JP2018062150A - 金属張積層板の製造方法及び回路基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金属張積層板20の製造方法は、第1の積層板10を準備する工程と、第1の積層板10の絶縁樹脂層102の表面S1に樹脂溶液を塗布することによって、剥離可能な支持体103を形成する工程と、を含む。ここで、第1の積層板10の絶縁樹脂層102の表面S1に、ポリアミド酸溶液を塗布した後、熱処理を行ってイミド化して支持体103を形成してもよいし、あるいは、第1の積層板10の絶縁樹脂層102の表面S1に、予めイミド化したポリイミドを溶媒に溶解させた溶液の形態で塗布し、乾燥させることによって支持体103を形成してもよい。
【選択図】図1
Description
本発明の金属張積層板の製造方法は、前記第1の積層板を準備する工程と、
前記第1の積層板の前記絶縁樹脂層の表面に樹脂溶液を塗布することによって前記支持体を形成する工程と、
を含み、
前記支持体がポリイミドによって構成されるとともに、前記樹脂溶液が、ポリイミド溶液又はポリアミド酸溶液であることを特徴とする。
図1は、本発明の一実施の形態に係る金属張積層板の製造方法の工程図である。本実施の形態で製造される金属張積層板20は、図1(a)、(b)に示すように、金属層101と絶縁樹脂層102とが積層された第1の積層板10と、該第1の積層板10の絶縁樹脂層102に剥離可能に積層された支持体103と、を備えている。そして、本実施の形態の金属張積層板20の製造方法は、下記の工程(I)及び、工程(II)を含むことができる。
工程(I)は、第1の積層板10を準備する工程である。図1(a)に示すように、第1の積層板10は、金属層101と絶縁樹脂層102とが積層されてなるものである。
金属層101は、接着性の観点からは金属箔を用いることが好ましい。金属箔の金属として、例えば、銅、アルミニウム、ステンレス、鉄、銀、パラジウム、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、ジルコニウム、金、コバルト、チタン、タンタル、亜鉛、鉛、錫、シリコン、ビスマス、インジウム又はこれらの合金などから選択される金属を挙げることができる。導電性の点で特に好ましいものは銅又は銅合金の金属箔である。なお、金属張積層板20を連続的に生産する場合には、金属箔として、所定の厚さのものがロール状に巻き取られた長尺状の金属箔が用いられる。
絶縁樹脂層102は、樹脂成分がポリイミドからなるポリイミド層であることが好ましい。この場合、ポリイミド層は、単層構造であってもよいし、複数のポリイミド層が積層された多層構造であってもよい。絶縁樹脂層102を多層構造とする場合は、熱可塑性ポリイミド層と、非熱可塑性ポリイミド層を含む多層構造であってもよい。ここで、「熱可塑性ポリイミド」とは、一般にガラス転移温度(Tg)が明確に確認できるポリイミドのことであるが、本発明では、動的粘弾性測定装置(DMA)を用いて測定した、30℃における貯蔵弾性率が1.0×109Pa以上であり、320℃における貯蔵弾性率が3.0×108Pa未満であるポリイミドをいう。また、「非熱可塑性ポリイミド」とは、一般に加熱しても軟化、接着性を示さないポリイミドのことであるが、本発明では、DMAを用いて測定した、30℃における貯蔵弾性率が1.0×109Pa以上であり、320℃における貯蔵弾性率が3.0×108Pa以上であるポリイミドをいう。
絶縁樹脂層102は、単層であるか、多層であるかにかかわらず、フィラーを含有してもよい。例えば、図2Aに例示した構造では、支持体103が積層される側の最外層(表面S1を有する層)に位置する熱可塑性ポリイミド層102Cを構成するポリイミドに、フィラー105を0.5〜10重量%の範囲内で含有することが好ましく、さらには2〜6重量%の範囲内で含有することがより好適である。この場合、熱可塑性ポリイミド層102Cにおけるフィラー105の含有量が0.5重量%に満たないと、FPCとしたときに、絶縁樹脂層が装置の平滑面と密着し搬送が困難になるといった問題が発生することがある。一方、フィラー105の含有量が10重量%を超えると表面の凹凸が大きくなり外観的に平滑性が損なわれたり、支持体103との積層境界での密着力が強固となり、支持体103を分離する際に、分離が不能になったり、剥離できたとしても分離時に回路基板が引き伸ばされ反りが発生し易くなる。なお、フィラー105は、絶縁樹脂層102の全体に分布していてもよい。例えば、図2Aに例示した構造では、熱可塑性ポリイミド層102Aや、非熱可塑性ポリイミド層102Bもフィラー105を含有していてもよい。また、図示は省略するが、図2B、図2Cに例示した絶縁樹脂層102にも、フィラー105を含有させることができる。
工程(II)は、上記構成を有する第1の積層板10の絶縁樹脂層102の表面S1に樹脂溶液を塗布することによって、図1(b)に示すように、支持体103を形成する工程である。つまり、工程(II)では、支持体103をキャスティング法により形成する。
工程(II)において、支持体103はポリイミドによって構成されるため、樹脂溶液としては、ポリイミド溶液又はポリアミド酸溶液を用いる。すなわち、工程(II)では、第1の積層板10の絶縁樹脂層102の表面S1に、ポリアミド酸溶液を塗布した後、熱処理を行ってイミド化して支持体103を形成してもよいし、あるいは、第1の積層板10の絶縁樹脂層102の表面S1に、予めイミド化したポリイミドを溶媒に溶解させた溶液の形態で塗布し、乾燥させることによって支持体103を形成してもよい。支持体103の形成に使用する原料の酸無水物及びジアミノ化合物としては、特に限定されるものではないが、後述するように、絶縁樹脂層102を形成するためのポリイミドの原料の酸無水物及びジアミノ化合物と同様のものを用いることができる。また、支持体103の形成に使用する溶媒、乾燥やイミド化のための熱処理温度、熱処理の方法、樹脂溶液の濃度、絶縁樹脂層102への塗布方法なども、絶縁樹脂層102を形成する場合と同様に行うことができる。
次に、絶縁樹脂層102及び支持体103を形成するためのポリイミドについて説明する。ポリイミドは、前駆体であるポリアミド酸をイミド化してなるものであり、特定の酸無水物とジアミノ化合物とを反応させて製造されるので、酸無水物とジアミノ化合物を説明することにより、ポリイミドの具体例が理解される。なお、本発明でポリイミドという場合、ポリイミドの他、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリシロキサンイミド、ポリベンズイミダゾールイミドなど、分子構造中にイミド基を有するポリマーからなる樹脂を意味する。
ポリイミドが熱可塑性ポリイミドである場合、特に限定されるものではないが、ジアミノ成分として、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(DAPE)を50モル%以上含有するジアミノ化合物を用い、これと酸無水物と反応させて得られたものが好ましい。DAPEを50モル%以上含有するものとすることで、熱可塑性ポリイミド層102Cと支持体103との間の剥離性が向上し、分離時に回路基板が引き伸ばされ反りが発生するリスクが抑えられる。DAPEのより好ましい含有量は70〜100モル%の範囲である。
ポリイミドが非熱可塑性ポリイミドである場合、特に限定されるものではないが、ジアミノ化合物として、上記した熱可塑性ポリイミドの場合と同様に、NH2−Ar1−NH2で表される芳香族ジアミノ化合物と、テトラカルボン酸化合物と反応させて得られたものが好ましい。ただし、非熱可塑性ポリイミド層102Bの線熱膨張係数を20×10−6(1/K)以下、好ましくは1×10−6〜17×10−6(1/K)の範囲とするのがよく、この条件を達成する上で好適な芳香族ジアミノ化合物を選択することが好ましい。例えば、4,4’−ジアミノ−2,2’−ジメチルビフェニル(m-TB)を50モル%以上含有するジアミノ化合物をテトラカルボン酸化合物と反応させて得られたものが好適なものとして挙げられ、さらには70モル%以上含有するジアミノ化合物を選択することがより好ましい。
なお、上記熱可塑性ポリイミド及び非熱可塑性ポリイミドにおいて、ポリイミドの構造単位を複数有する場合は、ブロックとして存在しても、ランダムに存在していてもよいが、ランダムに存在することが好ましい。
同様に、工程(II)では、ポリアミド酸の樹脂溶液を絶縁樹脂層102の表面S1上に塗布乾燥してポリアミド酸層を形成し、続く熱処理によってポリアミド酸層をイミド化することでポリイミド層を得ることができる。重畳的に、すでに形成されているポリアミド酸層上あるいはポリイミド層上に塗布を繰り返してもよい。あるいは、工程(II)では、絶縁樹脂層102の表面S1に、予めイミド化したポリイミドを溶媒に溶解させた溶液の形態で塗布し、乾燥させることによって支持体103を形成してもよい。
図3は、本発明の一実施の形態に係る回路基板の製造方法の工程図である。そして、本実施の形態の金属張積層板20の製造方法は、少なくとも、下記の工程(I)〜(III)を含み、さらに、任意の工程として、工程(IV)、工程(V)を含むことができる。従って、本実施の形態で製造される回路基板は、図3(b)〜(d)のいずれかに示す態様であってもよい。すなわち、図3(b)に示すように、支持体103と絶縁樹脂層102が積層され、該絶縁樹脂層102の上に、金属層101が回路加工された配線層101Aを含む状態の回路基板30でもよい。また、図3(c)に示すように、回路基板30の配線層101Aを覆うカバーレイフィルム層104をさらに備えた状態の回路基板40でもよい。また、図3(d)に示すように、回路基板40から支持体103が分離した状態の回路基板50でもよい。
本実施の形態の回路基板の製造方法において、工程(I)及び工程(II)は、上記「金属張積層板の製造方法」における工程(I)及び工程(II)と同じであるため、説明を省略する(図1も援用される)。
本工程は、図3(a)、図3(b)に示したように、工程(II)で得られた金属張積層板20の金属層101を回路加工して配線層101Aを形成することにより、回路基板30を作製する工程である。金属層101の回路加工は、常法によって行うことが可能であり、特に制限はない。例えば、金属層101のパターニングには、公知のフォトリソグラフィー技術とエッチングを組み合わせる手法や、ナノインプリント技術などを採用することができる。
本工程は、図3(b)、図3(c)に示したように、工程(III)で得られた回路基板30の配線層101Aを覆うカバーレイフィルム層104を形成することにより、回路基板40を作製する工程である。カバーレイフィルム層104の形成は、常法によって行うことが可能であり、特に制限はない。例えば、配線層101Aのパターンに応じて所定形状に加工された、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂のフィルムを用い、熱圧着法によって配線層101Aを覆うように積層することによって、カバーレイフィルム層104を形成できる。熱圧着は、公知の熱プレス法によって行うことができる。本実施の形態では、支持体103を有する状態でカバーレイフィルム層104の形成を行う。支持体103を備えた状態で、カバーレイフィルム層104となるフィルムを熱圧着することにより、絶縁樹脂層102の熱収縮を抑制し、絶縁樹脂層102に形成された配線層101Aの寸法変化を抑制して、配線層101Aの寸法精度を維持することができる。
本工程は、工程(IV)で得られた回路基板40から、支持体103を分離して回路基板50を形成する工程である。この場合、絶縁樹脂層102の表面S1と支持体103の表面S2との間で分離される。つまり、表面S1,S2は剥離面である。
図3(c)、図3(d)に示したように、支持体103と絶縁樹脂層102とを分離することにより、絶縁樹脂層102、配線層101Aおよびカバーレイフィルム層104を備えた回路基板50を作製することができる。このように、支持体103を備えた状態で回路加工を行い、回路加工後に支持体103を分離することによって、回路基板50が特に長尺のものである場合に、配線層101Aの寸法精度を維持する効果が大きくなる。従って、少なくとも支持体103と絶縁樹脂層102を剥離して回路基板50を作製する工程以前の各工程は、いずれもロール・トウ・ロール方式で行うことが好ましい。なお、支持体103を剥離しても、前の工程(IV)でカバーレイフィルム層104が形成されているため、回路基板50の剛性が確保されており、折り曲げによる配線層の破断、損傷、剥離などの不具合の発生を防止できる。
線熱膨張係数の測定は、サーモメカニカルアナライザー(セイコーインスツルメンツ株式会社製)を用いて255℃まで20℃/分の速度で昇温し、その温度で10分間保持した後、更に5℃/分の一定速度で冷却した。冷却時の240℃から100℃までの平均熱膨張係数(線熱膨張係数)を算出した。
窒素置換した反応容器に、308.00gのN,N−ジメチルアセトアミドを入れ、さらに2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン27.14g(0.066モル)を容器中で撹拌しながら溶解させた。次に、14.86g(0.068モル)のピロメリット酸二無水物を加えた。その後、3時間撹拌を続け、溶液粘度2,850mPa・sのポリアミド酸の樹脂溶液a(以下、熱可塑性ポリイミド前駆体aともいう)を調製した。
窒素置換した反応容器に、297.50gのN,N−ジメチルアセトアミドを入れた。この反応容器に4,4’−ジアミノ−2,2’ジメチルビフェニル25.27g(0.119モル)を容器中で撹拌しながら溶解させた。次に、6.87g(0.023モル)の3,3’−4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物および20.36g(0.093モル)のピロメリット酸二無水物を加えた。その後、3時間撹拌を続け、溶液粘度21,000mPa・sのポリアミド酸の樹脂溶液b(以下、非熱可塑性ポリイミド前駆体bともいう)を調製した。
<片面フレキシブル銅張積層板の調製>
長尺状の圧延銅箔(厚み12μm)の片面に合成例1で調製した熱可塑性ポリイミド前駆体aを均一に塗布した後、130℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。次に、この塗布面側に合成例2で調製した非熱可塑性ポリイミド前駆体bを均一に塗布し、130℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。次に、この塗布面側に合成例1で調製した熱可塑性ポリイミド前駆体aを均一に塗布し、130℃で乾燥後、約10分かけて380℃まで加熱硬化させることで、銅箔と絶縁樹脂層としてのポリイミド層a1(厚み12μm)から構成される銅張積層板A1を調製した。このときのポリイミド層a1の線熱膨張係数は23ppm/Kであった。なお、熱可塑性ポリイミド前駆体aの硬化後の厚みは1μmであった。
銅張積層板A1の絶縁樹脂層側の表面に、合成例2にて調製した非熱可塑性ポリイミド前駆体bを均一に塗布し、130℃で乾燥後、約10分かけて380℃まで加熱硬化させることで、支持基材としてのポリイミド層b1(厚み25μm)を有する銅張積層板B1を調製した。このときのポリイミド層b1の線熱膨張係数は23ppm/Kであった。
支持基材付き銅張積層体B1の銅箔をエッチング加工して、50μmピッチの回路配線基板A1を調製した。
Claims (7)
- 金属層と絶縁樹脂層とが積層された第1の積層板と、該第1の積層板の前記絶縁樹脂層に剥離可能に積層された支持体と、を備えた金属張積層板を製造する金属張積層板の製造方法であって、
前記第1の積層板を準備する工程と、
前記第1の積層板の前記絶縁樹脂層の表面に樹脂溶液を塗布することによって前記支持体を形成する工程と、
を含み、
前記支持体がポリイミドによって構成されるとともに、前記樹脂溶液が、ポリイミド溶液又はポリアミド酸溶液であることを特徴とする金属張積層板の製造方法。 - 前記支持体を形成する工程では、前記ポリアミド酸溶液を塗布した後、熱処理を行ってポリアミド酸をイミド化する請求項1に記載の金属張積層板の製造方法。
- 前記絶縁樹脂層が、樹脂成分としてポリイミドからなるポリイミド層である請求項1又は2に記載の金属張積層板の製造方法。
- 前記絶縁樹脂層の厚みが、1〜20μmの範囲内である請求項1から3のいずれか1項に記載の金属張積層板の製造方法。
- 請求項1から4のいずれか1項に記載の金属張積層板の製造方法により製造された前記金属張積層板における前記金属層を、回路加工して配線層を形成する工程を含む回路基板の製造方法。
- 前記配線層を覆うカバーレイフィルム層を形成する工程をさらに含む請求項5に記載の回路基板の製造方法。
- 前記支持体を分離する工程をさらに含む請求項5又は6に記載の回路基板の製造方法。
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---|---|---|---|---|
WO2020018256A1 (en) * | 2018-07-20 | 2020-01-23 | Shenzhen Royole Technologies Co. Ltd. | Stretchable electronics and monolithic integration method for fabricating the same |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002240193A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-28 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 積層体及びその製造方法 |
JP2004322441A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Nippon Steel Chem Co Ltd | ポリイミドフィルムの製造方法 |
JP2009083201A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Toyobo Co Ltd | 多層ポリイミドフィルム及び構造体、多層回路基板 |
JP2010171268A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 回路配線基板の製造方法 |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002240193A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-28 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 積層体及びその製造方法 |
JP2004322441A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Nippon Steel Chem Co Ltd | ポリイミドフィルムの製造方法 |
JP2009083201A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Toyobo Co Ltd | 多層ポリイミドフィルム及び構造体、多層回路基板 |
JP2010171268A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 回路配線基板の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020018256A1 (en) * | 2018-07-20 | 2020-01-23 | Shenzhen Royole Technologies Co. Ltd. | Stretchable electronics and monolithic integration method for fabricating the same |
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