JP2003241155A - 液晶表示装置および液晶表示装置の欠陥修正方法ならびに欠陥修正装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 欠陥を修正することにより画像特性の向上お
よび実質的な歩留りの向上が図られた液晶表示装置およ
びその欠陥修正方法ならびに欠陥修正装置を提供する。 【解決手段】 液晶表示装置を構成する液晶パネルにお
いて、輝点欠陥を有する画素５０の領域の位相差板１５
Ａ，１５Ｂをレーザ光により除去する。それにより、画
素５０の領域における位相差板１５Ａ，１５Ｂのリタデ
ーション値をほぼ０とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置と、
液晶表示装置における欠陥画素の修正方法と、欠陥修正
装置とに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、液晶表示装置の１つとして、ネマ
ティック液晶を用いたツイステッドネマティックモード
（以下、ＴＮモードと呼ぶ）の液晶表示装置が実用化さ
れている。図１７は、ＴＮモードの液晶表示装置を構成
する液晶パネル（液晶表示素子）の構造を模式的に示す
透視的な平面図であり、図１８は、図１７のXVIII-XVII
I'線における断面図である。

【０００３】図１７に示すように、液晶パネルでは、ゲ
ート線（走査信号線）３とソース線（映像信号線）１３
とが互いに直交するように形成され、このゲート線３と
ソース線１３とでマトリクス状に区画された領域が１つ
の画素を構成する。図１８に示すように、液晶パネルを
構成する画素は、所定の間隔で対向するように配置され
たＴＦＴアレイ基板３１と対向基板３２との間に、ＴＮ
モードの液晶分子４から構成される液晶層１７Ｂが充填
され、対向基板３２の外面およびＴＦＴアレイ基板３１
の外面には透過軸が互いに直交するように設定された偏
光板１９Ａおよび偏光板１９Ｂが配置されて構成され
る。なお、液晶表示装置では、液晶パネルの偏光板１９
Ｂ側にバックライトユニット（図示せず）が配設されて
いる。

【０００４】対向基板３２はガラス基板２を有し、この
ガラス基板２の内面には、カラーフィルタ１２、対向電
極９および配向膜１０Ａがこの順に配置されている。な
お、ゲート線３上に位置するカラーフィルタ１２の領域
にはブラックマトリクス１１が形成されている。

【０００５】一方、対向基板３１はガラス基板１を有し
ており、このガラス基板１の内面にゲート線３およびゲ
ート電極（図示せず）が形成されるとともに、これらの
表面が第１絶縁層６で覆われている。ゲート電極上に位
置する第１絶縁層６の領域上には半導体スイッチ素子で
ある薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと呼ぶ）１４が形
成され、一方、露出した第１絶縁層６の所定領域上には
ソース線１３が形成されている。そして、第１絶縁層
６、ソース線１３およびＴＦＴ１４を覆うように第２絶
縁層７が形成され、この第２絶縁層７のゲート線３間に
位置する領域上に画素電極８が形成されている。画素電
極８はドレインコンタクト端子２５を介してＴＦＴ１４
のドレイン電極（図示せず）に接続しており、ＴＦＴ１
４のソース電極（図示せず）はソース線１３に接続して
いる。また、画素電極９上および第２絶縁層７上には配
向膜１０Ｂが形成されている。

【０００６】このような構造を有する液晶パネルの製造
時には、まず、ＴＦＴアレイ基板３１の製造時に、ガラ
ス基板１の内面にＡｌ、Ｔｉ等からなる導電体膜を形成
するとともにこれを所定形状にパターニングし、ゲート
線３およびゲート電極を形成する。そして、ゲート線３
上およびゲート電極上に第１絶縁層６を形成した後、ゲ
ート電極上に位置する第１絶縁層６の領域にａ−Ｓｉ層
とｎ+形ａ−Ｓｉ層（ともに図示せず）とからなるＴＦ
Ｔ１４を形成する。さらに、露出した第１絶縁層６上お
よびＴＦＴ１４上にＡｌ、Ｔｉ等からなる導電体膜を形
成するとともにこれを所定形状にパターニングし、ソー
ス線１３を形成する。

【０００７】次に、上記のようにソース線１３までが形
成されたＴＦＴアレイ基板３１上にＳｉＮｘ等からなる
第２絶縁層７を形成する。第２絶縁層７はＴＦＴ１４を
保護する保護膜の役目も果たすものでもある。さらに、
ゲート線３間に位置する第２絶縁層７の領域上にＩＴＯ
膜を形成して画素電極８を形成し、この画素電極８上お
よび第２絶縁層７上に配向膜１０Ｂを形成する。

【０００８】一方、対向基板３２の製造時には、ガラス
基板２の内面にカラーフィルタ１２を形成するととも
に、ＴＦＴ基板３１と対向させた際に前記ゲート線３の
上に位置するカラーフィルタ１２の領域にブラックマト
リックス１１を形成する。そして、カラーフィルタ１２
上にＩＴＯ膜を形成して対向電極９を形成し、さらにそ
の上に配向膜１０Ａを形成する。

【０００９】対向基板３２およびＴＦＴアレイ基板３１
の配向膜１０Ａ、１０Ｂは、液晶層１７Ｂの液晶分子４
の配列を整列させるために形成するものである。配向膜
１０Ａ，１０Ｂの表面はラビングクロスで擦られてお
り、それにより、液晶層１７ＢのＴＦＴアレイ基板側３
１側および対向基板３２側においてそれぞれ所定の方向
に液晶分子４の初期配向方向が決定される。例えば、こ
の場合には、液晶分子４の初期配向方向はＴＦＴアレイ
基板３１側と対向基板３２側とで略直交するように設定
される。このように液晶分子４の初期配向方向が決定さ
れたＴＦＴアレイ基板３１と対向基板３２とを貼り合わ
せて周辺部をシール剤で接着した後、ＴＦＴアレイ基板
３１と対向基板３２との間に液晶分子を注入して液晶層
１７Ｂを形成し、封止材により液晶分子４の注入口を封
止する。

【００１０】上記の方法により製造された液晶パネルか
らなる液晶表示装置の表示動作時には、偏光板１９Ｂ側
に配設されたバックライトユニットから液晶パネルに光
が供給され、この光は偏光板１９Ｂ、ＴＦＴアレイ基板
３１、液晶層１７Ｂ、対向基板３２および偏光板１９Ａ
を順に透過して外部に出射する。この場合において、ゲ
ート線３を通じて走査信号電圧が印加されたＴＦＴ１４
が、ソース線１３を通じて印加された表示信号電圧をオ
ン、オフ制御し、それにより画素電極８と対向電極９と
の間に電圧を印加して液晶分子４の立ち具合とねじれ具
合とを変化（これを液晶分子４の配向状態の変化と呼
ぶ）させて液晶層１７Ｂにおけるリタデーションを変化
させる。それにより、表示信号に応じた表示を行うこと
ができる。

【００１１】上記のよ液晶表示装置の液晶パネルは、数
多くの製造工程を経て製造されるため、製造工程におい
て欠陥が発生する場合があり、例えばＴＦＴ１４が欠陥
を有することがある。ＴＦＴ１４が欠陥を有する画素で
は、ノーマリーホワイトモードから黒表示を行う場合
に、ＴＦＴ１４が欠陥を有するために画素電極８と対向
電極９との間に電圧が印加されず、よって、液晶層１７
Ｂのリタデーションを変化させることができない。その
結果、欠陥を有する画素では黒表示を行うことができず
に光が透過してしまい、表示においてこの画素の部分が
輝点となる。以下においては、輝点の発生要因となる欠
陥を輝点欠陥と呼び、輝点欠陥を有する画素を輝点欠陥
画素と呼ぶ。輝点欠陥はＴＦＴ１４の欠陥に限られたも
のではなく、液晶パネルの他の構成要素における欠陥も
輝点欠陥となる。

【００１２】輝点が生じた表示画像では画像特性が劣化
する。このため、輝点欠陥により、液晶表示装置の品位
が低下し、装置の歩留りの低下が起こる。したがって、
液晶表示装置においては、輝点欠陥を修正する必要があ
る。

【００１３】なお、ノーマリーブラックモードから白表
示を行った場合には、上記とは逆に、欠陥を有する画素
の部分は白表示を行うことができずに表示において黒点
となる。このように黒点となった欠陥画素は、輝点とな
る欠陥画素に比べて、表示特性に与える影響が少ない。
このため、修正が望まれるのは、ノーマリーホワイトモ
ードから黒表示を行った際に生じる輝点画素である。

【００１４】図１９は、ＴＮモードの液晶表示装置にお
ける輝点欠陥の修正方法の一例を説明するための輝点欠
陥画素の透視的な平面図である。図１９に示すように、
この方法では、輝点欠陥画素において、画素電極８とゲ
ート線３とを接続する接続部２０を例えばレーザ光によ
り形成してこれらを電気的に接続する。かかる構成とす
ると、ゲート線３と画素電極８とが電気的に接続される
ため、ゲート線３を通じて走査信号電圧を印加した際に
画素電極８と対向電極９との間に走査信号電圧と同じ高
電圧を印加することができる。例えば、通常の走査信号
電圧は２０Ｖ程度であるから、この場合には画素電極８
と対向電極９との間に２０Ｖ程度の電圧が印加される。
それにより、液晶層１７Ｂの液晶分子４の配向状態を以
下のように変化させることが可能となる。

【００１５】図２０は、図１９の輝点欠陥画素のXX−X
X’線における断面図であり、画素電極８と対向電極９
との間に高電圧が印加されて液晶分子４の配向状態が変
化した状態を示している。図２０に示すように、画素電
極８と対向電極９との間に高電圧が印加されると、液晶
層１７ＢのＴＮモードの液晶分子４は、長軸方向がガラ
ス基板１，２の主面に対してほぼ垂直な方向となるよう
に整列した配向状態となる。このような液晶分子４の配
向状態の液晶層１７Ｂでは、リタデーションがほぼ０ｎ
ｍとなるため、この液晶層１７Ｂを光が透過しても光の
リタデーションは変化しない。

【００１６】偏光板１９Ｂ側から画素内に入射し偏光板
１９Ｂを透過して直線偏光となった光は、前述のように
液晶層１７Ｂを透過してもリタデーションが変化しない
ため偏光されず、よって、光は偏光板１９Ｂ透過時の偏
光状態のまま出射側の偏光板１９Ａに達する。ここで、
前述のように、出射側の偏光板１９Ａの透過軸は、入射
側の偏光板１９Ｂの透過軸と垂直になるように設定され
ているため、透過時の偏光状態のまま偏光板１９Ａに達
した光は、偏光板１９Ａにより遮断されて透過率がほぼ
０となる。したがって、輝点欠陥画素では黒表示が行わ
れて黒点となる。

【００１７】図２１は、ノーマリーホワイトモードであ
るＴＮモードの液晶表示装置における画素電極および対
向電極間の印加電圧と光の透過率との関係を示す図であ
る。図２１に示すように、ＴＮモードの液晶表示装置に
おいては、印加電圧が高くなると光の透過率が低下し、
例えば本例のように通常の走査信号電圧と同じ２０Ｖ程
度の高電圧が印加された場合には光の透過率は０とな
る。

【００１８】このように、上記の方法によれば、輝点欠
陥画素を黒点とすることにより、表示において輝点欠陥
画素の部分を欠陥として見えにくくさせ、表示特性の劣
化の抑制を図るとともに実質的な歩留りの向上を図るこ
とが可能となる。ところで、上記のＴＮモードに対し
て、例えば特開平７−８４２５４号公報には、応答速度
が速く広視野角の表示モードとして、光学補償ベンドモ
ード（以下、ＯＣＢ：Optically Compensated Bendモー
ドと呼ぶ）が提案されている。このＯＣＢモードについ
て以下に説明する。図２２は、ＯＣＢモードの液晶表示
装置の液晶パネルの構造を模式的に示す断面図である。
この液晶パネルは、ベンド配向した液晶分子４から構成
される液晶層１７Ａを含むとともに、ガラス基板１，２
と偏光板１９Ｂ，１９Ａとの間に位相差板１５Ｂ，１５
Ａが配設された点を除いて、図１８に示すＴＮモードの
液晶パネルと同一の構造を有している。ここでは、この
ように液晶分子４がベンド配向した状態において白表示
となる（ノーマリーホワイトモード）。上記のようなＯ
ＣＢモードの液晶表示装置においても、前述のＴＮモー
ドの場合と同様に、黒表示を行った際に欠陥を有する画
素の部分が輝点となり、表示特性を劣化させ液晶表示装
置の歩留りを低下させる。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】そこで、図１９に示す
前述のＴＮモードの液晶表示装置における輝点欠陥の修
正方法、すなわち輝点欠陥画素の画素電極８とゲート電
極３とを電気的に接続して短絡させる方法をＯＣＢモー
ドの液晶表示装置に適用する場合について考える。この
場合、輝点欠陥画素においては、ゲート線３に印加され
る走査信号電圧と同じ高電圧が画素電極８および対向電
極９間に印加される。ここで、図２３に示すように、Ｏ
ＣＢモードの液晶表示装置においては、画素電極８およ
び対向電極９の間に４〜８Ｖ程度の電圧が印加されると
光の透過率は０となり黒表示となるが、それよりも高電
圧が印加されると光の透過率は０とならず、よって、こ
の場合には黒表示とならずに中間色が表示される。

【００２０】このように、ＯＣＢモードの液晶表示装置
においてＴＮモードの欠陥修正方法を適用すると、輝点
欠陥画素は黒点とならずに中間調を示すため輝点欠陥を
修正することができない。このため、液晶表示装置の実
質的な歩留りが低下する。

【００２１】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたもので、欠陥を修正することにより画像特
性の向上および実質的な歩留りの向上が図られた液晶表
示装置およびその欠陥修正方法ならびに欠陥修正装置を
提供することを目的としている。

【００２２】

【課題を解決するための手段】第１の発明にかかる液晶
表示装置は、一対の基板の間に液晶層が挟持され、前記
一対の基板の外面の少なくとも一方に位相差板が配設さ
れてなる液晶パネルと、前記液晶パネルの背面から前記
液晶層に表示用の光を照射する照明構造とを備え、前記
液晶層を変調させて前記液晶層および前記位相差板にお
けるリタデーションを用いて前記表示用の光の前記液晶
パネルにおける透過率を制御することによって表示を行
う液晶表示装置において、前記液晶パネルは複数の画素
を備え、前記複数の画素は輝点欠陥を有する輝点欠陥画
素を含み、前記輝点欠陥画素の領域の前記位相差板のリ
タデーションの絶対値が、前記輝点欠陥画素以外の画素
の領域の前記位相差板のリタデーションの絶対値よりも
小さいものである（請求項１）。

【００２３】かかる構成によれば、輝点欠陥画素の領域
の位相差板のリタデーションが上記のように設定されて
いるため、輝点欠陥画素領域における光の透過を抑制し
て輝点欠陥画素を黒点化することが可能となる。したが
って、このような液晶表示装置においては、表示画像に
輝点が観察されることはなく、よって、高品位の画像を
実現することが可能となるとともに実質的な歩留りの向
上を図ることが可能となる。

【００２４】前記液晶表示装置の黒表示時に前記輝点欠
陥画素以外の画素における前記位相差板および前記液晶
層のリタデーションの合計値がほぼ０となるように前記
位相差板および前記液晶層のリタデーションが設定さ
れ、前記輝点欠陥画素領域における前記位相差板のリタ
デーション値がほぼ０ｎｍであることが好ましい（請求
項２）。

【００２５】かかる構成によれば、輝点欠陥画素領域に
おける光の透過を効果的に抑制することができるため、
輝点欠陥画素を完全に黒点化することが可能となる。

【００２６】前記輝点欠陥画素は半導体スイッチ素子の
欠陥に起因して輝点欠陥が生じ、前記輝点欠陥画素領域
では、前記位相差板が除去されるとともに、画素電極が
前記半導体スイッチ素子を制御するためのゲート線と電
気的に接続されてもよい（請求項３）。

【００２７】かかる構成によれば、輝点欠陥画素領域に
おいて画素電極とゲート線とが電気的に接続されている
ため、この領域では半導体スイッチ素子が欠陥を有して
いてもゲート線を通じて走査信号電圧と同じ高電圧を画
素電極に印加することが可能となる。このような高電圧
が印加されると、液晶層におけるリタデーションがほぼ
０ｎｍとなる。ここで、この場合には、輝点欠陥画素領
域の位相差板が除去されているため、この領域における
位相差板のリタデーションが０ｎｍとなり、よって、液
晶層および位相差板におけるリタデーションの合計値が
ほぼ０ｎｍとなる。このため、この場合には、輝点欠陥
画素を完全に黒点化することが可能となる。

【００２８】前記輝点欠陥画素の前記位相差板が除去さ
れた領域に平坦化層が形成されてもよい（請求項４）。

【００２９】かかる構成によれば、位相差板が除去され
た輝点欠陥画素の領域が平坦化層により平坦化されるた
め、液晶パネルの表面を平坦化することが可能となる。
このため、液晶パネル表面に使用者が触れた際の手触り
が良好となる。

【００３０】前記平坦化層は非透明であってもよく（請
求項５）、黒色であってもよい（請求項６）。

【００３１】かかる構成によれば、平坦化層により光を
遮光することが可能となるため、輝点欠陥画素における
光の透過をより効果的に抑制することが可能となり完全
に黒点化することができる。

【００３２】前記輝点欠陥画素は半導体スイッチ素子の
欠陥に起因して輝点欠陥が生じ、前記輝点欠陥画素領域
では、前記位相差板が変質しているとともに、画素電極
が前記半導体スイッチ素子を制御するためのゲート線と
電気的に接続されてもよい（請求項７）。

【００３３】かかる構成によれば、輝点欠陥画素領域に
おいて画素電極とゲート線とが電気的に接続されている
ため、この領域では半導体スイッチ素子が欠陥を有して
いてもゲート線を通じて走査信号電圧と同じ高電圧を画
素電極に印加することが可能となる。このような高電圧
が印加されると、液晶層におけるリタデーションがほぼ
０ｎｍとなる。ここで、この場合には、輝点欠陥画素領
域の位相差板が変質しているため、この領域における位
相差板のリタデーションがほぼ０ｎｍとなり、よって、
液晶層および位相差板におけるリタデーションの合計値
がほぼ０ｎｍとなる。このため、この場合には、輝点欠
陥画素を完全に黒点化することが可能となる。

【００３４】前記位相差板が、前記一対の基板の外面の
いずれか一方に配設されてもよく（請求項８）、前記液
晶パネルの背面側の前記基板の外面に配設されることが
好ましい（請求項９）。

【００３５】かかる構成によれば、位相差板が一方の基
板のみに設けられているため、位相差板を両方の基板に
設ける場合に比べて、製造が容易になるとともに製造タ
クトを向上させることができる。特に、液晶パネルの背
面側の基板に位相差板が設けられると、液晶パネル表面
に使用者が触れた際の手触りが良好となる。

【００３６】前記液晶パネルと前記照明構造との間に集
光構造が配設されてもよい（請求項１０）。

【００３７】かかる構成によれば、光が集光構造により
液晶パネルの正面方向に集光されて液晶パネル内に入射
するため、液晶表示装置を斜めから見たときでも輝点欠
陥画素を修正した部分からの光の漏れを抑制することが
でき、輝点を見えなくすることが可能となる。

【００３８】前記位相差板が配設された前記基板に含ま
れる基材の厚さが０ｍｍより大きく０．４ｍｍ以下であ
ることが好ましい（請求項１１）。

【００３９】かかる構成によれば、液晶表示装置を斜め
から見たときでも輝点欠陥画素を修正した部分からの光
の漏れを抑制することができ、輝点を見えなくすること
が可能となる。

【００４０】第２の発明にかかる液晶表示装置は、内面
に配向膜がそれぞれ配設された一対の基板の間に液晶層
が挟持された液晶パネルと、前記液晶パネルの背面から
前記液晶層に表示用の光を照射する照明構造とを備え、
前記液晶層を変調させて前記表示用の光の前記液晶パネ
ルにおける透過率を制御することによって表示を行う液
晶表示装置において、前記液晶パネルは複数の画素を備
え、前記複数の画素は輝点欠陥を有する輝点欠陥画素を
含み、前記輝点欠陥画素の領域の前記一対の基板の内面
に配設された配向膜の少なくとも一方が変質または破壊
されて遮光性となったものである（請求項１２）。

【００４１】かかる構成によれば、輝点欠陥画素領域の
配向膜が遮光性となっているためこの配向膜において光
を遮断することができ、よって、輝点欠陥画素における
光の透過を抑制して輝点欠陥画素を黒点化することが可
能となる。このため、高品位の画像を得ることが可能と
なるとともに、装置の実質的な歩留りを向上させること
が可能となる。

【００４２】第３の発明にかかる液晶表示装置は、一対
の基板の間に液晶層が挟持された液晶パネルと、前記液
晶パネルの背面から前記液晶層に表示用の光を照射する
照明構造とを備え、前記液晶層を変調させて前記表示用
の光の前記液晶パネルにおける透過率を制御することに
よって表示を行う液晶表示装置において、前記液晶パネ
ルは複数の画素を備え、前記複数の画素は輝点欠陥を有
する輝点欠陥画素を含み、前記輝点欠陥画素の領域は、
前記一対の基板の各々に含まれる基材の少なくとも一方
が外面に凹部を有するとともに、前記凹部内に遮光層が
配設されたものである（請求項１３）。

【００４３】かかる構成によれば、輝点欠陥画素領域に
おいて、基材に凹部が形成されるとともにこの凹部内に
遮光層が形成されているため、遮光層により光を遮断す
ることが可能となる。このため、輝点欠陥画素領域にお
ける光の透過を抑制することが可能となり、この領域を
黒点化することが可能となる。それにより、高品位の画
像を得ることが可能となるとともに、装置の実質的な歩
留りを向上させることが可能となる。

【００４４】前記凹部内において、前記遮光層が前記凹
部の底部に形成され、前記遮光層上に前記遮光層と異な
る光の透過率を有する平坦化層が積層されてもよく（請
求項１４）、前記遮光層の厚さが前記平坦化層の厚さよ
りも小さいことが好ましい（請求項１５）。

【００４５】かかる構成によれば、平坦化層により輝点
欠陥画素領域の表面が平坦化されるため、液晶パネル表
面を平坦化することが可能となる。このため、液晶パネ
ルの表面に使用者が触れた際の手触りが良好となる。特
に、遮光層の厚さが平坦化層の厚さよりも小さいと、液
晶表示装置を斜めから見たときに、輝点欠陥画素を修正
した部分からの光の漏れを抑制して輝点を見えなくする
ことが可能となるとともに、輝点欠陥画素に隣接する正
常な画素までが黒点として見えるのを防止することが可
能となる。

【００４６】第１から第３の発明において、前記液晶パ
ネルの前記液晶層を構成する液晶分子がベンド配向して
いてもよい（請求項１６）。

【００４７】かかる構成によれば、応答速度が速くかつ
広視野角であるとともに、輝点欠陥が修正されて高品位
かつ高い歩留りが実現可能となったＯＣＢモードの液晶
表示装置が得られる。

【００４８】第１から第３の発明において、前記液晶パ
ネルが投射型であってもよい（請求項１７）。

【００４９】かかる構成によれば、高品位かつ実質的な
歩留りの向上が図られた投射型の液晶表示装置が得られ
る。

【００５０】第４の発明にかかる液晶表示装置の欠陥修
正方法は、一対の基板の間に液晶層が挟持され、前記一
対の基板の外面の少なくとも一方に位相差板が配設され
てなる液晶パネルと、前記液晶パネルの背面から前記液
晶層に表示用の光を照射する照明構造とを備え、前記液
晶層を変調させて前記液晶層および前記位相差板におけ
るリタデーションを用いて前記表示用の光の前記液晶パ
ネルにおける透過率を制御することによって表示を行う
液晶表示装置における欠陥の修正方法であって、前記液
晶表示装置の画像を検査して前記液晶パネルの輝点欠陥
画素を検出する画像検査工程と、前記画像検査工程で検
出した前記輝点欠陥画素の領域の位相差板のリタデーシ
ョンの絶対値を、前記欠陥画素以外の画素領域の位相差
板のリタデーションの絶対値よりも小さくする位相差板
リタデーション調整工程と、前記輝点欠陥画素の領域に
おいて、画素電極とゲート線とを電気的に短絡させる画
素電極短絡工程とを含むものである（請求項１８）。

【００５１】かかる構成によれば、画素電極短絡工程に
おいて輝点欠陥画素領域の画素電極とゲート線とを短絡
させるため、輝点欠陥画素領域において、ゲート線に印
加される走査信号電圧と同じ高電圧を画素電極に印加す
ることができる。ここで、この場合においては、位相差
板リタデーション調整工程において、輝点欠陥画素領域
以外の画素領域における位相差板のリタデーションの絶
対値よりも小さくなるように輝点欠陥画素領域における
位相差板のリタデーションの絶対値を設定するため、前
述のように高電圧が画素電極に印加された輝点欠陥画素
領域では、光の透過を抑制して黒表示を行うことが可能
となる。それにより、輝点欠陥画素領域を黒点化するこ
とができる。このように、本発明の欠陥修正方法によれ
ば、輝点欠陥画素を黒点化して修正することができるた
め、高品位で実質的に歩留りの向上が図られた液晶表示
装置を実現することが可能となる。

【００５２】前記位相差板リタデーション調整工程は、
前記輝点欠陥画素領域の位相差板を除去する位相差板除
去工程を含んでもよい（請求項１９）。

【００５３】かかる構成によれば、位相差板を除去する
ことにより、輝点欠陥画素領域における位相差板のリタ
デーションを０ｎｍとすることができる。このように位
相差板のリタデーションが０ｎｍとなった輝点欠陥画素
領域においては、光の透過をより効果的に抑制すること
ができるため、輝点欠陥画素領域を完全に黒点化するこ
とができる。

【００５４】前記位相差板除去工程は、前記輝点欠陥画
素領域の位相差板をレーザ光を用いて切断し、前記切断
された位相差板を剥離させる工程を含んでもよく（請求
項２０）、前記輝点欠陥画素領域の位相差板を加熱して
溶融させて除去する工程を含んでもよい（請求項２
１）。

【００５５】かかる構成によれば、輝点欠陥画素領域の
位相差板を容易に除去することが可能となる。

【００５６】前記位相差板リタデーション調整工程は、
前記位相差板除去工程の後、前記輝点欠陥画素領域の位
相差板除去部に平坦化層を形成する位相差板除去部平坦
化工程をさらに含んでもよい（請求項２２）。

【００５７】かかる構成によれば、輝点欠陥画素領域の
位相差板除去部に平坦化層を形成するため、液晶パネル
の表面が平坦化される。それにより、液晶パネルの表面
に使用者が触れた際の手触りが良好となる。

【００５８】前記位相差板除去部平坦化工程は、前記輝
点欠陥画素領域の位相差板除去部にインクジェット方式
により平坦化層材料を滴下して平坦化層を形成する工程
を含んでもよい（請求項２３）。

【００５９】かかる構成によれば、輝点欠陥画素領域の
位相差板除去部に、容易にかつ精度良く平坦化層を形成
することが可能となる。

【００６０】前記位相差板リタデーション調整工程は、
前記輝点欠陥画素領域の位相差板を変質させる位相差板
変質工程を含んでもよい（請求項２４）。

【００６１】かかる構成によれば、位相差板を変質させ
ることにより、輝点欠陥画素における位相差板のリタデ
ーションを調整することが可能となる。それにより、輝
点欠陥画素領域における光の透過を効果的に抑制するこ
とができ、輝点欠陥画素領域を黒点化することが可能と
なる。

【００６２】前記位相差板変質工程は、前記輝点欠陥画
素領域の位相差板をレーザ光により変質させる工程を含
んでもよく（請求項２５）、前記輝点欠陥画素領域の位
相差板を熱により変質させる工程を含んでもよい（請求
項２６）。

【００６３】かかる構成によれば、輝点欠陥画素領域の
位相差板を容易に変質させることが可能となる。

【００６４】第５の発明にかかる液晶表示装置の欠陥修
正方法は、内面に配向膜がそれぞれ配設された一対の基
板の間に液晶層が挟持された液晶パネルと、前記液晶パ
ネルの背面から前記液晶層に表示用の光を照射する照明
構造とを備え、前記液晶層を変調させて前記表示用の光
の前記液晶パネルにおける透過率を制御することによっ
て表示を行う液晶表示装置における欠陥の修正方法であ
って、前記液晶表示装置の画像を検査して前記液晶パネ
ルの輝点欠陥画素を検出する画像検査工程と、前記画像
検査工程で検出した前記輝点欠陥画素の領域の前記一対
の基板の内面に配設された配向膜の少なくとも一方を変
質させるかまたは破壊して遮光性とする配向膜処理工程
とを含むものである（請求項２７）。

【００６５】かかる構成によれば、配向膜処理工程にお
いて輝点欠陥画素領域の配向膜を遮光性とするため、輝
点欠陥画素領域においてこの遮光性の配向膜により光を
遮断することが可能となる。それにより、輝点欠陥画素
領域を黒点化することができる。このように、本発明の
欠陥修正方法によれば、輝点欠陥画素を黒点化して修正
することができるため、高品位で実質的に歩留りの向上
が図られた液晶表示装置を実現することが可能となる。

【００６６】前記配向膜処理工程は、レーザ光を用いて
行ってもよい（請求項２８）。

【００６７】かかる構成によれば、輝点欠陥画素領域の
配向膜を容易に変質または破壊することが可能となる。

【００６８】第６の発明にかかる液晶表示装置の欠陥修
正方法は、一対の基板の間に液晶層が挟持された液晶パ
ネルと、前記液晶パネルの背面から前記液晶層に表示用
の光を照射する照明構造とを備え、前記液晶層を変調さ
せて前記表示用の光の前記液晶パネルにおける透過率を
制御することによって表示を行う液晶表示装置における
欠陥の修正方法であって、前記液晶表示装置の画像を検
査して前記液晶パネルの輝点欠陥画素を検出する画像検
査工程と、前記画像検査工程で検出した前記輝点欠陥画
素の領域の前記一対の基板の各々に含まれる基材の少な
くとも一方において外面に凹部を形成する凹部形成工程
と、前記凹部内に遮光層を形成する遮光層形成工程とを
含むものである（請求項２９）。

【００６９】かかる構成によれば、輝点欠陥画素領域の
基材に凹部を形成するとともに凹部内に遮光層を形成す
るため、輝点欠陥画素領域においてはこの遮光層により
光を遮断することが可能となる。それにより、輝点欠陥
画素領域を黒点化することができる。このように、本発
明の欠陥修正方法によれば、輝点欠陥画素を黒点化して
修正することができるため、高品位で実質的に歩留りの
向上が図られた液晶表示装置を実現することが可能とな
る。

【００７０】前記輝点欠陥画素領域の前記凹部内に平坦
化層を形成する平坦化層形成工程をさらに含んでよい
（請求項３０）。

【００７１】かかる構成によれば、輝点欠陥画素領域の
基材に形成された凹部を平坦化することができるため、
液晶パネルの表面を平坦化することができる。したがっ
て、液晶パネルの表面に使用者が触れた際の手触りが良
好となる。

【００７２】第７の発明にかかる欠陥修正装置は、一対
の基板の間に液晶層が挟持され、前記一対の基板の外面
の少なくとも一方に位相差板が配設されてなる液晶パネ
ルと、前記液晶パネルの背面から前記液晶層に表示用の
光を照射する照明構造とを備え、前記液晶層を変調させ
て前記液晶層および前記位相差板におけるリタデーショ
ンを用いて前記表示用の光の前記液晶パネルにおける透
過率を制御することによって表示を行う液晶表示装置に
おける欠陥を修正する欠陥修正装置であって、前記液晶
表示装置の画像を検査して前記液晶パネルの輝点欠陥画
素を検出する画像検査工程と、前記画像検査工程で検出
した前記輝点欠陥画素の領域の位相差板のリタデーショ
ンの絶対値を、前記欠陥画素以外の画素領域の位相差板
のリタデーションの絶対値よりも小さくする位相差板リ
タデーション調整工程と、前記輝点欠陥画素の領域にお
いて、画素電極とゲート線とを電気的に短絡させる画素
電極短絡工程とを含む欠陥修正方法を自動的に行うもの
である（請求項３１）。

【００７３】かかる構成においては、画素電極短絡工程
において輝点欠陥画素領域の画素電極とゲート線とを短
絡させるため、輝点欠陥画素領域において、ゲート線に
印加される走査信号電圧と同じ高電圧を画素電極に印加
することができる。ここで、この場合においては、位相
差板リタデーション調整工程において輝点欠陥画素領域
以外の画素領域における位相差板のリタデーションの絶
対値よりも小さくなるように輝点欠陥画素領域における
位相差板のリタデーションの絶対値を設定するため、前
述のように高電圧が画素電極に印加された輝点欠陥画素
領域では、光の透過を抑制して黒表示を行うことができ
る。それにより、輝点欠陥画素領域を黒点化することが
できる。このように、本発明の欠陥修正装置によれば、
輝点欠陥画素を黒点化して修正することができるため、
高品位で実質的に歩留りの向上が図られた液晶表示装置
を実現することが可能となる。

【００７４】第８の発明にかかる欠陥修正装置は、内面
に配向膜がそれぞれ配設された一対の基板の間に液晶層
が挟持された液晶パネルと、前記液晶パネルの背面から
前記液晶層に表示用の光を照射する照明構造とを備え、
前記液晶層を変調させて前記表示用の光の前記液晶パネ
ルにおける透過率を制御することによって表示を行う液
晶表示装置における欠陥を修正する欠陥修正装置であっ
て、前記液晶表示装置の画像を検査して前記液晶パネル
の輝点欠陥画素を検出する画像検査工程と、前記画像検
査工程で検出した前記輝点欠陥画素の領域の前記一対の
基板の内面に配設された配向膜の少なくとも一方を変質
させるかまたは破壊して遮光性とする配向膜処理工程と
を含む欠陥修正方法を自動的に行うものである（請求項
３２）。

【００７５】かかる構成においては、配向膜処理工程に
おいて輝点欠陥画素領域の配向膜を遮光性とするため、
輝点欠陥画素領域においてこの遮光性の配向膜により光
を遮断することが可能となる。それにより、輝点欠陥画
素領域を黒点化することができる。このように、本発明
の欠陥修正装置によれば、輝点欠陥画素を黒点化して修
正することができるため、高品位で実質的に歩留りの向
上が図られた液晶表示装置を実現することが可能とな
る。

【００７６】第９の発明にかかる欠陥修正装置は、一対
の基板の間に液晶層が挟持された液晶パネルと、前記液
晶パネルの背面から前記液晶層に表示用の光を照射する
照明構造とを備え、前記液晶層を変化させて前記表示用
の光の前記液晶パネルにおける透過率を制御することに
よって表示を行う液晶表示装置における欠陥を修正する
欠陥修正装置であって、前記液晶表示装置の画像を検査
して前記液晶パネルの輝点欠陥画素を検出する画像検査
工程と、前記画像検査工程で検出した前記輝点欠陥画素
の領域の前記一対の基板の各々に含まれる基材の少なく
とも一方において外面に凹部を形成する凹部形成工程
と、前記凹部内に遮光層を形成する遮光層形成工程とを
含む欠陥修正方法を自動的に行うものである（請求項３
３）。

【００７７】かかる構成においては、輝点欠陥画素領域
の基材に凹部を形成するとともに凹部内に遮光層を形成
するため、輝点欠陥画素領域においてはこの遮光層によ
り光を遮断することが可能となる。それにより、輝点欠
陥画素領域を黒点化することができる。このように、本
発明の欠陥修正装置によれば、輝点欠陥画素を黒点化し
て修正することができるため、高品位で実質的に歩留り
の向上が図られた液晶表示装置を実現することが可能と
なる。

【００７８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の実施の形態１に係る液
晶表示装置の構成を示す模式的なブロック図である。

【００７９】図１に示すように、液晶表示装置は、液晶
パネル５０１と、ゲート線３およびソース線１３を通じ
て液晶パネル５０１を駆動するゲート駆動回路４０３お
よびソース駆動回路４０２と、ゲート駆動回路４０３お
よびソース駆動回路４０２を制御する信号処理回路４０
１と、液晶パネル５０１に光を供給するバックライトユ
ニット５０５とを有している。液晶パネル５０１におい
ては、ゲート線３とソース線１３とでマトリクス状に区
画された領域が１つの画素を構成しており、全ての画素
の集合が液晶パネル５０１の表示画面を構成している。

【００８０】図２は、図１の液晶パネル５０１の構造を
模式的に示す透視的な平面図であり、図３は、図２のII
I−III’線における模式的な断面図である。ここでは、
液晶パネル５０１を構成する３つの隣接する画素５０，
５１，５２について示しており、このうちの画素５０は
輝点欠陥を有する。

【００８１】図２および図３に示すように、液晶パネル
５０１は、所定の間隔で対向するように配置されたＴＦ
Ｔアレイ基板３１と対向基板３２との間に、液晶分子４
が図２２に示すようにベンド配向したＯＣＢモードの液
晶層１７Ａが充填され、対向基板３２の外面に位相差板
１５Ａおよび偏光板１９Ａが順に配置されるとともに、
ＴＦＴアレイ基板３１の外面に位相差板１５Ｂおよび偏
光板１９Ｂが順に配置されて構成される。なお、本実施
の形態の液晶パネル５０１では、液晶分子４が図２２に
示すようにベンド配向した状態で白表示となる（ノーマ
リーホワイト）。画素５０の領域は位相差板１５Ａ，１
５Ｂが除去された構成となっており、ガラス基板１，２
上に、直接、偏光板１９Ａ，１９Ｂが配置されている。
液晶パネルの偏光板１９Ｂ側には、バックライトユニッ
ト５０５が配設されている。

【００８２】対向基板３２はガラス基板２を有し、この
ガラス基板２の内面には、カラーフィルタ１２、対向電
極９および配向膜１０Ａがこの順で配置されている。な
お、ゲート線３上に位置するカラーフィルタ１２の領域
にはブラックマトリクス１１が形成されている。

【００８３】一方、対向基板３１はガラス基板１を有し
ており、このガラス基板１の内面の各画素領域５０，５
１，５２にはそれぞれゲート線３およびゲート電極（図
示せず）が形成されている。ゲート電極３およびゲート
電極が形成されたガラス基板１の表面は、第１絶縁層６
で覆われている。ゲート電極上に位置する第１絶縁層６
の領域上にはａ−Ｓｉ層とｎ⁺形ａ−Ｓｉ層（ともに図
示せず）が積層されて半導体スイッチ素子であるＴＦＴ
１４が形成される。一方、露出した第１絶縁層６の所定
領域上にはソース線１３が形成されている。ＴＦＴ１４
のソース電極（図示せず）はソース線１３に接続されて
いる。なお、この場合、画素５０のＴＦＴ１４は欠陥を
有しており、よって、画素５０は輝点欠陥画素となる。
この画素５０の領域では、接続部２０を介して画素電極
８とゲート線３とが電気的に接続されている。

【００８４】第１絶縁層６、ソース線１３およびＴＦＴ
１４を覆うように第２絶縁層７が形成され、この第２絶
縁層７のゲート線３間に位置する領域上には画素電極８
が形成されている。画素電極８はドレインコンタクト端
子２５を介してＴＦＴ１４のドレイン電極（図示せず）
に接続しており、また、画素電極８とゲート線３とは接
続部２０により接続されている。この画素電極８上およ
び第２絶縁層７上には配向膜１０Ｂが形成されている。

【００８５】図４（ａ）〜（ｄ）は、図２および図３に
示す液晶パネルの製造方法を示す模式的な工程断面図で
ある。図４（ａ）に示すように、液晶パネルを製造する
際には、まず、ＴＦＴアレイ基板３１の製造時に、ガラ
ス基板１の内面にＡｌ、Ｔｉ等からなる導電体膜を形成
するとともにこれを所定形状にパターニングし、各画素
領域５０，５１０，５２にそれぞれゲート線３およびゲ
ート電極（図示せず）を形成する。そして、ゲート線３
上およびゲート電極上に第１絶縁層６を形成した後、ゲ
ート電極上に位置する第１絶縁層６の領域上に、ａ−Ｓ
ｉ層とｎ+形ａ−Ｓｉ層とを含んで構成されるＴＦＴ１
４（図示せず）を形成する。さらに、露出した第１絶縁
層６およびＴＦＴ１４の所定領域上にＡｌ、Ｔｉ等から
なる導電体膜を形成するとともにこれを所定形状にパタ
ーニングしてソース線１３（図示せず）を形成する。

【００８６】次に、上記のようにソース線１３までが形
成されたＴＦＴアレイ基板３１上にＳｉＮｘ等からなる
第２絶縁層７を形成する。第２絶縁層７はＴＦＴ１４を
保護する保護膜の役目も果たすものでもある。さらに、
ゲート線３間に位置する第２絶縁層７の領域上にＩＴＯ
膜を形成して画素電極８を形成し、この画素電極８上お
よび第２絶縁層７上に配向膜１０Ａを形成する。

【００８７】一方、対向基板３２の製造時には、ガラス
基板２の内面にカラーフィルタ１２を形成するととも
に、このカラーフィルタ１２の前記ゲート線３の上に位
置する領域にブラックマトリックス１１を形成する。そ
して、カラーフィルタ１２上にＩＴＯ膜を形成して対向
電極９を形成し、さらにその上に配向膜１０Ｂを形成す
る。

【００８８】ＴＦＴアレイ基板３１および対向基板３２
の配向膜１０Ｂ、１０Ａの表面はラビングクロスで擦ら
れており、それにより、液晶層１７ＡのＴＦＴアレイ基
板３１側および対向基板３２側においてそれぞれ所定の
方向に液晶分子４の初期配向方向が決定される。この場
合、液晶分子４がＴＦＴアレイ基板３１側と対向基板３
２側とでほぼ平行となるように初期配向を設定する。こ
のように液晶分子４の初期配向方向が決定されたＴＦＴ
アレイ基板３１と対向基板３２とを貼り合わせて周辺部
をシール剤で接着した後、ＴＦＴアレイ基板３１と対向
基板３２との間に液晶分子４を注入して液晶層１７Ａを
形成し、封止材により液晶分子４の注入口を封止する。
その後、自動欠陥修正装置により、画素電極８と対向電
極９との間に１０Ｖ以上の電圧を印加して前述の従来例
と同様の方法により液晶層１７Ａにおける液晶分子４の
配向状態を図２２に示すようなベンド配向状態とする。

【００８９】さらに、ガラス基板１，２の外面に位相差
板１５Ｂ，１５Ａをそれぞれ形成する。この位相差板１
５Ａ，１５Ｂは、後述するように、画素電極８と対向電
極９との間に黒表示信号電圧が印加されて液晶分子４が
図５に示す配向状態となった際に、液晶層１７Ａおよび
位相差板１５Ａ，１５Ｂにおけるリタデーションの合計
値が０ｎｍとなるようにリタデーションの値が設定され
ている。具体的には、液晶分子４の初期配向と位相差板
１５Ａ，１５Ｂの遅相軸とが垂直になるように設定され
ている。以上のようにして、液晶分子４がベンド配向し
た液晶層１７ＡがＴＦＴアレイ基板３１と対向基板３２
との間に挟持されてなる液晶パネル構造体を得る。

【００９０】続いて、自動欠陥修正装置により、上記の
液晶パネル構造体の画像検査を行う。画像検査は、ノー
マリーホワイトモードの液晶パネル構造体において画素
電極８と対向電極９との間に黒表示信号電圧を印加して
黒表示を行い、この黒表示時に輝点となる画素を検出す
るものである。この場合においては、上記の製造工程に
おいて画素５０のＴＦＴ１４に欠陥が生じており、よっ
て、画素５０が輝点欠陥画素となり黒表示時に輝点とな
る。

【００９１】次に、自動欠陥修正装置を用いて、図４
（ｂ）に示すように、画像検査により検出された輝点欠
陥を有する画素５０の領域の位相差板１５Ａ，１５Ｂに
レーザ光１８を照射する。それにより、図４（ｃ）に示
すように、画素５０の領域の位相差板１５Ａ，１５Ｂを
切断するとともにこれを剥離させて除去する。その後、
図４（ｄ）に示すように、位相差板１５Ａ，１５Ｂの外
面および画素領域５０で露出したガラス基板２，１の外
面に偏光板１９Ａ，１９Ｂを形成する。この偏光板１９
Ａ，１９Ｂは、透過軸が互いに直交するようにするよう
に設定されている。偏光板１９Ａ，１９Ｂの形成は真空
中で行うことが好ましい。この場合、位相差板１５Ａ，
１５Ｂを除去した画素５０の領域に気泡が入るのを防止
することができ、液晶パネル５０１の信頼性を向上させ
ることができる。

【００９２】その後、自動欠陥修正装置により、レーザ
光１８を用いて画素５０の領域に接続部２０を形成し、
画素電極８とゲート線３とを電気的に接続する。以上の
ようにして、ＯＣＢモードの液晶パネルが製造される。

【００９３】次に、上記の方法により製造された液晶パ
ネルを備えた液晶表示装置において、ノーマリーホワイ
トモードから黒表示を行う場合の表示動作について説明
する。

【００９４】表示の際には、偏光板１９Ｂ側に配設され
たバックライトユニット５０５から液晶パネル５０１に
光が供給され、この光は偏光板１９Ｂ、ＴＦＴアレイ基
板３１、液晶層１７Ａ、対向基板３２および偏光板１９
Ａを順に透過して外部に出射する。この場合において、
輝点欠陥を有さない画素５１，５２では、ゲート線３を
通して走査信号電圧が印加されたＴＦＴ１４によりソー
ス線１３を通して印加された黒表示信号電圧をオン、オ
フ制御し、画素電極８と対向電極９との間に４〜８Ｖ程
度の黒表示信号電圧を印加して液晶分子４の配向状態を
図５に示す状態、すなわち、液晶層１７Ａ中央付近の液
晶分子４が長軸をガラス基板１，２の主面の法線方向に
向けた状態に変化させる。なお、この配向状態において
は、液晶層１７Ａのリタデーションは０ｎｍにならな
い。

【００９５】ここで、この場合においては、液晶分子４
が図５に示す配向状態を示す液晶層１７Ａにおけるリタ
デーション値と位相差板１５Ａ，１５Ｂにおけるリタデ
ーション値との合計がほぼ０ｎｍとなるように位相差板
１５Ａ，１５Ｂのリタデーション値が設定されている。
このため、位相差板１５Ｂ、液晶層１７Ａおよび位相差
板１５Ｂを順に透過した光のリタデーションは０ｎｍと
なり、よって、偏光板１９Ｂにより直線偏光となった光
は偏光方向が変化することなく偏光板１９Ｂ透過時の直
線偏光のままで偏光板１９Ａに達する。偏光板１９Ａ
は、前述のように透過軸が偏光板１９Ｂの透過軸と垂直
になっているため、偏光板１９Ｂ透過時の直線偏光のま
まで偏光板１９Ａに達した光は、偏光板１９Ａにおいて
遮断される。このため、輝点欠陥を有していない画素５
１，５２においては黒表示が実現される。一方、輝点欠
陥画素である画素５０では、ＴＦＴ１４に欠陥が生じて
いるため、走査信号電圧がＴＦＴ１４に印加されず、よ
って、黒表示信号電圧を画素電極８と対向電極９との間
に印加することができない。ところで、前述のように、
画素５０では接続部２０により画素電極８とゲート線３
とが直接接続されているため、ゲート線３を通して印加
された走査信号電圧と同じ電圧が画素電極８と対向電極
９との間に印加される。通常、走査信号電圧は１５〜３
０Ｖ程度であることから、画素５０の画素電極８と対向
電極９との間には、通常の黒表示信号電圧よりも高い電
圧が印加される。このように高電圧が印加されると、画
素５０の液晶層１７Ａでは液晶分子４が図１９に示すよ
うな配向状態、すなわち、液晶層１７Ａ全体において液
晶分子４の長軸がガラス基板１，２の主面の法線方向を
向いた配向状態となる。このような配向状態の液晶層１
７Ａではリタデーション値がほぼ０ｎｍとなる。ここ
で、本実施の形態では、画素５０の領域の位相差板１５
Ａ，１５Ｂが除去されているため、画素５０の領域を透
過する光については位相差板１５Ａ，１５Ｂのリタデー
ション値を考慮する必要がなく、液晶層１７Ａのリタデ
ーション値のみを考慮すればよい。したがって、この場
合、前述のように液晶層１７Ａのリタデーション値がほ
ぼ０ｎｍであるため、位相差板１５Ｂ、液晶層１７Ａお
よび位相差板１５Ａを透過した光のリタデーションはほ
ぼ０ｎｍとなる。このように位相差板１５Ａ，１５Ｂお
よび液晶層１７Ａを透過した光はリタデーションがほぼ
０ｎｍとなることから、この光は偏光板１９Ｂを透過し
て直線偏光となったままの状態で偏光板１９Ａに達す
る。したがって、この光は偏光板１９Ａで遮断され、そ
れにより、輝点欠陥を有する画素５０は黒点となって表
示される。

【００９６】このように、本実施の形態の欠陥修正方法
によれば、輝点欠陥を有する画素５０を黒点として表示
することができるため、表示において画素５０の部分が
目立つのを抑制して表示特性の向上を図ることができ、
液晶表示装置の実質的な歩留りの向上を図ることが可能
となる。

【００９７】ここで、比較のため、前述の従来行われて
いるＴＮモードの液晶表示装置における欠陥修正方法を
ＯＣＢモードの液晶表示装置に適用した場合、すなわ
ち、画素５０の領域の位相差板１５Ａ，１５Ｂを除去せ
ずに画素電極８と対向電極９との間に高電圧を印加した
場合について考える。

【００９８】前述のように、位相差板１５Ａ，１５Ｂの
リタデーション値は、液晶分子４が図５に示す配向状態
を示し液晶層１７Ａのリタデーション値が０ｎｍではな
く所定の値となる際における位相差板１５Ａ，１５Ｂお
よび液晶層１７Ａのリタデーションの合計値がほぼ０ｎ
ｍとなるように設定されているため、高電圧が印加され
て液晶分子４が図１９に示す配向状態となり液晶層１７
Ａのリタデーションがほぼ０ｎｍとなる場合には、位相
差板１５Ａ，１５Ｂおよび液晶層１７Ａのリタデーショ
ンの合計値がほぼ０ｎｍとならない。よって、この場合
には、偏光板１９Ｂを透過して直線偏光となった光は、
位相差板１５Ｂ、液晶層１７Ａおよび位相差板１５Ａを
透過する際にリタデーションが変化して偏光されるた
め、偏光板１９Ａによって遮断されずにこれを透過す
る。このように、位相差板１５Ａ，１５Ｂを除去せずに
画素電極８と対向電極９との間に高電圧を印加した場合
には、図２３に示すように、画素５０は黒表示とならず
に中間調の表示となり、それゆえ、この場合には輝点欠
陥を修正できない。

【００９９】これに対して、本実施の形態の欠陥修正方
法では、レーザ光１８により位相差板１５Ａ，１５Ｂを
除去する工程を加えるだけで従来のＴＮモードの液晶表
示装置における輝点欠陥の修正方法と同様の方法により
ＯＣＢモードの液晶表示装置の輝点欠陥を修正すること
ができ、容易に輝点欠陥を修正することができる。

【０１００】なお、本実施の形態の変形例として、輝点
欠陥を有する画素５０の領域の位相差板１５Ａ，１５Ｂ
をレーザ光１８照射以外の方法により除去してもよい。
例えば、加熱した針を画素５０の領域の位相差板１５
Ａ，１５Ｂに接触させることにより位相差板１５Ａ，１
５Ｂを溶かして除去してもよい。

【０１０１】また、本実施の形態の他の変形例として、
レーザ光１８により接続部を形成する際に、同時に画素
５０の配向膜１０Ａおよび／または配向膜１０Ｂにレー
ザ光を照射してもよい。この場合には、配向膜１０Ａお
よび／または配向膜１０Ｂがレーザ光により変質または
破壊されて黒化するため、黒化した配向膜１０Ａ／また
は１０Ｂにより光を遮光することが可能となる。このた
め、より効果的に光を遮光することができ画素５０を完
全に黒点化することが可能となる。なお、このように配
向膜を黒化する場合においては、配向膜により画素５０
における光の透過を抑制して画素５０を黒点化すること
ができるため、画素電極８とゲート電極３とを電気的に
接続して短絡させなくてもよい。このように短絡させる
必要がないため、工程数を削減して製造タクトを向上さ
せることができる。 （実施の形態２）図６（ａ），（ｂ）は、本発明の実施
の形態２にかかる液晶表示装置の液晶パネルの構成を模
式的に示す断面図である。図６（ａ），（ｂ）に示すよ
うに、本実施の形態の液晶パネルは、位相差板がＴＦＴ
アレイ基板３１および対向基板３２のいずれか一方に配
設された点を除いて、実施の形態１の液晶パネルと同様
の構成を有する。

【０１０２】図６（ａ）に示す液晶パネルでは、ＴＦＴ
アレイ基板３１側のみに位相差板１５Ｂが配設され、か
つ、輝点欠陥を有する画素５０の領域の位相差板１５Ｂ
が除去された構成となっている。また、図６（ｂ）に示
す液晶パネルでは、対向基板３２側のみに位相差板１５
Ａが配設され、かつ、輝点欠陥を有する画素５０の領域
の位相差板１５Ａが除去された構成となっている。この
ような本実施の形態の液晶パネルにおいても、実施の形
態１と同様の効果が得られる。

【０１０３】また、本実施の形態の液晶パネルでは、Ｔ
ＦＴアレイ基板３１および対向基板３２のいずれか一方
のみに位相差板を設ければよいため、製造工程を削減す
ることができるとともに、画素５０の領域の位相差板を
除去する際に実施の形態１のように液晶パネルを上下反
転させる必要がないので素早く位相差板を除去できる。
このため、液晶パネルの製造タクトを向上させることが
可能となる。

【０１０４】また、ＴＦＴアレイ基板３１側に位相差板
１５Ｂが設けられた図６（ａ）の液晶パネルでは、位相
差板１５Ｂの除去によりＴＦＴアレイ基板３１側の液晶
パネル表面が凹凸形状となるが、液晶表示装置の使用時
に使用者側となる対向基板３２側の液晶パネル表面は位
相差板が設けられていないため平坦となる。このため、
このような構成では、液晶表示装置の使用者が液晶パネ
ルに触れた時の手触りがよいので特に好ましい。 （実施の形態３）図７は本発明の実施の形態３にかかる
液晶表示装置の液晶パネルの構成を模式的に示す断面図
である。本実施の形態の液晶パネルは、輝点欠陥を有す
る画素５０の領域において、位相差板１５Ａが除去され
た部分が平坦化層２４により平坦化された点を除いて、
図６（ｂ）に示す実施の形態２の液晶パネルと同様の構
造を有する。このような本実施の形態の液晶パネルは、
以下の方法により製造する。

【０１０５】図８（ａ），（ｂ）は、本実施の形態にか
かる液晶パネルの製造方法を模式的に示す工程別断面図
である。まず、図８（ａ）に示すように、実施の形態１
において前述した方法と同様の方法により、ＴＦＴアレ
イ基板３１と対向基板３２との間に液晶層１７Ａが挟持
され対向基板３２の外面に位相差板１５Ａが配設されて
なる液晶パネル構造体を作製する。そして、自動欠陥修
正装置を用いて、この液晶パネル構造体の画像検査を行
うとともに、輝点欠陥が検出された画素５０の領域の位
相差板１５Ａを例えばレーザ光により除去する。

【０１０６】次に、位相差板１５Ａを除去した領域に平
坦化層２４の材料物質２４ａをインクジェットノズル２
５から滴下し（インクジェット方式）、この材料物質２
４ａを熱硬化させる。それにより、図８（ｂ）に示すよ
うに、位相差板１５Ａを除去した領域に平坦化層２４を
形成する。この方法によれば、位相差板１５Ａが除去さ
れた領域に精度良く材料物質２４ａを滴下することがで
きるため、画素５０の領域に容易にかつ精度良く平坦化
層２４を形成することができる。このようにして平坦化
層２４を形成することにより位相差板１５Ａおよび平坦
化層２４の連続表面を平坦化した後、位相差板１５Ａお
よび平坦化層２４の外面に偏光板１９Ａ（図７）を設け
るとともにガラス基板１の外面に偏光板１９Ｂ（図７）
を設ける。

【０１０７】以上のような方法により製造された本実施
の形態の液晶パネルでは、実施の形態２の液晶パネルと
同様の効果が得られる。また、この場合においては、位
相差板１５Ａを除去した領域が平坦化層２４により平坦
化されているため、位相差板１５Ａが形成されている側
の液晶パネル表面に観察者が触れても手触りがよい。

【０１０８】平坦化層２４は非透明であることが好まし
く、黒色であればより好ましい。平坦化層２４が非透明
である場合には、液晶層１７Ａを透過した光を平坦化層
２４において遮断することができるため、画素５０の領
域において光が透過するのをより効果的に抑制すること
が可能となる。特に、平坦化層２４が黒色である場合に
は、液晶層１７Ａを透過した光を平坦化層２４において
完全に遮断することができる。このため、画素５０を完
全に黒点化することができる。なお、この場合には、平
坦化層２４により画素５０における光の透過を抑制して
画素５０を黒点化することができるため、画素電極８と
ゲート電極３とを電気的に接続して短絡させなくても
い。このように短絡させる必要がないため、工程数を削
減でき製造タクトを向上させることができる。 （実施の形態４）図９は、本発明の実施の形態４にかか
る液晶表示装置の液晶パネルの構成を模式的に示す断面
図である。本実施の形態の液晶パネルは、以下の点を除
いて、実施の形態１の液晶パネルと同様の構造を有す
る。

【０１０９】実施の形態１の液晶パネルでは輝点欠陥を
有する画素５０の領域の位相差板１５Ａ，１５Ｂを除去
しているが、本実施の形態の液晶パネルは、画素５０の
領域の位相差板１５Ａ，１５Ｂを除去するのではなく変
質させている。このように変質された位相差板１５Ａ，
１５Ｂの領域１５ｃでは、屈折率が等方性となる。この
ため、変質された位相差板１５Ａ，１５Ｂの領域１５ｃ
ではリタデーションがほぼ０ｎｍとなり、よって、画素
５０の領域では、画素電極８と対向電極９との間に高電
圧が印加された場合における位相差板１５Ａ，１５Ｂお
よび液晶層１７Ａのリタデーションの合計値はほぼ０ｎ
ｍとなる。その結果、実施の形態１の場合と同様の効果
が得られる。

【０１１０】図１０（ａ）〜（ｄ）は、本実施の形態の
液晶パネルの製造方法を示す模式的な工程別断面図であ
る。まず、図１０（ａ）に示すように、実施の形態１と
同様の方法により、ＴＦＴアレイ基板３１と対向基板３
２との間に液晶層１７Ａが挟持され各基板３１，３２の
外面に位相差板１５Ｂ，１５Ａが配設された構造を有す
る液晶パネル構造体を作製し、自動欠陥修正装置により
この液晶パネル構造体の画像検査を行う。次に、図１０
（ｂ）に示すように、自動欠陥修正装置により、画像検
査において検出された輝点欠陥を有する画素５０の領域
の位相差板１５Ａ，１５Ｂにレーザ光１８を照射し、こ
の領域の位相差板１５Ａ，１５Ｂを変質させて図１０
（ｃ）に示すように屈折率が等方性である領域１５ｃを
形成する。最後に、図１０（ｄ）に示すように、位相差
板１５Ａ，１５Ｂの外面に偏光板１９Ａ，１９Ｂを設け
る。以上のようにして、本実施の形態の液晶パネルが製
造される。

【０１１１】なお、上記においては輝点欠陥を有する画
素５０の領域の位相差板１５Ａ，１５Ｂをレーザ光１８
により変質させてリタデーションがほぼ０ｎｍである領
域１５ｃを形成しているが、領域１５ｃのリタデーショ
ンを必ずしもほぼ０ｎｍとする必要はなく、領域１５ｃ
のリタデーションを輝点欠陥を有していない画素５１，
５２の領域の位相差板１５Ａ，１５Ｂのリタデーション
の絶対値よりも絶対値が小さくなるようにリタデーショ
ンを設定すれば上記と同様の効果が得られる。また、レ
ーザ光照射以外の方法、例えば熱により画素５０の領域
の位相差板１５Ａ，１５Ｂを変質させてもよい。 （実施の形態５）本発明の実施の形態５にかかる液晶表
示装置は、実施の形態１〜４の液晶表示装置において、
位相差板が外面に形成されたガラス基板を最適な厚さと
したものである。以下においては、本実施の形態にかか
る液晶表示装置の一例として、図６（ｂ）に示す実施の
形態２の液晶パネルと同様の構造を有し、かつ、位相差
板が外面に配設されたガラス基板の厚さが最適化された
液晶パネルを備えた液晶表示装置について説明する。

【０１１２】図１１は、本実施の形態における液晶表示
装置の液晶パネルの構造を模式的に示す断面図である。
図１１に示すように、本実施の形態の液晶パネルは、位
相差板１５Ａが設けられた側のガラス基板２の厚さｔ₁
が０ｍｍより大きく（０を含まない）０．４ｍｍ以下に
設定された点を除いて、図６（ｂ）に示す実施の形態２
の液晶パネルと同様の構造を有する。例えば、この場合
においては、ガラス基板２の厚さｔ₁は０．４ｍｍであ
り、位相差板が外面に設けられていないガラス基板１の
厚さは０．７ｍｍであり、液晶層１７Ａの厚さは５．０
μｍである。このような液晶パネルを備えた本実施の形
態の液晶表示装置においては、実施の形態１の液晶表示
装置において前述した効果と同様の効果が得られるとと
もに、さらに、液晶パネルを斜め方向、例えばガラス基
板１，２の主面の法線方向から７０°傾いた方向から観
察した場合においても、輝点欠陥を修正した部分からの
光の漏れを低減することができるため輝点は観察されな
い。

【０１１３】ここで、ガラス基板２の厚さｔ₁と輝点の
修正率との関係を検討した結果を図１２に示す。なお、
この場合の輝点とは、ガラス基板１，２の主面の法線方
向から７０°傾いた方向から液晶パネルを見た場合に観
察される輝点である。一般に、輝点欠陥を修正した部分
により遮光することができる範囲の立体角は、ガラス基
板２の厚さｔ₁の２乗に反比例する。このため、図１２
に示すように、ガラス基板２の厚さｔ₁が薄いほど輝点
の修正率が高く、０．４ｍｍ以下の範囲において修正率
は１００％となる。一方、ガラス基板２の厚さｔ₁を
０．４ｍｍよりも厚くした場合には、輝点欠陥を修正し
た部分から光が漏れるために画素５０が黒点化されずに
輝点となって観察される。

【０１１４】以上のことから、ガラス基板２の厚さｔ₁
を０ｍｍより大きくかつ０．４ｍｍ以下とすることによ
り、液晶パネルを斜めから観察した場合においても輝点
が観察されず、よって、高品位の画像を得ることが可能
となる。

【０１１５】さらに、本実施の形態の変形例として、バ
ックライトユニット５０５（図示せず）と液晶パネルと
の間に集光板を配設してもよい。

【０１１６】図１３は、本実施の形態の変形例における
液晶表示装置の液晶パネルの構造を模式的に示す断面図
である。図１３に示すように、本例では、液晶パネルと
バックライトユニット５０５との間に集光板２１が配設
される。集光板２１としては、例えばプリズムシート等
が用いられる。このような構成においては、バックライ
トユニット５０５から供給された光を液晶パネルの正面
方向に集光させて液晶パネルに入射させることが可能と
なるため、液晶表示装置を斜めから見た場合においても
輝点欠陥を修正した部分からの光の漏れを低減すること
が可能となり輝点が観察されなくなる。例えば、ガラス
基板１，２の主面の法線方向から８０°傾いた方向から
液晶表示装置を観察した場合においても、輝点欠陥を有
する画素５０は黒点化されており輝点は観察されない。 （実施の形態６）図１４および図１５は、本発明の実施
の形態６にかかる液晶表示装置を構成する液晶パネルの
構造を模式的に示す図であり、図１４は透視的な平面図
であり、図１５は図１４のXV−XV’線における断面図で
ある。図１４および図１５に示すように、本実施の形態
の液晶パネルは、以下の点を除いて、図２および図３に
示す実施の形態１の液晶パネルと同様の構造を有する。

