KR20000005157A - 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정 - Google Patents

광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정 Download PDF

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토마스 지. 비파노
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토마스 지. 비파노
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Abstract

광 데이터 기억 디스크 스탬퍼를 제조하기 위한 공정은 약 100 MPa 의 경도, 약 1 내지 50 nm 범위의 거칠기, 및 약 6 ㎛의 평탄도를 갖는 중량이 약 5 내지 15 퍼센트의 인을 함유하는 비정질 일렉트로리스 니켈(amorphous electroless nickel)을 준비하고 기판의 표면 상에 네가티브 포토레지스트를 증착하는 단계를 포함한다. 기판은 약 120 nm 이상의 직경 및 약 300 ㎛ 이상의 두께를 가진다. 다음 네가티브 포토레지스트가 레이저로 노광되어 포토레지스트에 네가티브 데이터 패턴을 형성한다. 포토레지스트가 현상되고, 세라믹 기판이 이온 가공되어 기판에 데이터 패턴을 형성하여, 이로 인해 각 융기부가 약 150 nm 미만의 높이를 가진 나선형 트랙의 융기부 및 랜드가 형성된다. 데이터 패턴이 기판에 이온 가공된 후, 현상된 포토레지스트는 기판으로부터 스트립된다.

Description

광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정
광 데이터 기억 디스크는 예를 들어, 오디오 및 비디오 디스크, 컴팩트 디스크로서, 그리고 데이터 기억 및 추출용 컴팩 디스크 ROM 장치의 일부로서 컴퓨터 시스템에 광범위하게 사용된다. 광 데이터 기억 디스크는 2진 코드의 나선형 트랙에서의 디지털 데이터를 포함할 수 있다. 이러한 코드는 미소한 피트 및 랜드(minute pits and lands)의 디스크 패턴으로서 디스크 상에 형성된다. 도 1은 피트(1a) 및 랜드(1b)의 시퀀스를 도시하는 컴팩트 디스크(도시하지 않음)로부터 나선형 트랙(1)의 확장부를 도시한다. 오디오 디스크에서, 예를 들어 트랙(1)에서의 피트 및 랜드는 좌편 및 우편 스테레오 사운드 코드 및 디스크 판독기 모터 속도를 제어하고 타이밍을 제공하는 코드와 같이, 다양한 형태의 2진 코드를 표현한다. 이와 같은 트랙을 디코딩하기 위한 디스크 판독기는 잘 공지된다.
예를 들어, 광 데이터 기억 디스크 판독기는 약 125 mm의 직경을 가진 디스크를 트랙이 시작하는 디스크의 중앙에서 분당 약 500 회전의 플레이 속도 및 디스크의 외부 에지 근처의 트랙의 끝에서 분당 약 200 회전으로 회전시킬 수 있다. 그럼에도 불구하고, 디스크가 트랙을 디코드하는 광 판독 장치를 가로지르기 때문에, 디스크의 선형 속도는 실질적으로 일정하게 유지한다. 이와 같은 광 판독 장치는 레이저 빔과 같은 광 빔을 나선형 트랙으로 향하게 하는 미러 및 렌즈의 구성을 포함할 수 있다. 디스크가 회전함에 따라, 배향된 빔은 디스크의 중앙으로부터 회전하는 트랙을 경유하여 디스크의 에지를 향해 이동할 수 있다. 빔이 트랙의 랜드부로 향하게 되는 경우, 반사되어 광 신호를 생성하고, 감광 다이오드와 같은 감광성 스위치가 이러한 반사광 신호를 전기 신호로 변환하는데 사용될 수 있다. 그러나, 빔이 트랙의 피트로 입사하는 경우는, 반사되지 않으며, 어떠한 전기 신호도 생성되지 않는다.
광 데이터 기억 디스크 스탬퍼를 제조하는 종래 공정이 참증으로 본 명세서에 일체화된 요시자와 등에 의한 미국 특허 번호 5, 096,563에 기술된다. 도 2a 내지 도 2g는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼를 제조하기 위한 종래 공정의 단계를 도시하는 개략적 단면도이다. 이와 같은 종래 공정에서, 포토레지스트 원판 디스크는 도 2에 도시된 바와 같이, 플레이트 소다-석회 유리와 같은 유리 기판(2)의 주 표면 상에 증착된 포토레지스트 층(3)을 포함한다. 소다-석회 유리는 탄산 소다(sodium carbonate) 또는 황산 나트륨(sodium sulfate) 및 석회 또는 석회석을 가지는 모래의 용해로 제조된다.
디지털 신호에 따라 깜박이는 레이저 빔 La가 포토레지스트 층(3)을 노광하여 예를 들어 피트 위치인 트랙의 점의 잠상으로 구성된 데이터 패턴(6)을 나선형 또는 동심원으로 형성한다. 포지티브 또는 네가티브 포토레지스트중 하나가 사용될 수 있다. 포지티브 포토레지스트가 사용될 때, 광에 노광된 영역이 현상 공정에 의해 제거된다. 반대로, 네가티브 포토레지스트가 사용될 때, 광에 노광되지 않은 영역이 현상 공정에 의해 제거된다. 다음 노광된 포토레지스트 원판 디스크는 포토레지스트 원판 디스크 상에 기록될 디지털 신호에 대응하는 미세 피트(3a)의 트랙을 생성하기 위해 현상되어, 도 2b에 도시된 바와 같이, 피트-이동 포토레지스트 층(3) 및 유리 기판(2)을 갖는 현상된 원판 디스크를 만든다.
다음 현상된 원판 디스크의 포토레지스트 층(3)이 도 2c에 도시된 바와 같이, 유리 기판(2) 상에 드라이되고 고정되어 드라이된 원판 디스크를 생산한다. 은 또는 니켈과 같은 도전성 금속이 포토레지스트 층(3)에 습식 배선으로 스퍼터되거나 증착되어 도전 막(4)을 형성하고, 그래서 현상된 원판 디스크를 도전성이 되게 하고 도 2d에 도시된 바와 같이 다층 구조를 갖는 원판 디스크(4a)를 생성한다. 도전막(4)은 몇 개의 미립자만의 두께를 가질 수 있다.
다음 원판 디스크(4a)는 니켈을 가진 도전막(4)을 도금하기 위해 니켈 전기주조 탱크에 담겨질 수 있다. 그 결과로서, 니켈 층(5), 즉 니켈 스탬퍼가 도 2e에 도시된 바와 같이 형성된다. 니켈 스탬퍼(5)은 일련의 융기부(5a)를 가지며, 각각의 융기부는 연속적이거나 이산적일 수 있고 포토레지스트 층(3)에 생성된 피트(3a)중 하나에 대응할 수 있다. 니켈 층 또는 스탬퍼(5)는 도 2f에 도시된 바와 같이 유리 기판으로부터 이격되어, 광 데이터 기억 디스크 상에 복제될 나선형 트랙의 네가티브 다이(negative die)를 생성한다. 니켈 스탬퍼(5)는 매우 민감하기 때문에, 스탬퍼(5)는 손으로도 유리 기판(2)으로부터 제거될 수 있다. 다음 포토레지스트 층(3)(및 도전막(4))이 스탬퍼(5)로부터 제거될 수 있고, 도 2g에 도시된 바와 같이, 데이터 패턴(6)의 네가티브 상을 가진 몰드 표면(6')을 가진 니켈 스탬퍼(5)를 생산한다. 그러나, 만약 도전막(4)이 니켈로부터 형성되면, 그것은 제자리에 남겨질 수 있고, 간단히 스탬퍼(5)의 일부가 될 수 있다. 포토레지스트 층(3)(및 도전막(4))이 스탬퍼(5)로부터 제거된 후, 스탬퍼(5)는 린스되고, 보호 래커 코팅(protective lacqer coating)(도시하지 않음)이 네가티브 다이의 표면에 도포될 수 있다. 다음 래커 코팅이 경화될 수 있고, 네가티브 다이와 반대인 스탬퍼(5)의 표면은 니켈 도금 동안 유발된 임의의 결함을 제거하기 위해 연마될 수 있다.
스탬퍼(5)가 래커되고 연마된 후, 주입 몰딩 장치에 그것을 고정시키기 위해 스탬퍼(5)의 중앙에 홀이 천공될 수 있다. 그러나, 스탬퍼(5)에서의 홀을 천공하는 것은 니켈에 스트레스를 생성할 수 있고 나선형 트랙에서의 결점을 유발할 수 있다. 이와 같은 스트레스는 피할 수 없는 것이며, 다음 니켈 스탬퍼(5)가 주입 몰딩 장치의 몰드에 고정된다. 주입 몰드가 폐쇄된 후, 유동성 폴리메틸 메타크릴산(polymethyl methacrylate), 폴리 탄산 에스테르(polycabonate), 아크릴 수지, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지 등과 같은 열가소성 수지(thermoplastic resin)가 스탬퍼(5)에 형성된 트랙을 수지로 채우는 몰드 상에 주입된다. 수지가 경화된 후, 그것은 스탬퍼(5)로부터 분리되며, 데이터 패턴으로 기술된 2진 코드가 기록되는 표면을 가진 광 데이터 기억 디스크 복사본을 제공한다.
알루미늄 및 금 합금을 포함하여, 알루미늄 또는 금과 같은 반사 재료가 이러한 방법으로 생산된 복사본의 데이터 패턴 표면에 증착될 수 있다. 더욱이, 보호 래커막이 반사 물질에 도포되어 광 디스크를 형성한다. 두 개의 광 데이터 기억 디스크 복사본이 이러한 방식으로 형성될 수 있고, 함게 본드되어 양면 광 데이터 기억 디스크를 생산하기 위한 공정을 마감하게 된다.
종래 공정에서 니켈 스탬퍼의 전기 주형 과정은 비교적 시간이 소비된다. 더욱이, 전기 주형 단계와 연관된 정교한 과정 때문에, 현재 공정은 완전히 자동화되어 있지 않다. 종래 니켈 스탬퍼를 제조하는데 약 180분 이상의 시간이 소요될 수 있다. 종래 공정에 의해 스탬퍼(5)를 제조하는데 요구되는 부가적인 시간은 다양한 형태의 오디오/시각 소프트웨어의 작은 생산량을 포함할 수 있는 최근 개발된 광 데이터 기억 디스크를 복제하기 위한 이와 같은 공정을 비효율적으로 만든다. 더욱이, 현재 전기 주형 과정은 유독 화학물을 사용하며 예를 들어 니켈과 같은 중금속을 함유한 용액을 포함한 위험 물질의 처리를 필요로 한다. 마감 공정의 일부로서 사용되는 래커 절차는 상당한 양의 유독 가스 및 위험 물질을 생성할 수 있다.
상기 언급된 바와 같이, 니켈의 전기 주형 층으로부터 제조된 종래 스탬퍼는 정교하고 제한된 수명을 가진다. 종래 스탬퍼의 반복적인 처리는 결국 변형 또는 다른 손상을 초래할 수 있다. 더욱이, 예를 들어 래커링, 연마, 및 홀 천공과 같은 디스크 마감 절차는 결국 래커의 평평하지 않은 증착 및 홀 천공 또는 연마에 기인한 나선형 트랙의 결함 또는 손상을 초래할 수 있다. 이와 같은 제조 결함 또는 손상을 입은 스탬퍼는 버려지고, 제조 공정은 새로운 스탬퍼를 생산하도록 반복된다. 마지막으로, 전기 주형된 니켈은 예를 들어 유리 기판에 알칼리의 존재에 기인한 산화 또는 피팅(pitting)에 민감하기 때문에, 기억시, 니켈 스탬퍼는 이와 같은 악화의 표시를 감지하기 위해 거의 모니터된다. 이와 같이 악화된 스탬퍼는 사용될 수 없다. 그러므로, 산화 또는 피팅 또는 다른 물리적인 손상을 나타내는 스탬퍼 또한 버려지고, 새로운 스탬퍼가 그것들을 대체하기 위해 제조된다. 추가적으로, 니켈 스탬퍼는 디스크 복제시 흠을 생성할 수 있다. 이와 같은 흠을 나타내는 디스크는 거의 상업적 가치가 없고, 버려지므로 이와 같은 흠은 복제 공정의 수율을 감소시킨다.
<발명의 요약>
그래서, 예를 들어 니켈 전기 주형과 같은 전기 주형 단계 또는 래커링 절차를 필요로 하지 않고 전기 주형 단계 및 래커링 절차와 관련된 화학 폐기물을 제거하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼를 제조하기 위한 공정의 필요성이 대두된다. 더욱이, 제조 시간의 감소, 특히 스탬퍼 가공 시간의 감소를 달성하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼를 제조하기 위한 공정의 필요성이 대두된다. 더욱이, 완전히 자동화될 수 있는 이와 같은 디스크 스탬퍼를 제조하기 위한 공정의 필요성이 대두된다. 추가적으로, 종래 공정에 의해 생산된 스탬퍼보다 사용에서의 변형 또는 다른 손상 또는 기억에서의 결함이 덜 한 내구성있는 스탬퍼를 생산하는, 이와 같은 스탬퍼를 제조하기 위한 공정의 필요성이 대두된다
본 발명의 실시예는 콤팩트 디스크를 복제하는데 사용하기 위한 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼를 제조하기 위한 공정이다. 이 공정은 적어도 약 1MPa 의 경도를 갖는 화학 기상 증착된 실리콘 탄화물(CVDSiC)과 같은 이온 가공 가능 세라믹 기판을 제공하고 기판의 표면 상에 포토레지스트층을 증착하는 단계를 포함한다. 포토레지스트는 레이저와 같은 전자기 에너지원으로 노광되어, 포토레지스트에 데이터 패턴을 형성한다. 노광후, 포토레지스트는 데이터 패턴의 마스크를 형성하기 위해 현상된다. 다음 데이터 패턴은 이온 가공되며, 그로 인해 기판에 적어도 하나의 융기부와 적어도 하나의 랜드의 나선형 트랙이 형성된다. 적합한 이온 가공 기판은 표면 거칠기(Ra)를 증가시키지 않고 가공될 수 있다. 기판이 이온 가공된 후, 현상된 포토레지스트는 기판으로부터 스트립(stripped)될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼를 제조하는 공정은 적어도 약 1MPa 의 경도를 갖는 이온 가공 가능 세라믹 기판을 제공하고, 기판의 표면 상에 제1 유리층을 증착하며, 제1 유리층 상에 제2 포토레지스트층을 증착하는 단계를 포함한다. 다음 포토레지스트는 전자기 에너지원으로 노광되어 포토레지스트에 데이터 패턴을 형성한다. 노광후, 포토레지스트는 제1 층 상의 데이터 패턴의 마스크를 형성하기 위해 현상된다. 데이터 패턴은 예를 들어 불화 수소산(hydrofluoric acid)과 같은 산을 이용하여 제1 층에 에칭되어 기판 상에 유리 마스크를 형성한다. 데이터 패턴은 이온 가공되며, 그로 인해 적어도 하나의 융기부와 적어도 하나의 랜드의 나선형 트랙이 기판에 형성된다. 기판이 이온 가공된 후, 현상된 포토레지스트 및 유리 마스크는 기판으로부터 스트립(stripped)될 수 있다.
본 발명은 공지된 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼에 비해 다양한 기술적 장점을 제공한다. 본 발명의 기술적 장점은 디스크 스탬퍼가 세라믹 기판으로부터 제조된다는 것이다. 이것은 스탬퍼가 변형을 겪지 않고도 고 주입 몰딩 온도를 견딜 수 있게 한다. 더욱이, 세라믹은 쉽게 연마될 수 있는 유연한 표면을 제공한다. 세라믹은 또한 거칠고 전기 주형된 스탬퍼를 형성하기 위한 형판(templates)으로서 현재 사용되는 것과 같은 깨지기 쉬운 소다-석회 유리와 같지 않게, 세라믹 기판은 약간의 구부림 또는 변형하에서 쉽게 깨지거나 갈라지거나, 또는 스냅되지 않는다. 마지막으로, 세라믹은 예를 들어 중성 이온 폭격에 대한 노광에 의해 에칭된 이온 빔을 사용하여 쉽게 가공될 수 있다. 이러한 공정의 다른 기술적 장점은 이와 같은 기판이 스탬퍼로서 주입 몰딩 장치에 직접 고정될 수 있다는 것이다. 이와 같은 세라믹 기판은 종래 스탬퍼보다 변형 및 손상이 덜 하고 더 낮은 오류율을 가지면서, 내구성이 있고 광 데이터 기억 디스크를 복제하는 스트레스 및 충격을 견딜 수 있다.
본 발명의 또 다른 기술적 장점은 전기 주형된 스탬퍼의 마지막과 관련된, 예를 들어 기판으로부터 니켈 스탬퍼를 제거하고 스탬퍼를 래커하는 전기 주형 단계 및 수동적 절차가 제거되기 때문에, 스탬퍼 제조와 관련된 시간 및 비용이 본 발명의 공정에 의해 감소된다는 것이다. 예를 들어, 본 발명의 공정에 따른 스탬퍼 제조는 90분 이상이 소요되지 않는다. 이것은 광 데이터 기억 디스크를 제조하는데 보다 큰 적응성 및 결과적으로 시장용 새로운 디스크를 준비하는데 보다 짧은 생산 사이클 시간을 허용한다. 더욱이, 본 발명의 공정에 따라 생산된 스탬퍼가 더 긴 수명을 가지기 때문에, 이와 같은 디스크를 제조하는데 거의 스탬퍼가 요구되지 않으며, 데이터는 더 긴 주기동안 값싸고 안전하게 기억될 수 있다. 추가적으로, 이와 같이 개선된 스탬퍼는 열화되고 변형되거나 또는 손상된 스탬퍼를 대체하는데 소비되는 시간을 감소시킴으로써 주입 몰딩 장치의 효율을 증가시킨다. 최종적으로, 이러한 공정의 또 다른 기술적인 장점은 데이터 패턴이 스탬퍼를 형성하기 위한 세라믹 기판으로 직접 이온 가공되기 때문에, 고정 홀이 이온 가공되기 전에 기판을 통해 천공되어 형성될 수 있다. 그래서, 고정 홀의 형성은 나선형의 트랙에 스트레스를 생성하지 않는다.
상기 기술된 전기 주형 금속을 사용한 CD 스탬퍼 제조 공정의 단점에도 불구하고, 니켈과 같은 금속은 일반적으로 스탬퍼가 주입 몰딩 공정에 겪는 약 30톤의 힘을 견디기에 충분하게 단단하며, 금속 기판은 많은 접합한 세라믹 기판에 비해 대량 생산에 비싸지 않으며, 금속 기판은 주입 몰딩 공정에 사용하기 위한 소정의 열적 특성을 가진다. 예를 들어, 비교적 깨지기 쉬운 금속은 적어도 약 10 MPa 의 경도를 가질 수 있고, 전기 주형된 니켈은 약 50 MPa 의 경도를 가질 수 있다. 그러나, 일반적으로 금속은 비정질이고 이온 가공적이지 않다. 그것들의 자연 고체 형태에 있어서, 금속은 균일한 이온 빔에 응답하여 서로 다른 비율로 부식시키는 다양한 그레인 배향을 갖는다. 이와 같이 가변하는 부식율은 결국 이온 가공 동안 표면을 거칠게 한다.
그럼에도 불구하고, 매끄럽고 비정질 구조의 형성을 향상시키기 위해 첨가하는 충분한 양인 예를 들어 중량이 5 내지 15 퍼센트인 인을 함유하는 스퍼터된 니켈 또는 일렉트로리스 니켈과 같은 임의의 금속은 비정질이다. 만약 일렉트로리스 니켈과 같은 금속이 비정질이면, 그것은 표면 거칠기를 증가시키지 않고 이온 가공될 수 있다. 전기 주형된 다결정 니켈은 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정에 사용되는 흔한 스탬퍼 재료이며, 니켈은 일반적으로 스탬퍼 제조에 친숙한 재료이기 때문에 비정질 니켈은 특히 소정의 기판 재료가 될 수 있다. 그러나, 비정질 금속 기판은 예를 들어 이온 가공을 이용한 공정인 새로운 스탬퍼 제조 공정에 사용된다. 비정질 니켈은 예를 들어 종래의 제조 공정에 적용된 전기 주형 니켈보다 다른 미세한 구조를 가진다.
본 발명의 실시예는 콤팩트 디스크를 복제하는데 사용하기 위한 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼를 제조하기 위한 공정이다. 이 공정은 적어도 10 MPa 인, 예를 들어 비정질 일렉트로리스 니켈에 대해 약 100MPa 의 경도를 갖는, 중량이 약 5 내지 15 퍼센트 범위의 인을 함유하는 일렉트로리스 니켈 기판과 같은 이온 가공 비정질 금속 기판을 제공하고, 기판의 표면 상에 포토레지스트 층을 증착하는 단계를 포함한다. 포토레지스트는 레이저와 같은 전자기 에너지원으로 노광되어, 포토레지스트에 데이터 패턴을 형성한다. 노광후, 포토레지스트는 데이터 패턴의 마스크를 형성하기 위해 현상된다. 다음 데이터 패턴은 이온 가공되며, 그로 인해 기판에 적어도 하나의 융기부와 적어도 하나의 랜드의 나선형 트랙이 형성된다. 적합한 이온 가공 기판은 표면 거칠기(Ra)를 증가시키지 않고 가공될 수 있다. 기판이 이온 가공된 후, 현상된 포토레지스트는 기판으로부터 스트립(stripped)될 수 있다.
비정질 금속은 금, 니켈, 및 구리 등으로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다. 특히, 기판은 중량이 약 5 내지 15 퍼센트 범위의 인을 함유하는 일렉트로리스 니켈 또는 스퍼터된 니켈일 수 있다. 추가적으로, 촉매 활성 표면을 갖는 기판 베이스 및 비정질 금속막을 포함할 수 있다. 기판 베이스는 비정질 구조를 가질 필요는 없고 알루미늄, 니켈 및 구리 등으로부터 선택된 금속으로 만들어질 수 있으며, 비정질 금속막은 또한 금, 니켈 및 구리 등으로부터 만들어질 수 있다. 일렉트로리스 니켈에 대해 상기 업급된 바와 같이, 비정질 막 재료는 또한 매끄럽고 비정질 막의 형성을 향상시키는 요소 또는 화합물을 포함할 수 있다. 더욱이, 비정질 금속막은 약 200 내지 1000㎚ 범위의 두께를 가질 수 있다.
포토레지스트는 스퍼터된 스퍼터된 산화물 포토레지스트 또는 네가티브-톤(negative-tone) 포토레지스트 등이 될 수 있다. 더욱이, 포토레지스트를 노광하기 위해 사용된 전자기 에너지원은 레이저일 수 있고, 포토레지스트를 노광하는 단계는 전자기 에너지원을 방향화하기 위해 컴퓨터를 사용하는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 광 데이터 기억 디스크를 제조하기 위한 공정은 상기 기술된 공정에 의해 비정질 금속 기판으로부터 네가티브, 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼를 제조하는 단계를 포함한다. 더욱이, 이 공정은 몰드에 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼를 고정시키고, 몰드 내에 열가소성 수지를 주입하여 스탬퍼의 포지티브 디스크 복사본을 형성하며, 몰드로부터 복사본을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 다음 복사본은 디스크 상에 반사 표면을 얻기 위해 반사 물질로 오버코트될 수 있다. 반사 물질은 알루미늄과 금으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 금속일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼를 제조하기 위한 공정은 적어도 10 MPa 인, 예를 들어 비정질 일렉트로리스 니켈에 대해 약 100MPa 의 경도를 갖는 이온 가공 비정질 기판을 제공하고, 기판의 표면 상에 제1 유리 층을 증착하고 제1 유리 층 상에 제2 포토레지스트 층을 증착하는 단계를 포함한다. 다음, 포토레지스트는 전자기 에너지원으로 노광되어, 포토레지스트에 데이터 패턴을 형성한다. 노광후, 포토레지스트는 제1 층 상에 데이터 패턴의 마스크를 형성하기 위해 현상된다. 데이터 패턴은 예를 들어 불화 수소산(hydrofluoric acid)과 같은 산을 이용하여 제1 층에 에칭되어 기판 상에 유리 마스크를 형성한다. 데이터 패턴은 이온 가공되며, 그로 인해 적어도 하나의 융기부와 적어도 하나의 랜드의 나선형 트랙이 기판에 형성된다. 기판이 이온 가공된 후, 현상된 포토레지스트 및 유리 마스크는 기판으로부터 스트립(stripped)될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 광 데이터 기억 디스크를 제조하기 위한 공정은 상기 기술된 공정에 의해 비정질 금속 기판으로부터 네가티브, 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼를 제조하는 단계를 포함할 수 있으며, 제1 유리 층은 기판의 표면 상에 증착되고 제2 포토레지스트 층은 제1 층 상에 증착된다. 이 공정은 몰드에 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼를 고정시키고, 몰드 내에 열가소성 수지를 주입하여 스탬퍼의 포지티브 디스크 복사본을 형성하며, 몰드로부터 복사본을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
비정질 금속 기판은 단결정 구조 또는 기판 베이스 상의 비정질 금속막중 하나를 포함할 수 있다. 기판 베이스 상의 비정질 금속막을 포함하는 기판은 단결정 구조보다 제조하는데 덜 비싸다. 기판은 약 120 mm 보다 큰 외부 직경,바람직하게는 약 120 내지160 mm 범위의 외부 직경을 가질 수 있다. 이러한 직경은 이온 가공 이전 또는 이후에 보다 큰 기판 직경으로부터 비정질 금속 기판을 천공함으로써 얻어질 수 있다. 유사하게, 기판은 약 15 내지 36 mm 범위의 내부 직경을 가질 수 있다. 이러한 직경은 이온 가공 이전 또는 이후의 보다 큰 기판 직경으로부터 코어를 천공함으로써 얻어질 수 있다. 이온 가공되기 쉬운 기판 표면 상의 표면 거칠기는 약 1 내지 50 nm Ra의 범위일 수 있고, 기판은 30 ㎛ 이상의 두꼐를 가질 수 있다.
포토레지스트는 복제된 광 데이터 기억 디스크 상의 피트 또는 랜드가 될 기판의 마스크 부분일 수 있다. 이러한 마스크될 영역은 정상적인 광 데이터 기억 디스크에 대해 폭이 약 0.6 ㎛, 길이가 약 0.8 내지 3.5 ㎛의 범위에 있을 수 있고, 이러한 디멘죤은 고-밀도 광 데이터 기억 디스크에 대해 절반까지 더 작게 될 수 있다. 상기 언급된 바와 같이, 포토레지스트는 스퍼터된 산화물 포토레지스트 또는 네가티브-톤 포토레지스트 등 중에 하나일 수 있다. 다음 마스크된 기판은 진공 챔버 내에 기판보다 더 큰 직경을 가진 이온 빔 총 아래에 배치될 수 있다. 교대로, 보다 작은 이온원은 기판 표면을 가로질러 래스터(rastered)될 수 있다. 기판은 예를 들어 약 150 nm 미만인 스탬퍼 상의 소정의 특성 깊이를 달성하기 위해, 예를 들어 약 10분의 이온 빔의 크기 및 세기에 의해 결정되는 주기 동안 가공될 수 있다. 더욱이, 고 밀도 광 데이터 기억 디스크에 대해, 스탬퍼 상의 소정의 특성 깊이는 약 100 nm 미만일 수 있다.
다른 목적, 장점 및 특징은 본 발명의 상세한 설명 및 도면이 고려될 때 명백해 진다.
본 발명은 이온 가공 가능한 비정질 금속 기판으로부터 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼를 제조하기 위한 공정에 관한 것으로, 특히 이와 같은 스탬퍼를 사용한 광 데이터 기억 디스크를 복제하기 위한 공정에 관한 것이다. 본 발명은 이와 같은 공정에 의해 제조된 스탬퍼 및 이와 같은 스탬퍼를 사용하여 복제된 디스크에 관한 것이다.
본 발명 및 그의 기술적 장점에 대한 보다 완벽한 이해를 위해, 첨부 도면과 관련한 다음 설명을 참조한다.
도 1은 피트 및 랜드의 데이터 패턴을 도시하는 콤팩트 디스크로부터 나선형 트랙의 확장부를 도시하는 도면.
도 2a-g는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼를 제조하기 위한 종래의 공정 단계를 도시하는 개략적 단면도.
도 3a-f는 본 발명의 공정 실시예의 단계를 도시하는 개략적 단면도.
도 4는 도 3a-f의 실시예의 단계를 도시하는 순서도.
도 5a-i는 본 발명의 공정 실시예의 단계를 도시하는 개략적 단면도.
도 6은 도 5a-i의 실시예의 단계를 도시하는 순서도.
도 7은 광 데이터 기억 디스크를 복제하기 위해 도 4에 기술된 공정에 따라 생산된 스탬퍼를 이용하는 본 발명의 공정의 단계를 도시하는 순서도.
도 8a-f는 본 발명의 공정 실시예의 단계를 도시하는 개략적 단면도.
도 9는 도 8a-f의 실시예에 따른 공정의 실시예를 포함하는 공정 단계를 도시하는 순서도.
도 3a 내지 3f는 본 발명의 공정의 실시예에서의 단계를 도시하는 개략 단면도이다. 도 3a는 기판 표면(32a)를 갖는 세라믹 기판(32)을 도시한다. 이와 같은 기판은 약 120 mm 이상의 직경 및 약 1 mm 이상의 두께를 가질 수 있다. 세라믹은 비금속, 무기 고체의 여러 그룹 중의 하나이다. 비록 전형적인 세라믹은 결정 또는 유리, 즉 비정질일 수 있지만, 적어도 약 1 MPa 의 경도를 갖는 이온 가공 가능 세라믹 기판만은 본 발명의 공정에 적합하다. 일반적으로, 약 2 MPa 이상의 경도를 갖는 결정 세라믹은 고 탄력을 가지고 충격 저항체이며, 특히 주입 몰딩 장치의 일부로서 사용하기에 매우 적합하게 만든다.
적합한 세라믹 기판(32)은 열가소성 수지의 주입 몰딩과 관련된 고온을 반복적으로 지탱하는 능력; 유연하고 매끄러운 표면; 주입 몰딩 압력 및 열가소성 수지의 냉각 동안 미소한 융기부 사이에 생긴 응력 집중에 지탱하기에 충분한 강도; 및 이온 가공성에 특징이 있다. 예를 들어, 세라믹 기판(32)은 약 250 내지 340℃의 범위의 온도를 지탱할 수 있으며, 이는 폴리 탄산 에스테르(polycarbonate)의 주입 몰딩과 연관된다. 더욱이, 세라믹 기판(32)은 주입 몰딩에 의해 유발된 급격한 온도 구배를 반복적으로 지탱할 수 있다. 세라믹 기판(32)의 표면은 약 1 nm의 표면 거칠기(Ra) 및 약 6 ㎛의 평탄도를 가지거나 또는 연마될 수 있다. 추가적으로, 주입 몰딩 장치에 고정될 때, 이와 같은 유연한 표면은 유연하고 반사적인 랜드(도시하지 않음)를 형성한다. 이러한 랜드는 전자기 에너지, 예를 들어 광 또는 레이저 빔을 용이하게 반사한다.
유리 및 몇몇 세라믹은 약간 구부러거나 변형될 때 그것들로 하여금 깨지고 갈라지거나, 또는 스냅을 유발하게 하는 깨기지 쉬운 특징이 있다. 그러나, 적합한 세라믹 기판(32)은 예를 들어 적어도 약 1 MPa 의 경도를 가지는 만큼 단단하고, 주입 몰딩 압력 하에 변형이 없이 이온 가공된 데이터 패턴을 유지하기에 충분한 강도를 갖는다. 동시에, 그것들은 주입 몰딩 압력 하에 결점을 피하도록 제공하는 충분한 탄력성을 가진다. 이와 같은 세라믹 기판은 주입 몰딩 장치에서 약 70 내지 140 MPa 의 범위의 압력에 반복적으로 겪게 될 수 있다.
적합한 세라믹 기판은 또한 이온 가공될 능력에 특징이 있다. 이온 가공은 중성 이온 빔으로 기판 표면(32a)을 폭격함으로써 수행되고, 이로써, 실질적으로 수직적 벽이 세라믹 기판에 절단될 수 있다. 적합한 이온 가공 특성을 갖는 세라믹은 CVDSiC, 유리 또는 비정질 탄소 등을 포함하여, 실리콘, 카나사이트(canasite), 실리콘 탄화물을 포함한다. 비록 소다-석회 유리와 같은 유리가 이온 가공 가능하지만, 다음 표에 나타난 경도 값으로부터 알 수 있듯이, 이와 같은 유리는 주입 몰딩 압력을 지탱하는데 충분히 단단하지 않다.
소다 석회 유리 유리탄소 실리콘 카나사이트(canasite) 실리콘 탄화물 비정질 일렉트로리스 니켈
경도(MPa ) 0.7-0.8MPa 1MPa 1.8MPa 4MPa 4.5MPa ∼100MPa
도 3b를 참조하면, 포토레지스트 층(33)이 세라믹 기판(32)의 표면(32a) 상에 증착된다. 포토레지스트 층(33)은 표면을 가로질러 균일한 두께로 증착된다. 예를 들어, 포토레지스트 층(33)은 약 0.1 내지 2 ㎛의 범위의 두께를 가질 수 있다. 그것은 드라이 레미네이트막(laminate film)으로서 또는 회전하는 액체로서 또는 표면에 증착되는 스프레이로서 증착될 수 있다. 포지티브 또는 네가티브 포토레지스트가 사용될 수 있다. 상기 논의된 바와 같이, 포지티브 포토레지스트가 사용되는 경우, 광에 노광된 영역이 현상 공정에 의해 제거된다. 반대로, 네가티브 포토레지스트가 사용되는 경우, 광에 노광되지 않은 영역이 현상 공정에 의해 제거된다.
선택적으로, 기판은 중량이 5 내지 15 퍼센트의 범위의 인을 함유하는 비정질 일렉트로리스 니켈(amorphous electroless nickel)로부터 만들어 질 수 있는 것과 같이 이온 가공 가능 비정질 금속 기판일 수 있고, 바람직하게는 중량이 9 내지 15 퍼센트의 범위에 있다. 일반적으로, 적합한 비정질 금속은 적어도 약 10 MPa 의 경도를 가진다. 예를 들어, 비정질 일렉트로리스 니켈은 약 100 MPa 의 경도를 가지며, 이는 주입 몰딩 장치의 사용에 매우 적합하게 한다. 그래서, 적합한 비정질 금속 기판도 또한 열가소성 수지의 주입 몰딩과 연관된 고온에 반복적으로 지탱하는 능력; 유연하고 매끄러운 표면; 주입 몰딩 압력 및 열가소성 수지의 냉각 동안 미소한 융기부 사이에 생긴 응력 집중에 지탱하기에 충분한 강도와 이온 가공성을 갖는다. 추가적으로, 상기 기술된 세라믹 기판과 같이, 비정질 금속 기판은 고온 및 주입 몰딩과 연관된 급격한 온도 구배에 지탱할 수 있다.
