KR20010041464A

KR20010041464A - 액정표시장치의 제조방법 및 액정표시장치

Info

Publication number: KR20010041464A
Application number: KR1020007009619A
Authority: KR
Inventors: 다떼노아끼히꼬; 나까따니히로유끼; 요시무라가즈야; 나까하라마꼬또; 기라다까또시; 이께스기다이스께; 반마사끼; 무라따히로시; 구보마사아끼
Original assignee: 타다시 마츠다; 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤; 마찌다 가쯔히꼬; 샤프 가부시키가이샤; 가나마루 이쿠오; 닛신 엔지니아링구 가부시키가이샤
Priority date: 1998-03-03
Filing date: 1999-03-03
Publication date: 2001-05-25
Also published as: US6639644B1; CN1150426C; CN1299473A; EP1074876A4; EP1074876A1; CA2322408A1; JP3504614B2; WO1999045428A1

Abstract

본 발명은 STN 형 액정표시장치 및 TFT 형 액정표시장치에 있어서, 전극이 존재하지 않는 전극틈, 즉 블랙 매트릭스 부분에 스페이서를 배치하는 것을 목적으로 하고 있다.

본 발명은 정극성 또는 부극성으로 대전한 스페이서를 기판상에 살포할 때, 접지된 체적저항 10¹⁰Ω㎝ 이하의 도전성 스테이지에 기판을 밀착시켜 배치하고, 또한 투명전극에 대하여 스페이서의 대전극성과 동극성인 200 V ∼ 5 kV 의 전압을 인가함으로써 투명전극틈에 스페이서를 살포하는 액정표시장치의 제조방법이다.

Description

액정표시장치의 제조방법 및 액정표시장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND MANUFACTURE THEREOF}

기술분야

본 발명은 액정표시장치의 제조방법 및 액정표시장치에 관한 것이다.

배경기술

액정표시장치는 퍼스널 컴퓨터, 휴대형 전자기기 등에 널리 사용되고 있다. 액정표시장치는 일반적으로 도 36 에 나타낸 바와 같이, 컬러필터 (4), 블랙 매트릭스 (5), 투명전극 (3), 배향막 (9) 등이 형성된 2 장의 기판 (1) 에 액정 (7) 을 끼워지지시켜 이루어진다.

도 37 에 나타낸 TFT 형 액정표시장치는 유리기판 (1) 상에 투명전극 (3), 컬러필터 (4), 도전성 블랙 매트릭스 (5), 오버코트층 (6), 배향막 (9) 등이 형성된 기판 (1a) 과, 유리기판 (1) 상에 소스전극 (14a), 드레인전극 (14) 등으로 이루어지는 투명전극 (3), 절연막 (23), 반도체막 (16), 게이트전극 (13), 배향막 (9) 등이 형성된 기판 (1b) 의 사이에 액정 (7) 을 끼워지지시켜 이루어진다.

이들 액정표시장치에 있어서, 2 장의 기판간격을 규제하고, 적정한 액정층의 두께를 유지하고 있는 것이 스페이서이다.

종래의 액정표시장치의 제조방법에서는 화소전극이 형성된 기판상에 스페이서를 랜덤 또한 균일하게 살포하기 위해, 도 36 및 도 37 에 나타낸 바와 같이, 화소전극상 즉 액정표시장치의 표시부에도 스페이서가 배치된다. 스페이서는 일반적으로 합성수지나 유리 등으로 형성되어 있으며, 화소전극상에 스페이서가 배치되면 소편(消偏)작용에 의해 스페이서 부분이 광누설을 일으킨다. 또, 스페이서 표면에서의 액정의 배향이 흐트러짐으로써 광누락이 일어나고, 콘트라스트나 색조가 저하되어 표시품질이 악화된다.

상술한 바와 같은 문제를 해결하기 위해서는, 비표시부인 전극틈, 즉 차광막인 블랙 매트릭스의 부분에만 스페이서를 배치하면 된다. 블랙 매트릭스는 액정표시장치의 표시 콘트라스트의 향상이나, TFT 형 액정표시장치의 경우에는 소자가 외광으로 오작동하지 않도록 설치되어 있는 것이다.

TFT 형 액정표시장치에 있어서, 블랙 매트릭스 부분, 즉 액정표시장치의 표시화소 이외의 부분에 스페이서를 배치하는 기술로서, 일본 공개특허공보 평4-256925 호에는 스페이서 살포시에 게이트전극 및 드레인전극을 동전위로 유지하는 방법이 개시되어 있다. 또, 일본 공개특허공보 평5-53121 호에는 스페이서 살포시에 배선전극에 전압을 인가하는 방법이 개시되어 있고, 일본 공개특허공보 평5-61052 호에는 배선전극에 정(正)의 전압을 인가하고, 스페이서를 부(負)로 대전시켜 건식으로 살포하는 방법이 개시되어 있다.

이들 공보에 기재된 발명은 박막 트랜지스터 (TFT) 가 형성된 기판을 사용하고, 이들 박막 트랜지스터의 배선에 전압을 인가하여 스페이서의 배치제어를 행하고자 하는 것이다.

그러나, 박막 트랜지스터 (TFT) 가 형성된 기판에 스페이서의 배치제어를 행하기 위한 전압을 인가하면, 그 전압으로 소자가 파괴되어 액정표시장치로서의 기능을 할 수 없다는 문제가 있었다.

또, STN 형 액정표시장치에 있어서, 블랙 매트릭스에 상당하는 위치는 투명전극과 투명전극의 틈이 되어 있으므로, 상술한 기술은 사용할 수 없다는 문제가 있었다.

한편, STN 형 액정표시장치와 같이 복수의 선형상 투명전극을 평행하게 늘어놓아 구성된 스트라이프형상 투명전극을 갖는 기판의 전극틈에 스페이서를 배치하기 위한 기술로서, 일본 공개특허공보 평4-204417 호에는 스페이서 살포시에 스페이서를 정 부 어느 한쪽으로 대전시키고, 기판의 선형상 투명전극에 대하여 스페이서와 동극성의 전압을 인가하는 액정표시장치의 제조방법이 개시되어 있다.

이 제조방법은 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 선형상 투명전극에 인가하여 스페이서와 전극을 반발시킴으로써 전극틈에 스페이서를 배치하고자 하는 것이다. 그러나, 스페이서와 동극성의 전압을 선형상 투명전극에 인가하는 것만으로는 투명전극 사이의 전위는 충분히 내려가지 않아 도 9 에 나타낸 상태가 되며, 스페이서의 배치에 적합한 전장은 형성되지 않아 스페이서의 배치 정밀도가 매우 나빴다. 이 때문에, 얻어지는 액정표시장치의 콘트라스트를 충분히 향상시킬 수는 없었다.

발명의 요약

본 발명의 목적은 상기의 문제점을 해결하는 것으로, STN 형 액정표시장치 및 TFT 형 액정표시장치에 있어서, 전극이 존재하지 않는 전극틈, 즉 블랙 매트릭스 부분에 스페이서를 배치할 수 있고, 또한 스페이서를 얼룩 없이 기판상에 배치하고, 셀 두께를 기판 전체에서 균일하게 하는 것을 가능하게 하고, 콘트라스트가 높고, 표시 균일성이 높은 액정표시장치를 안정적으로 수율 좋게 제조하며, 살포공정의 택트를 단축할 수 있는 액정표시장치의 제조방법 및 그것을 사용한 액정표시장치를 제공하는 것에 있다.

제 1 본 발명은 적어도 패턴형상의 투명전극으로 구성되는 제 1 기판 및 제 1 기판상에 대향배치되는 제 2 기판 중 적어도 일측의 기판에 스페이서를 살포하고, 양 기판의 틈에 액정을 주입하여 이루어지는 액정표시장치의 제조방법으로서, 정극성 또는 부극성으로 대전한 스페이서를 기판상에 살포할 때, 접지된 체적저항 10¹⁰Ω㎝ 이하의 도전성 스테이지에 기판을 밀착시켜 설치하고, 또한 투명전극에 대하여 스페이서의 대전극성과 동극성인 200 V ∼ 5 kV 의 전압을 인가하는 액정표시장치의 제조방법이다.

제 2 본 발명은 적어도 패턴형상의 투명전극, 도전성 블랙 매트릭스 및 오버코트층으로 구성되는 제 1 기판 및 제 1 기판상에 대향배치되는 제 2 기판 중 적어도 일측의 기판에 스페이서를 살포하고, 양 기판의 틈에 액정을 주입하여 이루어지는 액정표시장치의 제조방법으로서, 정극성 또는 부극성으로 대전한 스페이서를 기판상에 살포할 때, 도전성 블랙 매트릭스에 대하여 전압 (V1) 을 인가하고, 또한 투명전극에 대하여 전압 (V2) 을 인가하여, V1 과 V2 는 스페이서의 대전극성이 정극성인 경우에는 모두 정전압이고, 또한 V1 〈 V2 의 관계이며, 스페이서의 대전극성이 부극성인 경우에는 모두 부전압이고, 또한 V1 〉 V2 의 관계인 액정표시장치의 제조방법이다.

제 3 본 발명은 적어도 패턴형상의 투명전극 및 배향막으로 구성되고, 하나 또는 2 개 이상의 표시영역을 갖는 제 1 기판 및 제 1 기판상에 대향배치되는 제 2 기판 중 적어도 일측의 기판에 스페이서를 살포하고, 양 기판의 틈에 액정을 주입하여 이루어지는 액정표시장치의 제조방법으로서, 정극성 또는 부극성으로 대전한 스페이서를 기판상에 살포할 때, 기판치수보다 작은 치수의 접지된 도전성 스테이지에 기판을 밀착시켜 설치하고, 기판 외주 단부가 도전성 스테이지로부터 뜬 상태로 하고, 또한 기판상의 투명전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가하는 액정표시장치의 제조방법이다.

제 4 본 발명은 적어도 패턴형상의 투명전극 및 배향막으로 구성되는 제 1 기판 및 제 1 기판상에 대향배치되는 제 2 기판 중 적어도 일측의 기판에 스페이서를 살포하고, 양 기판의 틈에 액정을 주입하여 이루어지는 액정표시장치의 제조방법으로서, 스페이서가 살포되는 기판의 수분을 제거하는 공정과, 접지된 도전성 스테이지에 기판을 밀착시켜 설치하고, 기판상의 투명전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가하여 스페이서를 살포하는 공정으로 이루어지는 액정표시장치의 제조방법이다.

제 5 본 발명은 적어도 패턴형상의 투명전극 및 배향막으로 구성되는 제 1 기판 및 제 1 기판상에 대향배치되는 제 2 기판 중 적어도 일측의 기판에 스페이서를 살포하고, 양 기판의 틈에 액정을 주입하여 이루어지는 액정표시장치의 제조방법으로서, 접지된 도전성 스테이지에 기판을 밀착시켜 설치하고, 상기 기판상의 상기 투명전극에 상기 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가하여 스페이서를 살포하는 공정으로 이루어지고, 스페이서의 살포전 및 살포중에 사용하는 기판의 특성으로서, 기판상의 투명전극에 1 kV 의 전압을 인가했을 때, 기판상의 투명전극과 도전성 스테이지의 사이에 흐르는 전류를 10^-6이하인 기판을 사용하는 액정표시장치의 제조방법이다.

제 6 본 발명은 적어도 패턴형상의 투명전극 및 배향막으로 구성되는 제 1 기판 및 제 1 기판상에 대향배치되는 제 2 기판 중 적어도 일측의 기판에 스페이서를 살포하고, 양 기판의 틈에 액정을 주입하여 이루어지는 액정표시장치의 제조방법으로서, 정극성 또는 부극성으로 대전한 스페이서를 기판상에 살포할 때, 접지된 도전성 스테이지에 기판을 밀착시켜 설치하고, 또한 기판상의 투명전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가한 후, 전압인가장치로부터의 단자를 투명전극으로부터 떼내고, 기판에 전하가 잔류하고 있는 동안에 스페이서를 살포하는 액정표시장치의 제조방법이다.

제 7 본 발명은 적어도 패턴형상의 투명전극 및 배향막으로 구성되는 제 1 기판 및 제 1 기판상에 대향배치되는 제 2 기판 중 적어도 일측의 기판에 스페이서를 살포하고, 양 기판의 틈에 액정을 주입하여 이루어지는 액정표시장치의 제조방법으로서, 정극성 또는 부극성으로 대전한 스페이서를 기판상에 살포할 때, 접지된 도전성 스테이지에 기판을 밀착시켜 설치하고, 또한 기판상의 투명전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가한 상태에서 일정시간 유지한 후, 전압을 인가한 상태를 유지한채 스페이서의 살포를 행하는 액정표시장치의 제조방법이다.

제 8 본 발명은 적어도 패턴형상의 투명전극, 도전성 블랙 매트릭스, 오버코트층 및 배향막으로 구성되는 제 1 기판 및 제 1 기판상에 대향배치되는 박막 트랜지스터로 구성되는 제 2 기판 중 제 1 기판에 스페이서를 살포하고, 양 기판의 틈에 액정을 주입하여 이루어지는 액정표시장치의 제조방법으로서, 제 1 기판은 투명전극의 내부에 도전성 블랙 매트릭스의 바로위 영역의 내측이 되도록 투명전극이 존재하지 않는 에칭영역이 형성된 것이고, 정극성 또는 부극성으로 대전한 스페이서를 제 1 기판상에 살포할 때, 도전성 블랙 매트릭스에 대하여 전압 (V1) 을 인가하고, 또한 투명전극에 대하여 전압 (V2) 을 인가하여, V1 과 V2 는 스페이서의 대전극성이 정극성인 경우에는 모두 정전압이고, 또한 V1 〈 V2 의 관계이며, 스페이서의 대전극성이 부극성인 경우에는 모두 부전압이고, 또한 V1 〉 V2 의 관계인 액정표시장치의 제조방법이다.

제 9 본 발명은 적어도 패턴형상의 투명전극, 블랙 매트릭스, 오버코트층 및 배향막으로 구성되는 제 1 기판 및 제 1 기판상에 대향배치되는 박막 트랜지스터로 구성되는 제 2 기판 중 제 1 기판에 스페이서를 살포하고, 양 기판의 틈에 액정을 주입하여 이루어지는 액정표시장치의 제조방법으로서, 제 1 기판은 투명전극의 내부에 블랙 매트릭스의 바로위 영역의 내측이 되도록 투명전극이 존재하지 않는 에칭영역이 형성된 것이고, 정극성 또는 부극성으로 대전한 스페이서를 제 1 기판상에 살포할 때, 접지된 체적저항 10¹⁰Ω㎝ 이하의 도전성 스테이지에 제 1 기판을 밀착시켜 설치하고, 투명전극에 대하여 스페이서의 대전극성과 동극성인 200 V ∼ 5 kV 의 전압을 인가하는 액정표시장치의 제조방법이다.

제 10 본 발명은 적어도 패턴형상의 투명전극으로 구성되는 제 1 기판 및 제 1 기판상에 대향배치되는 박막 트랜지스터로 구성되는 제 2 기판 중 제 1 기판에 스페이서를 살포하고, 양 기판의 틈에 액정을 주입하여 이루어지는 액정표시장치의 제조방법으로서, 제 1 기판은 투명전극의 내부에 제 1 기판 또는 제 2 기판에 형성된 블랙 매트릭스 영역의 내측이 되도록 주위의 투명전극과 접속되어 있지 않은 전기적으로 뜬 상태의 고립투명전극이 형성된 것이고, 정극성 또는 부극성으로 대전한 스페이서를 제 1 기판상에 살포할 때, 접지된 체적저항 10¹⁰Ω㎝ 이하의 도전성 스테이지에 제 1 기판을 밀착시켜 설치한 후, 제 1 기판의 고립투명전극 이외의 투명전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가하는 액정표시장치의 제조방법이다.

제 11 본 발명은 스페이서는 기체를 매체로 하여 수지제의 배관 또는 금속제의 배관을 경유하여 살포됨으로써, 정극성 또는 부극성으로 대전되는 것인 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5, 제 6, 제 7, 제 8, 제 9 또는 제 10 본 발명의 액정표시장치의 제조방법이다.

제 12 본 발명은 스페이서는 가열에 의해 기판 표면에 고착하는 것인 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5, 제 6, 제 7, 제 8, 제 9, 제 10 또는 제 11 본 발명의 액정표시장치의 제조방법이다.

제 13 본 발명은 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5, 제 6, 제 7, 제 8, 제 9, 제 10, 제 11 또는 제 12 본 발명의 액정표시장치의 제조방법에 의해 제조되어 이루어지는 액정표시장치이다.

도면의 간단한 설명

도 1 은 스테이지가 접지되어 있는 경우에서의 기판상의 등전위면을 설명하기 위한 단면개념도이다.

도 2 는 본 발명의 액정표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 개념도이다.

도 3 은 더미전극이 형성되어 있지 않은 본 발명의 액정표시장치의 제조방법에서 사용되는 기판을 상부로부터 본 평면개념도이다.

도 4 는 더미전극이 형성되고, 투명전극과 더미전극이 접속되어 있지 않은 본 발명의 액정표시장치의 제조방법에서 사용되는 기판을 상부로부터 본 평면개념도이다.

도 5 는 더미전극이 형성되고, 투명전극과 더미전극이 접속되어 있는 본 발명의 액정표시장치의 제조방법에서 사용되는 기판을 상부로부터 본 평면개념도이다.

도 6 은 오버코트층상에 투명전극만이 형성된 기판에 있어서, 투명전극과 블랙 매트릭스에 동극성의 다른 전압을 인가한 경우의 전기력선을 나타내는 개념도이다.

도 7 은 오버코트층상에 투명전극 및 더미전극이 형성된 기판에 있어서, 투명전극 및 더미전극과 블랙 매트릭스에 동극성의 다른 전압을 인가한 경우의 전기력선을 나타내는 개념도이다.

도 8 은 종래의 액정표시장치의 제조방법에서의 기판상의 등전위면을 설명하기 위한 단면개념도이다.

도 9 는 스테이지가 접지되어 있지 않은 경우에서의 기판상의 등전위면을 설명하기 위한 단면개념도이다.

도 10 은 액정표시장치의 제조방법에서의 기판과 스테이지의 관계를 설명하기 위한 단면개념도이다.

도 11 은 액정표시장치의 제조방법에서의 기판과 스테이지의 관계를 설명하기 위한 단면개념도이다.

도 12 는 본 발명의 액정표시장치의 제조방법에서의 일반적인 코먼전극 기판상의 블랙 매트릭스의 액자상태를 설명하기 위한 평면 및 단면개념도이다.

도 13 은 본 발명의 액정표시장치의 제조방법에서의 기판상의 등전위면을 설명하기 위한 단면개념도이다.

도 14 는 기판 표면의 수분을 거쳐 전류가 스테이지측으로 리크하는 경우를 설명하기 위한 측면개념도이다.

도 15 는 스테이지가 접지되어 있지 않은 경우에서의 기판상의 등전위면을 설명하기 위한 측면개념도이다.

도 16 은 기판 표면이 수분으로 덮여 있는 경우에서의 기판상의 등전위면을 설명하기 위한 측면개념도이다.

도 17 은 본 발명의 액정표시장치의 제조방법에서의 투명전극과 도전성 스테이지의 사이에 일렉트로미터를 설치하여 리크전류를 검사하는 것을 설명하기 위한 측면개념도이다.

도 18 은 접지된 도전성 스테이지 (테이블) 에 기판을 밀착시켜 설치하고, 또한 스페이서가 살포되는 기판상에 형성된 패턴형상의 투명전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가하고, 그 후, 패턴형상의 투명전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가한채, 전압인가장치로부터의 단자를 투명전극으로부터 떼내면, 스페이서의 배치에 적합한 전장이 유지되는 것을 설명하기 위한 측면개념도이다.

도 19 는 스페이서의 살포공정전에 접지된 도전성 스테이지상에서 투명전극에 전압을 인가해 두고, 그 도전성 스테이지 (테이블) 째 살포장치내에 흘림으로써 살포장치내에서 전압의 인가를 행하는 공정을 줄일 수 있고, 택트를 빠르게 할 수 있는 것을 설명하기 위한 측면개념도이다.

도 20 은 에칭영역이 형성된 본 발명의 제 1 기판의 1 실시 형태를 모식적으로 나타내는 평면도이다.

도 21 은 에칭영역이 형성된 본 발명의 제 1 기판의 다른 실시 형태를 모식적으로 나타내는 평면도이다.

도 22 는 에칭영역이 형성된 본 발명의 제 1 기판의 또 다른 실시 형태를 모식적으로 나타내는 평면도이다.

도 23 은 에칭영역이 형성된 본 발명의 제 1 기판의 또 다른 실시 형태를 모식적으로 나타내는 평면도이다.

도 24 는 본 발명의 액정표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면개념도이다.

도 25 는 고립투명전극이 형성된 본 발명의 제 1 기판의 1 실시 형태를 모식적으로 나타내는 평면도이다.

도 26 은 고립투명전극이 형성된 본 발명의 제 1 기판의 다른 실시 형태를 모식적으로 나타내는 평면도이다.

도 27 은 고립투명전극이 형성된 본 발명의 제 1 기판의 또 다른 실시 형태를 모식적으로 나타내는 평면도이다.

도 28 은 고립투명전극이 형성된 본 발명의 제 1 기판의 또 다른 실시 형태를 모식적으로 나타내는 평면도이다.

도 29 는 본 발명의 액정표시장치의 제조방법의 발명을 실시하기 위한 형태에서 사용되는 스페이서 살포장치의 단면개념도이다.

도 30 은 본 발명의 액정표시장치의 제조방법의 발명을 실시하기 위한 형태에서 사용되는 스페이서 살포장치의 단면개념도이다.

도 31 은 본 발명의 액정표시장치의 제조방법의 발명을 실시하기 위한 형태에서 사용되는 스페이서 살포장치의 단면개념도이다.

도 32 는 본 발명의 액정표시장치의 제조방법의 발명을 실시하기 위한 형태에서 사용되는 스페이서 살포장치의 단면개념도이다.

도 33 은 도 23 에 나타낸 제 1 기판에 스페이서를 살포했을 때의 상태를 나타낸 평면도이다.

도 34 는 본 발명의 액정표시장치의 제조방법의 발명을 실시하기 위한 형태에서 사용되는 스페이서 살포장치의 단면개념도이다.

도 35 는 도 28 에 나타낸 제 1 기판에 스페이서를 살포했을 때의 상태를 나타낸 평면도이다.

도 36 은 종래의 액정표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 개념도이다.

도 37 은 종래의 TFT 형 액정표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 개념도이다.

부호의 설명

1 : 절연성 기판 (유리기판)

1a : 제 1 기판

1b : 제 2 기판

2 : 편향판

3 : 표시전극 (선형상 투명전극, 화소전극)

3a : 고립투명전극

4 : 컬러필터

5 : 블랙 매트릭스 (도전성 블랙 매트릭스)

6 : 오버코트층

7 : 액정

8 : 스페이서

9 : 배향막

10 : 용기

12 : 전압인가장치 (직류전원)

13 : 게이트전극

14 : 드레인전극

14a : 소스전극

15 : 도전성 스테이지 (스테이지)

16 : 반도체막

17 : 배관

18 : 일렉트로미터

19 : 스페이서 계량용 (공급용) 피더

20 : 분단라인

21 : 더미전극

22 : 에칭영역

23 : 절연막

24 : 에칭대역

26 : 블랙 매트릭스 액자

28 : 더미전극영역

29 : 표시화소 (블랙 매트릭스 개구부)

30 : 표시영역

31 : 등전위를 나타내는 선 (등전위면)

발명의 개시

이하에 본 발명을 상세히 서술한다.

제 1 본 발명의 액정표시장치의 제조방법은 적어도 패턴형상의 투명전극으로 구성되는 제 1 기판 및 제 1 기판상에 대향배치되는 제 2 기판 중 적어도 일측의 기판에 스페이서를 살포하고, 양 기판의 틈에 액정을 주입하여 이루어지는 액정표시장치의 제조방법에 적용된다.

상기 투명전극으로서는 특별히 한정되지 않고, 예컨대 투명전극을 선형상으로 한 것 등을 들 수 있다. 또, 상기 패턴형상의 투명전극으로서는 특별히 한정되지 않고, 예컨대 선형상 투명전극이 평행하게 늘어서 구성된 스트라이프형상 전극을 기판상에 형성시킨 것 등을 들 수 있다. 상기 스트라이프형상 전극은 액정표시장치에 있어서, 소위 표시전극으로서 사용되고 있는 것이다. 또, 액정표시장치에서 표시를 행하기 위한 영역은 표시영역이고, 이것은 투명전극을 형성하고 있는 영역과 그 근방부로 이루어진다.

제 1 본 발명의 액정표시장치의 제조방법을 적용할 수 있는 기판으로서는 적어도 패턴형상의 투명전극이 형성된 것이면 되고, 기판형상, 필름형상 등의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 따라서, 예컨대 블랙 매트릭스, 컬러필터, 오버코트층, 패턴형상의 투명전극 및 배향막을 갖는 컬러필터기판이나, 블랙 매트릭스, 오버코트층, 패턴형상의 투명전극 및 배향막을 갖는 기판 등을 들 수 있다. 단, 금속제 기판을 사용하는 경우에는 표면에 형성된 전극이 쇼트하지 않도록 금속제 기판상에 절연층을 형성할 필요가 있다.

따라서, 제 1 본 발명의 액정표시장치의 제조방법을 STN 형 액정표시장치의 제조에 적용하는 경우에는 패턴형상의 투명전극을 최저한 갖는 기판이면 코먼전극기판 또는 그것에 대향하는 세그먼트전극기판의 어느 하나에 대해서도 적용하는 것이 가능하다.

상기 스페이서로서는 특별히 한정되지 않고, 예컨대 금속미립자 ; 합성수지 미립자 ; 무기미립자 ; 합성수지에 안료가 분산된 차광성 미립자 ; 염료에 의해 착색된 미립자 ; 가열ㆍ광 등에 의해 접착성을 발휘하는 미립자 ; 금속미립자, 합성수지 미립자, 무기미립자 등의 표면을 금속에 의해 도금한 미립자 등을 들 수 있으며, 액정표시장치에서 셀 두께 조정을 하기 위한 것이다.

제 1 본 발명의 액정표시장치의 제조방법을 TFT 형 액정표시장치의 제조방법에 적용하는 경우, 코먼전극기판인 컬러필터측 기판의 블랙 매트릭스 부분의 바로 아래에 에칭 등을 행하여 투명전극이 존재하지 않는 영역을 형성하고, 제 1 본 발명의 액정표시장치의 제조방법에 의해 스페이서를 기판에 배치시키면 된다. 통상의 TFT 형 액정표시장치는 코먼전극기판이 베타전극인데, 투명전극을 에칭한 전극이어도, 각 전극에 동전압을 인가함으로써 통상의 TFT 형 액정표시장치와 동일하게 구동시킬 수 있다.

제 1 본 발명의 액정표시장치의 제조방법은 정극성 또는 부극성으로 대전한 스페이서를 기판상에 살포할 때, 접지된 체적저항 10¹⁰Ω㎝ 이하의 도전성 스테이지 (스테이지라고도 함) 에 기판을 밀착시켜 설치하고, 또한 투명전극에 대하여 스페이서의 대전극성과 동극성인 200 V ∼ 5 kV 의 전압을 인가함으로써 행한다.

접지된 체적저항 10¹⁰Ω㎝ 이하의 도전성 스테이지에 기판을 밀착시켜 설치함으로써 투명전극틈의 전위가 내려가고, 도 1 에 나타낸 바와 같이, 스페이서의 배치에 적합한 전장이 형성된다.

상기 도전성 스테이지는 체적저항 10¹⁰Ω㎝ 이하가 필요하고, 기판은 어느 일정 이상의 면적으로 도전성 스테이지와 밀착하고 있으면 된다.

상기 투명전극에 대하여 인가되는 전압의 전압치는 200 V ∼ 5 kV 이다. 이 값은 일반적으로 스페이서의 대전량에 대하여 충분한 반발력을 발휘할 수 있는 것이다. 따라서, 스페이서의 정확한 배치를 달성할 수 있다. 바람직하게는 1.5 kV ∼ 5 kV 이다. 전압의 종류로서는 특별히 한정되지 않고, 예컨대 직류전압, 펄스전압 등이 바람직하게 사용된다.

스페이서의 살포방법으로서는 건식살포방법, 습식살포방법의 어느 하나가 바람직한데, 수분의 영향으로 투명전극 사이에서 리크가 발생하는 경우가 있으므로, 건식살포가 바람직하다.

상기 건식살포방법에 있어서, 스페이서의 대전방법으로서는 스페이서가 배관과의 접촉을 반복함으로써 대전하는 방법 등을 들 수 있다. 대전방법에서는 압축공기, 압축질소와 같은 매체로 스페이서를 배관내에 통과시킴으로써 안정적으로 대전한다. 이 경우, 스페이서의 대전 및 기판상으로의 수분의 부착방지의 관점에서 매체인 기체는 수분이 최대한 적은 건조상태가 바람직하다.

상기 배관의 재질로서는 금속제이어도 수지제이어도 되고, 스페이서의 대전극성, 대전량과의 관련에서 적당히 선정된다.

상기 금속제 배관으로서는 특별히 한정되지 않고, 예컨대 니켈, 구리, 알루미늄, 티탄 등의 단일조성의 배관 ; 스테인리스 등의 합금으로 이루어지는 배관 등을 들 수 있다. 또, 배관내벽에 금, 크롬 등의 금속피막을 도금 등에 의해 형성하여 이루어지는 배관 등이어도 된다.

상기 수지제 배관으로서는 특별히 한정되지 않고, 예컨대 테프론, 염화비닐, 나일론 등으로 이루어지는 배관 등을 들 수 있다. 또, 테프론 등의 절연성이 높은 수지제 배관을 사용하는 경우에 있어서, 안정적인 대전을 얻기 위해서는 이들 수지제 배관을 금속으로 피복하거나, 철사, 금속선 등을 배관중에 삽입하는 등 금속의 피복부분, 철사, 금속선 등을 접지해 두는 것이 바람직하다. 이것은, 스페이서와 배관의 접촉으로 전하의 출입이 행해지는데, 접지되어 있지 않으면 전하가 수지제 배관에 머물러 안정적인 대전을 얻을 수 없게 되기 때문이다.

또, 스페이서의 대전량을 조절하기 위해 이들 재질이 다른 배관을 직렬로 연결해도 된다.

상기 투명전극, 기판, 스페이서 및 스페이서의 대전방법으로서는 제 1 본 발명에서 설명한 것과 동일하다. 또, 제 1 본 발명에서 설명한 것과 동일하게, 제 2 본 발명의 액정표시장치의 제조방법을 TFT 형 액정표시장치의 제조방법에 적용할 수 있다.

상기 도전성 블랙 매트릭스 (블랙 매트릭스라고도 함) 는 표시영역을 액자형상으로 나타내고 있다. 그 액자상태는 도전성 블랙 매트릭스가 존재하지 않는 영역에 의해 형성된다.

상기 도전성 블랙 매트릭스로서는 도전성을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예컨대 크롬, 알루미늄, 카본블랙 등으로 이루어지는 것 등을 들 수 있는데, 도전성의 관점에서 금속제인 것이 바람직하며, 크롬으로 이루어지는 것이 많이 사용되고 있다. 통상, 도 2 에 나타낸 바와 같이, 도전성 블랙 매트릭스상에는 절연성의 오버코트층이 형성되어 있다. 상기 오버코트층은 선형상 투명전극과 도전성 블랙 매트릭스의 단락을 방지하기 위해 형성되는 것이고, 투명하고 절연성을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예컨대 아크릴수지 등으로 이루어지는 것 등을 들 수 있다.

상기 오버코트층은 기판이 컬러필터를 갖는 기판인 경우에는 컬러필터층을 평탄화하는 작용도 갖는다. 그리고, 이와 같은 컬러필터는 일반적으로 안료분산법, 염색법 등에 의해 형성할 수 있다.

상기 도전성 블랙 매트릭스에 대하여 전압 (V1) 을 인가하고, 투명전극에 전압 (V2) 을 인가함으로써 도 2 에 나타낸 바와 같이, 접지된 체적저항 10¹⁰Ω㎝ 이하의 도전성 스테이지에 기판을 밀착시켜 설치해도, 또는 하지 않아도 도 1 에 나타낸 것과 동일하게, 스페이서의 배치에 적합한 전장이 형성된다.

예컨대, 스페이서의 대전이 정대전의 경우, 모두 정전압이고, 또한 V1 〈 V2 로 함으로써 투명전극의 부분이 강한 척력(斥力)이 되고, 블랙 매트릭스의 부분이 약한 척력이 되므로, 스페이서는 블랙 매트릭스의 부분에 배치시킬 수 있다 (부대전의 경우도 동일).

상기 V1 과 V2 를 스페이서의 대전과 동극성으로 하는 이유는, 스페이서의 낙하위치를 높은 정밀도로 제어하기 위해서는 kV 정도의 척력이 필요하다. 여기에서, V1 과 V2 를 이극성으로 하면, 투명전극과 블랙 매트릭스의 전위차가 kV 가 되므로, 오버코트층이 2 ∼ 5 ㎛ 로 얇기 때문에, 투명전극과 블랙 매트릭스의 사이에서 쇼트하여 스페이서의 배치에 적합한 전장이 형성되지 않게 된다.

따라서, V1 과 V2 의 전위차는 100 V 이내가 바람직하다. 100 V 이내라는 작은 전위차이어도, 척력중에서의 전위차이므로, 스페이서의 배치제어를 달성할 수 있다.

즉, 살포되는 스페이서의 대전극성이 정극성 (+) 인 경우에는 도전성 블랙 매트릭스에 인가되는 전압 (V1) 과, 투명전극에 인가되는 전압 (V2) 의 관계를

V1 〈 V2

로 한다.

이와 같이 함으로써 블랙 매트릭스 부분의 척력은 상대적으로 투명전극부분의 척력보다 작아지고, 스페이서는 도전성 블랙 매트릭스 부분, 즉, 패턴형상의 투명전극을 구성하는 각 투명전극의 틈에 배치되게 된다.

또, 살포되는 스페이서의 대전극성이 부극성 (-) 인 경우에는 도전성 블랙 매트릭스에 인가되는 전압 (V1) 과, 투명전극에 인가되는 전압 (V2) 의 관계를

V1 〉 V2

로 한다.

상기 V1 과 V2 는 살포되는 스페이서의 대전극성이 정극성 (+) 인 경우에는 모두 정전위로 하고, 살포되는 스페이서의 대전극성이 부극성 (-) 인 경우에는 모두 부전위로 한다. 즉, V1 과 V2 의 전위차를 스페이서의 대전극성에 대한 이극성에서 형성하거나, 접지전위를 기준으로 하여 정극성 (+) 과 부극성 (-) 으로 형성하는 것이 아니라, 스페이서의 대전극성에 대한 동극성에서 형성한다.

상기 V1 과 V2 의 전위차를 스페이서의 대전극성에 대한 동극성에서 형성하는 이유는 다음과 같다.

상기 V1 과 V2 의 전위차를 스페이서의 대전극성에 대하여 이극성으로 형성한 경우 또는 접지전위를 기준으로 하여 정극성 (+) 과 부극성 (-) 으로 형성한 경우에는, 스페이서는 기판 원방(遠方)에서 먼저 인력의 영향을 받으므로 낙하 스피드가 빨라지는 경향이 있다.

이에 대하여, V1 과 V2 의 전위차를 스페이서의 대전극성에 대하여 동극성으로 형성한 경우에는, 척력의 영향으로 스페이서의 낙하 스피드가 억제되는 경향이 있다. V1 과 V2 의 전위차의 크기가 동일하다면, 낙하 스피드가 느릴수록 보다 정확한 스페이서의 배치제어를 달성하는 것이 가능하게 된다.

구체적으로 설명하면, 예컨대 스페이서의 대전극성이 부극성 (-) 인 경우로서 V1 과 V2 의 사이에 50 V 의 전위차를 부여하는 경우에 있어서는 +25 V ∼ -25 V 의 전위차 50 V 가 아니라, 스페이서의 대전극성과 동극성인 -1000 V ∼ -1050 V 의 전위차 50 V 로 한다. 스페이서는 낙하초기의 단계, 즉 기판 원방에 존재하는 경우에 있어서는 -1000 V ∼ -1050 V 의 평균적인 전장 (E1) 의 영향만을 받는다. 왜냐하면, 이 단계에서는 전위차의 영향은 아직 존재하지 않기 때문이다. 따라서, 대전량 (Q) 의 스페이서는 전장 (E1) 에 의해 낙하방향 (상하방향) 에 대한 인력 또는 척력의 영향만을 받는다 (F1 = QE1). 그 후, 스페이서가 기판에 접근하면, -1000 V ∼ -1050 V 의 전위차 (E2) (50V) 의 영향에 의해 스페이서의 낙하경로가 구부러진다 (F2 = QE2).

따라서, V1 과 V2 의 전위차를 어느 전압치에서 형성하느냐에 의해 전위차 (E2) 중에 뛰어드는 스페이서의 속도를 변화시킬 수 있다. 이 때문에, V1 및 V2 의 전압치 및 그 전위차를 조절함으로써 작은 전위차에서의 스페이서의 배치제어를 행하는 것이 가능하게 된다. 제 2 본 발명의 요지는 여기에도 있다. 즉, 종래와 같은 극성에 의한 인력ㆍ척력만의 사고방식이 아니라, 기판상에 스페이서의 대전극성과 동극성의 척력전장을 형성함으로써 스페이서의 낙하속도를 적극적으로 조절하고, 이 척력전장중의 전위차에 의해 높은 정밀도에서의 스페이서의 배치를 달성할 수 있다.

상기 V1 과 V2 의 전위차는 100 V 이내인 것이 바람직하다. 상술한 바와 같이, V1 과 V2 는 모두 스페이서의 대전극성과 동극성의 전위이기 때문에, 100 V 이내라는 작은 전위차이어도 스페이서의 배치제어를 달성할 수 있다. 100 V 를 초과하면, 오버코트층의 두께가 2 ∼ 5 ㎛ 정도로 얇으므로, 절연파괴를 일으키기 쉬워 수율이 저하되는 경우가 있다.

상기 스페이서의 대전량으로서는 정극성 (+) 또는 부극성 (-) 이고, 3 ∼ 50 μC/g 이 바람직하다. 그리고, 이 스페이서의 대전량은 스페이서의 대전량의 편차를 의미하는 것이 아니라, 스페이서의 평균적인 대전량이 상기 범위에 존재한다는 의미이다. 3 μC/g 미만이면, 스페이서가 낙하중에 다 구부러지지 않아 높은 배치 정밀도가 얻어지지 않는 경우가 있다. 한편, 50 μC/g 을 초과하면, 척력을 사용한 전장에서는 반발력이 너무 강해 스페이서가 기판상에 그다지 올라가지 않게 되기 때문에, 장시간의 살포가 필요하게 되고, 또 스페이서의 대전량에는 어느 정도의 편차가 존재하므로, 배치 정밀도도 악화되는 경향에 있다.

그리고, 스페이서의 대전량의 측정은, 예컨대 E-SPART 애널라이저 (호소가와미크론샤 제조) 등을 이용할 수 있다.

상기한 제 1 및 제 2 본 발명에서, 기판에는 더미전극이 형성된 것을 사용하는 것이 바람직하다.

도 3 ∼ 5 는 1 장의 기판으로부터 표시용 기판을 2 장 제작하는 타입의 기판을 나타낸 평면도이다. 도 4 및 5 에 나타낸 기판은 표시영역의 외측에 더미전극이 형성되어 있는 타입의 것이다. 통상, 이 더미전극은 제조공정에서 정전기(正電氣)에 의해 스파크가 생겨 배향막이 손상되는 것을 방지하기 위해 형성되어 있다.

도 3 은 더미전극이 형성되어 있지 않은 것, 도 4 는 더미전극이 형성되어 있지만, 투명전극와 더미전극이 도통하고 있지 않은 것, 도 5 는 더미전극이 형성되고, 투명전극과 더미전극이 도통하고 있는 것을 나타낸다.

이와 같이, 더미전극이 형성되어 있는 것 (도 4 및 도 5) 을 사용하는 것은 표시영역의 최외주부에서의 스페이서의 수의 감소를 방지하고, 전체의 셀 갭을 균일하게 유지하기 위해서이다.

더미전극이 형성되어 있지 않은 것에서는 표시영역의 최외주부에서의 스페이서의 수가 감소하기 쉬운데, 이것은 이하와 같은 이유에 의한다. 즉, 도 6 에 나타낸 바와 같이, 투명전극이 형성된 표시영역의 중심부근은 척력전장이 균일하므로, 투명전극 사이에 배치되는 스페이서의 수는 안정된 것이 된다. 그러나, 표시영역의 최외주 (외측) 에는 척력이 존재하지 않으므로, 그 부근의 스페이서는 표시영역외로 튕겨나가기 쉬워져 스페이서의 수가 감소하기 쉽다.

단, 표시영역의 중심부근에서도 배치되는 스페이서의 수는 전압이 인가되지 않을 때와 비교하면, 척력 때문에 적어져 있다. 또, 특히 대전량이 큰 입자는 기판외로 튕겨나간다.

그러나, 도 7 에 나타낸 바와 같이, 표시영역의 외측에 배치된 더미전극에 표시영역내의 투명전극과 동일한 전압을 인가하면, 더미전극이 형성된 영역에도 표시영역과 동일한 전장이 퍼지게 되고, 그 때문에, 더미전극의 내측에서는 스페이서의 수는 거의 감소하지 않고, 표시영역에서는 균일한 수의 스페이서가 배치되게 된다. 그 결과, 이 기판을 사용하여 액정표시장치를 제조하면, 셀 갭은 표시영역 전체에서 균일해지고, 표시 얼룩이 존재하지 않게 되며, 콘트라스트가 높은 표시가 가능하게 된다. 그리고, 도 6 및 도 7 에서는 하부의 오버코트층이나 블랙 매트릭스층 등을 생략하고 있다.

투명전극과 더미전극이 도통하고 있는 경우에는 더미전극에 전압을 인가함으로써 투명전극에도 동일한 전압이 인가되게 되고, 상기한 바와 같이, 스페이서의 균일한 배치가 가능하게 된다.

또, 투명전극과 더미전극이 도통하고 있지 않은 경우에는 투명전극과는 다른 전압을 더미전극에 인가하는 것이 바람직하다.

이것은, 예컨대 표시영역과 더미전극의 거리가 떨어져 있으면, 그 사이에 스페이서가 도피하는 경우가 있다. 따라서, 이와 같은 경우에는 더미전극에 표시영역보다도 강한 척력전압을 인가하고, 스페이서를 반발에 의해 표시영역의 최외주부에 반대로 튕겨나가게 하는 것이 필요하게 되기 때문이다.

투명전극과 더미전극을 도통시키는 방법으로서는, 예컨대 투명전극의 편측을 더미전극과 도통시키는 방법, 투명전극의 양측을 더미전극과 도통시키는 방법, 정렬하고 있는 투명전극을 순차적으로 좌우 번갈아 더미전극과 도통시키는 방법 등을 들 수 있다. 도통방법은 상기 방법에 한정되지 않고, 각각의 투명전극이 어떠한 형태로 더미전극과 도통하고 있으면 된다.

상기 투명전극, 기판, 스페이서 및 스페이서의 대전방법으로서는 제 1 본 발명에서 설명한 것과 동일하다. 또, 제 1 본 발명에서 설명한 것과 동일하게, 제 3 본 발명의 액정표시장치의 제조방법을 TFT 형 액정표시장치의 제조방법에 적용할 수 있다.

단지, 스페이서의 살포시에 대전한 스페이서와 기판상의 전압이 인가된 투명전극의 극성을 동극성으로 할 때에는 도 8 에 나타낸 바와 같이, 예컨대 스페이서의 대전극성을 정극성 (+) 으로 하고, 투명전극에 인가된 전압의 극성도 정극성 (+) 으로 한 경우 (컬러필터, 오버코트 등 도시하지 않음), 기판상에 살포되는 스페이서의 전체수는 투명전극에 전압을 인가하지 않은 경우보다도 적어져 안정된 것이 된다.

그러나, 투명전극이 존재하지 않는 기판 단부에서는 척력이 작용하지 않게 되기 때문에, 기판 외주부근의 스페이서가 기판외로 튕겨나가게 된다. 따라서, 표시영역 외주부분에는 충분한 수의 스페이서가 존재하지 않게 되고, 액정표시장치의 셀 두께가 작아지고, 표시 얼룩이 발생할 우려가 있었다.

예컨대 STN 형 액정표시장치의 제조방법의 경우, 대전한 스페이서를 살포할 때, 적어도 패턴형상의 투명전극 및 배향막으로 구성되고, 표시영역을 갖는 기판이 접지되어 있지 않거나, 또는 도 9 에 나타낸 바와 같이, 접지되어 있지 않은 도전성 스테이지에 기판을 밀착시켜 설치하고, 기판상의 패턴형상의 투명전극에 대전한 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가해도 전극간의 전위는 내려가지 않고, 그 전장은 똑같이 가깝고 (도 9 에서는 어느 전위의 등전위면으로서 도시), 유효한 전위분포를 얻을 수 없어 스페이서의 선택배치는 행해지지 않는다.

한편, 대전한 스페이서를 살포할 때, 적어도 패턴형상의 투명전극 및 배향막으로 구성된 기판을 접지된 도전성 스테이지에 밀착시켜 설치하고, 기판의 투명전극에 대전한 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가하고, 척력으로 스페이서를 투명전극의 틈에 배치할 수 있다. 이 경우, 도 1 에 나타낸 바와 같이, 기판을 접지된 도전성 스테이지에 밀착시킴으로써 배치에 적합한 전장이 형성된다.

즉, 도 1 에 나타낸 바와 같이, 투명전극에 + 의 전압을 인가한 경우, 스테이지는 접지되어 항상 제로 전위를 유지하고 있기 때문에, 투명전극틈의 전위는 투명전극의 전위보다 충분히 낮아진다. 따라서, 배치에 적합한 전장이 형성된다 (도 1 에서는 어느 전위의 등전위면으로서 도시). 즉, 도 9 및 도 1 에서는 도시하고 있지 않지만, 전기력선이 각 투명전극으로부터 각 투명전극의 틈에 형성되고, 대전한 스페이서는 전기력선의 작용과, 투명전극에 인가한 전압과 동극성으로 대전한 스페이서로의 기판 전체로서의 척력에 의해 투명전극의 틈에 배치한다 (배향막 등은 도시하지 않음).

상기 스테이지는 체적저항 10¹⁰Ω㎝ 이하가 필요하고, 상기 기판은 어느 일정 이상의 면적으로 스테이지와 밀착하고 있으면 된다.

그러나, 패턴형상의 투명전극에 인가하는 전압에 의해 전장이 형성되고, 스페이서에 대하여 척력이 작용하는 경우, 표시영역 외주부근의 스페이서수가 적어지는 현상이 보였다.

이 경우, 액정표시장치를 제조할 때, 액정표시장치에 일정 하중을 부여하는 공정을 거치는데, 그 때 기판의 일부분에서 스페이서의 수에 불균일이 생기면, 스페이서 1 개당 가해지는 하중이 변하므로, 스페이서의 변형이 변화하고, 셀 두께가 변화하여 액정표시장치의 표시가 불균일하게 된다.

이들 표시영역 외주부군의 스페이서수의 증감의 원인은 도 1, 8 및 9 에 나타낸 바와 같이, 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 패턴형상의 투명전극에 인가하여 스페이서를 투명전극틈에 배치시키고자 하는 경우, 낙하중의 스페이서를 표시영역내로부터 표시영역외로 반발시키고자 하는 힘 (척력) 이 작용하고, 특히 표시영역의 외주부근에서는 표시영역 외측의 기판상에 척력이 존재하지 않기 때문에, 표시영역 외주부에 배치되어야 할 스페이서가 외측으로 도피하는 것에 있다.

즉, 도 10 에 나타낸 바와 같이, 기판내는 투명전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압이 인가되어 있으므로, 표시영역상에는 스페이서에 대하여 척력이 작용하고, 한편, 도전성 스테이지는 접지전위이므로, 대전하고 있는 스페이서에 대하여 인력이 작용하는 것으로부터, 기판 외주부에는 기판내로부터의 척력과 도전성 스테이지로부터의 인력이 작용하고, 그 양측의 효과에 의해 스페이서가 기판내로부터 도피하고자 한다.

이들 현상을 방지하기 위해, 제 3 본 발명에서는 도 11 에 나타낸 바와 같이, 정극성 또는 부극성으로 대전한 스페이서를 기판상에 살포할 때, 기판치수보다 작은 치수의 접지된 도전성 스테이지에 기판을 밀착시켜 설치하고, 기판 외주 단부가 도전성 스테이지로부터 뜬 상태로 하고, 기판상의 투명전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가함으로써 기판 단부는 도전성 스테이지로부터의 접지의 효과가 약해지고, 오히려 투명전극의 전위에 끌리는 경향에 있으므로, 도전성 스테이지가 기판치수보다 큰 경우에 비교하여 기판 외주부에 배치되는 스페이서의 수의 감소를 방지할 수 있다.

접지된 도전성 스테이지는 체적저항치가 1 × 10¹⁰Ω㎝ 이하의 것이 바람직하다. 체적저항치가 1 × 10¹⁰Ω㎝ 를 초과하면, 기판 전체가 투명전극의 전위에 가까워져 스페이서의 배치 정밀도가 떨어진다.

기판 외주 단부가 도전성 스테이지로부터 뜬 상태란, 도 11 에 나타낸 바와 같이, 기판이 도전성 스테이지로부터 비어져 나온 상태를 말한다.

전기적으로 뜬 전극이 있으면 그 부분에 스페이서가 집중하여 살포되므로, 기판상에 형성된 투명전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가할 때에는 모든 투명전극에 전압을 인가하여 전기적으로 뜬 전극이 없도록 하는 것이 바람직하다.

상기 기판상의 투명전극에 인가되는 전압은 수백 V ∼ 수 KV 가 바람직하다. 인가전압이 너무 작으면, 스페이서의 낙하경로를 제어하기 어려워지고, 인가전압이 너무 크면, 도전성 블랙 매트릭스 등을 사용하고 있는 경우, 투명전극과 블랙 매트릭스 사이에서 쇼트하는 경우가 있다.

상기 스페이서가 살포되는 기판은 블랙 매트릭스가 형성된 것이어도 되고, 블랙 매트릭스가 절연성의 것이어도 도전성의 것이어도 상술한 것과 동일한 효과를 얻을 수 있다.

상기 도전성 블랙 매트릭스로서는 특별히 한정되지 않고, 상술한 것과 동일한 것 등을 들 수 있다.

또, 상기 블랙 매트릭스는 도전성 블랙 매트릭스이고, 상기 도전성 스테이지는 기판의 각 표시영역의 블랙 매트릭스의 액자 외주부보다도 작은 치수의 하나 또는 2 개 이상의 것이 바람직하다. 이 경우에는 기판 외주부에 배치되는 스페이서의 수의 감소를 보다 방지할 수 있다.

도 12 는 본 발명의 액정표시장치의 제조방법에서의 일반적인 코먼전극기판상의 블랙 매트릭스의 액자상태를 설명하기 위한 평면 및 단면개념도이다. 제 1 기판 및 제 1 기판상에 대향배치되는 제 2 기판 중 적어도 일측의 기판은 액정표시장치용 컬러필터기판이고, 도 12 에서 나타낸 바와 같이, 블랙 매트릭스가 형성되어 있다. 상기 블랙 매트릭스는 표시영역내에서 격자형상으로 화소를 구획하고 있다. 또, 도 12 에서는 분단라인이 형성되고, 분단라인의 외측의 영역은 기판상의 표시영역외에 설치된 더미전극으로 이루어지는 더미전극영역이 되어 있다. 상기 분단라인이란, 제 1 기판과 제 2 기판을 점착시킨 후, 기판을 절단할 때 기준이 되는 라인이다.

상기 블랙 매트릭스의 액자상태 영역의 외측의 더미전극부분에도 베타형상의 마스크로서 블랙 매트릭스가 남아 있는 경우도 있다. 그 경우, 도 12 의 단면개념도에서 나타낸 바와 같이, 블랙 매트릭스의 위치와 투명전극으로 이루어지는 영역은 거의 일치하고 있다.

이와 같은 구성의 액정표시장치용 컬러필터기판에서는 도전성 블랙 매트릭스가 형성되어 있는 영역보다도 작은 도전성 스테이지를 사용해도, 접지된 도전성 스테이지의 효과는 상기 도전성 블랙 매트릭스 전체의 영역에 및 도전성 블랙 매트릭스의 전위가 내려가므로, 도전성 블랙 매트릭스의 영역이 도전성 스테이지의 효과를 담당할 수 있다.

따라서, 도전성 스테이지가 기판보다도 작아도 도전성 블랙 매트릭스가 존재하는 영역은 스페이서를 배치하기에 적합한 전장이 형성된다.

이 때, 도전성 블랙 매트릭스의 액자외의 영역은 접지되어 있지 않으므로, 기판의 유리부의 전위가 투명전극에 인가한 전압에 끌리고, 그 전위가 투명전극의 전위에 가까워지는 방향으로 상승한다. 도전성 블랙 매트릭스의 액자외의 영역이 접지되어 있지 않은 상태란, 예컨대 도전성 블랙 매트릭스가 있어도 분단라인에 의해 잘려 있는 경우, 도전성 블랙 매트릭스의 액자외에 도전성 블랙 매트릭스가 존재하지 않는 경우 등을 들 수 있다.

이 상태에서 표시영역내와 표시영역외의 전위를 비교하면, 표시영역내는 투명전극에 인가한 높은 전압에 의한 높은 전위와, 투명전극간의 낮은 전위가 존재하게 된다.

한편, 표시영역외는 도 13 에 나타낸 바와 같이, 더미전극을 형성하면, 더미전극 및 기판의 유리부 모두 높은 전위가 된다. 그 때문에 기판 전체에서 보면, 표시영역외에 높은 전위의 영역이 형성되고, 표시영역내에 낮은 전위의 영역이 형성되게 된다.

따라서, 표시영역외의 높은 전위의 영역이 척력의 벽이 되어 표시영역내의 스페이서가 표시영역외로 도피하는 것을 방지하게 된다. 이에 의해, 표시영역내의 스페이서수는 균일하게 되므로, 셀 두께도 균일화되고, 액정표시장치는 균일한 표시성능을 갖게 된다.

스페이서가 살포되는 기판이 다수의 표시영역이 형성된 다모따기인 경우라도, 블랙 매트리스가 도전성의 경우에는 각 표시영역의 블랙 매트릭스의 액자 외부주보다도 내측이 되는 크기의 복수의 도전성 스테이지를 설치함으로써 모든 표시영역에 대하여 상술한 것과 동일한 효과를 얻을 수 있다.

이 경우, 복수의 표시영역에 대응하여 분할된 복수의 도전성 스테이지를 설치해도 되고, 하나의 도전성 스테이지에 홈을 형성하여 복수의 도전성 스테이지를 설치해도 된다.

상기 도전성 스테이지와 기판의 접촉면적은 표시영역면적의 30 % 이상인 것이 바람직하다.

상술한 바와 같이 도전성 블랙 매트릭스가 형성되어 있는 경우, 그 영역보다도 작은 도전성 스테이지를 설치할 때에도 도전성 블랙 매트릭스가 도전성 스테이지의 효과를 담당하므로, 표시영역은 스페이서의 배치에 적합한 전장이 형성된다.

그러나, 도전성 스테이지와 표시영역 (블랙 매트릭스의 영역) 의 접촉면적이 너무 작으면, 접지의 효과가 적어진다. 따라서, 표시영역에 스페이서의 배치에 적합한 전장을 형성하기 위해서는 도전성 스테이지와 기판의 접촉면적이 기판상의 표시영역면적의 30 % 이상인 것이 바람직하다. 30 % 미만이면, 접지의 효과가 적어지고, 스페이서의 배치에 적합한 전장이 흐트러져 스페이서의 표시영역 외주부로의 배치가 어려워진다.

상기 투명전극, 기판, 스페이서 및 스페이서의 대전방법으로서는 제 1 본 발명에서 설명한 것과 동일하다. 또, 제 1 본 발명에서 설명한 것과 동일하게, 제 4 본 발명의 액정표시장치의 제조방법을 TFT 형 액정표시장치의 제조방법에 적용할 수 있다.

제 3 본 발명에서 설명한 바와 같이, 예컨대 STN 형 액정표시장치의 제조방법의 경우, 대전한 스페이서를 살포할 때, 적어도 패턴형상의 투명전극 및 배향막으로 구성된 기판을 접지된 도전성 스테이지에 밀착시켜 설치하고, 기판의 투명전극에 대전한 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가하고, 척력으로 스페이서를 투명전극의 틈에 배치할 수 있다. 이 경우, 도 1 에 나타낸 바와 같이, 기판을 접지된 도전성 스테이지에 밀착시킴으로써 배치에 적합한 전장이 형성된다.

일반적으로, STN 형 액정표시장치이면, 스페이서의 살포는 러빙공정후에 행해진다. 러빙공정은 드럼에 감은 천 상태의 합성수지 등으로 배향막 표면을 문지르기 때문에, 그 털 등이 기판에 부착하는 경우가 있고, 러빙공정후에 물세정되는 경우가 있다. 이 물은 에어 나이프 등으로 불어 떨어뜨려지는데, 충분히 건조되어 있지는 않다.

또, 충분히 건조된 기판이어도, 공기중에는 수분이 존재하므로, 시간의 경과와 함께 어느 정도의 수분이 기판상에 부착한다. 이 경우, 습도 등이 변화하면, 그에 수반하여 부착하는 수분량도 변화한다.

투명전극에 전압을 인가하여 스페이서를 선택적으로 배치하는 방법에서는 투명전극에는 수백 V ∼ 수 kV 의 고전압을 인가한다. 따라서, 상술한 바와 같이, 수분이 부착한 기판에 의해 도 1 에 나타낸 상태에서 스페이서의 배치를 행하고자 하면, 배향막이 형성되어 있지 않은 부분 (전극이 노출되어 있는 부분) 이나, 배향막이 형성되어 있어도 극박막인 부분 등은 수분의 존재에 의해 도 14 에 나타낸 바와 같이, 기판 표면의 수분을 거쳐 미소전류가 스테이지측에 리크한다.

상기 리크가 일어나면, 배치에 이용되는 전장은 상술한 도 1 에 나타낸 상태로부터, 정전유도에 의해 도전성 스테이지 자체가 전극의 전위부근까지 전위가 상승하므로, 전극간의 전위는 내려가지 않고, 도 15 에 나타낸 상태에 가까워지고, 유효한 전위분포를 얻을 수 없어 선택적인 배치를 행할 수 없게 된다.

또한, 기판측과 스테이지측의 절연이 얻어져 있었다고 해도, 기판 표면이 수분으로 덮여 있으면, 전극틈의 저항이 저하되게 되기 때문에, 건조상태에서는 상술한 도 1 에 나타낸 전위분포였던 것이 수분의 존재에 의해 도 16 에 나타낸 전위분포가 되고, 균일하게 가까운 상태가 되므로, 스페이서의 선택배치성도 약해진다.

상기 기판으로의 수분부착은 환경습도, 온도 등에 따라 변화하기 때문에, 동전압인가조건, 동살포조건으로 스페이서를 살포해도, 배치에 이용되는 전장이 다르므로, 다른 배치상태를 나타내게 된다.

통상, 액정표시장치의 제조공정의 온도 및 습도는 어느 정도 관리되고는 있지만, 계절 등의 경과에 따라 변동은 발생하고 있었다. 또, 러빙후의 물세정후의 살포까지의 시간이나, 물기를 뺀 상황 등에 따라서도 부착수분량은 변화한다. 따라서, 이와 같은 환경이나 공정 등의 차이에 의해 부착수분량이 변화하기 때문에, 스페이서의 배치상황도 변하고, 액정표시장치의 표시성능에서의 편차의 원인이 되고 있었다.

또, 설령 어느 일정한 부착수분량으로 안정되어 있었다고 해도, 기판의 수분량이 보다 적어지면, 스페이서의 배치에 적합한 전장이 형성되기 쉽다. 따라서, 스페이서가 살포되는 기판의 수분을 제거하는 공정을 형성함으로써 스페이서의 배치에 적합한 전장이 안정적으로 형성되므로, 스페이서의 선택배치성이 향상되고, 콘트라스트, 표시균일성이 우수한 액정표시장치가 안정적으로 제조 가능하게 된다.

상기 스페이서가 살포되는 상기 기판의 수분을 제거하는 공정은 살포전에 기판을 가열함으로써 행할 수 있다. 또, 살포중에 기판을 가열함으로써 행해도 된다. 또한, 살포전에 기판을 가열하고, 살포중에도 가열함으로써 행해도 된다.

상기 기판의 가열은 오븐, 핫 플레이트, 적외선 가열 등에 의한 방법에 의해 행할 수 있고, 기판의 온도가 상승하는 것에 의한 것이면 특별히 제한은 없다. 기판의 온도가 상승함으로써 부착수분은 감소하므로, 기판 표면의 저항이 높아지고, 전류가 리크하지 않게 되어 안정적으로 고정밀도로 스페이서의 배치를 행할 수 있게 된다.

상기 기판의 가열에서의 가열온도는 50 ℃ 이상이 바람직하다. 50 ℃ 보다도 온도가 낮으면, 수분을 제거하는 효과는 작다. 보다 바람직하게는 90 ℃ 이상이다. 또, 상기 기판의 가열은 온도 및 시간에 따라 그 효과가 변하므로, 환경온도 및 부착수분량에 따라 상기 가열방법 및 가열온도를 적당히 선택할 필요가 있다.

또, 환경온도에 따라 다른데, 가열하고나서 스페이서를 살포하기까지 시간이 너무 경과하면, 기판의 냉각후에 다시 수분이 부착하는 경우가 있으므로, 기판의 가열후에는 바로 스페이서의 살포를 행하는 것이 바람직하다.

단, 기판이 뜨거운 상태에서 스테이지상에 설치하면, 냉각과정에서 기판이 휘는 경우가 있고, 스테이지와의 밀착불량으로 배치상태가 악화되는 경우가 있기 때문에, 어느 정도의 냉각시간이 필요하다.

상기 살포중의 기판의 가열은 스테이지를 핫 플레이트 상태로 해 두거나, 살포조내에 적외선 가열장치를 설치하는 등으로 행할 수 있다.

상기 스페이서가 살포되는 기판의 수분을 제거하는 공정은 기판 상하면에 건조기체로의 에어 블로를 함으로써 행하는 것도 가능하다. 충분히 건조기체로 기판 상하면을 에어 블로함으로써 부착수분은 감소한다. 상기 건조기체는 절건(絶乾)상태에 최대한 가까운 건조상태가 바람직하다.

또, 상기 건조기체의 온도는 실온 이상인 것이 바람직하다. 실온보다 낮은 온도에서의 에어 블로이면, 사용하는 기체가 건조상태이어도 기체에 의해 기판의 열이 빼앗기고, 기판 온도가 내려가 결로수분이 부착하는 경우가 있다.

상기 건조기체로서는 건조질소가스, 건조공기 등을 사용하는 것이 가능하다.

상기 스페이서가 살포되는 기판의 수분을 제거하는 공정은 용제로 수분을 치환함으로써 행하는 것도 가능하다. 예컨대, 용제로 기판 이면, 기판 외주부분을 닦음으로써 스테이지로의 전류리크는 적어진다. 또, 용제에 기판을 디핑 (침지) 하여 건조함으로써 수분제거를 행할 수 있다. 또한, 용제로 수분을 치환후, 가열건조함으로써 건조시간을 단축할 수 있고, 생산시의 택트 타임이 향상된다. 상기 용제로서는 특별히 한정되지 않지만, 아세톤 등의 물과 친하고, 비점이 낮은 것이 바람직하다.

상기 스페이서가 살포되는 기판의 수분을 제거하는 공정은 기판을 진공하에 방치하거나, 또는 진공하에서 가열함으로써 행하는 것도 가능하다. 진공하에 기판을 방치함으로써 수분제거를 행할 수 있고, 또한 진공하에서 가열함으로써 보다 효율적으로 수분제거를 행할 수 있다. 상기 기판을 진공하에 방치하려면 진공건조기 등을 바람직하게 사용할 수 있다.

상술한 공정에 의한 기판의 수분제거의 확인방법은 투명전극과 도전성 스테이지의 사이에 도 17 에 나타낸 바와 같이 일렉트로미터 등을 설치하고, 상술한 수분제거의 공정후에 투명전극에 1 kV 의 전압을 인가한 경우, 투명전극과 도전성 스테이지의 사이에 흐르는 전류가 10^-6A 이하가 되는 것을 기준으로 하는 것이 바람직하다.

상기 일렉트로미터 등의 설치는 전압을 인가하는 전극을 유용해도 되고, 새로 전극을 설치해도 된다. 전극의 형상은 침형상, 평면형상 등 어떠한 형상이어도 되고, 전극의 재질은 도전성의 것이면 어떠한 것이어도 되는데, 전극으로서는, 예컨대 검사용 콘택트 프로브 등을 사용할 수 있다.

상기 전극은 기판을 살포장치내에 삽입할 때에 장해가 되지 않도록 설치하는 것이 필요한데, 예컨대 기판 자신 또는 전극이 상하하는 기구를 설치함으로써 살포장치내에 전극을 설치하여 기판을 삽입하는 것이 실현 가능하다.

상술한 바와 같이, 기판 표면에 수분이 부착하고 있는 경우, 투명전극에 전압을 인가하면 미소전류가 흐르므로, 배치에 적합한 전장이 형성되지 않게 된다. 따라서, 투명전극에 1 kV 의 전압을 인가한 경우, 투명전극과 도전성 스테이지의 사이에 흐르는 전류가 10^-6A 보다도 많으면, 배치에 적합한 전장이 형성되기 어려우므로 스페이서의 선택배치성이 저하되는 경우가 있고, 10^-6A 이하이면, 배치에 적합한 전장이 형성되어 스페이서는 높은 선택배치성을 나타낸다.

상술한 바와 같이, 투명전극에 1 kV 의 전압을 인가한 경우, 투명전극과 도전성 스테이지의 사이에 흐르는 전류가 10^-6A 보다도 많으면, 배치에 적합한 전장이 형성되기 어려우므로 스페이서의 선택배치성이 저하되는 경우가 있는데, 이 전류가 많으면 전압강하에 의해 투명전극의 전압이 저하되는 것을 이용하여 기판상의 전압을 측정함으로써 대용할 수도 있다. 이 경우, 입력저항이 충분히 높은 전압계를 일렉트로미터와 동일하게 설치하고, 전압계의 측정치가 측정 정밀도의 범위내에서 인가전압과 동일한 것을 확인하면 된다.

그리고, 스페이서의 배치를 행할 때에는 투명전극에 인가하는 전압을 1 kV 로 할 필요는 없고, 어디까지나 투명전극과 도전성 스테이지의 사이에 흐르는 전류가 10^-6A 이하가 되는 것은 수분제거의 확인방법으로서의 지표이다.

스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 투명전극에 인가함으로써 스페이서를 블랙 매트릭스 부분에 배치시키는 것에 의한 액정표시장치의 제조방법을 행하는 경우, 동조건, 동일 기판을 사용해도 스페이서가 블랙 매트릭스 부분에 배치하는 비율이 항상 일정하지는 않고, 때와 경우에 따라 변화한다는 문제가 있었는데, 원인을 예의검토한 결과, 환경중 (공기중) 의 수분이 영향을 미쳐 스페이서의 블랙 매트릭스 부분으로의 선택배치성이 변화하는 것이 판명되고, 살포되는 기판의 수분을 제거하는 공정을 형성함으로써 기판 표면의 절연성이 높아지고, 투명전극으로부터의 리크전류가 없어지며, 스페이서를 배치시키기 위한 전장이 안정적으로 형성되게 된다. 그 결과, 수율 좋게, 또한 고정밀도로 스페이서를 블랙 매트릭스 부분에 배치시키는 것이 가능하게 된다.

제 5 본 발명은 적어도 패턴형상의 투명전극 및 배향막으로 구성되는 제 1 기판 및 제 1 기판상에 대향배치되는 제 2 기판 중 적어도 일측의 기판에 스페이서를 살포하고, 양 기판의 틈에 액정을 주입하여 이루어지는 액정표시장치의 제조방법으로서, 접지된 도전성 스테이지에 기판을 밀착시켜 설치하고, 기판상의 투명전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가하여 스페이서를 살포하는 공정으로 이루어지고, 스페이서의 살포전 및 살포중에 사용하는 기판의 특성으로서 기판상의 투명전극에 1 kV 의 전압을 인가했을 때, 기판상의 투명전극과 도전성 스테이지의 사이에 흐르는 전류를 10^-6이하인 기판을 사용하는 액정표시장치의 제조방법이다.

상기 투명전극, 기판, 스페이서 및 스페이서의 대전방법으로서는 제 1 본 발명에서 설명한 것과 동일하다. 또, 제 1 본 발명에서 설명한 것과 동일하게, 제 5 본 발명의 액정표시장치의 제조방법을 TFT 형 액정표시장치의 제조방법에 적용할 수 있다.

제 4 본 발명에서 설명한 것과 동일하게, 기판으로의 수분부착은 환경습도, 온도 등에 따라 변화하므로, 동전압인가조건, 동살포조건으로 스페이서를 살포해도 배치에 이용되는 전장이 다르므로, 다른 배치상태를 나타낸다.

따라서, 접지된 도전성 스테이지에 기판을 밀착시켜 설치하고, 기판전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가하고, 스페이서를 전극틈에 고정밀도로, 안정적으로 배치시키기 위해서는 기판상의 수분상태를 확인하고, 관리할 필요가 있다.

상기 기판상의 수분상태를 확인하는 방법은 상술한 것과 동일하게, 도 17 에 나타낸 바와 같이, 투명전극과 도전성 스테이지의 사이에 일렉트로미터 등을 설치하여 확인하는 방법 등을 들 수 있다.

상기 일렉트로미터 등을 설치하여 확인하는 방법은 살포를 행하는 기판의 투명전극에 전압을 인가하고, 투명전극과 도전성 스테이지의 사이에 흐르는 전류를 측정한다. 이 때, 기판이 습도 등의 영향을 받아 수분이 많으면, 투명전극으로부터 스테이지에 흐르는 리크전류는 많아지고, 기판이 건조상태이면, 리크전류는 적어진다.

따라서, 살포전, 살포중 모두 기판에 부착하는 수분량을 확인할 목적에서 투명전극에 1 kV 의 전압을 인가하여 일렉트로미터 등에 의해 투명전극과 도전성 스테이지의 사이에 흐르는 전류를 확인하고, 이 전류를 10^-6A 이하로 관리하여 투명전극과 도전성 스테이지의 사이에 흐르는 미소전류를 제어함으로써 스페이서의 배치성은 안정된다.

그리고, 스페이서의 배치를 행할 때에는 투명전극에 인가하는 전압을 반드시 1 kV 로 할 필요는 없고, 어디까지나 투명전극과 도전성 스테이지의 사이에 흐르는 전류가 10^-6A 이하가 되는 것은 수분량의 확인수법으로서 행하는 것이다.

상기 액정표시장치의 제조방법은 투명전극과 도전성 스테이지의 사이에 흐르는 전류를 10^-6A 이하로 관리하기 위해, 접지된 도전성 스테이지에 기판을 밀착시켜 설치하고, 기판상의 투명전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가하여 스페이서를 살포하는 공정을 실온 18 ℃ ∼ 28 ℃ 및 상대습도 50 % 이하로 관리하여 행하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 기판을 보관하는 경우 등도 기판을 실온 18 ℃ ∼ 28 ℃ 및 상대습도 50 % 이하의 환경하에 두는 것이 바람직하다.

상대습도 50 % 이하이고 실온 18 ℃ 보다도 낮은 온도이면, 작업환경보다 온도가 너무 낮아지고, 반대로 결로를 일으키는 경우가 있으며, 상대습도 50 % 이하이고 실온 28 ℃ 보다도 높은 온도이면, 작업환경으로서 부적절하다. 또, 상대습도 50 % 보다도 높으면, 공기중의 수분이 많아지므로, 항상 기판상에 수분이 부착하여 고정밀도의 스페이서의 배치를 행하기 어려워진다.

스페이서의 대전과 동극성의 전압을 투명전극에 인가함으로써 스페이서를 블랙 매트릭스 부분에 배치시키는 것에 의한 액정표시장치의 제조방법을 행하는 경우, 살포되는 기판의 수분을 관리함으로써 스페이서를 배치시키기 위한 전장이 안정적으로 형성되므로, 수율 좋게, 또한 고정밀도로 스페이서를 블랙 매트릭스 부분에 배치시키는 것이 가능하게 된다.

상기 투명전극, 기판, 스페이서 및 스페이서의 대전방법으로서는 제 1 본 발명에서 설명한 것과 동일하다. 또, 제 1 본 발명에서 설명한 것과 동일하게, 제 6 본 발명의 액정표시장치의 제조방법을 TFT 형 액정표시장치의 제조방법에 적용할 수 있다.

상기 스테이지는 체적저항 10¹⁰Ω㎝ 이하인 것이 필요하고, 상기 기판은 어느 일정 이상의 면적에서 스테이지와 밀착하고 있으면 된다. 그 이상의 체적저항에서는 기판 전체가 투명전극의 전위에 가까워지고, 배치 정밀도가 떨어진다.

여기에서, 도 18 에 나타낸 바와 같이, 접지된 도전성 스테이지에 기판을 밀착시켜 설치하고, 또한 스페이서가 살포되는 기판상에 형성된 패턴형상의 투명전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가함으로써 배치에 적합한 전장이 형성된다. 그 후, 전압인가장치로부터의 단자를 투명전극으로부터 떼내면, 투명전극에 전하가 축적되고, 어느 일정동안은 전하가 잔류한다.

따라서, 배치에 적합한 전장이 일정기간 유지되게 되고, 이 상태에서 스페이서를 살포함으로써 스페이서를 투명전극 사이에 배치할 수 있다.

이 때, 패턴형상의 투명전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가한채, 전압인가장치로부터의 단자를 투명전극으로부터 떼낼 필요가 있다. 단자를 떼내지 않고 전압의 인가를 중지하면, 전압인가장치를 통해 전하가 유출하므로, 배치에 적합한 전장이 얻어지지 않게 된다.

상기 기판과 함께 이동하는 도전성 스테이지 (테이블이라고도 함) 는 전압을 인가할 때 접지되어 있으면, 판형상의 것이어도, 알루미늄박과 같은 필름, 시트형상의 것이어도 된다.

패턴형상의 투명전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압의 인가를 행하는 경우, 어느 정도의 시간을 들여 행하는 것이 바람직하다. 전압의 인가시간이 길면, 축적되는 전하가 많아지고, 전압인가장치로부터의 단자를 떼낸 후에도 긴 시간동안 효과가 지속되기 때문이다.

또, 예컨대 2.0 kV 의 전압을 인가하면서 살포를 행하고, 그 전압에서의 배치를 확인할 수 있었던 경우, 제 7 본 발명을 사용하는 경우에는, 예컨대 2.5 kV 와 같이 큰 전압을 인가해 두는 것이 바람직하다.

이것은 시간의 경과와 함께 대전이 감쇄하므로, 그 감쇄분을 예상해 둘 필요가 있기 때문이다.

또한, 접지된 도전성 스테이지는 이동 가능한 것으로서, 정극성 또는 부극성으로 대전한 스페이서를 기판상에 살포할 때, 접지된 도전성 스테이지에 기판을 밀착시켜 설치하고, 또한 기판상의 투명전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가한 후, 전압인가장치로부터의 단자를 투명전극으로부터 떼내고, 도전성 스테이지와 기판이 밀착한 상태를 유지하여 살포장치내에 이동시키고, 스페이서를 살포함으로써도, 접지된 도전성 스테이지상에서 전압을 인가함으로써 스페이서의 배치에 적합한 전장이 형성되고, 투명전극 사이에 스페이서를 배치할 수 있다.

상기 기판상의 투명전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가한 상태에서 전압인가장치로부터의 단자를 떼내면, 기판에는 전하가 잔류하고, 배치에 적합한 전장이 유지된다. 여기에서, 기판과 도전성 스테이지가 밀착한 상태를 유지하고 있으면, 이동후에 「테이블 + 기판」이 접지된 장소에 놓여도, 절연성의 장소에 놓여도, 형성된 전장은 유지되며, 스페이서의 적정한 배치를 행할 수 있다.

따라서, 도 19 에 나타낸 바와 같이, 스페이서의 살포공정전에 접지된 도전성 스테이지상에서 투명전극에 전압을 인가해 두고, 그 테이블째 살포장치내에 흘림으로써 살포장치내에서 전압의 인가를 행하는 공정을 줄일 수 있고, 택트를 빠르게 할 수 있다. 즉, 살포장치내에서 선행하고 있는 기판에 스페이서를 살포중에, 다음으로 살포하는 기판에 대하여 전압을 인가하는 공정을 종료시킬 수 있고, 표시부에 스페이서가 존재하지 않는 콘트라스트가 높은 액정표시장치를 효율적으로 제조할 수 있다.

상기 투명전극, 기판, 스페이서 및 스페이서의 대전방법으로서는 제 1 본 발명에서 설명한 것과 동일하다. 또, 제 1 본 발명에서 설명한 것과 동일하게, 제 7 본 발명의 액정표시장치의 제조방법을 TFT 형 액정표시장치의 제조방법에 적용할 수 있다.

접지된 도전성 스테이지에 기판을 설치한 상태에서 기판상의 투명전극에 전압을 인가하면, 정전적으로 기판은 도전성 스테이지에 밀착된다.

이 때, 전압을 인가한 순간에는 기판과 도전성 스테이지의 사이에는 공기층이 형성되어 있고, 완벽한 밀착상태는 달성되어 있지 않다고 생각된다.

여기에서, 스페이서의 배치에 적합한 전장은 기판과 도전성 스테이지가 밀착함으로써 형성된다. 따라서, 기판과 도전성 스테이지의 사이에 절연층인 공기층이 존재하면, 투명전극 사이의 전위가 충분히 내려가지 않고, 스페이서의 배치 정밀도가 악화되는 경향에 있다.

그래서, 투명전극에 전압을 인가한 상태이면, 도전성 스테이지와 기판은 정전적으로 서로 끌어당기고 있으므로, 이 힘에 의해 공기는 서서히 빠지고, 도전성 스테이지와 기판의 사이의 높은 밀착상태가 달성되며, 안정적으로 스페이서의 배치에 적합한 전장이 형성된다.

이 경우, 전압을 인가한 상태에서 적어도 5 초 이상 유지함으로써 도전성 스테이지와 기판 사이의 공기가 충분히 빠지고, 안정적으로 높은 스페이서의 배치 정밀도의 확보가 가능하므로 바람직하다.

제 8 본 발명은 적어도 패턴형상의 투명전극, 도전성 블랙 매트릭스, 오버코트층 및 배향막으로 구성되는 제 1 기판 및 제 1 기판상에 대향배치되는 박막 트랜지스터로 구성되는 제 2 기판 중 제 1 기판에 스페이서를 살포하고, 양 기판의 틈에 액정을 주입하여 이루어지는 액정표시장치의 제조방법으로서, 제 1 기판은 투명전극의 내부에 도전성 블랙 매트릭스의 바로위 영역의 내측이 되도록 투명전극이 존재하지 않는 에칭영역이 형성된 것이고, 정극성 또는 부극성으로 대전한 스페이서를 제 1 기판상에 살포할 때, 도전성 블랙 매트릭스에 대하여 전압 (V1) 을 인가하고, 또한 투명전극에 대하여 전압 (V2) 을 인가하여 V1 과 V2 는 스페이서의 대전극성이 정극성인 경우에는 모두 정전압이고, 또한 V1 〈 V2 의 관계이며, 스페이서의 대전극성이 부극성인 경우에는 모두 부전압이고, 또한 V1 〉 V2 의 관계인 액정표시장치의 제조방법이다.

상기 투명전극, 기판, 스페이서 및 스페이서의 대전방법으로서는 제 1 본 발명에서 설명한 것과 동일하다.

상기 도전성 블랙 매트릭스 및 오버코트층으로서는 제 2 본 발명에서 설명한 것과 동일하다.

상기 제 1 기판에는 도 2 에 나타낸 바와 같이, 투명전극의 내부에서 블랙 매트릭스의 바로위 영역의 내측이 되도록 투명전극이 존재하지 않는 에칭영역이 형성되어 있다.

도 20 ∼ 23 은 이와 같은 에칭영역이 형성된 제 1 기판을 모식적으로 나타내는 개념도이다.

도 20 ∼ 23 에 나타낸 바와 같이, 이 에칭영역은 상기 블랙 매트릭스의 바로위 영역의 내측에서, 투명전극에 소정의 형상으로 에칭을 행함으로써 형성된다.

에칭영역의 위치로서는 수평방향 또는 그것에 직교하는 방향의 선형상 블랙 매트릭스의 바로위 영역의 내측, 블랙 매트릭스가 교차하는 부분의 바로위 영역의 내측 등을 들 수 있다. 또, 그 형상으로서는 특별히 한정되지 않고, 선형상, 직사각형 형상 (도 20 ,23), 원형상, 십자형상 (도 21), 스트라이프형상 (도 22) 등을 들 수 있다. 또한, 상기 에칭영역의 형성빈도도 특별히 한정되지 않고, 도트피치마다, 화소피치마다, 수화소 간격으로 수평방향 또는 수직방향의 어느 일측 또는 양측 등을 들 수 있다.

통상, TFT 형 액정표시장치에서는 컬러필터를 포함하는 제 1 기판을 코먼전극으로 하고 있고, 투명전극은 베타전극이 형성되어 있다. 그리고, 제 1 기판에서는 베타전극에 전압을 인가하고, 화소마다의 전압의 제어는 제 2 기판에 형성된 박막 트랜지스터 및 투명전극을 사용하여 행하고 있다.

따라서, 베타전극에 에칭을 실시하여 에칭영역을 형성해도 조립된 액정표시장치에서는 종래의 경우와 동일하게 표시부에 전압이 인가되고, 표시에는 전혀 악영향을 끼치지 않는다.

제 8 본 발명에서는 정극성 또는 부극성으로 대전한 스페이서를 제 1 기판상에 살포할 때, 블랙 매트릭스에 대하여 전압 (V1) 을 인가하고, 또한 투명전극에 대하여 전압 (V2) 을 인가한다.

상기 전압의 종류로서는 제 1 본 발명에서 설명한 것과 동일하다.

상기 도전성 블랙 매트릭스에 대하여 전압 (V1) 을 인가하고, 투명전극에 전압 (V2) 을 인가함으로써, 접지된 체적저항 10¹⁰Ω㎝ 이하의 도전성 스테이지에 기판을 밀착시켜 설치하지 않아도 도 2 에 나타낸 바와 같이, 도 1 에 나타낸 것과 동일하게 스페이서의 배치에 적합한 전장이 형성된다.

예컨대, 스페이서의 대전이 정대전의 경우, 모두 정전압이고, 또한 V1 〈 V2 로 함으로써 투명전극의 부분이 강한 척력이 되고, 블랙 매트릭스의 부분이 약한 척력이 되기 때문에, 스페이서는 블랙 매트릭스의 부분에 배치시킬 수 있다 (부대전의 경우도 동일).

상기 V1 과 V2 를 스페이서의 대전과 동극성으로 하는 이유는 스페이서의 낙하위치를 높은 정밀도로 제어하기 위해서는 kV 정도의 척력이 필요하다. 여기에서, V1 과 V2 를 이극성으로 하면, 투명전극과 블랙 매트릭스의 전위차가 kV 가 되므로, 오버코트층이 2 ∼ 5 ㎛ 로 얇기 때문에, 투명전극과 블랙 매트릭스의 사이에서 쇼트하여 스페이서의 배치에 적합한 전장이 형성되지 않게 된다. 따라서, V1 과 V2 의 전위차는 100 V 이내가 바람직하다. 100 V 이내라는 작은 전위차이어도 척력중에서의 전위차이므로, 스페이서의 배치제어를 달성할 수 있다.

상기 V1 과 V2 의 관계에 대해서는 제 2 본 발명에서 설명한 것과 동일하다.

상기 투명전극, 기판, 스페이서 및 스페이서의 대전방법으로서는 제 1 본 발명에서 설명한 것과 동일하다. 상기 오버코트층으로서는 제 2 본 발명에서 설명한 것과 동일하다.

접지된 체적저항 10¹⁰Ω㎝ 이하의 도전 스테이지에 기판을 밀착시켜 설치함으로써 도 2 에 나타낸 바와 같이, 투명전극틈의 전위가 내려가고, 도 1 에 나타낸 것과 동일하게 스페이서의 배치에 적합한 전장이 형성되며, 에칭영역 (선 사이) 에 스페이서가 배치되게 된다.

상기 투명전극에 인가되는 전압은 200 V ∼ 5 kV 이다. 200 V 미만이면, 스페이서의 배치제어를 달성하는데 충분한만큼의 전위차가 생기지 않는 경우가 있고, 5 kV 를 초과하면, 투명전극과 도전성 블랙 매트릭스의 사이에서 쇼트가 일어나기 쉬워진다.

제 9 본 발명에서 대전한 스페이서의 살포를 행할 때, 투명전극에 형성된 전장이 스페이서의 대전극성에 대하여 척력으로서 작용하므로, 제 1 기판의 외주부분에 살포된 스페이서가 밖으로 도피하기 쉽다. 그 때문에, 제 1 기판의 외주부분에 배치되는 스페이서의 양은 적어지는 경향이 생긴다.

통상, 투명전극은 제 1 기판의 표시영역에밖에 형성되어 있지 않다. 그러나, 제 8 및 제 9 본 발명의 경우, 투명전극을 표시영역의 외측에도 형성하고, 표시영역과 동일한 전압을 인가해 두는 것이 바람직하다. 이에 의해, 스페이서수의 감소는 표시영역외에서 발생하게 되고, 표시영역의 내부에서는 균일하게 스페이서가 배치된다.

TFT 형 액정표시장치를 구성하는 제 1 기판에서는 통상 도 2 에 나타낸 바와 같이, 유리기판 및 블랙 매트릭스상에 컬러필터층이 형성되고, 이 컬러필터층상에 절연체로 이루어지는 오버코트층이 형성되고, 또한 그 위에 투명전극 및 배향막 (도시하지 않음) 이 형성되어 있다. 이하에서는 제 1 기판으로서 상기 구성의 기판을 사용하는 것을 전제로서 설명한다.

상기 블랙 매트릭스로서는 차광성을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예컨대 크롬, 알루미늄, 카본블랙, 안료 등으로 이루어지는 것 등을 들 수 있다.

상기 오버코트층으로서는 제 2 본 발명에서 설명한 것과 동일하다.

상기 제 1 기판에는 도 24 에 나타낸 바와 같이, 투명전극의 내부에서 상기 블랙 매트릭스 형성영역의 내측이 되도록 주위의 투명전극과 접속되어 있지 않은 전기적으로 뜬 상태의 고립투명전극이 형성되어 있다.

도 25 ∼ 28 은 이와 같은 고립투명전극이 형성된 제 1 기판을 모식적으로 나타내는 개념도이다.

도 25 ∼28 에 나타낸 바와 같이, 이 고립투명전극은 고립투명전극의 주위를 소정의 폭으로 에칭함으로써 형성된다. 이 에칭에 의해 형성된 에칭대역의 폭 (투명전극과 고립투명전극의 거리) 은 3 ㎛ 이상이 바람직하고, 5 ㎛ 이상이 보다 바람직하다. 상기 에칭대역의 폭이 3 ㎛ 보다 좁으면, 투명전극과 고립투명전극의 사이에 쇼트가 발생하기 쉬워진다.

고립투명전극의 형성위치로서는 수평방향 또는 그것에 직교하는 방향의 선형상 블랙 매트릭스 형성영역이 내측, 블랙 매트릭스가 교차하는 부분의 내측 등을 들 수 있다. 또, 그 형상으로서는 특별히 한정되지 않고, 선형상, 직사각형 형상 (도 25, 28), 원형상, 십자형상 (도 26), 스트라이프형상 (도 27) 등을 들 수 있다. 또한, 상기 고립투명전극의 형성빈도도 특별히 한정되지 않고, 도트피치마다, 화소피치마다, 수화소 간격, 수평방향 또는 수직방향의 어느 일측 또는 양측 등을 들 수 있다.

제 10 본 발명의 TFT 형 액정표시장치에서는 제 8 본 발명에서 설명한 것과 동일하게, 베타전극에 에칭을 실시하고, 그 내부에 고립투명전극을 형성해도 조립된 액정표시장치에서는 종래의 경우와 동일하게 표시부에 전압이 인가되고, 표시에는 전혀 악영향을 끼치지 않는다.

상기 형태의 투명전극 및 고립투명전극을 갖는 제 1 기판을 접지된 체적저항 10¹⁰Ω㎝ 이하의 도전성 스테이지에 밀착시킨 후, 제 1 기판의 고립투명전극 이외의 투명전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가하면서 스페이서의 살포를 행한다.

접지된 체적저항 10¹⁰Ω㎝ 이하의 도전 스테이지에 기판을 밀착시켜 설치함으로써 도 24 에 나타낸 바와 같이, 투명전극틈의 전위가 내려가고, 도 1 에 나타낸 것과 동일하게, 스페이서의 배치에 적합한 전장이 형성되고, 고립투명전극상에 스페이서가 배치되게 된다.

스페이서의 배치를 위해 필요한 전압은 스페이서의 입경이나 대전량에 따라 다른데, 200 V ∼ 5 kV 정도의 전압이 바람직하다. 5 kV 를 초과하면, 블랙 매트릭스가 도전성의 것인 경우, 투명전극과 도전성 블랙 매트릭스의 사이에 쇼트가 발생하기 쉽고, 또 투명전극과 고립투명전극의 사이에서도 쇼트가 발생하기 쉬워지고, 그 때문에 수율이 악화되는 경우가 있다. 200 V 미만이면, 살포시에 낙하하는 스페이서가 다 구부러지기 전에 제 1 기판 표면에 도달하기 때문에, 스페이서의 배치 정밀도가 나빠지는 경우가 있다.

스페이서의 대전량으로서는 제 2 본 발명에서 설명한 것과 동일하다.

대전한 스페이서의 살포를 행할 때, 투명전극에 형성된 전장이 스페이서의 대전극성에 대하여 척력으로서 작용하므로, 제 1 기판의 외주부분에 살포된 스페이서가 밖으로 도피하기 쉽다. 그 때문에, 제 1 기판의 외주부분에 배치되는 스페이서의 양은 적어지는 경향이 생긴다.

통상, 투명전극은 표시영역에밖에 형성되어 있지 않은데, 제 10 본 발명에서는 투명전극을 표시영역의 외측에도 형성하고, 표시영역과 동일한 전압을 인가해 두는 것이 바람직하다. 이에 의해, 스페이서수의 감소는 표시영역외에서 발생하게 되고, 표시영역의 내부에서는 균일하게 스페이서가 배치된다.

제 11 본 발명은 스페이서는 기체를 매체로 하여 수지제의 배관 또는 금속제의 배관을 경유하여 살포됨으로써, 정극성 또는 부극성으로 대전되는 것인 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5, 제 6, 제 7, 제 8, 제 9 또는 제 10 본 발명의 액정표시장치의 제조방법이고, 습식살포방법보다도 살포되는 스페이서의 대전량이 커지고, 스페이서의 기판으로의 배치 정밀도가 향상된다.

스페이서로서 가열 등에 의해 접착성을 발현하는 것을 사용하여 기판 표면에 고착시킴으로써, 배치후의 스페이서의 이동을 없애 셀 두께가 균일하고, 표시 얼룩이 없는 고품질의 표시성능을 갖는 액정표시장치를 제조할 수 있다.

스페이서에 가열에 의한 고착성을 발현시키는 방법으로서는 스페이서 표면에 열가소성의 수지층을 형성하는 방법, 스페이서 표면에 반응성의 기를 도입하는 방법 등을 들 수 있다. 광을 조사함으로써 스페이서에 고착성을 발현시키도록 해도 된다.

제 13 본 발명의 액정표시장치는 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5, 제 6, 제 7, 제 8, 제 9, 제 10, 제 11 또는 제 12 본 발명의 액정표시장치의 제조방법에 의해 제조되어 이루어지는 것이고, 셀 두께가 균일하고, 표시 얼룩이 없는 고품질의 표시성능을 갖는 것이다.

발명을 실시하기 위한 최량의 형태

이하에 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이들 실시예에만 한정되는 것은 아니다.

실시예 1

기판으로서 STN 형 액정표시장치용 세그먼트전극기판 (360 ×460 ㎜ 의 패턴형상의 선형상 투명전극형성 유리기판 : ITO 전극폭 80 ㎛, 전극간격 20 ㎛, 유리두께 0.7 ㎜) 을 준비하였다.

이 기판에 폴리이미드의 배향막을 0.05 ㎛ 형성하고, 러빙처리를 실시하였다.

또, 기판은 1 장의 기판에 2 개의 표시영역이 형성된 2 모따기의 것으로, 모든 선형상 투명전극 (ITO 전극) 을 표시영역외의 부분에서 도통하고, 전압인가장치와 접속하여 기판상의 ITO 전극에 대하여 직류전압을 인가할 수 있도록 하였다. 전압인가장치는 전압치, 전압극성을 임의로 설정 가능하게 하였다.

살포장치로서 도 29 에 나타낸 닛세이엔지니어링샤 제조의 건식살포장치를 사용하고, 접지된 알루미늄제의 도전성 스테이지상에 표면저항 10⁷Ω㎝ 이하의 대전방지매트를 밀착시켜 깔고, 그 위에 기판을 밀착시켜 설치하였다. 또, 살포장치내에는 전압인가장치에 도통된 전압인가용 접속단자를 설치하여 살포장치내에 배선을 끌어넣고, 기판에 전압의 공급을 행할 수 있도록 하였다.

스페이서로서 미크로펄 BBS-PH (상품명, 세끼스이파인케미컬샤 제조, 입자경 : 6.8 ㎛) 를 준비하였다.

이어서, 기판상의 모든 ITO 전극에 -2.5 kV 의 전압을 인가하였다. 이 상태를 유지하여 스페이서가 부극성 (-) 으로 대전하는 스테인리스제 배관을 경유시킴으로써 스페이서를 1.75 ㎏/㎠ 의 압축공기로 기판상에 살포하였다. 이 때, 스페이서는 부극성으로 대전하고 있는 것을 미리 확인하였다.

스페이서가 살포된 기판을 광학현미경으로 관찰한 결과, 스페이서는 전극의 틈에 배치되어 있었다. 즉, 블랙 매트릭스 부분에 스페이서가 배치되어 있었다.

그 후, 스페이서가 배치된 기판의 도통부분을 절단하고, 밀봉 형성, 점착, 기판절단, 액정주입 등의 공정을 거쳐 통상의 방법으로 액정표시장치를 완성하였다.

실시예 2

기판으로서 STN 형 액정표시장치용 코먼전극기판 (패턴형상의 선형상 투명전극, 금속 크롬 블랙 매트릭스 및 컬러필터형성 유리기판 : RGB 각 화소의 개구부는 80 ×280 ㎛, 블랙 매트릭스 선폭 35 ㎛, 아크릴제 오버코트층 3.0 ㎛, ITO 전극폭 290 ㎛, 전극간격 25 ㎛, 유리두께 0.7 ㎜) 을 준비하였다.

기판전극은 도 3 과 같이 형성되어 있다.

이 기판을 사용하여 ITO 전극에 -2.0 kV 를 인가한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 조작하였다.

살포된 기판을 현미경으로 관찰한 결과, 스페이서는 전극의 틈에 배치되어 있었다. 즉, 블랙 매트릭스 부분에 스페이서가 배치되어 있었다.

실시예 3

대전방지매트를 제거하고 알루미늄제의 도전성 스테이지상에 기판을 설치한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 조작하였다.

스페이서가 살포된 기판을 광학현미경으로 관찰한 결과, 스페이서는 전극의 틈에 배치되어 있었다. 즉, 스페이서는 블랙 매트릭스 부분에 배치되어 있었다.

비교예 1

알루미늄제의 도전성 스테이지상에 수지제 핀형상의 것을 세우고, 그 위에 기판을 설치하고, 공기에 의한 절연 스테이지 상태로 한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 조작하였다.

스페이서가 살포된 기판을 광학현미경으로 관찰한 결과, 스페이서는 표시전극부에도 배치되어 있었다. 즉, 스페이서는 거의 랜덤에 가까운 상태로 배치되어 있었다.

비교예 2

ITO 전극 전체에 인가하는 전압을 -1.0 kV 로 한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 조작하였다.

실시예 4

기판으로서 도 3 에 나타낸 더미전극을 갖지 않는 STN 형 액정표시장치용 코먼전극기판 (패턴형상의 선형상 투명전극, 금속 크롬제 블랙 매트릭스 및 안료분산형 컬러필터형성 유리기판 : RGB 각 화소의 개구부 80 ×285 ㎛, RGB 층의 두께 1.5 ㎛, 금속 크롬제 블랙 매트릭스 선폭 20 ㎛, 아크릴 수지제 오버코트층 3.0 ㎛, ITO 전극폭 290 ㎛, 전극간격 15 ㎛, 유리두께 0.7 ㎜) 을 준비하였다.

침형상의 전극이 다수 형성된 전압인가용 지그로 ITO 전극의 일방향의 말단을 모두 접속하고, 전압인가장치와 접속하여 기판상의 ITO 전극에 대하여 직류전압을 인가할 수 있도록 하였다.

또, 표시영역외에서 ITO 전극층, 오버코트층을 깎아 떨어뜨리고, 블랙 매트릭스의 일부를 노출시키고, 블랙 매트릭스부에도 다른 전압인가장치를 접속하고, 직류전압을 인가할 수 있도록 하였다. 2 개의 전압인가장치는 전압치, 전압극성을 임의로 설정 가능하게 하였다.

기판을 비교예 1 과 동일하게 하고, 스테이지를 절연상태로 하여 살포장치내에 설치하였다.

스페이서로서 미크로펄 BBS-PH (상품명, 세끼스이파인케미컬샤 제조, 입자경 : 5.3 ㎛) 를 준비하였다.

이어서, 기판상의 모든 ITO 전극에 -2.50 kV 의 전압을 인가하고, 블랙 매트릭스부에 -2.48 kV 의 전압을 인가하여 20 V 의 전위차를 형성하였다. 이 상태를 유지하여 스페이서가 부극성 (-) 으로 대전하는 스테인리스제 배관을 경유시킴으로써 스페이서를 1.75 ㎏/㎠ 의 압축공기로 기판상에 살포하였다. 이 때, 스페이서는 부극성으로 대전하고 있는 것을 미리 확인하였다.

스페이서가 살포된 기판을 광학현미경으로 관찰한 결과, 스페이서는 블랙 매트릭스 부분에 배치되어 있었다.

실시예 5

오버코트층의 표면에 도 5 에 나타낸 바와 같이, 선형상 투명전극 및 더미전극이 형성되고, 이 선형상 투명전극과 더미전극이 도통하고 있고, 그 이외에는 실시예 4 의 경우와 동일하게 구성된 기판을 사용하고, 전압인가장치에 의해 더미전극부 및 블랙 매트릭스부에 전압을 인가하였다. 그리고, 실시예 4 의 경우와 동일하게, 블랙 매트릭스부는 전압을 인가할 수 있도록 구성되어 있다.

또, 더미전극부에 전압을 인가함으로써 선형상 투명전극에도 동일한 전압이 인가되도록 하였다. 인가하는 전압은 더미전극부가 -2.50 kV 이고, 블랙 매트릭스부가 -2.48 kV 로, 실시예 4 의 경우와 동일하다. 이 후, 실시예 4 의 경우와 동일하게 조작하였다.

스페이서가 살포된 기판을 광학현미경으로 관찰한 결과, 스페이서는 표시영역 전체에 걸쳐 블랙 매트릭스 부분에 배치되어 있고, 특히 표시영역 최외주부에도 균일하게 스페이서가 배치되어 있으며, 실시예 4 에 비교하여 표시영역 최외주부의 스페이서의 배치상태가 보다 개선되었다.

그 후, 이 기판을 사용하여 통상의 방법으로 액정표시장치를 완성하였다. 완성된 액정표시장치는 화면을 관찰한 결과, 표시영역의 전체에 걸쳐 콘트라스트가 높고, 표시 얼룩도 없었다.

실시예 6

실시예 2 에서, 도 5 에 나타낸 바와 같이, 선형상 투명전극 및 더미전극이 형성되고, 이 선형상 투명전극과 더미전극이 도통하고 있으며, 그 이외에는 실시예 2 와 동일하게 구성된 기판을 사용하여 실시예 2 와 동일하게 조작하였다.

스페이서가 살포된 기판을 광학현미경으로 관찰한 결과, 스페이서는 표시영역 전체에 걸쳐 블랙 매트릭스 부분에 배치되어 있고, 특히 표시영역 최외주부분에도 균일하게 스페이서가 배치되어 있으며, 실시예 2 에 비교하여 표시영역 최외주부의 스페이서의 배치상태가 보다 개선되었다.

실시예 7

인가하는 전압을 -6.0 kV 로 한 것 이외에는 실시예 2 와 동일하게 조작했는데, ITO 전극과 블랙 매트릭스의 사이에서 방전이 일어나 쇼트하였다.

실시예 8

실시예 4 에서, ITO 전극에 -2.0 kV, 블랙 매트릭스에 +100 V 의 전압을 인가했는데, ITO 와 블랙 매트릭스의 사이에서 방전이 일어나 쇼트하였다.

실시예 9

실시예 1 에서, 도 5 의 요령으로 더미전극을 형성하고, 모든 선형상 투명전극을 더미전극과 연결한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 조작하였다.

스페이서가 살포된 기판을 광학현미경으로 관찰한 결과, 스페이서는 표시영역 전체에 걸쳐 블랙 매트릭스 부분에 배치되어 있고, 특히 표시영역 최외주부에도 균일하게 스페이서가 배치되어 있으며, 실시예 1 에 비교하여 표시영역 최외주부의 스페이서의 배치상태가 보다 개선되었다.

실시예 10

도 4 에 나타낸 바와 같이, 선형상 투명전극 및 더미전극이 형성되고, 선형상 투명전극과 더미전극이 도통하고 있지 않은 구조를 갖는 기판에 있어서, 봉형상 전극을 사용하여 전압인가장치에 의해 모든 선형상 투명전극에 -2.0 kV 의 전압을 인가하고, 더미전극에는 다른 전압인가장치에 의해 -2.03 kV 의 전압을 인가한 것 이외에는 실시예 2 와 동일하게 조작하였다.

스페이서가 살포된 기판을 광학현미경으로 관찰한 결과, 스페이서는 표시영역 전체에 걸쳐 블랙 매트릭스 부분에 배치되어 있으며, 특히 표시영역 최외주부에도 균일하게 스페이서가 배치되어 있었다.

실시예 11

기판으로서 STN 형 액정표시장치용 코먼전극기판 (패턴형상의 선형상 투명전극, 수지성 블랙 매트릭스 및 컬러필터형성 유리기판 : RGB 각 화소의 개구부는 80 ×280 ㎛, 수지성 블랙 매트릭스 선폭 35 ㎛, 아크릴 수지제 오버코트층 3.0 ㎛, ITO 전극폭 290 ㎛, 전극간격 25 ㎛, 유리두께 0.7 ㎜) 을 준비하였다.

또, 기판은 1 장의 기판에 2 개의 표시영역이 형성된 2 모따기의 기판을 사용하였다.

ITO 전극은 기판에서 약 10 ㎜ 내측으로부터 도 5 에 나타낸 바와 같이 형성되며, 더미전극을 전압인가장치와 접속하여 기판상의 더미전극에 전압을 인가하면, 기판상의 모든 ITO 전극에 직류전압이 인가되도록 하였다.

살포장치로서 도 30 에 나타낸 닛세이엔지니어링샤 제조의 DISPA-μR (상품명) 살포장치를 사용하고, 도 11 에 나타낸 바와 같이, 도전성 스테이지는 기판상의 ITO 전극영역과 거의 일치시키고, 기판 단부로부터 약 10 ㎜ 내측의 크기의 것을 사용하여 살포장치내에 설치하였다. 또, 살포장치내에는 전압인가장치에 도통된 전압인가용 접속단자를 설치하여 살포장치내에 배선을 끌어넣고, 기판에 전압의 공급을 행할 수 있도록 하였다.

스페이서로서 미크로펄 BB-PH (상품명, 세끼스이파인케미컬샤 제조, 입자경 : 7.25 ㎛) 를 준비하였다.

이어서, 더미전극에 전압을 인가하여 기판상의 모든 ITO 전극에 -2.0 kV 의 전압을 인가하였다. 이 상태를 유지하여 스페이서가 부극성 (-) 으로 대전하는 스테인리스제 배관을 경유시킴으로써 스페이서를 압축질소로 기판상에 살포하였다. 이 때, 스페이서는 부극성으로 대전하고 있는 것을 미리 확인하였다.

그 후, 이 기판을 사용하여 통상의 방법으로 액정표시장치를 완성하였다. 완성된 액정표시장치는 종래의 액정표시장치의 제조방법에 의해 스페이서를 살포시킨 경우와 다르고, 화소부에 스페이서가 존재하지 않으므로, 콘트라스트가 높고, 표시영역 전체에 걸쳐 스페이서가 배치되어 있기 때문에, 양호한 표시균일성의 표시성능을 갖는 것이었다.

실시예 12

블랙 매트릭스로서 선폭 35 ㎛ 의 금속 크롬 블랙 매트릭스를 사용하고, 도전성 스테이지로서 도 13 및 도 30 에 나타낸 바와 같이, 기판상의 2 개의 표시영역의 블랙 매트릭스의 액자로부터 5 ㎜ 내측에, 각각 대응하도록 2 개로 분할되어 있는 것을 사용한 것 이외에는 실시예 11 과 동일하게 조작하였다.

실시예 13

도전성 스테이지로서 기판보다도 50 ㎜ 큰 것을 사용한 것 이외에는 실시예 11 과 동일하게 조작하였다.

스페이서가 살포된 기판을 광학현미경으로 관찰한 결과, 스페이서는 전극의 틈, 즉 블랙 매트릭스 부분에 배치되어 있었는데, 표시영역 외주 30 ㎜ 부근에는 거의 배치되어 있지 않았다.

그 후, 이 기판을 사용하여 통상의 방법으로 액정표시장치를 완성하였다. 완성된 액정표시장치는 표시영역 중앙부근은 콘트라스트가 높고, 양호한 표시성능을 갖는 것이었지만, 표시영역 외주부는 스페이서가 존재하지 않으므로, 셀 두께가 작아지고, 표시 얼룩을 갖는 것이었다.

실시예 14

도전성 스테이지로서 표시영역의 40 %, 30 % 및 20 % 크기의 것을 사용한 것 이외에는 실시예 12 와 동일하게 조작하였다.

스페이서가 살포된 기판을 광학현미경으로 관찰하고, 그 후, 이들 기판을 사용하여 통상의 방법으로 액정표시장치를 완성하였다.

표시영역의 40 % 크기의 도전성 스테이지를 사용한 경우에는 실시예 12 와 동일하게 스페이서는 전극의 틈, 즉 블랙 매트릭스 부분에 배치되고, 완성된 액정표시장치도 화소부에 스페이서가 존재하지 않으므로, 콘트라스트가 높고, 표시영역 전체에 걸쳐 스페이서가 배치되어 있으므로, 양호한 표시균일성의 표시성능을 갖는 것이었다.

표시영역의 30 % 크기의 도전성 스테이지를 사용한 경우에는 약간 화소부에 스페이서가 배치되어 있었는데, 완성된 액정표시장치는 화소부에 배치된 스페이서수가 적으므로, 콘트라스트로의 영향은 거의 없고, 높은 콘트라스트를 갖는 것이었다.

표시영역의 20 % 크기의 도전성 스테이지를 사용한 경우에는 표시영역상에 거의 랜덤하게 스페이서가 배치되며, 완성된 액정표시장치도 콘트라스트의 향상이 보이지 않았다.

실시예 15

기판으로서 STN 형 액정표시장치용 코먼전극기판 (패턴형상의 선형상 투명전극, 금속 크롬 블랙 매트릭스 및 컬러필터형성 유리기판 : RGB 각 화소의 개구부는 80 ×280 ㎛, 금속 크롬 블랙 매트릭스 선폭 35 ㎛, 아크릴 수지제 오버코트층 3.0 ㎛, ITO 전극폭 290 ㎛, 전극간격 25 ㎛, 유리두께 0.7 ㎜) 을 준비하였다.

이 기판에 폴리이미드의 배향막을 0.05 ㎛ 형성하고, 러빙처리를 실시하였다. 그 후, 순수 샤워에 의해 기판을 세정후, 에어 나이프로 물기를 뺐다.

ITO 전극은 도 5 와 같이 형성되며, 표시영역외의 1 개소에 전압을 공급하면 모든 선형상 투명전극에 전압이 인가되도록 하였다. 단, 스페이서의 살포후, 도통부분을 절단함으로써 통상과 동일한 코먼전극기판이 되었다.

살포장치로서 도 31 에 나타낸 닛세이엔지니어링샤 제조의 건식살포장치를 사용하고, 살포장치내에는 전압인가장치에 도통된 전압인가용 접속단자를 설치하여 살포장치내에 배선을 끌어넣고, 기판에 전압의 공급을 행할 수 있도록 하였다.

스페이서로서 미크로펄 BBP (상품명, 세끼스이파인케미컬샤 제조, 입자경 : 7.25 ㎛) 를 준비하였다.

이어서, 스페이서 살포전의 기판의 가열건조공정으로서, 준비한 컬러필터기판을 오븐에서 90 ℃, 30 분의 가열건조를 하여 수분의 제거를 행하였다. 건조공정후의 기판을 접지된 스테인리스제의 도전성 스테이지에 밀착시켜 설치하고, 기판에 휨이 일어나 있지 않은 것을 확인후, 직류전원으로부터의 단자를 표시영역외에서 ITO 전극부에 접속하고, +2.00 kV 의 전압을 인가하고, 이어서 스페이서가 정극성 (+) 으로 대전하는 스테인리스제 배관을 경유시킴으로써 스페이서를 압축질소로 기판상에 살포하였다. 이 때, 스페이서는 부극성으로 대전하고 있는 것을 미리 확인하였다.

스페이서 살포에서의 작업환경은 실온 23 ℃, 상대습도 70 % 이었다. 그리고, 이 가열후의 기판의 투명전극에 1 kV 의 전압을 인가하여 투명전극과 스테이지 사이에 흐르는 전류를 검사한 결과, 10^-12A 대이었다.

스페이서가 살포된 기판을 광학현미경으로 관찰한 결과, 스페이서는 ITO 전극의 틈에 1 직선형상으로 배치되어 있었다. 즉, 표시화소내에는 스페이서가 존재하지 않았다.

그 후, 통상의 방법으로 액정표시장치를 완성하였다. 완성된 액정표시장치는 스페이서에 기인하는 광누설이 없으므로, 콘트라스트가 높고, 양호한 표시특성이었다.

실시예 16

스페이서 살포전의 기판의 가열건조공정을 뺀 것 이외에는 실시예 15 와 동일하게 조작하였다. 그리고, 이 기판의 투명전극에 1 kV 의 전압을 인가하여 투명전극과 스테이지의 사이에 흐르는 전류를 검사한 결과, 10^-5A 대이었다.

스페이서가 살포된 기판을 광학현미경으로 관찰한 결과, 스페이서는 ITO 전극틈에도 배치되어 있었지만, ITO 전극상, 즉 표시화소내에도 많이 배치되어 있었다.

그 후, 통상의 방법으로 액정표시장치를 완성하였다. 완성된 액정표시장치는 스페이서에 기인하는 광누설의 영향으로 콘트라스트는 실시예 15 보다도 떨어졌다.

실시예 17

기판의 가열온도를 40 ℃, 30 분으로 한 것 이외에는 실시예 15 와 동일하게 조작하였다. 그리고, 이 기판의 투명전극에 1 kV 의 전압을 인가하여 투명전극과 스테이지의 사이에 흐르는 전류를 검사한 결과, 10^-5A 대이었다.

실시예 18

스페이서 살포전의 기판의 가열건조공정 대신에 이하의 조작을 행한 것 이외에는 실시예 15 와 동일하게 조작하였다.

살포조중에 핫 플레이트를 설치하고, 또한 그 위에 알루미늄제 박판을 핫 플레이트의 널판지에 밀착시켜 설치하고, 그 알루미늄판을 접지하고, 핫 플레이트를 가열하여 알루미늄판 표면을 150 ℃ 로 유지하였다. 다음으로, 기판을 알루미늄판에 밀착시켜 설치하고, 투명전극부에 +2.00 kV 의 전압을 인가하고, 3 분후에 실시예 15 와 동일하게 살포하였다. 그리고, 이 기판의 투명전극에 1 kV 의 전압을 인가하여 투명전극과 스테이지의 사이에 흐르는 전류를 검사한 결과, 10^-11A 정도이었다.

실시예 19

스페이서 살포전의 기판의 가열건조공정 대신에, 기판의 상하방향으로부터 기체온도 45 ℃ 의 건조질소가스를 충분히 내뿜는 것 이외에는 실시예 15 와 동일하게 조작하였다. 그리고, 이 기판의 투명전극에 1 kV 의 전압을 인가하여 투명전극과 스테이지의 사이에 흐르는 전류를 검사한 결과, 10^-10A 정도이었다.

실시예 20

스페이서 살포전의 기판의 가열건조공정 대신에, 기판을 아세톤중에 디핑하고, 에어 나이프로 기판상으로부터 아세톤을 제거한 것 이외에는 실시예 15 와 동일하게 조작하였다. 그리고, 이 기판의 투명전극에 1 kV 의 전압을 인가하여 투명전극과 스테이지의 사이에 흐르는 전류를 검사한 결과, 10^-7A 정도이었다.

실시예 21

스페이서 살포전의 기판의 가열건조공정 대신에, 기판을 진공건조기중에 넣고, 1 Pa 의 진공도로 감압하여 5 시간 방치후, 바로 선형상 투명전극에 전압을 인가하여 스페이서의 살포를 행한 것 이외에는 실시예 15 와 동일하게 조작하였다. 그리고, 이 기판의 투명전극에 1 kV 의 전압을 인가하여 투명전극과 스테이지의 사이에 흐르는 전류를 검사한 결과, 10^-11A 정도이었다.

실시예 22

기판의 보관장소의 환경, 및 스페이서 살포에서의 작업환경을 실온 23 ℃, 상대습도 40 % 로 제어하고, 스페이서 살포전의 기판의 가열건조공정을 뺀 것 이외에는 실시예 15 와 동일하게 조작하였다. 그리고, 이 기판의 투명전극에 1 kV 의 전압을 인가하여 투명전극과 스테이지의 사이에 흐르는 전류를 검사한 결과, 10^-7A 대이었다.

실시예 23

기판의 보관장소의 환경, 및 스페이서 살포에서의 작업환경을 실온 23 ℃, 상대습도 85 % 로 제어하고, 스페이서 살포전의 기판의 가열건조공정을 뺀 것 이외에는 실시예 15 와 동일하게 조작하였다. 그리고, 이 기판의 투명전극에 1 kV 의 전압을 인가하여 투명전극과 스테이지의 사이에 흐르는 전류를 검사한 결과, 10^-5A 대이었다.

스페이서가 살포된 기판을 광학현미경으로 관찰한 결과, 스페이서는 ITO 전극의 틈에 배치되어 있었지만, ITO 전극상, 즉 표시화소내에도 많이 배치되어 있었다.

실시예 24

기판을 미리 실온 23 ℃, 상대습도 20 % 의 환경하에 보관해 두고, 바로 실시예 15 와 동일한 조작을 하였다. 단, 스페이서 살포전의 기판의 가열건조공정을 빼고, 스페이서 살포에서의 작업환경을 실온 23 ℃, 상대습도 50 % 로 제어하였다. 그리고, 이 기판의 투명전극에 1 kV 의 전압을 인가하여 투명전극과 스테이지의 사이에 흐르는 전류를 검사한 결과, 10^-8A 대이었다.

실시예 25

기판을 미리 실온 8 ℃, 상대습도 10 % 의 환경하에 보관해 두고, 바로 실시예 15 와 동일한 조작을 하였다. 단, 스페이서 살포전의 기판의 가열건조공정을 빼고, 스페이서 살포에서의 작업환경을 실온 23 ℃, 상대습도 50 % 로 제어하였다. 그리고, 이 기판의 투명전극에 1 kV 의 전압을 인가하여 투명전극과 스테이지의 사이에 흐르는 전류를 검사한 결과, 10^-5A 대이었다.

실시예 26

기판으로서 STN 형 액정표시장치용 코먼전극기판 (패턴형상의 선형상 투명전극, 금속 크롬 블랙 매트릭스 및 컬러필터형성 유리기판 : RGB 각 화소의 개구부는 80 ×280 ㎛, 금속 크롬 블랙 매트릭스 선폭 25 ㎛, 아크릴 수지제 오버코트층 3.0 ㎛, ITO 전극폭 290 ㎛, 전극간격 15 ㎛, 유리두께 0.7 ㎜) 을 준비하였다.

또, 기판은 모든 선형상 투명전극 (ITO 전극, 스트라이프전극) 을 더미전극영역에서 도통하고, 전압인가장치와 접속하여 기판상의 ITO 전극에 대하여 직류전압을 인가할 수 있도록 하였다. 전압인가장치는 전압치, 전압극성을 임의로 설정 가능하게 하였다.

살포장치로서 닛세이엔지니어링샤 제조의 DISPA-μR (상품명, 건식살포장치) 을 사용하고, 접지된 스테인리스제의 도전성 스테이지상에 기판을 밀착시켜 설치하였다. 또, 살포장치내에는 전압인가장치 (직류전원) 에 도통된 전압인가용 접속단자를 설치하여 살포장치내에 배선을 끌어넣고, 기판상의 더미전극에 접속하여 기판상의 ITO 전극 모두에 전압의 공급을 행할 수 있도록 하였다.

이어서, 기판상의 모든 ITO 전극에 -2.3 kV 의 전압을 1 분간 인가하였다.

그 후, 전압인가장치로부터의 접속단자를 떼내고, 스페이서가 부극성 (-) 으로 대전하는 스테인리스제 배관을 경유시킴으로써 스페이서를 압축공기로 기판상에 살포하였다. 이 때, 스페이서는 부극성으로 대전하고 있는 것을 미리 확인하였다.

스페이서가 살포된 기판을 광학현미경으로 관찰한 결과, 거의 모든 스페이서는 전극의 틈에 균일하게 배치되어 있었다. 즉, 블랙 매트릭스 부분에 스페이서가 균일하게 배치되어 있었다.

실시예 27

실시예 26 에서, 기판 뒤측 전면에 알루미늄박을 밀착시키고, 접지된 스테인리스판 상에서 전압인가장치로부터의 접속단자를 기판상의 더미전극에 접속하고, 모든 ITO 전극에 -2.5 kV 의 전압을 1 분간 인가하였다.

그 후, 전압인가장치로부터의 접속단자를 전극으로부터 떼내고, 기판과 알루미늄박이 밀착한 상태를 유지하여 살포장치내의 접지된 스테인리스제의 테이블상에 이동시키고, 실시예 26 과 동일하게 하여 스페이서의 살포를 행하였다.

실시예 28

그 후, 전압인가장치로부터의 접속단자를 떼내고, 기판과 알루미늄박이 밀착한 상태를 유지하여 살포장치내의 절연성의 테이블 (염화비닐 수지제) 상에 이동시키고, 실시예 26 과 동일하게 하여 스페이서의 살포를 행하였다.

실시예 29

이어서, 기판상의 모든 ITO 전극에 -2.0 kV 의 전압을 인가하였다.

전압을 인가한 직후 (전압을 인가한 상태의 유지시간 없음) 와, 전압을 인가한 상태를 1 초간, 3 초간, 5 초간, 10 초간, 60 초간 각각 유지하여 그 후, 스페이서가 부극성 (-) 으로 대전하는 스테인리스제 배관을 경유시킴으로써 스페이서를 압축공기로 기판상에 살포하였다. 이 때, 스페이서는 부극성으로 대전하고 있는 것을 미리 확인하였다. 그리고, 스페이서의 살포중에도 모든 ITO 전극에 -2.0 kV 의 전압을 인가한 상태를 유지하였다.

스페이서가 살포된 기판을 광학현미경으로 관찰하고, 스페이서의 배치상태를 이하에 나타내는 배치율로 평가하였다.

[배치율 (%)] = [일정 화소수 내에서 블랙 매트릭스 부분에 배치한 스페이서수]/[일정 화소수내 모든 스페이서수]

그 결과를 표 1 에 나타냈다.

표 1

스페이서 살포전에 전압을 인가한 상태의 유지시간(초)	없음	1	3	5	10	60
배치율 (%)	92	94	95	98	99 이상	99 이상

실시예 30

제 1 기판으로서 컬러필터형성기판 (패턴형상의 선형상 투명전극, 금속 크롬 블랙 매트릭스 및 안료분산형 컬러필터층 형성 유리기판 : RGB 각 화소의 개구부 80 ×280 ㎛, 금속 크롬 블랙 매트릭스 선폭 35 ㎛, 안료분산형 컬러필터층의 두께 약 1.5 ㎛, 아크릴 수지제 오버코트층 3.0 ㎛, 유리두께 0.7 ㎜) 을 준비하였다.

그리고, 도 23 에 나타낸 중앙에 수평방향으로 형성된 블랙 매트릭스의 바로위 영역의 내측이 되도록 25 ㎛ ×100 ㎛ 의 직사각형 형상의 에칭영역을 형성하였다.

또, 컬러필터형성기판의 표시영역외에서 투명전극부에 전압인가장치를 접속하고, 또한 투명전극층, 오버코트층을 깍아 떨어뜨리고, 크롬 블랙 매트릭스의 일부를 노출시키고, 블랙 매트릭스부에도 다른 전압인가장치를 접속하고, 직류전압을 인가할 수 있도록 하였다. 2 개의 전압인가장치는 전압치, 전압극성을 임의로 설정 가능하게 하였다.

살포장치로서 도 32 에 나타낸 닛세이엔지니어링샤 제조의 건식살포장치를 사용하고, 접지된 스테인리스제의 도전성 스테이지상에 기판을 밀착시켜 설치하였다. 또, 살포장치내에는 전압인가장치에 도통된 전압인가용 접속단자를 설치하여 살포장치내에 배선을 끌어넣고, 기판에 전압의 공급을 행할 수 있도록 하였다.

스페이서로서 미크로펄 SP (상품명, 세끼스이파인케미컬샤 제조, 입자경 : 5.25 ㎛) 를 준비하였다.

이어서, 기판상의 투명전극부에 -1.5 kV 의 전압을 인가하고, 블랙 매트릭스부에 -1.48 kV 의 전압을 인가하였다 (투명전극부 : 상대 -, 블랙 매트릭스부 : 상대 +). 이 상태를 유지하여 스페이서가 부극성 (-) 으로 대전하는 스테인리스제 배관을 경유시킴으로써 스페이서를 압축공기로 기판상에 살포하였다. 이 때, 스페이서는 부극성으로 대전하고 있는 것을 미리 확인하였다.

스페이서가 살포된 제 1 기판을 광학현미경으로 관찰한 결과, 스페이서는 도 33 에 나타낸 바와 같이, 에칭영역에만 배치되어 있었다.

그 후, 이 기판을 사용하여 통상의 방법으로 TFT 형 액정표시장치를 완성하였다. 완성된 TFT 형 액정표시장치는 화면을 관찰한 결과, 표시영역에 스페이서가 존재하지 않으므로, 콘트라스트가 높은 것이었다.

실시예 31

실시예 30 의 경우와 동일한 기판을 사용하고, 전압인가장치로부터 투명전극부에 -2.0 kV 의 전압을 인가하고, 블랙 매트릭스부에는 전압인가장치로부터의 단자를 접속하지 않고, 실시예 30 과 동일하게 조작하였다.

스페이서가 살포된 제 1 기판을 광학현미경으로 관찰한 결과, 스페이서는 에칭영역에만 배치되어 있었다.

실시예 32

스페이서 살포장치의 스테인리스제의 도전성 스테이지상에 저항치가 10⁷Ω㎝ 이하의 대전방지매트를 밀착시켜 설치하고, 그 위에 제 1 기판을 밀착시켜 설치한 것 이외에는 실시예 31 과 동일하게 조작하였다.

실시예 33

스페이서 살포장치의 스테인리스제의 도전성 스테이지상에 저항치가 10⁷Ω㎝ 이하의 대전방지매트를 밀착시켜 설치하고, 그 위에 제 1 기판을 밀착시켜 설치한 것 이외에는 실시예 30 과 동일하게 조작하였다.

비교예 3

투명전극부에 인가하는 전압을 -1.5 kV 로 하고, 블랙 매트릭스부에 인가하는 전압을 -1.3 kV 로 한 것 이외에는 실시예 30 과 동일하게 조작하고자 했지만, 투명전극과 도전성 블랙 매트릭스의 사이에 쇼트가 발생하여 결과적으로 전압의 인가를 행할 수 없었다.

실시예 34

제 1 기판으로서 컬러필터형성기판 (패턴형상의 선형상 투명전극, 금속 크롬 블랙 매트릭스 및 컬러필터형성 유리기판 : RGB 각 화소의 개구부 80 ×280 ㎛, 스트라이프 방향의 금속 크롬 블랙 매트릭스 선폭 25 ㎛, 스트라이프에 직행하는 방향의 블랙 매트릭스 선폭 35 ㎛) 을 준비하였다.

그리고, 투명전극의 블랙 매트릭스의 교차부에 상당하는 부분에 도전성 블랙 매트릭스의 35 ㎛ 의 선폭의 범위내에서, 또한 그 경계로부터 7 ㎛ 내측의 위치에 5 ㎛ 폭의 에칭층을 형성하고, 도 28 에 나타낸 11 ㎛ ×40 ㎛ 의 직사각형의 고립투명전극을 다수 형성하였다.

이 기판에 폴리이미드의 배향막을 0.05 ㎛ 형성하고, 러빙 처리를 실시하였다.

또, 컬러필터형성기판의 표시영역외에서 투명전극부에 전압인가장치를 접속하고, 고립투명전극 이외의 투명전극에 전압인가장치를 접속하고, 직류전압을 인가할 수 있도록 하였다. 전압인가장치는 전압치, 전압극성을 임의로 설정 가능하게 하였다.

살포장치로서 도 34 에 나타낸 닛세이엔지니어링샤 제조의 건식살포장치를 사용하고, 접지된 스테인리스제의 도전성 스테이지상에 기판을 밀착시켜 설치하였다. 또, 살포장치내에는 전압인가장치에 도통된 전압인가용 접속단자를 설치하여 살포장치내에 배선을 끌어넣고, 기판에 전압의 공급을 행할 수 있도록 하였다.

스페이서로서 미크로펄 CB (상품명, 세끼스이파인케미컬샤 제조, 입자경 : 5.7 ㎛) 를 준비하였다.

이어서, 기판상의 고립투명전극 이외의 투명전극에 +1.8 kV 의 전압을 인가하였다. 이 상태를 유지하여 스페이서가 정극성 (+) 으로 대전하는 배관을 경유시킴으로써 스페이서를 압축공기로 기판상에 살포하였다. 이 때, 스페이서는 정극성으로 대전하고 있는 것을 미리 확인하였다.

스페이서가 살포된 제 1 기판을 광학현미경으로 관찰한 결과, 스페이서는 도 35 에 나타낸 바와 같이, 고립투명전극이 형성된 부분에만 배치되어 있었다.

그리고, 스페이서는 밀봉재의 가압, 경화과정의 가열에 의해 배향막과 밀착하고, 이동 등은 관찰되지 않았다.

실시예 35

스페이서 살포장치의 스테인리스제의 도전성 스테이지상에 저항치가 10⁷Ω㎝ 이하의 대전방지매트를 밀착시켜 설치하고, 그 위에 제 1 기판을 밀착시켜 설치한 것 이외에는 실시예 34 와 동일하게 조작하였다.

스페이서가 살포된 제 1 기판을 광학현미경으로 관찰한 결과, 스페이서는 고립투명전극이 형성된 부분에만 배치되어 있었다.

실시예 36

크롬제 블랙 매트릭스의 부분을 안료분산형 블랙 레지스트를 사용하여 크롬제 블랙 매트릭스의 경우와 동일한 패턴을 형성하고, 인가하는 전압을 +2.0 kV 로 한 것 이외에는 실시예 34 와 동일하게 조작하였다.

비교예 4

스테이지상에 불소수지로 이루어지는 수지제 핀을 세우고, 그 위에 제 1 기판을 설치하고, 이 제 1 기판 전체를 띄워 공기에 의한 절연 스테이지로 한 것 이외에는 실시예 34 와 동일한 조작을 행하였다.

스페이서가 살포된 제 1 기판을 광학현미경으로 관찰한 결과, 스페이서는 블랙 매트릭스 부분에 배치되어 있었는데, 투명전극상에도 거의 랜덤한 상태로 많이 배치되어 있었다.

산업상 이용가능성

본 발명의 액정표시장치의 제조방법은 상술한 바와 같기 때문에, 패턴형상의 투명전극으로 구성되는 기판으로 이루어지는 액정표시장치의 제조방법으로서, 전극이 존재하지 않는 전극틈, 즉 블랙 매트릭스 부분에 스페이서를 배치할 수 있고, 더욱이 스페이서를 표시영역 전체에 걸쳐 배치하는 것이나, 수율 좋게, 고정밀도로 스페이서를 블랙 매트릭스 부분에 배치할 수 있으며, 살포장치내에서 기판상의 투명전극에 전압을 인가하는 공정을 줄여 택트를 빠르게 할 수도 있다.

따라서, 스페이서에 기인하는 광누설이 없고, 콘트라스트가 현저하게 높고, 셀 두께가 균일하며, 표시 얼룩이 없는 고품질의 표시성능을 갖는 액정표시장치를 안정적으로, 택트를 단축하여 제조할 수 있다.

또, TFT 형 액정표시장치이어도, 스페이서에 기인하는 광누설이 없고, 콘트라스트가 현저하게 높은 액정표시장치를 제조할 수 있다.

본 발명의 액정표시장치는 상술한 구성으로 이루어지므로, 스페이서에 기인하는 광누설이 없고, 콘트라스트가 현저하게 높고, 셀 두께가 균일하며, 표시 얼룩이 없는 고품질의 표시성능을 갖는 것이다.

Claims

적어도 패턴형상의 투명전극으로 구성되는 제 1 기판 및 제 1 기판상에 대향배치되는 제 2 기판 중 적어도 일측의 기판에 스페이서를 살포하고, 양 기판의 틈에 액정을 주입하여 이루어지는 액정표시장치의 제조방법으로서,

정극성 또는 부극성으로 대전한 스페이서를 기판상에 살포할 때,

접지된 체적저항 10¹⁰Ω㎝ 이하의 도전성 스테이지에 기판을 밀착시켜 설치하고, 또한 투명전극에 대하여 스페이서의 대전극성과 동극성인 200 V ∼ 5 kV 의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
제 1 항에 있어서, 투명전극에 대하여 스페이서의 대전극성과 동극성인 1.5 kV ∼ 5 kV 의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
적어도 패턴형상의 투명전극, 도전성 블랙 매트릭스 및 오버코트층으로 구성되는 제 1 기판 및 제 1 기판상에 대향배치되는 제 2 기판 중 적어도 일측의 기판에 스페이서를 살포하고, 양 기판의 틈에 액정을 주입하여 이루어지는 액정표시장치의 제조방법으로서,

정극성 또는 부극성으로 대전한 스페이서를 기판상에 살포할 때,

도전성 블랙 매트릭스에 대하여 전압 (V1) 을 인가하고, 또한 투명전극에 대하여 전압 (V2) 을 인가하여,

V1 과 V2 는 스페이서의 대전극성이 정극성인 경우에는 모두 정전압이고, 또한 V1 〈 V2 의 관계이며, 스페이서의 대전극성이 부극성인 경우에는 모두 부전압이고, 또한 V1 〉 V2 의 관계인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
제 3 항에 있어서, V1 과 V2 의 전위차는 100 V 이내인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
제 1 항, 제 2 항, 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 기판은 더미전극도 갖는 것이고,

투명전극에 전압을 인가할 때, 상기 더미전극에도 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
제 5 항에 있어서, 투명전극으로의 인가는 더미전극과 투명전극을 도통시키고, 더미전극에 전압을 인가함으로써 행하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 더미전극으로 인가하는 전압과, 투명전극으로 인가하는 전압은 다른 것임을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
적어도 패턴형상의 투명전극 및 배향막으로 구성되고, 하나 또는 2 개 이상의 표시영역을 갖는 제 1 기판 및 제 1 기판상에 대향배치되는 제 2 기판 중 적어도 일측의 기판에 스페이서를 살포하고, 양 기판의 틈에 액정을 주입하여 이루어지는 액정표시장치의 제조방법으로서,

정극성 또는 부극성으로 대전한 스페이서를 기판상에 살포할 때,

기판치수보다 작은 치수의 접지된 도전성 스테이지에 기판을 밀착시켜 설치하고, 기판 외주 단부가 도전성 스테이지로부터 뜬 상태로 하고, 또한 기판상의 투명전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
제 8 항에 있어서, 스페이서가 살포되는 기판은 블랙 매트릭스가 형성된 것으로서,

상기 블랙 매트릭스는 도전성의 것이고,

도전성 스테이지는 기판의 각 표시영역의 블랙 매트릭스의 액자 외주부보다도 작은 치수의 하나 또는 2 개 이상의 것임을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 도전성 스테이지와 기판의 접촉면적은 표시영역면적의 30 % 이상인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
적어도 패턴형상의 투명전극 및 배향막으로 구성되는 제 1 기판 및 제 1 기판상에 대향배치되는 제 2 기판 중 적어도 일측의 기판에 스페이서를 살포하고, 양 기판의 틈에 액정을 주입하여 이루어지는 액정표시장치의 제조방법으로서,

스페이서가 살포되는 기판의 수분을 제거하는 공정과,

접지된 도전성 스테이지에 기판을 밀착시켜 설치하고, 기판상의 투명전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가하여 스페이서를 살포하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
제 11 항에 있어서, 수분을 제거하는 공정은 살포전에 기판을 가열함으로써 행하는 것임을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
제 11 항 또는 제 12 항에 있어서, 수분을 제거하는 공정은 살포중에 기판을 가열함으로써 행하는 것임을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
제 11 항, 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서, 수분을 제거하는 공정은 살포전에 건조기체로 기판을 블로함으로써 행하는 것임을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
제 11 항, 제 12 항, 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서, 수분을 제거하는 공정은 살포전에 용제로 수분을 치환하여 건조함으로써 행하는 것임을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
제 11 항, 제 12 항, 제 13 항, 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서, 수분을 제거하는 공정은 살포전에 기판을 진공하에 방치하거나, 또는 진공하에서 가열함으로써 행하는 것임을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
제 12 항 또는 제 13 항에 있어서, 기판의 가열온도는 50 ℃ 이상인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
제 11 항, 제 12 항, 제 13 항, 제 14 항, 제 15 항, 제 16 항 또는 제 17 항에 있어서, 수분을 제거하는 공정의 경과후에 기판상의 투명전극에 1 kV 의 전압을 인가한 경우, 기판상의 투명전극과 도전성 스테이지의 사이에 흐르는 전류를 10^-6A 이하가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
적어도 패턴형상의 투명전극 및 배향막으로 구성되는 제 1 기판 및 제 1 기판상에 대향배치되는 제 2 기판 중 적어도 일측의 기판에 스페이서를 살포하고, 양 기판의 틈에 액정을 주입하여 이루어지는 액정표시장치의 제조방법으로서,

접지된 도전성 스테이지에 기판을 밀착시켜 설치하고, 기판상의 투명전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가하여 스페이서를 살포하는 공정으로 이루어지고,

스페이서의 살포전 및 살포중에 사용하는 기판의 특성으로서 기판상의 투명전극에 1 kV 의 전압을 인가했을 때, 기판상의 투명전극과 도전성 스테이지의 사이에 흐르는 전류를 10^-6이하인 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
제 19 항에 있어서, 접지된 도전성 스테이지에 기판을 밀착시켜 설치하고, 기판상의 투명전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가하여 스페이서를 살포하는 공정을 실온 18 ℃ ∼ 28 ℃, 상대습도 50 %RH 이하로 관리하여 행하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
제 20 항에 있어서, 기판은 실온 18 ℃ ∼ 28 ℃, 상대습도 50 %RH 이하의 환경에서 보관되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
적어도 패턴형상의 투명전극 및 배향막으로 구성되는 제 1 기판 및 제 1 기판상에 대향배치되는 제 2 기판 중 적어도 일측의 기판에 스페이서를 살포하고, 양 기판의 틈에 액정을 주입하여 이루어지는 액정표시장치의 제조방법으로서,

정극성 또는 부극성으로 대전한 스페이서를 기판상에 살포할 때,

접지된 도전성 스테이지에 기판을 밀착시켜 설치하고, 또한 기판상의 투명전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가한 후, 전압인가장치로부터의 단자를 투명전극으로부터 떼내고, 기판에 전하가 잔류하고 있는 동안에 스페이서를 살포하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
제 22 항에 있어서, 접지된 도전성 스테이지는 이동 가능한 것으로서,

정극성 또는 부극성으로 대전한 스페이서를 기판상에 살포할 때,

접지된 도전성 스테이지에 기판을 밀착시켜 설치하고, 또한 기판상의 투명전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가한 후, 전압인가장치로부터의 단자를 투명전극으로부터 떼내고,

도전성 스테이지와 기판이 밀착한 상태를 유지하여 살포장치내에 이동시키고, 스페이서를 살포하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
적어도 패턴형상의 투명전극 및 배향막으로 구성되는 제 1 기판 및 제 1 기판상에 대향배치되는 제 2 기판 중 적어도 일측의 기판에 스페이서를 살포하고, 양 기판의 틈에 액정을 주입하여 이루어지는 액정표시장치의 제조방법으로서,

정극성 또는 부극성으로 대전한 스페이서를 기판상에 살포할 때,

접지된 도전성 스테이지에 기판을 밀착시켜 설치하고, 또한 기판상의 투명전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가한 상태에서 일정시간 유지한 후, 전압을 인가한 상태를 유지한채 스페이서의 살포를 행하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
제 24 항에 있어서, 전압을 인가한 상태에서 적어도 5 초 이상 유지한 후, 전압을 인가한 상태를 유지한채 스페이서의 살포를 행하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
적어도 패턴형상의 투명전극, 도전성 블랙 매트릭스, 오버코트층 및 배향막으로 구성되는 제 1 기판 및 제 1 기판상에 대향배치되는 박막 트랜지스터로 구성되는 제 2 기판 중 제 1 기판에 스페이서를 살포하고, 양 기판의 틈에 액정을 주입하여 이루어지는 액정표시장치의 제조방법으로서,

제 1 기판은 투명전극의 내부에 도전성 블랙 매트릭스의 바로위 영역의 내측이 되도록 투명전극이 존재하지 않는 에칭영역이 형성된 것이고,

정극성 또는 부극성으로 대전한 스페이서를 제 1 기판상에 살포할 때,

도전성 블랙 매트릭스에 대하여 전압 (V1) 을 인가하고, 또한 투명전극에 대하여 전압 (V2) 을 인가하여,

V1 과 V2 는 스페이서의 대전극성이 정극성인 경우에는 모두 정전압이고, 또한 V1 〈 V2 의 관계이며, 스페이서의 대전극성이 부극성인 경우에는 모두 부전압이고, 또한 V1 〉 V2 의 관계인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
제 26 항에 있어서, V1 과 V2 의 전위차는 100 V 이내인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
적어도 패턴형상의 투명전극, 블랙 매트릭스, 오버코트층 및 배향막으로 구성되는 제 1 기판 및 제 1 기판상에 대향배치되는 박막 트랜지스터로 구성되는 제 2 기판 중 제 1 기판에 스페이서를 살포하고, 양 기판의 틈에 액정을 주입하여 이루어지는 액정표시장치의 제조방법으로서,

제 1 기판은 투명전극의 내부에 블랙 매트릭스의 바로위 영역의 내측이 되도록 투명전극이 존재하지 않는 에칭영역이 형성된 것이고,

정극성 또는 부극성으로 대전한 스페이서를 제 1 기판상에 살포할 때,

접지된 체적저항 10¹⁰Ω㎝ 이하의 도전성 스테이지에 제 1 기판을 밀착시켜 설치하고, 투명전극에 대하여 스페이서의 대전극성과 동극성인 200 V ∼ 5 kV 의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
적어도 패턴형상의 투명전극으로 구성되는 제 1 기판 및 제 1 기판상에 대향배치되는 박막 트랜지스터로 구성되는 제 2 기판 중 제 1 기판에 스페이서를 살포하고, 양 기판의 틈에 액정을 주입하여 이루어지는 액정표시장치의 제조방법으로서,

제 1 기판은 투명전극의 내부에 제 1 기판 또는 제 2 기판에 형성된 블랙 매트릭스 영역의 내측이 되도록 주위의 투명전극과 접속되어 있지 않은 전기적으로 뜬 상태의 고립투명전극이 형성된 것이고,

정극성 또는 부극성으로 대전한 스페이서를 제 1 기판상에 살포할 때,

접지된 체적저항 10¹⁰Ω㎝ 이하의 도전성 스테이지에 제 1 기판을 밀착시켜 설치한 후, 제 1 기판의 고립투명전극 이외의 투명전극에 스페이서의 대전극성과 동극성의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항, 제 6 항, 제 7 항, 제 8 항, 제 9 항, 제 10 항, 제 11 항, 제 12 항, 제 13 항, 제 14 항, 제 15 항, 제 16 항, 제 17 항, 제 18 항, 제 19 항, 제 20 항, 제 21 항, 제 22 항, 제 23 항, 제 24 항, 제 25 항, 제 26 항, 제 27 항, 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 스페이서는 기체를 매체로 하여 수지제의 배관 또는 금속제의 배관을 경유하여 살포됨으로써 정극성 또는 부극성으로 대전되는 것임을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항, 제 6 항, 제 7 항, 제 8 항, 제 9 항, 제 10 항, 제 11 항, 제 12 항, 제 13 항, 제 14 항, 제 15 항, 제 16 항, 제 17 항, 제 18 항, 제 19 항, 제 20 항, 제 21 항, 제 22 항, 제 23 항, 제 24 항, 제 25 항, 제 26 항, 제 27 항, 제 28 항, 제 29 항 또는 제 30 항에 있어서, 스페이서는 가열에 의해 기판 표면에 고착하는 것임을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항, 제 6 항, 제 7 항, 제 8 항, 제 9 항, 제 10 항, 제 11 항, 제 12 항, 제 13 항, 제 14 항, 제 15 항, 제 16 항, 제 17 항, 제 18 항, 제 19 항, 제 20 항, 제 21 항, 제 22 항, 제 23 항, 제 24 항, 제 25 항, 제 26 항, 제 27 항, 제 28 항, 제 29 항, 제 30 항 또는 제 31 항에 기재된 액정표시장치의 제조방법에 의해 제조되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.