DE3503566A1

DE3503566A1 - Verfahren zur partiellen metallisierung von substratoberflaechen

Info

Publication number: DE3503566A1
Application number: DE19853503566
Authority: DE
Inventors: Henning Dr. 5090 Leverkusen Giesecke; Ulrich v. Dr. Gizycki; Reinhart Dr. 5090 Leverkusen Matejek; Gerhard Dieter Dr. 4047 Dormagen Wolf
Original assignee: Bayer AG
Current assignee: Bayer AG
Priority date: 1985-02-02
Filing date: 1985-02-02
Publication date: 1986-08-07

Description

Verfahren zur partiellen Metallisierung von Sub-
stratoberflächen Die Herstellung von Leiterplatten für die Elektronik erfolgt zum überwiedenden Teil nach der sogenannten Subtraktiv-Technik (G. Hermann: Leiterplatten-Herstellung und Verarbeitung, Eugen G. Leuze Verlag, Saulgau/Württ.
1978). Erst seit einigen Jahren bahnt sich die Einführung der Semiadditiv-Technik an, die mit weniger Verfahrensschritten als die Substraktiv-Technik auskommt und weniger Kupferabfälle produziert, dafür aber nach wie vor auf Maskier- und Atzprozesse angewiesen ist. Noch einfacher ist die Volladditivtechnik, insbesondere eine lackfreie Fotoadditiv-Variante, da diese Technologie nur etwa die Hälfte der Verfahrensschritte der Substraktiv-Technik benötigt und das am meisten Rohstoff sparende und umweltfreundliche Verfahren darstellt. Bisher konnten aber die technischen Probleme einer lackfreien Volladditivtechnik nicht hinreichend gelöst werden. Der Verfahrensablauf dieser Technik läßt sich im wesentlichen in 3 Abschnitte unterteilen.
1. Vorbehandlung des Basismaterials (d.h. Zuschnitt, Bohren der Löcher, mechanische Vorbehandlung und gegebenenfalls chemischer Aufschluß).
2. Die fotochemische Bildübertragung auf das Basismaterial (d.h. Aufbringen des Aktivators, Belichten durch eine Fotomaske und Keimstabilisierung).
3. Der Leiteraufbau durch chemische Metallisierung (d.h.
Vormetallisierung, Dickverkupferung und gegebenenfalls Oberflächenschutz).
Aus der Literatur sind eine Reihe von Verfahren bekannt, wie man die Lichtempfindlichkeit von chemischen Verbindungen oder chemischen Reaktionen für eine fotoselektive Metallisierung ausnutzen kann. Eine Reihe dieser Verfahren wird beispielsweise in Galvanotechnik 74 (1983), Seite 1523, beschrieben. Keines dieser Verfahren hat sich bisher gegenüber der Substaktivtechnik durchsetzen können.
Es wurde nun überraschenderweise ein Verfahren zur lichtinduzierten Metallabscheidung (LIMA-Verfahren) gefunden, nach dem es möglich ist, die Lichtempfindlichkeit von Silber-I-Verbindungen für partielle stromlose Metallisierungen zu nutzen.
Das neue Verfahren wird im allgemeinen so durchgeführt, daß man a) die partiell zu metallisierenden Substrat-Oberflächen mit einer Lösung oder Anreibung von im festen Zustand lichtempfindlichen Silber-I-Verbindungen benetzt, b) das Lösungsmittel entfernt, und so auf den Oberflächen fein verteilte lichtempfindliche Silber-I-Verbindungen abscheidet, c) die zurückbleibenden Silber-I-Verbindungen partiell belichtet, d) durch eine Austauschreaktion das bei der Belichtung entstandene Silber gegen edlere Metalle austauscht, e) die nicht belichteten Silber-I-Verbindungen von den Substratoberflächen ablöst und f) die so partiell an den belichteten Stellen aktivierten Substratoberflächen in an sich bekannter Weise stromlos metallisiert.
Die Lichtempfindlichkeit von Silber-I-Verbindungen ist ein lang bekanntes Phänomen, das in der Fotografie breite technische Anwendung gefunden hat. Versuche, unter Ausnutzung der katalytischen Aktivität der an den geschwärzten Stellen vorhandenen Silberkeime belichtete Fotografien partiell zu metallisieren, schlugen jedoch fehl.
Für das erfindungsgemäß neue Verfahren geeignete Silber-I-Verbindungen sind beispielsweise aus der Fotografie bekannt. Ohne den Umfang der Erfindung einzuschränken, sei auf die Zusammenfassung in ~Ullmann1s Enzyclopädie der technischen Chemie", 4. Auflage, Bd. 18, s. 399 bis 500, Verlag Chemie, Weinheim "bzw" H. Frieser, G. Hase, E. Klein: Die Grundlagen der fotografischen Prozesse mit Silberhalogeniden, Akad. Verlagsgesellschaft Frankfurt, 1968", hingewiesen.
Bevorzugte Verbindungen sind Silber-I-Halogenide, wie Chlorid, Bromid, Jodid, Silber-I-Carbonat, Silber-I-Borat, Silber-I-Salze organischer Carbonsäuren, wie z.B. Ameisensäure, Essigsäure, Propionsäure usw., Glykolsäure, Milchsäure, Oxalsäure, Malonsäure, Citronensäure, Adipinsäure, Benzoesäure, Salicylsäure, Hippursäure, Brenztraubensäure, Silber-I-Salze von Phenolen und Enolen, wie z.B. Silpikrat, Silbercyanurat, Silbersalze von Sulfonsäuren und Sulfinsäuren wie beispielsweise Silberphenolsulfonate.
Besonders bevorzugt sind die Silbersalze von Carbonsäuren.
Darüber hinaus können auch Gemische von lichtempfindlichen Silber-I-Verbindungen eingesetzt werden. Zur Erhöhung der Lichtempfindlichkeit können den erfindungsgemäßen Lösungen auch Fremdionen wie beispielsweise Cu 2+, Au3+ zugesetzt werden, deren Einbau zur Bildung von Kristallfehlstellen in den festen Silber-I-Verbindungen führen kann.
Im übrigen ist es nicht unbedingt erforderlich, die erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Verbindungen als definierte Reinsubstanzen einzusetzen. Da in den erfindungsgemäß bevorzugten Lösungen disozierte Ionen vorliegen dürften, ist es auch möglich, Salzgemische einzusetzen, aus denen dann beim Entfernen des Lösungsmittels die lichtempfindlichen Verbindungen entstehen. So kann man z.B. anstelle einer ammoniakalischen Silberoxalatlösung auch eine Lösung von Silbernitrat, Oxalsäure und Ammoniak verwenden.
Eine Erhöhung der Lichtempfindlichkeit der Silber-I-Verbindungen kann auch durch Zugabe von Sensibilisatoren erreicht werden. Derartige Sensibilisatoren sind in der Fotografie und Fotochemie bekannt. Konstitution und Konzentration derartiger Verbindungen werden beispielsweise in "Ullmann's Enzyclopädie der technischen Chemie", 4. Auflage, Bd. 18, S. 430 bis 434 beschrieben. Ganz besonders geeignet sind Sensibilisatoren, deren Absorptionsmaximum im UV liegt.
Die Konzentration der erfindungsgemäß einzusetzenden Lösungen oder Anreibungen der Silber-I-Verbindungen sollte 0,5 g bis 75 g, vorzugsweise 5 bis 30 g Ag pro Liter betragen.
Als Lösungsmittel kommen insbesondere Wasser, DMF, DMSO, Dimethylacetamid, aliphatische Alkohole, auch Di- und Polyole, wie z.B. Ethylenglykole oder Glyzerin in Betracht.
Es können auch Mischungen derartiger Lösungsmittel oder Verschnitte mit anderen organischen Lösungsmitteln eingesetzt werden.
Die erfindungsgemäßen Lösungen oder Anreibungen können auch Zusätze zur Verbesserung ihrer Eigenschaften enthalten. Aus Beispiele seien filmbildende Substanzen, wie Polyvinylalkohole und oberflächenaktive Verbindungen, sowie viskositätserniedrigende Substanzen genannt.
Vorzugsweise sind die Lösungen bzw. Anreibungen oder frei von diesen Substanzen, insbesondere frei von filmbildenden und anderen polymeren Stoffen.
Für Silber-I-Verbindungen, die in den erfindungsgemäß bevorzugten Lösungsmitteln schwer löslich sind, besteht eine bevorzugte Verfahrensvariante darin, diese mit Hilfe von Komplexbildnern in eine lösliche Form zu überführen, mit deren Lösungsmittel die zu metallisierenden Oberflächen zu benetzen und anschließend die an den Oberflächen zurückbleibenden löslichen Komplexverbindungen in die schwer löslichen Verbindungen zurückzuspalten.
Für die Verfahrensvariante besonders geeignete Komplexbildner zum Lösen der schwer löslichen Silberverbindungen sind stickstoffhaltige Verbindungen, die durch Einwirkung von Wärme und/oder Säuren leicht spaltbare Komplexe liefern. Besonders bevorzugt in wäßriger Ammoniak, darüber hinaus können auch Amine eingesetzt werden, deren Siedepunkt sollte aber bevorzugt unter 1000C liegen. Grundsätzlich sind auch andere Komplexbildner einsetzbar, wie z.B. Cyanidionen oder Thiosulfationen.
Die Rückspaltung der auf den Substratoberflächen zurückbleibenden Komplexverbindungen geschieht durch Wärme- einwirkung, wobei Temperatur- und Trocknenbedingungen so gewählt werden müssen, daß die Oberflächen der Substrate nicht angegriffen werden. Im allgemeinen werden dabei Temperaturen von OOC bis 2000C, vorzugsweise 500C bis 1500C angewandt; in besonderen Fällen (Gefriertrocknung, Einbrennen) können diese Temperaturen auch unter-oder überschritten werden.
Es ist aber auch möglich, auf den befeuchteten Oberflächen durch eine chemische Reaktion die schwer löslichen Silbersalze auszufällen. Als Beispiel sei das Ansäuern einer Silberaminchloridlösung mit Mineralsäuren genannt, das zum Ausfällen von Silberchlorid führt. In diesen Fällen ist auch die Entfernung des Komplexbildners nicht mehr erforderlich.
Die partiell zu metallisierenden Oberflächen werden mit den erfindungsgemäßen Lösungen oder Anreibungen benetzt. Dabei kann die Benetzung beispielsweise durch Eintauchen der Oberfläche oder durch Aufsprühen oder Aufstreichen der Lösungen erfolgen. Vor der Benetzung kann es erforderlich sein, durch eine Vorbehandlung die Benetzbarkeit der Substratoberflächen und/oder die Haftfestigkeit der später abgeschiedenen Metallschicht zu verbessern. Als Beispiel hierfür sei die Chromschwefelsäurebeize von ABS-Kunststoffen bzw.
von glasfaserverstärkten Epoxidharzen mit Haftvermittlerschichten genannt.
Weiterhin ist es auch möglich, die Lösungen durch Stempeln durch Druckverfahren oder ink jet-Verfahren aufzubringen.
Die Benetzung wird bei Temperaturen zwischen OOC und 900C durchgeführt. In besonderen Fällen kann die Temperatur auch darunter oder darüber liegen. Ganz besonders bevorzugt wird bei 150C bis 400C gearbeitet.
Nach der Benetzung werden die Lösungs- bzw. Anreibungsmittel entfernt. Bevorzugt geschieht dies durch NIärmeeinwirkung, wobei Temperatur und Trockenbedingungen so gewählt werden müssen, daß die Oberflächen der Substrate nicht angegriffen werden. Im allgemeinen werden dabei Temperaturen von OOC bis 2000C, vorzugsweise 50 bis 1500C angewandt; in besonderen Fällen (Gefriertrocknung, Einbrennen) können diese Temperaturen auch unter- oder uberschritten werden.
Selbstverständlich ist es bei der erfindungsgemäßen Variante, die darin besteht, schwer lösliche Silber-I-Verbindungen durch Komplexbildung in eine lösliche Form zu überführen, erforderlich, den Komplexbildner anschließend wie bereits beschrieben zu entfernen. Nach diesem Verfahrensschritt bleiben auf den Substratoberflächen feste, lichtempfindliche Silber-I-Verbindungen zurück.
Die so aktivierten lichtempfindlichen Substratoberflächen werden anschließend partiell belichtet. Dafür kommen insbesondere als Lichtquellen in Betracht: sichtbares Licht (bei geeigneter Sensibilisierung), UV-Licht, Röntgen- und Elektronenstrahlen. Besonders bevorzugt wird eine Belichtung im UV-Bereich.
Die Belichtungsdauer hängt von der Strahlungsintensität und der Wellenlänge der verwendeten Lichtquelle ab. Sie kann von Sekunden bis zu 1 Stunde betragen. Bei Verwendung von sehr energiereicher Strahlung (Laser) kann die Belichtungszeit auch darunter liegen.
Die Belichtung kann auch in Gegenwart von Wärme durchgeführt werden, die bekannterweise zu einer Beschleunigung der fotochemischen Reduktion von Silbersalzen führen kann.
Im allgemeinen erfolgt die partielle Belichtung unter Verwendung einer geeigneten Maske.
Auch andere partielle Belichtungsverfahren können angewendet werden, z.B. indem man mit einer fein gebündelten Lichtquelle die Leiterbahnen auf den Oberflächen aufzeichnet, gegebenenfalls Computer-gesteuert.
Der Effekt der partiellen Belichtung kann gegebenenfalls durch einen weiteren Verfahrensschritt verstärkt werden.
Geeignete Verfahren sind unter dem Begriff Entwicklung aus der Fotographie bekannt. Hierfür können die in der Fotografie üblichen Entwickler verwendet werden. Hinsichtlich ihrer chemischen Konstitution sei auf die Zusammenfassung in "Ullmann's Enzyclopädie der technischen Chemie", 4. Auflage, Sd. 18, Seiten 399-500, verwiesen.
Geeignete Formulierungen sind im Handel (h.B. Handelsname "Neutrol" der Fa. Agfa, Leverkusen) erhältlich.
Selbstverständlich können für eine derartige Entwicklung auch andere Redoxsysteme eingesetzt werden, deren Redoxpotential so eingestellt werden kann, daß nur die be- lichteten Silberkeime reduziert werden. Als Beispiele seien Formalinlösungen und Hypophosphitlösungen genannt, deren Redoxpotential sich über den pH-Wert einstellen läßt.
Eine Verstärkung des Belichtungseffekt kann auch durch eine Wärmebehandlung gegebenenfalls in Gegenwart von Ammoniakdämpfen erfolgen. Ein derartiges Verfahren kann beispielsweise bei Verwendung von Silberoxalat zur Aktivierung angewendet werden.
Die so partiell belichteten Substratoberflächen werden anschließend einer Austauschreaktion unterworfen, durch die bei der Belichtung entstandenes Silber gegen edlere Metalle ausgetauscht wird. Darunter sind Metalle zu verstehen, deren Oxidationspotentiale in wässriger Lösung unter Standardbedingungen gemessen gegen die Normal-Wasserstoffelektrode positiver (bzw. gemäß US-Norm negativer) sind als das des Silbers.
Besonders bevorzugt werden Metalle wie Gold, Platin oder vorzugsweise Palladium eingesetzt, die darüber hinaus eine hohe katalytische Wirkung bei der stromlosen (chemischen) Metallisierung zeigen. Es können auch Gemische der Edelmetalle eingesetzt werden.
Bevorzugt wird die erfindungsgemäße Austauschreaktion durch Behandeln der partiell belichteten Substratoberflächen mit einer Lösung dieser Edelmetalle durchgeführt. Zur Herstellung dieser Lösungen können Salze, Komplexverbindungen und/oder organometallische Verbindungen der Edelmetalle eingesetzt werden.
Als Lösungsmittel kommen insbesondere Wasser DMF, DMSO, Dimethylacetamid, aliphatische Alkohole, auch Di- und Polyole, wie z.B. Ethylenglykole oder Glyzerin sowie für organometallische Verbindungen auch organische Lösungsmittel wie z.B. chlorierte Aliphaten, aliphatische Ester oder -Ketone, in Betracht. Es können auch Mischungen derartiger Lösungesmittel oder Verschnitte mit anderen Lösungsmitteln eingesetzt werden.
Besonders bevorzugt wird ein Verfahren, bei dem der Austausch in einer sauren, vorwiegend wässrigen Lösung von Edelmetallsalzen durchgeführt wird.
Die Konzentration an Edelmetallen in den Austauschlösungen liegt zwischen 0,05 g und 10 g pro Liter. Bevorzugt werden Lösungen, die zwischen 0,1 g und 2 g Edelmetall pro Liter enthalten.
Die Austauschreaktion wird bei Temperaturen zwischen OOC und 900C durchgeführt. In besonderen Fällen kann die Temperatur auch darunter oder darüber liegen. Ganz besonders bevorzugt wird bei 150C bis 400C gearbeitet.
Die Reaktonszeit beträgt zwischen 10 Sekunden und 30 Minuten. In besonderen Fällen können die Zeiten auch darunter oder darüber liegen. Bevorzugt werden Verweil zeiten zwischen 1 Minute und 10 Minuten.
Der erfindungsgemäße Austausch des Silbers gegen edlere Metalle hat gegebenüber Verfahren, die lediglich die Lichtempfindlichkeit von Silbersalzen und die kataly- tische Wirksamkeit des Silbers für die partielle stromlose Metallisierung nutzen, eine Reihe von Vorteilen.
Die höhere katalytische Wirksamkeit der edleren Metalle hat zur Folge, daß eine geringere Anzahl an katalytisch wirksamen Keimen für eine einwandfreie partielle Metallisierung erforderlich ist. Daher können sowohl die Belichtungszeiten als auch die Konzentration an lichtempfindlichen Silbersalzen pro partiell zu belichtender Flächeneinheit reduziert werden. Darüber hinaus können zur Metallisierung der Oberflächen stabilere stromlose Bäder eingesetzt werden, die spontane Metallabscheidungen und Wildwuchs verhindern. Dadurch kann die Abbildungsgenauigkeit des Verfahrens erhöht werden, was insbesondere für die Fensterleitertechnik von großem Interess ist.
Nach der Austauschreaktion ist ein Spülvorgang zum Entfernen der nicht umgesetzten Edelmetalle erforderlich.
Anschließend werden die nicht belichteten Silber-I-Verbindungen von den Substratoberflächen wieder abgelöst.
Geeignete Verfahren sind unter dem Begriff fixierung aus der Fotografie bekannt. Dabei hat es sich als besonders günstig erwiesen, wenn man zur Ablösung der unbelichteten Silberverbindungen schwefel freie Lösungen verwendet. Unter schwefel frei im Sinne der Erfindung wird dabei verstanden, daß die Fixierlösung kein sulfidisches Schwefel bzw. keine Schwefelverbindungen enthalten, aus denen durch Reaktion mit Silber Schwefel abgespalten wird.
Für das erfindungsgemäß neue Verfahren kommen besonders Fixierlösungen in Betracht, die Ammoniak, Ammoniumsalze, Amine oder Aminosäuren und deren Gemische enthalten.
Ganz bevorzugt werden wäßrige Lösungen eingesetzt. Außerdem können auch Verschnitte von Wasser mit organischen Lösungsmitteln oder alkoholische Lösungen verwendet werden.
Die Konzentration an Silbersalz-ablösenden Substanzen beträgt im allgemeinen zwischen 1 und 500 g pro Liter.
Bevorzugt werden zwischen 5 und 200 g pro Liter eingesetzt. Die Verweilzeit in der Fixierlösung richtet sich nach der Konzentration und Wirksamkeit der das nicht belichtete Silber ablösenden Substanzen. Sie beträgt im allgemeinen zwischen 1 Sekunde und 15 Minuten. Bevorzugt werden Zeiten zwischen 10 Sekunden und 10 Minuten.
Die Temperatur bei der Fixierung liegt zwischen OOC und 900C. Bevorzugt wird das nicht belichtete Silber bei Temperaturen zwischen 150C und 600C abgelöst.
Ein Bewegen der Fixierlösung oder der Substratoberflächen in den Lösungen ist von Vorteil.
Es ist auch möglich, die partiell belichteten Oberflächen zuerst zu fixieren und erst anschließend die Austauschreaktion durchzuführen.
Aus den Fixierlösungen sowie den Austauschlösungen kann der größte Teil des eingesetzten Silbers wieder zurückgewonnen werden. Geeignete Verfahren sind aus der Fotografie bekannt.
Die so partiell aktivierten Substratoberflächen werden anschließend stromlos metallisiert. Stromlose Metallisierungsbäder sind aus der Galvonotechnik hinlänglich bekannt. Bevorzugt kommen Bäder mit Nickelsalzen, Kobaltsalzen, Kupfersalzen oder-deren Gemische mit Eisensalzen, Gold- und Silbersalzen in Betracht.
Gegebenenfalls können die partiell stromlos metallisierten Oberflächen anschließend galvanisch verstärkt werden.
Als Substrate für das erfindungsgemäße Verfahren eignen sich Glas, Quarz, Keramik, Kohlenstoff, Papier, Polyethylen, Polypropylen, ABS-Kunststoffe, Epoxiharze, Polyester, Polycarbonate, Polyamide, Polyethylenfluorid und textile Flächengebilde aus Polyamid, Polyester, Polyalkylen, Polyacrylnitril, Polyvinylhalogenide, Baumwolle und Wolle sowie deren Mischungen oder Mischpolymerisate sowie Aluminiumoxid. Besonders bevorzugt sind Substrate, wie sie in der Leiterplattenfertigung eingesetzt werden, z.B. Phenolharzpapiere, Glasfaser-verstärkte Epoxidplatten und Keramik, die gegebenenfalls zur Verbesserung der Haftung der Aktivierungskeime an der Oberfläche durch eine geeignete Vorbehandlung ~aufgerauht" werden müssen.
Beispiele Beispiel 1 Eine Platte aus ABS-Kunststoff (Acrylnitril/Butadien/ Styrol-Terpolymeren) der Größe 10 x 12 cm wird 10 Minuten bei 650C mit Chromsäure gebeizt, entgiftet und anschließend in eine ammoniakalisch-wäßrige Lösung getaucht, die pro Liter 35 g Silbernitrat und 40 g Citronensäure enthält und bei 500C getrocknet. Anschließend wird mit Hilfe einer Quarzglasplatte eine Fotomaske direkt aus der Plattenoberfläche befestigt und die ABS-Platte durch die Maske aus 12 cm Abstand mit einer auf 250 Watt Quecksilberlampe 15 Minuten belichtet. Nach der Belichtung ist das Leiterbahnbild der Fotomaske deutlich auf der Plattenoberfläche zu erkennen. Anschließend wird die belichtete Platte 1 Minute in eine 0,1 %ige salzsaure Palladium(II)-chloridlösung getaucht, dann 30 Sekunden mit destilliertem Wasser gespült und danach 5 Minuten in einer 40 %igen Ammoniumnitratlösung gewässert, die mit Ammoniak auf pH 9,0 eingestellt wurde. Nach sorgfältigem Spülen mit Wasser wird die Platte 1 Stunde in einem Aminboran-haltigen Nickelbad metallisiert. Man erhält eine ABS-Platte mit deutlich erkennbaren, voneinander getrennten vernickelten Leiterbahnen.
Beispiel 2 Eine Glasfaser-gefüllte Epoxidharzplatte (FR 4) der Größe 10 x 20 cm, die beidseitig mit einer Haftver- mittlerschicht beschichtet worden war, wird mit einer ammoniakalisch-wässrigen Lösung von 40 g Silber-I-citrat, deren Viskosität durch 2 %ige Zugabe einer Polyacrylsäure erhöht wurde, durch Aufrollen benetzt.
Die FR 4-Platte wird anschließend getrocknet und dann mittels einer Quecksilberlampe gemäß Beispiel 1 durch eine Fotomaske 10 Minuten belichtet. Nach der Belichtung ist die Abbildung des Leiterbahnbildes der Fotomaske deutlich auf der Plattenoberfläche zu erkennen. Anschließend wird die belichtete Platte 10 Minuten in eine salzsaure Lösung getaucht, die 0,5 g AuCl3 pro Liter enthält, und anschließend gespült. Danach wird die belichtete Platte 10 Minuten in einer 10 %igen wäßrigen Ammoniaklösung gewässert, gespült und dann direkt eine Stunde in einem stromlosen Formalin-haltigen Kupferbad bei 600C verkupfert. Man erhält eine FR 4-Platte mit deutlich erkennbaren, von einander getrennten verkupferten Leiterbahnen.
Beispiel 3 Eine Keramik-Platte der Größe 5 x 5 cm wird mit einer ammoniakalisch-wäßrigen Lösung besprüht, die 30 g pro Liter Silbernitrat und 30 g pro Liter Oxalsäure enthält. Anschließend wird die Platte bei 800C getrocknet und dann durch eine Fotomaske gemäß Beispiel 1 20 Minuten lang belichtet. Die belichtete Platte wird 10 Minuten in eine 10 %ige Kaliumchlorid-Lösung getaucht, die 2 g pro Liter Kaliumtetrachloroplatinat enthält.
Anschließend wird die Platte gespült, in einer 40 %igen Ammoniumnitratlösung, die mit Ammoniak auf pH 9,5 eingestellt wurde, bei 400C gewässert, gespült und dann bei 1500C getrocknet. Durch Metallisierung in einem Aminbroan-haltigen Nickelbad (2 Stunden) erhält man eine Keramikplatte mit vernickelten Leiterbahnen.
Beispiel 4 Eine gebeizte ABS-Platte gemäß Beispiel 1 wird mit einer Suspension von 25 g Silberbromid pro Liter Ethylenglykol benetzt und bei 700C im Vakuum-Trockenschrank getrocknet. Anschließend wird die Platte 30 Minuten mit einer Belichtungsapparatur gemäß Beispiel 1 durch eine Fotomaske belichtet. Nach der Belichtung ist die Abbildung des Leiterbahnbildes der Fotomaske deutlich auf der Plattenoberfläche zu erkennnen. Die Platte wird anschließend 15 Minuten in eine essigsaure Lösung getraucht, die 0,5 g K2PtCl4 pro Liter enthält.
Anschließend wird die Platte 20 Minuten in einer 25 %igen wäßrigen Ethylaminlösung gewässert, gespült und dann direkt 30 Minuten in einem stromlosen Aminboran-haltigen Nickelbad metallisiert.
Man erhält eine ABS-Platte mit deutlich erkennbaren, von einander getrennten vernickelten Leiterbahnen.
Beispiel 5 Eine Glasfaser-gefüllte Epoxidharzplatte gemäß Beispiel 2 wird mit einer ammoniakalischen Lösung von 25 g Silbernitrat und 40 g Milchsäure in Wasser/Ethanol (9:1) durch Eintauchen benetzt und anschließend getrocknet.
Dann wird mit einer Quecksilberlampe gemäß Beispiel 1 durch eine Fotomaske 15 Minuten belichtet. Nach der Belichtung ist die Abbildung des Leiterbahnbildes der Fotomaske deutlich auf der Plattenoberfläche zu erkennen. Anschließend wird die belichtete Platte 2 Elinuten mit einer salzsauren Lösung von 2 g PdCl2 pro Liter Wasser besprüht.
Anschließend wird die Platte gespült, in einer 10 %igen Aminoessigsäurelösung, die mit Ammoniak auf pH 9 eingestellt wurde, bei 450C gewässert, gespült und dann in einem stromlosen Formalin-haltigen Kupferbad bei 400C 3 Stunden verkupfert. Man erhält eine FR 4-Platte mit deutlich erkennbaren, voneinander getrennten verkupferten Leiterbahnen.

Claims

Patentansprüche 1. Verfahren zum Aktivieren von Substratoberflächen für deren stromlose partielle Metallisierung, dadurch gekennzeichnet, daß man a) die Oberflächen mit einer Lösung oder Anreibung von im festen Zustand lichtempfindlichen Silber-I-Verbindungen benetzt, b) das Lösungs- oder Anreibemittel entfernt, c) die auf den Oberflächen zurückbleibenden Silber-I-Verbindungen partiell belichtet, d) das bei der Belichtung entstandene Silber gegen edlere Metalle austauscht und e) die nicht belichteten Silber-I-Verbindungen von den Substratoberflächen ablöst.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man als edlere Metalle Gold, Platin oder Palladium verwendet.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man Silber-I-Verbindungen, die in den zu verwendenden Lösungsmitteln schwer löslich sind, mit Hilfe von Komplexbildnern in eine lösliche Form überführt, mit deren Lösung die partiell zu metallisierenden Oberflächen benetzt und anschließend die an den Oberflächen zurückbleibende Komplexverbindungen in die lichtempfindlichen schwer löslichen Verbindungen zurückspaltet.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man als lichtempfindliche Silber-I-Verbindungen Salze organischer Carbonsäuren verwendet.
5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Komplexbildner Ammoniak oder Amine mit einem Siedepunkt unter 1000C eingesetzt werden.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration an Silber-I-Verbindungen in den Anreibungen bzw. Lösungen 0,05 bis 7,5 % betragen.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzhmet, daß man Aktivierungslösungen verwendet, die frei von filmbildenden und anderen polymeren Substanzen sind.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man zur Ablösung der nicht belichteten Silber-I-Verbindungen von der Oberfläche schwefelfreie Fixierlösungen verwendet.
9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Austauschreaktion durch Behandeln mit einer Lösung von Salzen, Komplexverbindungen und/oder organometallischen Verbindungen der Edelmetalle durchgeführt wird.
10. Verwendung des Verfahrens gemäß Anspruch 1-9 zur Herstellung von gedruckten Schaltungen.