KR101152555B1 - 액정패널의 리페어패턴 형성장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 액정패널의 리페어패턴 형성방법은 복수의 라인이 형성된 액정패널을 검사하는 단계와, 액정패널에 불량이 발생했을 경우 원료가스가 충진된 챔버내에 액정패널을 위치시키는 단계와, 패턴된 슬릿이 형성된 마스크를 이용하여 상기 액정패널에 레이저를 조사하여 리페어패턴을 형성하는 단계로 구성된다. 상기 패턴된 슬릿은 형성될 리페어패턴의 길이방향을 따라 연장되며, 레이저의 조사는 형성될 슬릿을 이용하여 형성될 리페어패턴의 폭방향으로 스캔함으로써 이루어진다.
액정패널, 리페어패턴, 레이저 CVD, 슬릿, 스캔

Description

액정패널의 리페어패턴 형성장치 및 방법{AN APPARATUS AND METHOD OF REPAIRING A PATTERN}
도 1은 일반적인 액정표시소자의 단면도.
도 2는 액정표시소자를 제조하는 종래의 방법을 나타내는 흐름도.
도 3은 액정패널에서 불량이 발생한 라인을 리페어하는 종래 방법을 나타내는 도면.
도 4는 리페어패턴이 형성된 본 발명의 액정패널을 나타내는 도면.
도 5a는 도 4의 A-A'선 단면도.
도 5b는 도 4의 B-B'선 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 레이저 CVD장치를 나타내는 도면.
도 7a 및 도 7b는 슬릿이 형성된 마스크를 나타태는 도면.
도 8a는 레이저 CVD에 의해 리페어패턴을 형성하는 종래 방법을 나타내는 도면.
도 8b는 레이저 CVD에 의해 리페어패턴을 형성하는 본 발명의 방법을 나타내는 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
112 : 게이트라인 114 : 데이터라인
154 : 리페어패턴 200 : 챔버
202 : 창 231 : 원료공급탱크
240 : 마스크 242 : 슬릿
250 : 레이져
본 발명은 액정패널의 리페어패턴 형성장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 패턴된 넓은 영역의 슬릿을 이용하여 레이저 CVD장비에 의해 패턴을 형성함으로써 신속하게 패턴을 리페어할 수 있는 리페어패턴 형성장치 및 방법에 관한 것이다.
근래, 핸드폰(Mobile Phone), PDA, 노트북컴퓨터와 같은 각종 휴대용 전자기기가 발전함에 따라 이에 적용할 수 있는 경박단소용의 평판표시장치(Flat Panel Display Device)에 대한 요구가 점차 증대되고 있다. 이러한 평판표시장치로는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), FED(Field Emission Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display) 등이 활발히 연구되고 있지만, 양산화 기술, 구동수단의 용이성, 고화질의 구현이라는 이유로 인해 현재에는 액정표시소자(LCD)가 각광을 받고 있다.
LCD는 액정의 굴절률 이방성을 이용하여 화면에 정보를 표시하는 장치이다. 도 1에 도시된 바와 같이, LCD(1)는 하부기판(5)과 상부기판(3) 및 상기 하부기판(5)과 상부기판(3) 사이에 형성된 액정층(7)으로 구성되어 있다. 하부기판(5)은 구 동소자 어레이(Array)기판이다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 하부기판(5)에는 복수의 화소가 형성되어 있으며, 각각의 화소에는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor;이하, TFT라 한다)와 같은 구동소자가 형성되어 있다. 상부기판(3)은 컬러필터(Color Filter)기판으로서, 실제 컬러를 구현하기 위한 컬러필터층이 형성되어 있다. 또한, 상기 하부기판(5) 및 상부기판(3)에는 각각 화소전극 및 공통전극이 형성되어 있으며 액정층(7)의 액정분자를 배향하기 위한 배향막이 도포되어 있다.
상기 하부기판(5) 및 상부기판(3)은 실링재(Sealing Material)(9)에 의해 합착되어 있으며, 그 사이에 액정층(7)이 형성되어 상기 하부기판(5)에 형성된 구동소자에 의해 액정분자를 구동하여 액정층을 투과하는 광량을 제어함으로써 정보를 표시하게 된다.
액정표시소자의 제조공정은 크게 하부기판(5)에 구동소자를 형성하는 구동소자 어레이기판공정과 상부기판(3)에 컬러필터를 형성하는 컬러필터기판공정 및 셀(Cell)공정으로 구분될 수 있는데, 이러한 액정표시소자의 공정을 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
우선, 구동소자 어레이공정에 의해 하부기판(5)상에 배열되어 화소영역을 정의하는 복수의 게이트라인(Gate Line) 및 데이터라인(Date Line)을 형성하고 상기 화소영역 각각에 상기 게이트라인과 데이터라인에 접속되는 구동소자인 박막트랜지스터를 형성한다(S101). 또한, 상기 구동소자 어레이공정을 통해 상기 박막트랜지스터에 접속되어 박막트랜지스터를 통해 신호가 인가됨에 따라 액정층을 구동하는 화소전극을 형성한다.
또한, 상부기판(3)에는 컬러필터공정에 의해 컬러를 구현하는 R,G,B의 컬러필터층과 공통전극을 형성한다(S104).
이어서, 상기 상부기판(3) 및 하부기판(5)에 각각 배향막을 도포한 후 상부기판(3)과 하부기판(5) 사이에 형성되는 액정층의 액정분자에 배향규제력 또는 표면고정력(즉, 프리틸트각(Pretilt Angel)과 배향방향)을 제공하기 위해 상기 배향막을 러빙(Rubbing)한다(S102,S105). 그 후, 하부기판(5)에 셀갭(Cell Gap)을 일정하게 유지하기 위한 스페이서(Spacer)를 산포하고 상부기판(3)의 외곽부에 실링재(9)를 도포한 후 상기 하부기판(5)과 상부기판(3)에 압력을 가하여 합착한다(S103,S106,S107).
한편, 상기 하부기판(5)과 상부기판(3)은 대면적의 유리기판으로 이루어져 있다. 다시 말해서, 대면적의 유리기판에 복수의 패널(Panel)영역이 형성되고, 상기 패널영역 각각에 구동소자인 TFT 및 컬러필터층이 형성되기 때문에 낱개의 액정패널을 제작하기 위해서는 상기 유리기판을 절단, 가공해야만 한다(S108). 이후, 상기와 같이 가공된 개개의 액정패널에 액정주입구를 통해 액정을 주입하고 상기 액정주입구를 봉지하여 액정층을 형성한 후 각 액정패널을 검사함으로써 액정패널을 제작하게 된다(S109,S110).
액정패널의 검사는 전기적 점등검사와 외관 검사등으로 구분할 수 있다. 이러한 검사를 통해 액정패널의 전기소자 및 패턴에 이상이 있는지를 검사하는 것이다. 통상적으로 치명적인 불량이 발생한 액정패널은 폐기처분한다. 하지만, 라인의 단선이나 단락과 같은 불량이 발생하는 경우, 액정패널을 폐기처분한다는 것은 매우 심한 낭비가 되므로, 이와 같은 라인의 단선이나 단락은 리페어공정을 통해 불량을 제거하여 양품으로 만든다.
도 3은 패턴이 단선되었을 때의 종래 리페어방법을 간략하게 나타내는 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 액정패널내의 어레이영역(30)내에는 복수의 게이트라인(12) 및 데이터라인(14)이 배열되어 화소영역을 정의하고 각각의 화소영역에는 박막트랜지스터(20)와 화소전극이 배치된다.
또한, 상기 어레이영역(30) 주변에는 폐회로 또는 2개의 리페어라인(35,36)이 형성되어 있다. 이러한 구조의 액정패널에서 예를 들어, 데이터라인(14)의 특정부위(X)가 단선되는 경우(X) 어레이부(30) 주변에서 리페어라인(35)과 상기 단선된 부위(X)의 데이터라인(14) 일측을 연결하고 반대편에서도 리페어라인(35)과 단선된 부위(X)의 데이터라인(14) 타측을 전기적으로 연결하여 단선된 데이터라인으로 신호가 인가될 경우 상기 리페어라인(35)을 통해 신호가 전달되도록 한다.
그러나, 상기와 같은 리페어방법에는 다음과 같은 문제가 발생한다.
리페어라인을 어레이부 주변을 따라 형성할 경우, 리페어라인의 저항에 의해 신호의 지연이 생기게 된다. 더욱이, 근래 액정패널의 크기가 증가하는 추세에 따라 이러한 저항은 더욱 커지게 된다.
본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 리페어패턴을 불량이 발 생한 라인의 주위에 패턴된 슬릿을 이용하여 레이저 CVD법에 의해 형성함으로써 제조공정시간을 단축시킬 수 있는 액정패널의 리페어패턴 형성장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 액정패널의 리페어패턴 형성장치는 원료가스가 충진되며, 복수의 라인을 포함하는 액정패널이 위치하는 챔버와, 레이저빔을 출력하여 불량이 발생한 라인을 리페어하는 리페어패턴을 형성하는 레이저와, 상기 액정패널 위에 위치하며, 패턴된 슬릿이 형성되어 상기 슬릿을 통해 레이저빔을 액정패널에 조사하는 마스크로 구성된다.
원료가스는 W(CO)6 또는 Mo(CO)6이며 레이저는 장파장 펄스레이저를 사용한다. 상기 패턴된 슬릿은 형성될 리페어패턴의 길이방향을 따라 연장될 수도 있고 리페어패턴의 형상을 따라 형성될 수도 있다.
또한, 본 발명에 따른 액정패널의 리페어패턴 형성방법은 복수의 라인이 형성된 액정패널을 검사하는 단계와, 액정패널에 불량이 발생했을 경우 원료가스가 충진된 챔버내에 액정패널을 위치시키는 단계와, 패턴된 슬릿이 형성된 마스크를 이용하여 상기 액정패널에 레이저를 조사하여 리페어패턴을 형성하는 단계로 구성된다.
상기 패턴된 슬릿은 형성될 리페어패턴의 길이방향을 따라 연장되며, 레이저의 조사는 형성될 슬릿을 이용하여 형성될 리페어패턴의 폭방향으로 스캔함으로써 이루어진다.
본 발명에서는 리페어라인을 어레이부주변에 별도로 형성하지 않고 불량 발생주위에 형성한다. 특히, 본 발명에서는 레이저CVD법에 의해 리페어패턴을 형성하여 불량패턴을 리페어하므로 저온에서 고순도의 패턴을 형성할 수 있게 된다. 더욱이, 본 발명에서는 패턴된 슬릿이 형성된 마스크를 이용하여 패턴을 증착하기 때문에, 신속한 리페어패턴의 형성이 가능하게 된다. 이러한 리페어는 게이트라인이나 데이터라인이 단선된 경우 뿐만 아니라 게이트라인과 데이터라인이 단락된 경우에는 유용하게 된다.
도 4는 본 발명에서 게이트라인과 데이터라인이 단선되었을 때 리페어패턴을 형성한 것을 나타내는 도면이다. 이때, 도면은 액정패널의 일부 영역, 즉 하나의 화소영역만을 도시하였다. 도 4에 도시된 바와 같이, 게이트라인(112)과 데이터라인(114)은 서로 수직으로 교차되어 화소영역을 정의한다. 상기 게이트라인(112)과 데이터라인(114)의 교차영역에는 게이트전극(121), 상기 게이트전극(121) 위에 형성된 반도체층(122), 상기 반도체층(122) 위에 형성된 소스전극(124) 및 드레인전극(125)으로 구성된 박막트랜지스터(120)가 형성되어 있고 에 의해 정의되는 화소영역에는 화소전극(128)이 형성되어 있다. 상기 화소전극(128)은 박막트랜지스터(120)를 통해 외부로부터 화상신호가 인가되는 것으로, 절연층(도면표시하지 않음)에 형성된 컨택층(129)을 통해 박막트랜지스터(120)의 드레인전극(125)과 전기적으로 접속된다.
상기와 같이 구성된 액정패널에서 게이트라인(112)과 데이터라인(114) 사이 에 단락이 발생하는 경우, 본 발명에서는 상기 단락지점에 인근의 두지점의 데이터라인(114)을 단선하고 단선된 데이터라인(114)과 접속되어 우회하는 별도의 리페어패턴(154)을 형성하여 단선된 데이터라인(114)을 전기적으로 접속시킨다. 이때, 상기 리페어패턴(154)은 데이터라인(114)을 우회하지 않고 직접 그 위에(물론, 데이터라인(114)에 형성된 절연층 위에) 형성할 수도 있을 것이다.
도 5a 및 도 5b는 도 4의 A-A'선 및 B-B'선 단면도이다. 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 투명한 유리기판으로 이루어진 제1기판(160) 위에 게이트라인(112)이 형성되어 있으며, 그 위에 게이트절연층(162)이 형성되어 있다. 상기 게이트절연층(162) 위에는 게이트라인(112)과 직교하는 데이터라인(114)이 형성되어 있으며, 그 위에 보호층(164)이 형성된다. 이때, 상기 게이트라인(112) 위의 게이트절연층(162)은 그 일부가 파손되어 게이트라인(112)과 데이터라인(114)에 단락이 발생되어 있다. 상기 단락발생지점을 중심으로 그 주위의 데이터라인(114)에는 오픈영역(152)이 형성되어 데이터라인(114)을 단선한다.
보호층(164) 위에는 리페어패턴(154)이 형성되어 있다. 상기 리페어패턴(154)은 보호층(164)에 형성된 컨택홀(153)을 통해 단선된 데이터라인(114)과 접속되어 상기 단선된 데이터라인(114)을 전기적으로 연결시킨다.
한편, 제2기판(170)에는 화상비표시영역으로 광이 투과되어 화질이 저하되는 것을 방지하기 위한 블랙매트릭스(172)와 실제 컬러를 구현하기 위한 컬러필터층(174)이 형성되어 있으며, 상기 제1기판(160)과 제2기판(170) 사이에 액정층(180)이 형성된다.
상기와 같이, 본 발명에서는 게이트라인(112)이나 데이터라인(114)과 같은 패턴에 불량이 발생하는 경우 불량이 발생한 라인(112,114) 위의 절연층에 리페어패턴을 형성하거나 불량발생지점을 우회하는 "ㄷ"형태의 패턴라인을 형성함으로써 액정패널에 불량이 발생하는 것을 방지한다.
상기한 설명에서는 이러한 리페어패턴(154)이 게이트라인(112)과 데이터라인(114)의 단락불량을 제거하기 위해 형성되지만, 게이트라인(112)이나 데이터라인(114)의 단선불량을 해결하기 위해 형성될 수도 있을 것이다. 이 경우, 인위적으로 해당 라인을 단선할 필요는 없으며, 리페어패턴(154)은 단선된 라인 위에 형성되거나 우회적으로 형성될 것이다.
상기 리페어라인(154)은 레이저 CVD법에 의해 형성되는데, 이러한 레이저 CVD를 실행하는 장비가 도 6에 도시되어 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 진공챔버(200)에는 액정패널(100)이 놓여 있는 작업대(210)가 구비되어 있다. 상기 진공챔버(200)의 상부에는 투명한 창(202)이 형성되어 외부로부터 레이저빔이 액정패널(100)로 입사되며, 일측에는 진공펌프(212)와 연결되어 챔버(200)를 진공상태로 유지하는 배기라인(212)이 형성되어 있다.
또한, 상기 진공챔버(200)에는 아르곤(Ar)공급탱크(231)로부터 불활성 기체인 아르곤가스가 공급되며, 동시에 원료공급탱크(236)로부터 리페어패턴의 원료가스가 공급된다. 이때, 원료가스로는 주로 W(CO)6나 Mo(CO)6가 사용되는데, 상기 원료가스를 사용함에 따라 리페어패턴으로 W패턴이나 Mo패턴이 형성될 것이다.
진공챔버(200) 외부에는 레이저장치가 설치되어 진공챔버(200)에 형성된 창(202)을 통해 진공챔버(200)내의 액정패널(100)에 빔이 입사된다. 레이저장치는 빔을 방출하는 펄스 레이저(250)와, 상기 레이저(250)로부터 방출되는 레이저빔을 진공챔버(200)의 창으로 반사시키는 반사경(252)과, 상기 반사경(252)에 의해 반사된 레이저빔을 집속시키는 집속렌즈(253)와, 상기 집속렌즈(253)에서 집속된 레이저빔을 확장시켜 창(202)을 통해 진공챔버(200)내로 입사시키는 빔확장렌즈(254)로 구성된다.
한편, 챔버(200)내의 액정패널(100) 위에는 일정한 패턴의 슬릿이 형성된 마스크(mask;240)가 위치한다. 도면에는 도시하지 않았지만, 마스크(240)는 슬릿을 통해서만 레이저빔을 투과시켜 액정패널(100)에 조사하기 위한 것이다.
액정패널(100)에 레이저빔이 조사됨에 따라 액정패널(100)의 표면에는 광화학반응이 발생하여 원료가스에 따라 W패턴이나 Mo패턴이 형성된다. 이러한 레이저CVD방법은 종래의 CVD방법에 비해 저온에서 성막이 가능하고 고순도의 막을 얻을 수 있다는 장점이 있다.
상기 마스크(240)에 형성되는 슬릿(242)은 도 7a에 도시된 바와 같이 일방향으로 길게 형성된다. 이때, 상기 슬릿(242)의 길이방향은 실제 불량(단락이나 단선)이 발생한 라인의 길이방향과 일치한다. 이와 같이, 슬릿(242)을 불량이 발생한 라인의 길이방향으로 길게 형성하는 것은 다음과 같은 이유 때문이다.
레이저CVD에서 사용되는 레이저빔은 일정 크기의 빔스폿(beam spot)를 갖는다. 따라서, 슬릿(242)이 형성된 마스크(240)를 이용하지 않고 리페어패턴을 형성 하는 경우 한번의 레이저빔 스폿에 일정 크기의 패턴밖에 만들 수 없게 된다. 따라서, 도 8a에 도시된 바와 같이, 불량이 발생한 라인(도면에서는 데이터라인을 예시하여 설명함)을 따라(혹은 우회하여) 빔스폿(258)을 스캔해야만 하기 때문에, 리페어패턴을 형성하는데 시간이 지연된다. 예를 들어, W(CO)6 가스를 사용하는 경우 레이저CVD에 의한 증착속도가 약 5㎛/sec이고 Mo(CO)6 가스를 사용하는 경우 증착속도가 약 10㎛/sec이다. 이와 같이 느린 증착속도로 인해 리페어패턴(154)을 형성하는데 많은 시간이 소모된다.
본 발명에서는 도 7a에 도시된 바와 같이 라인(즉, 형성하고자 하는 리페어패턴(154))의 길이방향을 따라 형성된 슬릿(242)을 갖는 마스크(240)를 사용하여 레이저 CVD공정을 진행하여 리페어패턴을 형성한다. 이때, 슬릿(242)의 길이는 형성하고자 하는 리페어라인(154)의 길이와 동일하고 슬릿(242)의 폭은 형성하고자 하는 리페어라인(154) 보다 작기 때문에, 슬릿(242)을 형성하고자 하는 리페어패턴(154)의 폭방향으로 이동시키면서 레이저빔을 스캔한다.
이와 같이, 본 발명에서는 형성되는 리페어패턴(154)의 길이방향을 따라 형성된 슬릿(142)을 이용하여 리페어패턴(154)의 길이방향으로 일정한 폭을 갖는 리페어패턴(154)을 형성하고, 아울러 상기 슬릿(142)을 이동하여 레이저빔을 짧은 거리 스캔함으로써 원하는 패턴을 얻을 수 있게 된다. 즉, 도 8b에 도시된 바와 같이, 데이터라인(114)의 폭방향으로 레이저빔을 스캔함으로써 원하는 리페어패턴(154)을 짧은 시간에 형성할 수 있게 된다(스캔시간이 짧기 때문에).
이러한 슬릿(142)을 이용함으로써 데이터라인(또는 게이트라인) 상부 형성되 는 리페어패턴(154)이나 도 4에 도시된 바와 같이 라인을 우회하는 리페어패턴(154)을 형성할 수 있게 된다. 이와 같이 슬릿(242)의 길이방향 전체에 걸쳐서 한꺼번에 레이저빔을 조사하기 위해서는 레이저빔의 스폿이 상기 슬릿(242)의 길이 만큼 커져야만 한다. 본 발명에서는 빔확장렌즈(254)를 사용하여 상기 스폿의 크기를 확장함으로써 슬릿(242)을 통해 빔을 조사하는 것이다.
도 7b에 도시된 마스크는 도 4에 도시된 우회하는 리페어패턴(154)과 실질적으로 동일한 형상을 갖는 슬릿(242)이 형성된 마스크(240)을 나타내는 도면이다. 이러한 슬릿(242)이 형성된 마스크(240)를 이용하는 경우 한번의 레이저빔 조사에 의해 원하는 형태의 리페어패턴(154)을 형성할 수 있을 것이다. 이와 같은 관점에서 볼때, 마스크(240)의 슬릿(242)은 형성되는 리페어패턴(154)의 형태에 따라 다르게 형성하는 것이 바람직할 것이다. 즉, 마스크(240)의 슬릿(242)은 원하는 형태로 패턴화가 가능한 것이다.
한편, 슬릿(242)을 형성하여 레이저빔을 조사영역을 넓히기 위해 빔확장렌즈를 사용한다는 것은 좁은 스폿의 레이저빔에 비해 조사되는 빔의 파워가 약해진다는 것을 의미한다. 따라서, 본 발명에서는 레이저빔의 파워를 종래 보다 크게 함으로써 안정된 리페어패턴을 형성할 수 있게 된다. 이와 같이, 종래에 비해 파워가 약해지는 것을 방지하기 위해 마스크(240)에 형성되는 슬릿(242)의 길이를 1/2 또는 그 이하로 형성한 후, 레이저빔의 스캔을 2번 이상 실행하여 리페어패턴을 형성할 수도 있을 것이다. 즉, 마스크(240)를 1회 레이저빔을 스캔하여 일부의 리페어패턴(154)을 형성한 후, 마스크(240)를 이동한후 다시 레이저빔을 스캔하여 나머지 리페어패턴(154)을 형성할 수 있게 되는 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에서는 형성될 리페어패턴의 길이 방향을 따라 형성된 슬릿을 이용하여 레이저 CVD법에 의해 불량이 발생한 라인 위에 직접 또는 우회하도록 리페어패턴을 형성하므로, 리페어패턴을 신속하게 형성할 수 있게 된다. 도 4에서는 비록 불량이 게이트라인(112)과 데이터라인(114)의 단락에 의해 발생하지만, 데이터라인(112)의 단선이나 데이터라인(114)의 단선에 의한 불량도 본 발명에 따른 리페어패턴을 형성함으로써 해결할 수 있을 것이다.
한편, 도 4에 도시된 바와 같이, 게이트라인(112)과 데이터라인(114)이 단락된 경우, 데이터라인(114) 위에 또는 우회경로에 리페어패턴(154)을 형성하기 전에 단락된 데이터라인(114)을 단선시켜야만 한다. 이러한 데이터라인(114)의 단선은 레이저빔을 조사함으로써 이루어지는, 이때의 레이저는 펄스레이저를 사용한다. 그러나, 레이저 CVD에서 장파장 펄스레이저를 사용하는데 반해, 데이터라인(114) 등의 단선에는 단파장 펄스레이저를 사용한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에서는 라인에 불량이 발생했을 경우 레이저 CVD를 이용하여 불량이 발생한 라인 위 또는 우회경로를 따라 리페어패턴을 형성한다. 더욱이, 본 발명에서는 형성될 리페어패턴의 길이 방향으로 연장된 슬릿이 형성된 마스크를 이용하여 짧은 거리의 레이저빔 스캔에 의해 리페어패턴을 형성하기 때문에, 리페어패턴을 신속하게 형성할 수 있게 되므로 빠른 공정진행이 가능하게 된다.

Claims (21)

  1. 원료가스가 충진되며, 복수의 라인을 포함하는 액정패널이 위치하는 진공챔버;
    레이저빔을 출력하여 불량이 발생한 라인을 리페어하는 리페어패턴을 형성하는 레이저; 및
    상기 액정패널 위에 위치하며, 패턴된 슬릿이 형성되어 상기 슬릿을 통해 레이저빔을 액정패널에 조사하는 마스크로 구성되며,
    상기 슬릿은 리페어패턴의 길이방향을 따라 연장되거나 리페어패턴의 형상을 따라 형성된 것을 특징으로 하는 액정패널의 리페어패턴 형성장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 원료가스는 W(CO)6 또는 Mo(CO)6인 것을 특징으로 하는 액정패널의 리페어패턴 형성장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 레이저는 장파장 펄스레이저인 것을 특징으로 하는 액정패널의 리페어패턴 형성장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서, 상기 불량이 발생한 라인은 단선이 발생한 게이트라인 또는 데이터라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정패널의 리페어패턴 형성장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 불량이 발생한 라인은 단락된 게이트라인 및 데이터라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정패널의 리페어패턴 형성장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 데이터라인의 단락부위의 양측면이 단선된 것을 특징으로 하는 액정패널의 리페어패턴 형성장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 리페어패턴은 불량이 발생한 라인 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정패널의 리페어패턴 형성장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 리페어패턴은 불량이 발생한 라인을 우회하는 것을 특징으로 하는 액정패널의 리페어패턴 형성장치.
  11. 복수의 라인이 형성된 액정패널을 검사하는 단계;
    액정패널에 불량이 발생했을 경우 원료가스가 충진된 챔버내에 액정패널을 위치시키는 단계; 및
    패턴된 슬릿이 형성된 마스크를 이용하여 상기 액정패널에 레이저를 조사하여 리페어패턴을 형성하는 단계로 구성되며,
    슬릿은 형성될 리페어패턴의 길이방향을 따라 연장되거나 레이저의 조사는 슬릿을 이용하여 형성될 리페어패턴의 폭방향으로 스캔되는 것을 특징으로 하는 액정패널의 리페어패턴 형성방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 원료가스는 W(CO)6 또는 Mo(CO)6인 것을 특징으로 하는 액정패널의 리페어패턴 형성방법.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 제11항에 있어서, 상기 불량이 발생한 라인은 단선이 발생한 게이트라인 또는 데이터라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정패널의 리페어패턴 형성방법.
  16. 제11항에 있어서, 상기 불량이 발생한 라인은 단락된 게이트라인 및 데이터라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정패널의 리페어패턴 형성방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 단락된 부위의 양측면 데이터라인을 단선하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정패널의 리페어패턴 형성방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 데이터라인의 단선은 단파장 레이저에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 액정패널의 리페어패턴 형성방법.
  19. 제11항에 있어서, 상기 액정패널에 레이저를 조사하는 단계는,
    형성된 리페어패턴의 길이방향을 따라 레이저를 조사하는 단계; 및
    마스크를 레이저가 조사되지 않은 영역으로 이동하여 다시 레이저를 적어도 1회 조사하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정패널의 리페어패턴 형성방법.
  20. 제11항에 있어서, 상기 슬릿은 형성된 리페어패턴과 동일한 형상으로 패턴된 것을 특징으로 하는 액정패널의 리페어패턴 형성방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 액정패널에 레이저를 조사하는 단계는 패턴된 슬릿이 형성된 마스크를 이용하여 레이저빔을 조사하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 리페어패턴 형성방법.
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