KR20010030924A - 다수의 광학소자에 대한 웨이퍼 수준의 집적방법 - Google Patents

다수의 광학소자에 대한 웨이퍼 수준의 집적방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20010030924A
KR20010030924A KR1020007003622A KR20007003622A KR20010030924A KR 20010030924 A KR20010030924 A KR 20010030924A KR 1020007003622 A KR1020007003622 A KR 1020007003622A KR 20007003622 A KR20007003622 A KR 20007003622A KR 20010030924 A KR20010030924 A KR 20010030924A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
master
optical
substrate
embossing
Prior art date
Application number
KR1020007003622A
Other languages
English (en)
Inventor
하든브라이언
캐쓰맨알랜
펠드맨마이클
Original Assignee
디지탈 옵틱스 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 디지탈 옵틱스 코포레이션 filed Critical 디지탈 옵틱스 코포레이션
Publication of KR20010030924A publication Critical patent/KR20010030924A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G02B5/1814—Diffraction gratings structurally combined with one or more further optical elements, e.g. lenses, mirrors, prisms or other diffraction gratings
    • G02B5/1819—Plural gratings positioned on the same surface, e.g. array of gratings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/001—Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras
    • G02B13/0085—Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras employing wafer level optics
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4206—Optical features
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/4228—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements
    • G02B6/423—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements using guiding surfaces for the alignment
    • G02B6/4231—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements using guiding surfaces for the alignment with intermediate elements, e.g. rods and balls, between the elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/4228—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements
    • G02B6/4232—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements using the surface tension of fluid solder to align the elements, e.g. solder bump techniques
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7042—Alignment for lithographic apparatus using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping or imprinting
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/123—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
    • G11B7/1353—Diffractive elements, e.g. holograms or gratings
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
    • G11B7/1362—Mirrors
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
    • G11B7/1372—Lenses
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/22—Apparatus or processes for the manufacture of optical heads, e.g. assembly
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14632—Wafer-level processed structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14687—Wafer level processing
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12083—Constructional arrangements
    • G02B2006/12102—Lens
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12083—Constructional arrangements
    • G02B2006/12107—Grating
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4214—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/422—Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements
    • G02B6/4221—Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements involving a visual detection of the position of the elements, e.g. by using a microscope or a camera
    • G02B6/4224—Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements involving a visual detection of the position of the elements, e.g. by using a microscope or a camera using visual alignment markings, e.g. index methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/4236—Fixing or mounting methods of the aligned elements
    • G02B6/4238—Soldering
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/4236—Fixing or mounting methods of the aligned elements
    • G02B6/4239—Adhesive bonding; Encapsulation with polymer material
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
    • G11B7/1372—Lenses
    • G11B2007/13727—Compound lenses, i.e. two or more lenses co-operating to perform a function, e.g. compound objective lens including a solid immersion lens, positive and negative lenses either bonded together or with adjustable spacing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1052—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1089—Methods of surface bonding and/or assembly therefor of discrete laminae to single face of additional lamina
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1089—Methods of surface bonding and/or assembly therefor of discrete laminae to single face of additional lamina
    • Y10T156/1092—All laminae planar and face to face

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Head (AREA)

Abstract

집적된 다수의 광학소자가, 광학소자들을 포함하는 기판들을 서로 접합시킴에 의해 또는 웨이퍼 기판의 어느 한 면상에 광학소자들을 제공함에 의하여 형성될 수 있다. 연속하여, 상기 웨이퍼는 개별적인 유니트들을 얻기 위해 다이싱된다. 개별 다이를 밀봉하여 다이싱 슬러리가 웨이퍼들 사이로 들어가는 것을 방지하는 것이 바람직하다. 광학소자들은 리소그래피적으로, 직접적으로, 또는 소자들을 엠보싱하는 리소그래피적으로 생성된 마스터를 사용하여 형성될 수 있다. 정렬 피쳐들은 웨이퍼 수준상에 광학소자들의 후 형성 공정(post creation processing)뿐만 아니라 이러한 집적된 다수의 광학소자의 효과적인 생산을 용이하게 한다.

Description

다수의 광학소자에 대한 웨이퍼 수준의 집적방법{Wafer level integration of multiple optical elements}
보다 넓은 다양한 응용에서 사용되어질 보다 작은 광학소자들에 대한 요구가 증가됨에 따라, 이러한 광학소자들을 효과적으로 생산하는 능력도 증가하고 있다. 대량생산 수준에서 이러한 집적된 다수의 광학소자를 형성함에 있어서는, 정확한 정렬에 대한 요구가 증가되고 있다. 더구나, 이러한 정렬은 하나 이상의 광학소자를 집적할 때 중요하다.
집적된 다수의 광학소자는 광의 전파 방향인 Z축을 따라 함께 적층된 다수의 광학소자이다. 따라서, Z축을 따라 이동하는 광은 다수의 소자를 연속적으로 통과하게 된다. 이 소자들은, 집적된 소자를 원하는 시스템, 전형적으로는 능동소자들을 포함하는 시스템과 정렬되게 하는 것을 제외하고, 추가적인 소자들의 정렬이 요구되지 않도록 집적된다.
많은 광학 시스템은 다수의 광학소자를 요구한다. 이러한 요구된 다수의 광학소자는 다수의 굴절소자, 다수의 회절소자 및 다수의 굴절/회절 혼성 소자를 포함한다. 종래에 많은 이러한 다수 소자 시스템은, 정렬 구조에 개별 소자들을 함께 또는 개별적으로 접합시킴에 의하여 형성되어졌다.
형성된 기계 정렬 구조에 기계적 공작 도구를 사용하여 장착될 벌크 또는 거시적인 광학계에서는, 달성될 수 있는 전형적인 정렬 정확도가 약 25-50 마이크론이다. 15-25 마이크론보다 높은 수준을 달성하기 위해서는 동적정렬(active alignment)이 요구된다. 동적정렬은 전형적으로 광원, 예컨대 레이저를 켜는 것을 수반하고, 각각의 광학요소를 경화되지 않은 자외선 접착제와 함께 아래에 놓는다. 이어서, 각 부품은 레이저로부터의 적절한 반응이 얻어질 때까지 전달 스테이지와 함께 이동한다. 그리고 나서, 상기 부품은 장소를 잡아 고정되고 에폭시가 자외선광으로 경화됨으로써, 소자를 장착(mounting)하게 된다. 이것은 시스템에서 각 소자들에 대해 연속적으로 행해진다.
개별적 소자들에 대해 15 마이크론보다 작은 정렬 정확도는 동적정렬을 사용하여 얻어질 수 있지만, 이러한 정확도는 상기 소자를 이동시키는데 소요되는 시간의 양을 크게 증가시키게 된다. 이 증가는 하나 이상의 광학소자가 정렬되어질 때 더욱 심해진다. 따라서, 이러한 정렬정확도는 동적정렬을 이용한다 하더라도 비실용적인 경우가 대부분이다.
참조에 의해 여기에 결합되며 본 발명과 출원인이 공통인 계류중인 미국출원 일련번호 제08/727,837호에 개시된 위에 언급된 집적된 빔으로 맞추는 응용과 같이 광학계의 보다 많은 새로운 응용에 있어서는, 몇 개의 미세 광학소자로 구성되며 필요로 하는 허용오차가 전통적인 접근법에 의해 달성될 수 있는 것보다 훨씬 작은 광학적 시스템들을 만들 필요가 있다. 작은 허용오차를 요구하는 것 말고도, 보다 싼 소자들이 또한 요구된다. 필요로 하는 정렬 허용오차는 1 마이크론에서 5 마이크론까지인데, 이는 전통적인 방법으로 달성하기에는 비용이 너무 많이 든다.
보다 높은 정렬 허용오차를 얻기 위해서, Feldman에게 허여된 미국특허 제5,683,469호 "Microelectronic Module Having Optical and Electrical Interconnect"라는 명칭의 특허에서 개시된 것처럼 수동적인 정렬 기술들이 사용되어지고 있다. 이러한 수동적 정렬 기술의 하나는 금속 패드를 광학소자들 및 레이저 상에 두고 땜납을 그들 사이에 두고 정렬을 달성하기 위해 자기 정렬적 성질을 이용하는 것이다. 땜납이 흐르게 될 때 거기에 존재하는 표면 장력이 상기 부품들이 자기 정렬되도록 한다. 하지만, 수동적인 정렬은 웨이퍼와 웨이퍼간 정렬에는 채용된 적이 없다. 특히, 고밀도의 땜납 범프(bump)와 웨이퍼의 두께 및 무게가 이러한 정렬을 비실용적으로 만들고 있다.
웨이퍼 수준에서 별개의 웨이퍼들 상에 형성된 다수의 광학소자를 집적하는 데 있어서 다른 문제는 개별적인 집적된 소자들을 형성하기 위한 다이싱 공정(dicing process)에 기인하여 일어난다. 다이싱 공정은 다이싱 슬러리의 사용 때문에 지저분하다. 하나의 웨이퍼가 다이싱될 때, 그 표면은 다이싱 슬러리를 제거하기 위해 세정될 수 있다. 하지만, 웨이퍼들이 함께 접합되어 있을 경우, 슬러리가 웨이퍼들 사이의 틈으로 들어간다. 웨이퍼들 사이에 형성된 틈에서 슬러리를 제거하는 것은 매우 어렵다.
집적된 소자들은 또한 때때로 사출 성형에 의하여 만들어진다. 사출 성형의 경우에 기판의 대향면 상에 위치되는 두 개의 성형된 소자들을 가지는 플라스틱 소자들이 만들어 질 수 있다. 다수의 플라스틱 소자는 다공동(multi-cavity) 사출 성형 도구로 동시에 만들어질 수 있다.
유리 소자들은 또한 때때로, Carpenter에게 허여된 미국특허 제4,883,528호"Apparatus for Molding Glass Optical Elements"라는 명칭의 특허에 개시되어 있는 것처럼 성형에 의하여 만들어진다. 이 경우에, 마치 플라스틱 사출 성형과 마찬가지로 다수의 집적된 소자는 두 개의 소자를 기판의 대향면에 성형함으로써 형성된다. 하지만, 유리 성형은 설비를 제작하는데 비용이 많이 들고 사용될 수 있는 크기가 제한된다는 단점을 가지고 있다.
광학소자들을 저렴하게 만들기 위해서는, 복제기술이 전형적으로 사용된다. 위에서 언급된 플라스틱 사출 성형과 유리 성형 이외에도 개별적인 소자들은 엠보싱될(embossed) 수도 있다. 이러한 엠보싱의 예는 "Scale-up Process for Replication Large Area Diffractive Optical Elements"이라는 명칭으로 Galarneau에게 허여된 미국특허 제5,597,613호 에서 찾아질 수 있다. 복제된 광학소자들은 전에는 땜납 자기정렬 기술과 함께 사용되어지지 않았다. 각각의 복제방법의 경우에, 많은 개별적 소자는 가능한한 저렴하게 생성된다.
이러한 복제 공정들은 웨이퍼 수준에서 후속하는 다이싱과 함께 사용되어진 적이 없다. 이는 주로 다이싱 동안 엠보싱된 층상에 인가되는 스트레스 때문이다. 웨이퍼 수준에서 엠보싱을 사용할 때, 작은 스케일에서 또는 하나 이상의 소자를 집적할 때 특히 중요한, 기판에 충분하게 부착되도록 엠보싱된 폴리머를 유지하는 것과 같은 고유한 문제가 아직 해결되지 않았다.
더구나, 이 복제 공정들은 웨이퍼 수준의 포토리소그래피 공정들과 양립할 수 없다. 특히, 복제공정들은 포토리소그래피 공정을 위해 요구되어지는 정렬 정확도를 얻을 수 없다. 엠보싱이 리소그래피 공정과 양립할 수 있다고 하더라도 한번에 하나의 소자를 리소그래피적으로 패터닝하는 것은 너무 비용이 많이 들 것이다. 더구나, 리소그래피 공정의 화학적 공정 부분은 엠보싱 물질에 손상을 입힐 수 있다.
전통적으로 수행되는 바와 같이, 플라스틱 상의 엠보싱과 리소그래피 공정에서 다른 문제가 일어난다. 특히, 플라스틱은 리소그래피 공정에서 사용되는 화학물질에 의해 손상되게 된다. 플라스틱은 또한 열적 효과에 의한 뒤틀림에 너무 민감한데, 이는 리소그래피 공정 중에 요구되는 정렬에 이롭지 못하다.
본 발명은 웨이퍼 수준 상에 다수의 광학소자를 집적하는 것에 관한 것이다. 상세하게는, 본 발명은 집적된 다수 소자의 효과적 생성에 관한 것이다.
본 발명은 이하에서 주어지는 상세한 설명과 단지 예시의 수단으로만 주어져 본 발명을 한정하지는 않는 첨부된 도면으로부터 보다 완전하게 이해될 것이다.
도1은 두 웨이퍼를 서로 접합하는 것에 대한 제1실시예를 도시한다.
도2는 두 웨이퍼를 서로 접합하는 것에 대한 제2실시예를 도시한다.
도3a는 접합될 웨이퍼들을 도시한 사시도이다.
도3b는 접합될 웨이퍼 상의 개별적인 다이를 도시한 상면도이다.
도4a 및 4b는 두 기판을 서로 접합하는 것에 대한 구체적인 예를 도시한다.
도5는 본 발명의 접합공정에 대한 플로우 차트이다.
도6a는 웨이퍼 형태로 마스터 요소에 의해 엠보싱될 표면을 도시한다.
도6b는 웨이퍼 형태로 그 위에서 마스터 요소에 의해 엠보싱될 엠보싱 가능한 물질을 가진 표면을 도시한다.
도7은 광학소자들이 양측에 형성되어 있는 웨이퍼를 도시한다.
도8은 회절소자가 그 위에 직접적으로 집적된, 마이크로 렌즈로 이루어진 혼성 소자를 가진 기판의 단면도이다.
상기한 배경기술을 고려해볼 때 본 발명의 목적은 다수의 광학소자를 효과적으로 형성하는 것이다. 이러한 효과적 형성은 웨이퍼 수준 상에 집적된 다수의 광학소자를 형성함으로써 달성된다.
본 발명의 다른 목적은 집적된 다수의 광학소자의 이러한 웨이퍼 수준 생산을 달성하기 위해 시도할 때 일어하는 문제를 접근하는 것이다. 이 문제들은 정확한 정렬을 보장하는 것; 하나 이상의 웨이퍼가 서로 접합되었을 때 구성하는 집적된 다수의 광학소자로 웨이퍼를 정확하게 다이싱할 수 있게 하는 것; 및 집적된 다수의 광학소자를 원하는 응용을 위한 전체 시스템으로의 용이한 결합을 가능하게 하기 위한 추가적인 특징들을 제공하는 것을 포함한다.
본 발명의 다른 목적은 포토리소그래피적 특징과 다이싱을 견딜 수 있는 충분한 접착력과 사용을 위한 충분한 정렬이 가능한 엠보싱을 제공하는 것이다.
본 발명의 이 목적들과 다른 목적들은 이하에서 주어지는 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다. 하지만, 상세한 설명은 구체적인 실시예를 제공하지만 본 발명의 바람직한 실시예를 단지 예시의 수단으로 제공하는 것이라는 점이 이해되어져야 하며, 이는 본 발명의 사상과 범위 안에서의 다양한 변화와 변형은 이 상세한 설명으로부터 본 발명이 속한 분야에서 숙련된 자들에게 명백하기 때문이다.
도1에 도시된 바와 같이, 제1기판 웨이퍼(10)와 제2기판 웨이퍼(12)가 집적된 다수의 광학소자를 제공하기 위해 서로 접합된다. 웨이퍼는, 전형적으로 지름이 4, 6, 8 또는 12 인치이고 전형적으로 400 마이크론에서 6 밀리미터 사이의 두께를 가지고 있는 전형적인 디스크이다. 상기 기판 웨이퍼는 어떠한 원하는 형상일 수 있다. 상기 기판들은 바람직하게는 광학적으로 투명하고 평평하여, 원하는 응용의 요구에 따라서 기판의 표면에 걸쳐 표면 높이에 있어 약간의 변화, 예컨대 한파장보다 작은 변화를 가진다.
이 웨이퍼들은, 그들의 한쪽 또는 양쪽 표면에 형성된 각각의 광학소자들의 배열을 가지고 있다. 개별적인 광학소자들은 회절소자, 굴절소자 또는 이들의 혼성소자일 수 있다. 점선(8)은 개별적인 집적소자들을 제공하기 위해 웨이퍼 상에서 다이싱이 일어날 곳을 지시하고 있다.
접합물질(14)은 기판의 접착을 용이하게 하기 위해, 기판들 중 어느 하나 상의 전략적 위치들에 놓여진다. 최종적인 집적다이를 형성하는 광학소자들을 둘러쌈으로써, 접착제(14)는 중요한 접합점에서 웨이퍼 사이에 밀봉을 형성한다. 다이싱 동안에 상기 밀봉은 다이싱 슬러리가 소자들 사이로 들어가는 것(이는 소자들의 오염을 초래할 수도 있다)을 방지한다. 소자들이 서로 접합된 상태로 남아있기 때문에, 그들 사이에 포획된 어떠한 다이싱 슬러리도 제거하는 것이 거의 불가능하다. 상기 다이싱 슬러리는 회절소자가 접합되어 있을 때 더더욱 문제를 제공하는데, 이는 회절소자의 구조가 슬러리를 포획하는 경향이 있기 때문이다.
바람직하게는, 접착제 또는 땜납이 접합물질(14)로 사용될 수 있다. 땜납은 접착제보다는 부드럽고 접합 전에 보다 용이한 이동이 가능하기 때문에, 땜납은 많은 응용에 있어 바람직하다. 접착제들은, 많은 응용의 경우에 덜 비싸다; 그들은 가열 또는 가열 없이 접합될 수 있다; 그들은 산화되지 않는다; 그리고 그들은 투명하다는 장점을 가진다.
액상의 접착제를 접합물질로 사용할 때에는, 액상 접착제의 점도가 중요하다. 접착제는 너무 얇아서는 안되는데, 그러면 그것은 방울지게 되어 불확실한 접착을 제공하고 다이싱 슬러리가 웨이상 상의 소자들 사이로 들어가는 것을 허용함으로써 소자들을 오염시키게 된다. 접착제는 너무 두꺼워서도 안되는데, 그러면 복원력이 너무 크고 접합되기에 충분한 밀접한 접촉이 기판들(10, 12) 사이에 달성되지 않는다. 액상의 접착제는 바람직하게는 1000에서 10000 센티포이즈 사이의 점도를 가진다. 만족스러운 에폭시로는 Norland 68 및 Masterbond UV 15-7을 포함한다.
액상의 접착제가 채용될 경우, 상기 액상 접착제를 수용하는 측의 원하는 좌표에 따라 제어되는 노즐로부터 분사되는 것과 같이 제어된 방식으로 제공되어져야 한다. 웨이퍼들의 정렬 후, 전체 접합체를 큐어링(curing)하여 액상 접착제를 경화시키고 접합을 완료한다.
땜납이 사용될 경우, 전기도금 또는 스퍼터링 공정이 채용될 수 있다. 예를 들어, 기판이 땜납을 안 가질 모든 곳의 기판 상부에 마스킹 물질이 놓여질 수 있다. 그리고 나서, 전체 웨이퍼가 욕조 또는 스퍼터링 챔버 안에 놓여진다. 그런 다음, 땜납이 전체 기판 상부에 형성되고 마스킹 물질이 제거되면 마스킹 물질이 없는 곳에 땜납이 남는다. 일단 웨이퍼들이 적절하게 정렬되면, 땜납은 흐르도록 가열된다. 땜납은 냉각되고, 재경화가 허용됨으로써 접합이 완료된다.
도1에 도시된 것과 같이 액상 접착제 하나만을 접합물질로 사용할 경우, 접착제가 피복된 곳에 접합물질이 남이 있을 수 있도록 보다 점성이 있는 접착제가 요구된다. 점성이 있는 접착제를 사용하더라도 여전히 접착제는 상대적으로 넓은 영역 위로 전형적으로 퍼지게 되므로, 그 결과 접착제가 소자들과 간섭하도록 하는 것 없이 상기 퍼짐을 수용할 수 있는 집적된 소자들 사이의 보다 큰 불사용 공간에 대한 필요성을 초래하게 된다.
또한 접착제만이 사용될 때에는 접착제의 높이를 조절하는 것이 어렵게 된다. 이는 접착제의 양이 과소비되는 것을 초래하고, 종종 접착제의 높이 및 이에 따른 웨이퍼들 사이의 분리가 원하는 것보다 크게 되어 버린다. 접착제의 높이를 조절하는데 있어서의 어려움은 또한 광학소자들을 포함하고 있는 공간 안에 공기가 포획되게 하는 결과를 초래한다. 이는 높이와, 진공이 웨이퍼 쌍 사이에 형성되는 타이밍에 대한 불확실성에서 일어난다. 상기 공기는 바람직하지 않은데, 이는 공기가 가열시 팽창할지도 모르고 소자들간의 접합을 붕괴시킬지도 모르기 때문이다.
따라서, 유용성이 있는 대체수단이 도2에 도시되는데, 여기에서는 웨이퍼의 개별적인 집적된 광학소자만이 도시된다. 집적된 각 소자를 위한 격리자(stand offs, 16)가, 광학소자들의 배열이 기판 웨이퍼(12)에 대해 만들어짐과 동시에 바닥 기판 웨이퍼(12)로 식각 또는 복제되는데, 전형적으로는 기판 웨이퍼와 동일한 물질이다. 상기 격리자(16)들은, 바람직하게는 접착제(14)가 놓여질 두개의 표면들 사이에 형성된 트렌치를 구비한다. 그러면, 이 트렌치들은 접합될 기판들 사이에 정확한 거리를 제공하고 접착제(14)가 접착되는 하나 이상의 접착표면을 제공한다. 이 증가된 표면의 면적은 또한 방울로 맺히는 문제를 감소시킨다.
땜납이 접합물질(14)로 사용될 경우, 고상의 격리자들은 바람직하게는 웨이퍼들 사이의 원하는 분리거리를 제공하기 위해 사용된다. 그러면, 상기 땜납은 얇은, 예컨대 4-5 마이크론의 얇은 층으로 상기 격리자 위에 피복된다. 도1에 도시된 바와 같이 땜납만이 홀로 사용될 수도 있지만, 격리자와 결합하여 땜납을 사용하는 것이 더 유용하고 경제적이다.
격리자의 사용은 더 균일하고 예견 가능한 높이를 얻을 수 있게 하여,접합된 소자들 사이에 공기가 덜 포획되게 한다. 상기 분리거리의 변화가 감소되었기 때문에, 진공은 접합물질과 다른 기판 사이의 접촉 바로 직전에 또는 접촉의 시점에서 기판 사이에 형성될 수 있다.
상기 격리자들을 포함하고 있지 않은 기판은 격리자(16)들을 기판에 수용할 수 있도록 기판 표면에 형성된 노치(notch)를 가질 수도 있다. 상기 노치들은 기판 표면 상의 어떠한 광학소자들이 형성됨과 동시에 형성될 수 있다. 이러한 구성의 경우에, 격리자(16)들과 대응하는 노치들은 정렬 피쳐(feature)들로 기능하여 웨이퍼들 서로 간의 정렬을 용이하게 한다.
도3a는 접합 및 다이싱되기 전의 두 개의 기판(10,12)을 보여준다. 집적된 개별적인 광학소자(19)들은 하나 또는 그 이상의 광학소자들로 이루어져 있을 수 있다. 더구나, 상기 웨이퍼들 상의 광학소자들은 동일하거나 서로 다를 수 있다. 웨이퍼(10, 12)들을 서로 결합시키기 전에 접합물질(14)이 상기에서 설명한 방법으로 적어도 웨이퍼들 중 어느 하나 상에 놓여진다. 유익하게는, 두 개의 기판(10, 12)은 기판 상의 모든 개별적인 소자들이 동시에 정렬되는 것을 보장할 수 있도록 기준 마크(18)들을 기판 상의 소정부분에 구비하는데, 기판의 외곽 엣지가 가장 가능성 있다. 선택적으로는, 상기 기준 마크(18)들은 웨이퍼(10, 12) 상에 기계적 정렬 피쳐(18')들을 생성하는데 사용될 수 있다. 상기 기준 마크(18)들과 상기 정렬 피쳐(18')들의 어느 하나 또는 이들 둘은 웨이퍼를 정렬하기 위해 사용될 수 있다.
도3b는 특정한 소자(19)에 대한 주변 접합물질(14)의 위치를 포함한 접합될 기판(12)의 평면도를 보여주고 있다. 이 평면도로부터 알 수 있는 바와 같이, 접합물질(14)은 19에 의하여 지시되고 있는 개별적인 광학소자를 완전히 둘러싸야 한다.
도1 또는 2에 도시된 어느 하나의 실시예의 경우, 직접적으로 또는 격리자들을 사용하여 제공된 접합물질은 각 소자를 밀봉하여 개별적으로 이용될 수 있게 한다. 따라서, 개별적인 소자들을 얻기 위해 웨이퍼를 다이싱할 때, 다이싱 공정에서 사용되는 다이싱 슬러리가 광학소자를 오염시키는 것이 방지된다. 따라서, 정렬 및 다이싱 동안의 견고성을 유지하는 구조적 소자를 제공하는 것 이외에도, 접합물질의 밀봉은 결과적인 집적 다이들을 위해 다이싱 공정을 보다 청정하게 한다.
집적된 다수의 광학소자에 대한 구체적 예가 도4a에 도시되어 있다. 굴절소자(20)가 제1기판(12)의 표면 상에 형성되어 있다. 회절소자(22)는 다른 기판(10)의 표면 상에 형성되어 있다. 또한, 회절소자(28)가 각 기판들의 밑바닥 상에 형성될 수 있다. 접착제(14)를 수용하기 위한 트렌치를 형성하는 격리자(16)들이 굴절렌즈들과 동시에 형성되어 있다.
웨이퍼(12) 상의 렌즈(20)들이 다른 웨이퍼와 직접적으로 대향할 때, 렌즈(20)들의 정점은 또한 기판들(10, 12)사이의 적절한 공간을 제공하는데 이용될 수 있다. 만약 추가 공간이 요구된다면, 이 적절한 공간을 얻기 위해 격리자(16)들이 더 높게 만들어질 수 있다.
기판(10, 12)들의 정렬을 위해 도3a에 도시된 바와 같이 기준마크(18)들을 사용하는 것 이외에도, 상기 기준마크(18)들은 또한 집적된 다수의 광학소자들을 그것의 의도된 목적으로의 사용을 위한 정렬 및 삽입을 용이하기 위해 그들의 접합면보다는 오히려 기판들의 반대쪽 표면에 금속 패드(24)들을 제공하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 금속 패드는, 광학헤드, 레이저 포인터, 검출기 등에서의 사용을 위한 레이저에서와 같이, 집적된 다수의 광학소자를 능동 또는 전기 소자들과 교합(mating)시키는 경우에 특히 유용하다. 더구나, 광을 차단하기 위해 기준마크(18)들을 사용하여 금속(26)이 회절소자(22) 자체와 동일한 표면 상에 놓여질 수 있다.
장착 기판 상에 제공된 별개 소자들을 포함하고 있는 선택적인 광학 부시스템이 도4b에 도시되어 있다. 도4b에 도시된 바와 같이, 어떤 구성의 경우에는 웨이퍼들 중 하나를 먼저 다이싱하여 개별적인 다이들을 형성하고, 수동적으로 상기 개별적 다이들을 다른 웨이퍼와 정렬하고, 접합물질을 제공하여 집적된 광학적 부시스템의 소자들을 밀봉하고 이어서 웨이퍼-다이 쌍을 다이싱하는 것이 유익하다. 도4b에서, 집적된 광학 부시스템은 측면 방사(side emitting) 레이저 다이오드(25)를 포함하고, 모니터 다이오드(29), 및 레이저 다이오드(25)로부터, 미리 개별적인 다이(11)들로 다이싱되었던 웨이퍼(10) 상에 형성된 회절 광학소자(22)로 광을 안내하기 위한 미러(27)를 포함한다. 개별적인 소자들(25, 27 및 29)은 기판(12)에서 장착된다. 접합물질(14)은 각각의 부시스템을 밀봉한다. 점선(8)은 다이싱이 있어날 곳을 지시한다. 웨이퍼 상에 개별적인 다이들의 배치가 여전히 요구되지만, 수동적인 정렬이 여전히 효율적으로 채용되고 접합된 웨이퍼-다이 쌍 주위에 형성된 밀봉은 여전히 다이싱 슬러리가 웨이퍼-다이 쌍 사이로 들어가는 것을 방지한다. 장착 기판 상에 개별적인 소자들이 제공될 때, 상기 장착 기판은 각각의 부시스템을 위한 기준마크들을 포함한다. 관련된 구조는 "Integrated Optical Head for Disk Drives and Method of Forming the Same"이란 명칭으로 1996년 9월 27일자에 출원된 미국출원 일련번호 제08/727,837호와 "Integrated Beam Sharper and Use Thereof"으로 1997년 8월 27일자로 출원된 미국출원 일련번호 제08/917,865호에서 발견되며 이것들은 참조에 의하여 여기에 결합된다.
도5는 본 발명에 따라 두 개의 웨이퍼를 같이 접합시키는 일반적인 공정에 대한 플로우 차트를 도시하고 있다. 단계30에서는, 분산될 접합물질과 상대적으로 기판 웨이퍼가 위치된다. 단계32에서는, 접합물질이 상기 웨이퍼에 패턴으로 제공되어 직접적으로 또는 격리자(16)들과 함께 광학소자들의 주변에 대하여 밀봉을 제공한다. 스텝34에서는, 제2기판 웨이퍼가 제1기판 웨이퍼와 정렬된다. 접촉이 이루어지기 바로 전에 기판으로부터 공기를 제거하기 위해 진공이 가동된다. 스텝36에서는, 웨이퍼들이 접촉하게 한다. 스텝38에서는, 두 개 웨이퍼의 정렬이 확고히 된다. 스텝40에서는, 접착제가 경화되거나, 땜납이 흐르고 이어서 경화되도록 한다. 일단 견고하게 접합되면, 단계42에서 접합된 웨이퍼들은 개별적인 소자들로 다이싱된다.
같이 접합된 상기 소자들은 바람직하게는, 예컨대 참조에 의해 여기에 결합되는 Swanson에게 허여된 미국특허 제5,161,059호에서 회절 광학소자들에 대해 개시된 것과 같은 직접적인 포토리소그래피 기술에 의하여 생성되고; 또는, 구형의 굴절소자를 생성함에 있어서는 General Electric Chemical Society에서 1984년 10월에 발행한 Solid state Science and Technology의 볼륨 101, 번호10에 2373-2380페이지의 O. Wada의 논문 "Ion-Beam Etching of InP and its Application to the Fabrication of High Radiance InGAsP/InP Light Emitting Diodes" 의해 시사된 것과 같이 포토레지스트를 녹임에 의하여 생성되는 것이 바람직하다. 또는, 사용된 마스크들이 HEBS(High Energy Beam Sensitive) 또는 흡수성의 회색 스케일 마스크와 같은 회색 스케일의 마스크들일 때, 회절 광학소자들을 만들기 위해 사용된 포토리소그래피 기술을 채용하여 굴절소자들을 어떠한 모양으로도 만드는 것은, 여기에 참조에 의해 결합되며 1997년 3월 21일자로 출원된 미국 가출원 일련번호 제60/041,042호에 개시되어 있다.
선택적으로, 이 포토리소그래피 기술들은 유리에 마스터 요소(48)를 만드는데 이용될 수 있는데, 이어서 상기 마스터 요소(48)는 도6a에 도시된 기판(52)상으로 엠보싱 가능한 물질(50)층 내의 웨이퍼 수준 상에 원하는 소자를 찍어내는데 차례로 이용될 수 있다. 상기 층(50)은 바람직하게는 폴리머인 반면, 기판(52)은 유리, 예컨대 융해 실리카, 또는 플라스틱, 바람직하게는 폴리카보네이트 또는 아크릴이다. 상기 폴리머는 바람직하게는 마스터 요소로부터의 양호한 이탈 특성을 가지며, 경화 이후 균열이 생기거나 또는 다이싱 동안 기판으로부터 이탈되지 않도록 기판에 양호한 접착력을 가지는 UV 경화성 아크릴레이트 광폴리머이다. 적절한 폴리머는 PHILIPS타입의 40029 수지 또는 GAFGARD 233을 포함한다. 점선(58)은 웨이퍼로부터 개별적인 집적 소자들을 형성하기 위한 다이싱 라인이다.
도6a에 도시된 실시예에 있어서, 엠보싱 가능한 물질(50)의 층은 마스터 요소(48) 상에 제공된다. 접착촉진제(54)의 층은 바람직하게는 기판(52) 상에 제공되고 및/또는 이탈보조제의 층은 마스터 요소와 엠보싱 물질 사이의 마스터 요소(48) 상에 제공된다. 접착촉진층 및/또는 이탈보조층의 사용은 마스터 요소 및 기판이 동일한 물질일 때 또는 마스터 요소가 엠보싱 가능한 물질에 대해 성질상 더 높은 접착 친화도를 가지고 있을 때 특히 중요한다.
사용되는 접착촉진제의 타입은 엠보싱 가능한 물질로 사용되는 광폴리머, 마스터 요소 물질 및 기판 물질의 함수이다. 유리로 된 기판과 사용하기 적절한 접착촉진제는 HMDS(HexaMethyl DisiliZane)이다. 이 접착촉진제는 엠보싱 가능한 물질이 기판(52)상에 보다 양호하게 접합되게 하는데, 이는 웨이퍼 수준에서의 엠보싱일 때 특히 중요하다. 왜냐하면, 엠보싱된 웨이퍼에 대하여 아래에서 논의되는 바와 같이 다이싱 공정이 진행되어야 하기 ??문이다.
마스터 요소(48) 상의 엠보싱 가능한 층(50) 및 기판(52) 상의 접착촉진제층(54)의 제공은 유익하게는 엠보싱을 위해 접촉될 부드러운 표면을 제공하여, 하기와 같이 공기 방울의 제거를 용이하게 해준다. 마스터 요소(48)상의 엠보싱 가능한 층의 제공은 또한 하기에서 논의되는 바와 같이 접합되지 않은, 접촉되고 정렬된 웨이퍼의 정렬을 유지하기 위한 편리한 메카니즘을 제공한다.
기판 또는 마스터 요소가 플라스틱으로 이루어지면, 폴리머를 다른 비 플라스틱 요소 상에 두는 것이 바람직한데, 이는 플라스틱이 폴리머를 활성화시키기 위해 사용되는 UV영역에서 광을 강하게 흡수하기 때문이다. 따라서, UV 복사(radiaton)가 플라스틱을 통과하여야 한다면, 원하는 효과를 위해서는 보다 높은 강도의 빔이 요구되는데, 이는 효과적이지 못하다.
웨이퍼 수준에서의 엠보싱의 사용은, 추가적인 피쳐들이 리소그래피 공정을 사용하여 웨이퍼 상에 제공될 경우, 즉 물질이 기판에 가해지거나 제거될 경우 특히 유용하다. 이러한 추가적인 피쳐들은 반사방지 코팅 또는 다른 피쳐들, 예컨대 시스템에서 기판(52)으로부터 다이스된 다이를 정렬하기 위한 금속 패드를 포함할 수 있다. 또한, 상기 피쳐는 어떠한 것이라도 리소그래피적으로 기판(52)의 반대면(56)에 제공될 수 있다.
전형적으로는, 반사방지 코팅이 선택적이기 보다는 오히려 전체 표면 상부에 인가될 것이다. 하지만, 반사방지 코팅 및 금속패드를 사용할 경우, 금속은 코팅이 있는 곳에 붙지 않을 것이고, 금속을 덮고 있는 코팅을 가지는 것은 만족스럽지 못할 것이다. 더구나, 웨이퍼가 다른 웨이퍼에 접합되고자 한다면, 접합물질은 이러한 반사방지 코팅을 가진 표면에 접착되지 않을 것이므로, 코팅의 선택적 배치가 요구된다.
엠보싱과 관련하여 리소그래피 공정을 수행하기 위해 필요한 정렬을 달성하기 위해서, 도3에 도시된 것과 같은 기준마크들이 기판(52) 및 마스터 요소(48) 상에 제공될 수 있다. 리소그래피 공정을 수행할 때, 요구되는 정렬 허용오차는 플라스틱보다는 유리가 기판으로서 더 좋다. 유리는 더 낮은 열 팽창계수를 가지고 있고 유리는 플라스틱보다 더 평평하다. 즉, 유리는 플라스틱보다는 덜 휘고 덜 왜곡된다. 이 특성들은 특히 웨이퍼 수준 상에 소자들을 형성할 때 특히 중요하다.
도6a에서 엠보싱 가능한 물질(50)이 마스터 요소(48) 상에 제공된 것으로 도시되어 있지만, 마스터 요소(48) 상에 인가될 때 엠보싱 가능한 물질(50)의 두께를 조절하는 것은 어렵다. 패턴을 여전히 수용하면서도 엠보싱 가능한 물질(50)이 가능한 얇은 층이 되도록 하는 것이 자주 요구되기 때문에, 예컨대 도6b에 도시된 바와 같이 포토레지스트 또는 에폭시 상에 스피닝하는 것에 의하여 엠보싱 가능한 물질(50)을 기판(52) 상에 제공하는 것이 유익할 수 있다. 보다 두꺼운 엠보싱 가능한 물질층은 보다 긴 식각시간을 초래하며, 증가된 비용을 수반하고, 식각 공정에의 증가된 노출에 기인한 패턴된 물질의 열화 가능성이 증가되며, 소자에 걸친 식각율의 편차에 기인한 부정확성이 증가될 수 있다. 기판(52) 상에 구비된 엠보싱 가능한 물질(50)의 두께는 전통적인 방법으로 정확하게 제어될 수 있다.
마스터 요소를 기판 상에 둘 때, 웨이퍼는 아래에서 곧 바로 접촉될 수는 없다. 이는 엠보싱된 제품에 부정적으로 영향을 미치는 공기방울이 그들을 제거하기 위한 어떠한 방법도 없이 존재할 것이기 때문이다.
그러므로, 기판과 마스터 요소를 접촉시킴에 있어, 처음에 마스터 요소는 단지 기판의 엣지 상면을 접촉하고 이어서 회전되어 웨이퍼를 하부로 가져가 기판과 접촉시킨다. 이 경사 접촉은 엠보싱된 물질에 존재하는 공기 방울들이 측면에서 밀려 나가도록 하는 것을 허용한다. 마스터 요소는 투명하기 때문에, 공기 방울들은 가시적으로 관찰될 수 있다. 상기에서 지적된 바와 같이, 표면들의 접촉이 부드럽게 되는 것을 용이하게 하는 것은 상기 공기 방울들의 존재인데, 이는 마스터 요소(48)의 표면 상에 형성된 회절소자가 이러한 경사 접촉 동안에도 공기를 포획할 수 있기 때문이다.
공기 방울들을 제거하기 위해 필요한 경사의 정도는 복제되는 피쳐들의 크기와 깊이에 의존한다. 경사는 가장 큰 피쳐가 최초 접촉시에 전체 웨이퍼에 걸쳐 다른 웨이퍼를 건드리지 않을 만큼 충분히 커야 한다.
선택적으로는, 복제 웨이퍼가 유연하다면, 복제 웨이퍼는 약간 볼록한 표면을 형성하도록 휘어질 수도 있다. 그리고 나서, 상기 마스터 요소는 하방으로 중앙에 있는 복제 웨이퍼와 접촉하게 되고, 이어서 복제 웨이퍼는 전체 표면에 걸쳐 접촉을 완료하기 위해 복원되어, 공기 방울들을 제거하게 된다. 다시 말하지만, 요구되는 휨의 정도는 단지 가장 큰 피쳐들이 최초의 접촉시에 전체 웨이퍼에 걸쳐 다른 웨이퍼를 접촉하지 않을 정도로 충분하면 된다.
본 발명에 따라 마스터 요소(48)를 유리 기판(52)에 정렬하기 위해 기준마크들을 사용할 경우, 전통적인 마스크 정렬자가 변형된 방식으로 사용될 수 있다. 전형적으로 마스크 정렬자에 있어서, 마스크는 평판과 접촉하게 되고 이어서 진공이 마스크 및 평판을 밀봉하여 정렬시킨다. 하지만, 진공은 폴리머와 같은 액상의 엠보싱된 물질이 웨이퍼 상면에 있는 경우 생성될 수 없다. 그러므로, 경사 접촉이 사용된다. 일단 접촉이 되면 웨이퍼들은 경화되기 전에 기준마크들을 사용한 전통적인 방식으로 서로 정렬되게 된다.
나아가, 폴리머를 경화하기 위해 요구되는 세기는 예컨대, 3-5W/cm2로 매우 높고, 예컨대 30초도 안되는 짧은 공정시간 동안에 적용되어야 할 필요가 있다. 만약, 충분한 에너지와 세기가 이 때 공급되지 않는다면, 폴리머의 경화는 결코 달성될 수 없다. 이는 폴리머에 들어있는 광산발생제가 완전한 고분자화(polymerization) 없이 이러한 완전하지 못한 노광에 의해 소모될 수 있다는 사실 때문이다. 하지만, 이러한 높은 세기의 광원을 마스크 정렬자에 제공하는 것도 쉽지 않다. 이는 요구되는 고에너지 광원의 크기 및 온도 때문이다. 마스크 정렬자 프레임이 열적 변화에 노출될 때 고에너지 광원으로부터의 열은 마스크 정렬자 프레임을 왜곡되게 만들 것이다. 마스크 정렬자가 열적으로 보상되거나 고온에서도 동작되도록 적응될 수 있다 하지만, 다음과 같은 해결책이 더 경제적이며 만족스러운 결과를 제공한다.
마스크 정렬자에서 마스터 요소를 기판과 전체적으로 접촉시키기 위해 필요한 경사 접촉 이외에도, 일단 이러한 전체적 접촉이 달성된다면 전체 기판을 큐어링하는 것보다는 오히려 광 섬유와 같은 공급 시스템으로 UV 광원으로부터의 복사를 마스크 정렬자에서 접촉된 마스터 요소-기판에 제공한다. 상기 공급 시스템은 단지 폴리머의 개별적 장소들에 UV 복사를 제공한다.
상기 공급 시스템은 마스크 정렬자에 맞추어질 수 있도록 충분히 작고 마스크 정렬자의 재디자인을 필요로 할 정도의 충분한 열을 발산하지 않는다. 광 섬유를 사용할 경우, 이 스폿들은 근사적으로 2mm이다. 선택적으로는, 작고 잘 둘러싸여진, 즉 시스템에 큰 열적 효과를 가하지 않는 UV 레이저가 사용될 수 있다.
상기 공급 시스템은 바람직하게는 대칭적인 방식으로 웨이퍼 주변의 스폿들에 복사를 제공한다. 4인치 웨이퍼의 경우에, 단지 약 6-12개의 스폿들만이 필요하다. 만약, 증가된 안정성을 위해 추가의 스폿들이 요구된다면, 몇 개의 스폿들이 웨이퍼의 중앙부 쪽으로 놓여질 수 있다. 이 스폿들은 바람직하게는 주변에 놓여지고 최소수의 상기 스폿들이 바람직하게는 사용되는데, 이는 택 스폿(tack spot)이 위치하는 영역은 국소 복사를 받지 않는 영역들 만큼 균일한 고분자화를 달성할 수 없기 때문이다.
이 택 스폿들은 마스터를 적소에서 기판과 결합시킨다. 택 스폿들을 큐어링하기 위해 사용되는 조사(illumination)는 단지 국지적으로 인가되고, 조사를 받는 영역은 나머지 엠보싱 가능한 물질에 크게 영향을 주기에 충분할 정도로 작도록 이 택 스폿들이 충분하게 있지는 않다. 일단 정렬이 달성되고 마스터 요소가 적소에서 결합되면, 기판-마스터 요소 쌍은 정렬자로부터 제거되고 이어서 전체 표면 상부 위의 높은 강도의 UV 광원하에서 전체의 고분자화를 위해 큐어링 된다. 상기 택 스폿들이 마스크 정렬자에서 달성된 정렬을 이동시키는 것을 방지하면서, 기판-마스터 쌍이 마스크 정렬자로부터 제거되게 함으로써 폴리머의 큐어링을 위해 마스크 정렬자 외부의 고 에너지 광원을 사용할 수 있게 한다.
선택적으로는, 기준마크들이 기계적 정렬 피쳐들을 접촉될 기판의 주변에 형성하기 위해 사용될 수 있다. 상기 기계적인 정렬 피쳐들은 어떠한 축을 따라서도 정렬을 제공할 수 있고 하나 이상의 이러한 기계적 정렬 피쳐가 있을 수 있다. 예를 들어, 도4의 격리자들은 웨이퍼를 Y축을 따라 정렬하기 위한 것인 반면, 금속 패드는 X 및 Z축을 따라 추가적인 소자들에 대한 웨이퍼 쌍의 정렬을 제공한다. 상기 정렬 피쳐들은 바람직하게는 엠보싱 자체에 의해 형성된다.
상기 반대 표면 상의 엠보싱과 리소그래피 처리는 어떤 순서로도 수행될 수 있다. 만약, 엠보싱이 먼저 행해진다면, 반대 표면상의 후속처리가 완료될 때까지 엠보싱된 층을 덮는 마스터 요소를 남겨두는 것이 유익하다. 그러면, 마스터 요소는 엠보싱된 구조를 위한 밀봉으로 기능하며, 리소그래피 공정 동안에 사용되는 용매로부터 폴리머를 보호하고 리소그래피 공정 중의 가열 전체에 걸쳐 피쳐를 정확하게 유지시킨다.
만약, 리소그래피 공정이 먼저 행해진다면 보통의 엠보싱 동안에 요구되는 것보다 포토리소그래피적인 피쳐들에 충분한 정렬을 제공하는 엠보싱 동안에 보다 정확한 정렬이 요구된다. 따라서, 엠보싱 장비는 그러한 정렬을 위해서는 셋업되지 않는다. 그러면, 상기 정렬 기술들은 엠보싱 동안 요구되어진다.
일단, 모든 원하는 공정이 완료되면, 웨이퍼는 개별적 소자들을 형성하기 위해 다이싱된다. 상기 다이싱은 엠보싱된 웨이퍼에 기계적 스트레스를 인가하게 된다. 그러므로, 엠보싱된 부분이 다이싱되는 동안 얇은 층으로 갈라지지 않도록 하기 위해서는 엠보싱된 부분의 완전한 고분자화와 기판에로의 충분한 접착이 특히 중요하다. 그러므로, 구체적인 폴리머, 접착촉진제, 기판을 선택함에 있어서 또 이들 요소들이 어떻게 작용하는지에 대해 주의가 요망된다. 바람직하게는, 다이싱 동안에 엠보싱된 층이 얇은 층으로 갈라지는 것을 피하기 위해, 기판에로의 폴리머 접착력은 완성된 다이들 상에 근사적으로 100그램 정도의 전단 스트레스(shear stress)를 보장하여야 한다.
도1 내지 4에 도시된 바와 같이, 함께 접합된 웨이퍼 둘 다 UV 경화성 폴리머로 엠보싱된 경우에, 이러한 접합을 위해 전형적으로 UV 에폭시의 사용이 선호되지만 더 이상 선호되는 선택사양이 아니다. 이는 UV로 경화된 폴리머는 여전히 UV 영역에서 높게 광을 흡수하고 에폭시를 경화시키도록 제공되는 유효한 UV광은 극히 낮기 때문이다. 즉, 에폭시가 경화될 정도로 충분한 UV 광을 제공하기 위해서는, 요구되는 UV광의 세기가 너무 크다. 그러므로, 열적으로 경화된 수지를 이 웨이퍼들을 접합시키기 위해 사용하는 것이 때때로 바람직하다.
선택적으로는, 소자들을 구성하지 않는 부분들 상의 폴리머는 제거될 수도 있고, 이어서 UV 에폭시가 더 이상 UV 폴리머를 가지고 있지 않은 제거된 영역들에 채용되어 UV 폴리머를 구비한 유리 기판 웨이퍼를 다른 웨이퍼와 직접적으로 접합할 수 있게 된다. 폴리머를 제거하는 바람직한 방법은 마스터 요소 상에 금속 패턴을 제공하는 것을 포함한다. 이 금속은 광을 차단하여 패턴 내의 폴리머가 경화되는 것을 방지한다. 액상 폴리머가 사용될 때, 이 경화되지 않은 폴리머는 씻어내 버릴 수도 있다. 웨이퍼-웨이퍼 접합을 위한 UV 에폭시 또는, 능동 소자의 접착 또는 광의 차단을 위한 금속과 같은 다른 물질이 폴리머가 제거된 부분에 놓여질 수 있다.
도1 내지 4에 도시된 2개 기판의 접합 이외에도, 도7에 도시된 바와 같이 기준 마크들이 기판 자체의 다른 면상에 광학소자들을 형성하는데 사용될 수 있다. 상기 생성은 또한 광학소자의 생성을 위해 위에서 언급한 방법들 중 어느 하나에 의할 수 있다. 도7의 양면 소자(70)는 제1면(70a) 상에 회절소자(72)를, 제2면(70b) 상에는 굴절소자(74)를 가지지만 어떠한 원하는 소자도 거기에 제공될 수 있다. 다시 말하지만, 금속 패드(76)는 혼성 소자 상에 리소그래피 공정을 통해 제공될 수 있다.
집적된 다수의 광학소자에 대한 다른 구성이 도8에 도시되어 있는데, 회절소자(82)는 굴절소자(84) 상에 직접적으로 형성되어 있다. 상기 굴절소자는 상기에서 언급된 포토리소그래피 기술 중 어느 하나에 의해 만들어질 수 있다. 도8에 도시된 구체적인 실시예에 있어서, 굴절소자는 마스크를 사용하여 광학물질 표면 상에 환형의 포토레지스트층(86)을 둠으로써 형성된다. 이어서, 상기 포토레지스트는 포토레지스트가 구형(87)이 되도록 제어된 열을 사용하여 부분적으로 플로우된다. 그 이후에, 상기 표면은 식각되고 포토레지스트(87)와 실질적으로 동일한 형상을 가진 굴절소자(84)는 계속적으로 변화되는 두께의 포토레지스트(87)의 변화하는 식각율에 의해 형성된다. 이어서, 마이크로 렌즈(84)는 회절소자(82)를 형성하기 위해 더 처리된다. 상기 회절소자는 리소그래피 공정 또는 엠보싱에 의해 형성될 수도 있다.
정렬 및 접합, 또는 엠보싱된 웨이퍼들은 같은 소자들의 배열을 포함할 수 있거나 다른 소자들을 포함할 수도 있다. 나아가, 정렬 요구가 허용하면 상기 웨이퍼들은 유리보다는 오히려 플라스틱일 수 있다. 바람직하게는, 본 발명에 따라 웨이퍼 수준 상에 제조되는 집적 소자들은 100 마이크론 정도에서 수 밀리미터 정도까지이며, ±1-2 마이크론의 정렬 정확도를 요구하는데, 이는 본 발명의 기준마크들 및/또는 정렬 피쳐들을 사용함으로써 달성될 수 있다.
서로 대면하여 접합된 기판의 표면보다는 오히려 기판의 반대 표면에 광학소자들이 제공될 경우, 허용되는 정렬 정확도는 ±10 마이크론이다. 이는 광이 유리의 두께를 통과할 때 약간의 틸트량이 교정되거나 도입된다는 사실 때문이다.
수동적 정렬을 위해 사용되는 기준마크들의 대체 실시예로써, 상기 기준마크는 구에 의하여 결합된 해당 홈, 땜납 볼에 의하여 결합된 금속 패드 및 해당 리세스를 가진 벤치와 같은 기계적 정렬 피쳐를 생성하는데 사용될 수 있다. 이 정렬 피쳐 중에서 단지 몇 개만이 전체 웨이퍼의 정렬을 위해 필요하다.
각 다이의 주변 둘레의 접합물질을 두는 대체 실시예로써, 상기 다이 자체가 적어도 다이에 대한 광학적 경로의 일부에서 접합물질에 의해 덮여질 수 있다. 이 증가된 접합물질은 다이의 안정성을 더할 것이다. 하지만, 광학적 소자와 다음 표면 간에 굴절율에 있어서 가능한 가장 큰 차이를 가지는 것이 바람직한데, 그렇지 않으면 회절소자는 깊은 식각을 가져야 할 것이고, 굴절소자는 동일한 방식으로 기능하기 위해 보다 큰 침하(sag) 높이를 필요로 할 것이다. 그러므로, 이 갭에 공기를 가지고 있는 것이 바람직한데, 이는 공기가 1이라는 굴절율을 가지고 있기 때문이다. 만약, 보다 큰 안정성이 요구된다면, 접합물질이 광학소자의 광학 경로의 일부를 덮어야 할 때 가능한 작은 굴절율을 가진 접합물질이 사용될 수 있다. 그러면, 바람직하게는 광학소자들은 유리보다는 높은 굴절율을 가진 포토레지스트에 형성되는데, 포토레지스트에 형성된 소자들은 기판 안으로 식각되지 않지만 그 자체가 소자로 기능한다.
부가적으로, 접합물질의 면적에 있어서의 증가는 그 안에 공기 방울의 존재 가능성을 증가시키는데 이는 또한 광학적 성능을 저하시킨다. 그러므로, 접합물질이 전체 다이의 상부에 제공되지만, 공기 방울들의 가능성을 최소화하기 위해서는 광학적 경로에 전체 빔을 통과시키는 동안 다이를 위한 광학 경로의 일부의 상부만을 덮는 접합물질을 제공하는 것이 종종 바람직하다. 더구나, 능동소자들에 갭이 제공되다면, 접합물질은 이 능동소자들의 기능을 방해하도록 놓여질 수는 없다.
본 발명의 모든 소자들은, 정렬을 포함하여, 전형적으로 능동소자들을 구비하는 시스템으로의 결합의 용이성을 위해 유익하게는 금속 패드들과 같이 제공된다. 금속 패드들은 웨이퍼 수준 상에 리소그래피적으로 효과적으로 제공될 수 있다.
부가적으로, 기판이 모두 한가지 물질로 이루어진 것으로 설명되어졌지만, 다수 층으로 이루어진 기판이 사용될 수도 있다. 예를 들어, 광학적으로 활성물질이 두 개의 극성 층 사이에 끼워 것으로 이루어져 광학 분리자를 형성하는 기판이 기판으로 사용될 수 있다.
본 발명이 설명되어졌지만, 이는 많은 방법으로 변형될 수 있음이 자명하다. 그러한 변형은 본 발명의 사상과 범위에서 벗어나는 것으로 간주되지 않으며 그러한 변형은 다음의 청구항들의 범위 내에서 본 발명이 속한 기술분야에서 숙련된 자에게 자명하다.

Claims (57)

  1. 제1웨이퍼 상의 제1다이들의 배열 내의 각 다이를 둘러싸는 접합물질을 제공하는 단계;
    복수개의 제2다이들을 상기 제1다이들과 정렬하는 단계로, 각각의 제1다이가 그것과 정렬된 제2다이를 가지도록 하는 단계;
    상기 접합물질을 처리하여 정렬된 다이들을 접합하는 단계; 및
    상기 접합된 다이들을 다이싱하는 단계로, 다이싱되고 접합된 각각의 다이들의 쌍은 적어도 하나의 광학소자를 포함하여 집적된 광학적 부시스템을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적된 광학적 부시스템의 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제공단계는 상기 제1웨이퍼의 전표면 위에 상기 접합물질을 제공하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 집적된 광학적 부시스템의 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2다이들은 제2웨이퍼 상에 있고,
    상기 정렬단계는 상기 제1 및 제2웨이퍼들을 정렬하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 집적된 광학적 부시스템의 형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 추가 소자들을 붙이기 위해 소정의 패턴으로, 상기 제1 및 제2웨이퍼 중 적어도 어느 하나로부터 선택적으로 물질을 제거하거나, 상기 제1 및 제2웨이퍼 중 적어도 어느 하나에 물질을 가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적된 광학적 부시스템의 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2다이들은 서로 분리되어 있고,
    상기 정렬단계는 각각의 제2다이를 해당하는 제1다이와 정렬하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 집적된 광학적 부시스템의 형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2다이들 중 하나는 반도체 다이인 것을 특징으로 하는 집적된 광학적 부시스템의 형성방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 반도체 다이는 수직 공동 측면 방사 레이저를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적된 광학적 부시스템의 형성방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 반도체 다이는 검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적된 광학적 부시스템의 형성방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2다이들 중 하나 상에 개별적 소자들을 장착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적된 광학적 부시스템의 형성방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 장착 단계는 미러와 레이저 중 적어도 하나를 장착하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 집적된 광학적 부시스템의 형성방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 장착 단계는 광학소자들을 장착하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 집적된 광학적 부시스템의 형성방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 제공단계는 상기 다이 상의 적어도 하나의 광학소자의 광학경로의 일부 위에 접합물질을 제공하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 집적된 광학적 부시스템의 형성방법.
  13. 제1항에 있어서, 상기 제공단계는 각 다이의 주변 둘레에 접합물질을 제공하여 상기 다이를 밀봉하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 집적된 광학적 부시스템의 형성방법.
  14. 제1항에 있어서, 상기 정렬단계 전에,
    상기 제1 및 제2웨이퍼 사이에 적절한 갭을 보장하기 위해 상기 제1웨이퍼 상에 격리자들을 정확하게 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적된 광학적 부시스템의 형성방법.
  15. 제1항에 있어서, 상기 접착제는 상기 다이싱 단계 동안에 인가되는 다이싱 슬러리가 기판들 사이의 갭으로 들어가는 것이 방지되도록 충분한 밀봉을 제공하는 것을 특징으로 하는 집적된 광학적 부시스템의 형성방법.
  16. 제1항에 있어서, 다수의 웨이퍼를 직접적으로 함께 접합하여 하나의 기판을 생성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적된 광학적 부시스템의 형성방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 웨이퍼들 중 하나는 광학적으로 능동인 물질로 이루어지고 두 개의 극성 웨이퍼 사이에 끼워지는 것을 특징으로 하는 집적된 광학적 부시스템의 형성방법.
  18. 광학소자들의 배열을 구비하는 마스터를 만드는 단계;
    상기 마스터를 엠보싱 가능한 물질에 인가함으로써 상기 광학소자들의 배열에 대한 복제품을 엠보싱하는 단계; 및
    개별적인 광학소자들을 형성하기 위해 상기 복제품을 다이싱하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수준 상에 광학소자를 형성하는 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 엠보싱 단계 전에,
    상기 마스터의 표면 상에 얇은 필름으로 상기 엠보싱 가능한 물질을 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수준 상에 광학적 소자를 형성하는 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 엠보싱 단계 전에,
    유리 기판 상에 접착촉진제를 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수준 상에 광학적 소자를 형성하는 방법.
  21. 제19항에 있어서, 상기 유리 기판은 기준마크들을 포함하고,
    상기 마스터를 상기 기준마크들에 정렬하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수준 상에 광학적 소자를 형성하는 방법.
  22. 제18항에 있어서, 반사방지 코팅으로 상기 복제품을 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수준 상에 광학적 소자를 형성하는 방법.
  23. 제18항에 있어서, 소정의 패턴으로 상기 복제품으로부터 물질을 선택적으로 제거하거나 상기 복제품에 물질을 선택적으로 가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수준 상에 광학적 소자를 형성하는 방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 선택적으로 제거 또는 가하는 단계는 상기 엠보싱 단계보다 먼저 일어나는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수준 상에 광학적 소자를 형성하는 방법.
  25. 제23항에 있어서, 상기 선택적으로 제거 또는 가하는 단계는 상기 엠보싱 단계 이후에 일어나는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수준 상에 광학적 소자를 형성하는 방법.
  26. 제23항에 있어서, 상기 선택적으로 제거 또는 가하는 단계는 상기 엠보싱 단계를 격는 상기 복제품의 반대쪽 표면 상에 금속 패드들을 제공하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수준 상에 광학적 소자를 형성하는 방법.
  27. 제18항에 있어서, 상기 엠보싱 단계는 상기 유리 기판의 양쪽을 엠보싱하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수준 상에 광학적 소자를 형성하는 방법.
  28. 제27항에 있어서, 상기 양쪽의 각 면을 엠보싱하기 위해 다른 웨이퍼 마스터가 사용되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수준 상에 광학적 소자를 형성하는 방법.
  29. 제28항에 있어서, 제1웨이퍼 마스터는 회절 광학소자들을 구비하고 제2웨이퍼 마스터는 굴절 광학소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수준 상에 광학적 소자를 형성하는 방법.
  30. 제18항에 있어서, 상기 웨이퍼 마스터 및 상기 복제품 상에 기준마크들을 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수준 상에 광학적 소자를 형성하는 방법.
  31. 제18항에 있어서, 마스크 정렬자에서 상기 복제품과 상기 웨이퍼 마스터의 정렬을 확정하고 일단 정렬이 확정되면 상기 복제품과 상기 웨이퍼 마스터를 함께 택킹(tacking)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수준 상에 광학적 소자를 형성하는 방법.
  32. 제31항에 있어서, 엠보싱 가능한 물질을 택킹하고 경화하는 단계 이후에 상기 마스크 정렬자로부터 상기 복제품과 상기 웨이퍼 마스터를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수준 상에 광학적 소자를 형성하는 방법.
  33. 제18항에 있어서, 상기 인가는 상기 웨이퍼 마스터를 상기 복제품과 처음에는 불완전하게 접촉시키는 것을 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수준 상에 광학적 소자를 형성하는 방법.
  34. 제18항에 있어서, 상기 마스터는 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수준 상에 광학적 소자를 형성하는 방법.
  35. 제23항에 있어서, 상기 선택적으로 제거 또는 가하는 단계는 리소그래피적인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수준 상에 광학적 소자를 형성하는 방법.
  36. 제23항에 있어서, 상기 선택적으로 제거 또는 가하는 단계는 엠보싱 가능한 물질을 선택적으로 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수준 상에 광학적 소자를 형성하는 방법.
  37. 제36항에 있어서, 상기 선택적으로 엠보싱 가능한 물질을 제거하는 단계는 상기 마스터 상에 메탈을 패턴으로 제공하는 단계, 및 상기 엠보싱 단계 이후에 경화되지 않은 엠보싱 가능한 물질을 씻어내는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수준 상에 광학적 소자를 형성하는 방법.
  38. 제36항에 있어서, 상기 선택적으로 제거 또는 가하는 단계는 엠보싱 가능한 물질이 제거된 곳에 물질을 가하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수준 상에 광학적 소자를 형성하는 방법.
  39. 제31항에 있어서, 상기 택킹하는 단계는 상기 엠보싱 가능한 물질을 국부적으로 경화하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수준 상에 광학적 소자를 형성하는 방법.
  40. 제18항에 있어서, 상기 마스터는 리소그래피적으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수준 상에 광학적 소자를 형성하는 방법.
  41. 제18항에 있어서, 상기 엠보싱 단계는 기판 상에 상기 엠보싱 가능한 물질을 제공하는 단계 및 이어서 상기 마스터를 인가하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수준 상에 광학적 소자를 형성하는 방법.
  42. 제41항에 있어서, 상기 기판은 광학적으로 투명하고 평평한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수준 상에 광학적 소자를 형성하는 방법.
  43. 제23항에 있어서, 상기 물질은 추가 소자들의 부착을 위한 금속인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수준 상에 광학적 소자를 형성하는 방법.
  44. 두 개의 면을 가진 기판;
    상기 두 개의 면상에 리소그래피적으로 정의된 광학소자들; 및
    한번에 물질이 선택적으로 제거 또는 가해지는 적어도 하나의 표면 상에 리소그래피적으로 정의된 추가적인 피쳐들을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적된 양면의 다중 광학소자.
  45. 제44항에 있어서, 상기 기판의 일 표면은 빔 분할, 다중의 스폿의 생성 및 특정 영역의 산란적 조사 중에서 적어도 하나를 제공하기 위한 회절소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 집적된 양면의 다중 광학소자.
  46. 제45항에 있어서, 상기 회절소자는 복수개의 회절소자인 것을 특징으로 하는 집적된 양면의 다중 광학소자.
  47. 제46항에 있어서, 상기 기판은 웨이퍼이고 상기 광학소자들은 광학적 소자들의 배열인 것을 특징으로 하는 집적된 양면의 다중 광학소자.
  48. 제44항에 있어서, 상기 리소그래피적으로 정의된 추가적인 피쳐들은 빛을 차단하기 위한 금속 부분들을 구비하는 것을 특징으로 하는 집적된 양면의 다중 광학소자.
  49. 제44항에 있어서, 상기 리소그래피적으로 정의된 추가적인 피쳐들은 능동소자를 상기 집적된 다중 광학소자에 접합시킴에 있어 도움을 주기 위한 금속 부분들을 구비하는 것을 특징으로 하는 집적된 양면의 다중 광학소자.
  50. 제44항에 있어서, 일 표면 상의 광학소자는 굴절소자이고 다른 표면의 광학소자는 회절소자인 것을 특징으로 하는 집적된 양면의 다중 광학소자.
  51. 제44항에 있어서, 상기 두 표면 중 적어도 하나 상의 광학소자들은 엠보싱에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 집적된 양면의 다중 광학소자.
  52. 제44항에 있어서, 리소그래피적으로 정의된 광학소자들은 포토리소그래피적으로 마스터를 형성하고 및 상기 마스터를 사용하여 광학소자들을 엠보싱하는 것을 구비하는 것을 특징으로 하는 집적된 양면의 다중 광학소자.
  53. 제44항에 있어서, 포토리소그래피적으로 생성된 마스터로부터 엠보싱된 피쳐들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적된 양면의 다중 광학소자.
  54. 제1항의 공정에 의해 형성된 광학소자.
  55. 제18항의 공정에 의해 형성된 광학소자.
  56. 굴절 광학소자 및 상기 굴절 광학소자의 곡면 상에 형성된 회절패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 혼성 광학소자
  57. 제56항에 있어서, 상기 굴절소자는 리소그래피적으로 형성된 것을 특징으로 하는 혼성 광학소자.
KR1020007003622A 1997-10-03 1998-10-02 다수의 광학소자에 대한 웨이퍼 수준의 집적방법 KR20010030924A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/943,274 US6096155A (en) 1996-09-27 1997-10-03 Method of dicing wafer level integrated multiple optical elements
US8/943,274 1997-10-03
PCT/US1998/020666 WO1999018612A2 (en) 1997-10-03 1998-10-02 Wafer level integration of multiple optical elements

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20010030924A true KR20010030924A (ko) 2001-04-16

Family

ID=25479355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020007003622A KR20010030924A (ko) 1997-10-03 1998-10-02 다수의 광학소자에 대한 웨이퍼 수준의 집적방법

Country Status (10)

Country Link
US (6) US6096155A (ko)
EP (2) EP1036415B1 (ko)
JP (1) JP4310410B2 (ko)
KR (1) KR20010030924A (ko)
CN (1) CN1165994C (ko)
AT (1) ATE366998T1 (ko)
AU (1) AU9597798A (ko)
CA (1) CA2304670C (ko)
DE (1) DE69838071T2 (ko)
WO (1) WO1999018612A2 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100940943B1 (ko) * 2001-08-24 2010-02-08 쇼오트 아게 전자 부품 제조 방법
US9450043B2 (en) 2004-06-04 2016-09-20 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Methods and devices for fabricating and assembling printable semiconductor elements

Families Citing this family (174)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8153957B2 (en) * 1996-09-27 2012-04-10 Digitaloptics Corporation East Integrated optical imaging systems including an interior space between opposing substrates and associated methods
US6096155A (en) * 1996-09-27 2000-08-01 Digital Optics Corporation Method of dicing wafer level integrated multiple optical elements
US20080136955A1 (en) * 1996-09-27 2008-06-12 Tessera North America. Integrated camera and associated methods
US6235141B1 (en) * 1996-09-27 2001-05-22 Digital Optics Corporation Method of mass producing and packaging integrated optical subsystems
US6669803B1 (en) 1997-10-03 2003-12-30 Digital Optics Corp. Simultaneous provision of controlled height bonding material at a wafer level and associated structures
US20080128844A1 (en) * 2002-11-18 2008-06-05 Tessera North America Integrated micro-optical systems and cameras including the same
US6426829B1 (en) * 1998-03-26 2002-07-30 Digital Optics Corp. Integrated micro-optical systems
US6239590B1 (en) * 1998-05-26 2001-05-29 Micron Technology, Inc. Calibration target for calibrating semiconductor wafer test systems
JP3248526B2 (ja) * 1998-09-11 2002-01-21 キヤノン株式会社 回折光学素子及びそれを有した光学系
JP3290631B2 (ja) * 1998-10-02 2002-06-10 キヤノン株式会社 光学ユニット、光学ユニットの製造方法、光学ユニットを用いた光学系、光学ユニットを用いた露光装置及びこの露光装置を用いたデバイスの製造方法
DE19956654B4 (de) * 1999-11-25 2005-04-21 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Strukturierung von Oberflächen von mikromechanischen und/oder mikrooptischen Bauelementen und/oder Funktionselementen aus glasartigen Materialien
US6351027B1 (en) * 2000-02-29 2002-02-26 Agilent Technologies, Inc. Chip-mounted enclosure
US6684010B1 (en) 2000-03-03 2004-01-27 Digital Optics Corp. Wavelength compensated optical wavelength division coupler and associated methods
US6661818B1 (en) * 2000-04-05 2003-12-09 Digital Optics Corporation Etalon, a wavelength monitor/locker using the etalon and associated methods
US7092416B2 (en) 2000-04-05 2006-08-15 Digital Optics Corporation Integrated wavelength locker for use with more than one wavelength and associated methods
JP2002050749A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Canon Inc 複合部材の分離方法及び装置
DE10058074A1 (de) * 2000-11-23 2002-06-06 Vitalij Lissotschenko Verfahren zur Herstellung einer mikrooptischen Funktionseinheit
US6701038B2 (en) * 2001-03-05 2004-03-02 The Microoptical Corporation Micro-electromechanical optical switch assembly for optical data networks
US6798931B2 (en) * 2001-03-06 2004-09-28 Digital Optics Corp. Separating of optical integrated modules and structures formed thereby
US20020164129A1 (en) * 2001-04-05 2002-11-07 Jackson Michael K. Optical fiber passive alignment fixture
JP3696131B2 (ja) * 2001-07-10 2005-09-14 株式会社東芝 アクティブマトリクス基板及びその製造方法
DE10141571B8 (de) * 2001-08-24 2005-05-25 Schott Ag Verfahren zum Zusammenbau eines Halbleiterbauelements und damit hergestellte integrierte Schaltungsanordnung, die für dreidimensionale, mehrschichtige Schaltungen geeignet ist
US6683295B2 (en) 2001-10-01 2004-01-27 Digital Optics Corp. Reduced noise wavelength locker module
US7224856B2 (en) 2001-10-23 2007-05-29 Digital Optics Corporation Wafer based optical chassis and associated methods
US7961989B2 (en) * 2001-10-23 2011-06-14 Tessera North America, Inc. Optical chassis, camera having an optical chassis, and associated methods
KR100431181B1 (ko) * 2001-12-07 2004-05-12 삼성전기주식회사 표면 탄성파 필터 패키지 제조방법
US6765603B2 (en) 2001-12-20 2004-07-20 Eastman Kodak Company Method of forming fiducial marks on a micro-sized article
US6594084B1 (en) 2001-12-20 2003-07-15 Eastman Kodak Company Method and manufacturing a precisely aligned microlens array
US6587274B1 (en) 2001-12-20 2003-07-01 Eastman Kodak Company Double-sided microlens array and method of manufacturing same
US6748145B2 (en) 2001-12-20 2004-06-08 Eastman Kodak Company Fiber optic array and method of making same
US6515800B1 (en) 2001-12-20 2003-02-04 Eastman Kodak Company Microlens array
US20030118268A1 (en) * 2001-12-21 2003-06-26 Christopher Wimperis System and method for producing optical circuits
US7146064B2 (en) * 2001-12-21 2006-12-05 Gsi Group Corporation System and method for producing optical circuits
JP3675402B2 (ja) * 2001-12-27 2005-07-27 セイコーエプソン株式会社 光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器
US6568098B1 (en) * 2001-12-28 2003-05-27 Microtool, Inc. Alignment wafer
US20040021214A1 (en) * 2002-04-16 2004-02-05 Avner Badehi Electro-optic integrated circuits with connectors and methods for the production thereof
JP2005523466A (ja) * 2002-04-16 2005-08-04 エクスルーム フォトニクス リミテッド 集積コネクタを有する電気光学回路およびその製造方法
US6683723B2 (en) 2002-06-13 2004-01-27 Eastman Kodak Company Solid immersion lens array and methods for producing and using solid immersion lens array with fiducial marks
US8059345B2 (en) * 2002-07-29 2011-11-15 Digitaloptics Corporation East Integrated micro-optical systems
KR100774775B1 (ko) * 2002-09-17 2007-11-07 앤터온 비.브이. 카메라 디바이스, 카메라 디바이스 제조 방법, 웨이퍼스케일 패키지 및 광학 어셈블리
WO2004068665A2 (en) * 2003-01-24 2004-08-12 The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Research And Sponsored Programs Wafer scale packaging technique for sealed optical elements and sealed packages produced thereby
EP1443344A1 (en) * 2003-01-29 2004-08-04 Heptagon Oy Manufacturing micro-structured elements
CN101789482B (zh) * 2003-03-10 2013-04-17 丰田合成株式会社 固体元件装置及其制造方法
ATE396418T1 (de) 2003-03-26 2008-06-15 Digital Optics Corp Gehäuse für optoelektronisches bauteil auf waferebene
US6921676B2 (en) * 2003-03-28 2005-07-26 Agilent Technologies, Inc. Wafer-scale manufacturing method
US20070110361A1 (en) * 2003-08-26 2007-05-17 Digital Optics Corporation Wafer level integration of multiple optical elements
US6934065B2 (en) * 2003-09-18 2005-08-23 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices and methods for packaging microelectronic devices
US6953990B2 (en) * 2003-09-19 2005-10-11 Agilent Technologies, Inc. Wafer-level packaging of optoelectronic devices
US6998691B2 (en) * 2003-09-19 2006-02-14 Agilent Technologies, Inc. Optoelectronic device packaging with hermetically sealed cavity and integrated optical element
US7538358B2 (en) 2003-10-15 2009-05-26 Xloom Communications, Ltd. Electro-optical circuitry having integrated connector and methods for the production thereof
US7094304B2 (en) * 2003-10-31 2006-08-22 Agilent Technologies, Inc. Method for selective area stamping of optical elements on a substrate
US7583862B2 (en) * 2003-11-26 2009-09-01 Aptina Imaging Corporation Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
EP1542074A1 (en) * 2003-12-11 2005-06-15 Heptagon OY Manufacturing a replication tool, sub-master or replica
US7253397B2 (en) * 2004-02-23 2007-08-07 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
EP1569263B1 (de) * 2004-02-27 2011-11-23 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Verfahren zum Verbinden zweier Wafer
US8092734B2 (en) * 2004-05-13 2012-01-10 Aptina Imaging Corporation Covers for microelectronic imagers and methods for wafer-level packaging of microelectronics imagers
US7253957B2 (en) * 2004-05-13 2007-08-07 Micron Technology, Inc. Integrated optics units and methods of manufacturing integrated optics units for use with microelectronic imagers
US20050275750A1 (en) * 2004-06-09 2005-12-15 Salman Akram Wafer-level packaged microelectronic imagers and processes for wafer-level packaging
US7498647B2 (en) * 2004-06-10 2009-03-03 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7262405B2 (en) * 2004-06-14 2007-08-28 Micron Technology, Inc. Prefabricated housings for microelectronic imagers
US7199439B2 (en) * 2004-06-14 2007-04-03 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7232754B2 (en) * 2004-06-29 2007-06-19 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices and methods for forming interconnects in microelectronic devices
US7294897B2 (en) * 2004-06-29 2007-11-13 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7416913B2 (en) * 2004-07-16 2008-08-26 Micron Technology, Inc. Methods of manufacturing microelectronic imaging units with discrete standoffs
US7189954B2 (en) * 2004-07-19 2007-03-13 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with optical devices and methods of manufacturing such microelectronic imagers
US7402453B2 (en) * 2004-07-28 2008-07-22 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US20060023107A1 (en) * 2004-08-02 2006-02-02 Bolken Todd O Microelectronic imagers with optics supports having threadless interfaces and methods for manufacturing such microelectronic imagers
US7364934B2 (en) 2004-08-10 2008-04-29 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US7397066B2 (en) * 2004-08-19 2008-07-08 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with curved image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers
US7223626B2 (en) * 2004-08-19 2007-05-29 Micron Technology, Inc. Spacers for packaged microelectronic imagers and methods of making and using spacers for wafer-level packaging of imagers
US7115961B2 (en) * 2004-08-24 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imaging devices and methods of packaging microelectronic imaging devices
US7425499B2 (en) * 2004-08-24 2008-09-16 Micron Technology, Inc. Methods for forming interconnects in vias and microelectronic workpieces including such interconnects
US7429494B2 (en) 2004-08-24 2008-09-30 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with optical devices having integral reference features and methods for manufacturing such microelectronic imagers
US7276393B2 (en) 2004-08-26 2007-10-02 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US7511262B2 (en) * 2004-08-30 2009-03-31 Micron Technology, Inc. Optical device and assembly for use with imaging dies, and wafer-label imager assembly
US20070148807A1 (en) * 2005-08-22 2007-06-28 Salman Akram Microelectronic imagers with integrated optical devices and methods for manufacturing such microelectronic imagers
US7646075B2 (en) * 2004-08-31 2010-01-12 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers having front side contacts
US7300857B2 (en) 2004-09-02 2007-11-27 Micron Technology, Inc. Through-wafer interconnects for photoimager and memory wafers
IL165212A (en) 2004-11-15 2012-05-31 Elbit Systems Electro Optics Elop Ltd Device for scanning light
US7800823B2 (en) 2004-12-06 2010-09-21 Moxtek, Inc. Polarization device to polarize and further control light
US7570424B2 (en) 2004-12-06 2009-08-04 Moxtek, Inc. Multilayer wire-grid polarizer
US7961393B2 (en) 2004-12-06 2011-06-14 Moxtek, Inc. Selectively absorptive wire-grid polarizer
US7271482B2 (en) * 2004-12-30 2007-09-18 Micron Technology, Inc. Methods for forming interconnects in microelectronic workpieces and microelectronic workpieces formed using such methods
US7214919B2 (en) * 2005-02-08 2007-05-08 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US7303931B2 (en) * 2005-02-10 2007-12-04 Micron Technology, Inc. Microfeature workpieces having microlenses and methods of forming microlenses on microfeature workpieces
US20060177999A1 (en) * 2005-02-10 2006-08-10 Micron Technology, Inc. Microelectronic workpieces and methods for forming interconnects in microelectronic workpieces
US7190039B2 (en) * 2005-02-18 2007-03-13 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with shaped image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers
US20060290001A1 (en) * 2005-06-28 2006-12-28 Micron Technology, Inc. Interconnect vias and associated methods of formation
US7795134B2 (en) * 2005-06-28 2010-09-14 Micron Technology, Inc. Conductive interconnect structures and formation methods using supercritical fluids
JP5568236B2 (ja) 2005-07-22 2014-08-06 デジタルオプティクス・コーポレイション・イースト 光波長分割カプラおよび関連方法
US7466502B2 (en) 2005-12-07 2008-12-16 Tessera North America, Inc. Optical wavelength division coupler and associated methods
US7622377B2 (en) * 2005-09-01 2009-11-24 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece substrates having through-substrate vias, and associated methods of formation
US7262134B2 (en) * 2005-09-01 2007-08-28 Micron Technology, Inc. Microfeature workpieces and methods for forming interconnects in microfeature workpieces
US7288757B2 (en) * 2005-09-01 2007-10-30 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging devices and associated methods for attaching transmissive elements
US20070216049A1 (en) * 2006-03-20 2007-09-20 Heptagon Oy Method and tool for manufacturing optical elements
US20070216046A1 (en) * 2006-03-20 2007-09-20 Heptagon Oy Manufacturing miniature structured elements with tool incorporating spacer elements
US20070216048A1 (en) * 2006-03-20 2007-09-20 Heptagon Oy Manufacturing optical elements
US20070236591A1 (en) * 2006-04-11 2007-10-11 Tam Samuel W Method for mounting protective covers over image capture devices and devices manufactured thereby
US8755113B2 (en) 2006-08-31 2014-06-17 Moxtek, Inc. Durable, inorganic, absorptive, ultra-violet, grid polarizer
KR100994845B1 (ko) * 2006-11-02 2010-11-16 도판 인사츠 가부시키가이샤 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법
US8456560B2 (en) * 2007-01-26 2013-06-04 Digitaloptics Corporation Wafer level camera module and method of manufacture
US7692256B2 (en) * 2007-03-23 2010-04-06 Heptagon Oy Method of producing a wafer scale package
CA2685080A1 (en) 2007-04-24 2008-11-06 Flextronics Ap Llc Small form factor modules using wafer level optics with bottom cavity and flip-chip assembly
US7789515B2 (en) 2007-05-17 2010-09-07 Moxtek, Inc. Projection device with a folded optical path and wire-grid polarizer
US20080309900A1 (en) * 2007-06-12 2008-12-18 Micron Technology, Inc. Method of making patterning device, patterning device for making patterned structure, and method of making patterned structure
JP2009049051A (ja) * 2007-08-14 2009-03-05 Elpida Memory Inc 半導体基板の接合方法及びそれにより製造された積層体
CN101373224A (zh) * 2007-08-24 2009-02-25 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 镀膜镜片的制作方法
CN101784378A (zh) * 2007-08-31 2010-07-21 柯尼卡美能达精密光学株式会社 成型方法、光学元件制造方法及阵列状光学元件
KR20090033070A (ko) * 2007-09-27 2009-04-01 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈
US20090093137A1 (en) * 2007-10-08 2009-04-09 Xloom Communications, (Israel) Ltd. Optical communications module
WO2009067832A1 (en) * 2007-11-27 2009-06-04 Heptagon Oy Encapsulated lens stack
TWI402979B (zh) * 2007-12-13 2013-07-21 Sharp Kk 電子元件晶圓模組、電子元件模組、感測器晶圓模組、感測器模組、透鏡陣列盤、感測器模組之製造方法、及電子資訊裝置
US20090159200A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Heptagon Oy Spacer element and method for manufacturing a spacer element
TWI481496B (zh) * 2007-12-19 2015-04-21 Heptagon Micro Optics Pte Ltd 製造光學元件的方法
DE102008019600B4 (de) 2008-04-18 2021-03-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Optische Vorrichtung in gestapelter Bauweise und Verfahren zur Herstellung derselben
DE102008020645A1 (de) 2008-04-24 2010-05-12 Sonopress Gmbh Verfahren zum justierten Fügen der Flächen von zwei Werkstücken
FR2931587B1 (fr) * 2008-05-21 2011-05-13 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'un dispositif optique a composants optoelectroniques integres
US20090321861A1 (en) * 2008-06-26 2009-12-31 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with stacked lens assemblies and processes for wafer-level packaging of microelectronic imagers
US7916396B2 (en) * 2008-06-27 2011-03-29 Micron Technology, Inc. Lens master devices, lens structures, imaging devices, and methods and apparatuses of making the same
CN101630053A (zh) * 2008-07-15 2010-01-20 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 微组合镜片装置及其制造方法
US8134589B2 (en) * 2008-07-17 2012-03-13 Eastman Kodak Company Zoom by multiple image capture
US20100123260A1 (en) * 2008-11-19 2010-05-20 Jacques Duparre Stamp with mask pattern for discrete lens replication
JP2010147359A (ja) * 2008-12-22 2010-07-01 Hitachi Ltd 光モジュール
US20100194465A1 (en) * 2009-02-02 2010-08-05 Ali Salih Temperature compensated current source and method therefor
US8248696B2 (en) 2009-06-25 2012-08-21 Moxtek, Inc. Nano fractal diffuser
US9419032B2 (en) 2009-08-14 2016-08-16 Nanchang O-Film Optoelectronics Technology Ltd Wafer level camera module with molded housing and method of manufacturing
TWI424213B (zh) * 2010-02-26 2014-01-21 Pacific Speed Ltd Method and structure of optical lens module
US8081388B2 (en) * 2010-04-14 2011-12-20 Pacific Speed Limited Photoelectric lens module and fabrication thereof
US8611007B2 (en) 2010-09-21 2013-12-17 Moxtek, Inc. Fine pitch wire grid polarizer
US8913321B2 (en) 2010-09-21 2014-12-16 Moxtek, Inc. Fine pitch grid polarizer
EP2667225A4 (en) * 2011-01-21 2014-07-09 Fujifilm Corp STACKING LINE ARRANGEMENT AND LENS MODULE
US8545114B2 (en) 2011-03-11 2013-10-01 Digitaloptics Corporation Auto focus-zoom actuator or camera module contamination reduction feature with integrated protective membrane
CN102738013B (zh) * 2011-04-13 2016-04-20 精材科技股份有限公司 晶片封装体及其制作方法
WO2012158709A1 (en) 2011-05-16 2012-11-22 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Thermally managed led arrays assembled by printing
US8873144B2 (en) 2011-05-17 2014-10-28 Moxtek, Inc. Wire grid polarizer with multiple functionality sections
US8913320B2 (en) 2011-05-17 2014-12-16 Moxtek, Inc. Wire grid polarizer with bordered sections
SG2014005805A (en) 2011-08-10 2014-06-27 Heptagon Micro Optics Pte Ltd Opto-electronic module and method for manufacturing the same
US20130122247A1 (en) * 2011-11-10 2013-05-16 Omnivision Technologies, Inc. Spacer Wafer For Wafer-Level Camera And Method For Manufacturing Same
TW201339630A (zh) 2011-11-30 2013-10-01 Anteryon Internat B V 設備與方法
US9348120B2 (en) 2012-01-23 2016-05-24 Flir Systems Trading Belgium Bvba LWIR imaging lens, image capturing system having the same, and associated method
US9651417B2 (en) 2012-02-15 2017-05-16 Apple Inc. Scanning depth engine
US8922890B2 (en) 2012-03-21 2014-12-30 Moxtek, Inc. Polarizer edge rib modification
CN104221058B (zh) 2012-03-22 2017-03-08 苹果公司 装有万向接头的扫描镜阵列
KR102208832B1 (ko) 2012-05-17 2021-01-29 에이엠에스 센서스 싱가포르 피티이. 리미티드. 웨이퍼 스택 조립
JPWO2013191034A1 (ja) * 2012-06-22 2016-05-26 コニカミノルタ株式会社 ウエハレンズ、ウエハレンズ用の成形型及びウエハレンズの製造方法
AU2013294616B2 (en) 2012-07-26 2016-04-28 Apple Inc. Dual-axis scanning mirror
KR20150063540A (ko) 2012-10-23 2015-06-09 애플 인크. 마이크로 기계 디바이스의 제조
US8817394B2 (en) * 2013-01-17 2014-08-26 Himax Technologies Limited Lens module and manufacturing method thereof
JP6301067B2 (ja) * 2013-04-26 2018-03-28 富士通コンポーネント株式会社 光学部材、光モジュール
US9632223B2 (en) 2013-10-24 2017-04-25 Moxtek, Inc. Wire grid polarizer with side region
US9835853B1 (en) 2014-11-26 2017-12-05 Apple Inc. MEMS scanner with mirrors of different sizes
US9784838B1 (en) 2014-11-26 2017-10-10 Apple Inc. Compact scanner with gimbaled optics
US9798135B2 (en) 2015-02-16 2017-10-24 Apple Inc. Hybrid MEMS scanning module
US10234695B2 (en) * 2015-02-16 2019-03-19 Apple Inc. Low-temperature hermetic sealing for diffractive optical element stacks
JP6611450B2 (ja) * 2015-03-31 2019-11-27 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、及び物品の製造方法
US9897801B2 (en) 2015-09-30 2018-02-20 Apple Inc. Multi-hinge mirror assembly
US9703096B2 (en) 2015-09-30 2017-07-11 Apple Inc. Asymmetric MEMS mirror assembly
CN108369338B (zh) 2015-12-09 2021-01-12 快图有限公司 图像采集系统
US11465375B2 (en) * 2015-12-15 2022-10-11 Vadient Optics, Llc Nanocomposite refractive index gradient variable focus optic
US10394004B2 (en) 2016-04-05 2019-08-27 Qualcomm Incorporated Systems and devices having single-sided wafer-level optics
US20180017741A1 (en) * 2016-07-15 2018-01-18 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package device and method of manufacturing the same
US10488652B2 (en) 2016-09-21 2019-11-26 Apple Inc. Prism-based scanner
US10483215B2 (en) * 2016-09-22 2019-11-19 International Business Machines Corporation Wafer level integration including design/co-design, structure process, equipment stress management and thermal management
FR3058830B1 (fr) 2016-11-14 2018-11-30 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de realisation collective d’une pluralite de puces optoelectroniques
US11318692B2 (en) 2017-10-17 2022-05-03 Magic Leap, Inc. Methods and apparatuses for casting polymer products
US10677964B2 (en) 2017-10-23 2020-06-09 Omnivision Technologies, Inc. Lens wafer assembly and associated method for manufacturing a stepped spacer wafer
KR102536821B1 (ko) 2018-04-16 2023-05-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 임시 및 영구 접합을 사용하는 다중 적층 광학 요소들
US11009661B2 (en) 2018-10-16 2021-05-18 Magic Leap, Inc. Methods and apparatuses for casting polymer products
KR102705224B1 (ko) 2019-08-18 2024-09-11 애플 인크. 광의 빔들을 스캐닝하기 위한 디바이스 및 방법
WO2022020257A1 (en) * 2020-07-20 2022-01-27 Apple Inc. Photonic integrated circuits with controlled collapse chip connections
GB202019552D0 (en) * 2020-12-11 2021-01-27 Ams Sensors Singapore Pte Ltd Forming an optical system
US20240248322A1 (en) * 2021-05-04 2024-07-25 Fingerprint Cards Anacatum Ip Ab Optical fingerprint sensor comprising a diffractive element
US12111210B2 (en) 2021-07-08 2024-10-08 Apple Inc. Light source modules for noise mitigation
US12111207B2 (en) 2022-09-23 2024-10-08 Apple Inc. Despeckling in optical measurement systems

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3579816A (en) * 1968-12-23 1971-05-25 Sylvania Electric Prod Method of producing semiconductor devices
US3691707A (en) * 1969-11-12 1972-09-19 Sola Basic Ind Semiconductor material cutting apparatus and method of making the same
US3674004A (en) * 1969-12-30 1972-07-04 Ibm Precision cutting apparatus and method of operation therefor
US3698080A (en) * 1970-11-02 1972-10-17 Gen Electric Process for forming low impedance ohmic attachments
US4104297A (en) 1976-05-12 1978-08-01 Ciba-Geigy Corporation Thermoplastic polyesters prepared from dicarboxylic acids containing N-heterocyclic rings
US4222070A (en) * 1978-03-13 1980-09-09 Eastman Kodak Company Recording video information on a flexible master disc
JPS60103308A (ja) * 1983-11-11 1985-06-07 Pioneer Electronic Corp マイクロフレネルレンズの製造方法
EP0164834B1 (en) * 1984-04-06 1989-03-01 Plessey Overseas Limited Improvements relating to the fabrication of optical devices
GB8420182D0 (en) * 1984-08-08 1984-09-12 Pa Consulting Services Diffraction gratings
DE3524301A1 (de) * 1985-07-06 1987-01-15 Semikron Gleichrichterbau Verfahren zum herstellen von halbleiterelementen
JPH0642291B2 (ja) * 1986-08-25 1994-06-01 キヤノン株式会社 集積化光ヘツド
US4731155A (en) * 1987-04-15 1988-03-15 General Electric Company Process for forming a lithographic mask
US5161059A (en) 1987-09-21 1992-11-03 Massachusetts Institute Of Technology High-efficiency, multilevel, diffractive optical elements
US5182055A (en) * 1988-04-18 1993-01-26 3D Systems, Inc. Method of making a three-dimensional object by stereolithography
US5171392A (en) * 1988-11-08 1992-12-15 Pioneer Electronic Corporation Method of producing an optical information record carrier
US4883528A (en) 1989-03-08 1989-11-28 Corning Incorporated Apparatus for molding glass optical elements
CA2020180C (en) * 1989-06-30 2000-01-04 Stephen A. Zager Method for making optically readable media containing embossed information
US5157001A (en) * 1989-09-18 1992-10-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of dicing semiconductor wafer along protective film formed on scribe lines
US5034083A (en) * 1989-10-16 1991-07-23 Xerox Corporation Process and apparatus for assembling smaller scanning or printing arrays together to form an extended array
EP0426441B1 (en) * 1989-10-30 1996-12-11 Sharp Kabushiki Kaisha An optical device having a microlens and a process for making microlenses
JP2808794B2 (ja) * 1990-02-22 1998-10-08 ソニー株式会社 両面光ディスク
US5214535A (en) * 1991-12-17 1993-05-25 Xerox Corporation Lens cover assembly for binary diffractive optic lenses
US5330799A (en) * 1992-09-15 1994-07-19 The Phscologram Venture, Inc. Press polymerization of lenticular images
US5448014A (en) 1993-01-27 1995-09-05 Trw Inc. Mass simultaneous sealing and electrical connection of electronic devices
JPH07225303A (ja) * 1993-12-16 1995-08-22 Sharp Corp マイクロレンズ基板及びそれを用いた液晶表示素子ならびに液晶プロジェクタ装置
US5510633A (en) * 1994-06-08 1996-04-23 Xerox Corporation Porous silicon light emitting diode arrays and method of fabrication
US5575878A (en) * 1994-11-30 1996-11-19 Honeywell Inc. Method for making surface relief profilers
US5630902A (en) * 1994-12-30 1997-05-20 Honeywell Inc. Apparatus for use in high fidelty replication of diffractive optical elements
US5597613A (en) 1994-12-30 1997-01-28 Honeywell Inc. Scale-up process for replicating large area diffractive optical elements
US5609642A (en) 1995-02-15 1997-03-11 Smith & Nephew Richards Inc. Tibial trial prosthesis and bone preparation system
DE69632882T2 (de) * 1995-02-27 2005-07-14 Symbol Technologies, Inc. Abtastmodul für einen optischen Abtaster
DE59604779D1 (de) * 1995-03-31 2000-04-27 Karlsruhe Forschzent Verfahren und vorrichtung zur herstellung von zweischichtigen, lichtleitenden mikrostrukturen durch abformtechnik
US5772905A (en) * 1995-11-15 1998-06-30 Regents Of The University Of Minnesota Nanoimprint lithography
US6096155A (en) * 1996-09-27 2000-08-01 Digital Optics Corporation Method of dicing wafer level integrated multiple optical elements
US6235141B1 (en) * 1996-09-27 2001-05-22 Digital Optics Corporation Method of mass producing and packaging integrated optical subsystems
US5771218A (en) 1996-09-27 1998-06-23 Digital Optics Corporation Passively aligned integrated optical head including light source, detector, and optical element and methods of forming same
US6128134A (en) 1997-08-27 2000-10-03 Digital Optics Corporation Integrated beam shaper and use thereof
US6066218A (en) * 1998-04-23 2000-05-23 3M Innovative Properties Company Method and apparatus for assembling an optical recording medium
US6027595A (en) * 1998-07-02 2000-02-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of making optical replicas by stamping in photoresist and replicas formed thereby

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100940943B1 (ko) * 2001-08-24 2010-02-08 쇼오트 아게 전자 부품 제조 방법
KR100986816B1 (ko) * 2001-08-24 2010-10-12 쇼오트 아게 전자 부품 제조 방법
US9450043B2 (en) 2004-06-04 2016-09-20 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Methods and devices for fabricating and assembling printable semiconductor elements
US9761444B2 (en) 2004-06-04 2017-09-12 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Methods and devices for fabricating and assembling printable semiconductor elements
US9768086B2 (en) 2004-06-04 2017-09-19 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Methods and devices for fabricating and assembling printable semiconductor elements
US10374072B2 (en) 2004-06-04 2019-08-06 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Methods and devices for fabricating and assembling printable semiconductor elements
US11088268B2 (en) 2004-06-04 2021-08-10 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Methods and devices for fabricating and assembling printable semiconductor elements
US12074213B2 (en) 2004-06-04 2024-08-27 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Methods and devices for fabricating and assembling printable semiconductor elements

Also Published As

Publication number Publication date
CN1276916A (zh) 2000-12-13
US6844978B2 (en) 2005-01-18
US20030011889A1 (en) 2003-01-16
US8318057B2 (en) 2012-11-27
EP1785746B1 (en) 2014-04-30
JP4310410B2 (ja) 2009-08-12
DE69838071T2 (de) 2008-03-13
EP1785746A2 (en) 2007-05-16
CN1165994C (zh) 2004-09-08
US20130083397A1 (en) 2013-04-04
US6610166B1 (en) 2003-08-26
ATE366998T1 (de) 2007-08-15
EP1036415A2 (en) 2000-09-20
CA2304670A1 (en) 1999-04-15
US20040040648A1 (en) 2004-03-04
EP1036415B1 (en) 2007-07-11
WO1999018612A2 (en) 1999-04-15
AU9597798A (en) 1999-04-27
JP2001519601A (ja) 2001-10-23
WO1999018612A3 (en) 1999-07-29
DE69838071D1 (de) 2007-08-23
EP1785746A3 (en) 2007-05-30
US6406583B1 (en) 2002-06-18
CA2304670C (en) 2005-03-29
US6096155A (en) 2000-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20010030924A (ko) 다수의 광학소자에 대한 웨이퍼 수준의 집적방법
US6235141B1 (en) Method of mass producing and packaging integrated optical subsystems
US8153957B2 (en) Integrated optical imaging systems including an interior space between opposing substrates and associated methods
US20080136955A1 (en) Integrated camera and associated methods
US6669803B1 (en) Simultaneous provision of controlled height bonding material at a wafer level and associated structures
KR101194452B1 (ko) 광전자 기기 상의 마이크로 광학 기기
US7535949B2 (en) VCSEL with integrated lens
JP2002100758A (ja) 機能ブロックを含む装置およびその製造方法ならびに光伝送装置
US20100255139A1 (en) Micropattern transfer stamper and micropattern transfer device
US20070110361A1 (en) Wafer level integration of multiple optical elements
EP3341974B1 (en) Optical assemblies including a spacer adhering directly to a substrate
US6845120B2 (en) Laser array and method of making same
CA2492335C (en) Wafer level integration of multiple optical elements
JP4219677B2 (ja) 光学装置の製造方法
Kathman Integrated micro-optical systems

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid