JP4633816B2 - ターゲット交換式プラズマ発生装置 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 73
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 19
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims description 11
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 9
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 4
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 4
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010892 electric spark Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
- C23C14/325—Electric arc evaporation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32055—Arc discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
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Description
3 被処理物
4 プラズマ発生部
6 ターゲット交換機構
8 ターゲット研磨部
10 研磨機
12 研磨部外壁
16 第1副ホルダ
18 第2副ホルダ
20 ストライカ
20a ストライカ
20b ストライカ
21 揺動機構
23 ストライカ収容部
24 陽極内壁
25 放電隔壁
26 外壁
28 ターゲットコイル
30 第1接続部
31 第2接続部
32 主ホルダ
32a 第1収容部
32b 第2収容部
33 外壁
34 グラインダ
35a 絶縁部材
35b 絶縁部材
36 グラインダ回転軸
37 電源
38 研磨隔壁
39 電線
40 電線
42 第1自転軸
42a 第1チャック
43 第1自転軸機構
44 第2自転軸
44a 第2チャック
45 第2自転軸機構
48 回転軸
50 フィルタコイル
51 屈曲部
52 屈曲磁場発生器
53 アパーチャ
54 プラズマ進行路
55 進行路外壁
56 ドロップレット進行路
56a ドロップレット捕集部
58 第2進行路
59 バッフル
62 第1磁場発生器
66 拡径管
66a バッフル
68 第2磁場発生器
70 第3進行路
71 第3磁場発生器
74 プラズマ処理部
102 ターゲット交換式プラズマ発生装置
104 プラズマ発生部
106 ターゲット交換機構
108 ターゲット研磨部
116 第1副ホルダ
118 第2副ホルダ
120 ストライカ
132 主ホルダ
142 第1自転軸
144 第2自転軸
148 回転軸
B1 安定化磁場
B2 プラズマ進行磁場
D ドロップレット
G グラインダ
g グラインダ
M 主モータ
M1 第1副モータ
M2 第2副モータ
MG グラインダ用モータ
m 回転機構
P プラズマ
S1 第1スライダ
S1 第1スライダ
T1 第1ターゲット
T2 第2ターゲット
TS1 放電面
TS2 放電面
t1 第1ターゲット
t2 第2ターゲット
tS1 放電面
tS1 放電面
Claims (8)
- 真空雰囲気下で陰極となるターゲットと陽極の間に真空アーク放電によりプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記ターゲットの放電面を研磨するターゲット研磨部と、前記プラズマ発生部の放電位置に配設されるターゲットと前記ターゲット研磨部の研磨位置に配設されるターゲットの位置を交換するターゲット交換機構を具備するターゲット交換式プラズマ発生装置において、前記ターゲット交換機構は、主モータにより半回転駆動される主ホルダと、前記主ホルダの直径方向の対向位置に設けられた2つの収容部と、2つの前記収容部に回転自在に収納された2つの副ホルダと、2つの前記副ホルダを自転させる2つの副モータと、2つの前記副ホルダをその自転軸の軸方向に昇降させる2つのスライダと、2つの前記副ホルダに嵌合される2つの前記ターゲットから構成され、前記主ホルダを半回転させて2つの前記ターゲットの位置を交換し、前記主ホルダの不動時に2つの前記ターゲットを前記放電位置と前記研磨位置に独立に昇降自転駆動することを特徴とするターゲット交換式プラズマ発生装置。
- 前記自転軸の先端に前記副ホルダと着脱可能な接続手段が設けられ、前記接続手段が脱離時に前記副モータと前記スライダは前記主ホルダから分離されて、前記副ホルダを収納した前記主ホルダだけが半回転して前記ターゲットの位置が交換され、前記接続手段の係着時に前記自転軸を上昇させて前記副ホルダを前記主ホルダから分離させ、前記2つのターゲットの各々を放電位置及び研磨位置に独立に配置させる請求項1に記載のターゲット交換式プラズマ発生装置。
- 前記接続手段がチャック機構からなる請求項2に記載のターゲット交換式プラズマ発生装置。
- 前記自転軸の先端に前記副ホルダが固着され、前記自転軸を上昇させて前記副ホルダを前記主ホルダから分離させて、前記2つの前記ターゲットの各々を放電位置及び研磨位置に独立に配置し、前記自転軸を下降させて前記副ホルダを前記主ホルダの前記収容部に内装し、前記主ホルダを半回転して前記ターゲットの位置を交換する際に前記副モータと前記スライダを一体に半回転させる請求項1に記載のターゲット交換式プラズマ発生装置。
- 前記プラズマ発生部は、前記ターゲットが前記放電位置に配置されたときに放電隔壁により密閉されたプラズマ発生室内に配置され、研磨機からなる前記ターゲット研磨部は前記ターゲットが前記研磨位置に配置されたときに研磨隔壁により密閉されたターゲット研磨室内に配置され、前記研磨機により前記ターゲットから放出される研磨粉が前記研磨室内に密封される請求項1〜4のいずれかに記載のターゲット交換式プラズマ発生装置。
- 前記プラズマ発生部は、電気的中性の外壁と前記外壁の内側に設けられた陽極内壁の内部に形成される請求項1〜5のいずれかに記載のターゲット交換式プラズマ発生装置。
- 前記ターゲット近傍位置の前記外壁の外周にターゲットコイルを配置し、前記プラズマ発生部のプラズマ出口側にフィルタコイルを配置し、前記ターゲットコイルにより発生する安定化磁場を前記フィルタコイルにより発生するプラズマ進行磁場と逆相(カプス)又は同相(ミラー)に形成する請求項6に記載のターゲット交換式プラズマ発生装置。
- 前記プラズマ発生部の前記放電位置に配置されるターゲットの近傍に前記ターゲットの前記放電面にアーク放電を誘起するストライカを配置し、回動手段により前記ストライカを支点の周りに回動させ、前記ストライカのトルク反力を測定して前記ストライカ先端が前記放電面に当接したことを検出する請求項1〜7のいずれかに記載のターゲット交換式プラズマ発生装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008094418A JP4633816B2 (ja) | 2008-03-31 | 2008-03-31 | ターゲット交換式プラズマ発生装置 |
PCT/JP2009/054015 WO2009122846A1 (ja) | 2008-03-31 | 2009-03-04 | ターゲット交換式プラズマ発生装置 |
EP09727568.9A EP2267181B1 (en) | 2008-03-31 | 2009-03-04 | Target exchange type plasma generator |
CN2009801091170A CN101970711B (zh) | 2008-03-31 | 2009-03-04 | 靶交换式等离子发生装置 |
US12/736,308 US20110109227A1 (en) | 2008-03-31 | 2009-03-04 | Target Exchange Type Plasma Generating Apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008094418A JP4633816B2 (ja) | 2008-03-31 | 2008-03-31 | ターゲット交換式プラズマ発生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009242929A JP2009242929A (ja) | 2009-10-22 |
JP4633816B2 true JP4633816B2 (ja) | 2011-02-16 |
Family
ID=41135238
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008094418A Active JP4633816B2 (ja) | 2008-03-31 | 2008-03-31 | ターゲット交換式プラズマ発生装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110109227A1 (ja) |
EP (1) | EP2267181B1 (ja) |
JP (1) | JP4633816B2 (ja) |
CN (1) | CN101970711B (ja) |
WO (1) | WO2009122846A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4576476B1 (ja) * | 2009-12-28 | 2010-11-10 | 株式会社フェローテック | ストライカ式プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置 |
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-
2008
- 2008-03-31 JP JP2008094418A patent/JP4633816B2/ja active Active
-
2009
- 2009-03-04 US US12/736,308 patent/US20110109227A1/en not_active Abandoned
- 2009-03-04 WO PCT/JP2009/054015 patent/WO2009122846A1/ja active Application Filing
- 2009-03-04 EP EP09727568.9A patent/EP2267181B1/en active Active
- 2009-03-04 CN CN2009801091170A patent/CN101970711B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101970711B (zh) | 2012-04-18 |
EP2267181B1 (en) | 2013-12-04 |
JP2009242929A (ja) | 2009-10-22 |
EP2267181A1 (en) | 2010-12-29 |
WO2009122846A1 (ja) | 2009-10-08 |
CN101970711A (zh) | 2011-02-09 |
US20110109227A1 (en) | 2011-05-12 |
EP2267181A4 (en) | 2011-09-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100507 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
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|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20100722 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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