KR102631487B1 - 가공 방법 - Google Patents

가공 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102631487B1
KR102631487B1 KR1020200009756A KR20200009756A KR102631487B1 KR 102631487 B1 KR102631487 B1 KR 102631487B1 KR 1020200009756 A KR1020200009756 A KR 1020200009756A KR 20200009756 A KR20200009756 A KR 20200009756A KR 102631487 B1 KR102631487 B1 KR 102631487B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
workpiece
processing
holding table
machining
along
Prior art date
Application number
KR1020200009756A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200103533A (ko
Inventor
잭슨 파오
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20200103533A publication Critical patent/KR20200103533A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102631487B1 publication Critical patent/KR102631487B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/022Cleaning travelling work
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/024Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00Other grinding machines or devices
    • B24B27/06Grinders for cutting-off
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00Other grinding machines or devices
    • B24B27/06Grinders for cutting-off
    • B24B27/0683Accessories therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment

Abstract

(과제) 피가공물의 가공 시간을 단축시킨다.
(해결 수단) 피가공물을 유지하는 유지 테이블과, 가공액을 분사하는 분사 노즐을 구비한 가공 장치로, 제 1 방향을 따른 제 1 가공 예정 라인 및 제 2 방향을 따른 제 2 가공 예정 라인이 설정된 그 피가공물을 가공하는 가공 방법으로서, 그 피가공물의 그 제 1 방향을 가공 이송 방향에 맞추어 그 분사 노즐을 그 제 1 가공 예정 라인의 일단에 위치시키는 제 1 위치 지정 스텝과, 가공액으로 그 제 1 가공 예정 라인을 따라 그 피가공물을 가공하는 제 1 가공 스텝과, 그 유지 테이블을 회전시켜 그 피가공물의 그 제 2 방향을 그 가공 이송 방향에 맞춤과 함께 그 분사 노즐을 그 제 2 가공 예정 라인의 일단에 위치시키는 제 2 위치 지정 스텝을 구비하고, 그 제 2 위치 지정 스텝에서는, 그 유지 테이블의 회전 중에 가공액이 그 피가공물에 계속 분사되도록 그 유지 테이블 및 그 분사 노즐을 상대적으로 이동시킨다.

Description

가공 방법{PROCESSING METHOD}
본 발명은, 가압된 액체를 분사함으로써 피가공물을 가공하는 가공 방법에 관한 것이다.
기판 상에 배치된 복수의 디바이스 칩을 수지로 이루어지는 봉지재 (몰드 수지) 로 피복하여 이루어지는 패키지 기판이나, 복수의 디바이스가 형성된 반도체 웨이퍼 등으로 대표되는 판상의 피가공물을 디바이스마다 분할하면, 개개의 칩이 얻어진다. 피가공물에는, 예를 들어, 제 1 방향을 따른 제 1 가공 예정 라인과, 그 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향을 따른 제 2 가공 예정 라인이 설정된다. 그리고, 개개의 칩을 형성할 때에는, 피가공물을 각 가공 예정 라인을 따라 분할한다.
또, 피가공물은 각 가공 예정 라인을 따라 가공되어, 소정 깊이의 홈 (하프 컷 홈으로 불린다) 이 피가공물의 표면에 형성되는 경우가 있다. 피가공물의 분할이나 가공에는, 예를 들어, 원환상의 절삭 블레이드를 구비하는 절삭 장치가 사용된다.
그 절삭 블레이드를 회전시켜, 그 절삭 블레이드를 그 피가공물의 각 가공 예정 라인을 따라 표면으로부터 소정의 깊이까지 절입시키면 홈을 형성할 수 있다. 그 후, 피가공물에 도금 등의 가공을 실시한 후에, 그 홈의 바닥면을 그 절삭 블레이드로 더욱 절삭하여 피가공물을 분할하면 개개의 칩을 형성할 수 있다.
또한, 피가공물은, 외주부가 환상 프레임에 첩착 (貼着) 된 점착 테이프에 첩착되는 경우가 있다. 피가공물과 점착 테이프와 환상 프레임의 일체물은, 예를 들어, 프레임 유닛으로 불린다. 피가공물이 프레임 유닛의 상태로 되어 있으면, 피가공물의 반송이 용이해지고, 또, 피가공물이 분할되어 형성되는 칩을 점착 테이프로 지지할 수 있다.
가공 예정 라인에 높은 연성 (延性) 을 갖는 금속 등의 부재가 존재하면, 절삭 블레이드에 의해 피가공물을 절삭하여 홈을 형성하였을 때에, 그 부재가 절삭 블레이드와 접촉하여 길게 늘어져, 형성된 홈으로부터 버로 불리는 수염상의 돌기물이 발생하는 경우가 있다. 그 후에 피가공물을 분할하여 얻어지는 칩에 버가 남으면, 버를 개재하여 단락이 발생하거나, 칩을 소정의 실장 대상에 실장할 때에 버가 칩으로부터 낙하하는 등 하여 실장 불량이 발생하거나 하는 경우가 있다.
그래서, 버를 제거하기 위해, 절삭에 의해 표면에 홈이 형성된 피가공물의 그 홈을 따라 가압된 물 등의 가공액을 분사할 수 있는 가공 장치가 개발되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조). 그 가공 장치는, 워터 제트 가공 장치로 불리고 있다. 이 가공 장치는, 가공액을 가압하여 피가공물의 그 홈을 향해 분사함으로써 그 피가공물로부터 버를 제거하는 등의 가공을 실시한다.
그 가공 장치는, 상면이 유지면이 되는 유지 테이블과, 그 유지 테이블에 유지된 피가공물에 가공액을 분사하는 분사 노즐을 구비한다. 그 가공 장치는, 유지 테이블 및 분사 노즐을 가공 이송 방향과, 그 가공 이송 방향과 직교하는 산출 이송 방향을 따라 상대적으로 이동 가능하다.
피가공물의 버를 제거할 때에는, 절삭되어 버가 생긴 피가공물을 유지 테이블의 유지면 상에 반입하여, 그 유지 테이블에 피가공물을 유지시킨다. 그리고, 유지 테이블을 그 유지면에 수직인 축의 둘레로 회전시켜, 피가공물의 그 제 1 방향을 그 가공 장치의 가공 이송 방향에 맞춘다.
그리고, 분사 노즐로부터 가공액을 분사시키면서 유지 테이블과 분사 노즐을 가공 이송 방향을 따라 상대적으로 이동시키면, 제 1 가공 예정 라인을 따라 피가공물이 가공된다. 그 후, 산출 이송 방향을 따라 유지 테이블 및 분사 노즐을 상대적으로 이동시킨 후, 다시 유지 테이블 및 분사 노즐을 가공 이송 방향을 따라 상대적으로 이동시키면, 다른 제 1 가공 예정 라인을 따라 피가공물이 가공된다.
모든 제 1 가공 예정 라인을 따라 피가공물을 가공한 후, 그 유지 테이블을 회전시켜 피가공물의 제 2 가공 예정 라인을 그 가공 장치의 가공 이송 방향에 맞춘다. 그리고, 유지 테이블 및 분사 노즐을 가공 이송 방향으로 상대적으로 이동시키면, 제 2 가공 예정 라인을 따라 피가공물이 가공된다.
일본 공개특허공보 2018-186133호
피가공물이 환상 프레임에 붙여진 점착 테이프에 첩착되어 있는 경우, 가공액이 점착 테이프에 분사되면 점착 테이프가 파단되어 버린다. 또, 가공액이 유지 테이블의 유지면에 분사되면, 유지 테이블이 파손되어 버리는 경우가 있다. 그 때문에, 제 1 가공 예정 라인을 따라 피가공물을 가공한 후, 제 2 가공 예정 라인을 따라 피가공물을 가공하기 전에 유지 테이블을 회전시킬 때에는, 가공액이 예기치 않게 피가공물 이외의 것에 분사되지 않도록 분사 노즐로부터의 가공액의 분사를 정지시킨다.
그러나, 유지 테이블의 회전을 완료시킨 후, 분사 노즐로부터의 가공액의 분출을 재개시킬 때에, 소정의 분사 조건에서 다시 가공액이 안정적으로 분사 노즐로부터 분출되도록 될 때까지 피가공물의 가공을 대기할 필요가 있다. 그 때문에, 피가공물의 가공 시간을 줄이기 위해, 피가공물의 가공이 실시되지 않는 대기 시간의 단축이 요망되고 있다.
본 발명은 이러한 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 점착 테이프나 유지 테이블 등의 손상을 방지하면서 피가공물의 가공 시간을 단축시킬 수 있는 가공 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 피가공물을 유지하는 유지면을 갖는 유지 테이블과, 그 유지 테이블에서 유지된 피가공물에 가공액을 분사하는 분사 노즐과, 그 유지 테이블 및 그 분사 노즐을 가공 이송 방향을 따라 상대적으로 이동시키는 가공 이송 유닛과, 그 유지 테이블을 그 유지면에 수직인 방향을 따른 축의 둘레로 회전시키는 회전 유닛을 구비한 가공 장치로, 제 1 방향을 따른 제 1 가공 예정 라인 및 그 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향을 따른 제 2 가공 예정 라인이 표면에 설정된 그 피가공물을 가공하는 가공 방법으로서, 그 피가공물을 그 유지 테이블에서 유지하는 유지 스텝과, 그 유지 스텝을 실시한 후, 그 회전 유닛으로 그 유지 테이블을 회전시켜 그 피가공물의 그 제 1 방향을 그 가공 이송 방향에 맞춤과 함께, 그 분사 노즐을 그 제 1 가공 예정 라인의 일단에 위치시키는 제 1 위치 지정 스텝과, 그 제 1 위치 지정 스텝을 실시한 후, 그 분사 노즐로부터의 가공액의 분사를 개시하고, 그 후, 그 유지 테이블 및 그 분사 노즐을 그 가공 이송 방향을 따라 상대적으로 이동시킴으로써 그 가공액으로 그 제 1 가공 예정 라인을 따라 그 피가공물을 가공하는 제 1 가공 스텝과, 그 제 1 가공 스텝을 실시한 후, 그 회전 유닛으로 그 유지 테이블을 회전시켜 그 피가공물의 그 제 2 방향을 그 가공 이송 방향에 맞춤과 함께, 그 분사 노즐을 그 제 2 가공 예정 라인의 일단에 위치시키는 제 2 위치 지정 스텝과, 그 제 2 위치 지정 스텝을 실시한 후, 그 유지 테이블 및 그 분사 노즐을 그 가공 이송 방향을 따라 상대적으로 이동시켜 그 분사 노즐로부터 분사되는 그 가공액으로 그 제 2 가공 예정 라인을 따라 그 피가공물을 가공하는 제 2 가공 스텝을 구비하고, 그 제 2 위치 지정 스텝에서는, 그 유지 테이블의 회전 중에 그 가공액이 그 피가공물에 계속 분사되도록 그 유지 테이블 및 그 분사 노즐을 상대적으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 가공 방법이 제공된다.
바람직하게는, 그 피가공물의 그 표면에는, 복수의 그 제 1 가공 예정 라인 및 복수의 그 제 2 가공 예정 라인이 설정되고, 그 피가공물은, 그 제 1 가공 예정 라인과 그 제 2 가공 예정 라인으로 구획되는 각 영역에 각각 디바이스가 배치 형성된 디바이스 영역과, 그 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 그 표면에 갖고, 그 제 2 위치 지정 스텝에서는, 그 유지 테이블의 회전 중에 그 가공액이 그 피가공물의 그 외주 잉여 영역에 계속 분사된다.
또는, 바람직하게는, 그 피가공물의 그 표면에는, 그 제 1 가공 예정 라인을 따른 제 1 홈과, 그 제 2 가공 예정 라인을 따른 제 2 홈이 형성되어 있고, 그 제 2 위치 지정 스텝에서는, 그 유지 테이블의 회전 중에 그 가공액이 그 피가공물의 그 제 1 홈 또는 그 제 2 홈의 어느 것에 계속 분사된다.
본 발명의 일 양태에 관련된 가공 방법에서는, 제 2 위치 지정 스텝에 있어서 유지 테이블을 회전시킬 때에, 가공액이 피가공물에 계속 분사되도록 유지 테이블 및 분사 노즐을 상대적으로 이동시킨다. 이 경우, 유지 테이블을 회전시킬 때에 분사 노즐로부터의 가공액의 분사를 정지시키고 있지 않아도 가공액이 피가공물 이외의 것에 직접 분사되는 경우는 없다. 즉, 유지 테이블을 회전시킬 때에 분사 노즐로부터의 가공액의 분사를 정지시킬 필요가 없다.
가공액의 분사를 정지시키지 않으면 가공액이 소정의 분사 조건에서 안정적으로 분사 노즐로부터 계속 분사되기 때문에, 제 2 위치 지정 스텝을 실시한 후, 제 2 가공 스텝의 실시를 대기할 필요가 없다. 따라서, 피가공물의 가공 시간을 단축시킬 수 있다.
따라서, 본 발명에 의해, 점착 테이프나 유지 테이블 등의 손상을 방지하면서 피가공물의 가공 시간을 단축시킬 수 있는 가공 방법을 제공할 수 있다.
도 1 은, 가공 장치를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 2(A) 는, 유지 스텝을 모식적으로 나타내는 단면도이고, 도 2(B) 는, 유지 테이블에 유지된 프레임 유닛을 모식적으로 나타내는 상면도이다.
도 3 은, 피가공물의 상면을 확대하여 모식적으로 나타내는 상면도이다.
도 4(A) 는, 제 1 가공 스텝을 모식적으로 나타내는 단면도이고, 도 4(B) 는, 제 2 가공 스텝을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 5(A) 는, 제 1 가공 스텝의 종료시에 있어서의 분사 노즐의 위치를 모식적으로 나타내는 상면도이고, 도 5(B) 는, 제 2 위치 지정 스텝을 모식적으로 나타내는 상면도이며, 도 5(C) 는, 제 2 가공 스텝의 개시시에 있어서의 분사 노즐의 위치를 모식적으로 나타내는 상면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 실시형태를 설명한다. 도 1 은, 본 실시형태에 관련된 가공 방법을 실시할 때에 사용되는 가공 장치 (2) 를 나타내는 사시도이다. 가공 장치 (2) 는, 절삭 블레이드에 의해 피가공물을 절삭할 수 있음과 함께, 가압된 액체 (이하, 가공액이라고 한다) 를 피가공물에 분사하여 피가공물을 가공할 수 있다.
가공 장치 (2) 는, 그 가공 장치 (2) 를 구성하는 각 구성 요소를 지지하는 기대 (基臺) (4) 를 구비한다. 기대 (4) 의 전방의 모서리부에는 개구 (4a) 가 형성되어 있고, 이 개구 (4a) 내에는 승강 기구 (도시 생략) 에 의해 승강하는 카세트 지지대 (6) 가 형성되어 있다. 카세트 지지대 (6) 의 상면에는, 복수의 피가공물 (1) 을 수용하는 카세트 (8) 가 탑재된다. 또한, 도 1 에서는 설명의 편의상, 카세트 (8) 의 윤곽만을 나타내고 있다.
피가공물 (1) 은, 환상 프레임 (9) 에 지지된 상태에서 카세트 (8) 내에 수용된다. 환상 프레임 (9) 에는, 그 환상 프레임 (9) 의 개구를 막도록 점착 테이프 (7) 가 붙여져 있고, 피가공물 (1) 은, 그 환상 프레임 (9) 의 그 개구 안에서 그 점착 테이프 (7) 에 붙여져 있다. 도 1 에는, 피가공물 (1) 과 점착 테이프 (7) 와 환상 프레임 (9) 이 일체화된 프레임 유닛 (11) 의 사시도가 나타나 있다.
단, 가공 장치 (2) 에 있어서 가공되는 피가공물 (1) 은, 프레임 유닛 (11) 의 상태인 경우에 한정되지 않는다. 본 실시형태에 관련된 가공 방법에서는, 피가공물 (1) 만을 가공 장치 (2) 에 반입하여 가공해도 된다. 이하, 피가공물 (1) 이 프레임 유닛 (11) 의 상태에서 가공 장치 (2) 에 있어서 가공되는 경우를 예로 설명한다.
피가공물 (1) 은, 사각 형상으로 형성된 판상의 기판 (1a) (도 2(A) 참조) 과, 기판 (1a) 에 배치된 복수의 디바이스 (5) (도 2(B) 등 참조) 를 구비하는 패키지 기판이다. 기판 (1a) 에는, 복수의 디바이스 (5) 를 봉지하는 수지층 (몰드 수지) (1b) 이 형성되어 있다. 단, 피가공물 (1) 은 패키지 기판인 경우에 한정되지 않고, 예를 들어, 피가공물 (1) 은 표면에 IC (Integrated Circuit) 등의 디바이스가 형성된 웨이퍼 등이어도 된다.
피가공물 (1) 의 수지층 (1b) 측에는, 기판 (1a) 의 전체를 덮을 수 있는 직경을 가지는 원형의 점착 테이프 (7) 가 첩착된다. 피가공물 (1) 의 수지층 (1b) 을 점착 테이프 (7) 의 중앙부에 첩착함으로써, 피가공물 (1) 은 기판 (1a) 이 상방에 노출된 상태에서 환상 프레임 (9) 에 지지된다. 단, 피가공물 (1) 의 수지층 (1b) 측이 상방에 노출되도록 기판 (1a) 을 점착 테이프 (7) 에 첩착해도 된다.
도 2(B) 에는, 피가공물 (1) 의 상방에 노출된 기판 (1a) 측을 확대하여 모식적으로 나타내는 상면도가 포함되어 있다. 피가공물 (1) 은, 제 1 방향 (1c) 을 따른 제 1 가공 예정 라인 (3a) 및 그 제 1 방향 (1c) 과 교차하는 제 2 방향 (1d) 을 따른 제 2 가공 예정 라인 (3b) 이 표면에 설정되어 있다. 도 2(B) 등에는, 제 1 방향 (1c) 과 제 2 방향 (1d) 이 직교하는 경우가 나타나 있지만, 피가공물 (1) 은 이것에 한정되지 않는다. 즉, 제 1 방향 (1c) 과 제 2 방향 (1d) 은, 서로 직교하고 있지 않아도 된다.
도 2(B) 등에 나타내는 바와 같이, 피가공물 (1) 의 표면에는 복수의 제 1 가공 예정 라인 (3a) 및 복수의 제 2 가공 예정 라인 (3b) 이 설정되어도 된다. 피가공물 (1) 의 그 제 1 가공 예정 라인 (3a) 과 그 제 2 가공 예정 라인 (3b) 으로 구획되는 각 영역에는, 각각 디바이스 (5) 가 배치되어 있다. 그리고, 피가공물 (1) 을 그 제 1 가공 예정 라인 (3a) 과 그 제 2 가공 예정 라인 (3b) 을 따라 분할하여 개편화하면, 각각 디바이스 칩을 포함하는 복수의 패키지 디바이스 가 얻어진다.
피가공물 (1) 의 표면 중 복수의 디바이스 (5) 가 배치 형성된 영역은 디바이스 영역 (5b) 으로 불리고, 그 디바이스 영역 (5b) 을 둘러싸는 그 디바이스 영역 (5b) 이외의 영역은 외주 잉여 영역 (5c) 으로 불린다. 피가공물 (1) 의 외주 잉여 영역 (5c) 에는, 디바이스 (5) 가 형성되어 있지 않다.
수지층 (1b) 의 내부에는, 수지층 (1b) 에 의해 덮인 디바이스 칩과 접속된 금속 (배선) 이 배치되어 있다. 그리고, 피가공물 (1) 의 상면측 (기판 (1a) 측) 에는 평면에서 보아 디바이스 (5) 를 둘러싸도록 수지층 (1b) 이 노출되고, 제 1 가공 예정 라인 (3a) 및 제 2 가공 예정 라인 (3b) 을 따라 그 금속이 그 수지층 (1b) 으로부터 노출되어 있다. 그리고, 제 1 가공 예정 라인 (3a) 및 제 2 가공 예정 라인 (3b) 을 따라 피가공물 (1) 에 하프 컷 홈으로 불리는 홈을 형성하면, 그 홈의 측벽에도 그 금속이 노출된다.
도 3 은, 제 1 가공 예정 라인 (3a) 을 따라 제 1 홈 (13a) 이 형성된 피가공물 (1) 의 상면측을 확대하여 모식적으로 나타내는 평면도이다. 피가공물 (1) 의 상면측 및 제 1 홈 (13a) 의 측벽에 노출되는 그 금속은, 피가공물 (1) 이 복수의 패키지 디바이스로 분할되고, 개개의 패키지 디바이스가 소정의 실장 대상에 실장될 때에, 그 실장 대상에 형성된 단자와 접속되는 접속용의 전극 (5a) 으로서 기능한다.
도 1 에 나타내는 가공 장치 (2) 에서는, 기대 (4) 의 상면의 카세트 지지대 (6) 의 측방에, 길이 방향이 X 축 방향 (가공 이송 방향) 을 따르도록 사각형의 개구 (4b) 가 형성되어 있다. 개구 (4b) 내에는, 볼 나사식의 X 축 이동 기구 (10) 와, X 축 이동 기구 (10) 의 상부를 덮는 테이블 커버 (12) 및 방진 방적 커버 (14) 가 배치되어 있다. X 축 이동 기구 (10) 는, 테이블 커버 (12) 에 의해 덮인 X 축 이동 테이블 (도시 생략) 을 구비하고 있어, 이 X 축 이동 테이블을 X 축 방향으로 이동시킨다.
카세트 지지대 (6) 의 측방에 근접하는 위치에는, 피가공물 (1) 을 임시 재치 (載置) 하기 위한 임시 재치 기구 (16) 가 형성되어 있다. 임시 재치 기구 (16) 는, 예를 들어, Y 축 방향 (산출 이송 방향) 과 평행한 상태를 유지하면서 접근, 이격되는 1 쌍의 가이드 레일 (16a, 16b) 을 포함한다. 1 쌍의 가이드 레일 (16a, 16b) 은, 카세트 (8) 로부터 인출된 피가공물 (1) 을 X 축 방향에 끼워 넣어 소정의 위치에 맞춘다.
X 축 이동 테이블의 상면에는, 피가공물 (1) 을 흡인 유지하는 유지 테이블 (18) 이 테이블 커버 (12) 로부터 노출되도록 형성되어 있다. 유지 테이블 (18) 의 상면은, 피가공물 (1) 을 흡인 유지하는 유지면 (18a) 으로 되어 있다. 유지면 (18a) 은, X 축 방향 및 Y 축 방향에 대해 대체로 평행하게 형성되어 있고, 유지 테이블 (18) 의 내부에 형성된 흡인로 (도시 생략) 등을 개재하여 이젝터 등의 흡인원 (도시 생략) 에 접속되어 있다.
유지 테이블 (18) 의 주위에는, 피가공물 (1) 을 지지하는 환상 프레임 (9) 을 사방으로부터 고정시키기 위한 4 개의 클램프 (20) 가 형성되어 있다. 또, 개구 (4b) 에 인접하는 영역에는, 피가공물 (1) 을 유지 테이블 (18) 등으로 반송하는 반송 유닛 (도시 생략) 이 배치되어 있다.
유지 테이블 (18) 은, 모터 등의 회전 유닛 (도시 생략) 에 연결되어 있다. 그 회전 유닛은, 유지 테이블 (18) 을 유지면 (18a) 에 수직인 Z 축 방향으로 대체로 평행한 축의 둘레로 회전시킨다. 또, 유지 테이블 (18) 은, X 축 이동 기구 (10) 에 의해 X 축 이동 테이블이나 테이블 커버 (12) 와 함께 X 축 방향으로 이동한다.
유지 테이블 (18) 의 상방에는, 환상의 절삭 블레이드에 의해 피가공물 (1) 을 절삭하는 절삭 유닛 (22) 과, 가압된 액체 (가공액) 를 피가공물 (1) 에 분사하는 분사 유닛 (24) 이 형성되어 있다. 또, 기대 (4) 의 상면에는, 절삭 유닛 (22) 및 분사 유닛 (24) 을 지지하기 위한 도어형의 지지 구조 (26) 가, 개구 (4b) 에 걸치도록 배치되어 있다.
지지 구조 (26) 의 전면 (前面) 상부에는, 절삭 유닛 (22) 을 Y 축 방향 및 Z 축 방향으로 이동시키는 이동 유닛 (28a) 과, 분사 유닛 (24) 을 Y 축 방향 및 Z 축 방향으로 이동시키는 이동 유닛 (28b) 이 형성되어 있다.
이동 유닛 (28a) 은 Y 축 이동 플레이트 (32a) 를, 이동 유닛 (28b) 은 Y 축 이동 플레이트 (32b) 를 각각 구비한다. Y 축 이동 플레이트 (32a) 및 Y 축 이동 플레이트 (32b) 는, 지지 구조 (26) 의 전면에 Y 축 방향을 따라 배치된 1 쌍의 Y 축 가이드 레일 (30) 에 슬라이드 가능하게 장착되어 있다.
Y 축 이동 플레이트 (32a) 의 이면측 (후면측) 에는 너트부 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 이 너트부에는 Y 축 가이드 레일 (30) 에 대해 대체로 평행한 Y 축 볼 나사 (34a) 가 나사 결합되어 있다. 또, Y 축 이동 플레이트 (32b) 의 이면측 (후면측) 에는 너트부 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 이 너트부에는 Y 축 가이드 레일 (30) 에 대해 대체로 평행한 Y 축 볼 나사 (34b) 가 나사 결합되어 있다.
Y 축 볼 나사 (34a, 34b) 의 일단부에는 각각 Y 축 펄스 모터 (36) 가 연결되어 있다. Y 축 볼 나사 (34a) 와 연결된 Y 축 펄스 모터 (36) 에 의해 Y 축 볼 나사 (34a) 를 회전시킴으로써, Y 축 이동 플레이트 (32a) 가 Y 축 가이드 레일 (30) 을 따라 Y 축 방향으로 이동한다. 또, Y 축 볼 나사 (34b) 와 연결된 Y 축 펄스 모터에 의해 Y 축 볼 나사 (34b) 를 회전시킴으로써, Y 축 이동 플레이트 (32b) 가 Y 축 가이드 레일 (30) 을 따라 Y 축 방향으로 이동한다.
Y 축 이동 플레이트 (32a) 의 표면 (전면) 측에는, 1 쌍의 Z 축 가이드 레일 (38a) 이 Z 축 방향을 따라 형성되어 있고, Y 축 이동 플레이트 (32b) 의 표면 (전면) 측에는, Z 축 방향을 따라 1 쌍의 Z 축 가이드 레일 (38b) 이 형성되어 있다. 또, 1 쌍의 Z 축 가이드 레일 (38a) 에는 Z 축 이동 플레이트 (40a) 가 슬라이드 가능하게 장착되고, 1 쌍의 Z 축 가이드 레일 (38b) 에는 Z 축 이동 플레이트 (40b) 가 슬라이드 가능하게 장착되어 있다.
Z 축 이동 플레이트 (40a) 의 이면측 (후면측) 에는 너트부 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 이 너트부에는 Z 축 가이드 레일 (38a) 에 대해 대체로 평행한 방향을 따르도록 형성된 Z 축 볼 나사 (42a) 가 나사 결합되어 있다. Z 축 볼 나사 (42a) 의 일단부에는 Z 축 펄스 모터 (44a) 가 연결되어 있어, 이 Z 축 펄스 모터 (44a) 에 의해 Z 축 볼 나사 (42a) 를 회전시킴으로써, Z 축 이동 플레이트 (40a) 가 Z 축 가이드 레일 (38a) 을 따라 Z 축 방향으로 이동한다.
Z 축 이동 플레이트 (40b) 의 이면측 (후면측) 에는 너트부 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 이 너트부에는 Z 축 가이드 레일 (38b) 에 대해 대체로 평행한 방향을 따르도록 형성된 Z 축 볼 나사 (42b) 가 나사 결합되어 있다. Z 축 볼 나사 (42b) 의 일단부에는 Z 축 펄스 모터 (44b) 가 연결되어 있어, 이 Z 축 펄스 모터 (44b) 에 의해 Z 축 볼 나사 (42b) 를 회전시킴으로써, Z 축 이동 플레이트 (40b) 가 Z 축 가이드 레일 (38b) 을 따라 Z 축 방향으로 이동한다.
Z 축 이동 플레이트 (40a) 의 하부에는 절삭 유닛 (22) 이 형성되어 있다. 절삭 유닛 (22) 에 인접하는 위치에는, 유지 테이블 (18) 에 의해 흡인 유지된 피가공물 (1) 등을 촬상하기 위한 촬상 유닛 (카메라) (46a) 이 형성되어 있다. 또, Z 축 이동 플레이트 (40b) 의 하부에는 분사 유닛 (24) 이 형성되어 있다. 분사 유닛 (24) 에 인접하는 위치에는, 유지 테이블 (18) 에 의해 흡인 유지된 피가공물 (1) 등을 촬상하기 위한 촬상 유닛 (카메라) (46b) 이 형성되어 있다.
이동 유닛 (28a) 에 의해 절삭 유닛 (22) 및 촬상 유닛 (46a) 의 Y 축 방향 및 Z 축 방향의 위치가 제어되고, 이동 유닛 (28b) 에 의해 분사 유닛 (24) 및 촬상 유닛 (46b) 의 Y 축 방향 및 Z 축 방향의 위치가 제어된다. 즉, 절삭 유닛 (22) 의 위치와 분사 유닛 (24) 의 위치는 각각 독립적으로 제어된다.
개구 (4b) 에 대해 개구 (4a) 와 반대측의 위치에는 개구 (4c) 가 형성되어 있다. 개구 (4c) 내에는 피가공물 (1) 을 세정하기 위한 세정 유닛 (48) 이 배치되어 있어, 유지 테이블 (18) 상에서 소정의 가공이 실시된 피가공물 (1) 은 세정 유닛 (48) 에 의해 세정된다.
절삭 유닛 (22) 에 장착된 환상의 절삭 블레이드 (도시 생략) 를 회전시켜 피가공물 (1) 에 절입시킴으로써, 피가공물 (1) 의 절삭 가공을 실시할 수 있다. 절삭 유닛 (22) 은, 유지 테이블 (18) 의 유지면 (18a) 에 대해 대체로 평행한 방향으로 축심을 취하는 스핀들을 구비하고 있고, 이 스핀들의 선단부에는 환상의 절삭 블레이드가 장착되어 있다. 절삭 블레이드는, 예를 들어, 다이아몬드 지립을 니켈 도금으로 고정시킨 전기 주조 지석에 의해 구성된다.
스핀들은 모터 등의 회전 구동원과 연결되어 있어, 스핀들에 장착된 절삭 블레이드는 그 회전 구동원으로부터 전해지는 힘에 의해 회전한다. 절삭 블레이드를 회전시켜 유지 테이블 (18) 에 유지된 피가공물 (1) 에 절입시켜, 유지 테이블 (18) 및 절삭 블레이드를 X 축 방향 (가공 이송 방향) 을 따라 상대적으로 이동시킴으로써, 피가공물 (1) 이 절삭된다.
또, 가압된 물 등의 액체 (가공액) 를 분사 유닛 (24) 으로부터 피가공물 (1) 을 향해 분사함으로써, 피가공물 (1) 의 일부의 제거나, 피가공물 (1) 에 형성된 금속의 버의 제거 등의 가공을 실시할 수 있다. 또한, 분사 유닛 (24) 을 사용한 버의 제거에 대해서는 후술한다.
분사 유닛 (24) 에는, 가공액을 유지 테이블 (18) 에서 유지된 피가공물 (1) 에 분사하는 분사 노즐 (24c) 이 장착된다. 분사 노즐 (24c) 은, 가공액의 공급원 (24a) 에 공급로 (24d) 를 개재하여 접속되어 있다. 피가공물 (1) 을 가공할 때에는, 공급로 (24d) 에 형성된 전환 밸브 (24b) 를 열어, 공급원 (24a) 으로부터 분사 노즐 (24c) 에 가공액을 공급하고, 그 분사 노즐 (24c) 의 분사구로부터 피가공물 (1) 을 향해 그 가공액을 분사시킨다.
또, 분사 유닛 (24) 은 분사 노즐 (24c) 의 하부를 덮는 커버 (24e) 를 구비한다. 커버 (24e) 는, 내부가 공동 (空洞) 의 반구상 (보울형) 으로 형성되어 있다. 그 커버 (24e) 에는 분사 노즐 (24c) 이 삽입되고, 커버 (24e) 는 하부의 원환상의 가장자리가 유지 테이블 (18) 의 유지면 (18a) 과 대향하도록 분사 노즐 (24c) 에 장착된다. 그 커버 (24e) 는, 가공에 의해 생긴 미스트나 가공 부스러기의 비산을 방지한다. 또한, 설명의 편의를 위해, 도 1 이외의 각 도면에 있어서는 커버 (24e) 를 생략한다.
또, 커버 (24e) 의 측벽에는 개구가 형성되어 있고, 개구는 커버 (24e) 의 외측에 형성된 튜브 (24f) 의 일단과 접속되어 있다. 이 튜브 (24f) 의 타단은 흡인원 (도시 생략) 과 접속되어 있다. 피가공물 (1) 의 가공에 의해 커버 (24e) 의 내부에서 생긴 미스트나 가공 부스러기는 튜브 (24f) 를 통해 흡인 제거된다.
또한, 분사 노즐 (24c) 의 위치는 이동 유닛 (28b) 에 의해 제어할 수 있다. 이동 유닛 (28b) 을 제어함으로써, 유지 테이블 (18) 과 분사 노즐 (24c) 을 상대적으로 이동시킬 수 있다.
공급원 (24a) 은, 액체를 가압하여 가공액으로서 공급하기 위한 펌프 (도시 생략) 를 구비하고 있고, 물 등의 액체가 그 펌프에 의해 가압된다. 공급원 (24a) 은, 분사 노즐 (24c) 로부터 분출되는 가공액의 유량 및 압력을 제어하는 제어 기구를 구비한다. 분사 유닛 (24) 은, 소정의 압력 (예를 들어, 0 MPa 내지 70 MPa) 및 소정의 유량으로 가공액을 유지 테이블 (18) 에 유지된 피가공물 (1) 에 공급하여 그 피가공물 (1) 을 가공한다.
가공 장치 (2) 는, 분사 유닛 (24) 에 의해서만 피가공물 (1) 을 가공해도 되고, 절삭 유닛 (22) 및 분사 유닛 (24) 에 의해 피가공물 (1) 을 가공해도 된다. 또, 가공 장치 (2) 는 절삭 유닛 (22) 을 구비하고 있지 않아도 되고, 피가공물 (1) 에 고압의 물을 공급하는 워터 제트 가공 장치여도 된다.
다음으로, 본 실시형태에 관련된 가공 방법의 각 스텝에 대해 설명한다. 이하, 피가공물 (1) 이 프레임 유닛 (11) 의 상태에서 가공 장치 (2) 에 반입되어 가공되는 경우에 대해 설명하지만, 본 실시형태에 관련된 가공 방법은 이것에 한정되지 않는다. 피가공물 (1) 은, 환상 프레임 (9) 및 점착 테이프 (7) 와 일체화되어 있지 않아도 된다.
그 가공 방법에서는, 먼저, 피가공물 (1) 을 유지 테이블 (18) 에서 유지하는 유지 스텝을 실시한다. 도 2(A) 는, 유지 스텝을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 유지 테이블 (18) 의 유지면 (18a) 상에 점착 테이프 (7) 를 개재하여 피가공물 (1) 을 배치함과 함께, 환상 프레임 (9) 을 클램프 (20) 에 의해 고정시킨다. 그 후, 흡인원을 작동시켜 피가공물 (1) 에 부압을 작용시킴으로써, 피가공물 (1) 이 점착 테이프 (7) 를 개재하여 유지 테이블 (18) 에 의해 흡인 유지된다.
또한, 본 실시형태에 관련된 가공 방법에 있어서 분사 유닛 (24) 에 의해 가공되는 피가공물 (1) 에는, 제 1 가공 예정 라인 (3a) 을 따른 소정 깊이의 제 1 홈 (13a) 과, 제 2 가공 예정 라인 (3b) 을 따른 소정 깊이의 제 2 홈 (13b) 이 미리 형성된다.
예를 들어, 유지 스텝 전에 피가공물 (1) 에 홈 (13a, 13b) 을 형성하는 홈 형성 스텝이 실시되어도 된다. 예를 들어, 카세트 (8) 에 수용되기 전에 미리 다른 가공 장치 등에 있어서 홈 형성 스텝이 실시되어도 된다. 또는, 유지 스텝을 실시한 후, 가공 장치 (2) 의 절삭 유닛 (22) 에 의해 홈 형성 스텝이 실시되어도 된다.
가공 장치 (2) 에 있어서 홈 형성 스텝을 실시하는 경우, 먼저, 유지 테이블 (18) 을 회전시키는 회전 유닛으로 유지 테이블 (18) 을 회전시켜, 피가공물 (1) 의 제 1 방향 (1c) 을 가공 장치 (2) 의 가공 이송 방향 (12a) (X 축 방향) 에 맞춘다. 그리고, 절삭 유닛 (22) 의 절삭 블레이드를 피가공물 (1) 외측의 제 1 가공 예정 라인 (3a) 의 연장선 상방에 위치시킨다.
그 후, 절삭 블레이드의 회전을 개시하여, 절삭 유닛 (22) 을 소정의 높이 위치로 하강시킨다. 그리고, 유지 테이블 (18) 과 절삭 유닛 (22) 을 가공 이송 방향 (12a) 을 따라 상대적으로 이동시킨다. 이 경우, 회전하는 절삭 블레이드가 피가공물 (1) 에 접촉하여, 피가공물 (1) 이 그 제 1 가공 예정 라인 (3a) 을 따라 절삭되어, 그 제 1 가공 예정 라인 (3a) 을 따른 제 1 홈 (13a) 이 피가공물 (1) 에 형성된다.
1 개의 제 1 가공 예정 라인 (3a) 을 따라 피가공물 (1) 을 절삭하여 제 1 홈 (13a) 을 형성한 후, 유지 테이블 (18) 및 절삭 유닛 (22) 을 산출 이송 방향 (Y 축 방향) 을 따라 상대적으로 이동시켜, 다른 제 1 가공 예정 라인 (3a) 을 따라 피가공물 (1) 을 절삭한다. 그리고, 모든 제 1 가공 예정 라인 (3a) 을 따라 피가공물 (1) 을 절삭하여 각각의 제 1 가공 예정 라인 (3a) 을 따라 제 1 홈 (13a) 을 형성한다.
그 후, 회전 유닛으로 유지 테이블 (18) 을 회전시켜, 피가공물 (1) 의 제 2 방향 (1d) 을 가공 장치 (2) 의 가공 이송 방향 (12a) 에 맞춘다. 그리고, 마찬가지로 제 2 가공 예정 라인 (3b) 을 따라 피가공물 (1) 을 절삭하여, 피가공물 (1) 에 제 2 가공 예정 라인 (3b) 을 따른 제 2 홈 (13b) 을 형성한다. 여기서, 제 1 홈 (13a) 및 제 2 홈 (13b) 은, 하프 컷 홈으로 불린다.
또한, 제 1 홈 (13a) 을 형성한 후에 제 2 홈 (13b) 을 형성하는 경우에 대해 설명하였지만, 홈 형성 스텝은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제 2 홈 (13b) 을 형성한 후에 제 1 홈 (13a) 을 형성해도 된다.
여기서, 피가공물 (1) 의 제 1 가공 예정 라인 (3a) 및 제 2 가공 예정 라인 (3b) 에는 전극에 사용되는 금속이 존재한다. 그리고, 금속을 절삭 블레이드로 절삭하면, 그 금속이 절삭 블레이드와 접촉하여 길게 늘어져, 홈 (13a, 13b) 에 버로 불리는 수염상의 돌기가 형성된다.
이 버가 홈 (13a, 13b) 의 내부에 잔류하면, 피가공물 (1) 을 분할하여 패키지 디바이스를 형성하고, 그 패키지 디바이스를 소정의 실장 대상에 실장할 때에 장해가 될 수 있다. 그래서, 본 실시형태에 관련된 가공 방법에서는, 분사 유닛 (24) 의 분사 노즐 (24c) 로부터 홈 (13a, 13b) 을 따라 가공액을 분출하여, 그 버를 제거한다.
본 실시형태에 관련된 가공 방법에서는, 유지 스텝을 실시한 후, 제 1 위치 지정 스텝을 실시한다. 제 1 위치 지정 스텝에서는, 회전 유닛으로 그 유지 테이블 (18) 을 회전시켜 피가공물 (1) 의 제 1 방향 (1c) 을 가공 장치 (2) 의 가공 이송 방향 (12a) 에 맞춤과 함께 그 분사 노즐 (24c) 을 제 1 가공 예정 라인 (3a) 의 일단에 위치시킨다. 도 2(B) 에는, 제 1 위치 지정 스텝의 완료시에 있어서의 피가공물 (1) 및 분사 노즐 (24c) 을 모식적으로 나타내는 상면도가 나타나 있다.
제 1 위치 지정 스텝에서는, 피가공물 (1) 을 촬상 유닛 (46b) 으로 촬상하고, 예를 들어, 제 1 가공 예정 라인 (3a) 에 대응하여 피가공물 (1) 에 형성된 도시되지 않은 얼라인먼트 마크나, 그 제 1 가공 예정 라인 (3a) 을 검출함으로써 제 1 방향 (1c) 을 검출한다. 그리고, 제 1 방향 (1c) 이 가공 장치 (2) 의 가공 이송 방향 (12a) 에 맞지 않는 경우에 유지 테이블 (18) 을 회전시켜, 피가공물 (1) 의 제 1 방향 (1c) 을 그 가공 이송 방향 (12a) 에 맞춘다.
또한, 제 1 위치 지정 스텝 전에 홈 형성 스텝을 실시하고 있는 경우 등, 촬상 유닛 (46b) 으로 피가공물 (1) 을 촬상한 결과, 유지 테이블 (18) 을 회전시키기 전에 그 제 1 방향 (1c) 이 그 가공 이송 방향 (12a) 과 맞는 것이 판명되는 경우가 있다. 이와 같이, 제 1 위치 지정 스텝은, 결과적으로 유지 테이블 (18) 을 회전시킬 필요가 없는 것이 확인되는 경우도 포함한다. 바꾸어 말하면, 제 1 위치 지정 스텝은, 유지 테이블 (18) 을 회전 유닛으로 0 도 회전시키는 경우도 포함한다.
제 1 위치 지정 스텝을 실시한 후, 분사 노즐 (24c) 로부터 가공액을 분사하여 제 1 가공 예정 라인 (3a) 을 따라 피가공물 (1) 을 가공하는 제 1 가공 스텝을 실시한다. 도 4(A) 는, 제 1 가공 스텝을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
제 1 가공 스텝에서는, 먼저, 분사 노즐 (24c) 로부터의 가공액의 분사를 개시한다. 이 때, 피가공물 (1) 의 피가공 지점의 전역을 균일하게 가공하기 위해, 가공액이 소정의 분사 조건에서 안정적으로 분사 노즐 (24c) 로부터 분출되게 될 때까지 대기한다. 그 후, 유지 테이블 (18) 및 분사 노즐 (24c) 을 가공 이송 방향 (12a) 을 따라 상대적으로 이동시킴으로써 그 가공액으로 제 1 가공 예정 라인 (3a) 을 따라 피가공물 (1) 을 가공한다.
제 1 가공 예정 라인 (3a) 을 따라 피가공물 (1) 에 가공액을 분출하면, 그 제 1 홈 (13a) 을 따라 존재하는 금속의 버가 제거된다. 또한, 이 최초의 제 1 가공 예정 라인 (3a) 을 따른 피가공물 (1) 의 가공을 끝낼 때, 분사 노즐 (24c) 이 피가공물 (1) 과 겹쳐지는 영역으로부터 일탈하기 전에 유지 테이블 (18) 및 분사 노즐 (24c) 의 상대 이동을 정지시킨다.
분사 노즐 (24c) 이 그 영역으로부터 일탈하면, 가공액이 점착 테이프 (7) 나 유지 테이블 (18) 의 유지면 (18a) 에 직접 분사되어 버려, 점착 테이프 (7) 나 유지 테이블 (18) 에 손상이 생겨 버린다. 그래서, 예를 들어, 분사 노즐 (24c) 이 피가공물 (1) 의 외주 잉여 영역 (5c) (도 2(B) 등 참조) 의 상방에 배치되어 있는 동안에 유지 테이블 (18) 및 분사 노즐 (24c) 의 상대 이동을 정지시킨다.
그리고, 유지 테이블 (18) 및 분사 노즐 (24c) 을 가공 이송 방향 (12a) 과 직교하는 산출 이송 방향 (Y 축 방향) 으로 이동시켜, 다른 제 1 가공 예정 라인 (3a) 의 상방에 분사 노즐 (24c) 을 위치시킨다. 그 후, 다시 유지 테이블 (18) 및 분사 노즐 (24c) 을 가공 이송 방향 (12a) 을 따라 이동시킴으로써 그 다른 제 1 가공 예정 라인 (3a) 을 따라 피가공물 (1) 을 가공한다. 차례차례로 가공을 진행시켜, 모든 제 1 가공 예정 라인 (3a) 을 따라 피가공물 (1) 을 가공하여 제 1 가공 스텝을 종료시킨다.
또한, 제 1 가공 스텝에서는, 제 1 가공 예정 라인 (3a) 을 따라 피가공물 (1) 을 가공할 때에, 제 1 홈 (13a) 에 의해 떨어진 일방의 영역과 타방의 영역 각각에 가공액을 분사하여 피가공물 (1) 을 가공해도 된다. 이 경우에 있어서의 분사 노즐 (24c) 의 궤도를 설명한다. 도 3 에 나타내는 피가공물 (1) 의 상면도에는, 피가공물 (1) 에 대한 분사 노즐 (24c) 의 궤도 (24g) 가 나타나 있다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 제 1 홈 (13a) 의 일방의 측벽을 따라 분사 노즐 (24c) 을 상대적으로 이동시켜 피가공물 (1) 을 가공한 후, 제 1 홈 (13a) 의 타방의 측벽을 따라 분사 노즐 (24c) 을 상대적으로 이동시켜 피가공물 (1) 을 가공한다. 이 경우, 제 1 홈 (13a) 의 그 일방의 측벽에 존재하는 금속의 버와, 그 타방의 측벽에 존재하는 금속의 버 각각에 대해 가공액을 분사할 수 있기 때문에, 각각의 버를 보다 확실하게 제거할 수 있다. 단, 본 실시형태에 관련된 가공 방법은, 이것에 한정되지 않는다.
제 2 가공 예정 라인 (3b) 을 따라 피가공물 (1) 을 가공할 준비로서, 제 1 가공 스텝을 실시한 후에 제 2 위치 지정 스텝을 실시한다. 제 2 위치 지정 스텝에서는, 회전 유닛으로 유지 테이블 (18) 을 회전시켜 피가공물 (1) 의 제 2 방향 (1d) 을 가공 장치 (2) 의 가공 이송 방향 (12a) 에 맞춤과 함께 분사 노즐 (24c) 을 제 2 가공 예정 라인 (3b) 의 일단에 위치시킨다. 또한, 제 2 위치 지정 스텝에 대해서는, 이후에 상세히 서술한다.
그 제 2 위치 지정 스텝을 실시한 후, 제 2 가공 예정 라인 (3b) 을 따라 피가공물 (1) 을 가공하는 제 2 가공 스텝을 실시한다. 도 4(B) 는, 제 2 가공 스텝을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 제 2 가공 스텝에서는, 유지 테이블 (18) 및 분사 노즐 (24c) 을 가공 이송 방향 (12a) 을 따라 상대적으로 이동시켜 그 분사 노즐 (24c) 로부터 분사되는 그 가공액으로 제 2 가공 예정 라인 (3b) 을 따라 피가공물 (1) 을 가공한다.
제 2 가공 스텝에서는, 제 1 가공 스텝과 마찬가지로 유지 테이블 (18) 및 분사 노즐 (24c) 의 가공 이송 방향 (12a) 으로의 이동과, 산출 이송 방향으로의 이동을 반복한다. 그리고, 모든 제 2 가공 예정 라인 (3b) 을 따라 피가공물 (1) 을 가공하여 제 2 가공 스텝을 완료시킨다. 그리고, 제 1 가공 스텝의 개시시부터 계속하고 있던 분사 노즐 (24c) 로부터의 가공액의 분사를 정지시킨다.
제 1 가공 스텝 및 제 2 가공 스텝을 실시하면, 홈 (13a, 13b) 에 형성된 금속의 버를 제거할 수 있다. 그 때문에, 그 후에 피가공물 (1) 이 분할되어 형성된 패키지 디바이스를 소정의 실장 대상에 실장할 때 등에, 금속의 버가 적절한 실장을 방해하는 경우는 없다.
그런데, 종래, 제 1 가공 예정 라인 (3a) 을 따른 피가공물 (1) 의 가공을 실시한 후, 회전 유닛으로 유지 테이블 (18) 을 회전시킬 때에, 분사 노즐 (24c) 로부터의 가공액의 분사를 일시적으로 정지시키고 있었다. 이것은, 유지 테이블 (18) 의 회전에 수반하여 피가공물 (1) 이 분사 노즐 (24c) 의 바로 아래의 영역으로부터 벗어나 버리기 때문이다. 이 경우, 유지 테이블 (18) 을 회전시키는 동안에 가공액의 분사가 계속되고 있으면, 점착 테이프 (7) 나 유지 테이블 (18) 의 유지면 (18a) 에 가공액이 직접 분사되어, 점착 테이프 (7) 등에 손상이 생겨 버린다.
그러나, 가공액의 분사를 한 번 정지시켜 버리면, 유지 테이블 (18) 을 회전시켜, 분사 노즐 (24c) 을 제 2 가공 예정 라인 (3b) 의 일단에 위치시킨 후에, 분사 노즐 (24c) 로부터의 가공액의 분사를 재개시키고 나서 소정 시간 대기할 필요가 있었다. 이것은, 제 2 가공 예정 라인 (3b) 을 따른 피가공물 (1) 의 가공을 소정의 조건에서 안정적으로 실시하기 위해, 분사 노즐 (24c) 로부터 가공액이 소정의 분사 조건에서 안정적으로 분사되게 된 후에 가공을 개시할 필요가 있기 때문이다.
예를 들어, 1 개의 피가공물 (1) 의 가공에 필요로 하는 총 가공 시간은 70 초 정도이다. 이 중, 가공액의 분사를 재개하고 나서 가공액의 분사 상태가 안정될 때까지의 대기 시간은, 예를 들어 20 초 ∼ 30 초 정도이다. 즉, 그 가공 시간에서 차지하는 그 대기 시간의 비율은 작은 것은 아니어서, 그 대기 시간의 단축화가 요망되었다.
그래서, 본 실시형태에 관련된 가공 방법에서는, 유지 테이블 (18) 의 회전이 실시되는 그 제 2 위치 지정 스텝에 있어서, 분사 노즐 (24c) 로부터의 가공액의 분사를 정지시키지 않는다. 즉, 제 2 위치 지정 스텝에서는, 유지 테이블 (18) 의 회전 중에 가공액이 피가공물 (1) 에 계속 분사되도록 그 유지 테이블 (18) 및 그 분사 노즐 (24c) 을 상대적으로 이동시킨다.
예를 들어, 가공 장치 (2) 에는 미리 피가공물 (1) 에 있어서의 제 1 가공 스텝의 개시시 및 종료시의 분사 노즐 (24c) 의 위치와, 제 2 가공 스텝의 개시시 및 종료시의 분사 노즐 (24c) 의 위치를 등록해 둔다. 또한, 각각의 제 1 가공 예정 라인 (3a) 및 제 2 가공 예정 라인 (3b) 에 있어서의 가공 개시 위치와, 가공 종료 위치를 등록해 둔다. 그리고, 제 1 가공 스텝의 종료시의 위치로부터 제 2 가공 스텝의 개시시의 위치까지의 분사 노즐 (24c) 의 궤적을 산출해 둔다.
그리고, 제 2 위치 지정 스텝에서는, 유지 테이블 (18) 을 회전시킴과 함께 그 궤적에 맞추어 유지 테이블 (18) 및 분사 노즐 (24c) 을 X 축 방향 및 Y 축 방향을 따라 상대적으로 이동시킨다. 이 경우, 분사 노즐 (24c) 의 바로 아래의 영역으로부터 피가공물 (1) 이 벗어나지 않기 때문에, 분사 노즐 (24c) 로부터의 가공액의 분사를 정지시킬 필요가 없다. 분사 노즐 (24c) 에서는 소정의 조건에서 안정적으로 가공액이 계속 분출되기 때문에, 제 2 위치 지정 스텝을 실시한 후, 즉시 제 2 가공 스텝을 개시할 수 있다.
따라서, 본 실시형태에 관련된 가공 방법에서는, 제 2 가공 스텝을 개시하기 전의 대기 시간을 단축시킬 수 있어, 피가공물 (1) 의 가공에 필요로 하는 시간을 단축화할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 관련된 가공 방법에서는, 제 2 위치 지정 스텝을 실시하기 전에, 그 제 2 위치 지정 스텝에 있어서의 유지 테이블 (18) 및 분사 노즐 (24c) 의 상대적인 이동에 관한 계획을 가공 장치 (2) 에 등록하는 등록 스텝이 실시되어도 된다. 또, 동일한 종별의 복수의 피가공물 (1) 을 연속적으로 가공하는 경우, 유지 테이블 (18) 및 분사 노즐 (24c) 의 상대적인 이동에 관한 계획이 한 번 등록되면, 그 계획을 이용하여 모든 피가공물 (1) 에 대해 제 2 가공 스텝을 실시할 수 있다.
또, 제 2 위치 지정 스텝에서는, 예를 들어, 유지 테이블 (18) 의 회전 중에 가공액이 피가공물 (1) 의 외주 잉여 영역 (5c) 에 계속 분사되도록 유지 테이블 (18) 및 분사 노즐 (24c) 을 상대적으로 이동시켜도 된다. 제 2 위치 지정 스텝을 실시하고 있는 동안, 가공액이 피가공물 (1) 의 디바이스 영역 (5b) 에 계속 분사되면, 디바이스 영역 (5b) 에 형성된 디바이스 (5) 에 손상 등이 생기는 경우가 있다. 그 때문에, 유지 테이블 (18) 의 회전 중에 분사되는 가공액을 피가공물 (1) 의 외주 잉여 영역 (5c) 에서 계속 수용하는 것이 바람직하다.
또는, 제 2 위치 지정 스텝에서는, 유지 테이블 (18) 의 회전 중에 가공액이 피가공물 (1) 의 제 1 홈 (13a) 또는 제 2 홈 (13b) 의 어느 것에 계속 분사되도록 유지 테이블 (18) 및 분사 노즐 (24c) 을 상대적으로 이동시켜도 된다. 이 경우에 있어서의 분사 노즐 (24c) 의 이동 경로에 대해, 도 5(A), 도 5(B), 및 도 5(C) 를 사용하여 설명한다.
도 5(A) 는, 제 1 가공 스텝의 종료시에 있어서의 분사 노즐의 위치를 모식적으로 나타내는 상면도이다. 도 5(A) 에는, 제 1 가공 스텝의 종료시, 또는, 제 2 위치 지정 스텝의 개시시에 있어서의 분사 노즐 (24c) 의 위치가 나타나 있다. 도 5(A) 에 나타나는 바와 같이, 이 시점에서 분사 노즐 (24c) 은, 외주 잉여 영역 (5c) 이며, 또한, 제 1 가공 예정 라인 (3a) 을 따라 형성된 제 1 홈 (13a) 의 상방에 위치되어 있다.
도 5(B) 는, 제 2 위치 지정 스텝을 모식적으로 나타내는 상면도이다. 제 2 위치 지정 스텝에서는, 유지 테이블 (18) 을 회전시키면서 그 유지 테이블 (18) 및 분사 노즐 (24c) 을 상대적으로 이동시킨다. 이 때, 도 5(B) 에 나타내는 바와 같이, 피가공물 (1) 의 제 1 홈 (13a) 의 상방에 분사 노즐 (24c) 이 계속 위치되게 되도록 유지 테이블 (18) 및 분사 노즐 (24c) 을 상대적으로 이동시킨다.
그 후, 피가공물 (1) 의 제 2 방향 (1d) 이 가공 장치 (2) 의 가공 이송 방향 (12a) 에 맞을 때에 유지 테이블 (18) 의 회전을 정지시킨다. 다음으로, 유지 테이블 (18) 및 분사 노즐 (24c) 을 상대적으로 이동시켜, 제 1 홈 (13a) 의 상방에 위치되어 있던 분사 노즐 (24c) 을 제 2 가공 예정 라인 (3b) 을 따른 제 2 홈 (13b) 의 상방에 위치시켜, 제 2 위치 지정 스텝을 종료시킨다. 그 후, 제 2 가공 스텝을 개시한다. 도 5(C) 는, 제 2 가공 스텝의 개시시에 있어서의 분사 노즐의 위치를 모식적으로 나타내는 상면도이다.
또한, 제 2 위치 지정 스텝에 있어서, 유지 테이블 (18) 의 회전 중에 가공액이 피가공물 (1) 의 제 1 홈 (13a) 에 계속 분사되는 경우에 대해 설명하였지만, 유지 테이블 (18) 의 회전 중에 가공액이 제 2 홈 (13b) 에 계속 분사되어도 된다. 이 경우, 유지 테이블 (18) 의 회전을 개시하기 전에, 제 1 홈 (13a) 의 상방에 위치되어 있던 분사 노즐 (24c) 을 제 2 홈 (13b) 의 상방에 위치시킨다. 그 후, 유지 테이블 (18) 의 회전을 개시한다.
또한, 제 2 위치 지정 스텝에 있어서 유지 테이블 (18) 을 회전시키고 있는 동안, 피가공물 (1) 의 동일 지점에 가공액이 계속 분사될 필요는 없다. 예를 들어, 유지 테이블 (18) 을 회전시키고 있는 동안, 피가공물 (1) 의 외주 잉여 영역 (5c) 중에서 가공액을 수용하는 지점이 변화되어도 된다. 그리고, 유지 테이블 (18) 의 회전이 종료함과 동시에 제 2 홈 (13b) 의 상방에 분사 노즐 (24c) 이 위치되어도 된다.
이 경우, 제 1 가공 스텝을 실시한 후, 즉시 유지 테이블 (18) 의 회전을 개시할 수 있다. 또, 유지 테이블 (18) 의 회전이 종료한 후, 즉시 제 2 가공 스텝을 개시할 수 있다. 그 때문에, 제 2 위치 지정 스텝에 필요로 하는 시간을 최단화할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태의 기재에 한정되지 않고, 다양하게 변경하여 실시 가능하다. 예를 들어, 상기 실시형태에서는 피가공물 (1) 을 가공하여 금속의 버를 제거하는 경우에 대해 설명하였지만, 본 발명의 일 양태는 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 발명의 일 양태에 관련된 가공 방법에서는, 금속의 버를 제거하는 것 이외의 목적으로 피가공물 (1) 을 가공해도 된다.
또, 제 1 가공 예정 라인 (3a) 을 따라 피가공물 (1) 을 가공한 후에 제 2 가공 예정 라인 (3b) 을 따라 피가공물 (1) 을 가공하는 경우에 대해 설명하였지만, 본 발명의 일 양태에 관련된 가공 방법은 이것에 한정되지 않는다. 즉, 제 2 가공 예정 라인 (3b) 을 따라 피가공물 (1) 을 가공한 후에 제 1 가공 예정 라인 (3a) 을 따라 피가공물 (1) 을 가공해도 된다. 또, 제 1 방향 (1c) 은, 피가공물 (1) 의 장변을 따른 방향에는 한정되지 않고, 제 2 방향 (1d) 은, 피가공물 (1) 의 단변을 따른 방향에는 한정되지 않는다.
그 외, 상기 실시형태에 관련된 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적으로 하는 범위를 일탈하지 않는 한 적절히 변경하여 실시할 수 있다.
1 : 피가공물
1a : 기판
1b : 수지층
1c, 1d : 방향
3a, 3b : 가공 예정 라인
5 : 디바이스
5a : 전극
5b : 디바이스 영역
5c : 외주 잉여 영역
7 : 점착 테이프
9 : 환상 프레임
11 : 프레임 유닛
13a, 13b : 홈
2 : 가공 장치
4 : 기대
4a, 4b, 4c : 개구
6 : 카세트 지지대
8 : 카세트
10 : X 축 이동 기구
12 : 테이블 커버
12a : 가공 이송 방향
14 : 방진 방적 커버
16 : 임시 재치 기구
16a, 16b : 가이드 레일
18 : 유지 테이블
18a : 유지면
20 : 클램프
22 : 절삭 유닛
24 : 분사 유닛
24a : 공급원
24b : 전환 밸브
24c : 분사 노즐
24d : 공급로
24e : 커버
24f : 튜브
24g : 궤도
26 : 지지 구조
28a, 28b : 이동 유닛
30, 38a, 38b : 가이드 레일
32a, 32b, 40a, 40b : 이동 플레이트
34a, 34b, 42a, 42b : 볼 나사
36, 44a, 44b : Y 축 펄스 모터
46a, 46b : 촬상 유닛
48 : 세정 유닛

Claims (3)

  1. 피가공물을 유지하는 유지면을 갖는 유지 테이블과, 그 유지 테이블에서 유지된 피가공물에 가공액을 분사하는 분사 노즐과, 그 유지 테이블 및 그 분사 노즐을 가공 이송 방향을 따라 상대적으로 이동시키는 가공 이송 유닛과, 그 유지 테이블을 그 유지면에 수직인 방향을 따른 축의 둘레로 회전시키는 회전 유닛을 구비한 가공 장치로, 제 1 방향을 따른 제 1 가공 예정 라인 및 그 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향을 따른 제 2 가공 예정 라인이 표면에 설정된 그 피가공물을 가공하는 가공 방법으로서,
    그 피가공물을 그 유지 테이블에서 유지하는 유지 스텝과,
    그 유지 스텝을 실시한 후, 그 회전 유닛으로 그 유지 테이블을 회전시켜 그 피가공물의 그 제 1 방향을 그 가공 이송 방향에 맞춤과 함께, 그 분사 노즐을 그 제 1 가공 예정 라인의 일단에 위치시키는 제 1 위치 지정 스텝과,
    그 제 1 위치 지정 스텝을 실시한 후, 그 분사 노즐로부터의 가공액의 분사를 개시하고, 그 후, 그 유지 테이블 및 그 분사 노즐을 그 가공 이송 방향을 따라 상대적으로 이동시킴으로써 그 가공액으로 그 제 1 가공 예정 라인을 따라 그 피가공물을 가공하는 제 1 가공 스텝과,
    그 제 1 가공 스텝을 실시한 후, 그 회전 유닛으로 그 유지 테이블을 회전시켜 그 피가공물의 그 제 2 방향을 그 가공 이송 방향에 맞춤과 함께, 그 분사 노즐을 그 제 2 가공 예정 라인의 일단에 위치시키는 제 2 위치 지정 스텝과,
    그 제 2 위치 지정 스텝을 실시한 후, 그 유지 테이블 및 그 분사 노즐을 그 가공 이송 방향을 따라 상대적으로 이동시켜 그 분사 노즐로부터 분사되는 그 가공액으로 그 제 2 가공 예정 라인을 따라 그 피가공물을 가공하는 제 2 가공 스텝을 구비하고,
    그 제 2 위치 지정 스텝에서는, 그 유지 테이블의 회전 중에 그 가공액이 그 피가공물에 계속 분사되도록 그 유지 테이블 및 그 분사 노즐을 상대적으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 가공 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    그 피가공물의 그 표면에는, 복수의 그 제 1 가공 예정 라인 및 복수의 그 제 2 가공 예정 라인이 설정되고,
    그 피가공물은, 그 제 1 가공 예정 라인과 그 제 2 가공 예정 라인으로 구획되는 각 영역에 각각 디바이스가 배치 형성된 디바이스 영역과, 그 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 그 표면에 갖고,
    그 제 2 위치 지정 스텝에서는, 그 유지 테이블의 회전 중에 그 가공액이 그 피가공물의 그 외주 잉여 영역에 계속 분사되는 것을 특징으로 하는 가공 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    그 피가공물의 그 표면에는, 그 제 1 가공 예정 라인을 따른 제 1 홈과, 그 제 2 가공 예정 라인을 따른 제 2 홈이 형성되어 있고,
    그 제 2 위치 지정 스텝에서는, 그 유지 테이블의 회전 중에 그 가공액이 그 피가공물의 그 제 1 홈 또는 그 제 2 홈의 어느 것에 계속 분사되는 것을 특징으로 하는 가공 방법.
KR1020200009756A 2019-02-25 2020-01-28 가공 방법 KR102631487B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019031611A JP2020131406A (ja) 2019-02-25 2019-02-25 加工方法
JPJP-P-2019-031611 2019-02-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200103533A KR20200103533A (ko) 2020-09-02
KR102631487B1 true KR102631487B1 (ko) 2024-01-30

Family

ID=72201101

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200009756A KR102631487B1 (ko) 2019-02-25 2020-01-28 가공 방법

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2020131406A (ko)
KR (1) KR102631487B1 (ko)
CN (1) CN111613528A (ko)
TW (1) TWI816984B (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115532706B (zh) * 2022-11-30 2023-03-28 济南弘正科技有限公司 一种摩托车离合器零件脱油清洗设备及使用方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005169515A (ja) 2003-12-08 2005-06-30 Disco Abrasive Syst Ltd 切断方法
JP2018186133A (ja) 2017-04-24 2018-11-22 株式会社ディスコ ウォータージェット加工装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05345294A (ja) * 1992-06-12 1993-12-27 Ebara Corp 連続切断装置
JP2012024885A (ja) * 2010-07-23 2012-02-09 Disco Corp バイト工具を備えた加工装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005169515A (ja) 2003-12-08 2005-06-30 Disco Abrasive Syst Ltd 切断方法
JP2018186133A (ja) 2017-04-24 2018-11-22 株式会社ディスコ ウォータージェット加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020131406A (ja) 2020-08-31
KR20200103533A (ko) 2020-09-02
TW202032653A (zh) 2020-09-01
CN111613528A (zh) 2020-09-01
TWI816984B (zh) 2023-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102346492B1 (ko) 워터 제트 가공 장치
KR102251723B1 (ko) 절삭 장치
KR20170057145A (ko) 보호막 피복 방법
KR102631487B1 (ko) 가공 방법
JP2007090508A (ja) メモリーカード基板の分割方法
JP2008284635A (ja) ウォータジェット加工方法
JP7169061B2 (ja) 切削方法
JP6847525B2 (ja) 切削装置
JP2019181584A (ja) 加工装置
KR20210056898A (ko) 유지면 세정 장치
JP5389473B2 (ja) スピンナ洗浄装置
US20210346990A1 (en) Workpiece processing method
JP6305750B2 (ja) 静電気除去装置を備えた加工機
JP2003234308A (ja) 切削装置
CN114347284A (zh) 切削装置
TWI781321B (zh) 水噴射加工裝置
KR101687423B1 (ko) 가공 장치
JP2022035059A (ja) 洗浄装置、レーザー加工装置、ウェーハの洗浄方法、及び、レーザー加工方法
JP2015208796A (ja) バイト切削装置
JP2019021883A (ja) ウエーハの切削方法
KR20170093067A (ko) 패키지 기판의 가공 방법
JP5954978B2 (ja) バイト切削装置
JP7317507B2 (ja) ウォータージェット加工装置及びウォータージェット加工方法
JP2009260096A (ja) 分割加工方法
JP2023177773A (ja) 固定部材、流体噴射ノズル機構

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant