KR102531903B1 - 셀프 클리닝 장치 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 클리닝 부재 상에 약액 등의 액체가 고이는 것을 억제하는 것을 과제로 한다.
셀프 클리닝 장치(60)는 기판을 세정하는 세정구(M1)를 세정하는 클리닝 부재(63)와, 액체를 클리닝 부재 또는 세정구를 향하여 분사하는 분사부(64a)를 구비한다. 클리닝 부재는 세정구가 압박됨으로써 세정구를 세정하는 클리닝면(63a)을 가지고, 클리닝면이 수평면에 대하여 경사져 있다.

Description

셀프 클리닝 장치 및 기판 처리 장치{SELF-CLEANING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 셀프 클리닝 장치 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
종래부터, 하기 특허문헌 1에 나타내는 것 같은 기판 처리 장치가 알려져 있다. 이 기판 처리 장치는 기판을 연마하는 연마부와, 연마된 기판을 세정구(롤 스펀지)로 세정하는 세정부와, 세정구를 세정하는 셀프 클리닝 장치를 구비하고 있다. 또한, 이 셀프 클리닝 장치는 세정구를 세정하는 클리닝 부재(세정판)와, 액체를 분사하는 분사부(순수 노즐 및 약액 노즐)를 구비하고 있다.
이 셀프 클리닝 장치에서는, 액체를 세정구를 향하여 분사하면서, 세정구를 회전시키면서 클리닝 부재에 압박함으로써, 세정구에 부착된 오물 등을 씻어낼 수 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2015-65379호 공보
그런데, 이 종류의 셀프 클리닝 장치에서는, 클리닝 부재 상에 약액 등의 액체가 고임으로써, 세정구를 충분히 세정할 수 없는 경우가 있었다. 셀프 클리닝 장치에 의한 세정구의 세정이 불충분한 경우, 이 세정구에 의한 기판의 세정 성능이 저하할 우려가 있다.
본 발명은 이러한 사정을 고려하여 이루어진 것으로, 클리닝 부재 상에 약액 등의 액체가 고이는 것을 억제할 수 있는 셀프 클리닝 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 제1 양태에 따른 셀프 클리닝 장치는 기판을 세정하는 세정구를 세정하는 클리닝 부재와, 액체를 상기 클리닝 부재 또는 상기 세정구를 향하여 분사하는 분사부를 구비하고, 상기 클리닝 부재는 상기 세정구가 압박됨으로써 상기 세정구를 세정하는 클리닝면을 가지고, 상기 클리닝면이 수평면에 대하여 경사져 있다.
상기 양태의 셀프 클리닝 장치에 의하면, 클리닝 부재의 클리닝면이 수평면에 대하여 경사져 있다. 이에 의해, 분사부가 클리닝 부재 또는 세정구를 향하여 분사한 액체가, 중력에 의해 클리닝면 상으로부터 저절로 낙하한다. 따라서, 클리닝면 상에 액체가 고이는 것을 억제할 수 있다.
또한, 상기 클리닝면의 수평면에 대한 경사 각도가 20°이상이어도 좋다.
이 경우, 클리닝면 중, 액체가 고이는 면적의 비율을 미리 정해진 양 이하로 하여, 클리닝면 상에 액체가 고이는 것을 보다 확실하게 억제할 수 있다.
또한, 상기 세정구가 상기 클리닝면에 대하여 압박될 때에 상기 세정구가 이동하는 방향과, 상기 클리닝면의 법선이 이루는 각도가 45°이하여도 좋다.
이 경우, 예컨대 상기 법선과 세정구의 이동 방향이 이루는 각도가 45°보다 큰 경우와 비교하여, 세정구를 확실하게 클리닝면에 압박하여, 보다 효율적으로 세정구를 세정할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 제2 양태에 따른 기판 처리 장치는 기판을 연마하는 연마부와, 상기 기판을 세정하는 세정구를 갖는 세정부와, 상기 세정구를 세정하는 상기 셀프 클리닝 장치를 구비하고 있다.
상기 양태의 기판 처리 장치에 따르면, 셀프 클리닝 장치가 구비하는 클리닝 부재의 클리닝면 상에 액체가 고이는 것이 억제됨으로써, 세정구에 부착된 오물을 확실하게 씻어내는 것이 가능해진다. 이에 의해, 세정구를 보다 장기간 사용 가능하게 하거나, 이 세정구를 이용하여 기판을 보다 확실하게 세정하거나 하는 것이 가능해진다.
본 발명의 상기 양태에 따르면, 클리닝 부재 상에 약액 등의 액체가 고이는 것을 억제할 수 있다.
도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 평면 투시도이다.
도 2는 도 1의 셀프 클리닝 장치의 설명도이다.
도 3은 도 1의 셀프 클리닝 장치의 사시도이다.
도 4는 도 1의 셀프 클리닝 장치의 단면도이다.
(제1 실시형태)
이하, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 구성을 도 1∼도 4를 참조하면서 설명한다. 또한, 이하의 설명에 이용하는 각 도면에서는, 각 부재를 인식 가능한 크기로 하기 위해 축척을 적절하게 변경하고 있다.
본 실시형태에서는 XYZ 직교 좌표계를 설정하여 각 구성의 위치 관계를 설명한다. X 방향은 기판 처리 장치(1)의 길이 방향이고, Z 방향은 연직 방향이고, Y 방향은 X 방향 및 Z 방향의 양방향과 직교하는 방향이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 로드/언로드부(10), 연마부(20) 및 세정부(30)로 구획된 대략 직사각 형상의 하우징(H)을 구비하고, 웨이퍼(기판)에 대한 연마 처리 및 세정 처리(건조 처리를 포함함)를 행하는 연마 장치이다.
또한, 기판 처리 장치(1)는 세정부(30)에 인접하여 마련된 셀프 클리닝 장치(60)를 구비하고 있다.
로드/언로드부(10)는 처리 전의 웨이퍼를 기판 처리 장치(1)의 내부에 로드(반입)하고, 처리 후의 웨이퍼를 기판 처리 장치(1)의 외부에 언로드(반출)하는 부위이다. 이 로드/언로드부(10)는 프런트 로드부(11) 및 로드/언로드 유닛(12)을 구비한다. 프런트 로드부(11)는 다수의 웨이퍼를 스톡하는 웨이퍼 카세트가 배치되는 부위이다. 본 실시형태에서는 4개의 프런트 로드부(11)가 마련되어 있다. 프런트 로드부(11)는 오픈 카세트, SMIF(Standard Manufacturing Interface) 포드, 또는 FOUP(Front Opening Unified Pod) 등의 웨이퍼 카세트를 탑재 가능하게 구성되어 있다.
로드/언로드 유닛(12)은 프런트 로드부(11)에 배치된 웨이퍼 카세트로부터 처리 전의 웨이퍼를 취출하고, 처리 후의 웨이퍼를 웨이퍼 카세트에 복귀시키는 유닛이다. 이 로드/언로드 유닛(12)은 프런트 로드부(11)의 배열을 따라 이동 가능하게 구성된 2대의 반송 로보트(로더)(13)를 구비한다. 이들 반송 로보트(13)는 프런트 로드부(11)의 배열을 따라 이동하여, 프런트 로드부(11)에 탑재된 웨이퍼 카세트에 액세스 가능하다.
연마부(20)는 기판 처리 장치(1)의 내부에 반입된 웨이퍼에 대한 연마 처리(평탄화 처리)를 행하는 부위이다. 이 연마부(20)는 기판 처리 장치(1)의 길이 방향을 따라 배열된 4개의 연마 유닛[제1 연마 유닛(20A), 제2 연마 유닛(20B), 제3 연마 유닛(20C) 및 제4 연마 유닛(20D)]을 구비한다. 이들 연마 유닛(20A∼20D)은 각각, 연마 테이블(21), 톱 링(22), 연마액 공급 노즐(23), 드레서(24) 및 애터마이저(25)를 구비한다.
연마 테이블(21)에는 연마면을 갖는 연마 패드(PD)가 부착되어 있다. 톱 링(22)은 웨이퍼를 연마 테이블(21) 상의 연마 패드(PD)에 압박하면서 연마한다. 연마액 공급 노즐(23)은 연마 패드(PD)에 연마액이나 드레싱액(예컨대, 순수)을 공급한다. 드레서(24)는 연마 패드(PD)의 연마면의 드레싱을 행한다. 애터마이저(25)는 연마 패드(PD)의 연마면에 대하여, 액체(예컨대, 순수)와 기체(예컨대, 질소 가스)의 혼합 유체, 또는 미스트형의 액체 등을 분사한다.
또한, 연마부(20)는 제1 리니어 트랜스포터(26) 및 제2 리니어 트랜스포터(27)를 구비한다. 제1 리니어 트랜스포터(26)는 제1 연마 유닛(20A) 및 제2 연마 유닛(20B)에 인접하여 배치되고, 도면 중에 나타내는 4개의 반송 위치[제1 반송 위치(TP1), 제2 반송 위치(TP2), 제3 반송 위치(TP3), 제4 반송 위치(TP4)] 사이에서 웨이퍼를 반송한다. 또한, 제1 리니어 트랜스포터(26)와 세정부(30) 사이에는 웨이퍼의 가배치대(Q)가 배치되어 있다.
제1 반송 위치(TP1)는 제1 리니어 트랜스포터(26)가 반송 로보트(13)로부터 웨이퍼를 수취하는 위치이다. 제2 반송 위치(TP2)는 제1 연마 유닛(20A)의 톱 링(22)과, 제1 리니어 트랜스포터(26) 사이에서 웨이퍼의 전달이 행해지는 위치이다. 제3 반송 위치(TP3)는 제2 연마 유닛(20B)의 톱 링(22)과, 제1 리니어 트랜스포터(26) 사이에서 웨이퍼의 전달이 행해지는 위치이다. 제4 반송 위치(TP4)는 제2 리니어 트랜스포터(27)와, 제1 리니어 트랜스포터(26) 사이에서 웨이퍼의 전달이 행해지는 위치이다.
제2 리니어 트랜스포터(27)는 제3 연마 유닛(20C) 및 제4 연마 유닛(20D)에 인접하여 배치되고, 도면 중에 나타내는 3개의 반송 위치[제5 반송 위치(TP5), 제6 반송 위치(TP6), 제7 반송 위치(TP7)] 사이에서 웨이퍼를 반송한다.
제5 반송 위치(TP5)는 제1 리니어 트랜스포터(26)와, 제2 리니어 트랜스포터(27) 사이에서 웨이퍼의 전달이 행해지는 위치이다. 제6 반송 위치(TP6)는 제3 연마 유닛(20C)의 톱 링(22)과, 제2 리니어 트랜스포터(27) 사이에서 웨이퍼의 전달이 행해지는 위치이다. 제7 반송 위치(TP7)는 제4 연마 유닛(20D)의 톱 링(22)과, 제2 리니어 트랜스포터(27) 사이에서 웨이퍼의 전달이 행해지는 위치이다.
세정부(30)는 연마부(20)에서 연마된 웨이퍼의 세정 처리 및 건조 처리를 행하는 부위이다. 이 세정부(30)는 기판 처리 장치(1)의 길이 방향을 따라 배열된 5개의 유닛[제1 세정 유닛(31A), 제1 반송 유닛(32A), 제2 세정 유닛(31B), 제2 반송 유닛(32B) 및 건조 유닛(33)]을 구비한다.
제1 세정 유닛(31A) 및 제2 세정 유닛(31B)은 웨이퍼를 세정하는 세정구(M1, M2)를 각각 구비한다. 세정구(M1, M2)로서는, Y 방향으로 연장되는 원기둥형의 롤을 이용할 수 있다. 세정구(M1, M2)의 재질로서는, 다공질의 PVA제 스펀지, 발포 우레탄 등을 이용할 수 있다.
제1 세정 유닛(31A) 및 제2 세정 유닛(31B)은 약액을 웨이퍼를 향하여 분사하고, 세정구(M1, M2)의 외주면을 웨이퍼에 접촉시켜 세정구(M1, M2)를 회전시킴으로써, 웨이퍼를 세정한다. 약액으로서는, SC1(암모니아/과산화수소 혼합 수용액) 등을 이용할 수 있다.
제1 반송 유닛(32A) 및 제2 반송 유닛(32B)은 상하 이동 가능한 반송 로보트(R1, R2)를 각각 구비한다. 반송 로보트(R1)는 가배치대(Q), 제1 세정 유닛(31A) 및 제2 세정 유닛(31B) 사이에서 웨이퍼를 반송한다. 반송 로보트(R2)는 제2 세정 유닛(31B) 및 건조 유닛(33) 사이에서 웨이퍼를 반송한다.
건조 유닛(33)은 세정 유닛(31A, 31B)에 의해 세정된 웨이퍼를 건조시키는 건조 모듈(M3)을 구비한다. 이 건조 모듈(M3)은 예컨대 로타고니 건조(Rotagoni Dry)에 의해 웨이퍼를 건조시킨다. 여기서, 로타고니 건조란, 웨이퍼를 회전시키면서, 웨이퍼의 표면에 IPA 증기(이소프로필알코올과 N2 가스와의 혼합기)와 초순수를 공급하면서 웨이퍼의 건조를 행하는 건조법이다.
또한, 기판 처리 장치(1)는 하우징(H)의 내부에, 기판 처리 장치(1)의 동작을 통괄하여 제어하는 제어부(40)를 구비한다. 이 제어부(40)는 기판 처리 장치(1)에 마련된 각종 센서의 검출 결과에 따른 제어 신호를 출력함으로써 기판 처리 장치(1)의 동작을 통괄하여 제어한다. 예컨대, 제어부(40)는 각 연마 유닛(20A∼20D)의 막 두께 센서의 검출 결과에 기초하여 톱 링(22)의 압박력을 조정하거나, 세정구(M1)를 미리 정해진 타이밍에 셀프 클리닝 장치(60)에 의해 세정하거나 하는 제어를 행한다.
셀프 클리닝 장치(60)는 세정구(M1)를 세정하는 장치이다. 세정구(M1)는 미리 정해진 타이밍에 세정부(30)로부터 셀프 클리닝 장치(60)로 이동된다(도 2 참조).
셀프 클리닝 장치(60)는 도 3에 나타내는 바와 같이, 베이스(61), 경사대(62), 클리닝 부재(63), 약액관(64), 수관(65) 및 관 지지대(66)를 구비하고 있다. 또한, 셀프 클리닝 장치(60)는 전체로서 X 방향보다 Y 방향으로 길다. 이 때문에, Y 방향이 셀프 클리닝 장치(60)에 있어서의 길이 방향이 된다.
베이스(61)는 경사대(62) 및 관 지지대(66)를 지지하고 있다. 베이스(61)에는 Y 방향을 따라 연장되는 배수구(61a)가 형성되어 있다. 배수구(61a)의 저면은 Y 방향의 일방측을 향함에 따라, 점차 하방을 향하여 연장되고 있다. 또한, 배수구(61a)의 Y 방향에 있어서의 일방측의 단부에는 배수구(61b)가 형성되어 있다. 이 때문에, 배수구(61a) 내의 액체는 중력에 의해 저절로 Y 방향의 일방측을 향하여 흘러, 배수구(61b)로부터 배수된다.
경사대(62)는 베이스(61) 상에 고정되어 있다. 클리닝 부재(63)는 경사대(62)에 고정되어 있다.
클리닝 부재(63)는 배수구(61a)에 X 방향에서 인접하고 있고, 배수구(61a)보다 상방에 배치되어 있다. 클리닝 부재(63)는 Y 방향으로 길고, X 방향으로 짧은 직사각형의 판형으로 형성되어 있다. 클리닝 부재(63)의 상면은 세정구(M1)가 압박됨으로써, 이 세정구(M1)를 세정하는 클리닝면(63a)이다. 클리닝면(63a)은 X 방향에 있어서의 배수구(61a)측을 향함에 따라, 점차 하방을 향하여 연장되고 있다. 즉, 클리닝면(63a)은 배수구(61a)를 향하여 경사져 있다.
클리닝 부재(63)는, 석영에 의해 형성되어 있다. 또한, 클리닝 부재(63)의 재질 및 형상은 세정구(M1)의 재질 및 형상 등에 맞추어, 적절하게 변경하여도 좋다. 예컨대, 폴리염화비닐(PVC)을 클리닝 부재(63)의 재질로서 채용하여도 좋다.
약액관(64) 및 수관(65)은 Y 방향으로 연장되어 있고, 관 지지대(66)에 의해 지지되어 있다. 수관(65)은 약액관(64)의 상방에 위치하고 있다. 약액관(64)에는 약액관(64) 내를 유동한 약액을 분사하는 분사 구멍(분사부)(64a)이 형성되어 있다. 분사 구멍(64a)은 약액관(64)의 측면에, 이 약액관(64)이 연장되는 방향을 따라 간격을 두고 복수 형성되어 있다. 수관(65)에는 수관(65) 내를 유동한 순수를 분사하는 분사 구멍(분사부)(65a)이 형성되어 있다. 분사 구멍(65a)은 수관(65)의 측면에, 이 수관(65)이 연장되는 방향을 따라 간격을 두고 복수 형성되어 있다.
다음에, 상기 구성의 기판 처리 장치(1)의 작용에 대해서 설명한다.
프런트 로드부(11)로부터 반송 로보트(13)에 의해 취출된 웨이퍼는, 제1 연마 유닛(20A) 및 제2 연마 유닛(20B)에서 순차 연마되어, 가배치대(Q)에 배치된다. 마찬가지로, 일부의 웨이퍼는 제3 연마 유닛(20C) 및 제4 연마 유닛(20D)에서 순차 연마되어, 가배치대(Q)에 배치된다. 이와 같이, 기판 처리 장치(1)는 복수의 웨이퍼에 대한 연마 처리를 병행하여 행할 수 있다.
가배치대(Q)에 배치된 웨이퍼는, 세정부(30)에 마련된 제1 반송 유닛(32A)에 의해 제1 세정 유닛(31A) 및 제2 세정 유닛(31B)에 순차 반송되고, 제1 세정 유닛(31A) 및 제2 세정 유닛(31B)에 의해 순차 세정된다. 세정된 웨이퍼는 제2 반송 유닛(32B)에 의해 건조 유닛(33)에 반송되어 건조된다. 건조 유닛(33)으로 건조된 웨이퍼는, 반송 로보트(13)에 의해 프런트 로드부(11)의 웨이퍼 카세트에 복귀된다.
웨이퍼의 세정에 따라, 세정구(M1)에는 오물이 부착된다. 이 때문에 세정구(M1)는 미리 정해진 타이밍에 셀프 클리닝 장치(60)로 이동되어, 세정된다.
본 실시형태에서는, 세정구(M1)를 회전시키면서 클리닝 부재(63)에 압박하고, 약액을 세정구(M1)를 향하여 분사함으로써, 세정구(M1)에 부착된 오물을 떨어뜨린다. 이때의 세정구(M1)의 회전 방향은, 도 4에 나타내는 정면에서 본, CW 회전 및 CCW 회전 중 어느 것이어도 좋다. 또한, 세정구(M1)의 회전수는 웨이퍼를 세정할 오물의 회전수와 동등하여도 좋고, 그와 상이하여도 좋다. 또한, 세정구(M1)의 회전은 세정구(M1)를 클리닝 부재(63)에 압박하고 있는 동안만 실행하여도 좋고, 세정부(30)와 셀프 클리닝 장치(60) 사이에서 세정구(M1)를 이동시키고 있는 동안도 계속해서 실행하여도 좋다.
세정구(M1)를 클리닝 부재(63)에 압박한 상태로 미리 정해진 양 회전시킨 후, 세정구(M1)를 상승시켜 클리닝 부재(63)로부터 후퇴시키고, 순수를 클리닝 부재(63) 및 세정구(M1)를 향하여 분사함으로써, 클리닝 부재(63) 및 세정구(M1)의 오물을 떨어뜨린다.
또한, 약액관(64)의 분사 구멍(64a)으로부터 분사되는 약액은, 세정 유닛(31A, 31B)에 있어서 웨이퍼의 세정에 이용되는 약액과 같은 것인 것이 바람직하다. 또한, 본 실시형태에서는 약액 및 순수를 이용하고 있지만, 1종 또는 3종 이상의 액체를 이용하여 세정구(M1) 및 클리닝 부재(63)를 세정하여도 좋다. 또한, 순수는 세정구(M1)의 세정에 이용되지 않고, 클리닝 부재(63)의 세정에만 이용되어도 좋다.
여기서, 세정구(M1) 또는 클리닝 부재(63)의 세정에 이용된 약액 또는 순수에는, 세정구(M1)에 부착되어 있던 오물이 섞여 있다. 따라서, 이 오물이 섞인 액체가 클리닝면(63a) 상에 고이면, 세정구(M1)가 재차 오염되어 버릴 가능성이 있다. 또한, 클리닝면(63a) 상에 약액 등을 포함하는 액체가 장시간 고이면, 이 액체가 변질하는 것 등에 의해, 셀프 클리닝 장치(60)에 의한 세정구(M1)의 세정 성능에 영향이 미칠 가능성도 있다. 이상으로부터, 세정구(M1)의 세정에 이용된 액체는, 클리닝면(63a) 상으로부터 조속하게 잘 빠지는 것이 바람직하다.
그래서 본 실시형태에서는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 클리닝면(63a)을 수평면(연직 방향에 직교하는 평면)에 대하여 경사시키고 있다. 이 때문에, 세정구(M1) 또는 클리닝 부재(63)의 세정에 이용된 액체는, 클리닝면(63a) 상을 흘러 떨어진다. 이에 의해, 액체가 클리닝면(63a) 상에 장시간 머무는 것을 억제할 수 있다. 또한, 클리닝면(63a)으로부터 낙하한 액체는, 배수구(61a) 내를 흘러, 배수구(61b)로부터 배수된다.
이후의 설명에서는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 클리닝면(63a)의 수평면에 대한 각도를 경사 각도(θ1)라고 한다.
클리닝면(63a) 상의 액체의 배수성은, 클리닝면(63a)의 면적에 대한, 액체가 고여 있는 부분의 면적의 비율에 의해 평가할 수 있다. 본원 발명자들이 예의 검토한 결과, 경사 각도(θ1)가 20°이상이면, 상기 비율을 경사 각도(θ1)가 90°인 경우[수평면에 대하여 클리닝면(63a)을 수직으로 세운 경우]와 동등하게 할 수 있었다. 또한, 이때의 상기 비율은 5％ 이하였다. 따라서, 경사 각도(θ1)는 20°이상인 것이 바람직하다.
또한, 세정구(M1)가 클리닝면(63a)에 대하여 압박될 때에 세정구(M1)가 이동하는 방향을 이동 방향(P), 클리닝면(63a)이 연장되는 평면의 법선을 법선(N)으로 하면, 이동 방향(P)과 법선(N)이 이루는 압박 각도(θ4)는 45°이하인 것이 바람직하다. 이것은 압박 각도(θ4)가 45°를 넘은 경우, 세정구(M1)를 클리닝면(63a)을 향하여 압박하는 힘의 손실이 커져, 세정구(M1)를 세정하는 효율이 저하하기 때문이다.
또한, 본 실시형태에서는, 이동 방향(P)과 수직 방향이 일치하고 있기 때문에, 압박 각도(θ4)와 경사 각도(θ1)도 일치한다. 이 때문에, 압박 각도(θ4)가 45°이하가 되는 경우, 경사 각도(θ1)도 45°이하가 된다.
이상으로부터, 경사 각도(θ1)는 20°이상 45°이하의 범위 내인 것이 바람직하다.
또한, 도 4에 나타내는 ΔZ는 셀프 클리닝 동작 전의 대기 위치로부터, 셀프 클리닝 중의 압박 위치로의, 세정구(M1)의 이동량(하강량)이다. ΔZ는 예컨대 약 3 ㎜이다. ΔZ가 3 ㎜인 경우, 세정구(M1)의 클리닝면(63a)에 대한 압박량은 2.8 ㎜가 된다.
또한, 도 4에 나타내는 바와 같이, 약액관(64)의 분사 구멍(64a)으로부터 분사되는 약액의, 수평면에 대한 분사 각도를 θ2로 하면, θ2는 예컨대 약 31°이다. 또한, 수관(65)의 분사 구멍(65a)으로부터 분사되는 순수의, 수평면에 대한 분사 각도를 θ3으로 하면, θ3은 예컨대 약 49°이다. 이들 각도 θ2, θ3은 적절하게 변경하여도 좋다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태의 셀프 클리닝 장치(60)에 의하면, 클리닝 부재(63)의 클리닝면(63a)이 수평면에 대하여 경사져 있다. 이에 의해, 클리닝 부재(63) 또는 세정구(M1)를 향하여 분사된 액체가, 중력에 의해 클리닝면(63a) 상으로부터 저절로 낙하한다. 따라서, 클리닝면(63a) 상에 액체가 고이는 것을 억제할 수 있다.
또한, 경사 각도(θ1)를 20°이상으로 함으로써, 클리닝면(63a) 중, 액체가 고이는 면적의 비율을 미리 정해진 양 이하(예컨대 5％ 이하)로 하여, 클리닝면(63a) 상에 액체가 고이는 것을 보다 확실하게 억제할 수 있다.
또한, 압박 각도(θ4)를 45°이하로 함으로써, 세정구(M1)를 확실하게 클리닝면(63a)에 압박하여, 보다 확실하게 세정구(M1)를 세정할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 기판 처리 장치(1)에 따르면, 클리닝면(63a) 상에 액체가 고이는 것이 억제됨으로써, 세정구(M1)에 부착된 오물을 확실하게 씻어내는 것이 가능해진다. 이에 의해, 세정구(M1)를 보다 장기간 사용 가능하게 하거나, 이 세정구(M1)를 이용하여 웨이퍼를 보다 확실하게 세정하거나 하는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명의 기술적 범위는 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지의 변경을 부가하는 것이 가능하다.
예컨대, 상기 실시형태에서는, 판형의 클리닝 부재(63)가 경사대(62)에 고정되어 있지만, 클리닝 부재 및 경사대(62)는 일체로 되어 있어도 좋다. 이 경우, 클리닝 부재는 수평으로 연장되어 베이스(61)에 부착되는 부착면과, 이 부착면에 대하여 경사한 클리닝면을 가지고 있어도 좋다.
또한, 상기 실시형태에서는, 약액관(64) 및 수관(65)에 형성된 분사 구멍(64a, 65a)으로부터 액체가 분사되지만, 다른 형태의 분사부를 채용하여도 좋다.
또한, 도 2에서는 상측의 세정구(M1)를 세정하는 셀프 클리닝 장치(60)가 나타나 있지만, 하측의 세정구(M1)를 세정하는 셀프 클리닝 장치(60)를 별도 마련하여도 좋다. 혹은, 도 2의 셀프 클리닝 장치(60)가 상하 양방의 세정구(M1)를 세정하여도 좋다. 마찬가지로, 제2 세정 유닛(31B)의 세정구(M2)를 세정하는 셀프 클리닝 장치(60)를 별도 마련하여도 좋고, 도 1의 셀프 클리닝 장치(60)가 세정구(M1) 및 세정구(M2)의 양방을 세정하여도 좋다.
그 외에, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서, 상기 실시형태에 있어서의 구성 요소를 주지의 구성요소로 대체하는 것은 적절하게 가능하고, 또한, 상기 실시형태나 변형예를 적절하게 조합하여도 좋다.
1…기판 처리 장치, 20…연마부, 30…세정부, 60…셀프 클리닝 장치, 63…클리닝 부재, 63a…클리닝면, 64a…분사 구멍(분사부), 65a…분사 구멍(분사부), N…법선, P…이동 방향, θ1…경사 각도, θ4…압박 각도

Claims (9)

  1. 셀프 클리닝 장치에 있어서,
    기판을 세정하는 세정구를 세정하는 클리닝 부재와,
    약액을 상기 클리닝 부재 또는 상기 세정구를 향하여 분사하는 복수의 제1 분사부와,
    순수를 상기 클리닝 부재 또는 상기 세정구를 향하여 분사하는 복수의 제2 분사부
    를 구비하고,
    상기 클리닝 부재는,
    상기 세정구가 압박됨으로써 상기 세정구를 세정하는 클리닝면을 가지고,
    상기 클리닝면은 수평면에 대하여 경사져 있고,
    상기 복수의 제1 분사부는, 상기 클리닝 부재가 연장되는 방향을 따라서 간격을 두고 배치되고,
    상기 복수의 제2 분사부는, 상기 클리닝 부재가 연장되는 방향을 따라서 간격을 두고 배치되고,
    상기 복수의 제2 분사부는 상기 복수의 제1 분사부보다 상방에 위치하고 있는 것인, 셀프 클리닝 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 클리닝면의 수평면에 대한 경사 각도는 20°이상인 것인, 셀프 클리닝 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 세정구가 상기 클리닝면에 대하여 압박될 때에 상기 세정구가 이동하는 방향과, 상기 클리닝면의 법선이 이루는 각도는 45°이하인 것인, 셀프 클리닝 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 클리닝 부재를 지지하는 베이스를 더 구비하고,
    상기 베이스는, 상기 클리닝 부재가 연장되는 방향을 따라서 연장되는 배수구를 구비하고,
    상기 클리닝면은 상기 배수구를 향하여 경사져 있는 것인, 셀프 클리닝 장치.
  5. 기판을 연마하는 연마부와,
    상기 기판을 세정하는 세정구를 구비한 세정부와,
    상기 세정구를 세정하는, 제1항 또는 제2항에 기재된 셀프 클리닝 장치
    를 구비한 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 세정구를 상기 셀프 클리닝 장치에 의해 세정하는 타이밍을 제어하는 제어부를 더 구비한 기판 처리 장치.
  7. 기판을 세정한 세정구를, 클리닝 부재를 구비한 셀프 클리닝 장치에 이동시키는 공정과,
    제1 분사부로부터 상기 클리닝 부재 또는 상기 세정구를 향하여 약액을 분사시키면서, 상기 세정구를 회전시키면서 상기 클리닝 부재의 클리닝면에 압박하는 공정과,
    상기 세정구를 상승시켜서 상기 클리닝 부재로부터 퇴피시킨 상태로, 상기 제1 분사부보다 상방에 위치하는 제2 분사부로부터, 상기 클리닝 부재 또는 상기 세정구를 향하여 순수를 분사하는 공정
    을 구비하고,
    상기 클리닝면이 수평면에 대하여 경사져 있는, 세정구의 셀프 클리닝 방법.
  8. 기판을 세정하기 위한 세정구를 회전시키면서, 수평면에 대하여 경사진 클리닝면을 구비한 클리닝 부재의 상기 클리닝면에 상기 세정구를 압박하고, 약액을 상기 세정구를 향하여 공급하는 공정과,
    상기 세정구를, 상기 클리닝면에 압박한 상태로 미리 정해진 양 회전시키는 공정과,
    상기 세정구를 상승시켜서 상기 클리닝 부재로부터 퇴피시키는 공정과,
    상기 약액의 분사 위치보다 상방의 위치로부터, 순수를 상기 클리닝 부재 및 상기 세정구를 향하여 분사하고, 상기 클리닝 부재 및 상기 세정구의 오물을 떨어뜨리는 공정
    을 구비한 세정구의 셀프 클리닝 방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 클리닝 부재의 재질은, 석영 또는 폴리염화비닐인 것인, 셀프 클리닝 장치.
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