KR19990045359A - 고순도니켈의 제조방법 및 박막형성용 고순도니켈재료 - Google Patents

고순도니켈의 제조방법 및 박막형성용 고순도니켈재료 Download PDF

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KR19990045359A
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나가시마 카쭈시게
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노미야마 아키히코
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Abstract

본 발명은, 고순도니켈의 제조방법 및 그것을 사용해서 제작된 박막형성용 고순도니켈재료에 관한 것이며, 타겟 등의 용도에 적합한, 알카리금속원소, 방사성원소, 천이금속원소는 물론 탄소 또는 가스성분 등의 불순물까지도 최소한도밖에 함유하지 않는 고순도니켈을 안정적으로 또한 용이하게 제조할 수 있는 방법을 개발하는 것을 과제로한 것으로서, 그 해결수단으로, 조니켈원료를 염산으로 용해하여 염산농도 5∼12N의 염화니켈수용액으로 하고, 이 염화니켈수용액을 음이온교환수지와 접촉시켜 불순물금속이온을 흡착시킨 후, 얻어진 액을 증발건고(乾固) 또는 농축한 후, pH=0∼3의 고순도염화니켈수용액으로 하고, 또 활성탄에 의해 액속의 유기물을 제거하고, 이 수용액을 전해액으로서 전해정제에 의해 전석(電析)니켈을 얻게한 것이다.

Description

고순도니켈의 제조방법 및 박막형성용 고순도니켈재료
본 발명은, 고순도니켈의 제조방법 및 그것을 사용해서 제작된 박막형성용 고순도니켈재료에 관한 것이다. 본 발명에 의해서 제작된 고순도니켈은, 알칼리금속불순물, 방사성불순물, 천이금속불순물뿐만이 아니라 가스성분 등의 불순물까지도 최소한밖에 함유하지 않는 것이며, VLSI의 전극 및 배선형성용 혹은 자성박막용 타겟재의 원료 등의 박막형성용 재료로서 썩알맞게 사용할 수 있다.
종래, 반도체디바이스에 있어서의 전극재료로서 폴리실리콘이 주로 사용되어 왔으나, LSI의 고집적화에 따라, Mo, W 등의 실리사이드가 사용되고, 또는 Ti, Co, Ni의 실리사이드의 활용에 관심이 집중되고 있다.
이와 같은 전극은 대표적으로는, Ti, Co, Ni제의 타겟을 Ar속에서 스퍼터링함으로써 형성된다.
스퍼터링후에 형성되는 반도체부재의 신뢰성있는 동작성능을 보증하기 위해서는, 반도체디바이스에 유해한 금속불순물이 최소한밖에 함유되어 있지 않는 것이 중요하다. 즉,
(1) Na, K 등의 알칼리금속
(2) U, Th등의 방사성원소
(3) Fe, Co, Cr 등의 천이금속
을 극력저감할 필요가 있다.
Na, K 등의 알칼리금속은, 게이트절연막속을 용이하게 이동하고, MOS-LSI계면특성의 열악화원인이 된다. U, Th 등의 방사성원소는, 방출하는 α선에 의해서 소자의 소프트에러의 원인이 된다. 한편, Fe, Co, Cr 등의 천이금속불순물도 또 계면접합부의 트러블원인이 된다. 또, 탄소 또는 산소등의 가스성분도 스퍼터링시의 파티클의 원인이 되기 때문에 바람직하지 않다고 생각되고 있다.
또, Fe-Ni합금 등의 자성박막재료용으로서도 불순물함유량이 적은 니켈원료를 요구하도록 되어 있다.
그런데, 일반적으로 입수가능한 니켈, 소위 조(粗)니켈 괴(塊)는, 수십 ppm의 Fe 및 수백 ppm의 Co를 불순물로서 함유하고 있다. 이들 니켈을 고순도화하는 방법으로서는, 먼저, 전해채취법 또는 전해정제법이 있다. 그러나, 불순물인 Fe 및 Co와 니켈과의 표준전극전위가 매우 가깝기 때문에, 단순한 전해채취법이나 전해정제법에 의한 고순도화로는 Fe 및 Co의 저감에는 한계가 있어 박막형성용 재료에 요구되는 바와 같은 고순도니켈의 제조는 곤란하였다.
따라서, 전해채취법 또는 전해정제접에 의한 고순도화를 행하는 경우에는, 전해액속의 불순물을 용매추출법 등에 의해서 제거할 필요가 있었다. 그러나, 용매추출법은, 통출(通出)공정이 많고 복잡한 조작이 필요하며, 또, 특수한 용매를 필요로 하기 때문에 추출제의 안정성을 고려하지 않으면 안되는 등의 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 스퍼터링타겟 등의 박막형성용의 용도에 적합한, 알칼리금속원소, 방사성원소, 천이금속원소는 물론 탄소 또는 가스성분 등의 불순물까지도 최소한도밖에 함유하지 않는 고순도니켈을 안정적으로 또한 용이하게 제조할 수 있는 방법을 개발하는 일이다.
본 발명자들은, 고순도니켈을 안정적으로 제조하기 위하여 예의 연구를 행한 결과, 음이온교환법, 전해정제법, 활성탄처리를 조합하고, 또 필요에 따라서 진공용해법을 행함으로써 상기의 과제를 해결할 수 있는 것을 발견했다.
이에 의거하여, 본 발명은,
① 조니켈원료를 염산으로 용해하여 염산농도 5∼12N의 염화니켈수용액으로하고, 이 염화니켈수용액을 음이온교환수지와 접촉시켜 불순물금속이온을 흡착시킨 후, 얻어진 액을 증발건고(乾固) 또는 농축한 후, pH=0∼3의 고순도염화니켈수용액으로 하고, 또 활성탄에 의해 액속의 유기물을 제거하고, 이 수용액을 전해액으로서 전해정제에 의해 전석(電析)니켈을 얻는 것을 특징으로 하는 고순도니켈의 제조방법.
② 음이온교환시의 수용액의 유속을 공간속도 SV=0.01∼1로 하는 것을 특징으로 하는 상기 ①에 기재의 고순도니켈의 제조방법.
③ 전해정제에 있어서 양극과 음극을 격막 또는 음이온교환막에 의해 간막이하고, 또한, 고순도염화니켈수용액을 적어도 간헐적으로 음극쪽에 넣는 동시에 약극액(anolyte)을 적어도 간헐적으로 빼내는 것을 특징으로 하는 상기 ①∼②에 기재의 고순도니켈의 제조방법.
④ 빼낸 양극액의 염산농도를 5∼12N으로 한 후, 음이온교환수지에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 상기 ③에 기재의 고순도니켈의 제조방법.
⑤ 활성탄을 미리 산에 의해 처리하는 것을 특징으로 하는 상기 ①∼④에 기재의 고순도니켈의 제조방법.
⑥ 전석니켈을 또 진공용해하는 것을 특징으로 하는 상기 ①∼⑤에 기재의 고순도니켈의 제조방법.
⑦ 알칼리금속원소함유량 각 1ppm이하, Fe, Co, Cr 각 10ppm이하, U, Th각 1ppm이하, 탄소 50ppm이하, 산소 100ppm이하, 나머지부가 니켈 및 불가피불순물인 것을 특징으로 하는 박막형성용 고순도니켈재료.
⑧ 알칼리금속원소함유량 각 0.1ppm이하, Fe, Co, Cr 각 1ppm이하, U, Th각 0.1ppm이하, 탄소 20ppm이하, 산소 50ppm이하, 나머지부가 니켈 및 불가피불순물인 것을 특징으로 하는 박막형성용 고순도니켈재료.
를 제공하는 것이다.
본 발명에 있어서 사용하는 니켈원료는, 특별히 제한되는 것은 아니나, 통상 시판되고 있는, 수십 ppm의 Fe, 수백 ppm의 Co를 불순물로서 함유하는 소위 조니켈을 사용하면 된다.
전해정제장치내의 양극실에 상기의 조니켈원료를 장입하고, 염산에 의해서 용해한다.
조니켈의 용해에 사용하는 염산은, 특별히 한정되는 것은 아니며, 공업용의 저순도의 염산이라도 상관없다. 이 이유는, 염산속에 함유되는 불순물도 본 발명을 실시함으로써 제거할 수 있기 때문이다.
니켈을 용해하는 장치는, 염산의 유효이용을 위하여 냉각통이나 염화수소가스의 회수장치를 설치하는 것이 바람직하다. 재질은, 석영, 그래파이트, 테프론, 폴리용기 등이 바람직하다.
용해하는 온도는, 50∼100℃, 바람직하게는 80∼95℃이다. 50℃미만에서는, 용해속도가 작고, 한편 100℃를 넘으면 증발이 격심하고 수용액의 손실이 커지기 때문에 바람직하지 않다.
니켈의 용해액을 빼내고, 액을 농축하여 또 염산을 첨가해서 염산농도를 5∼12N가 되도록 조정한다. 5N미만 또는 12N을 초과하면 이온교환시에 Co가 이온교환수지에 흡착제거되지 않기 때문에 바람직하지 않다.
5∼12N으로 조정한 상기 염화니켈용액을 음이온교환수지에 접촉시켜 용액속의 불순물의 흡착을 행한다. 본 발명에 있어서 사용하는 이온교환수지는, 음이온교환수지이면 특별히 한정되지 않으나, DOWEX1×8, DOWEX2×8(일본국, 무로마찌화학(주)), 다이어이온SA10A등을 예시할 수 있다.
Co, Fe, U는, 고농도의 염산속에서는 염화물착체를 형성하고, 음이온으로서 존재하기 위하여 음이온교환수지에 흡착된다. 한편, Ni 및 불순물인 Na, K등의 알칼리금속 및 Th는 염화물착체를 형성하지 않기 때문에, 흡착되지 않고 칼럼으로부터 유출한다.
이때, Ni과 Fe, Co와의 분리성을 좋게하기 위하여, 수용액의 유속을 SV=0.01∼1로 하는 것이 좋다. 여기서, SV란 공간속도를 말하며, 1시간당의 통액량을 충전수지의 체적으로 나눈 값이다. SV가 0.01이하에서는 생산성이 나쁘고, 1이상에서는 Fe, Co의 흡착이 불충분하여 고순도의 Ni을 얻지 못하기 때문에 바람직하지 않다.
이상의 조작에 의해, 불순물인 Co, Fe 및 U과 니켈을 분리할 수 있다.
또한, 음이온 교환수지에 흡착되어 있는 Co, Fe, U은 1N미만의 염산을 사용함으로써 용이하게 용리(熔離)할 수 있다. 따라서, 음이온 교환수지의 흡착용량 등을 고려에 넣어, 적당한 시기에 Co, Fe, U의 용리를 행함으로써 음이온교환수지를 재생할 수 있다.
이온교환수지로부터 유출한 염화니켈용액은, 염산농도가 높기 때문에, 그대로는 전해정제에 사용할 수는 없다. 그래서 유출한 염화니켈용액을 증발건고 또는 농축한 후, 순수를 첨가함으로써, pH=0∼3의 수용액으로하고, 이 수용액을 전해액으로서 사용한다.
증발건고 또는 농축하는 방법은, 회전증발장치 등을 사용해서 행하면 된다. 증발건고 또는 농축하는 온도는, 80℃이상, 바람직하게는 100℃이상에서 행한다. 80℃미만에서는, 증발건고 또는 농축하는데 시간이 걸리기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 흡출기(aspirator)에 의해 약(弱) 감압하로 하면서 행하면 시간을 단축가능하다. 증발건고 또는 농축시의 장치재질은, 석영, 그래파이트, 테프론 등이 바람직하다. 또, 증발건고 또는 농축시 발생하는 염산가스는, 냉각·응축시켜 니켈용해시에 사용하는 염산으로서 재이용할 수 있다.
또, 이온교환수지속의 유기물(스티렌, 디비닐벤젠, 아민류 등)이 조금씩 유출되고, 그것이 액속으로 혼입해갈 가능성이 있다. 그와 같은 유기물을 제거하기 위하여 활성탄처리를 행한다. 활성탄에는, Fe등의 불순물이 함유되어 있는 가능성이 있기 때문에, 미리 염산등의 산에 의해 불순물을 세정세거하는 산처리를 행하고나서 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 활성탄처리는, 통상은 이온교환한 염화니켈수용액을 증발건고 또는 농축하고, 물을 첨가하여 pH를 0∼3으로 조정한 후에 행하여지나, 반드시 이 순번이 아니라고 이온교환이후, 전해정제까지의 사이면어느곳에서 행하여도 상관없다.
이와 같이 해서 얻게된 고순도니켈수용액으로 이루어진 전해액의 pH는 0∼3, 바람직하게는 0.5∼2로 한다. pH가 0미만에서는 수소의 발생량이 많아지고 전류효율이 저하하기 때문에 바람직하지 않다. pH가 3을 넘으면 니켈이 수산화니켈로되어 침전하므로 바람직하지 않다.
전해정제에 있어서의 전해액속의 니켈농도는, 5∼110g/L, 바람직하게는 20∼80g/L로 한다. 5g/L미만에서는, 수소의 발생량이 많아져 전류효율이 저하하고, 또, 전석니켈속의 불순물농도도 올라가기 때문에 바람직하지 않다. 110g/L을 초과하면, 염화니켈이 석출해서 전석상태에 악영향을 미치기 때문에 바람직하지 않다.
전류밀도의 범위는, 0.01∼10A/dm2로 한다. 0.01A/dm2미만에서는 생산성이 저하여 효율적이 못된다. 10A/dm2를 초과하면 불순물농도가 올라가고 또 전류효율도 저하하기 때문에 바람직하지 않다.
전해온도는, 10∼90℃, 바람직하게는 35∼55℃에서 행한다. 10℃미만에서는 전류효율이 저하하고, 90℃를 초과하면 전해액의 증발이 많아져 바람직하지 않다.
또, 양극으로서는 조니켈이 사용된다.
음극으로서는, 니켈, 티탄판등을 사용한다.
전해조의 재질은 염화비닐, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등이 바람직하다.
전해정제에서는, 음극과 양극을 격막(隔膜) 또는 음이온교환막에 의해 간막이하고, 양극으로부터 용출한 불순물이 음극쪽으로 진입하지 않도록, 음극쪽에 이온교환과 활성탄처리에 의해 정제한 고순도염화니켈수용액(음극액으로됨)을 적어도 간헐적으로 넣는 동시에 양극쪽으로부터 불순물농도가 높은 양극액을 적어도 간헐적으로 빼내는 것이 바람직하다. 이때 첨가하는 음극액량은, 적어도 빼내는 양극액량과 동등이상인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 사용할 수 있는 격막 또는 음이온교환막은 특별히 제한되지 않으나, 격막으로서는, 여포(濾布)P-2020, PP-100(일본국, 야스즈미로시(주)제품), 테비론 1010, 음이온교환막으로서는, 아이오낙MA-3475(일본국, 무로마찌화학(주)제품)등을 예시할 수 있다.
그리고 빼낸 양극액은, 염산농도를 5∼12N로한 후, 음이온교환수지에 접촉시킴으로써 순환재이용할 수 있으며, 이에 의해서 전해정제를 연속해서 행할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 적어도 간헐적이란, 연속 또는 간헐적이라는 것을 의미한다.
그리고, 전해정제에 의해서 전해액속에 남아있던 미량의 Th 및 Na, K 등의 알칼리금속을 니켈과 분리할 수 있다.
회수한 전석니켈은, 필요에 따라서 전자빔용해 등의 진공용해방법에 의해 용해함으로써, 또 휘발성불순물을 제거할 수 있다.
전자빔용해는, 전극(여기서는 전석니켈)을 먼저 제작하고, 그것을 재용해해서 고순도의 잉곳을 얻는 방법이다. 전극의 고온·고진공하에서의 용해중에 휘발성분이 증발한다. 예를 들면, 용해량 5㎏의 경우, 다음과 같은 조건에서 전자빔용해를 실시한다.
전류: 0.7A, 전압: 20㎸, 진공도: 10-5㎜Hg, 시간: 2hr.
이상의 조작에 의해 제조한 고순도니켈속에는, 불순물이 극히 적어, 스퍼터링타겟 등의 반도체박막형성용 재료로서 특히 바람직하다. 알칼리금속원소는, MOS-LSI계면 특성의 열악화원인이 되기 때문에, 함유량 각 1ppm이하, 바람직하게는 0.1ppm이하, 더욱 바람직하게는 0.05ppm이하로 해야할 것이다. Fe, Co, Cr도 계면접합부의 트러블의 원인이 되며, 또, 박막의 비(比)저항을 증대시키는 원인으로도 되므로 각 10ppm이하, 바람직하게는 1ppm이하로 해야할 것이다. U, Th는 방출하는 α선에 의해서 소자의 소프트에러의 원이 되기 때문에 각 1ppm이하, 바람직하게는 0.1ppm이하로 해야할 것이다. 또, 탄소 및 산소는 스퍼터링시의 파티클발생의 원인이 되기 때문에, 탄소 50ppm이하, 바람직하게는 20ppm이하, 산소 100ppm이하, 바람직하게는 50ppm이하, 더욱 바람직하게는 20ppm이하로 해야할 것이다. 불순물성분을 상기의 값이하로 저감하고, 나머지부가 니켈 및 불가피불순물인 것을 특징으로 하는 박막형성용 고순도니켈재료를 얻을 수 있다.
이하에 본 발명의 실시예를 표시하나 이에 이해서 본 발명은 하등제한되는 것은 아니다.
(실시예 1)
표 1에 표시한 바와 같은 순도의 조니켈괴 600g을 양극실에 넣고, 약 12.5L의 11.6N의 염산수용액의 용기에 장입했다. 그리고 온도를 95℃로해서 염산농도 9N, 니켈농도 50g/L의 염화니켈수용액을 얻었다.
이 수용액 12L을 음이온교환수지(일본국, 무로마찌화학: DOWEX2×8)12L을 충전한 폴리프로필렌제의 칼럼(150㎜ø×1200㎜L)에 SV=0.1에 의해 통액하여, Fe, Co, U를 흡착시켜 제거했다.
얻게된 정제염화니켈수용액을 회전증발장치를 사용해서 온도 110℃에서 증발건고시켰다. 증발건고물은, NiCl2·6H2O이고 니켈환산으로 590g을 얻었다. 이것을 순수에 용해해서 10L로 했다. 이때의 니켈농도는 10g/L였다. 그리고, pH를 2로 조정한 후, 활성탄에 의해 유기물을 제거했다. 이 고순도니켈용액을 전해조의 음극실에 연속적으로 첨가했다. 또한, 활성탄은 미리 6N의 염산에 의해 세정하여 Fe등의 불순물을 충분히 제거한 것을 사용했다.
다음에, 전류밀도 2A/dm2, 온도 50℃로 해서, 니켈판을 음극로서 전해정제를 행하였다. 이때 양극쪽과 음극쪽은 격막(일본국, 야스즈미로시(주)제품, PP2020)에 의해 간막이 했다. 음극쪽에는, 고순도염화니켈수용액을 공급속도 1L/hr로 공급하고, 양극쪽으로부터 동일속도로 빼냈다. 40hr후 얻게된 전석물은, 500g이고, 수율은 83%였다. 전석상태는, 표면의 요철(凹凸)이 없는 평활한 것으로서 전석니켈의 박리는 발생하지 않았다.
또, 얻게된 전석니켈에 대해서 전자빔용해를 행하고, 스퍼터링타겟으로 가공했다. 전석니켈 및 전자빔용해후의 불순물함유량을 표 1에 표시한다.
Fe Co Cr Na K U Th C O N H
원료 10 250 10 10 1 2 2 100 120 20 2
실시예 1(전해정제후) 0.8 0.5 1 <0.1 <0.1 <0.1 <0.1 20 10 10 <1
실시예 1(EB용해후) 0.8 0.5 0.3 <0.1 <0.1 <0.1 <0.1 15 8 10 <1
실시예 2 5.5 0.5 0.5 <0.1 <0.1 <0.1 <0.1 15 5 10 <1
비교예 1 10 250 10 2 0.5 2 2 100 120 20 <1
비교예 2 0.8 0.5 0.3 <0.1 <0.1 <0.1 <0.1 50 500 40 <1
단위: ppm. U, Th만은 ppb
(실시예 2)
산처리를 실시하고 있지 않는 활성탄을 사용한 것이외는 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 조작을 행하였다. 이 조작에 의해 얻게된 니켈의 순도를 표 1속에 표시한다. 불순물 Fe의 함유량이 높은 것을 알 수 있다. 단, Fe함유량이 적은 활성탄을 사용하면 이 문제는 발생하지 않는다.
(비교예 1)
시판의 조Ni을 고주파 용해하고, 가공해서 스퍼터링타겟으로 했다.
(비교예 2)
활성탄처리를 행하지 않는 것이외는, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 조작을 행하였다. 이 조작에 의해 얻게된 니켈의 순도를 표 1속에 표시한다. 탄소 및 산소량이 높은 것을 알 수 있다. 또, 전석상태는 요철이 있는 표면상태가 되고, 일부는 음극판으로부터 박리해 있어 매우 취약한 것이였다.
(스퍼터시험데이터)
실시예, 비교예에서 제조한 타겟을 사용해서, 각각 스퍼터링을 행하고, 스퍼터링직후 (as depostion)의 막 및 700℃에서 어닐을 행한 막의 전기저항의 측정결과를 표 2에 표시한다(막두께 30㎚).
as depoition 700℃ 어닐막
실시예 1 35 7
실시예 2 40 10
비교예 1 50 20
비교예 2 40 15
단위: μΩ·㎝
또, 각 타켓을 사용해서 스퍼터링을 행하였을 경우의 6인치 웨이퍼위의 직경 0.3㎛이상의 파티클수를 측정했다. 이 측정결과를 표 3에 표시한다.
파티클수(개/웨이퍼)
실시예 1 5
실시예 2 7
비교예 1 25
비교예 2 15
또한, 스퍼터조건은, 하기와 같다.
기판: 직경 6인치(152㎜)의 Si웨이퍼
기판과 타겟재사이의 거리: 60㎜
스퍼터분위기: 3.5×10-3torr의 Ar가스
스퍼터출력: 1.5㎾
스퍼터시간: 1.5분
상기의 결과로부터, 알칼리금속원소, 천이금속원소, 방사성원소뿐만 아니라 탄소 및 산소가 저감된 본 발명의 스퍼터링타겟을 사용해서 제작한 박막의 저항치는 낮고, 또, 스퍼터링시에 발생하는 파티클도 적었다.
(1) 음이온교환법-전해정제법에 활성탄처리를 조합하고, 또 필요에 따라서 진공용해법을 행함으로써, 안정된 품질이고, 또한, 조작이 용이하고, 그위에 또 저코스트로 고순도니켈을 얻을 수 있다.
(2) 알칼리금속원소, 방사선원소, 천이금속원소는 물론 탄소 및 산소등의 가스성분불순물까지도 최소한도밖에 함유하지 않는 고순도니켈을 안정적으로 또한 용이하게 제조할 수 있다.
(3) 얻게된 고순도니켈은, 반도체디바이스나 자성재료제조용의 스퍼터링타겟등의 박막형성용의 용도로서 썩알맞게 사용할 수 있다.

Claims (8)

  1. 조니켈원료를 염산으로 용해하여 염산농도 5∼12N의 염화니켈수용액으로하고, 이 염화니켈수용액을 음이온교환수지와 접촉시켜 불순물금속이온을 흡착시킨 후, 얻어진액을 증발건고(乾固) 또는 농축한 후, pH=0∼3의 고순도염화니켈수용액으로하고, 또 활성탄에 의해 액속의 유기물을 제거하고, 이 수용액을 전해액으로서 전해정제에 의해 전석(電析)니켈을 얻는 것을 특징으로 하는 고순도니켈의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 음이온교환시의 수용액의 유속을 광간속도 SV=0.01∼1로 하는 것을 특징으로 하는 고순도니켈의 제조방법.
  3. 제 1항∼제 2항에 있어서, 전해정제에 있어서 양극과 음극을 격막 또는 음이온교환막에 의해 간막이하고, 또한, 고순도염화니켈수용액을 적어도 간헐적으로 음극쪽에 넣는 동시에, 약극액(anolyte)을 적어도 간헐적으로 빼내는 것을 특징으로 하는 고순도니켈의 제조방법.
  4. 제 3항에 있어서, 빼낸 양극액의 염산농도를 5∼12N으로한 후, 음이온교환수지에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 고순도니켈의 제조방법.
  5. 제 1항∼제 4항에 있어서, 활성탄을 미리 산에 의해 처리하는 것을 특징으로 하는 상기 고순도니켈의 제조방법.
  6. 제 1항∼제 5항에 있어서, 전석니켈을 또 진공용해하는 것을 특징으로 하는 고순도니켈의 제조방법.
  7. 알칼리금속원소함유량 각 1ppm이하, Fe, Co, Cr 각 10ppm이하, U, Th 각 1ppm이하, 탄소 50ppm이하, 산소 100ppm이하, 나머지부가 니켈 및 불가피불순물인 것을 특징으로 하는 박막형성용 고순도니켈재료.
  8. 알칼리금속원소함유량 각 0.1ppm이하, Fe, Co, Cr 각 1ppm이하, U, Th 각 0.1ppm이하, 탄소 20ppm이하, 산소 50ppm이하, 나머지부가 니켈 및 불가피불순물인 것을 특징으로 하는 박막형성용 고순도니켈재료.
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