JP7078602B2 - 洗浄装置、研磨装置、洗浄装置において基板の回転速度を算出する装置および方法 - Google Patents
洗浄装置、研磨装置、洗浄装置において基板の回転速度を算出する装置および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7078602B2 JP7078602B2 JP2019234071A JP2019234071A JP7078602B2 JP 7078602 B2 JP7078602 B2 JP 7078602B2 JP 2019234071 A JP2019234071 A JP 2019234071A JP 2019234071 A JP2019234071 A JP 2019234071A JP 7078602 B2 JP7078602 B2 JP 7078602B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- rotation speed
- cleaning
- housing
- microphone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 240
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 224
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims description 79
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 62
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 47
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 claims description 30
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 26
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 19
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 12
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 11
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 9
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- B08B1/10—
-
- B08B1/20—
-
- B08B1/32—
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
- B08B3/022—Cleaning travelling work
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02096—Cleaning only mechanical cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/67219—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
Description
また振動センサは振動が伝わる筐体等に設置し、且つ振動の減衰を考慮すると振動源の近くに設置する必要があるが、マイクロホンであれば空気中に伝わる音を検知できればよいため、振動センサに比べ設置場所の選択肢が広がる。
基板の周縁部を保持する複数のローラと、
前記複数のローラを回転駆動することにより前記基板を回転させる回転駆動部と、
前記基板に当接して当該基板の洗浄を行う洗浄部材と、
前記基板に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、
前記基板の周縁部のノッチが前記複数のローラに当たることで発生する音を検知するマイクロホンと、
前記マイクロホンにより検知される音に基いて、前記基板の回転速度を算出する回転速度算出部と、
を備える。
前記基板の洗浄を行う洗浄空間を画定する筐体をさらに備え、
前記複数のローラと前記洗浄部材と前記洗浄液供給ノズルとは、前記筐体の内側に配置され、
前記マイクロホンは、前記筐体の外側に少なくとも1つ配置されている。
前記基板の洗浄を行う洗浄空間を画定する筐体をさらに備え、
前記複数のローラと前記洗浄部材と前記洗浄液供給ノズルとは、前記筐体の内側に配置され、
前記マイクロホンは、前記筐体の内側にのみ配置されている。
前記回転速度算出部は、前記音の基本波および高調波に基づいて、前記基板の回転速度を算出する。
前記基板の周縁部のノッチが前記複数のローラのうちの1つのローラに当たることで発生する振動を検知する振動センサをさらに備え、
前記回転速度算出部は、前記マイクロホンにより検知される音と前記振動センサにより検知される振動とに基いて、前記基板の回転速度を算出する。
前記回転駆動部から発生する音を検知する第2マイクロホンをさらに備え、
前記回転速度算出部は、前記マイクロホンにより検知される音と前記第2マイクロホンにより検知される音とに基いて、前記基板の回転速度を算出する。
前記回転駆動部に前記基板の回転速度の設定値を設定する回転速度設定部をさらに備え、
前記回転速度算出部は、前記回転速度設定部から取得される前記設定値を考慮して、前記基板の回転速度を算出する。
前記回転速度算出部により算出された回転速度をディスプレイに表示させる表示制御部をさらに備える。
前記表示制御部は、前記回転速度算出部により算出された過去複数回の回転速度を平均してディスプレイに表示させる。
前記回転速度算出部により算出された回転速度に基づいて、異常の有無を判定する異常判定部をさらに備える。
前記異常判定部は、前記回転速度算出部により算出された過去複数回の回転速度の平均値に基づいて、異常の有無を判定する。
前記異常判定部により異常ありと判定された場合には、異常を発報する、および/または、前記回転駆動部に停止を指示する異常発報部をさらに備える。
前記異常判定部は、前記回転速度算出部により算出された回転速度と前記回転速度設定部から取得される前記設定値との差または比を算出し、当該差または比があらかじめ定められた閾値を超えた場合に、異常ありと判定する。
前記異常判定部は、前記回転速度算出部により算出された回転速度がゼロであって、前記回転速度設定部から取得される前記設定値がゼロではない場合、または、前記マイクロホンにより異常音が検知された場合に、異常ありと判定する。
前記異常判定部は、洗浄部材を回転させるモータに流れる電流の変動を考慮して、異常の有無を判定する。
前記異常判定部は、前記筐体内部の気圧の変動を考慮して、異常の有無を判定する。
前記マイクロホンは、前記筐体の内部で発生する音を、前記筐体に設けられた換気用の隙間から集音する。
前記回転速度算出部は、前記設定値に応じて、前記音の信号に適用するフィルタのカットオフ周波数を変更する。
基板の研磨を行う研磨ユニットと、
研磨後の基板の洗浄を行う洗浄ユニットと、
を備え、
前記洗浄ユニットは、
基板の周縁部を保持する複数のローラと、
前記複数のローラを回転駆動することにより前記基板を回転させる回転駆動部と、
前記基板に当接して当該基板の洗浄を行う洗浄部材と、
前記基板に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、
前記基板の周縁部のノッチが前記複数のローラに当たることで発生する音を検知するマイクロホンと、
前記マイクロホンにより検知される音に基いて、前記基板の回転速度を算出する回転速度算出部と、
を有する。
基板の周縁部を保持する複数のローラと、
前記複数のローラを回転駆動することにより前記基板を回転させる回転駆動部と、
前記基板に当接して当該基板の洗浄を行う洗浄部材と、
前記基板に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、
を備えた洗浄装置において前記基板の回転速度を算出する装置であって、
前記基板の周縁部のノッチが前記複数のローラに当たることで発生する音を検知するマイクロホンと、
前記マイクロホンにより検知される音に基いて、前記基板の回転速度を算出する回転速度算出部と、
を備える。
基板の周縁部を保持する複数のローラと、
前記複数のローラを回転駆動することにより前記基板を回転させる回転駆動部と、
前記基板に当接して当該基板の洗浄を行う洗浄部材と、
前記基板に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、
を備えた洗浄装置において前記基板の回転速度を算出する方法であって、
前記基板の周縁部のノッチが前記複数のローラに当たることで発生する音をマイクロホンにより検知するステップと、
前記マイクロホンにより検知される音に基いて、前記基板の回転速度を算出するステップと、
を含む。
図1は、一実施の形態に係る基板処理装置(研磨装置ともいう)1の全体構成を示す平面図である。
次に、一実施の形態に係る洗浄装置16について説明する。図2は、一実施の形態に係る洗浄装置16の内部構成を示す側面図であり、図3は、洗浄装置16におけるローラ42a~42dの配置を示す平面図である。一実施の形態に係る洗浄装置16は、上述した基板処理装置1における第1洗浄ユニット16aおよび/または第2洗浄ユニット16bとして用いられてもよい。
10 ハウジング
12 ロードポート
14a~14d 研磨ユニット
16 洗浄装置
16a 第1洗浄ユニット(洗浄装置)
16b 第2洗浄ユニット(洗浄装置)
20 乾燥ユニット
22 第1搬送ロボット
24 搬送ユニット
26 第2搬送ロボット
28 第3搬送ロボット
30 研磨制御装置
41 筐体
41a、41b シャッタ
42a~42d ローラ
43a、43b 回転駆動部
44a、44b 洗浄部材
45 洗浄液供給ノズル
51a、51b マイクロホン
51c 第2マイクロホン
52 回転速度算出部
53 表示制御部
54 異常判定部
55 異常発報部
56 回転速度設定部
61 中央制御装置
62 クラウドサーバ
Claims (22)
- 基板の周縁部を保持する複数のローラと、
前記複数のローラを回転駆動することにより前記基板を回転させる回転駆動部と、
前記基板に当接して当該基板の洗浄を行う洗浄部材と、
前記基板に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、
前記基板の周縁部のノッチが前記複数のローラに当たることで発生する音を検知するマイクロホンと、
前記マイクロホンにより検知される音に基いて、前記基板の回転速度を算出する回転速度算出部と、
前記基板の洗浄を行う洗浄空間を画定する筐体と、
を備え、
前記複数のローラと前記洗浄部材と前記洗浄液供給ノズルとは、前記筐体の内側に配置され、
前記マイクロホンは、前記筐体の外側に少なくとも1つ配置されている
ことを特徴とする洗浄装置。 - 基板の周縁部を保持する複数のローラと、
前記複数のローラを回転駆動することにより前記基板を回転させる回転駆動部と、
前記基板に当接して当該基板の洗浄を行う洗浄部材と、
前記基板に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、
前記基板の周縁部のノッチが前記複数のローラに当たることで発生する音を検知するマイクロホンと、
前記マイクロホンにより検知される音に基いて、前記基板の回転速度を算出する回転速度算出部と、
前記基板の洗浄を行う洗浄空間を画定する筐体と、
前記回転速度算出部により算出された回転速度に基づいて、異常の有無を判定する異常判定部を備え、
前記異常判定部は、前記筐体内部の気圧の変動を考慮して、異常の有無を判定する
ことを特徴とする洗浄装置。 - 前記異常判定部は、前記回転速度算出部により算出された過去複数回の回転速度の平均値に基づいて、異常の有無を判定する
ことを特徴とする請求項2に記載の洗浄装置。 - 前記異常判定部により異常ありと判定された場合には、異常を発報する、および/または、前記回転駆動部に停止を指示する異常発報部をさらに備えた
ことを特徴とする請求項2または3に記載の洗浄装置。 - 前記異常判定部は、前記回転速度算出部により算出された回転速度と、前記回転駆動部に前記基板の回転速度の設定値を設定する回転速度設定部から取得される前記設定値との差または比を算出し、当該差または比があらかじめ定められた閾値を超えた場合に、異常ありと判定する
ことを特徴とする請求項2~4のいずれかに記載の洗浄装置。 - 前記異常判定部は、前記回転速度算出部により算出された回転速度がゼロであって、前記回転駆動部に前記基板の回転速度の設定値を設定する回転速度設定部から取得される前記設定値がゼロではない場合、または、前記マイクロホンにより異常音が検知された場合に、異常ありと判定する
ことを特徴とする請求項2~5のいずれかに記載の洗浄装置。 - 前記異常判定部は、洗浄部材を回転させるモータに流れる電流の変動を考慮して、異常の有無を判定する
ことを特徴とする請求項2~6のいずれかに記載の洗浄装置。 - 前記マイクロホンは、前記筐体の内部で発生する音を、前記筐体に設けられた換気用の隙間から集音する
ことを特徴とする請求項1に記載の洗浄装置。 - 前記複数のローラと前記洗浄部材と前記洗浄液供給ノズルとは、前記筐体の内側に配置され、
前記マイクロホンは、前記筐体の内側にのみ配置されている
ことを特徴とする請求項2~7のいずれかに記載の洗浄装置。 - 前記回転速度算出部は、前記音の基本波および高調波に基づいて、前記基板の回転速度を算出する
ことを特徴とする請求項1~9のいずれかに記載の洗浄装置。 - 前記基板の周縁部のノッチが前記複数のローラのうちの1つのローラに当たることで発生する振動を検知する振動センサをさらに備え、
前記回転速度算出部は、前記マイクロホンにより検知される音と前記振動センサにより検知される振動とに基いて、前記基板の回転速度を算出する
ことを特徴とする請求項1~10のいずれかに記載の洗浄装置。 - 前記回転駆動部から発生する音を検知する第2マイクロホンをさらに備え、
前記回転速度算出部は、前記マイクロホンにより検知される音と前記第2マイクロホンにより検知される音とに基いて、前記基板の回転速度を算出する
ことを特徴とする請求項1~10のいずれかに記載の洗浄装置。 - 前記回転速度算出部は、前記回転駆動部に前記基板の回転速度の設定値を設定する回転速度設定部から取得される前記設定値を考慮して、前記基板の回転速度を算出する
ことを特徴とする請求項1~12のいずれかに記載の洗浄装置。 - 前記回転速度算出部により算出された回転速度をディスプレイに表示させる表示制御部をさらに備えた
ことを特徴とする請求項1~13のいずれかに記載の洗浄装置。 - 前記表示制御部は、前記回転速度算出部により算出された過去複数回の回転速度を平均
してディスプレイに表示させる
ことを特徴とする請求項14に記載の洗浄装置。 - 前記回転速度算出部は、前記設定値に応じて、前記音の信号に適用するフィルタのカットオフ周波数を変更する
ことを特徴とする請求項13に記載の洗浄装置。 - 基板の研磨を行う研磨ユニットと、
研磨後の基板の洗浄を行う洗浄ユニットと、
を備え、
前記洗浄ユニットは、
基板の周縁部を保持する複数のローラと、
前記複数のローラを回転駆動することにより前記基板を回転させる回転駆動部と、
前記基板に当接して当該基板の洗浄を行う洗浄部材と、
前記基板に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、
前記基板の周縁部のノッチが前記複数のローラに当たることで発生する音を検知するマイクロホンと、
前記マイクロホンにより検知される音に基いて、前記基板の回転速度を算出する回転速度算出部と、
前記基板の洗浄を行う洗浄空間を画定する筐体と、
を有し、
前記複数のローラと前記洗浄部材と前記洗浄液供給ノズルとは、前記筐体の内側に配置され、
前記マイクロホンは、前記筐体の外側に少なくとも1つ配置されている
ことを特徴とする研磨装置。 - 基板の研磨を行う研磨ユニットと、
研磨後の基板の洗浄を行う洗浄ユニットと、
を備え、
前記洗浄ユニットは、
基板の周縁部を保持する複数のローラと、
前記複数のローラを回転駆動することにより前記基板を回転させる回転駆動部と、
前記基板に当接して当該基板の洗浄を行う洗浄部材と、
前記基板に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、
前記基板の周縁部のノッチが前記複数のローラに当たることで発生する音を検知するマイクロホンと、
前記マイクロホンにより検知される音に基いて、前記基板の回転速度を算出する回転速度算出部と、
前記基板の洗浄を行う洗浄空間を画定する筐体と、
前記回転速度算出部により算出された回転速度に基づいて、異常の有無を判定する異常判定部と、
を有し、
前記異常判定部は、前記筐体内部の気圧の変動を考慮して、異常の有無を判定する
ことを特徴とする研磨装置。 - 基板の周縁部を保持する複数のローラと、
前記複数のローラを回転駆動することにより前記基板を回転させる回転駆動部と、
前記基板に当接して当該基板の洗浄を行う洗浄部材と、
前記基板に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、
前記基板の洗浄を行う洗浄空間を画定する筐体と、
を備えた洗浄装置において前記基板の回転速度を算出する装置であって、
前記基板の周縁部のノッチが前記複数のローラに当たることで発生する音を検知するマイクロホンと、
前記マイクロホンにより検知される音に基いて、前記基板の回転速度を算出する回転速度算出部と、
を備え、
前記複数のローラと前記洗浄部材と前記洗浄液供給ノズルとは、前記筐体の内側に配置され、
前記マイクロホンは、前記筐体の外側に少なくとも1つ配置されている
ことを特徴とする装置。 - 基板の周縁部を保持する複数のローラと、
前記複数のローラを回転駆動することにより前記基板を回転させる回転駆動部と、
前記基板に当接して当該基板の洗浄を行う洗浄部材と、
前記基板に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、
前記基板の洗浄を行う洗浄空間を画定する筐体と、
を備えた洗浄装置において前記基板の回転速度を算出する装置であって、
前記基板の周縁部のノッチが前記複数のローラに当たることで発生する音を検知するマイクロホンと、
前記マイクロホンにより検知される音に基いて、前記基板の回転速度を算出する回転速度算出部と、
前記回転速度算出部により算出された回転速度に基づいて、異常の有無を判定する異常判定部と、
を備え、
前記異常判定部は、前記筐体内部の気圧の変動を考慮して、異常の有無を判定する
ことを特徴とする装置。 - 基板の周縁部を保持する複数のローラと、
前記複数のローラを回転駆動することにより前記基板を回転させる回転駆動部と、
前記基板に当接して当該基板の洗浄を行う洗浄部材と、
前記基板に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、
前記基板の洗浄を行う洗浄空間を画定する筐体と、
を備えた洗浄装置において前記基板の回転速度を算出する方法であって、
前記基板の周縁部のノッチが前記複数のローラに当たることで発生する音をマイクロホンにより検知するステップであって、前記複数のローラと前記洗浄部材と前記洗浄液供給ノズルとは、前記筐体の内側に配置され、前記マイクロホンは、前記筐体の外側に少なくとも1つ配置されている、ステップと、
前記マイクロホンにより検知される音に基いて、前記基板の回転速度を算出するステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 基板の周縁部を保持する複数のローラと、
前記複数のローラを回転駆動することにより前記基板を回転させる回転駆動部と、
前記基板に当接して当該基板の洗浄を行う洗浄部材と、
前記基板に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、
前記基板の洗浄を行う洗浄空間を画定する筐体と、
を備えた洗浄装置において前記基板の回転速度を算出する方法であって、
前記基板の周縁部のノッチが前記複数のローラに当たることで発生する音をマイクロホンにより検知するステップと、
前記マイクロホンにより検知される音に基いて、前記基板の回転速度を算出するステップと、
算出された回転速度に基づいて、異常の有無を判定するステップであって、前記筐体内部の気圧の変動を考慮して、異常の有無を判定する、ステップと、
を含むことを特徴とする方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019234071A JP7078602B2 (ja) | 2019-12-25 | 2019-12-25 | 洗浄装置、研磨装置、洗浄装置において基板の回転速度を算出する装置および方法 |
CN202080090122.8A CN114846584B (zh) | 2019-12-25 | 2020-12-21 | 清洗装置、研磨装置、在清洗装置中计算基板的旋转速度的装置及方法 |
KR1020227025199A KR102455804B1 (ko) | 2019-12-25 | 2020-12-21 | 세정 장치, 연마 장치, 세정 장치에 있어서 기판의 회전 속도를 산출하는 장치 및 방법 |
PCT/JP2020/047600 WO2021132122A1 (ja) | 2019-12-25 | 2020-12-21 | 洗浄装置、研磨装置、洗浄装置において基板の回転速度を算出する装置および方法 |
US17/787,565 US11664252B2 (en) | 2019-12-25 | 2020-12-21 | Cleaning device, polishing device, and device and method for calculating rotation speed of substrate in cleaning device |
TW109145635A TWI785440B (zh) | 2019-12-25 | 2020-12-23 | 清洗裝置、研磨裝置、旋轉速度算出裝置及旋轉速度算出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019234071A JP7078602B2 (ja) | 2019-12-25 | 2019-12-25 | 洗浄装置、研磨装置、洗浄装置において基板の回転速度を算出する装置および方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021103723A JP2021103723A (ja) | 2021-07-15 |
JP7078602B2 true JP7078602B2 (ja) | 2022-05-31 |
Family
ID=76576099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019234071A Active JP7078602B2 (ja) | 2019-12-25 | 2019-12-25 | 洗浄装置、研磨装置、洗浄装置において基板の回転速度を算出する装置および方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11664252B2 (ja) |
JP (1) | JP7078602B2 (ja) |
KR (1) | KR102455804B1 (ja) |
CN (1) | CN114846584B (ja) |
TW (1) | TWI785440B (ja) |
WO (1) | WO2021132122A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022036416A (ja) * | 2020-08-24 | 2022-03-08 | 株式会社荏原製作所 | 基板保持回転機構、基板処理装置 |
JP2023023394A (ja) * | 2021-08-05 | 2023-02-16 | 株式会社荏原製作所 | 基板支持装置、洗浄装置、基板の回転速度を算出する装置ならびに方法、および機械学習装置 |
JP2023154863A (ja) * | 2022-04-08 | 2023-10-20 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法およびプログラム |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003077881A (ja) | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理方法 |
JP2006237456A (ja) | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板飛散防止方法 |
JP2014154814A (ja) | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
JP2016152382A (ja) | 2015-02-19 | 2016-08-22 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置および方法 |
JP2019216153A (ja) | 2018-06-12 | 2019-12-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法及び洗浄装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3286125B2 (ja) * | 1995-08-09 | 2002-05-27 | 株式会社カイジョー | 遠心乾燥装置 |
JP2018079453A (ja) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | 三菱ケミカルエンジニアリング株式会社 | 洗浄装置の異常検出装置及び異常検出方法 |
JP6875154B2 (ja) * | 2017-03-06 | 2021-05-19 | 株式会社荏原製作所 | セルフクリーニング装置、基板処理装置、および洗浄具のセルフクリーニング方法 |
-
2019
- 2019-12-25 JP JP2019234071A patent/JP7078602B2/ja active Active
-
2020
- 2020-12-21 US US17/787,565 patent/US11664252B2/en active Active
- 2020-12-21 KR KR1020227025199A patent/KR102455804B1/ko active IP Right Grant
- 2020-12-21 WO PCT/JP2020/047600 patent/WO2021132122A1/ja active Application Filing
- 2020-12-21 CN CN202080090122.8A patent/CN114846584B/zh active Active
- 2020-12-23 TW TW109145635A patent/TWI785440B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003077881A (ja) | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理方法 |
JP2006237456A (ja) | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板飛散防止方法 |
JP2014154814A (ja) | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
JP2016152382A (ja) | 2015-02-19 | 2016-08-22 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置および方法 |
JP2019216153A (ja) | 2018-06-12 | 2019-12-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法及び洗浄装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202143319A (zh) | 2021-11-16 |
KR20220107317A (ko) | 2022-08-02 |
US20220406633A1 (en) | 2022-12-22 |
TWI785440B (zh) | 2022-12-01 |
KR102455804B1 (ko) | 2022-10-18 |
US11664252B2 (en) | 2023-05-30 |
CN114846584B (zh) | 2023-05-05 |
WO2021132122A1 (ja) | 2021-07-01 |
JP2021103723A (ja) | 2021-07-15 |
CN114846584A (zh) | 2022-08-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2021132122A1 (ja) | 洗浄装置、研磨装置、洗浄装置において基板の回転速度を算出する装置および方法 | |
US11958090B2 (en) | Apparatus and method for wafer cleaning | |
US9478445B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus and method for detecting abnormality of air flow | |
JP2007523463A (ja) | 基板処理装置及び方法 | |
JP6769166B2 (ja) | 液処理装置及び液処理方法 | |
TW200814178A (en) | Liquid treatment device and liquid treatment method | |
US10546764B2 (en) | Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus | |
JP2006237456A (ja) | 基板処理装置および基板飛散防止方法 | |
JP5514667B2 (ja) | 回転塗布方法 | |
JP2003086564A (ja) | 遠心乾燥装置および半導体装置の製造方法ならびに半導体製造装置 | |
TWI612571B (zh) | 基板洗淨裝置及基板洗淨方法 | |
WO2014050428A1 (ja) | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 | |
JP2018506858A (ja) | 落下防止機能を有する半導体デバイス洗浄装置、および、その装置を備えるチャンバ | |
WO2023013528A1 (ja) | 基板支持装置、洗浄装置、基板の回転速度を算出する装置ならびに方法、および機械学習装置 | |
WO2020241077A1 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよびコンピュータで読み取り可能な記憶媒体 | |
JP2021002686A (ja) | 基板洗浄装置 | |
JP6785605B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置、および、記録媒体 | |
JP2005327906A (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2014165349A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5812023B2 (ja) | 液処理装置 | |
KR20210128062A (ko) | 기판처리장치 | |
TW202215519A (zh) | 基板處理裝置及聲音檢測器用防水裝置 | |
KR20080000018A (ko) | 웨이퍼 세정장치 | |
KR20060037649A (ko) | 스핀 스크러버 | |
KR20160032998A (ko) | 기판 처리 장치 및 컵 유닛 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211213 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211213 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20211213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220111 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220202 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220426 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220519 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7078602 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |