TW574624B

TW574624B - Positive-working resist composition

Info

Publication number: TW574624B
Application number: TW90128701A
Authority: TW
Inventors: Takeshi Iwai; Hideo Hada; Satoshi Fujimura
Original assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date: 2000-11-27
Filing date: 2001-11-20
Publication date: 2004-02-01
Also published as: JP4441104B2; US20020102492A1; KR100484483B1; KR20020041310A; JP2002162745A; US6759176B2

Description

574624 A7 _ B7 五、發明説明（1 ) 發明背景本發明係有關正型光阻組成物，更詳言之，係有關對波長2 〇〇奈米以下之活性光，特以對A r F準分子雷射高度透明，且可形成具高解析度，而光阻圖型剖面形狀、耐乾式蝕刻性及與基板之密合性優之光阻圖型，且線緣粗度改善之化學增幅型正型光阻組成物。目前化學增幅型光阻之基材樹脂成分，係用對K r F 準分子雷射（2 4 8奈米）高度透明之聚羥基苯乙烯，或其羥基經酸解離性之溶解抑制基取代者。然而至今半導體元件愈加微細化，使用A r F準分子雷射（1 9 3奈米）之製程已見全心全力投入開發。使用A r F準分子雷射（1 9 3奈米）之製程中，如聚羥基苯乙烯之含苯環樹脂，對該光有透明性不足之缺點。爲克服該缺點，向來多有以主鏈係酯部具金剛烷骨架之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯所衍生之單元的樹脂（以下簡稱「丙烯酸酯樹脂」）作爲不含苯環而耐乾式蝕刻性優之樹脂的提議（日本專利第2 8 8 1 9 6 9號、特開平5 - 3 經濟部智慈財產局S工消費合作社印製 46668號、特開平7 — 23451 1號、特開平9 — 7 3 1 7 3號、特開平9 — 9 0 6 3 7號、特開平1 ο- ΐ 6 1 3 1 3 號、特開平 1 0 — 3 1 9 5 9 5 號、特開平一 11 — 12326 號等）。使用這些丙烯酸酯樹脂之正型光阻組成物，可用 2 . 3 8質量％之氫氧化四甲銨水溶液標準顯像液顯像，可得對A r F準分子雷射之透明度，耐乾式蝕刻性及對基本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 574624 A7 B7 五、發明説明（2 ) 板之密合性可滿足至某程度之結果。然而，現今之半導體元件領域中，有更微細之圖型要求，已有對1 5 0奈米以下或1 0 0奈米附近之解析度的要求，對於如此之要求，上述效果尙非完滿。爲得形成良好之此種高解析度光阻圖型，有光阻膜更薄（從以往之約5 0 0奈米至今所要求的3 0 0至4 0 0 奈米）及基材樹脂中含酸解離性溶解抑制基之丙烯酸酯單元部份（例如甲基丙烯酸2 -甲基金剛酯單元）更大等之必要。然而，膜若變薄因乾式蝕刻時膜減量相對較高，有必要更加提升耐乾式蝕刻性，而若含酸酸解離性溶解抑制基之丙烯酸酯單元部份增大則疏水性變大，即產生與基板之密合性惡化之問題。光阻圖型變細時，形狀良好之光阻圖型愈難以形成。，經濟部智慧財產局員工消費合作社印製因此，隨解析度之提高，以及耐乾式蝕刻性及與基板密合性之提升，亦已有可得良好光阻圖型之要求。爲滿足如此要求，有含具內酯環橋式飽和多環烴基之（甲基）丙烯酸酯單元，具酸分解性基或羧基之橋式多環烴基之（甲基）丙烯酸酯單元，及（甲基）丙烯酸酯或（甲基）丙烯酸酯單元所構成，重均分子量2000至200000之共聚物之化學增幅型光阻組成物之提議（特開2 0 0 〇 -2 6 4 4 6 號）。直至最近，如A r F光阻，當目標半導體設計準則愈趨微細，除上述要求以外，線緣粗度（L E R )即線條外本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5- 574624 A7 B7 五、發明説明（3 ) 緣有不勻凹凸、精度變差，而蝕刻時表面微小粗糙導致弊害之防止已係重要課題，亟待解決。發明槪要本發明之目的在提供可得具高解析度、優良耐乾式蝕刻性及與基板之密合性，且線緣粗度改善之形狀良好光阻圖型之化學增幅型型光阻組成物。本發明人等對A r F光阻-再加以種種硏究，發現倂用酸產生劑，而經酸之作用鹼之溶解性增大之樹脂成分採用含具內酯環橋式飽和多環烴基之丙烯酸或甲基丙烯酸單元，有經羥基、烷氧基或酰基取代之直鏈烷基之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯單元之共聚物，可明顯改善耐乾式鈾刻性、與基板之密合性及線緣粗度，並其於該見解完成本發明〇亦即，本發明係在提供一種化學增幅型正型光阻組成物，含（A )經酸之作用鹼水溶液之溶解性增大之樹脂成分，（B )經放射線之照射產生酸之酸產生劑成分，及（ C )有機溶劑，其特徵爲：（A )成分係主鏈之單體單元爲（a 1 )具溶解抑制基之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯單元，（a 2)丙烯酸或甲基丙烯酸與具內酯環橋式飽和多環醇之酯所衍生之單體單元，及（a 3 )丙烯酸或甲基丙烯酸與經羥基、烷氧基或酰基取代之直鏈醇之酯所衍生之單體單元‘之共聚物。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 -6- 574624 A7 B7 五、發明説明（4 ) 發明之實施形態本發明之組成物中，樹脂成分（A )必須係經酸之作用，鹼水溶液之溶解性增大之樹脂，如此之樹脂有例如，主鏈有具溶解抑制基之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯所衍生之單體單元，酯基可經酸解離之聚合物或共聚物。在此，主鏈有具溶解抑制基之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯所衍生之單體單元之聚合物或共聚物，係有一般式