도 3c에 도시된 바와 같이, 레이저 La와 같은 전자기 에너지원 또는 다른 코히어런트하고 집중적인 광원이 포토레지스트(33)을 노광하여 데이터 패턴(34)을 형성하는데 사용될 수 있다. 레이저 La가 포토레지스트(33) 상에 스캔됨에 따라, 포토레지스트(33) 상의 나선 형태의 데이터 패턴(34)을 노광시키기 위해 기판(32)이 회전될 수 있다. 더욱이, 포토레지스트(33)의 표면 상의 레이저 La에 의해 생성된 점의 크기, 기판(32)의 회전 속도, 및 레이저 La의 스캐닝 속도는 데이터 패턴을 조절하기 위해 변경될 수 있다. 레이저 La는 또한 일련의 융기부(도시하지 않음)를 생성하기 위해 세기 변조(intensity modulated)될 수 있다. 일반적으로, 데이터 패턴(34)은 포토레지스트(33)에 적어도 하나의 융기부 및 적어도 하나의 랜드의 나선형 트랙을 형성한다.
선택적으로, 만약 레이저 La의 세기가 일정한 레벨로 유지되면, 데이터 패턴(34)은 하나의 융기부를 생성할 수 있다. 기록 가능 광 데이터 기억 디스크는 하나의 연속적인 나선형 융기부를 포함하는 데이터 패턴(34)을 갖는 스탬퍼로부터 생성된 하나의 연속적인 나선형 홈을 가질 수 있다. 이와 같은 디스크의 홈은 광-경화성 수지 또는 다이(dye)와 같은 적어도 부분적으로 기록 매체로 채워진다. 만약 광-경화성 수지 또는 다이가 사용되면, 레이저 빔과 같은 광원이 수지 또는 다이에 데이터 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다.
도 3d를 참조하면, 다음 포토레지스트(33)가 현상되어 그 표면 상에 데이터 패턴(34)을 나타낸다. 포토레지스트(33)가 포지티브 또는 네가티브 포토레지스트인가에 무관하게, 현상된 포토레지스트(33')는 기판(32)의 표면 상에 잔류하여 적어도 하나의 융기부(도시하지 않음)의 위치를 식별할 수 있게 한다. 그래서, 레이저 La의 조절은 기판(32) 상에 도포된 포토레지스트(33)의 종류에 의해 좌우된다.
도 3e에 도시된 바와 같이, 기판(32)은 적어도 하나의 융기부(32b)를 형성하기 위해 이온 가공된다. 융기부(32b)의 상부면은 기판 표면(32a)이다. 이온 가공은 기판(32)을 수직 깊이, 즉 융기 높이로 약 20 내지 200 nm의 범위, 예를 들어 약 100 내지 150 nm의 범위로 절단한다. 상기 기술된 바와 같이, 이온 가공시, 기판(32)은 중성인, 이온 빔 Io로 폭격될 수 있다. 현상된 포토레지스트(33')는 융기부(32b)의 가공이 조절되는 마스크를 형성한다. 일단 각각의 융기부(32b)에 대한 소정의 높이가 달성되면, 잔류하는 현상된 포토레지스트(33')가 스트립되어, 도 3f에 도시된 바와 같이 스탬퍼(35)를 만든다.
도 4는 도 3a 내지 3f에 따른 실시예의 단계를 도시하는 순서도이다. 단계(40)에서, 단 위상의 결정 세라믹 기판이 제공된다. 적합한 단 위상 세라믹은 CVDSiC이며, 이는 다결정/단 위상 구조를 가진다. 대부분의 비정질 단결정/단 위상 세라믹은 표면 거칠기를 증가시키지 않고 이온 가공(ion machinable)할 수 있다. 그러나, 선택된 다결정 세라믹만이 적합하게 이온 가공할 수 있다. 그럼에도 불구하고, 단 위상 기판은 뛰어난 이온 가공 특성을 갖는다. 이와 같은 기판은 용이하게 가공되어 실질적으로 수직인 벽 표면을 형성할 수 있다.
선택적으로, 단계(40)에 제공된 기판은 중량이 약 5 내지 50 퍼센트 범위, 바람직하게 중량이 약 9 내지 15 퍼센트 범위인 인을 함유하는 비정질 일렉트로리스 니켈로부터 만들어질 수 있는 것과 같은 이온 가공성 비정질 금속 기판일 수 있다. 적합한 비정질 금속은 적어도 약 10MPa 의 경도를 갖는다. 예를 들어, 비정질 일렉트로리스 니켈은 약 100MPa 의 경도를 갖는데, 이는 주입 몰딩 장치에 사용하기에 적합하다. 따라서, 적합한 비정질 금속 기판도 역시 열가소성 수지의 주입 몰딩과 연관된 고온에 반복적으로 지탱하는 능력; 유연하고, 매끄러운 표면; 주입 몰딩 압력 및 열 가소성 수지의 냉각 동안 미소한 융기부 사이에 생긴 응력 집중에 지탱하기에 충분한 강도와, 이온 가공성을 갖는다. 게다가, 상술된 세라믹 기판과 같이, 비정질 금속 기판은 고온과 주입 몰딩과 연관된 급격한 온도 구배에 지탱할 수 있다.
단계(41)에서, 네가티브 레지스트가 기판의 표면 상에 증착된다. 단계(42)에서 표시된 바와 같이, 레이저로 노광되면, 네가티브 포토레지스트는 나선형 트랙의 융기부에 대응하는 일련의 점들을 나타낸다. 단계(43)에 따라 현상되면, 노출된 포토레지스트가 용해하여 융기부를 표시하는 현상된 포토레지스트의 점들만을 남기게게 된다.
단계(44)로 표시된 바와 같이, 노출된 포토레지스트를 마스크로 사용하여, 기판이 이온 가공되어 적어도 하나의 융기부와 적어도 하나의 랜드(land)로 된 나선형 트랙을 포함하는 융기된 데이터 패턴을 형성한다. 이온 가공은 불활성 가스, 예를 들어 아르곤과 같은 중성 이온들의 스트림으로 기판을 폭격(bombrding)함으로써 수행될 수 있다. 이온 가공의 깊이는 폭격의 지속 시간과 세기, 및 기판의 특성에 의존한다. 더욱이, 만일 이온 빔의 크기가 기판의 표면보다 작으면, 이온 빔은 균일한 가공을 달성하기 위해 레스터될 수 있다.
정밀 재료 제거 공정으로서의 이온 가공은 안경, 세라믹, 및 비정질 금속 기판의 미세한 개구를 형상화하는데 사용될 수 있다. 반응성 이온 에칭(RIE) 공정과 구별되는 이온 가공은 플라즈마 생성 소스 또는 진공 챔버에서 아르곤 가스를 이온화시키는 "총(gun)"을 이용한다. 예를 들어, 총에 있는 동안, 이온화된 아르곤 원자들은 그리드 형상의 개구를 통해 직류(DC) 전계에서 가속될 수 있다. 이온들이 총을 높은 속도로 떠나면, 이온들의 콜리메이트된 빔이 인접하는 소스로부터 나오는 전자들의 경사진 빔에 의해 중성화될 수 있다. 이제 화학적으로 그리고 전기적으로 중성인 아르곤 원자들의 스트림은 타겟 표면에 충돌하여 미세하게 제어되는 부식 공정에서 표면으로부터 분자들을 스퍼터한다. 빔 전류 밀도는 약 1000 볼트 전위로 가속된 약 1 내지 2 ㎃/㎠의 범위일 수 있다. 많은 고체들의 경우, 이는 분당 수십 나노미터의 스퍼터링 범위의 결과가 된다. 본 발명의 공정은 포토레지스트 마스크를 통해 넓은 빔 이온 가공에 의해 하나의 기판 상에 마이크로미터 크기의 고품질인 수십억개의 균일한 격자 피쳐(lattice features)를 제조하는 것을 가능하게 한다.
비록 세라믹과 비정질 금속 모두가 이온 가공될 수 있지만, 비정질 니켈을 스탬퍼 제조를 위한 기판으로서 사용하는 것은 광 데이터 기억 디스크 제조 공정에서 세라믹보다 일정한 장점이 있다. 비정질 니켈 기판은 원료와 제조 비용 모두에서 세라믹 기판보다 덜 비싸다. 비정질 니켈은 보다 경도가 높은데, 예를 들어 Kc는 가장 경도가 높은 세라믹, 예를 들어 Kc가 약 2 내지 5 MPa 범위보다 약 100 MPa 이다. 따라서, 비록 비정질 니켈 기판이 세라믹 기판 이전에 소성가공으로 생산될 수 있지만, 비정질 니켈 기판은 큰 파괴없이 주입 몰딩을 보다 잘 견딜 수 있다. 더욱이, 금속, 특히 니켈은 스탬퍼 제조 산업에서 열적, 기계적 및 처리 특성이 공지되어 있는 재료이다. 본 발명에 사용된 바와 같이, 비록 니켈 기판의 미세구조가 비정질이지만, 그 체적 특성(bulk properties)은 다결정의 전기 주형된(electroformed) 니켈의 그것과 유사하다.
게다가, 이온 가공은 진공 챔버 내에서 수행되어야 한다. 진공 챔버에서, 이온 빔과 공기 분자 간의 간섭이 제거된다. 그럼에도 불구하고, 이온 가공에 의해 기판에 발생된 열이 진공 챔버 내에서 쉽게 방출되지 않기 때문에, 현상된 포토레지스트 마스크는 바람직하게 약 30 내지 80℃ 범위의 온도를 견디어, 포토레지스트 마크스를 동시에 열화시키지 않고 데이터 패턴이 기판에서 이온 가공될 수 있어야 한다. 단계(45)를 참조하면, 다음에 현상된 포토레지스트가 기판으로 스트립되어 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼를 만든다.
도 5a 내지 도 5i는 본 발명의 공정의 다른 실시예에서의 단계들을 도시하는 개략 단면도이다. 도 5a는 기판 표면(52a)을 갖는 세라믹 또는 비정질 금속 기판(52)을 도시한다. 도 5b를 참조하면, 제1 글래스층(54), 즉 용해된 실리카가 세라믹 기판(52)의 표면(52a) 상에 증착된다. 제2 글래스층(54)은 기판(52)의 표면(52a)위에 약 0.1 내지 1㎛ 범위의 두께로 균일하게 증착된다. 도 5c에 도시된 바와 같이, 제2 포토레지스트층, 즉 네가티브 포토레지스트가 제1 글래스층(54) 상에 증착된다. 제2 포토레지스트층(53)도 역시 제1 글래스층(54)의 위에 균일하게 증착된다. 제2 포토레지스트층(53)의 두께는 약 0.1 내지 2㎛ 범위일 수 있다.
도 5d에 도시된 바와 같이, 레이저 La와 같은 전자기 에너지원 또는 다른 코히어런트하고 집중적인 광원이 포토레지스트(53)를 노광하여 데이터 패턴(56)을 형성하는데 사용될 수 있다. 레이저 La가 포토레지스트(53) 상에 스캔됨에 따라, 포토레지스트(53) 상의 나선형 데이터 패턴(56)을 노광시키기 위해 기판(52)이 회전될 수 있다. 상술된 바와 같이, 포토레지스트(53)의 표면 상의 레이저 La의 점의 크기, 기판(52)의 회전 속도, 레이저 La의 스캐닝 속도는 데이터 패턴을 바꾸기 위해 변경될 수 있다. 레이저 La가 또한 세기 변조되어(intensity modulated) 일련의 융기부(도시되지 않음)를 만들기 위해 소정의 데이터 패턴(56)을 생성할 수 있다. 일반적으로, 데이터 패턴(56)은 포토레지스트(56)에 적어도 하나의 융기부의 나선형 트랙을 형성한다. 선택적으로, 만일 레이저 La의 세기가 일정한 레벨로 유지되면, 데이터 패턴(56)은 상술된 바와 같이 하나의 융기부를 만들 수 있다.
도 5e를 참조하면, 다음에 포토레지스트(53)가 현상되어 제1 글래스층(54) 상에 데이터 패턴(56)을 나타낸다. 포토레지스트(53)가 포지티브 또는 네가티브 포토레지스트인가에 무관하게, 현상된 포토레지스트(53')는 제1 글래스층(54) 상에 잔류하여 상기 적어도 하나의 융기부(도시되지 않음)의 위치를 식별할 수 있게 한다. 따라서, 데이터 패턴(56)과 레이저 La의 조절은 제1 글래스층(54)에 도포된 포토레지스트(53)의 종류에 의해 좌우된다.
도 5f는 에칭, 즉 글래스 마스크(54')를 만들기 위해 불화수소산과 같은 산으로 제1 글래스층(54)을 에칭하는 것을 도시한다. 도 5g에 도시된 바와 같이, 글래스 마스크(54')의 형성동안에는 에칭되지 않았던 현상된 포토레지스트층(53')의 임의의 일부가 글래스 마스크(54')로부터 스트립된다. 도 5h를 참조하면, 다음에 기판(52)이 이온 가공되어 기판(52)에 적어도 하나의 융기부(52b)를 형성한다. 상술된 바와 같이, 이온 가공시, 비정질 금속 기판은 중성인 이온 빔 Io으로 폭격되어 기판(52)을 수직 깊이, 약 20 내지 200㎚ 범위, 즉 약 100㎚ 융기부 높이로 절단한다. 각 융기부(52b)의 상부면은 기판 표면(52a)이다. 글래스 마스크(54')는 융기부(52b)의 가공을 조절한다. 일단 융기부(52b)를 위한 소정의 높이가 달성되면, 기판 상에 잔류하는 글래스 마스크(54')가 스트립되어 도 5i에 도시된 바와 같이 스탬퍼(55)를 만든다.
도 6은 도 5a 내지 도 5i의 실시예의 단계들을 도시하는 순서도이다. 단계(60)에서, CVDSiC 기판과 같은 단 위상의 단결정 세라믹 기판 또는 약 5 내지 15 퍼센트의 중량 범위의 인을 함유하는 비정질 일렉트로리스 니켈 기판과 같은 비정질 금속 기판이 다시 제공된다. 단계(61)에 도시된 바와 같이, 제1 글래스층이 세라믹의 기판 또는 비정질 금속 기판 상에 증착된다. 단계(62)에서, 제2 네가티브 포토레지스트층이 제1 글래스층의 표면에 도포된다. 레이저로 노광되면, 단계(63)로 도시된 바와 같이, 네가티브 포토레지스트는 나선형 트랙의 적어도 하나의 융기부에 대응하는 일련의 점들을 만든다. 단계(64)에 따라 현상되면, 노광되지 않은 포토레지스트가 용해하여, 적어도 하나의 융기부를 표시하는 현상된 포토레지스트의 점(들)만을 남긴다.
단계(65)로 도시된 바와 같이, 노출된 포토레지스트를 마스크로서 사용하여, 제1 글래스층이 산으로 에칭되어 글래스 마스크를 형성한다. 이 산 에칭은 제1 글래스층으로부터 포토레지스트들을 제거할 수 있다. 그러나, 제1 층이 에칭된 후, 현상된 나머지 포토레지스트가 단계(66)로 도시된 바와 같이 스트립된다. 단계(67)에서, 세라믹 또는 비정질 금속 기판이 글래스 마스크를 통해 이온 가공되어 적어도 하나의 융기부와 적어도 하나의 랜드로 구성된 나선형 트랙을 포함하는 데이터 패턴의 네가티브 다이를 형성한다. 마지막으로, 단계(68)에 따라, 글래스 마스크도 역시 기판으로부터 제거된다.
상술된 바와 같이, 이온 가공은 불활성 가스, 즉 아르곤의 그것들과 같은 중성 이온들의 스트림으로 기판을 폭격함으로써 달성될 수 있다. 이온 가공의 깊이는 폭격의 지속 기간과 세기 및 기판의 특성에 따른다. 더욱이, 만일 이온 빔의 크기가 기판의 표면보다 작으면, 다시, 균일한 가공을 달성하기 위해 이온 빔이 래스터될 수 있다. 그럼에도 불구하고, 상술된 바와 같이, 적당한 세라믹 재료는 표면 거칠기(Rs)를 증가시키지 않고 이온 가공 가능하다.
도 7은 광 데이터 기억 디스크를 복제하기 위해 도 4에 도시된 것과 같은 스탬퍼를 이용하는 본 발명의 공정의 단계들을 도시하는 순서도이다. 단계(70)을 참조한다. 단계(71)에서, 스탬퍼(35 또는 55)와 같은 디스크 스탬퍼는 주입 몰딩 장치의 디스크 스탬퍼 몰드에 고정된다. 이와 같은 주입 몰딩 장치와 그 사용은 공지되어 있다. 단계(72)에 도시된 바와 같이, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리카보네이트 수지, 비포화 폴리에스터 수지 등과 같은 열가소성 수지가 몰드내로 주입되어 디스크 복사본을 형성한다.
단계(73)에 도시된 바와 같이 몰드가 냉각된 후, 디스크 복사본이 몰드로부터 제거될 수 있다(단계 74). 이때 각각의 디스크 복사본이 트림(trimmed)되어 잉여의 열 가소성 수지를 제거할 수 있다. 스탬퍼가 단단한 세라믹 기판으로 만들어지기 때문에, 스탬퍼는 스탬퍼를 변형시키거나 물리적으로 손상시키지 않고 주입 몰딩 장치내에서 압력 및 온도 변화를 반복적으로 견딜 수 있도록 설계되어 있다. 단계(75)에서, 디스크 복사본은 오버코트, 즉 알루미늄 또는 금과 같은 금속들을 함유하는 합금과 같은 반사 물질로 스터퍼된다. 이 반사성 물질은, 광 판독 장치로부터의 광 빔이 디스크 복사본 상의 나선형 트랙 데이터 패턴의 적어도 하나의 랜드에 충돌할 때 반사되게 한다.
금속 기판의 생산은, 전기 주형에 의해 또는 비정질 일렉트로리스 형성에 의한 것이든, 독극 화학 폐기물의 원천이다. 더욱이, 상술된 바와 같이, 니켈은 수용할 수 없는 육안으로 투시가능한 얼룩을 광 기억 데이터 복제 디스크로 운반할 수 있다. 이는 공정 수율을 낮출 수 있다. 마지막으로, 미리 가공된 세라믹 기판과는 달리, 기판 가공 공정의 끝 그러나 주입 몰딩 전에 비정질 일렉트로리스 니켈 기판이 펀치될 수 있다.
비정질 금속 기판을 제조하는 몇가지 방법에 존재한다. 비정질 금속은 일렉트로리스 화학욕을 사용하거나 또는 스퍼터링에 의해 막으로서 형성될 수 있다. 이들 공정중의 어느 하나가 사용되어 비정질 금속막을 베이스 기판의 촉매작용으로 활성인 표면, 즉 알루미늄, 니켈 또는 동 등으로 이루어지며, 전기 주형, 롤되어 제조된 베이스 기판의 표면에 부착할 수 있다. 비정질 막은 소정의 이온 가공 깊이만큼만 두껍다. 비록 보다 두꺼운 막은 바람직하지 않지만, 이들은 제조하기가 보다 값비쌀 수 있다. 비정질 막은 또한 비금속성 스탬퍼 기판 플랫폼 상에 완전한 두께로 증착될 수 있다. 비정질 막은 랩핑과 연마에 의해 또는 연마된 글래스 기판 플랫폼과 같은 매끄러운 표면 상에 성장시킴으로써 매끄럽게 될 수 있는데, 상기 성장된 비정질 막은 다음에 제거될 수 있다. 이들 방법의 각각에서, 비정질 금속 기판은 대규모 배치 공정을 사용하여 만들어지고, 무기한으로 저장되어 스탬퍼 나중에 제조업체가 이온 가공할 수 있도록 적치된다.
예를 들어, 일렉트로리스 니켈막을 준비하는 방법이 이하에 상세히 서술된다. 먼저, 일렉트로리스 니켈막이 성장될 글래스 플레이트가 연마된다. 글레스 플레이트가 연마되기 때문에, 글래스 플레이트 사에 증착된 일렉트로리스 니켈은 니켈/글래스 계면에서 매끄러운 면을 형성한다. 두 번째, 글래스 표면이 예를 들어, 콜로이드 팔라듐 서스펜션 등에서 결정핵 성장에 의해 활성화된다. 약 200 내지 1000㎚ 범위의 깊이를 갖는 비정질 니켈 막이 화학적 일렉트로리스 니켈 공정에 의해 증착된다. 중량이 약 5 내지 15 퍼센트 범위의 충분한 인이 매끄럽고 비정질인 일렉트로리스 니켈막의 성장을 유도하기 위해 첨가된다. 세 번째, 전기 주형된 니켈 또는 다른 금속의 기판 베이스가 비정질 막 상에 약 300㎛ 이상의 누적 두께를 달성하도록 성장될 수 있다. 기판 베이스 및 비정질 막이 영구히 원자적으로 본드되어 글래스로부터 제거될 수 있다. 마지막으로, 비정질 금속 기판이 약 138㎜와 같은 초과 크기의 직경에 맞도록 펀치될 수 있다.
도 8a 내지 도 8f는 본 발명에 따른 공정의 실시예에서의 단계들을 도시하는 개략 단면도이다. 도 8a는 기판 베이스(81), 및 기판 표면(82a)를 갖는 비정질 그속막(82)을 포함하는 비정질 금속 기판(80)을 도시한다. 이와 같은 기판은 약 120㎜ 이상의 직경과, 약 300㎛ 이상의 두께를 가질 수 있고, 이와 같은 비정질 금속막은 약 200 내지 1000㎚ 범위의 두께를 가질 수 있다. 적합한 비정질 금속 기판은, 이온 가공되는 능력에 특징이 있다. 이온 가공은 중성 이온 빔으로 기판 표면(82a)을 폭격함으로써 수행되는데, 이로 인해 실질적으로 수직인 벽들이 비정질 금속막(82)에서 절단될 수 있다.
도 8b를 참조하면, 포토레지스트층(83)이 비정질 금속막(82)의 표면(82a) 상에 증착된다. 포토레지스트층(83)은 표면(82a) 양단에 균일한 깊이로 도포된다. 예를 들어, 포토레지스트층(83)은 약 0.1 내지 2㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다. 이는 건조 레미네이트(dry laminate), 또는 표면(82a)에 도포된 스핀 또는 스프레이인 액체로서 도포될 수 있다. 포지티브 또는 네가티브 포토레지스트가 사용될 수 있다. 상술된 바와 같이, 포지티브 포토레지스트가 사용되면, 광에 노출된 영역이 현상 공정에 의해 제거된다. 역으로, 네가티브 포토레지스트가 사용되면, 광에 노출되지 않은 영역이 현상 공정에 의해 제거된다.
도 8c에 도시된 바와 같이, 레이저 La와 같은 전자기 에너지원 또는 다른 코히어런트하고 집중적인 광원이 데이터 패턴(84)을 형성하기 위해 포토레지스트(83)를 노광시키는데 사용될 수 있다. 레이저 La가 포토레지스트(83) 상에 스캔됨에 따라, 기판(80)이 회전되어 포토레지스트(83) 상의 나선형 데이터 패턴(84)을 노출시킨다. 더욱이, 포토레지스트(83)의 표면 상에 레이저 La에 의해 생성된 점의 크기, 기판(80)의 회전 속도, 및 레이저 La의 스캐닝 속도는 데이터 패턴(84)을 조정하기 위해 변경될 수 있다. 레이저 La는 또한 세기 변조되어 일련의 융기부들(도시되지 않음)을 만들 수 있다. 일반적으로, 데이터 패턴(84)은 포토레지스트(83)에 적어도 하나의 융기부와 적어도 하나의 랜드로 된 나선형 트랙을 형성한다.
선택적으로, 만일 레이저 La의 세기가 일정한 레벨로 유지되면, 데이터 패턴(84)은 하나의 융기부를 만들 수 있다. 기록 가능한 광 데이터 기억 디스크는 하나의 연속하는 나선형 융기부를 갖는 데이터 패턴(84)을 갖는 스탬퍼로부터 하나의 연속하는 나선형 홈을 갖는다. 이와 같은 디스크의 홈은 적어도 부분적으로 광 경화성 수지 또는 염료와 같은 기록 매체로 채워진다. 만일 광 경화성 수지 또는 염료가 사용되면, 레이저 빔과 같은 광원은 수지 또는 염료에 데이터 패턴을 만드는데 사용된다.
도 8d를 참조하면, 다음에 포토레지스트(83)가 현상되어 그 표면 상의 데이터 패턴(84)을 노출시킨다. 포토레지스트(83)가 포지티브 또는 네가티브 포토레지스트인 지에 무관하게, 현상된 포토레지스트(83')는 상기 적어도 하나의 융기부(도시되지 않음)의 위치를 나타내는 비정질 금속막(82)의 표면(82a) 상에 남는다. 따라서, 레이저 La의 조절은 막(82) 위에 증착된 포토레지스트(83)의 종류에 의해 좌우된다.
도 8e에 도시된 바와 같이, 기판(80)의 비정질 금속막(82)이 이온 가공되어 적어도 하나의 융기부(82b)를 형성한다. 융기부(82b)의 상부면은 기판면(82a)이다. 이온 가공은 기판(82)을 수직 깊이, 즉 약 150㎚미만의 융기부 높이로 절단한다. 상술된 바와 같이, 이온 가공시, 기판(80)은 중성의 이온 빔 Io으로 폭격될 수 있다. 현상된 포토레지스트(83')는 마스크를 형성하고, 이로 인해 융기부(82b)의 가공이 조절되게 된다. 일단 각각의 융기부(82b)에 대한 소정의 높이가 달성되면, 현상된 나머지 포토레지스트(83')가 스트립되어 도 8f에 도시된 바와 같이 스탬퍼(85)를 만들게 된다.
도 9는 도 8a 내지 도 8f에 따른 실시예를 포함하는, 본 발명의 공정의 실시예의 단계들을 도시하는 순서도이다. 단계(90a)에서, 약 5 내지 15 중량 퍼센트 범위의 인을 함유하는 비정질 일렉트로리스 니켈막과 같은 비정질 금속막이 예를 들어 전기 주형 제조되거나 롤된 금속의 기판 베이스 상에 일렉트로리스 화학욕에서 형성되어 기판을 제공한다. 단계(91a)에서, 다음에 기판이 랩되어 연마된다. 선택적으로, 단계(90b)에서, 글래스와 같은 비금속성 기판 플랫폼 상에 일렉트로리스 화학욕에서 형성된 비정질 단일 금속층으로 구성된 기판을 생성함으로써 비정질 금속의 모노리틱 기판이 제공될 수 있다. 단계(91b)에서, 모노리틱 기판이 기판 플랫폼으로부터 제거된다. 그러나, 기판 플랫폼이 매끄러운 표면을 가질 수 있기 때문에, 비정질 금속 기판은 추가적인 랩핑 또는 연마가 필요하지 않을 수 있다.
단계(92)에서, 네가티브 포토레지스트가 기판의 표면 상에 증착된다. 레이저로 노광되면, 단계(93)에 도시된 바와 같이, 네가티브 포토레지스트는 나선형 트랙의 융기부들에 대응하는 일련의 점들을 노출시킨다. 단계(94)에 따라 현상되면, 노출되지 않은 포토레지스트가 용해하여, 융기부들을 표시하는 현상된 포토레지스트의 점들만을 남긴다.
단계(95)에 도시된 바와 같이, 노출된 포토레지스트를 마스크로서 사용하여, 기판이 이온 가공되어 적어도 하나의 융기부와 적어도 하나의 랜드로 구성된 나선형 트랙을 포함하는 융기된 데이터 패턴을 형성하게 된다. 이온 가공은 불활성 가스, 즉 아르곤과 같은 중성 이온의 스트림으로 기판을 폭격함으로써 수행될 수 있다. 이온 가공의 깊이는 폭격의 지속 시간과 세기, 및 기판의 특성에 좌우된다. 그러나, 만일 이온 빔의 크기가 기판의 표면보다 작으면, 이온 빔은 균일한 가공을 달성하기 위해 래스터될 수 있다. 단계(96)에서, 현상된 포토레지스트가 기판으로부터 스트립되어 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼를 생성한다.
비록 본 발명의 상세한 설명이 상기 제공되었지만, 본 발명의 영역은 상기 설명에 제한되어 있지 않으며, 이하 첨부하는 특허청구의 범위에 의해 한정된다는 것을 알아야 한다.

Claims (36)

  1. 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼(stamper)의 제조 공정에 있어서,
    적어도 약 10MPa 의 경도를 갖는 이온 가공 가능 비정질 금속 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판의 표면 상에 포토레지스트층을 증착하는 단계;
    상기 포토레지스트를 전자기 에너지원으로 노광하여 상기 포토레지스트에 데이터 패턴을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트를 현상하는 단계; 및
    상기 데이터 패턴을 이온 가공하는 단계
    를 포함하여, 상기 기판에 적어도 하나의 융기부와 적어도 하나의 랜드(land)로 된 나선형 트랙이 형성되는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  2. 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트는 스퍼터된 산화물 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  3. 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트는 네가티브-톤(negative-tone) 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판은 약 1 내지 50㎚ 범위의 표면 거칠기(Rs)와 약 6㎛의 평탄도를 갖는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기판은 약 120㎜ 이상의 외부 직경과 약 15 내지 36㎜ 범위의 내부 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기판은 약 300㎛ 이상의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  7. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 융기부는 약 150㎚미만의 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  8. 제1항에 있어서, 상기 전자기 에너지원은 레이저인 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  9. 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트의 노광 단계는 컴퓨터를 이용하여 상기 전자기 에너지원을 배향시키는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  10. 제9항에 있어서, 상기 이온 가공 단계는 상기 이온 빔을 래스터하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  11. 제1항에 있어서, 상기 기판은 약 5 내지 15 중량 퍼센트 범위의 인을 함유하는 비정질 일렉트로리스 니켈(amorphous electroless nickel)인 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  12. 제1항에 있어서, 상기 비정질 금속은 금, 니켈, 및 동으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  13. 제1항에 있어서, 상기 기판은 촉매 활성 표면을 갖는 기판 베이스 및 비정질 금속막을 구비하는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  14. 제12항에 있어서, 상기 기판 베이스는 알루미늄, 니켈 및 동으로 구성된 그룹으로부터 선택된 금속으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  15. 제12항에 있어서, 상기 비정질 금속막은 금, 니켈 및 동으로 구성된 그룹으로부터 선택된 금속으로부터 만들어지는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  16. 제12항에 있어서, 상기 비정질 금속막은 약 200 내지 1000㎚ 범위의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  17. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 융기부는 단일의 연속하는 홈이 기록가능한 광 데이터 기억 디스크에 스탬프되도록 단일의 연속하는 나선형 융기부인 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  18. 제1항의 공정에 의해 제조된 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼.
  19. 광 데이터 기억 디스크의 제조 공정에 있어서,
    제1항의 공정에 의해 네가티브 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼를 제조하는 단계;
    몰드에 상기 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼를 고정시키는 단계;
    상기 몰드내에 열가소성 수지를 주입하여 상기 스탬퍼의 포지티브 디스크 복사본을 형성하는 단계; 및
    상기 몰드로부터 상기 복사본을 제거하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크의 제조 공정.
  20. 제18항에 있어서, 상기 디스크 상에 반사 표면을 얻기 위해 상기 복사본을 반사 물질로 오버코드하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크의 제조 공정.
  21. 제19항에 있어서, 상기 반사 물질은 알루미늄과 금으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 금속인 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크의 제조 공정.
  22. 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼의 제조 공정에 있어서,
    약 5 내지 15 중량 퍼센트 범위의 인을 함유하는 일렉트로리스 니켈 기판(electroless nickel substrate)를 제공하는 단계;
    상기 기판의 표면 상에 약 0.1 내지 2㎛ 범위의 두께를 갖는 네가티브 포토레지스트를 증착하는 단계;
    네가티브 데이터 패턴을 상기 포토레지스트에 형성하기 위해 상기 포토레지스트를 레이저로 노광하는 단계;
    상기 포토레지스트를 현상하는 단계;
    적어도 하나의 융기부와 적어도 하나의 랜드(land)로 된 나선형 트랙이 상기 기판에 형성되도록 상기 기판을 이온 가공하는 단계 - 상기 융기부의 각각은 약 150㎚ 미만의 높이를 가짐-; 및
    상기 현상된 포토레지스트를 스트립하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  23. 제21항에 있어서, 상기 기판은 약 120㎜ 이상의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  24. 제21항에 있어서, 상기 기판은 약 300㎛ 이상의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  25. 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼의 제조 공정에 있어서,
    적어도 약 10MPa 의 경도를 갖는 이온 가공 가능 비정질 금속 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판의 표면 상에 제1 글래스층을 증착하는 단계;
    상기 제1 층 상에 제2 포토레지스트층을 증착하는 단계;
    상기 포토레지스트를 전자기 에너지원으로 노광하여 상기 포토레지스트에 데이터 패턴을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트를 현상하는 단계;
    상기 제1 층의 상기 데이터 패턴을 에칭하여 글래스 마스크를 형성하는 단계; 및
    상기 글래스 마스크를 통해 상기 데이터 패턴을 이온 가공하는 단계
    를 포함하여, 상기 기판에 적어도 하나의 융기부와 적어도 하나의 랜드로 된 나선형 트랙이 형성되게 하는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  26. 제23항에 있어서, 상기 기판은 촉매 활성 표면을 갖는 기판 베이스와 비정질 금속막을 구비하는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  27. 제24항에 있어서, 상기 기판 베이스는 알루미늄, 니켈 및 동으로 구성된 그룹으로부터 선택된 금속으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  28. 제24항에 있어서, 상기 비정질 금속막은 금, 니켈 및 동으로 구성된 그룹으로부터 선택된 금속으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  29. 제24항에 있어서, 상기 비정질 금속막은 약 200 내지 1000㎚ 범위의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  30. 제23항에 있어서, 상기 현상된 포토레지스트를 스트립하는 단계; 및
    상기 글래스 마스크를 스트립하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  31. 제23항에 있어서, 상기 제1 층은 약 0.1 내지 1㎛ 범위의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  32. 제23항에 있어서, 상기 제2 층은 약 0.1 내지 2㎛ 범위의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  33. 제23항에 있어서, 상기 제1 층에 있는 상기 데이터 패턴의 에칭 단계는 상기 제1 층에 산을 도포하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  34. 제23항에 있어서, 상기 적어도 하나의 융기부는 약 150㎚미만의 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼 제조 공정.
  35. 제23항의 공정에 의해 제조된 광 데이터 기억 디스크 스태퍼.
  36. 광 데이터 기억 디스크의 제조 공정에 있어서,
    제23항의 공정에 의해 네가티브 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼를 제조하는 단계;
    상기 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼를 몰드에 고정시키는 단계;
    상기 스탬퍼의 포지티브 복사본을 형성하기 위해 상기 몰드내에 열 가소성 수지를 주입하는 단계; 및
    상기 몰드로부터 상기 복사본을 제거하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 데이터 기억 디스크 스탬퍼.
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