KR20020010431A - 반도체 웨이퍼 및 반도체 웨이퍼의 분할 방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼 및 반도체 웨이퍼의 분할 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼 및 반도체 웨이퍼의 분할 방법에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼에 스트리트의 형상의 구속을 받지 않는 다양한 형상이나 크기의 칩 영역을 형성하여 반도체 재료의 유효 활용을 도모하는 동시에, 그와 같은 반도체 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할하게 하는 것을 가능하게 한다.
형상 및 크기가 동일한 직사각형의 칩 영역이 스트리트로 구획되어 복수 형성되어 있고, 스트리트의 일부 또는 전부가 칩 영역의 배치에 대응하여 지그재그로 형성되어 있는 반도체 웨이퍼, 형상 또는 크기가 불규칙한 칩 영역이 스트리트로 구획되어 복수 형성되어 있고, 스트리트가 칩 영역의 형상, 크기 및 배치에 대응하여 형성되어 있는 반도체 웨이퍼를 제공하고, 또한 이들 반도체 웨이퍼를 분할하는 방법으로서, 반도체 웨이퍼의 표면에 포토레지스트막을 피복하는 제1 공정과, 스트리트 상부의 포토레지스트막을 노광에 의해 제거하는 제2 공정과, 화학적 에칭에 의해 스트리트에 홈을 형성하는 제3 공정과, 홈에 따라 칩으로 분할하는 제4 공정으로 최소한 이루어지는 반도체 웨이퍼의 분할 방법을 제공한다.

Description

반도체 웨이퍼 및 반도체 웨이퍼의 분할 방법 {SEMICONDUCTOR WAFER HAVING REGULAR OR IRREGULAR CHIP PATTERN AND DICING METHOD FOR THE SAME}
본 발명은, 개개의 칩 영역의 형상이나 크기, 또는 그들의 배열 방법을 연구함으로써, 반도체 재료의 유효 활용을 도모한 반도체 웨이퍼, 및 그와 같은 반도체 웨이퍼를 분할하여 개개의 칩으로 하는 반도체 웨이퍼의 분할 방법에 관한 것이다.
도 12에 나타낸 통상의 반도체 웨이퍼 W에는, 개개로 회로 패턴이 형성된 동일한 형상 및 크기로 이루어지는 직사각형의 칩 영역 P이 복수 형성되고, 이들은 격자형으로 스트리트 S에 의해 구획되어 있다. 그리고, 이 반도체 웨이퍼 W는, 스트리트 S를 타이밍 장치를 사용하여 절삭함으로써 분할되고, 각 칩 영역 P이 개개의 칩으로 된다.
그러나, 타이밍 장치를 사용한 절삭에 의해 반도체 웨이퍼 W를 개개의 칩으로 분할하는 데는, 스트리트 S가 모두 직선형으로 형성되지 않으면 안되므로, 칩 영역 P의 형상이나 크기, 배치의 방법도 획일적인 것으로 밖에 얻을 수 없고, 예를 들면, 원형, 대형(臺形), L자형, 철형(凸形), 요형(凹形) 등의 여러 형상의 상이한 칩 영역을 1매의 반도체 웨이퍼에 혼재시켜 형성하거나, 각 칩 영역의 배치의 방법을 연구함으로써, 반도체 재료의 유효 활용을 도모하거나 할 수 없었다.
즉, 스트리트의 형상으로 구속되므로, 반도체 재료에 많은 낭비가 생기는 동시에, 각종 형상이나 크기의 칩의 제조에 대한 요청이 복수의 메이커로부터 있음에도 불구하고, 그에 대응할 수 없다고 하는 문제가 있다. 따라서, 스트리트의 형상의 구속을 받지 않는 반도체 웨이퍼를 제공하고, 또한 그와 같은 반도체 웨이퍼의 분할을 가능하게 하는 것에 해결할 과제를 가지고 있다.
도 1은 본 발명에 관한 반도체 웨이퍼의 제1 실시의 형태를 나타낸 배면도이다.
도 2는 상기 반도체 웨이퍼의 제2 실시의 형태를 나타낸 배면도이다.
도 3은 상기 반도체 웨이퍼의 제3 실시의 형태를 나타낸 배면도이다.
도 4는 상기 반도체 웨이퍼의 제4 실시의 형태를 나타낸 배면도이다.
도 5는 본 발명에 관한 반도체 웨이퍼의 분할 방법의 제1 공정을 대행하는 모양을 나타낸 사시도이다.
도 6은 상기 반도체 웨이퍼의 분할 방법을 공정별로 나타낸 설명도이다.
도 7은 상기 반도체 웨이퍼의 분할 방법의 제3 공정에 사용되는 드라이 에칭 장치를 나타낸 사시도이다.
도 8은 상기 드라이 에칭 장치에 있어서의 반출입 체임버 및 처리 체임버를 지지부가 이동하는 모양을 나타낸 설명도이다.
도 9는 상기 드라이 에칭 장치에 있어서의 처리 체임버 및 가스 공급부의 구성을 나타낸 설명도이다.
도 10은 제3 공정에 의해 홈이 형성된 반도체 웨이퍼에 보호 부재를 접착한상태를 나타낸 설명도이다.
도 11은 본 발명에 관한 반도체 웨이퍼의 분할 방법의 제4 공정에 사용되는 연삭 장치를 나타낸 사시도이다.
도 12는 종래의 반도체 웨이퍼를 나타낸 평면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
W1,W2,W3,W4: 반도체 웨이퍼, P1,P2,P3,P4: 칩 영역(칩), S1,S2,S3,S4: 스트리트, 10: 스핀코터, 11: 지지 테이블, 12: 구동부, 13: 적하부(滴下部), 14: 레지스트 폴리머, 20: 포토레지스트막, 21: 홈, 22: 보호 부재, 23: 배면, 30: 드라이 에칭 장치, 31: 반출입 수단, 31a: 카세트, 32: 반출입 체임버, 33: 처리 체임버, 34: 가스 공급부, 35: 제1 게이트, 36:지지부, 37: 제2 게이트, 38: 고주파 전원 및 동조기, 39: 고주파 전극, 40: 냉각부, 41: 탱크, 42: 펌프, 43: 냉각수 순환기, 44: 흡인 펌프, 45: 흡인 펌프, 46: 필터, 50: 연삭 장치, 51: 기대, 52: 벽부, 53: 레일, 54: 슬라이드판, 55: 연삭 수단, 56: 턴테이블, 57: 척테이블, 58: 스핀들, 59: 마운터, 60: 연삭 지석.
상기 과제를 해결하기 위한 구체적 수단으로서 본 발명은, 형상 및 크기가 동일한 직사각형의 칩 영역이 스트리트로 구획되어 복수 형성되어 있고, 스트리트의 일부 또는 전부가 칩 영역의 배치에 대응하여 지그재그로 형성되어 있는 반도체 웨이퍼를 제공한다.
본 발명은, 형상 또는 크기가 불규칙한 칩 영역이 스트리트로 구획되어 복수 형성되어 있고, 스트리트는, 칩 영역의 형상, 크기 및 배치에 대응하여 형성되어 있는 반도체 웨이퍼를 제공한다.
이와 같이 구성되는 반도체 웨이퍼에 의하면, 종래와 같이 직선형의 스트리트에 구속되지 않고, 1매의 반도체 웨이퍼 내에 여러 형상의 칩 영역을 자유로 배치할 수 있으므로, 최소한 5∼10% 많은 칩을 형성할 수 있다. 그리고, 외형이 곡선형으로 형성된 칩 영역이나 형상이나 크기가 상이한 각종 칩 영역을 1매의 반도체 웨이퍼 내에 형성할 수 있다.
또한, 본 발명은, 상기 반도체 웨이퍼를 칩으로 분할하는 반도체 웨이퍼의 분할 방법으로서, 반도체 웨이퍼의 표면에 포토레지스트막을 피복하는 제1 공정과, 스트리트 상부의 포토레지스트막을 노광에 의해 제거하는 제2 공정과, 화학적 에칭에 의해 스트리트에 홈을 형성하는 제3 공정과, 홈에 따라 칩으로 분할하는 제4 공정으로 최소한 이루어지는 반도체 웨이퍼의 분할 방법을 제공한다.
그리고, 이 반도체 웨이퍼의 분할 방법은, 제3 공정에 있어서는 스트리트에 소정 깊이의 홈을 형성하고, 제4 공정에 있어서는 반도체 웨이퍼의 배면으로부터 상기 홈에 이르기까지 연삭하여 칩으로 분할하는 것, 제3 공정에 있어서의 화학적 에칭은, 웨트 에칭, 드라이 에칭 중 하나인 것을 부가적 요건으로 한다.
이와 같이 구성되는 반도체 웨이퍼의 분할 방법에 의하면, 화학적 에칭에 의해 스트리트에 홈을 형성하여 분할하도록 하였으므로, 칩 영역의 외형이 곡선형으로 형성되어 있거나, 개개의 칩 영역의 형상이나 크기가 상이하거나 하여, 스트리트가 직선형으로 형성되어 있지 않은 반도체 웨이퍼라도, 칩으로 분할할 수 있다.
또, 제3 공정에 있어서의 화학적 에칭을 드라이 에칭으로 함으로써, 스트리트 폭을 수 ㎛ 까지 좁게 해도 깊이가 수십 ㎛의 홈을 형성할 수 있으므로, 칩 영역을 조밀하게 배열할 수 있다.
본 발명의 여러 실시의 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 먼저, 도 1에 나타낸 반도체 웨이퍼 W1는, 도 12에 나타낸 종래의 반도체 웨이퍼 W와 직경이 동일하고, 개개의 칩 영역 P1의 형상 및 크기도 도 12의 반도체 웨이퍼 W에 있어서의 칩 영역 P과 마찬가지이지만, 개개의 칩 영역 P1의 배치의 방법이 상이하게 되어 있다.
이 반도체 웨이퍼 W1에 있어서는, 도면에 있어서의 횡방향을 X축 방향, 종방향을 Y축 방향이라고 하면, 칩 영역 P1을 X축 방향으로 약간씩 어긋나게 함으로써, 부분적으로 칩 영역 P1이 높이가 다르게 배치되어 있고, 이에 따른 칩 영역 P1을 구획하는 Y축 방향의 스트리트 S1도 그 일부가 직선형이 아니라 지그재그로 형성되어 있다. 그리고, 칩 영역 P1의 배치의 방법에 따라서는, 전부의 스트리트가 지그재그로 형성되는 경우도 있다.
이와 같이, 칩 영역 P1을 높이가 다르게 배치함으로써, 도 1의 반도체 웨이퍼 W1에는 도 12에 나타낸 반도체 웨이퍼 W 보다 많은 칩 영역 P을 확보할 수 있다. 구체적으로는, 도 1의 반도체 웨이퍼 W에는 칩 영역 P1이 159개 형성되어 있는데 대하여, 도 12의 반도체 웨이퍼 W에 형성되어 있는 칩 영역 P은 144개이며, 칩 영역의 배치를 변경함으로써, 동일한 형상 및 크기의 반도체 웨이퍼에 형성할 수 있는 칩 영역의 수가 10% 이상 증가하고 있는 것을 알 수 있다.
도 2에 나타낸 반도체 웨이퍼 W2는, 본 발명의 제2 실시의 형태를 나타낸 것이며, 원형 그외의 둥근형을 띤 불규칙한 형상의 칩 영역 P2이 복수 형성되어 있다. 그리고, 스트리트 S2는 불규칙한 형상의 칩 영역 P2의 외형에 따라 형성되어 있다.
또, 도 3에 나타낸 반도체 웨이퍼 W3는, 본 발명의 제3 실시의 형태를 나타낸 것이며, 둥근형은 아니지만 불규칙한 형상의 칩 영역 P3이 밀착되어 형성되어 있다. 그리고, 스트리트 S3는 이들 칩 영역 P3의 외형에 따라 형성되고, 인접하는 칩 영역 사이를 구획하고 있다.
