面に対して研磨処理を施す研磨工程と、
を含み、
前記複数のドットの各々は、紫外領域の波長のレーザ光を用いて形成し、
前記複数のドットの各々の形成は、レーザ光を複数回照射することにより行い、
前記複数回のレーザ光の照射のパルス数は、1秒当たり15000以上であり、
前記エッチング工程における取り代は、片面当たり1.5μm以上12.5μm以下であり、
全てのドットについて加工歪みが除去されていることを特徴とするレーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法。 - 前記エッチング工程において用いる薬液は、酸またはアルカリ薬液である、請求項1に記載のレーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法。
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