JP2003241155A - 液晶表示装置および液晶表示装置の欠陥修正方法ならびに欠陥修正装置 - Google Patents
液晶表示装置および液晶表示装置の欠陥修正方法ならびに欠陥修正装置Info
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- JP2003241155A JP2003241155A JP2002039670A JP2002039670A JP2003241155A JP 2003241155 A JP2003241155 A JP 2003241155A JP 2002039670 A JP2002039670 A JP 2002039670A JP 2002039670 A JP2002039670 A JP 2002039670A JP 2003241155 A JP2003241155 A JP 2003241155A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 欠陥を修正することにより画像特性の向上お
よび実質的な歩留りの向上が図られた液晶表示装置およ
びその欠陥修正方法ならびに欠陥修正装置を提供する。 【解決手段】 液晶表示装置を構成する液晶パネルにお
いて、輝点欠陥を有する画素50の領域の位相差板15
A,15Bをレーザ光により除去する。それにより、画
素50の領域における位相差板15A,15Bのリタデ
ーション値をほぼ0とする。
よび実質的な歩留りの向上が図られた液晶表示装置およ
びその欠陥修正方法ならびに欠陥修正装置を提供する。 【解決手段】 液晶表示装置を構成する液晶パネルにお
いて、輝点欠陥を有する画素50の領域の位相差板15
A,15Bをレーザ光により除去する。それにより、画
素50の領域における位相差板15A,15Bのリタデ
ーション値をほぼ0とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置と、
液晶表示装置における欠陥画素の修正方法と、欠陥修正
装置とに関するものである。
液晶表示装置における欠陥画素の修正方法と、欠陥修正
装置とに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、液晶表示装置の1つとして、ネマ
ティック液晶を用いたツイステッドネマティックモード
(以下、TNモードと呼ぶ)の液晶表示装置が実用化さ
れている。図17は、TNモードの液晶表示装置を構成
する液晶パネル(液晶表示素子)の構造を模式的に示す
透視的な平面図であり、図18は、図17のXVIII-XVII
I'線における断面図である。
ティック液晶を用いたツイステッドネマティックモード
(以下、TNモードと呼ぶ)の液晶表示装置が実用化さ
れている。図17は、TNモードの液晶表示装置を構成
する液晶パネル(液晶表示素子)の構造を模式的に示す
透視的な平面図であり、図18は、図17のXVIII-XVII
I'線における断面図である。
【0003】図17に示すように、液晶パネルでは、ゲ
ート線(走査信号線)3とソース線(映像信号線)13
とが互いに直交するように形成され、このゲート線3と
ソース線13とでマトリクス状に区画された領域が1つ
の画素を構成する。図18に示すように、液晶パネルを
構成する画素は、所定の間隔で対向するように配置され
たTFTアレイ基板31と対向基板32との間に、TN
モードの液晶分子4から構成される液晶層17Bが充填
され、対向基板32の外面およびTFTアレイ基板31
の外面には透過軸が互いに直交するように設定された偏
光板19Aおよび偏光板19Bが配置されて構成され
る。なお、液晶表示装置では、液晶パネルの偏光板19
B側にバックライトユニット(図示せず)が配設されて
いる。
ート線(走査信号線)3とソース線(映像信号線)13
とが互いに直交するように形成され、このゲート線3と
ソース線13とでマトリクス状に区画された領域が1つ
の画素を構成する。図18に示すように、液晶パネルを
構成する画素は、所定の間隔で対向するように配置され
たTFTアレイ基板31と対向基板32との間に、TN
モードの液晶分子4から構成される液晶層17Bが充填
され、対向基板32の外面およびTFTアレイ基板31
の外面には透過軸が互いに直交するように設定された偏
光板19Aおよび偏光板19Bが配置されて構成され
る。なお、液晶表示装置では、液晶パネルの偏光板19
B側にバックライトユニット(図示せず)が配設されて
いる。
【0004】対向基板32はガラス基板2を有し、この
ガラス基板2の内面には、カラーフィルタ12、対向電
極9および配向膜10Aがこの順に配置されている。な
お、ゲート線3上に位置するカラーフィルタ12の領域
にはブラックマトリクス11が形成されている。
ガラス基板2の内面には、カラーフィルタ12、対向電
極9および配向膜10Aがこの順に配置されている。な
お、ゲート線3上に位置するカラーフィルタ12の領域
にはブラックマトリクス11が形成されている。
【0005】一方、対向基板31はガラス基板1を有し
ており、このガラス基板1の内面にゲート線3およびゲ
ート電極(図示せず)が形成されるとともに、これらの
表面が第1絶縁層6で覆われている。ゲート電極上に位
置する第1絶縁層6の領域上には半導体スイッチ素子で
ある薄膜トランジスタ(以下、TFTと呼ぶ)14が形
成され、一方、露出した第1絶縁層6の所定領域上には
ソース線13が形成されている。そして、第1絶縁層
6、ソース線13およびTFT14を覆うように第2絶
縁層7が形成され、この第2絶縁層7のゲート線3間に
位置する領域上に画素電極8が形成されている。画素電
極8はドレインコンタクト端子25を介してTFT14
のドレイン電極(図示せず)に接続しており、TFT1
4のソース電極(図示せず)はソース線13に接続して
いる。また、画素電極9上および第2絶縁層7上には配
向膜10Bが形成されている。
ており、このガラス基板1の内面にゲート線3およびゲ
ート電極(図示せず)が形成されるとともに、これらの
表面が第1絶縁層6で覆われている。ゲート電極上に位
置する第1絶縁層6の領域上には半導体スイッチ素子で
ある薄膜トランジスタ(以下、TFTと呼ぶ)14が形
成され、一方、露出した第1絶縁層6の所定領域上には
ソース線13が形成されている。そして、第1絶縁層
6、ソース線13およびTFT14を覆うように第2絶
縁層7が形成され、この第2絶縁層7のゲート線3間に
位置する領域上に画素電極8が形成されている。画素電
極8はドレインコンタクト端子25を介してTFT14
のドレイン電極(図示せず)に接続しており、TFT1
4のソース電極(図示せず)はソース線13に接続して
いる。また、画素電極9上および第2絶縁層7上には配
向膜10Bが形成されている。
【0006】このような構造を有する液晶パネルの製造
時には、まず、TFTアレイ基板31の製造時に、ガラ
ス基板1の内面にAl、Ti等からなる導電体膜を形成
するとともにこれを所定形状にパターニングし、ゲート
線3およびゲート電極を形成する。そして、ゲート線3
上およびゲート電極上に第1絶縁層6を形成した後、ゲ
ート電極上に位置する第1絶縁層6の領域にa−Si層
とn+形a−Si層(ともに図示せず)とからなるTF
T14を形成する。さらに、露出した第1絶縁層6上お
よびTFT14上にAl、Ti等からなる導電体膜を形
成するとともにこれを所定形状にパターニングし、ソー
ス線13を形成する。
時には、まず、TFTアレイ基板31の製造時に、ガラ
ス基板1の内面にAl、Ti等からなる導電体膜を形成
するとともにこれを所定形状にパターニングし、ゲート
線3およびゲート電極を形成する。そして、ゲート線3
上およびゲート電極上に第1絶縁層6を形成した後、ゲ
ート電極上に位置する第1絶縁層6の領域にa−Si層
とn+形a−Si層(ともに図示せず)とからなるTF
T14を形成する。さらに、露出した第1絶縁層6上お
よびTFT14上にAl、Ti等からなる導電体膜を形
成するとともにこれを所定形状にパターニングし、ソー
ス線13を形成する。
【0007】次に、上記のようにソース線13までが形
成されたTFTアレイ基板31上にSiNx等からなる
第2絶縁層7を形成する。第2絶縁層7はTFT14を
保護する保護膜の役目も果たすものでもある。さらに、
ゲート線3間に位置する第2絶縁層7の領域上にITO
膜を形成して画素電極8を形成し、この画素電極8上お
よび第2絶縁層7上に配向膜10Bを形成する。
成されたTFTアレイ基板31上にSiNx等からなる
第2絶縁層7を形成する。第2絶縁層7はTFT14を
保護する保護膜の役目も果たすものでもある。さらに、
ゲート線3間に位置する第2絶縁層7の領域上にITO
膜を形成して画素電極8を形成し、この画素電極8上お
よび第2絶縁層7上に配向膜10Bを形成する。
【0008】一方、対向基板32の製造時には、ガラス
基板2の内面にカラーフィルタ12を形成するととも
に、TFT基板31と対向させた際に前記ゲート線3の
上に位置するカラーフィルタ12の領域にブラックマト
リックス11を形成する。そして、カラーフィルタ12
上にITO膜を形成して対向電極9を形成し、さらにそ
の上に配向膜10Aを形成する。
基板2の内面にカラーフィルタ12を形成するととも
に、TFT基板31と対向させた際に前記ゲート線3の
上に位置するカラーフィルタ12の領域にブラックマト
リックス11を形成する。そして、カラーフィルタ12
上にITO膜を形成して対向電極9を形成し、さらにそ
の上に配向膜10Aを形成する。
【0009】対向基板32およびTFTアレイ基板31
の配向膜10A、10Bは、液晶層17Bの液晶分子4
の配列を整列させるために形成するものである。配向膜
10A,10Bの表面はラビングクロスで擦られてお
り、それにより、液晶層17BのTFTアレイ基板側3
1側および対向基板32側においてそれぞれ所定の方向
に液晶分子4の初期配向方向が決定される。例えば、こ
の場合には、液晶分子4の初期配向方向はTFTアレイ
基板31側と対向基板32側とで略直交するように設定
される。このように液晶分子4の初期配向方向が決定さ
れたTFTアレイ基板31と対向基板32とを貼り合わ
せて周辺部をシール剤で接着した後、TFTアレイ基板
31と対向基板32との間に液晶分子を注入して液晶層
17Bを形成し、封止材により液晶分子4の注入口を封
止する。
の配向膜10A、10Bは、液晶層17Bの液晶分子4
の配列を整列させるために形成するものである。配向膜
10A,10Bの表面はラビングクロスで擦られてお
り、それにより、液晶層17BのTFTアレイ基板側3
1側および対向基板32側においてそれぞれ所定の方向
に液晶分子4の初期配向方向が決定される。例えば、こ
の場合には、液晶分子4の初期配向方向はTFTアレイ
基板31側と対向基板32側とで略直交するように設定
される。このように液晶分子4の初期配向方向が決定さ
れたTFTアレイ基板31と対向基板32とを貼り合わ
せて周辺部をシール剤で接着した後、TFTアレイ基板
31と対向基板32との間に液晶分子を注入して液晶層
17Bを形成し、封止材により液晶分子4の注入口を封
止する。
【0010】上記の方法により製造された液晶パネルか
らなる液晶表示装置の表示動作時には、偏光板19B側
に配設されたバックライトユニットから液晶パネルに光
が供給され、この光は偏光板19B、TFTアレイ基板
31、液晶層17B、対向基板32および偏光板19A
を順に透過して外部に出射する。この場合において、ゲ
ート線3を通じて走査信号電圧が印加されたTFT14
が、ソース線13を通じて印加された表示信号電圧をオ
ン、オフ制御し、それにより画素電極8と対向電極9と
の間に電圧を印加して液晶分子4の立ち具合とねじれ具
合とを変化(これを液晶分子4の配向状態の変化と呼
ぶ)させて液晶層17Bにおけるリタデーションを変化
させる。それにより、表示信号に応じた表示を行うこと
ができる。
らなる液晶表示装置の表示動作時には、偏光板19B側
に配設されたバックライトユニットから液晶パネルに光
が供給され、この光は偏光板19B、TFTアレイ基板
31、液晶層17B、対向基板32および偏光板19A
を順に透過して外部に出射する。この場合において、ゲ
ート線3を通じて走査信号電圧が印加されたTFT14
が、ソース線13を通じて印加された表示信号電圧をオ
ン、オフ制御し、それにより画素電極8と対向電極9と
の間に電圧を印加して液晶分子4の立ち具合とねじれ具
合とを変化(これを液晶分子4の配向状態の変化と呼
ぶ)させて液晶層17Bにおけるリタデーションを変化
させる。それにより、表示信号に応じた表示を行うこと
ができる。
【0011】上記のよ液晶表示装置の液晶パネルは、数
多くの製造工程を経て製造されるため、製造工程におい
て欠陥が発生する場合があり、例えばTFT14が欠陥
を有することがある。TFT14が欠陥を有する画素で
は、ノーマリーホワイトモードから黒表示を行う場合
に、TFT14が欠陥を有するために画素電極8と対向
電極9との間に電圧が印加されず、よって、液晶層17
Bのリタデーションを変化させることができない。その
結果、欠陥を有する画素では黒表示を行うことができず
に光が透過してしまい、表示においてこの画素の部分が
輝点となる。以下においては、輝点の発生要因となる欠
陥を輝点欠陥と呼び、輝点欠陥を有する画素を輝点欠陥
画素と呼ぶ。輝点欠陥はTFT14の欠陥に限られたも
のではなく、液晶パネルの他の構成要素における欠陥も
輝点欠陥となる。
多くの製造工程を経て製造されるため、製造工程におい
て欠陥が発生する場合があり、例えばTFT14が欠陥
を有することがある。TFT14が欠陥を有する画素で
は、ノーマリーホワイトモードから黒表示を行う場合
に、TFT14が欠陥を有するために画素電極8と対向
電極9との間に電圧が印加されず、よって、液晶層17
Bのリタデーションを変化させることができない。その
結果、欠陥を有する画素では黒表示を行うことができず
に光が透過してしまい、表示においてこの画素の部分が
輝点となる。以下においては、輝点の発生要因となる欠
陥を輝点欠陥と呼び、輝点欠陥を有する画素を輝点欠陥
画素と呼ぶ。輝点欠陥はTFT14の欠陥に限られたも
のではなく、液晶パネルの他の構成要素における欠陥も
輝点欠陥となる。
【0012】輝点が生じた表示画像では画像特性が劣化
する。このため、輝点欠陥により、液晶表示装置の品位
が低下し、装置の歩留りの低下が起こる。したがって、
液晶表示装置においては、輝点欠陥を修正する必要があ
る。
する。このため、輝点欠陥により、液晶表示装置の品位
が低下し、装置の歩留りの低下が起こる。したがって、
液晶表示装置においては、輝点欠陥を修正する必要があ
る。
【0013】なお、ノーマリーブラックモードから白表
示を行った場合には、上記とは逆に、欠陥を有する画素
の部分は白表示を行うことができずに表示において黒点
となる。このように黒点となった欠陥画素は、輝点とな
る欠陥画素に比べて、表示特性に与える影響が少ない。
このため、修正が望まれるのは、ノーマリーホワイトモ
ードから黒表示を行った際に生じる輝点画素である。
示を行った場合には、上記とは逆に、欠陥を有する画素
の部分は白表示を行うことができずに表示において黒点
となる。このように黒点となった欠陥画素は、輝点とな
る欠陥画素に比べて、表示特性に与える影響が少ない。
このため、修正が望まれるのは、ノーマリーホワイトモ
ードから黒表示を行った際に生じる輝点画素である。
【0014】図19は、TNモードの液晶表示装置にお
ける輝点欠陥の修正方法の一例を説明するための輝点欠
陥画素の透視的な平面図である。図19に示すように、
この方法では、輝点欠陥画素において、画素電極8とゲ
ート線3とを接続する接続部20を例えばレーザ光によ
り形成してこれらを電気的に接続する。かかる構成とす
ると、ゲート線3と画素電極8とが電気的に接続される
ため、ゲート線3を通じて走査信号電圧を印加した際に
画素電極8と対向電極9との間に走査信号電圧と同じ高
電圧を印加することができる。例えば、通常の走査信号
電圧は20V程度であるから、この場合には画素電極8
と対向電極9との間に20V程度の電圧が印加される。
それにより、液晶層17Bの液晶分子4の配向状態を以
下のように変化させることが可能となる。
ける輝点欠陥の修正方法の一例を説明するための輝点欠
陥画素の透視的な平面図である。図19に示すように、
この方法では、輝点欠陥画素において、画素電極8とゲ
ート線3とを接続する接続部20を例えばレーザ光によ
り形成してこれらを電気的に接続する。かかる構成とす
ると、ゲート線3と画素電極8とが電気的に接続される
ため、ゲート線3を通じて走査信号電圧を印加した際に
画素電極8と対向電極9との間に走査信号電圧と同じ高
電圧を印加することができる。例えば、通常の走査信号
電圧は20V程度であるから、この場合には画素電極8
と対向電極9との間に20V程度の電圧が印加される。
それにより、液晶層17Bの液晶分子4の配向状態を以
下のように変化させることが可能となる。
【0015】図20は、図19の輝点欠陥画素のXX−X
X’線における断面図であり、画素電極8と対向電極9
との間に高電圧が印加されて液晶分子4の配向状態が変
化した状態を示している。図20に示すように、画素電
極8と対向電極9との間に高電圧が印加されると、液晶
層17BのTNモードの液晶分子4は、長軸方向がガラ
ス基板1,2の主面に対してほぼ垂直な方向となるよう
に整列した配向状態となる。このような液晶分子4の配
向状態の液晶層17Bでは、リタデーションがほぼ0n
mとなるため、この液晶層17Bを光が透過しても光の
リタデーションは変化しない。
X’線における断面図であり、画素電極8と対向電極9
との間に高電圧が印加されて液晶分子4の配向状態が変
化した状態を示している。図20に示すように、画素電
極8と対向電極9との間に高電圧が印加されると、液晶
層17BのTNモードの液晶分子4は、長軸方向がガラ
ス基板1,2の主面に対してほぼ垂直な方向となるよう
に整列した配向状態となる。このような液晶分子4の配
向状態の液晶層17Bでは、リタデーションがほぼ0n
mとなるため、この液晶層17Bを光が透過しても光の
リタデーションは変化しない。
【0016】偏光板19B側から画素内に入射し偏光板
19Bを透過して直線偏光となった光は、前述のように
液晶層17Bを透過してもリタデーションが変化しない
ため偏光されず、よって、光は偏光板19B透過時の偏
光状態のまま出射側の偏光板19Aに達する。ここで、
前述のように、出射側の偏光板19Aの透過軸は、入射
側の偏光板19Bの透過軸と垂直になるように設定され
ているため、透過時の偏光状態のまま偏光板19Aに達
した光は、偏光板19Aにより遮断されて透過率がほぼ
0となる。したがって、輝点欠陥画素では黒表示が行わ
れて黒点となる。
19Bを透過して直線偏光となった光は、前述のように
液晶層17Bを透過してもリタデーションが変化しない
ため偏光されず、よって、光は偏光板19B透過時の偏
光状態のまま出射側の偏光板19Aに達する。ここで、
前述のように、出射側の偏光板19Aの透過軸は、入射
側の偏光板19Bの透過軸と垂直になるように設定され
ているため、透過時の偏光状態のまま偏光板19Aに達
した光は、偏光板19Aにより遮断されて透過率がほぼ
0となる。したがって、輝点欠陥画素では黒表示が行わ
れて黒点となる。
【0017】図21は、ノーマリーホワイトモードであ
るTNモードの液晶表示装置における画素電極および対
向電極間の印加電圧と光の透過率との関係を示す図であ
る。図21に示すように、TNモードの液晶表示装置に
おいては、印加電圧が高くなると光の透過率が低下し、
例えば本例のように通常の走査信号電圧と同じ20V程
度の高電圧が印加された場合には光の透過率は0とな
る。
るTNモードの液晶表示装置における画素電極および対
向電極間の印加電圧と光の透過率との関係を示す図であ
る。図21に示すように、TNモードの液晶表示装置に
おいては、印加電圧が高くなると光の透過率が低下し、
例えば本例のように通常の走査信号電圧と同じ20V程
度の高電圧が印加された場合には光の透過率は0とな
る。
【0018】このように、上記の方法によれば、輝点欠
陥画素を黒点とすることにより、表示において輝点欠陥
画素の部分を欠陥として見えにくくさせ、表示特性の劣
化の抑制を図るとともに実質的な歩留りの向上を図るこ
とが可能となる。ところで、上記のTNモードに対し
て、例えば特開平7−84254号公報には、応答速度
が速く広視野角の表示モードとして、光学補償ベンドモ
ード(以下、OCB:Optically Compensated Bendモー
ドと呼ぶ)が提案されている。このOCBモードについ
て以下に説明する。図22は、OCBモードの液晶表示
装置の液晶パネルの構造を模式的に示す断面図である。
この液晶パネルは、ベンド配向した液晶分子4から構成
される液晶層17Aを含むとともに、ガラス基板1,2
と偏光板19B,19Aとの間に位相差板15B,15
Aが配設された点を除いて、図18に示すTNモードの
液晶パネルと同一の構造を有している。ここでは、この
ように液晶分子4がベンド配向した状態において白表示
となる(ノーマリーホワイトモード)。上記のようなO
CBモードの液晶表示装置においても、前述のTNモー
ドの場合と同様に、黒表示を行った際に欠陥を有する画
素の部分が輝点となり、表示特性を劣化させ液晶表示装
置の歩留りを低下させる。
陥画素を黒点とすることにより、表示において輝点欠陥
画素の部分を欠陥として見えにくくさせ、表示特性の劣
化の抑制を図るとともに実質的な歩留りの向上を図るこ
とが可能となる。ところで、上記のTNモードに対し
て、例えば特開平7−84254号公報には、応答速度
が速く広視野角の表示モードとして、光学補償ベンドモ
ード(以下、OCB:Optically Compensated Bendモー
ドと呼ぶ)が提案されている。このOCBモードについ
て以下に説明する。図22は、OCBモードの液晶表示
装置の液晶パネルの構造を模式的に示す断面図である。
この液晶パネルは、ベンド配向した液晶分子4から構成
される液晶層17Aを含むとともに、ガラス基板1,2
と偏光板19B,19Aとの間に位相差板15B,15
Aが配設された点を除いて、図18に示すTNモードの
液晶パネルと同一の構造を有している。ここでは、この
ように液晶分子4がベンド配向した状態において白表示
となる(ノーマリーホワイトモード)。上記のようなO
CBモードの液晶表示装置においても、前述のTNモー
ドの場合と同様に、黒表示を行った際に欠陥を有する画
素の部分が輝点となり、表示特性を劣化させ液晶表示装
置の歩留りを低下させる。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】そこで、図19に示す
前述のTNモードの液晶表示装置における輝点欠陥の修
正方法、すなわち輝点欠陥画素の画素電極8とゲート電
極3とを電気的に接続して短絡させる方法をOCBモー
ドの液晶表示装置に適用する場合について考える。この
場合、輝点欠陥画素においては、ゲート線3に印加され
る走査信号電圧と同じ高電圧が画素電極8および対向電
極9間に印加される。ここで、図23に示すように、O
CBモードの液晶表示装置においては、画素電極8およ
び対向電極9の間に4〜8V程度の電圧が印加されると
光の透過率は0となり黒表示となるが、それよりも高電
圧が印加されると光の透過率は0とならず、よって、こ
の場合には黒表示とならずに中間色が表示される。
前述のTNモードの液晶表示装置における輝点欠陥の修
正方法、すなわち輝点欠陥画素の画素電極8とゲート電
極3とを電気的に接続して短絡させる方法をOCBモー
ドの液晶表示装置に適用する場合について考える。この
場合、輝点欠陥画素においては、ゲート線3に印加され
る走査信号電圧と同じ高電圧が画素電極8および対向電
極9間に印加される。ここで、図23に示すように、O
CBモードの液晶表示装置においては、画素電極8およ
び対向電極9の間に4〜8V程度の電圧が印加されると
光の透過率は0となり黒表示となるが、それよりも高電
圧が印加されると光の透過率は0とならず、よって、こ
の場合には黒表示とならずに中間色が表示される。
【0020】このように、OCBモードの液晶表示装置
においてTNモードの欠陥修正方法を適用すると、輝点
欠陥画素は黒点とならずに中間調を示すため輝点欠陥を
修正することができない。このため、液晶表示装置の実
質的な歩留りが低下する。
においてTNモードの欠陥修正方法を適用すると、輝点
欠陥画素は黒点とならずに中間調を示すため輝点欠陥を
修正することができない。このため、液晶表示装置の実
質的な歩留りが低下する。
【0021】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたもので、欠陥を修正することにより画像特
性の向上および実質的な歩留りの向上が図られた液晶表
示装置およびその欠陥修正方法ならびに欠陥修正装置を
提供することを目的としている。
めになされたもので、欠陥を修正することにより画像特
性の向上および実質的な歩留りの向上が図られた液晶表
示装置およびその欠陥修正方法ならびに欠陥修正装置を
提供することを目的としている。
【0022】
【課題を解決するための手段】第1の発明にかかる液晶
表示装置は、一対の基板の間に液晶層が挟持され、前記
一対の基板の外面の少なくとも一方に位相差板が配設さ
れてなる液晶パネルと、前記液晶パネルの背面から前記
液晶層に表示用の光を照射する照明構造とを備え、前記
液晶層を変調させて前記液晶層および前記位相差板にお
けるリタデーションを用いて前記表示用の光の前記液晶
パネルにおける透過率を制御することによって表示を行
う液晶表示装置において、前記液晶パネルは複数の画素
を備え、前記複数の画素は輝点欠陥を有する輝点欠陥画
素を含み、前記輝点欠陥画素の領域の前記位相差板のリ
タデーションの絶対値が、前記輝点欠陥画素以外の画素
の領域の前記位相差板のリタデーションの絶対値よりも
小さいものである(請求項1)。
表示装置は、一対の基板の間に液晶層が挟持され、前記
一対の基板の外面の少なくとも一方に位相差板が配設さ
れてなる液晶パネルと、前記液晶パネルの背面から前記
液晶層に表示用の光を照射する照明構造とを備え、前記
液晶層を変調させて前記液晶層および前記位相差板にお
けるリタデーションを用いて前記表示用の光の前記液晶
パネルにおける透過率を制御することによって表示を行
う液晶表示装置において、前記液晶パネルは複数の画素
を備え、前記複数の画素は輝点欠陥を有する輝点欠陥画
素を含み、前記輝点欠陥画素の領域の前記位相差板のリ
タデーションの絶対値が、前記輝点欠陥画素以外の画素
の領域の前記位相差板のリタデーションの絶対値よりも
小さいものである(請求項1)。
【0023】かかる構成によれば、輝点欠陥画素の領域
の位相差板のリタデーションが上記のように設定されて
いるため、輝点欠陥画素領域における光の透過を抑制し
て輝点欠陥画素を黒点化することが可能となる。したが
って、このような液晶表示装置においては、表示画像に
輝点が観察されることはなく、よって、高品位の画像を
実現することが可能となるとともに実質的な歩留りの向
上を図ることが可能となる。
の位相差板のリタデーションが上記のように設定されて
いるため、輝点欠陥画素領域における光の透過を抑制し
て輝点欠陥画素を黒点化することが可能となる。したが
って、このような液晶表示装置においては、表示画像に
輝点が観察されることはなく、よって、高品位の画像を
実現することが可能となるとともに実質的な歩留りの向
上を図ることが可能となる。
【0024】前記液晶表示装置の黒表示時に前記輝点欠
陥画素以外の画素における前記位相差板および前記液晶
層のリタデーションの合計値がほぼ0となるように前記
位相差板および前記液晶層のリタデーションが設定さ
れ、前記輝点欠陥画素領域における前記位相差板のリタ
デーション値がほぼ0nmであることが好ましい(請求
項2)。
陥画素以外の画素における前記位相差板および前記液晶
層のリタデーションの合計値がほぼ0となるように前記
位相差板および前記液晶層のリタデーションが設定さ
れ、前記輝点欠陥画素領域における前記位相差板のリタ
デーション値がほぼ0nmであることが好ましい(請求
項2)。
【0025】かかる構成によれば、輝点欠陥画素領域に
おける光の透過を効果的に抑制することができるため、
輝点欠陥画素を完全に黒点化することが可能となる。
おける光の透過を効果的に抑制することができるため、
輝点欠陥画素を完全に黒点化することが可能となる。
【0026】前記輝点欠陥画素は半導体スイッチ素子の
欠陥に起因して輝点欠陥が生じ、前記輝点欠陥画素領域
では、前記位相差板が除去されるとともに、画素電極が
前記半導体スイッチ素子を制御するためのゲート線と電
気的に接続されてもよい(請求項3)。
欠陥に起因して輝点欠陥が生じ、前記輝点欠陥画素領域
では、前記位相差板が除去されるとともに、画素電極が
前記半導体スイッチ素子を制御するためのゲート線と電
気的に接続されてもよい(請求項3)。
【0027】かかる構成によれば、輝点欠陥画素領域に
おいて画素電極とゲート線とが電気的に接続されている
ため、この領域では半導体スイッチ素子が欠陥を有して
いてもゲート線を通じて走査信号電圧と同じ高電圧を画
素電極に印加することが可能となる。このような高電圧
が印加されると、液晶層におけるリタデーションがほぼ
0nmとなる。ここで、この場合には、輝点欠陥画素領
域の位相差板が除去されているため、この領域における
位相差板のリタデーションが0nmとなり、よって、液
晶層および位相差板におけるリタデーションの合計値が
ほぼ0nmとなる。このため、この場合には、輝点欠陥
画素を完全に黒点化することが可能となる。
おいて画素電極とゲート線とが電気的に接続されている
ため、この領域では半導体スイッチ素子が欠陥を有して
いてもゲート線を通じて走査信号電圧と同じ高電圧を画
素電極に印加することが可能となる。このような高電圧
が印加されると、液晶層におけるリタデーションがほぼ
0nmとなる。ここで、この場合には、輝点欠陥画素領
域の位相差板が除去されているため、この領域における
位相差板のリタデーションが0nmとなり、よって、液
晶層および位相差板におけるリタデーションの合計値が
ほぼ0nmとなる。このため、この場合には、輝点欠陥
画素を完全に黒点化することが可能となる。
【0028】前記輝点欠陥画素の前記位相差板が除去さ
れた領域に平坦化層が形成されてもよい(請求項4)。
れた領域に平坦化層が形成されてもよい(請求項4)。
【0029】かかる構成によれば、位相差板が除去され
た輝点欠陥画素の領域が平坦化層により平坦化されるた
め、液晶パネルの表面を平坦化することが可能となる。
このため、液晶パネル表面に使用者が触れた際の手触り
が良好となる。
た輝点欠陥画素の領域が平坦化層により平坦化されるた
め、液晶パネルの表面を平坦化することが可能となる。
このため、液晶パネル表面に使用者が触れた際の手触り
が良好となる。
【0030】前記平坦化層は非透明であってもよく(請
求項5)、黒色であってもよい(請求項6)。
求項5)、黒色であってもよい(請求項6)。
【0031】かかる構成によれば、平坦化層により光を
遮光することが可能となるため、輝点欠陥画素における
光の透過をより効果的に抑制することが可能となり完全
に黒点化することができる。
遮光することが可能となるため、輝点欠陥画素における
光の透過をより効果的に抑制することが可能となり完全
に黒点化することができる。
【0032】前記輝点欠陥画素は半導体スイッチ素子の
欠陥に起因して輝点欠陥が生じ、前記輝点欠陥画素領域
では、前記位相差板が変質しているとともに、画素電極
が前記半導体スイッチ素子を制御するためのゲート線と
電気的に接続されてもよい(請求項7)。
欠陥に起因して輝点欠陥が生じ、前記輝点欠陥画素領域
では、前記位相差板が変質しているとともに、画素電極
が前記半導体スイッチ素子を制御するためのゲート線と
電気的に接続されてもよい(請求項7)。
【0033】かかる構成によれば、輝点欠陥画素領域に
おいて画素電極とゲート線とが電気的に接続されている
ため、この領域では半導体スイッチ素子が欠陥を有して
いてもゲート線を通じて走査信号電圧と同じ高電圧を画
素電極に印加することが可能となる。このような高電圧
が印加されると、液晶層におけるリタデーションがほぼ
0nmとなる。ここで、この場合には、輝点欠陥画素領
域の位相差板が変質しているため、この領域における位
相差板のリタデーションがほぼ0nmとなり、よって、
液晶層および位相差板におけるリタデーションの合計値
がほぼ0nmとなる。このため、この場合には、輝点欠
陥画素を完全に黒点化することが可能となる。
おいて画素電極とゲート線とが電気的に接続されている
ため、この領域では半導体スイッチ素子が欠陥を有して
いてもゲート線を通じて走査信号電圧と同じ高電圧を画
素電極に印加することが可能となる。このような高電圧
が印加されると、液晶層におけるリタデーションがほぼ
0nmとなる。ここで、この場合には、輝点欠陥画素領
域の位相差板が変質しているため、この領域における位
相差板のリタデーションがほぼ0nmとなり、よって、
液晶層および位相差板におけるリタデーションの合計値
がほぼ0nmとなる。このため、この場合には、輝点欠
陥画素を完全に黒点化することが可能となる。
【0034】前記位相差板が、前記一対の基板の外面の
いずれか一方に配設されてもよく(請求項8)、前記液
晶パネルの背面側の前記基板の外面に配設されることが
好ましい(請求項9)。
いずれか一方に配設されてもよく(請求項8)、前記液
晶パネルの背面側の前記基板の外面に配設されることが
好ましい(請求項9)。
【0035】かかる構成によれば、位相差板が一方の基
板のみに設けられているため、位相差板を両方の基板に
設ける場合に比べて、製造が容易になるとともに製造タ
クトを向上させることができる。特に、液晶パネルの背
面側の基板に位相差板が設けられると、液晶パネル表面
に使用者が触れた際の手触りが良好となる。
板のみに設けられているため、位相差板を両方の基板に
設ける場合に比べて、製造が容易になるとともに製造タ
クトを向上させることができる。特に、液晶パネルの背
面側の基板に位相差板が設けられると、液晶パネル表面
に使用者が触れた際の手触りが良好となる。
【0036】前記液晶パネルと前記照明構造との間に集
光構造が配設されてもよい(請求項10)。
光構造が配設されてもよい(請求項10)。
【0037】かかる構成によれば、光が集光構造により
液晶パネルの正面方向に集光されて液晶パネル内に入射
するため、液晶表示装置を斜めから見たときでも輝点欠
陥画素を修正した部分からの光の漏れを抑制することが
でき、輝点を見えなくすることが可能となる。
液晶パネルの正面方向に集光されて液晶パネル内に入射
するため、液晶表示装置を斜めから見たときでも輝点欠
陥画素を修正した部分からの光の漏れを抑制することが
でき、輝点を見えなくすることが可能となる。
【0038】前記位相差板が配設された前記基板に含ま
れる基材の厚さが0mmより大きく0.4mm以下であ
ることが好ましい(請求項11)。
れる基材の厚さが0mmより大きく0.4mm以下であ
ることが好ましい(請求項11)。
【0039】かかる構成によれば、液晶表示装置を斜め
から見たときでも輝点欠陥画素を修正した部分からの光
の漏れを抑制することができ、輝点を見えなくすること
が可能となる。
から見たときでも輝点欠陥画素を修正した部分からの光
の漏れを抑制することができ、輝点を見えなくすること
が可能となる。
【0040】第2の発明にかかる液晶表示装置は、内面
に配向膜がそれぞれ配設された一対の基板の間に液晶層
が挟持された液晶パネルと、前記液晶パネルの背面から
前記液晶層に表示用の光を照射する照明構造とを備え、
前記液晶層を変調させて前記表示用の光の前記液晶パネ
ルにおける透過率を制御することによって表示を行う液
晶表示装置において、前記液晶パネルは複数の画素を備
え、前記複数の画素は輝点欠陥を有する輝点欠陥画素を
含み、前記輝点欠陥画素の領域の前記一対の基板の内面
に配設された配向膜の少なくとも一方が変質または破壊
されて遮光性となったものである(請求項12)。
に配向膜がそれぞれ配設された一対の基板の間に液晶層
が挟持された液晶パネルと、前記液晶パネルの背面から
前記液晶層に表示用の光を照射する照明構造とを備え、
前記液晶層を変調させて前記表示用の光の前記液晶パネ
ルにおける透過率を制御することによって表示を行う液
晶表示装置において、前記液晶パネルは複数の画素を備
え、前記複数の画素は輝点欠陥を有する輝点欠陥画素を
含み、前記輝点欠陥画素の領域の前記一対の基板の内面