또한, 도 4에 나타낸 반도체 웨이퍼 W4는, 본 발명의 제4 실시의 형태를 나타낸 것이며, 각종 크기의 직사각형의 칩 영역 P4이 밀착되어 형성되어 있다. 그리고, 스트리트 S4는, 이들 칩 영역 P4의 외형에 따라 형성되고, 인접하는 칩 영역 사이를 구획하고 있다. 또, 도 1에 나타낸 반도체 웨이퍼 W와 마찬가지로, 도면에 있어서의 횡방향을 X축 방향, 종방향을 Y축 방향이라고 하면, 칩 영역 P4를 X축 방향으로 약간씩 어긋나게 함으로써, 부분적으로 높이가 다르게 배치하고 있고, 이에 따라 칩 영역 P을 구획하는 Y축 방향의 스트리트 S도 부분적으로 직선이 아니라 지그재그로 형성되어 있다.
이상과 같이, 도 1로부터 도 4에 나타낸 반도체 웨이퍼에 있어서는, 1매의반도체 웨이퍼 내에 각종 형상의 칩 영역을 자유로 배치할 수 있으므로, 최소한 5∼10% 많은 칩을 형성할 수 있고, 반도체 재료를 유효하게 활용할 수 있다. 그리고, 외형이 곡선형으로 형성된 칩 영역이나 형상이나 크기가 다른 각종 칩 영역을 1매의 반도체 웨이퍼 내에 형성할 수 있으므로, 복수의 메이커로부터의 상이한 요청에 대응할 수 있다.
도 1 내지 도 4에 나타낸 어떤 반도체 웨이퍼도, 처리 공정에 있어서는, 회로를 베이킹하는 노광 시에 사용하는 포토마스크의 마스크 패턴을 목적으로 하는 칩 영역의 형상으로서 그 형상을 전사(轉寫)함으로써, 각종 형상 및 크기의 칩 영역을 형성할 수 있다. 그러나, 어떤 경우도 스트리트는 일정한 직선이 아니므로, 종래와 같은 절삭에 의해서는 분할할 수 없거나, 또는 할 수 있어도 절삭 장치의 제어가 번잡하게 되어 현저하게 생산성이 저하되게 된다. 그래서 다음과 같은 방법에 의해 분할을 행한다.
예를 들면, 도 1에 나타낸 반도체 웨이퍼 W를 개개의 칩 P1으로 분할하는 경우를 예를 들면, 먼저 최초에 예를 들면 도 5에 나타낸 스핀코터(10)를 사용하여 분할전의 반도체 웨이퍼 W1의 표면에 포토레지스트막을 피복한다(제1 공정). 스핀코터(10)에 있어서는, 반도체 웨이퍼 W가 지지되는 지지테이블(11)은 구동부(12)에 의해 구동되어 회전 가능하게 되어 있고, 반도체 웨이퍼 W는 표면(회로면)을 위로하여 지지테이블(11)에 지지된다.
그리고, 지지테이블(11)을 고속회전시키면서 적하부(13)로부터 레지스트폴리머(14)를 반도체 웨이퍼 W의 회로면에 적하함으로써, 도 6 (A)에 나타낸 바와 같이, 회로면의 일면에 레지스트막(20)이 피복된다.
다음에, 반도체 웨이퍼 W1의 스트리트 형상에 대응한 마스크 패턴이 형성된 포토마스크를 준비하고, 그 포토 마스크를 통하여 광을 투과시켜 스트리트 S1의 상부만을 노광하고, 노광에 의해 변질된 스트리트 S1의 상부의 포토레지스트막만을 제거하여 도 6 (B)에 나타낸 상태로 한다(제2 공정).
이리하여 스트리트 S의 상부의 포토레지스트막이 제거되어 스트리트 S만이 노출된 반도체 웨이퍼 W는 다음에 예를 들면 도 7에 나타낸 드라이 에칭 장치(30)의 카세트(31a)에 복수 수용되고, 스트리트 S가 화학적으로 에칭된다.
도 7에 나타낸 드라이 에칭 장치(30)는, 카세트(31a)로부터의 반도체 웨이퍼의 반출 및 화학적 에칭 공정 종료 후의 반도체 웨이퍼의 카세트(31a)에의 반입을 행하는 반출입 수단(31)과, 반출입 수단(31)에 의해 반출입되는 반도체 웨이퍼가 수용되는 반출입 체임버(32)와, 드라이 에칭을 행하는 처리 체임버(33)와, 에칭 가스를 처리 체임버(33) 내에 공급하는 가스 공급부(34)로 대략 구성된다.
카세트(31a)에 수용된 반도체 웨이퍼 W는, 반출입 수단(31)에 의해 반출된다. 그리고, 반출입 체임버(32)에 구비된 제1 게이트(35)가 열리고, 도 8에 나타낸 반출입 체임버(32) 내에 위치된 지지부(36)에 반도체 웨이퍼 W가 탑재된다.
도 8에 나타낸 바와 같이, 반출입 체임버(32)와 처리 체임버(33)와는 제2 게이트(37)에 의해 차단되어 있지만, 제2 게이트(37)를 열었을 때는 지지부936)가 반출입 체임버(32)의 내부와 처리 체임버(33)의 내부와의 사이를 이동 가능하게 되어 있다.
도 9에 나타낸 바와 같이, 처리 체임버(33)에는, 고주파 전원 및 동조기(38)에 접속되어 플라즈마를 발생하는 한쌍의 고주파 전극(39)이 상하 방향으로 대치하여 배설되어 있고, 본 실시의 형태에 있어서는, 편측의 고주파 전극(39)이 지지부(36)을 겸한 구성으로 되어 있다. 또, 지지부(36)에는 지지된 반도체 웨이퍼를 냉각시키는 냉각부(40)를 설치하고 있다.
한편, 가스공급부(34)에는, 에칭 가스를 저장한 탱크(41)와, 탱크(41)에 저장한 에칭 가스를 처리 체임버(33)에 공급하는 펌프(42)를 구비하는 동시에, 냉각부(40)에 냉각수를 공급하는 냉각수 순환기(43), 지지부(36)에 흡인력을 공급하는 흡인 펌프(44), 처리 체임버(33) 내의 에칭 가스를 흡인하는 흡인 펌프(45), 흡인 펌프(45)가 흡인한 에칭 가스를 중화하여 배출부(47)에 배출하는 필터(46)를 구비하고 있다.
제2 공정이 종료된 반도체 웨이퍼 W1의 스트리트 S1를 드라이 에칭할 때는, 반출입 체임버(32)에 설치된 제1 게이트(35)를 열고, 반출입 수단(31)이 반도체 웨이퍼 W를 지지하여 도 8에 있어서의 화살표 방향으로 이동함으로써, 반출입 체임버(32) 내에 위치된 지지부(36)에 반도체 웨이퍼 W가, 표면을 위로 하여 탑재된다. 그리고, 제1 게이트(35)를 닫고, 반출입 체임버(32) 내를 진공으로 한다.
다음에, 제2 게이트(37)를 열어 지지부(36)가 처리 체임버(33) 내로 이동함으로써, 반도체 웨이퍼 W가 처리 체임버(33) 내에 수용된다. 처리 체임버(33) 내에는, 펌프(42)에 의해 에칭 가스, 예를 들면 희박한 불소 가스를 공급하는 동시에, 고주파 전원 및 동조기(38)로부터 고주파 전극(39)에 고주파 전압을 공급함으로써,반도체 웨이퍼 W의 표면을 플라즈마에 의해 드라이 에칭한다. 이 때, 냉각부(40)에는 냉각수 순환기(43)에 의해 냉각수가 공급된다.
이와 같이 하여 드라이 에칭이 행해지면, 반도체 웨이퍼 W1의 표면 중, 스트리트 S1의 상부에 피복되어 있던 레지스트막은, 레지스트막 제거 공정에 있어서 제거되어 있지만, 그 외의 부분은 레지스트막으로 덮여져 있으므로, 스트리트 S1만이 화학적 에칭 처리에 의해 소정 깊이 침식되고, 도 6 (C)에 나타낸 바와 같이, 스트리트 S1에 홈(21)이 형성된다(제3 공정).
화학적 에칭의 종료 후는, 처리 체임버(33)에 공급한 에칭 가스를 흡인 펌프(45)에 의해 흡인하고, 필터(46)에 있어서 중화하여 배출부(47)로부터 외부로 배출된다. 그리고, 처리 체임버(33) 내를 진공으로 하여 제2 게이트(37)를 열고, 에칭이 종료된 반도체 웨이퍼 W를 지지한 지지부(36)가 반출입 체임버(32)로 이동하고, 제2 게이트(37)를 닫는다.
반도체 웨이퍼 W가 반출입 체임버(32)로 이동하면, 제1 게이트(35)를 열고, 반출입 수단(31)이 반도체 웨이퍼 W를 지지하여 반출입 체임버(32)로부터 반출하여, 카세트(31a)에 수용한다.
이상과 같은 공정을 모든 반도체 웨이퍼에 대하여 수행함으로써, 화학적 에칭 처리에 의해 반도체 웨이퍼 W1에 도 6 (C)에 나타낸 바와 같은 홈(21)이 형성되고, 카세트(31a)에 수용된다.
이와 같이, 화학적 에칭을 드라이 에칭으로 하면, 스트리트폭을 수 ㎛까지 좁게해도 깊이가 수십㎛의 홈을 형성할 수 있으므로, 칩 영역을 조밀하게 배열할수 있고, 보다 한층 반도체 웨이퍼 상에 많은 칩 영역을 형성할 수 있다.
그리고, 제3 공정에 있어서는, 드라이 에칭에 한하지 않고, 불소의 에칭액에 반도체 웨이퍼를 침적하여 웨트 에칭에 의해 홈을 형성해도 된다.
이와 같이 하여 스트리트 S1에 홈(21)이 형성된 반도체 웨이퍼 W1에는, 도 10에 나타낸 바와 같이, 그 표면에 포토레지스트막의 위로부터 보호 부재(22)가 접착되고, 예를 들면 도 11에 나타낸 연삭 장치(50)에 있어서, 배면(23)이 연삭된다. 그리고, 보호 부재(22)는 레지스트막의 위로부터 접착하는 것이 아니고, 레지스트막을 제거하고 나서 접착하도록 해도 된다.
이 연삭 장치(50)에 있어서는, 기대(基臺)(51)의 단부로부터 벽부(52)가 기립되어 설치되어 있고, 이 벽부(52)의 내측의 면에는 한쌍의 레일(53)이 수직 방향으로 설치되고, 레일(53)에 따라 슬라이드판(54)이 상하동 하는데 따라서 슬라이드판(54)에 장착된 연삭 수단(55)이 상하동하도록 구성되어 있다. 또, 기대(51)상에는 턴테이블(56)이 회전 가능하게 설치되고, 또한 턴테이블(56) 상에는 반도체 웨이퍼를 지지하는 척테이블(57)이 설치되어 있다.
연삭 수단(55)에 있어서는, 수직 방향의 축심을 가지는 스핀들(58)의 선단에 마운터(59)를 통하여 연삭 지석(60)이 장착되어 있고, 연삭 지석(60)은, 스핀들(58)의 회전에 따라 회전하는 구성으로 되어 있다.
도 10과 같이 표면에 보호 부재(22)가 접착된 반도체 웨이퍼 W1는, 배면(23)을 위로 하여 척테이블(57)에 흡인 지지된다. 그리고, 턴테이블(56)을 회전시켜 그 반도체 웨이퍼 W1를 연삭 수단(55)의 바로 아래에 위치시키고, 스핀들(58)을 회전시키는 동시에, 연삭 수단(55)을 하강시켜 가면, 스핀들(58)과 함께 고속 회전하는 연삭 지석(58)이 반도체 웨이퍼 W1의 배면(23)에 접촉하여 가압력이 더해 감으로써, 배면(23)이 연삭 지석(58)에 의해 연삭된다.
이와 같이 하여 배면(23) 측으로부터 반도체 웨이퍼 W1가 연삭되어가면, 홈(21)의 하측이 모두 연삭되어, 이윽고 홈(21)이 나타나고, 홈(21)에 따라 반도체 웨이퍼 W1가 개개의 칩 P1으로 분리된다. 그리고, 보호 부재(22)를 박리함으로써, 도 6 (D)에 나타낸 바와 같이, 개개의 칩 P1으로 분할된다(제4 공정). 그리고, 개개의 칩의 표면에 피복되어 있는 포토레지스트막은, 적절한 용액을 사용하여 제거할 필요가 있다.
이와 같이, 본 발명에 관한 반도체 웨이퍼의 분할 방법에 의하면, 스트리트의 형상에 구속되지 않고 칩으로 분할할 수 있다. 따라서, 본 실시의 형태에서는 도 1에 나타낸 반도체 웨이퍼 W1를 분할하는 경우에 대하여 설명하였으나, 도 2 내지 도 4에 나타낸 반도체 웨이퍼는 물론, 칩 영역의 형상이나 크기 가 어떻게 형성되어 있어도, 또 칩 영역이 어떻게 배치되어 있어도, 항상 칩으로 분할할 수 있다.
또, 제4 공정에 있어서 반드시 반도체 웨이퍼의 배면을 연삭할 필요는 없고, 화학적 에칭만에 의해 홈을 표리면에 관통시켜 버림으로써 칩으로 분리시켜도 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 관한 반도체 웨이퍼에 의하면, 종래와 같이 직선형의 스트리트에 구속되지 않고 1매의 반도체 웨이퍼 내에 각종 형상의 칩영역을 자유로 배치할 수 있으므로, 최소한 5 내지 10% 많은 칩을 형성할 수 있고, 반도체 재료를 유효하게 활용할 수 있다. 그리고, 외형이 곡선형으로 형성된 칩 영역의 형상이나 크기가 상이한 각종 칩 영역을 1매의 반도체 웨이퍼 내에 형성할 수 있으므로, 복수의 메이커로부터의 상이한 요청에 동시에 대응할 수 있다.
또, 본 발명에 관한 반도체 웨이퍼의 분할 방법에 의하면, 화학적 에칭에 의해 스트리트에 홈을 형성하여 분할하도록 하였으므로, 칩 영역의 외형이 곡선형으로 형성되어 있거나 개개의 칩 영역의 형상이나 크기가 상이하거나 하여 스트리트가 직선형으로 형성되어 있지 않은 반도체 웨이퍼라도, 칩으로 분할할 수 있다. 따라서, 1매의 반도체 웨이퍼로부터 다양한 형상이나 크기의 칩을 제공할 수 있다.
또한, 제3 공정에 있어서의 화학적 에칭을 드라이 에칭함으로써, 스트리트폭을 수㎛까지 좁게 해도 깊이가 수십㎛의 홈을 형성할 수 있으므로, 칩 영역을 조밀하게 배열할 수 있고, 보다 한층 반도체 웨이퍼 상에 많은 칩 영역을 형성할 수 있다.

Claims (5)

  1. 형상 및 크기가 동일한 직사각형의 칩 영역이 스트리트로 구획되어 복수 형성되어 있고, 상기 스트리트의 일부 또는 전부가 상기 칩 영역의 배치에 대응하여 지그재그로 형성되어 있는 반도체 웨이퍼.
  2. 형상 또는 크기가 불규칙한 칩 영역이 스트리트로 구획되어 복수 형성되어 있고, 상기 스트리트는, 상기 칩 영역의 형상, 크기 및 배치에 대응하여 형성되어 있는 반도체 웨이퍼.
  3. 제1항 또는 제2항에 기재된 반도체 웨이퍼를 칩으로 분할하는 반도체 웨이퍼의 분할 방법으로서,
    반도체 웨이퍼의 표면에 포토레지스트막을 피복하는 제1 공정과,
    스트리트 상부의 포토레지스트막을 노광에 의해 제거하는 제2 공정과,
    화학적 에칭에 의해 상기 스트리트에 홈을 형성하는 제3 공정과,
    상기 홈에 따라 칩으로 분할하는 제4 공정
    으로 최소한 이루어지는 반도체 웨이퍼의 분할 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    제3 공정에 있어서는 스트리트에 소정 깊이의 홈을 형성하고, 제4 공정에 있어서는 반도체 웨이퍼의 배면으로부터 상기 홈에 이르기까지 연삭하여 칩으로 분할하는 반도체 웨이퍼의 분할 방법.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    제3 공정에 있어서의 화학적 에칭은, 웨트 에칭, 드라이 에칭 중 어느 하나인 반도체 웨이퍼의 분할 방법.
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