CN114967261A - 阵列基板的修复方法、阵列基板及显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种阵列基板的修复方法、阵列基板及显示面板，阵列基板包括在衬底基板上呈阵列排布的多个子像素，每个子像素的主薄膜晶体管的第一源极通过第一过孔与主存储电极或者主像素电极电连接，次薄膜晶体管的第二源极的一端通过第二过孔与次存储电极或者次像素电极电连接，次薄膜晶体管的第二源极的另一端与分压薄膜晶体管的第三源极电连接；修复方法包括：当主薄膜晶体管或者次薄膜晶体管的内部出现短路时，将对应的主薄膜晶体管的第一源极或者次薄膜晶体管的第二源极切断，并将主像素电极与次像素电极电连接。该阵列基板的修复方法可以提升修复屏的显示质量，且修复方案简单易操作，修复成功率高，有效节约维修成本。

Description

阵列基板的修复方法、阵列基板及显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板的修复方法、阵列基板及显示面板。

背景技术

随着主动式薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-LCD，简称TFT-LCD)技术的发展，显示屏幕的尺寸越来越大，人们对于显示屏的品质需求也不断提升，对于大视角范围的需求尤为明显。由于垂直配向(Vertical Alignment，简称VA)型液晶显示面板采用垂直转动的液晶，液晶分子双折射率的差异比较大，导致大视角下的色偏(color shift)问题比较严重。

为了提升面板视角表现、改善色偏问题，通常会采取多畴垂直配向技术(Multi-domain VA，简称MVA)，即将一个子像素划分成多个区域，并使每个区域中的液晶在施加电压后倒伏向不同的方向，从而使各个方向看到的效果趋于平均一致。以八畴液晶显示面板为例，其采用3T-8畴像素结构，即每个子像素通过3个薄膜晶体管TFT控制8个区域，需要八个方向的像素电极排布。而在目前的显示制造行业中，由于环境中存在颗粒物或者工艺存在波动，会产生一些不良产品，在检测阶段发现后需要进行修复，以免影响显示效果。

发明内容

本申请旨在提供一种阵列基板的修复方法、阵列基板及显示面板，其可以提升修复后的显示面板的显示质量，且修复方案简单易操作，修复成功率高，可以有效节约维修成本。

第一方面，本申请实施例提出了一种阵列基板的修复方法，阵列基板包括在衬底基板上呈阵列排布的多个子像素，每个子像素包括主像素区、次像素区及位于主像素区和次像素区之间的器件区；主像素区包括主像素电极，次像素区包括次像素电极，器件区包括主薄膜晶体管、主存储电极、次薄膜晶体管、次存储电极和分压薄膜晶体管，其中，主薄膜晶体管的第一源极通过第一过孔与主存储电极或者主像素电极电连接，次薄膜晶体管的第二源极的一端通过第二过孔与次存储电极或者次像素电极电连接，次薄膜晶体管的第二源极的另一端与分压薄膜晶体管的第三源极电连接；当主薄膜晶体管或者次薄膜晶体管的内部出现短路时，修复方法包括：将对应的主薄膜晶体管的第一源极或者次薄膜晶体管的第二源极切断；将主像素电极与次像素电极电连接。

在一种可能的实施方式中，将主像素电极与次像素电极电连接包括：在阵列基板上设置修复线，通过修复线将主像素电极与次像素电极电连接。

在一种可能的实施方式中，通过修复线将主像素电极与次像素电极连接包括：通过激光焊接的方式，将第一过孔与修复线的一端焊接，将第二过孔与修复线的另一端焊接。

在一种可能的实施方式中，修复线的材质为钨粉或银粉。

在一种可能的实施方式中，将对应的主薄膜晶体管的第一源极或者次薄膜晶体管的第二源极切断包括：通过激光切割的方式，将主薄膜晶体管的第一源极与主像素电极之间断开，或者将次薄膜晶体管的第二源极与次像素电极之间断开。

第二方面，本申请实施例还提供了一种阵列基板，包括在衬底基板上呈阵列排布的多个子像素，每个子像素包括主像素区、次像素区及位于主像素区和次像素区之间的器件区；主像素区包括主像素电极，次像素区包括次像素电极，器件区包括主薄膜晶体管、主存储电极、次薄膜晶体管、次存储电极和分压薄膜晶体管；主薄膜晶体管的第一源极通过第一过孔与主存储电极或者主像素电极电连接，次薄膜晶体管的第二源极的一端通过第二过孔与次存储电极或者次像素电极电连接，次薄膜晶体管的第二源极的另一端与分压薄膜晶体管的第三源极电连接；其中，当主薄膜晶体管或者次薄膜晶体管的内部出现短路时，将对应的主薄膜晶体管的第一源极或者次薄膜晶体管的第二源极切断，并将主像素电极与次像素电极之间电连接。

在一种可能的实施方式中，主像素电极与次像素电极之间通过修复线电连接。

在一种可能的实施方式中，修复线连接于第一过孔和第二过孔之间。

在一种可能的实施方式中，子像素包括依次形成于衬底基板上的第一金属层、栅极绝缘层、第二金属层、钝化层和透明导电层；主存储电极和次存储电极同层设置于第一金属层或者第二金属层；主薄膜晶体管的第一栅极、次薄膜晶体管的第二栅极及分压薄膜晶体管的第三栅极同层设置于第一金属层；主薄膜晶体管的第一源极、第一漏极、次薄膜晶体管的第二源极、第二漏极、分压薄膜晶体管的第三源极及第三漏极同层设置于第二金属层；第一过孔和第二过孔形成于钝化层；主像素电极、次像素电极及修复线同层设置于透明导电层。

第三方面，本申请实施例还提供了一种显示面板，包括如前所述的阵列基板；彩膜基板，与阵列基板相对设置；液晶层，设置于阵列基板与彩膜基板之间。

根据本申请实施例提供的一种阵列基板的修复方法、阵列基板及显示面板，在3T-8畴像素结构中的主薄膜晶体管或者次薄膜晶体管的内部出现短路时，通过将对应的主薄膜晶体管的第一源极或者次薄膜晶体管的第二源极切断，并将主像素电极与次像素电极之间电连接，从而可以使修复屏的次像素区在显示时呈现一定程度的亮度，与相关技术中修复屏的主像素区和次像素区完全暗点化相比，可以提升修复屏的显示质量，且修复方案简单易操作，修复成功率高，有效节约维修成本。

附图说明

下面将参考附图来描述本申请示例性实施例的特征、优点和技术效果。在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制，仅用于示意相对位置关系，某些部位的层厚采用了夸大的绘图方式以便于理解，附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。

图1示出本申请实施例提供的显示面板的剖面示意图；

图2示出本申请实施例提供的阵列基板的修复方法的流程框图；

图3示出本申请实施例提供的阵列基板的局部俯视图；

图4示出图3中器件区的放大结构示意图；

图5示出图4沿B-B方向的剖面图；

图6示出图3中子像素的等效电路示意图。

附图标记说明：

1、阵列基板；AA1、主像素区；AA2、次像素区；AA3、器件区；101、像素电极；

10、衬底基板；T1、第一薄膜晶体管；T2、第二薄膜晶体管；T3、分压薄膜晶体管；

11、第一金属层；CL、公共电极线；CP1、主存储电极；CP2、次存储电极；

12、栅极绝缘层；

13、半导体层；

14、第二金属层；S1、第一源极；S2、第二源极；Dr1、第一漏极；Dr2、第二漏极；Dr3、第三漏极；Cst1、主存储电容；Cst2、次存储电容；

15、钝化层；H1、第一过孔；H2、第二过孔；H3、第三过孔；

16、透明金属层；P1、主像素电极；P2、次像素电极；P01、主干电极；P02、分支电极；Data、数据线；Gate、扫描线；L、修复线；

2、彩膜基板；201、公共电极；3、液晶层。

具体实施方式

下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本申请的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请的更好的理解。在附图和下面的描述中，至少部分的公知结构和技术没有被示出，以便避免对本申请造成不必要的模糊；并且，为了清晰，可能夸大了区域结构的尺寸。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。

图1示出本申请实施例提供的显示面板的剖面示意图。

如图1所示，本申请实施例提供了一种显示面板，包括：阵列基板1、与阵列基板1相对设置的彩膜基板2和设置于阵列基板1与彩膜基板2之间的液晶层3。液晶层3包括多个液晶分子，液晶分子通常为棒状，既可以像液体一样流动，又具有某些晶体特征。当液晶分子处于电场中时，其排列方向会根据电场的变化而改变。

由于液晶显示面板为非发射型光接收元件，需要通过设置于其背光面一侧的背光模组提供光源。液晶显示面板通过在阵列基板1的像素电极101和彩膜基板2的公共电极201上施加驱动电压来控制液晶层3的液晶分子的旋转，以将背光模组提供的光线折射出来产生画面。为了显示彩色画面，通常在阵列基板1上制备出薄膜晶体管阵列，用于驱动液晶分子的旋转，控制每个子像素的显示。

无电压时，光线经过下偏光板(图中未示出)形成平行于液晶分子短轴的直线偏光，偏光方向不能转动，因此被上偏光板(图中未示出)吸收，无法射出；施加电压后，液晶分子沿着电场偏转，光线经过下偏光板和液晶层3后呈(椭)圆偏光状态，可以透过上偏光板射出，因此VA模式具有最佳黑色状态及高对比度。另外，VA显示屏由于在不同视野角下，四畴的液晶分子双折射率的差异比较大，所以色偏现象比较严重，因此需要设计尽可能多的显示畴，比如八畴设计来改善色偏现象。目前的八畴设计基于电学原理，使同一个子像素内的4个畴和另外4个畴的液晶分子转动角度不一样，实现8种不同的液晶取向，进而实现八畴显示。

为了提升面板视角表现、改善色偏问题，本申请实施例提供的显示面板采用3T-8畴像素结构，即每个子像素通过3个薄膜晶体管TFT控制8个区域。其中，4畴的形成方式通常为在像素电极上形成狭缝、在彩膜基板2上形成凸起，液晶分子在未施加电压时具有朝不同方向的预倾角，施加电压后，液晶层3即可分割为分别具有不同倾斜方向的四个液晶微域，如此实现大视角范围的显示特性。8畴的形成方式通常为在上述4畴的基础上，将一个子像素划分为一个主子像素和一个次子像素，主子像素和次子像素各自拥有4个液晶微域，同时主子像素和次子像素的驱动电压不同，能够进一步改善色偏、获得大视角范围。

另外，3个TFT中，两个TFT分别控制主子像素和次子像素，第三个TFT用于在次子像素的电压保持期间对次子像素进行分压放电。当控制主子像素的TFT和控制次子像素的TFT的沟道内部出现短路不良等问题时，例如，不良子像素的像素电极与数据线信号之间短路，导致使用时处于亮点状态。相关技术中的修复方案是：将控制主子像素的TFT或者控制次子像素的TFT的源极或者漏极切断，再将主子像素的像素电极或者次子像素的像素电极与公共电极短接在一起，正常点亮时不良的子像素是不亮状态，即将有问题的部分显示像素进行暗点化处理。

然而，该修复方法在焊接时需将主子像素或者次子像素的像素电极用激光能量烧融，再用金属材料钨粉或银粉与公共电极焊接在一起，步骤复杂，有一定的失败几率，且修复后的子像素在点亮时为不亮状态，当像素面积大或者修复子像素数量多时，修复屏的显示质量有显著下降趋势。

为此，本申请实施例提供了一种阵列基板1的修复方法，其可以提升修复屏的显示质量，且修复方案简单易操作，修复成功率高，可以有效节约维修成本。

下面结合附图详细描述本申请实施例提供的阵列基板1的修复方法的具体步骤。

图2示出本申请实施例提供的阵列基板的修复方法的流程框图；图3示出本申请实施例提供的阵列基板的局部俯视图，图4示出图3中器件区的放大结构示意图，图5示出图3中子像素的等效电路示意图。

如图2至图5所示，本申请实施例提出了一种阵列基板1的修复方法，阵列基板1包括在衬底基板10上呈阵列排布的多个子像素，每个子像素包括主像素区AA1、次像素区AA2及位于主像素区AA1和次像素区AA2之间的器件区AA3；主像素区AA1包括主像素电极P1，次像素区AA2包括次像素电极P2，器件区AA3包括主薄膜晶体管T1、主存储电极CP1、次薄膜晶体管T2、次存储电极CP2和分压薄膜晶体管T3，其中，主薄膜晶体管T1的第一源极S1通过第一过孔H1与主存储电极CP1或者主像素电极P1电连接，次薄膜晶体管T2的第二源极S2的一端通过第二过孔H2与次存储电极CP2或者次像素电极P2电连接，次薄膜晶体管T2的第二源极S2的另一端与分压薄膜晶体管T3的第三源极S3电连接。

当主薄膜晶体管T1或者次薄膜晶体管T2的内部出现短路时，修复方法包括：

步骤S1：将对应的主薄膜晶体管T1的第一源极S1或者次薄膜晶体管T2的第二源极S2切断；

步骤S2：将主像素电极P1与次像素电极P2电连接。

如图2和图5所示，主像素区AA1和次像素区AA2分别对应四个畴的液晶分子。制程中，主薄膜晶体管T1的第一源极S1通过第一过孔H1与主存储电极CP1或者主像素电极P1电连接，次薄膜晶体管T2的第二源极S2的一端通过第二过孔H2与次存储电极CP2或者次像素电极P2电连接。

当主薄膜晶体管T1打开时，可以将电压施加至主像素电极P1；次薄膜晶体管T2打开时，可以将电压施加至次像素电极P2；分压薄膜晶体管T3打开时，由于分压薄膜晶体管T3的第三源极S3与次薄膜晶体管T2的第二源极S2的一端电连接，使得分压薄膜晶体管T3可以分担次薄膜晶体管T2的电压；或者，来自公共电极线CL(A-com)的驱动电压能够通过分压薄膜晶体管T3和次薄膜晶体管T2施加至次像素电极P2，从而通过为公共电极(A-com)设置合适的驱动电压，即能够使得主像素电极P1和次像素电极P2的电压不同。即同一个子像素内主像素区AA1的4个畴与次像素区AA2的4个畴的液晶分子的转动角度不一样，进而改善色偏、提升大视角范围。

在液晶显示面板的制作过程中，包含有制程工艺以及转运，这个过程中会产生许多颗粒物(particle)，这些颗粒物一部分会被清洗机台所清洗掉，而部分颗粒物会残留于阵列基板1或彩膜基板2上，这些残留于阵列基板1或彩膜基板2上的颗粒物会导致液晶显示面板点亮时产生亮点、亮(暗)线、碎亮点以及弱亮(暗)线等，这些都不允许出现在液晶显示面板上，需要将颗粒物移除，或者将亮点修复成暗点，以确保液晶显示面板的品质以及人眼的感官。

如图4所示，主薄膜晶体管T1或者次薄膜晶体管T2的内部出现短路时，如果位置M出现短路等不良问题，可以将对应的位置P(第二源极S2)切断，然后将主像素电极P1与次像素电极P2电连接；或者，如果位置N出现短路等不良问题，可以将对应的位置Q(第一源极S1)切断，然后将主像素电极P1与次像素电极P2电连接。这样，无论切断位置P或者位置Q，分压薄膜晶体管T3都会对整个像素电极有分压，最终呈现的即为次像素区AA2的亮度，不需要将整个子像素进行暗点化处理，提升修复后的显示面板的显示质量。与相关技术中的修复方法相比，该修复方案简单易操作，修复成功率高，可以有效节约维修成本。

根据本申请实施例提供的一种阵列基板的修复方法，在3T-8畴像素结构中的主薄膜晶体管T1或者次薄膜晶体管T2的内部出现短路时，通过将对应的主薄膜晶体管T1的第一源极S1或者次薄膜晶体管T2的第二源极S2切断，并将主像素电极P1与次像素电极P2之间电连接，从而可以使修复屏的次像素区AA2在显示时呈现一定程度的亮度，与相关技术中修复屏的主像素区AA1和次像素区AA2完全暗点化相比，可以提升修复屏的显示质量，且修复方案简单易操作，修复成功率高，有效节约维修成本。

在一些实施例中，步骤S2中，将主像素电极P1与次像素电极P2电连接包括：在阵列基板1上设置修复线L，通过修复线L将主像素电极P1与次像素电极P2电连接。可选地，采用钇铝石榴石激光器(YAG Laser)为修复工具，通过修复线L将主像素电极P1与次像素电极P2电连接，实现二者的电性导通。可选地，修复线L的材质为钨粉或银粉，提高修复线L的焊接效果。

在一些实施例中，通过修复线L将主像素电极P1与次像素电极P2电连接包括：通过激光焊接的方式，将第一过孔H1与修复线L的一端焊接，将第二过孔H2与修复线L的另一端焊接。

如前所述，采用钇铝石榴石激光器(YAG Laser)为修复工具，将第一过孔H1与修复线L的一端焊接连接，将第二过孔H2与修复线L的另一端焊接连接，不需要将不同层的金属层烧融连接在一起，工艺简单，操作简单，修复成功率高。

在一些实施例中，步骤S1中，将对应的主薄膜晶体管T1的第一源极S1或者次薄膜晶体管T2的第二源极S2切断包括：通过激光切割的方式，将主薄膜晶体管T1的第一源极S1与主像素电极P1之间断开，或者将次薄膜晶体管T2的第二源极S2与次像素电极P2之间断开。

如前所述，采用钇铝石榴石激光器(YAG Laser)为修复工具，通过激光切割的方式将第一源极S1与主像素电极P1之间断开，或者将次薄膜晶体管T2的第二源极S2与次像素电极P2之间断开。

按照如前所述的阵列基板的修复方法，最终得到了经亮点修复后的液晶显示面板。该液晶显示面板的多个像素结构中，至少有一个像素结构是采用了如上所述的修复方法修复后的像素结构。另外，修复后的像素单元不会形成暗点，仍然具有一定程度的亮度，例如相当于正常显示亮度的80％，进而可以提高液晶显示面板的显示质量，提高修复屏的等级。

另外，如图3和图4所示，本申请实施例还提供了一种阵列基板1，包括在衬底基板10上呈阵列排布的多个子像素，每个子像素包括主像素区AA1、次像素区AA2及位于主像素区AA1和次像素区AA2之间的器件区AA3；主像素区AA1包括主像素电极P1，次像素区AA2包括次像素电极P2，器件区AA3包括主薄膜晶体管T1、主存储电极CP1、次薄膜晶体管T2、次存储电极CP2和分压薄膜晶体管T3；主薄膜晶体管T1的第一源极S1通过第一过孔H1与主存储电极CP1或者主像素电极P1电连接，次薄膜晶体管T2的第二源极S2的一端通过第二过孔H2与次存储电极CP2或者次像素电极P2电连接，次薄膜晶体管T2的第二源极S2的另一端与分压薄膜晶体管T3的第三源极电连接。

其中，主薄膜晶体管T1的第一源极S1或者次薄膜晶体管T2的第二源极S2为断线，主像素电极P1与次像素电极P2之间电性连接。

根据本申请实施例提供的一种阵列基板，在3T-8畴像素结构中的主薄膜晶体管T1或者次薄膜晶体管T2的内部出现短路时，通过将对应的主薄膜晶体管T1的第一源极S1或者次薄膜晶体管T2的第二源极S2切断，并将主像素电极P1与次像素电极P2之间电连接，从而可以使修复屏的次像素区AA2在显示时呈现一定程度的亮度，与相关技术中修复屏的主像素区AA1和次像素区AA2完全暗点化相比，可以提升修复屏的显示质量，且修复方案简单易操作，修复成功率高，有效节约维修成本。

在一些实施例中，主像素电极P1与次像素电极P2之间通过修复线L电连接。可选地，采用钇铝石榴石激光器(YAG Laser)为修复工具，通过修复线L将主像素电极P1与次像素电极P2电连接，实现二者的电性导通。可选地，修复线L的材质为钨粉或银粉，提高修复线L的焊接效果。

