TWI612571B - 基板洗淨裝置及基板洗淨方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 202
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 232
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims abstract description 59
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 58
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 12
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 24
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 14
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000873785 Homo sapiens mRNA-decapping enzyme 1A Proteins 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 102100035856 mRNA-decapping enzyme 1A Human genes 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本發明能以相對簡單結構，在可充分發揮原本洗淨效果的最適條件下進行超音波洗淨。基板洗淨裝置，具備：基板保持機構42，使基板W保持水平並旋轉；超音波洗淨單元52，將超音波振動能量施加於脫氣純水後，將該純水供給至基板W表面；純水噴霧噴嘴72，將脫氣純水噴霧至基板W表面；腔40，包圍基板保持機構42以及純水噴霧噴嘴72；以及惰性氣體供給線41，供給惰性氣體至腔40內。
Description
本發明是關於一種基板洗淨裝置及基板洗淨方法，特別是關於一種利用超音波洗淨，非接觸地洗淨晶圓等基板表面的基板洗淨裝置及基板洗淨方法。本發明的基板洗淨裝置及基板洗淨方法不僅適用於直徑300mm的晶圓，也可以適用於直徑450mm的晶圓洗淨，再者，也可以適用於平板製造工序、CMOS或CCD等影像感測器製造工序、MRAM的磁性膜製造工序等。
近年來隨著半導體元件的微細化，在基板上形成各種物性不同的材料膜，並進行加工該材料膜。特別是在以金屬埋入形成於絕緣膜的配線溝之嵌埋(damascene)配線形成工序，在金屬膜形成後以基板研磨裝置研磨、除去多餘的金屬。在CMP後的基板表面，金屬膜、障壁膜以及絕緣膜等對水潤濕性(wettability)不同的複數種膜會露出。
在以CMP所研磨的基板表面，存在著使用於CMP的漿體殘渣或金屬研磨屑等粒子(缺陷)。當基板表面的洗淨不充分而殘留粒子於基板表面，則從殘留基板表面的粒子的部分產生電流洩漏，成為密接性不良的原因等，在信賴性上變成問題。所以，需要以高洗淨度來洗淨金屬膜、障壁膜以及絕緣膜等對水潤濕性不同的膜會露出的基板表面。
做為非接觸地洗淨晶圓等基板表面的洗淨方式之一，已知一種利用空泡現象(cavitation)的超音波洗淨，將超音波處理的純水噴射到基板表面並洗淨該表面。做為在此超音波洗淨所利用的純水，一般使用從工廠供給至裝置內的脫氣純水(洗淨液)。
從工廠供給至研磨裝置並使用於洗淨的脫氣純水(洗淨液)，處於幾乎不包含溶存氣體的狀態。例如，脫氣的純水的溶存氧濃度(DO值)，通常為20ppb以下，也有管理在5ppb以下者。在最先端元件製造中，也要求使用溶存氧濃度為1ppb的純水於洗淨等。
利用空泡現象的超音波洗淨是在包含溶存氣體的液體使超音波作用來進行的物理洗淨處理。做為供給至高音波洗淨單元的液體所要求的溶存氣體的說明例，舉出例如「在液體中溶存氣體濃度為1ppm~15ppm」等。又，若使用使氣體過渡溶存的液體於超音波洗淨時，已知無法獲得充分的超音波洗淨特性。
但是，如前述，例如若使用DO值在20ppb以下脫氣的純水於超音波洗淨，純水中的溶存氣體極少，所以，難以獲得充分的超音波洗淨特性。也就是說，如CMP後的基板洗淨，以研磨液等進行有粒子污染疑慮的洗淨處理中，在使用脫氣純水的超音波洗淨，被認為不能充分發揮超音波洗淨原本的洗淨效果。
特別是，今後矽晶圓的直徑從300mm到450mm的大口徑，所以要以高洗淨度洗淨直徑450mm的矽晶圓等基板表面的幾乎全區，被認為更加困難。
為了獲得超音波洗淨原本的洗淨效果，想到使氣體溶存於供給至裝置內的脫器純水。但是，為此，另外需要使氣體溶存於脫氣純水的單元以及其控制裝置等，不只是裝置會複雜並大型化，也會導致成本提高。
本發明有鑑於上述情況，其目的在於提供一種基板洗淨裝置及基板洗淨方法，能以相對簡單結構，在可充分發揮原本洗淨效果的最適條件下進行超音波洗淨。
本發明的一態樣為一種基板洗淨裝置，其特徵在於具備：基板保持機構，使基板保持水平並旋轉；超音波洗淨單元，將超音波振動能量施加於脫氣純水後，將該純水供給至前述基板表面；純水噴霧噴嘴，將脫氣純水噴霧至前述基板表面；腔，包圍前述基板保持機構以及前述純水噴霧噴嘴；
以及惰性氣體供給線，供給惰性氣體至前述腔內。
本發明的另一態樣為一種基板洗淨裝置，其特徵在於具備：基板保持機構，使基板保持水平並旋轉；第一純水供給線以及第二純水供給線，供給脫氣純水；超音波洗淨單元，將超音波振動能量施加於從前述第一純水供給線所供給的脫氣純水後，將該純水供給至前述基板表面；純水供給噴嘴，將從前述第二純水供給線所供給的脫氣純水供給至前述基板表面；以及氣體溶存單元，使氣體溶存於在前述第二純水供給線流動的純水。
本發明的又一態樣為一種基板洗淨方法，其特徵在於：使基板保持水平並旋轉；將超音波振動能量施加於脫氣純水後，將該純水供給至前述基板表面，在該基板表面上形成純水膜；向著惰性氣體大氣噴霧脫氣純水；以及將通過前述惰性氣體大氣的前述純水供給至前述純水膜。
本發明的又一態樣為一種基板洗淨方法，其特徵在於：使基板保持水平並旋轉；將超音波振動能量施加於脫氣純水後，將該純水供給至前述基板表面，在該基板表面上形成純水膜；使脫氣純水通過氣體溶存單元來使惰性氣體溶存於該純水；以及將包含前述惰性氣體的前述純水供給至前述純水膜。
根據本發明，以超音波洗淨單元施加超音波振動能量於被脫氣幾乎不包含溶存氣體的純水，將該純水供給至做為洗淨對象的基板表面上，之後，提高在此基板表面所形成的高音波純水膜的溶存氣體濃度。藉此，裝置不會複雜化，在能充分發揮與施加超音波處理於包含溶存氣體的液體的超音波洗淨一樣的洗淨效果的最適條件下，可進行基板表面的超音波洗淨。
10‧‧‧外殼
12‧‧‧負載埠
14a~14d‧‧‧研磨單元
16‧‧‧第一洗淨單元
18‧‧‧第二洗淨單元(基板洗淨裝置)
20‧‧‧乾燥單元
22‧‧‧第一搬送自動機
24‧‧‧搬送單元
26‧‧‧第二搬送自動機
28‧‧‧第三搬送自動機
30‧‧‧控制部
40‧‧‧腔
41‧‧‧惰性氣體供給線
42‧‧‧基板保持機構
44‧‧‧夾頭
46‧‧‧臂
50‧‧‧基台
52‧‧‧超音波洗淨單元
54‧‧‧純水供給源
56‧‧‧第一純水供給線
60‧‧‧本體
62‧‧‧流體流路
62a‧‧‧注入口
62b‧‧‧噴出口
64‧‧‧壓電元件
70‧‧‧超音波純水膜
72‧‧‧純水噴霧噴嘴
74‧‧‧第二純水供給線
80‧‧‧氣體溶存單元
82‧‧‧純水供給噴嘴
A、B、C‧‧‧距離
O‧‧‧噴射中心軸
W‧‧‧基板
θ‧‧‧角度
第一圖表示關於本發明的實施形態的具備基板洗淨裝置的基板處理裝置的全體結構的平面圖。
第二圖表示做為第一圖所示的基板處理裝置的第二洗淨單元來使用的關於本發明的實施形態的基板洗淨裝置的概要的斜視圖。
第三圖是省略第二圖所示的第二洗淨單元的基板保持機構的概略正面圖。
第四圖表示超音波洗淨單元的剖面圖。
第五圖表示以第二圖所示的第二洗淨單元進行的洗淨例的流程圖。
第六圖分別表示供給至超音波洗淨單元及純水噴霧噴嘴的純水DO值(供給純水)、不使超音波洗淨單元的壓電元件振動，且不從純水噴霧噴嘴噴霧純水時的超音波純水膜的DO值(不輸出)、以高輸出使超音波洗淨單元的壓電元件振動，且不從純水噴霧噴嘴噴霧純水時的超音波純水膜的DO值(高輸出)、以及以高輸出使超音波洗淨單元的壓電元件振動，且從純水噴霧噴嘴噴霧純水時的超音波純水膜的DO值(高輸出+純水噴霧)的圖。第七圖是將比較例1的缺陷率做為100%的百分率(缺陷率)來表示測量在實施例1、實施例2以及比較例1~3的超音波洗淨後殘留的100nm以上的缺陷數的結果的圖。
第八圖表示本發明的另一實施形態的基板洗淨裝置的斜視圖。
以下參照圖式來說明關於本發明的實施形態。
第一圖表示關於本發明的實施形態的具備基板洗淨裝置的基板處理裝置的全體結構的平面圖。如第一圖所示，基板處理裝置具備：大致矩形的外殼10；以及負載埠12，載置有基板卡匣，該基板卡匣收容許多晶圓等基板。負載埠12被配置成鄰接於外殼10。在負載埠12，可以搭載開放式卡匣(open cassette)、SMIF盒(Standard Manufacturing Interface Pod)或是FOUP(Front Opening Unified Pod)。SMIF、FOUP是在內部收納基板卡匣，由於以分隔壁覆蓋，可保持獨立於外部空間的環境的密閉容器。
在外殼10的內部，收容有：複數個(本例為四個)研磨單元14a~14d；第一洗淨單元16以及第二洗淨單元18，洗淨研磨後的基板；以及乾燥單元20，使洗淨後的基板乾燥。研磨單元14a~14d沿著基板處理裝置的長方向配列，洗淨單元16、18以及乾燥單元20也沿著基板處理裝置的長方向配列。關於本發明的實施形態的基板洗淨裝置適用於第二洗淨單元18。
在負載埠12、研磨單元14a以及乾燥單元20所包圍的區
域，配置有第一搬送自動機22。與研磨單元14a~14d平行地配置有搬送單元24。第一搬送自動機22從負載埠12取得研磨前的基板並傳至搬送單元24，同時從乾燥單元20取得乾燥後的基板並回到負載埠12。搬送單元24搬送從第一搬送自動機22所取得的基板，在各研磨單元14a~14d之間進行基板的傳遞。
位於第一洗淨單元16與第二洗淨單元18之間，配置有第二搬送自動機26，第二搬送自動機26在這些各單元16、18之間進行基板傳遞。位於第二洗淨單元18與乾燥單元20之間，配置有第三搬送自動機28，三搬送自動機28在這些各單元18、20之間進行基板傳遞。再者，位於外殼10內部，配置有控制部30，控制部30控制基板處理裝置的各機器動作。
在此例中，使用輥洗淨單元做為第一洗淨單元16。此輥洗淨單元在洗淨液存在下，以長圓柱狀水平延伸的輥洗淨部件接觸基板表面(及背面)，並使基板及輥洗淨部件一起在一方向旋轉來洗滌洗淨基板表面(及背面)。第一洗淨單元(輥洗淨單元)16除了這種洗滌洗淨之外，被構成為施加數十~5MHz頻率的超音波於洗淨液，進行兆頻超音波洗淨，該兆頻超音波洗淨使以洗淨液的振動加速度產生的作用力作用於附著在基板表面的微粒子。
本發明的實施形態的基板洗淨裝置被使用來做為第二洗淨單元18。又，使用旋轉乾燥單元做為乾燥單元20，該旋轉乾燥單元向著在水平方向旋轉的基板，從移動的噴射噴嘴噴出IPA蒸氣並使基板乾燥，進一步以高速使基板旋轉，以離心力使基板乾燥。
第二圖表示做為第一圖所示的基板處理裝置的第二洗淨單元18來使用的關於本發明的實施形態的基板洗淨裝置的概要的斜視圖。第三圖是省略第二圖所示第二洗淨單元18的基板保持機構的概略正面圖。
如第二圖所示，第二洗淨單元18做為本發明實施形態的基板洗淨裝置，第二洗淨單元18被配置於腔40內部，腔40可將內部置換成惰性氣體大氣，例如N2氣體大氣。在腔40連接有惰性氣體供給線41，在腔40的內部空間供給有氮氣等惰性氣體。第二洗淨單元18具備：基板保持機構42，使晶圓等基板W保持水平並旋轉。此基板保持機構42具備複
數隻(圖示為4隻)臂46，臂46在前端安裝將基板W保持在水平狀態的夾頭44，此臂46的基端被連接於與旋轉軸48一體旋轉的基台50。藉此，被基板保持機構42的夾頭44保持的基板W，在箭頭所示方向水平旋轉。
超音波洗淨單元52向著基板W被配置，位於被基板保持機構42保持的基板W的的側上方。此超音波洗淨單元52被連接於第一純水供給線56，第一純水供給線56從純水供給源54延伸到基板處理裝置的內部。純水供給源54被設置於工廠內，供給例如被脫氣成DO值為20ppb以下的純水。
超音波洗淨單元52如第四圖所示，被構成為將做為超音波振動子的壓電元件64配置於本體60內部的流體流路62。藉由起動壓電元件64，從注入口62a將高壓純水注入流體流路62，超音波振動能量被施加於此純水。施加此超音波振動能量的純水，將噴射中心軸O做為中心，從噴射口62b噴設成圓錐狀。
此超音波洗淨單元52如第三圖所示，被配置成從超音波洗淨單元52向基板W表面噴射的純水的噴射中心軸O相對於基板W表面的角度θ成為比0°大，在30°以下(0°<θ
30°)。藉此，從超音波洗淨單元52噴射到基板W表面的純水會更均勻地擴散，可以在基板W表面形成均勻的超音波純水膜。純水的噴射中心軸O表示從超音波洗淨單元52所噴射的純水的行進方向。
超音波洗淨單元52被配置於從基板W的外周端到純水的噴射中心軸O與基板表面的交點為止的距離A為0mm以上50mm以下(0mm
θ
50mm)，從超音波洗淨單元52的噴出口62b的中心到純水的噴射中心軸O與基板表面的交點為止的距離B為大約60mm(B≒60mm)的位置。藉此，基板W的表面與超音波洗淨單元52的噴出口62b中心的距離C，變成比0更大，為30mm以下(0mm<C
30mm)。
向著基板保持機構42所保持並在水平旋轉的基板W表面，通過第一純水供給線56，噴射超音波洗淨單元52所供給的脫氣純水。然後，藉由以超音波洗淨單元52施加超音波振動能量於該純水，超音波純水膜70被均勻地形成於基板W表面。此時的基板的旋轉速度為例如20~300min-1。
位於基板保持機構42所保持的基板的正上方，純水噴霧噴嘴72被配置成向著下方。此純水噴霧噴嘴72被連接於從前述純水供給源54延伸到基板處理裝置內部的第二純水供給線74。藉此，通過第二純水供給線74運送的純水，從純水噴霧噴嘴72向著位於下方的基板W表面被噴霧。
基板保持機構42、超音波洗淨單元52以及純水噴霧噴嘴72被配置於腔40內。當洗淨基板W時，腔40內充滿惰性氣體。也就是說，從惰性氣體供給線41供給惰性氣體至腔40內，將腔40的內部大氣置換成惰性氣體(例如N2氣體大氣)。再者，如前述，將超音波純水膜70形成於基板W表面的狀態下，來自此純水噴霧噴嘴72的純水噴霧是向著該超音波純水膜70進行。藉此，從純水噴霧噴嘴72向著超音波純水膜70被噴霧的純水中，N2氣體等惰性氣體會被拉進。然後，被拉進此純水中的N2氣體等惰性氣體被混入超音波純水膜70，該超音波純水膜70的溶存氣體濃度為例如提升到1ppm以上。藉此，在超音波洗淨的洗淨效果被提高。
做為純水噴霧噴嘴72，較佳為使用將純水霧以扇狀噴霧的扇形噴嘴或將純水霧以圓錐狀噴霧的圓錐型噴嘴。從純水噴霧噴嘴72所噴霧的純水溫度較佳為可控制在18~40℃左右。
進一步參照第五圖，說明以第二洗淨單元18進行基板W的洗淨例。首先，以基板保持機構42的夾頭44將基板W保持水平，將腔40內部置換成N2等惰性氣體大氣候，使基板W水平旋轉。接下來，向著旋轉的基板W表面，從超音波洗淨單元52將施加超音波振動能量的純水噴射，在基板W表面形成超音波純水膜70。
接受此超音波處理的純水(洗淨液)，是幾乎不包含溶存氣體的例如DO值為1ppm以下的純水。也就是說，從製造工廠供給至基板處理裝置的超音波洗淨所使用的純水，溶存氣體被脫氣成例如DO值在10ppb以下。
以超音波洗淨單元52的壓電元件64施加超音波處理於此幾乎不包含溶存氣體的純水。然後，將施加此超音波處理的純水供給至基板W表面。將幾乎不包含溶存氣體，施加超音波處理的洗淨液供給至基板W
表面，藉此，在基板W表面形成超音波純水膜70。
如此，在超音波純水膜70被形成於基板W表面的狀態下，從純水噴霧噴嘴72噴霧純水至超音波純水膜70。藉此，基板W表面的超音波純水膜70的溶存氣體濃度被提高，藉由此溶存氣體濃度提高的超音波純水膜70來進行基板W的洗淨。藉此，在超音波洗淨的洗淨效果被提高。
也就是說，為了增加被供給至基板W表面上、施加超音波處理、幾乎不包含溶存氣體的純水的溶存氣體，將同樣不包含溶存氣體的純水從純水噴霧噴嘴72噴霧至被供給至此基板W表面上並形成被覆膜的純水所組成的超音波純水膜70。
在從純水噴霧噴嘴72所噴霧的霧狀純水中，溶解有腔40內部的N2氣體等惰性氣體，然後純水霧接觸超音波純水膜70時，包含在霧中的惰性氣體被拉進超音波純水膜70內。藉此，使超音波純水膜70內的溶存氣體濃度增加成例如比1ppm更大。
當包含氧氣的純水供給至銅配線表面時，銅表面容易氧化變質，有使元件性能顯著降低之虞。為了解決此疑慮，在此例中，將腔40內做為N2等惰性氣體大氣，使用拉進此惰性氣體的純水。
如此，供給被超音波處理的純水至基板W表面，之後，藉由使供給至此基板W表面的純水的溶存氣體濃度增加，來獲得高洗淨特性。
在第一圖所示的基板處理裝置，將從負載埠12內的基板卡匣所取出的基板的表面，搬送到研磨單元14a~14d的任一者並研磨。然後，以第一洗淨單元(輥洗淨單元)16將研磨後的基板表面粗略洗淨後，以第二洗淨單元(基板洗淨裝置)18進行完成洗淨。然後，將洗淨後的基板從第二洗淨單元18取出，搬入至乾燥單元20並旋轉乾燥。之後，乾燥後的基板回到負載埠12的基板卡匣。
在上述例中，腔40的內部成為N2氣體等惰性氣體大氣，但在基板洗淨不受氧影響的情況下，也可以不將腔40內部置換成N2氣體等惰性氣體大氣，可以維持大氣狀態進行上述洗淨。在此情況下，在從純水噴霧噴嘴72向著超音波純水膜70噴霧的純水中，大氣(氧)被拉進去，被拉進此純水中的大氣(氧)被混入超音波純水膜70。結果，該超音波純
水膜70的溶存氧濃度，被提高為例如DO值1ppm以上。
第六圖表示在不將第二圖所示的在第二洗淨單元(基板洗淨裝置)18中的腔40內部置換成N2氣體等惰性氣體大氣的情況下，測量純水DO值(溶存氣體濃度)的結果。在第六圖中，「供給純水」表示供給至超音波洗淨單元52及純水噴霧噴嘴72的純水DO值，「不輸出」表示在不使超音波洗淨單元52的壓電元件64振動，且不從純水噴霧噴嘴72噴霧純水時的超音波純水膜70的DO值，「高輸出」表示以高輸出(99.53W/cm2)使超音波洗淨單元52的壓電元件64振動，且不從純水噴霧噴嘴72噴霧純水時的超音波純水膜70的DO值，「高輸出+純水噴霧」表示以高輸出(99.53W/cm2)使超音波洗淨單元52的壓電元件64振動，且從純水噴霧噴嘴72噴霧純水時的超音波純水膜70的DO值。
從第六圖，由於以高輸出(99.53W/cm2)使超音波洗淨單元52的壓電元件64振動，且從純水噴霧噴嘴72噴霧純水，所以知道超音波純水膜70的DO值提高到約2.00ppm為止。
第七圖是做為實施例1來表示使用第二圖所示的第二洗淨單元(基板洗淨裝置)18，不將腔40內部置換成N2氣體等惰性氣體大氣，進行超音波洗淨及純水噴霧來洗淨基板時，計測殘留在基板的100nm以上的缺陷數結果。再者，第七圖是做為實施例2來表示從超音波洗淨單元52噴射到基板W表面的純水的噴射中心軸O的相對於基板W表面的角度θ被設定成大於30°(θ>30°)，在其他與實施例1相同條件下進行基板洗淨時，計測殘留在基板的缺陷數結果。
再者，第七圖是做為比較例1來表示不進行超音波洗淨，在其他與實施例1相同條件下進行基板洗淨時，計測殘留在基板的缺陷數結果。又，第七圖是做為比較例2來表示僅進行超音波洗淨，在其他與實施例1相同條件下進行基板洗淨時，計測殘留在基板的缺陷數結果。此外，第七圖是做為比較例3來表示僅進行超音波洗淨，在其他與實施例2相同條件下進行基板洗淨時，計測殘留在基板的缺陷數結果。再者，在第七圖中，在超音批洗淨後測定殘留的缺陷數的結果，是以比較例1的缺陷數做為100%的百分率(缺陷率)來表示。
從第七圖，在實施例1、2中，與比較例1~3比較，可知在洗淨後可減少殘留於基板的100nm以上的缺陷數。特別是在實施例1中，與比較例1~3比較，可知在洗淨後可特別地減少殘留於基板的100nm以上的缺陷數。
第八圖表示本發明的另一實施形態的基板洗淨裝置的斜視圖。此實施形態與前述實施形態的相異點是，腔40不構成為將其內部置換成N2氣體等惰性氣體，以及在第二純水供給線74，設置有氣體溶存單元80，氣體溶存單元80藉由例如滲透膜或起泡，使氣體溶存於純水中並產生使溶存氣體濃度增加的氣體溶存純水。此外，使用純水供給噴嘴82來代替純水噴霧噴嘴72。以此氣體溶存單元80產生的氣體溶存純水的溶存氣體濃度，一般來說是1~15ppm，例如3~8ppm。
做為在此純水中溶存的氣體，較佳為使用例如N2或氬氣等惰性氣體。若在無塵室環境下的大氣中的氣體(氧)不影響基板洗淨的話也可以使用。又，使用碳酸氣體或氫氣等氣體，也可以將在純水使碳酸氣體或氫氣等氣體溶存的碳酸水或氫水等機能水做為氣體溶存純水來使用。
基板W的洗淨如下所進行。以基板保持機構42的夾頭44使基板W保持水平並旋轉。向著旋轉的基板W表面，噴射從超音波洗淨單元52施加超音波振動能量的純水，在基板W表面形成超音波純水膜70。如此，在基板W表面形成超音波純水膜70的狀態下，將以氣體溶存單元80使溶存氣體濃度增加的氣體溶存純水從純水供給噴嘴82供給至超音波純水膜70。
根據本實施形態，由於使從純水供給噴嘴82所供給的溶存氣體濃度增加的氣體溶存純水，提高以超音波洗淨單元52施加超音波振動能量，形成在基板W表面並使用於基板W表面洗淨的超音波純水膜70的溶存氣體濃度。結果，可充分發揮原本洗淨效果的最適條件下進行超音波洗淨。
目前為止，說明了關於本發明的一實施形態，但本發明不受限於上述實施形態，在其技術思想範圍內，當然可以實施各種不同形態。
18‧‧‧第二洗淨單元(基板洗淨裝置)
40‧‧‧腔
41‧‧‧惰性氣體供給線
42‧‧‧基板保持機構
44‧‧‧夾頭
46‧‧‧臂
50‧‧‧基台
52‧‧‧超音波洗淨單元
54‧‧‧純水供給源
56‧‧‧第一純水供給線
70‧‧‧超音波純水膜
72‧‧‧純水噴霧噴嘴
74‧‧‧第二純水供給線
W‧‧‧基板
Claims (9)
- 一種基板洗淨裝置，其特徵在於具備：基板保持機構，使基板保持水平並旋轉；超音波洗淨單元，將超音波振動能量施加於脫氣純水後，將該純水供給至前述基板表面；至少一個純水噴霧噴嘴，將脫氣純水的霧噴霧至前述基板表面；腔，包圍前述基板保持機構以及前述純水噴霧噴嘴；以及惰性氣體供給線，供給惰性氣體至前述腔內；其中，從前述純水噴霧噴嘴向著前述基板表面被噴霧的前述純水的霧，係通過前述惰性氣體的大氣，而構成該基板洗淨裝置。
- 如申請專利範圍第1項所述之基板洗淨裝置，其中從前述超音波洗淨單元所噴射的純水的行進方向相對於基板表面的角度為大於0°並在30°以下。
- 如申請專利範圍第1項所述之基板洗淨裝置，其中前述純水噴霧噴嘴，被構成為以圓錐狀噴霧脫氣純水的霧。
- 如申請專利範圍第1項所述之基板洗淨裝置，其中前述純水噴霧噴嘴，被構成為以扇狀噴霧脫氣純水的霧。
- 一種基板洗淨裝置，其特徵在於具備：基板保持機構，使基板保持水平並旋轉；第一純水供給線以及第二純水供給線，供給脫氣純水；超音波洗淨單元，將超音波振動能量施加於從前述第一純水供給線所供給的脫氣純水後，將該純水供給至前述基板表面；純水供給噴嘴，將從前述第二純水供給線所供給的脫氣純水供給至前述基板表面；以及氣體溶存單元，使氣體溶存於在前述第二純水供給線流動的純水。
- 如申請專利範圍第5項所述之基板洗淨裝置，其中從前述超音波洗淨單元所噴射的純水的行進方向相對於基板表面的角度為大於0°並在30°以下。
- 一種基板洗淨方法，其特徵在於：使基板保持水平並旋轉；將超音波振動能量施加於脫氣純水後，將該純水供給至前述基板表面，在該基板表面上形成純水膜； 藉由向著惰性氣體大氣噴霧脫氣純水的霧，使惰性氣體溶存於純水的霧中；以及將通過前述惰性氣體大氣的前述純水的霧供給至前述純水膜。
- 如申請專利範圍第7項所記載之基板洗淨方法，其中向著惰性氣體大氣噴霧脫氣純水的工序，是向著惰性氣體大氣噴霧脫氣純水的霧的工序。
- 一種基板洗淨方法，其特徵在於：使基板保持水平並旋轉；將超音波振動能量施加於脫氣純水後，將該純水供給至前述基板表面，在該基板表面上形成純水膜；使脫氣純水通過氣體溶存單元來使惰性氣體溶存於該純水；以及將包含前述惰性氣體的前述純水供給至前述純水膜。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012-287120 | 2012-12-28 | ||
| JP2012287120A JP6029975B2 (ja) | 2012-12-28 | 2012-12-28 | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201430941A TW201430941A (zh) | 2014-08-01 |
| TWI612571B true TWI612571B (zh) | 2018-01-21 |
Family
ID=51015746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102147706A TWI612571B (zh) | 2012-12-28 | 2013-12-23 | 基板洗淨裝置及基板洗淨方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9640384B2 (zh) |
| JP (1) | JP6029975B2 (zh) |
| KR (1) | KR102103814B1 (zh) |
| TW (1) | TWI612571B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102368796B1 (ko) * | 2015-05-19 | 2022-03-02 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 장치의 컨디셔너의 세정 장치 |
| CN108780746B (zh) | 2016-03-08 | 2024-03-22 | 株式会社荏原制作所 | 基板清洗装置、基板清洗方法、基板处理装置以及基板干燥装置 |
| CN106378334A (zh) * | 2016-11-04 | 2017-02-08 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 精密光学元件的超声清洗方法 |
| US11972943B2 (en) | 2019-09-20 | 2024-04-30 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for depositing dielectric material |
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Family Cites Families (6)
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| JPH0864514A (ja) * | 1994-08-23 | 1996-03-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法及び装置 |
| US6050275A (en) * | 1996-09-27 | 2000-04-18 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for and method of cleaning objects to be processed |
| JPH10308374A (ja) | 1997-03-06 | 1998-11-17 | Ebara Corp | 洗浄方法及び洗浄装置 |
| JP4599323B2 (ja) * | 2006-04-27 | 2010-12-15 | アルプス電気株式会社 | 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法 |
| JP2008034779A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-02-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP5523783B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2014-06-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の超音波洗浄条件決定方法及びこれを用いた基板洗浄装置 |
-
2012
- 2012-12-28 JP JP2012287120A patent/JP6029975B2/ja active Active
-
2013
- 2013-12-17 KR KR1020130156881A patent/KR102103814B1/ko active IP Right Grant
- 2013-12-23 US US14/139,746 patent/US9640384B2/en active Active
- 2013-12-23 TW TW102147706A patent/TWI612571B/zh active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140086838A (ko) | 2014-07-08 |
| US20140182628A1 (en) | 2014-07-03 |
| TW201430941A (zh) | 2014-08-01 |
| US9640384B2 (en) | 2017-05-02 |
| KR102103814B1 (ko) | 2020-04-24 |
| JP6029975B2 (ja) | 2016-11-24 |
| JP2014130882A (ja) | 2014-07-10 |
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