KR20030097471A - 화학적 기계적 평탄화 기계의 폴리싱 스테이션 - Google Patents

화학적 기계적 평탄화 기계의 폴리싱 스테이션 Download PDF

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Abstract

본 발명은 화학적 기계적 평탄화(CMP) 과정에서 웨이퍼를 안정적으로 언로딩할 수 있는 폴리싱 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 웨이퍼 연마 장치는 웨이퍼와 멤브레인 사이로 유체를 제공하는 장치를 구비한 웨이퍼 전달 스테이지를 갖는다. 바람직하게, 상기 전달 스테이지는 웨이퍼가 놓여지는 받침대와, 웨이퍼가 상기 폴리싱 헤드로부터 상기 받침대에 언로딩될때, 상기 웨이퍼와 멤브레인간의 표면장력을 줄이기 위한 유체 제공 장치를 갖는다. 상기 유체 제공 장치는 상기 웨이퍼와 멤브레인 사이로 초순수를 분사하는 분사 노즐 또는 불활성가스를 분사하는 분사 노즐로 이루어질 수 있다.

Description

화학적 기계적 평탄화 기계의 폴리싱 스테이션{POLISHING STATION OF A CHEMICAL MECHANICAL POLISHING MACHINE}
본 발명은 반도체 웨이퍼를 제조하는 장치에 관한 것으로, 더 구체적으로는 반도체 웨이퍼의 표면을 화학적, 기계적으로 연마하는 장치에 관한 것이다.
최근, 반도체 장치가 고집적화 됨에 따라 배선구조가 다층화 되어 반도체 기판 상에 적층된 단위 셀들 사이의 표면 단차가 점점 증가되고 있으며, 이들 단위 셀들 사이의 표면 단차를 줄이기 위하여 다양한 웨이퍼 공정면의 연마 방법들이 제시되고 있다. 이들 중 웨이퍼를 화학적 기계적인 연마를 동시에 실시하는 웨이퍼의 공정면을 평탄화하는 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 장비가 널리 사용되고 있다.
통상적으로, CMP 공정에서는, 웨이퍼가 그것의 공정면이 턴 테이블을 향하도록 폴리싱 헤드에 장착되고, 웨이퍼의 공정면은 연마 패드가 설치된 턴테이블 상에 놓여진다. 폴리싱 헤드는 턴테이블의 연마 패드에 대향해 웨이퍼를 누르도록 웨이퍼 상에 제어 가능한 누르는 힘 또는 압력을 제공한다. 또, 폴리싱 헤드는 웨이퍼와 턴테이블 사이의 추가적인 운동을 제공하도록 회전할 수도 있다.
특히, CMP 폴리셔(polisher) 업체에서의 균일성(uniformity)이 우수한 멤브레인(membrane) 타입의 헤드를 개발 /적용이 활발히 진행되고 있다.
이러한 멤브레인 타입의 폴리싱 헤드는 웨이퍼와 멤브레인 사이의 진공/에어 블로우(air blow)를 이용하여 웨이퍼를 고정(chuck)하거나 비고정(release)하는 방식을 사용하고 있다. 하지만, 이러한 방식의 폴리싱 헤드에서는 웨이퍼를 전달 스테이지로 언로딩하는 과정에서 에러가 다발하는 문제점이 있다.
웨이퍼 언로딩 과정이 도 1a 내지 도 1c에 도시되어 있다. 도면을 참고하면, 웨이퍼 언로딩은 폴리싱 헤드(10)가 전달 스테이지(20)로 이동되면, 전달 스테이지(20)의 패드스틸(22)이 상승하는 준비 단계와(도 1a), 공기압에 의해 멤브레인(12)이 팽창되고 웨이퍼(w)가 패드스틸(22)에 놓여지는 멤브레인 블로잉 단계,(도 1b) 최종적으로 웨이퍼가 패드스틸(22)에 놓이면 멤브레인(12)이 수축되는 멤브레인 벤트 단계(도 1c)로 이루어진다. 여기서, 웨이퍼 언로딩 에러는 상기 멤브레인(12)의 블로잉 단계에서 웨이퍼가 멤브레인으로부터 완전히 떨어지지 않은 상태(웨이퍼의 가장자리부분은 멤브레인으로부터 떨어지지만, 웨이퍼의 센터부분은 멤브레인에 달라붙어 있음)에서 멤브레인 벤트(멤브레인 수축)가 진행되면, 웨이퍼가 상기 멤브레인(12)에 딸려 올라감으로써 발생된다. 특히, 웨이퍼 표면이 소수성(Hydrophobic)일 경우에는 웨이퍼와 멤브레인과의 접촉면의 표면 장력으로 인하여 웨이퍼 언로딩 에러가 다발한다.
본 발명의 목적은 웨이퍼를 안정적으로 언로딩할 수 있는 폴리싱 장치를 제공하는 것이다.
도 1a 내지 도 1c는 일반적인 CMP 장비에서의 웨이퍼 언로딩 과정을 보여주는 도면들;
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 CMP 장비의 평면 구성도;
도 3은 도 2에 도시된 폴리싱 헤드와 전달 스테이지를 보여주는 부분 측단면도;
도 4 및 도 5는 전달 스테이지에서의 웨이퍼 언로딩 과정을 보여주는 도면들;
도 6은 도 3에 표시된 6-6선을 따라 절취한 단면도;
도 7은 도 도 6에 표시된 7-7선을 따라 절취한 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
110 : 폴리싱 스테이션
112 : 연마 패드
114 : 턴 테이블
120 : 전달 스테이지
122 : 받침대
124 : 초순수 분사 노즐
126 : 스톱퍼 장치
160 : 폴리싱 헤드 어셈블리
162 : 연마 헤드
168 : 멤브레인
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 웨이퍼를 연마하기 위한 장치는 웨이퍼와 멤브레인 사이로 유체를 제공하는 장치를 포함하는 웨이퍼 전달 스테이지를 구비한다. 바람직하게, 상기 전달 스테이지는 웨이퍼가 놓여지는 받침대 및; 웨이퍼가 상기 폴리싱 헤드로부터 상기 받침대에 언로딩될때, 상기 웨이퍼와 멤브레인간의 표면장력을 줄이기 위한 유체 제공 장치를 갖는다. 상기 유체 제공 장치는 상기 웨이퍼와 멤브레인 사이로 초순수를 분사하는 분사 노즐 또는 불활성가스를 분사하는 분사 노즐로 이루어질 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 전달 스테이지는 상기 웨이퍼가 상기 폴리싱 헤드로부터 상기 받침대에 언로딩될 때, 웨이퍼를 진공을 흡착하기 위한 진공 홀들이 상기 받침대에 형성될 수 있다.
또한, 상기 전달 스테이지는 상기 웨이퍼가 상기 폴리싱 헤드로부터 상기 받침대에 언로딩될 때, 상기 받침대에 놓여진 웨이퍼가 상기 멤브레인에 붙은 상태로 상기 멤브레인을 따라 올라가는 것을 방지하기 위한 스톱퍼 부재를 더 구비할 수 있다. 여기서, 상기 스톱퍼 부재는 상기 웨이퍼와 상기 멤브레인 사이로 삽입되어 웨이퍼가 상기 멤브레인을 따라 들어올려지는 것을 방지하는 인터셉터와, 이 인터셉터를 상기 웨이퍼와 상기 멤브레인 사이로 위치시키거나 또는 비위치시키기 위한 이동장치를 갖는다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부도면 도 2 내지 도 7에 의거하여 상세히 설명한다. 또 도면들에서 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기한다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 CMP 장치(100)는 크게 폴리싱 스테이션(110)과 폴리싱 헤드 어셈블리(160)로 이루어진다. 상기 폴리싱 스테이션(110)은 연마 패드(112)가 부착되어진 회전 가능한 턴 테이블(114)들과 웨이퍼 전달 스테이지(120)를 갖는다.
상기 턴테이블(114)은 턴 테이블을 회전시키기 위한 수단(미도시됨)에 연결되어지며, 상기 회전 수단은 상기 턴 테이블(114)을 가장 양호한 회전수로 회전시킨다. 상기 연마 패드(112)는 거친 폴리싱 면을 갖는 복합재료일 수 있다.
상기 폴리싱 스테이션(110)은 통상의 패드 컨디셔닝 수단(미도시됨) 및 반응시약(예, 산화폴리싱용 탈이온수)과 마찰 입자(예, 산화폴리싱용 이산화규소)와 화학 반응 촉매(예, 산화폴리싱용 수산화칼륨)를 포함하는 슬러리를 연마 패드의 표면에 공급하기 위한 슬러리 공급 수단(미도시됨)을 포함할 수 있음은 물론이다. 여기서, 상기 패드 컨디셔닝 수단 및 슬러리 공급 수단은 이 발명의 요지에 해당하지 않을 뿐만 아니라 공지된 기술이므로 여기서는 그에 대한 설명을 생략한다.
상기 폴리싱 헤드 어셈블리(160)는 네 개의 폴리싱 헤드(162)를 갖는다. 상기 폴리싱 헤드 어셈블리(160)는 상기 전달 스테이지(120)의 구성요소를 보여주기 위해 일부 파단되었다. 상기 폴리싱 헤드 어셈블리(160)는 상기 연마 헤드(162) 중 어느 하나가 턴 테이블(114) 또는 전달 스테이지(120)에 위치할 수 있도록 중심축에 대해 회전될 수 있다. 상기 연마 헤드(162)는 연마 패드(112)에 대향해서 웨이퍼(w)를 유지하고 웨이퍼(w)의 후면으로 하향 압력을 균일하게 분포시킨다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 연마 헤드(162)는 캐리어(164), 리테이너 링(166), 그리고 유연한 재질의 멤브레인(168)을 갖는 멤브레인 타입으로 이루어진다. 상기 멤브레인(168)은 웨이퍼(w)와 직접적으로 면접촉하는 얇은 고무막으로, 압력을 받으면 팽창하여 웨이퍼(w)에 균일한 압력을 가한다.
상기 연마 헤드(162)는 웨이퍼(w)와 멤브레인(168) 사이의 진공/에어 블로우(air blow)를 이용하여 웨이퍼(w)를 고정(chuck)하거나 비고정(release)하며, 웨이퍼는 상기 전달 스테이지를 통해 상기 연마 헤드로 로딩되거나 또는 연마 헤드(162)로부터 언로딩된다.
다시 도 3을 참고하면, 상기 전달 스테이지(120)는 받침대(pedestal;122), 초순수 분사 노즐(124), 스톱퍼 장치(126;도 6에 도시되어 있음) 그리고 켓치 컵(121)을 포함한다.
상기 켓치 컵(121) 내부에는 상기 받침대(122)와 초순수 분사 노즐(124) 그리고 스톱퍼 장치(126)가 위치한다. 상기 받침대(122)는 받침대(122)의 축(122a)과 연결된 승강 장치(130)에 의해 승강된다. 상기 승강 장치(130)는 통상의 유압 실린더(132)로 이루어진다. 그리고 상기 받침대(122)는 웨이퍼(w)를 안정적으로 보유하기 위하여 다수의 진공홀(122a)들이 가장자리에 형성되어 있다. 상기 진공홀(122a)들은 상기 받침대(122) 내부에 형성된 진공통로(122b)와 연결되며, 이 진공통로(122b)는 외부의 진공 펌프(미도시됨)와 연결됨은 물론이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 초순수 분사 노즐(124)은 웨이퍼(w)가 상기 연마 헤드(162)로부터 상기 받침대(122)에 언로딩될 때, 상기 웨이퍼(w)와 멤브레인(168) 사이로 초순수를 분사한다. 상기 웨이퍼(w)와 멤브레인(168) 사이로 초순수를 분사하는 이유는 그 둘간의 표면장력을 줄이고, 웨이퍼의 무게 상승효과를 얻기 위함이다. 이처럼, 상기 연마 헤드(162)로부터 상기 받침대(122)에 웨이퍼(w)를 언로딩하는 과정에서(도 4참고), 상기 웨이퍼(w)와 상기 멤브레인(168)간의 표면장력을 줄이고, 웨이퍼(w)를 무겁게 함으로써, 웨이퍼 언로딩시 발생할 수 있는 언로딩 에러(받침대에 놓여지지 않고 멤브레인에 붙은 상태로 멤브레인을 따라 올라가는 문제)를 줄일 수 있는 것이다. 예컨대, 본 발명의 전달 스테이지(120)는 초순수 분사 노즐(124) 대신에 상기 웨이퍼와 상기 멤브레인 사이로 불활성 가스를 분사하는 가스 분사 노즐을 구비할 수 있다. 여기에서 사용하는 "불활성" 이라는 단어는 가스가 반도체 웨이퍼에 어떤 상당한 물리적 또는 화학적인 변화를 야기시키지 않음을 의미한다. 일반적으로 불활성 가스에는 주로 질소가스가 사용된다.
도 6 및 도 7을 참고하면, 상기 스톱퍼 장치(126)는 상기 초순수 분사 노즐과 동일한 목적 달성을 위한 것이다. 즉, 상기 스톱퍼 장치(126)는 웨이퍼(w)가 상기 연마 헤드(162)로부터 상기 받침대(122)에 언로딩될 때, 웨이퍼가 상기 받침대(122)에 놓여지지 못하고 멤브레인(168)에 붙은 상태로 딸려 올라가는 것을 차단하기 위한 것이다. 이를 위해 상기 스톱퍼 장치(126)는 상기 웨이퍼(w)와 멤브레인(168) 사이로 삽입되어 웨이퍼(w)가 상기 멤브레인(168)을 따라 들어올려지는 것을 가로막기 위한 인터셉터(interceptor;126a)와, 상기 인터셉터(126a)를상기 웨이퍼와 멤브레인 사이로 삽입시키기 위한 구동부(126b)를 갖는다. 상기 인터셉터(126a)는 상기 구동부(126b)에 의해 대기 위치(점섬으로 표시됨)와 차단 위치(웨이퍼와 멤브레인 사이)로 이동된다. 상기 인터셉터(126a)는 웨이퍼(w)와 멤브레인(168) 사이에 위치될 수 있을 정도의 길이를 갖는 것이 바람직하며, 웨이퍼와의 접촉시 마찰 면적을 최소화할 수 있는 구조를 갖는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같은 구성들을 갖는 전달 스테이지(120)에서의 웨이퍼 언로딩은 다음과 같다. 상기 전달 스테이지(120)로 연마 헤드(162)가 이동하고, 상기 전달 스테이지(120)의 받침대(122)가 상승한다.(준비 단계) 공기압에 의해 멤브레인(168)이 팽창하면 웨이퍼가 받침대(122)에 놓여진다.(멤브레인 블로잉 단계) 이 상태에서, 상기 초순수 분사 노즐(124)은 상기 웨이퍼(w)와 상기 멤브레인(168) 사이의 공간으로 초순수를 분사하고, 상기 받침대(122)에서는 웨이퍼(w)를 진공 흡착한다. 또한, 상기 스톱퍼 장치(126)는 구동부(126b)를 작동시켜, 대기위치에 있는 인터셉터(126a)를 웨이퍼와 멤브레인( 사이로(차단 위치) 이동시킨다. 그런 다음에는 부풀어져 있는 멤브레인을 수축(멤브레인 벤트 단계)시킨다. 상기 받침대(122)에 언로딩 된 웨이퍼는 이송 로봇(미도시됨)에 의해 다른 장비(예컨대, 세정 장비)로 이송된다.
상술한 바와, 같이 본 실시예에 따른 CMP 장치의 전달 스테이지에서는 웨이퍼를 언로딩하는 과정에서 발생될 수 있는 에러를 방지하기 위한 다양한 수단들(웨이퍼를 진공으로 흡착하는 수단, 웨이퍼와 멤브레인 간의 표면장력 감소시키고 웨이퍼 무게를 상승시키는 수단, 웨이퍼를 멤브레인을 따라 올라가는 것을 차단하기위한 수단)에 의해 웨이퍼 언로딩 에러를 방지할 수 있다.
이상에서는 바람직한 실시예들을 예시하고 그 것을 통해서 본 발명을 설명하였지만, 본 발명이 거기에 한정되는 것이 아님을 유의해야 하며, 본 발명의 사상과 기술적 범위를 벗어나지 않는 선에서 다양한 실시예들 및 변형예들이 있을 수 있다는 것을 잘 이해해야 한다.
이상과 같은 본 발명에 따르면, 전달 스테이지에서 웨이퍼를 안정적으로 언로딩할 수 있다.

Claims (8)

  1. 웨이퍼를 연마하기 위한 장치에 있어서:
    상부면 상에 연마 패드가 장착되어 있는 턴 테이블을 갖는 연마 스테이션 및;
    웨이퍼와 면접촉하는 멤브레인을 갖는 그리고 웨이퍼를 유지하고 상기 웨이퍼를 상기 턴 테이블 위로 가압하는 폴리싱 헤드를 포함하고,
    상기 연마 스테이션은 웨이퍼를 상기 폴리싱 헤드로/로부터 로딩/언로딩시키기 위한 웨이퍼 전달 스테이지를 구비하며;
    상기 전달 스테이지는 웨이퍼가 놓여지는 받침대 및;
    웨이퍼가 상기 폴리싱 헤드로부터 상기 받침대에 언로딩될때, 상기 웨이퍼와 멤브레인간의 표면장력을 줄이기 위하여, 상기 웨이퍼와 멤브레인 사이로 유체를 제공하는 장치를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유체 제공 장치는 상기 웨이퍼와 멤브레인 사이로 초순수를 분사하는 분사 노즐로 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 유체 제공 장치는 상기 웨이퍼와 멤브레인 사이로 불활성가스를 분사하는 분사 노즐로 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 전달 스테이지는 상기 웨이퍼가 상기 폴리싱 헤드로부터 상기 받침대에 언로딩될 때, 웨이퍼를 진공을 흡착하기 위한 진공 홀들이 상기 받침대에 형성되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 전달 스테이지는 상기 웨이퍼가 상기 폴리싱 헤드로부터 상기 받침대에 언로딩될 때, 상기 받침대에 놓여진 웨이퍼가 상기 멤브레인에 붙은 상태로 상기 멤브레인을 따라 올라가는 것을 방지하기 위한 스톱퍼 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 스톱퍼 부재는 상기 웨이퍼와 상기 멤브레인 사이로 삽입되어 웨이퍼가 상기 멤브레인을 따라 들어올려지는 것을 방지하는 막대와;
    상기 막대를 상기 웨이퍼와 상기 멤브레인 사이로 위치시키거나 또는 비위치시키기 위하여 상기 막대를 이동시키기 위한 이동장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 받침대는 승강장치에 의해 승강되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 전달 스테이지는 상기 받침대를 둘러싸는 켓치컵을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150060126A (ko) * 2013-11-26 2015-06-03 주식회사 케이씨텍 분사식 웨이퍼의 웨팅 장치
KR20190070532A (ko) * 2017-12-13 2019-06-21 삼성전자주식회사 로드 컵 및 이를 포함하는 화학기계적 연마 장치

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3920720B2 (ja) * 2002-03-29 2007-05-30 株式会社荏原製作所 基板受渡し方法、基板受渡し機構及び基板研磨装置
JP2005123485A (ja) * 2003-10-17 2005-05-12 Ebara Corp 研磨装置
JP2007165661A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US20090186560A1 (en) * 2006-05-02 2009-07-23 Nxp B.V. Wafer de-chucking
JP5390807B2 (ja) 2008-08-21 2014-01-15 株式会社荏原製作所 研磨方法および装置
US8919756B2 (en) * 2008-08-28 2014-12-30 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Substrate processing system, carrying device, and coating device
US9214372B2 (en) * 2008-08-28 2015-12-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Substrate processing system, carrying device and coating device
US8425687B2 (en) * 2009-02-10 2013-04-23 Tel Nexx, Inc. Wetting a workpiece surface in a fluid-processing system
US8740668B2 (en) * 2010-03-12 2014-06-03 Wayne O. Duescher Three-point spindle-supported floating abrasive platen
WO2012016477A1 (zh) 2010-08-05 2012-02-09 清华大学 化学机械抛光机及具有它的化学机械抛光设备
CN102049730B (zh) * 2010-12-29 2012-02-15 清华大学 一种用于化学机械抛光设备的晶圆交换装置
WO2013119261A1 (en) * 2012-02-09 2013-08-15 Duescher Wayne O Coplanar alignment apparatus for rotary spindles
FR3006684B1 (fr) * 2013-06-07 2016-10-21 Commissariat Energie Atomique Procede de traitement d'une surface et dispositif mis en œuvre
JP2015082586A (ja) * 2013-10-23 2015-04-27 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
KR20230011490A (ko) 2014-12-19 2023-01-20 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 화학적 기계적 폴리싱 툴을 위한 컴포넌트들
JP6427131B2 (ja) * 2016-03-18 2018-11-21 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
JP6930839B2 (ja) * 2017-02-17 2021-09-01 株式会社東京精密 Ｃｍｐ装置及び方法
US11484987B2 (en) 2020-03-09 2022-11-01 Applied Materials, Inc. Maintenance methods for polishing systems and articles related thereto
CN114473847B (zh) * 2021-12-29 2023-04-25 华海清科股份有限公司 一种旋转式晶圆交互系统

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3577355B2 (ja) * 1995-03-02 2004-10-13 不二越機械工業株式会社 ウェーハの研磨装置
US5738574A (en) * 1995-10-27 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Continuous processing system for chemical mechanical polishing
KR100304706B1 (ko) * 1999-06-16 2001-11-01 윤종용 화학기계적 연마장치 및 연마 헤드 내부의 오염 물질 세척방법
KR100316712B1 (ko) * 1999-06-22 2001-12-12 윤종용 화학기계적 연마장치에 웨이퍼를 로딩/언로딩하기 위한 로드컵의 페디스탈
JP3662526B2 (ja) * 2001-07-26 2005-06-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板の受け渡し方法および機械化学的研磨装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150060126A (ko) * 2013-11-26 2015-06-03 주식회사 케이씨텍 분사식 웨이퍼의 웨팅 장치
KR20190070532A (ko) * 2017-12-13 2019-06-21 삼성전자주식회사 로드 컵 및 이를 포함하는 화학기계적 연마 장치

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