KR19980068515A - 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 서로 직교하도록 형성되는 다수의 게이트라인 및 데이터라인과, 게이트라인 및 데이터라인의 신호에 따라 동작되는 스위칭소자와, 스위칭소자의 스위칭 동작에 의하여 데이터라인의 신호가 연결 또는 차단되는 화소전극과, 화소전극과 캐패시터를 형성하는 스토리지전극을 가지고 있는 액정표시장치에 있어서, 스토리지전극이 스위칭소자의 활성층을 형성하는 반도체 물질과 동일한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하고 있으며, 복잡한 공정을 더 추가하지 않고서도 화소의 개구율을 향상시킬 수 있다.

Description

액정표시장치 및 그 제조방법
본 발명은 액정표시장치(LCD : Liquid Crystal Display) 및 그 제조방법에 관한 것으로 특히, 스토리지 캐패시터를 구비하면서 화소의 개구율을 향상시킬 수 있는 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
액정표시장치는 게이트 라인, 데이타 라인, 화소 전극 및 화소 전극에 인가되는 전계를 제어하기 위한 스위칭 수단인 박막트랜지스터 등이 매트릭스 상으로 배열되어 있는 하판을 형성하는 공정과, 공통 전극과 칼라 필터가 부착되어 있는 상판을 형성하는 공정과, 이 상판과 하판 사이에 액정을 주입하고 밀봉하여 두 기판을 합착하는 공정과, 두 기판의 외부면에 편광판을 부착하는 공정과, 구동회로칩을 하판에 실장하는 공정과, 백라이트(back light)부를 편광판의 외부에 설치하는 공정 등을 거쳐서 제조된다.
통상적으로, 하판에는 데이타 라인과 게이트 라인이 교차하여 매트릭스 형상의 화소 어레이를 형성하는데, 각 화소에는 게이트 라인과 데이타 라인에 각각 연결되는 박막트랜지스터와, 박막트랜지스터의 일 전극에 연결되어 있는 화소 전극을 구비하고 있다.
개구율이란 화소의 면적 중 실제 빛이 투과하는 면적을 비로 나타낸 것으로, 이 값이 클수록 액정표시장치의 화질을 결정하는 특징으로 가지고 있다. 따라서 개구율을 향상시키기 위하여 빛이 투과하는 화소전극의 면적을 크게 하는 구조로 지향하는 것이 좋다. 또한, 액정표시장치를 사용하기 위하여 필요한 소비전력 중 50% 이상이 백라이트부가 사용한다. 따라서 화소의 개구율을 향상시키는 구조는 백라이트부가 사용하는 소비전력을 줄일 수 있다.
도 1은 종래의 기술에 의한 제1액정표시장치의 평면도를 나타낸 것이다.
도면은 게이트라인(13L)과 데이타라인(15L)이 교차하여 형성한 하나의 화소를 보여주고 있다. 게이트라인(13L)에는 게이트전극(13G)이 연결되어 있고, 활성층(11)이 게이트전극(13G) 하부를 횡단하도록 위치하고 있다. 활성층(11) 내의 게이트전극(13G)의 좌측 부분에는 소오스영역(11S)이 형성되어 있고, 우측 부분에는 드레인영역(11D)이 형성되어 있다. 특히 활성층(11)의 소오스영역(11S)에는 데이타라인(15L)이 연결되어 있고, 드레인영역(11D)에는 화소 전체를 덮는 화소전극(17)이 연결되어 있어서, 데이타라인(11L)을 통하여 인가되는 데이타 신호가 소오스영역(15S)과 드레인영역(15D)을 통하여 화소전극(17)에 도달할 수 있도록 하였다.
화소의 중앙부에는 스토리지 캐패시터가 횡단하고 있다. 이 중, 제1스토리지전극(21)은 활성층(11)과는 일체로 연결되되, 이와 동일물질로 형성되어 있고, 제2스토리지전극(22)은 게이트라인(13L)과는 동일층 상에 동일 물질로 형성되되, 제1스토리지전극(21)에 중첩되도록 형성되어 있다.
도 2는 도 1에 보여준 종래의 액정표시장치를 I-I 절단선을 따라 나타낸 단면도이다.
유리기판(10)상에 활성층(11)과 제1스토리지전극(21)이 동일 물질로 형성되어 있고, 그 위로 게이트절연막(12)이 형성되어 있다. 게이트절연막(12) 상에는 활성층(11)에 채널영역(11C)을 정의하는 게이트전극(13G)과, 이 게이트전극(13G)과는 동일 도전물질로 형성된 제2스토리지전극(22)이 형성되어 있다. 이때, 제2스토리지전극(22)은 제1스토리지전극(21)과 중첩하고 있다. 그리고 그 위로 제1층간절연막(14)이 형성되어 있다. 제1층간절연막(14) 상에는 게이트절연막(12)과 제1층간절연막(14)이 공동으로 형성하는 콘택홀을 통하여 노출된 소오스영역(11S)에 연결된 데이타라인(15L)이 형성되어 있다. 그리고 그 위로 제2층간절연막(16)이 형성되어 있다. 제2층간절연막(16) 상에는 게이트절연막(12), 제1층간절연막(14) 및 제2층간절연막(16)에 공동으로 형성된 콘택홀에 통하여 노출된 드레인영역(11D)에 연결된 화소전극(17)이 넓게 형성되어 있다.
도면은 제1스토리지전극(21), 게이트절연막(12) 및 제2스토리지전극(22)으로 구성되는 스토리지 캐패시터의 단면을 보여주고 있다.
그러나 상술한 바와 같은 종래의 제1액정표시장치에서는 제2스토리지전극이 금속물질 즉, 빛을 투과하지 않은 불투명 도전 물질로 형성되되, 화소 중앙부를 횡단하도록 위치하기 때문에, 화소의 개구율을 감소시키는 요인이 되었다.
도 3은 종래의 기술에 의한 제2액정표시장치의 평면도를 나타낸 것이다.
도면은 게이트라인(13L)과 데이타라인(15L)이 교차하여 형성한 하나의 화소를 보여주고 있다. 게이트라인(13L)에는 게이트전극(13G)이 연결되어 있고, 활성층(11)이 게이트전극(13G) 하부를 횡단하고 있다. 활성층(11) 내의 게이트전극 좌측 부분에는 소오스영역(11S)이 형성되어 있고, 우측 부분에는 드레인영역(11D)이 형성되어 있다. 특히, 활성층(11)의 소오스영역(15S)에는 데이타라인(15L)이 연결되어 있고, 드레인영역(11D)에는 화소 전체를 덮는 화소전극(19)이 연결되어 있어서, 데이타라인(15L)을 통하여 인가되는 데이타신호가 소오스영역(11S)과 드레인영역(11D)을 통하여 화소전극(19)에 도달할 수 있게 하였다.
이 화소에서는 드레인영역(11D) 주변부를 제외한 화소 전체에 스토리지 캐패시터가 형성되어 있다. 제1스토리지전극(17)은 투명 도전 물질, 예를 들어 ITO(Indium Tin Oxide)로 형성되어 있고, 제2스토리지전극은 제1스토리지전극(17)과 중첩되도록 위치하는 화소전극(19)을 이용하고 있다. 이와 같이, 투명도전물질로 스토리지 캐패시터를 형성하기 때문에 언급한 종래의 제1액정표시장치에 비하여 개구율을 대폭 향상시킬 수 있다. 이때 화소 전체에 형성된 제1스토리지전극(17)에 드레인영역(11D)을 노출시키는 콘택홀이 형성된 이유는 드레인영역(11D)을 제1스토리지전극(17)의 상부에 위치한 화소전극(19)에 연결되게 하기 위해서이다.
도 4는 도 3에 보여준 종래의 제2액정표시장치를 II-II 절단선을 따라 나타낸 단면도이다.
유리기판(10) 상에 활성층(11)이 형성되어 있고, 그 위로 게이트절연막(12)이 형성되어 있다. 게이트절연막(12) 상에는 활성층(11)에 채널영역(11C)을 정의하는 게이트전극(13G)이 그리고 그 위로 제1층간절연막(14)이 형성되어 있다. 제1층간절연막(14) 상에는 게이트절연막(12)과 제1층간절연막(14)이 공동으로 형성하는 콘택홀을 통하여 노출된 소오스영역(11S)에 연결된 데이타라인(15L)이 형성되어 있다. 그리고 그 위로 제2층간절연막(16)이 형성되어 있다. 제2층간절연막(16) 상에는 드레인전극(11D)에 중첩되지 않도록 위치하되, 투명도전물질로 형성되는 제1스토리지전극(21)이 형성되어 있다. 그리고 그 위로 제3층간절연막(18)이 형성되어 있다. 제3층간절연막(18) 상에는 게이트절연막(12), 제1층간절연막(14), 제2층간절연막(16) 및 제3층간절연막(18)에 공동으로 형성된 콘택홀에 통하여 노출된 드레인영역(11D)에 연결된 화소전극(17)이 넓게 형성되어 있다.
도면은 제1스토리지전극(21), 제3층간절연막(18) 및 제2스토리지전극(22)으로 구성되는 스토리지 캐패시터의 단면을 보여주고 있다.
그러나 상술한 바와 같은 종래의 제2액정표시장치는 도 4에 보인 바와 같이, 투명물질로 스토리지 캐패시터를 형성하기 때문에 언급한 종래의 제1액정표시장치에 비하여 개구율을 대폭 향상시킬 수 있지만, 제3층간절연막과 제1스토리지전극을 추가로 형성하고 있다. 따라서 이를 위한 증착공정, 사진식각공정 등을 더 실시하여야 한다. 이러한 공정들은 다소 복잡하고, 세심하게 진행하여야 하는 일련의 단위공정을 거쳐야 하기 때문에 생산수율을 저하시킨다.
본 발명은 복잡한 공정을 더 추가하지 않고서도 화소의 개구율을 향상시키는 액정표시장치를 제공하는데 목적을 두고 있다.
도 1은 종래의 기술에 따른 제1액정표시장치의 평면도
도 2는 도 1의 I-I 절단선을 따라 나타낸 단면도
도 3은 종래의 기술에 따른 제2액정표시장치의 평면도
도 4는 도 2의 II-II 절단선을 따라 나타낸 단면도
도 5는 본 발명에 따른 실시예를 보여주는 액정표시장치의 평면도
도 6은 도 5의 III-III 절단선을 따라 나타낸 단면도
도 7은 도 5와 도 6에 나타낸 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조공정도
이를 위한 본 발명은 기판 상에 서로 직교하도록 형성되는 다수의 게이트라인 및 데이터라인과, 상기 게이트라인 및 상기 데이터라인의 신호에 따라 동작되는 스위칭소자와, 상기 스위칭소자의 스위칭 동작에 의하여 상기 데이터라인의 신호가 연결 또는 차단되는 화소전극과, 상기 화소 전극과 캐패시터를 형성하는 스토리지전극을 가지고 있는 액정표시장치에 있어서, 상기 스토리지전극이 상기 스위칭 소자의 활성층을 형성하는 반도체 물질과 동일한 물질로 형성된 것이 특징이다.
또한, 본 발명은 액정표시장치의 제조방법에 있어서, 기판 상에 활성층과, 상기 활성층과는 동일물질로 동일층에 위치하는 스토리지전극을 형성하는 단계와, 상기 단계의 결과인 기판의 표면에 제1절연막을 형성하는 단계와, 상기 제1절연막 상에 게이트전극 및 상기 게이트전극에 연결되는 게이트 라인을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극 양편의 활성층에 불순물층을 형성하여 소오스영역 및 드레인영역을 형성하는 단계와, 상기 단계의 결과인 기판의 표면에 제2절연막을 형성하는 단계와, 상기 제1절연막과 상기 제2절연막에 상기 소오스영역 일부를 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 소오스영역에 연결되는 데이타라인을 형성하는 단계와, 상기 단계의 결과인 기판의 표면에 제3절연막을 형성하는 단계와, 상기 제1, 제2, 제3절연막에 상기 드레인영역 일부를 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 드레인영역에 연결되되, 상기 스토리지전극과 상응하여 스토리지 캐패시터를 형성하는 화소전극을 형성하는 단계를 포함한다.
통상적인 경우, 활성층은 광투광성을 가지는 비정질 실리콘 혹은 다결정 실리콘으로 형성하기 때문에 본 발명에 의하여 형성되는 스토리지전극 또한, 광투과성을 가진다.
도 4는 본 발명의 실시예를 보여주는 액정표시장치의 평면도를 나타낸 것이다.
도면은 게이트라인(53L)과 데이타라인(55)이 교차하여 형성한 하나의 화소를 보여주고 있다. 게이트라인(53L)에는 게이트전극(53G)이 연결되어 있고, 활성층(51)이 게이트전극(53G)의 하부에 교차하여 위치하고 있다. 활성층(51) 내의 게이트전극(53G) 좌측 부분에는 소오스영역(51S)이 형성되어 있고, 우측 부분에는 드레인영역(51D)이 형성되어 있다. 이때 소오스영역(51S)은 데이타라인(55)에 전기적으로 연결되어 있다. 따라서 게이트전극(53G)과 소오스영역(51S)과 드레인영역(51D)은 스위칭소자의 기능을 할 수 있다. 한편 활성층(51)과 동일층 상에는 활성층과 동일물질로 형성되는 제1스토리지전극(61)이 스위칭소자의 일부를 제외한 화소 전체를 덮도록 형성되어 있다. 그리고 드레인영역(51D)에 연결되는 화소전극(62)이 화소 전체를 덮도록 형성되어 있다. 따라서 화소전극(62)은 제1스토리지전극(61)과 중첩되어 스토리지 캐패시터를 이루는 제2스토리지전극의 역할을 하고 있다. 제1스토리지전극(61)은 활성층 형성 물질로 사용되는 비정질 실리콘 혹은 다결정 실리콘으로 형성되기 때문에 광투과성을 가진다. 또한, 제2스토리지전극으로 이용되는 화소전극(62)도 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명도전물질로 형성한다. 도 5에 보여준 본 발명에 따른 액정표시장치를 III-III 절단선을 따라 나타낸 단면도이다.
유리기판(50) 상에 활성층(51)과 이 활성층과 동일물질로 형성되는 제1스토리지전극(61)이 형성되어 있다. 제1스토리지전극(61)은 전도성을 높이기 위하여 활성층(51)의 소오스영역(51S) 및 드레인영역(51D)과 같이, 도전형 이온이 도핑되어 있다. 그리고 그 위로 게이트절연막(52)이 형성되어 있다. 게이트절연막(52) 상에는 활성층(51)에 채널영역(51C)을 정의하는 게이트전극(53G)이 형성되어 있다. 그리고 그 위로 제1층간절연막(54)이 형성되어 있다. 제1층간절연막(54) 상에는 게이트절연막(52)과 제1층간절연막(54)이 공동으로 형성하는 콘택홀을 통하여 노출된 소오스영역(51S)에 연결된 데이타라인(55L)이 형성되어 있다. 그리고 그 위로 제2층간절연막(56)이 형성되어 있다. 제2층간절연막(56) 상에는 게이트절연막(52), 제1층간절연막(54) 및 제2층간절연막(56)에 공동으로 형성된 콘택홀을 통하여 노출된 드레인영역(51D)에 연결된 화소전극(62)이 넓게 형성되어 있다.
도면은 제1스토리지전극(61), 제1층간절연막(54), 제2층간절연막(56) 및 화소전극(62)인 제1스토리지전극으로 구성되는 스토리지 캐패시터의 단면을 보여주고 있다.
도 7은 도 5와 도 6에 나타낸 액정표시장치의 제조공정도를 나타낸 것이다.
도 7(가)를 참조하면, 기판(50) 상에 실리콘박막을 400~600Å정도로 형성하고, 이 실리콘박막을 사진식각공정으로 패터닝하여 활성층(51) 및 제1스토리지전극(61)을 형성한다. 따라서 활성층(51)과 제1스토리지전극(61)은 동일층에 동일물질로 형성되는 것이다. 제1스토리전극(61)은 평면도에 보인 바와 같이, 화소전체에 형성되되, 활성층(51)과는 분리되도록 형성한다. 상기에서 실리콘박막을 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등과 같은 증착기술에 의하여 비정질 실리콘 혹은 다결정 실리콘 등과 같은 반도체물질을 증착하여 형성할 수 있다. 또한, CF4+O2가스 혹은 C2ClF5+O2가스 등을 사용하는 건식식각을 진행하여 실리콘박막을 패터닝할 수 있다.
도 7(나)를 참조하면, 게이트절연막(52)을 800~1000Å 정도로 형성한다. 상기에서 게이트절연막(52)을 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등과 같은 증착기술에 의하여 산화실리콘 혹은 질화실리콘 등과 같은 절연물질을 증착하여 형성할 수 있다(이하 언급되는 절연막을 이와 같은 방법으로 형성할 수 있다).
이어서, 게이트절연막(52) 상에 고농도의 이온으로 도핑된 다결정 실리콘이나 금속박막 같은 도전성 물질은 3000~4000Å 정도로 형성하고, 이 도전성 물질은 사진식각공정으로 패터닝하여 게이트라인(53L) 및, 이 게이트라인(53L)에 연결되는 게이트전극(53G)을 형성한다. 상기에서 금속박막을 스퍼터링(sputtering) 등과 같은 증착기술에 의하여 크롬, 알미늄, 몰리브덴 등과 같은 금속, 혹은, 이들 금속의 합금을 증착하여 형성할 수 있다(이하 금속박막을 이와 같은 방법으로 형성할 수 있다). 또한, 강산 용액을 사용하는 습식식각을 진행하여 금속박막을 패터닝할 수 있다(이하 금속박막을 이와 같은 방법으로 식각할 수 있다).
미설명 도면부호(51C)는 게이트전극(53)의 존재로 활성층(51)에 정의되는 채널영역(51C)을 나타낸다.
도 7(다)를 참조하면, 노출된 전면에 이온 도핑 공정을 실시한다. 그 결과, 게이트라인(53L) 및 게이트전극(53G)으로 이온 블로킹(blocking) 되지 않는 활성층(51) 부분과 제1스토리지전극(61) 부분에는 이온이 주입된다. 이때 활성층(51)에 주입된 이온들은 채널영역(51C)의 좌우에서 소오스영역(51S)과 드레인영역(51D)이 된다. 그리고, 제1스토리지전극(61)에 주입된 이온은 제1스토리지전극(61)의 도전성을 높이는 기능을 한다.
도핑 공정은 입자의 이동도가 높은 n형 이온을 사용하는데, 제조조건에 따라, 예를 들어, p형 트랜지스터를 형성할 경우, p형 이온을 사용하기도 한다. n형 이온에는 인(P) 또는 아세닉(As) 등이 사용될 수 있고, p형 이온에는 붕소(B) 등이 사용될 수 있다.
SF6+O2/He 가스 혹은 C2F6+O2가스 등을 사용하는 건식식각을 진행하여 패터닝할 수 있다. 이후, 패터닝된 제1층간절연막(54)을 마스크로 하여 노출된 게이트절연막(52) 부분을 식각하여 제1층간절연막(54)과 게이트절연막(52)에 공동 콘택홀을 형성한다(이하 절연막을 이와 같은 방법으로 식각할 수 있다).
이어서, 노출된 전면에 금속박막을 3000~5000Å 정도로 형성하고, 이 금속박막을 사진식각공정으로 패터닝하여 노출된 소오스영역(51S)에 연결되는 데이타라인(55L)을 형성한다.
도 7(마)를 참조하면, 제2층간절연막(56)을 4000~5000Å 정도로 형성하고, 이 제2층간절연막(56)을 사진식각공정으로 패터닝하여 하부에 드레인영역(60D)이 위치하는 제2층간절연막(56) 부분을 노출시킨다. 이후, 패터닝된 제2층간절연막(56)을 마스크로 하여 노출된 제1층간절연막(54)부분을 식각하고, 같은 방법으로 게이트절연막(52)을 식각하여 제2층간절연막(56), 제1층간절연막(54) 및 게이트절연막(52)에 공동 콘택홀을 형성한다.
이어서, 전면에 투명도전층을 1000~1500Å 정도로 형성하고, 이 투명도전층을 사진식각공정으로 패터닝하여 화소전극(57)을 형성한다. 상기에서 투명도전층을 스퍼터링(sputtering) 등과 같은 증착기술에 의하여 ITO 등과 같은 투명도전물질을 증착하여 형성할 수 있다. 또한, 투명도전층을 강산 용액, 예를 들어, (제이염화철+염산+질산)의 혼합용액을 사용하는 습식식각을 진행하여 패터닝할 수 있다.)
화소전극은 단면도인 도 5에 보인 바와 같이 화소 전체에 형성된다. 따라서 그 하부에 위치하여 화소 전체에 형성된 제1스토리지전극, 제2층간절연막, 제1층간절연막과 함께 스토리지 캐패시터를 이루고 있다. 즉, 화소 전극은 제2스토리지 전극으로 사용되는 것이다. 이와 같이, 제1스토리지전극(61)과 제2스토리지전극인 화소전극(62)으로 형성되는 스토리지 캐패시터는 화소 전체를 덮도록 형성되어 있지만, 광투과성을 가지고 있기 때문에 화소의 개구율을 전혀 감소시키지 않는다.
본 발명에서는 박막트랜지스터를 탑게이트의 구조로 형성하였지만, 박막트랜지스터의 구조에 관계 없이, 활성층과 제1스토리지전극을 동일물질로 형성하고, 화소전극을 제2스토리지전극으로 사용하여 스토리지 캐패시터를 형성할 수 있다.
본 발명에서는 스토리지 캐패시터가 화소의 대부분을 덮고 있지만, 제1스토리지전극과 제2스토리지전극을 투명도전물질로 형성하기 때문에 종래의 액정표시장치에 비하여 개구율이 훨씬 향상된 구조를 하고 있다. 따라서 동일 밝기를 내는 목적하에서는 액정표시장치의 백라이라이트부가 사용하는 소비전력을 줄일 수 있다.

Claims (6)

  1. 기판 상에 서로 직교하도록 형성되는 다수의 게이트라인 및 데이터라인과, 상기 게이트라인 및 상기 데이터라인의 신호에 따라 동작되는 스위칭소자와, 상기 스위칭소자의 스위칭 동작에 의하여 상기 데이터라인의 신호가 연결 또는 차단되는 화소전극과, 상기 화소전극과 캐패시터를 형성하는 스토리지전극을 가지고 있는 액정표시장치에 있어서,
    상기 스토리지전극이 상기 스위칭소자의 활성층을 형성하는 반도체 물질과 동일한 물질로 형성된 것이 특징인 액정표시장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 반도체 물질을 비정질실리콘 혹은 다결정실리콘인 것이 특징인 액정표시장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 스토리지전극은 상기 스위칭소자가 형성되는 영역을 제외한 화소 형성 영역 전체에 형성되는 것이 특징인 액정표시장치.
  4. 액정표시장치의 제조방법에 있어서,
    기판 상에 활성층과, 상기 활성층과는 동일물질로 동일층에 위치하는 스토리지전극을 형성하는 단계와,
    상기 단계의 결과인 기판의 표면에 제1절연막을 형성하는 단계와,
    상기 제1절연막 상에 게이트전극 및 상기 게이트전극에 연결되는 게이트 라인을 형성하는 단계와,
    상기 게이트 전극 양편의 활성층에 불순물층을 형성하여 소오스영역 및 드레인영역을 형성하는 단계와,
    상기 단계의 결과인 기판의 표면에 제2절연막을 형성하는 단계와,
    상기 제1절연막과 상기 제2절연막에 상기 소오스영역 일부를 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계와,
    상기 소오스영역에 연결되는 데이타라인을 형성하는 단계와,
    상기 단계의 결과인 기판의 표면에 제3절연막을 형성하는 단계와,
    상기 제1, 제2, 제3절연막에 상기 드레인영역 일부를 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계와,
    상기 드레인영역에 연결되되, 상기 스토리지전극과 상응하여 스토리지 캐패시터를 형성하는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 활성층에 불순물층을 형성하는 공정시, 상기 게이트전극 및 상기 게이트라인을 마스크로하는 도핑공정을 실시하여, 상기 스토리지전극에도 불순물을 도핑하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 불순물은 제1도전형을 가지는 이온인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
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