KR20000028803A - 메모리 시스템 - Google Patents

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Abstract

착탈 가능한 기억 매체와 상기 기억 매체 중에 저장된 데이타를 사용하는 메모리 시스템에서 상기 기억 매체에는 상기 기억 매체를 개별로 식별하기 위한 개별 정보가 유지되며, 상기 기억 매체 중에 저장되는 데이타를 사용할 때는 상기 기억 매체의 개별 정보를 필요로 하도록 구성한다. 이에 따라, 플래시 메모리 카드 등의 이용 시에 저작권의 보호를 확보할 수 있다.

Description

메모리 시스템{MEMORY SYSTEM}
본 발명은 반도체 메모리를 이용한 메모리 시스템에 있어서, 그 저작권 보호의 목적으로 이용되는 것이다. 또한, 본 발명은 전기적 재기록 가능한 불휘발성 반도체 메모리(EEPROM)의 제어 방법에 관한, 특히 NAND형 EEPROM에 적용하여 유용한 제어 방법에 관한 것이다.
최근, 도 1에 도시한 바와 같은 플래시 메모리 카드 FMC가 디지탈 스틸 카메라나 PDA(Personal Digital Assistant) 등의 휴대 정보 기기의 기억 매체로서 주목받고 있다. 이 플래시 메모리 카드 FMC는 박형의 플라스틱 패키지에 근소한 오목부가 설치되어 있으며, 그 오목부에 22핀의 평면 전극을 갖는 플래시 메모리 FM이 매립되어 있다. 이 플래시 메모리 카드 FMC는 전용 커넥터를 통하여 호스트 시스템(개인용 컴퓨터)에 전기적으로 접속함으로써, 호스트 시스템과 플래시 메모리 카드 FMC 간에서 데이타의 입출력을 행하는 것이 가능하다. 예를 들면, PC 카드 어댑터를 이용하면, 플래시 메모리 카드 상의 파일을 간단하게 개인용 컴퓨터로 전송하는 것이 가능하다.
그러나, 상기 플래시 메모리 FM을 이용한 메모리 시스템에서 음악 데이타 등 저작권이 존재하는 파일도 자유롭게 복사하는 것이 가능하며 저작권이 침해된다고 하는 문제점이 있었다.
또한, 플래시 메모리의 하나로서 전기적 재기록이 가능한 EEPROM이 알려져 있다. 그 중에서도 메모리 셀을 여러개 직렬 접속하여 NAND 셀을 구성하는 NAND형 EEPROM은 고집적화가 가능하여 주목받고 있다. NAND형 EEPROM의 하나의 메모리 트랜지스터는 반도체 기판 상에 절연막을 통하여 부유 게이트(전하 축적층)와 제어 게이트가 적층된 FETMOS 구조를 갖는다. 그리고, 복수개의 메모리 트랜지스터가 인접하는 것끼리로 소스·드레인을 공용하는 형태로 직렬 접속되어 NAND 셀을 구성하고, 이것을 한단위로서 비트선에 접속한다. 이러한 NAND 셀이 매트릭스 배열되어 메모리 셀 어레이가 구성된다.
NAND형 EEPROM의 메모리 셀 어레이는 복수 블럭에 의해 구성된다. 1 블럭은 하나의 NAND 셀이 16단의 경우이면, 그 NAND 셀을 선택하는 16개의 워드선과, 이들의 워드선이 연속하는 범위의 메모리 셀을 포함한다. 이 1 블럭이 데이타의 일괄 소거를 행하는 플래시 메모리에서의 일괄 소거의 최소 단위가 된다. 1 워드선의 메모리 트랜지스터 배열 범위가 통상 1 페이지라고 불린다.
EEPROM 플래시 메모리는 DRAM과 마찬가지로 데이타 재기록이 가능한 데다가 전원을 절단하여도 데이타를 불휘발로 기억할 수 있기 때문에 각종 휴대용 전자기기나 메모리 카드 그 외의 정보 매체로의 응용이 주목받고 있다. 이와 같은 EEPROM 플래시 메모리의 응용 시에, 그 메모리 영역의 일부에 대하여 자유로운 재기록을 제한하고, 한번만 데이타 기록이 가능한 OTP(One Time PR0M)화하고자 하는 요구가 있다.
예를 들면, 저작권이 문제가 되는 음악 데이타 등의 취득과 전송 등을 행하는 플래시 메모리 시스템을 포함하는 기기에서 음악 데이타의 복사를 일정 범위로 제한해야만 한다고 하는 경우에 그와 같은 요구가 생기는 구체적으로 EEPROM 플래시 메모리를 이용한 메모리 시스템에서 EEPROM 플래시 메모리의 데이타 재기록을 수반하는 액세스가 실행될 때 그 때마다 칩의 불가역적인 상태 변화로서 OTP 영역에 마크 데이타를 기억하고 그와 같은 불가역한 상태 변화를 소정 횟수 허용한다고 하는 요망이 있다.
그래서, 본 발명은 상기 과제에 감안하여 이루어진 것으로, 플래시 메모리 카드 등의 이용 시에, 저작권의 보호가 확보되는 메모리 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 메모리 영역의 일부를 OTP화한 불휘발성 반도체 메모리에 있어서, OTP 영역에 오기록 등을 생기는 일 없이 또한 기록 영역과 미기록 영역의 경계를 명확히 유지하면서 마크 데이타 기록을 행하고, 불가역인 상태 변화를 기억하는 것을 가능하게 한 불휘발성 반도체 메모리의 제어 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
도 1은 플래시 메모리 카드의 외관을 나타내는 도면.
도 2는 16M비트 NAND형 플래시 메모리의 물리 블럭의 구성을 나타내는 도면.
도 3은 16M비트 NAND형 플래시 메모리의 데이타 영역 내부의 구성을 나타내는 도면.
도 4는 16M비트 NAND형 플래시 메모리의 논리 블럭/ 물리 블럭 변환 테이블의 구성을 나타내는 도면.
도 5는 16M비트 NAND형 플래시 메모리의 물리 블럭의 구성을 나타내는 도면(선두 블럭이 불량 블럭이 아닌 경우).
도 6은 16M비트 NAND형 플래시 메모리의 물리 블럭의 구성을 나타내는 도면(선두 블럭이 불량 블럭인 경우).
도 7은 도 5 및 도 6에 도시된 CIS 영역의 구성을 나타내는 도면.
도 8은 본 발명의 제1 실시예의 개요를 나타내는 도면.
도 9는 본 발명의 제2 실시예의 개요를 나타내는 도면.
도 9a는 식별 정보에 기초하여 암호키를 작성하고 이 암호키를 이용하여 파일의 암호를 푼 경우를 설명하는 도면.
도 10은 본 발명의 제2 실시예의 개요를 나타내는 도면.
도 10a는 본 발명의 제3 실시예의 개요를 나타내는 도면.
도 10b는 본 발명의 제3 실시예의 변형예의 개요를 나타내는 도면.
도 10c는 본 발명의 제3 실시예를 적용한 PC 카드 ATA 인터페이스에 준거한 플래시 메모리 카드를 나타내는 도면.
도 11은 본 발명의 제4 실시예의 개요를 나타내는 도면.
도 12는 본 발명의 제4 실시예의 개요를 나타내는 도면.
도 13은 본 발명의 제4 실시예의 개요를 나타내는 도면.
도 14는 본 발명의 제5 실시예의 개요를 나타내는 도면.
도 14a는 본 발명의 제6 실시예의 개요를 나타내는 도면.
도 14b는 본 발명의 제7 실시예의 개요를 나타내는 도면.
도 15는 종래의 플래시 메모리 카드의 ID 판독 모드 시의 각 신호 파형을 나타내는 도면.
도 16은 본 발명의 제7 실시예에 따른 플래시 메모리 카드의 ID 판독 모드 시의 각 신호 파형을 나타낸 도면.
도 17은 본 발명의 제7 실시예에 따른 플래시 메모리 카드의 ID 판독 모드 시의 각 신호 파형을 나타낸 도면.
도 18은 플래시 메모리 카드에 탑재되는 퓨즈 회로의 일례를 나타내는 회로도.
도 19는 본 발명의 제8 실시예에 따른 플래시 메모리 카드의 물리 블럭의 구성을 나타내는 도면.
도 20a는 본 발명에 따른 플래시 메모리의 로우 디코더 회로의 일례를 나타내는 도면 ＜제9 실시예＞.
도 20b는 주변 회로 버스 라인과 워드선 간을 접속하는 전달 게이트 회로를 나타내는 도면.
도 21a는 본 발명의 제9 실시예에서의 용장 블럭 내의 식별 정보와 보수 정보를 나타내는 도면(변경 전).
도 21b는 본 발명의 제9 실시예에서의 용장 블럭 내의 식별 정보와 보수 정보를 나타내는 도면(변경 후).
도 22는 본 발명의 제10 실시예에서의 랜덤하게 불량 비트를 발생시킨 플래시 메모리의 메모리 공간을 나타내는 도면.
도 23은 본 발명의 제12 실시예에서의 저작권 보호의 구조를 설명하는 도면(적정한 저작물의 파일 이동을 하는 경우).
도 24는 본 발명의 제12 실시예에서의 저작권 보호의 구조를 설명하는 도면(부정한 저작물의 파일 복사를 시도하고자 한 경우).
도 25는 본 발명의 제12 실시 형태에 이용되는 NAND형 EEPROM 플래시 메모리의 구성을 나타내는 도면.
도 26은 동일 플래시 메모리의 메모리 셀 어레이의 블럭 구성을 나타내는 도면.
도 27은 동일 플래시 메모리의 블럭의 구체 구성을 나타내는 도면.
도 28은 동일 플래시 메모리의 로우 디코더의 구성을 나타내는 도면.
도 29는 동일 플래시 메모리의 데이타 기록의 동작 타이밍도.
도 30은 동일 플래시 메모리의 데이타 기록 시의 바이어스 조건을 나타내는 도면.
도 31은 동일 플래시 메모리의 데이타 판독의 동작 타이밍도.
도 32는 동일 플래시 메모리의 NAND 셀 내의 바람직한 데이타 기록 순서의 예를 설명하기 위한 도면.
도 33은 동일 플래시 메모리의 NAND 셀 내의 바람직하지 못한 데이타 기록 순서의 예를 설명하기 위한 도면.
도 34는 본 실시 형태에서의 OTP 블럭으로의 마크 데이타 기록의 순서를 나타내는 도면.
도 35는 동일 실시 형태에서의 마크 데이타 기록을 위한 어드레스 인크리먼트(increment)의 플로우를 나타내는 도면.
도 36은 동일 실시 형태에서의 OTP 블럭의 빈 영역을 검색하기 위한 제어 플로우(전반)를 나타내는 도면.
도 37은 동일 실시 형태에서의 OTP 블럭의 빈 영역을 검색하기 위한 제어 플로우(후반)를 나타내는 도면.
도 38은 동일 실시 형태에서의 OTP 블럭으로의 마크 데이타 기록의 구체적인 수법을 설명하기 위한 도면.
도 39는 동일한 OTP 블럭으로의 마크 데이타 기록에서 안정적인 경계 영역이 유지되는 예를 설명하기 위한 도면.
도 40은 동일한 OTP 블럭으로의 마크 데이타 기록에서 불안정한 경계 영역을 해소하는 구체예를 설명하기 위한 도면.
도 41은 동일한 OTP 블럭으로의 마크 데이타 기록에서 불안정한 경계 영역을 해소하는 다른 구체예를 설명하기 위한 도면.
도 42는 본 실시 형태에서의 OTP 블럭으로의 마크 데이타 기록의 제어 플로우(전반)를 나타내는 도면.
도 43은 본 실시 형태에서의 OTP 블럭으로의 마크 데이타 기록의 제어 플로우(후반)를 나타내는 도면.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
1 : 메모리 셀 어레이
2 : 로우 디코더
3 : 컬럼 디코더
4 : 어드레스 버퍼
5 : 센스 앰프/데이타 래치
6 : 데이타 버퍼
7 : 제어 회로
8 : 전압 발생회로
이하에 나타내는 본 발명의 실시 형태에 따른 상세한 설명과 도면으로부터 본 발명은 충분히 이해될 것이다. 그러나, 이들의 도면은 특정한 실시 형태로 한정하는 의도가 아니고 단순하게 설명과 이해를 위해 이용된다.
도 1에 도시하는 소형의 플래시 메모리 카드 FMC를 기억 매체의 일례로서 설명한다. 이 플래시 메모리 카드 FMC는 박형의 플라스틱 패키지에 근소한 오목부가 설치되어 있으며, 그 오목부에 22 핀의 평면 전극을 갖는 플래시 메모리 FM이 매립되고 있다. 본 실시예에서는 상기 플래시 메모리 카드 FMC에 탑재되어 있는 플래시 메모리 FM으로서 NAND형 EEPROM이라고 불리는 플래시 메모리를 사용하고 있다. 이러한 플래시 메모리 FM에서는 시장에서의 데이타의 호환성을 확보하기 위해서, 데이타의 저장 방법을 규정한 물리 포맷 사양이 정해지고 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 16M비트의 NAND형 플래시 메모리의 경우, 플래시 메모리는 512개의 물리적인 메모리 블럭 블럭0 ∼ 블럭511로 분할되어 있다. 이 블럭은 소거 시의 최소 단위가 되고 있다. 또한, 1메모리 블럭은 Page0 ∼ Page15의 16페이지로 분할된다. 1페이지는 기록 및 판독의 기본적인 단위가 된다. 1페이지는 264바이트로 구성되며, 그 중에 256바이트는 데이타부 DT를 구성하고, 나머지 8바이트는 용장부 RD를 구성한다. 데이타부 DT는 사용자 데이타를 저장하는 영역이며, 조장부 RD는 에러 정정 부호 및 관리 정보 등을 저장하는 영역이다.
통상, 개인용 컴퓨터 등에 데이타가 섹터(512 바이트) 단위로 관리되기 때문에, 본 플래시 메모리 카드에도 512바이트 단위로 데이타를 관리하는 것을 기본으로 한다. 이 때문에, 짝수 페이지와 홀수 페이지로 이루어지는 2 페이지를 1쌍으로 하여 사용한다.
데이타부 DT와 용장부 RD의 내부 데이타 구성을 도 3에 도시한다. 데이타 DT 및 용장부 RD에서는 미사용의 정상적인 영역은 "FFh"로 설정되어 있다. 하기에 각각의 바이트의 의미를 설명한다.
데이타부 DT에서의 데이타 영역-1은 512바이트로 이루어지는 섹터 데이타 중 전반의 0 ∼ 255 바이트의 데이타가 저장된다. 데이타부 DT에서의 데이타 영역-2는 512 바이트로 이루어지는 섹터 데이타 중 후반의 256 ∼ 511 바이트의 데이타가 저장된다.
용장부 RD에서의 데이타 상태 영역은 그 페이지의 데이타부 DT로 저장되어 있는 데이타가 정상인지의 여부를 나타내는 데이타가 저장되는 영역이다. 이 데이타 상태 영역은 1개의 쌍을 구성하는 짝수 페이지와 홀수 페이지의 데이타부 DT의 데이타가 정상인 경우는 "FFh" 이지만, 정상이 아닌 데이타가 기록되어 있는 경우에는 "00h"가 설정된다. 즉, 1개의 데이타 상태 영역에는 쌍이 되는 짝수 페이지와 홀수 페이지에 대한 설정이 이루어진다.
용장부 RD에서의 블럭 상태 영역은 그 메모리 블럭에 저장되어 있는 데이타가 정상인지의 여부를 나타내는 데이타가 저장되는 영역이다. 이 블럭 상태 영역은 그 메모리 블럭의 데이타부 DT의 데이타가 정상인 경우는 "FFh"이지만, 정상이 아닌 데이타가 기록되어 있는 경우에는 "00h"(초기 불량 블럭) 또는 "F0h"(후발 불량 블럭)가 설정된다. 따라서, 이 블럭 상태 영역에 2비트 이상 "0"이 있는 경우는 그 메모리 블럭은 불량이면 판단할 수 있다. 또, 블럭 상태 영역은 동일한 메모리 블럭 내에서는 전부 동일한 값이 기록된다. 즉, 도 2에 도시한 바와 같이 동일 메모리 블럭 내에서는 Page0 ∼ Page15의 블럭 상태 영역에는 동일한 값이 설정된다.
도 3에 도시한 바와 같이, 용장부 RD에서의 블럭 어드레스 영역-1은 그 메모리 블럭에 대한 논리 블럭 어드레스(Logical Block Address) 정보를 저장하는 영역이다. 또, 이 블럭 어드레스 영역-1은 동일한 메모리 블럭 내에서는 전부 동일한 값이 기록된다. 이 때문에, 블럭 어드레스 영역-2에는 블럭 어드레스 영역-1과 동일한 논리 블럭 어드레스 정보가 기록되어 있게 된다. 본 플래시 메모리 카드 FMC의 제어에서는 데이타 갱신 시는 소거 완료의 메모리 블럭 영역에 갱신 데이타를 기록하고, 원래 데이타가 존재하는 메모리 블럭 영역의 원래 데이타를 소거한다고 하는 추가 기록 방식을 채용하고 있다. 이 때문에, 어떤 논리 블럭 어드레스에 대응하는 데이타가 존재하는 물리 블럭 어드레스(Physical Block Addrss)는 고정하지 않고 항상 메모리 내를 이동하게 한다.
따라서 전술한 바와 같이, 각 메모리 블럭 Block0 ∼ Block511의 용장부 RD에서의 블럭 어드레스 영역-1, 2에는 자기가 어느 논리 블럭에 대응하는 데이타를 유지하고 있는지를 나타내는 논리 블럭 어드레스 정보를 기억하고 있다. 통상은 전원 투입 시에 전 물리 블럭 Block0 ∼ Block511, 블럭 어드레스 영역-1 및/또는 블럭 어드레스 영역-2를 검색하고, 시스템 RAM 상에 도 4에 도시한 바와 같은 논리 블럭과 물리 블럭의 변환 테이블을 작성한다. 이 변환 테이블을 한번 작성한 후는 변환 테이블을 참조하면 논리 블럭에 대응하는 물리 블럭의 소재가 곧 판단 가능하기 때문에, 전 메모리 블럭의 검색 동작은 전원 투입 시 1회로 좋다. 당연한 일이지만 데이타의 갱신을 행하고 대응하는 물리 블럭의 위치가 변화한 경우는 도 4에 도시하는 변환 테이블의 갱신 작업을 행하고 다음 액세스에 구비한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 용장부 RD에서의 ECC 영역-1은 짝수 페이지의 데이타부 DT(256바이트)에 대한 3바이트의 ECC(Error Correction Code)를 저장하는 영역이다. ECC 영역-2는 홀수 페이지의 데이타부 DT(256 바이트)에 대한 3바이트의 ECC를 저장하는 영역이다. 여기서 ECC란, 에러 정정을 위한 부호이다. 시스템은 이 에러 정정용 ECC를 이용하고, 데이타부 DT에서부터 판독한 데이타에 에러가 있는지의 여부를 판정하고, 데이타부 DT에 에러가 존재하는 경우 에러를 정정할 수 있다.
도 2를 별도의 관점에서부터 새로 쓴 것이 도 5가 된다. 이 도 5에 도시한 바와 같이 메모리 블럭 Block0 ∼ Block511의 선두의 블럭에 CIS(Card Information Structure)라는 것을 정의한다. 상술한 바와 같이 상기 플래시 메모리 카드 FMC에서는 시장에서의 호환성을 취하기 위해서 데이타의 저장 방법을 규정하고 있다. 상기한 CIS는 플래시 메모리 카드 FMC가 규정되어 있는 데이타 저장 방법에 준거하고 있는지의 여부를 판단하기 위한 식별 영역이다. CIS는 유효한 블럭 중 선두 블럭에 배치된다. 도 5에 도시한 바와 같이 최초의 메모리 블럭 Block0이 불량 블럭이 아니면 CIS 블럭은 선두의 메모리 블럭 Block0에 배치된다. 혹시 칩의 선두의 메모리 블럭 Block0이 불량 블럭이면 도 6에 도시한 바와 같이 2번째의 메모리 블럭 Block1로 배치된다.
CIS는 도 7에 도시한 바와 같이, 2개의 영역 A, 영역 B로 분할된다. 영역 A는 고정의 데이타 영역이다. 이 영역 A의 선두 10바이트를 이용하여 규정된 데이타 저장 방법에 준거하고 있는지의 여부를 판단한다. 시스템은 전원 투입 시, CIS 블럭의 선두 10바이트를 판독하고, 그 값이 규정된 것과 일치하면 그 플래시 메모리 카드 FMC는 규정된 데이타 저장 방법에 준거하고 있게 하고, 처리를 진행시킨다. 혹시 규정된 10 바이트가 판독하지 않으면 시스템은 그 플래시 메모리 카드 FMC는 미지의 포맷(format)품(品)이라는 판단을 하고, 데이타의 파괴를 막기 위해서 이후의 처리를 중지한다.
CIS 영역은 시스템(예를 들면 PC 어댑터 카드 중 컨트롤러)만이 참조 가능한 영역에서 일반 최종 사용자가 참조할 수는 없다. 예를 들면, PC 어댑터 카드를 통하여 플래시 메모리 카드 FMC에 파일을 저장하는 경우, 이 파일은 파일의 관리 영역(마스터 부팅 섹터, 파티션 부팅 섹터, FAT, 디렉토리 등) 및 파일 데이타 본체를 포함하여 CIS 영역이외의 장소를 이용하여 저장된다. 따라서 CIS 영역은 개인용 컴퓨터 상에서부터는 특수한 수단을 사용하지 않는 한 보이지는 않는다.
CIS의 또 하나의 영역인 영역 B는 임의의 데이타가 설정 가능한 영역이지만, 최종 사용자가 임의의 데이타를 설정할 수 있는 것은 아니다. 플래시 메모리 카드 FMC가 출하되는 단계 또는 특수한 툴에 의해서, 영역 B에는 데이타가 설정된다.
이하에 상기한 바와 같은 규정의 플래시 메모리 카드 상에서 저작권을 보호를 위한 실시예를 구체적으로 설명한다.
저작권이 보호되어야 하는 것으로서는, 예를 들면 클래식 음악이나 대중 음악과 같은 음악 데이타, 영어 회화 등의 어학 교재의 데이타, 문학이나 잡지, 신문등의 문자 데이타, 공연이나 인터뷰나 만담 등의 음성 데이타, 애니메이션의 인기 캐릭터 등의 캐릭터 데이타, 풍경 등의 화상 데이타, 지도 데이타, 음성 안내 데이타, 지역 정보 데이타, 인물화 등의 화상 데이타 등, 법적으로 저작권이 발생하는 것은 전부 포함된다. 또한 저작권이 발생하지 않은 데이타에 대하여 어느 복사 프로텍트 등의 데이타 보호의 수요가 있을 경우도 마찬가지로 취급하는 것이 가능하다. 이하의 설명에서는 이들을 총칭하여 저작물 또는 콘텐츠(contents) 등이라고 기재한다.
＜제1 실시예＞
이하에, 본원 발명의 메모리 시스템의 제1 실시예를 설명한다. 본 실시예는 플래시 메모리에 미리 저작물을 기억한 상태에서의 판매를 목적으로 한 것이다.
저작 보호를 위한 수법은 여러가지 생각되지만, 본 실시예에서는 플래시 메모리 카드 FMC의 CIS 영역(도 7의 영역 B : 임의의 데이타 설정 가능한 영역)에 식별 정보를 미리 기록해둔다. 자세하게는 후술하지만, 이 식별 정보는 플래시 메모리 FMC에 저장되어 있는 저작물의 파일의 사용 가능한 조건을 제한하기 위한 정보이다. 이 식별 정보는 식별 코드라고도 할 수 있다.
도 8에 도시한 바와 같이, 최종 사용자는 제1 실시예의 시스템 기기 SYS1 (예를 들면, 음악 재생기, 화상 표시기 등)에 플래시 메모리 카드 FMC를 세트하여 음악을 듣거나, 화상을 보거나 할 수 있다. 또한, 최종 사용자는 일단, 시스템 기기 SYS1로 세트한 플래시 메모리 카드 FMC를 시스템 기기 SYS1로부터 추출하고, 별도의 플래시 메모리 FMC를 세트할 수도 있게 된다.
본 실시예에서의 시스템 기기 SYS1은 플래시 메모리 카드 FMC의 CIS의 식별 정보로서 "ABC"의 문자열을 기대하고 있다. 이 기대치 "ABC"는 시스템 기기 SYS1의 식별 정보 유지부 IIM으로 유지되어 있다.
여기서, 플래시 메모리 카드 FMC로서, CIS의 식별 정보에 "ABC"라고 기록된 플래시 메모리 카드 FMC(A)와 "DEF"라고 기록된 플래시 메모리 카드 FMC(B)의 2종류를 상정한다. 실제의 경우는 CIS의 식별 정보는 3문자로는 한정되지 않고, 문자수(영어 숫자 등도 포함한다)는 많은 쪽이 좋다. 여기서는 설명을 간략화하기 위해서 3문자의 경우를 예로 설명한다.
도 8의 경우에서, 시스템 기기 SYS1은 CIS의 식별 정보로서 "ABC"의 문자열을 기대(기대 정보)하고 있으므로 플래시 메모리 카드 FMC(A)가 시스템 기기 SYS1에 삽입된 경우는 이 플래시 메모리 카드 FMC(A)를 정상적으로 사용하는 것이 가능하다. 그러나 플래시 메모리 카드 FMC(B)는 기대된 식별 정보 "ABC"를 가지고 있지 않으므로 본 시스템 기기 SYS1로 사용할 수 없다. 이 판단은 시스템 기기 SYS1의 판단부 JD에 의해 이루어진다.
이 식별 정보는 일반적으로는 공개되지 않은 것으로, 이 경우, 식별 정보로서 "ABC"를 기록하여 판매된 플래시 메모리 카드 FMC만이 시스템 기기 SYS1로 사용 가능하며, 플래시 메모리 카드 FMC 내부의 저작물의 권리가 보호된다.
사용 불가로 한 플래시 메모리 카드 FMC(B)에 대해서도 사용 불가의 레벨은 많은 경우를 상정할 수 있다. 예를 들면 음악이면 전혀 음악을 들을 수 없는 상태 이외에, 일부분만 음악을 들을 수 있는 것이 상정된다. 이것은 예를 들면, 프로모션(promotion)용으로 일부분만 들을 수 있어도 좋다고 하는 경우에 해당한다.
또한, 시스템 기기 SYS1이 화상 표시기이면 화상이 전혀 보이지 않는다고 하는 프로텍트 방법의 이외에 일부분만 화상을 볼 수 있는 스크럼블(scramble)이 걸렸던 것과 같은(모자이크 화면 등) 상태의 화상만이 보이는 작은 썸네일(thumbnail) 화상 등만이 보인다고 하는 프로텍트 방법도 있다. 또한, 정규 플래시 메모리 카드 FMC(A)이면 시스템 기기 SYS1로 매우 고정밀한 화상이 보이고, 부정인 플래시 메모리 카드 FMC(B) 이면 시스템 기기 SYS1로 정밀도가 낮은 거친 화상만이 보이도록 하여도 좋다.
또한 정규 플래시 메모리 카드 FMC(A)이면 어떤 기능은 사용할 수 있고, 그 이외이면, 어느 종류의 기능은 사용할 수 없도록 하여도 괜찮다. 예를 들면 음악의 경우, 정규 플래시 메모리 카드 FMC(A)에서는, CD 플레이어와 마찬가지로 두출의 기능을 쓸 수 있지만, 그 이외의 플래시 메모리 카드 FMC에서는 그 기능을 사용할 수 없는 등 시스템 기기 SYS1의 기능에 어떤 제한이 가해져도 좋다. 기대된 정규 식별 정보를 갖는 플래시 메모리 카드 FMC(A)와 그 이외의 플래시 메모리 카드 FMC에서, 어떠한 차가 있으면 목적이 달성되게 된다.
다만, 상기 방법으로는 기대되는 식별 정보 "ABC"가 기록된 플래시 메모리 카드 FMC이면 전부 정규 플래시 메모리 카드 FMC라고 간주되며, 기억되어 있는 파일 자신의 정당성을 판단할 수 없을 가능성이 있다. 즉, 상황에 따라서는 "ABC"의 식별 정보가 첨부된 플래시 메모리 카드 FMC를 한번 입수하게 되면, 그 플래시 메모리 카드 FMC 상에 인터넷 상의 부정한 웹(WEB) 사이트로부터 입수한 부정 데이타가 사용 가능해지는 경우가 상정된다.
또한, 시스템 기기 SYS1의 제조 시에 기대하는 식별 정보를 일률적으로(본 실시예의 경우는 "ABC") 결정하게 하면, "ABC" 이외의 식별 정보를 가지고 있는 정규 플래시 메모리 카드 FMC를 판매하고자 할 수 없다. 이 때문에, 어떠한 수단을 이용하여 시스템 기기 SYS1의 기대치를 변경 또는 추가하는 기능을 갖게 하는 것이 생각된다. 예를 들면, 정규 플래시 메모리 카드 FMC에 시스템 기기 SYS1의 기대치를 변경 또는 추가하는 소프트웨어 등을 넣어두고, 그것을 이용하여 시스템 기기 SYS1의 기대치를 변경하거나, 추가하거나 하여도 좋다. 또한, 시스템 기기 SYS1에 기대치를 변경, 추가하는 소프트웨어를 가지게 해놓고 변경하는 기대치만을 어떠 약속으로 플래시 메모리 카드 FMC 상에 존재시켜도 좋다. 물론 플래시 메모리 카드 FMC 상의 정보에 의해서 기대치를 변경하는 것은 아니고 예를 들면 시스템 기기 SYS1을 개인용 컴퓨터 등과 케이블 등으로 접속하고, 이 개인용 컴퓨터를 조작함으로써 시스템 기기 SYS1의 기대치를 변경할 수 있도록 하여도 좋다. 즉, 시스템 기기 SYS1의 출하 후에 어떠한 수법에 의해서 시스템 기기 SYS1의 기대치를 변경하거나, 추가하는 것이 가능해지는 기능을 구비하면 좋다.
＜제2 실시예＞
다음에, 본원 발명의 메모리 시스템의 제2 실시예를 설명한다. 본 실시예도 제1 실시예와 마찬가지로, 플래시 메모리 카드 FMC에 미리 저작물을 기억한 상태에서의 판매를 목적으로 한 것이다.
제2 실시예의 개요를 도 9에 도시한다. 본 실시예에서는 플래시 메모리 카드 FMC의 CIS의 영역 B(도 7참조)에 식별 정보를 기억시킴과 동시에, 이 플래시 메모리 카드 FMC에 저장되는 파일 자체에도 CIS에 기억시킨 식별 정보와 관련된 정보를 받아들이도록 한다.
예를 들면, 도 9에 도시한 바와 같이 본 플래시 메모리 카드 FMC(A)의 CIS의 식별 정보가 "ABC"인 경우, 플래시 메모리 카드 FMC(A)에 저장되는 파일 중에서 식별 정보 "ABC"에 관련된 정보를 받아들인다. 여기서는 간략화를 위해 파일 중의 식별 정보에서 문자열 "ABC"를 그대로 받아들이는 경우를 상정한다.
우선, 시스템 기기 SYS2는 플래시 메모리 카드 FMC(A)의 CIS 중의 식별 정보를 판독한다. 도 9의 경우, 시스템 기기 SYS2에는 식별 정보 "ABC"가 판독된다. 다음에, 시스템 기기 SYS2는 플래시 메모리 카드 FMC에 저장되어 있는 파일 중 식별 정보를 판독한다. 이 때, 파일 중의 식별 정보로서 "ABC"가 판독되면, 시스템 기기 SYS2는 그 파일을 정규 파일이라고 인식한다.
한편, 플래시 메모리 카드 FMC(B)와 같이 파일의 소정 영역에서부터 식별 정보로서 "ABC"가 아니라 예를 들면 "DEF"가 판독된 경우에는 시스템 기기 SYS2는 플래시 메모리 카드 FMC(B)의 사용을 금지 또는 제한한다. 즉, 시스템 기기 SYS2는 그 파일이 개인용 컴퓨터 등을 경유하여 별도의 플래시 메모리 카드 FMC에서부터 복사된 파일이라고 판단하고, 시스템 기기 SYS2 상에서의 사용을 금지 또는 제한한다. 제한의 구체적인 내용에 대해서는 제1 실시예에서 설명한 것과 동등이다.
플래시 메모리 카드 FMC의 CIS 식별 정보와, 그 파일 중의 식별 정보가 합치하는지의 여부의 판단은 시스템 기기 SYS2에서의 판단부 JD로부터 이루어진다.
실시예 1과 다른 점은 플래시 메모리 카드 FMC(C)와 같이, CIS 중 식별 정보와 파일 중 식별 정보가 일치하면, 시스템 기기 SYS2의 제조 시에 이들의 식별 정보를 모르더라도 시스템 기기 SYS2로 플래시 메모리 카드 FMC(C)는 사용 가능해진다. 예를 들면, 시스템 기기 SYS2가 음악의 재생기인 경우, CIS 영역 중의 식별 정보는 가수명에 또는 앨범명 등에 해당한다. 본 실시예에서는 시스템 기기 SYS2는 새로운 가수가 등장하거나, 새로운 앨범이 만들어진 후도 정규 플래시 메모리 카드 FMC에 기억되는 음악이면 재생할 수 있으므로 문제없이 판매할 수 있다. 즉, CIS 중의 식별 정보와 파일 중 식별 정보가 일치하는 플래시 메모리 카드 FMC이면 시스템 기기 SYS2로는 사용할 수 있다.
본 실시예는 상기 방법에 한정되지 않는다. 플래시 메모리 카드 FMC와 저작물에 적당한 관계가 있으면 좋다. 상기 예로서는 CIS 영역 중 문자열을 그대로 파일 중에 받아들이는 경우를 설명했지만, 발명의 주지에 따른 범위에서 여러가지 변경 가능하다. 예를 들면, 파일 중에 받아들이는 문자열은 CIS 영역에 저장된 문자열과 반드시 완전히 일치할 필요는 없다. "ABC"에 대하여 역회전한 "CBA"와 저장하도록 하여도 좋으며 "ABC"에 대하여 알파벳 순으로 한 문자 변이시킨 "BCD"로 하여도 좋고, 숫자 문자 변이시켜도 좋다. 또한, "ABC"의 문자에 대하여 알파벳순으로 숫자를 배당하여 "123"으로 하여도 좋다. 어떤 규칙에 따라서, CIS 영역 중 식별 정보와, 파일 중의 식별 정보와의 관계가 성립하면 본 발명의 주지에 합치하게 된다. 또한, CIS 중의 식별 정보와 문자수가 일치하고 있을 필요도 없다. "ABC"에 대하여 "ABCDEF" 또는 "ABCABC" 등 문자를 바꾸어서 저장하여도 어떤 규칙성이 존재하면 전혀 문제없다.
또한 신뢰성을 향상시키는 방법으로서는 단순히 CIS 영역 중 식별 정보를 파일 중에 저장하는 것이 아니고 CIS 영역 중의 식별 정보에 관련한 정보를 파일 중 다른 데이타와 포괄하여 암호화하는 것과 같이 하여도 좋다. 단순하게 파일 중에 저장한 경우, 별도의 식별 정보를 갖는 수 매의 플래시 메모리 카드 FMC의 파일 데이타를 비교함으로써 식별 정보에 관련된 정보의 저장 위치를 특정할 가능성이 있다. 이것을 피하기 위해서 어느 정도의 넓은 영역에 걸쳐서 암호화하는 등의 방법에 의해 수매의 플래시 메모리 카드 FMC의 파일 데이타의 상이한 개소를 늘리고 신뢰성을 향상할 수 있다. 암호화된 것을 푼 암호키는 시스템 기기 SYS2 측의 ASIC(Application Specific Integrated Circuit) 중 등에 있으면 좋다. 또는 암호키 그 자체가 저작물과 함께 판매되는 것과 같은 형식이라도 괜찮다. 또한, CIS 영역의 식별 정보에 관련된 정보는 각각의 파일에 반드시 들어가 있을 필요는 없다. 저작물의 내용에 관련된 별도의 파일(예를 들면, 악곡명이 저장된 파일)이 통합적으로 가져도 괜찮다.
본 실시예에 의해서 예를 들면, 정규 방법에 의해서 1매의 저작물이 들어 간 플래시 메모리 카드 FMC를 구입한 인물이 그 플래시 메모리 카드 FMC에 저장되어 있는 저작물의 파일을 일단 개인용 컴퓨터 상에 전송하고 또한 이 저작물의 파일을 개인용 컴퓨터로부터 별도의 비어있는 플래시 메모리 카드 FMC로 전송하였다고 하자. 이 경우, 저작물의 파일의 전송은 정상적으로 가능하지만, 새롭게 파일이 전송된 플래시 메모리 카드 FMC 상에서는 CIS 영역의 식별 정보와 전송된 파일 중 식별 정보 간에 정당한 관계가 성립되지 않으므로 시스템 기기 SYS2 측에서 그 플래시 카드 FMC에 저장되어 있는 파일이 부정으로 복사된 것이라고 용이하게 판단할 수 있다. 이 때문에, 부정한 복사를 한 플래시 메모리 카드 FMC의 사용이 제한된다.
이것은 범용 어댑터 카드 등을 이용하여 개인용 컴퓨터로 데이타를 전송할 때, 어댑터 카드 중 컨트롤러는 표준 포맷에 준거하고 있는지의 여부를 확인하기 위해서 CIS 영역으로 액세스하지만, 개인용 컴퓨터 상의 소프트웨어 등은 CIS 영역에 액세스하는 것은 특수한 방법을 이용하지 않는 한 가능하지 않고, 파일은 전송 가능하여도 CIS 영역 중 식별 정보는 다른 플래시 메모리 카드 FMC에 전송되는 것은 아니라는 구조를 교묘하게 이용한 것이다.
이 예의 개요를 도 10에 예를 도시한다. 정규 플래시 메모리 카드 FMC(D)에는 CIS 영역의 식별 정보로서 "ABC"가 저장되어 있으며 또한 파일 중 식별 정보에도 "ABC"가 저장되어 있다. 우선, 이 플래시 메모리 카드 FMC(D)에 저장되어 있는 저작물의 파일을 일단 개인용 컴퓨터 PC로 전송한다. 다음에, 이 개인용 컴퓨터 PC로부터 별도의 플래시 메모리 카드 FMC(E)로 이 저작물의 파일을 전송한다. 이 경우, 전송처의 플래시 메모리 카드 FMC(E)의 CIS 영역의 식별 정보는 "DEF"이며 전송된 파일 중 식별 정보 "ABC"와는 일치하지 않는다. 따라서, 시스템 기기 SYS2 측은 양 식별 정보의 불일치를 인식하고 부정으로 복사된 것이라고 판단하는 것이 가능하다.
또한 CIS 영역의 식별 정보는 저작물마다 할당된 코드라도 상관없고 플래시 메모리 카드 FMC의 1매 마다 고유 또는 어떤 그룹에 대하여 고유의 코드라도 괜찮다. 식별 정보를 저장하기 위한 영역으로서 단순히 1 바이트를 할당한 경우, 00h 내지 FFh까지의 256 그대로의 설정이 가능하다. 플래시 메모리 카드 FMC에서의 CIS 영역에 1매씩으로 순서대로 식별 정보를 기록해간 경우, 256매로 1매의 확률로 동일한 식별 정보를 갖는 플래시 메모리 카드 FMC가 존재하게 되지만, 일반 최종 사용자가 동일한 식별 정보를 갖는 별도의 플래시 메모리 카드 FMC를 찾아낼 확률은 매우 작다. 식별 정보를 저장하는 영역의 바이트수를 늘리면, 그 찾아낼 확률은 한없이 제로에 가깝게 할 수 있다. CIS 영역에 1바이트만 할당하는 경우라도 예를 들면 앨범마다 그 식별 정보의 코드를 할당하면 좋다. 가령 동일한 식별 정보의 코드를 가진 플래시 메모리 카드 FMC가 발견되었다고 해도 서로 복사 가능한 파일은 동일한 파일이며 양자와도 정당하게 권리를 산 저작물이므로 복사를 하는 것에 전혀 의미가 없다.
또한, 파일 중 식별 정보는 어떠한 의미로 CIS 영역의 식별 정보와 관련된 것이라면 좋다. 예를 들면, 도 9a에 도시한 바와 같이, CIS 영역에 저장하고 있는 식별 정보에 기초하여 암호키를 작성하고, 이 암호키를 이용하여 파일의 암호가 풀리도록 하여도 좋다.
즉, 플래시 메모리 카드 FMC(F)의 CIS 영역에는 식별 정보 "ABC"가 저장되어 있게 한다. 시스템 기기 SYS2에서의 암호키 생성부 K1에서는 이 식별 정보 "ABC"에 기초하여 암호키를 생성한다. 또한, 플래시 메모리 카드 FMC(F)에는 이 식별 정보 "ABC"에 기초하여 생성한 암호키로 풀리도록 암호화한 파일이 저장되어 있다. 그리고, 시스템 기기 SYS2에서의 암호 해독부 K2는 이 생성된 암호키를 이용하고 플래시 메모리 카드 FMC(F)에 저장되어 있는 파일의 암호를 푼다. 이에 따라, 파일의 암호가 풀리면 시스템 기기 SYS2는 이 파일을 사용할 수 있다. 이에 대하여, 파일의 암호가 풀리지 않은 경우는 시스템 기기 SYS2는 이 파일을 사용할 수 없다. 이 암호가 해독 가능한지의 여부의 판단은 시스템 기기 SYS2에서의 판단부 JD에 의해 이루어진다.
또한, 플래시 메모리 카드에 저장되어 있는 파일의 전부 또는 일부가 식별 정보 "ABC"에 기초하여 암호화되어 있어도 좋다.
즉, 저작물의 파일을 부정으로 복사한 경우에는 파일의 암호가 풀리지 않게 된다. 이러한 수법으로, 플래시 메모리 카드 FMC에 저장된 파일의 저작권을 보호하는 것도 가능하다.
이와 같이 CIS 영역의 식별 정보를 이용하여 파일의 암호가 풀린 경우에는 CIS 영역의 식별 정보와 파일 중의 식별 정보가 합치하게 된다. 즉, CIS 영역의 식별 정보와 파일 중의 식별 정보에 관련된 정보와의 합치 및 불일치는 정상적으로 파일의 암호를 푼다, 풀지 못한다로 바꾸어 말할 수 있다.
이상과 같이, 플래시 메모리 카드 FMC 그 자체와 그 플래시 메모리 카드 FMC에 저장되는 저작물의 관련을 행함으로써 부정한 저작물의 복사가 방지된다.
＜제3 실시예＞
다음에, 본원 발명의 메모리 시스템의 제3 실시예를 설명한다. 상기 제1, 제2 실시예에서는 플래시 메모리 카드 FMC에 미리 저작물을 저장한 상태에서 판매하는 경우를 생각하였지만, 본 실시예는 저작물의 정보 그 자체의 판매를 목적으로 하고 저작물을 통상으로 판매되어 있는 플래시 메모리 카드 FMC에 다운 로드한다고 하는 형태로 입수하는 것과 같은 경우에 대하여 생각한다.
예를 들면, 편의점이나 역 그 외에 다운 로드 전용의 다운 로드 전용 단말 DLT을 놓아두고, 그 다운 로드 전용 단말 DLT을 통하여 저작물의 정보를 플래시 메모리 카드 FMC에 다운 로드한다. 이 다운 로드 전용 단말 DLT는 저작물의 다운 로드 전용 단말이며, 플래시 메모리 카드 FMC의 CIS 영역을 자유롭게 참조 또는 재기록을 하는 것이 가능하다. 즉, 다운 로드 전용 단말 DLT를 이용하여 저작물의 파일을 플래시 메모리 카드 FMC에 기록한 결과가 제1 및 제2 실시예에서 설명한 미리 저작물을 저장한 플래시 메모리 카드 FMC의 판매 시의 상태와 동일하게 되어 있으면 좋다.
예를 들면, 도 10a에 도시한 바와 같이, 다운 로드 이전에는 CIS의 영역 B에 식별 정보로서 "ABC"가 저장되며, 그 저작물의 파일 중의 식별 정보에 "ABC"라고 저장되어 있는 플래시 메모리 카드 FMC를 준비한다. 이 플래시 메모리 카드 FMC를 다운 로드 전용 단말 DLT에 접속하고, 이 다운 로드 전용 단말 DLT로부터 새로운 저작물의 데이타를 이 플래시 메모리 카드 FMC에 다운 로드한다. 이 저작물의 파일의 식별 정보는 "DEF"이므로, 플래시 메모리 카드 FMC의 파일 중의 식별 정보도 "DEF"가 된다. 또한, 다운 로드 시에는 다운 로드 전용 단말 DLT는 플래시 메모리 카드 FMC의 CIS의 영역 B에 식별 정보 "DEF"를 기록한다. 이 때문에, 이 플래시 메모리 카드 FMC는 새롭게 다운 로드한 저작물의 파일의 식별 정보와, CIS의 영역 B의 식별 정보가 일치하게 된다. 이 때문에, 최종 사용자는 이 플래시 메모리 카드 FMC를 시스템 기기 SYS2로 사용할 수 있다.
이 때, CIS 영역의 식별 정보를 재기록함으로써 종래 저장하고 있던 저작물의 이용은 불가능해진다. 다만, 도 10b에 도시한 바와 같이 CIS 중에 식별 정보를 여러개 갖도록 하면, 복수회의 데이타 다운 로드에 대하여 이미 존재하고 있던 정규 파일의 사용을 중지하는 일 없이 이용할 수 있다.
예를 들면, 다운 로드 이전에는 CIS의 영역 B에 식별 정보로서 "ABC"가 저장되며, 그 저작물의 파일 중 식별 정보에 "ABC"라고 저장되어 있는 플래시 메모리 카드 FMC를 준비한다. 이 플래시 메모리 카드 FMC를 다운 로드 전용 단말 DLT로 접속하고, 이 다운 로드 전용 단말 DLT로부터 새로운 저작물의 데이타를 이 플래시 메모리 카드 FMC에 다운 로드한다. 이 다운 로드 시는 종래부터 저장되어 있는 저작물의 파일도 소거하지 않는다. 이 때문에, 이 플래시 메모리 카드 FMC에는 식별 정보 "ABC"를 갖는 저작물의 파일과 식별 정보 "DEF"를 갖는 저작물의 파일이 저장된다. 또한, 다운 로드 시에는 다운 로드 전용 단말 DLT는 플래시 메모리 카드 FMC의 CIS의 영역 B에 식별 정보 "DEF"를 식별 정보 "ABC"에 추가하여 기록한다. 이 때문에, 이 플래시 메모리 카드 FMC의 CIS의 영역 B에는 식별 정보 "ABC"와 식별 정보 "DEF"가 저장된다. 따라서, 이 플래시 메모리 카드 FMC에서는 식별 정보로서 "ABC"를 갖는 파일과 식별 정보로서 "DEF"를 갖는 파일을 모두 사용할 수 있게 된다.
데이타를 다운 로드하는 다운 로드 전용 단말 DLT로서는 상기 예에 한정되지 않는다. 세상에 널리 보급되고 있는 쥬스 등의 자동 판매기 등에 이 다운 로드 전용 단말 DLT의 기능을 갖게 하고, 이것을 이용하여도 좋다. 이 경우, 판매하는 저작물의 갱신은 자동 판매기의 판매물을 보충할 때에 동시에 행하여도 괜찮고 PHS 기능 등의 무선 기능 또는 유선에 의해서 임의의 타이밍으로 저작물의 갱신을 하여도 상관없다.
또한, 공중 전화 등을 이용하는 것도 가능하다. 공중 전화 등에 플래시 메모리 카드의 삽입 가능한 커넥터를 붙이고, 공중 회선을 이용하여 저작물의 배포를 행하여도 좋다. PHS나 휴대 전화 등을 통해서도 마찬가지의 것이 상정 가능하다. 또는 위성 방송 등이나 CATV로부터 데이타를 수신하는 것과 같은 경우도 상정 가능하다. 물론 개인용 컴퓨터와 마찬가지의 것은 가능하다. CIS 영역의 데이타를 외부로 판독할 수 있는 기능을 갖은 툴을 준비하여도 좋다. 개인용 컴퓨터의 USB 포트, 직렬 포트 또는 프린터 포트, ISA 버스 슬롯 등에 접속 가능한 툴을 전용 소프트웨어웨어로 제어하면, 개인용 컴퓨터라도 다운 로드 전용 단말 DLT와 마찬가지로, CIS 영역으로 액세스하여 식별 정보 등을 참조하거나 변경하거나 하는 것도 가능하다.
어댑터라도 상기 설명은 PC 카드 ATA 인터페이스와 같이 개인용 컴퓨터에 표준으로 디바이스 드라이버를 갖는 범용 어댑터를 상정하였지만 예를 들면 PC 카드 ATA 인터페이스에는 준거하지 않고 사용자가 스스로 디바이스 드라이버를 인스톨하는 것과 같은 타입의 어댑터 카드로 CIS 영역으로 액세스 가능하거나 또는 마찬가지의 기능을 갖는 것을 사용하고 전용 다운 로드 소프트웨어를 이용하여도 좋다.
또한 본 발명은 도 1에 도시한 플래시 메모리 카드 FMC 이외에도 적용이 가능하다. 예를 들면, 도 10c에 도시한 바와 같은 PC 카드 ATA 인터페이스에 준거한 플래시 메모리 카드 FMC2에도 적용이 가능하다.
PC 카드 ATA 인터페이스는 IDE 사양의 하드 디스크의 프로토콜을 그대로 PC 카드형 플래시 메모리 카드 FMC2로 적용한 것이다. 일반적으로 ATA 카드인 플래시 메모리 카드 FMC2의 내부에는 데이타를 저장하기 위한 플래시 메모리 FM2 외에 컨트롤러나 버퍼용 RAM R2나 펌 웨어를 저장하기 위한 소규모의 플래시 메모리(컨트롤러 내장되어 있어도 좋다) FM3 등이 탑재되어 있다.
상기 실시예의 CIS 영역의 식별 정보에 상당하는 것을 이 PC 카드형 플래시 메모리 카드 FMC2 중에 저장하는 방법은 다종 생각된다. 예를 들면, PC 카드에는 속성 메모리 공간이 정의되고 있으며, 호스트 시스템은 이 속성 메모리 공간을 참조함으로써 카드의 종별(예를 들면, ATA 카드, 모뎀 카드, LAN 카드 등)을 판단하고 있다. 이 속성 메모리 공간의 내용은 타블이라고 불리며, PC 카드 스탠다드 등으로 표준화되어 있다. 이 표준화된 사양 중에는 카드 벤더(vendor)가 벤더 정보나 제품 정보를 설정할 수 있는 영역이 있다. 이 영역을 사용하면 상기 실시예의 주지에 따른 동작이 가능해진다.
이 경우, 상술한 CIS의 식별 정보는 컨트롤러 중의 불휘발성 메모리 상에 가져도 좋으며, 컨트롤러와 접속된 플래시 메모리 등의 불휘발성 메모리에 가져도 좋으며 카드 중의 파일 저장용 메인 플래시 메모리 중에 가져도 좋다. 또한 상기 속성 메모리 공간 이외에도 마찬가지의 동작이 가능하다. ATA의 프로토콜 중에는 식별 드라이브(Identify Drive)라는 커맨드가 있다(Hex Code Ech). 본 커맨드는 하드 디스크로서의 사양치(예를 들면, 섹터수, 실린더수, 헤드수)를 호스트측으로 통지하기 위한 커맨드이다. 본 커맨드의 복귀치 중에는 모델 번호나 내장 마이크로 코드의 버젼 등을 저장하는 영역이 있다. 본 영역에 상기 실시예의 CIS 영역의 식별 정보에 상당하는 것을 저장하면 좋다. 전술한 바와 같이 그 값을 ATA 카드 중의 몇곳에 저장할지는 임의이다. 또한 그 값은 범용성을 생각하여 재기록이 가능한 상태라도 좋으며 보안을 높일 목적으로 소거나 재기록이 불가능한 상태로 하여도 좋다.
또한, 새로운 벤더 유니크(vendor unique)한 커맨드를 사용하여도 괜찮다. ATA의 프로토콜로 규정되어 있는 것 이외의 커맨드를 이용하여 상기 실시예의 CIS 영역의 식별 정보에 상당하는 값을 출력하는 사용으로 하여도 좋다. 예를 들면, F3h를 식별 정보 판독 커맨드로 설정하여도 좋으며 F3h-F4h 등의 복수회의 커맨드 입력을 필요로 하여도 좋다. 카드로부터의 출력 방법으로서는 1바이트째로부터 식별 정보를 출력하여도 좋으며, 1바이트째 또는 규정된 바이트수로 본 커맨드를 서포트하고 있는 것을 나타내는 어떠한 값(예를 들면 Aah) 등을 출력하도록 하여도 좋다. 물론 본 커맨드를 서포트하고 있는지의 여부를 판단하기 위한 별도의 커맨드를 준비하여도 괜찮다.
식별 정보의 바이트수는 임의이다. 다른 커맨드와의 정합성을 갖게 하기 위해서 1섹터 (통상 512바이트)분의 데이타를 판독하는 사양이라도 전혀 상관없다. 또한 종래로부터 존재하는 커맨드를 사용하여 내용을 확장하도록 하여도 괜찮다. 예를 들면, Read long 커맨드(22h/23h)는 512바이트 데이타 전송 후, 드라이브로부터 호스트에게 ECC 바이트를 포함하여 데이타를 전송한다. 이 바이트 중에 식별 코드에 상당하는 정보가 들어가 있어도 좋다. 또한, 어느 특정한 섹터에 액세스하면 상기 식별 정보에 상당하는 것이 출력되도록 규정을 하여도 좋으며, 서포트하고 있는 어드레스 공간(섹터수) 이외의 섹터를 액세스함으로써 동일 정보가 얻어지도록 결정하여도 좋다. 또한, 카드 중에 탑재되어 있는 컨트롤러가 스스로 식별 정보와 파일 중에 저장된 식별 정보에 관한 정보를 비교하고, 다른 경우는 파일의 출력을 금지하도록 하여도 좋다. 이상과 같이 메모리 카드가 어떠한 방법에 의해서 식별 정보를 저장하고 또한 파일 중에도 이 식별 정보에 관련된 정보가 받아들여지며, 양자가 비교할 수 있는 것과 같은 기능을 시스템 전체로서 가질 수 있으면 좋다.
또한, 본 실시예의 적용은 상기 ATA 카드에만 한정되지 않는다. 컨트롤러를 탑재하지 않고 있는 각 종 메모리 카드, ATA 사양과는 다른 타입의 컨트롤러(반드시 CPU를 탑재하고 있을 필요는 없으며, 비교적 간단한 ASIC 등으로 구성되어 있어도 좋다)를 탑재한 카드, 그 위에 플래시 메모리 이외의 메모리(FRAM, SRAM, MROM, DRAM 등)를 탑재한 카드라도 좋으며, 각종 메모리가 혼재되어 있어도 좋다. 플래시 메모리도 도 1에 도시한 메모리 카드로 사용되고 있는 NAND형 플래시 메모리 외에, AND형, NOR형, DINOR형, 플래시 메모리 종별에 구애받지 않고, 바이트형 EEPROM, 직렬 EEPROM, EPROM 등 플래시 메모리 이외의 불휘발성 메모리에 대해서도 적용 가능하다. 또한 CD-ROM, DVD, MD, LD, HDD, FD와 같은 반도체 이외의 기억 매체에 대해서도 완전히 마찬가지로 의론하는 것이 가능하다. 기억 매체와 기억 매체에 저장된 파일이 있으며, 기억 매체 중에 고유의 식별 코드가 기억되며, 파일 중에 상기 식별 코드에 관련된 정보가 저장되어 있으면 본 발명의 주지를 만족하고 있다.
또한, 도 9a에 기초하여 상술한 바와 같이 파일 중 식별 정보는 어떠한 의미로 CIS 영역의 식별 정보와 관련된 것이면 좋다. 예를 들면, CIS 영역에 저장되어 있는 식별 정보에 기초하여, 암호키를 작성하고, 이 암호키를 이용하여 파일의 암호가 풀리도록 하여도 좋다.
이와 같이 CIS 영역의 식별 정보를 이용하여 파일의 암호가 풀린 경우에는 CIS 영역의 식별 정보와 파일 중의 식별 정보가 합치하게 된다. 즉, CIS 영역의 식별 정보와 파일 중의 식별 정보에 관련된 정보와의 합치 및 불일치는 정상적으로 파일의 암호를 푼다, 풀지 못한다로 바꾸어 말할 수 있다.
식별 코드의 유지 방법, 양자의 정보의 비교 방법 및 차이가 있는 경우의 처리의 방법에 대해서는 매우 넓은 임의성을 갖는다.
＜제4 실시예＞
다음에, 본원 발명의 메모리 시스템의 제4 실시예를 설명한다. 본 실시예는 상기 제1 내지 제3 실시예에서의 신뢰성을 더욱 향상시키고자 한 것이다. 본 실시예는 제1 내지 제3 실시예와 조합하여도 사용 가능하며 또한 제4 실시예를 단독으로 사용하는 것도 가능하다. 본 실시예는 이미 설명한 표준 데이타의 저장 사양(물리 포맷)의 구조를 이용하는 것이고, 표준적인 물리 포맷으로 정상적으로 저장된 상태와 일부 다른 상태를 의도적으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
예를 들면, 도 3에서 설명한 용장부 RD에서의 데이타 상태 영역을 사용하는 방법이 있다. 기술과 같이, 데이타 상태 영역에는 데이타부 DT에 저장되어 있는 정보가 정상인지의 여부를 나타내는 정보가 저장된다. 따라서, 이 데이타 상태 영역은 통상은 "FFh"이지만, 정상이 아닌 데이타가 기록되어 있는 경우에는 "00h"가 설정된다. 예를 들면, 어댑터 카드를 이용하여 플래시 메모리 카드 FMC와 개인용 컴퓨터 간에서 데이타의 송수신을 행하고자 한 경우, 플래시 메모리 카드 FMC의 데이타 상태 영역에 불량 마크 "00h"가 실시되어 있는 섹터(데이타가 정상이 아니다)에 개인용 컴퓨터로부터 액세스를 갖는 경우는 에러를 돌려 준다. 따라서, 개인용 컴퓨터 등으로, 데이타 상태 영역에 불량 마크 "00h"가 붙은 영역을 포함하는 파일을 전송할 수는 없다. 이것을 사용하여 부정한 복사를 방지하는 것이 가능하다.
도 11에 본 실시예의 개요를 나타낸다. 파일 A는 파일 중의 데이타 중 어느 하나의 데이타 상태 영역에 불량 마크가 실시되고 있는 것이다. 즉, 파일 A를 구성하는 복수의 메모리 블럭 중 적어도 1개의 메모리 블럭이 갖는 데이타 상태 영역에 불량 마크 "00h"가 첨부되어 있다. 이에 대하여, 파일 B의 데이타 상태 영역은 정상이다. 즉, 파일 B를 구성하는 복수의 메모리 블럭이 갖는 데이타 상태 영역의 전부가 정상이라고 한다.
예를 들면, 미리 플래시 메모리 카드 FMC에 저작물을 저장한 상태에서 판매하는 경우를 상정하면, 파일 A가 그에 해당한다. 저작물의 파일을 플래시 메모리 카드 FMC에 저장하는 단계에서 데이타 상태 영역에 불량 마크를 부여하여 저장한다. 이 상태에서 범용의 어댑터 카드 등을 이용하여 개인용 컴퓨터 상으로 플래시 메모리 카드 FMC에서 이 저작물의 파일을 전송하고자 한 경우, 파일 A를 저장한 메모리 블럭 영역에 액세스가 있으면, 어댑터 카드 중의 컨트롤러는 해당하는 메모리 블럭에 저장되어 있는 데이타가 정상이 아니라고 판단하고, 호스트에 대하여 에러를 돌려준다. 이 때, 예를 들면, 개인용 컴퓨터 상에서는 「드라이브에 이상이 있다」의 메시지 등이 화면 상에 표시되며 파일의 전송은 중단된다. 한편, 데이타 상태 영역에 불량 마크가 없는 파일 B는 자유롭게 개인용 컴퓨터로 데이타 전송이 가능하다.
이와 같이, 의도적으로 데이타가 정상이 아닌 것을 나타내는 불량 마크를 부여한 상태에서 저작물의 파일을 플래시 메모리 카드 FMC에 저장을 함으로써 저작물이 부정한 파일 복사를 방지할 수 있다. 물론 시스템 기기측(예를 들면, 음악 재생기)은 데이타 상태 영역의 마크가 의도적으로 붙여진 것을 이해하고, 옳은 데이타가 저장되어 있는 것으로서 취급할 필요가 있다. 따라서, 데이타 상태 영역에 의도적으로 불량 마크를 붙이는 경우는 미리 어느 영역에 불량 마크를 붙이는 것인지를 결정해둘 필요가 있다.
마크의 부여 위치는 여러가지 경우를 상정할 수 있다. 예를 들면, 각 파일에 마크하는 경우를 생각한다. 물론 파일 전체의 전 섹터(전 메모리 블럭)에 대하여 불량 마크를 실시하여도 좋다. 또한, 일부 섹터(일부의 메모리 블럭)에 대해서만이며 불량 마크를 하여도 좋다. 예를 들면, 파일의 몇번째의 섹터(메모리 블럭)를 그 목적으로 사용한다고 결정해두는 방식이 생각된다.
또한, 불량 마크를 실시하는 섹터(메모리 블럭)를 미리 결정해 두어도 좋다. 예를 들면, 제1 섹터(메모리 블럭)의 데이타를 전부 FFh로 하고, 그 제1 섹터에 대하여 불량 마크를 실시하는 사양으로 해두어도 좋다.
또한, 불량 마크를 실시하는 위치는 파일 중으로 한정되지 않는다. 예를 들면, DOS의 파일 관리 영역에서도 좋다. 마스터 부팅 섹터 영역이나 파티션 부팅 섹터, FAT 영역, 루트 디렉토리 영역, 서브 디렉토리 영역 등에 마크를 실시하여도 좋다. 마스터 부팅 섹터 영역 등에 마크를 붙이면 개인용 컴퓨터 상에서부터는 드라이브로서 인식할 수 없게 되기 때문에, 파일의 전송은 불가능해진다.
데이타 상태 영역의 마크는 판독 동작에 대하여 유효하다. 새롭게 동일 영역에 기록 명령이 발행되면 새로운 데이타가 기록되며, 데이타 상태 영역의 마크는 소멸한다. 따라서, 음악 재생용에 본 발명에 의한 복사 방지 기구가 붙은 카드도 해당 파일이 불필요해지면, 별도의 파일을 기록해도 좋으며 별도의 시스템으로 재이용하는 것도 가능하다.
본 실시예는, 본래의 정상적인 상태와는 일부 다르게 이루어지는 상태를 의도적으로 형성하여 범용 시스템이 그 상태를 판단함으로써 부정한 복사를 방지할 수 있다고 하는 주지의 범위에서 여러가지 변경이 적용 가능하다. 달리 말하자면, 데이타 본체에 부가적으로 기억된 관리 정보의 내용에 의해 데이타의 판독 동작을 허가 또는 금지 한다. ATA 어댑터 카드에서는 내장 컨트롤러가 해당 영역을 보고 에러를 되돌려주었지만, 컨트롤러를 내장하지 않은 타입의 어댑터 카드 등으로는 개인용 컴퓨터 상의 디바이스 드라이버가 마찬가지의 판단을 하는 것은 물론이다. 에러를 돌려 주는 방법으로서도 각종 방법이 생각된다. ATA 어댑터 카드의 경우는 정정 불가능한 판독 에러가 발생한 취지 호스트에 통지하여도 좋으며, 부정적인 커맨드가 입력된 취지 통지(커맨드 어보트(abort))하여도 좋으며 지정된 섹터를 발견할 수 없었던 것 등을 의미하는 에러 코드를 되돌려 주어도 좋다. 에러의 돌려 주는 방법은 임의이다.
다음에, 블럭 상태 영역을 사용하는 방법을 나타낸다. 기술한 바와 같이 블럭 상태 영역은 블럭의 양/ 불량의 상태를 나타내고 있다. 통상은 "FFh"이지만, 불량 블럭의 경우 "00h"(초기 불량 블럭), "F0h"(후발 불량 블럭)가 설정된다. 2비트 이상 "0"이 있는 경우 불량 블럭이라고 판단한다.
상술한 바와 같이, 통상 시스템 기기는 전원 투입 시에 전 물리 메모리 블럭 Block0 ∼ Block511의 블럭 어드레스 영역 1, 2를 검색하고, 시스템 RAM 상에 도 4에 도시된 바와 같은 논리 메모리 블럭과 물리 메모리 블럭의 변환 테이블을 만든다. 변환 테이블을 한번 작성한 후 이 변환 테이블을 참조하면, 논리 메모리 블럭에 대응하는 물리 메모리 블럭이 곧 판단 가능하기 때문에, 전 메모리 블럭 Block0 ∼ Block511의 검색 동작은 전원 투입 시간 1회로 좋다.
당연한 것이지만, 데이타의 갱신을 행하고 대응하는 물리 메모리 블럭의 블럭 어드레스 영역-1, 2의 정보가 변화한 경우, 변환 테이블의 갱신 작업을 행하고 다음의 액세스를 구비할 필요가 있다.
도 4에 도시된 변환 테이블 작성 시에는 전 메모리 블럭 Block0 ∼ Block511을 검색하지만, 이 검색 시 시스템 기기는 우선 블럭 상태 영역을 최초로 참조한다. 여기서, 블럭 상태 영역에 불량 마크가 실시되고 있으면 시스템 기기는 그 메모리 블럭에 대해서는 전기적으로 불량인 블럭으로, 소거할 수 없거나 또는 기록할 수 없거나 또는 정정 불가능한 에러가 발생하는 등의 증상을 가지고 있다고 판단한다. 이 때문에, 시스템 기기는 해당 메모리 블럭에 대하여 블럭 어드레스 영역-1, 2 등을 판독하고, 변환 테이블에 내장하는 것을 중지하고, 다음의 메모리 블럭으로 처리를 옮긴다. 따라서, 다음 전원 재투입까지 불량 블럭이 시스템 기기에 다시 액세스되는 일은 없다. 고로 범용의 시스템 기기에서는 블럭 상태 영역에 불량 마크가 붙은 불량 블럭의 내부 데이타를 참조할 수는 없다.
이런 구조를 이용하여 저작물의 보호를 행하는 방법을 이하에 설명한다. 즉, 메모리 블럭에서의 블럭 상태 영역에 불량 마크를 붙임으로써, 이 불량 마크를 저작권 보호로 이용한다. 예를 들면, 상기 실시예 1 내지 3에서 기재한 바와 같이, 플래시 메모리 카드 FMC의 식별 정보 등을 외관 상의 불량 블럭에 저장한다. 도 12에 개요를 도시한다.
이 도 12에 도시된 바와 같이, 시스템 기기(예를 들면 음악 재생기) SYS3은 불량 블럭 내에 기억된 식별 정보와 파일 중에 매립된 식별 정보와의 합치를 기대하고 있다. 플래시 메모리 카드 FMC(A)에서는 불량 블럭 내의 식별 정보는 "ABC"이며, 파일에 매립된 식별 정보도 "ABC"이며 양자가 일치한다. 이 때문에, 시스템 기기 SYS3은 이 플래시 메모리 카드 FMC(A)에 기억된 저작물이 정규의 저작물이라고 판단하는 것이 가능하다. 한편, 플래시 메모리 카드 FMC(B) 및 플래시 메모리 카드 FMC(C)는 불량 블럭 내의 식별 정보와, 파일에 매립된 식별 정보 간에 차이가 보인다. 이 때문에, 시스템 기기 SYS3은 기억된 저작물이 부정으로 입수된 것이라고 판단하여 처리에 제한을 가한다. 이상과 같이 불량 블럭 내의 식별 정보와, 파일 중에 매립된 식별 정보에 관계된 정보를 비교 검토함으로서, 정규 저작물을 판별할 수 있게 된다. 이 판단은 시스템 기기 SYS3에서의 판단부 JD에 의해 이루어진다.
플래시 메모리 카드 FMC의 중에는 선천성 또는 후천성의 불량 블럭이 존재하고 있다. 식별 정보가 저장되어 있는 불량 블럭을 특정하기 위한 방법은 여러가지 생각된다. 이 때문에, 예를 들면 식별 정보가 들어가 있는 것을 확인하기 위한 데이타가 해당 블럭에 기억되어 있으면 좋다. 예를 들면, 블럭의 선두 페이지의 최초의 바이트에 "AAh-55h"와 같은 데이타를 기록해둔다. 또는 식별 정보 자체를 복수(1섹터 또는 복수 섹터)개 기록하여도 좋으며 식별 정보를 이용하여 어떤 계산을 실행한(예를 들면 패리티(parity)나 체크썸(checksum)) 결과와 함께 저장하여도 좋다. 진짜 불량 블럭에 가끔 존재하는 데이타가 우연 식별 정보를 저장하는 방법과 일치할지의 확률이 낮아지는 수법을 포함하고 있으면 좋다. 또한, 칩의 선두 또는 마지막에 가까운 블럭으로부터 사용하는 등의 룰을 결정해두면 해당 블럭이 발견되는 것이 빠르게 된다. 외관 상의 불량 블럭에 저장하는 정보로서는 상기 식별 정보에 한정되지 않는다. 예를 들면 시스템이 음악 재생기인 경우, 해당 미디어로 들을 수 있는 파일명에 관련된 정보가 들어 있으며, 그 이외의 악곡 파일의 재생은 금지하도록 하여도 좋다. 범용 시스템이 액세스하지 않는 영역을 의도적으로 형성하고, 그 영역에 저장한 데이타를 기초로 저작물의 정당성이 확인 가능한 수단을 갖는 것이 본 발명의 본질이다.
이상은 데이타 상태 영역 및 블럭 상태 영역을 이용하는 경우를 설명하였지만, 도 3에 도시된 다른 영역에서도 마찬가지의 동작이 가능하다. 현재, 장래의 사용을 위해 예약(Reserved)되어 있는 4바이트의 영역도 마찬가지의 주지로 사용하는 것이 가능하고, 마찬가지로 블럭 상태 영역을 사용하는 것도 가능하다. 블럭 상태 영역은 각 섹터에 2개씩 동일한 물건이 저장되어 있으며, 예를 들면 16메가비트(2메가바이트)품으로는 1개의 블럭 내에 16개의 블럭 상태 영역이 존재한다. 통상 시스템 기기에서는 각 블럭의 선두 또는 최후의 섹터의 블럭 어드레스 영역밖에 참조하지 않는다. 따라서 블럭 내의 중간 섹터의 블럭 어드레스 영역을 지금까지 설명에 덧붙인 것과 마찬가지의 주지에 의해서 사용하는 것도 가능하다. 상기 예약 영역이나 블럭 어드레스 영역의 이용도 표준 물리 포맷으로 정상적으로 저장된 상태와 일부 다른 상태를 의도적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 면에서는 블럭 상태 영역 또는 데이타 상태 영역의 사용 방법과 동일한 주지이다.
도 3의 각 영역 중 ECC 부호의 영역만은 아직 설명을 덧붙이지 않았지만, 물론 이 영역은 상기 예와 마찬가지로 사용하는 것도 가능하며 또한 별도의 관점에서부터 사용하는 것도 가능하다.
도 1에 도시한 플래시 메모리 카드는 ECC(에러 정정 코드)가 사용되고 있다. ECC 방식의 상세에 대해서는 여기서 본 발명의 주지와 직접 관계가 없으므로 생략하지만, 1섹터에 대하여(정확하게는 1섹터를 2분할하고 각각의 256바이트에 대하여) 2비트 에러의 검출 및 1비트 에러의 정정의 능력을 갖는 ECC를 사용하고 있다.
여기서는 지금까지의 의론과 마찬가지로 플래시 메모리 카드에 저작물을 미리 저장한 상태에서의 판매 또는 다운 로드 전용 단말로부터 데이타를 다운 로드하는 경우를 상정한다.
예를 들면, 의도적으로 ECC 에러가 발생한 상태에서 저작물을 플래시 메모리 카드 FMC에 저장한다. 이 경우 개요를 도 13을 이용하여 설명한다. 여기서는 설명을 간략화하기 위하여, 파일명의 저장 영역에 의도적으로 ECC 에러를 발생시킨 상태를 발생하게 된다.
예를 들면, 정규 플래시 메모리 카드 FMC(A)에 저장되어 있는 파일명을 "ABC"로 한다. 이 경우, 플래시 메모리 카드 FMC(A)의 실제의 데이타로서는 41h, 42h, 43h로 저장되어 있다. 여기서, 플래시 메모리 카드 FMC(A)에서의 ECC의 부호를 조정하고, 파일명 "ABC"를 저장한 영역에, 마치 에러가 발생하고 있는 것 같은 상태로 한다. 게다가 또한 예를 들면, 파일명을 저장하고 있는 영역을 ECC 부호로 정정하면 "ACC"(41h, 43h, 43h)가 되도록 조정된다.
시스템 기기(예를 들면 음악 재생기) 중의 컨트롤러 등은 의도적으로 ECC 에러가 발생하고 있는 개소를 인식하고 있다. 따라서, 시스템 기기는 41h, 42h, 43h라고 기록되어 있는 파일만이 정규 저작물이라고 인식한다. 즉, 파일명으로서 "ABC"을 판독할 수 있는 플래시 메모리 카드 FMC(A)는 정규 저작물을 저장하고 있다고 인식한다.
여기서, 플래시 메모리 카드 FMC(A)에 저장되어 있는 파일명 "ABC"의 저작물의 파일은 어댑터 카드 등을 통하여 개인용 컴퓨터 PC 상으로 전송되고 또 다른 플래시 메모리 카드 FMC(B)에 전송되는 것이 가능하게 된다.
이 경우에, 정규 플래시 메모리 카드 FMC(A)로부터 개인용 컴퓨터 PC로 파일이 전송될 때, 어댑터 카드 중의 컨트롤러에 의해서 의도적으로 형성된 에러가 자동적으로 정정되게 된다. 즉, 이 예에서는 파일명이 "ABC"에서부터 "ACC"로 변하게 된다. 이 때문에, 최종적으로 별도 플래시 메모리 카드 FMC(B)에 전송된 파일명은 "ACC"가 된다. 이 플래시 메모리 카드 FMC(B)를 시스템 기기 SYS4에 삽입한 경우, 시스템 기기 SYS4 중 컨트롤러는 파일명이 기대하고 있는 "ABC"가 아니므로, 해당 파일이 부정으로 복사된 것이라는 인식이 가능하다.
이와 같이 파일명이 "ABC"인지 또는 "ACC"인지의 판단은 시스템 기기 SYS4의 판단부 JD에 의해 이루어진다.
여기서는 설명을 간략화하기 위해서 파일 명칭을 예로 들었지만, 파일 명칭은 최종 사용자가 개인용 컴퓨터로 용이하게 재기록할 수 있으므로 실제로 본 실시예를 적용하는 것은 별도 영역이 어울린다. 의도적으로 에러가 들어가 있는 장소를 미리 규정해두면 문제없다. 또한 의도적으로 에러가 발생되는 개소는 1개소로 한정하지 않고 여러 개소라도 괜찮다. 마크를 하는 위치는 파일 중에서도 좋다. 예를 들면, DOS의 파일 관리 영역에서도 좋다. 마스터 부팅 섹터 영역이나 파티션 부팅 섹터, FAT 영역, 루트 디렉토리 영역, 서브 디렉토리 영역 등에 마크를 실시하여도 좋다. 범용 어댑터 등을 통하여 개인용 컴퓨터로 전송된 파일이 전송원의 정규 파일과 어떠한 차이를 갖고 복사되면 그 주지를 만족하게 된다.
상기 실시예에서는 정정 가능한 1비트 에러를 의도적으로 발생시켰지만, 정정 불가능한 2비트 이상의 에러를 의도적으로 발생시켜도 좋다. 이 경우, 범용 어댑터 카드 등을 이용하여 파일을 개인용 컴퓨터로 전송하고자 하면 어댑터 카드 중의 컨트롤러가 정정 불가능 에러를 검지하여 개인용 컴퓨터로 에러의 발생을 통지하여 파일의 전송은 중단된다. 그 결과, 정규 메모리 카드로부터 파일이 복사되는 것이 방지되게 된다. 물론, 상술된 바와 같이 2비트 에러를 의도적으로 발생시키는 장소는 임의이다. 또한, 3비트 이상의 에러를 의도적으로 발생시킨 경우, 에러가 검지되지 않거나 또는 오정정될 가능성이 있는 이 구조를 이용하여도 좋다.
＜제5 실시예＞
다음은 본원 발명의 메모리 시스템의 제5 실시예를 설명한다. 상기 실시예 1 내지 4는 플래시 메모리 카드 FMC에 저작물을 미리 기억시킨 상태에서의 판매를 생각해왔지만, 본 실시예에서는 인터넷 상에서 개인용 컴퓨터를 통하여 파일이 다운 로드되는 경우를 상정하고, 특히 기존의 하드웨어의 사용이 전제가 된다. 예를 들면, 범용 어댑터 카드를 상정한다. 인터넷 상에서부터 일단 개인용 컴퓨터의 하드 디스크 상에 파일로서 다운 로드되며, 해당 파일을 범용 어댑터를 통하여 플래시 메모리 카드 FMC에 전송하는 경우, 상기 실시예 1 내지 4와 같은 물리 포맷의 계층을 이용한 저작권 보호의 구조가 사용될 수 없는 경우가 상정된다. 왜냐하면, 예를 들어 개인용 컴퓨터로부터 어댑터 카드를 통하여 파일을 플래시 메모리 카드 FMC에 전송할 때, 개인용 컴퓨터는 플래시 메모리 카드 FMC의 CIS 영역을 참조할 수는 없기 때문이다. 따라서, CIS 영역 중의 식별 정보를 파일 중에 받아들이도록 하는 조작은 불가능해진다.
이러한 다운 로드 시스템에서의 저작권 보호의 개요 구조를 도 14에 도시한다. 여기서, 시스템 기기(예를 들면 음악 재생기)SYS5, SYS6에는 시스템 기기 개개에 고유의 정보(이하, 설명을 간편화하기 때문에 단순하게 기기 번호라고 적는다)가 부여되고 있다. 도 14의 예에서는 시스템 기기 SYS5는 기기 번호 100가 부여되고 있으며 시스템 기기 SYS6은 기기 번호 200가 부여되고 있다.
이 기기 번호는 1대 1대를 완전히 식별 가능한 것이 바람직하지만 2대의 시스템 기기가 있을 때, 그 2대가 동일한 기기 번호를 가지고 있을 확률이 작으면 좋다. 또한, 연속적인 번호라도 좋으며 난수와 같은 것이라도 좋으며 이들은 메이커의 제조 번호와 같은 것으로 일체화하고 있어도 좋다. 기기 번호의 부여 방법은 여러가지 생각된다. 시스템 기기의 외장 부분에 금속 플레이트를 접착하도록 하는 방법이라도 좋으며, 내장 부분(예를 들면, 전지 저장 부분)에 있어도 좋다. 또한 시스템 기기의 디스플레이 상에 표시되는 것과 같은 구조라도 괜찮고 음성으로 안내되어도 좋고 취급 설명서, 보증서 등에 기재되어도 좋다. 즉, 최종 사용자가 시스템 기기의 기기 번호를 인식할 수 있는 구조가 있으면 좋다.
또한, 이 기기 번호는 시스템 기기 SYS5, SYS6의 식별 정보 유지부 IIM에 기억되어 있으며, 시스템 기기 내부의 컨트롤러는 이 식별 정보 유지부 IIM이 자유롭게 참조 가능하다. 예를 들면, 컨트롤러 내부의 불휘발성 메모리 상에 기억되어 있어도 좋으며, 버스를 통하여 컨트롤러와 접속되는 불휘발성 메모리 상에 저장되어 있어도 좋다. 전지로 백업되어 SRAM, DRAM 등의 메모리 상에 기억되어 있어도 좋다. 또한, 디ㅍ(dip) 스위치 등의 기계적인 수단에 의해서 기억되어 있어도 좋다. 컨트롤러에 상당하는 것이 전기적인 수단에 의해서 참조할 수 있으면 좋다.
인터넷 상에서부터의 다운 로드 방법을 구체적으로 적는다. 도 14에 도시한 바와 같이, 음악 신호 전송을 행하는 웹(WEB)이 배급 센터 DISC를 구성한다. 최종 사용자는 개인용 컴퓨터 PC를 조작하여, 배급 센터 DISC에서부터 다운 로드하고자 하는 악곡을 선정함과 함께, 소유하고자 하는 시스템 기기(음악 재생기)의 기기 번호를 입력한다. 이 예에서는 기기 번호 100를 입력한다. 그 후, 배급 센터 DISC에서부터 개인용 컴퓨터 PC의 하드 디스크 등에 선정한 악곡이 다운 로드된다. 이 다운 로드 시에는 파일 중에 기기 번호 또는 기기 번호와 밀접하게 관련한 정보 등이 받아들여진다. 물론 크레디트 카드 번호의 입력 등의 방법으로 적절히 요금이 부여된다.
이 도 14의 예에서는 결과적으로 최종 사용자가 가까이 소유하고 있는 시스템 기기 SYS5의 기기 번호100에 관련된 정보를 받아들인 파일이 하드 디스크 상에 남게 된다. 최종 사용자는 예를 들면, 범용 어댑터 카드를 이용하여, 이 기기 번호 100용 파일을 플래시 메모리 카드 FMC(A)에 전송한다.
이 플래시 메모리 카드 FMC(A)가 시스템 기기에 삽입된 경우, 시스템 기기는 파일 중 기기 번호에 관련된 정보의 저장 영역을 참조한다. 시스템 기기의 기기 번호와 파일 중의 기기 번호에 관련한 정보 간에 합치가 확인된 경우, 시스템 기기는 그 파일이 정규 파일인 것을 인식하여 악곡의 재생을 허가한다. 합치가 얻어지지 않으면 부정으로 입수된 파일이라고 인식하여 악곡의 재생을 금지한다. 이 판단은 시스템 기기 SYS5, SYS6의 판단부 JD에서 이루어진다.
도 14의 예에서 플래시 메모리 카드 FMC(A)에 저장되어 있는 파일은 기기 번호100용 파일이다. 이 때문에, 플래시 메모리 카드 FMC(A)를 기기 번호 100의 시스템 기기 SYS5에 삽입한 경우에는 이 파일을 사용할 수 있다. 한편, 이 플래시 메모리 카드 FMC(A)를 기기 번호 200의 시스템 기기 SYS6에 삽입한 경우에는 이 파일을 사용할 수 없다.
따라서 본 실시예에 따르면 인터넷을 통하여 입수한 파일은 특정한 시스템 기기만으로 사용하는 것이 가능하다. 상기한 플래시 메모리 카드는 다른 시스템 기기에 삽입된 경우, 기기 번호와 파일 중의 정보가 합치하지 않으므로 사용할 수는 없다. 따라서, 본 실시예에서의 데이타 신호 전송은 특정한 플래시 메모리 카드 FMC에 대하여 실행된 것은 아니고 특정한 시스템 기기 대상으로 실행되게 된다.
여기서, 개인용 컴퓨터 PC의 하드 디스크 상에 남아 있는 파일을 별도의 플래시 메모리 카드 FMC에 전송한 경우를 생각하자. 이 경우, 하드 디스크 상에 있는 파일은 완전한 상태로 다른 플래시 메모리 카드 FMC에 무한하게 복사하는 것이 가능하다. 다만, 복사가 된 플래시 메모리 카드 FMC 중의 전송된 파일 중에는 그 파일이 동작하는 시스템 기기로서 원래의 시스템의 기기 번호 100가 받아들여지고 있다. 따라서, 파일을 플래시 메모리 카드 FMC로 복사하는 것은 무진장 가능하지만, 그 플래시 메모리 카드 FMC를 사용할 수 있는 시스템 기기는 어디까지나 특정한 시스템 기기에 제한된다. 따라서, 이러한 수법으로 저작권이 보호되게 된다.
상기 실시예에서, 어느 파일은 어느 특정한 시스템 기기만으로 사용할 수 있었지만, 복수의 시스템 기기에서 사용할 수 있도록 하여도 좋다. 인터넷으로부터 다운 로드할 때, 상기 실시예에서는 1개만의 기기 번호가 입력 가능하지만, 적어도 2개 이상의 기기 번호를 설정 가능하게 하여도 좋다. 한 개인이 복수의 기기를 갖고 있는 경우를 생각하면 유효하다.
또한, 사용 가능한 기기 번호뿐만아니라 사용을 금하는 기기 번호도 저장할 수 있는 것과 같은 수단 예를 들면, 관리 플래그를 가져도 좋다. 예를 들면, 당초 2대의 시스템 기기가 등록되어 있던 경우에, 그 중에 1대의 시스템 기기 상의 파일의 사용권을 포기하는 것과 같은 경우에, 시스템 기기의 등록을 말소하는 것과 같은 동작이 가능해진다.
사용 가능한 시스템 기기의 등록수를 늘리는 경우의 수단으로는 시스템 기기의 등록수를 늘린 파일이 인터넷 상에서 전송되어도 좋고, 개인용 컴퓨터의 하드 디스크 상 등에 보관되어 있는 파일에 대하여 시스템 기기의 등록의 추가의 조작을 행하는 소프트웨어웨어만이 인터넷 상으로 전송되어도 좋다. 즉 시스템 기기 고유의 기기 번호와, 해당 기기 번호에 관련된 정보가 들어있는 형태로 입수되는 파일이 존재하고, 시스템 기기가 양 정보의 합치를 확인하여 동작의 가부를 판정하는 시스템에서 어떤의 수단에 의해 기기 번호의 추가, 말소 등, 등록 기기수의 변경이 가능한 수단을 가지면 본 발명의 주지에 합치한다.
상기 실시예는 파일을 사용하는 시스템 기기의 수에 변동이 있는 경우에 파일 중에 저장된 시스템 기기 번호를 갱신함으로써 대응하였지만, 시스템 기기측에서 그 기기 번호를 변경하도록 하는 방법을 취하여도 좋다. 도 14의 예에서 설명하면, 기기 번호 100번의 시스템 기기 SYS5 및 기기 번호 200번의 시스템 기기 SYS6을 최종 사용자가 소유하고 있는 경우, 기기 번호 100의 시스템 기기 SYS5에서의 사용을 전제로 어떠한 방법(예를 들면 인터넷 상에서)으로 입수한 파일을 수많이 유지하고 있다. 최종 사용자가 이들 파일을 기기 번호 200의 시스템 기기 SYS6에서 사용할 경우, 상기 실시예에서 설명한 파일 중의 기기 번호의 갱신에 대응하는 것은 파일의 수량에 따라서는 상당한 작업수가 필요해질 가능성이 있다.
이 경우, 시스템 기기 SYS6의 기기 번호 200를 기기 번호 100에 변경 가능한 수단을 가지면 좋다. 즉, 2대의 시스템 기기 SYS5, SYS6의 기기 번호가 100으로 통일되면 파일의 종류는 1종류로 공통화하여 사용하는 것이 가능하다.
시스템 기기의 기기 번호 변경의 구체적인 수단으로는 각종 방법이 생각된다. 예를 들면, 시스템 기기의 입력키의 조작에 의해서 실현되어도 좋으며, 기기 번호 변경의 소프트웨어웨어가 인터넷 상에서 신호 전송되며, 이것을 플래시 메모리 카드 FMC 상에 전송하고, 시스템 기기 상에서 해당 소프트웨어를 실행시킴으로써 기기 번호가 변경되어도 좋다.
한편, 무제한으로 기기 번호가 변경 가능한 것은 문제가 있으므로 상기한 기기 번호 변경 소프트웨어웨어는 변경되는 시스템 기기의 원래 기기 번호 및 변경하는 기기 번호를 특정한 형태로 신호 전송되면 좋다. 또한 단순한 변경뿐만 아니라, 1대의 시스템 기기가 복수의 기기 번호를 갖는 것과 같은 형태로 하여도 좋다. 예를 들면, 도 14의 예에서는 기기 번호 100를 갖는 시스템 기기 SYS5가 기기 번호 200에 맞춰 갖는 것과 같은 형태로 하면 기기 번호 100용 파일 외에 원래 기기 번호 200의 시스템 기기 SYS6에서 사용하고 있던 파일도 맞춰 쓸 수 있게 된다.
이와 같이, 본 실시예의 주지는 시스템 기기에 고유의 기기 번호 정보 등이 변경, 추가, 삭제 등을 포함하여 갱신할 수 있는 것을 특징으로 한다. 또한, 1개의 시스템 기기의 기기 번호가 한개로 고정되어 있지 않고, 복수의 기기 번호를 갖는 것과 같은 형태로 하는 것도 특징이다. 또한 기기 번호의 변경은 시스템 기기의 제조 또는 판매측에서 행하여도 좋다. 예를 들면, 소유하고 있는 시스템 기기가 고장나서 새롭게 시스템 기기를 구입하는 경우, 상기 제조 또는 판매측에 원래의 시스템 기기를 송부한 후 동일한 기기 번호를 갖는 새로운 시스템 기기를 구입할 수 있도록 서비스를 설치하여도 좋다. 추가로 시스템 기기를 구입하는 경우도 현재 시스템 기기를 소유하고 있는 것을 증명하는 수단과 함께, 새롭게 구입하는 시스템 기기에 대하여 지금까지 소유하고 있는 시스템 기기와 동일한 기기 번호가 설정된 것을 구입할 수 있도록 하여도 좋다.
또한, 도 9a에 기초하여 상술한 바와 같이, 플래시 메모리 카드, FMC에 저장된 기기 번호는 어느 의미에서 시스템 기기의 기기 번호와 관련된 것이면 좋다. 예를 들면, 시스템 기기의 기기 번호에 기초하여 암호키를 작성하고 이 암호키를 이용하여 플래시 메모리 카드 FMC의 파일의 암호가 풀리도록 하여도 좋다.
이와 같이 시스템 기기의 기기 번호를 이용하여 파일의 암호가 풀린 경우에는 플래시 메모리 카드 FMC의 기기 번호와 시스템 기기의 기기 번호가 합치하게 된다. 즉, 플래시 메모리 카드 FMC의 기기 번호와 시스템 기기의 기기 번호에 관련된 정보의 합치 및 불일치는 정상적으로 파일의 암호를 푼다, 풀지 못한다로 바꾸어 말할 수 있다.
＜제6 실시예＞
다음에, 본원 발명의 메모리 시스템의 제6 실시예를 설명한다. 상기 1 내지 5의 실시예는 플래시 메모리 카드 FMC나 시스템 기기를 개별로 인식하는 수법을 취하였지만, 본 실시예에서는 사용자 개인을 인식시킨다고 하는 것이다.
설명을 간략화하기 위해서, 여기서는 개인의 생년월일을 예로 설명한다. 개인을 식별하기 위한 개인 식별 정보로서는 생년월일에만 한정되지 않는다. 성명이라도 괜찮고, 임의로 설정되는 비밀 번호라도 좋으며, 크레디트 카드의 회원 번호, 사회 보장 번호 등이라도 좋으며 또한 100%의 확률로 타인과 다를 필요도 없다. 어느 확률로 타인과 다르면 좋다. 시스템 기기(여기에서는 음악 재생기를 예로 들었다)를 구입한 최종 사용자가 인터넷 상에서 음악 파일을 구입하는 경우를 예로 든다.
도 14a에 도시한 바와 같이, 시스템 기기 SYS7의 식별 정보 유지부IIM에는 상기한 개인 식별 정보가 받아들여진다. 최종 사용자의 생년월일이 1980년 12월31일인 경우, 개인 식별 정보가 "19801231"이 된다. 이 개인 식별 정보를 받아들이는 방법은 임의이다. 가게에서 시스템 기기를 구입할 때, 판매자측이 설정하여도 좋으며, 구입 후 최종 사용자가 스스로 설정하여도 괜찮다.
최종 사용자는 인터넷 상에서 파일을 구입할 때, 지정된 개인 식별 정보를 설정한다. 즉, 최종 사용자는 개인용 컴퓨터 PC로부터 자기의 개인 식별 정보 "19801231"를 인터넷 상의 배급 센터 DISC로 송신한다. 배급 센터 DISC에서는 이 개인 식별 정보 "19801231" 또는 그에 관련된 정보를 받아들인 형태로 음악의 저작물에 관한 정보를 개인용 컴퓨터 PC로 송신한다. 이에 따라, 개인용 컴퓨터 PC의 하드 디스크에 그 개인용 파일이 다운 로드된다.
최종 사용자는 이 하드 디스크에 있는 파일을 플래시 메모리 카드 FMC(A)에 전송한다. 이에 따라, 개인 식별 정보 "19801231"를 받아들인 음악용 개인 파일이 플래시 메모리 카드 FMC(A)에 저장된다.
이 플래시 메모리 카드 FMC(A)를 시스템 기기 SYS7에 삽입한 경우, 시스템 기기 SYS7은 시스템 기기 SYS7 상에 유지되어 있는 개인 식별 정보 "19801231"과, 파일 중에 받아들여지고 있는 개인 식별 정보 "19801231"을 비교하고, 합치가 되는 경우에만 그 파일의 음악의 재생을 허가한다. 이 판단은 시스템 기기 SYS7에서의 판단부 JD에 의해 이루어진다.
본 실시예의 특징은 파일에 개인의 식별 정보가 받아들여짐으로써 예를 들면 최종 사용자가 복수의 시스템 기기를 갖고 있는 경우, 1개의 파일을 모든 기기 상에서 공통으로 사용하는 것이 가능해진다. 도 14a의 예로서는 개인 식별 정보 "19801231"용 파일이 저장되어 있는 플래시 메모리 카드 FMC(A)는 시스템 기기 SYS7와 시스템 기기 SYS8 공통으로 사용할 수 있다.
본 실시예는 최종 사용자가 시스템 기기를 추가 구입하는 경우나 복수 소지하고 있는 기기 중 어느 하나에 고장이 발생한 경우를 상정하면 매우 편리성이 높다. 생년월일 대신에 개인의 성명을 사용한 경우도 마찬가지이다. 파일은 하드 디스크로부터 복수의 플래시 메모리 카드 FMC에 자유롭게 복사하는 것이 가능하다. 다만 재생은 파일을 구입한 개인이 소유하는 시스템 기기 이외로는 재생할 수 없다. 동일한 생년월일을 갖는 사람이나 동성동명의 사람 간에서는 재이용 가능하지만 그 확률이 매우 낮다. 물론, 복수의 개인 식별 정보를 조합하여 사용하면(생년월일과 성명), 그 확률이 사실 상 제로가 되어 저작권이 보호된다. 또한, 기기 상의 개인 식별 정보나 파일 중의 개인 식별 정보는 추가, 변경, 삭제 등이 가능하도록 해둔다. 혼인 등에 의해 성명이 변경이 된 경우나 권리를 타인에게 양도하는 것이 가능해진다.
또한, 도 9a에 기초하여 상술한 바와 같이, 플래시 메모리 카드 FMC에 저장된 파일의 개인 식별 정보는 어떠한 의미에서 시스템 기기의 개인 식별 정보와 관련된 것이면 좋다. 예를 들면, 시스템 기기의 개인 식별 정보에 기초하여 암호키를 작성하고, 이 암호키를 이용하여 플래시 메모리 카드 FMC의 파일의 암호가 풀리도록 하여도 좋다.
이와 같이 시스템 기기의 개인 식별 정보를 이용하여 파일의 암호가 풀린 경우에는 플래시 메모리 카드 FMC의 개인 식별 정보와 시스템 기기의 개인 식별 정보가 합치하게 된다. 즉, 플래시 메모리 카드 FMC의 개인 식별 정보와 시스템 기기의 개인 식별 정보에 관련된 정보의 합치 및 불일치는 정상적으로 파일의 암호가 풀린다, 풀리지 않는다고 바꿔 말하는 것이 가능하다.
＜제7 실시예＞
다음에, 더욱 보안을 높이는 방법으로서 본원 발명의 메모리 시스템의 제7 실시예를 설명한다. 지금까지의 실시예는 일반 최종 사용자를 대상으로 저작권 보호의 방법을 기재한 것이지만, 본 실시예에서는 악의를 갖는 제삼자가 부정 행위를 실행하는 것을 방지하는 관점에도 있다.
예를 들면, 플래시 메모리 카드 FMC의 전기적인 인터페이스 사양은 인터넷 상의 정보 등을 통하여 일반적으로 공개되어 있다. 따라서, 플래시 메모리 카드 FMC 중 데이타를 파일 단위가 아니라, 단순한 이진수 데이타의 집합체로서 어떤 플래시 메모리 카드 FMC로부터 별도의 플래시 메모리 카드 FMC로 바이트 단위로 충실하게 데드(dead) 복사하도록 한 특수 툴을 작성하는 것이 기술적으로는 불가능하지 않다. 이 경우 오리지널의 플래시 메모리 카드 FMC와 완전하게 동일한 데이타열을 갖는 별도의 플래시 메모리 카드 FMC가 가능해지며, 시스템 기기는 이들을 판별하는 것이 곤란하다. 본 실시예는 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 데드 복사 조작에 대한 대항책을 제시하는 것이다.
본 실시예의 주지는 플래시 메모리 카드 FMC의 영역 중 일반적으로 공개되고 있는 정보로는 액세스할 수 없는 특수한 영역 또는 액세스되었다고 해도 자유로운 데이타 재기록을 할 수 없는 특수한 영역으로, 플래시 메모리 카드 FMC를 개별로 식별하는 식별 정보를 갖게 하고, 또한 파일 중에도 마찬가지의 식별 정보 또는 관련된 정보를 취득하고, 시스템 기기가 양자의 식별 정보의 합치를 확인한다고 하는 것에 있다.
도 14b에 기초하여 일례를 설명하면, 플래시 메모리 카드 FMC(A)의 최종 사용자가 액세스할 수 없거나 또는 자유로운 데이타의 재기록을 할 수 없는 특수한 영역에는 식별 정보 "ABC"가 저장되고 있다. 또한, 플래시 메모리 카드 FMC(A)의 통상의 영역에 저장되어 있는 파일에는 그 파일의 식별 정보로서 "ABC"가 저장되어 있다. 이 플래시 메모리 카드 FMC(A)가 삽입된 시스템 기기 SYS9는 특수한 영역의 식별 정보 "ABC" 및 파일 중의 식별 정보 "ABC"를 판독하고 양자가 일치하므로 파일의 사용을 허가한다.
이에 대하여, 플래시 메모리 카드 FMC(B)의 최종 사용자가 액세스할 수 없거나 또는 자유로운 데이타의 재기록을 할 수 없는 특수한 영역에 식별 정보 "ABC"가 저장되게 된다. 한편, 플래시 메모리 카드 FMC(B)의 통상 영역에 저장된 파일에는 그 파일의 식별 정보로서 "DEF"가 저장되어 있다. 이 플래시 메모리 카드 FMC(B)가 삽입된 시스템 기기 SYS9는 특수한 영역의 식별 정보 "ABC" 및 파일 중의 식별 정보 "DEF"를 판독하고 양자가 일치하지 않으므로 파일의 사용을 허가하지 않도록 한다.
이와 같이, 플래시 메모리 카드 FMC의 특수한 영역에 저장되어 있는 식별 정보와 파일 중의 식별 정보가 일치하는지의 여부의 판단은 시스템 기기 SYS9의 판단부 JD에 의해 이루어진다.
다음은 플래시 메모리 카드 FMC에서의 최종 사용자가 액세스할 수 없거나 또는 자유로운 데이타의 재기록을 할 수 없는 특수한 영역의 일례를 설명한다. 예를 들면, 도 1에 도시한 플래시 메모리 카드 FMC를 포함하는 불휘발성 반도체 메모리는 일반적으로 ID 판독라고 불리는 동작 모드를 갖고 있다. 본 모드는 메모리의 제조 메이커나 종별, 용량, 전기적인 사양 등을 외부의 통지하기 위한 모드이다. 예를 들면, 도 1에 제시한 플래시 메모리 카드 FMC에서는 도 15에 도시한 바와 같은 수법에 의해, 이 ID 판독이 실행된다.
이 도 15에 도시한 바와 같이, 플래시 메모리 카드 FMC에 ID 판독 커맨드(여기서는 90h) 및 어드레스(여기서는 00h)를 입력한다. 그렇게 하면, 플래시 메모리 카드 FMC로부터 제조 메이커를 나타내는 코드(Maker Code) 및 메모리의 종별을 나타내는 디바이스 코드(Device Code)가 순차 출력된다.
예를 들면, 주식회사 도시바 제조의 64메가비트의 플래시 메모리 카드를 예로 들면, 1바이트째에 JEDIC ID 98h가 출력되며, 2바이트째에 64메가비트로 동작 전원 3.3V품의 NAND형 플래시 메모리인 것을 나타내는 디바이스 코드 E6h가 출력된다. 동일한 64메가비트의 메모리라도 그것이 플래시 메모리가 아니라 마스크 ROM이면 디바이스 코드로서 D6h가 출력된다. 시스템 기기는 이들의 정보를 판독하여 디바이스의 사양에 적합한 제어를 실행한다.
본 발명에서는 이 ID 판독 동작의 동작을 확장시킨다. 도 16에 도시한 바와 같이 본래의 ID 판독 동작에 필요한 출력 후에 플래시 메모리 카드 FMC 고유의 식별 정보를 출력하도록 한다. 몇바이트째로부터 상기 식별 정보의 출력이 시작되고 몇바이트 계속될 것인지는 자유롭다.
종래의 플래시 메모리 카드 제품과 본 기능을 서포트하고 있는 플래시 메모리 카드 제품의 판별을 확실하게 행하기 때문에, 우선 서포트하고 있을 때마다 자신을 제시하는 출력(예를 들면 AAh 등, 우연히 버스 상에 데이타가 존재하고 있을 확률이 작은 데이타를 설정)한 후, 식별 정보를 출력시키도록 하여도 좋다.
이미 기술과 같이, 본 식별 정보는 모든 플래시 메모리 카드 FMC 1매씩에 대하여 유니크(고유)할 필요는 없다(물론 고유한 것이 바람직하다). 예를 들면, 식별 정보가 1바이트로 형성된 경우, 취할 수 있는 값으로는 00h 내지 FFh까지의 256 그대로이다. 따라서, 플래시 메모리 카드 FMC는, 256종류의 그룹으로 분류할 수 있게 된다. 이 경우라도 최종 사용자가 2명 있으며 동일한 식별 정보를 갖는 플래시 메모리 카드 FMC를 갖고 있는 확률을 고려하면 충분히 낮다고 생각된다.
또한, 상기 실시예에서는 기존 ID 판독 커맨드를 유용하였지만, 새롭게 식별 정보 판독 커맨드를 별도 규정하여도 좋다. 액세스 방법이 공개되어 있는 ID 판독 커맨드를 사용하는데에 비교하여 안전성이 높다. 이 경우의 개요를 도 17에 도시한다. 여기서는 식별 정보 판독 커맨드로서 1사이클의 커맨드 설정을 예시하였지만 복수 사이클의 커맨드 입력을 필요로 하여도 좋다.
또한, 식별 정보의 결정 방법은 여러가지 생각된다. 우선 플래시 메모리 카드 FMC 제조 단계에서 결정하는 방법을 예시한다. 설정치는 예를 들면 통과 번호와 같이 한장 한장을 거의 완전하게 식별하도록 하여도 상관없고, 난수를 발생시켜서 결정하여도 좋으며 웨이퍼 단위로 결정하여도 좋고 칩 단위로 설정하여도 좋다. 어느 확률로 메모리 카드가 다른 메모리 카드와 다른 식별 정보를 갖도록 값을 설정하면, 본 발명의 주지에 완전하게 합치하고 있다. 플래시 메모리 카드 FMC의 제조 메이커로 결정하는 것은 아니고, 예를 들면 저작물을 기억하여 판매하는 메이커로 결정하여도 상관없다.
또한, 식별 정보의 기록 방법도 여러가지로 생각된다. 우선 플래시 메모리 카드 FMC의 제조 단계에서 기록하는 방법을 예시한다. 예를 들면, 도 18에 도시한 바와 같이 퓨즈 FS를 사용하는 방법이 있다. 이 도 18은 상태 유지 회로의 회로 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
이 상태 유지 회로에서는 퓨즈 FS를 절단할 때와, 절단하지 않을 때에는 전원 투입 시에 유지하고 있는 값이 다르다. 이 상태 유지 회로를 적어도 1개 이상 준비해두고, 설정하는 식별 정보의 값에 따라 퓨즈 FS를 절단할지의 여부를 결정한다. 예를 들면, 식별 정보의 판독 커맨드가 투입되면 상태 유지 회로에 유지되어 있는 값이 출력 버퍼를 통하여 외부로 출력된다.
퓨즈 FS의 종류로서는 여러가지 상정할 수 있다. 레이저로 달구어서 절단하며, 전류를 흘려서 전기 배선을 열적으로 달구어서 절단하며, 퓨즈 FS 자체가 EEPROM과 같은 불휘발성 메모리로 구성하여, 전기 퓨즈 등과 마찬가지의 효과를 발휘하는 것 등 무엇이나 좋다. 또한, 칩을 어셈블리할 때의 본딩 옵션으로 하여도 좋다. 칩상에 금배선 등을 접속하기 위한 패드를 준비해두고, 그 패드를 예를 들면, 전기적으로 VCC에 접속할지 GRD에 접속할지에 따라, 유지하는 값이 변하도록 하여도 괜찮다.
또한, 제조 시에 사용하는 배선층의 마스크를 구별해 사용해도 좋다. 예를 들면, 제조의 최종 공정에 가까운 알루미늄의 배선층을 형성하는 공정에서 마스크를 복수 종류 구별하여 사용하면, 어느 정도의 다양성을 갖는 정보의 설정이 가능하다.
그 외, 소형의 디ㅍ 스위치를 매립하는 것과 같은 형태로 어느 정도 기계적으로 설정 가능하도록 하여도 좋다. 또한 식별 정보를 유지한 별도의 불휘발성 메모리를 플래시 메모리 카드와 별도로 갖도록 하고, 그 별도의 불휘발성 메모리로부터 식별 정보의 값이 얻어지도록 하여도 괜찮다. 즉, 플래시 메모리 카드 중에 저작권 보호를 위해 사용하는 어떠한 IC나 부품을 플래시 메모리와 함께 탑재하도록 하면 좋다. 제조 단계에서 어떠한 수법에 의해 메모리 카드 내에 개별의 식별 정보를 기록하면 좋다.
식별 정보는 전기 퓨즈를 자르는 등에 의해, 이후 재기록이 불가능하도록 설정하여도 좋으며, EEPROM 등을 퓨즈 대신에 이용하여 이후 재기록이 가능하도록 제조하여도 상관없다. 이 재기록이 가능한 경우, 필요에 따라 어느 시점 이후의 재기록을 불가능하게 하는 수단, 예를 들면 전기 퓨즈를 절단함으로써 이후 재기록을 할 수 없게 되는 모드를 가지면 범용성이 넓어진다.
또한, 도 9a에 기초하여 상술한 바와 같이 파일 중 식별 정보는 어떤 의미로 특별한 영역의 식별 정보와 관련된 것이면 좋다. 예를 들면, 플래시 메모리 카드 FMC의 특별한 영역으로 저장되어 있는 식별 정보에 기초하여 암호키를 작성하고, 이 암호키를 이용하여 파일의 암호를 풀 수 있도록 하여도 좋다.
이와 같이 특별한 영역의 식별 정보를 이용하여 파일의 암호를 푸는 경우에는 특별한 영역의 식별 정보와 파일 중의 식별 정보가 합치하게 된다. 즉, 특별한 영역의 식별 정보와 파일 중의 식별 정보에 관련된 정보의 합치 및 불일치는 정상적으로 파일의 암호를 푼다, 풀지 못한다라고 바꾸어 말할 수 있다.
＜제8 실시예＞
다음에, 상기 제7 실시예의 더욱 다른 형태로서, 본원 발명의 메모리 시스템의 제8 실시예를 설명한다. 본 실시예는 상기 실시예 7와 달리 플래시 메모리 중에 사용자의 사용 영역과는 별도의 메모리 공간을 준비하고, 그 메모리 공간 상에 플래시 메모리 카드의 개별의 식별 정보를 저장하는 것을 주지로 한다.
예를 들면, 64메가비트의 메모리의 경우, 사용자가 사용 가능한 메모리 공간은 당연 64메가비트분 확보되어 있지만, 이 64메가비트분의 메모리 공간과는 별도의 메모리 공간을 가지며, 그 중에 식별 정보를 유지한다. 물론, 이 장황한 메모리 공간은 64메가비트분의 정규 메모리 공간에 액세스하는 방법과는 다른 방법에 의해서 액세스할 수 있도록 한다.
도 19에 이 플래시 메모리 카드 FMC의 물리 메모리 블럭의 개요를 나타낸다. 예를 들면, 64메가비트의 플래시 메모리의 경우, 메모리 셀 어레이는, 64킬로비트 단위에 1024의 메모리 블럭(소거 단위)Block0 ∼ Block1023으로 분할되어 있다. 이 1024개의 블럭 외에 예를 들면 8개의 장황한 용장 블럭(Redundancy Block) RDBlock0 ∼ RDBlock7을 준비한다. 이들의 용장 블럭 RDBlock0 ∼ RDBlock7은 일반적으로 알려져 있듯이, 제조 시에 불량 블럭이 발견되었을 때, 블럭의 치환을 행하는 처리가 준비되어 있는 블럭과 겸용하여도 좋으며 별도 준비하여도 좋다.
이 용장 블럭 RDBlock0 ∼ RDBlock7로 액세스하기 위한 특별한 커맨드를 준비한다(이후, 용장 블럭 액세스 커맨드라고 부른다). 본 용장 블럭 RDBlock0 ∼ RDBlock7에는 플래시 메모리 카드 FMC를 개별로식별하기 위한 식별 정보가 기록된다. 실시예 7에서 설명한 바와 같이 식별 정보를 어느 단계에서 기록할지는 자유롭다.
예를 들면, 제조 단계에서 용장 블럭 RDBlock0 ∼ RDBlock7 중 어느 하나의 블럭에 식별 정보가 기록된다고 하고, 그 플래시 메모리 카드 FMC에 저작물을 저장하여 판매를 하는 경우를 생각한다. 플래시 메모리 카드 FMC에 저작물을 기록할 때, 기록 툴은 용장 블럭 액세스 커맨드에 의해 용장 블럭에 RDBlock에 기록된 식별 정보를 판독한다.
다음에, 이 판독한 식별 정보 또는 식별 정보에 관련된 정보를 저작물의 파일 중에 취득하고, 플래시 메모리 카드 FMC에 파일로서 기록한다. 시스템 기기는 용장 블럭 RDBlock에 기록된 플래시 메모리 카드 FMC의 식별 정보와, 파일 중에 받아들여지고 있는 식별 정보를 비교하고, 소정의 조건을 만족하는 경우에 시스템 기기 상에서의 사용을 허가한다.
파일이 있는 플래시 메모리 카드 FMC로부터 별도의 플래시 메모리 카드 FMC로 하드디스크 등을 통하여 전송되며, 별도의 시스템 기기 상에서 동작시키고자 하여도 복사 파일의 전송처의 플래시 메모리 카드 FMC 중 용장 블럭 RDBlock에 기록된 식별 정보와, 복사된 파일로 받아들여진 플래시 메모리 카드 FMC의 식별 정보가 합치하지 않으므로 사용할 수 없다. 이에 의해서 저작물의 권리가 보호되게 된다.
이 용장 블럭 RDBlock0 ∼ RDBlock7로 기록되는 플래시 메모리 카드 FMC의 식별 정보의 형태는 지금까지의 실시예 중에서 설명한 바와 같은 여러가지로 생각된다. 플래시 메모리 카드 FMC의 식별 정보를 단순하게 저장하여도 좋으며, 여러개 저장하여 실제로 사용할 때, 비교하여 사용하여도 좋다. 또한, 식별 정보의 타당성을 판단하기 위한 부가적인 정보를 붙여도 좋다. 예를 들면, 패리티를 계산하고 그 계산 결과와 함께 저장하거나 에러 정정용의 부호와 함께 저장하여 에러가 발생한 경우, 에러 정정이 가능하게 하여도 좋다. 또한, 식별 정보를 그 보수(예를 들면 식별 정보가 AAh이면 그 보수로서 55h)와 함께 저장하도록 하여도 좋다.
또한, 도 1의 플래시 메모리 카드 FMC에서 실제의 파일을 저장할 때 사용하고 있는 ECC의 방식이 그대로 적용 가능하도록 해도 좋다. 또한 도 1에 예시한 플래시 메모리 카드 FMC에서 예를 들면, 1블럭이 16페이지로 구성되면, 복수의 페이지에 식별 정보를 저장하여도 좋다. 또한, 여러개의 블럭으로 저장되어도 괜찮다.
또한 식별 정보 외에, 그 용장 블럭 RDBlock가 식별 정보를 저장하고 있는 것을 확인하기 위한 정보(예를 들면 규정된 1문자 이상의 문자열 등)나 해당하는 용장 블럭 RDBlock가 전기적으로 정상적인 것인지 불량 블럭인지를 나타내는 플래그와 같은 관리 데이타와 함께 저장되어도 좋다. 예를 들면, 식별 정보를 저장하기 위한 영역으로서 2블럭분(우선도는 설치하여도 좋다)을 준비해두면, 가령 그 하나가 불량 블럭으로 되어 있는 경우라도 제조 수율을 떨어뜨리지 않고서 해결된다. 이 경우 시스템 기기로서는 우선 관리 플래그를 보고 정상적인 용장RDBlock 블럭인지의 여부를 판단하고, 다음에 식별 정보가 저장되어 있는지의 여부를 규정 문자열의 유무로 판단한다. 규정의 문자열이 발견되면 식별 정보 타당성을 패리티 그 외의 수단을 사용하여 판단하면서 식별 정보를 취득한다. 최초로 액세스한 용장 블럭 RDBlock가 불량 블럭이면, 다음 용장 블럭 RDBlock에 액세스로 가는 것은 자명하다. 기타 여러가지의 방법이 생각되지만, 실시예 7에서 기술한 그대로 사용자가 간단하게 액세스할 수 없는 영역에 플래시 메모리 카드 FMC 개별의 식별 정보가 저장되면 본 발명의 주지에 합치한다.
또한, 도 9a에 기초하여 상술한 바와 같이 파일 중의 식별 정보는 어떤 의미에서 용장 블럭 RDBlock의 식별 정보와 관련된 것이면 좋다. 예를 들면, 플래시 메모리 카드 FMC의 용장 블럭 RDBlock으로 저장되어 있는 식별 정보에 기초하여 암호키를 작성하고, 이 암호키를 이용하여 파일의 암호가 풀리도록 하여도 좋다.
이와 같이 용장 블럭 Block의 식별 정보를 이용하여 파일의 암호가 풀린 경우에는 용장 블럭 Block의 식별 정보와 파일 중 식별 정보가 합치하게 된다. 즉, 용장 블럭 RDBlock의 식별 정보와 파일 중 식별 정보에 관련된 정보와의 합치 및 불일치는 정상적으로 파일의 암호가 풀린다, 풀리지 않는다고 바꿔 말하는 것이 가능하다.
＜제9 실시예＞
다음에, 상술한 제8 실시예를 더욱 강화한 형태의 본원 발명의 메모리 시스템의 제9 실시예를 설명한다. 실시예 8에서는 식별 정보의 재기록을 금지하는 방법을 명시하지 않고 있으므로, 만일 용장 블럭으로의 액세스 방법이 유출된 경우, 해당 영역의 데이타를 재기록하는 부정한 툴이 만들지 않도록 제한하지 않는다. 본 실시예는 실시예 8에서 개시한 방법에 더욱 식별 정보의 재기록을 금지하는 조치를 부가한 것이다.
다시 도 19를 이용하여 구체적인 예를 설명한다. 예를 들면, 64메가비트의 플래시 메모리 카드 FMC인 경우, 메모리 셀 어레이는 64킬로비트 단위에 1024의 블럭(소거 단위)Block0 ∼ Block1023으로 분할되어 있다. 이 1024개의 블럭 Block0 ∼ Block1023 외에 예를 들면 8개의 장황한 블럭 RDBlock0 ∼ RDBlock7을 준비한다. 여기서 도시한 블럭 Block, RDBlock 각각에는 도 20a에 도시한 바와 같은 로우 디코더 회로가 붙어 있다. 이 로우 디코더 회로의 기능에 대하여 설명을 덧붙인다.
로우 디코더 회로는 칩에 입력되는 어드레스에 따라서 블럭을 선택하고, 워드선 등에 주변 회로 중에서 발생한 전압을 전송하는 역할을 담당한다. 통상은 데이타 기록, 데이타 소거, 데이타 판독의 전부에서 상기 동작을 행한다. 이하에, 도 20a에 따라서 로우 디코더 회로의 동작을 설명한다.
신호 RDEC는 로우 디코더 회로의 기동 신호이며, 기록, 소거, 판독의 동작 시에는 "H"가 된다. 신호 ADDRESS는 블럭 어드레스를 나타내는 신호이며, 어드레스가 선택된 블럭만 복수의 어드레스 신호가 전부 "H"가 되며 노드 NA도 "H"가 된다.
기록 동작 시 및 판독 동작 시에는 신호 ERASE가 "L", 신호/ERASE가 "H"가 되며 「신호 경로 1」을 통하여 노드 NO에 신호가 전해진다. 즉, 선택된 블럭으로서는 노드 NO가 "H"가 되며, 그 이외의 블럭으로는 "L"이 된다. 그렇게 하면, 선택된 블럭은 노드 N1=VPP(기록·소거·판독 등을 실현하기 위한 고전압)가 되며 노드/N1=0V가 된다. 이에 따라, 도 20b에 도시하는 주변 회로부 버스 라인의 전압이 워드선에 전해지며 데이타의 기록·판독이 실행된다.
한편, 비선택 블럭은 노드 N1=0V가 되며 노드/N1=VPP가 되고, 도 20b에 도시하는 주변 회로부 버스 라인과 워드선이 비접속 상태가 된다.
다음은 소거 동작 중의 상세한 동작에 대해서 이하에 설명한다. 소거 동작 개시 이전에는 신호 RESET가 "H"의 상태에 있기 때문에, 노드 NL, NR은 각각 "H", "L"의 레벨에 있다. 소거 동작이 개시하면, 신호 RESET가 "L"이 되며, 또한 칩에 입력된 어드레스에 따라서 어드레스 신호 ADDRESS가 설정되며 또한 신호 LEST가 어느 일정 시간 "H"가 된다. 선택 블럭으로는 노드 NA가 "H"로 있기 때문에, 퓨즈 F가 비절단 상태에 있는 경우에는 퓨즈 F를 통하여 노드 NL이 0V와 접속되기 때문에, 노드 NL, NR이 각각 "L", "H"가 된다. 한편, 퓨즈 F가 절단 상태에 있는 블럭으로는 블럭의 선택·비선택에 따르지 않고, 노드 NL, NR은 각각 "H", "L"의 상태가 유지된다. 계속해서, 신호 ERASE가 "H", 신호/ERASE가 "L"이 되며 「신호 경로2」를 통하여 노드 NO에 신호가 전해지는 즉, 노드 NR의 전압이 NO로 전해지며, 노드 NR이 "H" 레벨에 있는 블럭에 대해서만 데이타 소거가 실행된다.
이상 진술한 것에서 명백해진 바와 같이, 도 20a 중 로우 디코더 회로에서는 데이타 기록·판독 시의 블럭의 선택/ 비선택은 직접 어드레스 신호를 이용하여 행하고, 한편 데이타 소거 시의 블럭의 선택/ 비선택은 로우 디코더 회로 중 래치 회로(41)를 이용하여 행한다. 즉, 인버터(I1 및 I2)로 구성되는 래치 회로(41)를 이용하여 행한다. 따라서, 도 20a 중의 회로를 이용함으로써 퓨즈 F가 절단된 블럭으로는 데이타의 기록·판독은 실행 가능하며 데이타 소거는 실행 불가능하다고 할 수 있다.
상기 로우 디코더를 사용한 경우, 하기와 같이 제어를 행한다. 예를 들면 용장 블럭 RDBlock에 액세스하는 커맨드를 준비한다. 그리고, 이 용장 블럭 RDBlock의 영역에 플래시 메모리 카드 FMC로 고유의 식별 정보를 기록한다. 식별 정보의 기록 포맷에 관해서는 여러가지 방법이 상정 가능한 것은 이미 실시예8 등에 기재하고 있다. 본 실시예에서는, 이 식별 정보를 기록한 후, 퓨즈 F를 절단한다. 퓨즈 F의 종류가 레이저 절단, 전기 퓨즈, EEPROM 등에서 취할 수 있음을 기술했다. 퓨즈 F를 절단하면 기술한 바와 같이, 기록·판독은 가능해지지만 소거 동작은 금지된다. 따라서 해당 용장 블럭 RDBlock의 영역으로의 액세스 방법이 가령 유출하였다고 해도 해당 용장 블럭 RDBlock의 영역으로 저장된 정보를 자유롭게 재기록할 수는 없다.
단지, 본 실시예에서는 용장 블럭 RDBlock에 대한 기록 동작은 금지하지 않았다. 따라서 추가 기록 동작은 가능하다. 본 실시예 중 플래시 메모리는 소거 동작없이 "1"의 데이타를 "0"으로 재기록하는 것은 가능하지만, "0"의 데이타를 "1"로 재기록할 수 없다. 따라서, 플래시 메모리 카드 FMC에 식별 정보를 저장할 때 식별 정보 이외에 그 보수를 동시에 기록해두면, 액세스 방법을 알 수 있어도 용장 블럭의 식별 정보를 별도의 식별 정보로 변경할 수는 없다.
즉, 예를 들면 도 21a에 도시한 바와 같이, 용장 블럭 RDBlock에 식별 정보로서 "AAh=10101010"이 저장되었다고 하면, 이 식별 정보의 보수 정보로서 "55h=01010101"도 저장된다. 도 21b에 도시한 바와 같이, 부정한 조작에 의해 "1"을 "0"으로 변경하는 것은 가능하므로, 예를 들면 최상위 비트의 "1"을 "0"으로 재기록하여 식별 정보를 "2Ah=00101010"으로 하는 것은 가능하다. 그러나, 용장 블럭 RDBlock에 저장되어 있는 이 식별 정보의 보수 정보를 정확하게 수정할 수는 없다. 즉, 식별 정보의 보수 정보는 "55h=01010101"이지만, 이것을 "D5h=11010101"로 변경할 수는 없다. 왜냐하면, 상술한 바와 같이 용장 블럭 RDBlock에서는 "0"을 "1"로 변경할 수는 없기 때문이다. 즉, 용장 블럭 Block에 기록되어 있는 식별 정보의 AAh의 최상위 비트를 추가 기록하여 "2Ah=00101010"으로 재기록하였다고 해도 대응하는 보수 정보를 저장하는 영역을 "D5h=11010101"로 재기록 할 수는 없게 된다.
이와 같이 식별 정보와 이 식별 정보의 보수 정보를 모두 용장 블럭 RDBlock에 저장함으로써, 부정한 추가 기록이 불가능해지며 가령 해당 용장 블럭 RDBlock 영역으로의 액세스 방법 및 추가 기록 방법을 알 수 있었다고 해도 해당 용장 블럭 RDBlock 영역에 대하여, 의미 있는 데이타의 재기록 행위를 할 수 없게 된다.
따라서, 이 용장 블럭 RDBlock의 영역에 플래시 메모리 카드 FMC를 개별로 식별하는 식별 정보가 쓰여지며, 식별 정보 또는 관련된 정보가 파일 중에 받아들여지며, 양 정보의 비교에 의해서 시스템 상에서의 동작을 제한하는 구조의 시스템 기기에서는 가령 파일을 별도의 플래시 메모리 카드 FMC에 복사하였다고 해도 전송처의 플래시 메모리 카드 FMC에도 마찬가지로 식별 정보의 저장 영역이 있으며 그 식별 정보의 재기록도 마찬가지로 제한되고 있으므로, 그 식별 정보와 파일 중 정보의 합치가 없이 시스템 기기 상에서 사용할 수 없으며 저작물의 권리가 보호된다.
플래시 메모리 카드 FMC의 출하 후, 메이커가 저작물을 저장하는 시점에서 용장 블럭 RDBlock의 영역에 식별 정보를 기록하는 경우는 식별 정보를 용장 블럭 RDBlock에 저장한 후, 예를 들면 전기 퓨즈이면 전기적으로 퓨즈 F를 절단하여 이후의 부정한 식별 정보의 재기록을 금지한다.
여기서는 소거 동작만을 금지하였지만, 마찬가지의 수단에 따라서 해당 영역의 기록 동작 자체를 금지하여도 좋다. 소거 및 기록을 금지하는 수단으로서는 로우 디코더 근변의 퓨즈에만 한정되지 않고 해당 영역에 액세스가 있는 경우, 기록 및 소거에 필요한 고전압의 발생 회로의 동작을 금지하도록 수단을 취하여도 좋으며 임의이다.
식별 정보를 저장한 후, 어떠한 수단에 의해서 해당 영역의 소거 동작 또는 기록 동작 중 어느 한쪽 또는 양 쪽의 동작이 금지되면 본 발명의 주지를 만족한다. 일단 금지된 소거 또는 기록 동작이 더욱 복잡한 순서를 거쳐서 다시 소거 및 기록 동작이 가능해지는 것과 같은 방법을 유지해두어도 괜찮다.
상기 실시예에서는 플래시 메모리 카드 FMC의 식별 정보는 용장 블럭 RDBlock으로 저장하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 용장 블럭 RDBlock 이외의 통상의 메모리 공간 영역에 저장하여도 괜찮다. 도 1에 도시한 플래시 메모리 카드 FMC에서는 기술한 바와 같이 블럭 단위로 블럭의 불량 등록이 가능하다. 어느 블럭을 식별 정보의 저장 블럭이라고 정의하여 거기에 식별 정보를 기록한 후, 퓨즈와 절단하는 등의 수단에 의해 부정한 식별 정보의 재기록을 방지하도록 하여도 좋다. 이 때 통상의 시스템이 해당블럭을 통상의 데이타 저장 영역으로서 사용하고자 시도하는 것을 막기 위해서, 식별 정보에 관련된 정보를 저장하는 것 외에, 블럭의 블럭 상태 영역에 마크를 붙여서 불량 블럭 등록해두면 좋다. 상술한 바와 같이 이들의 경우의 경우도 식별 정보를 저장하고 있는 것을 확인할 수 있는 것과 같은 정보를 함께 저장해두면 좋다.
이 방법을 사용하는 경우는, 어느 플래시 메모리 카드 FMC의 데이타가 다른 미디어에 데드 복사되면 안되므로, 모든 플래시 메모리 카드 FMC의 출하시에 식별 정보를 기록하고, 퓨즈를 절단하여 이후의 소거 동작 또는 기록 동작 중 한쪽 또는 양쪽의 동작을 금지하도록 하면 좋다. 따라서, 통상의 메모리 공간에 식별 정보를 기억하고, 해당 영역에 대하여 이후의 소거 동작 또는 기록 동작 중 한쪽 또는 양쪽 동작을 금지하는 것과 같은 수단을 가지고 있으면 본 발명의 주지를 만족한다.
또한, 상기 실시예의 1 내지 9 중에서는 설명을 간략화하기 위해서 단순하게 플래시 메모리 카드 FMC의 식별 번호라고 기재하고 있지만, 그것이 단순하게 플래시 메모리 카드 FMC의 식별 번호뿐만 아니라, 저작물을 직접 식별하기 위한 정보(예를 들면 음악 파일의 경우, 판매자나 가수, 작곡가, 작사가, 제조자, 레코드 메이커, 앨범명, 국명 등 메모리 카드 자신의 고유성과 직접 관계 없어도 좋다) 만으로도 괜찮다.
또한, 도 9a에 기초하여 상술한 바와 같이 파일 중의 식별 정보는 어떠한 의미로 용장 블럭 RDBlock의 식별 정보와 관련된 것이면 좋다. 예를 들면, 플래시 메모리 카드 FMC의 용장 블럭 RDBlock에 저장되어 있는 식별 정보에 기초하여 암호키를 작성하고 이 암호키를 이용하여 파일의 암호가 풀리도록 하여도 좋다.
이와 같이 용장 블럭 Block의 식별 정보를 이용하여 파일의 암호가 풀린 경우에는 용장 블럭 Block의 식별 정보와 파일 중 식별 정보가 합치하게 된다. 즉, 용장 블럭 RDBlock의 식별 정보와 파일 중 식별 정보에 관련된 정보와의 합치 및 불일치는 정상적으로 파일의 암호를 푼다, 풀지 못한다로 바꾸어 말할 수 있다.
＜제10 실시예＞
다음에, 본원 발명의 메모리 시스템의 제10 실시예를 설명한다. 본 실시예는 복수의 플래시 메모리 카드 FMC 간에서 데이타를 데드 복사하는 것과 같은 툴에 대한 방어 기능에 관한 것이다.
여기서는 플래시 메모리 카드 FMC의 플래시 메모리 FM의 내부에 랜덤으로 적당한 빈도로 불량 비트를 갖게 한다. 즉, 플래시 메모리 FM마다 다른 불량 비트를 갖게 하도록 한다. 도 22의 예에서는 플래시 메모리 카드 FMC의 플래시 메모리 FM에서의 메모리 공간에 존재하는 불량 비트 DEFB의 위치와, 플래시 메모리 카드 FMC(B)의 플래시 메모리 FM에서의 메모리 공간에 존재하는 불량 비트 DEFB의 위치는 다르다. 이와 같이, 복수의 플래시 메모리 카드 FMC마다 그 불량 비트의 위치가 다르게 한다.
이러한 플래시 메모리 카드 FMC를 이용하여 기억 매체인 불휘발성의 플래시 메모리 FM의 내용을 복제하기 위해서, 원래 플래시 메모리 카드 FMC로부터 데이타를 판독하여, 복제에 앞서 플래시 메모리 카드 FMC에 데드 복사를 행하고자 하여도 기록에 앞서 플래시 메모리 FM에 존재하는 불량 비트의 존재에 의해 그 부분에 정확하게 데이타를 기록할 수 없다. 즉, 도 22의 예에서는 플래시 메모리 카드 FMC(A)의 비트 데이타 D1을 플래시 메모리 카드 FMC(B)에 데드 복사하고자 하면, 그 메모리 공간의 비트 위치는 불량 비트 DEFB이므로 복사할 수 없다. 이 때문에, 데드 복사는 정확하게 할 수 없게 되며 부정한 데이타 복사는 실패로 끝난다.
상기한 불량 비트 DEFB는 선천성 불량 비트나 인위적으로 배치된 불량 비트나 마찬가지의 효과를 기대할 수 있다. 또한, 불량은 비트일 필요는 없고 비트 외에 로우 불량, 컬럼 불량, 블럭 불량 및 이들의 조합을 선천적으로 또는 인위적으로 갖는 불휘발성 메모리라도 마찬가지의 효과를 기대할 수 있다.
불량 비트, 로우 불량, 컬럼 불량 또는 블럭 불량을 인위적으로 생기게 하는 수단으로서는 레이저 조사에 의한 셀 트랜지스터, 로우 디코더, 컬럼 디코더 또는 블럭 디코더의 파괴가 생각된다. 또한, 마찬가지로 폴리 실리콘 퓨즈 또는 전기 퓨즈를 셀, 로우, 컬럼 또는 블럭과 이들의 디코더 간에 설치하며, 그것을 레이저 또 과전류로 용단하는 수법도 생각된다. 게다가 One Time PROM 등의 불휘발성 메모리의 셀을 설치하고 그 셀에 기록을 행함으로써 인위적으로 상기한 불량 중의 하나 또는 이들의 조합을 만든 것 등 본 발명의 취지를 일탈하지 않은 범위로 인위적으로 불량을 만든 것은 가능하다.
실시예 8 또는 9에서 설명한 바와 같은 수법에 의해 소거 동작 또는 기록 동작 중 한쪽 또는 양 동작을 금지하여도 좋다. 소거 동작만을 금지하는 경우, 미리 해당 영역에 "0" 데이타를 기록해두면 데이타의 복사가 가능하지 않으므로 마찬가지의 효과가 생긴다. 데이타의 데드 복사를 실행하고자 했을 때 어느 방법에 의해 복사가 실패하는 것과 같은 대책이 실시되고 있으면 본 실시예의 주지에 합치하게 된다.
＜제11 실시예＞
다음에, 본원 발명의 메모리 시스템의 제11 실시예를 설명한다.
상기 1 내지 10의 실시예에서 저작물의 권리 보호의 구조에 대하여 설명했지만, 저작물의 권리 보호 기능을 갖는 메모리 카드와 그렇지 않은 카드의 판별이 가능하도록 하여도 좋다. 판별의 방법은 여러가지 생각된다. 예를 들면 메모리 카드의 외장 표면에 저작권 보호 기능이 붙어 있는 것을 나타내는 문장이나 로고 마크가 붙어 있어도 좋다. 또한, 색이나 모양의 규정을 행하고 그것이 저작권 보호 기능을 가지고 있다고 하여도 좋다. 또한, 제품명이나 제품형번으로부터 알 수 있듯이 하여도 좋다. 또한, 시스템 기기가 삽입된 경우, 예를 들면 디스플레이 상에 메시지가 나오도록 하여도 좋다. 또한 개인용 컴퓨터 상에서 파일을 취급할 때 메시지 등이 나오는 것과 같은 구조라도 좋다. 또한 시스템 기기 내의 컨트롤러에 상당하는 부분이 판별 가능하도록 이미 기술하였지만, 어느 특정한 조작(예를 들면, 저작권 보호 기능이 있는지의 여부를 출력하는 특수한 커맨드 등)에 의해서 판별할 수 있으면 좋다.
또한, 상기한 바와 같은 저작권의 보호가 되고 있는지의 여부를 파일 단위 또는 디렉토리 단위로 판별 가능하도록 하여도 좋다. 또한, 사적으로 작성된 음악이나 프로모션용 음악 등의 저작물로 보호가 필요없는 것을 상정하고, 저작권 보호의 필요가 없는 것인지 또는 부정으로 복사 등을 한 것인지를 판별할 수 있도록 하여도 좋다. 파일 중 소정의 영역으로 예를 들면 플래그를 설치하여 저작권 보호가 필요없는 것이라고 판단되면, 지금까지 기재해온 것과 같은 저작권 보호에 관한 조건이 성립하지 않아도 시스템 기기 상에서 사용 가능하도록 하여도 좋다.
상기 1 내지 11 실시예에서 플래시 메모리 카드 FMC를 예로 설명하였지만, 본 발명은 플래시 메모리 카드 FMC, 게다가 반도체 메모리에만 한정되지 않는다. 카드 전체가 마스크 ROM(MROM)으로 구성되어 있어도 좋으며(이 경우, 전술한 실시예 1 내지 11에서 설명한 식별 정보 등도 MROM화되어 있어도 좋다), MROM과 함께 전술한 실시예 1 내지 실시예 11에서 설명한 바와 같은 기능이 들어가 있기 때문에 데이타 기록이나 식별 정보의 설정이 가능한 플래시 메모리나 OTP(One Time PROM)나 퓨즈 등이 수반하고 있어도 괜찮다.
또한, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고 주지를 일탈하지 않는 범위에서 여러가지 변경하여 이용 가능하다. 또한, 이들의 저작물의 권리 보호가 상기 실시예 1 내지 실시예 11 단독 또는 조합한 것만으로 사용되지 않아도 괜찮다. 예를 들면, 전자 워터 마크 기술이나 암호화 기술과 함께 사용되어도 좋다.
＜제12 실시예＞
본 발명의 제12 실시예는 플래시 메모리 카드 FMC에서의 한번만 데이타 기록이 허용되는 상태 변화 기억 영역의 구체적인 제어 방법을 밝힌 것이다.
우선, 도 23 및 도 24에 기초하여 본 실시예에서의 저작권 보호의 구조를 설명한다. 도 23은 최종 사용자가 개인용 컴퓨터 PC를 이용하여 적정한 파일 이동을 한 경우를 설명하는 도면이며, 도 24는 최종 사용자가 개인용 컴퓨터 PC를 이용하여 부적정한 파일 복사를 하고자 하는 경우를 설명하는 도면이다.
도 23에 도시한 바와 같이, 플래시 메모리 카드 FMC(A)는 기기 번호 100의 시스템 기기용 플래시 메모리 카드이고, 이 플래시 메모리 카드 FMC(A)의 마크 데이타는 5이다. 플래시 메모리 카드 FMC(A)에는 적정한 저작물의 파일 FL1이 저장되어 있으며, 이 파일 FL1에는 식별 정보로서 기기 번호 100가 삽입되어 있으며 또한 마크 데이타가 5라는 정보도 삽입되어 있다.
여기서, 이 플래시 메모리 카드 FMC(A)에 저장되어 있는 저작물의 파일 FL1을 별도의 플래시 메모리 카드 FMC(B)에 적정으로 이동하는 경우를 생각한다.
이 경우, 우선, 최종 사용자는 플래시 메모리 카드 FMC(A)에서부터 파일 FL1을 개인용 컴퓨터 PC의 하드 디스크 등에 이동한다. 여기서 이동이란, 플래시 메모리 카드 FMC(A)에 저장되어 있던 원래의 파일 FI1이 소거되고 개인용 컴퓨터 PC에 복사되는 동작을 말한다. 이 때문에, 이 파일 FL1을 개인용 컴퓨터 PC로 이동함으로써 플래시 메모리 카드 FMC(A)에 저장되어 있는 파일은 없어진다. 또한, 이 파일 FL1의 이동이 이루어짐으로써 마크 데이타는 5 내지 6으로 카운트업된다. 이 마크 데이타는 카운트 다운은 되지 않도록 하드웨어 상에서 구성되어 있다. 즉, 5 내지 6으로 변화한 마크 데이타는 이미 5로 복귀할 수는 없게 되어 있다.
계속해서, 최종 사용자는 개인용 컴퓨터 PC의 하드 디스크로부터 플래시 메모리 카드 FMC(B)에 이 파일 FL1을 이동한다. 이 이동 시에 있어서는 개인용 컴퓨터 PC는 플래시 메모리 카드 FMC(B)의 기기 번호 200와 마크 데이타(10)와 같은 것을 판독하고, 이들을 받아들인 파일 FL2를 생성한 후에 플래시 메모리 카드 FMC(B)로 이동한다. 즉, 마크 데이타의 값은 플래시 메모리 카드에 따라서 다른 값을 갖고 있으므로, 이에 적합하여 새롭게 파일 FL2를 생성하는 것이다. 이 이동에 의해, 개인용 컴퓨터 PC의 하드 디스크 상에 저장되어 있던 파일 FL1의 데이타는 소거된다. 이상의 조작에 의해, 기기 번호100용 플래시 메모리 카드 FMC(A)의 파일 FL1을 기기 번호200용 플래시 메모리 카드 FMC(B)에 파일 FL2로서 이동시킬 수 있다.
다음에, 도 24에 기초하여 플래시 메모리 카드 FMC(A)의 마크 데이타를 불가역적으로 카운트 업하는 이유를 설명한다.
도 24에 도시된 바와 같이, 최종 사용자가 플래시 메모리 카드 FMC(A)의 저작물의 파일 FL1을 개인용 컴퓨터 PC로 이동하기 전에 어떠한 형태에서 개인용 컴퓨터 등에 백업 파일을 취하고 있다. 이 경우의 백업 파일 FL3은 단순한 백업이므로, 파일 FL3에는 기기 번호100와 마크 데이타(5)가 삽입된 그대로이다.
다음에, 최종 사용자가 상술한 순서로 플래시 메모리 카드 FMC(A)의 파일 FL1을 플래시 메모리 카드 FMC(B)로 이동한다. 그렇게 하면, 플래시 메모리 카드 FMC(A)는 어떤 파일도 저장되어 있지 않은 기기 번호 100, 마크 데이타(6)의 플래시 메모리 카드가 된다.
이 비어있는 상태의 플래시 메모리 카드 FMC(A)에, 백업 파일 FL3을 다시 백업으로 복사한다. 그러나, 상술한 바와 같이 플래시 메모리 카드 FMC(A)의 마크 데이타는 이미 6으로 되어 있다. 한편, 다시 플래시 메모리 카드 FMC(A)로 되돌아온 백업 파일 FL3에는 마크 데이타(5)가 삽입된 그대로이다. 그리고, 플래시 메모리 카드 FMC(A)의 마크 데이타의 값은 6 내지 5로 복귀할 수는 없다. 이 때문에, 백업 파일 FL3을 플래시 메모리 카드 FMC(A)로 사용할 수는 없다.
이와 같이, 파일의 이동이 이루어질 때에 플래시 메모리 카드 FMC의 마크 데이타의 값을 불가역적으로 카운트 업함으로써 부정으로 저작물의 파일의 복사를 작성할 수 없게 된다.
다음에, 이러한 저작권 보호의 구조 실현하기 위한 플래시 메모리가 구체적인 실시예를 설명한다.
도 25는 실시 형태의 NAND형 EEPROM 플래시 메모리의 전체 구성을 나타내고, 도 26은 그 메모리 셀 어레이(1)의 블럭 구성을 나타내며, 도 27은 그 하나의 블럭 Bi의 구성을 나타내고 있다.
도 27에 도시한 바와 같이, NAND형 EEPROM 플래시 메모리 중 하나의 메모리 트랜지스터(메모리 셀)MC는 반도체 기판 상에 절연막을 통하여 부유 게이트(전하 축적층)와 제어 게이트가 적층된 FETMOS 구조를 갖는다. 그리고, 여러개의 메모리 트랜지스터 MC가 인접하는 것끼리 소스·드레인을 공용하는 형태로 직렬 접속되어 NAND셀을 구성하고, 이것을 일단위로서 비트선 BL로 접속한다. 이러한 NAND 셀이 매트릭스 배열되어, 도 25에 도시하는 메모리 셀 어레이(1)가 구성된다. 이 메모리 셀 어레이 1은 P형 기판 또는 P형 웰 내에 집적 형성된다.
도 27에 도시한 바와 같이, 메모리 셀 어레이 1의 열방향으로 나열한 NAND셀의 일단측의 드레인은 각각 선택 게이트 트랜지스터 S1을 통하여 비트선 BL에 접속되며, 타단측 소스는 역시 선택 게이트 트랜지스터 S2를 통하여 공통 소스선에 접속되어 있다. 메모리 트랜지스터 MC의 제어 게이트 및 선택 게이트 트랜지스터 S1, S2의 게이트 전극은 메모리 셀 어레이(1)의 컬럼 방향으로 각각 제어 게이트선 CG0 ∼ CG15, 선택 게이트선 SG1, SG2로서 공통 접속된다. 제어 게이트선 CG0 ∼ CG15가 통상 워드선 WL0 ∼ WL15가 된다.
도 27에서는 16개의 메모리 트랜지스터 MC에 의해 16단 NAND가 구성되고 있다. 이 NAND 셀은 비트선 BL, 제어 게이트선 CG, 선택 게이트선 SG의 전압을 제어함으로써 데이타 기록·소거·판독을 행한다. 도 27 중 복수의 NAND 셀은 전부 제어 게이트를 공유하고 있다. 이러한 제어 게이트를 공유하는 NAND 셀군을 통상, 블럭이라고 부르고 이 1 블럭이 데이타 소거의 최소 단위가 된다. 통상은 메모리 셀 어레이(1) 중에는 수백개로부터 수천개 정도의 블럭이 배치된다. 또한, 블럭 중 1제어 게이트선에 의해 선택되는 범위가 1페이지이며 이 1페이지가 데이타를 일괄하여 기록하거나 또는 일괄하여 판독할 수 있는 범위가 된다.
도 25에 도시한 바와 같이, 어드레스는 어드레스 버퍼(4)에 의해 받아들여지며, 이것이 로우 디코더(2) 및 컬럼 디코더(3)에 의해 디코드되어 메모리 셀 어레이(1)의 제어 게이트선 CG의 선택 및 비트선 BL의 선택이 이루어지고 있다. 센스 앰프/ 데이타 래치(5)는 메모리 셀 어레이(1)가 선택된 데이타를 센스하고 또한 데이타 버퍼(6)를 통하여 외부로부터 받아들여지는 기록 데이타를 래치한다.
제어 회로(7)는 커맨드를 받아들여서 데이타 소거 제어 신호 등의 각 종 제어 신호를 발생하고 또한 전압 발생 회로(8)를 제어한다. 전압 발생 회로(8)는 데이타 기록이나 소거에 필요한 승압 전압, 마이너스 전압 등을 발생한다.
이 NAND형 EEPROM의 동작은 다음과 같다. 우선, 데이타 기록의 경우는 선택된 메모리 셀의 제어 게이트에 고전압 Vpgm(=20V 정도)을 인가하고, 다른 메모리 셀의 제어 게이트에 중간 전위 Vpass(=10V 정도)를 인가하고, 비트선에 데이타에 따라서 0V 또는 전원 전압 Vcc(=3 ∼ 5V 정도)를 부여한다. 비트선에 0V가 부여될 때 그 전위는 선택 메모리 셀의 드레인이나 채널부까지 전달되어, 드레인으로부터 부유 게이트에 전자 주입이 생긴다. 이에 따라, 그 선택된 메모리 셀 임계치는 플러스 방향으로 시프트한다. 이 상태를 예를 들면 "0"으로 한다. 비트선에 전원 전압 Vcc가 부여될 때는 전자 주입이 발생하지 않으며, 따라서 임계치는 변화하지 않고 임계치는 마이너스로 머문다. 이 상태는 메모리의 초기 상태이며 "1"이다. 상세한 기록 동작·원리에 대해서는 후술한다.
데이타 소거는 선택된 NAND 셀 블럭 내의 모든 메모리 셀에 대하여 동시에 행해진다. 즉, 선택된 셀 블럭 내의 모든 제어 게이트선을 0V로 하고, 비트선 BL, 소스선, P형 웰(또는 P형 기판), 비선택 NAND 셀 블럭 중의 제어 게이트선 CG 및 모든 선택 게이트선 SG에 20V 정도의 고전압을 인가한다. 이에 따라, 선택 NAND 셀 블럭 중 모든 메모리 셀로 부유 게이트의 전자가 p형 웰(또는 P형 기판)로 방출되며 임계치 전압은 마이너스 방향으로 시프트하고 데이타 "1"이 된다.
데이타 판독 동작은 선택된 메모리 셀의 제어 게이트를 0V로 하고, 그 이외의 메모리 셀의 제어 게이트 및 선택 게이트를 전원 전압 Vcc로서 선택 메모리 셀 로 전류가 흐르는지의 여부를 검출함으로써 행해진다.
본 실시 형태에서, 메모리 셀 어레이(1)의 복수의 NAND 셀 블럭 B1 중, 예를 들면 도 26에 사선으로 나타낸 하나의 블럭 B0이 한번만 데이타 기록이 허용되는 상태 변화 기억 영역으로서의 OTP 블럭 즉, 데이타 소거가 불가가 되는 영역으로서 설정된다. 이 OTP 블럭에는 불가역인 상태 변화를 나타내는 마크 데이타를 오기록 등을 생기는 일 없이 기억하는 것이 필요하며, 그를 위한 제어 방법이 중요해진다. 그 구체적인 제어 방법은 후술한다.
OTP 블럭에 대하여 데이타 소거 금지로 하기 위해서 로우 디코더(2)에는 블럭 디코드부마다 퓨즈 회로가 부가되어 있다. 도 28은 로우 디코더(2)의 블럭 Bi에 대응하는 디코드부 RDi의 구성예를 나타낸다. 로우 디코더(2)는 칩에 입력되는 어드레스에 따라서 블럭을 선택하고 주변 회로 중에서 발생한 전압을 제어 게이트·선택 게이트 등에 전송하는 역할을 하는 데이타 기록·데이타 소거·데이타 판독의 각 동작을 실현한다.
신호 RDEC는 로우 디코더(2)의 기동 신호이며 기록·소거·판독의 동작 시에는 "H"가 된다. 신호 ADRESS는 블럭 어드레스이며 어드레스가 선택된 블럭만 전부 "H"가 되며, NAND 게이트 G1과 인버터 I1로 이루어지는 디코드 게이트의 출력 노드 NA가 "H"가 된다. 즉, 선택된 블럭만 노드 NA가 "H", 그 이외의 블럭으로는 "L"이 된다.
노드 NA의 상태는 NMOS 트랜지스터 QN2를 통하여 반전되어 래치 회로(41)의 노드 NL에 전송된다. 래치 회로(41)는 데이타 소거 간, 이 블럭이 선택되어 있는 것을 나타내는 소거 선택 플래그를 유지하기 위해서 설치된다. 즉, 선택 블럭에 대하여 래치 회로(41)는 노드 NL="L", 노드 NR= "H"를 유지한다. 단지, NMOS 트랜지스터 QN2는 NMOS 트랜지스터 QN1을 통하여 퓨즈 F를 통하여 접지되어 있다. 이 퓨즈 F의 절단의 유무가 그 블럭을 OTP화하는지의 여부를 결정하는 것이며 웨이퍼 단계에서 프로그래밍된다.
즉, 퓨즈 F를 절단한 블럭으로는 NMOS 트랜지스터 QN2는 접지되지 않으며 래치 회로(41)는 블럭 선택이 이루어질 수 있어도 소거 선택 플래그(NL="L", NR="H")를 유지할 수 없게 된다. 이에 따라, 퓨즈 F를 절단한 블럭은 데이타 소거가 금지되는 OTP 블럭으로 설정되게 된다.
노드 NA의 데이타와 래치 회로(41)의 노드 NR의 데이타는 제어 회로(7)로부터 발생되는 소거 제어 신호 ERASE에 의해 제어되는 전송 게이트 TG1, TG2에 의해 선택적으로 노드 N0으로 전송된다. 즉, 데이타 기록 및 판독 시는 ERASE="L"이며, 이 때 전송 게이트 TG1이 온, TG2가 오프가 되며, 노드 NA의 데이타가 노드 N0으로 전송된다. 데이타 소거 시는 전송 게이트 TG1이 오프, TG2가 온이 되며 래치 회로(41)의 노드 NR의 데이타가 노드 N0으로 전송된다.
노드 N0의 데이타에 따라서, 전압 발생 회로(8)의 출력 전압 VSE(또는 Vcc)가 전송 스위치(42)에 의해 상보 신호 전압으로서 신호선 N1, /N1로 전송된다. 즉, N0="H"의 선택 블럭에서, 전송 스위치(42)의 PMOS 트랜지스터 QP1은 오프, QP2은 온이 되며, N1=VPP(기록·소거·판독 등을 실현하기 위한 고전압)가 되며 /N1=0V가 된다. 이 신호선 N1, /N1에 의해 전송 게이트 TG3, TG4, …가 온 제어되며 주변 회로부 버스 라인으로부터의 구동 전압이 메모리 셀 어레이의 제어 게이트선 CG, 선택 게이트선 SG에 전해지며 데이타의 기록·판독이 실행된다. 비선택 블럭으로는 N1=0V, /N1=VPP가 되며 주변 회로부 버스 라인과 제어 게이트선, 선택 게이트선이 비접속 상태에 있다.
구체적으로, 도 28의 로우 디코더에 주목하여 데이타 소거 동작을 설명한다. 소거 동작 개시 이전에는 리세트 신호 RST가 "H"이며 NMOS 트랜지스터 QN3이 온되여 래치 회로(41)는 노드 NL, NR이 각각 "H", "L"의 상태이다. 소거 동작이 개시가 되면, 리세트 신호 RST="L"이 되며 또한 칩에 입력된 어드레스에 따라서 어드레스 신호 ADDRESS가 설정되며 또한 신호 LSET가 어느 일정 시간 "H"가 된다. 선택 블럭으로는 노드 NA가 "H"이다. 이 때, 퓨즈 F가 비절단 상태에 있는 경우에는 퓨즈 F를 통하여 노드 NL이 0V로 접속되기 때문에, 노드 NL, NR이 각각 "L", "H"가 된다. 한편, 퓨즈 F가 절단 상태에 있는 블럭으로는 블럭의 선택/ 비선택에 따르지 않고, 노드 NL NR은 각각 "H", "L"의 상태를 유지한다. 계속하여 소거 제어 신호 ERASE가 "H"가 되며, 래치 회로(41)의 노드 NR의 상태는 전송 게이트 TG2를 통하여 노드 N0으로 전해진다. 즉, 노드 NR이 "H" 레벨에 있는 블럭에 대해서만이며 데이타 소거가 실행된다.
도 29는 데이타 기록 동작 시의 타이밍도이며 도 30은 그 때의 바이어스 조건을 나타내는 도면이다. 도 29의 타이밍도는 선택 블럭 중의 16개의 제어 게이트선(워드선) 중 CG14가 선택된 경우의 동작에 해당한다. 기록 동작이 개시되면, 우선 비트선 BL이 도 30에 도시된 바와 같이 기록 데이타에 따라서, 0V 또는 Vcc 충전됨과 함께, 선택 게이트선 SG1이 VCC가 된다. 이 때, "0" 데이타 기록에 대응하는 NAND셀(도 30에서는 NAND셀 B)에서는 선택 게이트선 SG1에 의해 구동되는 선택 게이트 트랜지스터 S1을 통하여 메모리 트랜지스터 MCB의 채널부에 0V가 전송된다. 한편, "1" 데이타 기록(즉, "0" 데이타 기록 금지)에 대응하는 NAND셀(도 30에서는 NAND셀 A)에서는 선택 게이트 트랜지스터 S1은 Vcc-Vt(다만, Vt는 선택 게이트 트랜지스터 S1 임계치 전압)까지 전압 전송한 후 오프 상태가 되기 때문에 메모리 트랜지스터 MCA의 채널부는 "0" 데이타 기록측의 NAND셀 B에 비교하여 고레벨의 부동 상태가 된다.
계속해서, 선택된 제어 게이트선 CG14가 0V로부터 Vpgm=20V가 되며, 비선택의 제어 게이트선 CG0 ∼ CG13, CG15는 0V 내지 Vpass=10V가 된다. 이에 따라, "0" 데이타 기록에 대응하는 NAND셀 B측에서는 선택된 메모리 트랜지스터 MCB의 채널부가 0V로 고정되어 있기 때문에, 제어 게이트선 CG2로 고전압이 부여되며 제어 게이트·채널부 간에 20V라는 큰 전위차가 붙기 때문에, 채널부에 있는 전자가 터널 현상에 의해 부유 게이트에 주입된다. 이에 따라, 메모리 트랜지스터 MCB는 임계치 전압이 플러스 방향으로 시프트한다. 즉, "0" 데이타가 기록된다.
또한, 동일하게 "0" 데이타 기록에 대응하는 NAND셀 B 내의 비선택 메모리 트랜지스터 예를 들면 MCC에서는 제어 게이트·채널부 간 전위차가 10V로 그만큼 크지 않기 때문에 부유 게이트로의 전자 주입은 발생하지 않고, 메모리 트랜지스터 임계치 전압은 변화하지 않는다. 한편, "1" 데이타 기록에 대응하는 NAND 셀 A측에서는 메모리 트랜지스터 MCA의 채널부가 부동 상태에 있기 때문에, 제어 게이트 전압이 0V → 20V와 같이 상승하여도 제어 게이트와의 용량 커플링에 의해 채널부의 전위도 상승하여 Vboost(∼ 8V)가 된다. 이 때문에, 제어 게이트·채널부 간 전위차가 12V 정도가 되며, 부동 게이트로의 전자 주입은 발생하기 어렵고 메모리 트랜지스터 MCA 임계치 전압은 너무 변화하지 않는다. 패스 전압 Vpass가 부여된 다른 비선택 제어 게이트선에 의해 구동되는 메모리 트랜지스터의 기록은 생기지 않는다.
도 31은 데이타 판독 동작의 타이밍도이다. 비트선 BL은 미리 Vcc로 충전한다. 그리고, 선택 게이트선 SG1, SG2에 Vcc를 부여하여 동시에 비선택의 제어 게이트선 CG0 ∼ CG13, CG15에도 Vcc를 부여하고, 선택된 제어 게이트선 CG14를 0V로 유지한다. 이에 따라, 선택된 메모리 트랜지스터의 "0", "1"에 따라서 비트선 BL에 전류가 흐르는지의 여부가 결정되면 "0", "1"의 판정을 행할 수 있다.
본 실시 형태에서, OTP 블럭은 초기 상태에서 모두 "1"이며 여기에서 가능한 한 많은 마크 데이타를 기록하도록 한다. 구체적으로는, 후에 설명한 바와 같이 예를 들면 1 바이트 단위로 모두 "0"의 마크 데이타를 순차 기록하여 상태 변화를 기억한다. 따라서, OTP 블럭은 로우 및 컬럼 방향으로 세분화되며, 각 단위 영역에 기록 동작만이 반복되기 때문에 오기록이 생길 위험이 크다. 따라서, OTP 블럭에서의 마크 데이타 기록의 방법은 가능한 한 오기록을 방지할 수 있는 방법을 이용하는 것이 요구된다. 그리고 그를 위해서는 어떠한 조건에서 오기록이 생기기 용이한지를 알 수 있는 것이 필요하다.
우선, 도 30에 도시하는 데이타 기록의 바이어스 조건으로는 "1" 데이타가 부여되는 NAND 셀 A 내의 제어 게이트에 고전압이 부여되는 메모리 트랜지스터 MCA와, "0" 데이타가 부여되는 NAND 셀 B 내의 비선택의 메모리 트랜지스터 MCC에서는 전압의 상태가 다르므로 오기록의 조건이 다르다. 이 경우, 전자 쪽이 오기록이 생기기 쉽다. 즉, 위에 설명한 동작예에 따르면 "1" 데이타 기록의 선택 메모리 트랜지스터 MCA의 제어 게이트·채널부 간 전위차는 12V이며 "0" 데이타 기록 NAND 셀 B 내의 비선택 메모리 트랜지스터 MCC의 제어 게이트·채널부 간 전위차 10V보다 크기 때문이다.
한편, 도 31에 도시한 바와 같은 데이타 판독 동작으로는 통상, 제어 게이트 채널부 간 전위차는 최고라도 Vcc 정도로밖에 되지 않으므로, 오기록 현상은 판독 동작에서는 거의 발생하지 않는다.
따라서, 오기록을 막기 위해서는 "1" 데이타 기록의 선택 메모리 트랜지스터의 제어 게이트·채널부 간 전위차를 가능한 한 작게 하는 것(채널부 전압을 조금이라도 높게 한다) 및 가능한 한 "1" 데이타 기록이 되는 횟수를 저감하는 것의 두가지점이 키포인트가 된다.
또한, 하나의 NAND셀 내부의 데이타 기록 순서를 생각한 경우, 셀 소스선에 가까운 메모리 트랜지스터로부터 순서대로 기록을 행한 쪽에 오기록 현상이 발생의 확립을 내릴 수 있다. 이것을 도 32 및 도 33을 이용하여 설명한다. 상술한 바와 같이 "1" 데이타 기록의 선택 메모리 트랜지스터의 채널부의 전압은 미리 비트선 BL에서 Vcc-Vt가 예비 충전되어 부동이 되며 제어 게이트선의 전압 상승 시에 용량 커플링에 의해 상승한다. 또한, 용량 커플링에 의한 전위 상승의 개시 시의 전압(즉, 제어 게이트가 전부 0V일 때 채널 간 전압)이 높을수록 채널부 전압이 최종적인 도달 전압(채널부 전압 최고치)이 커지는 것도 분명하다.
도 32는 NAND 셀의 가장 셀소스선에 가까운 메모리 트랜지스터에 "0" 데이타가 기록된 형태로 비트선측의 선택 게이트선 SG1에 Vcc, 전 제어 게이트에 0V를 부여하여 비트선 BL에 부여한 Vcc가 NAND 셀의 채널에 전송되는 모습을 나타내고 있다. 한편, 도 33은 NAND셀의 가장 비트선에 가까운 메모리 트랜지스터에 "0"데이타가 기록된 상태에서 비트선측의 선택 게이트선 SG1에 Vcc, 전 제어 게이트에 0V를 부여하여 비트선 BL에 부여한 Vcc가 NAND 셀의 채널에 전송되는 모습을 나타내고 있다.
도 32에 도시한 바와 같이, 셀 소스선에 가장 가까운 제어 게이트선 CG0의 메모리 트랜지스터에 "0"[Vt(ccll)=1V]이 기록된 경우, 그보다 비트선측의 나머지 메모리 셀의 모든 임계치 Vt(cell)가 마이너스[≤-(Vcc-Vt)]의 "1" 상태이면 비트선 BL로부터 Vcc-Vt의 전위를 나머지 메모리 트랜지스터의 채널로 전송할 수 있다. 한편, 도 33에 도시한 바와 같이 비트선 BL에 가장 가까운 메모리 트랜지스터에 "0" 데이타가 기록되면, 비트선 BL에 Vcc를 부여하여도 이미 "0" 데이타가 기록된 메모리 트랜지스터보다 소스선측의 메모리 트랜지스터의 채널 영역에는 "0" 데이타가 쓰여진 메모리 트랜지스터의 임계치 1V에 의해 제한되어 예비 충전을 행할 수 없으며 약 0V의 부동 상태가 된다.
이와 같이, 비트선측의 메모리 트랜지스터에 먼저 "0" 기록이 이루어지면 그 이하의 메모리 트랜지스터의 채널에는 충분한 예비 충전을 할 수 없게 된다. 이것이 오기록의 원인이 된다. 따라서, 기록 대상이 되는 메모리 트랜지스터보다도 비트선측의 메모리 트랜지스터를 항상 미기록("1") 상태로 유지하도록, 셀 소스측에서부터 순서로 데이타 기록을 행하는 것이 필요없는 오기록을 방지하는데에서 중요해진다.
도 34는 상술한 오기록 방지의 관점을 고려하여, 본 실시 형태에서의 OTP 블럭으로의 마크 데이타 기록의 방법을 나타내고 있다. OTP 블럭은 본 실시 형태의 경우, 데이타 소거의 최소 단위인 1블럭이며 1개의 제어 게이트선 CG의 범위를 1페이지로서 16 페이지 Page0 ∼ Page15로 이루어진다. 또한, 1페이지는 528바이트로 이루어지게 하고 OTP 블럭을 도시한 바와 같이 컬럼 방향으로는 1바이트 단위로 마크 데이타 기록을 위한 단위 영역을 구획짓는다. 그리고, 상태 변화를 기억하는 마크 데이타로서 1 바이트 단위로 모두 "0" 인 "00h"를 순차 기록한다. OPT 블럭은 한번 "0"데이타를 기록하면, 그 데이타를 "1"로 복귀할 수는 없고 따라서, 본 실시 형태의 경우, 528바이트×16페이지=약 8000회의 불가역인 상태 변화를 기억할 수 있다.
여기서, OTP 블럭의 각 단위 영역으로의 1 바이트 단위의 마크 데이타 "00h"의 기록의 순서는 도 34에 화살표로 나타낸 바와 같이, 1바이트씩 로우 어드레스를 전환하여(즉, 페이지를 전환), (Page0, Byte0) 내지 (Page1, Byte0), (Page2, Byte0), …의 순으로 행한다. (Page15, Byte0)까지 기록하면, 다시 페이지 Page0으로 되돌아가고, (Page0, Byte1), (Page1, Byte1), (Page2, Byte1), …로 로우 방향으로 어드레스를 인크리먼트하면서 마크 데이타 "00h"를 기록해간다.
이 마크 데이타의 기록 순서로서, 원리적으로는 페이지 Page0에 대하여 Byte0, Byte1, …과 같이 컬럼 방향으로 어드레스를 인크리먼트하고, 페이지 Page0 에 대하여 전 바이트의 기록이 종료하면 다음 페이지 Page1로 이동한다는 방법도 가능하다. 그러나, 이 방법에서는 다수의 상태 변화를 기억하기 전에 오기록이 많이 발생하게 될 확률이 높아지게 된다. 이것을 예로 들면 (Page0, Byte527)에 주목하여 설명하면 다음과 같아진다.
(Page0, Byte527)에 마크 데이타 기록을 행하기까지 그 메모리 트랜지스터에 대해서는 제어 게이트에 고전압이 인가되는 "1" 데이타 기록의 동작이 527회 반복되게 된다. 이것은 로우 방향으로 인크리먼트한 경우에도 컬럼 방향으로 인크리먼트한 경우도 동일한 조건이다. 그러나, 컬럼 방향으로 인크리먼트한 경우에는 (Page0, Byte527)에서의 마크 데이타 기록까지 아직 1페이지분도 종료하지 않고 있다. 이에 대하여 로우 방향으로 인크리먼트하는 본 실시 형태의 기록 방법에서는 동일한 개소(Page0, Byte527)로 마찬가지의 스트레스를 받기까지에는 이미 526×16의 상태 변화가 기억된다.
따라서, 본 실시 형태에 의하면 OTP 블럭의 미기록 메모리 트랜지스터에 필요없는 스트레스가 걸리지 않은 조건으로 많은 마크 데이타의 기록이 가능해진다.
또한, 본 실시 형태에서는 OTP 블럭 내에서 Page0가 셀 소스선에 가장 가까운 제어 게이트선 CG0에 대응하여, OTP 블럭으로는 NAND 셀 내의 셀 소스선측으로 데이타 기록을 행하도록 하고 있다. 이 점에서도 오기록의 확률이 낮아지게 된다.
도 35는 OTP 블럭으로의 마크 데이타 기록을 행하기 위한 어드레스의 인크리먼트의 플로우차트 예를 나타낸다. 스텝 S1에서는 우선 페이지 어드레스 Page와, OTP 블럭의 최대 페이지 어드레스 PageMAX의 비교를 행한다. 현재의 페이지 어드레스가 최대 페이지 어드레스(도 34의 예로서는 PageMAX=15)라면 단순하게 페이지 어드레스를 인크리먼트한다(스텝 S2). 스텝 S1에서 현재의 페이지 어드레스가 최대 페이지 어드레스인 것이 판정되면, 스텝 S3의 루틴으로 넘어가고, 컬럼 어드레스 Col이 최대 컬럼 어드레스 ColMAX 이하인 것을 판정하여, 페이지 어드레스를 0(선두 페이지로 되돌아간다)으로 리세트하고(스텝 S4), 컬럼 어드레스를 인크리먼트한다(스텝 S5). 스텝 S3에서 컬럼 어드레스가 최대 컬럼 어드레스(도 34의 예에서는 Byte527)이면 이 이상 로우 방향 및 컬럼 방향으로도 인크리먼트할 수 없으므로 에러 종료가 된다.
다음에, OTP 블럭으로의 마크 데이타 기록 동작의 신뢰성을 향상시키기 위한 알고리즘에 대하여 설명한다. 이미 진술한 바와 같이, "1" 데이타 기록에 대한 스트레스 즉, 어떤 바이트에 마크 데이타 "00h"를 기록하고 있을 때에 그 밖의 메모리 트랜지스터에 스트레스가 더해지며 "1" 데이타가 "0" 데이타에 비트화하는 오기록의 우려가 있기 때문에 이에 대응하는 것이 바람직하다. 단지, 시스템으로 요구되는 신뢰성 레벨이나 메모리 트랜지스터 그 자체의 신뢰성 레벨에 따라 본 루틴은 불필요한 경우도 생각된다.
여기서는, 불가역인 상태 변화 실현을 위한 마크 데이타 "00h"의 기록이 이루어진 바이트인지의 여부의 판단에 연구를 갖는다. 즉, 1바이트 중 "0"의 비트수에 따라 이것을 판단한다. 구체적으로 본 실시 형태에서는 1바이트(8비트) 중에 6비트 이상 "0"이 있으면, 마크 데이타가 기록이 이루어진 바이트라고 판단하도록 한다. 이와 같은 판단을 행함으로써 신뢰성이 향상하는 이유를 다음에 설명한다.
본 발명에서는 OTP 블럭 내에서 마크 데이타 "00h"의 기록이 이루어진 바이트와 이루어지지 않는 바이트의 경계가 어디인지가 매우 중요하다. 이 경계가 애매하면 매우 신뢰성이 저하한다. 예를 들면 스트레스에 의해서 아직 마크 데이타 기록을 행하지 않은 바이트가 어느 비트가 "0"으로 기록되게 되는 경우를 생각한다. 이 경우 1비트만 기록되었다고 해도 해당 바이트 중 "0"의 비트수는 1이며, 6비트 이상으로 되어 있지 않으므로 본 바이트가 기록 완료의 바이트라고 판단되는 것은 없다.
또한 플래시 메모리 일반의 특성으로서 데이타 유지 특성이 있다. 이것은 데이타 기록 후의 시간 경과 등에 의해 한번 기록된 것인 "0"데이타가 "1"로 되돌아가버리는 현상이다. 일반적으로 플래시 메모리는 부동 게이트라고 불리는 절연체로 둘러싸인 영역으로 터널 전류나 열 전자 주입에 의해 전자를 주입하고, 메모리 셀 임계치를 변화시킴으로써 데이타를 유지한다. 이 부동 게이트를 둘러싸고 있는 절연체의 품질이 나쁘면, 시간 경과와 함께 차광한 전자가 외부로 빠져나가며 결과로서 "0" 기록 상태로부터 기록 전의 "1" 상태로 되돌아가는 경우가 있다. 이 불량 모드에 대해서도 "0" 비트수의 카운트 동작은 유효하다.
예를 들면, 마크 데이타 "00h"의 기록을 행하고 있는 바이트의 1비트가 "1"로 되돌아갔다고 한다. 이 경우 단순히 해당 바이트가 "00h"인지의 여부로 판단하고 있으면, 해당 바이트는 미기록의 바이트라고 판단되게 된다. 그러나, "0"인 비트의 수를 헤아리는 수법을 이용하면 "0"의 수가 8개 내지 7개로 감소하고 있지만, 판단 기준인 6비트 이상이라는 조건을 만족하기 때문에, 이미 마크 데이타 기록이 이루어진 바이트라고 정상적으로 판단된다. 이와 같이, 바이트 단위로 "0"의 수를 카운트함으로써 미기록 영역과 기록 영역의 경계를 판별하는 방법은 OTP 블럭의 미기록 영역에서 스트레스에 의해서 "1" 데이타가 "0"데이타로 둔갑하게 되는 문제 및 이미 마크 데이타가 기록된 영역에서 데이타 유지 특성에 의해서 "0" 데이타가 "1" 데이타로 둔갑하게 되는 문제의 양쪽에 대하여 마진을 갖게 하는 것이 가능해지며 신뢰성이 획기적으로 향상한다.
도 36 및 도 37은 OTP 블럭 내의 마크 데이타 기록 영역과 미기록 영역의 경계를 검색하는 제어 플로우 즉 빈 영역인지의 여부를 조사하는 경우의 플로우차트 예를 나타낸다. 로우 어드레스 RowAdd 및 컬럼 어드레스 ColAdd를 초기화하여, (Page0, Byte0)으로부터 검색을 개시한다(스텝 S11). 스텝 S12에서는 최대 컬럼 어드레스 ColMAX를 넘고 있는지의 여부를 판단한다. 컬럼 방향의 최대 어드레스는 Byte527이므로 그것을 넘어서 비어있는 번지를 찾을 필요는 없다. 스텝 S13에서는 1바이트 중에 "0" 데이타가 몇비트 존재하는지를 카운트한다. 스텝 S14에서는 1바이트 중의 "0"의 비트수 Num이 6 이상인지의 여부를 확인하고 있다. "0"의 비트수가 6비트 이상인 경우는 다음 컬럼을 검색하기 위해서 컬럼 어드레스를 1어드레스분 인크리먼트하고(스텝 S15), 이하와 마찬가지인 "0"의 비트수를 카운트하는 동작을 반복한다.
스텝 S14에서 "0"의 비트수가 6미만의 바이트가 발견된 경우, 도 37의 스텝 S16으로 이행한다. 여기서 발견된 "00h" 기록이 이루어지지 않은 컬럼 어드레스가 선두 컬럼(Byte0)인지의 여부의 판단을 행하고, 선두 컬럼 어드레스 이외의 경우는 그 컬럼 어드레스로부터 1번지뺀 번지로 복귀하여(스텝 S17), 로우 방향의 검색로 들어간다. 또한, 여기서 발견된 "00h" 기록이 이루어지지 않은 컬럼 어드레스가 선두 컬럼(Byte0)인 경우는 아직 한번도 "00h" 기록이 되지 않은 영역이므로, 현재의 번지는 (Page0, Byte0)이 된다. 스텝 S18 이하로 로우 방향의 검색로 들어가지만, 우선 로우 어드레스 RowAdd가 최대 로우 어드레스 RMAX인지의 여부의 판단을 행하고, 최대 로우 어드레스 이하 즉, Page15 이하이면 스텝 S19에서 "0" 데이타의 비트수를 카운트한다. 그리고, "0"의 비트수 Num이 6이상인지의 여부를 판단하고(S20), YES이면 로우 어드레스를 인크리먼트하고(스텝 S23), 스텝 S18로 복귀하여 이하와 마찬가지의 동작을 반복한다.
스텝 S20에서 "0"의 비트수가 6미만의 바이트가 발견되면 그 바이트가 현재의 로우 어드레스 CRAdd, 컬럼 어드레스 CCAdd(즉, 어디에서부터 기록되지 않았는지를 나타내는 바이트)로서 스텝 S24에서 결정된다. 스텝 S18의 판단으로 최종 페이지(여기서는 Page16)까지 찾아도 "0" 비트가 6비트 미만의 바이트가 발견되지 않은 경우, 스텝 S21의 처리로 이행한다. 여기에서, 컬럼 방향의 어드레스가 최대 컬럼 어드레스 ColMAX(여기서는 Byte527)이면 본 블럭의 모든 바이트가 마크 데이타 "00h"에서 매립하고 있기 때문에, 기록이 되어 있지 않은 최초의 어드레스라는 정의의 바이트는 없게 되며, 에러로서 종료한다(S25). 혹시 컬럼 어드레스가 최종 페이지 어드레스가 아니면, 어느 컬럼의 마침 최종 페이지까지 마크 데이타 "00h"의 기록이 되게 되므로, 스텝 S22에서 1어드레스 뺀 것을 1어드레스 더하여도 복귀한 것을 현재의 컬럼 어드레스 CCAdd로 한다.
이상과 같이 현재 마크 데이타의 기록이 되어 있지 않은 어드레스의 선두 번지를 검색하는 방법을 나타내었지만, 그 방법은 상기 동작예에는 한정되지 않는다. 단순하게 선두 컬럼의 Page0 내지 Page31로 검색하고, 다음에 Byte1의 Page0 내지 Page31을 찾도록 1어드레스씩 인크리먼트하여 찾아도 좋다. 그 외에, 마크 데이타 "00h"의 기록이 되어 있는 번지가 되어 있지 않은 번지의 경계가 확실하게 판별할 수 있으면 다른 방법이라도 좋다.
다음에, 상술한 "0" 데이타의 비트수 카운트에 의한 OTP 블럭으로의 마크 데이타 기록의 경계 영역 검색의 수법과 조합하여 신뢰성이 높은 마크 데이타 기록을 행하는 수법을 설명한다. 상기 예에 따라서, 1바이트 중에 "0" 비트가 6비트 이상 있으면 기록된 바이트라고 판단하는 경우를 생각한다. 여기서 상술한 스트레스에 의해 8비트 중 5비트에 "0"이 오기록된 경우를 상정한다. 이와 같은 경우는 드물지만, 전술한 판단 기준으로 하면 미기록 바이트라고 판단된다. 그러나, 판단 기준의 6비트란 1비트밖에 차가 없다. 따라서, 이 이후의 스트레스 인가에 의해 언제 6비트 이상 "0"의 상태가 되어 기록 완료라고 판단할지 알 수 없는 불안정한 상태이다. 이러한 불안정한 미기록 영역의 바이트를 방치해두는 것은 신뢰성의 관점에서 생각하면 매우 문제가 된다.
그래서 본 실시 형태에서는 다음과 같은 수법에 의해 불안정한 미기록 영역을 방치하지 않도록 한다. 즉, 어느 바이트에 대하여 마크 데이타 기록을 행했을 때 다음에 기록해야 할 바이트를 조사하고, 예를 들면 4비트 이상 "0"데이타로 되어 있으면 이 바이트에도 선행하여 마크 데이타를 기록하게 된다. 따라서, 다음에 기록해야 하는 미기록 영역으로는 초기 상태에서 3비트 이하밖에 "0"의 비트가 존재하지 않은 상태로 한다. 다음 기록까지는 OTP 블럭은 판독 동작밖에 되지 않으므로 "0"이 3비트 이하의 상태로부터 6비트 이상의 상태로 갑자기 변화할 가능성은 매우 적다. 이상과 같이, 마크 데이타 기록에 있어서는 다음에 마크 데이타 기록을 행해야 하는 영역의 상태를 선행한다고 판단하고 불안정한 다음 미기록 영역을 남기지 않도록 함으로써 신뢰성이 높은 시스템이 실현 가능해진다.
이상의 점을 고려하여 구체적인 OTP 블럭으로의 마크 데이타 기록의 바람직한 방법을 설명한다. 기본적으로는 현재 번지 즉 기록이 되어 있지 않은 선두의 번지에 마크 데이타 "00h"를 기록하게 되지만, 본 실시 형태에서는 신뢰성을 향상시키는 수법을 도입한다. 우선, 도 14를 이용하여 마크 데이타 기록의 기본 개념을 설명한다.
지금까지 설명해 왔듯이 본 발명에서 중요한 것은 마크 데이타 기록이 된 번지가 되어 있지 않은 번지의 경계 어드레스가 명확해지는 것이다. 기록이 된 번지의 정의는 6비트 이상 "0"의 비트라는 정의이지만, 가령 스트레스에 의해서 마크 데이타 기록을 실행하지 않음에도 불구하고 "0" 데이타의 비트수가 5 이상의 바이트가 존재하고 있다고 상정한다. 이 경우는 몇박자에 "0"의 비트수가 6으로 이행하였다고 하면 가장 중요한 현재 번지를 잃게될 가능성이 있다.
도 38을 이용하여 구체적으로 설명한다. 여기서는 현재 OTP 블럭은 사선으로 나타낸 바와 같이, (Byte2, Page1)까지 마크 데이타 "00h"의 기록이 이루어지고 있다. 이 경계 조건을 지키기 위해서는 도 38 중의 요주의 1 및 요주의 2라고 기재된 바이트의 상태가 중요하다. 요주의 1의 바이트의 상태가 불안정(예를 들면, "0"의 비트수가 6)에 있다고 경계가 이동할 가능성이 있다. 요주의 2라고 기재된 바이트도 마찬가지의 위험성을 안고 있다. 현재 번지를 검색할 때 우선 컬럼 방향의 검색을 행하는 실시 형태를 나타내었지만, 요주의 2의 바이트인지 불안정("0" 기록된 바이트로 이행하기 쉽다)하면 경계가 이동할 가능성이 있다. 이와 같이 있는 현재 번지에 대하여, 다음의 로우 어드레스(요주의 1의 바이트에 상당)와 다음 컬럼(요주의 2의 바이트에 상당)의 2개소의 상태는 중요한 의미를 갖는다.
따라서, 본 실시 형태는 다음의 수법을 받아들인다. 즉, 어떤 번지에 마크 데이타 기록을 행했을 때, 동일한 컬럼의 다음 로우 어드레스(요주의 1의 바이트에 상당) 및 다음 컬럼의 선두 로우 어드레스(요주의 2의 바이트에 상당)가 불안정한 상태라면, 이들의 바이트에도 동시에 마크 데이타 기록을 실행한다. 불안정한 상태의 경계로서는 "0"이 4비트 이상이라고 임시로 정의한다. 따라서 "0"의 비트수가 0 ∼ 3인 경우는 다음 기록용 영역으로서 유지되며 4 이상이면 "0"의 비트수가 6 이상으로 변화하여 경계가 애매해지기 전에 마크 데이타의 기록을 실행하게 된다.
도 39 ∼ 도 41을 참조하여 더욱 구체적인 마크 데이타 기록의 수법을 설명한다. 이들의 도면 중 사선이 실시되지 않은 빈 영역(미기록 영역)의 숫자는 현재 "0"의 비트가 몇 비트인지를 나타내고 있다. 도 39의 경우, 영역(A)로 나타내는 바이트에 마크 데이타 "00h"의 기록을 실행하였다고 한다. 다음 기회의 기록 영역은 (B)로 나타내는 바이트이다. 이 바이트의 "0"의 비트수는 0이다. 또한, 다음 컬럼의 선두 페이지인 (C)의 위치도 "0"의 비트수는 0이며, 충분히 안정 상태라고 판단된다. 따라서, 이 상태에서 마크 데이타 기록의 처리는 종료한다.
도 40의 경우를 생각한다. 영역(A)에서 나타내는 바이트에 마크 데이타 "00h"의 기록을 실행하였다고 한다. 다음 기회의 기록 영역은 (B)에서 나타내는 바이트이다. 이 바이트의 "0"의 비트수는 4이며 불안정 상태라고 판단된다. 따라서 (A)에 마크 데이타를 기록함과 함께 (B)의 위치에도 마크 데이타 기록을 실행한다. 영역(C)의 바이트는 "0"의 비트수가 0에서 안정 상태이며 이 영역 (C)가 다음의 기록 영역이 된다. 다음의 컬럼의 선두 페이지인 영역 (D)의 위치도 정상이므로 여기서 마크 데이타 기록 처리는 종료한다.
다음에, 도 41의 경우를 생각한다. 영역(A)에 나타나는 바이트에 기록을 행하였다고 한다. 다음 기록 영역(B)의 바이트는 정상이다. 그러나, 다음 컬럼의 선두 페이지인 영역(C)의 위치가 불안정 상태이므로 영역(C)에도 동시에 마크 데이타 기록을 실행한다. 이 영역(C)에 대하여 다음 기록 영역인 영역(D) 및 다음 컬럼의 선두 페이지인 영역(E)도 안정 상태이므로 여기서 마크 데이타 기록 처리를 종료한다.
또, 영역(C)에 마크 데이타를 기록할 때는 (Byte2, Page) ∼ (Byte2, Page15)의 영역에도 마크 데이타를 기록하도록 하여도 좋다.
이상의 도 38 ∼ 도 41을 이용하여 설명한 마크 데이타 기록의 상세한 제어 플로우를 도 42 및 도 43에 나타나며 그 제어 동작을 설명한다. 스텝 S31에서 이제부터 기록을 행하고자 하는 바이트의 어드레스를 현재의 로우 및 컬럼 어드레스 CRAdd 및 CCAdd로서 세트한다. 그리고, 스텝 S32로 현재 어드레스에 마크 데이타 "00h"의 기록을 실행한다. 여기서는 그 바이트만 마크 데이타 기록을 실행하여도 좋으며, 지금까지 이미 마크 데이타의 기록을 행한 영역에도 모두 마크 데이타 기록을 행하여도 좋다. 스텝 S33에서는 마크 데이타 기록을 정상적으로 실행할 수 있었는지의 여부를 확인한다.
기록이 정상적으로 종료하지 않은 경우는 도 43의 스텝 S42로 이행한다. 이 스텝 S42에서는 쓸 수 없는 바이트가 선두 페이지인지의 여부를 판단한다. 선두 페이지로 기록을 할 수 없는 경우는 에러 종료(스텝 S47)가 된다. 기록을 할 수 없던 바이트가 선두 페이지가 아닌 경우는 스텝 S43으로 옮긴다. 여기서, 컬럼 어드레스가 최대 컬럼 어드레스 ColMAX에 도달하고 있는지의 여부가 판단되며, 미만이 아니면 에러 종료(S47)가 된다. 컬럼 어드레스가 최대 컬럼 어드레스 미만이면 스텝 S44로 이행한다. 여기서는 컬럼 어드레스를 인크리먼트하고 로우 어드레스를 선두 페이지로 복귀한다. 계속해서, 스텝 S45로 마크 데이타 기록을 실행한다. 이 처리는 어느 바이트의 기록이 실패한 경우에 다음 컬럼의 선두 번지에 마크 데이타가 붙으면 기록을 할 수 없는 바이트는 무시하는 것이 가능한 것을 의미하고 있다.
스텝 S46에서는 선두 페이지에 마크 데이타가 기록되고 있는지의 여부를 판단하고 실패하면 에러 종료(S47)가 된다. 기록이 정상적으로 실행할 수 있던 경우는 다음의 기록 영역 및 다음의 컬럼 선두 페이지 어드레스가 불안정한 상태에 있는지의 여부를 판단하는 루틴 즉, 도 42의 스텝 S34로 이행한다. 여기에서, 현재 로우 어드레스 RowAdd가 최대 로우 어드레스 RMAX 미만인지의 여부를 판단하고, 미만이면 스텝 S35에서 로우 어드레스 RowAdd를 인크리먼트한 후에 스텝 S36에서 "0"의 비트수를 카운트한다. 그리고, 스텝 S37에서 "0"의 비트수Num이 4비트 미만인지의 여부를 판단하고 미만이면 안정 상태이므로, 다음 컬럼의 선두 페이지가 안정 상태인지의 여부를 확인하는 루틴 즉, 도 43의 스텝 S38로 이행한다. 혹시 불안정한 상태이면, 스텝 S32로 복귀하고, 해당 번지에 마크 데이타를 기록하고 불안정 상태를 해소시킨다.
스텝 S38에서는 현재의 컬럼 어드레스 ColAdd가 최대 컬럼 어드레스 ColMAX 미만인지의 여부를 판단한다. 현재 위치가 최대 컬럼 어드레스 ColAdd에 있는 경우는 다음의 컬럼의 선두 페이지를 확인하는 스텝은 불필요하므로 종료한다. 최대 컬럼 어드레스 ColMAX 미만의 경우는 스텝 S39에서 컬럼 어드레스 ColAdd를 인크리먼트하고 또한 로우 어드레스 RowAdd를 선두 페이지로 복귀하고, 스텝 S40에서 바이트의 "0" 비트수를 카운트한다. 그리고, 스텝 S41에서 "0"비트수가 4미만인지의 여부를 판단하고 YES이면 안정 상태라고 판정하여 처리를 종료한다. 혹시 4비트 이상의 불안정 상태이면 불안정 상태를 해소해야만하고 스텝 S32로 다시 되돌아가고 마찬가지의 처리를 반복한다.
이상과 같이, 본 실시 형태에 따르면, NAND형 플래시 메모리의 구성 등을 크게 바꾸는 일 없이, OTP 블럭으로의 마크 데이타 기록에 의한 불가역적인 상태 변화를 수많이 발생하는 것이 가능해진다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않는다. 실시 형태에서는 NAND형 플래시 메모리를 예로 들어 설명하였지만, 플래시 메모리의 종별은 이에 한정되지 않으며, AND형이나 DINOR형 등 페이지 기록 모드를 가지고 있는 플래시 메모리로는 마찬가지의 수법이 적응 가능하다. 또 본 발명은, EEPROM 플래시 메모리에 한정되는 것은 아니고, 마찬가지로 불휘발성 데이타를 기억하는 것이 가능하며 또한 전기적으로 데이타 재기록이 가능한 강유전체 메모리(FRAM) 등도 본 발명에서 말하는 불휘발성 반도체 메모리에 포함된다.
또한, 실시 형태에서는 OTP 영역의 크기를 데이타 소거의 최소 단위인 1블럭으로 하였지만, 1 블럭 내의 일부인 복수 페이지분을 OTP 영역으로서 설정할 수도 있으며, 복수 블럭을 OTP 영역으로서 설정할 수 있다. 또한, OTP 영역의 마크 데이타를 기록하는 단위 영역은 1바이트가 아니어도 좋으며, 임의의 복수 비트로 할 수 있다. 이 경우, 경계 영역의 판정(즉, 비어있는 영역의 판정)으로 마진을 갖게 하기 위해서는 비트수가 어느 정도 많은 것이 바람직하다. 단지, 데이타 유지 특성이 매우 우수하며, 경계 영역의 불안정성이 없는 플래시 메모리의 경우에는 마크 데이타를 1비트로 하는 것도 가능하다.
또한, 실시 형태에서는 EEPROM에서의 OTP 영역의 설정은 로우 디코더부에 퓨즈 회로를 설치하고, 이 퓨즈 회로의 프로그래밍에 의해 행하도록 하였지만, 퓨즈 회로 대신에, 웨이퍼 단계에서 프로그래밍이 가능한 PROM, EPROM, EEPROM 등을 이용할 수 있다. 또는 또한 웨이퍼 프로세스로 OTP 영역을 설정하는 불휘발성 반도체 메모리만으로도 좋다.
또한, 본 발명이 적용되는 메모리 시스템에는 ATA 카드나, 컴팩트 플래시, 멀티미디어 카드 등 컨트롤러를 탑재한 메모리 카드 등을 포함하고, 탑재 플래시 메모리 또는 컨트롤러 내부의 플래시 메모리 등의 불가역적인 상태 변화를 이용하여, 카드 전체로서 불가역인 상태 변화를 발생하는 경우에도 유효하다. 구체적으로는 탑재 플래시 메모리로서 NAND형 플래시 메모리를 탑재하고 있으면 본 실시 형태에 기재한 방법에 의해 불가역인 상태 변화가 실현된다. 이 때 ATA 카드나 컴팩트 플래시에서는 ATA의 표준 프로토콜에는 없는 벤더 유니크한 커맨드를 사용하여 불가역인 상태 변화를 설정 또는 판독한다. 벤더 유니크 커맨드로서는 상기 실시 형태의 현재 번지에 상당하는 번지만을 판독하거나 인크리먼트시키는 것이라도 좋으며 상기 실시 형태의 OTP 블럭은 그대로 판독하고, 기록할 수 있는 것과 같은 커맨드 체계로 하여도 좋다. 또한 ATA 카드, 컴팩트 플래시, 멀티미디어 카드에서는 완전하게 불가역인 상태가 아니어도 마찬가지의 효과를 기대할 수 있다. 예를 들면, 상기 실시 형태의 현재 번지에 상당하는 것이 난수 등으로 생성되어 있어도 확률적으로는 불가역인 상태 변화가 발생하고 있는 것과 마찬가지의 효과를 얻는 것이 가능하다.
이상 진술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 메모리 영역의 일부를 OTP화한 불휘발성 반도체 메모리에서 OTP 영역에 오기록 등이 생기는 일 없이 마크 데이타를 기록하고 또한 마크 데이타 기록 영역과 미기록 영역의 경계를 명확하게 하면서 불가역인 상태 변화를 많이 기억하는 것을 가능하게 한 불휘발성 반도체 메모리 제어 방법을 제공할 수 있다.
여기서는 본 발명을 용이하게 이해하기 위한 실시 형태에 대하여 개시하였지만, 본 발명은 그 정신을 일탈하지 않은 범위에서 여러가지 형태로 실현할 수 있다. 따라서, 본 발명은 가능한 모든 형태 및 청구항에서 진술한 발명의 정신을 일탈하지 않은 형태의 변경을 포함하고 있다고 이해된다.

Claims (37)

  1. 메모리 시스템에 있어서,
    데이타 파일 및 상기 데이타 파일이 사용 가능한 조건을 제한하기 위한 식별 정보가 저장되어 있는 기억 매체 ; 및
    상기 기억 매체를 해당 시스템 기기로 세트하고 또한 세트한 상기 기억 매체를 해당 시스템 기기로부터 추출하는 것이 가능하며, 상기 기억 매체에 저장된 상기 데이타 파일을 판독하여 사용할 때 상기 식별 정보를 필요로 하는 시스템 기기
    를 포함하는 메모리 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 시스템 기기는 해당 시스템 기기가 기대하는 기대 정보와, 상기 기억 매체로부터 상기 식별 정보를 판독한 상기 식별 정보에 소정의 관계가 성립된 경우에는 상기 기억 매체에 저장되어 있는 상기 데이타 파일의 사용을 허가하고, 성립하지 않은 경우에는 상기 데이타 파일의 사용을 허가하지 않는 메모리 시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기억 매체에 저장된 데이타 파일은 상기 식별 정보 또는 상기 식별 정보에 관련된 정보를 받아들이며,
    상기 시스템 기기는 상기 기억 매체로부터 상기 식별 정보와 상기 데이타 파일을 판독하여 상기 식별 정보와 상기 데이타 파일로 받아들여지는 상기 식별 정보 또는 상기 식별 정보에 관련된 정보에 임의의 관계가 성립한 경우에는 상기 데이타 파일의 사용을 허가하고, 성립하지 않은 경우에는 상기 데이타 파일의 사용을 허가하지 않는 메모리 시스템.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 데이타 파일 중 적어도 일부가 상기 식별 정보에 기초하여 암호화되어 있는 메모리 시스템.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 기억 매체에 저장된 상기 데이타 파일은 단말 장치를 이용하여 상기 기억 매체에 다운 로드되는 것인 메모리 시스템.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 기억 매체는 상기 식별 정보를 복수 유지하는 것이 가능한 메모리 시스템.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 기억 매체는 상기 데이타 파일이 저장되어 있는 영역 중 적어도 일부에 저장되어 있는 데이타가 정상이 아닌 것을 나타내는 유사 불량 마크가 의도적으로 첨부되고 있으며,
    상기 시스템 기기는 상기 유사 불량 마크가 의도적으로 첨부된 것이고, 상기 데이타 파일이 정상인 것을 인식 가능한 메모리 시스템.
  8. 제3항에 있어서,
    상기 식별 정보는 상기 기억 매체에서 일반적으로 공개되어 있는 정보로는 액세스할 수 없고 또한 액세스하였다고 해도 자유로운 데이타 재기록을 할 수 없는 특수한 영역에 저장되는 메모리 시스템.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 특수한 영역은 상기 시스템 기기가 상기 기억 매체의 사양을 판독하기 위한 판독 커맨드를 상기 기억 매체에 입력한 경우, 판독할 수 있는 영역인 메모리 시스템.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 기억 매체에서의 상기 특수한 영역은 퓨즈를 구비한 상태 유지 회로로 구성되는 메모리 시스템.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 기억 매체는 상기 데이타 파일이 저장되는 통상 영역, 및 상기 식별 정보가 저장되는 용장 영역을 구비하는 메모리 시스템.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 기억 매체의 상기 용장 영역은 그 데이타의 재기록이 제한되는 메모리 시스템.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 용장 영역에 저장되어 있는 데이타는 상기 데이타의 비트를 제1 상태에서 제2 상태로 변경하는 것은 가능하지만, 제2 상태에서 제1 상태로 변경하는 것은 불가능하며,
    상기 용장 영역에는 상기 식별 정보와 상기 식별 정보로부터 생성된 보수인 보수 정보를 저장하는 메모리 시스템.
  14. 메모리 시스템에 있어서,
    배급 센터에서 다운 로드된 데이타 파일이 저장되며, 상기 데이타 파일을 배급 센터에서 다운 로드할 때 상기 데이타 파일이 사용 가능한 조건을 제한하기 위한 식별 정보를 상기 데이타 파일로 받아들인 후에 다운 로드되는 기억 매체; 및
    상기 기억 매체를 해당 시스템 기기로 세트하고 또한 세트한 상기 기억 매체를 해당 시스템 기기에서부터 추출하는 것이 가능하며, 상기 기억 매체에 저장된 파일을 판독하여 사용할 때 상기 식별 정보를 필요로 하는 시스템 기기
    를 포함하는 메모리 시스템.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 식별 정보는 상기 시스템 기기의 기기 번호이며,
    상기 시스템 기기는 상기 데이타 파일로 받아들여진 상기 식별 정보 또는 상기 식별 정보에 관련된 정보와 상기 시스템 기기의 기기 번호에 임의의 관계가 성립된 경우에는 상기 데이타 파일의 사용을 허가하고, 합치하지 않은 경우에는 상기 데이타 파일의 사용을 허가하지 않는 메모리 시스템.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 식별 정보는 개인을 특정하기 위한 개인 식별 정보이며,
    상기 시스템 기기는 상기 데이타 파일로 받아들여진 상기 식별 정보 또는 상기 식별 정보에 관련된 정보와 개인 식별 정보에 임의의 관계가 성립된 경우에는 상기 데이타 파일의 사용을 허가하고, 합치하지 않은 경우에는 상기 데이타 파일의 사용을 허가하지 않는 메모리 시스템.
  17. 시스템 기기로 세트하고 또한 세트된 것을 시스템 기기로부터 추출하는 것이 가능한 기억 매체에 있어서,
    데이타 파일을 저장하기 위한 데이타 저장 영역; 및
    상기 데이타 파일이 사용 가능한 조건을 제한하기 위한 식별 정보가 저장되며, 상기 시스템 기기가 상기 데이타 파일을 판독하여 사용할 때 상기 식별 정보를 필요로 하는 식별 정보 저장 영역
    을 포함하는 기억 매체.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 식별 정보 저장 영역에 저장된 데이타는 전기적으로 재기록 불가능한 기억 매체.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 식별 정보 저장 영역에 저장된 데이타는 재기록을 행한 경우, 재기록을 행한 것이 검지 가능한 기억 매체.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 식별 정보 저장 영역에는 해당 기억 매체의 식별 정보와 상기 식별 정보로부터 생성한 보수인 보수 정보의 쌍이 적어도 1쌍 이상 저장되는 기억 매체.
  21. 제17항에 있어서,
    상기 데이타 저장 영역은, 전기적으로 재기록 가능한 메모리 셀이 여러개씩 서로 접속되어 메모리 셀 유닛을 이루며, 상기 메모리 셀 유닛이 여러개 집적되어 블럭을 구성하는 기억 매체.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 메모리 셀 유닛은 선택 게이트를 통하여 비트선 또는 소스선 중 어느 한쪽에 접속되는 기억 매체.
  23. 제21항에 있어서,
    상기 메모리 셀 유닛은 메모리 셀이 여러개씩 직렬 접속되며 NAND 구조를 형성하는 기억 매체.
  24. 제21항에 있어서,
    상기 블럭은 소거의 단위인 기억 매체.
  25. 제21항에 있어서,
    상기 메모리 셀은 여러개씩 접속되어 기록 단위가 되는 페이지를 구성하고 상기 페이지가 여러개 집적되어 블럭을 구성하는 기억 매체.
  26. 전기적 재기록 가능한 불휘발성 메모리 셀이 배열된 메모리 셀 어레이를 가지며, 상기 메모리 셀 어레이의 일부가 한번만 데이타 기록이 허용되는 상태 변화 기억 영역 - 상기 상태 변화 기억 영역은 복수의 단위 영역으로 각각 나누어진 복수의 페이지로부터 구성됨 -으로 이루어진 불휘발성 반도체 메모리의 제어 방법에 있어서,
    상기 불휘발성 반도체 메모리에 대하여 소정의 상태 변화 조작이 이루어진 것을 검출하는 제1 단계; 및
    상기 소정의 상태 변화가 검출된 경우, 상기 상태 변화 기억 영역에서의 상기 단위 영역의 1개에 마크 데이타를 기록하는 제2 단계
    를 포함하는 불휘발성 반도체 메모리의 제어 방법.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 상태 변화 기억 영역에서의 상기 단위 영역은 복수 비트로 구성되어 있으며, 상기 복수 비트는 초기 상태에서는 전부 제1 상태이며,
    상기 제2 단계에서 상기 단위 영역의 1개에 상기 마크 데이타를 기록할 때 상기 단위 영역의 복수 비트 중 적어도 1비트를 제2 상태로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 제어 방법.
  28. 제26항에 있어서,
    상기 상태 변화 기억 영역에서의 상기 단위 영역은 복수 비트로 구성되며, 상기 복수 비트는 초기 상태에서 전부 제1 상태이며,
    상기 제2 단계에서, 상기 단위 영역의 1개에 상기 마크 데이타를 기록할 때 상기 단위 영역의 복수 비트의 전부를 제2 상태로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 제어 방법.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 상태 변화 기억 영역의 상기 복수의 단위 영역을 순차 검색하고, 마지막으로 상기 마크 데이타가 기록된 최종 단위 영역을 찾아 내는 제3 단계
    를 더 포함하는 불휘발성 반도체 메모리의 제어 방법.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 제2 단계에서는 상기 최종 단위 영역 다음의 어드레스의 단위 영역에 상기 마크 데이타를 기록하는 불휘발성 반도체 메모리의 제어 방법.
  31. 제29항에 있어서,
    상기 제3 단계에서 상기 복수의 단위 영역을 순차 검색할 때 상기 단위 영역의 제2 상태의 비트수를 카운트하고, 상기 카운트치가 임의의 값을 초과한 경우 상기 단위 영역에는 상기 마크 데이타의 기록이 이미 행해지고 있다고 판단하는 불휘발성 반도체 메모리의 제어 방법.
  32. 제29항에 있어서,
    상기 제2 단계에서 상기 마크 데이타를 기록할 때에 인접하는 어드레스의 미기록인 상기 단위 영역의 데이타의 안정성을 판단하고, 불안정하다고 판정된 미기록의 단위 영역에 대하여 마크 데이타 기록을 선행적으로 실행하는 제4 단계
    를 더 포함하는 불휘발성 반도체 메모리의 제어 방법.
  33. 제29항에 있어서,
    상기 제4 단계에서의 상기 미기록 단위 영역의 데이타의 안정성의 판단은 제2 상태의 비트수를 카운트하여, 상기 카운트치가 임의의 값을 초과할 때에 불안정하다고 판단하는 불휘발성 반도체 메모리의 제어 방법.
  34. 제26항에 있어서,
    상기 메모리 셀 어레이는 1개의 제어 게이트선에 따른 메모리 트랜지스터의 배열 범위를 1페이지로 하고, 각각 다른 제어 게이트선에 의해 선택되는 여러개의 메모리 트랜지스터가 직렬 접속되어 NAND셀을 구성하는 복수 페이지의 범위를 데이타 소거의 최소 단위인 1블럭으로서 구성하는 불휘발성 반도체 메모리의 제어 방법.
  35. 제26항에 있어서,
    상기 메모리 셀 어레이는 부유 게이트와 제어 게이트를 적층한 메모리 트랜지스터가 매트릭스 배열되며, 컬럼 방향의 제어 게이트를 공통 접속하는 제어 게이트선에 따른 메모리 트랜지스터의 배열 범위를 1페이지로 하고, 로우 방향으로 각각 다른 제어 게이트선에 의해 선택되는 여러개의 메모리 트랜지스터가 선택 게이트를 통하여 비트선에 접속되어 NAND셀을 구성하는 복수 페이지의 범위를 데이타 소거의 최소 단위인 1블럭으로서 구성하는 불휘발성 반도체 메모리의 제어 방법.
  36. 제35항에 있어서,
    상기 NAND 셀의 일단측에 비트선이 접속되며 타단측에 소스선이 접속되고,
    상기 상태 변화 기억 영역에서의 상기 복수의 단위 영역의 어드레스는 로우 방향에 대해서는 상기 소스선측에서부터 상기 비트선측으로 향하여 오름차순으로 할당되며,
    컬럼 방향에 대해서는 일단측에서부터 타단측으로 향하여 오름차순으로 할당되는불휘발성 반도체 메모리의 제어 방법.
  37. 전기적 재기록 가능한 불휘발성 메모리 셀이 배열된 메모리 셀 어레이를 갖는 불휘발성 반도체 메모리에 있어서,
    상기 메모리 셀 어레이의 일부로 구성되며, 데이타 파일을 저장하기 위한 통상 영역, 및
    상기 메모리 셀 어레이의 별도의 일부로 구성되며, 한번만 데이타 기록이 허용되는 상태 변화 기억 영역 - 상기 상태 변화 기억 영역은 복수 단위 영역으로 각각 나누어진 복수의 페이지로 구성됨 -
    을 포함하되,
    상기 데이타 파일에 대하여 소정의 상태 변화 조작이 이루어진 경우에는 상기 단위 영역 중 1개에 마크 데이타를 기록하는 불휘발성 반도체 메모리.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100402391B1 (ko) * 2000-10-26 2003-10-22 삼성전자주식회사 메모리 카드 시스템
KR100791324B1 (ko) * 2006-11-08 2008-01-03 삼성전자주식회사 플래시 메모리의 메타데이터 기록 장치 및 검색 방법
US8547724B2 (en) 2010-03-11 2013-10-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device comprising one-time-programmable lock bit register

Families Citing this family (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6182162B1 (en) * 1998-03-02 2001-01-30 Lexar Media, Inc. Externally coupled compact flash memory card that configures itself one of a plurality of appropriate operating protocol modes of a host computer
WO1999045460A2 (en) * 1998-03-02 1999-09-10 Lexar Media, Inc. Flash memory card with enhanced operating mode detection and user-friendly interfacing system
US20020051220A1 (en) * 2000-06-21 2002-05-02 Seiji Tanaka Facsimile apparatus
JP3585816B2 (ja) * 2000-07-26 2004-11-04 Ｔｄｋ株式会社 ディジタル式記録再生装置
US7155559B1 (en) * 2000-08-25 2006-12-26 Lexar Media, Inc. Flash memory architecture with separate storage of overhead and user data
JP2002077641A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd ファクシミリ装置
US7107378B1 (en) * 2000-09-01 2006-09-12 Sandisk Corporation Cooperative interconnection and operation of a non-volatile memory card and an input-output card
US20030120858A1 (en) * 2000-09-15 2003-06-26 Matrix Semiconductor, Inc. Memory devices and methods for use therewith
JP4534336B2 (ja) * 2000-10-13 2010-09-01 ソニー株式会社 メモリ装置におけるデータ管理方法
US7890947B2 (en) * 2000-10-13 2011-02-15 Sony Corporation System, method and apparatus for embedded firmware code update
US6591394B2 (en) 2000-12-22 2003-07-08 Matrix Semiconductor, Inc. Three-dimensional memory array and method for storing data bits and ECC bits therein
TW483566U (en) * 2000-12-27 2002-04-11 Sampo Corp DVD player with card reader
US7133921B2 (en) * 2001-04-06 2006-11-07 Mks Instruments, Inc. Portable devices for different control interfaces
CN1189824C (zh) * 2001-05-31 2005-02-16 日本胜利株式会社 内容的复制管理方法、记录重放装置和重放装置
US20030076713A1 (en) * 2001-10-19 2003-04-24 Emery Keith E.G. Storage medium for components
US7653206B2 (en) * 2001-11-01 2010-01-26 Mattel, Inc. Digital audio device
US20030088647A1 (en) * 2001-11-06 2003-05-08 Shamrao Andrew Divaker Communication process for retrieving information for a computer
DE10162308A1 (de) * 2001-12-19 2003-07-03 Philips Intellectual Property Verfahren und Anordnung zur Zugriffssteuerung auf EEPROMs sowie ein entsprechendes Computerprogrammprodukt und eine entsprechendes computerlesbares Speichermedium
AU2003211154A1 (en) * 2002-02-22 2003-09-09 Lexar Media, Inc. Removable memory media with integral indicator light
WO2003088021A2 (en) 2002-04-08 2003-10-23 Socket Communications, Inc Wireless enabled memory module
US7003713B2 (en) * 2002-05-16 2006-02-21 Broadcom Corporation Variable Hamming error correction for a one-time-programmable-ROM
US20030233533A1 (en) * 2002-06-13 2003-12-18 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. Boot from cache
JP3785125B2 (ja) * 2002-08-21 2006-06-14 富士通株式会社 半導体記憶装置
US7367503B2 (en) * 2002-11-13 2008-05-06 Sandisk Corporation Universal non-volatile memory card used with various different standard cards containing a memory controller
US20050055479A1 (en) * 2002-11-21 2005-03-10 Aviad Zer Multi-module circuit card with inter-module direct memory access
US8037229B2 (en) * 2002-11-21 2011-10-11 Sandisk Technologies Inc. Combination non-volatile memory and input-output card with direct memory access
JP2006507535A (ja) * 2002-11-22 2006-03-02 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション マルチメディア・プレゼンテーションの装置および方法
US7347570B2 (en) * 2002-11-22 2008-03-25 International Business Machines Corporation Multimedia presentation apparatus and method
JP2004246866A (ja) * 2003-01-21 2004-09-02 Toshiba Corp 記憶装置、データ等書き込み装置及び書き込み方法
US7305535B2 (en) * 2003-04-17 2007-12-04 Sandisk Corporation Memory cards including a standard security function
KR100420444B1 (ko) * 2003-06-03 2004-02-26 주식회사 넥스트웨이 외장형 저장장치
CN100418341C (zh) * 2003-06-30 2008-09-10 汤姆森特许公司 用于视频记录或再现设备的可移除介质存储设备
TWI220040B (en) * 2003-07-18 2004-08-01 Integrated Circuit Solution In Method of dynamic icons and labels express status of the memory card in multi-card reader
JP2005108273A (ja) * 2003-09-26 2005-04-21 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US7209995B2 (en) * 2003-12-09 2007-04-24 Sandisk Corporation Efficient connection between modules of removable electronic circuit cards
JP2006039966A (ja) * 2004-07-27 2006-02-09 Toshiba Corp メモリカードおよびメモリカードに搭載されるカード用コントローラ並びにメモリカードの処理装置
US7145816B2 (en) * 2004-08-16 2006-12-05 Micron Technology, Inc. Using redundant memory for extra features
KR100598047B1 (ko) * 2004-09-30 2006-07-07 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
JP4675082B2 (ja) * 2004-10-21 2011-04-20 富士通セミコンダクター株式会社 半導体記憶装置および半導体記憶装置の制御方法
JP2007080325A (ja) * 2005-09-12 2007-03-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体記憶装置
US7787892B2 (en) 2005-10-05 2010-08-31 Via Technologies, Inc. Method and apparatus for adaptive multi-stage multi-threshold detection of paging indicators in wireless communication systems
US8296497B2 (en) * 2006-03-14 2012-10-23 Stmicroelectronics Pvt. Ltd. Self-updating memory controller
US7711889B2 (en) * 2006-07-31 2010-05-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile memory system, and data read/write method for nonvolatile memory system
WO2008016170A1 (en) * 2006-07-31 2008-02-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile memory system, and data read/write method for nonvolatile memory system
KR100771521B1 (ko) * 2006-10-30 2007-10-30 삼성전자주식회사 멀티 레벨 셀을 포함하는 플래시 메모리 장치 및 그것의데이터 쓰기 방법
US7966355B2 (en) * 2007-02-13 2011-06-21 Modu Ltd. Interface for extending functionality of memory cards
JP4970078B2 (ja) * 2007-02-21 2012-07-04 株式会社東芝 不揮発性メモリシステム
DE202007003722U1 (de) * 2007-03-09 2007-05-10 Robot Visual Systems Gmbh Speichereinheit zur manipulationssicheren Ablage und Wiedergabe von digitalen Daten in der Verkehrsüberwachungstechnik
JP4287485B2 (ja) * 2007-07-30 2009-07-01 日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社 情報処理装置及び方法、コンピュータ読み取り可能な記録媒体、並びに、外部記憶媒体
US8102710B2 (en) * 2007-10-17 2012-01-24 Micron Technology, Inc. System and method for setting access and modification for synchronous serial interface NAND
WO2009065144A1 (en) 2007-11-16 2009-05-22 Divx, Inc. Chunk header incorporating binary flags and correlated variable-length fields
US7949821B2 (en) 2008-06-12 2011-05-24 Micron Technology, Inc. Method of storing data on a flash memory device
US7971007B2 (en) * 2008-07-08 2011-06-28 Silicon Motion, Inc. Downgrade memory apparatus, and method for accessing a downgrade memory
WO2010051545A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 Divx, Inc. System and method for playing content on certified devices
TWI396202B (zh) * 2008-11-14 2013-05-11 Phison Electronics Corp 錯誤校正控制器及其快閃記憶體晶片系統與錯誤校正方法
DE102009018941A1 (de) 2009-04-28 2010-11-04 Jenoptik Robot Gmbh Verfahren und Anordnung zur Zugriffskontrolle auf ein Speichermedium sowie ein derartiges Speichermedium
WO2011036668A1 (en) * 2009-09-23 2011-03-31 Infinite Memories Ltd. Methods circuits data-structures devices and system for operating a non-volatile memory device
KR101800850B1 (ko) * 2010-01-29 2017-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
DE102010006987A1 (de) * 2010-02-05 2011-08-11 Giesecke & Devrient GmbH, 81677 Komplettierung portabler Datenträger
JP2012118739A (ja) * 2010-11-30 2012-06-21 Toshiba Corp 記憶装置、及び制御方法
JP2012135541A (ja) 2010-12-27 2012-07-19 Brother Ind Ltd ミシンシステム、ミシン、及び記憶装置
US20120180139A1 (en) * 2011-01-06 2012-07-12 Panasonic Corporation Information processor
JP5944509B2 (ja) * 2011-09-13 2016-07-05 ティー—データ・システムズ（エス）ピーティーイー・リミテッド メモリカードに記憶されたデータへのアクセスを制限するための方法及びメモリカード
CN102968391A (zh) * 2012-03-20 2013-03-13 广州市国迈科技有限公司 一种可保护所存储软件版权的u盘
US9424937B2 (en) * 2013-02-25 2016-08-23 U.S. Department Of Energy Method for programming a flash memory
US9218891B2 (en) 2013-11-27 2015-12-22 Silicon Motion, Inc. Data storage device and flash memory control method
US9329992B2 (en) 2013-12-04 2016-05-03 Silicon Motion, Inc. Data storage device and flash memory control method
KR102207217B1 (ko) 2014-04-30 2021-01-25 삼성전자주식회사 플래시 메모리 장치, 플래시 메모리 시스템 및 이의 동작 방법
JP2021044463A (ja) 2019-09-13 2021-03-18 キオクシア株式会社 半導体記憶装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52127324A (en) 1976-04-19 1977-10-25 Fujitsu Ltd Magnetic recording medium and its control system
JPH01296361A (ja) * 1988-05-25 1989-11-29 Mitsubishi Electric Corp メモリカード
JPH02293930A (ja) 1989-05-08 1990-12-05 Victor Co Of Japan Ltd 記録媒体の記録内容の盗用防止方式
JP2575989B2 (ja) 1992-03-18 1997-01-29 富士通株式会社 光ディスクのコピー防止方法及び装置
US5740358A (en) * 1992-06-25 1998-04-14 Cirrus Logic, Inc. Defect management and split field processing in disk storage systems
JP3729421B2 (ja) 1994-03-18 2005-12-21 富士通株式会社 不正使用防止方法及び不正使用防止システム
US5838613A (en) * 1994-09-22 1998-11-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device having security function
FR2725537B1 (fr) 1994-10-11 1996-11-22 Bull Cp8 Procede de chargement d'une zone memoire protegee d'un dispositif de traitement de l'information et dispositif associe
MY128742A (en) * 1994-12-22 2007-02-28 Sony Corp Recording medium for protecting copyrighted data
JPH08263927A (ja) 1995-03-20 1996-10-11 Toppan Printing Co Ltd データ改ざん防止方法
US5887254A (en) * 1996-04-26 1999-03-23 Nokia Mobile Phones Limited Methods and apparatus for updating the software of a mobile terminal using the air interface
US5944821A (en) * 1996-07-11 1999-08-31 Compaq Computer Corporation Secure software registration and integrity assessment in a computer system
US5926624A (en) * 1996-09-12 1999-07-20 Audible, Inc. Digital information library and delivery system with logic for generating files targeted to the playback device
JPH10124381A (ja) * 1996-10-21 1998-05-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US5994821A (en) 1996-11-29 1999-11-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Displacement control actuator
US6070799A (en) * 1997-01-08 2000-06-06 Eastman Kodak Company Copy protection for a recordable medium and for controlling a recorder
JP3072722B2 (ja) * 1997-06-20 2000-08-07 ソニー株式会社 フラッシュメモリを用いるデータ管理装置及びデータ管理方法並びにフラッシュメモリを用いる記憶媒体
US6249866B1 (en) * 1997-09-16 2001-06-19 Microsoft Corporation Encrypting file system and method
US5991399A (en) * 1997-12-18 1999-11-23 Intel Corporation Method for securely distributing a conditional use private key to a trusted entity on a remote system
MY122279A (en) * 1999-03-03 2006-04-29 Sony Corp Nonvolatile memory and nonvolatile memory reproducing apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100402391B1 (ko) * 2000-10-26 2003-10-22 삼성전자주식회사 메모리 카드 시스템
KR100791324B1 (ko) * 2006-11-08 2008-01-03 삼성전자주식회사 플래시 메모리의 메타데이터 기록 장치 및 검색 방법
US8547724B2 (en) 2010-03-11 2013-10-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device comprising one-time-programmable lock bit register

Also Published As

Publication number Publication date
TW527604B (en) 2003-04-11
USRE44503E1 (en) 2013-09-17
KR100337769B1 (ko) 2002-05-24
US6446177B1 (en) 2002-09-03
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