KR20010051349A - 액정표시장치의 제조방법과 액정표시장치 및 레이저수복장치 - Google Patents

액정표시장치의 제조방법과 액정표시장치 및 레이저수복장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20010051349A
KR20010051349A KR1020000064183A KR20000064183A KR20010051349A KR 20010051349 A KR20010051349 A KR 20010051349A KR 1020000064183 A KR1020000064183 A KR 1020000064183A KR 20000064183 A KR20000064183 A KR 20000064183A KR 20010051349 A KR20010051349 A KR 20010051349A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid crystal
pixel
laser light
electrode
substrate
Prior art date
Application number
KR1020000064183A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100404983B1 (ko
Inventor
가와다요시타카
Original Assignee
니시무로 타이죠
가부시끼가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 니시무로 타이죠, 가부시끼가이샤 도시바 filed Critical 니시무로 타이죠
Publication of KR20010051349A publication Critical patent/KR20010051349A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100404983B1 publication Critical patent/KR100404983B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
    • G02F1/133788—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation by light irradiation, e.g. linearly polarised light photo-polymerisation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1341—Filling or closing of cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76886—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
    • H01L21/76892—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern
    • H01L21/76894—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern using a laser, e.g. laser cutting, laser direct writing, laser repair

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

본 발명은 액정표시장치의 제조방법과 액정표시장치 및 레이저 수복장치에 관한 것으로서, 휘점결함 등의 여러가지 결함화소를 수복할 수 있는 액정표시장치의 제조방법 등을 제공하는 데에 목적이 있고, 액정표시장치의 제조방법에서 결함을 갖는 화소에 대응하여 이 화소의 하나당 적어도 두개가 각각 설치되어 있는 스위칭 소자에 대해서 화소와 접속되는 상기 스위칭 소자를 선택하여 화소와 접속하는 공정과, 결함을 갖는 화소에 레이저광을 조사하여 배향막을 적어도 변질시키는 공정을 함께 구비한 것을 특징으로 한다.

Description

액정표시장치의 제조방법과 액정표시장치 및 레이저 수복장치{METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY, LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND LASER REPAIR DEVICE}
본 발명은 레이저광을 조사함으로써 표면화면의 불량부분(결함화소)을 수복하여 얻어지는 액정표시장치의 제조방법, 액정표시장치 및 이 액정표시장치의 제조방법에서 사용되는 레이저 수복장치에 관한 것이다.
최근, 퍼스널 컴퓨터나 워드프로세서 등에 사용되는 표시장치로서 소비전력이 적고 박형이며 또한 경량인 액정표시장치(LCD:Liquid Crystal Display)가 널리 사용되고 있다. 그 중에서도 한 예를 들면, 주로 비정질(아몰퍼스)실리콘(a-Si)박에 의한 박막트랜지스터(TFT:Thin Film Transistor)를 화소에 대응시킨 스위칭 소자로서 사용하는 액티브 매트릭스형 액정표시장치가 다화소로 구성해도 콘트라스트나 리스판스의 열화가 적고 중간조표시도 가능하므로 풀칼라 텔레비전이나 OA용 표시장치로서 사용되고 있다.
그런데, 이 TFT는 어레이 기판상에 형성되고 화소를 구성하는 화소전극에 전하를 충전·방전하여 어레이 기판과 대향기판 사이에 전위차를 발생시키고 화상의 표시를 위해 액정분자의 배열을 조정하는 것이다. 최근에는 액정표시장치의 표시부분이 대화면화 또는 고정채화됨에 따라서 화소수가 수 10만∼100만을 초과하게 되었다. 즉, 이 화소에 결함을 발생시키지 않고 표시시키도록 제조하는 것은 매우 곤란하고 어떤 원인으로 TFT를 정상적으로 구동할 수 없는, 화소전극이 정상적으로 형성되어 있지 않은, 또는 어레이 기판과 대향기판 사이에 이물이 끼고 화소전극에 대하여 올바른 전압을 인가할 수 없다는 등의 불합리함에 의해 결함화소가 발생하여 정상적인 화면을 표시할 수 없다는 문제가 있었다.
이와 같은 결함화소를 수복(修復)하기 위해 레이저광을 사용하여 배향막을 가공하여 화소의 투과율이나 반사율을 감소시키는 방법으로 결함이 없어 보이도록 수정하고 있는 방법이, 예를 들어 일본 특개소60-243635호 공보, 일본 특개평5-297387호 공보, 일본 특개평5-313167호 공보, 일본 특개평7-225381호 공보, 일본 특개평8-15660호 공보, 일본 특개평9-258155호 공보 등에 개시되어 있다(이 방법을 총칭하여 제 1 종래예로 한다).
또한, TFT의 동작을 구제하는 항장회로(예비배선)를 설치하여 직류전압을 인가하여 결함화소를 수복하는 방법도, 예를 들어 일본 특개소63-136076호 공보, 일본 특개평2-3023호 공보, 일본 특개평9-80470호 공보, 일본 특개평10-104648호 공보, 일본 특개평10-232412호 공보, 일본 특개평10-319438호 공보 등에 개시되어 있다(이 방법을 총칭하여 제 2 종래예로 한다).
그리고, 결함화소를 수복하기 위해 레이저광을 사용하여 결함부위의 게이트 전극과 드레인 전극을 반도체층이나 층간절연막을 통하여 직접 접속하여 직류전압을 인가하는 방법도 예를 들어 일본 특개평5-210111호 공보에 개시되어 있다(이 방법을 제 3 종래예로 한다).
그러나, 제 1 종래예에 의하면 레이저광의 조사자체가 성공할 확율은 높지만(90% 이상) 결함화소의 수복에 관한 메커니즘이 충분히 개시되어 있지 않으므로, 레이저광의 에너지를 지나치게 주어 액정표시장치를 손상시키거나 또는 수정한 화소가 동작하지 않고 검은(노멀리 화이트 모드의 경우) 상태가 되어 버려, 결함화소에서의 광의 투과율이나 반사율이 미리 설정되어 있는 제품규격을 클리어하지 않는 경우가 있었다.
또한, 제 2 종래예에 의하면 높은 표시품질을 확보할 수 있지만 미세한 작업이 요구되므로 레이저광의 조사자체가 성공하는 확률이 낮아진다. 그리고, TFT의 동작불량에 기인하는 결함화소의 수복에는 유효하지만, TFT나 배선이 정상적으로 형성되어 있지 않는 것에 기인하는 결함이나 어레이 기판과 대향기판 사이에 이물이 끼는 것에 기인하는 결함에는 효과적이지는 않다. 그러한 원인때문에 결함화소의 수복이 성공하는 확율은 전체적으로는 낮아(30∼50% 정도)지고 있었다.
또한, 제 3 종래예에 의하면 화소전극에 인가되는 직류전압에 의해 액정분자와 함께 존재하는 이온이 결함화소에 대응한 화소전극에 축적하여 액정표시장치의 수명을 단축하게 되고 있었다.
본 발명은 상기의 사정에 기초하여 이루어진 것으로 그 목적으로 하는 바는 결함화소의 수복에 관한 메커니즘을 적극적으로 이용하고, TFT나 배선이 정상적으로 형성되어 있지 않는 것에 기인하는 결함이나 어레이 기판과 대향기판 사이에 이물이 끼는 것에 기인하는 결함에도 대응시키고, 결함화소에 대응한 화소전극에 대한 이온의 축적을 억제하여 얻어지는 액정표시장치의 제조방법과 액정표시장치 및 이 액정표시장치의 제조방법에 사용하는 레이저 수복장치를 제공하는 데에 있다.
도 1은 본 발명의 액정표시장치를 도시한 평면도,
도 2는 본 발명의 액정표시장치를 도시한 도 1 중의 Y-Y′선에서의 단면도,
도 3은 본 발명의 액정표시장치의 전체를 도시한 개략 구성도,
도 4a, 도 4b는 본 발명의 액정표시장치의 표시원리를 설명하는 사시도,
도 5는 본 발명의 레이저 수복장치의 전체를 도시한 개략 구성도,
도 6은 본 발명의 LD로의 인가전류와 레이저광의 펄스폭의 관계 및 LD로의 인가전류와 레이저광을 가진 에너지의 관계를 도시한 그래프,
도 7은 본 발명의 액정표시장치의 제조방법에서의 레이저광의 조사상태를 도시한 단면도,
도 8은 레이저광과 결함화소의 위치관계의 개략을 도시한 사시도,
도 9는 레이저광과 결함화소의 위치관계의 개략을 도시한 평면도,
도 10a는 오버랩시킨 경우에서의 레이저광의 각 조사면간의 위치관계를 도시한 상부면 확대도,
도 10b는 거리를 둔 경우에서의 레이저광의 각 조사면간의 위치관계를 도시한 상부면 확대도,
도 11a는 도 10a에서의 단위면적당의 상부면 확대도,
도 11b는 도 10b에서의 단위면적 당의 상부면 확대도,
도 12의 (a)는 본 발명의 액정표시장치의 제조방법에 의한 레이저 조사를 받은 부위의 확대상부면도, (b)는 (a)의 X-X′선에서 본 단면도,
도 13은 P/d와 투과율(T)의 관계를 도시한 그래프,
도 14는 P/d와 조사에너지(E)의 관계를 도시한 그래프
도 15는 본 발명의 액정표시장치에서의 화소전극과 메인 TFT 및 서브 TFT의 관계를 도시한 평면도,
도 16은 도 15의 메인 TFT와 화소전극을 연결하는 배선이 레이저광에 의해 절단된 상태를 도시한 평면도,
도 17은 도 15의 서브 TFT와 화소전극을 연결하는 배선이 레이저광에 의해 접속된 상태를 도시한 평면도,
도 18은 도 17의 A-A′선에서 본 단면도 및
도 19는 도 15 내지 도 17의 일련의 공정을 도시한 플로우차트이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1: 액정표시장치 2: 어레이 기판
3: 대향기판 4: 제 1 배향막
5: 제 2 배향막 6: 액정
7: 제 1 편광판 8: 제 2 편광판
9: 유리기판 10: 신호선
11: 주사선 12: TFT
13: 화소전극 14: 언더코트
15: 비정질 실리콘막 16: 채널 보호막
17: n+형 수소화 비정질 실리콘막 18: 소스전극
19: 드레인 전극 20: 보조용량선
21: 차광층 22: 색채부
23: 유기보호막 24: 대향전극
25: 레이저 수복장치 26: 레이저 발진기
27: 가공용 대물렌즈 28: 레이저 전원
29: 배리어블 어테뉴에이터 30: 셔터
31: 액정패널 32: XY 스테이지
33: 미러 34: 카메라
35: 개구부 36: 라이트
37: 컨트롤러 38: 조사면
39: 비산물 40: 메인 TFT
41: 서브 TFT 42: 층간절연막
43: 배선
본 발명의 청구항 1에 의하면 제 1 기판상에 적어도 제 1 전극 및 제 1 배향막을 형성하는 공정과, 제 2 기판상에 적어도 제 2 전극 및 제 2 배향막을 형성하는 공정과, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판간에 액정을 끼운 상태에서 이 기판을 서로 대향시키면서 밀봉하는 공정과, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 전위차를 초래하여 화면을 표시하게 하여 검사를 실시하는 공정과, 상기 검사에서 검출된 상기 화면을 구성하는 화소의 결함이 발생된 부분을 수복하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 수복하는 공정은 상기 결함을 갖는 상기 화소에 대응하여 이 화소 중 하나 당 적어도 2개가 각각 기계적으로 접속되어 있는 스위칭 소자에 대해서 하나의 상기 스위칭 소자를 상기 화소와 선택적이고 전기적으로 접속하는 공정과, 상기 결함을 갖는 상기 화소에 상기 레이저광을 조사하여 상기 제 1 배향막 또는 상기 제 2 배향막을 적어도 변질시키는 공정을 함께 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 청구항 2에 의하면 청구항 1에 기재된 액정표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 제 1 배향막 또는 상기 제 2 배향막을 변질시키는 공정은 하나의 스위칭 소자를 상기 화소와 선택적이고 전기적으로 접속하는 공정을 실시했음에도 불구하고 상기 결함이 수복되지 않는 화소를 대상으로 실시하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 청구항 3에 의하면 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 액정표시장치의 제조방법에서, 상기 레이저광은 상기 스위칭 소자를 상기 화소와 선택적이고 전기적으로 접속하는 공정의 경우에는 20ns 내지 200ns의 펄스폭을 갖고, 상기 제 1 배향막 또는 상기 제 2 배향막을 적어도 변질시키는 공정의 경우에는 10ns 이하의 펄스폭을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 청구항 4에 의하면 제 1 기판상에 적어도 제 1 전극 및 제 1 배향막을 형성하는 공정과, 제 2 기판상에 적어도 제 2 전극 및 제 2 배향막을 형성하는 공정과, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 사이에 액정을 끼운 상태에서 이 기판을 서로 대향시키면서 밀봉하는 공정과, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 전위차를 초래하여 화면을 표시하게 하여 검사를 실시하는 공정과, 상기 검사에서 검출된 상기 화면을 구성하는 화소의 결함을 발생시킨 부분의 화소에 레이저광을 조사하여 적어도 상기 제 1 배향막 또는 상기 제 2 배향막을 변질시켜 상기 결함을 발생시킨 화소를 수복하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 수복하는 공정은 상기 결함을 발생시킨 화소에 대하여 이 화소의 크기 보다도 작은 조사면을 가진 펄스상의 레이저광을 복수의 상기 조사면이 서로 거리를 두도록 조사하는 공정과, 이 조사하는 공정에 의해 상기 조사면의 배향막을 거의 소멸시킴과 동시에 상기 조사면의 주변부에 있는 배향막에 대하여 상기 조사면을 중심으로 하여 파문형상으로 상기 레이저광을 가진 에너지에 의해 비산물을 퇴적시켜, 이 파문형상으로 퇴적된 상기 비산물과 상기 소멸에 의해 상기 레이저광의 조사전 보다도 상기 결함을 발생시킨 화소에서의 광의 투과율 또는 반사율을 감소시키는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 청구항 5에 의하면 적어도 제 1 전극 및 제 1 배향막이 형성된 제 1 기판과, 적어도 제 2 전극 및 제 2 배향막이 형성된 제 2 기판과, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 밀봉됨과 동시에 상기 제 1 배향막 및 상기 제 2 배향막에 부여되는 배향성에 기초하여 소정방향으로 배열되는 액정과, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이로의 전압의 인가에서 발생한 전위차에 따라서 상기 배향성에 기초하여 상기 액정에 의한 광의 투과율 또는 반사율이 변화되는 복수의 화소를 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치에 있어서, 상기 복수의 화소는 이 화소에 대응하여 이 화소 하나당 적어도 두개가 각각 설치되어 있는 스위칭 소자를 갖고 또한, 상기 복수의 화소 중 적어도 하나는 레이저광의 조사에 의해 상기 제 1 배향막 또는 상기 제 2 배향막이 적어도 변질된 부분을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 청구항 6에 의하면 적어도 제 1 전극 및 제 1 배향막이 형성된 제 1 기판과, 적어도 제 2 전극 및 제 2 배향막이 형성된 제 2 기판과, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 밀봉됨과 동시에 상기 제 1 배향막 및 상기 제 2 배향막에 부여되는 배향성에 기초하여 소정방향으로 배열되는 액정과, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극사이의 전압의 인가에서 발생한 전위차에 따라서 상기 배향성에 기초하여 상기 액정에 의한 광의 투과율 또는 반사율이 변화되는 복수의 화소를 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치에서, 이 화소의 크기 보다도 작은 조사면을 가진 펄스형상의 레이저광을 복수의 상기 조사면이 서로 거리를 두도록 조사되어 적어도 두개의 상기 조사면의 배향막이 거의 소멸된 부분과, 상기 조사면의 주변부에 있는 배향막에 대하여 상기 조사면을 중심으로 하여 파문형상으로 상기 레이저광을 가진 에너지에 의해 비산물이 퇴적된 부분으로 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 청구항 7에 의하면 상기 액정패널을 구성하는 배향막에 대하여 레이저광을 조사하는 레이저 광원과, 상기 레이저 광원으로부터 출사되는 레이저광의 펄스폭을 조정하는 레이저광 제어장치와, 상기 액정패널이 설치되는 배치대와, 상기 액정패널에 대하여 상기 레이저광을 상대적으로 주사시키는 주사수단을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 수복장치에 있어서, 상기 레이저광 제어장치는 상기 레이저 광원으로 여기하기 위해 입력하는 에너지의 조정에 의해 상기 펄스폭을 조정하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 청구항 8에 의하면 상기 액정패널을 구성하는 배향막에 대하여 레이저광을 조사하는 레이저광원과, 상기 레이저광원으로부터 출사되는 레이저광의 펄스폭을 조정하는 레이저광 제어장치와, 상기 액정패널이 설치되는 배치대와, 상기 액정패널에 대하여 상기 레이저광을 상대적으로 주사시키는 주사수단을 구비한 것을 특징으로 하는 레이저 수복장치에 있어서, 상기 레이저광 제어장치는 상기 레이저 광원을 구성하는 Q 스위치로 개폐하기 위해 입력하는 에너지의 조정에 의해 상기 펄스폭을 조정하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면 결함화소의 수복에 관한 메커니즘을 적극적으로 이용하고, TFT나 배선이 정상적으로 형성되어 있지 않은 것에 기인하는 결함이나 어레이 기판과 대향기판 사이에 이물이 낀 것에 기인하는 결함에도 대향시키고, 결함화소에 대응한 화소전극에 대한 이온의 축적을 억제할 수 있다. 따라서, 그 결과 표시특성의 양호한 액정표시장치를 얻을 수 있다.
이하, 본 발명에 관한 제 1 실시형태의 일례를 간략화한 도면을 참조하여 노멀리 화이트 모드에서 투과형인 액티브 매트릭스형 액정표시장치(대각 5인치)를 예로 들어 설명한다. 또한, 본 발명은 노멀리 블랙 모드나 반사형의 액정표시장치에도 적용할 수 있다.
도 1은 본 실시형태에 관한 액정표시장치의 화소부의 단면도를 도시하고, 도 2는 본 화소부의 상부면도를 도시한다. 또한, 도 1은 도 2의 Y-Y′선에서의 단면을 나타내고 있다. 이 액정표시장치(1)에서는 어레이 기판(2)(제 1 기판의 예)과 대향기판(3)(제 2 기판의 예)이 각각 폴리이미드로 이루어진 제 1 배향막(4) 및 제 2 배향막(5)을 끼우고 도시하지 않은 스페이서를 지주로 하여, 트위스트 네마틱형의 액정조성물(이하, 단지 액정이라고 기재)(6)을 유지하는 상태에서 도시하지 않은 시일제로 밀봉되어 있다. 이 액정(6)은 어레이 기판(2)과 대향기판(3)사이에서 그 분자가 90°비틀리도록 이루어져 있다. 또한, 어레이 기판(2)과 대향기판(3)의 외부면에는 각각 제 1 편광판(7)과 제 2 편광판(8)이 그 편광축이 서로 직교하는 상태(크로스 니콜의 상태)로 부착되어 있다.
또한, 액정(6)의 충전은 이 시일제에 의한 밀봉전에 액정을 어레이 기판(2) 또는 대향기판(3) 상에 적하한 후에 어레이 기판(2)과 대향기판(3)을 접착하여 실시해도 좋고 이 시일제에 의한 밀봉후에 이 밀봉으로 형성된 어레이 기판과 대향기판의 밀봉공간부의 내부로, 시일제의 주입구로부터 액정(6)을 주입 또는 진공 흡입하여 실시해도 좋다.
어레이 기판(2)에서는 투명한 유리기판(9) 상에 640×3개의 신호선(소스전극선이라고 함)(10)과 480개의 주사선(게이트 전극선이라고 함)(11)이 거의 직교하도록 배치되어 형성되어 있다. 각각의 신호선(10)과 주사선(11)의 교점 근방에는 각각 스위칭 소자인 TFT(12)를 통하여 화소전극(13)이 배치되어 있다. 또한, 이 화소전극(13)은 신호선(10)을 따라서 변이 80㎛, 그 주사선(11)을 따른 변이 60㎛로 형성되어 있다. 이와 같은 화소전극(13)이 100㎛의 피치로 가로세로로 늘어서 배치되고 액정표시장치(1)의 표시면을 형성하고 있다.
도 3에서 LCD 유닛의 개략적인 구성을 도시한 바와 같이, 주사선과 신호선을 제어하는 것이 각각 게이트 드라이버와 소스 드라이버로 구성되는 구동부(상세하게는 도시하지 않지만, 통상은 표시면의 외부에 각각 구동 드라이버의 모듈을 접속한다)가 된다. 각 드라이버에는 신호제어부로부터의 영상신호와 동기신호 및 전원부에서는 전력이 각각 입력된다.
게이트 드라이버는 1프레임(60㎐)에 1번, 각 주사선을 선택하는 기능을 가진 디지털 회로로서, 주사시간(15∼40㎲)의 주기로 동작한다. 소스 드라이버는 어레이 기판(2) 상에 형성된 투명한 이방성 도전막(이하, ITO(Indium Tin Oxide)막으로 기재)으로 이루어진 화소전극(13)(제 1 전극의 예)과 대향기판(3)의 상에 동일하게 형성된 ITO막으로 이루어진 대향전극(제 2 전극의 예) 사이에 충전된 액정(6)에 대하여 전위차를 발생시켜 동작한다.
구체적으로는 주사선에 전압을 인가시킴으로써 TFT(12)를 통하여 영상정보에 따른 전압을 인가하는 회로를 형성하고 있다. 이 때, 액정(6)에 대하여 직류전력을 계속 인가하면 표시가 열화되므로 대향전극에 대하여 교류전력을 인가하여 번갈아 반대극성의 전압을 부여한다. 이것을 반전구동이라고 하고 그에 따라서 소스 드라이버는 20∼100(㎐)라는 고주파수에서의 동작을 한다.
그런데, TFT(12)는 주사선(11) 자체를 게이트 전극으로 하고 있지만, 유리기판(9) 상에는 우선 첫번째로는 SiOX, SiNX나 또는 TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate: Si［OC2H5］4) 등으로 구성되어 있는 언더코트(절연막)(14)와 수소를 함유하는 비정질 반도체막인 아몰퍼스 실리콘(a-Si:H)막(이하, 단지 반도체막으로 기재)(15)이 차례로 적층되어 형성되어 있다. 또한, 여기에서는 성막수단으로서 통상은 CVD(Chemical Vapor Deposition)가 사용된다.
본 반도체막(15)의 위에는 주사선(11)에 자기정합되고 SiNX를 사용하여 형성된 채널 보호막(16)이 배치되어 있다. 그리고, 본 반도체막(15)은 저저항 반도체막(17)으로서 배치되는 n+형 a-Si:H막 및 소스전극(18)을 통하여, 각각의 화소전극(13)에 대하여 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 반도체막(15)은 n+형 a-Si:H막(저저항 반도체막)(17) 및 신호선(10)으로부터 연장된 드레인 전극(19)을 통하여 신호선(10)에 대하여 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 주사선(11)에 대하여 거의 평행으로, 화소전극(13)과 중복되는 영역을 갖고 배치되는 보조용량선(20)이 형성됨과 동시에 화소전극(13)과 보조용량선(20)에 의해 보조용량(Cs)이 형성되어 있다. 또한, 보조용량선(20)은 대향전극(3)과 거의 동일한 전위를 가지도록 이루어져 있다.
대향기판(3)과 투명한 유리기판(9)상에는, 어레이 기판(2) 상에 형성된 TFT(12) 및 신호선(10)과 화소전극(13) 사이의 간격이나 주사선(11)과 화소전극(13) 사이의 간격의 각각을 차광하기 위해, 매트릭스형상으로 서로를 적층한, Cr(크롬)과 CrO로 구성된 차광층(21)(BM:Brack Matrix)을 구비하고 있다. 이 구조는 PEP(Photo Engraving Process) 공정을 거쳐 형성되어 있다.
또한, 차광층(21)에서의 매트릭스형의 각 패턴내에는 표시면에서의 칼라표시를 실현하기 위해 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 삼원색으로 구성된 칼라필터에 의한 색채부(22)가 각각 설치되어 있음과 동시에, 유기보호막(23)을 통하여 투명한 ITO막으로 이루어진 대향전극(24)이 구비되어 있다. 이와 같은 노멀리 화이트 모드의 액정표시장치(1)의 동작에 대해서는 도 4a, 도 4b를 참조하여 이하에서 설명한다.
또한, 본 명세서에서는 TN모드(Twisted Nematic Mode)를 예로 들어 설명을 하지만 배향막과 액정분자를 이용한 동작원리에는 변화가 없으므로 네마틱형의 액정조성물에 대하여 카이럴 네마틱형의 액정조성물이나 카이럴 화합물을 첨가한 STN모드(Super Twisted Nematic Mode), DSTN 모드(Double Super Twisted Nematic Mode), TSTN 모드(Triple Super Twisted Nematic Mode)에 더하여 FSTN모드(Film Super Twisted Nematic Mode) 또는 카이럴 스멕틱형 액정조성물로 구성되는 강유전성 액정(FLC) 모드(Ferroelectric Liquid Crystal Mode) 등도 물론 본 발명의 대상이 된다.
액정(6)을 구성하는 액정분자는 각각이 극성을 갖고 있으므로 전계를 가하면 일정한 방향으로 배열된다. 액정에 의한 화면의 표시는 이 성질을 이용하고 있다. 우선, 도 4a에 도시한 바와 같이 화소전극(13)과 대향전극(24) 사이에 발생하는 전위차가 액정(6)이 배향을 일으키는 임계전압으로부터 0(V)까지는, 입사광은 제 1 편광판(7)에 의해 직선편광이 됨과 동시에 액정(6)을 구성하는 각각의 액정분자의 배향방향을 따라서 거의 편광축을 90°선광시키면서 제 2 편광판(5)을 통과한다. 그 결과, 액정표시장치(1)의 표시화면으로 입사광이 출사되어 흰(밝은) 화소를 나타내게 된다. 이것은 제 1 편광판(7)과 제 2 편광판(8)이 크로스 니콜의 위치에 배치되어 있기 때문이다.
이에 대하여 도 4b에 도시한 바와 같이 화소전극(13)과 대향전극(24) 사이에 발생하고 있는 전위차가 액정(6)이 배향을 일으키는 임계전압 보다도 큰 경우에는 각각의 액정분자는 전계를 따라서 배열되므로 입사광은 제 1 평광판(7)에 의해 직선편광됨과 동시에 액정(6)을 그대로 통과하려고 한다. 그러나, 이 액정(6)을 통과하는 직선편광은 제 2 편광판(8)이 입사광을 투과하는 것과는 90° 어긋나 있는 편광축을 가지므로 제 2 편광판(8)을 통과할 수 없다. 그 결과, 액정표시장치(1)의 표시화면으로 입사광이 출사되지 않고 검은(어두운) 화소를 나타내게 된다. 이것은 제 1 편광판(7)과 제 2 편광판(8)이 평행 니콜의 위치에 배치되어 있기 때문이다.
상기가 노멀리 화이트 모드를 설명하였지만, 노멀리 블랙 모드의 경우에는 흰 화소와 검은 화소의 표시가 교체될 뿐 작용 자체에는 변화는 없다. 상술한 임계값 전압의 상하에서 모드의 차이에 의해 표시화소의 색이 교체될 뿐이다.
다음에, 이와 같은 노멀리 화이트 모드의 액정표시장치(1)에서는 화소전극(13)과 대향전극(24) 사이에 도전성 이물이 제조 공정을 거치고 있는 과정에서 혼입하여 화소전극(13)과 대향전극(24)이 거의 동 전위가 되는 요인이나, 화소전극과 보조용량선(20)이 절연막(14)의 절연불량에 의해 단락되어 화소전극(13)이 대향전극(24)의 전위와 거의 동등한 보조용량선(20)에 대해서 거의 동전위가 되는 요인 등으로부터 항상 화소전극(13)과 대향전극(24) 사이의 전위차가 거의 0(V)이 되는 경우가 있다. 이 경우에는 액정표시장치(1)의 표시화면에서의 투과율이 항상 높아져 휘점결함을 발생시킨다.
이 실시형태에서는 휘점결함이 발생한 화소를 다음과 같이 검출하고 있다. 우선 액정표시장치(1)의 신호선(10)에 대해서 소정의 어느 전압을 중심으로 하여 각 프레임 시간마다 +5(V)와 -5(V)에 극성이 반전되는 신호전압(Vsig)을 인가하여, 그와 함께 대향전극(24)에 5(V)의 대향전압(Vcom) 및 보조용량선(20)에 5(V)의 전압을 인가함으로써 각 주사선(11)에 대해서 펄스형상의 주사전압(Vg)을 차례로 공급하여 검은(어두운) 표시를 하게 한다.
그리고, 표시화면의 주변 및 중앙에 위치하는 임의의 100개의 표시화소의 표시휘도를 검출하여 그 평균값을 "기준의 검은 레벨"로서 기억한다. 그 후, 표시화면을 차례로 주사하여 이 기준의 검은 레벨에 대해서 표시되는 휘도가 30% 이상이나 큰 화소를 검출하여 그 위치를 기억해 둔다. 이 위치에 대응한 화소를 휘점 결함이 발생한 화소로서 처리한다.
이와 같이 검출된 휘점결함이 발생한 화소를 레이저광의 조사에 의해 수복하는 방법을 이하에 기재한다. 우선, 도 5에서는 이 수정을 실시하는 레이저 수복장치(25)를 나타낸다. 레이저 발진기(26)에는 도시하지 않는 반도체 레이저(Laser Diode: 이하, LD로 기재)를 여기광원에 사용한 AO(acousto-optic: 음향광학)-Q스위치 동작의 Nd: YAG 레이저를 사용했다. 또한, 가공용 대물렌즈(27)로서 범용성이 있는 광학현미경용 대물렌즈를 사용하기 위해, 이 레이저 발진기(26)로부터의 레이저광으로는 Nd: YAG 레이저 또는 Nd:YLF 레이저의 기본파, 제 2 고주파, 그리고 자외광인 제 3 고주파, 제 4 고주파를 사용할 수 있다. 또한, LD는 크립톤 아크 램프로 바꾸어도 상관없다.
이 레이저 수복장치(25)는 본 명세서의 마지막에 설명하는 수복방법에도 대응할 수 있도록 레이저광의 펄스폭("반복 주파수×2"의 역수)을 변경할 수 있게 되어 있다. 일반적인 AO-Q 스위치 동작의 고체레이저에서는 레이저 공진기의 길이(레이저 발진기(26)를 구성하는 1조의 공진 미러간의 거리)가 일정할 때에는 여기입력(LD로의 인가전력의 크기) 및 레이저 공진기의 내부에서의 에너지 손실에 의해 이 펄스폭이 변화된다.
즉, 이 여기입력이 작아지거나 레이저 공진기 내부에서의 에너지 손실이 커지면, 펄스폭이 커지는 것을 이용하여 레이저 공진기의 내부에서의 에너지 손실은 레이저광이 출사하는 타이밍에서의 AO-Q 스위치로의 인가전력의 크기를 변화시켜 제어할 수 있다. AO-Q 스위치로의 인가전력으로 제어하지 않는 경우에는, LD로의 인가전력의 크기를 변화시킴으로써 제어할 수 있다. 또한, 이 전력크기의 조정은 레이저 전원(28)으로부터의 공급전력의 조정에 의해 실시한다.
여기에서, 구체적으로 LD로의 인가전력의 크기를 변화시키는 경우의 예를 나타낸다. 인가전압이 일정(통상은 2∼3(V) 정도) 하에서 레이저광의 반복 주파수가 1(㎑) 이하로 하여 인가전류를 변화시킨 경우에는, LD로의 인가전류와 레이저광의 펄스폭의 관계(점선으로 나타냄) 및 LD로의 인가전류와 레이저광이 가진 에너지의 관계(실선으로 나타냄)는 도 6에 도시한 바와 같다. 이 그래프의 경우에는 LD로의 인가전류가 여기입력에 상당하므로 LD로의 인가전류가 작아질 수록 펄스폭은 길어지고 또한 레이저광이 가진 에너지는 작아지고 있는 것을 알 수 있다. 즉, 레이저 공진기의 길이가 일정할 때에는 여기입력에 의존하여 레이저광의 펄스폭이 변화되는 것을 알 수 있다.
그러나, 이와 같은 방법으로 펄스폭을 변화시킨 경우에는 레이저광이 가진 에너지도 변화되므로 최적인 에너지로 결함화소의 수복을 실시하기 위해 이 레이저 수복장치(25)에서는 배리어블 어테뉴에이터(가변광감쇄기)(29)가 설치되어 있는 것이 바람직하다. 이 배리어블 어테뉴에이터(29)를 조절하는 것과, LD로의 인가전력의 크기 또는 AO-Q 스위치로의 인가전력의 크기를 조절하는 것의 겸용에 의해 최적인 에너지에서의 결함화소의 수복이 1대의 레이저 발진기를 사용하여 용이하게 가능해지기 때문이다.
그밖의 레이저 수복장치(25)의 구성에는 배리어블 어테뉴에이터(29)를 거쳐 온 레이저광의 ON/OFF를 실시하는 셔터(30)와, 결함화소를 가진 액정패널(외장이 끝나 있지 않은 액정표시장치의 표시패널)(31)을 설치하여 레이저광과 액정패널(31)을 상대적으로 주사시키는 수단의 하나로서의 XY 스테이지(32)와, XY 스테이지(32)에 레이저광을 인도하는 미러(33)와, 결함화소로 레이저광을 집광하여 조사시키는 가공용 대물렌즈(27)와, 결함화소의 수복상황을 촬상하는 카메라(34)와, XY 스테이지(32)에 설치된 개구부(35)를 통하여 액정패널(31)에 조명을 실시하는 라이트(36)가 있다. 또한, 레이저 전원(28)으로부터 LD로 공급하는 인가전력과, AO-Q 스위치로 공급하는 인가전력과, 셔터(30)의 개폐와, 배리어블 어테뉴에이터(29)의 광감쇄율과, XY 테이블(32)의 동작을 제어하는 컨트롤러(37)를 갖는다.
여기에서, 이 레이저 수복장치(25)에 의해 실시되는 결함화소의 수복에 대해서 설명한다. 또한, 여기에서 말하는 「결함화소의 수복」이라는 것은 지금까지 설명한 투과율을 기준으로 하는 경우에는 650(lx)의 백 라이트를 어레이 기판(2)의 이면에 배치하여 비추고, 이하의 설명에 있는 가장 심한 정도의 휘점결함을 갖는 화소의 투과율을 100%로 했을 때, 레이저광에 의한 처리의 후에서는 20% 이하로 감소하는 것을 가리키는 것으로 한다. 예를 들어 가장 과혹한 휘점결함은 화소전극(13)과 보조용량선(20)이 단락되어, 화소전극(13)과 대향전극(24)의 전위차가 거의 0(V)이 된 경우이다. 이 경우에는 액정(6)에 관한 상술한 임계값 전압보다 높은 전압차가 화소전극(13)과 대향전극(24) 사이에 인가되었을 때에도 정상적인 화소의 투과율과 동일하게 거의 100%의 투과율을 갖는다.
그런데, 도 7에 도시한 바와 같이 레이저광은 여기에서는 제 2 배향막(5)으로부터 입사하여 액정(6) 중에서 집광점을 연결도록 조사하는 것이 바람직하다. 어레이 기판(2) 또는 대향기판(3) 상에 집광점이 위치하도록 이루어져 있지 않은 것은 화소전극(13) 또는 대향전극(24) 자체나 제 1 배향막(4) 또는 제 2 배향막(5)에 대해서 강한 에너지가 입사되어 해를 주는 것을 방지하기 위함이다. 또한, 물론 제 1 배향막(4)으로부터 레이저광을 동일하게 입사시켜도 좋다.
레이저 발진기(26)로부터 출사되는(Nd:YAG) 레이저광은 파장이 1.06(㎛)이고 결함화소상의 레이저 스포트의 직경(레이저광의 조사면의 직경)이 2.5(㎛)의 상태에서 조사한다. 이 때, 반복 주파수는 100(㎐)에서 결함화소에서의 주사속도는 1(㎜/s)로 함과 동시에 조사하는 레이저광의 출력은 2(μJ/pulse)로 하고 있다. 이 주사에서의 레이저광과 결함화소의 위치관계의 개략은 도 8에 도시한 바와 같이 이루어져 있고, 레이저광이 결함화소의 내부를 가로세로로 되풀이하면서 주사한다.
더욱 상세하게 도시하면 도 9와 같이 된다. 주사선(11)의 길이방향을 따라서 결함을 발생시키고 있는 화소전극(13)의 한단부(예를 들어 도면 중의 a 지점)으로부터 타단부(예를 들어 동 도면중의 b지점)까지를 화소전극(13)의 단변에 병행하여 주사하고, 이 타단부에서 주사의 방향을 동 도면에서의 위쪽을 향하여 되풀이하여(예를 들어 동 도면중의 c지점까지) 차례로 주사한다. 여기에서, 주사의 개시지점인 상기 한단부(a지점)는 차광층(21)에 의해 정해져 있는 개구부(광투과부)의 단부로부터의 거리(L)가 적어도 7㎛는 떨어져 있는 것이 바람직하다. 너무 이 거리(L)가 작으면 후술하는 레이저광의 조사에 의해 발생하는 비산물이 정상적인 표시를 하고 있는 화소전극(13)에까지도 비산하여, 새로운 표시불량을 일으킬 우려가 있기 때문이다.
여기에서 도 9의 확대도를 도 10a, 도 10b에 도시한 레이저광의 조사에서의 특징을 설명한다. 도 10a는 이전에 실시되고 있던 레이저 조사면을 오버랩시키면서 주사하는 수법이고, 도 10b는 이번에 실시한 레이저 조사면을 이산적으로 주사하는 수법이다. 또한, 도 9 및 도 10b에서 「d」는 레이저광의 조사면의 직경을 나타내고 「P」는 개개의 조사면의 중심간 거리(피치)를 나타내고 있다. 이 피치는 주사속도 또는 반복 주파수를 변경함으로써 변화시킬 수 있다.
여기에서 도 10a에서 실시되고 있던 오버랩율을 갖는 주사의 방법과, 도 10b에서 실시한 이산적인 주사의 수법에서 레이저광의 조사면의 직경이 동일하다는 전제조건하에 입력 에너지에 대해서 생각해본다. 또한, 도 11a에는 50%의 오버랩이 있는 경우의 단위면적당의 조사면을 나타내고, 도 11b에는 P/d=2에서 이산적인 경우와 동일하게 단위면적당의 조사면을 도시하고 있다. 쌍방의 도면 모두 조사면이 형성되는 단위면적은 파선으로 둘러싸인 부분으로 한다.
도 11a의 경우 레이저광의 조사횟수가 많으므로 한 화소당에서 30초 정도의 처리시간이 걸리고 있었다. 그리고, 조사하는 레이저광의 출력은 0.5(μJ/pulse)였다. 그에 대해서 도 11b의 경우, 레이저광의 조사횟수가 적으므로 한 화소당에서 3초 정도의 처리시간으로 가능하다. 그리고, 조사하는 레이저광의 출력은 2(μJ/pulse)였다. 이 2개의 수법에 관한 데이터를 비교해 보면, 조사시간과 1펄스 당의 에너지의 곱은 크게 다르다는 것을 알 수 있다.
즉, 도 11a의 경우에는 개개의 조사면을 합계하면 단위면적 당에서 8회의 조사를 받는 것이 되므로, 단위면적당의 조사에너지는 0.5×8=4(μJ/pulse)가 된다. 이에 반하여 도 11b의 경우에는 4회의 조사를 받고 있지만 P/d=2의 이산적인 상태이므로 사선부분 밖에 조사가 없다. 따라서, 단위면적당 0.25회의 조사를 받고 있는 것이 되므로 단위면적당의 조사에너지는 2×4×0.25=2(μJ/pulse)이 된다. 즉, 단위면적당의 조사에너지의 총량이 도 11a의 경우의 1/2이 되고 있다.
이 결과, 1펄스당의 조사에너지는 커도 도 11b와 같이 이산하여 조사하는 방법에서는 조사에너지의 총량은 적은 것을 알 수 있다. 조사시간이 적고 조사에너지의 총계가 적은 것은 어레이 기판(2)이나 대향기판(3)의 해를 고려하면 효과적인 것이다. 또한, 1회의 조사당의 에너지가 크고 조사횟수도 적으므로 가공 마진을 ±10% 정도로 여유를 가져올 수 있다.
그와는 반대로 도 11a와 같이 오버랩하여 조사하는 방법에서는 1회당의 조사에너지가 작고 조사횟수도 많으므로 가공 마진을 ±5% 정도로 좁게 할 수밖에 없다. 오버랩하면 단위면적당의 조사에너지가 커지고, 레이저 발진기(26)의 출력변동에 의해 약간 에너지가 높아져도 색채부(22) 등의 구조물이 열에너지에 의한 해를 받아 새로운 결함을 발생시키는 원인이 된다.
그리고, 이 오버랩하는 방법에서는 조사에너지에 의해 액정(6)이 가열되어 액정(6)이 기화하여 다수의 기포를 발생시키는 경우도 있다. 또한, 불규칙하게 발생하는 기포에 의해 레이저광의 조사면의 위치나 크기가 변화되고, 이 기포에 의해 액정(6)이 배제된 어레이 기판(2)이나 대향기판(3)의 표면에서는 직접적으로 레이저광의 열 에너지를 주어 해가 커지므로 새로운 결함을 발생시키는 원인이 된다.
제 1 배향막(4)과 제 2 배향막(5)은 두께가 수 10(㎚)의 폴리이미드막을 러빙처리하여 얻지만, 제조공정에서 이 막두께의 편차상태는 화상의 표시품질에 영향을 주지 않는 정도(±10%)의 범위에서 관리되고 있다. 결함화소의 수복에서 이 ±10%의 막두께의 편차(즉, 외란)에 기인하여 수복이 양호한 부위와 불량한 부위가 발생하고, 동일한 조건에서 처리해도 투과율이 충분한 감소를 도모할 수 있는 경우(수복의 재현성이 불충분한 경우)가 생긴다.
이 외란을 허용할 수 있는 정도로 레이저 조사의 에너지에 대해서 가공마진이 큰 경우에는, 동일한 조건에서 처리해도 수복의 재현성은 충분히 얻을 수 있다. 상술한 바와 같이 본 발명의 이산하여 조사하는 방식에 의하면 가공마진을 ±10%로 하는 것이 가능해지고 오버랩하여 조사하는 방식 보다도 가공 마진을 크게 할 수 있는 것이다.
실제로는 오버랩율 50%의 경우에서의 적정한 수복조건은 레이저 스폿직경이 2.5(㎛), 주사속도가 1(㎜/s), 반복주파수가 1(㎑), 조사에너지가 0.50∼0.55(μJ/pulse)였지만, 가공마진이 ±5%로 낮으므로 결함화소의 수복의 성공확률은 70%에 그치고 있었다.
그에 대하여 P/d=2인 경우에서의 적정한 수복조건은 레이저 스폿 직경이 2.5(㎛), 주사속도가 1(㎜/s), 반복 주파수가 100(㎐), 조사에너지가 1.0∼2.0(μJ/pulse)이고 가공마진이 ±10%로 높으므로 결함화소의 수복에 관한 성공의 확률은 100%가 되었다.
다음에, 이 이산하여 레이저를 조사하는 방법에서 결함화소가 수복되는 이유를 도 12를 사용하여 설명한다. 도 12의 (a)는 레이저 조사를 받은 부위의 확대 평면도이고 도 12의 (b)는 도 12의 (a)의 X-X′선에서 본 단면도이다. 도 12의 (a)에서 알 수 있는 바와 같이 레이저광의 조사면(38)을 중심으로 하여 그 주변부에 파문형상으로 "불투명함"이 발생하고 있다. 이 "불투명함"은 제 1 종래예에서는 어떤 시사도 보이지 않고, 이 불투명함(제 1 종래예에서 개시되어 있지 않은 메커니즘)을 이용하여 결함화소의 수복을 실시하는 것이 본 발명의 특징이 되고 있는 것이다.
도 12의 (b)에서 알 수 있는 바와 같이, 레이저광의 조사면(38)에서는 조사에너지에 의해 제 1 배향막(4)이 도려내어져 ITO막으로 구성되는 화소전극(13)까지 도달하고, 특히 어레이 기판(2)측으로부터 레이저광을 입사한 경우에는 주변의 색채부(22)까지도 도달하여 제 1 배향막(4)이 거의 소멸한 부분을 형성한다. 그리고, 폴리이미드 ITO나 염료의 미세한 고화물이나 변질된 액정의 고화물 등으로 이루어진 비산물(39)이 레이저광의 조사면(38)의 둘레("불투명함"에 대응한 위치)에 도 12의 (a)에 도시한 바와 같은 레이저광의 조사면(38)을 중심으로 파문형상으로 비산하고 제 1 배향막(4)의 표면에 형성되어 있는 미세한 러빙홈(도시하지 않음)을 메운다. 따라서, 액정(6)의 호몰로지(homology)가 변화되므로, 매크로적으로 보면 제 1 배향막(4)이 변질된 부분을 형성하여 이 불투명함이 발생하는 것으로 생각된다.
결과적으로 비산물(39)에 의해 러빙홈이 메워져 있으므로 액정(6)을 구성하는 각각의 액정분자는 화소전극(13)과 대향전극(24) 사이에 인가된 전압에서 발생하는 전계를 따라서 배열할 수 없게 된다. 그리고, 액정(6)이 배향할 수 없게 되어 있으므로(배향성이 저하되어 있으므로), 액정(6)을 통하는 광의 통과나 반사가 방해를 받아 결함화소가 된다.
즉, 도 10a와 같은 오버랩하는 방법에서는 주사면에서 모든 배향막, ITO막이나 색채부까지 깎고 있던 것에 더하여, 1펄스당의 조사에너지가 작으므로 상기 "불투명함"도 형성되지 않았다. 그러나, 이번의 방법에 의하면 그것까지도 깎는 것은 레이저광의 조사면(38)만으로 좋고, 그 밖의 영역은 비산물(39)로 액정분자의 배향이 저해되는 것으로, 결함화소의 수정(여기에서는 투과율의 감소)를 실현하고 있으므로 액정패널(31)의 전체에서는 해가 적다.
또한, 이 오버랩하는 방법에서는 85℃의 건조한 환경하에서 동작시키면 투과율의 상승이 확인되었다. 이에 대하여 이번의 방법에서는 투과율의 변동은 거의 없었다. 이것은 이번의 방법에서는 비산물(39)에서 러빙홈이 메워지고 있고, 레이저 조사에 의해 상승한 온도가 하강한 후에도 배향의 부활이 일어나기 어려워지기 때문이라고 생각된다.
도 13에는 P/d와 투과율(T)의 관계를 도시하고 도 14에는 P/d와 조사에너지(E)의 관계를 도시한다. 마진도 고려하여 사선으로 둘러싸인 부분에서 각각의 값은 추이하고 있지만, 도 13에 의하면 P/d가 2∼3일 때에 투과율이 최저에 이르는 것을 알 수 있고, 도 14에서도 P/d가 2∼3일 때 조사에너지를 최대로 할 수 있는 것을 알 수 있다. 이 결과 P/d가 2∼3일 때 최적의 조건에서 결함화소의 수복을 실현할 수 있는 것을 알 수 있다.
상술한 이산하여 레이저광을 조사하여 표시면에 형성한 "불투명함"을 이용하여 결함화소의 수복을 실시하는 방법은, 원리적으로 배향막을 갖고 있는 표시장치에는 적용이 가능하므로 이 방법의 적용의 대상은 설명에서 든 스위칭 소자로서 TFT를 사용한 액티브 매트릭스형 액정표시장치에 한정되지 않는다. 예를 들어 MIM(Metal Inslator Metal)을 사용해도 좋고 스위칭 소자를 사용하지 않는 단순 매트릭스형의 액정표시장치이어도 좋다. 또한, 플라즈마 어드레스형의 액정표시장치(PALC: Plasma Address Liquid Crystal)이어도 좋다.
또한, 휘점결함을 갖는 화소를 예로 들어 설명했지만 다른 결함모드에 대해서도 본 수법은 효과적이다. 예를 들어 정전파괴에 의한 스위칭 소자의 이상 동작이나 층간절연막의 파손에 의한 전극이나 배선의 쇼트, 그리고 화소전극의 결함이나 배향이상등이다.
다음에 지금까지 설명한 이산적으로 레이저광을 조사하여 결함화소의 수복을 실시하는 방법에 더하여 또 하나의 수복을 실시하는 방법을 이하에 기재한다. 이 방법은 소위 제 1 종래예와 제 2 종래예를 겸비한 방법이라고도 할 수 있는데, 개개의 종래예에서는 상호 방법에서 결함화소수정의 누락을 보완하는 사상이 개시되어 있지는 않다. 또한, 이 방법은 도 5에 도시한 펄스폭이 가변인 레이저 수복장치(25)를 사용하여 실시하는 것이 바람직하다.
도 15로부터 도 18에 도시한 바와 같이 여기에서 설명하는 방법에서는 제 2 종래예와 동일하게 하나의 화소전극(13)에 대응하여 각각 2개(복수)의 TFT(스위칭 소자)가 설치되어 있다. 도 15에 도시한 바와 같이 한쪽은 화소전극(13)에 배선으로 기계적이고 전기적으로 접속되어 있는 메인 TFT(40)이고 다른쪽은 화소전극(13)과는 기계적으로 접속되지 않고 전기적으로는 접속되지 않은(층간절연막(41)으로 절연되어 있는 주사선(11)으로부터 연장된 배선(43)에 기계적으로는 접하고 있다) 서브 TFT(42)이다. 우선, 상술한 화소결함의 검출을 거쳐 결함이 발생한 화소를 검출한다.
다음에 화소결함이 발생하고 있는 부분을 특정할 수 있으면 도 16에 도시한 바와 같이 우선 메인 TFT(40)의 동작불량으로 발생한 결함화소에 대해서 메인 TFT(40)와 주사선(11)을 연결하는 배선(43)을 레이저 수복장치(25)에서 사용하는 레이저광에 의해 절단한다. 이 때의 레이저광의 펄스폭은 배선을 용융절단하기 위해 10(ns) 이하로 짧게 설정되어 있고 펄스 레이저광을 조사하여 절단되어 있다.
다음에, 도 17에 도시한 바와 같이 화소전극(13)과 접속하는 서브 TFT(42)를 선택하고 메인 TFT(40)로부터 층간절연막(41)에 의해 전기적으로 잘라 내어진 화소전극(13)과 서브 TFT(42)를 레이저 수복장치(25)로부터의 레이저광을 조사하여 선택적이고 전기적으로 접속한다. 구체적으로는 도 18에 도 17의 A-A′선에서의 단면도로서 도시한 바와 같이 층간 절연막(41)을 통하여 화소전극(13)과 서브 TFT(42)의 전극을 레이저광으로 용융 접속한다. 그 때문에, 여기에서도 레이저광의 펄스폭은 10(ns) 이하로 짧게 설정되어 있고, 펄스 레이저광을 조사하여 양자를 접속하고 있다.
이 처리에 의해 화소결함이 수복된 것에 대해서는 화소는 정상적인 동작을 실시하지만 TFT의 동작불량에 의한 요인이 아닌 화소결함에 대해서는 수복할 수 없고, 레이저광에 의한 가공정밀도의 편차도 있으므로, 이 방법만으로는 화소결함 전체의 30∼50% 정도밖에 수복할 수 없다.
그래서 이 서브 TFT(42)로의 교체부착을 실시한 후에 다시 화소결함을 검사하여 만약 화소결함이 인정된 경우에는, 예를 들어 상기에서 설명한 이산적으로 레이저광을 조사하는 방법에서 제 1 종래예에 도시한 바와 같이 배향막의 흐트러짐을 이용한 결함화소의 수복도 실시하는 것이다. 이 일련의 공정을 도 19에 플로우차트로 나타낸다(서브 TFT(42)로의 연결변경은 항장회로로의 연결변경의 일종이다).
또한, 이 처리의 경우에는 레이저 수복장치(25)에서 사용되는 레이저광의 펄스폭은 20∼200(ns)로 하고 있다. 물론, 제 1 종래예 대신 상기에서 설명한 레이저광을 이산적으로 조사하여 "불투명함"을 형성하여 결함화소의 수복을 실시해도 좋다.
또한, 스위칭 소자로서 TFT를 사용한 액티브 매트릭스형 액정표시장치를 예로 들어 설명했지만, 그 대신 MIM형의 액정표시장치로 해도 좋다.
본 발명에 의하면 액정패널에 가해지는 열적인 해를 억제한 결함화소의 수정을 달성할 수 있다. 또한, 스위칭 소자의 동작불량을 비롯한 여러가지 결함모드에도 적절하게 대응하여 결함화소를 수정할 수 있다. 즉, 본 발명에 의하면 결함화소의 양호한 수복이 달성된 액정표시장치의 제조가 가능해진다. 또한, 이와 같은 수복에 제공하는 레이저 수복장치의 제공도 가능해진다.

Claims (8)

  1. 제 1 기판상에 제 1 전극 및 제 1 배향막을 형성하는 공정,
    제 2 기판상에 제 2 전극 및 제 2 배향막을 형성하는 공정,
    상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 사이에 액정을 끼운 상태에서 이 기판을 서로 대향시키면서 밀봉하는 공정,
    상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 전위차를 초래하여 화면을 표시하게 하여 검사를 실시하는 공정, 및
    상기 검사에서 검출된 상기 화면을 구성하는 화소의 결함을 발생시킨 부분을 수복하는 공정을 구비하는 액정표시장치의 제조방법에 있어서,
    상기 수복하는 공정은 상기 결함을 갖는 상기 화소에 대응하여 이 화소의 하나당 적어도 2개가 각각 기계적으로 접속되어 있는 스위칭 소자에 대해서 하나의 상기 스위칭 소자를 상기 화소와 선택적이고 전기적으로 접속하는 공정과
    상기 결함을 갖는 상기 화소에 상기 레이저광을 조사하여 상기 제 1 배향막 또는 상기 제 2 배향막을 변질시키는 공정을 함께 구비한 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 배향막 또는 상기 제 2 배향막을 변질시키는 공정은 하나의 스위칭 소자를 상기 화소와 선택적이고 전기적으로 접속하는 공정을 실시했음에도 불구하고 상기 결함이 수복되지 않는 화소를 대상으로 실시하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 레이저광은 상기 스위칭 소자를 상기 화소와 선택적이고 전기적으로 접속하는 공정의 경우에는 20ns 내지 200ns의 펄스폭을 갖고, 상기 제 1 배향막 또는 상기 제 2 배향막을 변질시키는 공정의 경우에는 10ns 이하의 펄스폭을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  4. 제 1 기판상에 제 1 전극 및 제 1 배향막을 형성하는 공정,
    제 2 기판상에 제 2 전극 및 제 2 배향막을 형성하는 공정,
    상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 사이에 액정을 끼운 상태로 이 기판을 서로 대향시키면서 밀봉하는 공정,
    상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 전위차를 초래하여 화면을 표시하게 하여 검사를 실시하는 공정,
    상기 검사에서 검출된 상기 화면을 구성하는 화소의 결함을 발생시킨 부분의 화소에 레이저광을 조사하여 적어도 상기 제 1 배향막 또는 상기 제 2 배향막을 변질시켜 상기 결함을 발생시킨 화소를 수복하는 공정을 구비하는 액정표시장치의 제조방법에 있어서,
    상기 수복하는 공정은 상기 결함을 발생시킨 화소에 대해서 이 화소의 크기 보다도 작은 조사면을 가진 펄스형상의 레이저광을 복수의 상기 조사면이 서로 거리를 두도록 조사하는 공정과,
    상기 조사하는 공정에 의해 상기 조사면의 배향막을 거의 소멸시킴과 동시에 상기 조사면의 주변부에 있는 배향막에 대해서 상기 조사면을 중심으로 하여 파문형상으로 상기 레이저광이 가지는 에너지에 의해 비산물을 퇴적시키고, 이 파문형상으로 퇴적된 상기 비산물과 상기 소멸에 의해 상기 레이저광의 조사전 보다도 상기 결함을 발생시킨 화소에서의 광의 투과율 또는 반사율을 감소시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  5. 제 1 전극 및 제 1 배향막이 형성된 제 1 기판,
    제 2 전극 및 제 2 배향막이 형성된 제 2 기판,
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 밀봉됨과 동시에 상기 제 1 배향막 및 상기 제 2 배향막에 부여되는 배향성에 기초하여 소정방향으로 배열되는 액정, 및
    상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이로의 전압의 인가에서 발생한 전위차에 따라서 상기 배향성에 기초하여 상기 액정에 의한 광의 투과율 또는 반사율이 변화되는 복수의 화소를 구비하는 액정표시장치에 있어서,
    상기 복수의 화소는 이 화소에 대응하여 이 화소 하나당 적어도 2개가 각각 설치되어 있는 스위칭 소자를 구비함과 함께
    상기 복수의 화소 중 적어도 하나는 레이저광의 조사에 의해 상기 제 1 배향막 또는 상기 제 2 배향막이 변질된 부분을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  6. 제 1 전극 및 제 1 배향막이 형성된 제 1 기판,
    제 2 전극 및 제 2 배향막이 형성된 제 2 기판,
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 밀봉됨과 동시에 상기 제 1 배향막 및 상기 제 2 배향막에 부여되는 배향성에 기초하여 소정방향으로 배열되는 액정, 및
    상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이로의 전압의 인가에서 발생한 전위차에 따라서 상기 배향성에 기초하여 상기 액정에 의한 광의 투과율 또는 반사율이 변화되는 복수의 화소를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치에 있어서,
    상기 화소의 크기 보다도 작은 조사면을 가진 펄스형상의 레이저광을 복수의 상기 조사면이 서로 거리를 두도록 조사되어 적어도 2개의 상기 조사면의 배향막이 거의 소멸된 부분과,
    상기 조사면의 주변부에 있는 배향막에 대해서 상기 조사면을 중심으로 하여 파문형상으로 상기 레이저광이 가진 에너지에 의해 비산물이 퇴적된 부분을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  7. 액정패널을 구성하는 배향막에 대하여 레이저광을 조사하는 레이저 광원,
    상기 레이저 광원으로부터 출사되는 레이저광의 펄스폭을 조정하는 레이저광 제어장치,
    상기 액정패널이 설치되는 배치대,
    상기 액정패널에 대해서 상기 레이저광을 상대적으로 주사시키는 주사수단을 구비하는 레이저 수복장치에 있어서,
    상기 레이저광 제어장치는 상기 레이저 광원으로 여기하기 위해 입력하는 에너지의 조정에 의해 상기 펄스폭을 조정하는 것을 특징으로 하는 레이저 수복장치.
  8. 액정패널을 구성하는 배향막에 대해서 레이저광을 조사하는 레이저 광원,
    상기 레이저 광원으로부터 출사되는 레이저광의 펄스폭을 조정하는 레이저광 제어장치,
    상기 액정패널이 설치되는 배치대, 및
    상기 액정패널에 대하여 상기 레이저광을 상대적으로 주사시키는 주사수단을 구비하는 레이저 수복장치에 있어서,
    상기 레이저광 제어장치는 상기 레이저 광원을 구성하는 Q스위치로 개폐하기 위해 입력하는 에너지의 조정에 의해 상기 펄스폭을 조정하는 것을 특징으로 하는 레이저 수복장치.
KR10-2000-0064183A 1999-11-01 2000-10-31 액정표시장치의 제조방법 및 액정표시장치 KR100404983B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31048499A JP2001133803A (ja) 1999-11-01 1999-11-01 液晶表示装置の製造方法と液晶表示装置およびレーザリペア装置
JP11-310484 1999-11-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010051349A true KR20010051349A (ko) 2001-06-25
KR100404983B1 KR100404983B1 (ko) 2003-11-10

Family

ID=18005799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2000-0064183A KR100404983B1 (ko) 1999-11-01 2000-10-31 액정표시장치의 제조방법 및 액정표시장치

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2001133803A (ko)
KR (1) KR100404983B1 (ko)
TW (2) TWI290647B (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3673742B2 (ja) * 2001-09-27 2005-07-20 レーザーフロントテクノロジーズ株式会社 液晶ディスプレイ装置の輝点欠陥修正方法およびその装置
KR101027832B1 (ko) * 2003-05-09 2011-04-07 올림푸스 가부시키가이샤 결함수정장치 및 그 결함수정방법
JP4723915B2 (ja) 2005-06-03 2011-07-13 株式会社東芝 液晶パネルのリペア方法及びリペア装置
JP4678291B2 (ja) * 2005-11-29 2011-04-27 三菱電機株式会社 表示装置及び表示装置の修復方法
KR101213874B1 (ko) * 2005-12-01 2012-12-18 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널 및 그 리페어 방법
JP2007206550A (ja) 2006-02-03 2007-08-16 Toshiba Corp 液晶パネルの欠陥画素修正装置
CN101416099B (zh) * 2006-05-16 2010-09-29 夏普株式会社 显示面板的制造方法和显示面板的制造装置
JP5527817B2 (ja) * 2010-08-18 2014-06-25 Ｎｅｃライティング株式会社 リペア方法
CN104849883A (zh) * 2015-05-20 2015-08-19 武汉华星光电技术有限公司 液晶面板的亮点修补方法、装置及亮点修补后的液晶面板

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03171034A (ja) * 1989-11-30 1991-07-24 Toshiba Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP2517842B2 (ja) * 1994-09-19 1996-07-24 株式会社日立製作所 表示装置
JPH0990408A (ja) * 1995-09-28 1997-04-04 Toshiba Corp 液晶表示素子

Also Published As

Publication number Publication date
TW200426446A (en) 2004-12-01
TWI290647B (en) 2007-12-01
KR100404983B1 (ko) 2003-11-10
JP2001133803A (ja) 2001-05-18
TWI240133B (en) 2005-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7755380B2 (en) Repairing manufacturing defects in flat panel displays
KR0181529B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR0172141B1 (ko) 액정표시장치의 결함수정방법
JP2006227621A (ja) 表示装置の修理装置及び修理方法
KR100404983B1 (ko) 액정표시장치의 제조방법 및 액정표시장치
US7612861B2 (en) Liquid crystal display panel capable of minimizing a defect rate caused by bright point and repairing method thereof
JP4354946B2 (ja) 液晶表示パネル及びそのリペア方法
JP3219664B2 (ja) 液晶表示装置の欠陥修正方法
KR20060067040A (ko) 액정표시패널의 리페어 장치 및 방법
JP2003241155A (ja) 液晶表示装置および液晶表示装置の欠陥修正方法ならびに欠陥修正装置
JP2002196344A (ja) 液晶表示装置の製造方法とレーザ成膜方法およびレーザ成膜装置
JP3224942B2 (ja) 液晶表示装置の輝点欠陥修正方法、その輝点欠陥修正装置及び液晶表示装置の製造方法
CN114967261A (zh) 阵列基板的修复方法、阵列基板及显示面板
KR101152555B1 (ko) 액정패널의 리페어패턴 형성장치 및 방법
JP3083714B2 (ja) 液晶表示装置の欠陥修正方法
JP3505223B2 (ja) 液晶表示装置およびその製造方法
KR101087238B1 (ko) 액정표시패널의 리페어 장치 및 방법
KR100937848B1 (ko) 액정표시패널의 리페어 장치 및 방법
JPH05313167A (ja) 液晶表示装置及びその輝点欠陥修正方法
KR100686500B1 (ko) 액정장치의 제조방법 및 전자기기
JP4010698B2 (ja) 液晶表示装置及びその欠陥修正方法
KR101013647B1 (ko) 채널부 리페어방법 및 이를 적용한 액정표시소자
US10656485B2 (en) Display device and method for manufacturing the same
JPH09258155A (ja) 液晶表示装置の製造方法
KR20030058220A (ko) 액정패널의 불량셀 리페어 공정

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110920

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee