KR20010012258A - 금속 페이스트 및 금속막의 제조 방법 - Google Patents

금속 페이스트 및 금속막의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20010012258A
KR20010012258A KR1019997010209A KR19997010209A KR20010012258A KR 20010012258 A KR20010012258 A KR 20010012258A KR 1019997010209 A KR1019997010209 A KR 1019997010209A KR 19997010209 A KR19997010209 A KR 19997010209A KR 20010012258 A KR20010012258 A KR 20010012258A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal
acid
paste
mmol
alcohol
Prior art date
Application number
KR1019997010209A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100517263B1 (ko
Inventor
히데끼 다까마쯔
Original Assignee
다까마쯔, 히데끼
다까마쯔 겡뀨쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다까마쯔, 히데끼, 다까마쯔 겡뀨쇼 filed Critical 다까마쯔, 히데끼
Publication of KR20010012258A publication Critical patent/KR20010012258A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100517263B1 publication Critical patent/KR100517263B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/08—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of metallic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

본 발명에 의하면 상압에서 고체인 주기율표 3족 내지 15족에 속하는 금속의 유기 또는 무기 금속 화합물과 매체로서의 아미노 화합물로 이루어지고, 도포할 수 있는 점성을 나타내는 금속 페이스트가 제공된다. 이 금속 페이스트를 사용하면, 세라믹 기판 뿐만 아니라, 유리, 플라스틱, 필름 등 연화점이 낮은 범용의 저렴한 각종 기판에도 각종 금속 또는 합금의 금속막을 공업적으로 간편한 공정과 장치로 용이하게 형성할 수 있다. 특히, 내열성이 낮은 프린트 배선판 및 금속을 피복시키는 기판에도 금속막을 상온에서 간편하게 제작할 수 있다.

Description

금속 페이스트 및 금속막의 제조 방법{Metal Paste and Method for Production of Metal Film}
금속은 각 종류마다 고유의 유용한 성질을 갖는다. 그 각종 금속은 단독 또는 합금으로서 세라믹 등의 기판상에 여러 가지 수단에 의해 막을 형성시키고, 각각 특징 있는 성능[도전성, 저항성, 반도전성, 투명성, 이온성, 내식성, 마찰성, 차광성, 착색성 및(또는) 금속 광택성 등]을 이용하여, 전자 재료나 전자 기기, 기계 재료 등의 표면 처리, 코팅, 자성 방지, 장식, 촉매 및 살균에 사용되며, 나아가 의약·농약 등의 분야에서 이용된다.
금속막을 제작하는 종래의 기술로서는, 다음과 같은 것이 알려져 있다.
① 스퍼터링법 등의 고진공을 필요로 하는 방법,
② 후막 페이스트법 등의 금속 잉크를 도포하여 소성하는 방법 등이다. ①의 스퍼터링법은 고가의 고진공 대형 장치를 필요로 하고, 배치식에서 양산성이 나쁘며 제조 비용이 높다. 따라서, 설비비가 저렴하고 생산성이 높은 ②의 페이스트법이 사용되고 있다. 이 방법에서는 각종 금속 페이스트를 기판상에 도포하여 소성하고, 간단한 공정과 장치로 연속적으로 금속막을 저렴하게 제조할 수 있다.
이 후막 페이스트법에 사용되는 페이스트는 각종 금속을 미립자로 하여 용매에 분산시키기만 한 불균일한 점성 액체이다. 그것을 도포하여 소성하면 금속 입자가 접촉하기만 한 금속막이 되어 균일한 막이 형성되지 않는다. 따라서, 전자 업계에서 가장 많이 사용되고 있는 은·팔라듐 합금의 경우에는, 가령 후막 페이스트법으로 형성하더라도 약 950 ℃의 고온까지 승온시켜 소성하고, 금속 미립자를 물리적으로 용융시켜 균일한 박막으로 할 필요가 있다. 따라서, 금속막을 형성시키는 기판으로서는 세라믹 기판이나 금속판 등의 고융점 기판밖에 사용할 수 없었다. 또한, 고온에서 소성을 행하기 때문에, 고열에 견디는 대형 소성로와 주변 시설, 고온 소성을 위한 에너지 등을 필요로 한다.
따라서, 페이스트의 소성 온도를 좀 더 낮출 수 있다면 설비비는 저렴해지고 에너지도 절약할 수 있어 비용을 낮출 수 있다. 또한, 연화점이 낮은 범용의 저렴한 기판(유리·플라스틱 등)상에도 금속막을 형성하는 것이 요망되고 있고, 따라서 금속막을 형성하는 소성 온도를 보다 낮출 것이 요망되고 있다.
이 결점을 극복하기 위해서, 무기 금속 입자를 일단 유기 금속 화합물로 변환하고, 용매로 균일하게 용해시켜 도포하고, 소성함으로써 얇고 균일한 금속막을 얻는 방법[유기 금속 (M0)법]이 제안되어 있다. 예를 들면, 금의 경우 황을 함유하는 유기 금 화합물을 이용한 페이스트법은 금의 미립자를 혼련한 후막 페이스트법보다도 금의 양이 약 1/7의 소량으로 동등한 성능을 발휘하는 균일한 금 막을 형성할 수 있다. 따라서, 금을 사용하는 분야에서는 종래의 후막 페이스트법에서 M0법으로 대체되고 있다.
상기 유기 금속 화합물의 제법으로서는 금속에 유기물을 직접 결합시켜 유기 금속 화합물로 바꾸는 합성법이 일반적으로 행해지고 있다. 이 합성법에서는 무기 금속을 유기 금속 화합물로 변환하기 위하여 특수한 제법이 필요하다. 또한, 이 때 100 %의 수율로 변환시키는 것은 곤란하며, 금속과 용매를 사용하는 방법과 비교하여 고가가 된다. 따라서, 금과 같이 바탕 금속 자체가 고가인 경우에는 실용화할 수 있지만, 다른 금속의 경우 이 방법을 채용하면 금속 자체의 가격보다도 유기 금속 화합물로 변환하는 공정 그 자체에 요하는 비용이 고가가 된다. 따라서, 산업계에서는 저렴하고, 금속막을 용이하게 제조할 수 있는 금속 페이스트가 요망되고 있다.
본 발명은 금속 페이스트 및 금속막의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 저온 소성으로 금속막을 형성할 수 있는 금속 페이스트 및 이 페이스트를 사용한 금속막의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 금속 페이스트는 전자 재료, 전자 기기, 기계 재료 등의 표면 처리, 코팅, 자성 방지 및 장식, 촉매 및 살균에 사용되는 금속막의 원료로서 유용하며, 나아가 의약·농약 등의 분야에서 이용되는 금속막의 원료로서도 유용하다.
또한, 현 상태에서는 금속이 바탕 금속 상태 그대로 사용되는 경우라도 원하는 금속막을 간편하게 제작할 수 있는 방법이 있다면 금속막으로 하여 이용하는 것이 취급이 쉽고, 경제적인 경우가 많다. 단, 금속막을 형성하기 위하여 고온에서 소성하기 때문에, 기판이 고융점의 재료로 한정되며, 따라서 금속막을 형성시키는 소성 온도를 좀 더 낮출 수 있다면 연화점이 낮은 범용의 저렴한 기판(유리, 플라스틱 등)으로도 용도가 넓어진다. 본 발명은 그 광범위한 이용이 가능한 저온 소성용 금속 페이스트에 관한 것이다.
도 1(a)는 X선 회절도이고, 도 l(b)는 도 1(a)의 피크 데이터이며, 도 1(c)는 은 및 팔라듐 단독의 피크 데이터를 나타낸다.
〈발명의 개시〉
상기 과제를 감안하여 본 발명의 발명자는 특수한 고가의 유기 금속 화합물이 아니라, 범용의 저렴한 고체의 유기 또는 무기 금속 화합물을 범용의 저렴한 아미노 화합물과 배합하면 의외로 액화 또는 슬러지화하여 도포할 수 있는 점성의 금속 페이스트를 수득할 수 있다는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
이러한 고체의 유기 또는 무기 금속 화합물에 아미노 화합물을 가하여, 교반이라는 간편한 수단에 의해 유기 또는 무기 금속 화합물을 직접 유기 금속(M0) 용 잉크로서 페이스트화할 수 있는 제조 방법은 문헌상 알려져 있지 않다.
이와 같이 본 발명에 의하면, 상온에서 고체인 주기율표 3족 내지 15족에 속하는 금속의 유기 또는 무기 금속 화합물과 매질로서의 아미노 화합물로 이루어지고, 도포할 수 있는 점성을 나타내는 금속 페이스트가 제공된다.
일반적으로 유기 금속 화합물은 불안정하지만, 상기 금속 페이스트에 유기산이나 유기 알코올을 가함으로써 화합물을 안정화시키고, 용해성이나 인쇄성도 향상시키는 것을 특징으로 하는 금속 페이스트가 제공된다.
또한, 본 발명에 의하면, 상기 금속 페이스트를 기판에 도포하고 90 ℃ 내지 550 ℃의 저온에서 소성함으로써 금속막을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속막의 제조 방법이 제공된다.
〈발명의 실시 형태〉
본 발명에서 상온에서 고체인 주기율표 3족 내지 15족에 속하는 금속 화합물이란, 금속과 카르보닐 화합물의 착물, 유기산 금속염 등의 유기 금속 화합물, 또한 시안화 금속, 질산 금속염 등의 무기 금속 화합물로서 존재하는 것이 포함된다.
주기율표 3족 내지 15족의 금속이란, 구체적으로는 팔라듐, 백금, 로듐, 금, 은, 코발트, 납, 구리, 인듐, 주석, 안티몬, 루테늄, 카드뮴, 탈륨, 비스무스, 크롬, 망간, 철, 니켈, 아연, 몰리브덴 등이 포함된다.
질산 금속염의 구체예로서는 질산 팔라듐, 질산 로듐, 질산 은, 질산 코발트, 질산 납, 질산 구리, 질산 인듐, 질산 주석, 질산 루테늄, 질산 카드뮴, 질산 탈륨, 질산 비스무스, 질산 크롬, 질산 망간, 질산 철, 질산 니켈, 질산 아연 등을 들 수 있다.
시안화 금속의 구체예로서는 시안화 팔라듐, 시안화 백금, 시안화 로듐, 시안화 금, 시안화 은, 시안화 코발트, 시안화 납, 시안화 구리, 시안화 탈륨, 시안화 철, 시안화 니켈, 시안화 아연 등을 들 수 있다.
카르보닐 화합물에는 금속과 착화합물을 형성할 수 있는 것이 포함된다. 예를 들면, 아세틸아세톤, 아세트아세트산에스테르, 아세트프로피온산에스테르 등과의 착화합물을 들 수 있다. 금속과 카르보닐 화합물의 착물의 구체예로서는 아세틸아세톤 백금, 아세틸아세톤 로듐, 아세틸아세톤 은, 아세틸아세톤 코발트, 아세틸아세톤 납, 아세틸아세톤 구리, 아세틸아세톤 인듐, 아세틸아세톤 카드뮴, 아세틸아세톤 탈륨, 아세틸아세톤 크롬, 아세틸아세톤 망간, 아세틸아세톤 철, 아세틸아세톤 니켈, 아세틸아세톤 아연, 아세틸아세톤 몰리브덴 등의 금속과 아세틸아세톤 화합물과의 착물, 아세트아세트산에틸아연 등의 금속과 아세트아세트산에스테르 화합물과의 착물, 아세트프로피온산에틸아연 등의 금속과 아세트프로피온산에스테르 화합물과의 착물, 로듐카르보닐, 루테늄카르보닐 등의 금속과 카르보닐 화합물과의 착물 등을 들 수 있다.
또한, 유기산 금속염으로서는 포름산 금속염, 아세트산 금속염, 옥살산 금속염, 시클로헥산프로피온산 금속염 등을 들 수 있다. 유기산 금속염의 구체예로서는 포름산 팔라듐, 포름산 인듐, 포름산 주석, 포름산 안티몬, 포름산 은, 포름산 루테늄 등의 포름산 금속염, 아세트산 팔라듐, 아세트산 로듐, 아세트산 은, 아세트산 코발트, 아세트산 납, 아세트산 구리, 아세트산 인듐, 아세트산 주석, 아세트산 안티몬, 아세트산 루테늄, 아세트산 카드뮴, 아세트산 탈륨, 아세트산 비스무스, 아세트산 크롬, 아세트산 망간, 아세트산 철, 아세트산 니켈, 아세트산 아연, 아세트산 몰리브덴 등의 아세트산 금속염, 옥살산 팔라듐, 옥살산 로듐, 옥살산 은, 옥살산 코발트, 옥살산 납, 옥살산 구리, 옥살산 인듐, 옥살산 주석, 옥살산 안티몬, 옥살산 루테늄, 옥살산 카드뮴, 옥살산 탈륨, 옥살산 비스무스, 옥살산 크롬, 옥살산 망간, 옥살산 철, 옥살산 니켈, 옥살산 아연, 옥살산 몰리브덴 등의 옥살산 금속염, 시클로헥산프로피온산 루테늄, 벤조산 팔라듐, 벤조산 은 등을 들 수 있다.
상기 유기 또는 무기 금속 화합물은 1종류이거나, 복수종을 조합할 수도 있다. 또한, 상기한 유기 또는 무기 금속 화합물은 수화물일 수 있다.
또한, 유기 또는 무기 금속 화합물 중 로듐아세틸아세토네이트, 시안화 금, 아세트산 팔라듐, 아세트산 탈륨, 아세트산 은, 아세트산 비스무스, 아세트산 주석, 아세트산 코발트, 아세트산 인듐, 아세트산 구리, 아세트산 안티몬, 포름산 은, 포름산 팔라듐, 포름산 인듐, 포름산 주석, 포름산 구리, 시클로헥산프로피온산 루테늄, 옥살산 주석이 바람직하다.
본 발명에 사용할 수 있는 아미노 화합물은 유기 또는 무기 금속 화합물을 도포할 수 있는 점성을 나타내는 페이스트로 할 수 있는 것이 포함된다. 또한, 본 발명에서는 통상 액체의 아미노 화합물이 사용되지만, 최종적으로 페이스트가 된다면 고체일 수도 있다. 보다 상세하게는, 본 발명의 아미노 화합물은 유기 또는 무기 금속 화합물과 배위 결합하여, 그 생성물이 페이스트성을 나타내는 화합물을 의미한다. 그 반응 결과로서, 유기 또는 무기 금속 화합물은 아미노 화합물과 상용 상태를 나타내고, 그에 따라 적당한 점성의 페이스트가 된다고 생각된다. 따라서, 아미노 화합물은 상온에서 고체인 것도 사용 가능하다.
바람직한 아미노 화합물은, 하기 화학식 [A]와 [B]에서 선택된다.
R1-NH-(Z-NH-R2)n
R3-NH-Y-O-R4
상기 식에서,
R1, R2, R3및 R4는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 8의 선형 또는 탄소수 3내지 8의 환형의 탄화수소(저급 알킬렌기로 치환될 수도 있다)이고,
Z 및 Y는 탄소수 1 내지 12의 선형 또는 탄소수 3 내지 12의 환형의 탄화수소(저급 알킬렌기로 치환될 수도 있다)이며,
n은 0 내지 4이다.
또한, 구체적으로는 화학식 [A]에 포함되는 화합물로서, 1,3-디아미노프로판, N-메틸-1,3-디아미노프로판, 2,2-디메틸-1,3-디아미노프로판, 1,4-디아미노부탄, 1,5-디아미노펜탄, 1,6-디아미노헥산, 1,2-디아미노시클로헥산, 1,3-디아미노시클로헥산, 1,4-디아미노시클로헥산, 1.7-디아미노헵탄, 1,12-디아미노도데칸, 2-메틸-1,5-디아미노펜탄, 1,2-페닐렌디아민, 1,3-페닐렌디아민, 1,4-페닐렌디아민 등의 디아미노 화합물, N-메틸아닐린, 1-페닐에틸아민 등의 모노아미노 화합물을 들 수 있고, 화학식 [B]에 포함되는 화합물로서, 2-메톡시에틸아민, 3-메톡시프로필아민, 2-에톡시에틸아민, 3-에톡시프로필아민, 3-프로폭시프로필아민, 2-아미노-1-프로판올, 2-아미노-2-메틸-1-프로판올, 1-아미노-2-프로판올 등의 모노아미노 화합물을 들 수 있다. 또한, 이들 아미노 화합물 이외에도 모르폴린 등도 사용할 수 있다.
상기 아미노 화합물은 단독이거나, 복수종을 조합할 수도 있다.
여기에서, 일반적으로 모노아미노 화합물은 디아미노 화합물과 비교하여, 생성된 금속 페이스트의 안정성이 뒤떨어진다. 그러나, 모노아민의 경우라도 NH2-(CH2)n-OH 또는 NH2-(CH2)n-OR [식 중, R은 탄소수 1 내지 8의 선형 또는 탄소수 3 내지 8의 환형의 탄화수소(저급 알킬렌기로 치환될 수도 있다)이며, n은 1 내지 12임]와 그 유도체는 디아미노 화합물에 뒤떨어지지 않고, 각종 유기 또는 무기 금속 화합물을 잘 용해시켜, 안정성이 매우 좋은 것을 발견하였다.
예를 들면, 시안화 금을 에틸렌디아민에 용해시켜 금 페이스트을 만들어 실온에서 보존하면, 약 하루만에 분해한다. 그러나, 동일 조건에서 1,3-디아미노프로판보다 큰 아민을 사용하면, 몇주에서 몇개월간 보존할 수 있었다. n=2와 n=3 이상과는 구조적으로 안정성이 다른 것을 발견하였다. 즉, 금속 페이스트의 안정성은 금속의 종류와 아민의 종류에 따라 크게 다른 것을 알 수 있다. 또한 NH2-(CH2)n-NH2의 디아미노 화합물에 있어서, n=3 이상인 아민이 우수한 용해성과 현저한 안정성을 가지며, 저온에서 소성할 수 있는 금속 페이스트를 제공할 수 있기 때문에 바람직하다.
본 발명의 금속 페이스트는 상기 유기 또는 무기 금속 화합물 및 아미노 화합물의 혼합물로 이루어지고, 해당 혼합물이 도포할 수 있는 점성을 갖는다. 본 발명에서는 유기 또는 무기 금속 화합물과 아미노 화합물의 혼합량을 변화시킴으로써, 원하는 점성으로 조절할 수 있다. 여기에서, 아미노 화합물은 유기 또는 무기 금속 화합물 1 몰에 대하여 0.2 몰 이상, 또한 0.6 내지 17.51 몰, 특히 1.0 내지 3 몰 포함되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 0.2 몰보다 적은 경우, 일반적으로 도포할 수 있는 점성을 얻기가 곤란해져 인쇄성이 나빠짐과 동시에 유기 또는 무기 금속 화합물을 용해하기 어려워져 바람직하지 않다.
금속 페이스트에 포함되는 유기기의 분자량이 커지면, 금속막에 소성할 때 고온이 필요하다. 따라서, 소성 온도를 낮추기 위해서는, 유기기의 분자량을 작게 할 수 있다. 그러나, 작게 하면 유동성이 감소하여, 일반적으로 인쇄성이나 성막 상태가 나빠진다. 따라서, 금속 페이스트에 유기산 및(또는) 알코올 등을 가하여 금속에 부가시키면, 소성 온도를 억제하면서 인쇄성 및 성막성을 향상시킬 수 있다.
특히, 본 발명에 가할 수 있는 유기산은 불안정한 유기 또는 무기 금속 화합물의 경우라도, 가함에 따라 금속 페이스트의 안정성 및 용해성을 향상시킬 수 있고, 소성 온도나 분해 온도를 변화시킬 수 있으며, 또한 소성막을 균일화하여 성막성을 향상시킨다. 또한, 각각의 목적과 용도에 따라 유기산의 종류를 변화시킴으로써 소성 온도를 조절하고, 여러 가지 성능의 금속막을 형성할 수 있다.
여기에서, 하기 화학식 [C]로 표시되는 지방족 또는 방향족 모노 또는 디카르복실산을 사용하는 것이 바람직하다.
R5-(COOR6)n
상기 식에서,
R5및 R6은 수소 원자, 알킬렌기로 치환될 수 있는 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 탄소수 3 내지 20의 환형의 탄화수소이며,
n은 1 내지 3이다(단, R5가 수소 원자일 경우 n은 1임)
또한, 지방족 또는 방향족의 모노 또는 디카르복실산은 저급 알킬기 등의 치환기로 치환될 수도 있다. 구체적인 지방족 또는 방향족의 모노 또는 디카르복실산으로서는, 포름산, 옥살산, 아세트산, 프로피온산, 부틸산, 발레르산, 카푸론산, 헵탄산, 카푸릴산, 2-에틸헥산산, 시클로헥산산, 시클로헥사프로피온산, 시클로헥산아세트산, 노난산, 말산, 글루타민산, 로이신산, 히드록시피발린산, 피발린산, 글루타르산, 아디핀산, 시클로헥산디카르복실산, 피메린산, 코르크산, 에틸부틸산, 벤조산, 페닐아세트산, 페닐프로피온산, 히드록시벤조산 등을 들 수 있다.
지방족 또는 방향족의 모노 또는 디카르복실산의 가 비율은 종류에 따라서 다르지만, 유기 또는 무기 금속 화합물 1몰에 대하여 0 내지 5몰 가되어 있는 것이 바람직하다.
한편, 지방족 또는 방향족의 모노 또는 다가 알코올의 가에 의해 불안정한 유기 또는 무기 금속 화합물의 경우라도 금속 페이스트의 안정성과 용해성 및 인쇄성을 향상시킬 수 있다.
여기에서, 하기 화학식 [D]로 표시되는 지방족 또는 방향족의 모노 또는 다가 알코올을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 지방족 또는 방향족의 모노 또는 다가 알코올은 치환기를 가질 수도 있고, 하기 화학식 [E]로 표시되는 시아노기로 치환된 지방족 또는 방향족의 모노 또는 다가 알코올을 사용하는 것이 바람직하다.
R6-(OH)n
상기 식에서,
R6은 알킬렌기로 치환될 수 있는 탄소수 l 내지 20의 선형 또는 탄소수 3 내지 20의 환형의 탄화수소이고,
n은 1 내지 4이다.
(NC)m-R7-(OH)n
상기 식에서,
R7은 탄소수 1 내지 7의 선형 또는 탄소수 3 내지 8의 환형의 탄화수소이고,
n은 1 내지 3이며,
m은 1 또는 2이다.(단, R7이 탄소수 1일 경우 n+m은 l 내지 4이고, 탄소수 2 이상일 경우 n+m은 1 내지 6임).
화학식 [D]에 해당하는 지방족 또한 방향족의 모노 또는 다가 알코올로서는 네롤, 시트로네롤, 히드록시네롤, 히드록시시트로네롤, 에틸알코올, 프로필알코올, 부틸알코올, 헥실알코올, 에틸헥실알코올, 데실알코올, 벤질알코올, 히드록시벤질알코올, 페닐에틸알코올, 페닐프로필알코올, 디히드록시벤젠, 시클로헥실알코올, 에틸시클로헥실알코올, 부틸시클로헥실알코올, 메톡시벤질알코올, 피페로닐알코올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,2-부탄디올, 2,2-디메틸-1,3-프로판디올 등을 들 수 있다.
또한, 화학식 [D]의 지방족 또는 방향족의 모노 또는 다가 알코올과 유기산의 에스테르도 사용할 수 있다. 구체적으로는, 벤조산메틸, 히드록시벤조산에틸, 2-에틸헥산산에틸, 아세트산에틸, 히드록시아세트산에틸, 리놀산메틸 등을 들 수 있다.
또한, 화학식 [D]의 지방족 또는 방향족의 모노 또는 다가 알코올의 에테르화합물도 사용할 수 있다. 구체적으로는, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 1-부톡시-2-프로판올 등을 들 수 있다.
화학식 [E]에 해당하는 지방족 또는 방향족의 모노 또는 다가 알코올로서는, 락토니트릴, 히드록시아세토니트릴, 에틸렌시아노히드린, 아세톤시아노히드린 등을 들 수 있다.
상기 지방족 또는 방향족의 모노 또는 다가 알코올 중, 화학식 [E]의 시아노기를 갖는 알코올을 가하는 것이 특히 바람직하다. 이 알코올의 가에 의해, 불안정한 유기 또는 무기 금속 화합물이 매우 안정화되고, 투명한 페이스트 상태를 안정하게 유지할 수 있다. 여기에서, 1가의 금 화합물을 사용한 페이스트는 그 안정화가 곤란하지만, 상기 화학식 [E]의 시아노기를 갖는 알코올을 가하면, 실온에서 약 4년 이상 보존할 수 있다.
지방족 또는 방향족의 모노 또는 다가 알코올의 가 비율은 종류에 따라서 다르지만, 유기 또는 무기 금속 화합물 1 몰에 대하여 0 내지 5 몰 가되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 지방족 또는 방향족의 모노 또는 디카르복실산 및 지방족 또는 방향족의 모노 또는 다가알코올을 금속 페이스트에 모두 가할 수 있다.
여기에서, 일반적으로 유기 금속 화합물은 인쇄법에 의해 도포하는 경우, 그 인쇄성이 좋지 않다고 알려져 있다. 그러나, 본 발명에서는 상기 금속 페이스트에 유기 케톤 및 유기 에테르를 가함으로써 매끄럽고 신장성이 풍부한 페이스트로 변화시키는 것을 발견하였다. 이에 따라, 인쇄성을 향상시킬 수 있고, 또한 보존안정성도 향상시킬 수 있기 때문에, 얇고 균일한 금속막을 형성하는 것이 가능해진다.
상기 유기 케톤으로서는, 지방족 또는 방향족의 케톤을 사용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 아세톤, 에틸메틸케톤, 2-펜타논, 3-펜타논, 3-메틸-2-부타논, 2-헥사논, 3-헥사논, 메틸부틸케톤, 3-메틸-2-펜타논, 2-헵타논, 3-헵타논, 4-헵타논, 아밀메틸케톤, 에틸부틸케톤, 2,4-디메틸-3-펜타논, 2-옥타논, 3-옥타논, 4-옥타논, 2,5-디메틸-3-헥사논, 시클로헥사논, 메틸시클로헥사논, 아세틸아세톤, 2,3-부탄디온, 2,3-펜탄디온, 3,4-헥산디온, 2,5-헥산디온, 시클로헥산디온 등의 지방족 케톤, 아세토페논 등의 방향족 케톤을 들 수 있다.
상기 유기 에테르로서는, 지방족 또는 방향족의 에테르를 사용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 4-메톡시-2-부타논, 4-에톡시-2-부타논, 4-메톡시-2-부타논, 2-메톡시-2-메틸-4-펜타논, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜디프로필에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜시메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜디프로필에테르, 아세탈, 아세톤디에틸아세탈, 2,2-디메톡시프로판 등의 지방족 에테르, 아니솔, 디메톡시벤젠 등의 방향족 에테르를 들 수 있다.
지방족 또는 방향족의 케톤 또는 에테르의 가 비율은 종류에 따라 다르지만, 유기 또는 무기 금속 화합물 1 몰에 대하여 0 내지 4 몰 가되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 지방족 또는 방향족의 케톤 또는 에테르를 조합하여 금속 페이스에 가할 수도 있다.
본 발명에서, 안정한 금속 페이스트를 수득할 수 있는 이유는, 다음 작용에 따른다고 생각된다. 즉, 상온에서 고체인 유기 또는 무기 금속 화합물에 아미노 화합물을 가하여 교반하면, 유기 또는 무기 금속 화합물은 액체가 된 아미노 화합물과 배위하여 페이스트화된다고 생각된다.
또한, 유기 또는 무기 금속 화합물과 아미노 화합물의 조합에 의해서는, 혼합에 의해 결정화하는 경우가 있는데, 그 때는 다른 종류의 아미노 화합물을 혼합시키면 페이스트화할 수 있다. 또한, 유기 또는 무기 금속의 아미노 화합물 상태로는 불안정한 경우가 많기 때문에, 거기에 유기산을 가하면 전체가 양성과 음성이 맞물린 구조의 조성물이 되기 때문에, 사이에 끼워진 활성의 금속도 안정화된다고 생각된다.
본 발명의 금속막의 제조 방법에 따르면, 금속 페이스트를 원하는 기판상에 도포하여, 소성함으로써 금속막을 제조할 수 있다. 이 때의 소성은 우선 저온 대역에서 결합력이 약한 알코올이 분리되고, 계속해서 산이 탈리되고, 이어서 아민의 배위가 분해되고 다시 승온시키면, 금속에 직접 결합된 유기기가 절단되어 금속막이 형성된다. 이 때 작은 유기기는 큰 유기기의 경우 보다 저온에서 분해되기 때문에, 저온 소성으로 금속막을 제조할 수 있다고 생각된다. 이것이 상온에서 고체인 유기 또는 무기 금속 화합물을 페이스트화하고, 저온에서 분해시켜 금속막을 형성하는 작용 기구이다.
또한, 금속은 중요한 재료로서 여러 가지 분야에서 이미 사용되고 있다. 즉, 전자 재료, 기계 재료, 광학 재료, 위생 재료, 생활 재료, 농업 재료, 의약 재료 등의 분야에서 상기 금속이 중용되고 있다. 이들 분야에서 금속 특유의 여러 성질을 이용하여, 종래 금속이 이용되어 온 도전 재료, 저항 재료, 전열 재료, 보온 재료, 광 및 전자파의 반사 및 흡수 재료, 내식 재료, 기계적 강도 재료, 마모 흡수용 재료, 촉매용 재료, 금속 광택용 재료, 착색용 재료, 장식용 재료 또는 미생물 번식 억제 재료 등으로서 본 발명의 페이스트를 사용할 수 있다.
소성 온도는 90 ℃ 내지 550 ℃, 바람직하게는 110 내지 350 ℃이다. 이 온도는 종래 금속의 융점 이상의 온도로 가열하여 처리하는 종래 방법과 비교하여, 열처리 온도를 현저히 낮추는 것이 가능하다. 따라서, 금속 페이스트를 도포할 수 있는 기판은 종래의 고열에 견디는 고융점의 기판(세라믹, 금속)만이 아니라, 그 외에도 범용의 유리, 수지(열경화성 수지, 열가소성 수지), 종이 등의 기판에도 본 발명의 금속막의 제조 방법을 적용할 수 있다. 따라서, 금속 특유의 성질을 갖는 금속막 피복 기판을 제공하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명의 기판에는 필름상, 시트상의 저융점 기판도 포함된다.
〈실시예〉
이하에, 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
〈실시예 1〉
질산 팔라듐(Pd(NO3)2) 1.00 g(4.34 밀리몰)에 1,3-디아미노프로판(NH2CH2CH2CH2NH2) 0.70 g(9.45 밀리몰), N-메틸-1,3-디아미노프로판(CH3NHCH2CH2CH2NH2) 0.70 g(7.94 밀리몰), 3-메톡시프로필아민(CH3OCH2CH2CH2NH2) 0.40 g(4.49 밀리몰)을 가하여 교반하자, 페이스트가 되었다. 이소부틸산((CH3)2CHCOOH) 1.20 g(13.62 밀리몰)을 가하여 혼련하여, 암갈색의 거의 투명한 페이스트가 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 320 ℃로 승온시켜 5분간 소성하여, 팔라듐 박막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 5.04배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 2〉
시안화 팔라듐(Pd(CN)2) 1.00 g(6.31 밀리몰)에 1,3-디아미노프로판 0.60 g(8.10 밀리몰), N-메틸-1,3-디아미노프로판 0.20 g(2.27 밀리몰), 2-메톡시에틸아민(CH3OCH2CH2NH2) 1.50 g(19.97 밀리몰), 락토니트릴(CH3CH(OH)CN) 0.40 g(5.63 밀리몰)을 가하여 교반하자, 투명한 페이스트가 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 300 ℃로 승온시켜 10분간 소성하여, 팔라듐의 균일한 박막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 4.81배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 3〉
아세트산 팔라듐(Pd(OOCCH3)2) 1.00 g(4.45 밀리몰)에 N-메틸-1,3-디아미노프로판 0.60 g(6.80 밀리몰), 2-메톡시에틸아민 0.40 g(5.33 밀리몰)을 가하여 교반하자, 투명한 페이스트가 되었다. 이것을 유리 등의 기판에 도포하여 250 ℃로 승온시켜 10분간 소성하여, 팔라듐의 균일한 막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 l 몰에 대하여 2.73배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 4〉
아세트산 팔라듐 1.00 g(4.45 밀리몰)에 N-메틸아닐린(C6H5NHCH3) 0.60 g (5.60 밀리몰), 이소부틸산 0.30 g(3.41 밀리몰)을 가하여 용해시키자, 갈색의 투명 페이스트가 되었다. 필요에 따라 페닐에틸알코올을 가하여 혼련하여, 인쇄성이 향상된 암적갈색의 페이스트가 되었다. 그것들을 유리 등의 기판에 도포하여 250 ℃로 승온시켜 10분간 소성하여, 경면의 팔라듐막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1몰에 대하여 1.26배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 5〉
아세트산팔라듐(Pd(OOCCH3)2) 1.00 g(4.45 밀리몰)에 N,N-디에틸-트리아미드 0.20 g(1.05 밀리몰), 히드록시시트로네롤 3.00 g(17.2 밀리몰)을 가하여 교반하자, 반투명의 페이스트가 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 250 ℃로 승온시켜 10분간 소성하여, 팔라듐의 균일한 막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 0.24배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 6〉
아세트산팔라듐 1.00 g(4.45 밀리몰)에 메타크릴산 0.20 g(2.32 밀리몰), 2-메톡시에틸아민 0.35 g(4.66 밀리몰)을 가하여 교반하자, 암색의 페이스트가 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 230 ℃로 승온시켜 10분간 소성하여, 팔라듐의 균일한 막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 1.05배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 7〉
아세트산 팔라듐 l.00 g(4.45 밀리몰)에 1-페닐에틸아민(C6H5CH(CH3)NH2) 0.40 g(3.73 밀리몰), 발레르산 0.40 g(3.92 밀리몰)을 가하여 교반하고, 흑갈색의 페이스트가 될 때까지 혼련하였다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 250 ℃로 승온시켜 10분간 소성하여, 팔라듐의 균일한 막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여, 0.84배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 8〉
질산 백금 디아미노프로판 배위 화합물(NH2CH2CH2CH2NH2·Pt(NO3)2) 1.00 g (3.02 밀리몰)에 l,2-디아미노시클로헥산(C6H10(NH2)2) 1.00 g(8.76 밀리몰)을 가하여 혼련하여, 엷은 갈색의 페이스트가 되었다. 아세트산을 등량 만큼 가하여 혼련하여, 거의 투명한 엷은 갈색의 페이스트가 되었다. 어떠한 경우든, 그것들을 유리 등의 기판에 도포하여 350 ℃로 승온시켜 5분간 소성하여, 백금막을 수득할 수 있었다. 이 때, 헵탄산 등의 고급산을 사용하자, 밀착성이 향상되었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 3.90배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 9〉
질산 제1탈륨(TlNO3) 1.00 g(3.75 밀리몰)에 1,2-디아미노시클로헥산 0.60 g(5.25 밀리몰), 1,3-디아미노프로판 0.30 g(4.05 밀리몰)을 가하여 교반하자, 무색 투명한 페이스트가 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 170 내지 180 ℃로 승온시켜 환원 분위기 중에서 소성하여, 탈륨막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 2.48배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 10〉
로듐아세틸아세토네이트(Rh(CH3COCHCOCH3)3) 1.00 g(2.50 밀리몰)에 N-메틸-1,3-디아미노프로판 0.80 g(9.07 밀리몰)을 가하자, 페이스트가 되었다. 이소부틸산 0.60 g(6.81 밀리몰)을 가하여 혼련하여, 암갈색의 투명하고 균일한 페이스트가 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 얇게 도포하여 390 ℃로 승온시켜 5분간 소성하여, 로듐막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 3.63배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 11〉
헥사로듐헥사데카카르보닐(Rh6(CO)16) 1.00 g(5.63 밀리 당량)에 1,3-디아미노프로판 0.60 g(8.10 밀리몰), 2-아미노-1-프로판올(NH2CH(CH3)CH2OH) 0.40 g(5.33 밀리몰)을 가하여 혼련하여, 균일한 페이스트가 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 290 ℃로 승온시켜 5분간 소성하여, 로듐막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 2.39배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 12〉
시안화 금(AuCN) 1.00 g(4.48 밀리몰)에 N-메틸-1,3-디아미노프로판 0.40 g(4.54 밀리몰), 1,7-디아미노헵탄(NH2(CH2)7NH2) 0.10 g(0.77 밀리몰), 3-프로폭시프로필아민 0.10 g(1.12 밀리몰)을 가하여 교반하였다. 시클로헥산산(C6H11COOH) 0.70 g(5.46 밀리몰)과 2-에틸헥산산(CH3CH2CH(CH3CH2)COOH) 0.80 g(5.55 밀리몰)를 가하여 혼련하여, 적자색의 투명한 페이스트가 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 500 내지 550 ℃로 소성하여, 금경(金鏡)의 박막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 l 몰에 대하여 1.44배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 13〉
시안화 금 1.00 g(4.48 밀리몰)에 락토니트릴 0.80 g(11.25 밀리몰), 2,2-디메틸-1,3-디아미노프로판(NH2CH2C(CH3)2CH2NH2) 0.60 g(5.87 밀리몰), 1,7-디아미노헵탄 0.10 g(0.77 밀리몰), 3-메톡시프로필아민 0.30 g(3.37 밀리몰)을 가하여 교반하자, 엷은 오렌지색의 투명한 페이스트가 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 500 내지 550 ℃로 소성하여, 금막을 수득할 수 있었다. 이 때, 락토니트릴을 가하자, 유기 금속 화합물은 매우 안정화되고, 실온에서 4년간 보존해도 전혀 분해하지 않으며, 엷은 오렌지색의 투명한 페이스트 상태 그대로인 것이 확인되었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 2.23배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 l4〉
아세트산 은(CH3COOAg) 1.00 g(5.99 밀리몰)에 노난산(C8H17COOH) 0.70 g (4.42 밀리몰)을 가하여 혼련하였다. 거기에 1,3-디아미노프로판 0.60 g(8.10 밀리몰)를 가하여 교반하자, 백회색의 페이스트가 되었다. 보다 혼련하여 갈색 반투명의 페이스트로 하였다. 1,4-페닐렌디아민(C6H4(NH2)2) 0.04 g(0.37 밀리몰)을 가하여 적갈색의 반투명해질 때까지 혼련하였다. 거기에 프로피온산(CH3CH2COOH) 0.50 g(6.75 밀리몰)을 가하여 적갈색의 투명 페이스트가 될 때까지 혼련하였다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 350 ℃로 승온시켜 5분간 소성하여, 은경(銀鏡)의 은막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 1.4l배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 15〉
아세트산 은 1.00 g(5.99 밀리몰)에 3-메톡시프로필아민 0.80 g(8.98 밀리몰), 1,12-디아미노도데칸(NH2(CH2)12NH2) 0.05 g(0.25 밀리몰)을 가하여 교반하였다. 거기에 헵탄산(C6H13COOH) 1.00 g(7.68 밀리몰), 말산(HOOCCH2CH(OH)COOH) 0.15 g(1.12 밀리몰)을 가하여 교반하였다. 다시, 1,3-디아미노프로판 0.60 g(8.10 밀리몰)을 가하여 엷은 벽돌색이 될 때까지 혼련하여, 투명한 페이스트가 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 300 ℃로 승온시켜 10분간 소성하여, 은색막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 2.89배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 16〉
아세트산 은 1.00 g(5.99 밀리몰)에 l,3-디아미노프로판 0.50 g(6.75 밀리몰), 3-메톡시프로필아민 0.60 g(6.73 밀리몰), 1,12-디아미노도데칸 0.05 g(0.24 밀리몰)을 가하여 교반하였다. 거기에 헵탄산 0.80 g(6.14 밀리몰), 시클로헥산프로피온산(C6Hl1(CH2)2COOH) 0.40 g(2.56 밀리몰), 말산 0.15 g(1.12 밀리몰), 1,2-디아미노시클로헥산 0.2 g(1.75 밀리몰)을 가하여 어두운 주황색이 될 때까지 혼련하여, 투명한 페이스트가 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 230 ℃로 승온시켜 10분간 소성하여, 은경의 막을 수득할 수 있었다. 또는 290 ℃로 승온시켜 10분간 소성하여, 은색막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 1.46배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 17〉
아세트산 은 1.00 g(5.99 밀리몰)에 1.3-디아미노프로판 0.50 g(6.75 밀리몰) 과 노난산 0.40 g(2.53 밀리몰)을 가하여 혼련하고, 주황색의 투명한 페이스트로 하였다. 1,2-디아미노시클로헥산 0.10 g(0.88 밀리몰)을 가하여 혼련하여, 다음날에는 자색의 페이스트가 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 300 ℃로 승온시켜 5분간 소성하여, 은경의 막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 l.27배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 18〉
포름산 은(HCOOAg) 1.00 g(6.54 밀리몰)에 1,2-디아미노시클로헥산 0.80 g(7.0l 밀리몰)을 가하여 혼련하였다. 에틸렌글리콜모노메틸에테르 (CH3OCH2CH2OH) 0.50 g(6.58 밀리몰)을 가하여 흑회색의 투명한 페이스트로 하였다. 이것을 필름 등의 기판에 도포하여 130 ℃로 승온시켜 5분간 소성하여, 약간 황색을 띤 은막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 1.07배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 19〉
포름산 은 1.00 g(6.54 밀리몰)에 1,3-디아미노프로판 0.80 g(10.80 밀리몰)을 가하여 혼련하였다. 이것을 필름 등의 기판에 도포하여 110 ℃로 승온시켜 5분간 소성하여, 은막을 수득할 수 있었다. 다시 아세트산(CH3COOH) 0.60 g(9.98 밀리몰)을 가하여 혼련하여, 안정한 페이스트가 되었다. 이것을 필름 등의 기판에 도포하여 120 ℃로 승온시켜 5분간 소성하여, 회색의 은막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 1.65배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 20〉
아세트산 은 0.80 g(4.79 밀리몰)의 결정에 아세트산 팔라듐 0.273 g(1.22 밀리몰)의 분말을 가하여 혼합하고, 2-메틸-1,5-디아미노펜탄 (NH2(CH2)3CH(CH3)CH2NH2) 0.30 g(2.58 밀리몰), 1-페닐에틸아민(C6H5CH (NH2)CH3) 0.30 g(2.48 밀리몰), 모르폴린(O〈(CH2)4〉NH) 0.30 g(3.44 밀리몰)을 가하여 교반하였다. 헵탄산 0.30 g(2.30 밀리몰)을 가하여 혼련하여, 갈색의 투명한 페이스트가 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 320 ℃로 승온시켜 10분간 소성하여, 경면의 은 팔라듐의 합금막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 1.41배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 21〉
아세트산 비스무스(Bi(OOCCH3)3) 1.00 g(2.59 밀리몰)에 1,2-디아미노시클로헥산 1.20 g(10.51 밀리몰)과 3-메톡시프로필아민 0.60 g(6.73 밀리몰)을 가하여 교반하자, 담색 투명한 페이스트가 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 250 내지 350 ℃로 승온시켜 환원 분위기 중에서 소성하여, 비스무스막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 6.66배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 22〉
아세트산 납 삼수화물(Pb(OOCCH3)2·3H2O) 1.00 g(2.64 밀리몰)에 1,2-디아미노시클로헥산 1.10 g(9.63 밀리몰)을 가하여 교반하였다. 다시 이소부틸산 0.20 g(2.27 밀리몰)을 가하여 교반하자, 담색의 거의 투명한 페이스트가 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 270 내지 300 ℃로 승온시켜 환원 분위기 중에서 소성하여, 납막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 3.65배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 23〉
아세트산 코발트 사수화물(Co(OOCCH3)2·4H2O) 1.00 g(4.01 밀리몰)에 N-메틸 -1,3-디아미노프로판 0.80 g(9.07 밀리몰)을 가하여 교반하자, 암자색의 투명한 페이스트가 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 270 내지 300 ℃로 승온시켜 환원 분위기 중에서 소성하여, 코발트막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 2.26배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 24〉
아세트산 인듐(In(OOCCH3)3) 1.00 g(3.42 밀리몰)에 1,3-디아미노프로판 0.90 g(12.15 밀리몰)을 가하여 교반하자, 조금 우유빛을 띤 무색 투명한 페이스트가 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 220 내지 230 ℃로 승온시켜 환원 분위기 중에서 소성하여, 인듐막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 3.55배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 25〉
