KR20020041310A - 포지티브형 레지스트조성물 - Google Patents

포지티브형 레지스트조성물 Download PDF

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KR20020041310A
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Abstract

본 발명은, 고해상도로 뛰어난 내드라이에칭성 및 기판과의 밀착성을 가지고, 또한 라인에지라프네스가 개선된 양호한 형상의 레지스트패턴을 부여하는 화학증폭형 포지티브형 레지스트조성물을 제공하는 것을 과제로 한 것이며, 그 해결수단에 있어서, (A) 산의 작용에 의해 알칼리수용액에 대한 용해성이 증대하는 수지성분, (B) 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 산발생제 성분 및 (C) 유기용제를 함유하는 포지티브형 레지스트조성물에 있어서, (A) 성분으로서, 주쇄(主鎖)를 구성하는 모너머단위가 용해억제기를 가지는 아크릴산에스테르 또는 메타크릴산에스테르단위, 아크릴산 또는 메타크릴산과 락톤환함유 가교형 포화다환식 알콜과의 에스테르로부터 유도되는 모노머단위 및 아크릴산 또는 메타크릴산과 히드록실기, 알콕실기 또는 아실기로 취환된 직쇄상 알콜과의 에스테르로부터 유도되는 모노머단위로 구성된 공중합체를 사용한 화학증폭형 포지티브형 레지스트조성물로 한다.

Description

포지티브형 레지스트조성물{POSITIVE RESIST COMPOSITION}
본 발명은, 포지티브형 레지스트조성물, 더 상세하게는, 파장 200㎚ 이하의 활성광, 특히 ArF엑시머레이저광에 대해서 투명성이 높고, 또한 고해상성이며, 레지스트패턴의 단면형상, 내드라이에칭성 및 기판과의 밀착성에 뛰어난 레지스트패턴을 형성할 수 있고, 또한 라인에지라프네스가 개선된 화학증폭형의 포지티브형 레지스트조성물에 관한 것이다.
지금까지 화학증폭형 레지스트의 베이스재 수지성분으로서는, KrF엑시머레이저광(248㎚)에 대한 투명성이 높은 폴리히드록시스티렌이나 이것의 수산기를 산해리성(酸解離性)의 용해억제기(基)에 의해 치환한 것이 사용되어 왔다.
그러나, 오늘날에는, 반도체소자의 미세화는 점점더 진행되고, ArF엑시머레이저광(193㎚)을 사용한 프로세스의 개발이 정력적으로 진행되고 있다.
ArF엑시머레이저광(193㎚)을 사용하는 프로세스에서는, 폴리히드록시스티렌과 같은 벤젠핵을 가진 수지는, 이 광에 대해서 투명성이 불충분하다고 하는 결점을 가지고 있다. 이와 같은 결점을 극복하기 위하여, 지금까지 벤젠핵을 가지지 않고, 또한 내드라이에칭성에 뛰어난 수지로서, 에스테르부분에 애더만탄골격을 가진 아크릴산에스테르 또는 메타크릴산에스테르로부터 유도되는 단위를 주쇄로 가진 수지(이하 간단하게「아크릴산에스테르수지」라 호칭함)가 다수제안되어 있다(일본 특허 2881969호, 특개평 5-346668호, 특개평 7-234511호, 특개평 9-73173호, 특개평 9-90637호, 특개평 10-161313호, 특개평 10-319595호, 특개평 11-12326호 등).
이들 아크릴산에스테르수지를 사용한 포지티브형 레지스트조성물은, 2.38질량％의 테트라메틸암모늄히드록시드수용액인 표준현상액으로 현상가능하며, ArF엑시머레이저광에 대한 투명성, 내드라이에칭성 및 기판에 대한 밀착성에 있어서, 어느 정도 만족해야할 결과가 얻어지고 있다.
그러나, 현재의 반도체 소자분야에 있어서는, 더욱 초미세한 패턴이 요구되어, 150㎚ 이하나 100㎚ 부근의 해상도가 필요하게 되어 왔으나, 이와 같은 요구에 대해서는 이미 상기의 효과로는 불충분하게 되어 있다.
이와 같은 고해상성의 레지스트패턴을 양호한 형상에 의해 얻기 위해서는, 레지스트막두께의 박막화(종래의 막두께: 약 500㎚, 현재 요망되는 막두께: 300∼400㎚) 및 베이스재수지속에 있어서의 산해리성의 용해억제기함유 아크릴에스테르단위부분(예를 들면 2-메틸애더맨틸메타크릴레이트 단위)의 증대 등이 필요하다.
그러나, 박막화가 진행되면 드라이에칭시의 막감소가 종래의 막두께의 것에 비해 상대적으로 크게 되므로, 내드라이에칭성을 한층 더 형상시킬 필요가 있고, 산해리성의 용해억제기함유 아크릴에스테르 단위부분을 증대시키면 소수성(疎水性)이 커지기 때문에, 기판과의 밀착성이 열악화한다는 문제가 생긴다. 레지스트패턴사이즈가 미세하게 되면 양호한 형상의 레지스트패턴형성도 곤란하게 된다.
이 때문에, 해상성의 향상에 따라, 내드라이에칭성 및 기판과의 밀착성을 보다 향상시키는 동시에, 양호한 레지스트패턴형상을 얻는 일이 요구되게 되었다. 이와 같은 요구를 충족시키기 위해, 락톤환함유 가교포화다환식 탄화수소기를 가지는 (메타)아크릴산 단위와, 산분해성기 또는 카르복실기를 가지는 가교다환식탄화수소기를 가지는(메타)아크릴산 단위 및 (메타)아크릴산 또는 (메타)아크릴산 알킬단위로 구성되고, 질량평균분자량이 2000∼200,000인 공중합체를 포함하는 화학증폭형 레지스트조성물이 제안되었다(특개 2000-26446호 공보).
최근에 와서, ArF레지스트와 같이, 타겟의 반도체 설계규칙이 한층 더 미세한 것에 대해서는, 상기의 요구사항 이외에 라인에지라프네스(LER), 즉 라인의 바깥가장자리에 불균일한 요철이 형성되어, 정밀도가 손상되는 현상이나, 에칭시에 있어서의 미소한 표면거칠함에 기인하는 장해를 방지하는 일이 중요한 문제로서 받아들여지게 되어 왔으나, 이런 점에 대해서는, 아직 해결되어 있지 않다.
본 발명은, 고해상도이며, 뛰어난 내드라이에칭성 및 기판과의 밀착성을 가지고, 또한 라인에지라프네스가 개선된 양호한 형상의 레지스트패턴을 부여하는 화학증폭형 포지티브형 레지스트조성물을 제공하는 것을 목적으로 이루어진 것이다.
본 발명자들은, ArF용화학증폭형 레지스트에 대해서 여러가지 연구를 거듭한 결과, 산발생제와 병용하는, 산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 증대하는 수지성분으로서, 락톤환함유 가교포화다환식 탄화수소기를 가지는 아크릴산 또는 메타크릴산에스테르단위와, 히드록실기, 알콕실기 또는 아실기로 치환된 직쇄상 알킬기를 가지는 아크릴산 또는 메타크릴산에스테르단위를 포함하는 공중합체를 사용함으로써, 내드라이에칭성, 기판과의 밀착성 및 라인에지라프네스를 현저하게 개선할 수 있는 것을 발견하고, 본 식견에 의거해서 본 발명을 이루는데 도달하였다.
즉, 본 발명은, (A) 산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 증대하는 수지성분, (B) 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 산발생제 성분 및 (C) 유기용제를 함유하는 포지티브형 레지스트조성물에 있어서, (A) 성분으로서, 주쇄(主鎖)를 구성하는 모너머단위(a1)가 용해억제기를 가지는 아크릴산에스테르 또는 메타크릴산에스테르단위(a2), 아크릴산 또는 메타크릴산과 락톤환함유 가교형 포화다환식 알콜과의 에스테르로부터 유도되는 모노머단위 및(a3) 아크릴산 또는 메타크릴산과 히드록실기, 알콕실기 또는 아실기로 취환된 직쇄상 알콜과의 에스테르로부터 유도되는 모노머단위로 구성된 공중합체를 사용한 것을 특징으로 하는 화학증폭형 포지티브형 레지스트조성물을 제공하는 것이다.
본 발명조성물에 있어서 수지성분 A로서는, 산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 증대하는 수지인 것이 필요하다. 이와 같은 수지로서는, 예를 들면 용해억제기를 가지는 아크릴산에스테르 또는 메타크릴산에스테르로부터 유도되는 모노머단위를 주쇄로 가지고, 에스테르기가 산에 의해 해리(解離)되는 중합체 또는 공중합체를 들 수 있다.
여기서, 아크릴산에스테르 또는 메타크릴산에스테르로부터 유도되는 모너머단위를 주쇄로 가진 중합체 또는 공중합체란, 일반식
(식중의 R은 수소원자 또는 메틸기이다)
로 나타내게 되는 모노머단위로 이루어진 주쇄를 가진 중합체 또는 공중합체이다.
그리고, 이것은 병용되는 산발생제성분(B)가 방사선의 작용을 받아서 발생하는 산에 의해 알칼리에 대한 용해성이 증대한다는 성질을 가지는 것이 필요하며, 이와 같은 성질은, 아크릴산 또는 메타크릴산으로부터 유도되는 모노머단위 중의 카르복실기의 수산기를 산해리성의 용해억제기로 보호하고, 알칼리불용성으로 함에 따라서 부여된다. 이와 같은 모노머단위를 가지는 중합체 또는 공중합체는, 산발생제 성분 (B)로부터 발생하는 산의 작용에 의해, 용해억제기가 탈리하고, 알칼리가용성으로 변화하는 결과, 레지스트층의 노광부는 알칼리가용성으로 되나, 미노광부는 알칼리불용성 그대로 잔류하고, 포지티브형의 레지스트패턴이 형성된다.
이 용해억제기로서는, 지금까지의 화학증폭형 포지티브형 레지스트에 있어서 알려져 있는 용핵억제기 중에서 임의의 것을 적당히 선택해서 사용할 수 있다.
그와 같은 용해억제기로서는, 예를 들면 제 3급 알킬기, 테트라히드로피라닐기, 테트라히드로프라닐기와 같은 환상에테르기, 1-에톡시에틸기, 1-메톡시프로필기와 같은 알콕시알킬기, γ-부티로락톤의 α탄소원자 또는 β탄소원자의 수소원자를 제외한 기와 같은 락톤잔기 등을 들 수 있으나, 특히 제 3급 알킬기가 바람직하다.
이 제 3급 알킬기로서는, tert-부틸기, tert-아밀기 등의 분기형상알킬기나 2-히드록시-3-피나논의 수산기로부터 수소원자를 제외한 기, 2-메틸애더맨틸기, 2-에틸애더맨틸기, 2-(1-애더맨틸)-2-프로필기, 1-메틸시클로헥실기, 1-에틸시클로헥실기 등의 환상 제 3급 알킬기를 들 수 있다. 이들의 용해억제기로서 상이하는 2종 이상의 기를 (A)성분중에 가지고 있어도 된다.
이 환상 제 3급 알킬기는, 아크릴산에스테르의 에스테르부분과 결합하는 탄화수소기가 단환식 또는 다환식의 포화탄화수소기이지만, 이들 중에서도 2-메틸애더맨틸기, 2-에틸애더맨틸기와 같은 2-저급알킬애더맨틸기가 내드라이에칭성에 뛰어나, 고해상성의 레지스트패턴을 부여하므로 바람직하다.
2-(저급알킬)애더맨틸기를 가진 아크릴산 에스테르단위는, 일반식
(식 중의 R은 상기와 동일한 의미를 가지며, R'은 탄소원자수 1∼4의 저급알킬기이다)
로 나타낼수 있고, 이 중의 R'의 예로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기 및 부틸기를 들 수 있고, 특히 바람직한 것은 메틸기이다.
본 발명에 있어서는, 수지성분이 락톤환함유 가교포화다환식 탄화수소기를 가지는 에스테르부분을 가진 아크릴산에스테르 또는 메타크릴산에스테르로부터 유도된 모노머단위와, 히드록실기, 알콕실기 또는 아실기로 치환된 직쇄상 알킬기를 가지는 아크릴산 또는 메타크릴산에스테르로부터 유도된 단위를 포함하는 것이 필요하다.
즉, 본 발명의 포지티브형 레지스트조성물에 있어서의 수지성분 (A)로서는, 예를 들면(a1) 일반식
(식 중의 R은 상기와 동일한 의미를 가지며, R"은 용해억제기이다)로 나타내게 되는 모노머단위, (a2) 일반식
(식 중의 R은 상기와 동일한 의미를 가지며, m은 0 또는 1이다)로 나타내게 되는 모노머단위 및 (a3) 일반식
(식 중의 R은 상기와 동일한 의미를 가지며, Y는 히드록실기, 알콕실기 또는 아실기, n은 2∼18의 정수이다)
로 나타내게 되는 모노머단위를 포함하는 공중합체가 사용된다.
상기 일반식(Ⅲ)으로 나타내게 되는 모노머단위(a1)로서는, 예를 들면
로 나타내게 되는 단위가 바람직하다.
상기 일반식(Ⅳ)로 나타내게 되는 모노머단위(a2)로서는, 예를 들면 m가 0인 경우의 식
로 나타내게 되는 단위, 또는 m이 1인 경우의 식,
로 나타내게 되는 단위가 바람직하다.
상기 일반식(Ⅴ)로 나타내게 되는 모노머단위(a3)로서는, n가 2-18이며, -(CH2)n-가 직쇄상의 알키렌기인 것이 바람직하다. 직쇄상인 것이 LER(line edge roughness)의 개선에 기여하는 것으로 생각된다.
이와 같은 모노머단위(a3)에 있어서의 -(CH2)n-Y의 구체적 예로서는, 히드록시에틸기, 히드록시프로필기, 2-메톡시에틸기, 2-에톡시에틸기, 2-아세틸에틸기 등을 들 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서의 수지성분 (A)의 질량평균분자량은 5,000∼20,000, 바람직하게는 8,000∼15,000의 범위이다.
이 모노머단위(a2)는 수지성분 (A)중에 적어도 10몰％ 함유되는 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서는, 특히 일반식(Ⅱ)로 나타내게 되는 모노머단위(a1) 40∼80몰％, 바람직하게는 50∼75몰％, 일반식(Ⅳ)에서 나타내게 되는모노머단위(a2) 10∼40몰％, 바람직하게는 20∼35몰％와, 일반식(Ⅴ)에서 나타내게 되는 모노머단위(a3) 5∼20몰％, 바람직하게는 7∼15몰％로 이루어진 공중합체가, 고해상도로 뛰어난 내드라이에칭성 및 기판과의 밀착성을 가지며, 또한 라인에지라프네스가 개선된 레지스트패턴을 부여하므로, 썩 알맞는 것이다.
일반식(Ⅱ)과 (Ⅳ)로 나타내게 되는 모노머단위의 합계를 50몰％ 이상, 바람직하게는 80∼90몰％의 범위로 함으로써, 형성된 레지스트막의 표면거칠어짐을 저감할 수 있다는 효과도 있다.
본 발명조성물에 있어서는, 이 수지성분(A)로서, 상기의 각 모노머단위를 형성하는 모노머에, 지금까지 화학증폭형의 포지티브형 레지스트로서 널리 알려진 내드라이에칭성향상기나 산비해리성의 용해억제기를 가진 아크릴산유도체, 메타크릴산유도체, 아크릴산, 메타크릴산, 말레인산, 푸마르산 등의 알칼리 가용성으로 하기 위한 에틸렌성 2중결합을 가진 카르복시산, 아크릴수지의 제조에 사용되는 널리 알려진 모노머 등을 필요에 따라, 적당히 조합하여, 공중합시켜서 사용할 수 있다.
상기의 아크릴산유도체로서는, 예를 들면 아크릴산1-애더맨틸, 아크릴산 2-애더맨틸, 아크릴산시클로헥실, 아크릴산나프틸, 아크릴산벤질, 아크릴산3-옥소시클로헥실, 아크릴산비시클로[2.2.1]헵틸, 아크릴산트리시클로데카닐, 아크릴산과 테르피네올과의 에스테르, 아크릴산과 3-브로모아세톤과의 에스테르 등의 카르복실기의 수산기를 내드라이에칭성 향상기나 산비해리성 치환기로 보호한 아크릴산에스테르 등을 들 수 있다. 메타크릴산유도체로서는, 이들 아크릴산유도체에 대응하는 메타크릴산의 유도체를 들 수 있다.
에틸렌성 2중결합을 가진 카르복시산으로서는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 말레인산, 푸마르산 등을 들 수 있다.
아크릴수지의 제조에 사용되는 널리 알려진 모노머의 예로서는, 예를 들면 아크릴산메틸, 아크릴산에틸, 아크릴산프로필, 아크릴산이소프로필, 아크릴산n-부틸, 아크릴산이소부틸, 아크릴산n-헥실, 아크릴산옥틸, 아크릴산2-에틸헥실, 아크릴산라우릴, 아크릴산2-히드록시에틸, 아크릴산2-히드록시프로필 등의 아크릴산알킬에스테르 및 대응하는 메타크릴산알킬에스테르 등을 들 수 있다.
수지성분(A)는, 상당하는 아크릴산에스테르모노머를 아조비스이소부티로니트릴(AIBN)와 같은 래디컬 중합개시제를 사용하는 널리 알려진 래디컬중합에 의해 용이하게 제조할 수 있다.
한편, 본 발명조성물에 있어서의 노광에 의해 산을 발생하는 산발생제 성분(B)로서는, 종래 화학증폭형 레지스트에 있어서의 산발생제로서 널리 알려진 것 중에서 임의의 것을 적당히 선택해서 사용할 수 있다. 이 산발생제의 예로서는, 디페닐요드늄트리플루오로메탄술포네이트, (4-메톡시페닐)페닐요드늄트리플루오로메탄술포네이트, 비스(4-tert-부틸페닐)요드늄트리플루오로메탄술포네이트, 트리페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트, (4-메톡시페닐)디페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트, (4-tert-부틸페닐)디페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 디페닐요드늄노나플루오로부탄술포네이트, 비스(4-tert-부틸페닐)요드늄노나플루오로부탄술포네이트, 트리페닐술포늄노나플루오로부탄술포네이트 등의 오늄염, 그중에서도 불소화알킬술폰산이온을 음이온으로 하는 오늄염이 바람직하다.
이 산발생제 성분(B)는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다. 그 배합량은, 수지성분(A) 100질량부에 대해, 0.5∼30질량부, 바람직하게는 1∼10질량부의 범위에서 선택된다. 이 배합량이 0.5질량부 미만에서는 패턴형성이 충분히 행하여지지 않고, 30질량부를 초과하면 균일한 용액이 얻어지기 어렵고, 보존안정성이 저하하는 원인으로 된다.
본 발명조성물은, 상기의 수지성분(A) 및 산발생제 성분(B)를 유기용제(C)에 용해시켜서 용액으로서 사용된다. 이 때 사용하는 유기용제로서는, 상기의 양성분을 용해하고, 균일한 용액으로 할 수 있는 것이라면 되고, 종래 화학증폭형 레지스트의 용매로서 널리 알려진 것 중에서 임의의 것을 1종 또는 2종 이상 적당히 선택해서 사용할 수 있다.
이와 같은 유기용제(C)의 예로서는, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 메틸이소아밀케톤, 2-헵타논 등의 케톤류나, 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 디프로필렌글리콜, 또는 디프로필렌글리콜모노아세테이트의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 또는 모노페닐에테르 등의 다가알콜류 및 그 유도체나, 디옥산과 같은 환식 에테르류, 락트산메틸, 락트산에틸, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 피르빈산메틸, 피르빈산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸 등의 에스테르류를 들 수 있다.
본 발명조성물에 있어서는, 이 유기용제로서, 특히 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및/또는 락트산에틸과 γ-부티로락톤과의 혼합용제를 사용하는 것이 유리하다. 이 경우의 혼합비율로서는, 전자와 후자의 질량비가 70:30 내지 95:5의 범위가 되도록 선택된다.
본 발명조성물에 있어서는, 레지스트패턴형상, 계속하여 경시안정성 등을 향상시키기 위하여, 필요에 따라서 제 2급 저급지방족 아민이나 제 3급 저급지방족 아민을 함유시킬 수 있다. 이 제 2급이나 제 3급 아민의 예로서는, 트리메틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리-n-프로필아민, 트리펜틸아민, 디에타놀아민, 트리에타놀아민 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다. 이들 아민은, 수지성분(A)에 대해서, 통상 0.01∼0.2질량％의 범위에서 사용된다.
본 발명조성물에는, 더 한층의 소망에 따라 혼화성이 있는 첨가제, 예를 들면 레지스트막의 성능을 개량하기 위한 부가적수지, 도포성을 향상시키기 위한 계면활성제, 용해억제제, 가소제, 안정제, 착색제, 헐레이션방지제 등을 첨가함유시킬 수 있다.
본 발명조성물의 사용방법으로서는, 종래의 포토레지스트기술의 레지스트패턴형성방법이 사용되나, 썩 알맞게 행하는데는, 먼저, 실리콘웨이퍼와 같은 지지체 위에, 그 레지스트조성물의 용액을 스피너 등에 의해 도포하고, 건조해서 감광층을 형성시켜, 이것에 예를 들면 ArF노광장치 등에 의해, ArF엑시머레이저광을 소망하는 마스크패턴을 개재해서 조사하고, 가열한다. 이어서 이것을 알칼리현상액, 예를 들면 0.1∼10질량％ 테트라메틸암모늄히드록시드수용액을 사용해서 현상처리한다. 이와 같이해서, 마스크패턴에 충실한 패턴을 얻을 수 있다.
본 발명조성물은, 특히, ArF엑시머레이저광에 유용하나, 그것보다 단파장의 F2레이저, EUV(극자외선), VUV(진공자외선), 전자선, X선, 연X선 등의 방사선에 대해서도 유효하다.
본 발명조성물은, 화학진폭형으로서, 파장 200㎚ 이하의 활성광, 특히 ArF엑시머레이저광에 대해서 투명성이 높고, 또한 고해상성을 가지는 동시에, 양호한 레지스트패턴형성과 개선된 라인에지라프네스를 가지며, 내드라이에칭성 및 기판과의 밀착성에 뛰어난 레지스트패턴을 부여한다. 따라서, ArF엑시머레이저광을 광원으로 하는 화학증폭형의 포지티브형 레지스트로서, 초미세가공이 요구되는 반도체소자 등의 제조에 썩 알맞게 사용할 수 있다.
다음에, 실시예에 의해 본 발명을 더 상세하게 설명한다. 각 예중의 라인에지라프네스값 및 내드라이에칭성은 다음의 방법에 의해 측정한 것이다.
(1) 라인에지라프네스 값: 측장 SEM(히다치제작소제품, S-9220TYPE)에 의해, 시료의 레지스트패턴의 선폭을 32개소에 대해서 측정하고, 그 결과에서 표준편차(σ)의 3배값(3σ)을 산출했다. 이 3σ가 작을수록, 라프네스가 작으며 균일폭의 레지스트패턴이 얻게된 것을 의미한다.
(2) 내드라이에칭성: 테트라플루오로메탄(CF4), 트리플루오로메탄(CHF3) 및 헬륨의 혼합가스(유량비 30:30:100)을 에칭가스로서 사용하고, 에칭장치(도쿄오카 공업사 제품, OAPM-2400TYPE)에 의해 처리했을 때의 막감소량을 측정하고, 평가하였다.
실시예 1
(ⅰ) 식
로 나타내게 되는 모노머단위 60몰％,
(ⅱ) 식
로 나타내게 되는 모노머단위 30몰％ 및
(ⅲ) 식
로 나타내게 되는 모노머단위 10몰％로 이루어지는, 질량평균분자량 10,000의 공중합체[(A)성분] 100질량부와, 트리페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트 [(B)성분] 0.2질량부와, 트리페닐술포늄노나플루오로부탄술포네이트 2.0질량부와, 트리에타놀아민 0.2질량부를, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 800질량부에 용해해서 포지티브형 레지스트 조성물용액을 조제하였다.
이 레지스트용액을 스피너를 사용해서, 막두께 82㎚의 유기반사방지막을 형성한(시프레사 제품, AR-19를 사용함) 실리콘웨이퍼 위에 도포하고, 핫플레이트 위에서 140℃(Pre-baking)에서 90초간 건조함으로써, 막두께 360㎚의 레지스트층을 형성하였다. 이어서, ArF노광장치(니콜회사제품, NSR-S302A형, NA=0.6)에 의해, ArF엑시머레이저광(193㎚)을 패턴형상으로 조사한 후에, 130℃, 90초간 가열(PEB)처리하고, 이어서 2.38질량％ 테트라메틸암모늄히드록시드수용액으로 30초간 패들현상한 후에, 30초간 수세해서 건조했다.
이와 같은 조작으로 형성된 레지스트패턴의 한계해상도는 120㎚의 라인앤드스페이스패턴이 1:1로 형성되었다. 그때의 노광시간(감도)를 mJ/㎠(에너지밀도)단위로 측정하였던 바, 17.0mJ/㎠이며, 상기 120㎚의 라인앤드스페이스의 패턴형상은 수직성에 뛰어나 있고 양호한 레지스트패턴을 얻게 되었다.
이 레지스트패턴에 대해서는 막의 박리는 확인되지 않고, 양호한 밀착성을 표시하였다. 130㎚의 라인앤드스페이스패턴의 초점심도폭은 0.6㎛였다. 막감소량을 구했던 바, 144㎚이며, 라인에지라프네스량은 8.5였다.
실시예 2
실시예 1에 있어서의 (A)성분의 공중합체를,
(ⅳ) 식
로 나타내게 되는 모노머단위 65몰％
(ⅴ) 식
로 나타내게 되는 모노머단위 25몰％ 및
(ⅵ) 식
로 나타내게 되는 모노머단위 10몰％로 이루어지고, 질량평균분자량 10,000의 공중합체로 치환한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 포지티브형 레지스트조성물을 조제했다. 이어서, 이 레지스트용액을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 해서 레지스트패턴을 형성시켰다.
이와 같이 해서 얻은 레지스트패턴에 대해서는, 실시예 1과 마찬가지로 120㎚의 라인앤드스페이스패턴은 수직성에 뛰어난 양호한 단면형상으로 형성되고, 감도는 16mJ/㎠이며, 막박리는 확인되지 않고, 양호한 밀착성을 표시하였다. 130㎚의 라인앤드스페이스패턴의 초점심도폭은 0.6㎛, 막감소량은 148㎚, 라인에지라프네스량은 7.1였다.
비교예 1
실시예 1에 있어서의 (A)성분의 공중합체를 식
로 나타내게 되는 모노머단위 60몰％ 및 식
로 나타내게 되는 모노머단위 40몰％로 이루어진, 질량평균분자량 14,000의 공중합체로 치환한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 포지티브형 레지스트조성물의 용액을 조제했다. 이어서, 이 레지스트용액을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 해서 레지스트패턴을 형성시켰다.
이와 같이 해서 얻은 레지스트패턴에 대해서는, 130㎚의 라인앤드스페이스패턴이 T자 형상의 단면형상으로 형성되고, 감도는 18mJ/㎠이었다. 막박리는 없고, 밀착성은 양호하였다. 130㎚의 라인앤드스페이스패턴의 초점심도폭은 0.4㎛, 막감소량은 139㎚, 라인에지라프네스량은 18.2였다.
비교예 2
(A)성분으로서, 실시예 1에 있어서의 (ⅰ) 모노머단위 60몰％, (ⅱ) 모노머단위 30몰％ 및 메타크릴산단위 10몰％로 이루어진, 질량평균분자량 10,000의 공중합체를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 해서 포지티브형 레지스트조성물을 조제하고, 이것을 사용해서 레지스트패턴을 형성시켰다.
이와 같이 해서 얻은 레지스트패턴에 대해서는, 120㎚의 라인앤드스페이스패턴이 직4각형단면으로 형성되고, 감도는 21mJ/㎠이었다. 막박리는 없고, 밀착성은 양호하였다. 130㎚의 라인앤드스페이스패턴의 초점심도폭은 0.6㎛, 막감소량은 140㎚, 라인에지라프네스량은 10.6이었다.
비교예 3
비교예 2에 있어서의 (A)성분의 메타크릴산단위가, 메타크릴산에틸단위로 치환된, 질량평균분자량 10,000의 공중합체를 (A)성분으로 사용하여, 비교예 2와 마찬가지로 해서 포지티브형 레지스트조성물을 조제하고, 이것을 사용해서 레지스트패턴을 형성시켰다.
이와 같이 해서 얻은 레지스트패턴에 대해서는, 120㎚의 라인앤드스페이스패턴이 직4각형 단면형상으로 형성되고, 감도는 18mJ/㎠이었다. 막의 박리는 없으며, 밀착성은 양호하였다. 130㎚의 라인앤드스페이스패턴의 초점심도폭은 0.6㎛, 막감소량은 142㎚, 라인에지라프네스량은 10.0이었다.
고해상도이며 뛰어난 내드라이에칭성 및 기판과의 밀착성을 가지고, 또한 라인에지라프네스가 개선된 양호한 형상의 레지스트패턴을 부여하는 화학증폭형 포지티브형 레지스트조성물을 제공할 수 있다.

Claims (10)

  1. (A) 산의 작용에 의해 알칼리수용액에 대한 용해성이 증대하는 수지성분, (B) 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 산발생제 성분 및 (C) 유기용제를 함유하는 포지티브형 레지스트조성물에 있어서, (A) 성분으로서, 주쇄(主鎖)를 구성하는 모너머단위(a1)가 용해억제기를 가지는 아크릴산에스테르 또는 메타크릴산에스테르단위, (a2)아크릴산 또는 메타크릴산과 락톤환함유 가교형 포화다환식 알콜과의 에스테르로부터 유도되는 모노머단위 및(a3) 아크릴산 또는 메타크릴산과 히드록실기, 알콕실기 또는 아실기로 취환된 직쇄상 알콜과의 에스테르로부터 유도되는 모노머단위로 구성된 공중합체를 사용한 것을 특징으로 하는 화학증폭형 포지티브형 레지스트조성물
  2. 제 1항에 있어서, 수지성분(A)가, (a1) 용해억제기를 가지는 아크릴산에스테르 또는 메타크릴산에스테르단위, (a2) 일반식
    (식 중의 R은 수소원자 또는 메틸기, m은 0 또는 1이다)
    로 나타내게 되는 모노머단위 및(a3) 일반식
    (식 중의 R은 상기와 동일한 의미를 가지며, Y는 히드록실기, 알콕실기 또는 아실기, n은 2-18의 정수이다)
    로 나타내게 되는 모노머단위를 함유하는 공중합체인 화학증폭형 포지티브형 레지스트조성물.
  3. 제 2항에 있어서, 수지성분 (A)중의 용해억제기를 가지는 아크릴산에스테르또는 메타크릴산에스테르단위(a1)이, 일반식
    (식 중의 R은 수소원자 또는 메틸기, R'는 탄소원자수 1∼4의 알킬기이다)로 나타내게 되는 단위인 화학증폭형 포지티브형 레지스트조성물.
  4. 제 1항에 있어서, 수지성분(A)가 모노머단위(a1) 40∼80몰％, 모노머단위(a2) 10∼40몰％, 모노머단위(a3) 5∼20몰％로 이루어진 공중합체인 화학증폭형 포지티브형 레지스트조성물.
  5. 제 2항에 있어서, 모노머단위(a2)가, 일반식
    (식 중의 R은 수소원자 또는 메틸기이다)
    로 나타내게 되는 단위인 화학증폭형 포지티브형 레지스트조성물.
  6. 제 5항에 있어서, 모노머단위(a2)가, 식
    로 나타내게 되는 단위인 화학증폭형 포지티브형 레지스트조성물.
  7. 제 2항에 있어서, 수지성분(A) 속의 모노머단위(a2)가, 일반식
    (식 중의 R은 수소원자 또는 메틸기이다)
    로 나타내게 되는 단위인 화학증폭형 포지티브형 레지스트조성물.
  8. 제 1항에 있어서, 산발생제 성분(B)가, 불소화알킬술폰산 이온을 음이온으로 하는 오늄염인 화학증폭형 포지티브형 레지스트조성물.
  9. 제 1항에 있어서, 수지성분(A) 100중량부 당, 제 2급 및 제 3급의 저급지방족 아민을 0.01∼0.2 중량부 함유하는 화학증폭형 포지티브형 레지스트조성물.
  10. 제 1항에 있어서, 유기용제가 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 락트산에틸 또는 그들의 조합과 γ-부티로락톤과의 혼합용제인 화학증폭형 포지티브형 레지스트조성물.
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