【０１１７】本実施の形態の液晶パネルでは、画素電極
８とゲート線３とを電気的に接続させるための接続部が
形成されておらず、また、輝点欠陥を有する画素５０の
領域において、対向基板３２のガラス基板２が所定深さ
まで除去されて画素５０とほぼ同じ大きさの凹部が形成
されている。凹部の底面には遮光層２７が形成され、こ
の遮光層２７上には、凹部を埋めて表面を平坦化するよ
うに平坦化層２８が形成されている。この平坦化層２８
は、遮光層２７と異なる光の透過率を有する。

【０１１８】このような液晶パネルの製造時には、ま
ず、図１６（ａ）に示すように、実施の形態１と同様の
方法により、ＴＦＴアレイ基板３１と対向基板３２との
間に液晶層１７Ａが挟持された構成を有する液晶パネル
構造体を作製し、自動欠陥修正装置により、この液晶パ
ネル構造体の画像検査を行う。その後、図１６（ｂ）に
示すように、自動欠陥修正装置により、画像検査におい
て輝点が観察された画素５０の領域のガラス基板２の表
面に例えばエキシマレーザ光を照射し、この領域のガラ
ス基板２を除去して凹部を形成する。そして、自動欠陥
修正装置により、遮光層構成材料をインクジェット法を
用いてこの凹部内に滴下し、これを熱硬化させて遮光層
２７を形成する。さらに、自動欠陥修正装置により、平
坦化層構成材料をインクジェット法を用いて凹部が平坦
化するまで凹部内の遮光層２７上に滴下し、これを熱硬
化させて平坦化層２８を形成する。その後、ガラス基板
２上および平坦化層２８上に位相差板１５Ａと偏光板１
９Ａとをこの順で配設するとともに、ガラス基板１上に
位相差板１５Ｂと偏光板１９Ｂとをこの順で配設する。

【０１１９】次に、本実施の形態の液晶表示装置の表示
動作について説明する。ここでは、ノーマリーホワイト
モードから電圧を印加して黒表示を行う場合について説
明する。この場合、輝点欠陥を有さない画素５１，５２
における表示動作は、実施の形態１の画素５１，５２に
おける表示動作と同様である。一方、ＴＦＴ１４が欠陥
を有するために輝点欠陥画素となった画素５０は、以下
の表示動作を示す。

【０１２０】画素５０では、ＴＦＴ１４が欠陥を有する
ため、正常な画素５１，５２のようにＴＦＴ１４により
黒表示信号電圧を画素電極８と対向電極９との間に印加
することができない。このため、画素５１，５２のよう
に液晶層１７Ａ中の液晶分子４の配向状態を変化させて
液晶層１７Ａのリタデーションを変化させることができ
ず、それゆえ、画素５１，５２において液晶層１７Ａお
よび位相差板１５Ａ，１５Ｂのリタデーションの合計値
がほぼ０となる際にも、画素５０ではリタデーションの
合計値がほぼ０にならない。このことから、画素５０に
おいては、画素５１，５２におけるように、液晶層１７
Ａおよび位相差板１５Ａ，１５Ｂにおけるリタデーショ
ンの合計値をほぼ０とすることにより偏光板１９Ａで光
を遮断することはできない。

【０１２１】ここで、本実施の形態の液晶パネルでは、
前述のように、画素５０の領域のガラス基板２に凹部が
形成されるとともにこの凹部内に遮光層２７が形成され
ているため、画素５０の領域では、液晶層１７Ａを透過
してガラス基板２に達した光が遮光層２７により遮断さ
れる。したがって、画素５０は表示画面において輝点と
はならずに黒点となる。それゆえ、本実施の形態におい
ても、実施の形態１と同様の効果が得られる。

【０１２２】また、この場合においては、画素電極８と
対向電極９とを電気的に接続させるための接続部を形成
する必要がないため、容易に輝点欠陥の修正を行うこと
が可能となり装置の製造タクトの向上を図ることが可能
となる。

【０１２３】なお、特に、本実施の形態において、遮光
層２７の厚さは平坦化層２８の厚さよりも薄くすること
が好ましい。それにより、液晶パネルをガラス基板１，
２の主面の法線方向から傾いた方向、例えば法線方向か
ら８０°傾いた方向から斜めに観察した場合にも画素５
０を黒点化することができ輝点が観察されることはな
く、さらに、画素５０に隣接する正常な画素５１，５２
まで黒点として見えるのを防止することができる。

【０１２４】なお、上記の実施の形態１〜６において
は、ＯＣＢモードの液晶表示装置について説明したが、
本発明はＴＮモードの液晶表示装置においても適用可能
である。また、上記の実施の形態１〜６にかかる液晶表
示装置は、観察者が液晶パネルを直接観察するものであ
ってもよく、あるいは、表示をスクリーン等に投射する
投射型のものであってもよい。さらに、上記の実施の形
態１〜６においては透過型液晶表示装置について説明し
たが、本発明を反射型および半透過型液晶表示装置に適
用してもよい。

【０１２５】

【発明の効果】本発明は、以上に説明したような形態で
実施され、高品位で歩留りの高い液晶表示装置を提供で
きるという効果を奏する。したがって、本発明は工業的
価値が大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１にかかる液晶表示装置の
構成を示す模式的なブロック図である。

【図２】図１の液晶表示装置を構成する液晶パネルの構
造を模式的に示す透視的平面図である。

【図３】図２の液晶パネルの切断線における模式的な断
面図である。

【図４】図２の液晶パネルの製造方法を模式的に示す工
程別断面図である。

【図５】黒表示における液晶分子の配向状態を模式的に
示す断面図である。

【図６】本発明の実施の形態２にかかる液晶表示装置を
構成する液晶パネルの構造を模式的に示す断面図であ
る。

【図７】本発明の実施の形態３にかかる液晶表示装置を
構成する液晶パネルの構造を模式的に示す断面図であ
る。

【図８】図７の液晶パネルの製造方法を模式的に示す工
程別断面図である。

【図９】本発明の実施の形態４にかかる液晶表示装置を
構成する液晶パネルの構造を模式的に示す断面図であ
る。

【図１０】図９の液晶パネルの製造方法を模式的に示す
工程別断面図である。

【図１１】本発明の実施の形態５にかかる液晶表示装置
を構成する液晶パネルの構造を模式的に示す断面図であ
る。

【図１２】位相差板が配設された側のガラス基板の厚さ
と輝点の修正率との関係を示す図である。

【図１３】実施の形態５の変形例における液晶表示装置
を構成する液晶パネルの構造を模式的に示す断面図であ
る。

【図１４】本発明の実施の形態６にかかる液晶表示装置
を構成する液晶パネルの構造を模式的に示す透視的な平
面図である。

【図１５】図１４の液晶パネルの切断線における模式的
な断面図である。

【図１６】図１４の液晶パネルの製造方法を模式的に示
す工程別断面図である。

【図１７】従来のＴＮモードの液晶表示装置を構成する
液晶パネルの構造を模式的に示す透視的平面図である。

【図１８】図１７の液晶パネルの切断線における断面図
である。

【図１９】図１７の液晶パネルにおける輝点欠陥の修正
方法を説明するための透視的平面図である。

【図２０】図１９の液晶パネルの切断線における断面図
である。

【図２１】図１７の液晶パネルにおける透過率と印加電
圧との関係を示す図である。

【図２２】従来のＯＣＢモードの液晶表示装置を構成す
る液晶パネルの構造を模式的に示す断面図である。

【図２３】ＯＣＢモードの液晶表示装置において黒表示
を行った場合における液晶パネルの状態を模式的に示す
断面図である。

【符号の説明】 １ ＴＦＴアレイ基板 ２ 対向基板 ３ ゲート線 ４ 液晶分子 ６ 第１絶縁層 ７ 第２絶縁層 ８ 画素電極 ９ 対向電極 １０Ａ，１０Ｂ 配向膜 １１ ブラックマトリックス １２ カラーフィルタ １３ ソース線 １４ ＴＦＴ １５Ａ，１５Ｂ 位相差板 １５Ｃ 変質後の位相差板 １７Ａ，１７Ｂ 液晶層 １８ レーザ光 １９Ａ，１９Ｂ 偏光板 ２０ 接続部 ２１ 集光板 ２２ バックライトユニット ２４，２８ 平坦化層 ２５ インクジェットノズル ２７ 遮光層 ５０ 輝点欠陥画素 ５１，５２ 正常な画素 ５０５ バックライトユニット

フロントページの続き (72)発明者 中尾 健次 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H088 FA13 FA14 GA02 HA16 HA28 JA04 KA07 MA20 2H091 FA11X FA11Z FA41Z HA06 KA02 LA30