아세트산 구리(Cu(OOCCH3)2) 1.00 g(5.51 밀리몰)에 1.3-디아미노프로판 1.20 g(16.19 밀리몰), 3-메톡시프로필아민 1.40 g(15.71 밀리몰), 히드록시시트로네롤 (HOC(CH3)2CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2OH) 1.20 g(6.90 밀리몰)을 가하여 교반하자, 청색의 투명액이 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 350 내지 360 ℃로 승온시켜 환원 분위기 중에서 소성하여, 구리막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 5.79배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 26〉
아세트산 안티몬(Sb(OOCCH3)3) 1.00 g(3.35 밀리몰)에 N-메틸-1,3-디아미노프로판 0.60 g(6.80 밀리몰), 3-메톡시프로필아민 060 g(6.73 밀리몰)을 가하여 교반하였다. 다시 피발린산(CH3C(CH3)2COOH) 0.40 g(3.92 밀리몰)을 가하여 혼련하여, 하얀 젖색의 반투명한 페이스트가 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 360 ℃로 승온시켜 환원 분위기 중에서 소성하여, 안티몬막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 4.04배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 27〉
아세트산 카드뮴 이수화물(Cd(OOCCH3)2·2H2O) 1.00 g(3.75 밀리몰)에 2-아미노-1-프로판올(NH2CH(CH3)CH2OH) 1.10 g(14.65 밀리몰)을 가하여 교반하자, 황색의 투명한 페이스트가 되었다. 그것을 200 내지 240 ℃로 처리하여 유리 등의 기판에 도포하고, 250 ℃로 승온시켜 환원 분위기 중에서 소성하여, 카드뮴막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 3.91배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 28〉
시클로헥산 프로피온산 루테늄(Ru(OOCCH2CH2C6H11)3) 1.00 g(1.76 밀리몰)에 1,2-디아미노시클로헥산 2.00 g(17.51 밀리몰)을 가하여 교반하고, 그 페이스트를 유리 등의 기판에 도포하여 300 ℃로 승온시켜 환원 분위기 중에서 소성하여, 루테늄막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 9.95배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 29〉
옥살산 주석(Sn(COO)2) 1.00 g(4.84 밀리몰)에 1,2-디아미노시클로헥산 2.00 g(17.51 밀리몰), 1,3-디아미노프로판 0.90 g(12.15 밀리몰)을 가하여 교반하자, 크림색의 페이스트가 되었다. 거기에, 시클로헥산프로피온산 1.00 g(6.40 밀리몰)을 가하여 교반하자, 반투명한 페이스트가 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 360 내지 400 ℃로 승온시켜 환원 분위기 중에서 소성하여, 주석막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 6.13배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 30〉
아세트산 은 0.80 g(4.79 밀리몰)의 결정에 아세트산 팔라듐 0.273 g(1.22 밀리몰)의 분말을 가하여 혼합하고, 2-메틸-1,5-디아미노펜탄 0.30 g(2.58 밀리몰), 1-페닐에틸아민 0.30 g(2.48 밀리몰), 모르폴린 0.30 g(3.44 밀리몰)을 가하여 교반하였다. 이어서, 헵탄산 0.30 g(2.30 밀리몰)을 가하여 혼련하여, 갈색의 투명한 페이스트가 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 290 ℃로 승온시켜 15분간 소성하여, 경면의 금속막을 수득할 수 있었다. 이것을 X선 회절시키자, 도 1(a) 내지 (c)에 의해 명확해진 바와 같이, 은 단독의 경우 비치는 위치에 피크 및 팔라듐 단독의 경우에 비치는 피크는 전혀 나오지 않았다. 그 대신에, 은 단독 및 팔라듐 단독의 경우에 비치는 피크의 중간 위치에 하나의 피크가 발생하였다. 또한, 도 1(a)는 X선 회절도, 도 1(b)는 도 1(a)의 피크 데이터, 도 1(c)는 은 및 팔라듐 단독의 피크 데이터(카드 데이터)를 나타낸다. 이에 따라, 각 금속의 융점보다 대폭으로 낮은 290 ℃의 온도에서 은 팔라듐의 합금이 생성되는 것이 확인되었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 1.41배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 31〉
아세트산 니켈 사수화물(Ni(OOCCH3)2·4H2O) l.00 g(4.02 밀리몰)의 결정에 N-메틸-1.3-디아미노프로판 0.70 g(7.94 밀리몰), 1-아미노-2-프로판올 (NH2CH2CH(CH3)OH) 0.10 g(1.33 밀리몰)을 가하여 교반하자, 청색의 투명한 점액이 되었다. 여기에 메틸이소부틸케톤 0.40 g과 이소부틸산 0.80 g를 가하여 교반하자, 투명한 페이스트가 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 환원 분위기 중에서 300 ℃로 승온시켜 소성하여, 니켈막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 2.31배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 32〉
아세트산 몰리브덴 다이머([(CH3COO)2Mo]2) 1.00 g(2.34 밀리몰)의 결정에 N-메틸-1,3-디아미노프로판 1.30 g(l4.74 밀리몰), 1-아미노-2-프로판올 0.55 g(7.32 밀리몰)을 가하여 교반하자, 갈색의 투명액이 되었다. 여기에 이소아밀메틸케톤 0.30 g과 이소부틸산 1.80 g를 가하여 교반하자, 투명한 페이스트가 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 환원 분위기 중에서 350 ℃로 승온시켜 소성하여, 몰리브덴막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 4.72배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 33〉
아세트산 망간 이수화물(Mn(OOCCH3)3·2H2O) 1.00 g(4.31 밀리몰)의 결정에 N-메틸-1.3-디아미노프로판 0.70 g(7.94 밀리몰), 1-아미노-2-프로판올 0.40 g(5.33 밀리몰)을 가하여 교반하자, 암갈색의 투명한 점액이 되었다. 여기에, 2,4-디메틸-3-펜타논 0.30 g과 이소부틸산 1.1O g를 가하여 교반하자, 투명한 페이스트가 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 환원 분위기 중에서 370 ℃로 승온시켜 소성하여, 망간막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 3.08배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 34〉
아세트산 아연 이수화물(Zn(OOCCH3)2·2H2O) 1.00 g(4.56 밀리몰)의 결정에 N-메틸-1,3-디아미노프로판 0.50 g(5.67 밀리몰), 1-아미노-2-프로판올 0.50 g(6.66 밀리몰)을 가하여 교반하자, 무색의 투명액이 되었다. 여기에 에틸렌글리콜디메틸에테르 0.30 g과 3-시클로헥산프로피온산(C6H11CH2CH2COOH) 1.00 g를 가하여 교반하자, 투명한 페이스트가 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 환원 분위기 중에서 300 ℃로 승온시켜 소성하여, 니켈막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 2.70배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 35〉
아세트산 크롬((CH3COO)7Cr3(OH)2) 1.00 g(1.66 밀리몰)의 결정에 N-메틸-1,3-디아미노프로판 0.85 g(9.64 밀리몰), 1-아미노-2-프로판올 0.50 g(6.66 밀리몰)을 가하여 교반하자, 녹색의 투명액이 되었다. 이것을 백열 전등에 비추자 자색, 형광등에 비추자 흑회색으로 보였다. 여기에 2-헵타논 0.30 g과 이소부틸산 1.30 g을 가하여 교반하자, 투명한 페이스트가 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 환원 분위기 중에서 340 ℃로 승온시켜 소성하여, 크롬 분말같은 막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 3.27배의 아미노 화합물을 사용하였다.
〈실시예 36〉
무수 아세트산 철(Fe(OOCCH3)2) 1.00 g(5.75 밀리몰)의 결정에 N-메틸-1,3-디 아미노프로판 0.60 g(6.80 밀리몰), 1-아미노-2-프로판올 0.50 g(6.66 밀리몰)을 가하여 교반하자, 갈색의 투명한 점액이 되었다. 여기에 디에틸렌글리콜디메틸에테르 0.30 g과 이소부틸산 1.10 g을 가하여 교반하자, 투명한 페이스트가 되었다. 그것을 유리 등의 기판에 도포하여 환원 분위기 중에서 350 ℃로 승온시켜 소성하여, 철막을 수득할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는 금속 1 몰에 대하여 2.34배의 아미노 화합물을 사용하였다.
본 발명의 금속 페이스트는 상온에서 고체인 주기율표 3족 내지 15족에 속하는 금속의 유기 또는 무기 금속 화합물에 매체로서 아미노 화합물을 배합하여, 도포할 수 있는 점성을 나타내는 페이스트상으로 한 것을 특징으로 한다.
따라서, 특수한 화합물 및 합성법을 사용할 필요가 없고, 범용의 저렴한 고체의 유기 또는 무기 금속 화합물에 범용의 저렴한 아미노 화합물을 가하여 교반이라는 간편한 수단에 의해, 유기 또는 무기 금속 화합물을 직접 용이하게 페이스트화할 수 있다. 또한, 본 발명의 금속 페이스트는 저온(예를 들면 90 내지 550 ℃의 범위)으로 소성할 수 있고, 각종 금속막을 수득할 수 있다. 따라서, 연화점이 낮은 범용의 저렴한 각종 기판에도 각종 금속 또는 합금의 금속막을 공업적으로 간편한 공정과 장치로 연속적으로 저렴하게 제조할 수 있다.
또한, 저온에서 소성하기 때문에 고온에서 소성했을 때보다도 금속의 표면이 산화되기 어려워져 도전성이 높은 금속막을 수득할 수 있다.
즉, 저비용의 유기 또는 무기 금속 화합물을 사용하여, 저온에서 소성할 수 있기 때문에 금속막 제조의 설비비를 저렴하게 할 수 있음과 동시에, 저융점의 범용되는 저렴한 기판에 금속막을 형성할 수 있다. 예를 들어, 현재 은·팔라듐의 금속막은 950 ℃의 고온에서 형성되고 있지만, 본 발명에서는 약 320 ℃의 소성으로 균일한 은·팔라듐의 합금막을 유리 기판에 형성할 수 있다.

Claims (16)

  1. 상온에서 고체인 주기율표 3족 내지 15족에 속하는 금속의 유기 또는 무기 금속 화합물과 매체로서의 아미노 화합물로 이루어지며, 도포할 수 있는 점성을 나타내는 금속 페이스트.
  2. 제1항에 있어서, 유기 또는 무기 금속 화합물이 주기율표 3족 내지 15족에 속하는 금속의 질산염, 시안 화합물, 카르보닐 화합물 또는 유기산염인 페이스트.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 주기율표 3족 내지 15족에 속하는 금속이 Pd, Pt, Rh, Au, Ag, Co, Pb, Cu, In, Sn, Sb, Ru, Cd, T1, Bi, Cr, Mn, Fe, Ni, Zn 또는 Mo인 페이스트.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 아미노 화합물이 지방족 또는 방향족 모노아민 또는 디아민인 페이스트.
  5. 제4항에 있어서, 지방족 또는 방향족 모노아민 또는 디아민이 1,3-디아미노프로판, N-메틸-1,3-디아미노프로판, 2,2-디메틸-1,3-디아미노프로판, 1,2-디아미노시클로헥산, 1,3-디아미노시클로헥산, 1,4-디아미노시클로헥산, 1,7-디아미노헵탄, 1,12-디아미노도데칸, 2-메틸-1,5-디아미노펜탄, 2-메톡시에틸아민, 3-메톡시프로필아민, 3-프로폭시프로필아민, 2-아미노-1-프로판올, N-메틸아닐린, 1-페닐에틸아민, 1,2-페닐렌디아민, 1,3-페닐렌디아민, 1,4-페닐렌디아민 또는 모르폴린인 페이스트.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 지방족 또는 방향족의 모노 또는 디카르복실산 또는 그들의 에스테르를 추가로 포함하는 페이스트.
  7. 제6항에 있어서, 지방족 또는 방향족의 모노 또는 디카르복실산 또는 그들의 에스테르가 포름산, 옥살산, 아세트산, 프로피온산, 부틸산, 2-에틸헥산산, 헵탄산, 노난산, 말산, 피발린산, 시클로헥산산, 시클로헥사프로피온산, 히드록시벤조산, 페닐아세트산, 벤조산메틸, 히드록시벤조산에틸, 2-에틸헥산산에틸, 아세트산에틸, 히드록시아세트산에틸, 리놀산메틸인 페이스트.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 지방족 또는 방향족의 모노 또는 다가알코올을 추가로 포함하는 페이스트.
  9. 제8항에 있어서, 지방족 또는 방향족의 모노 또는 다가 알코올이 네롤, 시트로네롤, 히드록시네롤, 히드록시시트로네롤, 에틸알코올, 프로필알코올, 부틸알코올, 헥실알코올, 에틸헥실알코올, 데실알코올, 벤질알코올, 히드록시벤질알코올, 페닐에틸알코올, 페닐프로필알코올, 디히드록시벤젠, 시클로헥실알코올, 에틸시클로헥실알코올, 부틸시클로헥실알코올, 메톡시벤질알코올, 피페로닐알코올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,2-부탄디올, 2,2-디메틸-1,3-프로판디올, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 1-부톡시-2-프로판올, 락토니트릴, 히드록시아세토니트릴, 에틸렌시아노히드린 또는 아세톤시아노히드린인 페이스트.
  10. 제1 내지 9항 중 어느 한 항에 있어서, 지방족 또는 방향족의 케톤을 추가로 포함하는 페이스트.
  11. 제10항에 있어서, 지방족 또는 방향족 케톤이 아세톤, 에틸메틸케톤, 2-펜타논, 3-펜타논, 3-메틸-2-부타논, 2-헥사논, 3-헥사논, 메틸부틸케톤, 3-메틸-2-펜타논, 2-헵타논, 3-헵타논, 4-헵타논, 아밀메틸케톤, 에틸부틸케톤, 2,4-디메틸-3-펜타논, 2-옥타논, 3-옥타논, 4-옥타논, 2,5-디메틸-3-헥사논, 시클로헥사논, 메틸시클로헥사논, 아세토페논, 아세틸아세톤, 2,3-부탄디온, 2,3-펜탄디온, 3,4-헥산디온, 2,5-헥산디온 또는 시클로헥산디온인 페이스트.
  12. 제1 내지 11항 중 어느 한 항에 있어서, 지방족 또는 방향족 에테르를 추가로 포함하는 페이스트.
  13. 제12항에 있어서, 지방족 또는 방향족의 에테르가 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜디프로필에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜디프로필에테르, 4-메톡시-2-부타논, 4-에톡시-2-부타논, 4-메톡시-2-부타논, 2-메톡시-2-메틸-4-펜타논, 아세탈, 아세톤디에틸아세탈, 2,2-디메톡시프로판, 아니솔 또는 디메톡시벤젠인 페이스트.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 전자 재료, 기계 재료, 광학 재료, 위생 재료, 생활 재료, 농업 재료 및 의약 재료의 분야에서 사용되는 페이스트.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 기재한 금속 페이스트를 기판에 도포하여 90℃ 내지 550 ℃로 소성함으로써 금속막을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속막의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서, 기판이 세라믹, 금속, 유리, 수지 또는 종이로 이루어지는 도전 재료, 저항 재료, 전열 재료, 보온 재료, 광 및 전자파의 반사 및 흡수 재료, 내식 재료, 기계적 강도 재료, 마모 흡수용 재료, 촉매용 재료, 금속 광택용 재료, 착색용 재료, 장식용 재료 또는 미생물 번식 억제 재료용의 기판인 제조 방법.
KR10-1999-7010209A 1997-05-06 1997-05-06 금속 페이스트 및 금속막의 제조 방법 KR100517263B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP1997/001527 WO1998050601A1 (fr) 1997-04-30 1997-05-06 Pate metallique et procede de production d'une couche metallique

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010012258A true KR20010012258A (ko) 2001-02-15
KR100517263B1 KR100517263B1 (ko) 2005-09-28

Family

ID=14180498

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-1999-7010209A KR100517263B1 (ko) 1997-05-06 1997-05-06 금속 페이스트 및 금속막의 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6197366B1 (ko)
EP (1) EP0989205A4 (ko)
KR (1) KR100517263B1 (ko)
CN (1) CN1137285C (ko)
WO (1) WO1998050601A1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100660928B1 (ko) * 2004-09-25 2006-12-26 주식회사 잉크테크 도전배선 형성용 유기은 잉크조성물.
KR100895192B1 (ko) * 2006-09-29 2009-04-24 주식회사 엘지화학 도전배선 형성용 페이스트에 사용되는 유기 은 착화합물
KR101241643B1 (ko) * 2006-09-29 2013-03-08 주식회사 엘지화학 도전성 페이스트 및 이를 사용한 기재

Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69819740T2 (de) * 1997-02-24 2004-09-30 Superior Micropowders Llc, Albuquerque Aerosolverfahren und -gerät, teilchenförmige produkte, und daraus hergestellte elektronische geräte
US6338809B1 (en) 1997-02-24 2002-01-15 Superior Micropowders Llc Aerosol method and apparatus, particulate products, and electronic devices made therefrom
US20030148024A1 (en) * 2001-10-05 2003-08-07 Kodas Toivo T. Low viscosity precursor compositons and methods for the depositon of conductive electronic features
US7108894B2 (en) * 1998-09-30 2006-09-19 Optomec Design Company Direct Write™ System
US7045015B2 (en) 1998-09-30 2006-05-16 Optomec Design Company Apparatuses and method for maskless mesoscale material deposition
US20040197493A1 (en) * 1998-09-30 2004-10-07 Optomec Design Company Apparatus, methods and precision spray processes for direct write and maskless mesoscale material deposition
US8110247B2 (en) * 1998-09-30 2012-02-07 Optomec Design Company Laser processing for heat-sensitive mesoscale deposition of oxygen-sensitive materials
CA2412904A1 (en) * 2000-06-13 2001-12-20 Element Six (Pty) Ltd. Composite diamond compacts
EP1379226A2 (en) * 2001-04-10 2004-01-14 Zagros Pharma Inc. Animal model for evaluating analgesics
AU2002337822A1 (en) * 2001-10-05 2003-04-22 Superior Micropowders Llc Low viscosity precursor compositions and methods for the deposition of conductive electronic features
US7629017B2 (en) * 2001-10-05 2009-12-08 Cabot Corporation Methods for the deposition of conductive electronic features
US6951666B2 (en) * 2001-10-05 2005-10-04 Cabot Corporation Precursor compositions for the deposition of electrically conductive features
US20060159838A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Controlling ink migration during the formation of printable electronic features
US20030108664A1 (en) * 2001-10-05 2003-06-12 Kodas Toivo T. Methods and compositions for the formation of recessed electrical features on a substrate
US7524528B2 (en) * 2001-10-05 2009-04-28 Cabot Corporation Precursor compositions and methods for the deposition of passive electrical components on a substrate
EP1444055A4 (en) * 2001-10-19 2007-04-18 Superior Micropowders Llc BAND-CONSTRUCTED COMPOSITIONS FOR DEPOSITING ELECTRONIC STRUCTURES
US7553512B2 (en) * 2001-11-02 2009-06-30 Cabot Corporation Method for fabricating an inorganic resistor
ES2197785B1 (es) * 2001-12-18 2005-03-01 Centro De Investigaciones Energeticas, Medioambientales Y Tecnologicas (C.I.E.M.A.T.) Procedimiento para depositar recubrimientos de metales y oxidos metalicos.
TW588101B (en) * 2001-12-27 2004-05-21 Fujikura Ltd Electro-conductive composition, electro-conductive coating and method for producing the coating
US6923923B2 (en) * 2001-12-29 2005-08-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Metallic nanoparticle cluster ink and method for forming metal pattern using the same
MXPA04010219A (es) * 2002-04-20 2005-03-07 Chemetall Gmbh Mezcla para aplicar un recubrimiento polimerico, a prueba de corrosion, electricamente soldable, y metodo para producir este recubrimiento.
US6921546B2 (en) * 2003-02-20 2005-07-26 Gemtron Corporation Antimicrobial glass and glass-like products and method of preparing same
DE10325243A1 (de) * 2003-06-03 2004-12-23 Basf Ag Abscheidung von Kupferschichten auf Substraten
US20040253386A1 (en) * 2003-06-13 2004-12-16 Sarojini Deevi Preparation of intermetallics by metallo-organic decomposition
US7157114B2 (en) 2003-09-29 2007-01-02 General Electric Company Platinum coating process
KR100568419B1 (ko) * 2003-12-15 2006-04-05 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 인덕터 제조 방법
DE10359884A1 (de) * 2003-12-19 2005-07-21 Ferro Gmbh Substrate mit einer transparenten, spiegelnden Metalloxid-Teilbeschichtung, deren Herstellung und Anwendung
US20050274933A1 (en) * 2004-06-15 2005-12-15 Peng Chen Formulation for printing organometallic compounds to form conductive traces
US20060093732A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 David Schut Ink-jet printing of coupling agents for trace or circuit deposition templating
US20080013299A1 (en) * 2004-12-13 2008-01-17 Optomec, Inc. Direct Patterning for EMI Shielding and Interconnects Using Miniature Aerosol Jet and Aerosol Jet Array
US7938341B2 (en) * 2004-12-13 2011-05-10 Optomec Design Company Miniature aerosol jet and aerosol jet array
US7674671B2 (en) * 2004-12-13 2010-03-09 Optomec Design Company Aerodynamic jetting of aerosolized fluids for fabrication of passive structures
US20060130700A1 (en) * 2004-12-16 2006-06-22 Reinartz Nicole M Silver-containing inkjet ink
US8334464B2 (en) * 2005-01-14 2012-12-18 Cabot Corporation Optimized multi-layer printing of electronics and displays
TW200642785A (en) * 2005-01-14 2006-12-16 Cabot Corp Metal nanoparticle compositions
US7533361B2 (en) * 2005-01-14 2009-05-12 Cabot Corporation System and process for manufacturing custom electronics by combining traditional electronics with printable electronics
WO2006076615A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Ink-jet printing of compositionally no-uniform features
US8383014B2 (en) 2010-06-15 2013-02-26 Cabot Corporation Metal nanoparticle compositions
EP1791702B9 (en) * 2005-01-14 2011-09-14 Cabot Corporation Security features, their use, and processes for making them
US20060163744A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-27 Cabot Corporation Printable electrical conductors
US20060190917A1 (en) * 2005-01-14 2006-08-24 Cabot Corporation System and process for manufacturing application specific printable circuits (ASPC'S) and other custom electronic devices
US7824466B2 (en) 2005-01-14 2010-11-02 Cabot Corporation Production of metal nanoparticles
WO2006076609A2 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Printable electronic features on non-uniform substrate and processes for making same
WO2007004437A1 (ja) * 2005-07-04 2007-01-11 Osaka Industrial Promotion Organization β－ケトカルボン酸銀、それを含む金属銀の形成材料、およびその用途
JP4822783B2 (ja) * 2005-09-22 2011-11-24 株式会社日本触媒 金属ナノ粒子の製法および当該製法により得られた粒子のコロイド
US20070154634A1 (en) * 2005-12-15 2007-07-05 Optomec Design Company Method and Apparatus for Low-Temperature Plasma Sintering
US7491646B2 (en) * 2006-07-20 2009-02-17 Xerox Corporation Electrically conductive feature fabrication process
US20100310630A1 (en) * 2007-04-27 2010-12-09 Technische Universitat Braunschweig Coated surface for cell culture
TWI482662B (zh) * 2007-08-30 2015-05-01 Optomec Inc 機械上一體式及緊密式耦合之列印頭以及噴霧源
TW200918325A (en) * 2007-08-31 2009-05-01 Optomec Inc AEROSOL JET® printing system for photovoltaic applications
TWI538737B (zh) * 2007-08-31 2016-06-21 阿普托麥克股份有限公司 材料沉積總成
US8887658B2 (en) * 2007-10-09 2014-11-18 Optomec, Inc. Multiple sheath multiple capillary aerosol jet
CN102047238B (zh) * 2008-05-29 2013-10-16 先进微装置公司 使用几何着色器的镶嵌引擎的系统及方法
JP5778382B2 (ja) * 2008-10-22 2015-09-16 東ソー株式会社 金属膜製造用組成物、金属膜の製造方法及び金属粉末の製造方法
US8894760B2 (en) * 2009-11-20 2014-11-25 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Group 3a ink and methods of making and using same
KR101681046B1 (ko) * 2009-11-26 2016-11-30 주식회사 동진쎄미켐 입자를 형성하지 않는 전도성 잉크 조성물 및 이의 제조방법
JP4832615B1 (ja) * 2010-11-01 2011-12-07 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 低温焼結性導電性ペーストおよびそれを用いた導電膜と導電膜の形成方法
US8986819B2 (en) 2011-06-06 2015-03-24 Xerox Corporation Palladium precursor composition
US8568824B2 (en) 2011-06-06 2013-10-29 Xerox Corporation Palladium precursor composition
US8574665B2 (en) 2011-06-06 2013-11-05 Xerox Corporation Palladium precursor composition
EP2572814B1 (de) * 2011-09-20 2016-03-30 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Paste und Verfahren zum Verbinden von elektronischem Bauelement mit Substrat
US9758688B2 (en) * 2012-09-21 2017-09-12 Sumitomo Chemical Company, Limited Composition for forming conductive film
JP6140189B2 (ja) * 2012-11-30 2017-05-31 ナミックス株式会社 導電ペースト及びその製造方法
JP6156991B2 (ja) * 2013-07-25 2017-07-05 株式会社Adeka 銅膜形成用組成物及びそれを用いた銅膜の製造方法
WO2016130709A1 (en) 2015-02-10 2016-08-18 Optomec, Inc. Fabrication of three-dimensional structures by in-flight curing of aerosols
JP6659665B2 (ja) * 2015-03-23 2020-03-04 バンドー化学株式会社 導電性被膜複合体及びその製造方法
US10279393B2 (en) 2016-07-18 2019-05-07 Zerovalent Nanometals, Inc. Method of producing copper nano particle colloidal dispersions
US10279331B2 (en) 2017-07-17 2019-05-07 Zerovalent Nanometals, Inc. Method of producing metallic nano particle colloidal dispersions
TW201922969A (zh) * 2017-08-03 2019-06-16 美商電子墨水股份有限公司 包含鈀之導電墨水組成物及用於製造其之方法
CN111655382B (zh) 2017-11-13 2022-05-31 奥普托美克公司 气溶胶流的阻挡

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3904783A (en) * 1970-11-11 1975-09-09 Nippon Telegraph & Telephone Method for forming a printed circuit
JPS62199669A (ja) * 1986-02-28 1987-09-03 Tomoegawa Paper Co Ltd ダイボンデイング用ペ−スト
JPS62225573A (ja) * 1986-03-28 1987-10-03 Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd 導電性ペ−スト用銅粉
US4960466A (en) * 1986-09-22 1990-10-02 Victorian Solar Energy Council Coating solutions
JPS63293178A (ja) * 1987-05-25 1988-11-30 Hakusui Kagaku Kogyo Kk 金属材料の高温酸化防止用金属含有組成物およびその製造法
JP2810047B2 (ja) * 1988-03-04 1998-10-15 白水化学工業株式会社 超伝導体製造用安定溶液及び超導薄膜の製造方法
JPH01318044A (ja) * 1988-06-16 1989-12-22 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk ルテニウムレジネートの製造方法
WO1991009151A1 (en) * 1989-12-08 1991-06-27 Akzo N.V. Method of metallizing substrates by chemical redox
US5348611A (en) * 1992-05-20 1994-09-20 General Signal Corporation Die paste transfer system and method
JPH0877826A (ja) * 1994-09-02 1996-03-22 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 有機白金ペースト
JPH08176177A (ja) * 1994-12-27 1996-07-09 Mitsubishi Materials Corp Ｐｔ膜形成用組成物、並びに、この組成物より形成したＰｔ膜及びＰｔ膜パターン

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100660928B1 (ko) * 2004-09-25 2006-12-26 주식회사 잉크테크 도전배선 형성용 유기은 잉크조성물.
KR100895192B1 (ko) * 2006-09-29 2009-04-24 주식회사 엘지화학 도전배선 형성용 페이스트에 사용되는 유기 은 착화합물
KR101241643B1 (ko) * 2006-09-29 2013-03-08 주식회사 엘지화학 도전성 페이스트 및 이를 사용한 기재

Also Published As

Publication number Publication date
EP0989205A1 (en) 2000-03-29
CN1254385A (zh) 2000-05-24
EP0989205A4 (en) 2003-05-28
WO1998050601A1 (fr) 1998-11-12
US6197366B1 (en) 2001-03-06
CN1137285C (zh) 2004-02-04
KR100517263B1 (ko) 2005-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100517263B1 (ko) 금속 페이스트 및 금속막의 제조 방법
JPH1072673A (ja) 金属ペースト及び金属膜の製造方法
US4510182A (en) Method for the production of homogeneous coatings of two or more metals and/or metal compounds
KR100727451B1 (ko) 금속 잉크 조성물
JP4964152B2 (ja) 導電性インク組成物及びこの製造方法
CN101010388B (zh) 导电墨水及其制造方法
KR100895192B1 (ko) 도전배선 형성용 페이스트에 사용되는 유기 은 착화합물
KR101986866B1 (ko) 구리 패턴 형성용 조성물 및 구리 패턴의 제조 방법
CN1950163A (zh) 金属微粒胶体溶液、导电膏材料、导电性油墨材料及这些的制造方法
JPWO2016031860A1 (ja) 金属質銅粒子及びその製造方法
JP2017516887A (ja) 導電性インク組成物
JP6717289B2 (ja) 銅含有粒子、導体形成組成物、導体の製造方法、導体及び装置
KR20020091124A (ko) 금 나노입자
CN111515385B (zh) 一种铜-镍核壳型纳米粉体和导电薄膜及其制备方法和应用
TWI326297B (en) Conductive ink composition and preparing method thereof
Kumar et al. Synthesis, characterization and anti-bacterial activity of divalent transition metal complexes of hydrazine and trimesic acid
JP5507161B2 (ja) 塗膜の製造方法
JP4532840B2 (ja) 金属ペースト
WO2015088008A1 (ja) インクジェット印刷用触媒インク
JP4739495B2 (ja) 金属ペースト
KR20110059714A (ko) 복합나노입자 및 그 제조방법
JP2003309337A (ja) プリント回路基板
TW380146B (en) Metallic paste and the preparation of metallic film
JP2017101307A (ja) 銅含有粒子、導体形成組成物、導体の製造方法、導体及び電子部品
Baranwal et al. Synthesis and characterization of oxo-bridged, trinuclear, six-coordinate mixed-carboxylato complexes of chromium (III)

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110810

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee