KR20020022782A - 축합형 인산 에스테르의 제조 방법 - Google Patents

축합형 인산 에스테르의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

옥시삼할로겐화인과 비스페놀 A 유도체를 특정 비율로 반응시켜 포스포로할리데이트를 제조하는 제1공정; 미반응의 옥시삼할로겐화인을 제거하는 제2공정; 상기 제2공정에서 얻은 반응 산물과 모노페놀계 화합물을 120℃ 이하에서 반응시키는 제3공정; 및 상기 포스포로할리데이트와 모노페놀계 화합물을 120℃ 이상에서 반응시키는 제4공정을 포함하는 방법에 의해서, 축합형 인산 에스테르가 수지용 첨가제로 사용될 때 내열성의 저하와 성형시 금형 오염의 원인이 되는 이소프로페닐 페닐 디페닐 포스페이트의 함유량이 매우 낮은 축합형 인산 에스테르가 제공된다.

Description

축합형 인산 에스테르의 제조 방법 {PROCESS FOR THE PREPARATION OF CONDENSED PHOSPHORIC ESTERS}
가연성 플라스틱 재료를 난연화하기 위해, 종래부터 각종 난연제가 사용되고 있다. 예를 들어, 데카브로모비페닐에테르(decabromobiphenylether)와 테트라브로모비스페놀(tetrabromobisphenol) A등과 같은 할로겐 화합물 및 크레실디페닐 포스페이트(cresyldiphenyl phosphate)와 트리페닐포스페이트 등의 저분자량 인화합물이 있다.
최근, 환경상의 문제, 예를 들어 다이옥신의 위험한 문제 등으로 인해, 수지 조성물의 비할로겐화가 요구되고 있다. 또한 중금속을 포함하는 난연제에는 독성으로 인한 문제가 있다. 이 때문에, 인계난연제(phosphorus-based flame retardants)가 급속히 주목을 받게 되었다. 인계난연제 중에서도, 특히, PC/ABS 합금, 변성 PPE등 엔지니어링 플라스틱의 용도에 있어서, 그 뛰어난 물성과 함께, 환경 부하가 적은 난연제로서 방향족 인산 에스테르계 난연제가 유효하다는 것이 주목받고 있다. 현실적으로 인계난연제, 특히 방향족 인산 에스테르계 난연제에 대한 산업계에서의 수요는 늘어나고 있으며, 높은 신장을 계속하고 있다.
그러나, 엔지니어링 프라스틱의 용도에서는, 그 성형 가공시의 온도가 높다. 따라서 트리페닐포스페이트(TPP), 또는 트리크레실포스페이트(TCP) 등과 같은 저분자량의 단량형 인산 에스테르(monomer-type phosphoric ester)를 이용하는 경우, 상기 단량형 인산 에스테르가 성형 가공중에 열분해되거나, 블리드아웃(bleeds out)되거나 또는 휘발된다. 그로 인해, 성형 불량 및 금형 오염 등을 일으키는 문제가 생겨나게 된다.
이들 문제를 피하기 위해, 고분자량의 축합형 인산 에스테를 난연제로 사용하는 것이 유효하다고 알려져 있다.
예를 들어, 특개소 63-227632호 공보에서는, 레조르신(resorcin), 히드로퀴논, 비스페놀 A 등의 디히드록시 화합물과 옥시염화인을 반응시킨 후, 미반응의 옥시염화인을 제거하고, 이어서 얻어진 생성물을 페놀, 크레졸 및 크실레놀 등과 반응시킴으로써 축합형 인산 에스테르를 제조하는 방법이 개시되어 있다.
이러한 방법으로는, 축합형 인산 에스테르에 함유되는 옥시염화인과 모노 페놀계 화합물과의 반응에 의해 생성되는 단량형 인산 에스테르를 어느 정도 감소시킬 수 있다.
그러나, 이 방법에서는, 비스페놀 A 유도체를 출발물질로 사용하여 축합형 인산 에스테르를 제조하는 경우에 있어서, 특히 공업적 스케일로 생산되는 경우, 비스페놀 A 유도체는 반응 도중 분해되어, 예를 들어 이소프로페닐 페닐 디페닐 포스페이트 등의 이소프로페닐 아릴기 함유 포스페이트(isopropenyl aryl group-containing phosphate)(이하, "IPP"로 칭함)를 생성하기 쉽다는 결점이 있다. 이것은 제품의 내열성 저하, 제품의 착색 관련 문제, 그리고 금형의 오염으로 인한 성형 가공성의 저하를 초래하기 쉽다.
또한, 특개소 63-227632호 공보에 개시된 방법에서는, 특히 공업적 스케일로 생산될 때, 불순물로서 상당량, 구체적으로 약 4∼7 중량%의 단량형 인산 에스테르가 포함된다고 하는 문제가 있다. 이로 인해, 여전히 단량형 인산 에스테르가 휘발하거나, 또는 블리드아웃하여, 성형 불량 및 금형 오염등을 일으킨다. 그로 인해, 양호한 성형 효율을 얻는 것이 곤란했다.
따라서, 축합형 인산 에스테를 특히 공업 스케일로 생산하는 경우에는, 불순물인 IPP와 단량형 인산 에스테르의 함유량을 줄이기 위해, 원료의 사용비율, 반응온도, 및 반응시간 등 많은 조건에 관해서 신중히 선택할 필요가 있다.
그러나, 현재까지 이와 같은 조건에 대해 상세히 검토되지 않은 상태이고, 그 조건과, 생성물에서의 불순물량과의 관계는 전혀 알려져 있지 않았다. 특히, 원료의 사용비율에 관해서는, 화학량론에 기초한 이론량 또는 이론량보다 약간 많게 사용하는 것이 불순물을 감소시키기 위해 가장 효율적인 방법이라고 생각되었다. 따라서, 화학량론적 계산에 의해 얻어진 배합이 충실하게 채용되고 있다. 반응온도에 관해서는, 반응속도를 상승시킬 목적으로 비교적 높은 온도가 채용되고 있다.
본 발명은 축합형 인산 에스테르를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 휘발성 성분의 함유량이 적고, 수지용 난연제로 뛰어난 축합형 인산 에스테르를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로, 불순물인 IPP와 단량형 인산에스테르의 함유량이 적은 비스페놀 A 유도체를 출발물질로 하는 축합형 인산 에스테르를 제조하는 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 본 발명에 따른 방법에 의해 제조된 축합형 인산 에스테르를 난연제로 이용함으로써 수지 성형품의 품질을 높여 사회에 공헌하는 것이다.
본 발명자들은, 예의 검토한 결과로, 비스페놀 A 유도체와, 상기 비스페놀 A 유도체에 대해서 4.5 몰배 이상의 옥시삼할로겐화인(phosphorus oxytrihalide)을 반응시켜 포스포로할리데이트(phosphorohalidate)를 제조하는 제1공정; 미반응의 옥시삼할로겐화인을 제거하는 제2공정; 상기 제2공정에서 얻은 반응생성물과 모노페놀계 화합물을 120℃ 이하에서 반응시키는 제3공정; 및 상기 포스포로할리데이트와 모노페놀계 화합물을 120℃ 이상에서 반응시키는 제4공정을 포함하는 축합형 인산 에스테르 제조 방법에 의해 상기 과제들을 해결할 수 있다는 것을 알아냈다.
본 발명에 의하면, 이하의 방법이 제공된다.
1. 축합형 인산 에스테르의 제조 방법에 있어서,
비스페놀 A 유도체와, 상기 비스페놀 A 유도체에 대해서 4.5 몰배 이상의 옥시삼할로겐화인을 반응시켜 포스포로할리데이트를 제조하는 제1공정;
상기 제1공정 후에, 미반응의 옥시삼할로겐화인을 제거하는 제2공정;
상기 제2공정에서 얻은 반응생성물과 모노페놀계 화합물을 120℃ 이하에서 반응시키는 제3공정; 및
상기 포스포로할리데이트와 모노페놀계 화합물을 120℃ 이상에서 반응시키는 제4공정을 포함하는 방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 제3공정 및 제4공정에서 사용되는 상기 모노페놀계 화합물의 총량은 상기 포스포로할리데이트의 전부를 축합형 인산 에스테르로 바꾸는데 필요한 이론량보다도, 2몰% 이상 과잉인 방법.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 축합형 인산 에스테르는 2,2-비스{4-[비스(페녹시)포스포릴]옥시페닐}프로판인 방법.
이하에 본 발명을 구체적으로 설명한다.
(제1공정)
제1공정에서는, 옥시삼할로겐화인과 비스페놀 A 유도체를 반응시켜 포스포로할리데이트를 제조한다.
옥시삼할로겐화인의 예로는 옥시염화인 및 옥시브롬화인 등이 포함된다.
비스페놀 A 유도체는 비스페놀 A 또는 그의 유도체를 말하며, 하기 식(A)으로 나타내는 화합물을 의미한다:
(식 중, R5및 R6은 서로 동일하거나 또는 다르고 탄소수 1∼3의 알킬기를 나타내며, n1 및 n2는 각각 0∼4의 정수를 나타낸다.)
본 발명에서, 포스포로할리데이트는 하기 식(Ⅰ)로 나타내는 화합물을 의미한다:
(식 중, X는 할로겐 원자를 나타내고, n은 1∼10의 정수를 나타내며, R5, R6, n1 및 n2는 상기와 동일한 것을 말한다.)
종래의 일반적인 기술 상식에 따르면, 옥시삼할로겐화인의 사용량을 비스페놀계 화합물의 사용량으로 계산된 화학량론적인 반응량, 즉 비스페놀계 화합물의 2 몰배보다도 과잉으로 하면, 잔존하는 미반응 옥시삼할로겐화인의 양이 필연적으로 증대되고, 미반응 옥시삼할로겐화인을 회수하는 조작이 번잡하게 되므로 바람직하지 않다고 간주된다. 그러나, 본 발명에 따르면, 놀랍게도, 옥시삼할로겐화인의 사용량은, 비스페놀 A 유도체에 대해서 4.5 몰배 이상, 보다 바람직하게는 5 몰배 이상, 보다 더 바람직하게는 5.4 몰배 이상이며, 이처럼 과잉량의 옥시삼할로겐화인을 사용함으로써, 비스페놀 A 유도체의 분해가 억제되는 예상외의 이점이 얻어진다.
여기서, "몰배"란 몰수를 기준으로 한 배합비를 말한다.
비스페놀 A 유도체의 사용량에 대한 옥시삼할로겐화인의 상대적인 사용량이 충분하지 않은 경우에는, 옥시삼할로겐화인과 비스페놀 A 유도체의 반응에 의해서 부산물로 생기는 할로겐화 수소가 비스페놀 A 유도체를 분해함으로써 생성되는 IPP의 양이 증가된다.
한편, 옥시삼할로겐화인의 사용량에 관한 상한은 특별히 한정할 수는 없다. 옥시삼할로겐화인의 양이 너무 많으면, 하기 제2공정에서, 쓸데없이 다량의 옥시삼할로겐화인을 제거해야만 하고, 반응기에서의 작업 효율이 떨어지고 또한 생산성을 저하시키키도 한다. 그러므로 통상 옥시삼할로겐화인을 비스페놀계 화합물에 대해서 8 몰배 이하로 사용하고, 보다 바람직하게는 6 몰배 이하로 사용한다. 보다 더 바람직하게는, 상기 범위내에 있어서, 반응액 중의 할로겐화 수소 농도가 5 % 이하가 되도록, 옥시삼할로겐화인 및 비스페놀 A 유도체의 사용량을 조정한다.
또한, 본 발명에 따르면 촉매를 사용할 수 있다. 사용가능한 촉매로는 예를 들어, 염화알루미늄, 염화마그네슘, 사염화티탄 등의 루이스산계 촉매 등을 들 수 있다.
그 밖의 반응조건들, 예를 들어, 반응온도, 반응시간, 감압도 등은, 목적으로 하는 축합형 인산 에스테르의 종류, 축합도 및 사용하는 장치의 종류와 규모에 따라 적절히 선택할 수 있다. 온도조건으로는, 바람직하게는 80∼130℃이고, 보다 바람직하게는 80∼120℃의 온도이다. 또한, 80℃보다도 낮은 온도에서 개시하여, 그 후 80∼130℃까지로 승온시켜도 좋다. 예를 들어, 실온에서 개시하여, 그 후 80∼130℃까지로 승온시켜도 좋다. 반응시간으로는 3∼20시간이 바람직하다. 반응시에 발생하는 할로겐화수소 가스는 물에 의해 포집되는 것이 바람직하다.
통상적으로는 필요하지 않지만, 필요한 경우에는 유기 용매를 사용해도 상관없다. 예를 들어, 톨루엔, 크실렌, 디클로로벤젠 등의 방향족계 유기용매, 그리고헥산과 헵탄 등의 지방족계 유기용매 등이 사용가능하다.
또한, 생성물의 착색을 방지할 필요가 있는 경우에는, 트리페닐포스파이트(triphenyl phosphite) 및 트리(2,6-디-t-부틸) 포스파이트 등의 인계화합물; 2,6-디-t-부틸-p-크레졸(BHT), 2-메틸-6-t-부틸-p-크레졸 등의 힌더드 페놀계 화합물(hindered phenol-based compound) 등을 착색 방지제로서 첨가할 수 있다.
제1공정에서는, 통상적으로 소량의 IPP가 부산물로 생성되어, 제1공정 후에, 예를 들어, 크로마토그래피에 의한 정제 등의, 잔류하는 IPP를 제거하는 것만을 목적으로 하는 조작이 행해질 수 있다. 하지만, 본 발명에 따른 방법에서는 특별히 IPP를 제거하는 것만을 목적으로 하는 조작을 행하지 않고도 제2공정을 진행할 수 있다.
(제2공정)
제2공정에서는, 제1공정 후에 미반응된 채로 잔존하는 옥시삼할로겐화인을 제거한다.
옥시삼할로겐화인의 제거는, 공지된 임의의 방법을 이용하여 수행할 수 있다.
미반응된 옥시삼할로겐화인의 제거 조작은 통상적으로, 상압 또는 감압하에서 행해진다. 상기 옥시삼할로겐화인을 충분히 제거하지 않은 경우, 즉 옥시삼할로겐화인이 잔존하고 있는 상태에서 하기 제3공정을 실행하면, 단량형 인산에스테르를 생성하는 원인이 된다. 따라서, 가능한 최대한 양의 옥시삼할로겐화인을 제거,회수하는 것이 바람직하다. 옥시삼할로겐화인을 제거, 회수하는 바람직한 조건으로서는 예를 들어 다음과 같다. 압력은 진공펌프로 바람직하게는 200 mmHg 이하, 보다 바람직하게는 100 mmHg 이하, 보다 더 바람직하게는 50 mmHg 이하로 감압한다. 회수온도는, 100∼200℃로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 100∼170℃이며, 보다 더 바람직하게는 100∼150℃이다.
제2공정 후의 반응 생성물에서는, 통상, 제1공정에서 부산물로 생긴 IPP 중 일부가 잔존한다. 제1공정 후, 예를 들어 크로마토그래피에 의한 정제 등의, 잔류하는 IPP를 제거하는 것만을 목적으로 하는 조작이 행해질 수 있다. 하지만, 본 발명에 따른 방법에서는 특별히 IPP를 제거하는 것만을 목적으로 하는 조작을 행하지 않고도 제2공정을 진행할 수 있다.
(제3공정)
제3공정에서는, 비교적 낮은 반응온도에서 제2공정 후에 얻은 생성물에, 모노페놀계 화합물을 작용시킨다.
본 발명에서, 축합형 인산 에스테르는 하기 식(II)으로 나타내는 화합물을 말한다:
(식 중, R1, R2, R3및 R4는 동일하거나 또는 다른 탄소수 6∼15의 아릴기를나타내고, R5, R6, n, n1 및 n2는 상기와 동일한 것을 나타낸다.)
상기 탄소수 6∼15의 아릴기로서는, 페닐, (o-, m-, p-)메틸페닐, (o-, m-, p-)에틸페닐, (o-, m-, p-)n-프로필페닐, (o-, m-, p-)이소프로필페닐, (o-, m-, p-)n-부틸페닐, (o-, m-, p-)sec-부틸페닐, (o-, m-, p-)tert-부틸페닐, (2,3-, 2,4-, 2,5-, 2,6-, 3,4-, 3,5-)디메틸페닐, (2,3-, 2,4-, 2,5-, 2,6-, 3,4-, 3,5-)디에틸페닐, 2-메틸-3-에틸페닐, 2-메틸-4-에틸페닐, 2-메틸-5-에틸페닐, 2-메틸-6-에틸페닐, 3-메틸-4-에틸페닐, 3-메틸-5-에틸페닐, 2-에틸-3-메틸페닐, 2-에틸-4-메틸페닐, 2-에틸-5-메틸페닐, 3-에틸-4-메틸페닐, (2,3-, 2,4-, 2,5-, 2,6-, 3,4-, 3,5-)디-n-프로필페닐, (2,3-, 2,4-, 2.5-, 2,6-, 3,4-, 3,5-)디이소프로필페닐, (2,3-, 2,4-, 2,5-, 2,6-, 3,4-, 3,5-)디-n-부틸페닐, (2,3-, 2,4-, 2,5-, 2,6-, 3,4- 3,5-)디-sec-부틸페닐, (2,3-, 2,4-, 2,5-, 2,6-, 3,4-, 3,5-)디-tert-부틸페닐, (2,3,6-, 2,3,5-, 2,3,4-, 2,4,5-, 2,4,6-, 3,4,5-)트리메틸페닐, (2,3,6-, 2,3,5-, 2,3,4-, 2,4,5-, 2,4,6-, 3,4,5-)트리에틸페닐, (2,3,6-, 2,3,5-, 2,3,4-, 2,4,5-, 2,4,6-, 3,4,5-)트리프로필페닐 및 나프틸 등을 들 수 있다. 여기서 "(o-, m-, p-)"는 각각의 치환기가 독립적으로, 벤젠고리상의 o-(오르토), m-(메타), 또는 p-(파라)중 어느 하나의 위치에 존재하는 것을 나타낸다. 또한, "(2,3-, 2,4-, 2,5-, 2,6-, 3,4-, 3,5-)"는 각각의 치환기가 독립적으로, 벤젠고리상의 2,3-, 2,4-, 2,5-, 2,6-, 3,4-, 또는 3,5- 위치에 존재하는 것을 나타낸다. 또한 "(2,3,6-, 2,3,5-, 2,3,4-, 2,4,5-, 2,4,6-, 3,4,5-)"는 각각의 치환기가 독립적으로, 벤젠 고리상의 2,3,6-, 2,3,5-, 2,3,4-, 2,4,5-, 2,4,6-, 또는 3,4,5- 위치에 존재하는 것을 나타낸다.
식(Ⅱ)로 표시되는 축합형 인산 에스테르의 구체예로는, 비스페놀 A 유도체로 만들어진 2,2-비스{4-[비스(페녹시)포스포릴]옥시페닐}프로판, 2,2-비스{4-[비스(메틸페녹시)포스포릴]옥시페닐}프로판, 2,2-비스{4-[비스(디메틸페녹시)포스포릴]옥시페닐} 및 2,2-비스{4-[비스(메틸에틸페녹시)포스포릴]옥시페닐}프로판 등을 들 수 있다.
모노페놀계 화합물은 페놀 또는 1개의 페놀성 수산기를 가진 치환 페놀을 말한다.
모노페놀계 화합물로는, 예를 들어, 페놀, (o-, m-, p-)메틸페놀, (o-, m-, p-)에틸페놀, (o-, m-, p-)n-프로필페놀, (o-, m-, p-)이소프로필페놀, (o-, m-, p-)n-부틸페놀, (o-, m-, p-)sec-부틸페놀, (o-, m-, p-)tert-부틸페놀, 메틸페놀, (2,3-, 2,4-, 2,5-, 2,6-, 3,4-, 3,5-)디메틸페놀, (2,3-, 2,4-, 2,5-, 2,6-, 3,4-, 3,5-)디에틸페놀, 2-메틸-3-에틸페놀, 2-메틸-4-에틸페놀, 2-메틸-5-에틸페놀, 2-메틸-6-에틸페놀, 3-메틸-4-에틸페놀, 3-메틸-5-에틸페놀, 2-에틸-3-메틸페놀, 2-에틸-4-메틸페놀, 2-에틸-5-메틸페놀, 3-에틸-4-메틸페놀, (2,3-, 2,4-, 2,5-, 2,6-, 3,4-, 3,5-)디-n-프로필페놀, (2,3-, 2,4-, 2.5-, 2,6-, 3,4-, 3,5-)디이소프로필페놀, (2,3-, 2,4-, 2,5-, 2,6-, 3,4-, 3,5-)디-n-부틸페놀, (2,3-, 2,4-, 2,5-, 2,6-, 3,4- 3,5-)디-sec-부틸페놀, (2,3-, 2,4-, 2,5-, 2,6-, 3,4-, 3,5-)디-tert-부틸페놀, (2,3,6-, 2,3,5-, 2,3,4-, 2,4,5-, 2,4,6-, 3,4,5-)트리메틸페놀, (2,3,6-, 2,3,5-, 2,3,4-, 2,4,5-, 2,4,6-, 3,4,5-)트리에틸페놀, (2,3,6-, 2,3,5-, 2,3,4-, 2,4,5-, 2,4,6-, 3,4,5-)트리프로필페놀 및 나프톨 등을 들 수 있다. 특히 바람직한 것은 페놀이다. 상기 모노페놀계 화합물은 1종 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명에서, 단량형 인산 에스테르는 옥시삼할로겐화인과 모노페놀계 화합물의 반응에 의해 생성하는 트리에스테르를 의미한다. 구체적으로 단량형 인산 에스테르의 예로는, 예를 들어 모노페놀계 화합물이 페놀인 경우에는 트리페닐 포스페이트를 들 수 있고, 모노페놀계 화합물이 크레졸[(o-, m-, p-)메틸페놀인 경우에는 트리크레실 포스페이트[(o-, m-, p-)메틸페닐 포스페이트]를 들 수 있고, 모노페놀계 화합물이 크실레놀[(2,3-, 2,4-, 2,5-, 2,6-, 3,4-, 3,5-)디메틸페놀]인 경우에는 트리크실일(trixylyl) 포스페이트[(2,3-, 2,4-, 2,5-, 2,6-, 3,4-, 3,5-)디메틸페닐 포스페이트] 등을 들 수 있다.
제3공정에서, 반응 온도는 120℃ 이하로 할 필요가 있으며, 바람직하게는 110℃ 이하, 보다 바람직하게는 105℃ 이하, 특히 바람직하게는 100℃ 이하로 한다.
이렇게 비교적 낮은 온도를 채용함으로써, 모노페놀계 화합물의 일부가 제2공정 후에 발생된 반응 혼합물 중에 포함되어 있는 IPP와 반응하고, 그 결과, IPP가 제거된다.
반응온도가 너무 높으면, 모노페놀계 화합물과 포스포로할리데이트가 우선적으로 반응하게 되므로, 모노페놀계 화합물과 IPP의 반응은 충분히 진행되기 어렵다. 따라서, IPP의 양이 충분히 저감되기 어렵다.
한편, 반응온도의 하한은 구체적으로 한정할 수 없다. 단, 탈할로겐화수소반응을 일으키지 않으면서, IPP와 모노페놀계 화합물이 효과적으로 서로 접촉할 수 있게 하는 온도가 바람직하다. 반응온도의 하한은 모노페놀계 화합물의 종류와 양, 모노페놀계 화합물이 첨가되는 속도, 반응 스케일 및 그밖의 반응 조건들(예, 반응시간, 감압도, 용매의 사용 유무) 등의 조합에 따라 적당히 결정된다. 반응온도의 하한은 예를 들어, 40℃ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 60℃ 이상이며, 보다 더 바람직하게는 80℃ 이상이다.
제3공정의 기간은 바람직하게는 30분∼8시간이고, 보다 바람직하게는 1∼6시간이다.
(제4공정)
본 발명에 따르면, 제4공정은 제3공정 후에 좀 더 반응시키기 위해서 행하는 공정이다. 제4공정은 120℃ 이상의 상승된 온도에서 행해진다. 제4공정에 있어서의 온도는 120∼170℃가 바람직하고, 보다 바람직하게는 140∼160℃이다.
제4공정을 위한 시간은 10분∼5시간이 바람직하고, 보다 바람직하게는 30분∼5시간이며, 보다 더 바람직하게는 30분∼4시간이고, 특히 바람직하게는 1∼3시간이다.
바람직하게는 30분∼8시간, 보다 바람직하게는 1∼6시간에 걸쳐, 제3공정에서의 반응 온도로부터 제4공정에서의 반응 온도로까지 온도를 상승시킨다.
제3공정과 제4공정에서 사용되는 재료의 전량은 바람직하게 제3공정의 개시전에 첨가된다. 그러나, 필요한 경우에는, 재료의 일부를 제3공정의 도중에, 또는 제3공정과 제4공정 사이에, 또는 제4공정 도중에 첨가할 수 있다. 본 명세서에 설명하는 제3공정과 제4공정에서 사용되는 "반응 재료의 양"은 제4공정의 완료전에 첨가되는 재료의 총량을 말하는 것이다.
바람직한 실시태양에서, 모노페놀계 화합물의 사용량은 제2공정 후 반응 혼합물 중에 포함된 포스포로할리데이트의 전부를 축합형 인산 에스테르로 바꾸는데 필요한 이론량보다 2 몰% 이하의 과잉율로 한다.
본 실시태양에서는, 수율과 품질을 저하시키지 않으면서도, 일단 생성된 축합형 인산 에스테르와 모노페놀계 화합물과의 에스테르교환 반응에 의해 생긴 부산물로서의 단량형 인산 에스테르의 생성을 억제할 수 있다. 특히 공업적 스케일의 대규모 생산에서는, 반응 시간이 길기 때문에, 축합형 인산 에스테르 및 모노페놀계 화합물의 에스테르교환 반응이 일어나기 쉽다는 것을 고려한다면, 부산물인 단량형 인산 에스테르의 생성을 억제할 수 있는 본 발명의 방법은 상당히 유리하다.
여기서, "공업적 스케일"이란 모노페놀계 화합물과 포스포로할리데이트를 반응시킬 때, 모노페놀계 화합물과 포스포로할리데이트의 합계량이 통상적인 공업 생산에서의 규모인 것을 말한다. 공업적 스케일이란, 구체적으로, 바람직하게 5 리터 이상, 보다 바람직하게는 30 리터 이상, 보다 더 바람직하게는 100 리터 이상, 특히 바람직하게는 300 리터 이상이다.
여기서, 모노페놀계 화합물과 포스포로할리데이트를 반응시킬 때의 모노페놀계 화합물과 포스포로할리데이트의 합계량은, 예를 들어 반응 장치의 제약 때문에구체적으로는 바람직하게 20000 리터 이하이고, 보다 바람직하게는 10000 리터 이하이다.
모노페놀계 화합물의 사용량이 화학량론적으로 계산된 이론량 미만인 경우에는 필연적으로 미반응된 포스포로할리데이트가 잔존하고, 정제 및 후처리 공정이 번잡하게 되는 등의 문제가 일어나기 쉽다.
모노페놀계 화합물의 사용량이 화학량론적으로 계산된 이론량인 경우에는 반응이 미완결되기 쉽다. 그 결과로, 미반응된 포스포로할리데이트가 잔존하고, 불순물로서 제품 중에 잔존하기도 하여, 정제 및 후처리 공정이 번잡하게 되는 등의 문제가 일어나기 쉽다.
모노페놀계 화합물의 양이 지나치게 많은 경우에는, 부산물로 생성되는 단량형 인산 에스테르가 증대하기 때문에 바람직하지 않다. 따라서, 모노페놀계 화합물의 과잉률은 화학량론적 이론량보다 바람직하게는 2.0 몰% 이하, 보다 바람직하게는 1.8 몰% 이하, 보다 더 바람직하게는 1.6 몰% 이하, 특히 바람직하게는 1.5 몰% 이하로 한다.
포스포로할리데이트의 전부를 축합형 인산 에스테르로 바꾸는데 필요한 화학량론적 이론량이란, 포스포로할리데이트에 함유되어 있는 할로겐 원자를 모두 아릴에스테르기로 치환하는데 필요한 양을 나타낸다. 예를 들어, 상기 식(Ⅰ)에서, n=1인 경우에는, 포스포로할리데이트 1몰에 대해서 모노페놀계 화합물 4몰, n=2인 경우에는, 포스포로할리데이트 1몰에 대해서 모노페놀계 화합물 5몰, n=3인 경우에는, 포스포로할리데이트 1몰에 대해서 모노페놀계 화합물 6몰이다.
여기서, 과잉률이란 모노페놀계 화합물의 사용량의 몰수로부터, 화학량론적 이론량의 몰수를 감산하고, 그 값을 화학량론적 이론량의 몰수로 나눈 다음, 100을 곱해서 % 표시로 나타낸 값을 말한다.
모노페놀게 화합물의 양의 하한은, 축합형 인산 에스테르의 종류 및 반응 조건 등에 따라 다르기 때문에 정확히 결정할 수는 없지만, 바람직하게는 0.2 몰% 이상이고, 보다 바람직하게는 0.3 몰%이상이고, 특히 바람직하게는 0.4 몰% 이상이고, 보다 더 바람직하게는 0.5 몰%이상이다.
기타 반응 조건(예, 감압도 및 모노페놀계 화합물의 첨가시간) 등은 소망에 따라 적당히 선택된다.
반응 중에 발생해서 반응 후에 잔존하는 할로겐화수소는, 상압 또는 감압하에서 회수되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 할로겐화수소는 물로 포집되어 회수될 수 있다.
통상, 이렇게 제조된 축합형 인산 에스테르는, 부분 반응물, 미반응 원료, 및 촉매 잔류분 등의 불순물을 다량 함유하고 있다. 따라서, 중화, 수세, 수증기 증류 등 공지의 정제방법으로 조제(粗製)의 축합형 인산 에스테르로부터 불순물을 제거한다.
예를 들어, 정제방법으로서 에폭시 화합물을 사용하는 방법을 채용한다면, 부분 반응물의 -OH기에 에폭시 화합물을 부가시키고, 이어서 선택적으로 가수분해한다. 그렇게 함으로써 부분 반응물은 인산으로 전환될 수 있다. 그 후 인산을 뜨거운 물로 세정시키면, 인산분을 제거할 수 있고 제품의 산가를 낮출 수 있게 된다.
이러한 방법으로 얻어진 제품은 IPP 및 단량형 인산 에스테르의 함유량이 극히 적은 고품질의 축합형 인산 에스테르이다.
이와 같은 고품질의 축합형 인산 에스테르는 각종 수지에서 난연제로 사용될 수 있다.
구체적으로는, 상기 고품질의 축합형 인산 에스테르는 예를 들어, 이하의 수지에 사용될 수 있다: 폴리에틸렌계 수지, 폴리프로필렌계 수지, 폴리부타디엔계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리페닐렌 에테르계 수지, 폴리카보네이트계 수지, ABS(아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌)계 수지, 고충격 스티렌계 수지, SAN(스티렌-아크릴로니트릴)계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리페닐렌 설파이드계 수지, 폴리아크릴계 수지, 폴리메타크릴계 수지 등의 열가소성 수지, 및 에폭시계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리이미드계 수지, 페놀계 수지, 노볼락(novolac)계 수지, 폴리에테르이미드계 수지, 멜라민계 수지, 요소(urea)계 수지 등의 열경화성 수지.
특히, 성형온도가 높은 수지, 예를 들어, 일 실시태양에서는, 160℃ 이상에서 성형되는 수지, 보다 바람직한 실시태양에서는 180℃ 이상에서 성형되는 수지, 특히 바람직한 실시태양에서는 200℃ 이상에서 성형되는 수지에서, 본 발명의 방법에 의해 얻어진 축합형 인산 에스테르가 유리하게 사용될 수 있다.
본 발명의 방법에 의해 얻어진 축합형 인산 에스테르를 상기 수지 중 임의의 수지에 난연제로서 첨가하는 경우, 그 수지를 성형기에서 가공하는 동안의 높은 처리온도에도 불구하고 가스를 발생시키지 않는 내열성, 내착색성이 우수한 고품질의 성형품을 얻을 수 있다.
본 발명의 방법에 의해 얻어진 축합형 인산 에스테르는 수지에 첨가되어, 성형된 결과, 임의의 소정의 난연성인 성형품이 제공된다.
수지에 난연제를 첨가하는 방법, 및 난연제가 첨가된 수지의 성형 방법은 공지된 임의의 방법을 사용할 수 있다.
예를 들어, 각 성분들(예, 수지, 난연제, 가소제, 난연보조제, 이형(離型)제, 자외선흡수제, 산화방지제, 차광제, 내후성개량제 및 무기충전제)을 단축압출기, 2축압출기, 반버리 믹서(Banbury mixer), 니더, 믹서, 롤 등의 범용의 혼련(混練)장치를 이용하여 용융 혼련하고 서로 혼합할 수 있다. 또는 예를 들어, 압출성형기 등의 성형기에 의해, 판상, 시트상, 또는 필름상으로 성형 가공할 수 있어서, 소망하는 성형품을 얻을 수 있다.
이하에서, 본 발명의 바람직한 실시예를 나타내지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다.
실시예에 있어서, 제품 중 단량형 인산 에스테르의 함유량을 고속 액체 크로마토그래피(장치명: LC10AD, 칼럼: SilicaODS-80TM, 오븐: CTO-10A, 용리액: 메탄올:물=8:2(V/V), 유량: 0.8 ml/분, 검출기: SPD10A, 검출기의 UV 주파수: 254 nm)에 의해서 각각 측정하였다. 본 실시예에서는 특별한 언급이 없는 한, "%"는 "중량%"를 나타낸다.
(실시예 1)
교반기, 온도계, 적하장치, 염산회수장치 및 콘덴서(30℃)를 가진 8000 L의 반응장치에 옥시염화인 6631 kg (43.2 kmol), 비스페놀 A 1827 kg (8 kmol), 염화마그네슘 18.4 kg을 충전하였다. 이들 재료를 교반하는 동안 6 시간에 걸쳐서 105℃까지 가열하고, 3시간 더 반응시켰다. 이 때 발생된 염산을 염산회수장치로 회수하였다(회수량 556 kg).
그 후, 질소분위기에서, 온도 130℃, 압력 50 mmHg에서 5시간 처리하여, 미반응의 옥시염화인(4195 kg)을 회수하였다. 얻어진 반응 혼합물 중의 염소농도는 30.4%이었다.
상기 반응 혼합물 3683 kg에, 상압, 100℃에서 페놀 2994 kg(과잉률: 1%)을 6 시간에 걸쳐서 추가한 후, 4시간에 걸쳐 온도를 150℃까지 올리고, 계속해서 숙성을 위해서 1시간 더 반응시켰다. 이 때, 발생된 염산을 염산회수장치에서 회수하였다(회수량 1125 kg). 그런 다음, 10 mmHg, 150℃에서 1시간에 걸쳐서 계(system) 안에 잔존하는 염산을 완전히 제거하여, 조제의 축합형 인산 에스테르 5564 kg을 얻었다.
상기 조제의 축합형 인산 에스테르를 톨루엔으로 희석한 후, 희석된 염산수용액으로 세정하였다. 이어서, 조제의 축합형 인산 에스테르를 함유하고 있는 유기상을 프로필렌 옥사이드로 처리하였다. 그렇게 얻은 물질을 반복해서 수세한 후, 감압 증류에 의해 톨루엔을 회수하였다. 이어서, 수증기 증류에 의해서 미반응 페놀을 제거하였다. 그 결과, 축합형 인산 에스테르 (2,2-비스{4-[비스(페녹시)포스포릴]옥시페닐}프로판) 5385 kg을 얻었다. 얻어진 제품 중에 IPP의 함유량은 0.035%였고, 단량형 인산 에스테르(TPP)의 함유량은 1.6%이었으며, 산가(KOH/mg)는 0.035이었다.
(비교예 1)
옥시염화인의 사용량이 4421 kg (28.8 kmol), 페놀의 사용량이 3083 kg (과잉률: 4%), 페놀의 첨가온도가 150℃라는 것 이외에는 실시예와 동일한 방법으로 축합형 인산 에스테르를 제조하였다. 얻어진 제품중 IPP의 함유량은 2.5%이었고, 단량형 인산 에스테르(TPP) 함유량은 4.5%이었으며, 산가(KOH/mg)는 0.04이었다.
(비교예 2)
페놀의 첨가온도가 150℃라는 것 이외에는 실시예와 동일한 방법으로 축합형 인산 에스테르를 제조하였다. 얻어진 제품 중 IPP의 함유량은 1.3%이었고, 단량형 인산 에스테르(TPP)의 함유량은 2.2%이었으며, 산가(KOH/mg)는 0.04이었다.
본 발명의 축합형 인산 에스테르의 제조방법에 따르면, 제품의 수율을 떨어뜨리지 않고 단량형 인산 에스테르의 함유량을 약 3% 이하까지 저감시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 방법에 의해 제조된 축합형 인산 에스테르는, 내열성, 휘발성 및 내착색성의 점에서 우수하다. 수지에 대하여 가소제 또는 난연제로 사용되는 경우, 본 발명의 방법에 의해 제조된 축합형 인산 에스테르는 성형 중 유해 가스의 발생과 금형의 오염, 및 성형품의 내열성 저하 등의 문제를 일으키지 않는다는 이점을 가지고 있다. 그 중에서도, 특히 금형의 오염 방지 효과의 향상은 연속샷(shot) 수를 증가시키고, 그에 따라 제품의 생산비용을 절감시키기 때문에, 산업상 특히 유리하다.

Claims (3)

  1. 축합형 인산 에스테르의 제조 방법에 있어서,
    비스페놀 A 유도체와, 상기 비스페놀 A 유도체에 대해서 4.5 몰배 이상의 옥시삼할로겐화인을 반응시켜 포스포로할리데이트를 제조하는 제1공정;
    상기 제1공정 후에, 미반응의 옥시삼할로겐화인을 제거하는 제2공정;
    상기 제2공정에서 얻은 반응생성물과 모노페놀계 화합물을 120℃ 이하에서 반응시키는 제3공정; 및
    상기 포스포로할리데이트와 모노페놀계 화합물을 120℃ 이상에서 반응시키는 제4공정을 포함하는 축합형 인산 에스테르의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제3공정 및 제4공정에서 사용되는 상기 모노페놀계 화합물의 총량은 상기 포스포로할리데이트의 전부를 축합형 인산 에스테르로 바꾸는데 필요한 이론량보다도, 2몰% 이상 과잉인 축합형 인산 에스테르 제조 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 축합형 인산 에스테르는 2,2-비스{4-[비스(페녹시)포스포릴]옥시페닐}프로판인 축합형 인산 에스테르 제조 방법.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101348500B (zh) * 2008-08-19 2012-02-22 山东默锐化学有限公司 一种双酚a双(二苯基磷酸酯)的制备方法
TWI382988B (zh) * 2009-12-25 2013-01-21 Grand Tek Advance Material Science Co Ltd 有機矽磷酸酯及其製作方法
TWI410446B (zh) 2011-01-05 2013-10-01 Grand Tek Advance Material Science Co Ltd 含磷酚醛樹脂與其形成方法及含磷配方
RU2627402C1 (ru) * 2016-04-27 2017-08-08 Архипчук Людмила Алексеевна Способ производства огнестойкой жидкости
CN106699805B (zh) * 2016-12-15 2019-02-01 衢州普信新材料有限公司 一种双酚a双（二苯基磷酸酯）的制备方法
CN112409404B (zh) 2020-12-07 2022-08-09 浙江万盛股份有限公司 一种高纯双酚a-双（二苯基磷酸酯）的连续工业化生产方法
CN114907400B (zh) * 2022-05-07 2023-12-19 万华化学集团股份有限公司 一种bdp中间体的制备工艺

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2520090A (en) * 1947-12-30 1950-08-22 Monsanto Chemicals Polyphosphates of divalent aryl hydrocarbons
JPS5398355A (en) 1977-02-10 1978-08-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd Flame-retardant thermosetting resin composition
JPS63227632A (ja) * 1987-03-17 1988-09-21 Daihachi Kagaku Kogyosho:Kk 難燃剤の製造方法
JP3192983B2 (ja) 1996-01-12 2001-07-30 旭化成株式会社 樹脂用難燃剤及び難燃性樹脂組成物
EP0918780A4 (en) * 1996-06-13 1999-07-21 Great Lakes Chemical Corp METHOD FOR PRODUCING ESTERS OF ARYLPHOSPHORIC ACID
JP3558454B2 (ja) * 1996-06-28 2004-08-25 旭化成ケミカルズ株式会社 燐酸エステルの製造方法
BR9808644A (pt) * 1997-02-14 2000-05-23 Great Lakes Chemical Corp Processo para a fabricação e uso de bisaril difosfatos
JP2000239285A (ja) * 1998-12-14 2000-09-05 Asahi Chem Ind Co Ltd 燐酸エステルの製造方法
WO2001000636A1 (fr) * 1999-06-28 2001-01-04 Daihachi Chemical Industry Co., Ltd. Procede de preparation d'esters phosphoriques condenses
DE10051191A1 (de) * 2000-10-16 2002-04-25 Bayer Ag Verfahren zur Herstellung von Phosphorsäureestern

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US6613928B1 (en) 2003-09-02
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WO2001007446A1 (fr) 2001-02-01
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