CN101533844A - 薄膜晶体管阵列基板及其维修方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其维修方法，其中包括栅线、信号线和多个亚像素单元，每个亚像素单元包括像素电极和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源极与所述像素电极电连接，其中还包括：导电物，用于维修时连接相同颜色的相邻亚像素的像素电极，所述导电物设置于所述亚像素单元的栅绝缘层与信号绝缘层之间。方法其中包括：切断不良亚像素单元的像素电极与薄膜晶体管之间的电连接；将相邻的不良亚像素单元和正常亚像素单元的像素电极，在与导电物相重叠的位置进行击穿融化。通过本发明，可以使不良的亚像素单元维修成与周围相邻亚像素单元具有相同的灰度，从而实现同样的显示灰度效果，减小了暗点或亮点对显示效果的影响，提高了显示质量。
Description
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其维修方法，属于液晶显示面板技术。
背景技术
现有薄膜晶体管-液晶显示器(简称：TFT-LCD)的液晶显示面板主要是由薄膜晶体管阵列基板和彩膜基板对盒而形成的，在薄膜晶体管阵列基板和彩膜基板之间充有液晶。薄膜晶体管阵列基板包括多个像素单元，每个像素单元由分别具有红、绿、蓝三种颜色显示的三个亚像素单元组成。图1A所示为现有薄膜晶体管阵列基板的局部结构示意图，图1B所示为图1A中沿X-X方向的截面图。图中的虚线表示相应的部分位于下层。
其中，在基板00上形成有相互交叉配置的栅线12和信号线11；栅线12和信号线11限定的像素区域中设置有亚像素单元；每个亚像素单元包括像素电极13和薄膜晶体管(简称：TFT)14；栅线12和信号线11的上层设置有栅绝缘层15和信号绝缘层16，起到与像素电极13绝缘的作用。其中的信号绝缘层16具体可以为钝化层。
在彩膜基板上配置有黑矩阵，使光不能透过除了像素电极13以外的区域，在各像素区域配置彩色树脂层。当处于工作状态时，驱动信号被施加于栅线12上，使得图像数据通过信号线11施加到像素电极13上，通过控制像素电极13的电压来控制液晶的偏转进而控制光线的强弱，配合彩膜基板的功能，在液晶显示面板上显示出所要表达的图像。
在现有薄膜晶体管阵列基板的制造过程中会产生不良缺陷。现有维修方法是通过切割维修工艺(cutr epair)将发生短路的地方进行切断；或者通过化学蒸汽沉积(Chemical Vapor Deposition，以下简称：CVD)维修工艺将发生断路的地方接通，从而将不良亚像素单元修复为正常点。另外，对于一些缺陷比较严重或者难以修复的不良亚像素单元则可以根据不同的显示模式，在常黑模式下将不良亚像素单元修正成为暗点；或者在常白模式下将不良亚像素单元修正成为亮点。
现有技术的缺陷在于：暗点或亮点的灰度和周围像素的灰度不能衔接过渡，从而会对整体的显示效果产生影响；并且，较多的暗点或亮点对于薄膜晶体管阵列基板的整体良品率以及组件(module)成品的品质会产生很大影响，从而在很大程度上降低了产品的产出率。
发明内容
本发明的目的是：提供一种薄膜晶体管阵列基板及其维修方法，使得当不良亚像素被修正为暗点或亮点时，不会对液晶显示面板的整体显示效果产生影响。
为了解决上述问题，本发明的一个实施例是提供了一种薄膜晶体管阵列基板，包括栅线、信号线和多个亚像素单元，每个亚像素单元包括像素电极和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源极与所述像素电极电连接，其特征在于还包括：导电物，用于维修时连接相同颜色的相邻亚像素的像素电极，所述导电物设置于所述亚像素单元的栅绝缘层与信号绝缘层之间。
为了解决上述问题，本发明的另一个实施例是提供了一种薄膜晶体管阵列基板维修方法，其中包括：
切断不良亚像素单元的像素电极与薄膜晶体管之间的电连接；
将相邻的具有相同颜色的不良亚像素单元和正常亚像素单元的像素电极，在与导电物相重叠的位置进行击穿融化，进行所述击穿融化之后还包括：在击穿点处沉积导电物质，其中，所述导电物设置于所述薄膜晶体管阵列基板上的亚像素单元的栅绝缘层与信号绝缘层之间。
通过本发明，使不良的亚像素单元和正常的亚像素单元进行了电连接，从而具有相同的电压。由于进行电连接的相邻亚像素单元具有相同的颜色显示和灰度，因此可以将不良的亚像素单元维修成与周围相邻亚像素单元具有相同的灰度，从而实现同样的显示灰度效果，减小了暗点或亮点对显示效果的影响，提高了显示质量。另外，导电物不会对正常像素的显示产生额外的影响，并且维修工艺简便，为不良像素点的维修提供了便利。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1A为现有薄膜晶体管阵列基板的局部结构示意图；
图1B为图1A中沿X-X方向的截面图；
图2A为本发明具体实施方式所述薄膜晶体管阵列基板的局部结构示意图；
图2B为图2A中沿Y-Y方向的截面图；
图3为本发明具体实施方式所述薄膜晶体管阵列基板维修方法的流程图；
图4A为图2A所示薄膜晶体管阵列基板被维修后的结构示意图；
图4B为图4A中沿Z-Z方向的截面图；
图4C为图2A所示薄膜晶体管阵列基板被维修后的另一种结构示意图。
具体实施方式
本实施例提供了一种薄膜晶体管阵列基板及其维修方法，如图2A所示，该薄膜晶体管阵列基板包括相互交叉配置的信号线21和栅线22，形成有多个亚像素单元，每个亚像素单元包括像素电极及TFT。假设，具有相同颜色显示的两个相邻亚像素单元分别为上亚像素单元和下亚像素单元，其中，上亚像素单元包括像素电极23A和薄膜晶体管24A；下亚像素单元包括像素电极23B和薄膜晶体管24B。在像素电极23A和23B之间，通过导电物27进行非电性连接。
具体地，如图2B所示，导电物27设置于亚像素单元的栅绝缘层25与信号绝缘层26之间，将像素电极23A和23B进行非电性连接。当亚像素单元处于正常状态下时，由于导电物27位于两层绝缘层之间，因此不与像素电极进行电接触，也就不会对其正常工作产生影响。另外，为了便于制造，导电物27可以与信号线21具有相同的材料并与信号线21同时形成，具体地，可以同时在掩膜工艺过程中形成。
当薄膜晶体管阵列基板中的某个亚像素单元出现不良缺陷时，可以采用如下薄膜晶体管阵列基板维修方法进行维修。假设在该薄膜晶体管阵列基板中出现不良缺陷的不良亚像素单元为上亚像素单元；与上亚像素单元相邻的未出现不良缺陷的正常亚像素单元为下亚像素单元；上述上亚像素单元和下亚像素单元具有相同的着色显示。如图3所示，薄膜晶体管阵列基板维修方法包括：
步骤101，通过切断像素电极23A与薄膜晶体管24A之间的电连接，使上亚像素单元的像素电极23A上没有电压。
具体地，在常白模式下，通过上述操作将上亚像素单元修正为亮点；在常黑模式下，通过上述操作将上亚像素单元修正为暗点。
步骤102，将像素电极23A和23B在与导电物27相重叠的位置击穿并融化，使导电物27与像素电极23A和23B电连接，进而使像素电极23A和23B具有相同的电压。
具体地，可以通过阵列工序中的激光维修(laser repair)工艺对像素电极进行击穿。如图4A、4B所示，像素电极23A上的击穿位置位于击穿点271A处；像素电极23B上的击穿位置位于击穿点271B处。在击穿点271A处，像素电极23A被击穿融化，使像素电极23A与导电物27电连接；在击穿点271B处，像素电极23B被击穿融化，使像素电极23B与导电物27电连接，从而形成了从像素电极23A经导电物27再到像素电极23B的电通路。
步骤103，如果像素电极的融化效果不好，则像素电极23A和23B与导电物27可能无法实现电通路，则无法达到维修的目的。在这种情况下，还可以通过CVD维修工艺，在击穿点271A或271B处沉积导电物质，使融化效果不好的像素电极23A或23B与导电物27实现电连接。
步骤104，另外，还可以将被维修的亚像素单元进行标记，在组件工序完成后，通过施加额外的控制对被维修的亚像素单元的像素电极进行电压调整，以实现与周围区域的显示一致化。
此处需要说明的是，虽然本实施例仅对相邻两个亚像素单元进行电连接的情况进行了说明，但也可以根据显示效果的需要，将不良亚像素单元通过上述方式与多个正常亚像素单元进行电连接形成互联的像素网络。例如，如图4C所示，还可以通过击穿点272A和272B及击穿点273A和273B与更多的正常亚像素单元进行电连接，形成互联的像素网络。通过多个正常亚像素单元与不良亚像素单元之间的电压分配，以实现更佳的显示效果。
另外需要说明的是，虽然本实施例各附图中所示的像素电极均位于亚像素单元结构的最上层，但对于其它类型的TFT-LCD，例如：像素电极位于亚像素单元结构的最下层的情况，本实施例所述结构和方法可以同样适用。
通过本实施例，使不良的亚像素单元和正常的亚像素单元进行了电连接，从而具有相同的电压。由于进行电连接的相邻亚像素单元具有相同的颜色显示和灰度，因此可以将不良的亚像素单元维修成与周围相邻亚像素单元具有相同的灰度，从而实现同样的显示灰度效果，减小了暗点或亮点对显示效果的影响，提高了显示质量。另外，导电物不会对正常像素的显示产生额外的影响，并且维修工艺简便，为不良像素点的维修提供了便利。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (7)
1、一种薄膜晶体管阵列基板，包括栅线、信号线和多个亚像素单元，每个亚像素单元包括像素电极和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源极与所述像素电极电连接，其特征在于还包括：导电物，用于维修时连接相同颜色的相邻亚像素的像素电极，所述导电物设置于所述亚像素单元的栅绝缘层与信号绝缘层之间。
2、根据权利要求1所述薄膜晶体管阵列基板，其特征在于所述导电物与所述信号线具有相同的材料并同时形成。
3、一种薄膜晶体管阵列基板维修方法，其特征在于包括：
切断不良亚像素单元的像素电极与薄膜晶体管之间的电连接；
将相邻的具有相同颜色的不良亚像素单元和正常亚像素单元的像素电极，在与导电物相重叠的位置进行击穿融化，其中，所述导电物设置于所述薄膜晶体管阵列基板上的亚像素单元的栅绝缘层与信号绝缘层之间。
4、根据权利要求3所述薄膜晶体管阵列基板维修方法，其特征在于进行所述击穿融化包括：通过阵列工序中的激光维修工艺进行所述击穿融化。
5、根据权利要求3所述薄膜晶体管阵列基板维修方法，其特征在于进行所述击穿融化之后还包括：在击穿点处沉积导电物质。
6、根据权利要求3-5任一所述薄膜晶体管阵列基板维修方法，其特征在于进行所述击穿融化之后还包括：
对所述相邻的具有相同颜色的不良亚像素单元及正常亚像素单元进行标记；
对带有标记的亚像素单元的像素电极进行电压调整，使带有标记的所述亚像素单元与相邻的具有相同颜色的亚像素单元达到显示一致化。
7、根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板维修方法，其特征在于所述导电物与所述薄膜晶体管阵列基板上的信号线具有相同的材料并同时形成。
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