KR20000004404A - Tft-lcd 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 3번의 마스크 공정을 이용함으로써, 공정시의 결함발생을 감소시킬 뿐만 아니라 제조비용을 낮출 수 있는 TFT-LCD 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 TFT-LCD는 다음과 같이 제조한다. 먼저, 절연기판 상에 반도체층, 도핑된 반도체층, 및 제 1 금속막을 순차적으로 형성하고, 제 1 금속막을 제 1 패터닝하여 소정의 간격으로 이격된 소오스 및 드레인 전극을 형성한다. 그런 다음, 소오스 및 드레인 전극을 식각 마스크로 하여 하부의 상기 도핑된 반도체층을 식각하여 오믹층을 형성하고, 기판 전면에 게이트 절연막 및 제 2 금속막을 순차적으로 형성한다. 그리고 나서, 제 2 금속막을 제 2 패터닝하여 소오스 및 드레인 전극 사이에 그들의 일부와 오버랩하는 게이트 전극을 형성하고, 게이트 전극을 식각 마스크로 하여 게이트 절연막을 식각하여 반도체층을 노출시킨다. 그 후, 오믹층을 식각 마스크로 하여 노출된 반도체층을 식각하여 액티브층을 형성하고, 기판 전면에 ITO막을 형성한 다음, ITO막을 제 3 패터닝하여 소오스 전극과 콘택하는 화소전극을 형성한다. 또한, 화소전극을 형성할 때, 패드부분의 게이트 라인과 데이터 라인을 서로 콘택시킨다. 또한, 반도체층은 실리콘막으로 형성하고, 도핑된 반도체층은 n＋불순물이 도핑된 실리콘막으로 형성하고, 게이트 절연막은 SiON막과 SiNx막의 적층막으로 형성한다.

Description

ＴＦＴ-ＬＣＤ 제조방법
본 발명은 액티브 매트릭스형 액정 표시 소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터가 사용되는 TFT-LCD 제조방법에 관한 것이다.
액티브 매트릭스형 액정표시(active matrix-type liquid crystal display; AM-LCD) 장치는 얇아서 다양한 표시장치에 사용된다. 이러한 AM-LCD 장치에서, 박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT)가 각 화소에 대한 스위칭 소자로서 제공되어, 개개의 화소전극들이 독립적으로 구동되기 때문에, 듀티(duty) 비의 감소에 기인하는 콘트라스트가 감소되지 않고, 또한 디스플레이 용량이 증가하여 라인수가 증가될 때에도 시야각이 감소되지 않는다.
일반적으로, TFT가 스위칭 소자로 제공되는 TFT-LCD는 게이트용 제 1 마스크, 에치스톱퍼용 제 2 마스크, 액티브층용 제 3 마스크, 화소전극용 제 4 마스크, 패드형성용 제 5 마스크, 소오스 및 드레인 전극용 제 6 마스크, 및 패시배이션용 제 7 마스크의 7개의 마스크를 이용하여 제조한다.
그러나, 상기한 바와 같이 7번의 마스크 공정을 진행함에 따라, 공정이 복잡해지고 여러번의 마스크 공정으로 인하여 결함발생이 야기된다. 또한, 제조비용이 높은 단점이 있다. 이러한 공정단계를 감소시키기 위하여 5번의 마스크 공정을 이용하여 TFT-LCD를 제조하는 방법이 제시되었지만, 상기와 같은 문제를 해결할 수는 없었다.
따라서, 본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 3번의 마스크 공정을 이용함으로써, 공정시의 결함발생을 감소시킬 뿐만 아니라 제조비용을 낮출 수 있는 TFT-LCD 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
도 1a 내지 도 1i는 본 발명의 실시예에 따른 TFT-LCD 제조방법을 설명하기 위한 단면도.
〔도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〕
20 : 절연기판 21 : 실리콘막
21a : 액티브층 22 : 도핑된 실리콘막
22a, 22b : 오믹층 23 : 제 1 금속막
23a, 23b : 소오스 및 드레인 전극
24, 27, 29 : 제 1 내지 제 3 마스크 패턴
25a : SiNx막 25b : SiON막
25 : 게이트 절연막 26 : 제 2 금속막
26a : 게이트 전극 28 : ITO막
28a : 화소전극
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 TFT-LCD는 다음과 같이 제조한다. 먼저, 절연기판 상에 반도체층, 도핑된 반도체층, 및 제 1 금속막을 순차적으로 형성하고, 제 1 금속막을 제 1 패터닝하여 소정의 간격으로 이격된 소오스 및 드레인 전극을 형성한다. 그런 다음, 소오스 및 드레인 전극을 식각 마스크로 하여 하부의 상기 도핑된 반도체층을 식각하여 오믹층을 형성하고, 기판 전면에 게이트 절연막 및 제 2 금속막을 순차적으로 형성한다. 그리고 나서, 제 2 금속막을 제 2 패터닝하여 소오스 및 드레인 전극 사이에 그들의 일부와 오버랩하는 게이트 전극을 형성하고, 게이트 전극을 식각 마스크로 하여 게이트 절연막을 식각하여 반도체층을 노출시킨다. 그 후, 오믹층을 식각 마스크로 하여 노출된 반도체층을 식각하여 액티브층을 형성하고, 기판 전면에 ITO막을 형성한 다음, ITO막을 제 3 패터닝하여 소오스 전극과 콘택하는 화소전극을 형성한다.
또한, 화소전극을 형성할 때, 패드부분의 게이트 라인과 데이터 라인을 서로 콘택시킨다. 또한, 반도체층은 실리콘막으로 형성하고, 도핑된 반도체층은 n＋불순물이 도핑된 실리콘막으로 형성하고, 게이트 절연막은 SiON막과 SiNx막(25a)의 적층막으로 형성한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
도 1a를 참조하면, 유리와 같은 투명한 절연기판(20) 상에 실리콘막(21), n＋불순물이 도핑된 실리콘막(22), 및 소오스/드레인용 제 1 금속막(23)을 순차적으로 형성한다. 제 1 금속막(23) 상에 포토리소그라피로 제 1 마스크 패턴(24)을 형성하고, 제 1 마스크 패턴(24)을 식각 마스크로하여 제 1 금속막(23)을 식각하여, 도 1b에 도시된 바와 같이, 소정의 간격을 두고 이격된 소오스 및 드레인 전극(23a, 23b)을 형성한다. 그런 다음, 공지된 방법으로 제 1 마스크 패턴(24)을 제거한다.
도 1c를 참조하면, 소오스 및 드레인 전극(23a, 23b)을 식각 마스크로하여 도핑된 실리콘막(22)을 식각하여 오믹층(22a, 22b)를 형성한다. 도 1d를 참조하면, 도 2c의 구조 상에 게이트 절연막(25)으로서 SiNx막(25a) 및 SiON막(25b)를 순차적으로 증착하고 그 상부에 게이트용 제 2 금속막(26)을 형성한다. 그런 다음, 제 2 금속막(26) 상에 포토리소그라피로 소오스 및 드레인 전극(23a, 23b) 사이의 제 2 금속막(26)을 마스킹하는 제 2 마스크 패턴(27)을 형성한다.
도 1e를 참조하면, 제 2 마스크 패턴(27)을 식각 마스크로 하여 제 2 금속막(26)을 식각하여 소오스 및 드레인 전극(23a, 23b) 사이에, 그들의 일부와 오버랩하는 게이트 전극(26a)을 형성하고, 공지된 방법으로 제 2 마스크 패턴(27)을 게저한다. 도 1f를 참조하면, 게이트 전극(26a)을 식각 마스크로 하여 게이트 전극(26a) 하부의 SiON막(25b) 및 SiNx막(25a)을 식각하여, 실리콘막(21)을 노출시킨다.
그런 다음, 도 1g에 도시된 바와 같이, 오믹층(22a, 22b)을 식각 마스크로 하여 노출된 실리콘막(21)을 식각하여 액티브층(21a)을 형성한다. 도 1h를 참조하면, 도 1g의 구조 상에, ITO막(28)을 증착하고, ITO막(28) 상에 포토리소그라피로 제 3 마스크 패턴(29)을 형성한다. 그런 다음, 제 3 마스크 패턴(29)을 식각 마스크로 하여 ITO막(28)을 식각하여, 도 1i에 도시된 바와 같이, 소오스(23a)와 콘택하는 화소전극(28a)을 형성함과 동시에, 도시되지는 않았지만, 패드 부분에서 게이트 라인과 데이터 라인을 서로 콘택시킨다. 그리고 나서, 공지된 방법으로 제 3 마스크 패턴(29)을 제거한다.
상기한 본 발명에 의하면, 제 1 마스크 패턴을 이용하여 소오스 및 드레인 전극을 먼저 형성하고, 소오스 및 드레인 전극을 이용하여 오믹층을 패터닝하고, 오믹층을 이용하여 액티브층을 형성한다. 또한, 제 2 마스크 패턴을 이용하여 게이트 전극을 형성하고, 제 3 마스크 패턴을 이용하여 화소전극을 형성함과 동시에 패드부분에서 게이트 라인과 데이터 라인을 서로 콘택시킨다.
즉, 3개의 마스크 패턴을 이용하여 TFT-LCD를 제조함으로써, 제조 공정이 단순해진다. 이에 따라, 공정시의 결함발생이 최소화되어 수율이 증가될 뿐만 아니라, 원가절감을 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 변형시켜 실시할 수 있다.

Claims (5)

  1. 절연기판 상에 반도체층, 도핑된 반도체층, 및 제 1 금속막을 순차적으로 형성하는 단계;
    상기 제 1 금속막을 제 1 패터닝하여 소정의 간격으로 이격된 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;
    상기 소오스 및 드레인 전극을 식각 마스크로 하여 하부의 상기 도핑된 반도체층을 식각하여 오믹층을 형성하는 단계;
    상기 기판 전면에 게이트 절연막 및 제 2 금속막을 순차적으로 형성하는 단계;
    상기 제 2 금속막을 제 2 패터닝하여 상기 소오스 및 드레인 전극 사이에 그들의 일부와 오버랩하는 게이트 전극을 형성하는 단계;
    상기 게이트 전극을 식각 마스크로 하여 상기 게이트 절연막을 식각하여 상기 반도체층을 노출시키는 단계;
    상기 오믹층을 식각 마스크로 하여 상기 노출된 반도체층을 식각하여 액티브층을 형성하는 단계;
    상기 기판 전면에 ITO막을 형성하는 단계; 및,
    상기 ITO막을 제 3 패터닝하여 상기 소오스 전극과 콘택하는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 화소전극을 형성하는 단계에서, 패드부분의 게이트 라인과 데이터 라인을 서로 콘택시키는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체층은 실리콘막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 제조방법
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 도핑된 반도체층은 n＋불순물이 도핑된 실리콘막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 SiON막과 SiNx막(25a)의 적층막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 제조방법.
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