KR20020085585A

KR20020085585A - 웨이퍼 배면을 에칭하기 위한 장치

Info

Publication number: KR20020085585A
Application number: KR1020010025162A
Authority: KR
Inventors: 류영호; 남형희; 정호필
Original assignee: 삼성전기주식회사
Priority date: 2001-05-09
Filing date: 2001-05-09
Publication date: 2002-11-16
Also published as: KR100384460B1; US20020166633A1; JP3679034B2; US6533892B2; JP2002343764A

Abstract

본 발명은 중심부에서 측벽하단으로 테이퍼된 하부면을 갖는 원통상의 하우징과 그 내부의 하부면 상에 장착되어 에칭조를 형성하는 링상의 에칭댐을 포함한 에칭장치를 제공한다. 상기 하부면에 장착된 공급부를 통해 상기 에칭조 내부에 에칭액을 공급하고 에칭댐 상단의 지지대 상에 배치된 웨이퍼의 배면을 에칭액의 흐름으로 균일하게 에칭할 수 있다. 에칭에 사용된 에칭액은 지지대 사이 공간 또는제1 배출부를 통해 하우징과 에칭댐 사이의 형성된 에칭액배출영역으로 집결되고, 하우징 측벽하단에 형성된 제2 배출부를 통해 에칭장치 외부로 배출한다.

따라서, 종래의 흡수포방식과 달리, 에칭종료 후에 표면장력을 발생시키는 에칭액을 제1 배출부를 통해 에칭조로부터 배출시킴으로써 웨이퍼 분리시에 웨이퍼 손상위험을 근원적으로 방지할 수 있다. 또한, 에칭 과정에서 발생되는 에칭반응물을 웨이퍼 배면으로부터 제거하는 동시에 새로운 에칭액을 공급함으로써 균일한 에칭을 도모할 수 있다. 나아가, 본 발명에 의한 에칭시스템은 에칭에 사용되는 에칭액을 순환시킬 수 있어 에칭액의 온도를 적정수준으로 쉽게 유지할 수 있는 잇점이 있다.

Description

웨이퍼 배면을 에칭하기 위한 장치{Apparatus for etching wafer back side}

본 발명은 웨이퍼 배면을 에칭하기 위한 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 얇은 두께의 웨이퍼 배면에 금속증착을 하기 전에 그 배면을 화학적으로 에칭을 하기 위한 장치에 관한 것이다.

일반적으로, 다이오드나 트랜지스트 등의 반도체를 제조하는 공정에서는. 웨이퍼를 제조한 후에 그 웨이퍼의 배면을 연마하여 웨이퍼를 소정의 두께로 형성하고, 이어 금속과 웨이퍼재료(예, Si 등) 사이의 접촉저항을 감소시키기 위해 그 배면을 에칭하며, 금속증착을 통해 소정의 금속패턴을 형성한다.

이러한 웨이퍼 배면처리공정에서, 배면을 화학적으로 에칭하는 과정은 웨이퍼 상면에 형성된 금속배선 등에 손상을 입히지 않는 것이 중요하다. 이를 위해서, 종래에는 흡수포방식을 사용하였다. 흡수포방식이란, 에천트인 에칭액을 흡수포에 충분히 적신 후에 웨이퍼의 배면만을 접촉하게 하여 에칭하는 방식을 말한다.

도1a은 종래의 흡수포방식에 따른 웨이퍼 배면 에칭장치의 일예를 나타내는개략도이다. 별도의 공급장치(미도시)를 에칭액을 에칭조(etching bath: 12)에 공급하여 그 안에 배치된 흡수포(14)를 충분히 적신다. 이어, 웨이퍼(16)를 흡수포(14) 상에 배치하여 상기 흡수포(14)에 적셔진 에칭액에 의해 웨이퍼배면을 에칭시킨다. 에칭이 종료한 후에 웨이퍼(16)를 흡수포(14)에서 분리하여 웨이퍼배면 에칭공정은 완료하게 된다.

상기 흡수포방식 에칭공정에 의할 경우에 웨이퍼가 손상되기 쉽다는 문제가 있다. 이러한 문제는 도1b에 도시된 웨이퍼(16)를 흡수포(14)에서 분리하는 과정에서 발생된다. 도1b에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(16)는 집게(tweezer:18)를 이용하여 흡수포(14)로부터 분리된다. 이 과정에서 영역(A)에 있는 웨이퍼(16)와 흡수포(14) 사이에 에칭액에 의해 표면장력이 발생한다. 분리하는 힘의 반대방향(화살표로 도시됨)으로 표면장력에 의한 응력으로 인해 상기 웨이퍼(16)는 파손되기 쉽다. 더욱이, 최근 사용되는 웨이퍼 크기는 대형화되고 그 두께가 200㎛이하로 얇아짐에 따라 이와 같은 웨이퍼 손상위험은 더욱 커진다.

또한, 종래의 흡수포 방식으로 웨이퍼배면을 에칭할 경우에, 웨이퍼 배면과 흡수포의 접촉이 부분적으로 불량하여 웨이퍼 배면 상에 불균일한 에칭면이 발생하는 문제도 있다. 이러한 문제는 에칭이 진행되는 과정에서 발생된 반응물질이 웨이퍼 배면에 정체되므로 더욱 심각해진다.

나아가, 에칭액이 이미 흡수포에 적셔진 상태이므로 반응에 적절한 온도로 그 에칭액의 온도를 제어하기가 어렵다는 문제가 있다.

상기와 같이, 종래의 흡수포 방식에 의하면, 에칭액으로 적셔진 흡수포를 직접 웨이퍼 배면에 접촉시켜 에칭하기 때문에 에칭종료 후에 흡수포를 제거하는 과정에서 에칭액의 표면장력에 의해 웨이퍼에 치명적인 손상이 발생될 수 있으며, 불균일한 접촉이나 반응물 생성에 의해 웨이퍼의 균일한 에칭을 기대하기 어렵다.

따라서, 본 발명의 목적은 흡수포와 같은 매개체를 웨이퍼 표면에 접촉시키지 않고 에칭액을 직접 공급하여 균일한 에칭을 도모하는 동시에, 웨이퍼 분리시에 에칭액과 접촉시키지 않음으로써 웨이퍼 손상을 근원적으로 방지할 수 있는 에칭장치를 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 다른 목적은 웨이퍼 손상을 방지할 수 있는 상기 에칭장치를 이용하여 웨이퍼 표면을 균일하게 에칭하고 에칭액의 온도조절이 용이한 에칭시스템을 제공하는 것이다.

도1a는 종래의 흡수포방식에 의한 웨이퍼 배면 에칭장치의 개략도이다.

도1b는 종래의 흡수포방식에 의한 웨이퍼 배면 에칭공정 중 웨이퍼를 흡수포로부터 분리하는 공정의 개략도이다.

도2a는 본 발명의 일실시형태에 따른 에칭장치의 개략도이다.

도2b는 도2a의 에칭장치를 구성하는 하우징과 에칭댐의 개략도이다.

도3a는 본 발명의 일실시형태에 따른 에칭장치의 측면도이다.

도3b는 본 발명의 일실시형태에 따른 에칭장치의 평면도이다.

도3c는 본 발명의 일실시형태에 따른 에칭장치의 상단부를 나타낸 개략도이다.

도4는 본 발명에 의한 웨이퍼 배면 에칭설비를 나타내는 블럭도이다.

도5a 내지 5e는 본 발명의 일실시형태에 따른 에칭장치를 이용한 웨이퍼 배면에칭공정의 각단계를 나타낸 개략도이다.

<도면의 주요한 부분에 대한 부호설명>

14: 흡수포 16: 웨이퍼

30: 하우징 35: 에칭액 공급부

37: 제2 배출부 40: 에칭댐

42: 웨이퍼 지지대 45: 에칭조

47: 제1 배출부 49: 제3 배출부

50: 에칭액 저장조 60: 펌프

65: 유동계

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 중심부에서 측벽하단으로 테이퍼된 하부면을 갖는 원통상인 하우징과, 상기 하우징의 하부면 상에 그 하우징과 일정한 간격을 두고 장착되어, 상기 하우징의 측벽과 공간으로 이루어진 에칭액 배출영역과, 에칭액을 수용하기 위한 에칭조를 형성하는 링상인 에칭댐과, 상기 하우징의 하부면에 형성되어 상기 에칭조에 에칭액을 공급하기 위한 공급부와, 상기 하우징과 에칭댐의 접촉부에 형성되어 상기 에칭조로부터 상기 에칭액 배출영역으로 연결되는 제1 배출부와 상기 하우징의 측벽하단에 형성되어 상기 에칭액 배출영역에서 상기 에칭장치의 외부로 연결되는 제2 배출부를 포함하며, 상기 웨이퍼는 상기 에칭댐 상부에 배치되어 상기 외측틀의 측벽에 의해 수평방향으로 고정되며, 상기 공급부로부터 공급되는 에칭액은 상기 에칭조에서 상기 웨이퍼의 배면을 에칭하는 에칭장치를 제공한다.

또한, 본 발명의 일실시형태에서는, 상기 에칭댐은 웨이퍼를 지지하기 위해 상기 에칭댐 상단에 형성된 복수개의 지지대를 포함하고, 상기 에칭댐의 수위를 초과하는 에칭액을 상기 지지대 사이의 에칭댐 상단을 통해 상기 에칭액 배출영역으로 유입하도록 이루어질 수 있다.

나아가, 본 발명의 다른 실시형태에서는, 상기 에칭댐은 상기 지지대 외측에서 상기 에칭액 배출영역으로 테이퍼된 상단부를 가질 수 있으며, 상기 에칭댐의 측벽 상부에 적어도 하나의 홀을 형성하여 상기 에칭조의 내부와 상기 배출영역을 연결하는 적어도 하나의 제3 배출부를 포함할 수 있다.

또한, 본 발명의 또 다른 실시형태에서는, 상기 에칭댐은 그 측벽에서 내부로 테이퍼되어, 실질적으로 위로 향하는 제1면과 실질적으로 아래로 향하는 제2면을 갖으며, 상기 제2면은 상기 하우징의 하부면에 대응하는 경사면으로 이루어질 수 있다.

도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시형태를 보다 상세히 설명한다.

도2a는 본 발명에 따른 에칭장치(20)의 개략도이다. 도2a를 참조하면, 중심에서 측면하단으로 테이퍼된 하부면(32)을 갖는 원통상인 하우징(30)과, 그 하부면(32) 상에 장착된 에칭댐(40)을 포함하는 에칭장치가 도시되어 있다. 또한,도2b는 상기 하우징(30)과 그로부터 분리된 에칭댐(40)의 개략도이다. 도2b에 도시된 바와 같이, 본 실시형태에 따른 에칭댐(40)은 그 상단에 웨이퍼를 지지하기 위한 3개의 지지대(42)를 포함하며, 중심방향으로 테이퍼된 형상으로 이루어진다. 그 테이퍼된 영역은 실질적으로 위로 향하는 제1면(40a)과 아래로 아래로 향하는 제2면(40b)을 갖는다. 여기서, 상기 제2면(40b)은 상기 에칭댐(40)이 장착되는 상기 하우징의 하부면(32)부분과 동일한 경사로 이루어진다. 따라서, 도2a와 같이, 상기 에칭댐(40)을 상기 하우징(30)의 하부면(32)에 장착할 경우에 상기 하부면(32)과 함께 에칭조(etching bath:45)를 형성할 수 있다. 본 발명의 에칭장치에 사용되는 링상인 에칭댐(40)의 외주(R1)는 상기 하우징(30)의 내주(R2)보다 소정의 차이로 작게 제조하여 상기 하우징(30)에 장착되면, 상기 에칭댐(40)의 외벽과 상기 하우징(30)의 내벽 간에서 일정한 간격을 형성한다. 이 간격에 의해 형성된 공간(S)은 에칭액 배출영역(S)이다. 본 발명에서 에칭액 배출영역이란 에칭장치 외부로 배출하기 위한 에칭액을 집결시키는 공간을 말한다.