图5示出图4沿B-B方向的剖面图。

在一些实施例中，修复线L连接于第一过孔H1和第二过孔H2之间。由于修复线L位于主像素电极P1与次像素电极P2所在的非显示区内，修复线L不会影响显示面板的透光。

进一步地，子像素包括依次形成于衬底基板10上的第一金属层11、栅极绝缘层12、第二金属层14、钝化层15和透明导电层16；主存储电极CP1和次存储电极CP2同层设置于第一金属层11或者第二金属层14，本实施例中，主存储电极CP1和次存储电极CP2同层设置于第二金属层14。

主薄膜晶体管T1的第一栅极、次薄膜晶体管T2的第二栅极及分压薄膜晶体管T3的第三栅极同层设置于第一金属层11；主薄膜晶体管T1的第一源极S1、第一漏极Dr1、次薄膜晶体管T2的第二源极S2、第二漏极Dr2、分压薄膜晶体管T3的第三源极及第三漏极Dr3同层设置于第二金属层14。

第一过孔H1和第二过孔H2形成于钝化层15；主像素电极P1、次像素电极P2及修复线L同层设置于透明导电层16。由于修复线L设置于透明导电层16，不需要将第二金属层14与第一金属层11烧融在一起来使出现亮点的整个子像素进行暗点化处理，工艺简单、易于操作，修复成功率较高。

图6示出图3中子像素的等效电路示意图。

在一些实施例中，器件区AA3还包括公共电极线CL、扫描线Gate和数据线Data，分压薄膜晶体管T3的第三漏极Dr3通过第三过孔H3与公共电极线CL电连接，公共电极线CL用于提供低电压(VCOM)。

主存储电极CP1与公共电极线CL相对设置以形成主存储电容Cst1，次存储电极CP2与公共电极线CL相对设置以形成次存储电容Cst2。扫描线Gate对应每一行子像素设置，数据线Data对应每一列子像素设置；主存储电极CP1与次存储电极CP2跨过扫描线Gate相互导通。

如图6所示的等效电路图中，Cst1为主像素区AA1的主储存电容，Clc1为主像素区AA1的液晶电容；Cst2为次像素区AA2的次储存电容，Clc2为次像素区AA2的液晶电容。主存储电容CP1用于在一行扫描线Gate关闭的期间对主像素电极P1进行充电以保持主像素电极P1上的电压；次存储电容CP2用于在一行扫描线Gate关闭的期间对次像素电极P2进行充电以保持次像素电极P2上的电压。另外，在一行扫描线Gate关闭的期间，同时还可以使主像素电极P1和次像素电极P2保持各自的电压。

主薄膜晶体管T1的第一栅极接收来自扫描线Gate上的扫描电压，并根据扫描线Gate的扫描电压打开和关闭。当主薄膜晶体管T1打开时，来自数据线Data的数据电压能够施加至主像素电极P1，主像素电极P1与彩膜基板2一侧的公共电极(未图示，用于提供电压VCOM)之间的电压施加在其二者之间的液晶层3(如图1所示)中，形成主区液晶电容，从而能够驱动主像素区AA1内对应的液晶分子转动。

次薄膜晶体管T2的第二栅极接收来自扫描线Gate上的扫描电压，并根据该扫描线Gate的扫描电压打开或关闭。当次薄膜晶体管T2打开时，来自数据线Data的数据电压能够施加至次像素电极P2，次像素电极P2与彩膜基板2一侧的公共电极(未图示，用于提供电压VCOM)之间的电压施加在其二者之间的液晶层3(如图1所示)中，形成次区液晶电容，从而能够驱动次像素区AA2内对应的液晶分子转动。

分压薄膜晶体管T3的第三栅极接收来自扫描线Gate上的扫描电压，并根据该扫描线Gate的扫描电压打开或关闭。当分压薄膜晶体管T3打开时，分压薄膜晶体管T3的第三源极与次薄膜晶体管T2的第二源极S2导通，可以与次薄膜晶体管T2共同分担来自数据线的数据电压。并且，数据线Data上的数据电压根据主像素区AA1显示画面的不同是不断变化的，通过设置公共电极线CL上合适的驱动电压，即能够使得主像素电极P1和次像素电极P2的电压不同。即同一个子像素内主像素区AA1的4个畴与次像素区AA2的4个畴的液晶分子的转动角度不一样，进而改善色偏问题。

在一些实施例中，主像素电极P1和次像素电极P2均包括相互连接的主干电极P01和分支电极P02，主干电极P01将主像素区AA1和次像素区AA2分别分为多个畴区，每一畴区内的分支电极P02平行且间隔，并与主干电极P01之间呈预定夹角设置，不同畴区内的分支电极P02的朝向相异。

如图3所示，每个子像素中，主干电极P01将主像素区AA1和次像素区AA2分别分为四个畴区，每一畴区内的分支电极P02平行且间隔，并与主干电极P01之间呈预定夹角设置，不同畴区内的分支电极P02的朝向呈“米”字型分布。

在一些实施例中，阵列基板1还包括扫描线Gate和数据线Data，扫描线Gate位于器件区AA3且对应每一行子像素设置，数据线Data对应每一列子像素设置。主薄膜晶体管T1的第一漏极Dr1和次薄膜晶体管T2的第二漏极Dr2均呈U型，且开口方向相同；第一漏极Dr1和第二漏极Dr2分别与数据线Data电连接。主薄膜晶体管T1的第一栅极、次薄膜晶体管T2的第二栅极和分压薄膜晶体管T3的第三栅极分别连接至扫描线Gate。

在一些实施例中，主像素区AA1在衬底基板10上的正投影面积小于次像素区AA2在衬底基板10上的正投影面积。在一个示例中，主像素区AA1在衬底基板10上的正投影面积与次像素区AA2在衬底基板10上的正投影面积之比为1：2。

由于主像素区AA1的面积与主存储电容Cst1的大小成正比，次像素区AA2的面积与次存储电容Cst2的大小成正比，如此设置，可以使主存储电容Cst1小于次存储电容Cst2，可以达到控制主像素区AA1与次像素区AA2的压差比的目的。

另外，子像素还包括位于第二金属层14上的钝化层15和透明金属层16，透明金属层16可以由氧化铟锡ITO制成。主像素电极P1和次像素电极P2形成于透明金属层16，第一过孔H1和第二过孔H2分别对应于设置于主存储电极CP1和次存储电极CP2设置于钝化层15。

另外，本申请实施例还提供了一种显示面板，包括如前所述的阵列基板1、与阵列基板1相对设置的彩膜基板2，以及设置于阵列基板1与彩膜基板2之间的液晶层3。

应当容易地理解，应当按照最宽的方式解释本申请中的“在……上”、“在……以上”和“在……之上”，以使得“在……上”不仅意味着“直接处于某物上”，还包括“在某物上”且其间具有中间特征或层的含义，并且“在……以上”或者“在……之上”不仅包括“在某物以上”或“之上”的含义，还可以包括“在某物以上”或“之上”且其间没有中间特征或层(即，直接处于某物上)的含义。

文中使用的术语“衬底基板”是指在其上添加后续材料层的材料。衬底基板本身可以被图案化。添加到衬底基板顶上的材料可以被图案化，或者可以保持不被图案化。此外，衬底基板可以包括宽范围内的一系列材料，例如，硅、锗、砷化镓、磷化铟等。替代地，衬底基板可以由非导电材料(例如，玻璃、塑料或者蓝宝石晶圆等)制成。

文中使用的术语“层”可以指包括具有一定厚度的区域的材料部分。层可以在整个的下层结构或上覆结构之上延伸，或者可以具有比下层或上覆结构的范围小的范围。此外，层可以是匀质或者非匀质的连续结构的一个区域，其厚度小于该连续结构的厚度。例如，层可以位于所述连续结构的顶表面和底表面之间或者所述顶表面和底表面处的任何成对的横向平面之间。层可以横向延伸、垂直延伸和/或沿锥形表面延伸。衬底基板可以是层，可以在其中包括一个或多个层，和/或可以具有位于其上、其以上和/或其以下的一个或多个层。层可以包括多个层。例如，互连层可以包括一个或多个导体和接触层(在其内形成触点、互连线和/或过孔)以及一个或多个电介质层。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板的修复方法，所述阵列基板包括在衬底基板上呈阵列排布的多个子像素，每个所述子像素包括主像素区、次像素区及位于所述主像素区和所述次像素区之间的器件区；所述主像素区包括主像素电极，所述次像素区包括次像素电极，所述器件区包括主薄膜晶体管、主存储电极、次薄膜晶体管、次存储电极和分压薄膜晶体管，其中，所述主薄膜晶体管的第一源极通过第一过孔与所述主存储电极或者所述主像素电极电连接，所述次薄膜晶体管的第二源极的一端通过第二过孔与所述次存储电极或者所述次像素电极电连接，所述次薄膜晶体管的第二源极的另一端与所述分压薄膜晶体管的第三源极电连接；其特征在于，当所述主薄膜晶体管或者次薄膜晶体管的内部出现短路时，所述修复方法包括：

将对应的所述主薄膜晶体管的第一源极或者所述次薄膜晶体管的第二源极切断；

将所述主像素电极与所述次像素电极电连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的修复方法，其特征在于，所述将所述主像素电极与所述次像素电极电连接包括：

在所述阵列基板上设置修复线，通过修复线将所述主像素电极与所述次像素电极电连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的修复方法，其特征在于，所述通过修复线将所述主像素电极与所述次像素电极电连接包括：

通过激光焊接的方式，将所述第一过孔与所述修复线的一端焊接，将所述第二过孔与所述修复线的另一端焊接。

4.根据权利要求2所述的阵列基板的修复方法，其特征在于，所述修复线的材质为钨粉或银粉。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的修复方法，其特征在于，所述将对应的所述主薄膜晶体管的第一源极或者所述次薄膜晶体管的第二源极切断包括：

通过激光切割的方式，将所述主薄膜晶体管的第一源极与所述主像素电极之间断开，或者将所述次薄膜晶体管的第二源极与所述次像素电极之间断开。

6.一种阵列基板，包括在衬底基板上呈阵列排布的多个子像素，每个所述子像素包括主像素区、次像素区及位于所述主像素区和所述次像素区之间的器件区；所述主像素区包括主像素电极，所述次像素区包括次像素电极，所述器件区包括主薄膜晶体管、主存储电极、次薄膜晶体管、次存储电极和分压薄膜晶体管；其特征在于，

所述主薄膜晶体管的第一源极通过第一过孔与所述主存储电极或者所述主像素电极电连接，所述次薄膜晶体管的第二源极的一端通过第二过孔与所述次存储电极或者所述次像素电极电连接，所述次薄膜晶体管的第二源极的另一端与所述分压薄膜晶体管的第三源极电连接；

所述主薄膜晶体管的第一源极或者所述次薄膜晶体管的第二源极为断线，所述主像素电极与所述次像素电极之间电性连接。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述主像素电极与所述次像素电极之间通过修复线电连接。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述修复线连接于所述第一过孔和所述第二过孔之间。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述子像素包括依次形成于所述衬底基板上的第一金属层、栅极绝缘层、第二金属层、钝化层和透明导电层；

所述主存储电极和所述次存储电极同层设置于所述第一金属层或者所述第二金属层；

所述主薄膜晶体管的第一栅极、所述次薄膜晶体管的第二栅极及所述分压薄膜晶体管的第三栅极同层设置于所述第一金属层；

所述主薄膜晶体管的第一源极、第一漏极、所述次薄膜晶体管的第二源极、第二漏极、所述分压薄膜晶体管的第三源极及第三漏极同层设置于所述第二金属层；

所述第一过孔和所述第二过孔形成于所述钝化层；

所述主像素电极、所述次像素电极及所述修复线同层设置于所述透明导电层。

10.一种显示面板，包括：

如权利要求6至9任一项所述的阵列基板；

彩膜基板，与所述阵列基板相对设置；以及

液晶层，设置于所述阵列基板与所述彩膜基板之间。

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