に配設された配向膜の少なくとも一方が変質または破壊
されて遮光性となったものである(請求項12)。
【0041】かかる構成によれば、輝点欠陥画素領域の
配向膜が遮光性となっているためこの配向膜において光
を遮断することができ、よって、輝点欠陥画素における
光の透過を抑制して輝点欠陥画素を黒点化することが可
能となる。このため、高品位の画像を得ることが可能と
なるとともに、装置の実質的な歩留りを向上させること
が可能となる。
配向膜が遮光性となっているためこの配向膜において光
を遮断することができ、よって、輝点欠陥画素における
光の透過を抑制して輝点欠陥画素を黒点化することが可
能となる。このため、高品位の画像を得ることが可能と
なるとともに、装置の実質的な歩留りを向上させること
が可能となる。
【0042】第3の発明にかかる液晶表示装置は、一対
の基板の間に液晶層が挟持された液晶パネルと、前記液
晶パネルの背面から前記液晶層に表示用の光を照射する
照明構造とを備え、前記液晶層を変調させて前記表示用
の光の前記液晶パネルにおける透過率を制御することに
よって表示を行う液晶表示装置において、前記液晶パネ
ルは複数の画素を備え、前記複数の画素は輝点欠陥を有
する輝点欠陥画素を含み、前記輝点欠陥画素の領域は、
前記一対の基板の各々に含まれる基材の少なくとも一方
が外面に凹部を有するとともに、前記凹部内に遮光層が
配設されたものである(請求項13)。
の基板の間に液晶層が挟持された液晶パネルと、前記液
晶パネルの背面から前記液晶層に表示用の光を照射する
照明構造とを備え、前記液晶層を変調させて前記表示用
の光の前記液晶パネルにおける透過率を制御することに
よって表示を行う液晶表示装置において、前記液晶パネ
ルは複数の画素を備え、前記複数の画素は輝点欠陥を有
する輝点欠陥画素を含み、前記輝点欠陥画素の領域は、
前記一対の基板の各々に含まれる基材の少なくとも一方
が外面に凹部を有するとともに、前記凹部内に遮光層が
配設されたものである(請求項13)。
【0043】かかる構成によれば、輝点欠陥画素領域に
おいて、基材に凹部が形成されるとともにこの凹部内に
遮光層が形成されているため、遮光層により光を遮断す
ることが可能となる。このため、輝点欠陥画素領域にお
ける光の透過を抑制することが可能となり、この領域を
黒点化することが可能となる。それにより、高品位の画
像を得ることが可能となるとともに、装置の実質的な歩
留りを向上させることが可能となる。
おいて、基材に凹部が形成されるとともにこの凹部内に
遮光層が形成されているため、遮光層により光を遮断す
ることが可能となる。このため、輝点欠陥画素領域にお
ける光の透過を抑制することが可能となり、この領域を
黒点化することが可能となる。それにより、高品位の画
像を得ることが可能となるとともに、装置の実質的な歩
留りを向上させることが可能となる。
【0044】前記凹部内において、前記遮光層が前記凹
部の底部に形成され、前記遮光層上に前記遮光層と異な
る光の透過率を有する平坦化層が積層されてもよく(請
求項14)、前記遮光層の厚さが前記平坦化層の厚さよ
りも小さいことが好ましい(請求項15)。
部の底部に形成され、前記遮光層上に前記遮光層と異な
る光の透過率を有する平坦化層が積層されてもよく(請
求項14)、前記遮光層の厚さが前記平坦化層の厚さよ
りも小さいことが好ましい(請求項15)。
【0045】かかる構成によれば、平坦化層により輝点
欠陥画素領域の表面が平坦化されるため、液晶パネル表
面を平坦化することが可能となる。このため、液晶パネ
ルの表面に使用者が触れた際の手触りが良好となる。特
に、遮光層の厚さが平坦化層の厚さよりも小さいと、液
晶表示装置を斜めから見たときに、輝点欠陥画素を修正
した部分からの光の漏れを抑制して輝点を見えなくする
ことが可能となるとともに、輝点欠陥画素に隣接する正
常な画素までが黒点として見えるのを防止することが可
能となる。
欠陥画素領域の表面が平坦化されるため、液晶パネル表
面を平坦化することが可能となる。このため、液晶パネ
ルの表面に使用者が触れた際の手触りが良好となる。特
に、遮光層の厚さが平坦化層の厚さよりも小さいと、液
晶表示装置を斜めから見たときに、輝点欠陥画素を修正
した部分からの光の漏れを抑制して輝点を見えなくする
ことが可能となるとともに、輝点欠陥画素に隣接する正
常な画素までが黒点として見えるのを防止することが可
能となる。
【0046】第1から第3の発明において、前記液晶パ
ネルの前記液晶層を構成する液晶分子がベンド配向して
いてもよい(請求項16)。
ネルの前記液晶層を構成する液晶分子がベンド配向して
いてもよい(請求項16)。
【0047】かかる構成によれば、応答速度が速くかつ
広視野角であるとともに、輝点欠陥が修正されて高品位
かつ高い歩留りが実現可能となったOCBモードの液晶
表示装置が得られる。
広視野角であるとともに、輝点欠陥が修正されて高品位
かつ高い歩留りが実現可能となったOCBモードの液晶
表示装置が得られる。
【0048】第1から第3の発明において、前記液晶パ
ネルが投射型であってもよい(請求項17)。
ネルが投射型であってもよい(請求項17)。
【0049】かかる構成によれば、高品位かつ実質的な
歩留りの向上が図られた投射型の液晶表示装置が得られ
る。
歩留りの向上が図られた投射型の液晶表示装置が得られ
る。
【0050】第4の発明にかかる液晶表示装置の欠陥修
正方法は、一対の基板の間に液晶層が挟持され、前記一
対の基板の外面の少なくとも一方に位相差板が配設され
てなる液晶パネルと、前記液晶パネルの背面から前記液
晶層に表示用の光を照射する照明構造とを備え、前記液
晶層を変調させて前記液晶層および前記位相差板におけ
るリタデーションを用いて前記表示用の光の前記液晶パ
ネルにおける透過率を制御することによって表示を行う
液晶表示装置における欠陥の修正方法であって、前記液
晶表示装置の画像を検査して前記液晶パネルの輝点欠陥
画素を検出する画像検査工程と、前記画像検査工程で検
出した前記輝点欠陥画素の領域の位相差板のリタデーシ
ョンの絶対値を、前記欠陥画素以外の画素領域の位相差
板のリタデーションの絶対値よりも小さくする位相差板
リタデーション調整工程と、前記輝点欠陥画素の領域に
おいて、画素電極とゲート線とを電気的に短絡させる画
素電極短絡工程とを含むものである(請求項18)。
正方法は、一対の基板の間に液晶層が挟持され、前記一
対の基板の外面の少なくとも一方に位相差板が配設され
てなる液晶パネルと、前記液晶パネルの背面から前記液
晶層に表示用の光を照射する照明構造とを備え、前記液
晶層を変調させて前記液晶層および前記位相差板におけ
るリタデーションを用いて前記表示用の光の前記液晶パ
ネルにおける透過率を制御することによって表示を行う
液晶表示装置における欠陥の修正方法であって、前記液
晶表示装置の画像を検査して前記液晶パネルの輝点欠陥
画素を検出する画像検査工程と、前記画像検査工程で検
出した前記輝点欠陥画素の領域の位相差板のリタデーシ
ョンの絶対値を、前記欠陥画素以外の画素領域の位相差
板のリタデーションの絶対値よりも小さくする位相差板
リタデーション調整工程と、前記輝点欠陥画素の領域に
おいて、画素電極とゲート線とを電気的に短絡させる画
素電極短絡工程とを含むものである(請求項18)。
【0051】かかる構成によれば、画素電極短絡工程に
おいて輝点欠陥画素領域の画素電極とゲート線とを短絡
させるため、輝点欠陥画素領域において、ゲート線に印
加される走査信号電圧と同じ高電圧を画素電極に印加す
ることができる。ここで、この場合においては、位相差
板リタデーション調整工程において、輝点欠陥画素領域
以外の画素領域における位相差板のリタデーションの絶
対値よりも小さくなるように輝点欠陥画素領域における
位相差板のリタデーションの絶対値を設定するため、前
述のように高電圧が画素電極に印加された輝点欠陥画素
領域では、光の透過を抑制して黒表示を行うことが可能
となる。それにより、輝点欠陥画素領域を黒点化するこ
とができる。このように、本発明の欠陥修正方法によれ
ば、輝点欠陥画素を黒点化して修正することができるた
め、高品位で実質的に歩留りの向上が図られた液晶表示
装置を実現することが可能となる。
おいて輝点欠陥画素領域の画素電極とゲート線とを短絡
させるため、輝点欠陥画素領域において、ゲート線に印
加される走査信号電圧と同じ高電圧を画素電極に印加す
ることができる。ここで、この場合においては、位相差
板リタデーション調整工程において、輝点欠陥画素領域
以外の画素領域における位相差板のリタデーションの絶
対値よりも小さくなるように輝点欠陥画素領域における
位相差板のリタデーションの絶対値を設定するため、前
述のように高電圧が画素電極に印加された輝点欠陥画素
領域では、光の透過を抑制して黒表示を行うことが可能
となる。それにより、輝点欠陥画素領域を黒点化するこ
とができる。このように、本発明の欠陥修正方法によれ
ば、輝点欠陥画素を黒点化して修正することができるた
め、高品位で実質的に歩留りの向上が図られた液晶表示
装置を実現することが可能となる。
【0052】前記位相差板リタデーション調整工程は、
前記輝点欠陥画素領域の位相差板を除去する位相差板除
去工程を含んでもよい(請求項19)。
前記輝点欠陥画素領域の位相差板を除去する位相差板除
去工程を含んでもよい(請求項19)。
【0053】かかる構成によれば、位相差板を除去する
ことにより、輝点欠陥画素領域における位相差板のリタ
デーションを0nmとすることができる。このように位
相差板のリタデーションが0nmとなった輝点欠陥画素
領域においては、光の透過をより効果的に抑制すること
ができるため、輝点欠陥画素領域を完全に黒点化するこ
とができる。
ことにより、輝点欠陥画素領域における位相差板のリタ
デーションを0nmとすることができる。このように位
相差板のリタデーションが0nmとなった輝点欠陥画素
領域においては、光の透過をより効果的に抑制すること
ができるため、輝点欠陥画素領域を完全に黒点化するこ
とができる。
【0054】前記位相差板除去工程は、前記輝点欠陥画
素領域の位相差板をレーザ光を用いて切断し、前記切断
された位相差板を剥離させる工程を含んでもよく(請求
項20)、前記輝点欠陥画素領域の位相差板を加熱して
溶融させて除去する工程を含んでもよい(請求項2
1)。
素領域の位相差板をレーザ光を用いて切断し、前記切断
された位相差板を剥離させる工程を含んでもよく(請求
項20)、前記輝点欠陥画素領域の位相差板を加熱して
溶融させて除去する工程を含んでもよい(請求項2
1)。
【0055】かかる構成によれば、輝点欠陥画素領域の
位相差板を容易に除去することが可能となる。
位相差板を容易に除去することが可能となる。
【0056】前記位相差板リタデーション調整工程は、
前記位相差板除去工程の後、前記輝点欠陥画素領域の位
相差板除去部に平坦化層を形成する位相差板除去部平坦
化工程をさらに含んでもよい(請求項22)。
前記位相差板除去工程の後、前記輝点欠陥画素領域の位
相差板除去部に平坦化層を形成する位相差板除去部平坦
化工程をさらに含んでもよい(請求項22)。
【0057】かかる構成によれば、輝点欠陥画素領域の
位相差板除去部に平坦化層を形成するため、液晶パネル
の表面が平坦化される。それにより、液晶パネルの表面
に使用者が触れた際の手触りが良好となる。
位相差板除去部に平坦化層を形成するため、液晶パネル
の表面が平坦化される。それにより、液晶パネルの表面
に使用者が触れた際の手触りが良好となる。
【0058】前記位相差板除去部平坦化工程は、前記輝
点欠陥画素領域の位相差板除去部にインクジェット方式
により平坦化層材料を滴下して平坦化層を形成する工程
を含んでもよい(請求項23)。
点欠陥画素領域の位相差板除去部にインクジェット方式
により平坦化層材料を滴下して平坦化層を形成する工程
を含んでもよい(請求項23)。
【0059】かかる構成によれば、輝点欠陥画素領域の
位相差板除去部に、容易にかつ精度良く平坦化層を形成
することが可能となる。
位相差板除去部に、容易にかつ精度良く平坦化層を形成
することが可能となる。
【0060】前記位相差板リタデーション調整工程は、
前記輝点欠陥画素領域の位相差板を変質させる位相差板
変質工程を含んでもよい(請求項24)。
前記輝点欠陥画素領域の位相差板を変質させる位相差板
変質工程を含んでもよい(請求項24)。
【0061】かかる構成によれば、位相差板を変質させ
ることにより、輝点欠陥画素における位相差板のリタデ
ーションを調整することが可能となる。それにより、輝
点欠陥画素領域における光の透過を効果的に抑制するこ
とができ、輝点欠陥画素領域を黒点化することが可能と
なる。
ることにより、輝点欠陥画素における位相差板のリタデ
ーションを調整することが可能となる。それにより、輝
点欠陥画素領域における光の透過を効果的に抑制するこ
とができ、輝点欠陥画素領域を黒点化することが可能と
なる。
【0062】前記位相差板変質工程は、前記輝点欠陥画
素領域の位相差板をレーザ光により変質させる工程を含
んでもよく(請求項25)、前記輝点欠陥画素領域の位
相差板を熱により変質させる工程を含んでもよい(請求
項26)。
素領域の位相差板をレーザ光により変質させる工程を含
んでもよく(請求項25)、前記輝点欠陥画素領域の位
相差板を熱により変質させる工程を含んでもよい(請求
項26)。
【0063】かかる構成によれば、輝点欠陥画素領域の
位相差板を容易に変質させることが可能となる。
位相差板を容易に変質させることが可能となる。
【0064】第5の発明にかかる液晶表示装置の欠陥修
正方法は、内面に配向膜がそれぞれ配設された一対の基
板の間に液晶層が挟持された液晶パネルと、前記液晶パ
ネルの背面から前記液晶層に表示用の光を照射する照明
構造とを備え、前記液晶層を変調させて前記表示用の光
の前記液晶パネルにおける透過率を制御することによっ
て表示を行う液晶表示装置における欠陥の修正方法であ
って、前記液晶表示装置の画像を検査して前記液晶パネ
ルの輝点欠陥画素を検出する画像検査工程と、前記画像
検査工程で検出した前記輝点欠陥画素の領域の前記一対
の基板の内面に配設された配向膜の少なくとも一方を変
質させるかまたは破壊して遮光性とする配向膜処理工程
とを含むものである(請求項27)。
正方法は、内面に配向膜がそれぞれ配設された一対の基
板の間に液晶層が挟持された液晶パネルと、前記液晶パ
ネルの背面から前記液晶層に表示用の光を照射する照明
構造とを備え、前記液晶層を変調させて前記表示用の光
の前記液晶パネルにおける透過率を制御することによっ
て表示を行う液晶表示装置における欠陥の修正方法であ
って、前記液晶表示装置の画像を検査して前記液晶パネ
ルの輝点欠陥画素を検出する画像検査工程と、前記画像
検査工程で検出した前記輝点欠陥画素の領域の前記一対
の基板の内面に配設された配向膜の少なくとも一方を変
質させるかまたは破壊して遮光性とする配向膜処理工程
とを含むものである(請求項27)。
【0065】かかる構成によれば、配向膜処理工程にお
いて輝点欠陥画素領域の配向膜を遮光性とするため、輝
点欠陥画素領域においてこの遮光性の配向膜により光を
遮断することが可能となる。それにより、輝点欠陥画素
領域を黒点化することができる。このように、本発明の
欠陥修正方法によれば、輝点欠陥画素を黒点化して修正
することができるため、高品位で実質的に歩留りの向上
が図られた液晶表示装置を実現することが可能となる。
いて輝点欠陥画素領域の配向膜を遮光性とするため、輝
点欠陥画素領域においてこの遮光性の配向膜により光を
遮断することが可能となる。それにより、輝点欠陥画素
領域を黒点化することができる。このように、本発明の
欠陥修正方法によれば、輝点欠陥画素を黒点化して修正
することができるため、高品位で実質的に歩留りの向上
が図られた液晶表示装置を実現することが可能となる。
【0066】前記配向膜処理工程は、レーザ光を用いて
行ってもよい(請求項28)。
行ってもよい(請求項28)。
【0067】かかる構成によれば、輝点欠陥画素領域の
配向膜を容易に変質または破壊することが可能となる。
配向膜を容易に変質または破壊することが可能となる。
【0068】第6の発明にかかる液晶表示装置の欠陥修
正方法は、一対の基板の間に液晶層が挟持された液晶パ
ネルと、前記液晶パネルの背面から前記液晶層に表示用
の光を照射する照明構造とを備え、前記液晶層を変調さ
せて前記表示用の光の前記液晶パネルにおける透過率を
制御することによって表示を行う液晶表示装置における
欠陥の修正方法であって、前記液晶表示装置の画像を検
査して前記液晶パネルの輝点欠陥画素を検出する画像検
査工程と、前記画像検査工程で検出した前記輝点欠陥画
素の領域の前記一対の基板の各々に含まれる基材の少な
くとも一方において外面に凹部を形成する凹部形成工程
と、前記凹部内に遮光層を形成する遮光層形成工程とを
含むものである(請求項29)。
正方法は、一対の基板の間に液晶層が挟持された液晶パ
ネルと、前記液晶パネルの背面から前記液晶層に表示用
の光を照射する照明構造とを備え、前記液晶層を変調さ
せて前記表示用の光の前記液晶パネルにおける透過率を
制御することによって表示を行う液晶表示装置における
欠陥の修正方法であって、前記液晶表示装置の画像を検
査して前記液晶パネルの輝点欠陥画素を検出する画像検
査工程と、前記画像検査工程で検出した前記輝点欠陥画
素の領域の前記一対の基板の各々に含まれる基材の少な
くとも一方において外面に凹部を形成する凹部形成工程
と、前記凹部内に遮光層を形成する遮光層形成工程とを
含むものである(請求項29)。
【0069】かかる構成によれば、輝点欠陥画素領域の
基材に凹部を形成するとともに凹部内に遮光層を形成す
るため、輝点欠陥画素領域においてはこの遮光層により
光を遮断することが可能となる。それにより、輝点欠陥
画素領域を黒点化することができる。このように、本発
明の欠陥修正方法によれば、輝点欠陥画素を黒点化して
修正することができるため、高品位で実質的に歩留りの
向上が図られた液晶表示装置を実現することが可能とな
る。
基材に凹部を形成するとともに凹部内に遮光層を形成す
るため、輝点欠陥画素領域においてはこの遮光層により
光を遮断することが可能となる。それにより、輝点欠陥
画素領域を黒点化することができる。このように、本発
明の欠陥修正方法によれば、輝点欠陥画素を黒点化して
修正することができるため、高品位で実質的に歩留りの
向上が図られた液晶表示装置を実現することが可能とな
る。
【0070】前記輝点欠陥画素領域の前記凹部内に平坦
化層を形成する平坦化層形成工程をさらに含んでよい
(請求項30)。
化層を形成する平坦化層形成工程をさらに含んでよい
(請求項30)。
【0071】かかる構成によれば、輝点欠陥画素領域の
基材に形成された凹部を平坦化することができるため、
液晶パネルの表面を平坦化することができる。したがっ
て、液晶パネルの表面に使用者が触れた際の手触りが良
好となる。
基材に形成された凹部を平坦化することができるため、
液晶パネルの表面を平坦化することができる。したがっ
て、液晶パネルの表面に使用者が触れた際の手触りが良
好となる。
【0072】第7の発明にかかる欠陥修正装置は、一対
の基板の間に液晶層が挟持され、前記一対の基板の外面
の少なくとも一方に位相差板が配設されてなる液晶パネ
ルと、前記液晶パネルの背面から前記液晶層に表示用の
光を照射する照明構造とを備え、前記液晶層を変調させ
て前記液晶層および前記位相差板におけるリタデーショ
ンを用いて前記表示用の光の前記液晶パネルにおける透
過率を制御することによって表示を行う液晶表示装置に
おける欠陥を修正する欠陥修正装置であって、前記液晶
表示装置の画像を検査して前記液晶パネルの輝点欠陥画
素を検出する画像検査工程と、前記画像検査工程で検出
した前記輝点欠陥画素の領域の位相差板のリタデーショ
ンの絶対値を、前記欠陥画素以外の画素領域の位相差板
のリタデーションの絶対値よりも小さくする位相差板リ
タデーション調整工程と、前記輝点欠陥画素の領域にお
いて、画素電極とゲート線とを電気的に短絡させる画素
電極短絡工程とを含む欠陥修正方法を自動的に行うもの
である(請求項31)。
の基板の間に液晶層が挟持され、前記一対の基板の外面
の少なくとも一方に位相差板が配設されてなる液晶パネ
ルと、前記液晶パネルの背面から前記液晶層に表示用の
光を照射する照明構造とを備え、前記液晶層を変調させ
て前記液晶層および前記位相差板におけるリタデーショ
ンを用いて前記表示用の光の前記液晶パネルにおける透
過率を制御することによって表示を行う液晶表示装置に
おける欠陥を修正する欠陥修正装置であって、前記液晶
表示装置の画像を検査して前記液晶パネルの輝点欠陥画
素を検出する画像検査工程と、前記画像検査工程で検出
した前記輝点欠陥画素の領域の位相差板のリタデーショ
ンの絶対値を、前記欠陥画素以外の画素領域の位相差板
のリタデーションの絶対値よりも小さくする位相差板リ
タデーション調整工程と、前記輝点欠陥画素の領域にお
いて、画素電極とゲート線とを電気的に短絡させる画素
電極短絡工程とを含む欠陥修正方法を自動的に行うもの
である(請求項31)。
【0073】かかる構成においては、画素電極短絡工程
において輝点欠陥画素領域の画素電極とゲート線とを短
絡させるため、輝点欠陥画素領域において、ゲート線に
印加される走査信号電圧と同じ高電圧を画素電極に印加
することができる。ここで、この場合においては、位相
差板リタデーション調整工程において輝点欠陥画素領域
以外の画素領域における位相差板のリタデーションの絶
対値よりも小さくなるように輝点欠陥画素領域における
位相差板のリタデーションの絶対値を設定するため、前
述のように高電圧が画素電極に印加された輝点欠陥画素
領域では、光の透過を抑制して黒表示を行うことができ
る。それにより、輝点欠陥画素領域を黒点化することが
できる。このように、本発明の欠陥修正装置によれば、
輝点欠陥画素を黒点化して修正することができるため、
高品位で実質的に歩留りの向上が図られた液晶表示装置
を実現することが可能となる。
において輝点欠陥画素領域の画素電極とゲート線とを短
絡させるため、輝点欠陥画素領域において、ゲート線に
印加される走査信号電圧と同じ高電圧を画素電極に印加
することができる。ここで、この場合においては、位相
差板リタデーション調整工程において輝点欠陥画素領域
以外の画素領域における位相差板のリタデーションの絶
対値よりも小さくなるように輝点欠陥画素領域における
位相差板のリタデーションの絶対値を設定するため、前
述のように高電圧が画素電極に印加された輝点欠陥画素
領域では、光の透過を抑制して黒表示を行うことができ
る。それにより、輝点欠陥画素領域を黒点化することが
できる。このように、本発明の欠陥修正装置によれば、
輝点欠陥画素を黒点化して修正することができるため、
高品位で実質的に歩留りの向上が図られた液晶表示装置
を実現することが可能となる。
【0074】第8の発明にかかる欠陥修正装置は、内面
に配向膜がそれぞれ配設された一対の基板の間に液晶層
が挟持された液晶パネルと、前記液晶パネルの背面から
前記液晶層に表示用の光を照射する照明構造とを備え、
前記液晶層を変調させて前記表示用の光の前記液晶パネ
ルにおける透過率を制御することによって表示を行う液
晶表示装置における欠陥を修正する欠陥修正装置であっ
て、前記液晶表示装置の画像を検査して前記液晶パネル
の輝点欠陥画素を検出する画像検査工程と、前記画像検
査工程で検出した前記輝点欠陥画素の領域の前記一対の
基板の内面に配設された配向膜の少なくとも一方を変質
させるかまたは破壊して遮光性とする配向膜処理工程と
を含む欠陥修正方法を自動的に行うものである(請求項
32)。
に配向膜がそれぞれ配設された一対の基板の間に液晶層
が挟持された液晶パネルと、前記液晶パネルの背面から
前記液晶層に表示用の光を照射する照明構造とを備え、
前記液晶層を変調させて前記表示用の光の前記液晶パネ
ルにおける透過率を制御することによって表示を行う液
晶表示装置における欠陥を修正する欠陥修正装置であっ
て、前記液晶表示装置の画像を検査して前記液晶パネル
の輝点欠陥画素を検出する画像検査工程と、前記画像検
査工程で検出した前記輝点欠陥画素の領域の前記一対の
基板の内面に配設された配向膜の少なくとも一方を変質
させるかまたは破壊して遮光性とする配向膜処理工程と
を含む欠陥修正方法を自動的に行うものである(請求項
32)。
【0075】かかる構成においては、配向膜処理工程に
おいて輝点欠陥画素領域の配向膜を遮光性とするため、
輝点欠陥画素領域においてこの遮光性の配向膜により光
を遮断することが可能となる。それにより、輝点欠陥画
素領域を黒点化することができる。このように、本発明
の欠陥修正装置によれば、輝点欠陥画素を黒点化して修
正することができるため、高品位で実質的に歩留りの向
上が図られた液晶表示装置を実現することが可能とな
る。
おいて輝点欠陥画素領域の配向膜を遮光性とするため、
輝点欠陥画素領域においてこの遮光性の配向膜により光
を遮断することが可能となる。それにより、輝点欠陥画
素領域を黒点化することができる。このように、本発明
の欠陥修正装置によれば、輝点欠陥画素を黒点化して修
正することができるため、高品位で実質的に歩留りの向
上が図られた液晶表示装置を実現することが可能とな
る。
【0076】第9の発明にかかる欠陥修正装置は、一対
の基板の間に液晶層が挟持された液晶パネルと、前記液
晶パネルの背面から前記液晶層に表示用の光を照射する
照明構造とを備え、前記液晶層を変化させて前記表示用
の光の前記液晶パネルにおける透過率を制御することに
よって表示を行う液晶表示装置における欠陥を修正する
欠陥修正装置であって、前記液晶表示装置の画像を検査
して前記液晶パネルの輝点欠陥画素を検出する画像検査
工程と、前記画像検査工程で検出した前記輝点欠陥画素
の領域の前記一対の基板の各々に含まれる基材の少なく
とも一方において外面に凹部を形成する凹部形成工程
と、前記凹部内に遮光層を形成する遮光層形成工程とを
含む欠陥修正方法を自動的に行うものである(請求項3
3)。
の基板の間に液晶層が挟持された液晶パネルと、前記液
晶パネルの背面から前記液晶層に表示用の光を照射する
照明構造とを備え、前記液晶層を変化させて前記表示用
の光の前記液晶パネルにおける透過率を制御することに
よって表示を行う液晶表示装置における欠陥を修正する
欠陥修正装置であって、前記液晶表示装置の画像を検査
して前記液晶パネルの輝点欠陥画素を検出する画像検査
工程と、前記画像検査工程で検出した前記輝点欠陥画素
の領域の前記一対の基板の各々に含まれる基材の少なく
とも一方において外面に凹部を形成する凹部形成工程
と、前記凹部内に遮光層を形成する遮光層形成工程とを
含む欠陥修正方法を自動的に行うものである(請求項3
3)。
【0077】かかる構成においては、輝点欠陥画素領域
の基材に凹部を形成するとともに凹部内に遮光層を形成
するため、輝点欠陥画素領域においてはこの遮光層によ
り光を遮断することが可能となる。それにより、輝点欠
陥画素領域を黒点化することができる。このように、本
発明の欠陥修正装置によれば、輝点欠陥画素を黒点化し
て修正することができるため、高品位で実質的に歩留り
の向上が図られた液晶表示装置を実現することが可能と
なる。
の基材に凹部を形成するとともに凹部内に遮光層を形成
するため、輝点欠陥画素領域においてはこの遮光層によ
り光を遮断することが可能となる。それにより、輝点欠
陥画素領域を黒点化することができる。このように、本
発明の欠陥修正装置によれば、輝点欠陥画素を黒点化し
て修正することができるため、高品位で実質的に歩留り
の向上が図られた液晶表示装置を実現することが可能と
なる。
【0078】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら説明する。 (実施の形態1)図1は本発明の実施の形態1に係る液
晶表示装置の構成を示す模式的なブロック図である。
を参照しながら説明する。 (実施の形態1)図1は本発明の実施の形態1に係る液
晶表示装置の構成を示す模式的なブロック図である。
【0079】図1に示すように、液晶表示装置は、液晶
パネル501と、ゲート線3およびソース線13を通じ
て液晶パネル501を駆動するゲート駆動回路403お
よびソース駆動回路402と、ゲート駆動回路403お
よびソース駆動回路402を制御する信号処理回路40
1と、液晶パネル501に光を供給するバックライトユ
ニット505とを有している。液晶パネル501におい
ては、ゲート線3とソース線13とでマトリクス状に区
画された領域が1つの画素を構成しており、全ての画素
の集合が液晶パネル501の表示画面を構成している。
パネル501と、ゲート線3およびソース線13を通じ
て液晶パネル501を駆動するゲート駆動回路403お
よびソース駆動回路402と、ゲート駆動回路403お
よびソース駆動回路402を制御する信号処理回路40
1と、液晶パネル501に光を供給するバックライトユ
ニット505とを有している。液晶パネル501におい
ては、ゲート線3とソース線13とでマトリクス状に区
画された領域が1つの画素を構成しており、全ての画素
の集合が液晶パネル501の表示画面を構成している。
【0080】図2は、図1の液晶パネル501の構造を
模式的に示す透視的な平面図であり、図3は、図2のII
I−III’線における模式的な断面図である。ここでは、
液晶パネル501を構成する3つの隣接する画素50,
51,52について示しており、このうちの画素50は
輝点欠陥を有する。
模式的に示す透視的な平面図であり、図3は、図2のII
I−III’線における模式的な断面図である。ここでは、
液晶パネル501を構成する3つの隣接する画素50,
51,52について示しており、このうちの画素50は
輝点欠陥を有する。
【0081】図2および図3に示すように、液晶パネル
501は、所定の間隔で対向するように配置されたTF
Tアレイ基板31と対向基板32との間に、液晶分子4
が図22に示すようにベンド配向したOCBモードの液
晶層17Aが充填され、対向基板32の外面に位相差板
15Aおよび偏光板19Aが順に配置されるとともに、
TFTアレイ基板31の外面に位相差板15Bおよび偏
光板19Bが順に配置されて構成される。なお、本実施
の形態の液晶パネル501では、液晶分子4が図22に
示すようにベンド配向した状態で白表示となる(ノーマ
リーホワイト)。画素50の領域は位相差板15A,1
5Bが除去された構成となっており、ガラス基板1,2
上に、直接、偏光板19A,19Bが配置されている。
液晶パネルの偏光板19B側には、バックライトユニッ
ト505が配設されている。
501は、所定の間隔で対向するように配置されたTF
Tアレイ基板31と対向基板32との間に、液晶分子4
が図22に示すようにベンド配向したOCBモードの液
晶層17Aが充填され、対向基板32の外面に位相差板
15Aおよび偏光板19Aが順に配置されるとともに、
TFTアレイ基板31の外面に位相差板15Bおよび偏
光板19Bが順に配置されて構成される。なお、本実施
の形態の液晶パネル501では、液晶分子4が図22に
示すようにベンド配向した状態で白表示となる(ノーマ
リーホワイト)。画素50の領域は位相差板15A,1
5Bが除去された構成となっており、ガラス基板1,2
上に、直接、偏光板19A,19Bが配置されている。
液晶パネルの偏光板19B側には、バックライトユニッ
ト505が配設されている。
【0082】対向基板32はガラス基板2を有し、この
ガラス基板2の内面には、カラーフィルタ12、対向電
極9および配向膜10Aがこの順で配置されている。な
お、ゲート線3上に位置するカラーフィルタ12の領域
にはブラックマトリクス11が形成されている。
ガラス基板2の内面には、カラーフィルタ12、対向電
極9および配向膜10Aがこの順で配置されている。な
お、ゲート線3上に位置するカラーフィルタ12の領域
にはブラックマトリクス11が形成されている。
【0083】一方、対向基板31はガラス基板1を有し
ており、このガラス基板1の内面の各画素領域50,5
1,52にはそれぞれゲート線3およびゲート電極(図
示せず)が形成されている。ゲート電極3およびゲート
電極が形成されたガラス基板1の表面は、第1絶縁層6
で覆われている。ゲート電極上に位置する第1絶縁層6
の領域上にはa−Si層とn+形a−Si層(ともに図
示せず)が積層されて半導体スイッチ素子であるTFT
14が形成される。一方、露出した第1絶縁層6の所定
領域上にはソース線13が形成されている。TFT14
のソース電極(図示せず)はソース線13に接続されて
いる。なお、この場合、画素50のTFT14は欠陥を
有しており、よって、画素50は輝点欠陥画素となる。
この画素50の領域では、接続部20を介して画素電極
8とゲート線3とが電気的に接続されている。
ており、このガラス基板1の内面の各画素領域50,5
1,52にはそれぞれゲート線3およびゲート電極(図
示せず)が形成されている。ゲート電極3およびゲート
電極が形成されたガラス基板1の表面は、第1絶縁層6
で覆われている。ゲート電極上に位置する第1絶縁層6
の領域上にはa−Si層とn+形a−Si層(ともに図
示せず)が積層されて半導体スイッチ素子であるTFT
14が形成される。一方、露出した第1絶縁層6の所定
領域上にはソース線13が形成されている。TFT14
のソース電極(図示せず)はソース線13に接続されて
いる。なお、この場合、画素50のTFT14は欠陥を
有しており、よって、画素50は輝点欠陥画素となる。
この画素50の領域では、接続部20を介して画素電極
8とゲート線3とが電気的に接続されている。
【0084】第1絶縁層6、ソース線13およびTFT
14を覆うように第2絶縁層7が形成され、この第2絶
縁層7のゲート線3間に位置する領域上には画素電極8
が形成されている。画素電極8はドレインコンタクト端
子25を介してTFT14のドレイン電極(図示せず)
に接続しており、また、画素電極8とゲート線3とは接
続部20により接続されている。この画素電極8上およ
び第2絶縁層7上には配向膜10Bが形成されている。
14を覆うように第2絶縁層7が形成され、この第2絶
縁層7のゲート線3間に位置する領域上には画素電極8
が形成されている。画素電極8はドレインコンタクト端
子25を介してTFT14のドレイン電極(図示せず)
に接続しており、また、画素電極8とゲート線3とは接
続部20により接続されている。この画素電極8上およ
び第2絶縁層7上には配向膜10Bが形成されている。
【0085】図4(a)〜(d)は、図2および図3に
示す液晶パネルの製造方法を示す模式的な工程断面図で
ある。図4(a)に示すように、液晶パネルを製造する
際には、まず、TFTアレイ基板31の製造時に、ガラ
ス基板1の内面にAl、Ti等からなる導電体膜を形成
するとともにこれを所定形状にパターニングし、各画素
領域50,510,52にそれぞれゲート線3およびゲ
ート電極(図示せず)を形成する。そして、ゲート線3
上およびゲート電極上に第1絶縁層6を形成した後、ゲ
ート電極上に位置する第1絶縁層6の領域上に、a−S
i層とn+形a−Si層とを含んで構成されるTFT1
4(図示せず)を形成する。さらに、露出した第1絶縁
層6およびTFT14の所定領域上にAl、Ti等から
なる導電体膜を形成するとともにこれを所定形状にパタ
ーニングしてソース線13(図示せず)を形成する。
示す液晶パネルの製造方法を示す模式的な工程断面図で
ある。図4(a)に示すように、液晶パネルを製造する
際には、まず、TFTアレイ基板31の製造時に、ガラ
ス基板1の内面にAl、Ti等からなる導電体膜を形成
するとともにこれを所定形状にパターニングし、各画素
領域50,510,52にそれぞれゲート線3およびゲ
ート電極(図示せず)を形成する。そして、ゲート線3
上およびゲート電極上に第1絶縁層6を形成した後、ゲ
ート電極上に位置する第1絶縁層6の領域上に、a−S
i層とn+形a−Si層とを含んで構成されるTFT1
4(図示せず)を形成する。さらに、露出した第1絶縁
層6およびTFT14の所定領域上にAl、Ti等から
なる導電体膜を形成するとともにこれを所定形状にパタ
ーニングしてソース線13(図示せず)を形成する。
【0086】次に、上記のようにソース線13までが形
成されたTFTアレイ基板31上にSiNx等からなる
第2絶縁層7を形成する。第2絶縁層7はTFT14を
保護する保護膜の役目も果たすものでもある。さらに、
ゲート線3間に位置する第2絶縁層7の領域上にITO
膜を形成して画素電極8を形成し、この画素電極8上お
よび第2絶縁層7上に配向膜10Aを形成する。
成されたTFTアレイ基板31上にSiNx等からなる
第2絶縁層7を形成する。第2絶縁層7はTFT14を
