KR20150060126A

KR20150060126A - 분사식 웨이퍼의 웨팅 장치

Info

Publication number: KR20150060126A
Application number: KR1020130144188A
Authority: KR
Inventors: 나원재
Original assignee: 주식회사 케이씨텍
Priority date: 2013-11-26
Filing date: 2013-11-26
Publication date: 2015-06-03
Also published as: KR102111592B1

Abstract

본 발명은 화학 기계적 연마 공정에 사용되는 웨이퍼 웨팅 장치에 관한 것으로, 웨이퍼를 지지하는 홀더와; 상기 웨이퍼의 가장자리에서 상기 웨이퍼의 상면으로 액체를 토출하여 공급하되, 토출된 액체가 상기 웨이퍼의 바깥으로 튀어나가지 않고 상기 웨이퍼의 표면에 머무를 정도의 수압으로 액체를 토출하는 액체 토출 유닛을; 포함하여 구성되어, 웨이퍼의 가장자리에서 상기 웨이퍼의 상면으로 액체를 낮은 수압으로 토출하여, 토출된 순수가 웨이퍼의 표면에 머물러 웨이퍼의 표면을 순차적으로 채워 덮는 것에 의해 웨이퍼의 젖음 상태를 유지함으로써, 웨이퍼가 액체 내에 딥핑되지 않고, 동시에 핸들러 등이 즉시 웨이퍼를 파지할 수 있는 대기 상태를 유지하면서도, 주변으로 순수가 튀어 나가는 것을 방지할 수 있어서 주변 부품의 손상을 방지하면서 웨이퍼의 젖음 상태로 유지할 수 있는 분사식 웨이퍼 웨팅 장치를 제공한다.

Description

분사식 웨이퍼의 웨팅 장치 {INJECTION TYPE WAFER WETTING DEVICE}

본 발명은 화학 기계적 연마 공정과 관련하여 사용되는 웨이퍼 웨팅 장치에 관한 것으로, 상세하게는 웨이퍼가 딥핑할 수 없는 상태에서 웨이퍼를 젖음 상태로 유지할 수 있는 웨이퍼 웨팅 장치에 관한 것이다.

화학기계적 연마(CMP) 장치는 반도체소자 제조과정 중 마스킹, 에칭 및 배선공정 등을 반복 수행하면서 생성되는 웨이퍼 표면의 요철로 인한 셀 지역과 주변 회로지역간 높이 차를 제거하는 광역 평탄화와, 회로 형성용 콘택/배선막 분리 및 고집적 소자화에 따른 웨이퍼 표면 거칠기 향상 등을 도모하기 위하여, 웨이퍼의 표면을 정밀 연마 가공하는데 사용되는 장치이다.

이러한 CMP 장치에 있어서, 캐리어 헤드는 연마공정 전후에 웨이퍼의 연마 면이 연마 패드와 마주보게 한 상태로 상기 웨이퍼를 가압하여 연마 공정을 행하도록 하고, 동시에 연마 공정이 종료되면 웨이퍼를 직접 및 간접적으로 진공 흡착하여 파지한 상태로 그 다음 공정으로 이동한다.

최근에는 보다 정교한 화학 기계적 연마 공정을 행하기 위하여, 웨이퍼를 다수의 연마 정반에서 서로 다른 연마 조건에서 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 방법이 제안되고 있다. 대한민국 등록특허공보 제10-1188579호에 따른 화학 기계식 연마 시스템에 따르면, 웨이퍼 캐리어가 웨이퍼를 파지한 상태에서 이동하면서 다수의 연마 정반에서 각각 단계적으로 화학 기계적 연마 공정을 행하는 구성을 개시하고 있다.

한편, 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 동안에 웨이퍼의 연마면은 젖음 상태로 유지되어야 하며, 웨이퍼의 연마면이 건조될 경우에는 웨이퍼가 손상되어 반도체 소자를 제조하는 데 사용할 수 없는 치명적인 불량이 야기된다. 따라서, 다수의 연마 정반에서 화학 기계적 연마 공정이 다단계로 행해지는 경우에는, 웨이퍼의 젖음 상태가 일정하게 유지되도록 철저한 관리를 필요로 한다.

한편, 연마 정반 상에서 화학 기계적 연마 공정이 행해지고 있는 웨이퍼는 슬러리와 순수 중 어느 하나 이상이 공급되고 있으므로 웨이퍼의 젖음 상태를 유지하는 데 문제되지 않는다. 그리고, 최근 특허출원 제2013-65084호를 통해 본 출원인이 제안한 바와 같이, 연마 정반 상으로 이동될 웨이퍼에 대해서는 웨이퍼를 순수에 잠기게 하여 젖음 상태로 유지시키는 방식으로 웨이퍼의 젖음 상태를 유지할 수 있다.

그러나, 웨이퍼를 웨이퍼 캐리어로 로딩하는 로딩 유닛이나, 화학 기계적 연마 공정이 완료되어 세정 공정으로 이동시키는 언로딩 유닛에서는 웨이퍼를 일정한 시간 동안 대기해야 하는 경우가 발생된다. 즉, 로딩 유닛과 언로딩 유닛에서는 대기 시간이 상대적으로 짧지만, 웨이퍼 캐리어에 웨이퍼가 장착될 때까지 로딩 유닛에서 대기해야 하거나 웨이퍼 캐리어로부터 분리되어 핸들러에 의해 세정 공정으로 이송될 때까지 언로딩 유닛에 대기한다. 그러나, 로딩 유닛과 언로딩 유닛에서 웨이퍼가 대기하는 동안에 웨이퍼의 연마면이 건조되면 웨이퍼가 손상되는 심각한 문제가 야기되고, 로딩 유닛과 언로딩 유닛에서는 핸들러나 웨이퍼 캐리어가 웨이퍼를 파지할 수 있어야 하므로 웨이퍼를 순수에 담그지 못하는 제한이 있다.

이와 같은 문제를 해소하기 위하여, 도1 및 도2에 도시된 웨이퍼 세정 장치와 유사하게 순수 분사 유닛(20)으로부터 홀더(10)에 의하여 파지되어 있는 웨이퍼(W)의 표면에 순수를 분사(99d)하여 웨이퍼의 표면을 젖음 상태로 유지시키는 방안을 모색해 볼 수 있다. 도면 중 미설명 부호인 18는 홀더(10)의 연결부이고, 도면 중 미설명 부호인 19는 지지부이다. 그러나, 도 1 및 도2에 도시된 바와 같이 일반적인 분사식 세정 장치와 유사하게 웨이퍼 웨팅 장치(1)를 구성할 경우에는, 웨이퍼(W)의 판면으로부터 100mm 정도의 높이(H)에 순수 분사 유닛(20)을 위치시키고, 순수 분사 유닛(20)으로부터 순수를 분하하여 웨이퍼(W)를 젖음 상태로 유지시키고자 할 경우에는, 순수 분사 유닛(20)으로부터 분사된 순수가 웨이퍼(W)의 표면에 도달한 이후에, 주변으로 튀어(99d') 웨이퍼(w)의 장착 여부를 감지하는 센서 등의 부품을 손상시키는 문제가 야기된다.

따라서, 웨이퍼(W)를 순수에 잠기는 딥핑 방식을 제외하고 웨이퍼(W)의 표면을 젖음 상태로 유지하되, 주변에 배치된 센서 등의 구성 요소에 수분이 도달하는 것을 방지하여 고장나거나 손상되지 않도록 하는 웨이퍼의 웨팅 장치의 필요성이 크게 대두되고 있다.

본 발명은 전술한 기술적 배경하에서 창안된 것으로, 웨이퍼가 거치된 이후에 핸들러나 웨이퍼 캐리어에 의하여 이송되어야 하므로, 웨이퍼가 딥핑되지 않으면서도 웨이퍼를 젖음 상태로 유지할 수 있는 웨이퍼 웨팅 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

이와 동시에, 본 발명은 주변으로 순수가 튀는 것을 방지하여 주변 부품의 손상을 방지하면서 웨이퍼를 젖음 상태로 유지시키는 것을 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 홀더에 거치되고 있는 웨이퍼의 전체 표면에 걸쳐 젖음 상태를 유지하는 것을 목적으로 한다.

그리고, 본 발명은 웨이퍼의 젖음 상태를 유지하면서, 핸들러 등에 의하여 즉시 파지될 수 있는 상태를 유지하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 웨이퍼를 지지하는 홀더와; 상기 웨이퍼의 가장자리에서 상기 웨이퍼의 상면으로 액체를 토출하여 공급하되, 토출된 액체가 상기 웨이퍼의 바깥으로 튀어나가지 않고 상기 웨이퍼의 표면에 머무를 정도의 수압으로 액체를 토출하는 액체 토출 유닛을; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 웨팅 장치를 제공한다.

이는, 웨이퍼의 표면에 액체를 도포함에 있어서 고압으로 웨이퍼의 표면에 분사하는 것이 아니라, 웨이퍼의 가장자리 바깥에서 웨이퍼의 표면에 토출된 액체가 머무를 수 있는 낮은 수압으로 액체를 토출하여, 토출된 액체가 웨이퍼의 표면을 덮게 되는 것에 의하여 웨이퍼의 젖음 상태를 유지할 수 있도록 하기 위함이다.

이를 통해, 웨이퍼가 액체 내에 딥핑되면서 웨팅 상태를 유지하지 않고, 핸들러 등이 즉시 웨이퍼를 파지할 수 있는 대기 상태로 유지하면서, 웨이퍼의 주변 센서 등의 부품에 액체가 튀는 것을 방지하면서도, 웨이퍼의 표면을 젖음 상태로 유지할 수 있게 된다.

여기서, 상기 액체 토출 유닛에 의해 토출되는 액체는 웨이퍼의 표면에 예상치못한 화학 반응이 일어나지 않는 순수(deionized water)인 것이 바람직하다.

그리고, 상기 액체 토출 유닛은 상기 웨이퍼의 가장자리에서 순수를 토출하되, 토출된 순수가 상기 웨이퍼의 중심까지 도달하지 않고 상기 웨이퍼의 판면에 닿는 정도의 수압으로 순수를 토출한다. 이와 같이 낮은 수압으로 웨이퍼의 판면에 도달하여, 웨이퍼의 판면에 모이는 순수의 양이 점점 늘어나면서 순수가 웨이퍼의 표면 전체에 걸쳐 퍼지는 형태로 웨이퍼의 웨팅 상태를 유지시킨다.

바람직하게는, 상기 액체 토출 유닛은 상기와 같이 낮은 수압으로 순수를 토출하되, 수평 방향으로 토출하여 상기 웨이퍼의 판면에 공급하는 것이 바람직하다. 이를 통해, 낮은 수압에 의해서도 순수를 웨이퍼의 표면에 보다 넓게 공급할 수 있고, 웨이퍼의 표면에서 순수가 튀어 바깥으로 나가는 것을 확실하게 방지할 수 있다.

예를 들어, 상기 액체 토출 유닛은 상기 웨이퍼의 상면으로부터 30mm 이내의 낮은 높이에 토출구가 위치하고, 상기 판면에 대하여 10도 이내의 각도를 유지하면서 대략 수평인 방향으로 순수를 토출하는 것에 의하여, 외부로 순수가 튀지 않으면서 웨이퍼를 즉시 파지할 수 있는 상태를 유지하면서 웨이퍼 전체 표면에 걸쳐 젖음 상태를 유지시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.

상기와 같이 구성된 웨이퍼의 웨팅 장치는 다수의 연마 정반에서 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 화학 기계적 연마 시스템에 웨이퍼를 탑재하는 로딩 유닛과 웨이퍼를 세정 공정으로 이송시키는 언로딩 유닛 중 어느 하나 이상에서 사용됨으로써, 웨이퍼를 웨팅시키는 외부로 순수가 튀지 않아 주변 센서 등의 부품을 손상시키지 않고, 핸들러에 의하여 웨이퍼를 언로딩시키거나 웨이퍼 캐리어로 웨이퍼를 로딩할 수 있는 상태로 대기하면서 웨이퍼의 표면을 젖음 상태로 유지할 수 있다.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '수평 방향' 및 이와 유사한 용어는 중력 방향에 90도의 각도를 이루는 방향을 지칭할 뿐만 아니라, 실질적으로 수평인 것으로 인정될 수 있는 범위의 각도를 모두 포함하는 것으로 정의하기로 한다.

본 발명에 따르면, 웨이퍼의 가장자리에서 상기 웨이퍼의 상면으로 액체를 낮은 수압으로 토출하여, 토출된 순수가 웨이퍼의 표면에 머물러 웨이퍼의 표면을 순차적으로 채워 덮는 것에 의해 웨이퍼의 젖음 상태를 유지함으로써, 웨이퍼가 액체 내에 딥핑되지 않고, 동시에 핸들러 등이 즉시 웨이퍼를 파지할 수 있는 대기 상태를 유지하면서도, 주변으로 순수가 튀어 나가는 것을 방지할 수 있어서 주변 부품의 손상을 방지하면서 웨이퍼의 젖음 상태로 유지할 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다.

도1은 일반적인 웨이퍼 세정 장치의 구성을 도시한 사시도,
도2는 도1의 정면도,
도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 웨팅 장치의 구성을 도시한 사시도,
도4는 순수의 토출 방향을 설명하기 위한 도면,
도5는 도3의 평면도,
도6은 도3의 정면도,
도7은 도3의 액체 토출 유닛을 도시한 사시도,
도8은 도7의 액체 토출 유닛의 종단면도,
도9a 내지 도9g는 도3의 웨이퍼 웨팅 장치의 작동 순서에 따른 상태를 촬영한 촬영 사진이다.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 공정에 사용되는 분사식 웨이퍼 웨팅 장치(100)를 상술한다. 다만, 본 발명의 일 실시예를 설명함에 있어서, 종래의 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일 또는 유사한 도면부호를 부여하고, 이에 대한 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.

도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 웨팅 장치의 구성을 도시한 사시도, 도4는 순수의 토출 방향을 설명하기 위한 도면, 도5는 도3의 평면도, 도6은 도3의 정면도, 도7은 도3의 액체 토출 유닛을 도시한 사시도, 도8은 도7의 액체 토출 유닛의 종단면도, 도9a 내지 도9g는 도3의 웨이퍼 웨팅 장치의 작동 순서에 따른 상태를 촬영한 촬영 사진이다.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 공정에 사용되는 분사식 웨이퍼 웨팅 장치(100)는, 웨이퍼(W)를 지지하는 홀더(110)와, 웨이퍼(W)의 가장자리에서 웨이퍼(W)의 상면에 낮은 압력으로 순수(99)를 토출하여 웨이퍼(W)의 상면이 순수로 채워지면서 젖음 상태가 되도록 하는 액체 토출 유닛(120)으로 구성된다.

상기 홀더(110)는 웨이퍼(W)의 상면이 모두 드러날 수 있는 형태가 되도록 웨이퍼(W)를 지지면(110s)에 거치하여 지지하는 형태로 형성된다. 이에 따라, 웨이퍼의 상면이 순수(99)에 의해 젖음 상태가 되면 웨이퍼의 상면 전체가 모두 순수(99)에 의해 덮힌 상태가 된다.

그리고, 홀더(110)는 서로 이격되게 2개 이상으로 형성되어, 홀더(110)의 사잇 공간을 통하여 로봇 아암 등과 같이 형성된 핸들러(미도시)가 언제든지 홀더(110)에 거치된 웨이퍼(W)를 파지할 수 있는 상태가 되도록 한다. 즉, 도3에 도시된 바와 같이 2개의 넓은 지지면(110s)에 의해 웨이퍼(W)를 거치할 수도 있고, 도9a에 도시된 바와 같이 90도 간격으로 홀더가 배치되어, 보다 많은 수의 홀더의 작은 지지면으로 웨이퍼(W)를 거치시켜 지지할 수도 있다.

홀더(110)는 제자리에 위치 고정될 수도 있지만, 웨이퍼(W)가 홀더(110)에 안착되는 경우에 일부의 홀더(110)가 좌우 방향(110d)으로 이동하여 웨이퍼(W)가 홀더(110)의 정해진 위치에 안착되도록 안내할 수 있다. 이 경우에도는 도7에 도시된 홀더(110)의 측면(110k)이 웨이퍼(W)의 가장자리에 접촉하면, 홀더(110)의 이동(110d)이 정지되도록 하는 것에 의해 웨이퍼(W)를 항상 일정한 위치에 거치시킬 수 있다.

상기 액체 토출 유닛(120)은, 웨이퍼(W)의 가장자리 바깥에 배치되어, 순수 공급부(125)로부터 공급관(122)을 통해 순수를 공급받아, 웨이퍼(W)의 상면에 순수(99)를 낮은 압력으로 분사한다. 즉, 웨이퍼(W)가 홀더(110)에 거치되면, 액체 토출 유닛(120)은 웨이퍼(W)의 판면을 향하여 순수(99)를 분사하여 웨이퍼(W)의 상면에 순수로 뒤덮히도록 한다.

이 때, 액체 토출 유닛(120)으로부터 토출되는 순수(99)는 모두 웨이퍼(W)의 판면에 도달하여 머무를 정도로 토출압이 낮게 제어되며, 바람직하게는 액체 토출 유닛(120)으로부터 토출되는 순수는 도4에 도시된 웨이퍼(W)의 중심선(88)까지 미치지 않는 영역의 웨이퍼 판면에 낙하하여 도달(55)하도록 제어된다.

그리고, 액체 토출 유닛(120)에는 순수(99)를 토출하는 토출구(121)가 하나로 형성될 수도 있지만, 보다 짧은 시간 내에 웨이퍼(W)의 상면이 젖음 상태가 되도록 도3에 도시된 바와 같이 다수의 토출구(121)로부터 방사상으로 퍼지도록 순수(99)를 토출한다.

즉, 액체 토출 유닛(120)은 도8에 도시된 바와 같이 공급관(122)으로부터 공급되는 순수의 통로(120x)가 내부에 형성되고, 통로(120x)와 연통되면서 서로 다른 방향으로 연통 형성된 다수의 토출구(121)가 구비된다. 이 때, 최외측 토출구(121) 사이의 분사 범위는 150도를 초과하지 않는 것이 웨이퍼(W)의 바깥으로 순수가 튀어 나가는 것을 방지할 수 있다는 점에서 바람직하다.

그리고, 도3 및 도4에 도시되어 있지 않지만, 도7에 도시된 바와 같이 액체 토출 유닛(120)은 홀더(110)의 일측에 위치 고정될 수 있다. 이를 통해, 액체 토출 유닛(120)을 웨이퍼(W)의 가장자리 바깥에 위치 고정시키는 것이 용이해진다.

이와 동시에, 액체 토출 유닛(120)에 의하여 토출되는 순수(99)의 토출 방향은 수평면(77)과 일치하거나 수평면(77)과 10도 이하의 경사각(α)을 갖는 실질적으로 수평 방향으로 토출되도록 하는 것이 바람직하다. 그리고, 액체 토출 유닛(120)으로부터 토출되는 순수(99)의 토출 방향이 수평면(77)과 일치하는 방향으로 분사되더라도, 순수(99)의 토출압이 낮으므로 낙하하는 지점(55)이 웨이퍼(W)의 상면을 벗어나지도 않고 토출압에 의해 웨이퍼(W)에 토출된 순수가 바깥으로도 튀지 않게 된다.

이를 통해, 액체 토출 유닛(120)으로부터 토출되는 순수(99)의 토출압이 낮게 조절되더라도, 웨이퍼(W)의 판면에 낙하된 순수가 토출압에 의해 퍼지는 것이 아니라, 그 이후에 토출되어 웨이퍼의 판면에 낙하되는 순수에 의해 밀려 웨이퍼(W)의 판면 전체에 걸쳐 퍼지게 되어 웨이퍼(W)의 판면 전체가 젖음 상태가 된다.

즉, 도9a에 도시된 상태로 배치된 액체 토출 유닛(120)으로부터 도9b에 도시된 바와 같이 순수가 토출되기 시작하면, 웨이퍼(W)의 판면에 토출된 모든 순수가 쌓이게 되고 순수의 토출압에 의해 웨이퍼(W)의 바깥으로 튀어나가지 않는다. 그리고, 추가적으로 웨이퍼(W)의 판면에 순수가 보다 더 토출되어 쌓이면, 도9c에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)의 판면에 순수가 덮는 면적이 점점 늘어나게 되어, 도9d에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)의 판면 전체에 순수가 덮이게 된다. 이 때, 웨이퍼(W) 상에 도포된 순수는 표면 장력에 의하여 웨이퍼(W)의 표면 일부가 덮인 상태에서 웨이퍼(W)의 바깥으로 낙하하지 않고, 웨이퍼(W)의 표면 전체가 순수에 의해 덮인 이후에, 액체 토출 유닛(120)으로부터 추가적으로 토출되는 순수(99)에 의해 밀려 웨이퍼(W)의 바깥으로 흘러넘치는 형태로 낙하하게 된다(도9e). 그리고, 웨이퍼의 바깥으로 낙하되는 순수는 회수 용기에 의해 수거되어 배출된다.

따라서, 웨이퍼(W)의 전체 표면이 낮은 압력으로 토출되어 판면에 공급되는 순수(99)에 의하여 모두 덮인 상태로 웨팅 상태가 유지되며, 주변으로 순수가 튀어 배출되지도 않아 웨이퍼(W)가 홀더(110)에 안착되었는지 등을 감지하는 센서가 수분에 의해 손상되는 것을 근본적으로 방지할 수 있고, 웨이퍼(W)가 딥핑된 상태도 아니므로 핸들러가 웨이퍼(W)의 가장자리를 언제든지 파지할 수 있는 상태로 유지된다.

