KR20020032542A

KR20020032542A - 디프드로잉 또는 아이어닝 가공 가능한 고급 냉연스트립의 제조 방법 및 바람직하게는 원통 용기, 특히전지용 용기의 제조를 위한 냉연 스트립

Info

Publication number: KR20020032542A
Application number: KR1020027001334A
Authority: KR
Inventors: 칼프리드 파이펜브링; 한스-귄테르 스타인만; 페르디난드 슈미트; 베르너 올베르딩; 마르셀 세바스티안 루바르트
Original assignee: 추후기재; 힐레 운트 뮐러 게엠베하
Priority date: 1999-08-06
Filing date: 2000-08-03
Publication date: 2002-05-03
Also published as: DE19937271C2; DE19937271A1; EP1200647B1; AU6991800A; CN1364205A; WO2001011114A1; DE50008141D1; EP1200647A1; US6982011B1; JP2003525346A; CN1188551C

Abstract

0.5 중량 % 미만의 탄소 함량을 가진 디프드로잉 또는 아이어닝 가공 가능한고급 냉연 스트립을 제조하는 방법이 추천되어 있다. 또한 디프드로잉 또는 아이어닝 가공에 의해 바람직하게는 원통형 용기, 특히 전지 케이스를 제조하기 위한 상기 방법에 의해 제조될 수 있는 냉연 스트립도 추천되어 있다. 냉간 압연율 30 내지 95%로 냉간 압연된 스트립이 작열노 내에서의 열처리 및 양 스트립 표면 중의 적어도 한 표면에 있어 바람직하게는 전해 피복 처리를 받는다. 이어링 발생 경향이 낮으면서 조직 결이 적은 등방성 강 스트립을 얻기 위해 일회 또는 수회에서 생성된 피복층이 원소 니켈/코발트/철/비스무트/인듐/팔라듐/금/아연 또는 그들의 합금을 포함하며, 열 처리는, 연속으로 작동하는 스트립 작열노 내에서, 오스테나이트 영역(γ 영역)까지의 경계 온도 이상의 온도에서, 피복 전 또는 후에 행해지는 작열에 의해 행해진다.

Description

디프드로잉 또는 아이어닝 가공 가능한 고급 냉연 스트립의 제조 방법 및 바람직하게는 원통 용기, 특히 전지용 용기의 제조를 위한 냉연 스트립{METHOD FOR PRODUCING IMPROVED COLD ROLLED STRIP THAT IS CAPABLE OF BEING DEEP DRAWN OR IRONED, AND COLD ROLLED STRIP, PREFERABLY USED FOR PRODUCING CYLINDRICAL CONTAINERS AND, IN PARTICULAR, BATTERY CONTAINERS}

EP 0 809 307 A2로부터 니켈 또는 니켈 합금으로 된 전해적으로 피복되는 층을 배치할 냉연 스트립이 알려져 있다. 이 방법 수행의 요점은 다중으로 순차로 행해지는 작열 공정으로서, 니켈 피복된 강 스트립을 먼저 640℃, 즉 강의 재결정 온도에서 작열시키고, 그런 뒤 같은 온도에서의 추가의 작열 공정이 이어지고 끝으로 450℃의 노 온도에서 추가 열처리를 행한다. 그러나 스트립의 순차적으로 행해지는 작열 과정들의 결과 조직 입자의 배치와 형태가 변한다. EP 0 809 307 A2에 의한 방법에 있어서는 니켈 함유 전해층을 적당히 선정함에 의해, 스트립을 전지 케이스를 디프드로잉 또는 아이어닝 가공하는데 이용할 때 두 스트립 표면 중 딱딱한 표면이 나중에 전지 케이스의 내측면을 형성하고 한편 니켈 합금화에 의해 개선된 낮은 경도의 스트립 표면은 나중에 전지 케이스의 외측면을 형성할 수 있게 하려고 노력이 집중되고 있다.

DE 37 26 518 C2에는 스트립이 580 내지 710℃의 온도에서 열처리를 받게 함에 의해 니켈 및 코발트가 포함된 냉연 스트립을 제조하는 방법이 기재되어 있다. 여기에 이용되는 0.07 중량% 이하의 탄소 함량을 가진 냉연 스트립을 산세하고 냉간 압연하고 이어서 전해적으로 니켈 도금하고, 그런 뒤 580 내지 710℃의 노 온도에서 재결정 작열시킨다. 이어서 개선된 스트립의 재 압연 및 드레싱(마무리 가공)이 행해진다. 또한 전해 니켈 층 위에는 추가로 전해적으로 코발트 층이 형성되는데 이 층은 완성된 코발트 스트립의 부식 거동에 유리하게 작용한다. 그 위에 결정 조직으로 인해 확산 속도가 상승하는 것을 관찰될 수 있는데, 피복층 금속의 확산에 의한 강 스트립의 기본 재료 내로의 침투는 니켈-코발트-피복층이 수 단계 깊이 들어간 것에 해당하는 깊이를 나타낸다.

EP 0 629 009 B1에는 0.009 중량% 미만의 특히 낮은 탄소함량을 가진 이어링조직들이 적은 니켈 피복된 냉연 스트립이 기재되어 있다. 공정 및 일련의 개별 공정단계를 실시하기 위한 여러 선택적 방법들이 표시되어 있다. 그래서 니켈 피복 후 작열된 강 스트립을 두 번째로 작열하는 것이 기술되어 있는데 이렇게 하면 전체 공정에 대한 비용이 상승한다. 그 위에 냉연된 스트립을 먼저 작열하고 그런 후 처음으로 전해적으로 니켈 도금을 하고 여기에 후속하는 확산 작열은 하지 않는 것도 기재되어 있다. 연속적 작열 공정을 위해서는 600℃ 내지 900℃의 온도와 2 분의 작열 기간이 표시되어 있다.

본 발명은 냉간 압연율 30 내지 95%로 냉간 압연된 스트립이 작열노 내에서의 열처리 및 양 스트립 표면 중의 적어도 한 표면에 있어 바람직하게는 전해 피복 처리를 받는, 0.5 중량 % 미만의 탄소 함량을 가진 디프드로잉될 또는 아이어닝 가공 될 수 있는 고급 냉연 스트립을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 30 내지 95%의 냉간 압연율로 냉간 압연되고 0.5 중량% 미만의 탄소 함량을 가진 스트립 및 양 스트립 표면 중의 적어도 한 표면 위에 바람직하게는 전해적으로 형성되어 있는 피막층으로 구성된, 디프드로잉 또는 아이어닝 가공에 의해 바람직하게는 원통형 용기 및 특히 전지 용기를 제조하기 위한 냉연 스트립에도 관한 것이다.

본 발명의 목적은, 낮은 이어링 형성 경향을 가진, 결이 적은 등방성 강 스트립이 되는, 0.5 중량% 미만의 탄소 함량을 가진 디프드로잉 또는 아이어닝 가공(ironing) 될 수 있는 고급 강 스트립을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.

이 목적을 달성하기 위해서는, 서두에 언급한 종류의 방법에 있어서, 일회 또는 수회에서 생성된 피복층이 원소 니켈/코발트/철/비스무트/인듐/팔라듐/금/아연 또는 그들의 합금을 포함하며, 열 처리는 연속으로 작동하는 스트립 작열노 내에서 피복 전 또는 후에 행해지는 작열에 의해 페라이트/오스테나이트 2 상 영역(철/탄소계에서 α/γ 영역)으로부터 오스테나이트 영역(철/탄소계에서 γ 영역)까지의 경계 온도 이상의 온도에서 행해질 것이 제의된다.

γ 영역에의 경계를 2 회 통과하는 정규화 작열노 인해 강은 미립의, 균일한 조직 상태로 전환된다. 열간- 및 냉간 성형과 같은 얼마의 앞선 공정들 및 얼마의 열처리에 기인하는 모든 조직 및 물성 변화는 오스테나이트 영역(γ 영역)에의경계 온도 이상에서의 정규화 작열에 의해 없어진다. 그래서 비교적 작은 입자 구조를 가진 조직의 광범한 입자화가 일어나고, 이것이, 나중에 강 스트립을 예컨대 전지 케이스의 디프드로잉 또는 아이어닝에 사용할 때, 평면 이방성 Δr에 의해 표현되는 저하된 이어링을 야기한다. 구형 입자를 가진 달성된 입자 크기는 극도의 아이어닝 등급 제품에도 적합하여, 조절된 미세 조직은 제조된 아이어닝 부품의 균일하게 평활한 표면을 발생시킨다. 그 위에 연속노 내에서 정규화 작열에 의해 생성된 미립 조직은 고급 냉연강으로 된 아이어닝 부품의 내 부식성을 개선한다. 이의 원인은 기질의 작은 입자 크기로 인해 디프드로잉 또는 아이어닝 작업시 전해층에 있어 분명히 감소된 균열 경향이다.

2 회 조직 변환과 연관된 기계적 성질의 균등화 및 스트립 길이 및 -폭을 통한 조직 구성(결)의 완전한 변화는 또한 재결정화된 재료에 비한 강도 상승을 가져올 수 있다. 이것은 특히 예컨대 고속 작동 프레스에 의해 고속으로 수행되는 다단 인발- 및 아이어닝 조작시에 유리하다. 인장 강도가 원인인 협착 및 인열의 우려가 감소된다.

연속 작동 스트립 작열노 내에서 정규화 작열함에 의해 전해 도금된 냉연 스트립의 강도가 개선된 결과로 치수안정성이 개선되고 디프드로잉 부재의 이어링 조직이 감소하는데, 이것은 특히 전지 케이스 또는 유사한 회전 대칭 제품의 제조시 중요한 의미를 갖는다. 연속 조작되는 스트립 작열노 내에서의 본 발명에 따른 정규화 작열을 위해 필요한 온도는 사용된 스트립 재료의 탄소 함량에 의존한다. 최고 0.01 중량% C의 소위 탈탄 강에서는 최고 10 분의 처리 기간에서 작열 질/-목적의 950℃ 내지 1000℃의 작열 온도가 추구된다. 예컨대 0.3 중량%의 고탄소 부재에서는 작열 온도는 약 100℃ 낮지만 항상 여전히 철-/탄소계의 오스테나이트 범위 내에 위치한다.

본 발명에 의한 피복은 바람직하게는 전해적으로 수행되고, 그러나 경우에 따라서는 진공 증착도 가능하다. 두 방법에 의해 스트립의 피복도 다층 피복도 가능하다. 또한 예컨대 양면에서의 디프드로잉 비를 개선할 목적으로 인발 부재에 대해 상이한 기계적, 마찰적 및/또는 전기적 성질을 달성하기 위해, 스트립의 양면 위의 피복층은 상이할 수도 있다.

원소 니켈/코발트/철/비스무트/인듐/팔라듐/금/아연 또는 그들의 합금을 함유하는, 본 발명에 의해 추천되는 피복을 작열 전에 수행하면, 열 처리시 시작되어 깊게 강 스트립의 재료 내까지 도달하는 확산으로 인해 스트립 재료 위에는 피복물이 대단히 양호하게 부착할 수 있게 된다. 나중에 디프드로잉 또는 아이어닝에 의한 성형시 층의 박리는 배제된다. 오스테나이트 영역의 온도로 정규화 작열함에 의해 스트립 재료 위에 퇴적된 피복층은 무정형 퇴적 구조로부터 개선된 성형성을 특징으로 하는 구형 구조로 전환된다.

피복물이 강 스트립의 기본 재료 내로 적당한 침투 깊이로 확산 침투될 수 있도록 하기 위해서는, 작열 단계 전에 스트립의 피복을 행해야 한다. 이 방법의 추가의 양태에서는, 스트립의 제 1 피복층을 작열 전에 행하며, 작열 후 원소 니켈/코발트/철/비스무트/인듐/팔라듐/금/아연 또는 그들의 합금을 함유하는 추가의 피복층을 형성시킬 것이 추천된다.

디프드로잉 공정을 더욱 개선시키기 위해서는, 정규화 작열 후 스트립은 먼저 드레싱-압연 단계를 거쳐야 한다.

작열 처리 및 후압연에 이어지는 추가 피복은 전해조를 이용한 가운데 행해질 수 있는데, 그 전해조에는 얻어진 층의 경도 및 취성의 상승을 위해 유기 첨가제가 첨가된다. 본 발명에 따른 냉연 스트립으로 제조된 케이스를 나중에 인발 또는 아이어닝 가공할 때에 대단히 취성이 높은 피복층이 찢어지게 된다. 피복층이 있는 면은, 이 면이 디프드로잉 또는 아이어닝 가공시 지배하는 변형력에 노출될 때에는 언제나, 특히 낮은 전기적 접촉 저항을 나타내는데, 이것은 특히 알칼리성 전해질을 가진 전지의 제조시 이점이 된다. 그렇게 제조된 전지 케이스의 내면에는, 선행 기술에 비해, 전지의 양극 물질과 전지 케이스의 내표면 사이의 전기적 접촉 저항치가 낮아진다.

전해질 조에 상기한 첨가제를 첨가하면, 코발트 또는 코발트 합금으로 추가 피복할 때에 특히 이점이 있게된다.

또한 유기 첨가제를 함유하는 피복층 내에 전도도를 개선하기 위해 추가적으로 전기 전도성 입자를 매설하는 것도 가능하다.

첫 번째의, 따라서 작열 전에 형성되는 피복층 내에는 예컨대 탄소, 검댕, 흑연, TaS₂, TiS₂및/또는 MoSi₂로 된 전기 전도성 또는 전도 가능 입자들이 장입될 수 있다. 그런 장입물에 의해, 나중에 냉연 스트립을 전지 케이스의 제조에 이용할 때에 그의 전기적 천이 저항이 감소될 수 있다. 또한 이를 위해, 피복층에, 예컨대탄소, 검댕, 흑연, TaS₂, TiS₂및/또는 MoSi₂와 같은 전도성 입자를 함유하는 전해 분산외층을 배치하는 것도 가능하다. 전해 외층의 탄소 함량은 0.7 내지 15 중량%이어야 할 것이다. 전해조 내에 현탁되는 탄소로서는 첫째로 탄소로 된 미분 입자(흑연 또는 검댕)가 고려될 수 있다. 바람직하게는 입자 크기는 0.5 내지 15 ㎛이다.

전해 외층에 탄소가 균일하게 분포되도록 하기 위해서는 전해 과정이 진행하는 동안 전해조 내에 균일한 흐름이 발생하게 해야 한다. 바람직하게는 균일한 흐름을 달성하기 위해서는 전해조는 균일하게 순환(회전)된다. 6 내지 10 m/s의 전해질의 강제 흐름 속도가 특히 적합한 것으로 드러났다. 또한 탄소로 된 입자를 국부적 또는 시간적으로 농도 집중됨이 없이 균일히 분포시킬 수 있기 위해 전해조는 현탁 안정화 및/또는 응집 저하 물질을 함유할 수 있다.

위에 표시된 목적을 달성하기 위해 서두에 언급한 특징을 가진 냉연 스트립에 관해서는, 피복층은 원소 니켈/코발트/철/비스무트/인듐/팔라듐/금/아연 또는 그들의 합금을 포함하며, 스트립은 연속으로 작동하는 스트립 작열노 내에서 페라이트/오스테나이트 2 상 영역(α/γ 영역)으로부터 오스테나이트 영역(γ 영역)까지의 경계 온도 이상의 작열 온도에서 열처리 될 것이 추천된다.

끝으로 냉연 스트립은 제 1 피복층 위에 원소 니켈/코발트/철/비스무트/인듐/팔라듐/금/아연 또는 그들의 합금으로 된 추가 피복층을 포함할 것이 추천된다. 전해적 또는 진공 증착에 의해 형성되는 피복층으로서는 특히 다음이 고려될 수 있다:

코발트, 니켈/철, 니켈/코발트, 니켈/코발트/철, 코발트/철, 니켈/인듐, 철/인듐, 니켈/비스무트, 팔라듐, 팔라듐/니켈, 팔라듐/철, 팔라듐/코발트, 팔라듐/인듐 및 팔라듐/비스무트.

연속 작동 스트립 작열노 내에서 본 발명에 의한 냉연 스트립을 정규화 작열시키는데 필요한 온도는 사용된 스트립 재료의 탄소 함량에 의존한다. 최고 0.01 중량% C의 소위 탈탄강의 경우 최대 10 분의 처리 기간에서 작열 질 목적의 950℃ 내지 1000℃의 작열 온도가 추구된다. 예컨대 0.3 중량%의 높은 탄소 함량의 경우에는 작열 온도는 약 100℃ 낮지만 그래도 항상 Fe-/C-계의 오스테나이트 영역 내에 든다.

정규화 작열에 이어 바람직하게는 코발트 또는 코발트 합금으로 된 전해적 피복층에 의한 추가 피복이 행해질 수 있다. 전해조에는 유기 물질이 첨가된다. 전해 피복 중 전해질 내로 흐르는 전류로 인해 유기 첨가물은 분해 생성물로 분해된다. 그런 뒤 이들 분해 생성물은 전해질 조의 다른 내용 물질, 특히 금속 이온과 반응한다. 그렇게 하여 얻어진 반응 생성물은 경우에 따라서는 다른 분해 생성물과 함께 냉연 스트립 위에 코발트 또는 코발트 합금과 공동으로 침전하여 층을 현저하게 취성이 있게 한다. 황 함유 또는 탄소 함유 유기 물질의 경우 이들 반응 생성물은 예컨대 황화코발트 또는 탄화코발트일 수 있다.

전해질 내 유기 첨가제로서는 전해 니켈 도금으로부터 알려진 일차 및 이차 광택제가 적합하다. 그런 첨가제에 의한 전해 침강물은 결국 대단히 딱딱하고 동시에 취성이 높은 피복층이 되며, 그럼으로써 이 층 물질은 나중 디프드로잉 또는 아이어닝 가공에 의한 성형시 강한 균열 형성의 경향을 갖고 그럼으로써 내부 주 재료를 보호한다. 균열부는 마름모꼴의 개별적 균열판들을 가진 비교적 균일한 구조가 그 특징이다.

예컨대 1,4 부틴디올, o-벤조산설파미드(사카린), 파라톨루엔설폰아미드 및 이들 물질의 혼합물이 적당한 광택용 첨가제로 밝혀졌다. 그런 광택용 첨가제를 전해질에 첨가하는 공정은 주로 코발트 함유 전해조의 경우에는 전해조 온도 50 - 70℃ 및 전류 밀도 6 - 15 A/dm²에서 실시된다. 전해조의 pH치는 바람직하게는 4.0에 조절된다.

사용된 두께 0.1 내지 1 mm의 기본 재료에 대한 본 발명의 범위 내에 적합한 5 가지 강 분석치가 이하에 예로서 주어져 있다:

1. 비합금, 빈탄소 강.

탄소 0.010 - 0.100%

망간 0.140 - 0.345%

규소 최대 0.06%

인 최대 0.05%

황 최대 0.03%

알루미늄 0.02 - 0.08%

질소 최대 0.0080%

동 최대 0.10%

크롬 최대 0.10%

니켈 최대 0.10%

붕소 최대 0.006%

티탄 최대 0.015%

잔부 철

2. 탈탄강(IF-강)

탄소 최대 0.010%

망간 0.10 - 0.25%

규소 최대 0.15%

인 최대 0.020%

황 최대 0.020%

알루미늄 0.015 - 0.060%

질소 최대 0.004%

동 최대 0.08%

크롬 최대 0.06%

니켈 최대 0.10%

티탄 0.02 - 0.10%

니오브 최대 0.10%

잔부 철

2. 저탄소 강

탄소 0.010 - 0.020%

망간 0.50 - 0.70%

규소 최대 0.06%

인 최대 0.025%

황 최대 0.020%

알루미늄 0.02 - 0.08%

질소 최대 0.009%

동 최대 0.12%

크롬 최대 0.06%

니켈 최대 0.10%

잔부 철

4. 저합금 강

탄소 최대 0.10%

망간 최대 1.65%

규소 최대 0.50%

인 최대 0.12%

황 최대 0.030%

알루미늄 최소 0.015%

니오브 최대 0.09%

티탄 최대 0.22%

바나듐 최대 0.25%

티탄 0.02 - 0.10%

니오브 최대 0.10%

잔부 철

5. 고강도, 저합금 강

탄소 최대 0.25%

망간 최대 1.65%

규소 최대 0.60%

알루미늄 최소 0.02%

인 최대 0.025%

황 최대 0.035%

바나듐 최소 0.03%

니오브 최소 0.03%

몰리브덴 최소 0.20%

잔부 철

(% 치는 각각 중량% 기준임).

Claims

냉간 압연율 30 내지 95%로 냉간 압연된 스트립이 작열노 내에서의 열처리 및 양 스트립 표면 중의 적어도 한 표면에 있어 바람직하게는 전해 피복 처리를 받는, 0.5 중량 % 미만의 탄소 함량을 가진 디프드로잉 또는 아이어닝 가공 될 수 있는 고급 냉연 스트립을 제조하는 방법에 있어서,

일회 또는 수회에서 생성된 피복층이 원소 니켈/코발트/철/비스무트/인듐/팔라듐/금/아연 또는 그들의 합금을 포함하며, 열 처리는, 연속으로 작동하는 스트립 작열노 내에서, 페라이트/오스테나이트 2 상 영역(철/탄소계에서 α/γ 영역)으로부터 오스테나이트 영역(철/탄소계에서 γ 영역)까지의 경계 온도 이상의 온도에서, 피복 전 또는 후에 행해지는 작열에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 방법.
제 1 항에 있어서, 스트립의 피복을 작열 전에 행하는 것을 특징으로 하는 방법.
제 1 항에 있어서, 스트립의 제 1 피복은 작열 전에 행하며 작열 후에 원소 니켈/코발트/철/비스무트/인듐/팔라듐/금/아연 또는 그들의 합금을 포함하는 추가 피복층이 바람직하게는 전해에 의해 스트립 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
제 1 항 내지 3 항 중의 한 항에 있어서, 작열 후 스트립의 추가 피복은 증량된 유기 첨가제에 의한 피복층의 취성을 이용하여 행해지며, 그 때에는 유기 물질의 분해 생성물, 전해조의 성분이, 및/또는 유기 물질의 반응 생성물, 전해조의 성분이, 피복층 내에 함께 매설되는 것을 특징으로 하는 방법.
제 4 항에 있어서, 그(전해조 첨가제)의 분해 생성물 및/또는 이들 분해 생성물과 다른 전해조 성분들과의 반응으로부터의 반응 생성물이 피복층 내에 매설되는, 유기 전해조 첨가제는, 광택 첨가제(소위 일차 또는 이차 광택제)인 것을 특징으로 하는 방법.
제 1 항 내지 3 항 중의 한 항에 있어서, 예컨대 탄소, 검댕, 흑연, TaS₂, TiS₂및/또는 MoSi2로 된 전도성 입자를 피복층 내에 장입시키는 것을 특징으로 하는 방법.
제 1 항 내지 3 항 중의 한 항에 있어서, 예컨대 탄소, 검댕, 흑연, TaS₂, TiS₂및/또는 MoSi₂와 같은 전도성 입자를 포함하는 전해적 분산 외피층을 피복층에 제공하는 것을 특징으로 하는 방법.
냉간 압연율 30 내지 95%로 냉간 압연된, 0.5 중량 % 미만의 탄소 함량을 가진 스트립 및 양 스트립 표면 중의 적어도 한 표면에 있어 바람직하게는 전해적으로 제조된 피복층으로 구성된, 디프드로잉 또는 아이어닝 가공에 의해, 바람직하게는 원통 용기 및 특히 전지 용기를 제조하기 위한 냉연 스트립에 있어서,

피복층이 원소 니켈/코발트/철/비스무트/인듐/팔라듐/금/아연 또는 그들의 합금을 포함하며, 스트립은, 연속으로 작동하는 스트립 작열노 내에서, 페라이트/오스테나이트 2 상 영역(α/γ 영역)으로부터 오스테나이트 영역(γ 영역)까지의 경계 온도 이상의 작열 온도에서 열 처리되는 것을 특징으로 하는 냉연 스트립.
제 8 항에 있어서, 냉연 스트립이 피복을 통해 원소 니켈/코발트/철/비스무트/인듐/팔라듐/금/아연 또는 그들의 합금으로 된 적어도 한 추가 피복층을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 냉연 스트립.
제 8 항 또는 9 항에 있어서, 예컨대 탄소, 검댕, 흑연, TaS₂, TiS₂및/또는 MoSi₂로 된 전도성 입자가 피복층 내에 장입되어 있는 것을 특징으로 하는 냉연 스트립.
제 8 항 또는 9 항에 있어서, 예컨대 탄소, 검댕, 흑연, TaS₂, TiS₂및/또는 MoSi₂와 같은 전도성 입자를 포함하는 전해적 분산 외피층이 피복층에 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 냉연 스트립.
제 8 항 내지 11 항 중의 어느 한 항에 있어서, Fe 외에 강 스트립의 조성이 다음과 같은 것을 특징으로 하는 냉연 스트립(중량 %):

C 최대 0.3%

Mn 01 내지 2%

Si 최대 1.0%

P 최대 0.25%

S 최대 0.06%

Al 최소 0.015%

N 최대 0.01%
제 8 항 내지 12항 중의 한 항에 의한 냉연 스트립으로부터 성형에 의해, 특히 디프드로잉 또는 아이어닝에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 전지 케이스.