保護する保護膜の役目も果たすものでもある。さらに、
ゲート線3間に位置する第2絶縁層7の領域上にITO
膜を形成して画素電極8を形成し、この画素電極8上お
よび第2絶縁層7上に配向膜10Aを形成する。
【0087】一方、対向基板32の製造時には、ガラス
基板2の内面にカラーフィルタ12を形成するととも
に、このカラーフィルタ12の前記ゲート線3の上に位
置する領域にブラックマトリックス11を形成する。そ
して、カラーフィルタ12上にITO膜を形成して対向
電極9を形成し、さらにその上に配向膜10Bを形成す
る。
基板2の内面にカラーフィルタ12を形成するととも
に、このカラーフィルタ12の前記ゲート線3の上に位
置する領域にブラックマトリックス11を形成する。そ
して、カラーフィルタ12上にITO膜を形成して対向
電極9を形成し、さらにその上に配向膜10Bを形成す
る。
【0088】TFTアレイ基板31および対向基板32
の配向膜10B、10Aの表面はラビングクロスで擦ら
れており、それにより、液晶層17AのTFTアレイ基
板31側および対向基板32側においてそれぞれ所定の
方向に液晶分子4の初期配向方向が決定される。この場
合、液晶分子4がTFTアレイ基板31側と対向基板3
2側とでほぼ平行となるように初期配向を設定する。こ
のように液晶分子4の初期配向方向が決定されたTFT
アレイ基板31と対向基板32とを貼り合わせて周辺部
をシール剤で接着した後、TFTアレイ基板31と対向
基板32との間に液晶分子4を注入して液晶層17Aを
形成し、封止材により液晶分子4の注入口を封止する。
その後、自動欠陥修正装置により、画素電極8と対向電
極9との間に10V以上の電圧を印加して前述の従来例
と同様の方法により液晶層17Aにおける液晶分子4の
配向状態を図22に示すようなベンド配向状態とする。
の配向膜10B、10Aの表面はラビングクロスで擦ら
れており、それにより、液晶層17AのTFTアレイ基
板31側および対向基板32側においてそれぞれ所定の
方向に液晶分子4の初期配向方向が決定される。この場
合、液晶分子4がTFTアレイ基板31側と対向基板3
2側とでほぼ平行となるように初期配向を設定する。こ
のように液晶分子4の初期配向方向が決定されたTFT
アレイ基板31と対向基板32とを貼り合わせて周辺部
をシール剤で接着した後、TFTアレイ基板31と対向
基板32との間に液晶分子4を注入して液晶層17Aを
形成し、封止材により液晶分子4の注入口を封止する。
その後、自動欠陥修正装置により、画素電極8と対向電
極9との間に10V以上の電圧を印加して前述の従来例
と同様の方法により液晶層17Aにおける液晶分子4の
配向状態を図22に示すようなベンド配向状態とする。
【0089】さらに、ガラス基板1,2の外面に位相差
板15B,15Aをそれぞれ形成する。この位相差板1
5A,15Bは、後述するように、画素電極8と対向電
極9との間に黒表示信号電圧が印加されて液晶分子4が
図5に示す配向状態となった際に、液晶層17Aおよび
位相差板15A,15Bにおけるリタデーションの合計
値が0nmとなるようにリタデーションの値が設定され
ている。具体的には、液晶分子4の初期配向と位相差板
15A,15Bの遅相軸とが垂直になるように設定され
ている。以上のようにして、液晶分子4がベンド配向し
た液晶層17AがTFTアレイ基板31と対向基板32
との間に挟持されてなる液晶パネル構造体を得る。
板15B,15Aをそれぞれ形成する。この位相差板1
5A,15Bは、後述するように、画素電極8と対向電
極9との間に黒表示信号電圧が印加されて液晶分子4が
図5に示す配向状態となった際に、液晶層17Aおよび
位相差板15A,15Bにおけるリタデーションの合計
値が0nmとなるようにリタデーションの値が設定され
ている。具体的には、液晶分子4の初期配向と位相差板
15A,15Bの遅相軸とが垂直になるように設定され
ている。以上のようにして、液晶分子4がベンド配向し
た液晶層17AがTFTアレイ基板31と対向基板32
との間に挟持されてなる液晶パネル構造体を得る。
【0090】続いて、自動欠陥修正装置により、上記の
液晶パネル構造体の画像検査を行う。画像検査は、ノー
マリーホワイトモードの液晶パネル構造体において画素
電極8と対向電極9との間に黒表示信号電圧を印加して
黒表示を行い、この黒表示時に輝点となる画素を検出す
るものである。この場合においては、上記の製造工程に
おいて画素50のTFT14に欠陥が生じており、よっ
て、画素50が輝点欠陥画素となり黒表示時に輝点とな
る。
液晶パネル構造体の画像検査を行う。画像検査は、ノー
マリーホワイトモードの液晶パネル構造体において画素
電極8と対向電極9との間に黒表示信号電圧を印加して
黒表示を行い、この黒表示時に輝点となる画素を検出す
るものである。この場合においては、上記の製造工程に
おいて画素50のTFT14に欠陥が生じており、よっ
て、画素50が輝点欠陥画素となり黒表示時に輝点とな
る。
【0091】次に、自動欠陥修正装置を用いて、図4
(b)に示すように、画像検査により検出された輝点欠
陥を有する画素50の領域の位相差板15A,15Bに
レーザ光18を照射する。それにより、図4(c)に示
すように、画素50の領域の位相差板15A,15Bを
切断するとともにこれを剥離させて除去する。その後、
図4(d)に示すように、位相差板15A,15Bの外
面および画素領域50で露出したガラス基板2,1の外
面に偏光板19A,19Bを形成する。この偏光板19
A,19Bは、透過軸が互いに直交するようにするよう
に設定されている。偏光板19A,19Bの形成は真空
中で行うことが好ましい。この場合、位相差板15A,
15Bを除去した画素50の領域に気泡が入るのを防止
することができ、液晶パネル501の信頼性を向上させ
ることができる。
(b)に示すように、画像検査により検出された輝点欠
陥を有する画素50の領域の位相差板15A,15Bに
レーザ光18を照射する。それにより、図4(c)に示
すように、画素50の領域の位相差板15A,15Bを
切断するとともにこれを剥離させて除去する。その後、
図4(d)に示すように、位相差板15A,15Bの外
面および画素領域50で露出したガラス基板2,1の外
面に偏光板19A,19Bを形成する。この偏光板19
A,19Bは、透過軸が互いに直交するようにするよう
に設定されている。偏光板19A,19Bの形成は真空
中で行うことが好ましい。この場合、位相差板15A,
15Bを除去した画素50の領域に気泡が入るのを防止
することができ、液晶パネル501の信頼性を向上させ
ることができる。
【0092】その後、自動欠陥修正装置により、レーザ
光18を用いて画素50の領域に接続部20を形成し、
画素電極8とゲート線3とを電気的に接続する。以上の
ようにして、OCBモードの液晶パネルが製造される。
光18を用いて画素50の領域に接続部20を形成し、
画素電極8とゲート線3とを電気的に接続する。以上の
ようにして、OCBモードの液晶パネルが製造される。
【0093】次に、上記の方法により製造された液晶パ
ネルを備えた液晶表示装置において、ノーマリーホワイ
トモードから黒表示を行う場合の表示動作について説明
する。
ネルを備えた液晶表示装置において、ノーマリーホワイ
トモードから黒表示を行う場合の表示動作について説明
する。
【0094】表示の際には、偏光板19B側に配設され
たバックライトユニット505から液晶パネル501に
光が供給され、この光は偏光板19B、TFTアレイ基
板31、液晶層17A、対向基板32および偏光板19
Aを順に透過して外部に出射する。この場合において、
輝点欠陥を有さない画素51,52では、ゲート線3を
通して走査信号電圧が印加されたTFT14によりソー
ス線13を通して印加された黒表示信号電圧をオン、オ
フ制御し、画素電極8と対向電極9との間に4〜8V程
度の黒表示信号電圧を印加して液晶分子4の配向状態を
図5に示す状態、すなわち、液晶層17A中央付近の液
晶分子4が長軸をガラス基板1,2の主面の法線方向に
向けた状態に変化させる。なお、この配向状態において
は、液晶層17Aのリタデーションは0nmにならな
い。
たバックライトユニット505から液晶パネル501に
光が供給され、この光は偏光板19B、TFTアレイ基
板31、液晶層17A、対向基板32および偏光板19
Aを順に透過して外部に出射する。この場合において、
輝点欠陥を有さない画素51,52では、ゲート線3を
通して走査信号電圧が印加されたTFT14によりソー
ス線13を通して印加された黒表示信号電圧をオン、オ
フ制御し、画素電極8と対向電極9との間に4〜8V程
度の黒表示信号電圧を印加して液晶分子4の配向状態を
図5に示す状態、すなわち、液晶層17A中央付近の液
晶分子4が長軸をガラス基板1,2の主面の法線方向に
向けた状態に変化させる。なお、この配向状態において
は、液晶層17Aのリタデーションは0nmにならな
い。
【0095】ここで、この場合においては、液晶分子4
が図5に示す配向状態を示す液晶層17Aにおけるリタ
デーション値と位相差板15A,15Bにおけるリタデ
ーション値との合計がほぼ0nmとなるように位相差板
15A,15Bのリタデーション値が設定されている。
このため、位相差板15B、液晶層17Aおよび位相差
板15Bを順に透過した光のリタデーションは0nmと
なり、よって、偏光板19Bにより直線偏光となった光
は偏光方向が変化することなく偏光板19B透過時の直
線偏光のままで偏光板19Aに達する。偏光板19A
は、前述のように透過軸が偏光板19Bの透過軸と垂直
になっているため、偏光板19B透過時の直線偏光のま
まで偏光板19Aに達した光は、偏光板19Aにおいて
遮断される。このため、輝点欠陥を有していない画素5
1,52においては黒表示が実現される。一方、輝点欠
陥画素である画素50では、TFT14に欠陥が生じて
いるため、走査信号電圧がTFT14に印加されず、よ
って、黒表示信号電圧を画素電極8と対向電極9との間
に印加することができない。ところで、前述のように、
画素50では接続部20により画素電極8とゲート線3
とが直接接続されているため、ゲート線3を通して印加
された走査信号電圧と同じ電圧が画素電極8と対向電極
9との間に印加される。通常、走査信号電圧は15〜3
0V程度であることから、画素50の画素電極8と対向
電極9との間には、通常の黒表示信号電圧よりも高い電
圧が印加される。このように高電圧が印加されると、画
素50の液晶層17Aでは液晶分子4が図19に示すよ
うな配向状態、すなわち、液晶層17A全体において液
晶分子4の長軸がガラス基板1,2の主面の法線方向を
向いた配向状態となる。このような配向状態の液晶層1
7Aではリタデーション値がほぼ0nmとなる。ここ
で、本実施の形態では、画素50の領域の位相差板15
A,15Bが除去されているため、画素50の領域を透
過する光については位相差板15A,15Bのリタデー
ション値を考慮する必要がなく、液晶層17Aのリタデ
ーション値のみを考慮すればよい。したがって、この場
合、前述のように液晶層17Aのリタデーション値がほ
ぼ0nmであるため、位相差板15B、液晶層17Aお
よび位相差板15Aを透過した光のリタデーションはほ
ぼ0nmとなる。このように位相差板15A,15Bお
よび液晶層17Aを透過した光はリタデーションがほぼ
0nmとなることから、この光は偏光板19Bを透過し
て直線偏光となったままの状態で偏光板19Aに達す
る。したがって、この光は偏光板19Aで遮断され、そ
れにより、輝点欠陥を有する画素50は黒点となって表
示される。
が図5に示す配向状態を示す液晶層17Aにおけるリタ
デーション値と位相差板15A,15Bにおけるリタデ
ーション値との合計がほぼ0nmとなるように位相差板
15A,15Bのリタデーション値が設定されている。
このため、位相差板15B、液晶層17Aおよび位相差
板15Bを順に透過した光のリタデーションは0nmと
なり、よって、偏光板19Bにより直線偏光となった光
は偏光方向が変化することなく偏光板19B透過時の直
線偏光のままで偏光板19Aに達する。偏光板19A
は、前述のように透過軸が偏光板19Bの透過軸と垂直
になっているため、偏光板19B透過時の直線偏光のま
まで偏光板19Aに達した光は、偏光板19Aにおいて
遮断される。このため、輝点欠陥を有していない画素5
1,52においては黒表示が実現される。一方、輝点欠
陥画素である画素50では、TFT14に欠陥が生じて
いるため、走査信号電圧がTFT14に印加されず、よ
って、黒表示信号電圧を画素電極8と対向電極9との間
に印加することができない。ところで、前述のように、
画素50では接続部20により画素電極8とゲート線3
とが直接接続されているため、ゲート線3を通して印加
された走査信号電圧と同じ電圧が画素電極8と対向電極
9との間に印加される。通常、走査信号電圧は15〜3
0V程度であることから、画素50の画素電極8と対向
電極9との間には、通常の黒表示信号電圧よりも高い電
圧が印加される。このように高電圧が印加されると、画
素50の液晶層17Aでは液晶分子4が図19に示すよ
うな配向状態、すなわち、液晶層17A全体において液
晶分子4の長軸がガラス基板1,2の主面の法線方向を
向いた配向状態となる。このような配向状態の液晶層1
7Aではリタデーション値がほぼ0nmとなる。ここ
で、本実施の形態では、画素50の領域の位相差板15
A,15Bが除去されているため、画素50の領域を透
過する光については位相差板15A,15Bのリタデー
ション値を考慮する必要がなく、液晶層17Aのリタデ
ーション値のみを考慮すればよい。したがって、この場
合、前述のように液晶層17Aのリタデーション値がほ
ぼ0nmであるため、位相差板15B、液晶層17Aお
よび位相差板15Aを透過した光のリタデーションはほ
ぼ0nmとなる。このように位相差板15A,15Bお
よび液晶層17Aを透過した光はリタデーションがほぼ
0nmとなることから、この光は偏光板19Bを透過し
て直線偏光となったままの状態で偏光板19Aに達す
る。したがって、この光は偏光板19Aで遮断され、そ
れにより、輝点欠陥を有する画素50は黒点となって表
示される。
【0096】このように、本実施の形態の欠陥修正方法
によれば、輝点欠陥を有する画素50を黒点として表示
することができるため、表示において画素50の部分が
目立つのを抑制して表示特性の向上を図ることができ、
液晶表示装置の実質的な歩留りの向上を図ることが可能
となる。
によれば、輝点欠陥を有する画素50を黒点として表示
することができるため、表示において画素50の部分が
目立つのを抑制して表示特性の向上を図ることができ、
液晶表示装置の実質的な歩留りの向上を図ることが可能
となる。
【0097】ここで、比較のため、前述の従来行われて
いるTNモードの液晶表示装置における欠陥修正方法を
OCBモードの液晶表示装置に適用した場合、すなわ
ち、画素50の領域の位相差板15A,15Bを除去せ
ずに画素電極8と対向電極9との間に高電圧を印加した
場合について考える。
いるTNモードの液晶表示装置における欠陥修正方法を
OCBモードの液晶表示装置に適用した場合、すなわ
ち、画素50の領域の位相差板15A,15Bを除去せ
ずに画素電極8と対向電極9との間に高電圧を印加した
場合について考える。
【0098】前述のように、位相差板15A,15Bの
リタデーション値は、液晶分子4が図5に示す配向状態
を示し液晶層17Aのリタデーション値が0nmではな
く所定の値となる際における位相差板15A,15Bお
よび液晶層17Aのリタデーションの合計値がほぼ0n
mとなるように設定されているため、高電圧が印加され
て液晶分子4が図19に示す配向状態となり液晶層17
Aのリタデーションがほぼ0nmとなる場合には、位相
差板15A,15Bおよび液晶層17Aのリタデーショ
ンの合計値がほぼ0nmとならない。よって、この場合
には、偏光板19Bを透過して直線偏光となった光は、
位相差板15B、液晶層17Aおよび位相差板15Aを
透過する際にリタデーションが変化して偏光されるた
め、偏光板19Aによって遮断されずにこれを透過す
る。このように、位相差板15A,15Bを除去せずに
画素電極8と対向電極9との間に高電圧を印加した場合
には、図23に示すように、画素50は黒表示とならず
に中間調の表示となり、それゆえ、この場合には輝点欠
陥を修正できない。
リタデーション値は、液晶分子4が図5に示す配向状態
を示し液晶層17Aのリタデーション値が0nmではな
く所定の値となる際における位相差板15A,15Bお
よび液晶層17Aのリタデーションの合計値がほぼ0n
mとなるように設定されているため、高電圧が印加され
て液晶分子4が図19に示す配向状態となり液晶層17
Aのリタデーションがほぼ0nmとなる場合には、位相
差板15A,15Bおよび液晶層17Aのリタデーショ
ンの合計値がほぼ0nmとならない。よって、この場合
には、偏光板19Bを透過して直線偏光となった光は、
位相差板15B、液晶層17Aおよび位相差板15Aを
透過する際にリタデーションが変化して偏光されるた
め、偏光板19Aによって遮断されずにこれを透過す
る。このように、位相差板15A,15Bを除去せずに
画素電極8と対向電極9との間に高電圧を印加した場合
には、図23に示すように、画素50は黒表示とならず
に中間調の表示となり、それゆえ、この場合には輝点欠
陥を修正できない。
【0099】これに対して、本実施の形態の欠陥修正方
法では、レーザ光18により位相差板15A,15Bを
除去する工程を加えるだけで従来のTNモードの液晶表
示装置における輝点欠陥の修正方法と同様の方法により
OCBモードの液晶表示装置の輝点欠陥を修正すること
ができ、容易に輝点欠陥を修正することができる。
法では、レーザ光18により位相差板15A,15Bを
除去する工程を加えるだけで従来のTNモードの液晶表
示装置における輝点欠陥の修正方法と同様の方法により
OCBモードの液晶表示装置の輝点欠陥を修正すること
ができ、容易に輝点欠陥を修正することができる。
【0100】なお、本実施の形態の変形例として、輝点
欠陥を有する画素50の領域の位相差板15A,15B
をレーザ光18照射以外の方法により除去してもよい。
例えば、加熱した針を画素50の領域の位相差板15
A,15Bに接触させることにより位相差板15A,1
5Bを溶かして除去してもよい。
欠陥を有する画素50の領域の位相差板15A,15B
をレーザ光18照射以外の方法により除去してもよい。
例えば、加熱した針を画素50の領域の位相差板15
A,15Bに接触させることにより位相差板15A,1
5Bを溶かして除去してもよい。
【0101】また、本実施の形態の他の変形例として、
レーザ光18により接続部を形成する際に、同時に画素
50の配向膜10Aおよび/または配向膜10Bにレー
ザ光を照射してもよい。この場合には、配向膜10Aお
よび/または配向膜10Bがレーザ光により変質または
破壊されて黒化するため、黒化した配向膜10A/また
は10Bにより光を遮光することが可能となる。このた
め、より効果的に光を遮光することができ画素50を完
全に黒点化することが可能となる。なお、このように配
向膜を黒化する場合においては、配向膜により画素50
における光の透過を抑制して画素50を黒点化すること
ができるため、画素電極8とゲート電極3とを電気的に
接続して短絡させなくてもよい。このように短絡させる
必要がないため、工程数を削減して製造タクトを向上さ
せることができる。 (実施の形態2)図6(a),(b)は、本発明の実施
の形態2にかかる液晶表示装置の液晶パネルの構成を模
式的に示す断面図である。図6(a),(b)に示すよ
うに、本実施の形態の液晶パネルは、位相差板がTFT
アレイ基板31および対向基板32のいずれか一方に配
設された点を除いて、実施の形態1の液晶パネルと同様
の構成を有する。
レーザ光18により接続部を形成する際に、同時に画素
50の配向膜10Aおよび/または配向膜10Bにレー
ザ光を照射してもよい。この場合には、配向膜10Aお
よび/または配向膜10Bがレーザ光により変質または
破壊されて黒化するため、黒化した配向膜10A/また
は10Bにより光を遮光することが可能となる。このた
め、より効果的に光を遮光することができ画素50を完
全に黒点化することが可能となる。なお、このように配
向膜を黒化する場合においては、配向膜により画素50
における光の透過を抑制して画素50を黒点化すること
ができるため、画素電極8とゲート電極3とを電気的に
接続して短絡させなくてもよい。このように短絡させる
必要がないため、工程数を削減して製造タクトを向上さ
せることができる。 (実施の形態2)図6(a),(b)は、本発明の実施
の形態2にかかる液晶表示装置の液晶パネルの構成を模
式的に示す断面図である。図6(a),(b)に示すよ
うに、本実施の形態の液晶パネルは、位相差板がTFT
アレイ基板31および対向基板32のいずれか一方に配
設された点を除いて、実施の形態1の液晶パネルと同様
の構成を有する。
【0102】図6(a)に示す液晶パネルでは、TFT
アレイ基板31側のみに位相差板15Bが配設され、か
つ、輝点欠陥を有する画素50の領域の位相差板15B
が除去された構成となっている。また、図6(b)に示
す液晶パネルでは、対向基板32側のみに位相差板15
Aが配設され、かつ、輝点欠陥を有する画素50の領域
の位相差板15Aが除去された構成となっている。この
ような本実施の形態の液晶パネルにおいても、実施の形
態1と同様の効果が得られる。
アレイ基板31側のみに位相差板15Bが配設され、か
つ、輝点欠陥を有する画素50の領域の位相差板15B
が除去された構成となっている。また、図6(b)に示
す液晶パネルでは、対向基板32側のみに位相差板15
Aが配設され、かつ、輝点欠陥を有する画素50の領域
の位相差板15Aが除去された構成となっている。この
ような本実施の形態の液晶パネルにおいても、実施の形
態1と同様の効果が得られる。
【0103】また、本実施の形態の液晶パネルでは、T
FTアレイ基板31および対向基板32のいずれか一方
のみに位相差板を設ければよいため、製造工程を削減す
ることができるとともに、画素50の領域の位相差板を
除去する際に実施の形態1のように液晶パネルを上下反
転させる必要がないので素早く位相差板を除去できる。
このため、液晶パネルの製造タクトを向上させることが
可能となる。
FTアレイ基板31および対向基板32のいずれか一方
のみに位相差板を設ければよいため、製造工程を削減す
ることができるとともに、画素50の領域の位相差板を
除去する際に実施の形態1のように液晶パネルを上下反
転させる必要がないので素早く位相差板を除去できる。
このため、液晶パネルの製造タクトを向上させることが
可能となる。
【0104】また、TFTアレイ基板31側に位相差板
15Bが設けられた図6(a)の液晶パネルでは、位相
差板15Bの除去によりTFTアレイ基板31側の液晶
パネル表面が凹凸形状となるが、液晶表示装置の使用時
に使用者側となる対向基板32側の液晶パネル表面は位
相差板が設けられていないため平坦となる。このため、
このような構成では、液晶表示装置の使用者が液晶パネ
ルに触れた時の手触りがよいので特に好ましい。 (実施の形態3)図7は本発明の実施の形態3にかかる
液晶表示装置の液晶パネルの構成を模式的に示す断面図
である。本実施の形態の液晶パネルは、輝点欠陥を有す
る画素50の領域において、位相差板15Aが除去され
た部分が平坦化層24により平坦化された点を除いて、
図6(b)に示す実施の形態2の液晶パネルと同様の構
造を有する。このような本実施の形態の液晶パネルは、
以下の方法により製造する。
15Bが設けられた図6(a)の液晶パネルでは、位相
差板15Bの除去によりTFTアレイ基板31側の液晶
パネル表面が凹凸形状となるが、液晶表示装置の使用時
に使用者側となる対向基板32側の液晶パネル表面は位
相差板が設けられていないため平坦となる。このため、
このような構成では、液晶表示装置の使用者が液晶パネ
ルに触れた時の手触りがよいので特に好ましい。 (実施の形態3)図7は本発明の実施の形態3にかかる
液晶表示装置の液晶パネルの構成を模式的に示す断面図
である。本実施の形態の液晶パネルは、輝点欠陥を有す
る画素50の領域において、位相差板15Aが除去され
た部分が平坦化層24により平坦化された点を除いて、
図6(b)に示す実施の形態2の液晶パネルと同様の構
造を有する。このような本実施の形態の液晶パネルは、
以下の方法により製造する。
【0105】図8(a),(b)は、本実施の形態にか
かる液晶パネルの製造方法を模式的に示す工程別断面図
である。まず、図8(a)に示すように、実施の形態1
において前述した方法と同様の方法により、TFTアレ
イ基板31と対向基板32との間に液晶層17Aが挟持
され対向基板32の外面に位相差板15Aが配設されて
なる液晶パネル構造体を作製する。そして、自動欠陥修
正装置を用いて、この液晶パネル構造体の画像検査を行
うとともに、輝点欠陥が検出された画素50の領域の位
相差板15Aを例えばレーザ光により除去する。
かる液晶パネルの製造方法を模式的に示す工程別断面図
である。まず、図8(a)に示すように、実施の形態1
において前述した方法と同様の方法により、TFTアレ
イ基板31と対向基板32との間に液晶層17Aが挟持
され対向基板32の外面に位相差板15Aが配設されて
なる液晶パネル構造体を作製する。そして、自動欠陥修
正装置を用いて、この液晶パネル構造体の画像検査を行
うとともに、輝点欠陥が検出された画素50の領域の位
相差板15Aを例えばレーザ光により除去する。
【0106】次に、位相差板15Aを除去した領域に平
坦化層24の材料物質24aをインクジェットノズル2
5から滴下し(インクジェット方式)、この材料物質2
4aを熱硬化させる。それにより、図8(b)に示すよ
うに、位相差板15Aを除去した領域に平坦化層24を
形成する。この方法によれば、位相差板15Aが除去さ
れた領域に精度良く材料物質24aを滴下することがで
きるため、画素50の領域に容易にかつ精度良く平坦化
層24を形成することができる。このようにして平坦化
層24を形成することにより位相差板15Aおよび平坦
化層24の連続表面を平坦化した後、位相差板15Aお
よび平坦化層24の外面に偏光板19A(図7)を設け
るとともにガラス基板1の外面に偏光板19B(図7)
を設ける。
坦化層24の材料物質24aをインクジェットノズル2
5から滴下し(インクジェット方式)、この材料物質2
4aを熱硬化させる。それにより、図8(b)に示すよ
うに、位相差板15Aを除去した領域に平坦化層24を
形成する。この方法によれば、位相差板15Aが除去さ
れた領域に精度良く材料物質24aを滴下することがで
きるため、画素50の領域に容易にかつ精度良く平坦化
層24を形成することができる。このようにして平坦化
層24を形成することにより位相差板15Aおよび平坦
化層24の連続表面を平坦化した後、位相差板15Aお
よび平坦化層24の外面に偏光板19A(図7)を設け
るとともにガラス基板1の外面に偏光板19B(図7)
を設ける。
【0107】以上のような方法により製造された本実施
の形態の液晶パネルでは、実施の形態2の液晶パネルと
同様の効果が得られる。また、この場合においては、位
相差板15Aを除去した領域が平坦化層24により平坦
化されているため、位相差板15Aが形成されている側
の液晶パネル表面に観察者が触れても手触りがよい。
の形態の液晶パネルでは、実施の形態2の液晶パネルと
同様の効果が得られる。また、この場合においては、位
相差板15Aを除去した領域が平坦化層24により平坦
化されているため、位相差板15Aが形成されている側
の液晶パネル表面に観察者が触れても手触りがよい。
【0108】平坦化層24は非透明であることが好まし
く、黒色であればより好ましい。平坦化層24が非透明
である場合には、液晶層17Aを透過した光を平坦化層
24において遮断することができるため、画素50の領
域において光が透過するのをより効果的に抑制すること
が可能となる。特に、平坦化層24が黒色である場合に
は、液晶層17Aを透過した光を平坦化層24において
完全に遮断することができる。このため、画素50を完
全に黒点化することができる。なお、この場合には、平
坦化層24により画素50における光の透過を抑制して
画素50を黒点化することができるため、画素電極8と
ゲート電極3とを電気的に接続して短絡させなくても
い。このように短絡させる必要がないため、工程数を削
減でき製造タクトを向上させることができる。 (実施の形態4)図9は、本発明の実施の形態4にかか
る液晶表示装置の液晶パネルの構成を模式的に示す断面
図である。本実施の形態の液晶パネルは、以下の点を除
いて、実施の形態1の液晶パネルと同様の構造を有す
る。
く、黒色であればより好ましい。平坦化層24が非透明
である場合には、液晶層17Aを透過した光を平坦化層
24において遮断することができるため、画素50の領
域において光が透過するのをより効果的に抑制すること
が可能となる。特に、平坦化層24が黒色である場合に
は、液晶層17Aを透過した光を平坦化層24において
完全に遮断することができる。このため、画素50を完
全に黒点化することができる。なお、この場合には、平
坦化層24により画素50における光の透過を抑制して
画素50を黒点化することができるため、画素電極8と
ゲート電極3とを電気的に接続して短絡させなくても
い。このように短絡させる必要がないため、工程数を削
減でき製造タクトを向上させることができる。 (実施の形態4)図9は、本発明の実施の形態4にかか
る液晶表示装置の液晶パネルの構成を模式的に示す断面
図である。本実施の形態の液晶パネルは、以下の点を除
いて、実施の形態1の液晶パネルと同様の構造を有す
る。
【0109】実施の形態1の液晶パネルでは輝点欠陥を
有する画素50の領域の位相差板15A,15Bを除去
しているが、本実施の形態の液晶パネルは、画素50の
領域の位相差板15A,15Bを除去するのではなく変
質させている。このように変質された位相差板15A,
15Bの領域15cでは、屈折率が等方性となる。この
ため、変質された位相差板15A,15Bの領域15c
ではリタデーションがほぼ0nmとなり、よって、画素
50の領域では、画素電極8と対向電極9との間に高電
圧が印加された場合における位相差板15A,15Bお
よび液晶層17Aのリタデーションの合計値はほぼ0n
mとなる。その結果、実施の形態1の場合と同様の効果
が得られる。
有する画素50の領域の位相差板15A,15Bを除去
しているが、本実施の形態の液晶パネルは、画素50の
領域の位相差板15A,15Bを除去するのではなく変
質させている。このように変質された位相差板15A,
15Bの領域15cでは、屈折率が等方性となる。この
ため、変質された位相差板15A,15Bの領域15c
ではリタデーションがほぼ0nmとなり、よって、画素
50の領域では、画素電極8と対向電極9との間に高電
圧が印加された場合における位相差板15A,15Bお
よび液晶層17Aのリタデーションの合計値はほぼ0n
mとなる。その結果、実施の形態1の場合と同様の効果
が得られる。
【0110】図10(a)〜(d)は、本実施の形態の
液晶パネルの製造方法を示す模式的な工程別断面図であ
る。まず、図10(a)に示すように、実施の形態1と
同様の方法により、TFTアレイ基板31と対向基板3
2との間に液晶層17Aが挟持され各基板31,32の
外面に位相差板15B,15Aが配設された構造を有す
る液晶パネル構造体を作製し、自動欠陥修正装置により
この液晶パネル構造体の画像検査を行う。次に、図10
(b)に示すように、自動欠陥修正装置により、画像検
査において検出された輝点欠陥を有する画素50の領域
の位相差板15A,15Bにレーザ光18を照射し、こ
の領域の位相差板15A,15Bを変質させて図10
(c)に示すように屈折率が等方性である領域15cを
形成する。最後に、図10(d)に示すように、位相差
板15A,15Bの外面に偏光板19A,19Bを設け
る。以上のようにして、本実施の形態の液晶パネルが製
造される。
液晶パネルの製造方法を示す模式的な工程別断面図であ
る。まず、図10(a)に示すように、実施の形態1と
同様の方法により、TFTアレイ基板31と対向基板3
2との間に液晶層17Aが挟持され各基板31,32の
外面に位相差板15B,15Aが配設された構造を有す
る液晶パネル構造体を作製し、自動欠陥修正装置により
この液晶パネル構造体の画像検査を行う。次に、図10
(b)に示すように、自動欠陥修正装置により、画像検
査において検出された輝点欠陥を有する画素50の領域
の位相差板15A,15Bにレーザ光18を照射し、こ
の領域の位相差板15A,15Bを変質させて図10
(c)に示すように屈折率が等方性である領域15cを
形成する。最後に、図10(d)に示すように、位相差
板15A,15Bの外面に偏光板19A,19Bを設け
る。以上のようにして、本実施の形態の液晶パネルが製
造される。
【0111】なお、上記においては輝点欠陥を有する画
素50の領域の位相差板15A,15Bをレーザ光18
により変質させてリタデーションがほぼ0nmである領
域15cを形成しているが、領域15cのリタデーショ
ンを必ずしもほぼ0nmとする必要はなく、領域15c
のリタデーションを輝点欠陥を有していない画素51,
52の領域の位相差板15A,15Bのリタデーション
の絶対値よりも絶対値が小さくなるようにリタデーショ
ンを設定すれば上記と同様の効果が得られる。また、レ
ーザ光照射以外の方法、例えば熱により画素50の領域
の位相差板15A,15Bを変質させてもよい。 (実施の形態5)本発明の実施の形態5にかかる液晶表
示装置は、実施の形態1〜4の液晶表示装置において、
位相差板が外面に形成されたガラス基板を最適な厚さと
したものである。以下においては、本実施の形態にかか
る液晶表示装置の一例として、図6(b)に示す実施の
形態2の液晶パネルと同様の構造を有し、かつ、位相差
板が外面に配設されたガラス基板の厚さが最適化された
液晶パネルを備えた液晶表示装置について説明する。
素50の領域の位相差板15A,15Bをレーザ光18
により変質させてリタデーションがほぼ0nmである領
域15cを形成しているが、領域15cのリタデーショ
ンを必ずしもほぼ0nmとする必要はなく、領域15c
のリタデーションを輝点欠陥を有していない画素51,
52の領域の位相差板15A,15Bのリタデーション
の絶対値よりも絶対値が小さくなるようにリタデーショ
ンを設定すれば上記と同様の効果が得られる。また、レ
ーザ光照射以外の方法、例えば熱により画素50の領域
の位相差板15A,15Bを変質させてもよい。 (実施の形態5)本発明の実施の形態5にかかる液晶表
示装置は、実施の形態1〜4の液晶表示装置において、
位相差板が外面に形成されたガラス基板を最適な厚さと
したものである。以下においては、本実施の形態にかか
る液晶表示装置の一例として、図6(b)に示す実施の
形態2の液晶パネルと同様の構造を有し、かつ、位相差
板が外面に配設されたガラス基板の厚さが最適化された
液晶パネルを備えた液晶表示装置について説明する。
【0112】図11は、本実施の形態における液晶表示
装置の液晶パネルの構造を模式的に示す断面図である。
図11に示すように、本実施の形態の液晶パネルは、位
相差板15Aが設けられた側のガラス基板2の厚さt1
が0mmより大きく(0を含まない)0.4mm以下に
設定された点を除いて、図6(b)に示す実施の形態2
の液晶パネルと同様の構造を有する。例えば、この場合
においては、ガラス基板2の厚さt1は0.4mmであ
り、位相差板が外面に設けられていないガラス基板1の
厚さは0.7mmであり、液晶層17Aの厚さは5.0
μmである。このような液晶パネルを備えた本実施の形
態の液晶表示装置においては、実施の形態1の液晶表示
装置において前述した効果と同様の効果が得られるとと
もに、さらに、液晶パネルを斜め方向、例えばガラス基
板1,2の主面の法線方向から70°傾いた方向から観
察した場合においても、輝点欠陥を修正した部分からの
光の漏れを低減することができるため輝点は観察されな
い。
装置の液晶パネルの構造を模式的に示す断面図である。
図11に示すように、本実施の形態の液晶パネルは、位
相差板15Aが設けられた側のガラス基板2の厚さt1
が0mmより大きく(0を含まない)0.4mm以下に
設定された点を除いて、図6(b)に示す実施の形態2
の液晶パネルと同様の構造を有する。例えば、この場合
においては、ガラス基板2の厚さt1は0.4mmであ
り、位相差板が外面に設けられていないガラス基板1の
厚さは0.7mmであり、液晶層17Aの厚さは5.0
μmである。このような液晶パネルを備えた本実施の形
態の液晶表示装置においては、実施の形態1の液晶表示
装置において前述した効果と同様の効果が得られるとと
もに、さらに、液晶パネルを斜め方向、例えばガラス基
板1,2の主面の法線方向から70°傾いた方向から観
察した場合においても、輝点欠陥を修正した部分からの
光の漏れを低減することができるため輝点は観察されな
い。
【0113】ここで、ガラス基板2の厚さt1と輝点の
修正率との関係を検討した結果を図12に示す。なお、
この場合の輝点とは、ガラス基板1,2の主面の法線方
向から70°傾いた方向から液晶パネルを見た場合に観
察される輝点である。一般に、輝点欠陥を修正した部分
により遮光することができる範囲の立体角は、ガラス基
板2の厚さt1の2乗に反比例する。このため、図12
に示すように、ガラス基板2の厚さt1が薄いほど輝点
の修正率が高く、0.4mm以下の範囲において修正率
は100%となる。一方、ガラス基板2の厚さt1を
0.4mmよりも厚くした場合には、輝点欠陥を修正し
た部分から光が漏れるために画素50が黒点化されずに
輝点となって観察される。
修正率との関係を検討した結果を図12に示す。なお、
この場合の輝点とは、ガラス基板1,2の主面の法線方
向から70°傾いた方向から液晶パネルを見た場合に観
察される輝点である。一般に、輝点欠陥を修正した部分
により遮光することができる範囲の立体角は、ガラス基
板2の厚さt1の2乗に反比例する。このため、図12
に示すように、ガラス基板2の厚さt1が薄いほど輝点
の修正率が高く、0.4mm以下の範囲において修正率
は100%となる。一方、ガラス基板2の厚さt1を
0.4mmよりも厚くした場合には、輝点欠陥を修正し
た部分から光が漏れるために画素50が黒点化されずに
輝点となって観察される。
【0114】以上のことから、ガラス基板2の厚さt1
を0mmより大きくかつ0.4mm以下とすることによ
り、液晶パネルを斜めから観察した場合においても輝点
が観察されず、よって、高品位の画像を得ることが可能
となる。
を0mmより大きくかつ0.4mm以下とすることによ
り、液晶パネルを斜めから観察した場合においても輝点
が観察されず、よって、高品位の画像を得ることが可能
となる。
【0115】さらに、本実施の形態の変形例として、バ
ックライトユニット505(図示せず)と液晶パネルと
の間に集光板を配設してもよい。
ックライトユニット505(図示せず)と液晶パネルと
の間に集光板を配設してもよい。
【0116】図13は、本実施の形態の変形例における
液晶表示装置の液晶パネルの構造を模式的に示す断面図
である。図13に示すように、本例では、液晶パネルと
バックライトユニット505との間に集光板21が配設
される。集光板21としては、例えばプリズムシート等
が用いられる。このような構成においては、バックライ
トユニット505から供給された光を液晶パネルの正面
方向に集光させて液晶パネルに入射させることが可能と
なるため、液晶表示装置を斜めから見た場合においても
輝点欠陥を修正した部分からの光の漏れを低減すること
が可能となり輝点が観察されなくなる。例えば、ガラス
基板1,2の主面の法線方向から80°傾いた方向から
液晶表示装置を観察した場合においても、輝点欠陥を有
する画素50は黒点化されており輝点は観察されない。 (実施の形態6)図14および図15は、本発明の実施
の形態6にかかる液晶表示装置を構成する液晶パネルの
構造を模式的に示す図であり、図14は透視的な平面図
であり、図15は図14のXV−XV’線における断面図で
ある。図14および図15に示すように、本実施の形態
の液晶パネルは、以下の点を除いて、図2および図3に
示す実施の形態1の液晶パネルと同様の構造を有する。
液晶表示装置の液晶パネルの構造を模式的に示す断面図
である。図13に示すように、本例では、液晶パネルと
バックライトユニット505との間に集光板21が配設
される。集光板21としては、例えばプリズムシート等
が用いられる。このような構成においては、バックライ
トユニット505から供給された光を液晶パネルの正面
方向に集光させて液晶パネルに入射させることが可能と
なるため、液晶表示装置を斜めから見た場合においても
輝点欠陥を修正した部分からの光の漏れを低減すること
が可能となり輝点が観察されなくなる。例えば、ガラス
基板1,2の主面の法線方向から80°傾いた方向から
液晶表示装置を観察した場合においても、輝点欠陥を有
する画素50は黒点化されており輝点は観察されない。 (実施の形態6)図14および図15は、本発明の実施
の形態6にかかる液晶表示装置を構成する液晶パネルの
構造を模式的に示す図であり、図14は透視的な平面図
であり、図15は図14のXV−XV’線における断面図で
ある。図14および図15に示すように、本実施の形態
の液晶パネルは、以下の点を除いて、図2および図3に
示す実施の形態1の液晶パネルと同様の構造を有する。
【0117】本実施の形態の液晶パネルでは、画素電極
8とゲート線3とを電気的に接続させるための接続部が
形成されておらず、また、輝点欠陥を有する画素50の
領域において、対向基板32のガラス基板2が所定深さ
まで除去されて画素50とほぼ同じ大きさの凹部が形成
されている。凹部の底面には遮光層27が形成され、こ
の遮光層27上には、凹部を埋めて表面を平坦化するよ
うに平坦化層28が形成されている。この平坦化層28
は、遮光層27と異なる光の透過率を有する。
8とゲート線3とを電気的に接続させるための接続部が
形成されておらず、また、輝点欠陥を有する画素50の
領域において、対向基板32のガラス基板2が所定深さ
まで除去されて画素50とほぼ同じ大きさの凹部が形成
されている。凹部の底面には遮光層27が形成され、こ
の遮光層27上には、凹部を埋めて表面を平坦化するよ
うに平坦化層28が形成されている。この平坦化層28
は、遮光層27と異なる光の透過率を有する。
【0118】このような液晶パネルの製造時には、ま
ず、図16(a)に示すように、実施の形態1と同様の
方法により、TFTアレイ基板31と対向基板32との
間に液晶層17Aが挟持された構成を有する液晶パネル
構造体を作製し、自動欠陥修正装置により、この液晶パ
ネル構造体の画像検査を行う。その後、図16(b)に
示すように、自動欠陥修正装置により、画像検査におい
て輝点が観察された画素50の領域のガラス基板2の表
面に例えばエキシマレーザ光を照射し、この領域のガラ
ス基板2を除去して凹部を形成する。そして、自動欠陥
修正装置により、遮光層構成材料をインクジェット法を
用いてこの凹部内に滴下し、これを熱硬化させて遮光層
27を形成する。さらに、自動欠陥修正装置により、平
坦化層構成材料をインクジェット法を用いて凹部が平坦
化するまで凹部内の遮光層27上に滴下し、これを熱硬
化させて平坦化層28を形成する。その後、ガラス基板
2上および平坦化層28上に位相差板15Aと偏光板1
9Aとをこの順で配設するとともに、ガラス基板1上に
位相差板15Bと偏光板19Bとをこの順で配設する。
ず、図16(a)に示すように、実施の形態1と同様の
方法により、TFTアレイ基板31と対向基板32との
間に液晶層17Aが挟持された構成を有する液晶パネル
構造体を作製し、自動欠陥修正装置により、この液晶パ
ネル構造体の画像検査を行う。その後、図16(b)に
示すように、自動欠陥修正装置により、画像検査におい
て輝点が観察された画素50の領域のガラス基板2の表
面に例えばエキシマレーザ光を照射し、この領域のガラ
ス基板2を除去して凹部を形成する。そして、自動欠陥
修正装置により、遮光層構成材料をインクジェット法を
用いてこの凹部内に滴下し、これを熱硬化させて遮光層
27を形成する。さらに、自動欠陥修正装置により、平
坦化層構成材料をインクジェット法を用いて凹部が平坦
化するまで凹部内の遮光層27上に滴下し、これを熱硬
化させて平坦化層28を形成する。その後、ガラス基板
2上および平坦化層28上に位相差板15Aと偏光板1
9Aとをこの順で配設するとともに、ガラス基板1上に
位相差板15Bと偏光板19Bとをこの順で配設する。
【0119】次に、本実施の形態の液晶表示装置の表示
動作について説明する。ここでは、ノーマリーホワイト
モードから電圧を印加して黒表示を行う場合について説
明する。この場合、輝点欠陥を有さない画素51,52
における表示動作は、実施の形態1の画素51,52に
おける表示動作と同様である。一方、TFT14が欠陥
を有するために輝点欠陥画素となった画素50は、以下
の表示動作を示す。
動作について説明する。ここでは、ノーマリーホワイト
モードから電圧を印加して黒表示を行う場合について説
明する。この場合、輝点欠陥を有さない画素51,52
における表示動作は、実施の形態1の画素51,52に
おける表示動作と同様である。一方、TFT14が欠陥
を有するために輝点欠陥画素となった画素50は、以下
の表示動作を示す。
【0120】画素50では、TFT14が欠陥を有する
ため、正常な画素51,52のようにTFT14により
黒表示信号電圧を画素電極8と対向電極9との間に印加
することができない。このため、画素51,52のよう
に液晶層17A中の液晶分子4の配向状態を変化させて
液晶層17Aのリタデーションを変化させることができ
ず、それゆえ、画素51,52において液晶層17Aお
よび位相差板15A,15Bのリタデーションの合計値
がほぼ0となる際にも、画素50ではリタデーションの
合計値がほぼ0にならない。このことから、画素50に
おいては、画素51,52におけるように、液晶層17
Aおよび位相差板15A,15Bにおけるリタデーショ
ンの合計値をほぼ0とすることにより偏光板19Aで光
を遮断することはできない。
ため、正常な画素51,52のようにTFT14により
黒表示信号電圧を画素電極8と対向電極9との間に印加
することができない。このため、画素51,52のよう
に液晶層17A中の液晶分子4の配向状態を変化させて
液晶層17Aのリタデーションを変化させることができ
ず、それゆえ、画素51,52において液晶層17Aお
よび位相差板15A,15Bのリタデーションの合計値
がほぼ0となる際にも、画素50ではリタデーションの
合計値がほぼ0にならない。このことから、画素50に
おいては、画素51,52におけるように、液晶層17
Aおよび位相差板15A,15Bにおけるリタデーショ
ンの合計値をほぼ0とすることにより偏光板19Aで光
を遮断することはできない。
【0121】ここで、本実施の形態の液晶パネルでは、
前述のように、画素50の領域のガラス基板2に凹部が
形成されるとともにこの凹部内に遮光層27が形成され
ているため、画素50の領域では、液晶層17Aを透過
してガラス基板2に達した光が遮光層27により遮断さ
れる。したがって、画素50は表示画面において輝点と
はならずに黒点となる。それゆえ、本実施の形態におい
ても、実施の形態1と同様の効果が得られる。
前述のように、画素50の領域のガラス基板2に凹部が
形成されるとともにこの凹部内に遮光層27が形成され
ているため、画素50の領域では、液晶層17Aを透過
してガラス基板2に達した光が遮光層27により遮断さ
れる。したがって、画素50は表示画面において輝点と
はならずに黒点となる。それゆえ、本実施の形態におい
ても、実施の形態1と同様の効果が得られる。
【0122】また、この場合においては、画素電極8と
対向電極9とを電気的に接続させるための接続部を形成
する必要がないため、容易に輝点欠陥の修正を行うこと
が可能となり装置の製造タクトの向上を図ることが可能
となる。
対向電極9とを電気的に接続させるための接続部を形成
する必要がないため、容易に輝点欠陥の修正を行うこと
が可能となり装置の製造タクトの向上を図ることが可能
となる。
【0123】なお、特に、本実施の形態において、遮光
層27の厚さは平坦化層28の厚さよりも薄くすること
が好ましい。それにより、液晶パネルをガラス基板1,
2の主面の法線方向から傾いた方向、例えば法線方向か
ら80°傾いた方向から斜めに観察した場合にも画素5
0を黒点化することができ輝点が観察されることはな
く、さらに、画素50に隣接する正常な画素51,52
まで黒点として見えるのを防止することができる。
層27の厚さは平坦化層28の厚さよりも薄くすること
が好ましい。それにより、液晶パネルをガラス基板1,
2の主面の法線方向から傾いた方向、例えば法線方向か
ら80°傾いた方向から斜めに観察した場合にも画素5
0を黒点化することができ輝点が観察されることはな
く、さらに、画素50に隣接する正常な画素51,52
まで黒点として見えるのを防止することができる。
【0124】なお、上記の実施の形態1〜6において
は、OCBモードの液晶表示装置について説明したが、
本発明はTNモードの液晶表示装置においても適用可能
である。また、上記の実施の形態1〜6にかかる液晶表
示装置は、観察者が液晶パネルを直接観察するものであ
ってもよく、あるいは、表示をスクリーン等に投射する
投射型のものであってもよい。さらに、上記の実施の形
態1〜6においては透過型液晶表示装置について説明し
たが、本発明を反射型および半透過型液晶表示装置に適
用してもよい。
は、OCBモードの液晶表示装置について説明したが、
本発明はTNモードの液晶表示装置においても適用可能
である。また、上記の実施の形態1〜6にかかる液晶表
示装置は、観察者が液晶パネルを直接観察するものであ
ってもよく、あるいは、表示をスクリーン等に投射する
投射型のものであってもよい。さらに、上記の実施の形
態1〜6においては透過型液晶表示装置について説明し
たが、本発明を反射型および半透過型液晶表示装置に適
用してもよい。
【0125】
【発明の効果】本発明は、以上に説明したような形態で
実施され、高品位で歩留りの高い液晶表示装置を提供で
きるという効果を奏する。したがって、本発明は工業的
価値が大きい。
実施され、高品位で歩留りの高い液晶表示装置を提供で
きるという効果を奏する。したがって、本発明は工業的
価値が大きい。
【図1】本発明の実施の形態1にかかる液晶表示装置の
構成を示す模式的なブロック図である。
構成を示す模式的なブロック図である。
【図2】図1の液晶表示装置を構成する液晶パネルの構
造を模式的に示す透視的平面図である。
造を模式的に示す透視的平面図である。
【図3】図2の液晶パネルの切断線における模式的な断
面図である。
面図である。
【図4】図2の液晶パネルの製造方法を模式的に示す工
程別断面図である。
程別断面図である。
【図5】黒表示における液晶分子の配向状態を模式的に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図6】本発明の実施の形態2にかかる液晶表示装置を
構成する液晶パネルの構造を模式的に示す断面図であ
る。
構成する液晶パネルの構造を模式的に示す断面図であ
る。
【図7】本発明の実施の形態3にかかる液晶表示装置を
構成する液晶パネルの構造を模式的に示す断面図であ
る。
構成する液晶パネルの構造を模式的に示す断面図であ
る。
【図8】図7の液晶パネルの製造方法を模式的に示す工
程別断面図である。
程別断面図である。
【図9】本発明の実施の形態4にかかる液晶表示装置を
構成する液晶パネルの構造を模式的に示す断面図であ
る。
構成する液晶パネルの構造を模式的に示す断面図であ
る。
【図10】図9の液晶パネルの製造方法を模式的に示す
工程別断面図である。
工程別断面図である。
【図11】本発明の実施の形態5にかかる液晶表示装置
を構成する液晶パネルの構造を模式的に示す断面図であ
る。
を構成する液晶パネルの構造を模式的に示す断面図であ
る。
【図12】位相差板が配設された側のガラス基板の厚さ
と輝点の修正率との関係を示す図である。
と輝点の修正率との関係を示す図である。
【図13】実施の形態5の変形例における液晶表示装置
を構成する液晶パネルの構造を模式的に示す断面図であ
る。
を構成する液晶パネルの構造を模式的に示す断面図であ
る。
【図14】本発明の実施の形態6にかかる液晶表示装置
を構成する液晶パネルの構造を模式的に示す透視的な平
面図である。
を構成する液晶パネルの構造を模式的に示す透視的な平
面図である。
【図15】図14の液晶パネルの切断線における模式的
な断面図である。
な断面図である。
【図16】図14の液晶パネルの製造方法を模式的に示
す工程別断面図である。
す工程別断面図である。
【図17】従来のTNモードの液晶表示装置を構成する
液晶パネルの構造を模式的に示す透視的平面図である。
液晶パネルの構造を模式的に示す透視的平面図である。
【図18】図17の液晶パネルの切断線における断面図
である。
である。
【図19】図17の液晶パネルにおける輝点欠陥の修正
方法を説明するための透視的平面図である。
方法を説明するための透視的平面図である。
【図20】図19の液晶パネルの切断線における断面図
である。
である。
【図21】図17の液晶パネルにおける透過率と印加電
圧との関係を示す図である。
圧との関係を示す図である。
【図22】従来のOCBモードの液晶表示装置を構成す
る液晶パネルの構造を模式的に示す断面図である。
る液晶パネルの構造を模式的に示す断面図である。
【図23】OCBモードの液晶表示装置において黒表示
を行った場合における液晶パネルの状態を模式的に示す
断面図である。
を行った場合における液晶パネルの状態を模式的に示す
断面図である。
【符号の説明】
1 TFTアレイ基板
2 対向基板
3 ゲート線
4 液晶分子
6 第1絶縁層
7 第2絶縁層
8 画素電極
9 対向電極
10A,10B 配向膜
11 ブラックマトリックス
12 カラーフィルタ
13 ソース線
14 TFT
15A,15B 位相差板
15C 変質後の位相差板
17A,17B 液晶層
18 レーザ光
19A,19B 偏光板
20 接続部
21 集光板
22 バックライトユニット
24,28 平坦化層
25 インクジェットノズル
27 遮光層
50 輝点欠陥画素
51,52 正常な画素
505 バックライトユニット
フロントページの続き
(72)発明者 中尾 健次
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Fターム(参考) 2H088 FA13 FA14 GA02 HA16 HA28
JA04 KA07 MA20
2H091 FA11X FA11Z FA41Z HA06
KA02 LA30
Claims (33)
- 【請求項1】 一対の基板の間に液晶層が挟持され、前
記一対の基板の外面の少なくとも一方に位相差板が配設
されてなる液晶パネルと、前記液晶パネルの背面から前
記液晶層に表示用の光を照射する照明構造とを備え、前
記液晶層を変調させて前記液晶層および前記位相差板に
おけるリタデーションを用いて前記表示用の光の前記液
晶パネルにおける透過率を制御することによって表示を
行う液晶表示装置において、 前記液晶パネルは複数の画素を備え、前記複数の画素は
輝点欠陥を有する輝点欠陥画素を含み、 前記輝点欠陥画素の領域の前記位相差板のリタデーショ
ンの絶対値が、前記輝点欠陥画素以外の画素の領域の前
記位相差板のリタデーションの絶対値よりも小さいこと
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項2】 前記液晶表示装置の黒表示時に前記輝点
欠陥画素以外の画素における前記位相差板および前記液
晶層のリタデーションの合計値がほぼ0となるように前
記位相差板および前記液晶層のリタデーションが設定さ
れ、前記輝点欠陥画素領域における前記位相差板のリタ
デーション値がほぼ0nmである請求項1記載の液晶表
示装置。 - 【請求項3】 前記輝点欠陥画素は半導体スイッチ素子
の欠陥に起因して輝点欠陥が生じ、前記輝点欠陥画素領
域では、前記位相差板が除去されるとともに、画素電極
が前記半導体スイッチ素子を制御するためのゲート線と
電気的に接続された請求項2記載の液晶表示装置。 - 【請求項4】 前記輝点欠陥画素の前記位相差板が除去
された領域に平坦化層が形成された請求項3記載の液晶
表示装置。 - 【請求項5】 前記平坦化層は非透明である請求項4記
載の液晶表示装置。 - 【請求項6】 前記平坦化層は黒色である請求項4記載
の液晶表示装置。 - 【請求項7】 前記輝点欠陥画素は半導体スイッチ素子
の欠陥に起因して輝点欠陥が生じ、前記輝点欠陥画素領
域では、前記位相差板が変質しているとともに、画素電
極が前記半導体スイッチ素子を制御するためのゲート線
と電気的に接続された請求項2記載の液晶表示装置。 - 【請求項8】 前記位相差板が、前記一対の基板の外面
のいずれか一方に配設された請求項1記載の液晶表示装
置。 - 【請求項9】 前記位相差板が、前記液晶パネルの背面
側の前記基板の外面に配設された請求項8記載の液晶表
示装置。 - 【請求項10】 前記液晶パネルと前記照明構造との間
に集光構造が配設された請求項1記載の液晶表示装置。 - 【請求項11】 前記位相差板が配設された前記基板に
含まれる基材の厚さが0mmより大きく0.4mm以下
である請求項1記載の液晶表示装置。 - 【請求項12】 内面に配向膜がそれぞれ配設された一
対の基板の間に液晶層が挟持された液晶パネルと、前記
液晶パネルの背面から前記液晶層に表示用の光を照射す
る照明構造とを備え、前記液晶層を変調させて前記表示
用の光の前記液晶パネルにおける透過率を制御すること
によって表示を行う液晶表示装置において、 前記液晶パネルは複数の画素を備え、前記複数の画素は
輝点欠陥を有する輝点欠陥画素を含み、 前記輝点欠陥画素の領域の前記一対の基板の内面に配設
された配向膜の少なくとも一方が変質または破壊されて
遮光性となった液晶表示装置。 - 【請求項13】 一対の基板の間に液晶層が挟持された
液晶パネルと、前記液晶パネルの背面から前記液晶層に
表示用の光を照射する照明構造とを備え、前記液晶層を
変調させて前記表示用の光の前記液晶パネルにおける透
過率を制御することによって表示を行う液晶表示装置に
おいて、 前記液晶パネルは複数の画素を備え、前記複数の画素は
輝点欠陥を有する輝点欠陥画素を含み、 前記輝点欠陥画素の領域は、前記一対の基板の各々に含
まれる基材の少なくとも一方が外面に凹部を有するとと
もに、前記凹部内に遮光層が配設された液晶表示装置。 - 【請求項14】 前記凹部内において、前記遮光層が前
記凹部の底部に形成され、前記遮光層上に前記遮光層と
異なる光の透過率を有する平坦化層が積層された請求項
13記載の液晶表示装置。 - 【請求項15】 前記遮光層の厚さが前記平坦化層の厚
さよりも小さい請求項14記載の液晶表示装置。 - 【請求項16】 前記液晶パネルの前記液晶層を構成す
る液晶分子がベンド配向した請求項1、12および13
のいずれかに記載の液晶表示装置。 - 【請求項17】 前記液晶パネルが投射型である請求項
1、12および13のいずれかに記載の液晶表示装置。 - 【請求項18】 一対の基板の間に液晶層が挟持され、
前記一対の基板の外面の少なくとも一方に位相差板が配
設されてなる液晶パネルと、前記液晶パネルの背面から
前記液晶層に表示用の光を照射する照明構造とを備え、
前記液晶層を変調させて前記液晶層および前記位相差板
におけるリタデーションを用いて前記表示用の光の前記
液晶パネルにおける透過率を制御することによって表示
を行う液晶表示装置における欠陥の修正方法であって、 前記液晶表示装置の画像を検査して前記液晶パネルの輝
点欠陥画素を検出する画像検査工程と、 前記画像検査工程で検出した前記輝点欠陥画素の領域の
位相差板のリタデーションの絶対値を、前記欠陥画素以
外の画素領域の位相差板のリタデーションの絶対値より
も小さくする位相差板リタデーション調整工程と、 前記輝点欠陥画素の領域において、画素電極とゲート線
とを電気的に短絡させる画素電極短絡工程とを含むこと
を特徴とする液晶表示装置の欠陥修正方法。 - 【請求項19】 前記位相差板リタデーション調整工程
は、前記輝点欠陥画素領域の位相差板を除去する位相差
板除去工程を含む請求項18記載の液晶表示装置の欠陥
修正方法。 - 【請求項20】 前記位相差板除去工程は、前記輝点欠
陥画素領域の位相差板をレーザ光を用いて切断し、前記
切断された位相差板を剥離させる工程を含む請求項19
記載の液晶表示装置の欠陥修正方法。 - 【請求項21】 前記位相差板除去工程は、前記輝点欠
陥画素領域の位相差板を加熱して溶融させて除去する工
程を含む請求項19記載の液晶表示装置の欠陥修正方
法。 - 【請求項22】 前記位相差板リタデーション調整工程
は、前記位相差板除去工程の後、前記輝点欠陥画素領域
の位相差板除去部に平坦化層を形成する位相差板除去部
平坦化工程をさらに含む請求項19記載の液晶表示装置
の欠陥修正方法。 - 【請求項23】 前記位相差板除去部平坦化工程は、前
記輝点欠陥画素領域の位相差板除去部にインクジェット
方式により平坦化層材料を滴下して平坦化層を形成する
工程を含む請求項22記載の液晶表示装置の欠陥修正方
法。 - 【請求項24】 前記位相差板リタデーション調整工程
は、前記輝点欠陥画素領域の位相差板を変質させる位相
差板変質工程を含む請求項18記載の液晶表示装置の欠
陥修正方法。 - 【請求項25】 前記位相差板変質工程は、前記輝点欠
陥画素領域の位相差板をレーザ光により変質させる工程
を含む請求項24記載の液晶表示装置の欠陥修正方法。 - 【請求項26】 前記位相差板変質工程は、前記輝点欠
陥画素領域の位相差板を熱により変質させる工程を含む
請求項24記載の液晶表示装置の欠陥修正方法。 - 【請求項27】 内面に配向膜がそれぞれ配設された一
対の基板の間に液晶層が挟持された液晶パネルと、前記
液晶パネルの背面から前記液晶層に表示用の光を照射す
る照明構造とを備え、前記液晶層を変調させて前記表示
用の光の前記液晶パネルにおける透過率を制御すること
によって表示を行う液晶表示装置における欠陥の修正方
法であって、 前記液晶表示装置の画像を検査して前記液晶パネルの輝
点欠陥画素を検出する画像検査工程と、 前記画像検査工程で検出した前記輝点欠陥画素の領域の
前記一対の基板の内面に配設された配向膜の少なくとも
一方を変質させるかまたは破壊して遮光性とする配向膜
処理工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の欠陥
修正方法。 - 【請求項28】 前記配向膜処理工程は、レーザ光を用
いて行う請求項27記載の液晶表示装置の欠陥修正方
法。 - 【請求項29】 一対の基板の間に液晶層が挟持された
液晶パネルと、前記液晶パネルの背面から前記液晶層に
表示用の光を照射する照明構造とを備え、前記液晶層を
変調させて前記表示用の光の前記液晶パネルにおける透
過率を制御することによって表示を行う液晶表示装置に
おける欠陥の修正方法であって、 前記液晶表示装置の画像を検査して前記液晶パネルの輝
点欠陥画素を検出する画像検査工程と、 前記画像検査工程で検出した前記輝点欠陥画素の領域の
前記一対の基板の各々に含まれる基材の少なくとも一方
において外面に凹部を形成する凹部形成工程と、 前記凹部内に遮光層を形成する遮光層形成工程とを含む
ことを特徴とする液晶表示装置の欠陥修正方法。 - 【請求項30】 前記輝点欠陥画素領域の前記凹部内に
平坦化層を形成する平坦化層形成工程をさらに含む請求
項29記載の液晶表示装置の欠陥修正方法。 - 【請求項31】 一対の基板の間に液晶層が挟持され、
前記一対の基板の外面の少なくとも一方に位相差板が配
設されてなる液晶パネルと、前記液晶パネルの背面から
前記液晶層に表示用の光を照射する照明構造とを備え、
前記液晶層を変調させて前記液晶層および前記位相差板
におけるリタデーションを用いて前記表示用の光の前記
液晶パネルにおける透過率を制御することによって表示
を行う液晶表示装置における欠陥を修正する欠陥修正装
置であって、 前記液晶表示装置の画像を検査して前記液晶パネルの輝
点欠陥画素を検出する画像検査工程と、 前記画像検査工程で検出した前記輝点欠陥画素の領域の
位相差板のリタデーションの絶対値を、前記欠陥画素以
外の画素領域の位相差板のリタデーションの絶対値より
も小さくする位相差板リタデーション調整工程と、 前記輝点欠陥画素の領域において、画素電極とゲート線
とを電気的に短絡させる画素電極短絡工程とを含む欠陥
修正方法を自動的に行うことを特徴とする液晶表示装置
の欠陥修正装置。 - 【請求項32】 内面に配向膜がそれぞれ配設された一
対の基板の間に液晶層が挟持された液晶パネルと、前記
液晶パネルの背面から前記液晶層に表示用の光を照射す
る照明構造とを備え、前記液晶層を変調させて前記表示
用の光の前記液晶パネルにおける透過率を制御すること
によって表示を行う液晶表示装置における欠陥を修正す
る欠陥修正装置であって、 前記液晶表示装置の画像を検査して前記液晶パネルの輝
点欠陥画素を検出する画像検査工程と、 前記画像検査工程で検出した前記輝点欠陥画素の領域の
前記一対の基板の内面に配設された配向膜の少なくとも
一方を変質させるかまたは破壊して遮光性とする配向膜
処理工程とを含む欠陥修正方法を自動的に行うことを特
徴とする液晶表示装置の欠陥修正装置。 - 【請求項33】 一対の基板の間に液晶層が挟持された
液晶パネルと、前記液晶パネルの背面から前記液晶層に
表示用の光を照射する照明構造とを備え、前記液晶層を
変調させて前記表示用の光の前記液晶パネルにおける透
過率を制御することによって表示を行う液晶表示装置に
おける欠陥を修正する欠陥修正装置であって、 前記液晶表示装置の画像を検査して前記液晶パネルの輝
点欠陥画素を検出する画像検査工程と、 前記画像検査工程で検出した前記輝点欠陥画素の領域の
前記一対の基板の各々に含まれる基材の少なくとも一方
において外面に凹部を形成する凹部形成工程と、 前記凹部内に遮光層を形成する遮光層形成工程とを含む
欠陥修正方法を自動的に行うことを特徴とする液晶表示
装置の欠陥修正装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002039670A JP2003241155A (ja) | 2002-02-18 | 2002-02-18 | 液晶表示装置および液晶表示装置の欠陥修正方法ならびに欠陥修正装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002039670A JP2003241155A (ja) | 2002-02-18 | 2002-02-18 | 液晶表示装置および液晶表示装置の欠陥修正方法ならびに欠陥修正装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003241155A true JP2003241155A (ja) | 2003-08-27 |
Family
ID=27780619
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002039670A Pending JP2003241155A (ja) | 2002-02-18 | 2002-02-18 | 液晶表示装置および液晶表示装置の欠陥修正方法ならびに欠陥修正装置 |
Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP2003241155A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005250032A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
WO2006016463A1 (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置、及びその製造方法 |
JP2006113127A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | Sharp Corp | 修正装置 |
JP2006171057A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Nitto Denko Corp | 液晶パネルの輝点欠陥修復方法及びこれを用いた液晶表示装置 |
JP2006171061A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Nitto Denko Corp | 液晶パネル用偏光板の輝点欠陥修復方法及びこれを用いた液晶表示装置 |
US7440074B2 (en) | 2004-09-06 | 2008-10-21 | Seiko Epson Corporation | Method for repair of liquid crystal display device light point defects using detection of corrective laser light in real time |
WO2009004869A1 (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置 |
JP2009086109A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 光学素子の欠陥修正方法、光学素子、および、光学素子を組み込んだ液晶表示装置 |
US7612861B2 (en) | 2005-06-13 | 2009-11-03 | Lg. Display Co., Ltd. | Liquid crystal display panel capable of minimizing a defect rate caused by bright point and repairing method thereof |
-
2002
- 2002-02-18 JP JP2002039670A patent/JP2003241155A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005250032A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
WO2006016463A1 (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置、及びその製造方法 |
US7440074B2 (en) | 2004-09-06 | 2008-10-21 | Seiko Epson Corporation | Method for repair of liquid crystal display device light point defects using detection of corrective laser light in real time |
JP2006113127A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | Sharp Corp | 修正装置 |
JP2006171057A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Nitto Denko Corp | 液晶パネルの輝点欠陥修復方法及びこれを用いた液晶表示装置 |
JP2006171061A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Nitto Denko Corp | 液晶パネル用偏光板の輝点欠陥修復方法及びこれを用いた液晶表示装置 |
US7612861B2 (en) | 2005-06-13 | 2009-11-03 | Lg. Display Co., Ltd. | Liquid crystal display panel capable of minimizing a defect rate caused by bright point and repairing method thereof |
WO2009004869A1 (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置 |
US8654303B2 (en) | 2007-07-03 | 2014-02-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
JP2009086109A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 光学素子の欠陥修正方法、光学素子、および、光学素子を組み込んだ液晶表示装置 |
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