KR20000068223A - Hdd 서스펜션용 적층체 및 그의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 스테인레스 베이스부 위에 폴리이미드계 수지층 및 도체층이 순차로 형성되어 이루어지는 적층체로서, 폴리이미드계 수지층의 선팽창계수를 1×10-5∼3×10-5/℃의 범위로 하고, 또한 스테인레스-폴리이미드계 수지층 사이 및 폴리이미드계 수지층-도체 사이의 접착력을 0.5㎏/㎝이상으로 한 HDD 서스펜션용 적층체를 제공한다.
또한, 두께 10∼70㎛의 스테인레스 베이스부 위에 1층 이상의 폴리이미드계 전구체 용액 또는 폴리이미드계 수지 용액을 도포하고, 다시 건조 및 250℃이상의 온도에서 열처리를 행하고, 두께가 3∼20㎛이고 선팽창계수가 1×10-5∼3×10-5/℃인 폴리이미드계 수지층을 형성한 후, 두께 3∼20㎛의 도체층을 가열압착하는 HDD 서스펜션용 적층체의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 HDD 서스펜션용 적층체는 에칭 처리시에 휘어짐이 적은 배선일체형 HDD 서스펜션에 바람직하다.
Description
종래부터, HDD(하드 디스크 드라이브) 서스펜션(suspension)은, 스테인레스 박(foil)을 에칭 가공하여 제조되는데, 그 서스펜션의 선단부에 박막 헤드 등의 자기 헤드를 탑재한 후, 금선으로 와이어 본딩하여 실장되고 있다. 그러나, 최근 그 소형화, 고밀도화, 고용량화 등이 활발하게 검토되고 있으며, 이에 따라서 자기 헤드가 직접 탑재되는 슬라이더의 저부상화(低浮上化)가 필수의 과제로 되고 있다. 이 관점에서 보면, 종래의 금선은 공기 저항 및 강성 등의 영향에 의하여 저부상화에의 장해가 되고 있었다. 또한, 이와 같은 금선에 의한 와이어 본딩 방식에서는, 자기 헤드에의 금선 접속 공정의 자동화가 곤란하다는 문제도 가지고 있다.
이와 같은 금선 와이어 본딩에 따른 문제의 해결 방법으로서, 일본국 특허공개 소60-246015호 공보 등에 나타난 바와 같이, 스테인레스 박 위에 직접 절연체인 폴리이미드 수지를 패턴 형성하고, 다시 그 위에 동에 의한 회로 형성을 행하여, 서스펜션 위에 직접 상기 금선을 대체하는 신호선을 형성하는 방법이 제안되어 있다. 이와 같이 신호선이 직접 형성된 이른바 배선 일체형 서스펜션에서는, 신호선의 공기 저항 및 강성에 따른 슬라이더 저부상화의 장해와 같은 문제는 발생하지 않으며, 또한 자기 헤드 접속 공정의 자동화도 가능해진다.
한편, 일본국 특허공개 평5-131604호 공보 등에는, 얇은 시트 형상 금속에 폴리이미드를 적층하는 방법이 개시되어 있다. 그러나, 거기에 사용하는 폴리이미드의 열팽창에 관해서는, 아무런 관심이 기울여지지 않고 있으며, 구체적으로 개시된 폴리이미드의 열팽창 계수도 높기 때문에, 얻어진 적층체의 한 쪽의 금속을 에칭 제거하였을 때에 휘어짐이 발생하기 쉽다고 하는 문제가 있었다. 또한, 거기에 개시된 방법으로 적층을 행하면, 시트 형상 금속과 폴리이미드층간의 접착력에 편차가 생기기 쉬운데다가, 내열성 등에도 문제가 있으며, HDD 서스펜션에 적용하는데에는 어려움이 있었다. 따라서, 이들 문제점을 해결한 재료의 개발이 기대되고 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 에칭 처리시에 휘어짐이 적고 배선 일체형 서스펜션에 바람직한 적층체 및 그의 제조 방법을 제공하는데 있다.
상기 과제를 심도깊게 검토한 결과, 본 발명자들은 베이스부 위에 형성되는 폴리이미드로서, 특정의 선팽창계수 및 접착력을 갖는 폴리이미드를 사용함으로써, HDD 서스펜션에 바람직한 적층체가 얻어진다는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명은 HDD 서스펜션에 사용되는 적층체 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
즉, 본 발명은 스테인레스 베이스부 위에 폴리이미드계 수지층 및 도체층이 차례로 형성되어 이루어지는 적층체로서, 폴리이미드계 수지층의 선팽창계수가 1×10-5∼3×10-5/℃의 범위에 있으며, 또한 스테인레스-폴리이미드계 수지층 사이 및 폴리이미드계 수지층-도체 사이의 접착력이 모두 0.5㎏/㎝이상인 것을 특징으로 하는 HDD 서스펜션용 적층체이다.
또한, 본 발명은 두께 10∼70㎛의 스테인레스 베이스부 위에 1층 이상의 폴리이미드계 전구체 용액 또는 폴리이미드계 수지 용액을 도포하고, 이어서 건조 및 250℃이상의 온도에서 열처리를 행하고, 두께가 3∼20㎛이고 선팽창계수가 1×10-5∼3×10-5/℃인 폴리이미드계 수지층을 형성한 후, 두께 3∼20㎛의 도체층을 가열 압착하는 것을 특징으로 하는 HDD 서스펜션용 적층체의 제조 방법이다.
게다가, 본 발명은 두께 10∼70㎛의 스테인레스 베이스부 위에 높은 열팽창성 폴리이미드계 수지 용액 1 또는 높은 열팽창성 폴리이미드계 전구체 수지 용액 1, 낮은 열팽창성 폴리이미드계 전구체 수지 용액, 높은 열팽창성 폴리이미드계 수지 용액 2 또는 높은 열팽창성 폴리이미드 전구체 수지 용액 2를 순차로 도포, 건조하고, 이어서 250℃ 이상의 온도에서 열처리를 행하고, 두께가 3∼20㎛이고 선팽창계수가 1×10-5∼3×10-5/℃인 폴리이미드계 수지층을 형성한 후, 두께 3∼20㎛의 도체층을 가열 압착하는 것을 특징으로 하는 HDD 서스펜션용 적층체의 제조 방법이다.
본 발명의 HDD 서스펜션용 적층체에 사용되는 스테인레스 베이스부는, 특히 제약은 없으나, 서스펜션에 필요한 탄성 및 칫수 안정성의 관점에서, 바람직하게는 SUS 304이며, 더욱 바람직하게는 300℃이상의 온도에서 텐션 어닐 처리가 실시된 SUS 304이다. 스테인레스 베이스부의 두께는, 10∼70㎛가 바람직하며, 더욱 바람직하게는 15∼51㎛이다. HDD 서스펜션용 적층체의 베이스부로서는, 18∼30㎛의 두께의 범위인 것이 HDD의 소형화, 경량화 및 서스펜션의 강성의 점에서 가장 바람직하다. 스테인레스 베이스부의 두께가 10㎛보다 작으면, 적층체의 휘어짐이 커지기 쉬우며, 또한 서스펜션으로서 사용하였을 때의 신뢰성이 떨어진다고 하는 문제가 발생하며, 70㎛를 넘으면 강성이 너무 커져서, 탑재되는 슬라이더의 저부상화가 곤란해진다고 하는 문제가 발생한다.
