KR20010040872A - 프린트 도체 구조물의 제조 방법 - Google Patents

프린트 도체 구조물의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20010040872A
KR20010040872A KR1020007008775A KR20007008775A KR20010040872A KR 20010040872 A KR20010040872 A KR 20010040872A KR 1020007008775 A KR1020007008775 A KR 1020007008775A KR 20007008775 A KR20007008775 A KR 20007008775A KR 20010040872 A KR20010040872 A KR 20010040872A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heavy metal
substrate
region
electrically nonconductive
conductor structure
Prior art date
Application number
KR1020007008775A
Other languages
English (en)
Inventor
나운도르프게르하르트
비스보록호르스트
Original Assignee
나운도르프 게르하르트
비스보록 호르스트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 나운도르프 게르하르트, 비스보록 호르스트 filed Critical 나운도르프 게르하르트
Publication of KR20010040872A publication Critical patent/KR20010040872A/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/28—Sensitising or activating
    • C23C18/30—Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/1608—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from pretreatment step, i.e. selective pre-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/1612—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning through irradiation means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
    • H05K3/185—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method by making a catalytic pattern by photo-imaging

Abstract

본 발명은 전기적으로 비전도성인 기판상에 정밀한 금속 도체 구조물을 제조하는 방법에 관한 것으로, 상기 방법에서는 전기적으로 비전도성인 중금속 복합체가 상기 기판상에 또는 기판내에 적용되며, 상기 기판은 형성될 도체 구조물의 영역에서 선택적으로 UV-레이저광에 노출된다. 그 결과 중금속 시드는 릴리스되고, 상기 영역은 화학적 환원에 의해 금속화된다. 본 발명은 간단하고 안전한 방법으로 도체 구조물을 매우 정밀하게 구조화하는 것을 가능하게 한다. 또한, 디포짓된 금속 도체는 이와 같은 방식으로 뛰어난 접착 강도를 나타낸다.

Description

프린트 도체 구조물의 제조 방법 {METHOD FOR PRODUCING PRINTED CONDUCTOR STRUCTURES}
별쇄 "LAD - 최대로 정밀한 도체 금속화를 위한, 레이저로 지지되는 새로운 방식의 코팅 방법", 전문 잡지 "갈바닉 기술", 81권 (1990), 10호에는, 100㎛ 미만의 최대로 정밀한 도체 구조물을 제조하기 위해서 얇은 막으로서의 용액으로 이루어진 Pd-아세테이트를 비전도성 기판상에 전표면적으로 제공하는 것이 공지되어 있다. 파장이 248㎚인 엑시머 레이저를 이용한 후속 레이저 조광에 의해, 형성될 프린트 도체 구조물의 영역에서는 시드로서의 금속 원자가 유동 없는 후속 금속화를 위해서 방출되어야 한다. 그러나 금속화 공정 이전에는, 기판상에 제공된 금속 함유 박막의 분해되지 않은 영역을 제거하기 위한 세척 과정을 실시하는 것이 필요하다. 이 경우 상기 세척 과정의 질은, 유동 없는 후속 금속화 공정시 와일드 생장의 문제를 피하기 위한 결정적인 역할을 한다. 그밖에, 기술된 방법에 의해서는 디포짓된 금속 프린트 도체의 충분한 접착 강도에 도달할 수 없다.
DE 42 10 400 C1호에는 기판상에 제공되는, 중금속염의 혼합물로 이루어진 박막으로부터 레이저를 이용한 국부적 가열에 의해서 구리를 직접 분리하기 위한 방법이 기술되어 있다. 상기 방법은, 얻을 수 있는 프린트 도체 구조물의 정밀성이 제한된다는 단점을 갖는 열활성화 화학의 범주에 속한다. 또한 제공되는 박막으로서 전도성 박막이 사용됨으로써, 결과적으로 금속화 공정 이전에는 비용이 많이 소요되면서도 문제가 많은 세척 공정이 필요하게 된다. 비전도성 중금속 복합체를 사용하는 것 그리고 중금속 시드를 분리하기 위해 UV-레이저 광선을 이용해 중금속 복합체를 냉각 파쇄하는 것은 본 발명에서는 공개되지도 암시되지도 않는다.
US 45 74 095호에는, 기판을 진공 챔버내에서 팔라듐-복합 화합물의 증기에 노출시킨 다음에 윈도우를 통해 구조화 방식으로 249㎚-엑시머 레이저로 조광하는 방법이 공지되어 있다. 팔라듐-증착이 증기 형태의 상태로 진공 챔버내에서 이루어지기 때문에, 상기 방법은 통상의 프린트 도체 및 회로 기판 분야에서의 사용이 비경제적일 정도로 비용이 많이 소요된다.
본 발명은 전기적으로 비전도성인 기판상에 정밀한 금속 도체 구조물을 제조하는 방법에 관한 것으로, 상기 방법에서는 전기적으로 비전도성인 중금속 복합체가 상기 기판상에 또는 기판내에 적층되며, 상기 기판은 형성될 프린트 도체 구조물의 영역에서 선택적으로 UV-레이저광에 노출된다. 그 결과 중금속 시드 (seed) 는 릴리스되고, 상기 영역은 화학적 환원에 의해 금속화된다.
본 발명의 목적은, 10㎛ 미만의 프린트 도체 폭 및 간격에 이를 때까지 프린트 도체를 정밀하게 구조화하는 것을 보장해주는, 프린트 도체 구조물을 제조하기 위한 간단하고도 안전한 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적은 청구항 1 내지 청구항 13의 특징에 의해 달성된다. 본 발명의 추가 실시예는 종속항에서 기술된다.
본 발명의 범주에서는, 중금속 복합체를 지방족 및 방향족 모노-탄산 및 디-탄산의 탄산 아미드 및 예컨대 N,N'-디페닐옥살산디아미드와 같은 N-모노 치환된 유도체의 탄산 아미드의 화학적 구조를 갖는 유기 복합체 형성체와 함께 형성하는 것이 제안된다.
또한, 중금속 복합체를 예컨대 바르비투르산과 같은 주기 아미드의 화학적 구조를 갖는 유기 복합체 형성체와 함께 형성하는 것이 제안된다.
중금속 복합체를 예컨대 벤젠알데히드 및 살리실알데히드 또는 0-히드록시-아릴케톤과 같은 지방족 및 바람직하게는 방향족 알데히드의 히드라존 (I) 및 비스히드라존 (II)의 화학적 구조를 갖는 유기 복합체 형성체와 함께 형성하는 것도 가능하다.
대안적으로는, 중금속 복합체를 하기의 화학식 (III) 및 (IV) 와 같은 지방족 및 방향족 모노-탄산 및 그것의 N-아실화된 유도체의 히드라지드의 화학적 구조를 갖는 유기 복합체 형성체와 함께 형성할 수 있다.
본 발명의 범주에서는 또한, 중금속 복합체를 화학식 (V) 및 (VI) 과 같은 디아실화된 히드라진의 화학적 구조를 갖는 유기 복합체 형성체와 함께 형성하는 것도 제안될 수 있다.
또한, 중금속 복합체를 예컨대 N,N'-디-2-나프틸-p-페닐렌디아민(VII) 과 같은 페닐렌디아민의 화학적 구조를 갖는 유기 복합체 형성체와 함께 형성할 수도 있다.
보는 바와 같이, 중금속 복합체는 예컨대 멜라민 유도체, 벤젠트리아졸렌, 8-옥시퀴놀린, 히드라존과 같은 헤테로 주기 화합물 및 (VIII) 과 같은 히드라지노트리아진의 아실화된 유도체, 아미노트리아졸렌 및 (IX) 과 같은 그것의 아실화된 유도체와 같은 화학적 구조를 갖는 유기 복합체 형성체와 함께 형성될 수도 있다.
대안적으로는, 중금속 복합체를 (X) 와 같은 폴리히드라지드의 화학적 구조를 갖는 유기 복합체 형성체와 함께 형성할 수도 있다.
[식중, n = 1 내지 10, A = 알킬 또는 페닐]
그밖에, 중금속 복합체를 예컨대 N,N'-디살리실리드-1,2-디아미노프로판 (XI) 과 같은 디살리실리드의 화학적 구조를 갖는 유기 복합체 형성체와 함께 형성하는 것이 제안된다.
또한, 중금속 복합체를 입체적으로 장애를 받은 페놀 및 (XII), (XIII), (XIV) 및 (XV) 과 같은 금속 복합체화된 그룹의 분자 조합물의 화학적 구조를 갖는 유기 복합체 형성체와 함께 형성하는 것도 제안된다.
대안적으로는, 중금속 복합체를 (XVI) 과 같은 벤질인산-Ni-염의 화학적 구조를 갖는 유기 복합체 형성체와 함께 단독으로 또는 여기에 언급된 다른 복합체 형성체와의 조합에 의해서 형성하는 것도 제안된다.
또한, 중금속 복합체를 (XVII) 과 같은 피리딘시올-Sn-화합물의 화학적 구조를 갖는 유기 복합체 형성체와 함께 형성하는 것이 제안될 수 있다.
본 발명의 범주에서는 또한, 중금속 복합체를 (XVIII) 과 같은 유황 함유 비스페놀의 제 3차-인산에스테르의 화학적 구조를 갖는 유기 복합체 형성체와 함께 형성하는 것도 제안될 수 있다.
전술한 복합체 형성체들은, 상기 형성체들이 폴리머 상태에서 충분히 용해될 수 있고 분산이 용이하며 또한 친화성이 우수하다는 바람직한 특성들을 갖고 있다. 우수한 친화성으로 인해 유해한 풍화 작용이 피해질 수 있다.
그밖에 언급한 복합체 형성체들은 추출 안정성이 높고 알칼리 및 산의 화학적 및 갈바닉 배쓰내에서 안정적이다. 상기 복합체 형성체들은 또한 바람직한 방식으로 비휘발성이고 독성이 강하지 않으며 피부 및 점막에 비자극적이다.
언급한 유기 복합체 형성체들을 중금속염으로 변환함으로써 형성되는 중금속 복합체들은, 이 복합체들이 온도에 안정적이고 그들의 분해 온도가 열가소성 플라스틱의 사출 성형 온도 아래에 및 코팅의 경화 온도 아래에 놓이는 것을 특징으로 한다. 납땜 과정 동안의 온도 작용도 또한 본 발명에 따라 사용되는 중금속 복합체의 분해를 야기시킬 수 없다. 따라서 중금속 복합체는 프린트 도체의 환경에서도 비전도성을 유지한다.
유기 복합체 형성체와 중금속염의 변환에 의해 형성되는 비전도성의 유기 중금속 복합체가 중금속 함유 성분으로서 사용되고, UV-광선을 이용한 중금속 복합체의 파쇄에 의해 프린트 도체의 영역에서 중금속 시드가 분리됨으로써, UV-광선의 작용 후에는 곧바로 화학적으로 환원적인 금속화가 이루어질 수 있게 된다. 형성될 프린트 도체 구조물의 영역에서는 UV-광선의 작용에 의해 중금속 복합체의 파쇄가 이루어지고, 그럼으로써 부분적으로 환원적인 금속화에 대해 반응성이 높은 중금속 시드가 분리된다. 상기 금속화는 어떠한 와일드 생장도 없이 매우 날카로운 외부 윤곽을 형성하면서 이루어진다. 형성되는 중금속 시드가 반응성이 높기 때문에, 필요한 층두께로 이루어지는 원하는 정확한 금속화가 추가로 촉진된다. 기판이 마이크로 다공성 표면을 가지기 때문에, 또한 디포짓되는 금속 프린트 도체의 뛰어난 접착 강도도 얻어진다.
본 발명에 따라서는, 중금속 복합체가 예컨대 디메틸포름아미드와 같은 용매내에서 용해되어 다공성 기판상에 및 다공성 표면을 갖는 기판상에 적층되는 것이 제안된다. 이 경우에는 예를 들어 마이크로 다공성 표면을 갖는 가요성 폴리이미드-박막 또는 종이도 사용될 수 있다. 이 경우 중금속 복합체는 재료의 기공 속으로 침투할 수 있다. 후속하는 금속화 공정에서는, 상기 금속화시 예로 사용된 구리가 그 내부로 침투 성장한 다음 그곳에서 뿌리 형태로 고정되는 다공성 구조물이 도전 경로의 본딩을 위해 바람직하다. 얻을 수 있는 매우 정밀한 구조물의 형성은, 접착제층이 필요 없고 그렇기 때문에 가능한 프린트 도체 폭의 최소 한계가 예정되지 않음으로써 촉진된다. 여기에 사용된 UV-광선의 단파 특성으로 인해 최대로 정밀하고 날카롭게 형성된, 금속화 시드를 갖는 구조물의 형성이 추가로 가능해진다.
대안적으로는, 기판이 마이크로 다공성의 또는 마이크로 크기의 거친 기판 입자들로 형성되고, 상기 기판 입자들이 기판내로 혼합되고 및/또는 기판상에 적층되어 결합되며, 기판 입자들이 제거 공정에 의해 제거되고, 결합된 중금속 복합체의 파쇄에 의해 중금속 시드가 떨어져나가는 방식으로, 형성될 프린트 도체 구조물의 영역에서 전자기 UV-광선이 기판상에 선택적으로 제공되고, 프린트 도체 구조물을 형성하기 위한 상기 영역이 그 다음에 화학적-환원적으로 금속화되는 것이 제안된다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따라 중금속염으로서 팔라듐염이 사용된다. 대안적으로 상기 팔라듐염은 또한 다른 중금속의 염과 결합하여서도 사용될 수 있다. 바람직하게는, 중금속염으로서 팔라듐디아세테이트가 사용될 수도 있다. 특히 바람직하게는 Pd-복합체 및 Pd-함유 중금속 복합체가 사용된다. 보여지는 바와 같이, 상기 종류의 중금속 복합체는 특히 본 발명에 따른 방법에 따라 최정밀 구조화를 위해 매우 적합하다. 특히 구조화되는 분해 반응의 도입을 위해서는, 공지된 시스템에서의 제거 공정을 위한 것보다 현저하게 더 적은 에너지 밀도로도 충분하다. 추가로, 엑시머 레이저의 레이저 펄스당 구조화와 관련하여 공지된 제거 기술에서보다 현저하게 더 큰 표면이 조명될 수도 있다.
본 발명의 범주에서는 또한, 중금속 복합체로부터 중금속 시드를 분리하기 위해 바람직하게 파장이 248.5㎚인 Kr F-엑시머 레이저 또는 파장이 355㎚인 3배 주파수의 Nd:YAG-레이저를 사용하는 것도 제안된다. 따라서 복합체를 가열하지 않고서도 상기 분리 공정을 실시할 수 있다. 그럼으로써 작용 영역내에서의 재료의 용융이 피해진다. 결과적으로, 분리된 중금속 시드가 있는 영역의 매우 높은 경계 정확성 및 그로부터 얻어지는 금속화된 구조물의 매우 높은, 매우 바람직한 에지 정확성이 얻어지며, 이것은 특히 최대로 정밀한 도체에서 중요성이 크다.
본 발명에 따른 방법은, 표면에 제공되는 레이저 광선 및 마스킹 기술에 의해 경제적인 대량 생산에 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 예를 들어 점형태로 포커싱되는 레이저 광선을 NC-제어 방식으로 가이드함으로써 마스크 없이 사용될 수도 있다.
본 발명은 하기의 실시예에서 자세히 설명된다.
100 질량부의 디메틸포름아미드내에 2.24 질량부의 팔라듐디아세테이트가 용해된다. 또한, 하기 일반식의 유기 복합체 형성체의 2.94 질량부가 800 질량부의 디메틸포름아미드내에 제공되어 가열에 의해 용해된다.
그 다음에 2가지 용액이 혼합되어 반응한다. 그 직후에, 즉 상기 용액이 냉각되고 형성된 팔라듐 복합체가 파괴되기 전에, 마이크로 다공성 폴리이미드-박막이 용액내에 침지된다. 실온에서 10시간 동안 건조한 후에는, 형성된 기본 재료가 Kr F-엑시머 레이저, 즉 파장이 248.5㎚인 엑시머 레이저로 마스크를 통해 조명된다. 이 때 조명된 영역에서는 정밀하게 분배된 금속 팔라듐이 복합체로부터 떨어져나간다. 통상적으로 사용되는 환원성의, 외부로부터의 유동이 없는 구리 배쓰에서는 조명된 영역에 점착성 강하게 고정된 구리가 선택적으로 증착된다. 도체 경로가 형성된다; 사용 가능한 가요성 회로가 존재한다.
나타나는 바와 같이, 본 발명에 따른 방법은 예컨대 세라믹 원재료 또는 유리와 같은 마이크로 다공성 표면을 갖는 비전도성 재료로 이루어진 기판상에 프린트 도체 구조물을 제공하기 위해서도 이용될 수 있다.
중금속 복합체를 기판 내부에, 예를 들어 열가소성 플라스틱 내부에 삽입할 수 있는 것도 본 발명의 범주에 속한다. 그 경우에는 제공될 프린트 도체의 영역에 있는 사출 성형 부품의 표면상에 작용하는 UV-레이저 광선에 의해서, 분리된 중금속 복합체가 파쇄되는 가운데 기판이 제거되며, 이 때 프린트 도체를 형성하기 위해 유동 없는 금속화를 가능하게 하는 중금속 시드는 떨어져나간다.

Claims (17)

  1. 전기적으로 비전도성인 중금속 복합체를 기판상에 또는 기판내에 적층하고, 상기 기판을 형성될 프린트 도체 구조물의 영역에서 선택적으로 UV-레이저광에 노출시키며, 중금속 시드를 릴리스하고, 상기 영역을 화학적 환원에 의해 금속화하는, 전기적으로 비전도성인 기판상에 정밀한 금속 도체 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 중금속 복합체를 지방족 및 방향족 모노-탄산 및 디-탄산의 탄산 아미드 및 N-모노 치환된 유도체의 탄산 아미드의 화학적 구조를 갖는 유기 복합체 형성체와 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 전기적으로 비전도성인 중금속 복합체를 기판상에 또는 기판내에 적층하고, 상기 기판을 형성될 프린트 도체 구조물의 영역에서 선택적으로 UV-레이저광에 노출시키며, 중금속 시드를 릴리스하고, 상기 영역을 화학적 환원에 의해 금속화하는, 전기적으로 비전도성인 기판상에 정밀한 금속 도체 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 중금속 복합체를 주기 아미드의 화학적 구조를 갖는 유기 복합체 형성체와 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 전기적으로 비전도성인 중금속 복합체를 기판상에 또는 기판내에 적층하고, 상기 기판을 형성될 프린트 도체 구조물의 영역에서 선택적으로 UV-레이저광에 노출시키며, 중금속 시드를 릴리스하고, 상기 영역을 화학적 환원에 의해 금속화하는, 전기적으로 비전도성인 기판상에 정밀한 금속 도체 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 중금속 복합체를 지방족 및 바람직하게는 방향족 알데히드의 히드라존 및 비스히드라존의 화학적 구조를 갖는 유기 복합체 형성체와 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 전기적으로 비전도성인 중금속 복합체를 기판상에 또는 기판내에 적층하고, 상기 기판을 형성될 프린트 도체 구조물의 영역에서 선택적으로 UV-레이저광에 노출시키며, 중금속 시드를 릴리스하고, 상기 영역을 화학적 환원에 의해 금속화하는, 전기적으로 비전도성인 기판상에 정밀한 금속 도체 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 중금속 복합체를 지방족 및 방향족 모노-탄산 및 디-탄산 그리고 그것의 N-아실화된 유도체의 히드라지드의 화학적 구조를 갖는 유기 복합체 형성체와 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 전기적으로 비전도성인 중금속 복합체를 기판상에 또는 기판내에 적층하고, 상기 기판을 형성될 프린트 도체 구조물의 영역에서 선택적으로 UV-레이저광에 노출시키며, 중금속 시드를 릴리스하고, 상기 영역을 화학적 환원에 의해 금속화하는, 전기적으로 비전도성인 기판상에 정밀한 금속 도체 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 중금속 복합체를 디아실화된 히드라진의 화학적 구조를 갖는 유기 복합체 형성체와 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 전기적으로 비전도성인 중금속 복합체를 기판상에 또는 기판내에 적층하고, 상기 기판을 형성될 프린트 도체 구조물의 영역에서 선택적으로 UV-레이저광에 노출시키며, 중금속 시드를 릴리스하고, 상기 영역을 화학적 환원에 의해 금속화하는, 전기적으로 비전도성인 기판상에 정밀한 금속 도체 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 중금속 복합체를 페닐렌디아민의 화학적 구조를 갖는 유기 복합체 형성체와 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 전기적으로 비전도성인 중금속 복합체를 기판상에 또는 기판내에 적층하고, 상기 기판을 형성될 프린트 도체 구조물의 영역에서 선택적으로 UV-레이저광에 노출시키며, 중금속 시드를 릴리스하고, 상기 영역을 화학적 환원에 의해 금속화하는, 전기적으로 비전도성인 기판상에 정밀한 금속 도체 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 중금속 복합체를 예컨대 멜라민 유도체, 벤젠트리아졸렌, 8-옥시퀴놀린, 히드라존과 같은 헤테로 주기 화합물 및 히드라지노트리아진의 아실화된 유도체의 화학적 구조를 갖는 유기 복합체 형성체와 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 전기적으로 비전도성인 중금속 복합체를 기판상에 또는 기판내에 적층하고, 상기 기판을 형성될 프린트 도체 구조물의 영역에서 선택적으로 UV-레이저광에 노출시키며, 중금속 시드를 릴리스하고, 상기 영역을 화학적 환원에 의해 금속화하는, 전기적으로 비전도성인 기판상에 정밀한 금속 도체 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 중금속 복합체를 폴리히드라지드의 화학적 구조를 갖는 유기 복합체 형성체와 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 전기적으로 비전도성인 중금속 복합체를 기판상에 또는 기판내에 적층하고, 상기 기판을 형성될 프린트 도체 구조물의 영역에서 선택적으로 UV-레이저광에 노출시키며, 중금속 시드를 릴리스하고, 상기 영역을 화학적 환원에 의해 금속화하는, 전기적으로 비전도성인 기판상에 정밀한 금속 도체 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 중금속 복합체를 디살리실리드의 화학적 구조를 갖는 유기 복합체 형성체와 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 전기적으로 비전도성인 중금속 복합체를 기판상에 또는 기판내에 적층하고, 상기 기판을 형성될 프린트 도체 구조물의 영역에서 선택적으로 UV-레이저광에 노출시키며, 중금속 시드를 릴리스하고, 상기 영역을 화학적 환원에 의해 금속화하는, 전기적으로 비전도성인 기판상에 정밀한 금속 도체 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 중금속 복합체를 입체적으로 장애를 받은 페놀 및 금속 복합체화된 그룹의 분자 조합물의 화학적 구조를 갖는 유기 복합체 형성체와 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 전기적으로 비전도성인 중금속 복합체를 기판상에 또는 기판내에 적층하고, 상기 기판을 형성될 프린트 도체 구조물의 영역에서 선택적으로 UV-레이저광에 노출시키며, 중금속 시드를 릴리스하고, 상기 영역을 화학적 환원에 의해 금속화하는, 전기적으로 비전도성인 기판상에 정밀한 금속 도체 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 중금속 복합체를 벤질인산-Ni-염의 화학적 구조를 갖는 유기 복합체 형성체와 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 전기적으로 비전도성인 중금속 복합체를 기판상에 또는 기판내에 적층하고, 상기 기판을 형성될 프린트 도체 구조물의 영역에서 선택적으로 UV-레이저광에 노출시키며, 중금속 시드를 릴리스하고, 상기 영역을 화학적 환원에 의해 금속화하는, 전기적으로 비전도성인 기판상에 정밀한 금속 도체 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 중금속 복합체를 리딘시올-Sn-화합물의 화학적 구조를 갖는 유기 복합체 형성체와 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 전기적으로 비전도성인 중금속 복합체를 기판상에 또는 기판내에 적층하고, 상기 기판을 형성될 프린트 도체 구조물의 영역에서 선택적으로 UV-레이저광에 노출시키며, 중금속 시드를 릴리스하고, 상기 영역을 화학적 환원에 의해 금속화하는, 전기적으로 비전도성인 기판상에 정밀한 금속 도체 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 중금속 복합체를 유황 함유 비스페놀의 제 3차-인산에스테르의 화학적 구조를 갖는 유기 복합체 형성체와 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, 팔라듐염과 유기 복합체 형성체의 변환에 의해 형성된 Pd-중금속 복합체를 증착 및 삽입하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, Pd-함유 중금속 복합체를 증착 및 삽입하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제 15 항에 있어서, Pd-함유 중금속 복합체를 팔라듐염의 변환에 의해서 다른 중금속의 염과 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제 14 항 또는 제 16 항에 있어서, 팔라듐염으로서 팔라듐디아세테이트를 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
KR1020007008775A 1998-12-10 1999-12-10 프린트 도체 구조물의 제조 방법 KR20010040872A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19856888 1998-12-10
DE19856888.6 1998-12-10
PCT/DE1999/003965 WO2000035259A2 (de) 1998-12-10 1999-12-10 Verfahren zur herstellung von leiterbahnstrukturen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20010040872A true KR20010040872A (ko) 2001-05-15

Family

ID=7890557

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020007008775A KR20010040872A (ko) 1998-12-10 1999-12-10 프린트 도체 구조물의 제조 방법

Country Status (8)

Country Link
EP (1) EP1062850B1 (ko)
JP (1) JP2002532620A (ko)
KR (1) KR20010040872A (ko)
CN (1) CN1294639A (ko)
AT (1) ATE363821T1 (ko)
DE (1) DE59914360D1 (ko)
ES (1) ES2286906T3 (ko)
WO (1) WO2000035259A2 (ko)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016217526A1 (de) 2015-09-15 2017-03-16 Hyundai Motor Company Berühreingabeeinrichtung, Fahreug, welches die Berühreingabeeinrichtung aufweist und Herstellungsverfahren der Berühreingabeeinrichtung
EP3144789A1 (en) 2015-09-15 2017-03-22 Hyundai Motor Company Touch input device and method for manufacturing the same
WO2017086751A1 (ko) 2015-11-19 2017-05-26 현대자동차주식회사 터치 입력장치, 이를 포함하는 차량, 및 그 제조방법
DE102016224278A1 (de) 2016-07-04 2018-01-04 Hyundai Motor Company Berührungssteuereinrichtung und verfahren für das steuern der berührungssteuereinrichtung
DE102017201460A1 (de) 2016-09-21 2018-03-22 Hyundai Motor Company Kamera und verfahren zur herstellung der kamera
DE102017201536A1 (de) 2016-09-23 2018-03-29 Hyundai Motor Company Berührungseingabe-Einrichtung und Herstellungsverfahren derselben
US10574232B2 (en) 2016-09-26 2020-02-25 Hyundai Motor Company Control apparatus using dial, manufacturing method of control apparatus using dial and vehicle including the same

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10132092A1 (de) * 2001-07-05 2003-01-23 Lpkf Laser & Electronics Ag Leiterbahnstrukturen und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE10234125A1 (de) * 2002-07-26 2004-02-12 Siemens Ag Beleuchtbares Kunststoffspritzgussteil mit einer Anzeigefunktion und Verfahren zu dessen Herstellung
DE112004001472D2 (de) * 2003-06-05 2006-04-20 Jenoptik Automatisierungstech Verfahren zur strukturierten Metallisierung von Polymeren und keramischen Trägermaterialien und aktivierbare Verbindung zur Verwendung in diesem Verfahren
MY184648A (en) * 2003-12-12 2021-04-14 Lam Res Corp Method and apparatus for material deposition
DE102006017630A1 (de) * 2006-04-12 2007-10-18 Lpkf Laser & Electronics Ag Verfahren zur Herstellung einer Leiterbahnstruktur sowie eine derart hergestellte Leiterbahnstruktur
EP2230890A1 (en) 2009-03-20 2010-09-22 Laird Technologies AB Method for providing a conductive material structure on a carrier
EP2233519B1 (de) 2009-03-27 2011-08-31 LANXESS Deutschland GmbH Glühdrahtbeständige Polyester
EP2317831A1 (en) 2009-10-30 2011-05-04 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method and apparatus for curing a substance comprising a metal complex
US9435035B2 (en) 2010-01-15 2016-09-06 Byd Company Limited Metalized plastic articles and methods thereof
CN102071424B (zh) 2010-02-26 2012-05-09 比亚迪股份有限公司 一种塑料制品的制备方法及一种塑料制品
CN102071411B (zh) 2010-08-19 2012-05-30 比亚迪股份有限公司 一种塑料制品的制备方法及一种塑料制品
FR2965822A1 (fr) * 2010-10-07 2012-04-13 Valeo Securite Habitacle Procede de fabrication et de decoration par metallisation de pieces d'aspect pour vehicule automobile
JP5802387B2 (ja) * 2010-12-24 2015-10-28 サン電子工業株式会社 チップ形コンデンサ及びその製造方法
GB201101907D0 (en) * 2011-02-04 2011-03-23 Univ Heriot Watt Additive metallisation process
US8784952B2 (en) * 2011-08-19 2014-07-22 Earthone Circuit Technologies Corporation Method of forming a conductive image on a non-conductive surface
CN102543855B (zh) * 2012-01-19 2014-07-09 讯创(天津)电子有限公司 三维集成电路结构及材料的制造方法
EP2706092B1 (de) 2012-08-28 2014-12-24 Ems-Patent Ag Polyamidformmasse und deren Verwendung
CN103915684A (zh) * 2013-01-08 2014-07-09 深圳市纳宇材料技术有限公司 一种导电线路、手机天线的制备方法及手机天线
CN103596371B (zh) * 2013-11-29 2016-08-31 丁保美 线路板的制作方法
JP6492085B2 (ja) 2013-12-20 2019-03-27 エーエムエス−パテント アクチェンゲゼルシャフト プラスチック成形用コンパウンド及びその使用
EP2886605B2 (de) 2013-12-20 2021-09-01 Ems-Chemie Ag Kunststoffformmasse und deren Verwendung
CN103781285B (zh) * 2014-02-18 2016-04-13 华中科技大学 陶瓷基板表面导电线路的制作与修复方法
DE102016012290A1 (de) 2016-10-16 2018-04-19 Novoferm Tormatic Gmbh Handsender
DE102016012292A1 (de) 2016-10-16 2018-04-19 Novoferm Tormatic Gmbh Mobile Kommunikationsvorrichtung
DE102016012291A1 (de) 2016-10-16 2018-04-19 Novoferm Tormatic Gmbh Mobile Kommunikationseinrichtung
DE102017000179A1 (de) 2017-01-12 2018-07-12 Novoferm Tormatic Gmbh Handsender
JP7072812B2 (ja) * 2018-03-05 2022-05-23 学校法人 芝浦工業大学 導体の製造方法、配線基板の製造方法及び導体形成用組成物
CH717555A1 (de) 2020-06-22 2021-12-30 Ems Chemie Ag Polyamid-Formmasse mit niedrigem dielektrischem Verlustfaktor.
CH717556A1 (de) 2020-06-22 2021-12-30 Ems Chemie Ag Polyamid-Formmasse mit niedrigem dielektrischem Verlustfaktor.

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0214097B1 (de) * 1985-08-23 1989-12-27 Ciba-Geigy Ag Mischung aus Olefin und Dibenzalaceton-Palladiumkomplex und deren Verwendung
EP0225422A1 (en) * 1985-12-12 1987-06-16 LeaRonal, Inc. Alkaline baths and methods for electrodeposition of palladium and palladium alloys
US5405656A (en) * 1990-04-02 1995-04-11 Nippondenso Co., Ltd. Solution for catalytic treatment, method of applying catalyst to substrate and method of forming electrical conductor
DE19731346C2 (de) * 1997-06-06 2003-09-25 Lpkf Laser & Electronics Ag Leiterbahnstrukturen und ein Verfahren zu deren Herstellung
DE19723734C2 (de) * 1997-06-06 2002-02-07 Gerhard Naundorf Leiterbahnstrukturen auf einem nichtleitenden Trägermaterial und Verfahren zu ihrer Herstellung

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3144789A1 (en) 2015-09-15 2017-03-22 Hyundai Motor Company Touch input device and method for manufacturing the same
EP3144788A1 (en) 2015-09-15 2017-03-22 Hyundai Motor Company Touch input device and method for manufacturing the same
DE102016217526A1 (de) 2015-09-15 2017-03-16 Hyundai Motor Company Berühreingabeeinrichtung, Fahreug, welches die Berühreingabeeinrichtung aufweist und Herstellungsverfahren der Berühreingabeeinrichtung
US10768754B2 (en) 2015-11-19 2020-09-08 Hyundai Motor Company Touch input device, vehicle including same, and manufacturing method therefor
WO2017086751A1 (ko) 2015-11-19 2017-05-26 현대자동차주식회사 터치 입력장치, 이를 포함하는 차량, 및 그 제조방법
US11281344B2 (en) 2015-11-19 2022-03-22 Hyundai Motor Company Touch input device, vehicle including same, and manufacturing method therefor
DE102016224278A1 (de) 2016-07-04 2018-01-04 Hyundai Motor Company Berührungssteuereinrichtung und verfahren für das steuern der berührungssteuereinrichtung
DE102017201460A1 (de) 2016-09-21 2018-03-22 Hyundai Motor Company Kamera und verfahren zur herstellung der kamera
DE102017201460B4 (de) 2016-09-21 2024-02-01 Hyundai Motor Company Kamera und verfahren zur herstellung der kamera
DE102017201536A1 (de) 2016-09-23 2018-03-29 Hyundai Motor Company Berührungseingabe-Einrichtung und Herstellungsverfahren derselben
US10664107B2 (en) 2016-09-23 2020-05-26 Hyundai Motor Company Touch input device and manufacturing method thereof
US11294520B2 (en) 2016-09-23 2022-04-05 Hyundai Motor Company Touch input device and manufacturing method thereof
KR20180032812A (ko) * 2016-09-23 2018-04-02 현대자동차주식회사 터치 입력장치 및 그 제조방법
US10574232B2 (en) 2016-09-26 2020-02-25 Hyundai Motor Company Control apparatus using dial, manufacturing method of control apparatus using dial and vehicle including the same

Also Published As

Publication number Publication date
EP1062850B1 (de) 2007-05-30
EP1062850A2 (de) 2000-12-27
WO2000035259A2 (de) 2000-06-15
ES2286906T3 (es) 2007-12-01
WO2000035259A3 (de) 2000-10-19
DE59914360D1 (de) 2007-07-12
CN1294639A (zh) 2001-05-09
JP2002532620A (ja) 2002-10-02
ATE363821T1 (de) 2007-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20010040872A (ko) 프린트 도체 구조물의 제조 방법
US6319564B1 (en) Conductor track structures arranged on a nonconductive support material, especially fine conductor track structures, and method for producing the same
US6696173B1 (en) Conducting path structures situated on a non-conductive support material, especially fine conducting path structures and method for producing same
US4574095A (en) Selective deposition of copper
EP1274288B1 (de) Leiterbahnstrukturen und Verfahren zu ihrer Herstellung
Esrom et al. Modification of surfaces with new excimer UV sources
EP0792388B1 (en) Method for directly depositing metal containing patterned films
KR100292652B1 (ko) 무전해도금용활성화촉매액및무전해도금방법
EP0195332B1 (de) Elektrische Leiterplatten
EP0163089A2 (en) Process for activating a substrate for electroless deposition of a conductive metal
JPS599161A (ja) 無電気めっき処理方法
EP1629703A1 (de) Verfahren zur strukturierten metallisierung von polymeren und keramischen trägermaterialien und aktivierbare verbindung zur verwendung in diesem verfahren
DE3434431A1 (de) Verfahren zur partiellen metallisierung von substratoberflaechen
DE3510201A1 (de) Elektrische leiterplatten
EP0650537B1 (de) Metallisierung von kunststoffen
JPH0250974A (ja) 選択的な金属化表面を有する絶縁材料の製造方法
DE3503566A1 (de) Verfahren zur partiellen metallisierung von substratoberflaechen
JPH1117351A (ja) 多層配線板の製造法

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee