KR20030014643A - 반도체 장치 - Google Patents

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Abstract

칩 사이즈를 축소하는 것을 과제로 하는 본 발명의 반도체 장치는, P형의 반도체 기판(1) 위에 게이트 절연막(3, 4)을 개재하여 형성된 게이트 전극(5)과, 해당 게이트 전극(5)에 인접하도록 형성된 N형의 소스·드레인 영역(6, 7, 8, 9)과, 해당 소스·드레인 영역 사이에 형성된 채널 영역(10)을 갖고, 상기 게이트 전극(5), 채널 영역 및 소스·드레인 영역의 각 형상이 각각 6각형 형상을 이루고, 인접하는 각 트랜지스터끼리를 소정 간격 어긋나게 하여 배치한 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 장치{SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, 반도체 장치에 관한 것으로, 다시 말하면, 트랜지스터 구조의 다각형상화를 도모함으로써, 그 패턴 레이아웃의 미세화를 가능하게 하는 기술에 관한 것이다.
도 3 및 도 4는 종래의 반도체 장치를 설명하기 위한 단면도 및 평면도이다.
도 3에서, 참조 부호(51)는 일 도전형, 예를 들면 P형의 반도체 기판이며, 해당 기판(51) 위의 소자 분리막(52) 이외의 영역에 형성된 제1 게이트 절연막(53) 및 해당 제1 게이트 절연막(53)보다도 두꺼운 제2 게이트 절연막(54)을 개재하여 게이트 전극(55)이 형성되어 있다.
또한, 상기 게이트 전극(55)에 상기 제2 게이트 절연막(54)을 개재하여 인접하도록 저농도의 N형의 소스·드레인 영역(N-층, 드리프트층)(56, 57)이 형성되어 있다.
또한, 상기 제2 게이트 절연막(54)으로부터 상기 소자 분리막(52)에 걸쳐 고농도의 N형의 소스·드레인 영역(N+층)(58, 59)이 형성되어 있다.
그리고, 참조 부호(60)는 채널 영역이고, 참조 부호(61)는 반전 방지용의 채널 스토퍼층이다. 또한, 상기 구조로 이루어지는 반도체 장치는, 소위 LOCOS 오프셋형의 반도체 장치이다.
이와 같이 종래의 트랜지스터 형상은 직사각형이 기본이었다. 그리고, 약반전(弱反轉) 리크(leak)의 발생을 억지하기 위해, 도 4에 도시한 바와 같이 N-층(56, 57)으로부터 볼록형상으로 돌출하는 볼록 부분(도 4에 도시한 해칭 영역 참조)이 필요하였다.
상술한 바와 같이 종래의 반도체 장치는, 약반전 리크의 발생을 억지하기 위해, 도 4에 도시한 볼록 부분이 필요하며, 웨이퍼 위에 복수개의 트랜지스터를 배치하는 경우에, 실현 가능한 최소 웨이퍼 사이즈 S2가 그 블록 부분만큼 커지게 된다는 문제가 있었다.
도 1은 본 발명에 따른 일 실시예의 반도체 장치를 도시한 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 일 실시예의 반도체 장치를 도시한 평면도.
도 3은 종래의 반도체 장치를 도시한 단면도.
도 4는 종래의 반도체 장치를 도시한 평면도.
따라서, 상술한 바와 같은 과제를 감안하여 이루어진 본 발명의 반도체 장치는, 일 도전형의 반도체 기판 위에 게이트 절연막을 개재하여 형성된 게이트 전극과, 해당 게이트 전극에 인접하도록 형성된 역도전형의 소스·드레인 영역과, 해당 소스·드레인 영역 사이에 형성된 채널 영역을 갖고, 상기 게이트 전극, 채널 영역 및 소스·드레인 영역의 각 형상이 각각 다각형 형상을 이루며, 인접하는 각 트랜지스터끼리를 소정 간격 어긋나게 하여 구성한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 게이트 전극, 채널 영역 및 소스·드레인 영역의 형상이 6각형 형상을 이루고 있는 것을 특징으로 한다.
그리고, 6각형 형상을 이룬 상기 게이트 전극, 채널 영역 및 소스·드레인 영역의 각 요철부를 인접하는 각 트랜지스터끼리를 어긋나게 하여 배치한 것을 특징으로 한다.
이에 따라, 인접하는 트랜지스터에서의 N-층부터 볼록하게 돌출하는 볼록 부분을 각각 소정 간격 어긋나게 하여 배치함으로써, 복수개의 트랜지스터를 효율적으로 배치할 수 있다.
이하, 본 발명의 반도체 장치에 따른 일 실시예에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 반도체 장치를 설명하는 단면도 및 평면도이다.
도 1에서, 참조 부호(1)는 일 도전형, 예를 들면 P형의 반도체 기판이며, 해당 기판(1) 위의 소자 분리막(2) 이외의 영역에 형성된 제1 게이트 절연막(3) 및 해당 제1 게이트 절연막(3)보다도 두꺼운 제2 게이트 절연막(4)을 개재하여 게이트 전극(5)이 형성되어 있다.
또한, 상기 게이트 전극(5)에 상기 제2 게이트 절연막(4)을 개재하여 인접하도록 저농도의 N형의 소스·드레인 영역(N-층, 드리프트층)(6, 7)이 형성되어 있다.
또한, 상기 제2 게이트 절연막(4)으로부터 상기 소자 분리막(2)에 걸쳐 고농도 N형의 소스·드레인 영역(N+층)(8, 9)이 형성되어 있다.
그리고, 참조 부호(10)는 채널 영역이고, 참조 부호(11)는 반전 방지용의 채널 스토퍼층이다. 또한, 상기 구조로 이루어지는 반도체 장치는, 소위 LOCOS 오프셋형의 반도체 장치이다.
여기서, 본 발명의 특징은, 도 2에 도시한 바와 같이 트랜지스터 형상(트랜지스터를 구성하는 게이트 전극(5), 소스·드레인 영역(6, 7, 8, 9) 및 채널 영역(10))을 다각형 형상(본 실시예에서는, 6각형 형상)이 되도록 구성한 것이다.
그리고, 각 구성 요소를 6각형 형상으로 하고, 인접하는 트랜지스터끼리를 그 6각형의 요철부를 소정 간격 어긋나게 하여, 각각 엇갈리게 배치함으로써, 복수개의 트랜지스터를 간극 없이 배치하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 채널 길이나 드리프트 길이(N-층) 등의 필요한 사이즈를 변경하지 않고, 칩 면적을 축소할 수 있다.
또한, 도 2에 도시한 해칭 영역이, 종래 구조에서의 볼록 부분에 상당하며, 해당 볼록 부분에서 약반전 리크를 억지하고 있다.
이와 같이 본 발명에서는, 종래와 같은 볼록 부분에 의한 면적 증대를 억지하기 위해 트랜지스터 형상을 다각형 형상(6각형 형상)으로 구성하고, 인접하는 트랜지스터끼리를 소정 간격(인접하는 볼록 부분의 요철을) 어긋나게 하여 배치함으로써, 웨이퍼 사이즈 S1을 종래 구조의 웨이퍼 사이즈 S2에 비하여 작게 할 수 있다.
이것에 의해, 웨이퍼 위에 형성하는 복수의 트랜지스터의 밀집도를 증대시킬 수 있어, 칩 전체의 면적을 작게 할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는, LOCOS 오프셋형의 반도체 장치에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것이 아니며, 각종의 구조를 갖는 반도체 장치에 적용 가능한 것이다.
본 발명에 따르면, 트랜지스터를 구성하는 게이트 전극, 채널 영역, 소스·드레인 영역을 다각형 형상으로 하고, 인접하는 트랜지스터를 소정 간격 어긋나게 하여 배치시킴으로써, 각 트랜지스터를 간극 없이 배치할 수 있다.
따라서, 채널 길이나 드리프트 길이 등의 필요한 사이즈를 변경하지 않고, 칩 전체의 면적을 작게 할 수 있다.

Claims (3)

  1. 일 도전형의 반도체 기판 위에 게이트 절연막을 개재하여 형성된 게이트 전극과, 해당 게이트 전극에 인접하도록 형성된 역도전형의 소스·드레인 영역과, 해당 소스·드레인 영역 사이에 형성된 채널 영역을 갖는 반도체 장치에 있어서,
    상기 게이트 전극, 채널 영역 및 소스·드레인 영역의 각 형상이 각각 다각형 형상을 이루고, 인접하는 각 트랜지스터끼리를 소정 간격 어긋나게 하여 배치한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 게이트 전극, 채널 영역 및 소스·드레인 영역의 형상이 6각형 형상을 이루고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    6각형 형상을 이룬 상기 게이트 전극, 채널 영역 및 소스·드레인 영역의 각 요철부를 인접하는 각 트랜지스터끼리 어긋나게 하여 배치한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4635897B2 (ja) * 2006-02-15 2011-02-23 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
JP2008140939A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4639762A (en) * 1984-04-30 1987-01-27 Rca Corporation MOSFET with reduced bipolar effects
US4684967A (en) * 1984-05-04 1987-08-04 Integrated Logic Systems, Inc. Low capacitance transistor cell element and transistor array
US4833513A (en) * 1985-01-20 1989-05-23 Tdk Corporation MOS FET semiconductor device having a cell pattern arrangement for optimizing channel width
JP3057757B2 (ja) * 1990-11-29 2000-07-04 日産自動車株式会社 トランジスタ
JPH0669418A (ja) * 1992-08-21 1994-03-11 Fujitsu Ltd 半導体装置
JP3136885B2 (ja) * 1994-02-02 2001-02-19 日産自動車株式会社 パワーｍｏｓｆｅｔ
JP3361913B2 (ja) * 1995-04-11 2003-01-07 沖電気工業株式会社 半導体装置
US5973368A (en) * 1996-06-05 1999-10-26 Pearce; Lawrence G. Monolithic class D amplifier
US5838050A (en) * 1996-06-19 1998-11-17 Winbond Electronics Corp. Hexagon CMOS device
KR19980084806A (ko) * 1997-05-26 1998-12-05 김영환 반도체 소자의 구동 트랜지스터 레이아웃 방법
JP2000232225A (ja) * 1999-02-10 2000-08-22 Sharp Corp 絶縁ゲート型半導体装置
KR100401495B1 (ko) * 2000-12-28 2003-10-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법

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