KR102371334B1 - 성막 방법 및 성막 장치 - Google Patents

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마사히로 시바모토
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캐논 아네르바 가부시키가이샤
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Abstract

타깃의 근방에 스트라이커의 방전부를 배치하여 아크 방전을 유기하고, 이에 의해 발생되는 플라스마를 이용하여 기판에 막을 형성하는 성막 방법은, 상기 스트라이커에 의해 아크 방전을 유기시키는 위치를 상기 타깃에 있어서의 설정된 영역 중에서 변경하는 변경 공정과, 상기 위치에서 아크 방전을 일으킴으로써 발생되는 플라스마를 이용하여 기판에 막을 형성하는 성막 공정과, 상기 타깃의 사용에 따라 상기 영역을 축소하는 축소 공정을 포함한다.

Description

성막 방법 및 성막 장치
본 발명은 성막 방법 및 성막 장치에 관한 것이다.
플라스마 발생부에서 발생된 플라스마를 처리실에 수송하고 처리실에서 플라스마에 의해 기판에 막을 형성하는 성막 장치가 있다. 성막 장치의 일례로서, 플라스마 발생부에 있어서, 캐소드 타깃과 애노드 사이에서 진공 아크 방전에 의해 발생된 플라스마를 처리실에 수송하여 처리실에 있어서 기판에 막을 형성하는 진공 아크 성막 장치를 들 수 있다. 진공 아크 성막 장치는, 예를 들어 하드 디스크 드라이브의 자기 기록 매체의 표면 보호막으로서 ta-C(테트라히드럴ㆍ아몰퍼스 카본)막을 형성하기 위해 유용하다. 또한, 진공 아크 성막 장치는, 기계 부품 또는 절삭 공구 등의 표면에 Ti, Cr 등의 금속 원소를 포함하는 경질막을 형성하기 위해 유용하다.
특허문헌 1 및 특허문헌 2에 개시된 진공 아크 성막법에서는, 타깃을 음극으로 하고, 타깃과 타깃의 근방에 배치된 애노드와의 사이에서 아크 방전을 일으키게 함으로써 막을 형성한다. 아크 방전은, 양극부에 접속된 스트라이커를 타깃에 근접 또는 접촉시킴으로써 유기(誘起)될 수 있다.
이러한 진공 아크 성막법에서는, 일반적으로, 원기둥형 타깃의 상면 중앙부의 근방에 스트라이커의 방전부(선단부)를 배치한다. 타깃의 표면에 있어서의 스트라이커의 방전부가 근접 또는 접촉한 위치(아크 방전이 발생한 위치)에는 아크 스폿이 형성된다. 아크 스폿에서는, 타깃이 깍여져서 오목부가 형성될 수 있다. 타깃의 표면이 국소적으로 깍여져서 깊은 오목부가 형성되면, 아크 방전이 불안정해지고, 그 결과, 성막 속도가 저하되거나, 아크 방전이 소호(消弧)되거나 한다. 그래서, 특허문헌 2에는, 타깃 표면의 오목부가 어느 정도 커지면, 타깃의 표면을 그라인더 등으로 깎음으로써 평탄화시키는 성막 장치가 제안되어 있다.
그러나, 타깃의 표면을 깎는 것은, 타깃으로서 이용 가능한 부분을 제거하는 것이 되기 때문에, 타깃의 이용 효율이 저하된다. 또한, 특허문헌 1 및 특허문헌 2의 기술에서는, 타깃의 표면을 깎는 공정을 성막 공정 사이에 편입시킬 필요가 있기 때문에, 생산성이 저하되어 버린다. 나아가, 타깃을 회전시키는 회전 장치의 구동부에 타깃의 절삭분이 들어가, 회전 장치의 문제의 원인이 될 가능성이 있다. 이러한 문제에 대해, 특허문헌 3에는, 타깃을 그라인더 등으로 깎지 않고, 연속해서 성막이 가능한 성막 장치가 기재되어 있다. 구체적으로는, 특허문헌 3에는, 원기둥 형상의 타깃의 회전축 둘레의 측면에 스트라이커를 근접 또는 접촉시키는 구성에 있어서, 타깃의 측면에 있어서의 스트라이커(의 선단부)가 대향하는 위치가 변경되도록 타깃을 회동시키는 것이 기재되어 있다.
국제 공개 제96/26531호 일본 특허 공개 제2009-242929호 공보 국제 공개 제2015-140858호
타깃의 단부에 아크 스폿을 형성하면, 아크 스폿의 위치가 안정되지 않고, 성막 속도가 불균일해지거나, 아크 방전이 소호되거나 할 수 있다. 그래서, 타깃의 단부 이외의 부분에 아크 스폿이 형성될 수 있다. 그러나, 타깃의 단부 이외의 부분에 아크 스폿이 형성되도록 타깃의 사용을 계속하면, 단부와 단부 이외의 부분 사이에 큰 단차가 형성될 수 있다. 이 단차에 있어서는, 단부와 마찬가지로, 아크 스폿의 위치가 안정되지 않고, 성막 속도가 불균일해지거나, 아크 방전이 소호되거나 할 수 있다.
본 발명은 상기의 과제 인식을 계기로 하여 이루어진 것이며, 타깃을 보다 효과적으로 이용하기 위해 유리한 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제1 측면은, 타깃의 근방에 스트라이커의 방전부를 배치하여 아크 방전을 유기하고, 이에 의해 발생되는 플라스마를 이용하여 기판에 막을 형성하는 성막 방법에 관한 것이고, 상기 성막 방법은, 상기 스트라이커에 의해 아크 방전을 유기시키는 위치를 상기 타깃에 있어서의 설정된 영역 중에서 변경하는 변경 공정과, 상기 위치에서 아크 방전을 일으킴으로써 발생되는 플라스마를 이용하여 기판에 막을 형성하는 성막 공정과, 상기 타깃의 사용에 따라 상기 영역을 축소하는 축소 공정을 포함한다.
본 발명의 제2 측면은, 타깃의 근방에 스트라이커의 방전부를 배치하여 아크 방전을 유기하고, 이에 의해 발생되는 플라스마를 이용하여 기판에 막을 형성하는 성막 장치에 관한 것으로, 상기 성막 장치는, 상기 스트라이커에 의해 아크 방전을 유기시키는 위치를 변경하는 변경 기구와, 상기 위치가 상기 타깃에 있어서의 설정된 영역 중에서 변경되도록 상기 변경 기구를 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 타깃의 사용에 따라 상기 영역을 단계적으로 축소한다.
본 발명에 의하면, 타깃을 보다 효과적으로 이용하기 위해 유리한 기술이 제공된다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태의 진공 처리 장치의 구성을 도시하는 개략 평면도.
도 2는 도 1에 도시하는 처리 장치에 있어서의 캐리어의 구성을 도시하는 개략도.
도 3은 성막 장치의 구성의 일례를 도시하는 개략도.
도 4는 도 3에 도시하는 성막 장치의 플라스마 발생부의 확대 정면도.
도 5는 도 3에 도시하는 성막 장치의 플라스마 발생부의 확대 하면도.
도 6은 도 4에 도시하는 소스부의 A-A 화살표도.
도 7은 도 5에 도시하는 소스부의 B-B 화살표도.
도 8은 성막 장치의 동작을 제어하는 시스템 구성을 도시하는 도면.
도 9a, 도 9b, 도 9c, 도 9d, 도 9e, 도 9f는 설정된 스트라이크 범위(설정된 영역) 중에서 스트라이커에 의해 아크 방전을 유기시키는 위치(스트라이크 위치)를 변경하는 동작을, 기판에 막을 형성하는 성막 동작과 함께 설명하는 도면.
도 10a, 도 10b, 도 10c, 도 10d, 도 10e는 변경 공정, 성막 공정 및 축소 공정에 대해 설명하는 도면.
도 11a, 도 11b, 도 11c, 도 11d는 제1 스트라이크 범위에 있어서의 스트라이크 위치의 변경을 예시하는 도면.
도 12a, 도 12b, 도 12c, 도 12d는 제2 스트라이크 범위에 있어서의 스트라이크 위치의 변경을 예시하는 도면.
도 13a, 도 13b, 도 13c, 도 13d는 제3 스트라이크 범위에 있어서의 스트라이크 위치의 변경을 예시하는 도면.
이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명을 그 예시적인 실시 형태를 통해서 설명한다.
도 1에는, 본 발명의 일 실시 형태의 진공 처리 장치 VP의 구성이 모식적으로 도시되어 있다. 진공 처리 장치 VP는, 인라인식 성막 장치로서 구성될 수 있다. 진공 처리 장치 VP는, 복수의 처리실(111 내지 131)이 게이트 밸브를 개재하여 직사각형의 무단형으로 연결된 구성을 갖는다. 처리실(111 내지 131)은, 전용 또는 겸용 배기계에 의해 배기되는 진공 용기이다. 처리실(111 내지 131)에는, 기판(1)을 보유 지지한 캐리어(10)를 반송하는 반송 장치 CNV(도 3 참조)가 내장되어 있다.
반송 장치 CNV는, 캐리어(10)를 그에 의하여 보유 지지된 기판(1)의 주면이 수평면에 대해 수직으로 유지된 자세로 반송하는 반송로를 갖는다. 처리실(111)은, 캐리어(10)에 기판(1)을 장착하는 처리를 행하기 위한 로드 로크실이다. 처리실(116)은, 캐리어(10)로부터 기판(1)을 분리하는 처리를 행하기 위한 언로드 로크실이다. 기판(1)은, 예를 들어 자기 기록 매체로서의 사용에 적합한 것이며, 예를 들어 중심 부분에 개구(내주 구멍부)를 갖는 금속제, 혹은 유리제의 원판형 부재일 수 있다. 단, 기판(1)의 형상 및 재료는, 특정한 것에 한정되지 않는다.
진공 처리 장치 VP에 있어서의 기판의 처리 수순에 대해 설명한다. 우선, 처리실(로드 로크실)(111) 내에서 제1 기판(1)이 제1 캐리어(10)에 장착된다. 제1 캐리어(10)는, 처리실(밀착층 형성실)(117)로 이동하여, 제1 기판(1)에 밀착층이 형성된다. 제1 캐리어(10)가 처리실(밀착층 형성실)(117)에 배치되어 있을 때, 제2 캐리어(10)에 제2 기판(1)이 장착된다. 그 후, 제2 캐리어(10)는, 처리실(밀착층 형성실)(117)로 이동하고, 제2 기판(1)에 밀착층이 형성되고, 처리실(로드 로크실)(111) 내에서 제3 캐리어(10)에 제3 기판(1)이 장착된다. 각 캐리어(10)는, 처리실(117 내지 131)을 하나씩 이동하면서, 처리실(117 내지 131)의 각각에 있어서 기판(1)에 대한 처리가 이루어진다.
처리실(117 내지 131)은, 기판(1)에 대한 처리를 행하는 처리실이다. 처리실(117 내지 128)은, 예를 들어 밀착층, 연자성층, 시드층, 중간층, 자성층 등의 막을 형성하는 성막 장치의 처리실일 수 있다. 처리실(129)은, 예를 들어 ta-C막을 포함하는 표면 보호층을 형성하는 플라스마 처리 장치의 처리실일 수 있다. 처리실(130)은, 예를 들어 처리실(129) 내에서 형성된 ta-C막의 표면을 처리하는 처리 장치의 챔버일 수 있다. 처리실(112 내지 115)는, 기판(1)의 반송 방향을 90도 전환하는 방향 전환 장치를 구비한 처리실이다. 처리실(131)은, 캐리어(10)에 부착된 퇴적물을 제거하는 애싱 처리실이다. 진공 처리 장치 VP에 의해, 예를 들어 기판(1) 상에 밀착층, 하부 연자성층, 시드층, 중간층, 자기 기록층, ta-C막이 이 순으로 형성된 구조를 얻을 수 있다.
도 2에는, 캐리어(10)의 구성예가 도시되어 있다. 캐리어(10)는, 예를 들어 2매의 기판(1)을 동시에 보유 지지할 수 있다. 캐리어(10)는, 예를 들어 기판(1)을 각각 보유 지지하는 두 금속제 홀더(201)와, 두 홀더(201)를 지지하여 반송로 상을 이동하는 슬라이더(202)를 포함할 수 있다. 슬라이더(202)에는, 반송 장치 CNV가 슬라이더(202)를 구동하기 위한 영구 자석(204)이 마련되어 있다. 홀더(201)는, 기판(1) 표리의 성막 영역을 덮지 않고, 복수의 도전성의 탄성 부재(판 스프링)(203)에 의해 기판(1)의 외주부위 수개소를 파지한다.
도 3에는, 처리실(129)을 갖는 성막 장치(300)의 구성 및 반송 장치 CNV의 구성이 모식적으로 도시되어 있다. 반송 장치 CNV는, 반송로를 따라 나열된 다수의 종동 롤러(도시하지 않음)와, 캐리어(10)를 구동하는 자기 나사(303)를 포함한다. 자기 나사(303)가 회전 구동됨으로써, 영구 자석(204)이 마련된 슬라이더(202)(캐리어(10))가 반송로를 따라 구동된다. 캐리어(10)의 홀더(201)에 의해 보유 지지된 기판(1)에는, 도전성의 탄성 부재(203)를 통하여 전원(309)에 의해 전압이 인가된다. 혹은, 홀더(201)에 의해 보유 지지된 기판(1)은, 도전성의 탄성 부재(203)를 개재하여 접지될 수 있다. 홀더(201)에는, 직류 전압, 펄스 전압 또는 고주파 전압이 인가될 수 있다.
성막 장치(300)는, 예를 들어 진공 아크 성막법(Vacuum Arc Deposition)에 의해 기판(1)에 ta-C막을 형성하도록 구성될 수 있지만, 이것은 일례에 지나지 않는다. 성막 장치(300)는, 다른 방식으로 플라스마를 발생시켜도 된다. 성막 장치(300)는, 기판을 처리하는 처리실(129)과, 플라스마를 발생시키는 플라스마 발생부(306)와, 플라스마 발생부(306)에서 발생된 플라스마를 처리실(129)에 수송하는 수송부(304)를 구비할 수 있다. 또한, 성막 장치(300)는, 플라스마에 의해 기판(1)이 주사되도록 해당 플라스마를 회전시키는 자장을 발생하는 주사 자장 발생부 SCL과, 처리실(129)을 배기하는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프(도시하지 않음)를 구비할 수 있다. 이 예에서는, 처리실(129)은, 기판(1)에 ta-C막을 형성하는 성막실을 구성한다. 도 3에서는, 수송부(304) 및 플라스마 발생부(306)를 1세트만 나타내고 있지만, 처리실(129)의 양측에 수송부(304) 및 플라스마 발생부(306)가 1세트씩(즉, 수송부(304) 및 플라스마 발생부(306)가 2세트) 구비되어도 된다. 또한, 2매의 기판을 탑재하는 캐리어를 사용하는 경우에는, 2매의 기판의 양면을 동시에 처리할 수 있도록, 수송부(304) 및 플라스마 발생부(306)를 4세트 사용해도 된다.
수송부(304)는, 도 3에 모식적으로 도시되도록 이차원적으로 만곡된 싱글 벤드형 수송관일 수 있지만, 직선형, 더블 벤드형 또는 3차원적으로 만곡된 수송관이어도 된다. 필터 코일 FCL은, 수송부(304)의 내측(진공측)에 배치된 자장 발생부를 포함해도 된다. 필터 코일 FCL은, 플라스마(전자 및 이온)를 수송하는 자장을 수송부(304) 내에 형성한다. 수송부(304) 중에는, 복수의 배플이 배치될 수 있다.
이 예에서는, 플라스마 발생부(306)는, 진공 아크 방전에 의해 플라스마를 발생시키지만, 다른 방식으로 플라스마를 발생시켜도 된다. 플라스마 발생부(306)는, 이온 발생부(310)와, 타깃 구동부(312)를 갖는다. 이온 발생부(310)는, 그 내부가 수송부(304)의 연통된 챔버(314)와, 전자 및 이온을 생성하기 위한 음극인 타깃 TG와, 애노드 전극과, 스트라이커(320)를 포함할 수 있다. 이온 발생부(310)는, 타깃 TG를 보유 지지(적재)하는 타깃 홀더(318)와, 안정화 코일 ACL을 포함할 수 있다. 스트라이커(320)는, 타깃 TG와 애노드(316) 사이에서 아크 방전을 발생시키기(즉, 방전을 착화하기) 위한 부재이다. 타깃 구동부(변경 기구)(312)는, 후술되는 바와 같이, 회전부(322)와, 이동부(324)를 포함할 수 있다.
타깃 TG는, 이온 공급 소스이다. 이 예에서는, 타깃 TG는, ta-C막을 형성하기 위한 그래파이트 타깃이지만, 타깃 TG는, 기판(1)에 형성해야 할 막에 따른 재료(예를 들어, 질화 티타늄, 산화티타늄, 질화크롬, 산화크롬, 질화알루미늄, 산화알루미늄, 질화아연, 산화아연, 질화구리 또는 산화구리, 혹은 이들 합금)로 구성될 수 있다. 또한, 타깃 TG는, 본 실시 형태에서는, 원기둥 형상을 갖지만, 그 밖의 형상, 예를 들어 원통 형상이나 다각형의 기둥형이어도 된다. 회전부(322)는, 원기둥 형상을 갖는 타깃의 중심축과 회전축 RA를 일치시켜 타깃을 수평 방향으로 지지한 상태에서, 회전축 RA의 주위로 타깃을 회전 혹은 회동시킨다. 또한, 이동부(324)는, 타깃을 회전축 RA(타깃의 중심축)를 따라 이동(진퇴)시킨다.
안정화 코일 ACL은, 타깃 TG의 방전면측(수송부(304)측)의 반대측에 배치되어, 아크 방전을 안정시키기 위한 자장을 형성한다. 안정화 코일 ACL이 발생하는 자장과 필터 코일 FCL이 발생하는 수송 자장은 카스프 자장(서로 역방향)이 된다. 이 카스프 자장에 의해, 아크 스폿의 거동을 제어함과 함께, 타깃 TG와 애노드(316) 사이에 저부하의 전류 경로를 확보하여, 아크 방전을 안정화시킬 수 있다. 안정화 코일 ACL 대신에 영구 자석이 마련되어도 된다. 아크 방전에 의해 생성된 탄소 이온을 포함하는 플라스마는, 수송부(304)에 있어서의 수송 자장을 따라 처리실(129)로 수송되어, 처리실(129) 내에 배치된 기판(1)에 ta-C막이 형성된다. 플라스마 발생부(306)에는, 아르곤 등의 불활성 가스 및/또는 질소 가스의 반응성 가스가, 프로세스 가스로서 공급되어도 된다.
도 4 내지 도 7을 참조하여, 성막 장치(300)의 구성을 상세하게 설명한다. 도 4는, 플라스마 발생부(306)의 확대 정면도이며, 도 5는, 플라스마 발생부(306)의 확대 하면도이다. 도 6은, 도 4에 도시하는 플라스마 발생부(306)의 A-A 화살표도이며, 도 7은, 도 5에 도시하는 플라스마 발생부(306)의 B-B 화살표도이다.
안정화 코일 ACL은, 원관형 부재의 외측에 마련되어, 타깃 TG의 방전면측(수송부(304)측)과 반대측 챔버(314)의 외측(대기측)에 배치되고, 그 일단이 챔버(314)에 접속되어 있다. 본 실시 형태에서는, 안정화 코일 ACL이 마련된 원관형 부재의 내부는, 챔버(314)와 연통되어, 진공으로 유지되어 있다. 챔버(314)는, 그 내부가 진공 배기 가능하고, 타깃 TG 및 그 주위의 구성 요소, 즉 타깃 TG, 애노드(316) 및 스트라이커(320)를 수용한다. 애노드(316)는, 예를 들어 통 형상을 가질 수 있지만, 애노드(316)의 형상은, 수송부(304)로의 전자 및 탄소 이온의 수송을 가로막는 것이 아니면, 특별히 한정되지 않는다. 애노드(316)는, 그래파이트 재료로 구성될 수 있지만, 애노드(316)의 재료는, 아크 방전으로 발생된 플라스마로 용융되지 않고, 도전성을 갖는 재료이면 된다.
스트라이커(320)는, 타깃 TG와 애노드(316) 사이에 아크 방전을 유기시키기 위한 전극이다. 애노드(316)의 외측에 퇴피하고 있는 스트라이커(320)를 타깃 TG를 향하여 구동하여 타깃 TG에 전기적으로 접촉시켜, 스트라이커(320)로부터 타깃 TG에 아크 전류를 유입시킬 수 있다. 이 상태에서 스트라이커(320)를 타깃 TG로부터 분리함으로써, 아크 방전을 발생시킬 수 있다. 그리고, 애노드(316)와 타깃 TG 사이에서의 전자 전류 혹은 이온 전류를 유지함으로써, 아크 방전을 유지할 수 있다. 아크 방전에 의해, 타깃 TG로부터 탄소 이온 및 전자가 방출되어, 탄소 이온 및 전자를 포함하는 플라스마가 생성된다. 스트라이커(320)는, 애노드(316)에 전기적으로 접속되어 있다.
스트라이커(320)는, 방전부(320a)(선단부)를 갖고, 방전부(320a)는, 애노드(316)에 전기적으로 접속되어 있다. 스트라이커(320)는, 회동 구동됨으로써 방전부(320a)가 타깃 TG의 외주면 TG0의 근방에 배치될 수 있다. 여기서, 타깃 TG의 외주면 TG0이란, 타깃 TG의 회전축 RA의 둘레(회전축 둘레)의 측면이다. 또한, 타깃 TG의 외주면 TG0의 근방에 방전부(320a)가 배치된 상태는, 타깃 TG의 외주면 TG0과 방전부(320a) 사이에서 아크 방전을 유기시킬 수 있는 상태이다. 바꾸어 말하면, 스트라이커(320)는, 회동 구동됨으로써 방전부(320a)가 타깃 TG의 외주면 TG0에 접촉 상태가 되도록 마련되어 있다. 타깃 TG의 외주면 TG0과 스트라이커(320)의 방전부(320a)가 접촉 상태인 것은, 스트라이커(320)의 방전부(320a)가 외주면 TG0에 물리적으로 접촉하는 것만을 의미하지는 않는다. 타깃 TG의 외주면 TG0과 스트라이커(320)의 방전부(320a)가 접촉 상태인 것은, 스트라이커(320)의 방전부(320a)가 외주면 TG0에 근접하여 전기적으로 접촉하는 것도 의미한다. 바꾸어 말하면, 타깃 TG의 외주면 TG0과 스트라이커(320)의 방전부(320a)가 접촉 상태인 것은, 스트라이커(320)의 방전부(320a)와 타깃 TG가 저저항으로 도통하는 것도 의미한다.
스트라이커 구동부(326)는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 타깃 TG의 외주면 TG0의 근방에 스트라이커(320)의 방전부(320a)가 배치된 상태 및 외주면 TG0으로부터 방전부(320a)가 이격한 상태가 되도록, 스트라이커(320)를 회동 구동할 수 있다. 스트라이커 구동부(326)는, 예를 들어 도 4에 도시하는 바와 같이, 스트라이커용 모터(328)와, 풀리(330a 및 330b)와, 벨트(332)와, 모터 베이스(334)와, 자기 시일(336)을 포함할 수 있다. 스트라이커(320)는, 풀리(330a, 330b)와 벨트(332)를 개재하여, 스트라이커용 모터(328)에 접속될 수 있다. 스트라이커용 모터(328)는, 챔버(314)에 마련된 모터 베이스(334)에 고정되어, 스트라이커(320)를 소정 각도(예를 들어, 90도 정도)만큼 회동시킬 수 있다. 스트라이커용 모터(328)가 대기측에 마련되어 있기 때문에, 스트라이커 구동부(326)는, 자기 시일(336)을 통하여, 대기측으로부터 진공측의 스트라이커(320)로 회전력을 전달할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 스트라이커(320)의 회동 각도에 관계없이 전류를 안정되게 공급하기 위해, 로터리 커넥터(회전 도입기)(338)를 통하여, 전력을 공급할 수 있다.
타깃 TG는, 타깃 홀더(318)에 의해 보유 지지될 수 있다. 타깃 홀더(318)를 통하여, 타깃 TG에 전류를 공급할 수 있도록, 타깃 급전 단자(340)가 대기측에 마련될 수 있다. 타깃 홀더(318)는, 샤프트(342)의 일단에 고정될 수 있다. 샤프트(342)의 타단에는, 회전부(322)가 마련될 수 있다. 또한, 이동부(324)는, 회전부(322)를 지지하는 베이스 플레이트(344)를 이동(진퇴)시키도록 마련될 수 있다. 샤프트(342)는, 타깃 TG를 수평으로 지지하는 부재일 수 있다. 또한, 샤프트(342)는, 타깃 TG에 전류를 공급하기 위한 경로의 일부일 수 있다. 또한, 샤프트(342)의 내부에는, 타깃 TG를 냉각시키기 위한 냉각수를 흘리기 위한 수로가 형성될 수 있다. 타깃 홀더(318)는, 샤프트(342)와 타깃 TG 사이에 마련되어, 타깃 TG의 고정, 타깃 TG의 냉각 및 전류 경로의 기능을 가질 수 있다.
타깃 구동부(312)는, 회전부(322)와, 이동부(324)를 포함할 수 있다. 타깃 구동부(312)는, 스트라이커(320)에 의해 아크 방전을 유기시키는 위치를 변경하는 변경 기구를 구성할 수 있다. 회전부(322)에 대해 설명한다. 베이스 플레이트(344)에는, 샤프트(342)의 회전 시일부(346)가 마련될 수 있다. 또한, 베이스 플레이트(344)에는, 대기측에 있어서, 회전용 모터(348)가 고정될 수 있다. 벨로우즈(350)는, 챔버(314)와 베이스 플레이트(344) 사이에 마련되고, 그 내부에 샤프트(342)가 배치되어 있다. 벨로우즈(350)의 내부는, 챔버(314)와 연통되어, 진공으로 유지하는 것이 가능하다. 벨로우즈(350)는, 베이스 플레이트(344)의 이동에 따라 신축한다. 지주(352)에는, 조인트(354)가 고정될 수 있다. 조인트(354)를 통하여, 샤프트(342)의 내부에 형성된 수로에 냉각수가 공급되고, 또한, 해당 수로로부터 냉각수가 배출될 수 있다. 회전용 모터(348)는, 풀리(356a, 356b)와 벨트(358)를 개재하여, 샤프트(342)를 회전시킬 수 있다.
다음에, 이동부(324)에 대해 설명한다. 장착 베이스(360)는, 챔버(314)에 고정된 부재일 수 있다. 장착 베이스(360)에는, LM 가이드(362)를 개재하여, 베이스 플레이트(344)가 고정될 수 있다. LM 가이드(362)는, 회전부(322)의 회전축 RA(타깃 TG의 중심축)를 따라 베이스 플레이트(344)를 이동시키도록 마련되어 있다. LM 가이드(362)는, 볼 나사(366) 및 너트(372)에 의해 구성될 수 있다. 도 7에 도시하는 바와 같이, 장착 베이스(360)에는, 이동용 모터(364) 및 볼 나사(366)가 고정될 수 있다. 보다 구체적으로는, 장착 베이스(360)에 장착된 제1 플레이트(368a) 및 제2 플레이트(368b)에 의해, 볼 나사(366)가 지지될 수 있다. 이동용 모터(364)는, 제2 플레이트(368b)에 고정되어, 기어(370a 및 370b)를 개재하여, 볼 나사(366)을 회전시키도록 구성될 수 있다. 또한, 베이스 플레이트(344)는, 볼 나사(366)의 회전에 따라 이동(진퇴)하는 너트(372)에 고정될 수 있다. 따라서, 이동용 모터(364)의 회전에 의해, 베이스 플레이트(344)에 장착된 부분을 이동시킬 수 있다. 베이스 플레이트(344)에는, 상술한 바와 같이, 샤프트(342) 및 벨로우즈(350)의 일단이 장착될 수 있다.
도 8은, 성막 장치(300)의 동작, 예를 들어 아크 방전에 의해 타깃 TG로부터 발생된 이온을 기판(1)에 조사하여 기판(1)에 막을 형성하는 처리에 관한 동작을 제어하는 시스템 구성을 도시하는 도면이다. 성막 장치(300)는, 제어부(802)를 갖고, 상위 제어 장치(801)로부터의 커맨드(제어 신호)가 제어부(802)에 공급될 수 있다. 제어부(802)는, 상위 제어 장치(801)로부터의 커맨드에 따라 타깃 구동부(312)(변경 기구), 스트라이커 구동부(326) 및 전력 인가부(803)를 제어하도록 구성될 수 있다. 또한, 제어부(802)는, 타깃 구동부(312)(변경 기구), 스트라이커 구동부(326) 및 전력 인가부(803)로부터의 신호를 상위 제어 장치(801)에 송신하도록 구성될 수 있다. 제어부(802)는, 예를 들어 FPGA(Field Programmable Gate Array의 약어) 등의 PLD(Progra㎜able Logic Device의 약어), 또는 ASIC(Application Specific Integrated Circuit의 약어), 또는 프로그램이 내장된 범용 컴퓨터, 또는 이들 전부 또는 일부의 조합에 의해 구성될 수 있다. 상위 제어 장치(801)는, 진공 처리 장치 VP의 전체를 제어하는 기능을 가지며, 예를 들어 반송 장치, 게이트 밸브, 반송 로봇 등 기판 반송계나 다른 프로세스 챔버의 제어계 등을 제어하도록 구성될 수 있다.
제어부(802)는, 연산부(802a) 및 기억부(802b)를 갖는 장치로서 구성될 수 있다. 연산부(802a)는, 타깃 구동부(312), 스트라이커 구동부(326) 및 전력 인가부(803)로부터의 신호에 연산 처리를 실시하여 현재값 및 변화량을 구할 수 있다. 기억부(802b)는, 타깃 구동부(312), 스트라이커 구동부(326) 및 전력 인가부(803)의 현재값 및 변화량, 제어 정보 등을 기억할 수 있다. 또한, 기억부(802b)는, 연산부(802a)로부터의 판독 신호에 따라, 기억하고 있는 값(타깃 구동부(312), 스트라이커 구동부(326) 및 전력 인가부(803)의 현재값 및 변화량 등)을 연산부(802a)로 되돌리도록 구성될 수 있다.
타깃 구동부(312)는, 상술한 바와 같이, 회전부(322)나 이동부(324)를 포함하고, 타깃 TG를 회전 혹은 회동시키거나, 타깃 TG를 이동(진퇴)시키거나 하도록 구성될 수 있다. 스트라이커 구동부(326)는, 상술한 바와 같이, 타깃 TG의 외주면 TG0의 근방에 스트라이커(320)의 방전부(320a)가 배치된 상태 및 외주면 TG0으로부터 스트라이커(320)의 방전부(320a)가 이격된 상태가 되도록, 스트라이커(320)를 구동할 수 있다. 타깃 구동부(312) 및 스트라이커 구동부(326)는, 회동 각도 등의 조작량을 검출하는 센서(예를 들어, 인코더)를 구비한 모터를 포함할 수 있다. 바꾸어 말하면, 타깃 구동부(312) 및 스트라이커 구동부(326)는, 조작량(예를 들어, 위치, 각도)을 제어 가능한 구동원으로서 구성될 수 있다.
전력 인가부(803)는, 타깃 TG와 애노드(316) 사이에 아크 방전을 유기시키기 위한 전압(전력)을 공급한다. 전력 인가부(803)는, 예를 들어 전원으로서 구성되지만, 저항계 등의 센서를 포함하고 있어도 된다. 또한, 전력 인가부(803)는, 안정화 코일 ACL로 전력을 공급하는 전원, 필터 코일 FCL로 전력을 공급하는 전원, 주사 자장 발생부 SCL로 전력을 공급하는 전원, 수송부(304)로 바이어스 전압을 인가하는 전원 등을 포함할 수 있다.
스트라이커(320)는, 타깃 구동부(312)에 의한 타깃 TG의 구동이 완료된 후, 제어부(802)로부터의 제어 신호에 따라, 스트라이커 구동부(326)에 의해 구동될 수 있다. 스트라이커 구동부(326)에 의한 스트라이커(320)의 구동이 완료된 후(즉, 타깃 TG의 외주면의 근방에 스트라이커(320)의 방전부(320a)가 배치된 후), 전력 인가부(803)가 타깃 TG와 스트라이커(320) 사이에 전압을 인가한다. 타깃 TG의 외주면의 근방에 스트라이커(320)의 방전부(320a)가 배치된 경우의 판정은, 예를 들어 스트라이커(320)를 구동하는(회동시키는) 스트라이커용 모터(328)의 회동 속도가 0으로 되어 있음으로써 행해질 수 있다. 또한, 이 판정은, 스트라이커용 모터(328)의 회동이 개시되고 나서의 경과 시간에 기초하여 이루어져도 되고, 토크에 기초하여 이루어져도 된다.
전력 인가부(803)는, 스트라이커(320)의 방전부(320a)가 타깃 TG의 외주면의 근방에 배치되어 있는 상태로부터 방전부(320a)가 타깃 TG의 외주면으로부터 이격될 때까지의 기간에 걸쳐서 타깃 TG와 스트라이커(320) 사이에 전압을 인가할 수 있다. 구체적으로는, 스트라이커(320)가 타깃 TG의 외주면의 근방에 배치된 상태가 소정 시간에 걸쳐 유지되고, 전력 인가부(803)는, 이 소정 시간에 걸쳐 타깃 TG와 스트라이커(320) 사이에 전압을 인가할 수 있다. 그리고, 전력 인가부(803)가 전압을 인가한 후, 스트라이커 구동부(326)가 스트라이커(320)를 퇴피시켜, 타깃 TG와 스트라이커(320)가 이격될 수 있다. 이러한 제어를 행함으로써, 아크 방전을 안정되게 발생시킬 수 있다. 또한, 타깃 TG는, 아크 방전의 종료 후, 회전부(322)에 의해 소정의 각도만큼 회동되고, 및/또는 이동부(324)에 의해 소정의 거리만큼 이동(진퇴)될 수 있다.
성막 장치(300)는, 원기둥 형상을 갖는 타깃 TG의 중심축을 수평하게 한 상태에서 타깃을 지지하고, 타깃 TG의 외주면 TG0에 있어서 아크 방전을 발생시키도록 구성될 수 있다. 성막 장치(300)는, 타깃 구동부(312)에 의해 타깃 TG를 회동 및/또는 이동시킬 수 있기 때문에, 타깃 TG의 외주면 TG0에 있어서의 어느 위치에서도 아크 방전을 발생시킬 수 있다.
아크 방전은, 타깃 TG의 외주면의 근방에 스트라이커(320)의 방전부(320a)가 배치된 상태에서 유기된다. 이 때, 타깃 TG의 외주면 TG0 중 아크 방전이 발생된 부분(대향 위치)에 아크 스폿이 형성되고, 당해 부분이 깎여서 결손부가 형성될 수 있다. 성막 장치(300)에서는, 다음의 아크 방전에 의해 결손부 혹은 아크 스폿이 형성되는 위치(스트라이커(320)에 의해 아크 방전을 유기시키는 위치(이하, 스트라이크 위치라고도 함))가, 이미 아크 방전에 의해 형성된 결손부에 근접시키도록 타깃 TG가 구동된다. 이에 의해, 타깃 TG가 균등하게 깍여나가기 때문에, 타깃 TG로서 이용 가능한 부분을 그라인더 등의 가공 기계에 의해 깎을 필요가 없어진다. 따라서, 타깃 TG의 이용 효율을 향상시키면서, 아크 방전을 안정되게 발생시킬 수 있다. 또한, 성막 장치(300)에서는, 타깃 TG를 가공 기계에 의해 깎는 공정을 성막 공정 사이에 편입시킬 필요가 없다. 따라서, 스루풋의 저하 및 타깃 TG의 절삭분에 기인하는 타깃 구동부(312) 및 스트라이커 구동부(326)의 문제의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 연속해서 균일한 막을 형성할 수 있다.
도 9a 내지 도 9f를 참조하면서, 설정된 스트라이크 범위(설정된 영역) 중에서 스트라이커에 의해 아크 방전을 유기시키는 위치(스트라이크 위치)를 변경하는 동작을, 기판에 막을 형성하는 성막 동작과 함께 설명한다. 이 동작은, 제어부(802)에 의한 타깃 구동부(312) 및 스트라이커 구동부(326)의 제어에 의해 실현될 수 있다.
우선, 도 9a에 도시하는 바와 같이, 타깃 TG의 외주면 TG0의 제1 스트라이크 범위(L1R 내지 L1E)의 제1단에 위치하는 스트라이크 위치 SP(진퇴 방향(X 방향)의 위치=L1R, 회동 각도=0)에 있어서, 타깃 TG와 스트라이커(320)의 방전부(320a)가 접촉 상태로 되도록, 타깃 구동부(312)에 의해 타깃 TG가 구동된다. 스트라이크 범위란, 스트라이크 위치를 이동(변경)시킬 수 있는 범위이다. 바꾸어 말하면, 스트라이크 범위는, 타깃 TG에 있어서의 설정된 영역이며, 당해 영역 중에서 스트라이크 위치를 변경할 수 있다. 스트라이크 위치는, 타깃 TG의 외주면 TG0에 있어서의, 타깃 TG의 진퇴 방향의 위치, 및 타깃 TG의 회동 각도로 특정될 수 있다.
스트라이커 구동부(326)에 의해 스트라이커(320)가 구동되어, 스트라이크 위치 SP에 있어서, 타깃 TG의 외주면 TG0과 스트라이커(320)의 방전부(320a)가 접촉 상태로 되어, 아크 방전이 유기된다. 이에 의해, 타깃 TG의 외주면 TG0에 있어서의 스트라이커(320)의 방전부(320a)의 접촉 위치(스트라이크 위치 SP)에 아크 스폿이 형성되어, 아크 방전에 의한 결손부 CP가 형성될 수 있다. 또한, 아크 방전이 유기된 후, 스트라이커 구동부(326)에 의해 스트라이커(320)가 구동되어, 스트라이크 위치 SP(진퇴 방향의 위치=L1R, 회동 각도=0)로부터 스트라이커(320)의 방전부(320a)가 이격된다. 이 아크 방전은, 기판의 성막을 위해 유지되며, 아크 방전에 의해 형성된 플라스마(이온)에 의해 기판에 막이 형성된다. 이 아크 방전이 유지되고 있는 동안은, 타깃 TG에 형성되는 결손부 CP가 확대될 수 있다.
다음에, 도 9b에 도시하는 바와 같이, 아크 방전에 의해 타깃 TG의 외주면 TG0에 형성되어야 할 아크 스폿이 외주면 TG0에 있어서 이동하도록 타깃 구동부(312)(회전부(322))에 의해 타깃 TG가 회전축 RA의 둘레로 회동 각도 θ만큼 회동될 수 있다. 그리고, 스트라이커 구동부(326)에 의해 스트라이커(320)가 구동되고, 스트라이크 위치 SP(진퇴 방향의 위치=L1R, 회동 각도=θ)에 있어서, 타깃 TG의 외주면 TG0과 스트라이커(320)의 방전부(320a)가 접촉 상태로 되고, 아크 방전이 유기된다. 이에 의해, 타깃 TG의 외주면 TG0에 있어서의 스트라이커(320)의 방전부(320a)의 접촉 위치(스트라이크 위치 SP)에 아크 스폿이 형성되고, 아크 방전에 의해 새로운 결손부 CP가 형성될 수 있다(바꾸어 말하면, 결손부 CP가 확대될 수 있다). 또한, 아크 방전이 유기된 후, 스트라이커 구동부(326)에 의해 스트라이커(320)가 구동되고, 스트라이크 위치 SP(진퇴 방향의 위치=L1R, 회동 각도=0)로부터 스트라이커(320)의 방전부(320a)가 이격된다. 이 아크 방전은, 기판의 성막을 위해 유지되고, 아크 방전에 의해 형성된 플라스마(이온)에 의해 기판에 막이 형성된다. 이 아크 방전이 유지되고 있는 동안은, 타깃 TG에 형성되는 결손부 CP가 확대될 수 있다.
다음에, 아크 방전에 의해 타깃 TG의 외주면 TG0에 형성되어야 할 아크 스폿이 외주면 TG0에 있어서 이동하도록 타깃 구동부(312)(회전부(322))에 의해 타깃 TG가 회전축 RA의 둘레로 회동 각도 θ만큼 회동될 수 있다.
이상과 같이, 아크 방전과 타깃 TG의 회동을 반복함으로써, 도 9c에 도시하는 바와 같이, 타깃 TG의 외주면 TG0의 제1 스트라이크 범위의 제1단에 위치하는 스트라이크 위치=L1R에 둘레형으로 결손부 CP가 형성된다. 여기서, 일례에 있어서, 스트라이크 위치=L1R에서는, 타깃 TG가 회전축 RA의 둘레로 2회전될 수 있다.
타깃 TG의 외주면 TG0의 제1 스트라이크 범위의 제1단에 위치하는 스트라이크 위치=L1R에 둘레형으로 결손부 CP가 형성된 후, 도 9d에 도시하는 바와 같이, 타깃 구동부(312)(이동부(324))에 의해 타깃 TG가 회전축 RA를 따라 진행 방향(+X 방향)으로 X㎜ 이동된다. 이 때, 아크 방전에 의해 이미 타깃 TG에 생기고 있는 둘레형의 결손부 CP와, 이후의 아크 방전에 의해 타깃 TG에 형성되어야 할 결손부 CP가 인접하고, 혹은 그 일부가 겹치도록, 타깃 TG가 진행 방향으로 X㎜ 이동될 수 있다. 그리고, 스트라이크 위치 SP(진퇴 방향에 있어서의 위치 L1R+X, 회동 각도=0)에 있어서, 타깃 TG의 외주면 TG0과 스트라이커(320)의 방전부(320a)가 접촉 상태로 되어, 아크 방전이 유기된다. 이에 의해, 스트라이크 위치 SP에 아크 스폿이 형성되고, 아크 방전에 의해 새로운 결손부 CP가 형성될 수 있다(결손부 CP가 확대될 수 있다). 또한, 아크 방전이 유기된 후, 스트라이커 구동부(326)에 의해 스트라이커(320)가 구동되고, 스트라이크 위치 SP로부터 스트라이커(320)의 방전부(320a)가 이격된다. 이 아크 방전은, 기판의 성막을 위해 유지되고, 아크 방전에 의해 형성된 플라스마(이온)에 의해 기판에 막이 형성된다. 이 아크 방전이 유지되고 있는 동안은, 타깃 TG에 형성되는 결손부 CP가 확대될 수 있다.
다음에, 아크 방전에 의해 타깃 TG의 외주면 TG0에 형성되어야 할 아크 스폿이 외주면 TG0에 있어서 이동하도록 타깃 구동부(312)(회전부(322))에 의해 타깃 TG가 회전축 RA의 둘레로 회동 각도 θ만큼 회동될 수 있다. 그리고, 스트라이커 구동부(326)에 의해 스트라이커(320)가 구동되고, 스트라이크 위치 SP(진퇴 방향에 있어서의 위치=L1R+X, 회동 각도=θ)에 있어서, 타깃 TG의 외주면 TG0과 스트라이커(320)의 방전부(320a)가 접촉 상태로 되어, 아크 방전이 유기된다. 이에 의해, 타깃 TG의 외주면 TG0에 있어서의 스트라이커(320)의 방전부(320a)와의 접촉 위치(스트라이크 위치 SP)에 아크 스폿이 형성되고, 아크 방전에 의해 새로운 결손부 CP가 형성될 수 있다(바꾸어 말하면, 결손부 CP가 확대될 수 있다). 또한, 아크 방전이 유기된 후, 스트라이커 구동부(326)에 의해 스트라이커(320)가 구동되고, 스트라이크 위치 SP(진퇴 방향의 위치=L1R, 회동 각도=0)로부터 스트라이커(320)의 방전부(320a)가 이격된다. 이 아크 방전은, 기판의 성막을 위해 유지되고, 아크 방전에 의해 형성된 플라스마(이온)에 의해 기판에 막이 형성된다. 이 아크 방전이 유지되고 있는 동안은, 타깃 TG에 형성되는 결손부 CP가 확대될 수 있다.
다음에, 아크 방전에 의해 타깃 TG의 외주면 TG0에 형성되어야 할 아크 스폿이 외주면 TG0에 있어서 이동하도록 타깃 구동부(312)(회전부(322))에 의해 타깃 TG가 회전축 RA의 둘레로 회동 각도 θ만큼 회동될 수 있다.
이상과 같이, 아크 방전과 타깃 TG의 회동을 반복함으로써, 도 9e에 도시하는 바와 같이, 스트라이크 위치=L1R+X에 둘레형으로 결손부 CP가 형성된다. 여기서, 일례에 있어서, 스트라이크 위치=L1R+X에서는, 타깃 TG가 회전축 RA의 둘레로 1회전될 수 있다. 여기서, 타깃 TG의 1회전은, 타깃 TG의 복수회에 걸친 회동에 의해 이루어진다.
이상의 동작은, 제1 스트라이크 범위의 제2단에 위치하는 스트라이크 위치=L1E까지 반복된다. 이에 의해, 도 9f에 도시하는 바와 같이, 제1 스트라이크 범위의 전체에 아크 스폿에 의한 결손부 CP가 형성될 수 있다. 한편, 스트라이크 범위의 외측인 비스트라이크 범위에는 아크 스폿이 발생되지 않으므로, 타깃이 깍일 일은 없고, 결손부 CP가 형성되지 않는다. 그 결과, 제1 스트라이크 범위의 제1단과 비스트라이크 범위의 경계 및 제1 스트라이크 범위의 제2단과 비스트라이크 범위와의 경계에 단차가 형성될 수 있다.
일례에서는, 제1 스트라이크 범위의 제2단 L1E에서는, 타깃 TG가 회전축 RA의 둘레로 2회전될 수 있다. 즉, 제1 스트라이크 범위의 제1단 L1R 및 스트라이크 범위의 제2단 L1E에서는, 타깃 TG가 회전축 RA의 둘레로 2회전된다. 한편, 그 이외의 스트라이크 위치에서는 1회전으로 될 수 있다. 이와 같은 제어에 의하면, 각 스트라이크 위치 SP에서의 아크 방전의 발생 횟수가 동일해지고, 타깃 TG를 균등하게 깎을 수 있다.
본 실시 형태의 성막 방법에서는, 스트라이크 범위(설정된 영역) 중에서 스트라이크 위치(스트라이커에 의해 아크 방전을 유기시키는 위치)를 변경하는 변경 공정 및 성막 공정은, 스트라이크 범위를 축소하면서 반복될 수 있다. 바꾸어 말하면, 본 성막 방법은, 스트라이크 범위 내에서 스트라이크 위치를 변경하는 변경 공정과, 해당 스트라이크 위치에서 아크 방전을 일으킴으로써 발생되는 플라스마를 이용하여 기판에 막을 형성하는 성막 공정과, 스트라이크 범위를 축소하는 축소 공정을 포함할 수 있다.
여기서, 변경 공정과 적어도 1회의 성막 공정을 포함하는 사이클이 반복된 후에, 축소 공정이 실시되고, 그 후, 해당 사이클이 반복될 수 있다. 축소 공정에서는, 축소 전의 스트라이크 범위에 축소 후의 스트라이크 범위가 수렴되도록 스트라이크 범위가 축소될 수 있다. 변경 공정에서는, 타깃 TG를 회동시킴으로써 스트라이크 위치가 변경될 수 있다. 변경 공정에서는, 타깃 TG의 회전축에 평행인 방향으로 타깃 TG를 이동시킴으로써 스트라이크 위치가 더욱 변경될 수 있다.
이하, 도 10a 내지 도 10e를 참조하면서, 본 실시 형태에서의 변경 공정, 성막 공정 및 축소 공정에 대해 설명한다. 도 10a에는, 미사용 타깃 TG가 예시되어 있다. 타깃 TG를 타깃 홀더(318)에 고정한 후, 도 10b에 도시하는 바와 같이, 제1 스트라이크 범위 내에서 스트라이크 위치를 변경하는 변경 공정이 실시됨과 함께, 각 스트라이크 위치에서 성막 공정이 실시된다. 그 후, 제1 스트라이크 범위의 제1단 L1R과 비스트라이크 범위의 경계 및 제1 스트라이크 범위의 제2단 L1E와 비스트라이크 범위의 경계에 단차가 형성될 수 있다. 그러나, 해당 경계에서 발생시킨 아크 방전이 불안정해지기 전에, 제1 스트라이크 범위(L1R 내지 L1E)로부터 도 10c에 예시되는 제2 스트라이크 범위(L2R 내지 L2E)로 스트라이크 범위가 변경(축소)된다.
그리고, 제2 스트라이크 범위 내에서 스트라이크 위치를 변경하는 변경 공정이 실시됨과 함께, 각 스트라이크 위치에서 성막 공정이 실시된다. 그 후, 제2 스트라이크 범위의 제1단 L2R과 비스트라이크 범위의 경계 및 제2 스트라이크 범위의 제2단 L1E와 비스트라이크 범위의 경계에 단차가 형성될 수 있다. 그러나, 해당 경계에서 발생시킨 아크 방전이 불안정해지기 전에, 제2 스트라이크 범위(L2R 내지 L2E)로부터 도 10d에 나타내는 제3 스트라이크 범위(L3R 내지 L3E)로 스트라이크 범위가 변경(축소)된다. 그리고, 제3 스트라이크 범위 내에서 스트라이크 위치를 변경하는 변경 공정이 실시됨과 함께, 각 스트라이크 위치에서 성막 공정이 실시된다.
이와 같이 하여, 제(n-1) 스트라이크 범위(L(n-1)R 내지 L(n-1)E)에 있어서 변경 공정 및 성막 공정이 실시된 후, 스트라이크 범위와 비스트라이크 범위의 경계에서 발생시킨 아크 방전이 불안정해지기 전에, 제(n-1) 스트라이크 범위(L(n-1)R 내지 L(n-1)E)로부터 도 10e에 나타내는 제n 스트라이크 범위(LnR 내지 LnE)로 스트라이크 범위가 변경(축소)된다. 여기서, 스트라이크 범위는, 제1 스트라이크 범위(L1R㎜ 내지 L1E㎜)로부터 제n 스트라이크 범위(LnR㎜ 내지 LnE㎜)(n은 정수)까지 순차적으로 변경될 수 있다. 또한, 스트라이크 범위는, 타깃 TG의 길이 L㎜에 대해, L＞L1R 내지 L1E＞L2R 내지 L2E＞L3R 내지 L3E＞…L(n-1)R 내지 L(n-1)E＞LnR 내지 LnE이다.
본 실시 형태에 의하면, 변경 공정 및 축소 공정의 실시에 의해, 스트라이크 위치에 구애되지 않고 아크 방전을 안정되게 발생시킬 수 있으므로, 안정된 성막 속도로 연속해서 균일한 막을 형성할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 타깃 TG를 그라인더 등의 가공 기계에 의해 깎는 처리가 불필요하기 때문에, 장치의 소형화나 메인터넌스 비용의 저감을 실현할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 타깃 TG의 진퇴 방향에 있어서의 스트라이크 범위의 양단에 있어서는, 타깃 TG를 회전축 RA의 둘레로 2회전시킨 후에 타깃 TG가 진퇴 방향으로 이동될 수 있다. 또한, 타깃 TG의 진퇴 방향에 있어서의 스트라이크 범위의 양단 이외에서는, 타깃 TG를 회전축 RA의 둘레로 1회전시킨 후에 타깃 TG가 진퇴 방향으로 이동될 수 있다. 단, 스트라이크 범위의 전역에 있어서, 진퇴 방향에 있어서의 스트라이크 위치의 변경 조건으로서의 타깃 TG의 회전의 횟수를 동일하도록 해도 된다. 혹은, 스트라이크 범위의 양단과 양단 이외에 있어서, 진퇴 방향에 있어서의 스트라이크 위치의 변경 조건으로서의 타깃 TG의 회전의 횟수를, 아크 방전이 안정적으로 발생되는 범위에서 적절하게 변경해도 된다. 예를 들어, 진퇴 방향에 있어서의 스트라이크 위치의 변경 조건으로서의 타깃 TG의 회전의 횟수, 즉 바퀴 수는, 1둘레 내지 4둘레의 범위 내인 것이 바람직하다.
또한, 본 실시 형태에서는, 타깃 TG를 회전축 RA의 둘레로 회동시킨 후, 타깃 TG를 진퇴 방향으로 이동하도록, 타깃 TG의 회동 및 이동을 제어하고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 결손부 CP가 나선형으로 형성되도록, 즉 대향 위치의 타깃 TG의 외주면 TG0에 있어서의 아크 스폿의 궤적이 나선형으로 되도록, 타깃 TG의 회동 및 이동을 제어해도 된다.
또한, 상기 예에서는, 아크 방전을 발생시킬 때마다 스트라이크 위치가 변경되지만, 아크 스폿에 의해 형성되는 결손부의 사이즈가 미리 정해진 사이즈보다 커질 때마다 스트라이크 위치가 변경되어도 된다. 바꾸어 말하면, 타깃 TG에 아크 스폿에 의해 형성되는 결손부의 사이즈가 미리 정해진 사이즈보다 커질 때까지는, 스파이크 위치가 유지되어도 된다.
아크 방전에 의해 형성되는 아크 스폿의 위치에 따라, 기판(1)에 형성되는 막의 성막 속도가 변동될 수 있다. 구체적으로는, 아크 스폿이 애노드(316)의 중심에 존재하면 성막 속도가 향상되고, 아크 스폿이 애노드(316)로 접근하면 성막 속도가 저하될 수 있다. 따라서, 아크 스폿이 애노드(316)로부터 이격된 위치에 형성되면 된다. 그래서, 본 실시 형태에서는, 스트라이커 구동부(326)는, 애노드(316)와, 접촉 상태에 있어서의 스트라이커(320)의 방전부(320a)의 위치 관계가 일정해지도록 타깃 TG가 구동된다. 이에 의해, 성막 속도를 안정시킬 수 있다.
이하, 상술한 진공 처리 장치 VP의 성막 장치(300)에 의해 ta-C막을 형성하는 성막 방법의 실시예를 든다. 상술한 실시 형태에 나타내는 장치를 사용하여, 기판 상에 밀착층, 하부 연자성층, 시드층, 중간층, 자기 기록층을 순차적으로 적층하였다. 다음으로 자기 기록층이 형성된 기판에 표면 보호층으로서 ta-C막을 형성하였다.
(실시예 1)
도 11a 내지 도 13d는, 실시예 1에 관한 타깃 구동 제어의 일례를 도시하는 도면이다. 각각의 도에는, 타깃 TG의 각 스트라이크 위치에 있어서, 타깃 TG를 회전축 RA의 둘레로 회전시키는 횟수인 바퀴 수(360도 회전한 횟수)가 기재되어 있다. 도 11a 내지 도 11d에 제1 스트라이크 범위(L1R㎜ 내지 L1E㎜)에 있어서의 타깃 TG의 구동 제어를 나타낸다. 스트라이크 위치 SP(진퇴 방향의 위치 L1R, 회동 각도=0)로부터 타깃 TG의 구동을 개시하고, 타깃 TG의 진퇴 방향에 있어서의 스트라이크 위치=L1R에 있어서, 타깃 TG를 회전축 RA의 둘레로 2회전(도 11a)시킨다. 그 후, 타깃 TG를 진행 방향으로 X㎜ 이동시킴으로써 스트라이크 위치를 변경한다. 그리고, 타깃 TG의 진퇴 방향의 위치=L1R+X에 있어서, 타깃 TG를 회전축 RA의 둘레로 1회전시킨 후, 타깃 TG를 진행 방향으로 X㎜ 이동시킴으로써 스트라이크 위치를 변경한다. 이와 같은 동작을 스트라이크 위치가 제1 스트라이크 범위의 제2단 L1E에 달할 때까지 행한다(도 11b). 다음에, 제1 스트라이크 범위의 제2단 L1E에 있어서, 타깃 TG를 회전축 RA의 둘레로 추가로 1회전(도 11c)시킨 후, 타깃 TG를 퇴피 방향으로 X㎜ 이동한다. 그리고, 타깃 TG의 진퇴 방향의 위치 L1E-X에 있어서, 타깃 TG를 회전축 RA의 둘레로 1회전시킨 후, 타깃 TG를 퇴피 방향으로 X㎜ 이동한다. 이것을 타깃 TG 진퇴 방향의 위치 L1E-X부터 L1R+X까지 순차적으로 반복하여, 타깃 TG를 제1 스트라이크 범위의 L1R+X로 이동한다(도 11d). 이러한 타깃 TG의 회동 동작 및 진퇴 동작을 타깃 TG 진퇴 방향의 각 스트라이크 위치를 2회 통과할 때까지 반복한다.
도 12a 내지 도 12d에 제2 스트라이크 범위(L2R 내지 L2E)에 있어서의 타깃 TG의 구동 제어를 나타낸다. 이 실시예에서는, 제2 스트라이크 범위의 제1단 L2R은, L1R+2X이며, 제2 스트라이크 범위의 제2단 L2E는, L1E-2X이다. 타깃 TG의 진퇴 방향에 있어서의 스트라이크 위치=L2R에 있어서, 타깃 TG를 회전축 RA의 둘레로 2회전(도 12a)시킨 후, 타깃 TG를 진행 방향으로 X㎜ 이동시킴으로써 스트라이크 위치를 변경한다. 그리고, 타깃 TG의 진퇴 방향의 위치=L2R+X에 있어서, 타깃 TG를 회전축 RA의 둘레로 1회전시킨 후, 타깃 TG를 진행 방향으로 X㎜ 이동시킴으로써 스트라이크 위치를 변경한다. 이러한 동작을 스트라이크 위치가 제2 스트라이크 범위의 제2단 L2E에 달할 때까지 행한다(도 12b). 다음에, 제2 스트라이크 범위의 제2단 L2E에 있어서, 타깃 TG를 회전축 RA의 둘레로 추가로 1회전(도 12c)시킨다. 그 후, 타깃 TG를 퇴피 방향으로 X㎜ 이동한다. 그리고, 타깃 TG 진퇴 방향의 위치 L2E-X에 있어서, 타깃 TG를 회전축 RA의 둘레로 1회전시킨 후, 타깃 TG를 퇴피 방향으로 X㎜ 이동한다. 이것을 타깃 TG의 진퇴 방향의 위치 L2E-X부터 L2R+X까지 순차적으로 반복하여, 타깃 TG를 제2 스트라이크 범위의 L2R+X로 이동한다(도 12d). 이러한 타깃 TG의 회동 동작 및 진퇴 동작을 타깃 TG의 진퇴 방향의 각 스트라이크 위치를 2회 통과할 때까지 반복한다.
제2 스트라이크 범위에서도, 제1 스트라이크 범위와 마찬가지로, 스트라이크 범위의 양단의 위치에서는, 타깃 TG를 회전축 RA의 둘레로 2회전(2바퀴)한 후, 타깃 TG를 진퇴 방향으로 이동한다. 그 이외의 타깃 TG의 진퇴 방향의 위치에서는, 타깃 TG를 회전축 RA의 둘레로 1회전한 후, 타깃 TG를 진퇴 방향으로 이동한다. 그리고, 이 동작을 타깃 TG의 진퇴 방향의 각 스트라이크 위치를 2회 통과할 때까지 반복한 후, 제1 스트라이크 범위로부터 제2 스트라이크 범위로의 변경 시와 마찬가지로 제3 스트라이크 범위(L3R 내지 L3E)로 스트라이크 범위를 변경한다.
도 13a 내지 도 13d에 제3 스트라이크 범위(L3R 내지 L3E)에 있어서의 타깃 TG의 구동 제어를 나타낸다. 제3 스트라이크 범위의 제1단 L3R은, L2R+2X이며, 제3 스트라이크 범위의 제2단 L3E는, L2E-2X이다.
상기한 바와 같이 각각의 스트라이크 범위에 있어서, 각 타깃 TG의 진퇴 방향의 위치를 2회 통과할 때마다 스트라이크 범위를 편측 2X㎜씩, 즉 스트라이크 범위가 4X㎜씩 좁아지도록 타깃 TG를 순차적으로 이동시키는 제어를 행한다. 스트라이크 범위를 변경하는 조건으로서의 타깃 TG의 회전의 횟수는, 예를 들어 타깃 TG를 1회 회전시키는 동안에 있어서의 성막 속도의 변화에 기초하여 결정될 수 있다. 본 실시예에서는, 각 타깃 TG의 진퇴 방향의 위치를 2회 통과할 때마다 스트라이크 범위를 변경하지만, 이것에 한정되는 것이 아니고, 아크 방전이 안정되게 발생되는 범위에서 적절하게 변경해도 된다. 또한, 스트라이크 범위마다 통과 횟수를 개별적으로 설정할 수도 있다. 또한, 본 실시예에서는, 스트라이크 범위를 편측 2X㎜씩 축소하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 2)
다음으로 실시예 2에 대해 설명한다. 각 스트라이크 범위에서의 타깃 TG의 구동 제어는, 실시예 1과 마찬가지이지만, 스트라이크 범위를 변경할지 여부의 판정에 있어서, 타깃 TG에 스트라이커(320)의 방전부가 접촉할 때의 스트라이커(320)의 회동 각도(도 6)를 이용한다. 타깃 TG에 스트라이커(320)의 방전부(320a)가 접촉할 때의 스트라이커(320)의 회동 각도를 스트라이커(320)의 접촉 회동 각도 또는 단지 접촉 회동 각도라고 한다. 접촉 회동 각도는, 타깃 TG의 외주면 TG0의 위치, 바꾸어 말하면, 미사용 타깃 TG의 외주면 TG0의 위치로부터 현재의 외주면 TG0의 변화량을 나타낸다. 실시예 1에서는 스트라이크 범위를 변경할 때 타깃 TG의 진퇴 방향의 각 스트라이크 위치의 통과 횟수(회전의 횟수=바퀴 수)로 판정한다. 한편, 본 실시예에서는, 타깃 TG와 스트라이커(320)의 회동 각도로부터 타깃 TG의 소모를 추정하여, 스트라이크 범위의 변경을 행한다.
본 실시예에서는, 스트라이크마다 스트라이커(320)의 접촉 회동 각도의 측정을 행하고, 스트라이커(320)의 접촉 회동 각도의 변화에 의해, 타깃 TG의 소모를 판정하고, 스트라이크 범위를 변경한다. 즉, 미사용 타깃 TG에 스트라이커(320)의 방전부(320)가 접촉할 때의 스트라이커(320)의 접촉 회동 각도와, 스트라이크마다의 접촉 회동 각도의 차분에 의해, 타깃의 소모(타깃 형상)를 실시간으로 감시할 수 있다. 따라서, 본 실시예에 의하면, 성막 조건에 상관없이, 타깃 TG를 효율적으로 이용할 수 있다.
스트라이크 범위를 변경할지 여부를 판정하기 위해 이루어지는, 스트라이커(320)의 접촉 회동 각도의 측정은, 스트라이크 범위와 비스트라이크 범위의 경계로부터 충분히 이격된 위치(스트라이크 범위 내의 위치)에 있어서 이루어질 수 있다. 이것은, 스트라이크 범위와 비스트라이크 범위의 경계에는 단차가 존재하고, 이 단차에 의해 스트라이커(320)의 회동 각도의 변동이 커지기 때문이다. 또한, 예를 들어 판정에서 사용되는 스트라이커(320)의 접촉 회동 각도는, 복수 스트라이크 위치에서 측정된 평균값이 사용될 수 있다. 판정의 예로서는, 미사용 타깃에 관하여 측정된 접촉 회동 각도에 비하여 사용 개시 후의 타깃에 대해 측정된 접촉 회동 각도가 1.0°만큼 커진 후에, 제1 스트라이크 범위로부터 제2 스트라이크 범위로 축소되는 예를 들 수 있다. 마찬가지로, 미사용 타깃 TG에 관하여 측정된 접촉 회동 각도에 비하여, 사용 개시 후의 타깃에 대해 측정된 접촉 회동 각도가 2.0°만큼 커진 후에, 제2 스트라이크 범위로부터 제3 스트라이크 범위로 축소되는 예를 들 수 있다. 이 예에서는, 스트라이커(320)의 접촉 회동 각도가 1.0°만큼 커질 때마다 스트라이크 범위가 축소되도록 타깃이 구동된다.
타깃 TG의 구동은, 실시예 1과 마찬가지로 이루어질 수 있다. 즉, 스트라이크 범위의 양단의 위치에서는, 타깃 TG를 회전축 RA의 둘레로 2회전한 후에 타깃 TG를 진퇴 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 그 이외의 타깃 TG 진퇴 방향의 위치에서는, 타깃 TG를 회전축 RA의 둘레로 1회전한 후에 타깃 TG를 진퇴 방향으로 이동할 수 있다.
상기한 바와 같이 스트라이커의 회동 각도에 따라, 스트라이크 범위를 편측2X씩, 즉 스트라이크 범위가 4X씩 짧아지도록 스트라이크 범위가 단계적으로 축소될 수 있다. 스트라이크 범위를 축소하는 조건으로서의 스트라이커(320)의 접촉 회동 각도는, 예를 들어 스트라이커(320)의 접촉 회동 각도에 대한 성막 속도의 변화 또는 아크 방전의 안정성에 관한 데이터에 기초하여 이루어질 수 있다. 본 실시예에서는, 스트라이커(320)의 접촉 회동 각도가 1.0°만큼 커질 때마다 스트라이크 범위가 변경될 수 있지만, 이것에 한정되는 것이 아니고, 아크 방전이 안정되게 발생되는 범위에서 적절하게 변경해도 된다. 또한, 스트라이크 범위마다 스트라이커(320)의 접촉 회동 각도(예를 들어, 미사용 타깃 TG에 대해 측정된 스트라이커(320)의 회동 각도로부터의 변화량)를 개별적으로 설정할 수도 있다. 또한, 본 실시예에서는, 스트라이크 범위를 편측 2X㎜씩 축소하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 3)
실시예 3으로서, 스트라이크 범위를 변경할지 여부의 판정이, 수송되는 플라스마양에 기초하여 이루어진다. 본 실시예는, 실시예 1 및 실시예 2와 마찬가지의 효과가 얻어진다. 여기서, 수송되는 플라스마양은, 수송부(304)로 유입되는 전류의 적산값에 기초하여 평가될 수 있다. 플라스마양은, 기판에 형성되는 막의 두께와 상관 관계가 있고, 단위 시간당 플라스마양이 많을수록 성막 속도가 빨라진다. 또한, 각 스트라이크 범위에서의 타깃 TG의 구동 제어는, 실시예 1, 2와 마찬가지이다.
본 실시예에서는, 수송부(304)에 정(正)의 바이어스 전압을 인가한 상태에서, 수송부(304)로 유입되는 전류값을 계측하여 적산함으로써 타깃 TG의 소모를 판정하고, 스트라이크 범위를 변경시킨다. 여기서, 수송부(304)로 유입되는 전류값은, 플라스마양에 상당한다. 즉, 미사용 타깃의 사용 개시 직후 또는 스트라이크 범위의 변경 직후에 있어서의 적산 전류값과, 타깃 TG의 진퇴 방향에 있어서의 스트라이크 범위의 양단부에 도달하였을 때의 적산 전류값을 비교한다. 이에 의해, 스트라이크 범위와 비스트라이크 범위의 경계에 형성되는 단차에 기인하는 성막 속도의 저하를 실시간으로 감시할 수 있다. 실시예 2와 마찬가지로, 성막 조건에 따라, 타깃 TG를 효율적으로 이용할 수 있다. 예를 들어, 미사용 타깃의 사용 개시 직후 또는 스트라이크 범위의 변경 직후의 적산 전류값에 대한 스트라이크 범위의 단에서의 적산 전류값의 비율이 0.85 이하가 된 후에, 제1 스트라이크 범위로부터 제2 스트라이크 범위, 제2 스트라이크 범위로부터 제3 스트라이크 범위로 스트라이크 범위를 변경한다.
상기한 바와 같이 미사용 타깃의 사용 개시 직후 또는 스트라이크 범위의 변경 직후의 적산 전류량과 타깃 TG의 진퇴 방향에 있어서의 스트라이크 범위의 단에서의 적산 전류값에 따라, 스트라이크 범위를 편측 2X㎜씩, 즉 스트라이크 범위가 4X㎜씩 짧아지도록 타깃을 이동시킨다. 본 실시예에 의하면, 수송부(304)로 수송되는 플라스마양을 실시간으로 모니터할 수 있으므로, 실시예 1 및 실시예 2와 같은 사전 데이터 취득을 하지 않고, 스트라이크 범위와 비스트라이크 범위로 형성된 단차에 의해 수송부(304)로 수송되는 플라스마양이 감소할 때마다 스트라이크 범위를 변경할 수 있다. 본 실시예에서는, 상기 비율이 0.85 이하가 된 후에 스트라이크 범위를 변경하였지만, 이것에 한정되는 것이 아니고, 아크 방전이 안정적으로 발생되는 범위에서 적절하게 변경해도 된다. 또한, 상기 비율을 개별적으로 설정할 수도 있다. 또한, 본 실시예에서는, 스트라이크 범위를 편측 2X㎜씩 축소하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해 설명하였지만, 본 발명은 이들 실시 형태에 한정되지 않고, 그 요지의 범위 내에서 다양한 변형 및 변경이 가능하다.
1: 기판
10: 캐리어
129: 처리실
304: 수송부
310: 이온 발생부
312: 타깃 구동부
316: 애노드
318: 타깃 홀더
320: 스트라이커
320a: 방전부
322: 회전부
324: 이동부
326: 스트라이커 구동부
801: 상위 제어 장치
802: 제어부
803: 전력 인가부
TG: 타깃
TG0: 타깃의 외주면
RA: 회전축
FCL: 필터 코일
ACL: 안정화 코일
SCL: 주사 자장 발생부

Claims (10)

  1. 타깃의 근방에 스트라이커의 방전부를 배치하여 아크 방전을 유기하고, 이에 의해 발생되는 플라스마를 이용하여 기판에 막을 형성하는 성막 방법이며,
    상기 스트라이커에 의해 아크 방전을 유기시키는 위치를 상기 타깃에 있어서의 설정된 영역 중에서 변경하는 변경 공정과,
    상기 위치에서 아크 방전을 일으킴으로써 발생되는 플라스마를 이용하여 기판에 막을 형성하는 성막 공정과,
    상기 타깃의 사용에 따라 상기 영역을 축소하는 축소 공정을 포함하고,
    상기 변경 공정과 적어도 1회의 상기 성막 공정을 포함하는 사이클이 반복된 후에, 상기 축소 공정이 실시되고, 그 후, 상기 사이클이 반복되며,
    상기 타깃은 상기 사이클과 상기 축소 공정이 반복하여 실시됨으로써, 상기 타깃의 중앙부 측이 오목한 형상으로 깎이게 되는,
    것을 특징으로 하는 성막 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 축소 공정에서는, 축소 전의 상기 영역에 축소 후의 상기 영역이 포함되도록 상기 영역이 축소되는,
    것을 특징으로 하는 성막 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 변경 공정에서는, 상기 타깃을 회동시킴으로써 상기 위치가 변경되는,
    것을 특징으로 하는 성막 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 변경 공정에서는, 상기 타깃의 회전축에 평행인 방향으로 상기 타깃을 이동시킴으로써 상기 위치가 추가로 변경되는,
    것을 특징으로 하는 성막 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 축소 공정에서는, 상기 방향에 관하여 상기 영역이 축소되는,
    것을 특징으로 하는 성막 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 변경 공정에서는, 상기 방향에 있어서의 상기 타깃의 위치가 고정된 상태에서 상기 타깃을 복수회에 걸쳐 회동시키는 것에 의한 상기 타깃이 회전한 횟수에 따라, 상기 방향에 있어서의 상기 타깃의 위치가 변경되는,
    것을 특징으로 하는 성막 방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 변경 공정에서는, 상기 방전부가 상기 타깃에 접촉할 때의 상기 스트라이커의 회동 각도에 따라 상기 방향에 있어서의 상기 타깃의 위치가 변경되는,
    것을 특징으로 하는 성막 방법.
  8. 제4항에 있어서, 상기 변경 공정에서는, 수송되는 플라스마양에 따라 상기 방향에 있어서의 상기 타깃의 위치가 변경되는,
    것을 특징으로 하는 성막 방법.
  9. 타깃의 근방에 스트라이커의 방전부를 배치하여 아크 방전을 유기하고, 이에 의해 발생되는 플라스마를 이용하여 기판에 막을 형성하는 성막 공정을 수행하는 성막 장치이며,
    상기 스트라이커에 의해 아크 방전을 유기시키는 위치를 변경하는 변경 공정을 수행하는 변경 기구와,
    상기 위치가 상기 타깃에 있어서의 설정된 영역 중에서 변경되도록 상기 변경 기구를 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 타깃의 사용에 따라 상기 영역을 단계적으로 축소하는 축소 공정을 수행하며,
    상기 변경 공정과 적어도 1회의 상기 성막 공정을 포함하는 사이클이 반복된 후에, 상기 축소 공정이 실시되고, 그 후, 상기 사이클이 반복되며,
    상기 타깃은 상기 사이클과 상기 축소 공정이 반복하여 실시됨으로써, 상기 타깃의 중앙부 측이 오목한 형상으로 깎이게 되는,
    것을 특징으로 하는 성막 장치.
  10. 삭제
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