KR20010104705A - 탄성 표면파 디바이스와 이것을 이용한 통신 기기 - Google Patents

탄성 표면파 디바이스와 이것을 이용한 통신 기기 Download PDF

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이가키츠토무
마츠나미겐
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모리시타 요이찌
마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤
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Abstract

압전 기판(1)상에 입, 출력 인터 디지털 트랜스듀서(IDT) 전극(11, 12)과, 입력 IDT 전극(11)의 탄성 표면파의 출력측에 설치한 제1 반사기 전극(13)과, 출력 IDT 전극(12)의 탄성 표면파의 입력측에 설치한 제2 반사기 전극(14)을 구비한 탄성 표면파 디바이스에서, 식 (1)을 만족함으로써 뛰어난 통과 대역 내 특성을 실현한다.
2(θ-5)≤tan-1(D/L)≤2(θ+5) (1)
단,
θ: 입, 출력 IDT 전극의 탄성 표면파의 전파 방향으로 수직인 면에 대한 제1 또는 제2 반사기 전극의 경사(°:0°를 제외함)
D : 입, 출력 IDT 전극의 탄성 표면파의 전파 방향과 수직 방향의 폭의
중심간 거리(㎛)
L : 제1 반사기 전극과 제2 반사기 전극의 중심간 거리(㎛)

Description

탄성 표면파 디바이스와 이것을 이용한 통신 기기{Saw device and communication device using saw device}
예컨대, 최근 주목을 모으고 있는 CDMA 방식의 IF단에 이용되는 필터와 같이, 비교적 넓은 통과 대역이고, 또 통과 대역 내의 위상 특성의 평탄성이 중요한 경우에는, 진폭 특성과 위상 특성을 독립적으로 설계할 수 있는 탄성 표면파 디바이스가 적합하다. 또, 휴대 단말의 소형, 경량화가 진행되고, 이에 따라 IF단의 탄성 표면파 디바이스에도 소형화가 요구되고 있다. 따라서, 트랜스버설형 탄성 표면파 디바이스를 개량한 것이 개발되고 있다.
종래의 탄성 표면파 디바이스는, 도 14에 도시한 바와 같이 압전 기판(100)상에 입,출력 인터 디지털 트랜스듀서 전극(101, 102)(이하, IDT 전극이라 한다)을 평행하게 설치하고, 입력 IDT 전극(101)의 출력측 단부와 압전 기판(100)의 단부의 사이에 제1 반사기 전극(103)을 설치하는 동시에, 출력 IDT 전극(102)의 입력측 단부와 압전 기판(100)의 단부와의 사이에 제2 반사기 전극(104)을 설치한 것이었다. 또, 제1 및 제2 반사기 전극(103, 104)은 탄성 표면파의 전파 방향과 수직 방향에대해 경사시켜 설치한 것이었다.
이 탄성 표면파 디바이스의 입력 단자에 전기 신호가 입력되면, 입력 IDT 전극(101)을 탄성 표면파가 전파하여, 제1 반사기 전극(103)에 의해 반사되어 제2 반사기 전극(104)에 전파하고, 제2 반사기 전극(104)에서 반사되어 출력 IDT 전극(102)에 전파하여, 출력 단자로부터 출력된다.
따라서, 트랜스버설형의 탄성 표면파 디바이스와 비교하면, 입, 출력 IDT 전극(101, 102)의 탄성 표면파의 전파 방향에서의 겹치는 부분만큼 소형화할 수 있다.
이 구성의 탄성 표면파 디바이스에서는 제1 및 제2 반사기 전극(103, 104)의 입, 출력 IDT 전극(101, 102)에 대한 경사 각도에 의해 탄성 표면파의 반사 상태가 다른, 즉 통과 대역 내 특성에 영향을 미치게 된다.
따라서, 본 발명은 입력 IDT 전극으로부터 출력 IDT 전극으로의 탄성 표면파의 전파를 효율 좋게 행하여, 통과 대역 내 특성이 뛰어난 탄성 표면파 디바이스를 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.
본 발명은 무선 통신 기기의 고주파 회로 등에 사용되는 탄성 표면파 디바이스와 이것을 이용한 통신 기기에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 실시형태 1에서의 탄성 표면파 디바이스의 상면도,
도 2는 본 발명의 실시형태 2에서의 탄성 표면파 디바이스의 상면도,
도 3(a)는 본 발명의 실시형태 3에서의 탄성 표면파 디바이스의 상면도,
도 3(b)는 본 발명의 실시형태 3에서의 탄성 표면파 디바이스의 상면도,
도 4는 본 발명의 실시형태 4에서의 탄성 표면파 디바이스의 상면도,
도 5(a)는 본 발명의 실시형태 5에서의 탄성 표면파 디바이스의 상면도,
도 5(b)는 본 발명의 실시형태 5에서의 탄성 표면파 디바이스의 상면도,
도 6은 본 발명의 실시형태 6에서의 탄성 표면파 디바이스의 상면도,
도 7은 본 발명의 실시형태 7에서의 탄성 표면파 디바이스의 상면도,
도 8은 본 발명의 실시형태 8에서의 탄성 표면파 디바이스의 상면도,
도 9는 본 발명의 실시형태 8에서의 탄성 표면파 디바이스의 상면도,
도 10는 본 발명의 실시형태 9에서의 탄성 표면파 디바이스의 상면도,
도 11은 본 발명의 실시형태 10에서의 탄성 표면파 디바이스의 상면도,
도 12는 본 발명의 실시형태 11에서의 탄성 표면파 디바이스의 상면도,
도 13은 본 발명의 실시형태 12에서의 통신 기기의 송수신 회로도,
도 14는 종래의 탄성 표면파 디바이스의 상면도이다.
이 목적을 달성하기 위해 본 발명의 제1 탄성 표면파 디바이스는, 압전 기판과, 이 압전 기판상에 탄성 표면파의 전파 방향이 평행하게 되도록 설치한 입, 출력 IDT 전극과, 이 입력 IDT 전극의 상기 탄성 표면파의 출력측에 설치한 제1 반사기 전극과, 상기 출력 IDT 전극의 상기 탄성 표면파의 입력측에 설치한 제2 반사기 전극을 구비하고, 식 (1)을 만족하는 것으로, 탄성 표면파를 효율좋게 전파시킬 수있으므로, 통과 대역 내 특성이 뛰어난 것으로 할 수 있다.
2(θ-5)≤tan-1(D/L)≤2(θ+5) (1)
단,
θ: 입, 출력 IDT 전극의 탄성 표면파의 전파 방향으로 수직인 면에 대한 제1 또는 제2 반사기 전극의 경사(°:0°를 제외함)
D : 입, 출력 IDT 전극의 탄성 표면파의 전파 방향과 수직 방향의 폭의 중심간 거리(㎛)
L : 제1 반사기 전극과 제2 반사기 전극의 중심간 거리(㎛)
이 디바이스에서 또, θ를 25°이하로 함으로써, 통과 대역 내 특성이 뛰어난 것으로 할 수 있다.
이 디바이스에서 또, 제1 및 제2 반사기 전극의 반사 계수를 거의 1로 함으로써, 저삽입 손실로 할 수 있다.
이 디바이스에서 또, 입력 및 출력 IDT 전극의 적어도 한쪽을 한 방향성 전극으로 함으로써, 저삽입 손실로 할 수 있다.
이 디바이스에서 또, 제1 및 제2 반사기 전극을 입, 출력 IDT 전극간에 설치한 주변 전극에서 전기적으로 접속하는 동시에 접지함으로써, 주변 전극이 시일드 전극으로서 작용하여, 입, 출력 IDT 전극의 전자적 결합을 방지하여 통과 대역 외 감쇠량을 큰 것으로 할 수 있다.
이 디바이스에서 또, 제1 및 제2 반사기 전극을 다수로 분할함으로써, 대역 외 감쇠량을 크게 할 수 있다.
이 디바이스에서 또 주변 전극을 입, 출력 IDT 전극의 버스 바(bus bar)보다도 굵게 함으로써, 시일드 효과를 더 높일 수 있다.
이 디바이스에서 또, 제1 또는 제2 반사기 전극의 입, 출력 IDT 전극측 단부의 적어도 한 쪽에 상기 반사기 전극의 전극 핑거와 동일 주기, 동일 폭, 동일 경사 각도에서 상기 전극 핑거보다도 짧은 전극 핑거를 설치함으로써, 사각형에 가까운 필터 파형을 실현할 수 있다.
이 디바이스에서 또, 짧은 전극 핑거를 설치한 반사기 전극의 IDT 전극측의 단부에 IDT 전극의 전극 핑거와 평행하게, 탄성 표면파의 파장의 거의 1/8폭으로 전극 핑거 단부를 접속하는 전극 핑거를 설치함으로써, 불필요한 반사를 방지할 수 있다.
이 디바이스에서 또 제1 반사기 전극과 제2 반사기 전극의 반사 특성을 다르게 함으로써, 통과 대역 외 감쇠량을 크게 할 수 있다.
이 디바이스에서 또, 제1 및 제2 반사기 전극의 금속화 비율을 0.45∼0.75로 함으로써, 반사기 전극의 전극 핑거 1개당의 반사 효율을 높게 하여 반사기 전극을 소형화할 수 있다.
이 디바이스에서 또, 반사기 전극 일부의 전극 핑거 폭을 다른 전극 핑거 폭보다도 크게 함으로써, 대역 외 감쇠량을 크게 할 수 있다.
이 디바이스에서 또, 입력 IDT 전극의 제1 반사기 전극을 설치한 측과는 반대측에 입력 IDT 전극으로부터 소정의 간격을 가지도록 제3 반사기 전극을 설치하는 동시에, 출력 IDT 전극의 제2 반사기 전극을 설치한 측과는 반대측에 출력 IDT전극으로부터 소정의 간격을 가지도록 제4 반사기 전극을 설치함으로써, 입력 IDT 전극을 전파하는 쌍방향의 탄성 표면파를 효율좋게 출력 IDT 전극에 전파시킬 수 있다.
이 디바이스에서 또, 입력 및 출력 IDT 전극의 적어도 한 쪽을 전극 핑거 폭이 거의 λ/8(λ: 탄성 표면파의 파장)의 스플릿(split) 전극으로 구성함으로써, 입, 출력 IDT 전극 내부에서의 내부 반사를 방지하여, 넓고 또 평탄한 통과 대역을 가지는 것이 된다.
이 디바이스에서 또, 탄성 표면파 디바이스의 입, 출력 단자가 불평형형인 경우, 대향하는 입, 출력 IDT 전극측의 입, 출력 단자를 접지함으로써, 입, 출력 IDT 전극의 전자적 결합을 방지하여 통과 대역 외 감쇠량을 큰 것으로 할 수 있다.
이 디바이스에서 또, 제1 및 제2 반사기 전극과 탄성 표면파의 전파 방향의 압전 기판 단부와의 사이에 흡음재를 설치함으로써, 압전 기판의 단부에서의 불필요 반사파를 흡수하여, 평탄한 통과 대역을 가지는 것으로 할 수 있다.
이 디바이스에서 또, 제1 및 제2 반사기 전극과 탄성 표면파의 전파 방향에 평행한 압전 기판의 단부와의 사이에도 흡음재를 설치함으로써, 압전 기판의 단부에서의 불필요 반사파를 더 흡수하여, 평탄한 통과 대역을 가지는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 제2 탄성 표면파 디바이스는, 압전 기판과, 이 압전 기판상에 평행하게 설치한 입, 출력 IDT 전극과, 이 입, 출력 IDT 전극의 양측에 설치한 제1∼제4 반사기 전극과, 입, 출력 IDT 전극간에 설치한 제5 반사기 전극을 구비하고,제1∼제4 반사기 전극은 탄성 표면파의 전파 방향에 수직인 면에 대해 대략 동일 각도로 경사시킨 탄성 표면파 디바이스로, 소형이고 통과 대역 외 감쇠량이 뛰어난 탄성 표면파 디바이스를 실현할 수 있다.
이 디바이스에서, 또 식(2)를 만족함으로써, 탄성 표면파를 효율 좋게 전파시킬 수 있다.
2(θ-5)≤tan-1(D/L)≤2(θ+5) (2)
단,
θ: 입, 출력 IDT 전극의 탄성 표면파의 전파 방향으로 수직인 면에 대한 제1 ∼ 제4 반사기 전극 중 1이상의 반사기 전극의 경사(°:0°를 제외함)
D : 입, 출력 IDT 전극의 탄성 표면파의 전파 방향과 수직 방햐의 폭의 중심간 거리(㎛)
L : 제1 반사기 전극과 제2 반사기 전극의 중심간 거리(㎛)
이 디바이스에서 또 θ를 25°이하로 함으로써, 통과 대역 내 특성이 뛰어난 것으로 할 수 있다.
이 디바이스에서 또, 제1 내지 제5 반사기 전극의 반사 계수를 거의 1로 함으로써, 저삽입 손실로 할 수 있다.
이 디바이스에서 또, 입력 및 출력 IDT 전극의 적어도 한 쪽은 전극 핑거 폭을 거의 λ/8(λ: 탄성 표면파의 파장)의 스플릿(split) 전극으로 구성함으로써, 입, 출력 IDT 전극 내부에서의 내부 반사를 방지하여, 넓고 또 평탄한 통과 대역을 가지는 것으로 할 수 있다.
이 디바이스에서 또, 제5 반사기 전극을 접지함으로써, 시일드 전극으로서 작용함으로써 입, 출력 IDT 전극의 전자적 결합을 방지하여 통과 대역 외 감쇠량이 큰 것으로 할 수 있다.
이 디바이스에서 또, 제1 내지 제4 반사기 전극의 입, 출력 IDT측 단부의 적어도 한 쪽에 반사기 전극의 전극 핑거와 동일 주기, 동일 폭, 동일 경사 각도에서 전극 핑거보다도 짧은 전극 핑거를 설치함으로써, 사각형에 가까운 필터 파형을 가지는 것으로 할 수 있다.
이 디바이스에서 또, 짧은 전극 핑거를 설치한 반사기 전극의 IDT 전극측의 단부에 IDT 전극의 전극 핑거와 평행하게, 탄성 표면파의 파장의 거의 1/8폭으로 전극 핑거 단부를 접속하는 전극 핑거를 설치함으로써, 불필요한 반사를 방지할 수 있다.
이 디바이스에서 또 제1, 제2 반사기 전극과 제3, 제4 반사기 전극의 반사 특성을 다른 것으로 함으로써, 통과 대역 외 감쇠량을 크게 할 수 있다.
이 디바이스에서 또, 제1 내지 제5 반사기 전극의 금속화 비율을 0.45∼0.75로 함으로써, 전극 핑거 1개당의 반사 효율을 높게 하여 반사기 전극을 소형화할 수 있다.
이 디바이스에서 또, 제1 내지 제5 반사기 전극의 적어도 하나에서, 일부의 전극 핑거 폭을 다른 전극 핑거 폭보다도 넓게 함으로써, 대역 외 감쇠량을 크게 할 수 있다.
이 디바이스에서 또, 전극 표면파 디바이스의 입, 출력 단자가 불평형형인경우, 대향하는 입, 출력 IDT 전극측의 입, 출력 단자를 접지함으로써, 입, 출력 IDT 전극의 전자적 결합을 방지하여 통과 대역 외 감쇠량을 크게 할 수 있다.
이 디바이스에서 또 제1 내지 제5 반사기 전극과 탄성 표면파의 전파 방향의 압전 기판 단부와의 사이에 흡음재를 설치함으로써, 압전 기판 단부에서의 불필요 반사파를 흡수하여, 평탄한 통과 대역을 가지는 것으로 할 수 있다.
이 디바이스에서 또, 제1 내지 제4 반사기 전극과 탄성 표면파의 전파 방향과 평행한 압전 기판의 단부와의 사이에도 흡음재를 설치함으로써, 압전 기판의 단부에서의 불필요파를 더 흡수하여, 평탄한 통과 대역을 가지는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 통신 기기는, 믹서와, 이 믹서의 출력측에 그 입력측을 접속한 본 발명에 관한 탄성 표면파 디바이스와, 이 탄성 표면파 디바이스의 출력측에 그 입력측을 접속한 앰프를 구비한 통신 기기로, 앰프의 소자 인수를 줄일 수 있거나 앰프에서의 소비 전력을 작게 할 수 있는 등, 성능, 비용이 뛰어난 것으로 할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
(실시형태 1)
도 1은 본 발명의 실시형태 1에서의 탄성 표면파 디바이스의 상면도이다.
이 탄성 표면파 디바이스는, 압전 기판(10)상에 입, 출력 IDT 전극(11, 12)을 탄성 표면파의 주요한 전파 방향(이하, 탄성 표면파의 전파 방향으로 한다)에 평행하고, 또 그 일단부가 겹쳐지도록 설치되어 있다.
입력 IDT 전극(11)은 양극측의 버스 바(bus bar)(11a)에 접속된 다수의 양극측 전극 핑거(11b)와, 음극측의 버스 바(11c)에 접속된 다수의 음극측 전극 핑거(11d)를 맞물리게 한 것으로, 버스 바(11a, 11c)를 통해 입력 단자(15a, 15b)에 접속하게 된다.
출력 IDT 전극(12)은 양극측의 버스 바(12a)에 접속된 다수의 양극측 전극 핑거(12b)와 음극측의 버스 바(12c)에 접속된 다수의 음극측 전극 핑거(12d)를 맞물리게 한 것으로, 버스 바(12a, 12c)를 통해 출력 단자(16a, 16b)에 접속하게 된다.
