TWI427698B - 連續式之半導體蝕刻設備及蝕刻方法 - Google Patents

Description

連續式之半導體蝕刻設備及蝕刻方法

本發明係關於一種半導體製造設備及製造方法，特別是一種蝕刻半導體的設備及方法。

在半導體晶圓製程中，常需多道蝕刻製程步驟：例如將矽晶錠(ingot)切割成晶圓，切割過程易在晶圓表面產生切割損傷(saw damage)，使矽氧化造成缺陷(defect)，故需經雙面製程蝕刻步驟去除晶圓表面的切割損傷，再施以單面製程蝕刻步驟，使晶圓正面絨製(texturing)，故背面相對於正面具有一較佳平坦度。因此鋁膠能較易於填入晶圓背面，並於燒結後與晶圓密實結合，均勻生成背表面電場層(Back Surface Field,BSF)，增加電子傳送能力。

習知技藝中，單面蝕刻製程步驟與雙面蝕刻製程步驟，需經由不同設備進行，增加購買設備之生產成本，亦佔用廠房空間，且若晶圓製程中需經單面蝕刻及雙面蝕刻的製程時，需將晶圓於不同機台之間轉換，亦增加晶圓在轉換機台過程中發生破損的風險。基於上述問題，因此業界亟需提出一種半導體晶圓之製造方法及其製造設備，能有效整合單面蝕刻製程步驟與雙面蝕刻製程步驟，降低生產成本、減少晶圓破損機會與增加廠房空間利用之半導體晶圓之製造方法及其製造設備。

本發明提供一種連續式半導體蝕刻設備，包括第一製程槽、第一傳輸裝置、第二製程槽及第二傳輸裝置。其中第一製程槽包含至少一個注液管、至少一個第一洩流孔及第一節流閘，注液管用以填注蝕刻液至第一製程槽，且第一節流閘對應第一洩流孔設置，藉此調節第一製程槽中之蝕刻液 的洩流量。第一傳輸裝置包括有複數個第一滾輪，且架設於第一製程槽，各個第一滾輪可轉動以藉此傳送矽晶圓，並令矽晶圓接觸第一製程槽內之蝕刻液。第二製程槽與第一製程槽鄰近設置，包含有至少一個注液管、至少一個第二洩流孔及第二節流閘，注液管用以填注蝕刻液至第二製程槽，且第二節流閘對應第二洩流孔設置，藉此調節第二製程槽中蝕刻液的洩流量。第二傳輸裝置包括有複數個第二滾輪，且分別架設於第二製程槽，各個第二滾輪係可轉動傳送已經於第一製程槽處理之矽晶圓，並令矽晶圓接觸第二製程槽內之蝕刻液。

因此，本發明之主要目的為提供一種連續式半導體蝕刻設備，藉由第一製程槽及第二製程槽的設置，使矽晶圓在蝕刻處理過程中不需要轉換機台，可直接進行矽晶圓的單面及雙面蝕刻製程。

本發明之又一目的在於提供一種連續式半導體蝕刻設備，由於第一製程槽及第二製程槽中分別包含有洩流孔及節流閘，因此可藉以控制第一製程槽及第二製程槽中蝕刻液液面高度，藉此可選擇式的調整矽晶圓進行單面蝕刻或雙面蝕刻製程的順序。

本發明再提出一種連續式半導體蝕刻方法，包含提供第一製程槽；第一製程槽包含有至少一個注液管、至少一個第一洩流孔及第一節流閘，注液管可用以填注蝕刻液至第一製程槽，且第一節流閘對應第一洩流孔設置，進而可調節第一製程槽中之蝕刻液的洩流量。提供第一傳輸裝置；第一傳輸裝置包括有複數個第一滾輪，各個第一滾輪架設於第一製程槽。提供矽晶圓，將矽晶圓藉由第一傳輸裝置輸入至第一製程槽，並使矽晶圓接觸第一製程槽內之蝕刻液。提供第二製程槽；第二製程槽與第一製程槽鄰近設置，第二製程槽包含至少一個注液管、至少一個第二洩流孔及第二節流閘，注液管用以填注蝕刻液至第二製程槽，且第二節流閘對應第二洩流孔設置，以調節第二製程槽之蝕刻液的洩流量。提供第二傳輸裝置；第二傳輸裝置包括有複數個第二滾輪，各第二滾輪架設於第二製程槽。接著， 將矽晶圓藉由第二傳輸裝置輸入至第二製程槽，並令矽晶圓接觸第二製程槽內之蝕刻液。

因此，本發明之主要目的為提供一種連續式半導體蝕刻方法，藉由第一製程槽及第二製程槽的設置，使矽晶圓在蝕刻處理過程中不需要轉換機台，可直接進行矽晶圓的單面及雙面蝕刻製程。

本發明之又一目的在於提供一種連續式半導體蝕刻方法，由於第一製程槽及第二製程槽中分別包含有洩流孔及節流閘，因此可藉以控制第一製程槽及第二製程槽中蝕刻液液面高度，藉此可選擇式的調整矽晶圓進行單面蝕刻或雙面蝕刻製程的順序。

由於本發明係揭露一種連續式半導體蝕刻設備及蝕刻方法，以下文中所對照之圖式，係表達與本發明特徵有關之示意，並未亦不需要依據實際情形完整繪製，合先敘明。

請同時參考圖1A及圖1B，為本發明所提出的連續式半導體蝕刻設備第一實施例，包括第一製程槽10、第一傳輸裝置11、第二製程槽20及第二傳輸裝置21。其中第一製程槽10包含至少一個注液管101、至少一個第一洩流孔102及第一節流閘103。注液管101係用以填注蝕刻液至第一製程槽10，且第一節流閘103對應第一洩流孔102設置，藉此調節第一製程槽10中之蝕刻液的洩流量。第一傳輸裝置11，其係包括有複數個第一滾輪111，且架設於第一製程槽10上，且各個第一滾輪111可轉動藉此傳送矽晶圓100，並令矽晶圓100接觸第一製程槽10內之蝕刻液。

第二製程槽20與第一製程槽10鄰近設置，包含至少一個注液管201、至少一個第二洩流孔202及第二節流閘203，各注液管201係用以填注蝕刻液至第二製程槽20，且第二節流閘203係對應各第二洩流孔202設置，藉此調節第二製程槽20之蝕刻液的洩流量。第二傳輸裝置21，包括有複數個第二滾輪211，且分別架設於第二製程槽20，且各個第二滾輪211係可轉 動而傳送已經於第一製程槽10蝕刻處理後的矽晶圓100，並令矽晶圓100接觸第二製程槽20內之蝕刻液。

在本實施例中，第一製程槽10及第二製程槽20底部兩側的角落，可進一步設置有斜板104、204，設置斜板104、204可使注液管101、201提供蝕刻液至第一製程槽10及第二製程槽20時，令第一製程槽10及第二製程槽20中蝕刻液的流動更加平穩，避免蝕刻液在第一製程槽10及第二製程槽20的角落產生紊流流場而影響矽晶圓10於蝕刻製程中的品質。

此外，在本實施例中，可進一步包含第三製程槽30，第三製程槽30包含有第三傳輸裝置31，且第三製程槽30設置在第一製程槽10與第二製程槽20中間，同時，在第三製程槽30上方可再裝設沖洗裝置32，當矽晶圓100經由第一製程槽10的蝕刻製程後，藉由第三傳輸裝置31將矽晶圓100自第一製程槽10傳送至第三製程槽30，將殘留在矽晶圓100上之蝕刻液洗淨後，再藉由第二傳輸裝置21將矽晶圓100傳送至第二製程槽20進行後續製程。再者，在本實施例中，第一傳輸裝置11上方可設置第一壓輪裝置12，第一壓輪裝置12包含有複數個壓輪121，且各壓輪121與第一傳輸裝置11的各第一滾輪111為對應設置，壓輪121與第一滾輪111中間留有一個可容許矽晶圓100通過的間隙，使矽晶圓100可在壓輪121及第一滾輪111間的間隙進行傳輸，在實務上，壓輪121可視需求設計為固定式或可拆卸式，以增加本發明之連續式半導體蝕刻裝置的應用性。

本發明之連續式半導體蝕刻裝置，可再進一步設置至少一個供液裝置40，各供液裝置40可分別與第一製程槽10的注液管101及第二製程槽20的注液管201連接，以藉此提供蝕刻液至第一製程槽10及第二製程槽20。更進一步地，本發明之連續式半導體蝕刻裝置可再設置至少一個回收槽50，回收槽50可設置在第一製程槽10的一側及第二製程槽20的一側(如圖1A)，亦可如圖1C中所示，設置於第一製程槽10及第二製程槽20的下方。回收槽50主要係用以承接自第一製程槽10或第二製程槽20中自第一洩流 孔101及第二洩流孔201所洩流出的蝕刻液，進一步地亦可承接自第一製程槽10及第二製程槽20頂端溢流出的蝕刻液，然，由於回收槽50的設置主要係用以承接自第一製程槽10或第二製程槽20中所流出之蝕刻液，因此回收槽50設置的位置可視設計上的需求而變更，並不僅限於本實施例中所提出的兩種設置態樣。

本發明所提出的連續式半導體蝕刻裝置，在第一實施例中，當第一製程槽10的注液管101在單位時間內注入第一製程槽10的蝕刻液的流量大於在單位時間內自第一洩流孔102流出的量時，蝕刻液會自第一製程槽10的頂端開始溢流，而第一洩流孔102洩流蝕刻液的流量可由第一節流閘103啟閉來進行控制，當注液管101的流量加大時，蝕刻液會產生湧流狀態而自第一製程槽10頂端湧出，此時，蝕刻液的液面會略高於第一傳輸裝置11的第一滾輪111。請參考圖1B及圖1D，當矽晶圓100於第一傳輸裝置11的第一滾輪111上時，矽晶圓100會沒入蝕刻液中而進行矽晶圓100上下雙面的蝕刻製程，而為了避免蝕刻液的浮力造成矽晶圓100的飄移，因此藉由壓輪121將矽晶圓100壓持在第一滾輪111上，使矽晶圓100能在第一傳輸裝置100上穩定傳輸。

請同時參考圖1B及1E，在本實施例中，第二製程槽20中的蝕刻液須接觸第二傳輸裝置21之第二滾輪211，而低於該第二滾輪211的頂端212，使矽晶圓100位於第二傳輸裝置21上時，藉由各第二滾輪211的滾動，將蝕刻液帶起使蝕刻液與矽晶圓100的底面110接觸，當然，若蝕刻液液面與矽晶圓100底面相當鄰近時，蝕刻液便可直接接觸矽晶圓100底面而無需藉由第二滾輪211帶起蝕刻液做為媒介。或者可依製程所需，控制蝕刻液的液面高度使蝕刻液與矽晶圓100的底面110及側邊120接觸，而控制蝕刻液液面高度的方式係藉注液管201在單位時間內注入第二製程槽20蝕刻液的流量，與第二洩流孔202每單位時間內所洩流出的蝕刻液流量來控制，值得注意的是，在第二製程槽20中進行矽晶圓100的單面蝕刻製程需 謹慎控制蝕刻液的流量，避免使蝕刻液濺至矽晶圓100的頂面，造成矽晶圓100頂面的破壞。

另外，請參考圖2，本發明再提出第二實施例為一種連續式半導體蝕刻方式，包含：

步驟601：提供第一製程槽及第二製程槽，第一製程槽及第二製程槽分別注有蝕刻液；且第一製程槽及第二製程槽分別包含有注液管、洩流孔及節流閘，注液管可用以分別填注蝕刻液至第一製程槽及第二製程槽，且各節流閘對應各洩流孔設置。

步驟602：執行蝕刻液液面高度控制；調整注液孔注入蝕刻液的流量，以及各洩流孔及各節流閘洩流蝕刻液的流量，以控制第一製程槽及第二製程槽中蝕刻液之液面高度。

步驟603：執行第一次矽晶圓表面處理；將矽晶圓藉由第一傳輸裝置輸送通過第一製程槽，並使矽晶圓與該蝕刻液接觸。

步驟604：執行第二次矽晶圓表面處理；將經過第一次表面處理之矽晶圓藉由第二傳輸裝置輸送通過第二製程槽，並使矽晶圓與第二製程槽中的蝕刻液接觸。

在本實施例中，第一製程槽中的蝕刻液液面係高於第一傳輸裝置上的晶圓，而使晶圓沒入蝕刻液中，此外，可進一步設置第一壓輪裝置，第一壓輪裝置包含有複數個壓輪，各壓輪與第一傳輸裝置中的各滾輪為對應設置，且在各壓輪與各滾輪之間留有一個可使矽晶圓通過的間隙，使矽晶圓可在壓輪及滾輪間的間隙進行傳輸，在實務上，壓輪可視需求設計為固定式或可拆卸式，使本發明之連續式半導體蝕刻方法在應用上更佳彈性。

此外，在本實施例中，還可進一步包含一個沖洗步驟，在第一製程槽及第二製程槽間設置一個第三製程槽，第三製程槽包含有第三傳輸裝置，且在第三製程槽上方可裝設沖洗裝置，當矽晶圓經由第一製程槽的蝕刻製程後，藉由第三傳輸裝置將矽晶圓自第一製程槽傳送至第三製程槽，透過 沖洗裝置將殘留在矽晶圓上之蝕刻液洗淨後，再藉由第二傳輸裝置將矽晶圓傳送至第二製程槽進行後續製程。

另外，在本實施例所提出的連續式半導體蝕刻方法中，由第一製程槽進行矽晶圓的雙面蝕刻製程，因此需使第一製程槽的注液管在單位時間內注入第一製程槽的蝕刻液的流量大於在單位時間內自第一洩流孔流出的流量，此時蝕刻液會自第一製程槽的頂端開始溢流，而第一洩流孔洩流蝕刻液的流量可由第一節流閘啟閉來進行控制，當注液管的流量加大時，蝕刻液會產生湧流狀態而自第一製程槽頂端湧出，蝕刻液的液面會略高於第一傳輸裝置的第一滾輪，此時，當矽晶圓於第一傳輸裝置的第一滾輪上時，矽晶圓會沒入蝕刻液中而進行矽晶圓上下雙面的蝕刻製程，而為了避免蝕刻液的浮力造成矽晶圓的飄移，因此藉由壓輪將矽晶圓壓持在第一滾輪上，使矽晶圓能在第一傳輸裝置上穩定傳輸。

而在本實施例中，由第二製程槽進行矽晶圓的單面蝕刻製程，因此第二製程槽中的蝕刻液須低於第二傳輸裝置之第二滾輪的頂端，藉由各第二滾輪的滾動，將蝕刻液帶起使蝕刻液與矽晶圓的底面接觸，使矽晶圓位於第二傳輸裝置上時，蝕刻液恰與矽晶圓底面接觸，或者依製程所需使蝕刻液與矽晶圓底面與側邊接觸，而控制蝕刻液液面高度的方式係藉注液管在單位時間內注入第二製程槽蝕刻液的流量，與第二洩流孔每單位時間內所洩流出的蝕刻液流量來控制，值得注意的是，在第二製程槽中進行矽晶圓的單面蝕刻製程需謹慎控制蝕刻液的流量，避免使蝕刻液濺至矽晶圓的頂面，造成矽晶圓頂面的破壞。

由於本發明連續式半導體蝕刻設備及蝕刻方法可讓雙面蝕刻及單面蝕刻兩種製程技術組合可在一道連續製程中選擇來實現，矽晶圓100無需再轉換不同設備來進行單面或雙面的蝕刻製程，減低矽晶圓100在轉換機台過程中破損之可能性。且矽晶圓100可於完成雙面蝕刻製程或單面蝕刻製程後即時進行下一個蝕刻製程步驟，減少矽晶圓100於等待下一個蝕刻之 時間，降低表面生成物之生成機率，亦使產線生產更為順暢。

再者，本發明所提供的連續式半導體蝕刻裝置及蝕刻方法，可依照矽晶圓生產製造過程中的需求，調整第一製程槽10中蝕刻的製程，例如，利用注液管101注入蝕刻液的流量與第一洩流孔102洩流的流量來降低蝕刻液液面的高度，使第一製程槽10可進行單面蝕刻製程，同樣地，第二製程槽20亦可藉由加大注液管201的流量來增加蝕刻液的液面，使第二製程槽20可進行雙面蝕刻的製程。

藉由本發明所提供的連續式半導體蝕刻設備及蝕刻方法，可在單一個蝕刻機台中完成矽晶圓的單面及雙面蝕刻製程，同時，在進行製程轉換過程中，無須進行機台轉換，因此可有效降低矽晶圓在機台轉換過程中發生碰撞或破裂的風險。再者，由於在單一機台即可完成單面及雙面蝕刻的製程，因此無須同時購買及配置單面蝕刻製程及雙面蝕刻製程的機台，不僅節省採購機台的成本，也節省了廠房配置的空間。

以上所述僅為本發明較佳實施例而已，並非用以限定本發明申請專利權利；同時以上的描述對於熟知本技術領域之專門人士應可明瞭與實施，因此其他未脫離本發明所揭示之精神下所完成的等效改變或修飾，均應包含於下述之申請專利範圍。

100‧‧‧矽晶圓

10‧‧‧第一製程槽

101‧‧‧注液管

102‧‧‧第一洩流孔

103‧‧‧第一節流閘

104‧‧‧斜板

11‧‧‧第一傳輸裝置

111‧‧‧第一滾輪

110‧‧‧矽晶圓底面

120‧‧‧矽晶圓側邊

12‧‧‧第一壓輪裝置

121‧‧‧壓輪

20‧‧‧第二製程槽

201‧‧‧注液管

202‧‧‧第二洩流孔

203‧‧‧第二節流閘

204‧‧‧斜板

21‧‧‧第二傳輸裝置

211‧‧‧第二滾輪

212‧‧‧第二滾輪頂端

30‧‧‧第三製程槽

31‧‧‧第三傳輸裝置

32‧‧‧沖洗裝置

40‧‧‧供液裝置

50‧‧‧回收槽

601~604‧‧‧步驟

圖1A，為本發明第一實施例之連續式半導體蝕刻設備立體示意圖。

圖1B，為本發明第一實施例之連續式半導體蝕刻設備立體測視圖。

圖1C，為本發明第一實施例另一實施態樣的連續式半導體蝕刻設備立體示意圖。

圖1D，為本發明第一實施例中第一製程槽蝕刻液液面示意圖。

圖1E，為本發明第一實施例中第二製程槽蝕刻液液面示意圖。

圖2，為本發明第二實施例之連續式半導體蝕刻方法操作流程圖。

100‧‧‧矽晶圓

10‧‧‧第一製程槽

101‧‧‧注液管

102‧‧‧第一洩流孔

103‧‧‧第一節流閘

104‧‧‧斜板

11‧‧‧第一傳輸裝置

111‧‧‧第一滾輪

20‧‧‧第二製程槽

201‧‧‧注液管

202‧‧‧第二洩流孔

203‧‧‧第二節流閘

204‧‧‧斜板

21‧‧‧第二傳輸裝置

211‧‧‧第二滾輪

30‧‧‧第三製程槽

31‧‧‧第三傳輸裝置

32‧‧‧沖洗裝置

40‧‧‧供液裝置

50‧‧‧回收槽

Claims (14)

1. 一種連續式半導體蝕刻設備，包括：一第一製程槽(10)，該第一製程槽(10)包含：至少一注液管(101)、至少一第一洩流孔(102)及第一節流閘(103)，該各注液管(101)係以填注蝕刻液至該第一製程槽(10)，且該第一節流閘(103)係對應該各第一洩流孔(102)設置；一第一傳輸裝置(11)，其係包括有複數個第一滾輪(111)，該各第一滾輪(111)架設於該第一製程槽(10)，而可傳送至少一矽晶圓(100)通過該第一製程槽(10)，並使該矽晶圓(100)接觸該第一製程槽(10)中之蝕刻液；一第二製程槽(20)，該第二製程槽(20)與該第一製程槽(10)鄰近設置，包含：至少一注液管(201)、至少一第二洩流孔(202)及第二節流閘(203)，該各注液管(201)係以填注蝕刻液至該第二製程槽(20)，且該第二節流閘(203)係對應該各第二洩流孔(202)設置，藉此調節該第二製程槽(20)之蝕刻液的洩流量；及一第二傳輸裝置(21)，其係包括有複數個第二滾輪(211)，各第二滾輪(211)係架設於該第二製程槽(20)，藉此，該等第二滾輪(211)係可接收已經於該第一製程槽(10)處理之矽晶圓(100)，再將該等矽晶圓(100)傳送通過該第二製程槽(20)，並使該矽晶圓接觸該第二製程槽中之蝕刻液以再次處理該等矽晶圓(100)。
2. 如申請專利範圍第1項所述之連續式半導體蝕刻設備，其中該第一製程槽(10)之蝕刻液之液面係高於位於該第一傳輸裝置(11)上之該矽晶圓(100)，而可令該矽晶圓(100)沒入蝕刻液。
3. 如申請專利範圍第2項所述之連續式半導體蝕刻設備，尚包括有：一第一壓輪裝置(12)，該第一壓輪裝置包含複數個壓輪(121)且設置於該第一傳輸裝置(11)之上方，各該壓輪(121)與該第一傳輸裝置(11)之各該第一滾輪(111)對應設置，藉以提供一容許矽晶圓(100)通過之間隙。
4. 如申請專利範圍第2項所述之連續式半導體蝕刻設備，其中該第二製程 槽(20)之蝕刻液之液面係低於該第二傳輸裝置(21)的各第二滾輪(211)之頂端，且以令蝕刻液與位於該第二傳輸裝置(21)上之該矽晶圓(100)之底面(110)接觸。
5. 如申請專利範圍第1項所述之連續式半導體蝕刻設備，其中該第一製程槽(10)及該第二製程槽(20)間進一步設置一第三製程槽(30)，該第三製程槽(30)包含一第三傳輸裝置(31)及一沖洗裝置(32)。
6. 如申請專利範圍第1項所述之連續式半導體蝕刻設備，進一步包含至少一供液裝置(40)，與第一製程槽(10)之該注液管(101)及該第二製程槽(20)之該注液管(201)連接，藉由該供液裝置(40)提供蝕刻液至該第一製程槽(10)及該第二製程槽(20)。
7. 如申請專利範圍第1項所述之連續式半導體蝕刻設備，進一步包含至少一回收槽(50)，該回收槽(50)鄰近設置於該第一製程槽(10)及該第二製程槽(10)，藉以回收自該第一製程槽(10)及該第二製程槽(10)流出之蝕刻液。
8. 一種連續式半導體蝕刻方法，包含：提供一第一製程槽及一第二製程槽；該第一製程槽及該第二製程槽分別注有蝕刻液，且該第一製程槽及該第二製程槽分別包含至少一注液管、至少一洩流孔及至少一節流閘，該各注液管係用以填注蝕刻液至該第一製程槽及該第二製程槽，且該各節流閘係對應該各洩流孔設置；執行液面高度控制；調整該各洩流孔及該各節流閘以控制該第一製程槽及該第二製程槽中蝕刻液之液面高度；執行第一次矽晶圓表面處理；將至少一矽晶圓藉由一第一傳輸裝置輸送通過該第一製程槽，並使該矽晶圓與該蝕刻液接觸；以及執行第二次矽晶圓表面處理；將經過第一次表面處理之該矽晶圓藉由一第二傳輸裝置輸送通過該第二製程槽，並使該矽晶圓與該第二製程槽中之蝕刻液接觸。
9. 如申請專利範圍第8項所述之連續式半導體蝕刻方法，其中該第一製程 槽之蝕刻液之液面係高於位於該第一傳輸裝置上之該矽晶圓，而可令該矽晶圓沒入蝕刻液。
10. 如申請專利範圍第9項所述之連續式半導體蝕刻方法，尚包括有：一第一壓輪裝置，其係設置於該第一傳輸裝置之上方，且與該第一傳輸裝置對應設置，藉以提供一容許矽晶圓通過之間隙。
11. 如申請專利範圍第9項所述之連續式半導體蝕刻方法，其中該第二製程槽之蝕刻液之液面係低於各第二滾輪之頂端，且令蝕刻液與位於該第二滾輪上之該矽晶圓底部接觸。
12. 如申請專利範圍第8項所述之連續式半導體蝕刻方法，尚包括有一沖洗步驟，該矽晶圓在通過該第一製程槽後而進入該第二製程槽之前，於一設置於該第一製程槽及該第二製程槽之間的第三製程槽執行該沖洗步驟，而該第三製程槽包含一沖洗裝置。
13. 如申請專利範圍第8項所述之連續式半導體蝕刻方法，進一步包含至少一供液裝置，其係分別與第一製程槽之該注液管及該第二製程槽之該注液管連接，藉由該供液裝置提供蝕刻液至該第一製程槽及該第二製程槽。
14. 如申請專利範圍第8項所述之連續式半導體蝕刻方法，進一步包含至少一回收槽，該回收槽鄰近設置於該第一製程槽及該第二製程槽，藉以回收自該第一製程槽及該第二製程槽流出之蝕刻液。