KR20030038384A - 스퍼터링 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (22)
- 복수개의 타겟의 동시 스퍼터링에 의해 성막을 행하는 스퍼터링 장치에 있어서,스퍼터링실과;상기 스퍼터링실의 기판 홀더에 탑재된 기판의 피성막면에 대향해서 각각 설치되어 있고, 각각의 중심축의 주위에 회전 할 수 있는 타겟용의 복수개의 지지체와;상기 지지체에 상호 떨어져서 설치되어 있고 복수개의 타겟 탑재면을 각각 가지는 복수개의 음극과;상기 지지체를 각각 회전 시켜 상기 지지체의 각각의 1개의 타겟 탑재면에 탑재된 타겟을 상기 피성막면에 대향한 성막 위치에 설정 가능하도록 하는 타겟 위치 결정기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 복수개의 타겟의 동시 스퍼터링에 의해 성막을 행하는 스퍼터링 장치에 있어서,스퍼터링실과;상기 스퍼터링실 내에 반입 반출이 자유롭게 설정된 트레이와;상기 스퍼터링실 내에, 상기 트레이에 탑재된 기판의 피성막면에 대향해서 각각 설치되어 있고, 각각의 중심축의 주위에 회전 가능한 타겟용의 복수개의 지지체와;상기 지지체에, 상호 떨어져서 설치되어 있고, 복수개의 타겟 탑재면을 각각 가지는 복수개의 음극과;상기 지지체를 각각 회전 시켜 상기 지지체의 각각의 1개의 타겟 탑재면에 탑재된 타겟을 상기 피성막면에 대향한 성막 위치에 설정 가능하도록 하는 타겟 위치 결정기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 스퍼터링 장치를 양면 성막형 장치로 하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제 1 항 내지 제 3 항의 어느 한 항에 있어서,상기 피성막면에 중심측에서 대향하는 중심측 타겟 탑재면은, 상기 피성막면에 평행한 면으로 하고, 상기 피성막면에 주변측에서 대향하는 주변측 타겟 탑재면은 상기 중심측 타겟 탑재면으로부터 떨어지도록, 따라서 상기 피성막면에 접근하도록 상기 중심측 타겟 탑재면에 대해 기울여져 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제 1 항 내지 제 4 항의 어느 한 항에 있어서,상기 지지체의 중심축을 상기 지지체의 회전축으로 하고, 각 회전축은 상기피성막면에 평행하고, 동시에 서로 평행하게 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제 1 항 내지 제 5 항의 어느 한 항에 있어서,복수개의 상기 지지체는 상기 트레이의 반입 반출 방향에 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제 1 항 내지 제 6 항의 어느 한 항에 있어서,상기 타겟 탑재면에 탑재된 타겟의 피 스퍼터링면과 상기 피성막면과의 사이의 대향 거리를 조정하는 거리 조정기구를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제 1 항 내지 제 7 항의 어느 한 항에 있어서,상기 지지체의 상호간 거리를 조정하는 거리 조정기구를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제 1 항 내지 제 8 항에 있어서,상기 지지체의 단면 형상은, 삼각형, 사각형 및 오각형 이상의 다각형의 형상들로부터 선택된 1개의 형상으로 하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제 1 항 내지 제 9 항에 있어서,상기 기판에 대향하고 있지 않은 쪽의 타겟을 클리닝 하는 클리닝 장치를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제 4 항에 있어서,성막중에, 상기 타겟 위치 결정기구에 의해, 주변측의 상기 지지체를 각각 회전 시키고, 상기 지지체의 상기 주변측 타겟 탑재면의, 상기 기판의 피성막면에 대한 경사각을 조정하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제 4 항에 있어서,성막 중에, 상기 타겟 위치 결정기구에 의해, 주변측의 상기 지지체를 각각 일정 각도 범위 내에 두어서 정 반대 방향에 상호 교차하도록 회전 진동시키는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제 1 항 내지 제 12 항의 어느 한 항에 있어서,상기 스퍼터링실 내에 설치되어 있고, 상기 지지체의 주위의 일부분에 걸쳐서 상기 지지체를 포위함과 동시에, 성막시에 상기 기판과 대향되는 타겟에 대해서는 포위하지 않는 쉴드를, 상기 지지체 마다에 구비하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 쉴드를 상기 지지체와 연동시켜 구동 가능하도록 하기 위한 쉴드 구동기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,상기 지지체의 중심축을 상기 지지체의 회전 축으로 하고, 각 회전축은 상기 피성막면에 평행하고, 동시에 상호 평행하게 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,복수개의 상기 지지체는 상기 트레이의 반입 반출 방향에 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제 11 항 또는 제 12 항에 잇어서,상기 타겟 탑재면에 탑재된 타겟의 피스퍼터링면과 상기 피성막면과의 사이의 대향 거리를 조정하는 거리 조정기구를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,상기 지지체의 각각의 중심축 사이의 거리를 조정하는 거리 조정 기구를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,상기 지지체의 단면 형상을 삼각형, 사각형 및 오각형 이상의 다각형의 형상들로 부터 선택된 1개의 형상으로 하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,상기 기판에 대향하고 있지 않은 쪽의 타겟을 클리닝 하는 클리닝 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제 1 항 내지 제 20 항의 어느 한 항에 있어서,상기 지지체의 각각의 타겟 탑재면은 상기 기판의 피성막면과 평행함과 동시에, 상기 타겟 탑재면들 사이에서 평행한 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제 1 항 내지 제 21 항의 어느 한 항에 있어서,상기 기판을 유리 기판으로 하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001339827A JP2003147519A (ja) | 2001-11-05 | 2001-11-05 | スパッタリング装置 |
JPJP-P-2001-00339827 | 2001-11-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR20030038384A true KR20030038384A (ko) | 2003-05-16 |
KR100948205B1 KR100948205B1 (ko) | 2010-03-16 |
Family
ID=19154119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020020066246A KR100948205B1 (ko) | 2001-11-05 | 2002-10-29 | 스퍼터링 장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6800183B2 (ko) |
JP (1) | JP2003147519A (ko) |
KR (1) | KR100948205B1 (ko) |
CN (1) | CN1285755C (ko) |
TW (1) | TW573037B (ko) |
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CN1285755C (zh) | 2006-11-22 |
US20030085122A1 (en) | 2003-05-08 |
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