또한, 본 발명에서 사용하는 스테인레스 베이스부에 대해서는, 그 폭방향 및 길이 방향의 선팽창계수가 모두 1.75×10-5∼2.0×10-5/℃의 범위내에 있으며, 또한 이들 폭방향 및 길이 방향의 선팽창계수의 차가 0.15×10-5/℃ 이하인 것이 바람직하며, 또한 공기중 330℃에서 30분의 조건에서 가열처리한 후의 가열 수축율이 그 폭방향 및 길이 방향에 있어서 모두 0.025%이하인 것이 바람직하며, 게다가 폴리이미드층이 적층되는 면의 중심선 평균 거칠기(Ra)가 20∼300㎚인 것이 바람직하다. 상기 선팽창계수가 상기 범위를 벗어나거나, 또한 가열 처리후의 가열 수축율이 상기 값을 넘으면, 어떠한 경우에도 적층체의 휘어짐이 커지기 쉬워지며, 그리고 중심선 평균 거칠기(Ra)가 20㎚보다 낮으면, 스테인레스 베이스부와 폴리이미드간의 충분한 접착력을 얻을 수 없으며, 반대로 300㎚을 넘으면 서스펜션으로서의 부상(浮上) 자세 등에 나쁜 영향을 미칠 우려가 있다.
또한, 본 발명에 사용되는 폴리이미드계 수지층이란, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드 등, 그 구조중에 이미드 결합을 갖는 폴리머로 이루어지는 수지층을 말한다. 이 경우, 폴리이미드계 수지층은 복수의 종류의 폴리이미드계 수지층으로 이루어지는 다층 구조이더라도 지장없다. 그리고, 폴리이미드계 수지층의 두께는 3∼20㎛, 바람직하게는 5∼15㎛, 더욱 바람직하게는 7∼12㎛이다. 폴리이미드계 수지층의 두께가 3㎛보다 작으면, 전기적 절연의 신뢰성이 저하됨과 동시에, 유전 특성이 나빠진다고 하는 문제가 발생하며, 20㎛를 넘으면 높은 정밀도의 폴리이미드의 패터닝을 행하기 어렵다고 하는 문제가 발생한다.
또한, 본 발명에 사용되는 폴리이미드계 수지층의 선팽창계수는, 1×10-5∼3×10-5/℃, 바람직하게는 1.5×10-5∼2.5×10-5/℃인 것을 필요로 한다. 폴리이미드계 수지층의 선팽창계수가 1×10-5/℃ 보다 작더라도, 반대로 3×10-5/℃보다 크더라도, 적층체의 도체층 또는 스테인레스 베이스부를 에칭제거하였을 때에 휘어짐이 발생하기 쉽다고 하는 문제가 발생한다.
게다가, 본 발명의 HDD 서스펜션용 적층체는, 스테인레스 베이스부와 폴리이미드계 수지층 사이 및 도체층과 폴리이미드계 수지층의 사이에 있어서의 접착력이, 각각 0.5㎏/㎝이상인 것을 필요로 한다. 이 때문에, 폴리이미드계 수지층은, 어느 정도의 접착 성능을 갖는 것이 바람직하다.
그러나, 일반적으로 선팽창계수가 3×10-5/℃를 넘는 폴리이미드계 수지층은, 금속 등과 비교적 양호한 접착력을 나타내는 경향이 있지만, 선팽창계수가 1×10-5∼3×10-5/℃인 폴리이미드계 수지는, 금속 등과 양호한 접착력을 나타내지 못하는 경향이 있다.
그러므로, 본 발명에 있어서의 폴리이미드계 수지층의 바람직한 형태로서는, 선팽창계수 2.5×10-5/℃이하인 낮은 열팽창성 폴리이미드계 수지층, 및 선팽창계수 3×10-5/℃이상인 높은 열팽창성 폴리이미드계 수지층의 적어도 2층을 포함하는 다층 구조이며, 또한 높은 열팽창성 폴리이미드계 수지층이 직접 도체층과 접하는 구조로 하는 것이 바람직하다.
더욱 바람직한 형태는, 높은 열팽창성 폴리이미드계 수지층 1-낮은 열팽창성 폴리이미드계 수지층-높은 열팽창성 폴리이미드계 수지층 2로 이루어지는 3층 구조이다. 다만, 높은 열팽창성 폴리이미드계 수지층의 선팽창계수는 3×10-5/℃이상으로서, 높은 열팽창성 폴리이미드계 수지층 1 및 2는 동일하거나 다를 수 있으며, 또한 낮은 열팽창성 폴리이미드계 수지층의 선팽창계수는 2.5×10-5/℃이하이다. 이와 같이, 폴리이미드계 수지층을 낮은 열팽창성 폴리이미드계 수지층 및 높은 열팽창성 폴리이미드계 수지층을 조합하여 다층 구조로 함으로써, 낮은 열팽창성 및 높은 접착성의 양자의 조건을 만족하는 수지층을 형성하는 것이 가능해진다.
게다가, 본 발명의 적층체를 HDD 서스펜션으로 가공할 때에 폴리이미드계 수지층의 패터닝이 필수이기 때문에, 이 폴리이미드계 수지층은 에칭 가공이 용이한 것이 바람직하다. 따라서, 본 발명에 사용되는 폴리이미드계 수지층은, 50℃의 100% 수첨(水添) 히드라진에 침지한 경우에 있어서 0.5㎛/분 이상의 에칭 속도를 갖는 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서는, 폴리이미드계 수지층이 낮은 열팽창성 폴리이미드계 수지층 및 높은 열팽창성 폴리이미드 수지층의 다층 구조인 것이 바람직한 형태이지만, 이와 같이 폴리이미드계 수지층이 복수의 폴리이미드계 수지층으로 이루어지는 다층 구조를 취하는 경우에는, 각각의 폴리이미드계 수지층의 에칭 속도가 50℃의 100% 수첨 히드라진에 침지한 경우에 있어서 0.5㎛/분 이상인 것이 바람직하다.
본 발명에 사용되는 폴리이미드계 수지는, 디아민 화합물과 테트라 카르본산 유도체를 합성 원료로 한, 용액 중에서의 폴리이미드계 수지의 전구체인 폴리아믹산의 합성과, 이미드화 반응의 2단계로 행해진다. 이 테트라카르본산 유도체로서는, 테트라카르본산 및 그 산무수물, 에스테르화물, 할로겐화물 등을 들 수 있으며, 폴리아믹산의 합성의 용이함을 고려하면 산무수물이 바람직하다. 또한, 이미드화 반응은, 통상 스테인레스 등의 베이스부 위에 폴리아믹산 용액을 도포하고 용매의 건조를 행한 후, 다시 고온에서의 열처리를 실시함으로써 행하는데, 이미드화후의 용매에의 용해성이 양호하다면, 폴리아믹산 용액을 가열함으로써 용액 상태로 행하는 것도 가능하다. 또한, 이 때, 피리딘 등의 아민류 및 무수초산 등을 첨가하여 이미드화 반응을 촉진할 수도 있다.
또한, 필요에 따라서, 폴리이미드계 수지 중에 필러(filler)류 및 실란 커플링제 등의 첨가제를 첨가할 수도 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 폴리이미드계 수지층은, 낮은 열팽창성 폴리이미드계 수지층 및 높은 열팽창성 폴리이미드계 수지층의 다층 구조를 취하는 형태가 바람직하며, 이 낮은 열팽창성 폴리이미드계 수지로서는, 하기 일반식(1)
(단, 식중, R1∼R8은 수소, 할로겐, 저급 알킬기 또는 저급 알콕시기를 나타내며, 서로 동일하거나 다를 수 있으며, 그 중 하나는 알콕시기이다)로 표현되는 구성 단위를 50중량%이상 포함하는 폴리이미드 수지인 것이 바람직하다.
다른 낮은 열팽창성 폴리이미드계 수지의 바람직한 예로서는, 하기 일반식(2)
(단, 식중, R1∼R4은 수소, 할로겐, 저급 알킬기 또는 저급 알콕시기를 나타내며, 서로 동일하거나 다를 수 있다)로 표현되는 구성 단위를 50중량%이상 포함하는 폴리이미드 수지를 예시할 수 있다.
또한, 높은 열팽창성 폴리이미드계 수지의 바람직한 예로서는, 그 구성 단위인 테트라카르본산 단위 중의 70중량%이상이, 피로멜리트산 유도체 단위, 3,4,3',4'-디페닐술폰테트라카르본산 유도체 단위, 및 3,4,3',4'-디페닐에테르테트라카르본산 이무수물 유도체 단위로부터 선택된 적어도 한 종류의 테트라 카르본산 단위로 이루어지는 폴리이미드 수지인 것을 들 수 있다. 더욱 바람직한 예로서는, 하기 일반식 (3)
(단, 식중, X1∼X3은 -0-, -C(CH3)2-, -SO2-, -CH2- 또는 불존재를 나타내며, 각각 동일하거나 다를 수 있으며, 또한 n은 0 또는 1을 나타낸다)로 표현되는 구성 단위를 70중량%이상 포함하는 폴리이미드 수지를 들 수 있다.
또한, 다른 바람직한 높은 열팽창성 폴리이미드계 수지로서는, 하기 일반식(4)
(단, 식중, X1∼X3은 -0-, -C(CH3)2-, -SO2-, -CH2- 또는 불존재를 나타내며, 각각 서로 동일하거나 다를 수 있으며, 또한 n은 0 또는 1을 나타낸다)로 표현되는 구성 단위를 70중량%이상 포함하는 폴리이미드 수지를 들 수 있다.
본 발명의 적층체에 사용되는 도체층에는, 두께 3∼20㎛의 도체가 사용된다. 두께가 3㎛보다 작으면 전기 저항이 커지며, 20㎛를 넘으면 높은 정밀도의 패터닝을 행하는 것이 곤란하며, 게다가 그 강성으로 인하여 슬라이더의 저부상화의 달성이 곤란해진다. 그리고, 더욱 바람직한 도체층은, 두께 5∼18㎛의 동박(copper foil) 또는 동합금 박(copper alloy foil)이다. 이 동합금 박이란, 동과 니켈, 실리콘, 아연, 베릴륨 등의 이종(異種)의 원소로 이루어지는 합금 박을 말하며, 동함유율이 80%이상인 것을 가리킨다. 이와 같이 동 박 또는 동합금 박을 도체층으로 사용함으로써, 도체층의 미세 패터닝을 행하기 쉬우며, 또한 높은 전기 전도도를 얻을 수 있는데다가 도체의 기계적 강도도 향상된다.
본 발명의 적층체의 제조에는, 하기에 예시된 바와 같은 방법이 가능하다.
방법 1: 스테인레스 베이스부 위에 1층 이상의 폴리이미드계 수지 용액 또는 폴리이미드계 전구체 수지 용액을 도포, 건조한 후, 다시 고온에서의 열처리를 행하여 폴리이미드계 수지층을 형성하고, 이어서 프레스기 또는 라미네이터 등의 장치에 의하여, 동 박 및 동합금 박 등의 도체와 폴리이미드계 수지층이 접하도록 가열압착하여 제조하는 방법.
방법 2: 동 박 및 동합금 박 등의 도체 위에 1층 이상의 폴리이미드계 수지 용액 또는 폴리이미드계 전구체 수지 용액을 도포, 건조한 후, 다시 고온에서의 열처리를 행하여 폴리이미드계 수지층을 형성하고, 이어서 프레스기 또는 라미네이터 등의 장치에 의하여, 스테인레스 베이스부와 폴리이미드계 수지층이 접하도록 가열압착하여 제조하는 방법.
방법 3: 미리 준비한 폴리이미드계 필름의 양면에 높은 열팽창성 폴리이미드계 수지층을 형성한 후, 프레스기 또는 라미네이터 등의 장치에 의하여, 그 양면에 스테인레스 베이스부 및 동 박이나 동합금 박 등의 도체를 각각 가열 압착하여 제조하는 방법.
이들 방법 중에서, 제조의 용이함 및 얻어지는 적층체의 칫수 안정성의 관점을 고려하면, 상기 방법 1에 나타내어지는 바와 같이, 스테인레스 베이스부 위에 1층 이상의 폴리이미드계 수지 용액 또는 폴리이미드계 전구체 수지 용액을 도포, 건조한 후, 다시 고온에서의 열처리를 행하여 폴리이미드계 수지층을 형성하고, 이어서 프레스기 또는 라미네이터 등의 장치에 의하여, 동 박이나 동합금 박 등의 도체와 폴리이미드계 수지층이 접하도록 가열 압착하여 제조하는 방법이 바람직한 제조 방법이다.
그리고, 더욱 바람직하게는, 스테인레스 위에 높은 열팽창성 폴리이미드계 수지 용액 1 또는 높은 열팽창성 폴리이미드계 전구체 수지 용액 1, 낮은 열팽창성 폴리이미드계 전구체 수지 용액, 높은 열팽창성 폴리이미드계 수지 용액 2 또는 높은 열팽창성 폴리이미드 전구체 수지 용액 2를 순차로 도포, 건조하고, 다시 250℃이상의 온도에서 열처리를 행하여, 두께가 3∼20㎛이고 선팽창계수가 1∼3×10-5/℃인 폴리이미드계 수지층을 형성한 후, 두께 3∼20㎛의 도체층을 가열압착하는 제조방법이다.
본 발명의 적층체를 HDD 서스펜션으로 가공하기 위해서는, 임의의 방법을 채용할 수 있는데, 통상 이하의 공정으로 행해진다.
공정 1: 도체층에 포토에칭 프로세스 등에 의하여 1회째의 에칭을 실시하고, 소정의 패터닝을 행한다.
공정 2: 패터닝된 도체층을 레지스트로 하여, 폴리이미드계 수지층의 에칭을 행한다. 이 때, 히드라진 등을 이용한 화학적 에칭 방법 및, 레이저 또는 플라즈마 등에 의한 에칭 방법을 사용하는 것이 바람직하다.
공정 3: 도체층에 포토에칭 프로세스 등에 의하여 2회째의 에칭을 실시하고, 최종적으로 필요한 배선을 형성한다.
공정 4: 스테인레스를 소정의 형상으로 에칭 가공한다.
게다가, 이들 가공에 부가적으로, 배선상에의 보호층의 형성, 스테인레스의 굽힘 가공, 스테인레스의 어닐링 처리 등이 일반적으로 행해진다.
또한, 본 발명의 HDD 서스펜션용 적층체는, 마운트, 로드 빔 및 플렉서로 이루어지는 이른바 3 피스 타입의 서스펜션에 사용하는 것도 가능하며, 로드 빔과 플렉서가 일체화된 이른바 2 피스 타입의 서스펜션에 사용하는 것도 가능하다. 통상, 3 피스 타입의 경우에는, 플렉서 부분에 본 발명의 적층체가 사용된다.
이하, 실시예 및 비교예 등에 의거하여 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하겠다. 게다가, 실시예 및 비교예에 있어서의 선팽창계수, 가열수축율, 중심선 평균 거칠기 및 접착력의 측정은 다음과 같다.
(1)선팽창계수의 측정에는, 서모 메카니컬 애널라이저(세이코 덴시 가부시키가이샤 제품)을 사용하였다. 폴리이미드의 선팽창계수의 측정은 250℃까지 승온하고, 그 온도에서 20분간 유지한 후, 10℃/분의 속도로 냉각하여 240℃에서 100℃까지의 평균 선팽창율을 구하였다. 또한, 스테인레스의 선팽창계수의 측정은, 시료를 340℃까지 승온하고, 그 온도에서 20분간 유지한 후, 100℃/분의 속도로 냉각하여 330℃에서 100℃까지의 평균 선팽창율을 구하였다.
(2)스테인레스의 가열 수축율의 측정에는, 300㎜각(角)의 시료를 사용하고, 먼저 NC 드릴(안토 덴키 가부시키가이샤 제품: CPDR-2700)을 이용하여 폭 방향 및 길이 방향으로 각각 약 250㎜간격으로 직경 1㎜의 구멍을 형성하고, 이어서 디지탈 정밀 이차원 측장기(가부시키가이샤 드롭 기카구 제품: TDS-7055EX)를 이용하여, 먼저 약 250㎜ 간격으로 형성한 2개의 구멍의 중심에서 중심까지의 거리를 정확하게 구하여 L1이라 하고, 이어서 시료에 공기중에서 330℃, 30분간의 가열 처리를 실시한 후, 다시 2개의 구멍의 중심간 거리를 측정하여 L2라고 하고, 다음 식: 가열 수축율(%)=(L1-L2)/L1×100에 의하여 산출하였다.
(3)스테인레스의 중심선 평균 거칠기(Ra)는, 표면 거칠기 측정 장치(텐콜 인스툴먼트사 제품: TENCORP-10)을 이용하여 컷 오프 값 0.08mm, 측정 길이 0.2㎜의 조건에서의 값을 구하였다.
(4)스테인레스와 폴리이미드간의 접착력은, 스테인레스에 폭 1mm의 직선 형상의 패터닝을 실시하고, 이면의 도체는 그대로 남기어 측정용 샘플을 작성한 후, 도체측을 고정판에 붙이고, 인장 시험기(도요 세이키 가부시키가이샤 제품: 스트로그래피 -M1)를 이용하여, 스테인레스를 180도 방향으로 떼내었을 때의 떼냄 강도를 측정하였다. 또한, 도체와 폴리이미드간의 접착력도, 도체를 폭 1㎜의 직선 형상으로 패터닝하고, 이면의 스테인레스를 그대로 남긴 이외에는 마찬가지로 측정하였다.
각 실시예 1∼9 및 비교예 1∼3에서 사용한 스테인레스 박의 특성은 하기의 표 1에 나타낸 바와 같다.
실시예 1∼4 | 실시예5 | 실시예6 | 실시예7 | 실시예8 | 실시예9 | 비교예1∼2 | 비교예3 | |
두께(㎛) | 20 | 51 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 |
선팽창계수*1(x10-5/℃) | 1.86 | 1.92 | 1.77 | 2.05 | 1.98 | 1.86 | 1.86 | 1.79 |
1.78 | 1.82 | 1.82 | 1.83 | 1.77 | 1.83 | 1.78 | 1.83 | |
가열 수축율*1(%) | 0.005 | 0.007 | 0.003 | 0.005 | 0.004 | 0.006 | 0.005 | 0.005 |
0.018 | 0.012 | 0.008 | 0.017 | 0.006 | 0.028 | 0.018 | 0.015 | |
중심선 평균 거칠기*1(㎚) | 58 | 48 | 130 | 65 | 63 | 92 | 58 | 15 |
63 | 60 | 145 | 80 | 55 | 45 | 63 | 18 | |
(주석)*1: 상단은 폭방향의 값, 하단은 길이 방향의 값 |
또한, 실시예 등에 사용되는 약호는 다음과 같다.
MABA: 4,4'-디아미노-2'-메톡시벤즈아닐리드
DAPE: 4,4'-디아미노디페닐에테르
PDA: p-페닐렌디아민
APB: 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠
BAPS: 비스(4-아미노페녹시페닐)술폰
BAPB: 4,4'-비스(3-아미노페녹시)비페닐
PMDA: 피로멜리트산 이무수물
DSDA: 3,4,3',4'-디페닐술폰테트라카르본산 이무수물
DMAc: N,N-디메틸아세토아미드
합성예 1
MABA 154.4g(0.60몰) 및 DAPE 80.1g(0.40몰)을 5리터의 세퍼러블 플라스크(separable flask) 중에서, 교반하면서 2,560g의 DMAc에 용해시켰다. 이어서, 그 용액을 얼음 베스에서 냉각하고 질소 기류중에서 218.1g(1몰)의 PMDA를 첨가하였다. 그 후, 용액을 실온으로 돌려서, 3시간 교반을 계속하여 중합 반응을 행하고, 점조(粘稠)한 폴리이미드 전구체 A의 용액을 얻었다.
이 폴리이미드 전구체 용액 A를 어플리케이터를 이용하여 스테인레스 박(신닛뽕 세이데츠 가부시키가이샤 제품, SUS304, 텐션 어닐 처리품)에 도포하고, 130℃에서 30분 건조한 후, 다시 160℃에서 4분, 200℃에서 2분, 270℃에서 2분, 320℃에서 2분, 360℃에서 2분의 열처리를 행하여, 스테인레스 박위에 두께 25㎛의 폴리이미드층을 형성하였다. 이어서, 스테인레스 박을 남긴 채 폴리이미드를 50℃의 100% 수첨 히드라진에 침지한 바, 2.5㎛/분의 속도로 에칭되었다. 마지막으로, 염화 제2철 수용액을 이용하여 스테인레스 박을 에칭 제거하여, 폴리이미드 필름을 얻었다. 얻어진 폴리이미드의 선팽창계수는 1.4×10-5/℃이었다.
합성예 2
PDA 75.7g(0.7몰) 및 DAPE 60.1g(0.3몰)을 5리터의 세퍼러블 플라스크 중에서, 교반하면서 2,010g의 DMAc에 용해시켰다. 이어서, 그 용액을 얼음 베스에서 냉각하고, 질소 기류 중에서 218.1g(1몰)의 PMDA를 첨가하였다. 그 후, 용액을 실온으로 되돌려, 3시간 교반을 계속하여 중합 반응을 행하고, 점조한 폴리이미드 전구체 B의 용액을 얻었다. 이 폴리이미드 전구체 B를 이용하여, 합성예 1과 마찬가지로 하여 얻어진 폴리이미드의 에칭 속도는 3.2㎛/분이며, 선팽창계수는 1.7×10-5/℃이었다.
합성예 3
APB 292.3g(1몰)을 5리터의 세퍼러블 플라스크 중에서 교반하면서 3,690g의 DMAc를 용해시켰다. 이어서, 그 용액을 얼음 베스에서 냉각하고, 질소 기류중 에서 358.3g(1몰)의 DSDA를 첨가하였다. 그 후, 용액을 실온으로 되돌려, 3시간 교반을 계속하여 중합 반응을 행하고, 점조한 폴리이미드 전구체 C의 용액을 얻었다. 이 폴리이미드 전구체 C를 이용하여, 합성예 1과 마찬가지로 하여 얻어진 폴리이미드의 에칭 속도는 2.3㎛/분이며,선팽창계수는 4.8×10-5/℃이었다.
합성예 4
APB 292.3g(1몰)을 5리터의 세퍼러블 플라스크 중에서 교반하면서, 3,530g의 DMAc를 용해시켰다. 이어서, 그 용액을 얼음 베스에서 냉각하고, 질소 기류중에서 286.6g(0.8몰)의 DSDA 및 43.6g(0.2몰)의 PMDA를 첨가하였다. 그 후, 용액을 실온으로 되돌리고, 3시간 교반을 계속하여 중합 반응을 행하고, 점조한 폴리이미드 전구체 D의 용액을 얻었다. 이 폴리이미드 전구체 D를 이용하여, 실시예 1과 동일하게 하여 얻어진 폴리이미드의 에칭 속도는 2.4㎛/분이며, 선팽창계수는 4.7×10-5/℃이었다.
합성예 5
BAPS 432.5g(1몰)을 5리터의 세퍼러블 플라스크 중에서 교반하면서 3,160g의 DMAc를 용해시켰다. 이어서, 그 용액을 얼음 베스에서 냉각하고, 질소 기류중에서 358.3g(1몰)의 DSDA를 첨가하였다. 그 후, 용액을 실온으로 되돌려, 3시간 교반을 계속하여 중합 반응을 행하고, 점조한 폴리이미드 전구체 E의 용액을 얻었다. 이 폴리이미드 전구체 E를 사용하여, 합성예 1과 마찬가지로 하여 얻어진 폴리이미드의 에칭 속도는 2.2㎛/분이며, 선팽창계수는 5.4×10-5/℃이었다.
합성예 6
BAPB 368.4g(1몰)을 5리터의 세퍼러블 플라스크중에서 교반하면서 3,320g의 DMAc를 용해시켰다. 이어서, 그 용액을 얼음 베스에서 냉각하고, 질소 기류중에서 218.1g(1몰)의 PMDA를 첨가하였다. 그 후, 용액을 실온으로 되돌리고, 3시간 교반을 계속하여 중합 반응을 행하고, 점조한 폴리이미드 전구체 F의 용액을 얻었다. 이 폴리이미드 전구체 F를 이용하여, 합성예 1과 마찬가지로 하여 얻어진 폴리이미드의 에칭 속도는 2.7㎛/분이며, 선팽창계수는 4.3×10-5/℃이었다.
실시예 1
바 코터를 이용하여 합성예 3에서 얻어진 폴리이미드 전구체 C의 용액을 표 1에 나타낸 스테인레스 박(신닛뽕 세이데츠 가부시키가이샤 제품, SUS 304, 텐션 어닐 처리품)에 경화후 1㎛의 두께가 되도록 도포하고, 130℃에서 4분간 건조한 후, 그 위에 합성예 1에서 얻어진 폴리이미드 전구체 A의 용액을 경화후 7㎛의 두께가 되도록 도포하고, 130℃에서 8분간 건조하고, 다시 그 위에 합성예 4에서 얻어진 폴리이미드 전구체 D의 용액을 경화후 2㎛의 두께가 되도록 도포하고, 130℃에서 4분간 건조한 후, 다시 160℃에서 4분, 200℃에서 2분, 270℃에서 2분, 320℃에서 2분, 360℃에서 2분의 조건으로 질소 기류중에서 순차로 열처리를 행하여 경화를 완료시키고, 합계 두께 10㎛인 폴리이미드층이 스테인레스 위에 형성된 적층체를 얻었다.
이어서, 얻어진 적층체의 폴리이미드측과 접하도록 전해 동 박(후쿠다 긴죠쿠하쿠분 고교 가부시키가이샤 제품, 전해 동박 CF-T9, 두께 9㎛)을 포개고, 진공 프레스기를 이용하여 면압(面壓) 150㎏/㎝2, 온도 330℃, 프레스 시간 20분의 조건으로 가열 압착하여 목적하는 적층체를 제조하였다.
얻어진 적층체에는 휘어짐은 거의 보이지 않고, 스테인레스-폴리이미드 사이 및 동박-폴리이미드사이의 접착력은 각각 1.1㎏/㎝, 0.9㎏/㎝이었다. 또한, 스테인레스 및 동박을 에칭 제거하여 얻어진 폴리이미드 필름의 선팽창계수는 2.2×10-5/℃이며, 스테인레스 또는 동박의 어느 한 쪽을 에칭시의 휘어짐도 거의 발생하지 않았다. 게다가, 적층체를 300℃의 오븐 중에서 1시간의 내열 시험을 행한 바, 부풀어오름, 벗겨짐 등의 이상은 보이지 않았다.
실시예 2
폴리이미드 전구체 D의 용액 대신에, 합성예 5에서 얻어진 폴리이미드 전구체 E의 용액을 사용한 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층체를 제조하였다. 이 적층체에는 휘어짐은 거의 보이지 않고, 스테인레스-폴리이미드 사이 및 동박-폴리이미드 사이의 접착력은 각각 1.2㎏/㎝, 0.8㎏/㎝이었다. 또한, 스테인레스 및 동박을 에칭 제거하여 얻어진 폴리이미드 필름의 선팽창계수는 2.4×10-5/℃이며, 스테인레스 또는 동박의 어느 한 쪽을 에칭시의 휘어짐도 거의 발생하지 않았다. 또한, 적층체의 내열 시험에 있어서도 이상은 보이지 않았다.
실시예 3
폴리이미드 전구체 C의 용액 대신에, 합성예 4에서 얻어진 폴리이미드 전구체 D의 용액을 사용하여, 경화후의 두께를 2㎛로 하고, 다시 폴리이미드 전구체 A의 경화후의 두께를 8㎛로 하여 합계의 폴리이미드 수지층의 두께를 12㎛로 한 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층체를 제조하였다. 이 적층체에는 휘어짐은 거의 보이지 않고, 스테인레스-폴리이미드 사이 및 동박-폴리이미드 사이의 접착력은 각각 0.8㎏/㎝, 0.7㎏/㎝이었다. 또한, 스테인레스 및 동박을 에칭제거하여 얻어진 폴리이미드 필름의 선팽창계수는 2×10-5/℃이며, 스테인레스 또는 동박의 어느 한 쪽을 에칭시의 휘어짐도 거의 발생하지 않았다. 또한, 적층체의 내열 시험에 있어서도 이상은 보이지 않았다.
실시예 4
두께 9㎛의 전해 동박의 대신에, 두께 18㎛의 동합금 박(오링 소머즈사 제품, C7025 TM-03)을 사용한 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층체를 제조하였다. 이 적층체에는 휘어짐은 거의 보이지 않고, 스테인레스-폴리이미드 사이 및 동박-폴리이미드 사이의 접착력은 각각 1.2㎏/㎝, 2.1㎏/㎝이었다. 또한, 스테인레스 및 동박을 에칭제거하여 얻어진 폴리이미드 필름의 선팽창계수는 2.2×10-5/℃이며, 스테인레스 또는 동박의 어느 한 쪽을 에칭시의 휘어짐도 거의 발생하지 않았다. 또한, 적층체의 내열 시험에 있어서도 이상은 보이지 않았다.
실시예 5
표 1에 나타낸 스테인레스 박을 사용한 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층체를 제조하였다. 이 적층체에는 휘어짐은 거의 보이지 않고, 스테인레스-폴리이미드 사이 및 동박-폴리이미드 사이의 접착력은 각각 1.6㎏/㎝, 0.9㎏/㎝이었다. 또한, 스테인레스 및 동박을 에칭제거하여 얻어진 폴리이미드 필름의 선팽창계수는 2.2×10-5/℃이며, 스테인레스 또는 동박의 어느 한 쪽을 에칭시의 휘어짐도 거의 발생하지 않았다. 또한, 적층체의 내열 시험에 있어서도 이상은 보이지 않았다.
실시예 6
폴리이미드 전구체 C의 용액 및 폴리이미드 전구체 D의 용액 대신에, 합성예 6에서 얻어진 폴리이미드 전구체 F의 용액을 사용하고, 폴리이미드 전구체 A 대신에, 합성예 2에서 얻어진 폴리이미드 전구체 B의 용액을 이용하고, 또한 9㎛의 전해 동박의 대신에, 두께 18㎛의 동합금 박(오링 소머즈사 제품, C7025 TM-03)을 사용한 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층체를 제조하였다. 이 적층체에는 휘어짐은 거의 보이지 않고, 스테인레스-폴리이미드 사이 및 동박-폴리이미드 사이의 접착력은 각각 0.8㎏/㎝, 1.8㎏/㎝이었다. 또한, 스테인레스 및 동박을 에칭제거하여 얻어진 폴리이미드 필름의 선팽창계수는 2.5×10-5/℃이며, 스테인레스 또는 동박의 어느 한 쪽을 에칭시의 휘어짐도 거의 발생하지 않았다. 또한, 적층체의 내열 시험에 있어서도 이상은 보이지 않았다.
실시예 7
표 1에 나타낸 스테인레스 박을 사용한 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층체를 제조하였다. 이 적층체에는 휘어짐은 거의 보이지 않고, 스테인레스-폴리이미드 사이 및 동박-폴리이미드 사이의 접착력은 각각 1.3㎏/㎝, 0.8㎏/㎝이었다. 또한, 폴리이미드 필름의 선팽창계수는 2.2×10-5/℃이며, 스테인레스 또는 동박의 어느 한쪽을 에칭하였을 때의 휘어짐도 거의 발생하지 않았다. 단, 본실시예에 있어서는, 사용한 스테인레스 박의 폭방향의 선팽창계수가 2.05×10-5/℃로 크기 때문에, 얻어진 적층체에 있어서 스테인레스를 내측으로 한 완만한 컬의 발생이 보였다.
실시예 8
표 1에 나타낸 스테인레스 박을 사용한 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 적층체를 제조하였다. 이 적층체에는 휘어짐은 거의 보이지 않고, 스테인레스-폴리이미드 사이 및 동박-폴리이미드 사이의 접착력은 각각 1.1㎏/㎝, 0.8㎏/㎝이었다. 또한, 폴리이미드 필름의 선팽창계수는 2.2×10/-5℃이며, 스테인레스 또는 동박의 어느 한 쪽을 에칭하였을 때의 휘어짐도 거의 발생하지 않으며, 적층체의 내열 시험에 있어서도 이상은 보이지 않았다. 다만, 본 실시예에 있어서는, 사용한 스테인레스 박의 폭방향과 길이 방향의 선팽창계수의 차가 0.21×10-5/℃로 크기 때문에, 얻어진 적층체에 있어서 스테인레스를 내측으로 한 완만한 물결 형상의 휘어짐이 보였다.
실시예 9
표 1에 나타낸 스테인레스 박을 사용한 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 적층체를 제조하였다. 이 적층체에는 휘어짐은 거의 보이지 않고, 스테인레스-폴리이미드 사이 및 동박-폴리이미드 사이의 접착력은 각각 1.2㎏/㎝, 0.9㎏/㎝이었다. 또한, 폴리이미드 필름의 선팽창계수는 2.2×10-5/℃이며, 스테인레스 또는 동박의 어느 한쪽을 에칭하였을 때의 휘어짐도 거의 발생하지 않으며, 적층체의 내열 시험에 있어서도 이상은 보이지 않았다. 다만, 본 실시예에 있어서는, 사용한 스테인레스 박의 길이 방향의 가열 수축율이 0.028%로 크기 때문에, 얻어진 적층체에 있어서 스테인레스를 내측으로 한 완만한 컬의 발생이 보였다.
비교예 1
어플리케이터를 사용하여 합성예 3에서 얻어진 폴리이미드 전구체 C의 용액을 스테인레스 박(신닛뽕 세이데츠 가부시키가이샤 제품, SUS304, 텐션 어닐 처리품)에 경화후 10㎛의 두께가 되도록 도포하고, 130℃에서 4분간 건조한 후, 다시 160℃에서 4분, 200℃에서 2분, 270℃에서 2분, 320℃에서 2분, 360℃에서 2분의 조건으로 질소 기류중에서 순차로 열처리를 행하여 경화를 완료시키고, 폴리이미드층이 스테인레스위에 형성된 적층체를 얻었다. 이어서, 얻어진 적층체의 폴리이미드측과 접하도록 동박(후쿠다 긴죠쿠하쿠분 고교 가부시키가이샤 제품, 전해 동박 CF-T9, 두께 9㎛)을 포개고, 진공 프레스기를 사용하여 면압 150㎏/㎝2, 온도 330℃, 프레스 시간 20분의 조건에서 가열 압착하여 적층체를 제조하였다. 이 적층체의 스테인레스-폴리이미드 사이 및 동박-폴리이미드 사이의 접착력은 각각 1.0㎏/㎝, 0.8㎏/㎝이며, 300℃에서 1시간의 내열 시험에서도 이상은 보이지 않았으나, 스테인레스 및 동박을 에칭 제거하여 얻어진 폴리이미드 필름의 선팽창계수는 4.8×10-5℃로 높고, 스테인레스를 에칭하여 동박과 폴리이미드만으로 하였을 때에 곡률 반경 1㎝정도의 매우 큰 컬이 보였다.
비교예 2
어플리케이터를 이용하여 합성예 1에서 얻어진 폴리이미드 전구체 A의 용액을 스테인레스 박(신닛뽕 세이테츠 가부시키가이샤 제품, SUS304, 텐션 어닐 처리품)에 경화후 8㎛의 두께가 되도록 도포하고, 130℃에서 8분간 건조한 후, 그 위에 합성예 4에서 얻어진 폴리이미드 전구체 용액 D를 경화후 2㎛의 두께가 되도록 도포하고, 130℃에서 4분간 건조한 후, 다시 160℃에서 4분, 200℃에서 2분, 270℃에서 2분, 320℃에서 2분, 360℃에서 2분의 조건으로 질소 기류중에서 순차로 열처리를 행하여 경화를 완료시키고, 합계 두께 10㎛인 폴리이미드층이 스테인레스위에 형성된 적층체를 얻었다. 이어서, 얻어진 적층체의 폴리이미드측과 접하도록 동박(후쿠다 긴죠쿠하쿠분 고교 가부시키가이샤 제품, 전해 동박 CF-T9, 두께 9㎛)을 포개고, 진공 프레스기를 사용하여 면압 150㎏/㎝2, 온도 330℃, 프레스 시간 20분의 조건에서 가열 압착하여 적층체를 제조하였다. 이 적층체에는 휘어짐은 거의 보이지 않았으나, 스테인레스-폴리이미드 사이의 접착력은 0.2㎏/㎝으로 낮은 것이었다. 또한, 적층체를 300℃의 오븐 중에서 1시간의 내열 시험을 행한 바, 스테인레스-폴리이미드 사이에서의 벗겨짐이 확인되었다.
비교예 3
표 1에 나타낸 스테인레스 박을 사용한 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층체를 제조하였다. 얻어진 적층체에는 휘어짐은 거의 보이지 않았으나, 스테인레스의 중심선 평균 거칠기(Ra)가 18nm 내지 15nm으로 작기 때문에, 스테인레스-폴리이미드 사이의 접착력이 0.3㎏/㎝으로 낮고, 또한 300℃에서 1시간의 내열 시험에서 스테인레스-폴리이미드 사이에 부풀어오름이 확인되었다.
본 발명의 HDD 서스펜션용 적층체는, 접착력, 내열성, 평탄성 및 칫수 안정성 등의 특성이 우수하며, 또한 도체층 및 폴리이미드계 수지층의 미세한 패터닝이 가능하기 때문에, 매우 높은 정밀도의 HDD 서스펜션의 제조가 가능하다. 또한, 본 발명의 HDD 서스펜션용 적층체의 제조 방법에 따르면, 휘어짐이 적고 내열성 및 접착성이 우수한 HDD 서스펜션용 적층체를 안정적이고 높은 수율로 제조할 수가 있으며, 이에 따라서 제조 원가를 저감시킬 수가 있다.
Claims (14)
- 스테인레스 베이스부 위에 폴리이미드계 수지층 및 도체층이 순차로 형성되어 이루어지는 적층체로서,폴리이미드계 수지층의 선팽창계수가 1×10-5∼3×10-5/℃의 범위에 있으며, 또한 스테인레스-폴리이미드계 수지층 사이 및 폴리이미드계 수지층-도체 사이의 접착력이 모두 0.5㎏/㎝이상인 것을 특징으로 하는 HDD 서스펜션용 적층체.
- 제 1항에 있어서, 폴리이미드계 수지층은 선팽창계수 2.5×10-5/℃이하인 낮은 열팽창성 폴리이미드계 수지층 및, 선팽창계수 3×10-5/℃이상인 높은 열팽창성 폴리이미드계 수지층의 적어도 2층을 포함하는 다층 구조이며, 또한 높은 열팽창성 폴리이미드계 수지층이 도체층과 접하는 것을 특징으로 하는 HDD 서스펜션용 적층체.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 폴리이미드계 수지층은 높은 열팽창성 폴리이미드계 수지층 1 - 낮은 열팽창성 폴리이미드계 수지층 - 높은 열팽창성 폴리이미드계 수지층 2의 3층 구조이며, 상기 높은 열팽창성 폴리이미드계 수지층 1 및 2의 선팽창계수는 3×10-5/℃이상으로서 서로 동일하거나 다를 수 있으며, 또한 상기 낮은 열팽창성 폴리이미드계 수지층의 선팽창계수는 2.5×10-5/℃이하인 것을 특징으로 하는 HDD 서스펜션용 적층체.
- 제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서, 폴리이미드계 수지층은 50℃의 100% 수첨(水添) 히드라진에 침지한 경우에 있어서 0.5㎛/분 이상의 에칭 속도를 갖는 것을 특징으로 하는 HDD 서스펜션용 적층체.
- 제 2항 내지 제 4항 중의 어느 한 항에 있어서, 낮은 열팽창성 폴리이미드계 수지는 하기 일반식 (1)(단, 식중, R1∼R8은 수소, 할로겐, 저급 알킬기 또는 저급 알콕시기를 나타내며, 서로 동일하거나 다를 수 있으며, 그 중 하나는 알콕시기이다)로 표현되는 구성 단위를 50중량% 이상 포함하는 폴리이미드 수지인 것을 특징으로 하는 HDD 서스펜션용 적층체.
- 제 2항 내지 제 4항 중의 어느 한 항에 있어서, 낮은 열팽창성 폴리이미드계 수지는, 하기 일반식(2)(단, 식중, R1∼R4는 수소, 할로겐, 저급 알킬기 또는 저급 알콕시기를 나타내며, 서로 동일하거나 다를 수 있다)로 표현되는 구성 단위를 50중량%이상 포함하는 폴리이미드 수지인 것을 특징으로 하는 HDD 서스펜션용 적층체.
- 제 2항 내지 제 6항 중의 어느 한 항에 있어서, 높은 열팽창성 폴리이미드계 수지는, 그 구성 단위인 테트라카르본산 단위 중의 70중량%이상이, 피로멜리트산 유도체 단위, 3,4,3',4'-디페닐술폰테트라카르본산 유도체 단위, 및 3,4,3',4'-디페닐에테르테트라카르본산 이무수물 유도체 단위로부터 선택된 적어도 1종류의 테트라카르본산 단위로 이루어지는 폴리이미드 수지인 것을 특징으로 하는 HDD 서스펜션용 적층체.
- 제 2항 내지 제 6항 중의 어느 한 항에 있어서, 높은 열팽창성 폴리이미드계 수지는, 하기 일반식(3)(단, 식중 X1∼X3은 -0-, -C(CH3)2-, -SO2-, -CH2- 또는 불존재를 나타내며, 각각 동일하거나 다를 수 있으며, 또한 n은 0 또는 1을 나타낸다)로 표현되는 구성 단위를 70중량% 이상 포함하는 폴리이미드 수지인 것을 특징으로 하는 HDD 서스펜션용 적층체.
- 제 2항 내지 제 6항 중의 어느 한 항에 있어서, 높은 열팽창성 폴리이미드계 계 수지는, 하기 일반식(4)(단, 식중, X1∼X3은 -0-, -C(CH3)2-, -SO2-, -CH2- 또는 불존재를 나타내며, 각각 동일하거나 다를 수 있으며, 또한 n은 0 또는 1을 나타낸다)로 표현되는 구성 단위를 70중량%이상 포함하는 폴리이미드 수지인 것을 특징으로 하는 HDD 서스펜션용 적층체.
- 제 1항 내지 제 9항 중의 어느 한 항에 있어서, 스테인레스 베이스부는, 그 폭방향 및 길이 방향의 선팽창계수가 모두 1.75×10-5∼2.0×10-5/℃의 범위내에 있으며, 또한 이들 폭방향 및 길이 방향의 선팽창계수의 차가 0.15×10-5/℃이하인 것을 특징으로 하는 HDD 서스펜션용 적층체.
- 제 1항 내지 제 10항 중의 어느 한 항에 있어서, 스테인레스 베이스부는 공기중 330℃에서 30분의 조건으로 가열처리한 후의 가열 수축율이 그 폭방향 및 길이 방향의 어느 곳에 있어서도 0.025%이하인 것을 특징으로 하는 HDD 서스펜션용 적층체.
- 제 1항 내지 제 11항 중의 어느 한 항에 있어서, 스테인레스 베이스부는 폴리이미드층이 적층되는 면의 중심선 평균 거칠기(Ra)가 20∼300nm인 것을 특징으로 하는 HDD 서스펜션용 적층체.
- 두께 10∼70㎛의 스테인레스 베이스부 위에 1층 이상의 폴리이미드계 전구체 용액 또는 폴리이미드계 수지 용액을 도포하고, 다시 건조 및 250℃이상의 온도에서 열처리를 행하고, 두께가 3∼20㎛이고 선팽창계수가 1×10-5∼3×10-5/℃인 폴리이미드계 수지층을 형성한 후, 두께 3∼20㎛의 도체층을 가열 압착하는 것을 특징으로 하는 HDD 서스펜션용 적층체의 제조 방법.
- 두께 10∼70㎛의 스테인레스 베이스부 위에 높은 열팽창성 폴리이미드계 수지 용액 1 또는 높은 열팽창성 폴리이미드계 전구체 수지 용액 1, 낮은 열팽창성 폴리이미드계 전구체 수지 용액, 높은 열팽창성 폴리이미드계 수지 용액 2 또는 높은 열팽창성 폴리이미드 전구체 수지 용액 2를 순차로 도포, 건조하고, 다시 250℃이상의 온도에서 열처리를 행하고, 두께가 3∼20㎛이고 선팽창계수가 1×10-5∼3×10-5/℃인 폴리이미드계 수지층을 형성한 후, 두께 3∼20㎛의 도체층을 가열압착하는 것을 특징으로 하는 HDD 서스펜션용 적층체의 제조 방법.
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Families Citing this family (17)
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KR101077405B1 (ko) * | 2004-02-26 | 2011-10-26 | 신닛테츠가가쿠 가부시키가이샤 | 배선기판용 적층체 |
JP2005267724A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Nippon Steel Chem Co Ltd | Hddサスペンション用積層体の製造方法 |
US20080225438A1 (en) * | 2005-03-03 | 2008-09-18 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd | Laminate for Suspension and Method for Producing Same |
US20090056981A1 (en) * | 2005-04-18 | 2009-03-05 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Thin film-laminated polyimide film and flexible printed wiring board |
US20090056995A1 (en) * | 2005-04-20 | 2009-03-05 | Toyo Boseki Kabushiki Kasiha | Adhesive sheet, metal-laminated sheet and printed wiring board |
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JPS63245988A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-10-13 | 新日鐵化学株式会社 | フレキシブルプリント基板及びその製造法 |
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JP2738453B2 (ja) * | 1989-10-03 | 1998-04-08 | 新日鐵化学株式会社 | 銅張積層板の製造方法 |
EP0459452A3 (en) * | 1990-05-30 | 1992-04-08 | Ube Industries, Ltd. | Aromatic polyimide film laminated with metal foil |
JP3123093B2 (ja) | 1991-03-08 | 2001-01-09 | カシオ計算機株式会社 | ストップウォッチ装置 |
US5156710A (en) | 1991-05-06 | 1992-10-20 | International Business Machines Corporation | Method of laminating polyimide to thin sheet metal |
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