상기 에칭장치(20)는 상기 하우징(30)의 하부면(32)에 형성되어 상기 에칭조(45)에 에칭액을 공급하기 위한 공급부(35)를 포함하며, 상기 하부면(32)과 에칭댐(40)의 접촉면에 상기 에칭조(45)로부터 상기 배출영역(S)으로 연결하는 제1 배출부(47)와, 상기 하우징(30)의 측벽하단부에 상기 배출영역(S)으로부터 상기 에칭장치(20)의 외부로 연결되는 제2 배출부(37)가 제공된다. 상기 각 배출부(37,47)는 필요에 따라 복수개로 형성할 수도 있다. 또한, 바람직하게는 상기 제1 배출부(47)는 상기 에칭댐(40) 하부면의 내경부분에서 그 외경부분으로 연장되는적어도 하나의 홈으로 형성된다. 하지만, 상기 제1 배출부(47)는 상기 하우징(30)의 하부면(32) 상측에 상기 에칭조(45) 내부와 그 외부의 에칭액 배출영역(S)가 연결되는 장홈으로 형성할 수도 있다.

본 발명에 따른 다른 실시형태에 의하면, 상기 에칭댐(40)의 상단면에 상기 복수의 지지대(42)를 형성되지 않고, 에칭댐(40) 측벽의 상단부에 복수의 홀로 형성된 제3 배출부(49)를 포함할 수 있다. 이 경우에, 웨이퍼는 상기 에칭댐(40)의 상단면에 배치되며, 복수의 홀은 지지대 사이공간을 통해 에칭액을 배출하는 역할과 동일한 역할을 수행하게 된다.

이하, 상기 실시형태에 따른 에칭장치(20)의 작동원리를 설명한다. 우선, 에칭대상인 웨이퍼를 그 배면이 에칭조 내부로 향하도록 에칭댐(40) 상단의 지지대(42)에 배치한다. 이어, 상기 공급부(35)를 통해 상기 에칭조(45)에 에칭액을 공급한다. 공급되는 에칭액 중 일부는 제1 배출부(47)를 통해 배출영역(S)으로 배출된다. 따라서, 공급되는 에칭액의 유량으로 에칭조(45)를 채우기 위해서는 상기 제1 배출부(47)에 의한 배출량보다 많도록 공급해야 한다. 상기 에칭조(45)가 가득 채워져 에칭액의 수위가 상기 에칭댐(40)의 측벽높이까지 이르게 되면, 계속하여 추가적으로 공급되는 에칭액은 상기 웨이퍼의 배면을 에칭하면서 에칭댐(40) 상단의 지지대 사이의 공간을 통해 상기 배출영역으로 에칭액이 넘쳐 흐르게 된다. 따라서, 에칭할 웨이퍼 배면은 다른 매개체와 접촉함 없이, 직접 에칭액에 의해 에칭될 수 있다. 또한, 이 때에 상기 웨이퍼의 배면을 에칭하는 에칭액의 흐름은 하단면의 중앙에 있는 공급부로부터 수직으로 상승하여 웨이퍼 배면의 중심에서 방사방향으로 균일하게 유동하며 이미 반응된 에칭액은 반응물과 함께 지지대 사이의 공간으로 배출되는 동시에 공급부로부터 새로운 에칭액을 공급함으로써, 에칭의 효율 및 균일도를 높힐 수 있다. 이와 같이 에칭이 완료되면, 에칭액 공급을 중단하고 상기 에칭조(45)에 잔류한 에칭액은 상기 제1 배출부(47)를 통해 배출영역(S)으로 집결된다, 이어 집결된 에칭액은 제2 배출부(37)를 통해 에칭장치 외부로 배출된다. 이와 같이, 상기 제1 배출부(47)는 에칭조(45)로부터 에칭액을 배출시킴으로써 웨이퍼 분리시에 에칭액에 의한 표면장력이 웨이퍼에 발생하지 않도록 한다. 결과적으로, 본 발명은 종래 흡수포방식과 같은 웨이퍼 손상위험을 근원적으로 방지할 수 있다.

도3a 내지 3c를 참조하여, 상기 실시형태에 따른 에칭장치를 보다 상세히 설명한다. 도3a 내지 3b는 도2a의 에칭장치를 수직방향으로 본 단면도 및 평면도를 도시한다. 도3a와 같이, 본 발명의 에칭장치는 에칭댐(40)이 구비된 하우징(30)으로 이루어진다. 앞서 설명한 바와 같이, 상기 에칭댐(40)은 상기 하우징(30)의 내주보다 작은 직경으로 형성되어 에칭액 배출영역(S)을 형성한다. 이 배출영역(S)은 외부로 배출할 에칭액을 집결하여 제2 배출부(37)를 통해 배출하기 위해 형성된 공간이다. 또한, 도3b에 도시된 바와 같이, 상기 에칭댐의 제2면(40b)과 하우징의 하부면 사이에는 에칭조 내부에서 에칭액 배출영역(S)로 연결되는 제1 배출부(47)를 형성된다. 배면을 에칭할 웨이퍼(16)는 상기 에칭댐(40)의 지지대(42) 상에 배치되며, 수평방향으로 상기 하우징(30)의 측벽에 의해 고정된다. 본 실시형태에서는 웨이퍼 지지대(42) 및 제1 배출부(47)를 각각 3개로 형성하였으나, 이에 한정되지 않는다.

또한, 도3a에서 웨이퍼(16)와 점선의 간격(g)은 상기 에칭조의 평면수위와 웨이퍼 배면의 간격을 나타낸다. 이 간격(g)은 에칭액의 표면장력에 의해 웨이퍼 배면과 접촉될 정도로 낮게 형성되는 것이 바람직하다. 이를 위해서, 지지대(42) 높이는 에칭액의 표면장력을 고려한 적절한 높이로 제조해야 한다.

도3c는 본 발명에 따른 에칭장치의 웨이퍼지지대 부근(B)을 나타내는 개략도이다. 도3c를 참조하면, 웨이퍼는 지지대(42) 상에 배치되어 하우징(30)의 측벽에 의해 수평방향으로 고정되어 있다.

본 실시형태에 따른 에칭장치는 상기 지지대(42)를 기준으로 배출영역(S) 방향의 에칭댐(40) 상단은 테이퍼된 구조를 취한다. 이러한 구조는 에칭액이 지지대(42) 사이 공간을 통해 배출영역(S)으로 배출될 때에 표면장력으로 최소화하여 에칭액이 웨이퍼의 정면으로 넘쳐 흐르는 것을 방지하는 기능을 한다. 또한, 에칭공정이 종료한 후에 웨이퍼(16)를 들어올리기 위해 집게로 쉽게 잡을 수 있는 공간을 확보하는 기능도 한다.

도4는 본 발명에 따른 에칭장치를 포함한 에칭시스템의 블록도이다.

상기 에칭시스템은 본 발명의 에칭장치(20)와 함께, 에칭액 저장조(50), 펌프(60) 및 유동계(65)로 구성된다. 상기 펌프(60)가 상기 에칭액 저장조(50)에 있는 에칭액을 상기 에칭장치(20)의 공급부로 유동시킨다. 이 때에 상기 유동계(65)를 이용하여 적어도 제1 배출부로 유입되는 양보다 크게 공급하며, 에칭이 완료한 후에 펌프 작동을 중지하여 에칭액 공급을 차단한다. 상기 에칭 진행 중에 에칭장치(20)의 배출영역에 집결되는 에칭액은 제2 배출부를 통해 에칭액 저장조(50)로 다시 유입된다. 상기 에칭액 저장조(50)는 화학적 반응에 의해 온도가 상승된 에칭액과 미리 저장된 에칭액을 혼합하여 공급될 에칭액 온도를 적정 수준으로 유지한다. 이와 같이, 에칭반응에 적정한 온도의 에칭액을 공급함으로써 에칭 효율을 높힐 수 있다.

도5a 내지 5e는 본 발명에 따른 에칭장치에 의한 에칭공정의 각 단계를 에칭액의 유동상태로 나타낸 개략도이다. 여기서, 배출되는 에칭액은 굵은 화살표(f1)로 나타내며, 에칭에 사용되는 에칭액은 가는 화살표(f2)로 나타낸다.

우선, 도5a와 같이 웨이퍼(16)를 그 배면을 아래로 하여 웨이퍼 지지대 상에 배치한다. 이어, 에칭액을 공급하면, 도5b와 같이 공급부(35)를 통해 공급되는 에칭액 중의 일정량은 제1 배출부(47)를 통해 배출되며, 그 배출량 이상으로 공급되는 에칭액은 에칭조(45)에 남게 된다. 에칭조(45)에 남아있는 에칭액이 에칭댐(30)의 측벽높이까지 축적되면, 도5c와 같이 중심으로부터 방사형의 흐름을 나타내며 상기 배치된 웨이퍼의 배면을 에칭하고, 상기 지지대(42) 사이의 공간을 통해 상기 배출영역(S)으로 배출된다. 이와 같은 에칭과정으로 배면에칭이 완료되면, 에칭액 공급을 중단한다. 공급이 중단된 후에, 도5d와 같이 상기 에칭조(45)의 에칭액은 제1 배출부(47)를 통해 배출영역(S)으로 흐르고, 상기 배출영역(S)에서 다시 제2 배출부(37)를 통해 에칭액 저장조로 향하게 된다. 따라서, 도5e에 도시된 바와 같이 웨이퍼(16)를 분리하는 단계에서 에칭조(45)에 있던 에칭액은 제1 배출부(47)를 통해 배출되어 웨이퍼(16)와 에칭액의 접촉이 발생하지 않는다. 따라서, 표면장력으로 인해 웨이퍼(16)가 파손되는 것을 방지할 수 있다.

상기 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 에칭장치는 흡수포와 같은 매개체를 웨이퍼 표면에 접촉시키지 않고 에칭액을 직접 공급하여 균일한 에칭이 가능하며, 웨이퍼 분리시에 표면장력 등으로 인한 웨이퍼 손상을 방지할 수 있다. 나아가, 본 발명에 따른 에칭장치를 포함한 에칭시스템은 상기 에칭장치를 이용하여 균일한 온도의 에칭액을 순환시킴으로써 웨이퍼를 손상시키지 않고 균일한 에칭을 실현할 수 있다는 잇점도 있다.

본 발명의 상세한 설명은 예시와 설명의 목적으로 제공된다. 이는 발명을 개시된 대로 엄격하게 발명을 한정하고자 하는 것이 아니다. 상기의 설명된 내용에 비추어 여러부분에 개조 또는 변형이 가능하다. 또한, 본 발명의 범위는 이러한 상세한 설명이 아닌 첨부한 청구범위에 의해 한정하고자 아니며, 상기 실시형태 또한 본 발명의 구성요소를 상세히 설명하기 위해 제공되는 것이다.

Claims

중심부에서 측벽하단으로 테이퍼된 하부면을 갖는 원통상인 하우징과,

상기 하우징의 하부면 상에 장착되어, 그 외측에는 상기 하우징의 측벽과 공간으로 이루어진 에칭액 배출영역과, 그 내측에는 에칭액을 수용하기 위한 에칭조를 형성하는 링상인 에칭댐과,

상기 하우징의 하부면에 형성되어 상기 에칭조에 에칭액을 공급하기 위한 공급부와,

상기 하우징과 상기 에칭댐의 접촉부에 형성되어 상기 에칭조로부터 상기 에칭액 배출영역으로 연결되는 적어도 하나의 제1 배출부와, 상기 하우징의 측벽하단에 형성되어 상기 에칭액 배출영역에서 상기 에칭장치의 외부로 연결되는 적어도 하나의 제2 배출부를 포함하고,

상기 에칭댐 상부에 안착되는 웨이퍼의 배면을 상기 공급부로부터 상기 에칭조에 공급되는 에칭액으로 에칭하기 위한 에칭장치.
제1항에 있어서,

상기 에칭댐은 웨이퍼를 지지하도록 상기 에칭댐 상단에 형성된 복수개의 지지대를 포함하고, 상기 에칭댐의 수위를 넘는 에칭액은 상기 지지대 사이의 에칭댐 상단을 통해 상기 에칭액 배출영역으로 유입되는 에칭장치.
제1항에 있어서,

상기 에칭댐은 상기 에칭액 배출영역으로 테이퍼된 상단부를 갖는 에칭장치.
제1항에 있어서,

상기 에칭댐의 측벽 상부에 적어도 하나의 홀을 형성하여 상기 에칭조의 내부와 상기 배출영역을 연결하는 적어도 하나의 제3 배출부를 포함하는 에칭장치.
제1항에 있어서,

상기 에칭댐은 그 측벽에서 내부로 테이퍼되어, 실질적으로 위로 향하는 제1면과 실질적으로 아래로 향하는 제2면을 갖으며, 상기 제2면은 상기 하우징의 하부면에 대응하는 경사면으로 이루어진 에칭장치.
제1항에 있어서,

상기 제1 배출부는 상기 에칭댐 하부면의 내경 부분에서 그 하부면의 외경 부분로 연장되는 적어도 하나의 홈으로 이루어진 에칭장치.
에칭액을 저장하기 위한 에칭액 저장조와,

중심부에서 측벽하단으로 테이퍼된 하부면을 갖는 원통상인 하우징과, 상기 하우징의 하부면 상에 장착되어, 그 외측에는 상기 하우징의 측벽과 공간으로 이루어진 에칭액 배출영역과, 그 내측에는 에칭액을 수용하기 위한 에칭조를 형성하는링상인 에칭댐과, 상기 하우징의 하부면에 형성되어 상기 에칭조에 에칭액을 공급하기 위한 공급부와, 상기 하우징과 상기 에칭댐의 접촉부에 형성되어 상기 에칭조로부터 상기 에칭액 배출영역으로 연결되는 적어도 하나의 제1 배출부와, 상기 하우징의 측벽하단에 형성되어 상기 에칭액 배출영역에서 상기 에칭장치의 외부로 연결되는 적어도 하나의 제2 배출부로 이루어지며, 상기 웨이퍼를 상기 에칭댐 상부에 배치되어 상기 외측틀의 측벽에 의해 수평방향으로 고정하여 그 웨이퍼의 배면을 에칭하기 위한 에칭장치와,

상기 에칭액 저장조의 에칭액을 상기 에칭장치의 공급부를 통해 상기 에칭조내로 제공하는 펌프수단과,

상기 펌프수단에 의해 상기 에칭조에 공급되는 에칭액의 유량을 조절하기 위한 유량조절부를 포함하는 에칭시스템.