전극 핑거(11b, 11d, 12b, 12d)는 각각 거의 같은 길이이고, 탄성 표면파의 파장(λ)의 거의 1/8의 폭에서 동일 주기를 가지도록 배치한 것으로, 입, 출력 IDT 전극(11, 12) 모두 스플릿 전극으로 하여, 내부 반사를 방지한 구조로 되어 있다.
또, 제1 반사기 전극(13)은 입력 IDT 전극(11)의 출력 IDT 전극(12)측의 단부에 입력 IDT 전극(11)으로부터 소정의 간격을 가지도록 설치한 것으로, 제2 반사기 전극(14)은 출력 IDT 전극(12)의 입력 IDT 전극(11)측의 단부에 출력 IDT 전극(12)으로부터 소정의 간격을 가지도록 설치한 것이다. 또, 탄성 표면파의 전파 방향에 수직인 면과 전극 핑거(13a, 14a)가 이루는 각이 25°이하가 되도록 경사시킨 것이다. 제1 및 제2 반사기 전극(13, 14)은 각각 대략 동일 폭, 동일 길이의 전극 핑거(13a, 14a)를 동일 주기로 배치한 것으로, 반사 계수는 거의 1이다. 따라서, 이 제1 및 제2 반사기 전극(13, 14)의 외주 형상은 대략 평행 사변형이 된다. 또, 제1 및 제2 반사기 전극(13, 14)의 탄성 표면파의 전파 방향과 수직 방향의 폭은, 입, 출력 IDT 전극(11, 12)의 같은 방향의 폭 이상으로 하고 있다.
또, 입, 출력 IDT 전극(11, 12), 제1, 제2 반사기 전극(13, 14)은 압전 기판(10)상에서, 식(1)을 만족하는 위치에 형성되어 있다.
상기 구조의 탄성 표면파 디바이스는, 입력 단자(15a, 15b)로부터 입력 IDT 전극(11)에 전기 신호가 인가되면 탄성 표면파가 제1 반사기 전극(13)으로 전파되고, 제1 반사기 전극(13)에서 반사되어 제2 반사기 전극(14)으로 전파된다. 이어서, 제2 반사기 전극(14)에서 다시 반사된 탄성 표면파는 출력 IDT 전극(12)으로 전파되어 출력 단자(16a, 16b)에서 전기 신호로서 취출된다. 즉, 탄성 표면파는 Z형의 전파 경로를 취하게 되는데, 제1 및 제2 반사기 전극(13, 14)이 입력 IDT 전극(11)을 전파해 온 탄성 표면파를 효율 좋게 반사하여, 출력 IDT 전극(12)에 전파할 수 있으므로, 저삽입 손실이고, 평탄한 통과 대역 특성을 가지는 탄성 표면파 디바이스가 된다.
(실시형태 2)
도 2는 본 발명의 실시형태 2에서의 탄성 표면파 디바이스의 상면도로, 도 1과 같은 구성 요소에 대해서는 같은 번호를 붙여 설명을 생략한다.
실시형태 1과 다른 점에 대해서 설명한다. 본 실시형태 2에서는, 입력 IDT 전극(11), 제2 반사기 전극(14) 및 출력 IDT 전극(12), 제1 반사기 전극(13)과 압전 기판(10)의 단부와의 사이에 흡음재(17a, 17b)를 형성한 것이다.
이 흡음재(17a, 17b)를 형성함으로써, 탄성 표면파의 전파 방향에서의 압전 기판(10)의 단면에서의 불필요 반사를 방지하여, 평탄한 통과 대역을 실현할 수 있다.
또, 제1 반사기 전극(13) 및 제2 반사기 전극(14)의 전극 핑거(13a, 14a)를 버스 바(13b, 13c, 14b, 14c)에서 전기적으로 접속하고, 버스 바(13c, 14b)를 주변전극(18)에 의해 전기적으로 접속하는 동시에 버스 바(13b, 14c)를 어스 단자(13f, 14f)에 접속하고 있다. 이 주변 전극(18)은 압전 기판(10)상에서 입력 IDT 전극(11)과 출력 IDT 전극(12)의 사이에 설치하는 동시에, 입, 출력 IDT 전극(11, 12)의 가장 굵은 부분 즉, 버스 바(11a, 11c, 12a, 12c)의 폭보다 넓은 폭을 가지도록 형성하여, 시일드 효과를 더 높여, 입, 출력 IDT 전극(11, 12)간의 전자적 결합을 방지하여 통과 대역 외 감쇠량을 크게 하고 있다.
(실시형태 3)
도 3(a), (b)는 본 발명의 실시형태 3에서의 탄성 표면파 디바이스의 상면도로, 도 2와 같은 구성 요소에 대해서는 동일 번호를 붙여 설명을 생략한다.
본 실시형태 3의 탄성 표면파 디바이스와 실시형태 2에 도시한 탄성 표면파 디바이스의 차이점은, 입, 출력 IDT 전극(11, 12)의 전극 핑거(11b, 11d, 12b, 12d)의 구성이다. 즉, 입, 출력 IDT 전극(11, 12)이 한 방향성을 가지도록 전극 핑거(11b, 11d, 12b, 12d)의 폭, 배치를 변경한다. 이 구성으로 함으로써, 입, 출력 IDT 전극(11, 12)에서의 방향성 손실을 저감시켜, 삽입 손실을 작게 할 수 있다.
입, 출력 IDT 전극(11, 12)의 어느 한 쪽을 한 방향성 전극으로 한 경우도 실시형태 2의 탄성 표면파 디바이스와 비교하면 삽입 손실은 작아지지만, 양쪽 모두 한 방향성 전극으로 하는 것이 삽입 손실이 더 작아진다.
또, 도 3(b)에 도시한 바와 같이, 제1 및 제2 반사기 전극(13, 14)을 다수로 분할하여 각각 주변 전극(18)으로 접속하는 동시에 버스 바(13b, 14c)를 각각 어스 단자(13f, 14f)에 접속함으로써, 분할 전보다도 대역 외 감쇠량을 더 크게 할 수있다고 여겨진다. 그러나, 분할수가 많아질수록, 주변 전극(18)의 폭을 가늘게 해야만 하고, 그 결과 저항 손실이 커지므로 바람직하지 않다. 따라서, 저항 손실이 커지지 않고, 대역 외 감쇠량을 크게 하기 위해서는 이분할로 분할한 반사기 전극 각각이 같은 크기가 되도록 하는 것이 바람직하다.
(실시형태 4)
도 4는 본 발명의 실시형태 4에서의 탄성 표면파 디바이스의 상면도로, 도 3과 같은 구성 요소에 대해서는 같은 번호를 붙여 설명을 생략한다.
본 실시형태 4와 실시형태 3에 도시한 탄성 표면 디바이스와의 차이점은, 제1 및 제2 반사기 전극(13, 14)의 전극 핑거(13a, 14a)의 구성이다. 실시형태 3에서 전극 핑거(13a, 14a)는 동일 형상이고 동일 주기가 되도록 배치한 것이었지만, 본 실시형태 4에서는 다른 폭의 전극 핑거(13a, 14a)를 이용하여 제1 및 제2 반사기 전극(13, 14)을 구성하여, 제1 및 제2 반사기 전극(13, 14) 내에서 반사의 크기(반사계수 등)을 변화시키고 있다.
이와 같이, 제1 및 제2 반사기 전극(13, 14)의 반사 특성에 웨이팅을 행하면, 통과 대역 외의 반사 효율이 작아져, 통과 대역 외 감쇠량을 크게 할 수 있다.
또, 전극 핑거(13a, 14a)를 복귀시킬 때는, 서서히 변화시킴으로써, 정밀한 웨이팅을 행할 수 있어, 임의의 반사 특성을 얻을 수 있다.
또, 상기 실시형태 4에서 전극 핑거(13a, 14a)의 폭은 같고, 전극 핑거 주기를 변화시킴으로써, 반사파의 위상을 변화시켜도 같은 효과를 얻을 수 있다. 이 경우도 서서히 전극 핑거 주기를 변화시키는 것이 바람직하다.
(실시형태 5)
도 5(a), (b)는 본 발명의 실시형태 5에서의 탄성 표면파 디바이스의 상면도로, 도 3과 같은 구성 요소에 대해서는 같은 번호를 붙여 설명을 생략한다.
도 5에서 13d, 14d는 전극 핑거이고, 전극 핑거(13a, 14a)와 동일 폭, 동일 주기에서 입, 출력 IDT 전극(11, 12)측의 빗살 형상 전극(13a, 14a)의 이웃에 그 일단이 버스 바(13c, 14b)에 접속하여 설치된다. 이 빗살 형상 전극(13d, 14d)은, 빗살 형상 전극(13d, 14d)의 다른 단부와 입, 출력 IDT 전극(11, 12)의 최단 거리가 도 3에서의 제1 및 제2 반사기 전극(13, 14)과 입, 출력 IDT 전극(11, 12)과의 최단 거리보다도 짧아지지 않는 길이로 한다.
이 구성에 의해, 한정된 공간에서 보다 반사 효율이 좋은 반사기 전극을 형성할 수 있어, 사각형에 가까운 필터 파형을 가지는 탄성 표면파 디바이스가 된다. 즉, 통과 대역 근방에서 감쇠 특성이 급준한 것이 된다.
또, 도 5(b)에 도시한 바와 같이, 제1 및 제2 반사기 전극(13, 14)의 입, 출력 IDT 전극(11, 12)측 단부에, 전극 핑거(13a, 13d, 14a, 14d)의 단부를 접속하는 탄성 표면파의 파장의 1/8폭의 전극 핑거(13g, 14g)를 전극 핑거(11d, 12d)와 평행하게 설치함으로써 불필요한 반사를 방지할 수 있다.
(실시형태 6)
도 6은 본 발명의 실시형태 6에서의 탄성 표면파 디바이스의 상면도로, 도 5와 같은 구성 요소에 대해서는 동일 번호를 붙여 설명을 생략한다.
본 실시형태 6과 실시형태 5와 다른 점은, 제1 및 제2 반사기 전극(13 ,14)에서 전극 핑거(13e, 14e)를 설치한 것이다.
이 전극 핑거(13e, 14e)는 전극 핑거(13a, 14a)와 동일 폭, 동일 주기에서 압전 기판(10)의 단부측의 빗살 형상 전극(13a, 14a)의 이웃에 그 일단을 버스 바(13b, 14c)에 접속하여 설치하고 있다. 또, 이 빗살 형상 전극(13e, 14e)은 빗살 형상 전극(13e, 14e)의 다른 단부와 압전 기판(10)의 단부의 최단 거리가, 도 5에서의 제1 및 제2 반사기 전극(13, 14)과 압전 기판(10)의 단부의 최단 거리보다도 짧아지지 않는 길이로 한다.
이 구성으로 함으로써, 도 5에 도시한 제1 및 제2 반사기 전극(13, 14)보다도 반사 효율이 좋은 반사기 전극을 형성할 수 있어, 보다 사각형에 가까운 필터 파형을 가지는 탄성 표면파 디바이스가 된다.
또, 본 실시형태 6에서도 실시형태 5과 마찬가지로 제1 및 제2 반사기 전극(13, 14)의 단부에 전극 핑거(13a, 13b, 13d, 13e, 14a, 14b, 14d, 14e)의 단부를 접속하는 탄성 표면파의 파장의 1/8폭의 전극 핑거(13g, 14g)를 전극 핑거(11d, 12d)와 평행하게 설치함으로써, 불필요파의 반사를 방지할 수 있다.
(실시형태 7)
도 7은 본 발명의 실시형태 7에서의 탄성 표면파 디바이스의 상면도로, 도 2와 같은 구성 요소에 대해서는 같은 번호를 붙여 설명을 생략한다.
실시형태 2에 도시한 탄성 표면파 디바이스와 다른 점은, 흡음재(17a, 17b)의 형상이다. 실시형태 2에서는 탄성 표면파의 전파 방향의 압전 기판(10)의 양단부에만 설치했지만, 본 실시형태 7에서는 탄성 표면파의 전파 방향과 평행 방향의압전 기판(10)의 단부, 즉 버스 바(13b, 14c)와 압전 기판(10)과의 사이에도 흡음재(17a, 17b)를 형성한 것이다.
이 구성에 의해, 압전 기판(10)의 단면에서의 불필요 반사를 더 방지할 수 있다.
(실시형태 8)
도 8, 도 9는 본 발명의 실시형태 8에서의 탄성 표면파 디바이스의 상면도이다. 실시 형태 1∼실시형태 7에서는 평형-평형형의 탄성 표면파 디바이스를 이용했지만, 본 실시형태 8의 탄성 표면파 디바이스는 불평형-평형형 또는 불평형-불평형형으로, 입력측 또는 출력측, 또는 입, 출력측의 버스 바(11a, 11c, 12a, 12c)의 한 쪽을 어스 단자(15c, 16c)에 접속한 것이다.
이와 같이 불평형형인 경우, 입, 출력 IDT 전극(11, 12)이 대향하는 측의 버스 바(11c, 12a)를 어스 단자(15c, 16c)에 접속함으로써, 입, 출력 IDT 전극(11, 12)간의 시일드 효과를 높이고, 입, 출력 IDT 전극(11, 12)의 전자적 결합을 방지하여, 통과 대역 외 감쇠량이 큰 것이 된다.
도시는 하지 않지만, 평형-불평형형의 경우도 같다고 말할 수 있다.
(실시형태 9)
도 10은 본 발명의 실시형태 9에서의 탄성 표면파 디바이스의 상면도로, 도 2와 같은 구성 요소에 대해서는 동일 번호를 붙여 설명을 생략한다.
실시형태 2에서는 입, 출력 IDT 전극(11, 12)이 대향하는 버스 바(11a, 12c)와 입, 출력 단자(15b, 16a)와의 접속은 하나의 주변 전극에 의해 행했지만, 본 실시형태 9에서는 버스 바(11a, 12c)의 양단부와 입, 출력 단자(15b, 16a)를 각각 주변 전극을 통해 접속하고 있다.
이와 같이 버스 바(11a, 12c)와 입, 출력 단자(15b, 16a)를 다수의 경로에서 접속함으로써, 버스 바(11a, 12c)에서의 저항 손실을 저감하여 삽입 손실을 작게 할 수 있다.
또, 버스 바(11c, 12a)와 입, 출력 단자(15a, 16b)와 접속하는 경우도 다수의 주변 전극에 의해 접속함으로써, 버스 바(11c, 12a)에서의 저항 손실을 저감하여, 삽입 손실을 작게 할 수 있다.
(실시형태 10)
도 11은 본 발명의 실시형태 10에서의 탄성 표면파 디바이스의 상면도이다.
이 탄성 표면파 디바이스는, 압전 기판(20)상에 입, 출력 IDT 전극(21, 22)을 탄성 표면파의 전파 방향에 평행하고, 또 그 일단부에서 겹쳐지도록 설치하고 있다.
입력 IDT 전극(21)은 양극측의 버스 바(21a)에 접속된 다수의 양극측의 전극 핑거(21b)와 음극측의 버스 바(21c)에 접속된 다수의 음극측의 전극 핑거(21d)를 맞물리게 한 것으로, 버스 바(21a, 21c)를 통해 입력 단자(28a, 28b)에 접속하게 된다.
출력 IDT 전극(22)은 양극측의 버스 바(22a)에 접속된 다수의 양극측의 전극 핑거(22b)와 음극측의 버스 바(22c)에 접속된 다수의 음극측의 전극 핑거(22d)를 교차시킨 것으로, 버스 바(22a, 22c)를 통해 출력 단자(29a, 29b)에 접속하게 된다.
전극 핑거(21b, 21d, 22b, 22d)는 각각 거의 같은 길이이고, 탄성 표면파의 파장(λ)의 거의 1/8의 폭으로, 동일 주기를 가지도록 배치한 것으로, 입, 출력 IDT 전극(21, 22) 모두 스플릿 전극으로 하여, 내부 반사를 방지한 구조로 되어 있다.
또, 제1, 제3 반사기 전극(23, 25)은 입력 IDT 전극(21)의 탄성 표면파의 전파 방향 양측에 입력 IDT 전극(21)으로부터 소정의 간격을 가지도록 설치한 것으로, 제2, 제4 반사기 전극(24, 26)은 출력 IDT 전극(22)의 탄성 표면파의 전파 방향 양측에 출력 IDT 전극(22)으로부터 소정의 간격을 가지도록 설치한 것이다.
또, 입, 출력 IDT 전극(21, 22)의 탄성 표면파의 전파 방향에 수직인 면과 반사기 전극의 전극 핑거(23a, 24a, 25a, 26a)가 이루는 각이 25°이하가 되도록 경사시킨 것이다. 제1∼제4 반사기 전극(23, 24, 25, 26)은 각각 대략 동일 폭, 동일 길이의 전극 핑거(23a, 24a, 25a, 26a)를 동일 주기로 배치한 것으로, 반사 계수는 거의 1이다. 따라서, 이 제1∼제4 반사기 전극(23, 24, 25, 26)의 외주 형상은 대략 평행 사변형이 된다. 또, 제1∼제4 반사기 전극(23, 24, 25, 26)의 탄성 표면파의 전파 방향과 수직 방향의 폭은, 입, 출력 IDT 전극(21, 22)의 동일 방향의 폭 이상으로 하고 있다.
또, 입, 출력 IDT 전극(21, 22), 제1∼제4 반사기 전극(23, 24, 25, 26)은 압전 기판(20)상에서 식 (2)를 만족하는 위치에 형성되어 있다.
상기 구조의 탄성 표면파 디바이스는, 입력 IDT 전극(21)에 전기 신호가 인가되면 탄성 표면파가 제1 및 제3 반사기 전극(23, 25)으로 전파되고, 제1 및 제3 반사기 전극(23, 25)에서 반사되어 제2 및 제4 반사기 전극(24, 26)으로 전파된다. 다음에, 제2 및 제4 반사기 전극(24, 26)에서 다시 반사된 탄성 표면파는 출력 IDT 전극(22)에 전파되어 출력 단자(29a, 29b)에서 전기 신호로서 취출된다. 즉, 탄성 표면파는 입력 IDT 전극(21)-제1 반사기 전극(23)-제2 반사기 전극(24)-출력 IDT 전극(22)의 Z형 전파 경로와 입력 IDT 전극(21)-제3 반사기 전극(25)-제4 반사기 전극(26)-출력 IDT 전극(22)의 Z(의 반대)형 전파 경로의 두 가지의 전파 경로를 취하게 된다. 따라서, 입력 IDT 전극(21)을 전파하는 쌍방향의 탄성 표면파가 효율 좋게 출력 IDT 전극(22)에 전파되게 되므로, 실시형태 1에 도시한 탄성 표면파 디바이스와 비교하면 삽입 손실을 더 작게 할 수 있다.
또, 제1 반사기 전극(23)의 버스 바(23c)와 제3 반사기 전극(25)의 버스 바(25c)와 제2 반사기 전극(24)의 버스 바(24b)와 제4 반사기 전극(26)의 버스 바(26b)를 각각 주변 전극(30a, 30b)에서 전기적으로 접속하는 동시에, 버스 바(23b, 24c, 25b, 26c)를 어스 단자(23d, 24d, 25d, 26d)에 접지하고 있다. 이 주변 전극(30a, 30b)은 압전 기판(20)상에서 입, 출력 IDT 전극(21, 22) 사이에 설치한다. 또, 입, 출력 IDT 전극(21, 22)의 가장 굵은 부분, 즉 버스 바(21a, 21c, 22a, 22c)의 폭보다 넓은 폭을 가지도록 형성하고, 시일드 효과를 더 높여, 입, 출력 IDT 전극(21, 22)간의 전자적 결합을 방지하여 통과 대역 외 감쇠량을 크게 하고 있다.
제1∼제4 반사기 전극(23, 24, 25, 26)을 하나의 주변 전극으로 접속하여 어스 단자에 접속해도 상관없지만, 높은 시일드 효과를 얻기 위해서는 본 실시형태 10에서 도시한 바와 같이, 입력 IDT 전극(21)의 양측의 제1 반사기 전극(23)과 제3 반사기 전극(25), 출력 IDT 전극(22)의 양측의 제3 반사기 전극(24)과 제4 반사기 전극(26)을 각각 다른 주변 전극(30a, 30b)에서 접속한 것이 바람직하다.
또, 어스 단자(23d, 25d)와 (24d, 26d)는 각각 따로 접지하는 것이 바람직하다.
입, 출력 IDT 전극(21, 22)을 사이에 끼워 설치하는 반사기 전극은 같은 구조로 한다. 즉, 제1 반사기 전극(23)과 제3 반사기 전극(25)은 같은 구조이고, 제2 반사기 전극(24)과 제4 반사기 전극(26)은 같은 구조이다. 또, 실시형태 4에 도시한 바와 같이 적어도 일부의 전극 핑거(23a, 24a)의 폭을 변경하는 등하여 제1 반사기 전극(23)과 제2 반사기 전극(24)을 다른 구조로 함으로써, 실시형태 4에 도시한 바와 같이 반사기 전극의 반사 특성을 웨이팅을 행하여 통과 대역 외의 반사 효율은 작게 하고, 통과 대역 외 감쇠량을 크게 할 수 있다.
또, 본 실시형태 10의 탄성 표면파 디바이스에서도 상기 실시형태 5 내지 9와 같다고 말할 수 있다. 즉, 제1∼제4 반사기 전극(23, 24, 25, 26)의 입, 출력 IDT 전극(21, 22)측 단부에, 실시형태 5에 도시한 바와 같이 제1∼제4 반사기 전극(23, 24, 25, 26)의 전극 핑거(23a, 24a, 25a, 26a)와 동일 주기, 동일 폭, 동일 경사이고, 길이가 짧은 전극 핑거를 설치함으로써, 사각형에 가까운 필터 파형을 가지는 것이 된다. 또, 제1∼제4 반사기 전극(23, 24, 25, 26)의 입, 출력 IDT 전극(21, 22)측 단부에, 전극 핑거(23b, 23d, 24b, 24d)의 단부를 접속하는 탄성표면파의 파장의 거의 1/8폭의 전극 핑거를 전극 핑거(21d, 22d)와 평행하게 설치함으로써 불필요한 반사를 방지할 수 있다.
또, 실시형태 6에 도시한 바와 같이 제1∼제4 반사기 전극(23, 24, 25, 26)의 압전 기판(20)의 단부측에 같은 방법으로 전극 핑거를 설치함으로써도 마찬가지라고 말할 수 있다. 물론, 양측에 설치한 것이 더 효과가 있다.
상기 실시형태 10에서는, 흡음재(27a, 27b)는 입, 출력 IDT 전극(21, 22)의 탄성 표면파 전파 방향의 압전 기판(20)의 단부에 형성하고 있지만, 탄성 표면파의 전파 방향에 평행한 압전 기판(20)의 단부에도 설치함으로써 압전 기판(20) 단면에서의 불필요 반사를 더 방지할 수 있다.
또, 상기 탄성 표면파 디바이스는 평형-평형형이지만, 불평형-평형형, 불평형-불평형형, 평형-불평형형의 경우는 대향하는 입, 출력 IDT 전극(21, 22)의 버스 바(21c, 22a)를 어스 단자에 접속하는 것이 바람직하다.
또, 입, 출력 IDT 전극(21, 22)이 대향하는 버스 바(21c, 22a)와 입, 출력 단자(28b, 29a)와의 접속은 하나의 주변 전극에 의해 행했지만, 실시형태 9에 도시한 바와 같이, 버스 바(21c, 22a)와 입, 출력 단자(28b, 29a)를 다수의 주변 전극에서 접속함으로써, 버스 바(21c, 22a)에서의 저항 손실을 저감하여 삽입 손실을 작게 할 수 있다.
(실시형태 11)
도 12는 본 발명의 실시형태 11에서의 탄성 표면파 디바이스의 상면도이다.
이 탄성 표면파 디바이스는, 압전 기판(40)상에 입, 출력 IDT 전극(41, 42)을 탄성 표면파의 전파 방향에 평행하고, 또 제5 반사기 전극(47)을 통해 겹쳐지도록 설치하고 있다.
입력 IDT 전극(41)은 양극측의 버스 바(41a)에 접속된 다수의 양극측의 전극 핑거(41b)와 음극측의 버스 바(41c)에 접속된 다수의 음극측의 전극 핑거(41d)를 교차시킨 것으로, 버스 바(41a, 41c)를 통해 입력 단자(49a, 49b)에 접속하게 된다.
출력 IDT 전극(42)은 양극측의 버스 바(42a)에 접속된 다수의 양극측의 전극 핑거(42b)와 음극측의 버스 바(42c)에 접속된 다수의 음극측의 전극 핑거(42d)를 교차시킨 것으로, 버스 바(42a, 42c)를 통해 출력 단자(50a, 50b)에 접속하게 된다.
전극 핑거(41b, 41d, 42b, 42d)는 각각 거의 같은 길이이고, 탄성 표면파의 파장(λ)의 거의 1/8의 폭을 동일 주기를 가지도록 배치한 것으로, 입, 출력 IDT 전극(41, 42) 모두 스플릿 전극으로 하여, 내부 반사를 방지한 구조로 되어 있다.
또, 제1, 제3 반사기 전극(43, 45)은 입력 IDT 전극(41)의 탄성 표면파의 전파 방향 양측에 입력 IDT 전극(41)으로부터 소정의 간격을 가지도록 설치한 것으로, 제2, 제4 반사기 전극(44, 46)은 출력 IDT 전극(42)의 탄성 표면파의 전파 방향 양측에 출력 IDT 전극(42)으로부터 소정의 간격을 가지도록 설치한 것이다. 또, 입, 출력 IDT 전극(41, 42)의 탄성 표면파의 전파 방향에 수직인 면과 전극 핑거(43a, 44a, 45a, 46a)가 이루는 각이 25° 이하가 되도록 경사시킨 것이다. 제1∼제4 반사기 전극(43, 44, 45, 46)은 각각 대략 동일 폭, 동일 길이의 전극 핑거(43a, 44a, 45a, 46a)를 동일 주기로 배치하여, 각각 어스 단자(43d, 44d, 45d, 46d)에 접속하고 있다. 또, 이 반사 계수는 거의 1이다. 따라서, 이 제1∼제4 반사기 전극(43, 44, 45, 46)의 외주 형상은 대략 평행 사변형이 되어 있다. 또, 제1∼제4 반사기 전극(43, 44, 45, 46)의 탄성 표면파의 전파 방향과 수직 방향의 폭은, 입, 출력 IDT 전극(41, 42)의 동일 방향의 폭 이상으로 하고 있다.
또, 입, 출력 IDT 전극(41, 42), 제1∼제4 반사기 전극(43, 44, 45, 46)은 압전 기판(40)상에서 식 (2)를 만족하는 위치에 형성되어 있다.
입, 출력 IDT 전극(41, 42)간에 설치한 제5 반사기 전극(47)은 다수의 전극 핑거(47a)는 동일 형상이고, 양단이 버스 바(47a, 47c)에서 각각 전기적으로 접속된 것으로, 입, 출력 IDT 전극(41, 42)의 전극 핑거(41b, 41d, 42b, 42d)와 전극 핑거(47a)는 평행하게 설치한다. 따라서, 제5 반사기 전극(47)의 외주 형상은 직사각형으로 되어 있다. 또, 제5 반사기 전극(47)의 탄성 표면파의 전파 방향 길이는 입, 출력 IDT 전극(41, 42)의 같은 방향의 길이와 동등 이상으로 한다. 입, 출력 IDT 전극(41, 42)의 탄성 표면파의 전파 방향이 가장 압전 기판(40)의 단부에 가까운 양측의 전극 핑거(47a)를 어스 단자(47d)에 각각 전기적으로 접속하고 있다. 따라서, 이 제5 반사기 전극(47)은 시일드 전극으로서도 작용하게 되어, 입, 출력 IDT 전극(41, 42)의 전자적 결합을 방지하고 있다.
상기 구조의 탄성 표면파 디바이스는, 입력 단자(49a, 49b)에 전기 신호가 인가되면, 이하의 어느 한 전파 경로에 의해 출력 단자(50a, 50b)에 도달하게 된다.
첫번째는, 입력 IDT 전극(41)-제1 반사기 전극(43)-제2 반사기 전극(44)-출력 IDT 전극(42), 두 번째는 입력 IDT 전극(41)-제3 반사기 전극(45)-제4 반사기 전극(46)-출력 IDT 전극(42), 세 번째는 입력 IDT 전극(41)-제1 반사기 전극(43)-제5 반사기 전극(47)-제4 반사기 전극(46)-출력 IDT 전극(42), 네 번째는 입력 IDT 전극(41)-제3 반사기 전극(45)-제5 반사기 전극(47)-제2 반사기 전극(44)-출력 IDT 전극(42)의 네 가지의 전파 경로이다.
따라서, 입력 IDT 전극(41)을 전파하는 쌍방향의 탄성 표면파가 효율좋게 출력 IDT 전극(42)에 전파되므로, 실시형태 1에 도시한 탄성 표면파 디바이스와 비교하면 삽입 손실을 더 작게 할 수 있다.
또, 입, 출력 IDT 전극(41, 42)을 사이에 끼워 설치하는 반사기 전극은 같은 구조로 한다. 즉, 제1 반사기 전극(43)과 제3 반사기 전극(45)은 같은 구조이고, 제2 반사기 전극(44)과 제4 반사기 전극(46)은 같은 구조이다. 또, 실시형태 4에 도시한 바와 같이, 적어도 일부의 전극 핑거(43a, 44a)의 폭을 변경하는 등하여, 제1 반사기 전극(43)과 제2 반사기 전극(44)을 다른 구조로 함으로써, 반사기 전극의 반사 특성에 웨이팅을 행하여, 통과 대역 외의 반사 효율은 작게 하고, 통과 대역 외 감쇠량을 크게 하고 있다.
또, 본 실시형태 11의 탄성 표면파 디바이스에서도, 상기 실시형태 5∼10에서 설명한 바와 같이 이하의 것을 말할 수 있다.
제1∼제4 반사기 전극(43, 44, 45, 46)의 입, 출력 IDT 전극(41, 42)의 측단부에, 실시형태 5에 도시한 바와 같이 제1∼제4 반사기 전극(43, 44, 45, 46)의 전극 핑거(43a, 44a, 45a, 46a)와 동일 주기, 동일 폭, 동일 경사 각도에서 길이가 짧은 전극 핑거를 설치함으로써, 구형에 가까운 필터 파형을 가진 것이 된다. 또, 실시형태 6에 도시한 바와 같이 제1 내지 제4 반사기 전극(43, 44, 45, 46)의 압전 기판(40)의 단부측에 같은 전극 핑거를 설치함으로써도 같다고 할 수 있다. 물론 양측에 설치한 것이 보다 효과가 있다.
상기 실시형태 11에서는, 흡음재(48a, 48a)는 입, 출력 IDT 전극(41, 42)의 탄성 표면파 전파 방향의 압전 기판(40)의 단부에 형성하고 있지만, 탄성 표면파의 전파 방향에 평행한 압전 기판(40)의 단부에도 설치함으로써 압전 기판(40)의 단면에서의 불필요 반사를 더 방지할 수 있다.
또, 상기 탄성 표면파 디바이스는 평형-평형형이지만, 불평형-평형형, 불평형-불평형형, 평형-불평형형의 경우는, 대향하는 입, 출력 IDT 전극(41, 42)의 버스 바(41c, 42a)를 어스 단자에 접속하는 것이 바람직하다.
또, 입, 출력 IDT 전극(41, 42)의 버스 바(41a, 41c, 42a, 42c)와, 입, 출력 단자(49a, 49b, 50a, 50b)와의 접속은 하나의 주변 전극에 의해 행하고 있지만, 실시형태 9에 도시한 바와 같이 버스 바(41a, 41c, 42a, 42c)와 입, 출력 단자(49a, 49b, 50a, 50b)간을 다수의 주변 전극에서 접속함으로써, 버스 바(41a, 41c, 42a, 42c)에서의 저항 손실을 저감하여 삽입 손실을 작게 할 수 있다.
이하, 본 발명의 탄성 표면파 디바이스에 공통하는 점에 대해서 기재한다.
(1)제1∼제5 반사기 전극(13, 14, 23, 24, 25, 26, 43, 44, 45, 46, 47)의 금속화 비율은 0.45 내지 0.75로 함으로써, 탄성 표면파를 효율좋게 반사시킬 수있으므로, 반사기 전극의 소형화를 도모할 수 있다. 또, 전극 핑거의 폭과 전극 핑거 주기의 공간의 비는 금속화 비율이라 불리워지고, 탄성 표면파의 반사 효율에 영향을 주는 것 외에, 후술하는 바와 같이 온도 특성에도 영향하는 요인이다.
(2) 제1 반사기 전극(13, 23, 43)과 제2 반사기 전극(14, 24, 44)은 전극 핑거(13a, 14a, 23a, 24a, 43a, 44a)의 폭, 갯수를 바꾸거나 하여 반사 특성을 변화시킴으로써, 통과 대역 외 감쇠량이 큰 탄성 표면파 디바이스를 얻을 수 있다.
(3) 압전 기판(10, 20, 40)은 수정, LiTaO3, LiNbO3등의 단결정 압전 기판을 이용한다.
(4) 입, 출력 IDT 전극(11, 12, 21, 22, 41, 42), 제1∼제5 반사기 전극(13, 14, 23, 24, 25, 26, 43, 44, 45, 46, 47), 주변 전극(18, 30a, 30b)은 알루미늄을 주성분으로 하는 금속을 이용하여 형성한다.
(5) 입력 IDT 전극(11, 21, 41)과 출력 IDT 전극(12, 22, 42)은 다른 구성이어도 좋지만, 같은 크기로 함으로써, 탄성 표면파 디바이스를 소형화하기 쉽다.
(6) 탄성 표면파의 전파 방향과 수직 방향의 폭을 입, 출력 IDT 전극(11, 12, 21, 22, 41, 42)보다 제1∼제5 반사기 전극(13, 14, 23, 24, 25, 26, 43, 44, 45, 46, 47)의 쪽을 크게 함으로써, 탄성 표면파의 반사 효율을 향상시킬 수 있다.
(7) 제1∼제5 반사기 전극(13, 14, 23, 24, 25, 26, 43, 44, 45, 46, 47)의 반사기 전극의 반사 계수를 0.9 이상, 가능한 한 1에 근접하여 거의 1로 함으로써 삽입 손실을 작게 할 수 있다.
(8) 흡음재(17a, 17b, 27a, 27b, 48a, 48b)는 제1∼제5 반사기 전극(13, 14,23, 24, 25, 26, 43, 44, 45, 46, 47)과 압전 기판(10, 20, 40)의 단부와의 사이에 가능한 한 크게 형성함으로써 불필요 반사파의 방지 효과를 높게 할 수 있다.
(9) 실시형태 3∼6에서는, 입, 출력 IDT 전극(11, 12)의 양쪽 모두 한 방향성 전극으로 했지만, 한 쪽만을 한 방향성 전극으로 한 경우에서도 실시형태 1과 비교하면 탄성 표면파의 전파 효율을 향상시킬 수 있다.
(10) 시일드 전극으로서도 작용하는 주변 전극(18, 30a, 30b)은 적어도 입, 출력 IDT 전극(11, 12, 21, 22, 41, 42)간의 대향하는 부분에 설치함으로써, 입, 출력 IDT 전극(11, 12, 21, 22, 41, 42)의 전자 결합 억제 효과는 가지지만, 가능한한 크게 형성함으로써 더 시일드 효과를 가지게 할 수 있다.
(11) 압전 기판(10, 20, 40)으로서 수정을 이용한 경우, 온도 특성(주파수 드리프트)는 이차 곡선으로 이루어지고, 그 정점 온도를 구해지는 온도 범위 사이의 중심(통상은 거의 실온)으로 설정할 수 있으면, 전 온도 범위에서의 주파수 드리프트는 작아진다.
따라서, 압전 기판(10, 20, 40)을 수정으로 형성하는 경우, 주파수 드리프트에서의 정점 온도는, 압전 기판(10, 20, 40)의 컷트 각, 입, 출력 IDT 전극(11, 12, 21, 22, 41, 42), 제1∼제5 반사기 전극(13, 14, 23, 24, 25, 26, 43, 44, 45, 46, 47)의 막 두께, 금속화 비율로 결정된다. 따라서, 입, 출력 IDT 전극(11, 12, 21, 22, 41, 42), 제1∼제5 반사기 전극(13, 14, 23, 24, 25, 26, 43, 44, 45, 46, 47)의 금속화 비율의 차가 커지면, 각각의 정점 온도가 크게 달라, 온도에 따라 필터 특성이 크게 변화하는 폐해가 발생한다. 따라서, 입, 출력 IDT 전극(11, 12,21, 22, 41, 42)과 제1∼제5 반사기 전극(13, 14, 23, 24, 25, 26, 43, 44, 45, 46, 47)과의 금속화 비율의 차는 0.15, 바람직하게는 0.1 이내로 한다. 또, 제1 반사기 전극(13, 23, 43)과 제2 반사기 전극(14, 24, 44)의 금속화 비율의 차는 0.05 정도로 하는 것이 바람직하다.
(실시형태 12)
도 13은 통신 기기의 송수신 회로도이다.
본 발명의 탄성 표면파 디바이스는, 송, 수신 IF 밴드 패스 필터로서 이용할 수 있지만, 특히 수신 회로의 IF 밴드 패스 필터로서 이용되는 경우가 많으므로, 수신 회로에 대해서 설명한다.
도 13에 도시된 수신 회로는 슈퍼헤테로다인(superheterodyne) 회로이고, 안테나(80)에서 수신된 수신파는, 안테나 공용기(81)에서 분기되어, LNA(82), RF 밴드 패스 필터(83)를 통과 후, 믹서(84)에서 중간 주파수로 변환된다. 본 발명의 탄성 표면파 디바이스는 믹서(84)의 출력측에 접속하여, 중간 주파수를 통과시키는 IF 밴드 패스 필터(85)로서 사용된다. 본 발명의 탄성 표면파 디바이스를 사용함으로써, IF 앰프(86)의 소자 인자를 저감하거나, 또는 IF 앰프(86)에서의 소비 전력을 작게 억제할 수 있어, 비용, 성능면에서 뛰어난 통신 기기를 얻을 수 있다.
이상 본 발명에 의하면, 입력 IDT 전극에서 출력 IDT 전극으로의 탄성 표면파의 전파를 효율좋게 행함으로써, 통과 대역 내 특성이 뛰어난 탄성 표면파 디바이스를 제공할 수 있다.

Claims (32)

  1. 압전 기판과, 이 압전 기판상에 탄성 표면파의 전파 방향이 평행하게 되도록 설치한 입력 및 출력 인터 디지털 트랜스듀서(IDT) 전극과, 이 입력 인터 디지털 트랜스듀서 전극에서 상기 탄성 표면파의 출력측에 소정의 간격을 가지도록 설치한 제1 반사기 전극과, 상기 출력 인터 디지털 트랜스듀서 전극으로부터 소정의 간격을 가지도록 또, 상기 제1 반사기 전극에 의해 반사된 탄성 표면파를 반사하여, 상기 출력 인터 디지털 트랜스듀서 전극으로 전파하도록 설치한 제2 반사기 전극을 구비하고, 식 (1)을 만족하는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
    2(θ-5)≤tan-1(D/L)≤2(θ+5) (1)
    단,
    θ: 입, 출력 IDT 전극의 탄성 표면파의 전파 방향으로 수직인 면에 대한 제1 또는 제2 반사기 전극의 경사(°:0°를 제외함)
    D : 입, 출력 IDT 전극의 탄성 표면파의 전파 방향과 수직 방향의 폭의 중심간 거리(㎛)
    L : 제1 반사기 전극과 제2 반사기 전극의 중심간 거리(㎛)
  2. 제1항에 있어서,
    θ는 25°이하로 하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  3. 제1항에 있어서,
    제1 및 제2 반사기 전극의 반사 계수를 거의 1로 한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  4. 제1항에 있어서,
    입력 및 출력 인터 디지털 트랜스듀서 전극의 적어도 한 쪽은 한 방향성 전극인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  5. 제1항에 있어서,
    제1 및 제2 반사기 전극을 입, 출력 인터 디지털 트랜스듀서 전극간에 설치한 주변 전극에서 전기적으로 접속하는 동시에 접지한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  6. 제5항에 있어서,
    제1 및 제2 반사기 전극을 다수로 분할한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  7. 제5항에 있어서,
    주변 전극은 입, 출력 인터 디지털 트랜스듀서의 전극의 버스 바보다도 굵게한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  8. 제1항에 있어서,
    반사기 전극의 입, 출력 인터 디지털 트랜스듀서 전극의 측단부의 적어도 한쪽에 상기 반사기 전극의 전극 핑거와 동일 주기, 동일 폭, 동일 경사 각도에서 상기 전극 핑거보다도 짧은 전극 핑거를 설치한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  9. 제8항에 있어서,
    짧은 전극 핑거를 설치한 반사기 전극의 인터 디지털 트랜스듀서 전극측의 단부에 상기 인터 디지털 트랜스듀서 전극의 전극 핑거와 평행하게, 탄성 표면파의 파장의 거의 1/8폭에서 전극 핑거 단부를 접속하는 전극 핑거를 설치한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  10. 제1항에 있어서,
    제1 반사기 전극과 제2 반사기 전극의 반사 특성을 다르게 한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  11. 제1항에 있어서,
    제1 및 제2 반사기 전극의 금속화 비율은 0.45∼0.75인 것을 특징으로 하는탄성 표면파 디바이스.
  12. 제1항에 있어서,
    반사기 전극 일부의 전극 핑거 폭을 다른 전극 핑거 폭보다도 크게 한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  13. 제1항에 있어서,
    입력 인터 디지털 트랜스듀서 전극의 제1 반사기 전극을 설치한 측과는 반대측에 상기 입력 인터 디지털 트랜스듀서 전극으로부터 소정의 간격을 가지도록 제3 반사기 전극을 설치하는 동시에, 출력 인터 디지털 트랜스듀서 전극의 제2 반사기 전극을 설치한 측과는 반대측에 상기 출력 인터 디지털 트랜스듀서 전극으로부터 소정의 간격을 가지도록 제4 반사기 전극을 설치한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  14. 제11항에 있어서,
    입력 및 출력 인터 디지털 트랜스듀서 전극의 적어도 한 쪽은 전극 핑거 폭이 거의 λ/8(λ:탄성 표면파의 파장)의 스플릿 전극으로 구성한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  15. 제1항에 있어서,
    탄성 표면파 디바이스의 입, 출력 단자가 불평형형인 경우, 대향하는 입, 출력 인터 디지털 트랜스듀서 전극측의 입, 출력 단자를 접지한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  16. 제1항에 있어서,
    제1 및 제2 반사기 전극과 탄성 표면파의 전파 방향의 압전 기판의 단부와의 사이에 흡음재를 설치한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  17. 제16항에 있어서,
    제1 및 제2 반사기 전극과 탄성 표면파의 전파 방향에 평행한 압전 기판의 단부와의 사이에도 흡음재를 설치한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  18. 압전 기판과, 이 압전 기판상에 평행하게 설치한 입, 출력 인터 디지털 트랜스듀서(IDT) 전극과, 이 입, 출력 인터 디지털 트랜스듀서 전극의 양측에 설치한 제1∼제4 반사기 전극과, 상기 입, 출력 인터 디지털 트랜스듀서 전극간에 설치한 제5 반사기 전극을 구비하고, 상기 제1∼제4 반사기 전극은 탄성 표면파의 전파 방향으로 수직인 면에 대해 대략 동일 각도로 경사시킨 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  19. 제18항에 있어서,
    식 (2)를 만족하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
    2(θ-5)≤tan-1(D/L)≤2(θ+5) (2)
    단,
    θ: 입, 출력 IDT 전극의 탄성 표면파의 전파 방향에 수직인 면에 대한 제1 내지 제4 반사기 전극 중 1이상의 반사기 전극의 경사(°:0°를 제외함)
    D : 입, 출력 IDT 전극의 탄성 표면파의 전파 방향과 수직 방향의 폭의
    중심간 거리(㎛)
    L : 제1 반사기 전극과 제2 반사기 전극의 중심간 거리(㎛)
  20. 제19항에 있어서,
    θ는 25°이하로 하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  21. 제18항에 있어서,
    반사기 전극의 반사 계수를 거의 1로 한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  22. 제18항에 있어서,
    입력 및 출력 인터 디지털 트랜스듀서 전극의 적어도 한 쪽은 전극 핑거 폭이 거의 λ/8(λ:탄성 표면파의 파장)의 스플릿 전극으로 구성한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  23. 제18항에 있어서,
    제5 반사기 전극을 접지한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  24. 제18항에 있어서,
    반사기 전극의 입, 출력 인터 디지털 트랜스듀서 전극의 측단부의 적어도 한 쪽에 상기 반사기 전극의 전극 핑거와 동일 주기, 동일 폭, 동일 경사 각도에서 상기 전극 핑거보다도 짧은 전극 핑거를 설치한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  25. 제24항에 있어서,
    짧은 전극 핑거를 설치한 반사기 전극의 인터 디지털 트랜스듀서 전극측의 단부에 상기 인터 디지털 트랜스듀서 전극의 전극 핑거와 평행하게, 탄성 표면파의 파장의 거의 1/8폭에서 전극 핑거 단부를 접속하는 전극 핑거를 설치한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  26. 제18항에 있어서,
    제1, 제2 반사기 전극과, 제3, 제4 반사기 전극의 반사 특성을 다르게 한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  27. 제18항에 있어서,
    제1 내지 제5 반사기 전극의 금속화 비율은 0.45∼0.75인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  28. 제18항에 있어서,
    제1 내지 제5 반사기 전극의 적어도 하나에서 일부의 전극 핑거 폭을 다른 전극 핑거 폭보다도 넓게 한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  29. 제18항에 있어서,
    탄성 표면파 디바이스의 입, 출력 단자가 불평형형인 경우, 대향하는 입, 출력 인터 디지털 트랜스듀서 전극측의 입, 출력 단자를 접지한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  30. 제18항에 있어서,
    제1 내지 제5 반사기 전극과 탄성 표면파의 전파 방향의 압전 기판 단부와의 사이에 흡음재를 설치한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  31. 제30항에 있어서,
    제1 내지 제4 반사기 전극과 탄성 표면파의 전파 방향과 평행한 압전 기판 단부와의 사이에 흡음재를 설치한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 디바이스.
  32. 믹서와, 이 믹서의 출력측에 그 입력측을 접속한 탄성 표면파 디바이스와, 이 탄성 표면파 디바이스의 출력측에 그 입력측을 접속한 앰프를 구비하고, 상기 탄성 표면파 디바이스는 압전 기판과, 이 압전 기판상에 탄성 표면파의 전파 방향이 평행하게 되도록 설치한 입력 및 출력 인터 디지털 트랜스듀서(IDT) 전극과, 이 입력 인터 디지털 트랜스듀서 전극으로부터 상기 탄성 표면파의 출력측에 소정의 간격을 가지도록 설치한 제1 반사기 전극과, 상기 출력 인터 디지털 트랜스듀서 전극으로부터 소정의 간격을 가지도록, 또 상기 제1 반사기 전극에 의해 반사된 탄성 표면파를 반사하고, 상기 출력 인터 디지털 트랜스듀서 전극에 전파하도록 설치한 제2 반사기 전극을 구비하고, 식 (1)을 만족하는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 통신 기기.
    2(θ-5)≤tan-1(D/L)≤2(θ+5) (1)
    단,
    θ: 입, 출력 IDT 전극의 탄성 표면파의 전파 방향으로 수직인 면에 대한 제1 또는 제2 반사기 전극의 경사(°:0°를 제외함)
    D : 입, 출력 IDT 전극의 탄성 표면파의 전파 방향과 수직 방향의 폭의
    중심간 거리(㎛)
    L : 제1 반사기 전극과 제2 반사기 전극의 중심간 거리(㎛)
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6806619B2 (en) * 2001-10-16 2004-10-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Interdigital transducer, surface acoustic wave filter, and radio communication apparatus
DE10325798B4 (de) * 2003-06-06 2015-06-18 Epcos Ag SAW-Filter mit verbesserter Selektion oder Isolation
KR100535405B1 (ko) * 2003-12-30 2005-12-08 현대자동차주식회사 타이어의 압력 및 온도 측정용 표면탄성파 센서
JPWO2008149619A1 (ja) * 2007-06-06 2010-08-19 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置
EP2905616B1 (en) 2012-10-01 2017-01-04 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Elastic wave element and elastic wave sensor using same
CN102904548A (zh) * 2012-10-11 2013-01-30 无锡市好达电子有限公司 高屏蔽性声表面波滤波器
WO2014192755A1 (ja) * 2013-05-29 2014-12-04 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置
WO2017110337A1 (ja) * 2015-12-24 2017-06-29 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP6729702B2 (ja) * 2016-08-10 2020-07-22 株式会社村田製作所 弾性波装置及びラダー型フィルタ
JP7095745B2 (ja) * 2018-10-18 2022-07-05 株式会社村田製作所 弾性波装置、帯域通過型フィルタ、デュプレクサ及びマルチプレクサ
WO2023048280A1 (ja) * 2021-09-27 2023-03-30 株式会社村田製作所 フィルタ装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4114119A (en) * 1976-05-24 1978-09-12 Raytheon Company Wide band low loss acoustic wave device
US4130813A (en) * 1977-05-23 1978-12-19 Raytheon Company Surface wave device having enhanced reflectivity gratings
US4146852A (en) * 1977-09-19 1979-03-27 Westinghouse Electric Corp. Phase weighted acoustic reflective array compressor
US4166228A (en) * 1978-03-17 1979-08-28 Sperry Rand Corporation Temperature compensated reflective array for surface acoustic wave processing
JPS5575333A (en) * 1978-12-04 1980-06-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Elastic surface wave filter
JPS5842648B2 (ja) 1978-12-20 1983-09-21 松下電器産業株式会社 表面弾性波素子
JPS5669919A (en) 1979-11-09 1981-06-11 Seiko Epson Corp Surface elastic wave filter
US4319154A (en) * 1979-12-26 1982-03-09 Sperry Corporation Temperature insensitive reflective array S.A.W. device
JPS639217A (ja) 1986-06-28 1988-01-14 Nec Corp 弾性表面波分散型遅延線
JPH0262829A (ja) 1988-05-18 1990-03-02 Nippon Kayaku Co Ltd 虚血に基づく傷害の予防及び治療剤
JPH0262829U (ko) * 1988-10-31 1990-05-10
DE59007583D1 (de) 1989-11-14 1994-12-01 Siemens Ag Oberflächenwellen-reflektorfilter.
NO170379C (no) * 1990-03-01 1992-10-07 Frobe Radio As Metode for korreksjon av amplituderesponsen til signalbehandlingsfiltre som nytter akustiske overflateboelger
JP3203796B2 (ja) 1992-09-07 2001-08-27 株式会社大真空 多重モード弾性表面波フィルタ
US5545940A (en) * 1994-11-07 1996-08-13 Rf Monolithics, Inc. Multitrack transversely folded surface acoustic wave structure
JP3298769B2 (ja) * 1995-09-26 2002-07-08 松下電器産業株式会社 弾性表面波多重モードフィルタ
JP3186604B2 (ja) * 1996-10-09 2001-07-11 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置
JPH11330895A (ja) * 1998-05-14 1999-11-30 Fujitsu Ltd 弾性表面波装置

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