KR20000062674A

KR20000062674A - 자성 세라믹 조성물과 그를 이용한 인덕터 부품

Info

Publication number: KR20000062674A
Application number: KR1020000010015A
Authority: KR
Inventors: 다나카히로미
Original assignee: 무라타 야스타카; 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date: 1999-03-02
Filing date: 2000-02-29
Publication date: 2000-10-25
Also published as: GB2347417B; JP2000252112A; GB2347417A; DE10010082B4; US6287479B1; KR100359263B1; DE10010082A1; TW457499B; GB0004081D0

Abstract

저온 소결이 가능하고 초기 투자율을 10미만으로 하며, 700㎒ 부근의 고주파 영역에서 문턱 주파수를 갖도록 하는 본 발명의 자성 세라믹 조성물은 주성분으로서 Fe 화합물, Zn 화합물, Ni 화합물과 Cu 화합물을 포함하고, 첨가성분으로서 비스무트(bismuth) 화합물과 코발트 화합물을 포함한다. Fe₂O₃, ZnO, NiO+CuO의 몰비(molar%)에 의해 표현되는 주성분 조성비(Fe₂O₃, ZnO, NiO+CuO)는 각각 도 1의 3원 다이어그램에서 점 A(48.0, 0.5, 51.5), 점 B(48.0, 1.5, 50.5), 점 C(45.5, 4.0, 50.5), 점 D(44.0, 4.0, 52.0), 및 점 E(44.0, 0.5, 55.5)에 의해 둘러싸여진 영역 내에 있다. Cu 화합물의 약 8.0~14.0 몰비가 Fe₂O₃, ZnO, NiO와 CuO와 같은 주성분의 100 몰비에 포함된다. Fe₂O₃, ZnO, NiO와 CuO의 주성분 100중량부(重量部)에 대하여, Bi₂O₃와 같은 비스무스 화합물 약 0.25~1.0 중량부와, Co₃O₄와 같은 코발트 화합물 약 0.25~3.0 중량부가 포함된다.

Description

자성 세라믹 조성물과 그를 이용한 인덕터 부품{MAGNETIC CERAMIC COMPOSITION AND INDUCTOR COMPONENT USING THE SAME}

본 발명은 자성 세라믹 조성물과 그를 이용한 인덕터 부품에 관한 것이다.

주로 Fe₂O₃, ZnO, NiO+CuO로 구성되는 자성 세라믹 조성물이 알려져 있다. 이 자성 세라믹 조성물은 노이즈(noise) 등에 대한 대책용 인덕터 부품을 위한 자성체로 사용되어 왔다.

개인용 컴퓨터 등에 사용되는 적층 칩 인덕터와 같은 인덕터 부품은 75㎒ 이상의 고속 신호 라인에서 이 신호 주파수 범위에서의 노이즈 대응책으로서 낮은 임피던스를 갖는다. 그러나, 200㎒ 이상의 고주파 범위에서 노이즈를 제거하기 위하여, 인덕터 부품은 높은 임피던스를 가져야만 하고 그 임피던스 커브의 상승이 급격해야만 한다.

그러므로, 위에 기술된 인덕터 부품에 사용되는 자성체는 200㎒ 이상과 같은 고주파 범위에서 낮은 초기 투자율 μ_i(예를 들어, 10미만)를 가져야만 하고, 이 초기 투자율 μ_i의 문턱 주파수(threshold frequency)는 보다 높은 주파수 범위에서 증가되어져야만 한다. 특히 고속 신호를 위해 편향(deflection)과 신호지연을 감소시키기 위하여, 인덕터 부품용으로 사용되는 자성체는 우수한 온도 안정성을 가져야만 한다.

일반적으로, 자성 세라믹 조성물에 함유되어 있는 ZnO의 양은 초기 투자율 μ_i을 감소시키기 위하여 감소되었다. 그러나, ZnO가 0몰비(molar%)로 감소될 때조차 초기 투자율 μ_i는 단지 20으로 감소되고, 그 문턱 주파수는 100㎒ 이하로 유지된다.

어떤 경우에, 공심(air-core) 코일이 고주파용의 인덕터 부품으로 사용된다. 이 경우에 있어서, 초기 투자율 μ_i는 1이다. 그러나, 그 임피던스는 700~800㎒ 주파수 범위에서 낮고, 노이즈에 대응하는 대응책으로서 충분한 효과를 얻을 수 없다.

적층 칩 인덕터는 예를 들어 은을 함유하는 내부 도체가 제공된 얇은 판이 겹쳐서 된 구조를 갖는다. 그 얇은 막이 겹쳐서 된 구조를 얻기 위하여 소결(燒結)이 시행될 때, 내부 도체에 포함되어 있는 은과 같은 성분의 불필요한 확산 억제에 대한 고려가 요구된다. 그러므로, 자성체로서 930℃이하에서와 같은 저온에서 소결될 수 있는 자성 세라믹 조성물이 바람직하다.

본 발명은 전술한 문제점을 해결할 수 있고 필요조건을 얻도록 할 수 있는 자성 세라믹 조성물과 그를 이용한 인덕터 부품을 제공한다.

본 발명은 특히 10미만의 작은 초기 투자율 μ_i를 얻을 수 있고, 10미만의 작은 초기 투자율 μ_i에서의 문턱 주파수가 200㎒ 이상의 고주파 범위에서 낮아지지 않는 자성 세라믹 조성물과 그를 이용한 인덕터 부품을 제공한다.

또한 본 발명은 초기 투자율 μ_i의 우수한 온도 안정성을 갖는 자성 세라믹 조성물과 그를 이용한 인덕터 부품을 제공한다.

또한 본 발명은 보다 930℃ 이하의 낮은 온도에서 소결될 수 있는 자성 세라믹 조성물과 그를 이용한 인덕터 부품을 제공한다.

도 1은 본 발명에 따른 일 실시예에 있어서, 자성 세라믹 조성물에 주성분으로 포함되는 Fe₂O₃, ZnO, NiO+CuO의 몰비(molar%)로서 조성 영역을 나타낸 3원 다이어그램이다.

도 2는 본 발명에 따른 인덕터 부품의 하나의 실시양태의 적층 칩 인덕터 1을 도해한 도식적인 단면도이다.

도 3은 본 발명의 외부 영역 내의 시료 29와 내부 영역 내의 시료 88의 초기투자율 μ_i의 주파수 특성을 비교한 그래프이다.

도 4는 본 발명의 외부 영역 내의 시료 29와 내부 영역 내의 시료 88의 임피던스의 주파수 특성을 비교한 그래프이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

1; 적층 칩 인덕터 2; 자성체층

3; 인덕터 본체 4; 내부 도체

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 자성 세라믹 조성물은, 주성분으로서 Fe 화합물, Zn 화합물, Ni 화합물과 Cu 화합물을 포함하고, 첨가성분으로서 비스무트(bismuth) 화합물과 코발트 화합물을 포함한다.

주성분에 관련하여, Fe₂O₃, ZnO, NiO+CuO의 몰비(molar%)에 의해 표현되는 Fe 화합물, Zn 화합물, Ni 화합물과 Cu 화합물의 조성비(Fe₂O₃, ZnO, NiO+CuO)는 각각 도 1의 3원 다이어그램에서 점 A(48.0, 0.5, 51.5), 점 B(48.0, 1.5, 50.5), 점 C(45.5, 4.0, 50.5), 점 D(44.0, 4.0, 52.0), 및 점 E(44.0, 0.5, 55.5)에 의해 둘러싸여진 영역 내에 있다. 약 8.0~14.0 몰비의 Cu 화합물이 Fe₂O₃, ZnO, NiO와 CuO와 같은 주성분의 100 몰비를 기초로 하여 함유된다.

첨가성분에 관련하여, Fe₂O₃, ZnO, NiO와 CuO의 주성분 100중량부(重量部)에 대하여, Bi₂O₃와 같은 비스무트 화합물 약 0.25~1.0 중량부와, Co₃O₄와 같은 코발트 화합물 약 0.25~3.0 중량부가 함유된다.

그에 따라, 자성체로서 자성 세라믹 조성물의 사용에 의해, 초기 투자율 μ_i가 10 미만으로 유지될 때, 그 문턱 주파수는 200㎒ 이상의 고주파 범위에서조차도 감소되지 않아, 그에 의해 노이즈의 대책에 대해 우수한 효과를 갖는 인덕터 부품을 얻을 수 있다.

더욱이, 본 발명에 따른 자성 세라믹 조성물의 우수한 소결 상태이기 때문에 930℃ 이하와 같은 저온에서 소결되어 얻어질 수 있으므로, 자성 세라믹 조성물은 은과 같은 금속을 포함하는 내부 도체가 공급된 얇은 판이 겹쳐서 된 구조의 인덕터 부품을 위한 자성체로서 효과적으로 이용될 수 있다.

본 발명에 따른 자성 세라믹 조성물에서, Fe₂O₃, ZnO, NiO와 CuO인 주성분 100중량부에 대하여 첨가성분으로서 약 0.5~3.5 중량부의 ZrO₂와 같은 지르코늄 화합물이 더 함유되도록 하는 것이 바람직하다. 이것은 초기 투자율 μ_i에서 우수한 온도 안정성이 얻어지는 것을 허용한다. 따라서, 자성 세라믹 조성물을 이용하는 인덕터 부품에서 편향과 고속 신호의 지연은 억제될 수 있다.

위에 언급된 이유로, 본 발명은 내부 도체가 공급된 얇은 판이 겹쳐서 된 구조의 자성체 인덕터 부품으로서 위에 기술된 자성 세라믹 조성물을 이용하는 인덕터 부품에 적용될 수 있다.

본 발명을 설명하기 위하여, 바람직한 몇 가지 유형을 도면에 나타내었으나, 본 발명은 도시된 바와 같은 배열 및 수단에 한정되지 않는다.

본 발명에 따른 자성 세라믹 조성물은 주성분으로서 Fe 화합물, Zn 화합물, Ni 화합물과 Cu 화합물을 함유한다. Fe₂O₃, ZnO, NiO와 CuO의 몰비로 표현되는 Fe 화합물, Zn 화합물, Ni 화합물, 그리고 Cu 화합물의 비율은 도 1의 3원 다이어그램에서 점 A(48.0, 0.5, 51.5), 점 B(48.0, 1.5, 50.5), 점 C(45.5, 4.0, 50.5), 점 D(44.0, 4.0, 52.0), 및 점 E(44.0, 0.5, 55.5)로 둘러싸인 영역 내에 있다. Fe₂O₃, ZnO, NiO와 CuO와 같은 주성분의 100몰비에 기초로 한 Cu 화합물 몰비는 약 8~14 몰비이다.

또한 본 발명에 따른 세라믹 조성물은 첨가성분으로서 비스무트 화합물과 코발트 화합물을 포함한다. 전술된 Fe₂O₃, ZnO, NiO와 CuO과 같은 주성분 100중량부에 대하여 Bi₂O₃와 같은 비스무트 화합물 약 0.25~1.0중량부와 Co₃O₄와 같은 코발트 화합물 약 0.25~3.0 중량부가 포함되도록 각각 설계된다.

주성분의 일부를 Co²⁺로 치환함에 의해, 전자 확산에 기인된 자성 이방성이 발생될 수 있고, 그 결과에 의해 자성 범위 장벽(domain wall)은 적합한 위치로 고정될 수 있다. 그 결과로, 보다 작은 초기 투자율 μ_i(10미만)와 대략 700㎒의 고주파 범위에서 문턱 주파수를 갖는 자성 세라믹 조성물이 얻어질 수 있다. 더욱이, 자성 세라믹 조성물은 930℃ 이하의 저온에서 소결될 수 있다.

어떤 경우에 Co 화합물의 추가는 초기 투자율 μ_i의 온도 특성의 악화를 일으킨다. 이 온도 특성을 향상시키기 위하여, 작은 양의 지르코늄(Zr) 화합물의 첨가가 효과적이다. 그러므로, 본 발명에 따른 자성 세라믹 조성물에서, Fe₂O₃, ZnO, NiO와 CuO와 같은 주성분의 100중량부에 대한 첨가성분으로서 ZrO₂로 계산된 지르코늄 화합물 약 0.5~3.5 중량부가 첨가되는 것이 바람직하다.

적층 칩 인덕터 1은 복수의 자성체층 2가 적층된 구조를 갖는 인덕터 본체 3을 가지고 있다. 인덕터 본체 3에는, 예를 들어 은을 포함하는 내부 도체 4를 가지고 있다. 각각의 내부 도체 4는 그림에서 보여지는 자성체층 2들의 사이의 경계를 따라서 연장된 부분과 보여지지 않은 자성체층 2를 관통하는 부분을 포함하고, 전체 구조는 코일의 형태로 확장되기 위하여 형성된다.

위에 설명된 인덕터 본체 3은 내부 도체 4가 형성되는 동안 자성체층 2가 되도록 만들어진 그린 시트의 적층에 의해 형성된 인덕터 본체 3의 소결에 의해 얻어진다.

외부 단자 전극 5와 6들은 개개의 인덕터 본체 3의 외부 표면에 공급되고, 인덕터 본체의 각각의 외부 표면에 연장된 내부 도체 4의 각각의 단자에 전기적으로 연결된다. 외부 단자 전극 5들은 예를 들어 은을 함유하는 도전성 페이스트(conductive paste)의 코팅(coating)과 베이킹(baking)에 의해 형성된다.

이와 같이 설명된 적층 칩 인덕터 1에서, 자성체층 2의 형성을 위해 사용된 원료들은 위에 설명된 자성 세라믹 조성물이다.

실시예

Fe₂O₃, ZnO, NiO와 CuO들이 자성 세라믹 물질의 주성분을 위한 출발원료로서 준비되었고, Bi₂O₃, Co₃O₄와 ZrO₂가 그것의 첨가성분을 위한 출발원료로서 준비되었다.

다음에, 그 출발원료들이 표 1과 2에 나타난 것과 같은 조성을 갖도록 하기 위하여 습식혼합(wet-blended)된다. 표 1과 2에서, 주성분은 개별적인 주성분의 몰비로 표현되고, 개별적인 첨가성분의 양은 주성분 100중량부에 대한 중량부로 표현된다.

위에 설명된 혼합된 파우더의 건조 후에, 그것들은 800℃에서 2시간동안 가소(假燒)된 후 분쇄(粉碎)된다.

다음에, 바인더(binder)가 분쇄화에 의해 얻어진 개개의 파우더에 더해지고, 그것들로부터 그린 시트(green sheet)가 형성된다.

상기 그린 시트들을 적층한 후에, 그것들은 압착되고 블록으로 형성된다. 그 블록들은 도넛형의 코어를 얻기 위하여 20㎜의 외경과 10㎜의 내경과 1㎜의 두께를 갖는 형태로 잘라지고, 그 다음에 930℃에서 소성(燒成)되었다.

그렇게 소결체로서 얻어진 도넛형 코어의 소결 특성을 평가하기 위하여 수분 흡수와 밀도가 측정되었다. 솔더 도금된 연동선(soft copper wire)이 감겨진 도넛형 코어의 인덕턴스의 측정에 의해서, 초기 투자율 μ_i가 산출되었다. 그 결과가 표 1과 2에 나타나 있다.

테이블 1과 2의 *에 의해 표시되어 있는 시료는 본 발명의 영역 외에 있다. 표 1과 2에 나타난 시료에서, 도 1의 3원 다이어그램에서의 주성분의 조성이 나타나 있다. 도 1에서, 원은 본 발명 영역 내의 시료를 나타내고, 삼각형은 본 발명의 영역 외의 시료를 나타낸다.

표 1과 2에 나타나는 것처럼, 더욱 명확하게 도 1에서 나타난 것처럼, Fe₂O₃, ZnO, NiO와 CuO의 몰비에 의해 표현된 조성비(Fe₂O₃, ZnO, NiO+CuO)에서의 주성분은 본 발명의 영역 내에서 도 1의 3원 다이어그램에 나타난 점A(48.0, 0.5, 51.5), 점B(48.0, 1.5, 50.5), 점C(45.5, 4.0, 50.5), 점D(44.0, 4.0, 52.0), 점E(44.0, 0.5, 55.5)에 둘러싸여진 시료를 제공한다. 약 8.0~14.0 몰비의 CuO를 함유하는 시료는 본 발명의 영역 내에 있다. 주성분의 중량을 100으로 하였을 때, 약 0.25~1.0중량부의 Bi₂O₃와 약 0.25~3.0중량부의 Co₃O₄를 함유하는 시료는 본 발명의 영역 내에 있다.

시료70~72에서 나타난 것과 같이, 44.0보다 작은 Fe₂O₃의 몰비는 소결 특성이 나빠졌고 초기 투자율 μ_i가 증가되어 바람직하지 않았다. 대비하여, 시료 1과 2에서 볼 수 있는 바와 같이, 48.0 초과의 Fe₂O₃의 몰비는 소결 특성이 나빠져 바람직하지 않았고, 초기 투자율 μ_i가 증가되었다.

시료3과 65에서 나타난 것과 같이, 0.5보다 작은 ZnO의 몰비는 소결 특성이 나빠져 바람직하지 않았다. 대비하여, 시료 63, 69, 72에서 나타난 것과 같이, 4.0보다 많은 ZnO의 몰비는 초기 투자율 μ_i가 증가되어 바람직하지 않았다.

시료 31과 57에서 나타난 것과 같이, 8.0보다 작은 CuO의 몰비는 소결 특성이 나빠져 바람직하지 않았다. 대비하여, 시료50과 62에서 나타난 것과 같이, 14.0보다 많은 CuO의 몰비는 초기 투자율 μ_i가 증가되어 바람직하지 않았다.

시료32에서 볼 수 있는 것과 같이, 0.25보다 작은 Bi₂O₃중량부는 소결 특성이 나빠져 바람직하지 않았다. 대비하여, 시료 44에서 볼 수 있는 것과 같이, 1.00보다 더 많은 Bi₂O₃중량부가 초기 투자율 μ_i가 증가되어 바람직하지 않았다.

시료9와 29에서 볼 수 있는 것과 같이, 0.25보다 작은 Co₃O₄의 중량부는 소결 특성이 나빠지고 초기 투자율 μ_i가 증가되어 바람직하지 않았다. 대비하여, 시료30에서 볼 수 있는 것과 같이, 3.00보다 많은 Co₃O₄의 중량부는 소결 특성이 나빠져 바람직하지 않았다.

시료 8과 22에 관련하여, Fe₂O₃, ZnO, NiO와 CuO의 개개의 성분은 바람직한 영역에 있다. 그러나, 그 조성비(Fe₂O₃, ZnO, NiO+CuO)는 도 1에 보여지는 3원 다이어그램에서 점 A(48.0, 0.5), 점 B(48.0, 1.5, 50.5), 점 C(45.5, 4.0, 50.5), 점 D(44.0, 4.0, 52.0), 그리고 점 E(44.0, 0.5, 55.5)에 의해 둘러싸여지는 영역의 외부에 있고, 초기 투자율 μ_i가 증가되었기에 바람직하지 않았다.

위에 설명된 것으로서, 본 발명의 영역 내의 시료는 930℃에서 소결될 때 바람직한 소결 특성이 나타났고 10미만의 초기 투자율을 가졌다.

위에 기술한 실시예에서, Co₃O₄가 사용되었다. 그러나, Co₃O₄대신에 코발트 카보네이트(CoCO₃)의 사용에 의해 얻어진 효과가 동등한 것으로 확인되었다. 예를 들어, 코발트 카보네이트가 채택될 때, 위에 기술된 중량부가 Co₃O₄와 같은 중량부에 의해 표현된다.

다음에, 본 발명의 영역에서의 시료를 ZrO₂의 첨가량에 의해 영향받는 온도 특성을 평가하기 위하여, 표 3에 나타난 것과 같은 조성을 갖는 시료가 표 1과 2에서 나타난 것과 같은 시료의 이것들과 유사한 방식으로 준비되었다. 이 시료들의 경우에, 온도 특성이 수분 흡수, 밀도와 초기 투자율 μ_i에 따라서 평가되었다. 표 3에서, 위에 기술된 특성이 나타난다. 온도 특성의 평가를 위하여, 20℃와 85℃에서의 초기 투자율 μ_i가 임피던스 분석기를 사용하여 측정되었다. 표 3에 나타난 온도 특성은, 20℃에서의 초기투자율에 의해 나누어지는 85℃에서의 초기 투자율의 조성에 의해 평가되었다.

표 3에 따르면, 시료 83과 84에서 나타난 것과 같이 0.5보다 작은 ZrO₂의 중량부는 온도 특성이 나빠져 바람직하지 않았다. 대비하여, 시료 90에서 나타난 것과 같이, 3.5보다 많은 ZrO₂의 중량부는 소결 특성이 나빠지고 온도 특성이 나빠져 바람직하지 않았다.

위에 기술된 것과 같이, 약 0.5~3.5의 ZrO₂의 중량부가 우수한 온도 특성을 얻기 위하여 첨가되는 것이 바람직하다.

도 3은 초기 투자율 μ_i의 주파수 특성을 나타낸다. 도 3에서, 본 발명의 영역 외에 있는 시료 29, 그리고 본 발명의 영역 내에 있는 시료 88이 비교적으로 나타나고 있다. 이 평가에 사용된 시료는 전술한 방식에서 준비된 도넛형 코어이다.

도 3으로부터 알 수 있는 것처럼, 시료 29의 초기 투자율 μ_i는 상대적으로 높았고, 그 문턱 주파수는 대략 100㎒에서 유지되었다. 대비하여, 시료 88의 초기 투자율은 10미만이 아닐 뿐만 아니라 그 문턱 주파수가 대략 700㎒의 높은 주파수로 증가되었다.

도 4는 임피던스의 주파수 특성을 나타낸다. 도 4에서, 본 발명의 영역 외에 있는 시료 29, 그리고 그 영역의 내에 있는 시료 88이 또한 비교적으로 나타난다. 임피던스의 주파수 특성의 평가를 위해 사용된 시료들은, 도 2에서 나타난 것과 같이, 6.5회 감겨진 내부 도체가 공급된 적층 칩 인덕터 형태이다.

도 4로부터 보여질 수 있는 것으로서, 시료 29의 임피던스 곡선의 상승은 매우 가파르지 않았다. 대비하여, 시료 88의 임피던스 곡선의 상승은 가파르고, 그리고 대략 700㎒에서의 임피던스가 높았으며, 그에 의해서 시료 88은 노이즈 대응책으로서 우수한 효과를 갖는다는 것이 확인되었다.

발명의 바람직한 실시예들이 개시되었으나, 여기에 개시된 원리를 수행할 수 있는 다양한 형태들이 다음의 청구 범위 내에서 예상될 수 있다. 그러므로, 발명의 범위는 청구 범위의 기재사항에 제한되지 않는다.

이상과 같은 본 발명에 의한 자성 세라믹 조성물과 그를 이용한 인덕터에 따르면, 200㎒ 이상의 고주파 범위에서 10미만의 낮은 초기 투자율 μ_i를 가질 수 있고, 초기 투자율 μ_i의 문턱 주파수(threshold frequency)는 보다 높은 주파수 범위에서 증가되어질 수 있다. 또한, 930℃이하의 저온에서 소결될 수 있다. 그리고, 지르코늄 화합물의 첨가에 의해 우수한 온도 안정성을 가질 수 있다. 따라서, 따라서, 고속 신호를 위해 요구되는 편향(deflection)와 신호지연을 감소시키기 위한 인덕터 부품용으로 효과적으로 사용될 수 있다.

Claims

주성분으로서 Fe 화합물, Zn 화합물, Ni 화합물과 Cu 화합물을 포함하고, 첨가성분으로서 비스무트 화합물과 코발트 화합물을 포함하며,

Fe₂O₃, ZnO, NiO와 CuO로서 계산된 몰비(molar%)에 의해 표현되는 상기 Fe 화합물, Zn 화합물, Ni 화합물과 Cu 화합물의 조성비(Fe₂O₃, ZnO, NiO+CuO)가 3원 다이어그램에서 점 A(48.0, 0.5, 51.5), 점 B(48.0, 1.5, 50.5), 점 C(45.5, 4.0, 50.5), 점 D(44.0, 4.0, 52.0), 그리고 점 E(44.0, 0.5, 55.5)에 의해 둘러싸여진 영역 내에 있고,

Fe₂O₃, ZnO, NiO와 CuO의 주성분의 100 몰비에 함유된 Cu 화합물의 양이 약 8.0~14.0 몰비이고,

Fe₂O₃, ZnO, NiO와 CuO와 같은 주성분의 100중량부에 대하여 Bi₂O₃와 같은 비스무트(bismuth) 화합물의 양이 약 0.25~1.0 중량부이고, Co₃O₄와 같은 코발트 화합물의 양이 약 0.25~3.0 중량부인 것을 특징으로 하는 자성 세라믹 조성물.
제 1항에 있어서, Fe₂O₃, ZnO, NiO와 CuO와 같은 주성분의 100중량부에 대하여 ZrO₂로서 환산된 지르코늄 화합물 약 0.5~3.5중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 자성 세라믹 조성물.
제 2항에 있어서, Fe₂O₃, ZnO, NiO와 CuO와 같은 주성분의 100중량부에 대하여 ZrO₂로서 환산된 지르코늄 화합물 약 0.75~3중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 자성 세라믹 조성물.
제 3항에 있어서, Fe₂O₃, ZnO, NiO와 CuO와 같은 주성분의 100몰비에 함유된 Cu 화합물의 양이 약 10~13몰비이고, Fe₂O₃, ZnO, NiO와 CuO와 같은 주성분의 100중량부에 대하여 Bi₂O₃와 같은 비스무트 화합물의 양이 약 0.5~1.0중량부이고, Co₃O₄와 같은 코발트 화합물의 양이 약 0.4~2.5중량부인 것을 특징으로 하는 자성 세라믹 조성물.
제 1항에 있어서, Fe₂O₃, ZnO, NiO와 CuO와 같은 주성분의 100몰비에 함유된 Cu 화합물의 양이 약 10~13몰비이고, Fe₂O₃, ZnO, NiO와 CuO와 같은 주성분의 100중량부에 대하여 Bi₂O₃와 같은 비스무트비스무트 양이 약 0.5~1.0중량부이고, Co₃O₄와 같은 코발트 화합물의 양이 약 0.4~2.5중량부인 것을 특징으로 하는 자성 세라믹 조성물.
자성체를 포함하는 인덕터 부품에 있어서, 상기 자성체는 제 5항에 따른 세라믹 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕터 부품.
제 6항에 있어서, 상기 인덕터 부품은 내부 도체가 얇은 판이 겹쳐서 된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 인덕터 부품.
자성체를 포함하는 인덕터 부품에 있어서, 상기 자성체는 제 4항에 따른 세라믹 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕터 부품.
제 8항에 있어서, 상기 인덕터 부품은 내부 도체가 얇은 판이 겹쳐서 된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 인덕터 부품.
자성체를 포함하는 인덕터 부품에 있어서, 상기 자성체는 제 3항에 따른 세라믹 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕터 부품.
제 10항에 있어서, 상기 인덕터 부품은 내부 도체가 얇은 판이 겹쳐서 된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 인덕터 부품.
자성체를 포함하는 인덕터 부품에 있어서, 상기 자성체는 제 2항에 따른 세라믹 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕터 부품.
제 12항에 있어서, 상기 인덕터 부품은 내부 도체가 얇은 판이 겹쳐서 된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 인덕터 부품.
자성체를 포함하는 인덕터 부품에 있어서, 상기 자성체는 제 1항에 따른 세라믹 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕터 부품.
제 14항에 있어서, 상기 인덕터 부품은 내부 도체가 얇은 판이 겹쳐서 된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 인덕터 부품.