R

〇一 (式中R係氫原子或甲基）之單體單元所成之主鏈之聚合物或共聚物。經濟部智慈財產局員工消費合作社印製而可與其倂用之酸產生劑（B )其受紫外線之作用產生之酸須具加大鹼之溶解性之性質，如此性質係由於丙锦酸酯或甲基丙燒酸所衍生之單體單元中殘基之經基，因受酸解離性之溶解抑制基保護而不溶於礙。具如此單體單元之聚合物或共聚物，因酸產生劑（B )所產生的酸之作用，溶解抑制基脫離，鹼可溶性變動，結果光阻層之曝光部可溶於鹼，未曝光部依然不溶於鹼，形成正型光阻圖型。該溶解抑制基可適當選用目前化學增幅型正型光阻中之任一習知溶解抑制基。如此之溶解抑制基有例如，三級烷基、四氫吡喃基、四氫呋喃基之類的環醚基、1 -乙氧基乙基、1 —甲氧其本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 574624 A7 B7 五、發明説明（5 ) 丙基之類的烷氧基烷基、如r - 丁丙酯之^碳原子或石碳原子去除氫原子之內酯基時’以三級烷基爲特佳。該三級烷基有三級丁基、三級戊基等分枝院基’從2 -羥基一 3 -松莰酮之羥基去除氫原子之基’ 2 —甲基金剛基、2 —乙基金剛基、2 — (1 —金剛基）—2 -丙基、1-甲基環己基、1-乙基環己基等環狀三級烷基。亦可於（A )成分中有2種以上不同之溶解抑制基。該環狀三級烷基，其結合於丙烯酸酯之酯部份的煙基係單環或多環飽和烴基，其中2 -甲基金剛基、2 -乙基金剛基之類的2 -低級烷基金剛基，因可得耐乾式蝕刻性優良，解析度高之光阻圖型而爲較佳。具2 —（低級烷基）金剛基之丙烯酸酯單元可如一般式

(II) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再本頁) (式中R同上述，R /係碳原子數1至4之低級烷基）冥中R /之例有甲基、乙基、丙基及丁基，以甲基爲特佳本發明中，樹脂成分須含，酯部具內酯環橋式飽和多環烴基之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯所衍生之單體單元，及本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8- 574624 (Ill) A7 ΒΊ 五、發明説明（6 ) 有經羥基、烷氧基或酰基取代之直鏈烷基之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯所衍生之單體單元。亦即，本發明之正型光阻組成物中，樹脂成分（A ) 可用含例如（a 1 ) —般式 „ R 〇/X〇-R· (式中R同上述，R "係溶解抑制基）之單體單元，（a 2 ) —般式請閱讀背 \& 之注意事項

〇 W \)/ V τί 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 } 式 1 般或一 ο ) 係 3 m a > ( 述及上，同元 R 單中體式單 C 之 Η——c Η

R ,〇 C, 〇 Η c γ 基酰或基。氧物烷聚、共基之羥元係單 Y 體，單述之上} 同數 R 整中之式 8 至 2 係 η 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9- 574624 A7 B7 五、發明説明上述一般式（III)之單體單元（a 1 CH, ' 係以例如

I V 之單元爲較佳。上述一般式（I V )之單體單元（a 2 )例如m爲〇時係以式之單元爲較佳，或m係1時係以式

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}

-訂

經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 / ) 之單元爲較佳。上述一般式（V)之單體單元（a 3 )係以η爲2至 1 8，一（CH2) η -爲直鏈烯基爲較佳。係爲直鏈應有利於改善L E R (線緣粗度）。如此之單體單元（a 3)中之—（C Η 2) η - Υ之具體例有，羥乙基、羥丙基、2 -甲氧基乙基、2 -乙氧基乙基、2 -乙酰基乙基等。而本發明中樹脂成分（Α)之重均分子量在5 0 00至20000，以8000至 1 5〇〇〇爲佳。 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐) " -10- 574624 A7 B7 五、發明説明（8 ) 口4卓脸卑兀（a 2)係以在樹脂成分（A)中含至少 1 ◦莫耳％爲佳。本發明中特以一般式（I I )之單體單元（a 1)占40至80莫耳％，較佳者爲5 0至75莫耳％，一般式（I V)之單體單元（a 2 )占1 〇至4 0 莫耳％，較佳者爲2 〇至3 5莫耳％，一般式（v)之單體單元（a 3 )占5至2 0莫耳％，較佳者爲7至1 5莫耳％所成之共聚物，適於形成具高解析度、優良耐乾式蝕刻性及與基板之密合性，且線緣粗度改善之光阻圖型。使一般式（I I)及（IV)之單體單元合計占50 莫耳％以上，較佳者爲8 0至9 0莫耳％之範圍，尙具有可使所形成之光阻膜表面較平滑之效果。本發明組成物中，該樹脂成分（A )可隨所需，將形成上述各單體單元之單體具有目前化學增幅型正型光阻之已知耐乾式蝕刻性提升基、酸不解離之溶解抑制基之丙烯酸衍生物、甲基丙烯酸衍生物、丙烯酸、甲基丙烯酸、馬來酸、富馬酸等用以達到鹼可溶性之含乙烯性雙鍵之羧酸、用於製造壓克力樹脂之已知單體等，適當組合共聚後使用。上述丙烯酸衍生物有例如，丙烯酸1 -金剛酯、丙烯酸2 -金剛酯、丙烯酸環己酯、丙烯酸萘酯、丙烯酸苯甲酯、丙烯酸3 -酮基環己酯、丙烯酸雙環〔2 · 2 · 1〕庚酯、丙烯酸三環癸酯、丙烯酸與萜烯醇之酯、丙烯酸與 3 -溴丙酮之酯等羧基之羥基以耐乾式蝕刻性提升基、酸不解離之溶解抑制基保護之丙烯酸酯等。甲基丙嫌酸則有本紙張尺度適用中國國家標導（CNS ) A4規格（210X297公釐）請先閱讀背 1¾ 之注意事項再

頁經濟部智慈財產局8工消費合作社印製 -11 - 574624 A7 ____B7_ 五、發明説明（9 ) 對應於這些丙烯酸衍生物之甲基丙烯酸衍生物等。含乙烯性雙鍵之羧酸有例如，丙烯酸、甲基丙烯酸、馬來酸、富馬酸等。用於製造壓克力樹脂之已知單體有例如，丙烯酸甲酯、丙燦酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸正丁酯 '丙烯酸異丁酯、丙烯酸正己酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸正己酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸2 -乙基己酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸2 -羥基乙酯、丙烯酸2 -羥基丙酯等丙烯酸烷酯及對應之甲基丙烯酸烷酯等。樹脂成分（A )可將相當之丙烯酸酯單體用偶氮雙異丁腈（A I B N )之類的自由基聚合啓始劑，經習知自由基聚合簡便製造。另一方面，本發明組成物中，經曝光產生酸之酸產生劑成份（B )，可適當選用以往化學增幅型光阻中任一習知酸產生劑。該酸產生劑之例有三氟甲磺酸二苯銚、三氟甲磺酸（4 一甲氧基苯基）苯銚、三氟甲磺酸雙（4 一三級丁基苯基）銚、三氟甲磺酸三苯銃、三氟甲磺酸（4 -甲氧基苯基）二苯銃、三氟甲磺酸（4 -三級丁基苯基）二苯毓、九氟丁磺酸二苯鎭、九氟丁磺酸雙（4 -三級丁基苯基）銚、九氟丁磺酸三苯銃等鏺鹽，其中以陰離子系氟化烷基磺酸根之鑰鹽爲佳。該酸產生劑成分（B )，可單獨使用，亦可2種以上組合使用。其對樹脂成分（A ) 1 0 0質量份之配合量係以0 . 5至3 0質量份，以1至1 0質量份爲較佳。該配本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）請先閱讀背之注意事項再

頁經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 -12- 574624 A7 B7 ___ 五、發明説明（10 ) 合量不及0 · 5質量份則難以形成圖型，超過3 0質量份則難以均勻溶解，降低保存安定性。 (請先閱讀背面之注意事碩再填寫本頁) 本發明組成物係將上述樹脂成分（A )及酸產生劑成份（B )溶解於有機溶劑（C )成溶液使用。此時所用之有機溶劑，若能溶解上述二成分成均勻溶液即可，可適當選用1種或2種以上任意的以往化學增幅型光阻之已知溶如此的有機溶劑有例如，丙酮、丁酮、環己酮、甲基異戊基酮、2 -庚酮等酮類，乙二醇、乙二醇單醋酸酯、二乙二醇、二乙二醇單醋酸酯、丙二醇、丙二醇單醋酸酯、二丙二醇、或二丙二醇單醋酸酯之單甲醚' 單乙醚、單丙醚、單丁醚或單苯醚等多元醇類及其衍生物，二噁烷之類的環醚類，乳酸甲酯、乳酸乙酯、醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丁酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、甲氧基丙烯甲酯、乙氧基丙酸乙酯等酯類。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本發明組成物中之有機溶劑，特以丙二醇單甲醚醋酸酯及/或乳酸乙酯與7 -丁內酯混合溶劑爲佳。此時混合比例，前者與後者之質量比係選在70:30至95:5 之範圍。本發明組成物中，爲提升光阻圖型形狀、塗膜時間安定性等，必要時可含二級低級脂族胺、三級低級脂族胺。該二級、三級胺有例如，三甲胺、三乙胺、三乙胺、二正丙胺、三正丙胺、三戊胺、二乙醇胺、三乙醇胺等。這些可單獨使用，亦可組合2種以上使用。這些胺對樹脂成分本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐） -13- 24 6 74 5 A7 __B7 五、發明説明（11 ) (A)通常係用〇 · 〇1至〇 . 2質量％。 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明組成物中，可於必要時更添加具可混性之添加劑，例如用以改良光阻膜性能之附加樹脂，用以提升塗布性之界面活性劑，溶解抑製劑、可塑劑、安定劑、著色劑、抗光暈劑等。本發明組成物之使用方法，可係習知光阻技術之光阻圖型形成方法，適當方法係先將該光阻組成物溶液以旋塗機等塗布於矽晶圓之類的支承體上，乾燥形成感光層，以例如A r F曝光裝置等，透過所欲之光罩圖型以A r F準分子雷射照射，加熱。再用例如0 · 1至1 〇質量％氫氧化四甲銨水溶液之鹼顯像液作顯像處理。如此即可得光罩圖型之忠實圖型。本發明組成物於A r F準分子雷射尤其有用，而對較短波長之F 2雷射、E U V極紫外線）、V U V (真空紫外線）、電子束、X線、軟X線等射線亦有效。經濟部智慧財產局8工消費合作社印製本發明組成物係化學增幅型，對波長2 0 0奈米以下之活化光，尤以A r F準分子雷射透明度高，並且高解析度，同時可得具良好光阻圖型形狀及改善之線緣粗度，耐乾式蝕刻性及與基板之密合性優之光阻圖型。因此，適用作以A r F準分子雷射爲光源之化學增幅型正型光阻，製造需經超微細加工之半導體元件等。以下用實施例更詳細說明本發明。各例中之線緣粗度値及耐乾式蝕刻性係依以下方法量測。 (1 )線緣粗度値；以測長S E Μ (日立製作所製，S — 本紙張尺度適用中國國家標準（CN’S ) Α4規格（210X29*7公釐） -14 - 574624 A7 tw 五、發明説明（12 ) 9 2 2 0型）於光阻圖型試樣之3 2處量測，由結果計算標準差（C7 )之三倍値（3 σ )。該3 CT愈小粗度愈小，可得寬度均勻之光阻圖型。 (2 )耐乾式蝕刻性；用四氟甲烷（C F 4 )、三氟甲烷（ HCF3)及氦之混合氣體（流量比30 : 30 : 1〇〇) 作蝕刻氣體，以蝕刻裝置（東京應化工業公司製，〇A P Μ — 2 4 0 0型）處理，量測膜減量以作評估。實施例1 (i )式

經濟部智慈財產局員工消費合作社印製之單體單元60莫耳％，（Π)式

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐） -15- 574624 ΑΊ Β7 五、發明説明（13 ) 之單體單亓q n苴甘n 兀3 0旲耳％及（iii)式 CH, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、丨 'pH2C——C + 〇一C——0—CH2CH2〇：h 之單體單兀10莫耳％所成，重均分子量1〇，〇〇〇之共聚物〔（A)成分〕1〇〇質量份，三氟甲烷酸三苯統〔（B)成分〕0 _ 2重量份，九氟丁磺酸三苯锍2 · 0 質重份及三乙醇胺〇 · 2質量份溶解於丙二醇單甲醚 8 0 0質量份，調製正型光阻組成物溶液。用旋塗機塗布該光阻溶液於設有厚8 2奈米有機反射防止膜（用SHIPLY公司製，AR_19)之矽晶圓上，在熱板上於

1 4 0 °C (預烤）乾燥9 〇秒，成厚3 6 0奈米之光阻層。其次，用ArF曝光裝置（NIKON公司製，NSR — S 302A型，NA = 〇 · 6)以ArF準分子雷射作圖型照射後，於1 3 0 °C加熱（P E B ) 9 0秒。再以經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 2 · 3 8質量％之氫氧化四甲銨水溶液於3 0秒浸置顯像，水洗3 0秒並乾燥。如此形成之光阻圖型係臨界解析度1 2 0奈米之1 : 1線條及間隔。其曝光時間（歸敏度）爲1 7 · 〇毫焦耳 /平方公分（能量密度）。得形狀垂直性優良之1 2 0奈米線條及間隔光阻圖型。該光阻圖型無可見之膜剝離，密合性佳。1 3 0奈米本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -16- 574624 A7 B7 五、發明説明（14 ) 微米。膜減量1 4 4 線條及間隔圖型之焦點深度寬奈米，線緣粗度値8 . 5。實施例2 除實施例1中（A )成分共聚物以（iv)式 (iv)式 CH^ —^H2C—C- 〇=C——〇

經濟部智慧財產局肖工消費合作社印製之單體單元6 5莫耳％，（ V)式

〇之單體單元2 5莫耳％及（vi)式 CH- +H2C—〒+ 0=：c —0—CH2CK2〇C2Hc 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2】0X 297公釐） -17- 574624 A7 B7 五、發明説明（15 ) 之單體單元1 0莫耳％所成，重均分子量1 〇，〇〇〇之共聚物取代以外，如同實施例1調製正型光阻組成物。其次用該光阻溶液如同實施例1形成光阻圖型。如此形成之光阻圖型如同實施例1 ，1 2 0奈米線條及間隔光阻圖型垂直性優，剖面形狀良好。歸敏度爲1 6 毫焦耳/平方公分，無可見之膜剝離，密合性佳。1 3 〇奈米線條及間隔圖型之焦點深度寬〇 · 6微米，膜減量 1 4 8奈米，線條粗度値7 . 1。比較例1 除實施例1中（A )成分共聚物以式

之單體單元6 0莫耳％及式 ---------------— ch3 -(~h2c—j：+ O—C—ο 〇本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）請先閱讀背面之注事項存

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

Ο-—c \\ -18- 2 6 74 5 kl ---— _____B7 五、發明説明（16 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 之單體單元4 〇莫耳％所成，重均分子量1 4，0 0 0之共聚物取代以外’如同實施例1調製正型光阻組成物溶液。然後用該光阻溶液如同實施例1形成光阻圖型。如此形成之光阻圖型，1 3 〇奈米線條及間隔光阻圖型剖面形狀呈丁字形，歸敏度1 8毫焦耳/平方公分。無膜剝離’密合性佳。1 3 〇奈米線條及間隔圖型之焦點深度寬0 · 4微米，膜減量1 3 9奈米，線緣粗度値 18.2° 比較例2 (A)成分用實施例1中（丨）單體單元6 〇莫耳％ ’ （Π)單體單元3 0莫耳％及甲基丙烯酸單元10莫耳％所成，重均分子量1 〇，〇〇〇之共聚物，如同實施例1 調製正型光阻組成物，以之形成光阻圖型。經濟部智慧財產局8工消費合作社印製如此形成之光阻圖型，1 2 0奈米線條及間隔呈矩形剖面，歸敏度爲2 1毫焦耳/平方公分。無膜剝離，密合性佳。1 3 0奈米線條及間隔圖型之焦點深度寬〇 · 6微米，膜減量1 4 0奈米，線緣粗度値1 0 · 6 ° 比較例3 比較例2中（A )成分用甲基丙烯酸單元改爲甲基丙烯酸乙酯單元，重均分子量1 〇，0 0 0之共聚物’如同比較例之調製正型光阻組成物，以之形成光阻圖型° 如此形成之光阻圖型，1 2 0奈米線條及間隔呈矩形 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2⑴χ 297公釐） 24 674 A7 B7 五、發明説明（17 ) 剖面，歸敏度爲1 8毫焦耳/平方公分。無膜剝離，密合性佳。1 3 0奈米線條及間隔圖型之焦點深度寬0 . 6微米，膜減量1 4 2奈米，線緣粗度値1 0 . 0。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) »11 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -20-

Claims

574624 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (式中R同上，Y係羥基、烷氧基或醯基，η係2至1 8 之整數）之單體單元之共聚物。 3 ·如申請專利範圍第2項之化學增幅型正型光阻組成物’其中樹脂成分（A )之有溶解抑制基之丙烯酸酯或甲基丙燃酸酯單元（a 1 )，係一般式 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 十

基烷之 4 至 1—1 數子原碳係 R 基甲或子原氫係 C R 元中單式之第圍範利分專成請脂申樹如中 •其 4 ，物成 A 之項 963 耳 a 莫C ο 元 8 單單係％ -(a耳莫一兀01 單 2 組阻光至型 ο 正 4 型} 幅 ^* 增 a 學C 化元 SB 單 % 耳莫 ο 4 至 ο 2 物聚共之經濟部智慧財產局員工消費合作社印製組阻光型正型幅增、學式化般之I 項係 2 第> 圍範利元專單請1 申單如中 .其 5 ，物成

3 2 本紙張尺度l 見Η) X 297公釐）~ 〇 -22- 574624 A8 B8 C8 D8 「、申讀專利範圍 (式中R係氫原子或甲基）之單元。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 6 .如申請專利範圍第5項之化學增幅型正型光阻組成物，其中單體單元（a 2 )係一般式

之單元。 7 .如申請專利範圍第2項之化學增幅型正型光阻組成物，其中樹脂成分（A)之單體單元（a 2)係一般式 TR

C 〇〇經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (式中R係氫原子或甲基）之單元。 8 .如申請專利範圍第1項之化學增幅型正型光阻組成物，其中樹脂成分（ A )每1 0 0重量份含二級或三級本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 23- 574624 A8 B8 C8 ____ D8 々、申讀淳利範圍低級脂族胺〇 · 〇 1至〇 · 2重量份。 9 ·如申請專利範圍第1項之化學增幅型正型光阻組成物，其中有機溶劑係丙二醇單甲醚醋酸酯、乳酸乙酯及丙二醇單院酸所選出之1種或2種以上之混合混劑或其與 r 一丁內酯之混合溶劑。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -24- 中請曰期 1 1^1 J --年月 20曰案號 90128701 颠別祕 Π/oSf (以上各欄由本局填註）

C4 574624 $1 專利説明書正型光阻組成物中文發明新型名稱英文 POSITIVE-WORKING RESIST COMPOSITION 姓名國籍 (1) 岩井武 (2) 羽田英夫 (3) 藤村悟史 (1)日本國神奈川縣相模原市南橋本一丁目四一二五一三〇八裝發明創作Λ 住、居所 0 日本國神奈川縣平塚市御殿一丁目一九-三八 (3)日本國神奈川縣茅崎市今宿五一六-五訂姓名 (名稱） (1)東京應化工業股份有限公司東京応化工業株式会社經濟部丛 »1 工 ·;« 合 ί·上印 % 申诗人住，居所 (事務所）代表人姓名 (1)日本 (1)日本國神奈川縣川崎市中原區中九子一五〇番地 (1)橫田晃本紙法尺及迻用中·皁（CNS· ) AUUM 210 X 297H )

(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 · 一種化學增幅型正型光阻組成物，含（A ) _ M 之作用鹼水溶液之溶解性增大之樹脂成分，（B > & m 烷基磺酸離子爲陰離子所得鏺鹽之酸產生劑成分及（c } 有機溶劑，其特徵爲：（A )成分係主鏈之單體單元爲（ a 1 )有溶解抑制基之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯單元，（ a 2 )丙烯酸或甲基丙烯酸與含內酯環之橋式飽和多環醇之酯所衍生之單體單元，及（a 3 )丙烯酸或甲基丙烯酸與經羥基、烷氧基或醯基取代之直鏈醇之酯所衍生之單體單元之共聚物。 2 .如申請專利範圍第1項之化學增幅型光阻組成物，其中樹脂成分（A )係含（a 1 )有溶解抑制基之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯單元，（a2)—般式

〇 \\ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (式中R係氫原子或甲基，m係0或1 ) 之單體單元及（a3) —般式

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -21 -