KR200177288Y1

KR200177288Y1 - 반도체 웨이퍼 식각장치

Info

Publication number: KR200177288Y1
Application number: KR2019970025866U
Authority: KR
Inventors: 이봉기
Original assignee: 김영환; 현대반도체주식회사
Priority date: 1997-09-12
Filing date: 1997-09-12
Publication date: 2000-04-15
Also published as: KR19990012739U

Abstract

본 고안은 반도체 웨이퍼 식각장치에 관한 것으로, 종래에는 펌프, 필터, 히터 등에서 발생된 기포에 의하여 보트에서 웨이퍼가 떨어져서 파손되는 문제점이 있었다. 본 고안 반도체 웨이퍼 식각장치는 순환라인(23) 상에 기액분리수단(30)을 설치하여, 내조(22)에 공급되기 전의 케미컬(37)에 포함되어 있는 기포(33)를 제거함으로써, 기포에 의하여 보트에서 웨이퍼가 떨어져 파손되는 것을 방지하는 효과가 있고, 기포에 의한 웨이퍼의 식각 불균일을 방지하게 되는 효과가 있다.

Description

반도체 웨이퍼 식각장치

본 고안은 반도체 웨이퍼 식각장치에 관한 것으로, 특히 베스의 내부로 공급되는 케미컬에 포함되어 있는 기포를 제거할 수 있도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼 식각장치에 관한 것이다.

현상된 웨이퍼를 최종 베이크한 후에는 식각용액(ETCHING SOLUTION)에 일정시간 담근 후, 다시 꺼내는 식각공정을 실시하게 되는데, 이와 같은 식각공정을 진행하는 종래 식각장치가 도 1에 도시되어 있는 바, 이를 간단히 설명하면 다음과 같다.

도 1은 종래 반도체 웨이퍼 식각장치의 구성을 보인 배관도로써, 도시된 바와 같이, 종래 반도체 웨이퍼 식각장치는 외조(1)의 내측에는 케미컬(2)이 상단부가 낮은 내조(2)가 설치되어 있고, 그 내조(2)와 외조(1)는 순환라인(3)으로 연결되어 있으며, 그 순환라인(3) 상에는 펌프(4), 댐퍼(5), 필터(6), 히터(7)가 설치되어 있다.

그리고, 상기 내조(2)의 내측에는 웨이퍼(8)들을 탑재하기 위한 보트(9)가 설치되어 있다.

상기와 같이 구성되어 있는 본 고안 반도체 웨이퍼 식각장치는 내조(2)의 내측에 케미컬(10)이 수납되어 있는 상태에서 내조(2)의 내측에 웨이퍼(8)들을 탑재하여 이동시킨다. 그런 다음, 일정시간 경과시켜서 식각을 진행하게 되며, 이와 같이 식각이 진행되는 동안 케미컬(10)은 순환라인(3)을 통하여 외조(1)에서 내조(2)로 펌프(4)에 의하여 펌핑되고, 그 내조(2)로 펌핑된 케미컬(10)은 외조(1)로 오버 플로우되며 다시 순환된다.

그리고, 상기와 같이 순환되는 순환라인(3) 상에 설치된 댐퍼(5)는 순환라인(3)의 정압을 조절하며, 필터(6)는 순환라인(3)으로 흐르는 케미컬(10)의 이물질을 필터링하고, 히터(7)는 케미컬(10)을 일정온도로 가열하게 된다.

그러나, 상기와 같은 종래 반도체 웨이퍼 식각장치에서는 순환되는 케미컬(10)이 펌프(4), 필터(6), 히터(7)를 통과하며 통과하며 기포(11)가 발생되고, 이와 같이 발생된 기포(11)는 부력으로 작용하여 웨이퍼(8)를 보트(9)에서 이탈시킴으로써 웨이퍼(8)를 파손시키는 문제점이 있었다. 또한, 발생된 기포(11)는 웨이퍼(8)의 표면에 부착되어 케미컬(10)의 접촉을 부분적으로 차단함으로써 식각의 불균일을 초래하는 문제점이 있었다.

상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 고안의 목적은 내조로 공급되는 케미컬중에 기포가 발생되는 것을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼 식각장치를 제공함에 있다.

도 1은 종래 반도체 웨이퍼 식각장치의 구성을 보인 배관도.

도 2는 본 고안 반도체 웨이퍼 식각장치의 구성을 보인 배관도.

도 3은 본 고안의 요부인 기액분리수단의 구성을 보인 종단면도.

* * 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 * *

21 : 외조 22 : 내조

23 : 순환라인 24 : 펌프

25 : 댐퍼 26 : 필터

27 : 히터 30 : 기액분리수단

31a: 케미컬 공급공 31b: 케미컬 배출공

31c: 질소 공급공 31d: 질소 배출공

31 : 케이스 32 : 내측공간부

33 : 기포 34 : 기포분리판

상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 내조와 외조가 순환라인으로 연결되어 있고, 그 순환라인 상에 펌프, 댐퍼, 필터, 히터가 설치되어 있는 반도체 웨이퍼 식각장치에 있어서, 상기 히터의 전방 순환라인 상에 기포를 제거하기 위한 기액분리수단을 설치하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 식각장치가 제공된다.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 고안 반도체 웨이퍼 식각장치를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 2는 본 고안 반도체 웨이퍼 식각장치의 구성을 보인 배관도이고, 도 3은 본 고안의 요부인 기액분리수단의 구성을 보인 종단면도로써, 도시된 바와 같이, 본 고안 반도체 웨이퍼 식각장치는 외조(21)의 내측에 상단부가 낮은 내조(22)가 설치되어 있고, 그 내조(22)와 외조(21)는 순환라인(23)이 설치되어 있으며, 그 순환라인(23) 상에는 펌프(24), 댐퍼(25), 필터(26), 히터(27)가 설치되어 있다.

그리고, 상기 히터(27)의 전방 순환라인(23) 상에는 기포를 제거하기 위한 기액분리수단(30)이 설치되어 있다.

상기 기액분리수단(30)은 하단부 양면에는 케미컬 공급공(31a)과 케미컬 배출공(31b)이 각각 형성되어 있고, 상단부 양면에는 질소공급공(31c)과 기포배출공(31d)이 형성되어 있는 케이스(31)와, 그 케이스(31)의 내측 공간부(32)가 구획되도록 일정 높이로 설치되어 기포(33)를 분리하기 위한 기포분리판(34)으로 구성되어 있다.

도면중 미설명 부호 35는 보트이고, 36은 웨이퍼이며, 37은 케미컬이다.

상기와 같이 구성되어 있는 본 고안 반도체 웨이퍼 식각장치의 동작은 다음과 같다.

케미컬(37)이 수납되어 있는 내조(22)의 내측에 보트(35)에 웨이퍼(36)들을 탑재하여 로딩한다. 그런 다음, 펌프(24)를 이용하여 펌핑을 하면 외조(21)의 케미컬(37)이 순환라인(23)을 통하여 내조(22)로 순환되는데, 이때 댐퍼(25)는 순환라인(23)의 정압을 유지하고, 필터(26)는 이물질을 제거하며, 히터(27)는 케미컬(37)을 가열한다.

또한, 상기 히터(27)에 가열된 케미컬(37)은 기액분리수단(30)을 통과하게 되는데, 이때, 케이스(31)의 일측에 형성된 케미컬 공급공(31a)을 통하여 케미컬(37)과 기포(33)가 같이 케이스(31)의 내측으로 유입되고, 기포(33)는 기포분리판(34)에 의하여 상측으로 이동하여 기포배출공(31d)으로 배출되며, 케미컬(37)은 케미컬 배출공(31b)를 통하여 내조(22)의 내측으로 공급된다.

한편, 상기 케이스(31)에 형성된 질소공급공(31c)을 통하여 항상 질소가스를 공급하여 케이스(31)의 내부압력을 일정하게 유지시키고, 케이스(31)의 오염을 방지하도록함과 동시에 케미컬(37)이 공기와 접촉되는 것을 차단하게 된다.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 고안 반도체 웨이퍼 식각장치는 순환라인 상에 기액분리수단을 설치하여, 내조에 공급되기 전의 케미컬에 포함되어 있는 기포를 제거함으로써, 기포에 의하여 보트에서 웨이퍼가 떨어져 파손되는 것을 방지하는 효과가 있고, 기포에 의한 웨이퍼의 식각 불균일을 방지하게 되는 효과가 있다.

Claims

내조와 외조가 순환라인으로 연결되어 있고, 그 순환라인 상에 펌프, 댐퍼, 필터, 히터가 설치되어 있는 반도체 웨이퍼 식각장치에 있어서, 상기 히터의 전방 순환라인 상에 기포를 제거하기 위한 기액분리수단을 설치하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 식각장치.
제 1항에 있어서, 상기 기액분리수단은 하단부 양면에는 케미컬 공급공)과 케미컬 배출공이 각각 형성되어 있고, 상단부 양면에는 질소 공급공과 기포 배출공이 형성되어 있는 케이스와, 그 케이스의 내측 공간부가 구획되도록 일정 높이로 설치되어 기포를 분리하기 위한 기포분리판으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 식각장치.