Claims (33)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の基板の間に液晶層が挟持され、前
   記一対の基板の外面の少なくとも一方に位相差板が配設
   されてなる液晶パネルと、前記液晶パネルの背面から前
   記液晶層に表示用の光を照射する照明構造とを備え、前
   記液晶層を変調させて前記液晶層および前記位相差板に
   おけるリタデーションを用いて前記表示用の光の前記液
   晶パネルにおける透過率を制御することによって表示を
   行う液晶表示装置において、 前記液晶パネルは複数の画素を備え、前記複数の画素は
   輝点欠陥を有する輝点欠陥画素を含み、 前記輝点欠陥画素の領域の前記位相差板のリタデーショ
   ンの絶対値が、前記輝点欠陥画素以外の画素の領域の前
   記位相差板のリタデーションの絶対値よりも小さいこと
   を特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記液晶表示装置の黒表示時に前記輝点
   欠陥画素以外の画素における前記位相差板および前記液
   晶層のリタデーションの合計値がほぼ０となるように前
   記位相差板および前記液晶層のリタデーションが設定さ
   れ、前記輝点欠陥画素領域における前記位相差板のリタ
   デーション値がほぼ０ｎｍである請求項１記載の液晶表
   示装置。
3. 【請求項３】 前記輝点欠陥画素は半導体スイッチ素子
   の欠陥に起因して輝点欠陥が生じ、前記輝点欠陥画素領
   域では、前記位相差板が除去されるとともに、画素電極
   が前記半導体スイッチ素子を制御するためのゲート線と
   電気的に接続された請求項２記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記輝点欠陥画素の前記位相差板が除去
   された領域に平坦化層が形成された請求項３記載の液晶
   表示装置。
5. 【請求項５】 前記平坦化層は非透明である請求項４記
   載の液晶表示装置。
6. 【請求項６】 前記平坦化層は黒色である請求項４記載
   の液晶表示装置。
7. 【請求項７】 前記輝点欠陥画素は半導体スイッチ素子
   の欠陥に起因して輝点欠陥が生じ、前記輝点欠陥画素領
   域では、前記位相差板が変質しているとともに、画素電
   極が前記半導体スイッチ素子を制御するためのゲート線
   と電気的に接続された請求項２記載の液晶表示装置。
8. 【請求項８】 前記位相差板が、前記一対の基板の外面
   のいずれか一方に配設された請求項１記載の液晶表示装
   置。
9. 【請求項９】 前記位相差板が、前記液晶パネルの背面
   側の前記基板の外面に配設された請求項８記載の液晶表
   示装置。
10. 【請求項１０】 前記液晶パネルと前記照明構造との間
    に集光構造が配設された請求項１記載の液晶表示装置。
11. 【請求項１１】 前記位相差板が配設された前記基板に
    含まれる基材の厚さが０ｍｍより大きく０．４ｍｍ以下
    である請求項１記載の液晶表示装置。
12. 【請求項１２】 内面に配向膜がそれぞれ配設された一
    対の基板の間に液晶層が挟持された液晶パネルと、前記
    液晶パネルの背面から前記液晶層に表示用の光を照射す
    る照明構造とを備え、前記液晶層を変調させて前記表示
    用の光の前記液晶パネルにおける透過率を制御すること
    によって表示を行う液晶表示装置において、 前記液晶パネルは複数の画素を備え、前記複数の画素は
    輝点欠陥を有する輝点欠陥画素を含み、 前記輝点欠陥画素の領域の前記一対の基板の内面に配設
    された配向膜の少なくとも一方が変質または破壊されて
    遮光性となった液晶表示装置。
13. 【請求項１３】 一対の基板の間に液晶層が挟持された
    液晶パネルと、前記液晶パネルの背面から前記液晶層に
    表示用の光を照射する照明構造とを備え、前記液晶層を
    変調させて前記表示用の光の前記液晶パネルにおける透
    過率を制御することによって表示を行う液晶表示装置に
    おいて、 前記液晶パネルは複数の画素を備え、前記複数の画素は
    輝点欠陥を有する輝点欠陥画素を含み、 前記輝点欠陥画素の領域は、前記一対の基板の各々に含
    まれる基材の少なくとも一方が外面に凹部を有するとと
    もに、前記凹部内に遮光層が配設された液晶表示装置。
14. 【請求項１４】 前記凹部内において、前記遮光層が前
    記凹部の底部に形成され、前記遮光層上に前記遮光層と
    異なる光の透過率を有する平坦化層が積層された請求項
    １３記載の液晶表示装置。
15. 【請求項１５】 前記遮光層の厚さが前記平坦化層の厚
    さよりも小さい請求項１４記載の液晶表示装置。
16. 【請求項１６】 前記液晶パネルの前記液晶層を構成す
    る液晶分子がベンド配向した請求項１、１２および１３
    のいずれかに記載の液晶表示装置。
17. 【請求項１７】 前記液晶パネルが投射型である請求項
    １、１２および１３のいずれかに記載の液晶表示装置。
18. 【請求項１８】 一対の基板の間に液晶層が挟持され、
    前記一対の基板の外面の少なくとも一方に位相差板が配
    設されてなる液晶パネルと、前記液晶パネルの背面から
    前記液晶層に表示用の光を照射する照明構造とを備え、
    前記液晶層を変調させて前記液晶層および前記位相差板
    におけるリタデーションを用いて前記表示用の光の前記
    液晶パネルにおける透過率を制御することによって表示
    を行う液晶表示装置における欠陥の修正方法であって、 前記液晶表示装置の画像を検査して前記液晶パネルの輝
    点欠陥画素を検出する画像検査工程と、 前記画像検査工程で検出した前記輝点欠陥画素の領域の
    位相差板のリタデーションの絶対値を、前記欠陥画素以
    外の画素領域の位相差板のリタデーションの絶対値より
    も小さくする位相差板リタデーション調整工程と、 前記輝点欠陥画素の領域において、画素電極とゲート線
    とを電気的に短絡させる画素電極短絡工程とを含むこと
    を特徴とする液晶表示装置の欠陥修正方法。
19. 【請求項１９】 前記位相差板リタデーション調整工程
    は、前記輝点欠陥画素領域の位相差板を除去する位相差
    板除去工程を含む請求項１８記載の液晶表示装置の欠陥
    修正方法。
20. 【請求項２０】 前記位相差板除去工程は、前記輝点欠
    陥画素領域の位相差板をレーザ光を用いて切断し、前記
    切断された位相差板を剥離させる工程を含む請求項１９
    記載の液晶表示装置の欠陥修正方法。
21. 【請求項２１】 前記位相差板除去工程は、前記輝点欠
    陥画素領域の位相差板を加熱して溶融させて除去する工
    程を含む請求項１９記載の液晶表示装置の欠陥修正方
    法。
22. 【請求項２２】 前記位相差板リタデーション調整工程
    は、前記位相差板除去工程の後、前記輝点欠陥画素領域
    の位相差板除去部に平坦化層を形成する位相差板除去部
    平坦化工程をさらに含む請求項１９記載の液晶表示装置
    の欠陥修正方法。
23. 【請求項２３】 前記位相差板除去部平坦化工程は、前
    記輝点欠陥画素領域の位相差板除去部にインクジェット
    方式により平坦化層材料を滴下して平坦化層を形成する
    工程を含む請求項２２記載の液晶表示装置の欠陥修正方
    法。
24. 【請求項２４】 前記位相差板リタデーション調整工程
    は、前記輝点欠陥画素領域の位相差板を変質させる位相
    差板変質工程を含む請求項１８記載の液晶表示装置の欠
    陥修正方法。
25. 【請求項２５】 前記位相差板変質工程は、前記輝点欠
    陥画素領域の位相差板をレーザ光により変質させる工程
    を含む請求項２４記載の液晶表示装置の欠陥修正方法。
26. 【請求項２６】 前記位相差板変質工程は、前記輝点欠
    陥画素領域の位相差板を熱により変質させる工程を含む
    請求項２４記載の液晶表示装置の欠陥修正方法。
27. 【請求項２７】 内面に配向膜がそれぞれ配設された一
    対の基板の間に液晶層が挟持された液晶パネルと、前記
    液晶パネルの背面から前記液晶層に表示用の光を照射す
    る照明構造とを備え、前記液晶層を変調させて前記表示
    用の光の前記液晶パネルにおける透過率を制御すること
    によって表示を行う液晶表示装置における欠陥の修正方
    法であって、 前記液晶表示装置の画像を検査して前記液晶パネルの輝
    点欠陥画素を検出する画像検査工程と、 前記画像検査工程で検出した前記輝点欠陥画素の領域の
    前記一対の基板の内面に配設された配向膜の少なくとも
    一方を変質させるかまたは破壊して遮光性とする配向膜
    処理工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の欠陥
    修正方法。
28. 【請求項２８】 前記配向膜処理工程は、レーザ光を用
    いて行う請求項２７記載の液晶表示装置の欠陥修正方
    法。
29. 【請求項２９】 一対の基板の間に液晶層が挟持された
    液晶パネルと、前記液晶パネルの背面から前記液晶層に
    表示用の光を照射する照明構造とを備え、前記液晶層を
    変調させて前記表示用の光の前記液晶パネルにおける透
    過率を制御することによって表示を行う液晶表示装置に
    おける欠陥の修正方法であって、 前記液晶表示装置の画像を検査して前記液晶パネルの輝
    点欠陥画素を検出する画像検査工程と、 前記画像検査工程で検出した前記輝点欠陥画素の領域の
    前記一対の基板の各々に含まれる基材の少なくとも一方
    において外面に凹部を形成する凹部形成工程と、 前記凹部内に遮光層を形成する遮光層形成工程とを含む
    ことを特徴とする液晶表示装置の欠陥修正方法。
30. 【請求項３０】 前記輝点欠陥画素領域の前記凹部内に
    平坦化層を形成する平坦化層形成工程をさらに含む請求
    項２９記載の液晶表示装置の欠陥修正方法。
31. 【請求項３１】 一対の基板の間に液晶層が挟持され、
    前記一対の基板の外面の少なくとも一方に位相差板が配
    設されてなる液晶パネルと、前記液晶パネルの背面から
    前記液晶層に表示用の光を照射する照明構造とを備え、
    前記液晶層を変調させて前記液晶層および前記位相差板
    におけるリタデーションを用いて前記表示用の光の前記
    液晶パネルにおける透過率を制御することによって表示
    を行う液晶表示装置における欠陥を修正する欠陥修正装
    置であって、 前記液晶表示装置の画像を検査して前記液晶パネルの輝
    点欠陥画素を検出する画像検査工程と、 前記画像検査工程で検出した前記輝点欠陥画素の領域の
    位相差板のリタデーションの絶対値を、前記欠陥画素以
    外の画素領域の位相差板のリタデーションの絶対値より
    も小さくする位相差板リタデーション調整工程と、 前記輝点欠陥画素の領域において、画素電極とゲート線
    とを電気的に短絡させる画素電極短絡工程とを含む欠陥
    修正方法を自動的に行うことを特徴とする液晶表示装置
    の欠陥修正装置。
32. 【請求項３２】 内面に配向膜がそれぞれ配設された一
    対の基板の間に液晶層が挟持された液晶パネルと、前記
    液晶パネルの背面から前記液晶層に表示用の光を照射す
    る照明構造とを備え、前記液晶層を変調させて前記表示
    用の光の前記液晶パネルにおける透過率を制御すること
    によって表示を行う液晶表示装置における欠陥を修正す
    る欠陥修正装置であって、 前記液晶表示装置の画像を検査して前記液晶パネルの輝
    点欠陥画素を検出する画像検査工程と、 前記画像検査工程で検出した前記輝点欠陥画素の領域の
    前記一対の基板の内面に配設された配向膜の少なくとも
    一方を変質させるかまたは破壊して遮光性とする配向膜
    処理工程とを含む欠陥修正方法を自動的に行うことを特
    徴とする液晶表示装置の欠陥修正装置。
33. 【請求項３３】 一対の基板の間に液晶層が挟持された
    液晶パネルと、前記液晶パネルの背面から前記液晶層に
    表示用の光を照射する照明構造とを備え、前記液晶層を
    変調させて前記表示用の光の前記液晶パネルにおける透
    過率を制御することによって表示を行う液晶表示装置に
    おける欠陥を修正する欠陥修正装置であって、 前記液晶表示装置の画像を検査して前記液晶パネルの輝
    点欠陥画素を検出する画像検査工程と、 前記画像検査工程で検出した前記輝点欠陥画素の領域の
    前記一対の基板の各々に含まれる基材の少なくとも一方
    において外面に凹部を形成する凹部形成工程と、 前記凹部内に遮光層を形成する遮光層形成工程とを含む
    欠陥修正方法を自動的に行うことを特徴とする液晶表示
    装置の欠陥修正装置。