상기와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 웨팅 장치(100)는, 대한민국 등록특허공보 제10-1188579호에 따른 화학 기계식 연마 시스템에 개시된 로딩 유닛이나 언로딩 유닛에 적용될 경우에 그 장점이 극대화된다. 즉, 웨이퍼 캐리어가 이동하면서 다수의 연마 정반에서 다단계로 화학 기계적 연마 공정을 수행하기 위해서는, 웨이퍼 캐리어에 웨이퍼를 로딩하기 위한 로딩 유닛과 화학 기계적 연마 공정이 종료된 웨이퍼를 언로딩하기 위한 언로딩 유닛에서 웨이퍼를 대기시키면서 파지할 수 있는 준비가 되어야 하는데, 상기와 같이 구성된 웨이퍼 웨팅 장치(100)는 웨이퍼(W)를 순수 등의 액체에 잠기게 하는 딥핑 방식을 채택하지 않으면서도, 핸들러 등이 웨이퍼(W)를 즉시 파지할 수 있도록 하면서도, 웨이퍼의 바깥으로 순수가 튀어 주변에 배치된 센서 등 수분에 취약한 부품의 손상이나 고장을 방지할 수 있으므로, 다단계로 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 화학 기계적 연마 시스템의 로딩 유닛이나 언로딩 유닛에 적합하다.

즉, 상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 웨이퍼 웨팅 장치(100)는, 웨이퍼의 가장자리 바깥에서 웨이퍼(W)의 상면으로 액체를 낮은 수압으로 토출하여, 토출된 순수(99)가 웨이퍼(W)의 표면에 머물러 웨이퍼(W)의 표면을 순차적으로 채워 덮는 것에 의해 웨이퍼(W)의 젖음 상태를 유지함으로써, 웨이퍼(W)가 액체 내에 딥핑되지 않으면서, 동시에 핸들러 등이 즉시 웨이퍼를 파지할 수 있는 대기 상태를 유지하면서도, 또한 주변으로 순수가 튀어나가지 않도록 순수를 단속하면서 젖음 상태를 유지하므로 주변이 더러워지거나 주변 부품의 고장을 방지할 수 있는 잇점이 얻어진다.

이상에서 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 예시적으로 설명하였으나, 본 발명은 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며 본 발명에서 제시한 기술적 사상, 구체적으로는 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 다양한 형태로 수정, 변경, 또는 개선될 수 있을 것이다.

W: 웨이퍼 110: 홀더
110s: 지지면 120: 액체 토출 유닛
121: 토출구 99: 순수

Claims

웨이퍼를 지지하는 홀더와;
상기 웨이퍼의 가장자리에서 상기 웨이퍼의 상면으로 순수를 토출하여 공급하되, 토출된 순수가 상기 웨이퍼의 바깥으로 튀어나가지 않고 상기 웨이퍼의 표면에 머무를 정도의 수압으로 순수를 토출하는 액체 토출 유닛을;
포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 웨팅 장치.
제 1항에 있어서,
상기 액체 토출 유닛은 상기 웨이퍼의 가장자리에서 순수를 토출하되, 토출된 순수가 상기 웨이퍼의 중심까지 도달하지 않고 상기 웨이퍼의 판면에 닿는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 웨팅 장치.
제 1항에 있어서,
상기 액체 토출 유닛은 순수를 수평 방향으로 토출하여 상기 웨이퍼의 판면에 공급하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 웨팅 장치.
제 1항에 있어서,
상기 홀더는 상기 웨이퍼를 거치하여 상기 웨이퍼의 가장자리가 모두 드러나도록 위치시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 웨팅 장치.
제 4항에 있어서,
상기 홀더는 상기 웨이퍼를 거치하여 상기 웨이퍼의 가장자리가 모두 드러나도록 위치시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 웨팅 장치.
제 1항에 있어서,
상기 액체는 순수(deionized water)인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 웨팅 장치.
제 1항에 있어서,
상기 액체 토출 유닛은 여러 방향으로 순수가 토출시키는 다수의 토출구가 구비된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 웨팅 장치.
제 1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 액체 토출 유닛은 상기 웨이퍼의 상면으로부터 30mm 이내의 높이에 토출구가 위치하고, 상기 판면에 대하여 10도 이내의 각도의 토출 방향으로 순수를 토출하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 웨팅 장치.
제 1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 웨이퍼의 웨팅 장치는 다수의 연마 정반에서 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 화학 기계적 연마 시스템에 웨이퍼를 탑재하는 로딩 유닛과 웨이퍼를 세정 공정으로 이송시키는 언로딩 유닛 중 어느 하나 이상에서 사용되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 웨팅 장치.