KR102602965B1 - 막 형성 장치, 막 형성 방법, 및 물품 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

기판 상에 막을 형성하기 위한 막 형성 장치는 기판 상에 배치된 경화성 조성물과 평탄면을 서로 접촉시키도록 구성되는 구동부, 경화성 조성물의 점성을 저하시키고 경화성 조성물을 평탄면에 합치시키기 위해서 전자기파에 의해 경화성 조성물을 가열하도록 구성되는 가열부, 및 경화성 조성물이 평탄면에 합치하는 상태에서 경화성 조성물을 경화시킴으로써 경화성 조성물의 경화물로 이루어지는 막을 형성하도록 구성되는 경화 장치를 포함한다.

Description

막 형성 장치, 막 형성 방법, 및 물품 제조 방법{FILM FORMING APPARATUS, FILM FORMING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은 막 형성 장치, 막 형성 방법 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 등의 물품의 제조에서 포토리소그래피 기술이 이용되고 있다. 포토리소그래피 기술은, 기판 상에 배치된 포토레지스트막에 노광 장치를 사용해서 원판의 패턴을 전사하여 잠상 패턴을 형성하고, 잠상 패턴을 현상함으로써 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함한다. 노광 장치의 해상도의 진화에 따라, 노광 장치의 투영 광학계의 초점 심도가 극단적으로 좁아지고 있다. 예를 들어, 5 내지 7 nm의 라인-앤-스페이스 패턴을 형성하기 위해서 사용되는 주사 노광 장치에서는, 노광 슬릿 내에 요구되는 3차원 정밀도는 4 nm이하이다. 따라서, 기판의 표면에 존재하는 기초 패턴 위에 평탄화막이 형성되고, 평탄화막 위에 포토레지스트막이 배치될 수 있다.
미국 특허 제7,455,955호는, 토포그래픽 피처(topographic feature)를 포함하는 기판 상에 평탄화층을 형성하고, 평탄화층에 평탄면을 접촉시켜 평탄화층을 경화시키는 방법을 개시하고 있다. 평탄화층과 평탄면 사이의 접촉은, 평탄화층에 대하여 평탄면의 평탄성이 전사되기에 충분한 시간, 압력 및 온도에서 행해진다. 미국 특허 제7,455,955호는, 접촉시의 온도가 전형적으로는 환경 온도로부터 350℃의 범위 내에 있는 것을 개시하고 있다. 그러나, 미국 특허 제7,455,955호는, 평탄화층에 평탄면을 접촉시키는 공정 동안 평탄화층을 가열하기 위해 사용될 수 있는 방법의 종류에 대해서는 개시하고 있지 않다.
본 발명은 기판 상에 평탄화된 막을 효율적으로 형성하는데 유리한 기술을 제공한다.
본 발명의 제1 양태는, 기판 상에 막을 형성하는 막 형성 장치로서, 상기 기판 상에 배치된 경화성 조성물과 평탄면을 서로 접촉시키도록 구성되는 구동부; 상기 경화성 조성물의 상기 점성을 저하시키고 상기 경화성 조성물을 상기 평탄면에 합치시키기 위해서 상기 경화성 조성물을 전자기파에 의해 가열하도록 구성되는 가열부; 및 상기 경화성 조성물이 상기 평탄면에 합치하는 상태에서 상기 경화성 조성물을 경화시킴으로써 상기 경화성 조성물의 경화물로 이루어지는 막을 형성하도록 구성되는 경화 장치를 포함하는 막 형성 장치를 제공한다.
본 발명의 제2 양태는, 기판 상에 막을 형성하는 막 형성 장치로서, 상기 기판을 보유지지하도록 구성되는 기판 보유지지부; 상기 기판 상에 배치된 경화성 조성물과 평탄면을 서로 접촉시키도록 구성되는 구동부; 상기 기판 보유지지부에 제공되고, 상기 경화성 조성물의 점성을 저하시키고 상기 경화성 조성물이 상기 평탄면에 합치되도록 상기 기판을 통해 상기 경화성 조성물을 가열하도록 구성되는 가열부; 및 상기 경화성 조성물이 상기 평탄면에 합치하는 상태에서 상기 경화성 조성물을 경화시킴으로써 상기 경화성 조성물의 경화물로 이루어지는 막을 형성하도록 구성되는 경화 장치를 포함하는 막 형성 장치를 제공한다.
본 발명의 제3 양태는, 물품 제조 방법으로서, 상기 방법은, 본 발명의 제1 또는 제2 양태에서 규정된 바와 같은 막 형성 장치에 의해 기판 상에 경화성 조성물의 경화물로 이루어지는 막을 형성하는 단계; 상기 막 상에 감광재를 배치하는 단계; 상기 감광재를 노광함으로써 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 패턴을 사용하여 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하며, 상기 기판으로부터 상기 물품을 제조하는 물품 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 제4 양태는, 기판 상에 막을 형성하는 막 형성 방법으로서, 상기 방법은, 상기 기판 상에 배치된 경화성 조성물과 평탄면을 서로 접촉시키는 단계; 상기 경화성 조성물의 상기 점성을 저하시키고 상기 경화성 조성물을 상기 평탄면에 합치시키기 위해서 전자기파에 의해 상기 경화성 조성물을 가열하는 단계; 및 상기 경화성 조성물이 상기 평탄면에 합치하는 상태에서 상기 경화성 조성물을 경화시킴으로써 상기 경화성 조성물의 경화물로 이루어지는 막을 형성하는 단계를 포함하는 막 형성 방법을 제공한다.
본 발명의 제5 양태는, 기판 상에 막을 형성하는 막 형성 방법으로서, 상기 방법은, 상기 기판을 보유지지하도록 구성되는 기판 보유지지부를 가열하는 단계; 상기 기판을 상기 기판 보유지지부 상에 배치하는 단계; 상기 기판 상에 배치된 경화성 조성물과 평탄면을 서로 접촉시키는 단계; 및 상기 기판 보유지지부를 가열하는 단계에서 상기 기판을 통해 상기 경화성 조성물이 가열되어, 상기 경화성 조성물의 상기 점성이 저하되고 상기 경화성 조성물이 상기 평탄면에 합치된 상태에서, 상기 경화성 조성물을 경화시킴으로써 상기 경화성 조성물의 경화물로 이루어지는 막을 형성하는 단계를 포함하는 막 형성 방법을 제공한다.
본 발명의 제6 양태는, 물품 제조 방법으로서, 상기 방법은, 본 발명의 제4 또는 제5 양태에서 규정된 바와 같은 막 형성 방법에 의해 기판 상에 경화성 조성물의 경화물로 이루어지는 막을 형성하는 단계; 상기 막 상에 감광재를 배치하는 단계; 상기 감광재를 노광함으로써 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 패턴을 사용하여 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하며, 상기 기판으로부터 상기 물품을 제조하는 물품 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시형태에 대한 이하의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 다른 막 형성 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 막 형성 장치에 의해 실시될 수 있는 막 형성 방법을 예시적으로 도시하는 도면이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 막 형성 장치에 의해 실시될 수 있는 막 형성 방법을 예시적으로 도시하는 도면이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 막 형성 장치에 의해 실시될 수 있는 막 형성 방법에서의 기판의 구조, 경화성 조성물의 변화, 경화성 조성물과 평탄 부재의 평탄면 사이의 접촉 및 분리 등을 예시적으로 도시하는 도면이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 막 형성 장치에 의해 실시될 수 있는 막 형성 방법에서의 기판의 구조, 경화성 조성물의 변화, 경화성 조성물과 평탄 부재의 평탄면 사이의 접촉 및 분리 등을 예시적으로 도시하는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 막 형성 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 막 형성 장치의 디스펜서에 의한 기판에의 경화성 조성물의 도포 예를 도시하는 도면이다.
도 8은 본 발명의 제3 실시형태에 따른 막 형성 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 9는 본 발명의 제1 내지 제3 실시형태에 따른 경화성 조성물의 점성의 변화를 예시적으로 도시하는 차트이다.
도 10은 본 발명의 제1 내지 제3 실시형태에 따른 막 형성 장치의 변형예를 설명하는 도면이다.
도 11은 본 발명의 제1 내지 제3 실시형태에 따른 막 형성 장치의 변형예에 의해 실시될 수 있는 막 형성 방법을 예시적으로 도시하는 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 막 형성 장치 및 막 형성 방법의 예시적인 실시형태에 대해서 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 막 형성 장치(100)의 구성을 도시한다. 막 형성 장치(100)는, 기판(S) 위에 경화성 조성물(CM)로 구성되는 막을 형성한다. 막 형성 장치(100)는, 예를 들어 구동부(40), 가열부(50) 및 경화 장치(60)를 포함할 수 있다. 이 막은 평탄화된 막이지만, 완전히 평탄할 필요는 없다. 구동부(40)는, 기판(S) 상에 배치된 경화성 조성물(CM)과 평탄 부재(FM)의 평탄면(FS)을 서로 접촉시키도록, 기판(S) 및 평탄 부재(FM) 중 적어도 하나를 구동한다. 또한, 구동부(40)는, 경화성 조성물(CM)이 경화된 후에, 경화성 조성물(CM)의 경화물로 이루어지는 막을 평탄 부재(FM)의 평탄면(FS)으로부터 분리하도록, 기판(S) 및 평탄 부재(FM) 중 적어도 하나를 구동할 수 있다. 도 1에 도시된 예에서는, 구동부(40)는, 평탄 부재(FM)를 구동함으로써, 경화성 조성물(CM)과 평탄면(FS) 사이의 접촉 및 분리를 행하도록 형성된다. 또한, 도 1에서는 설명을 생략하지만, 평탄 부재(FM)는 보유지지 헤드에 의해 보유지지 될 수 있다. 구동부(40)는, 해당 보유지지 헤드를 구동함으로써 평탄 부재(FM)를 구동할 수 있다.
가열부(50)는, 경화성 조성물(CM)의 점성을 저하시키고 경화성 조성물(CM)이 평탄면(FS)에 합치되게 하기 위해 경화성 조성물(CM)을 전자기파를 사용하여 가열할 수 있다. 가열부(50)에 의한 경화성 조성물(CM)의 가열은, 구동부(40)가 경화성 조성물(CM)과 평탄 부재(FM)의 평탄면(FS)을 서로 접촉시키기 전에 개시되거나, 또는 구동부(40)가 경화성 조성물(CM)과 평탄 부재(FM)의 평탄면(FS)을 서로 접촉시킨 후에 개시되어도 된다. 가열부(50)는 적어도 경화성 조성물(CM)이 평탄 부재(FM)의 평탄면(FS)에 접촉하고 있는 기간 동안 경화성 조성물(CM)을 가열할 수 있다. 가열부(50)는 마그네트론을 포함할 수 있다. 마그네트론은, 예를 들어 2.45 GHz 또는 0.915 GHz의 주파수를 갖는 전자기파를 발생시킬 수 있다. 막 형성 장치(100)는 기판(S)의 전역을 커버할 수 있고 개구부를 갖는 커버 부재(70)를 갖고, 가열부(50)는 커버 부재(70)의 개구부를 통해서 기판(S) 위의 경화성 조성물(CM)에 전자기파를 조사하도록 배치될 수 있다. 커버 부재(70)는, 예를 들어 금속 등의 도전성 부재로 구성될 수 있다. 커버 부재(70)의 적어도 일부분은 전자기파를 수송하는 도파로 혹은 도파관을 형성할 수 있다.
경화 장치(60)는, 기판(S) 상의 경화성 조성물(CM)이 평탄 부재(FM)의 평탄면(FS)에 합치하는 상태에서 경화성 조성물(CM)을 경화시킨다. 결과적으로, 경화성 조성물(CM)의 경화물로 이루어지는 막이 기판(S) 상에 형성된다. 해당 막은, 평탄면(FS)에 합치하는 평탄한 상면을 가질 수 있다. 경화성 조성물(CM)은, 예를 들어 자외선 조사에 의해 경화되는 재료이며, 경화 장치(60)는 경화성 조성물(CM)에 자외선을 조사함으로써 경화성 조성물(CM)을 경화시킬 수 있다. 경화 장치(60)는, 평탄 부재(FM)를 통해서 경화성 조성물(CM)에 자외선을 조사할 수 있다.
기판(S)은, 복수의 샷 영역을 포함할 수 있고, 평탄 부재(FM)의 평탄면(FS)은 해당 복수의 샷 영역의 전역을 커버할 수 있는 크기를 가질 수 있다. 이에 의해, 기판(S)의 전역에 일괄하여 경화성 조성물(CM)의 경화물로 이루어지는 막을 형성할 수 있다. 단, 기판(S) 상의 경화성 조성물(CM)의 경화는 각각의 부분적인 영역마다 진행될 수 있다. 대안적으로, 기판(S) 상의 경화성 조성물(CM)의 경화는 경화된 영역이 서서히 혹은 단계적으로 확대하도록 행해질 수 있다.
막 형성 장치(100)는, 기판 보유지지부(10)를 제1 위치(P1) 및 제2 위치(P2)에 배치하는 이동 기구(20)를 더 포함할 수 있다. 기판 보유지지부(10)는, 예를 들어 베이스 부재(30)에 의해 지지되면서 이동 기구(20)에 의해 구동되거나, 반송되거나, 또는 위치결정될 수 있다. 제1 위치(P1)는 기판 보유지지부(10)가 반송 기구(도시하지 않음)로부터 기판(S)을 수취하는 위치일 수 있다. 또한, 제1 위치(P1)는, 기판 보유지지부(10)가 반송 기구(도시하지 않음)에 기판(S)을 전달하는 위치일 수 있다. 제2 위치(P2)는, 경화 장치(60)가 경화성 조성물(CM)을 경화시키는 위치일 수 있다. 또한, 제2 위치(P2)는, 구동부(40)가 기판(S) 상의 경화성 조성물(CM)과 평탄 부재(FM)의 평탄면(FS)을 서로 접촉시키고, 경화성 조성물(CM)이 경화된 후에, 경화성 조성물(CM)의 경화물과 평탄면(FS)을 서로 분리시키는 위치일 수 있다. 또한, 제2 위치(P2)는, 가열부(50)가 경화성 조성물(CM)을 가열하는 위치일 수 있다. 반송 기구(도시하지 않음)는, 스핀 코터(spin coater) 등의 코터에 의해 경화성 조성물(CM)이 도포된 기판(S)을 제1 위치(P1)에 배치된 기판 보유지지부(10)에 공급한다.
이하, 도 2a 내지 도 2c, 도 3a 내지 도 3c, 도 4a 내지 도 4c, 및 도 5a 내지 도 5c를 참조하여 막 형성 장치(100)에 의해 실시될 수 있는 막 형성 방법을 예시한다. 도 2a 내지 도 2c 및 도 3a 내지 도 3c는 막 형성 장치(100)에 의해 실시될 수 있는 막 형성 방법의 예를 나타낸다. 도 4a 내지 도 4c 및 도 5a 내지 도 5c는, 막 형성 장치(100)에 의해 실시될 수 있는 막 형성 방법에서의 기판(S)의 구조, 경화성 조성물(CM)의 변화, 경화성 조성물(CM)와 평탄 부재(FM)의 평탄면(FS) 사이의 접촉 및 분리 등의 예를 도시한다.
먼저, 도 4a에 도시되는 바와 같이, 표면에 3차원 패턴을 갖는 기판(S)이 준비되고, 후속하여 도 4b에 예시되는 바와 같이 스핀 코터 등(도시하지 않음)의 코터에 의해 기판(S) 위에 경화성 조성물(CM)이 도포 혹은 배치된다. 경화성 조성물(CM)은, 예를 들어 자외선 조사에 의해 경화하는 SOC 레지스트일 수 있다. 이 경우, 경화성 조성물(CM)을 기판(S)에 도포하기 전에, 접착층이 기판(S) 위에 도포되어도 된다. 접착층은, 기판(S)과 경화성 조성물(CM)의 경화물 사이의 결합을 강화하는 효과를 갖는다.
이어서, 도 2a에 도시되는 바와 같이, 경화성 조성물(CM)이 도포된 기판(S)이, 반송 기구(도시하지 않음)에 의해, 제1 위치(P1)에 배치된 기판 보유지지부(10)에 반송되고, 기판(S)이 기판 보유지지부(10)에 전달된다. 이어서, 도 2b에 도시되는 바와 같이, 이동 기구(20)가 기판 보유지지부(10)를 제1 위치(P1)로부터 제2 위치(P2)로 이동시킨다. 이어서, 도 2c, 도 4c, 및 도 5a에 도시되는 바와 같이, 구동부(40)에 의해 경화성 조성물(CM)과 평탄 부재(FM)의 평탄면(FS)을 서로 접촉시키는 접촉 공정 및 가열부(50)에 의해 경화성 조성물(CM)을 가열하는 가열 공정이 실행된다. 전술한 바와 같이, 가열부(50)에 의한 경화성 조성물(CM)의 가열은, 구동부(40)가 경화성 조성물(CM)과 평탄 부재(FM)의 평탄면(FS)을 서로 접촉시키기 전에 개시될 수 있거나, 또는 구동부(40)가 경화성 조성물(CM)과 평탄 부재(FM)의 평탄면(FS)을 서로 접촉시킨 후에 개시될 수 있다. 가열부(50)는, 적어도, 경화성 조성물(CM)과 평탄 부재(FM)의 평탄면(FS)이 서로 접촉하고 있는 기간 동안, 경화성 조성물(CM)을 가열할 수 있다. 가열부(50)는, 예를 들어 경화성 조성물(CM)을 100℃ 내지 200℃의 온도 범위 내의 온도까지 가열할 수 있다. 경화성 조성물(CM)의 가열에 의해 경화성 조성물(CM)의 점성이 저하되고, 경화성 조성물(CM)의 재유동되기가 더 쉬워져, 결과적으로 평탄 부재(FM)에 의한 평탄화가 촉진된다.
평탄 부재(FM)는, 예를 들어 석영 또는 붕규산 유리 플레이트로 구성되고, 0.3 mm 내지 1.0 mm의 범위 내의 두께를 갖는다. 평탄 부재(FM)의 평탄면(FS)은 기판(S)의 큰 주기의 표면 프로파일에 합치할 수 있다. 일례에서, 평탄면(FS)은, 막 형성 처리에 후속하는 공정인 포토리소그래피 공정에서 사용될 수 있는 주사 노광 장치의 노광 슬릿 영역에 대응하는 26 × 7 mm의 영역 내에서는 ± 1 nm 이하의 평탄도를 가질 수 있다. 막 형성 처리에 의해 형성되는 막은 평탄면(FS)에 합치할 수 있다. 막 형성 처리에 의해 형성되는 막은, 완전한 평탄면을 가질 필요는 없고, 예를 들어 실행될 후속 포토리소그래피 공정에서 사용되는 주사 노광 장치의 노광 슬릿 영역에 대해 요구되는 평탄도를 가지면 충분하다. 기판(S)의 전역에 걸쳐 주기가 큰 표면 프로파일에 대해서는, 주사 노광 장치의 포커스 추종 기능에 의해 대응가능하다.
경화 장치(60)는, 예를 들어 경화성 조성물(CM)을 경화시키기 위해서, 파장 범위가 310 nm 내지 370 nm인 자외선을 경화성 조성물(CM)에 조사하도록 형성될 수 있다. 평탄 부재(FM)는 자외선의 적어도 일부를 투과시키도록 형성될 수 있다. 구동부(40)는, 기판(S) 상에 배치된 경화성 조성물(CM)과 평탄 부재(FM)의 평탄면(FS)이 서로 접촉하도록 경화성 조성물(CM)과 평탄 부재(FM) 사이에 가압력을 작용시킬 수 있다. 경화성 조성물(CM)과 평탄면(FS)이 서로 접촉하면, 경화성 조성물(CM)에 모세관 작용이 발생한다. 따라서, 가압력 및 모세관 작용에 의해 경화성 조성물(CM)과 평탄면(FS)이 서로 가까워질 수 있다. 이에 의해, 경화성 조성물(CM)과 평탄면(FS) 사이의 간극이 소멸할 수 있다. 기판(S)(경화성 조성물(CM))과 평탄 부재(FM) 사이의 공간이 헬륨으로 충전된 환경 하에서 접촉 공정을 행함으로써, 간극을 효과적으로 소멸시킬 수 있다. 평탄면(FS)에 미리 다공성 막을 코팅해 두면, 다공성 막을 통해서 헬륨이 배출되므로, 간극을 더 효과적으로 소멸시킬 수 있다. 다공성 막으로서는 Cytop®이 적합하다.
이어서, 도 3a, 도 5b에 예시되는 바와 같이, 경화 장치(60)가 기판(S)과 평탄 부재(FM) 사이의 경화성 조성물(CM)에 자외선을 조사하고, 경화성 조성물(CM)을 경화시킨다. 이어서, 도 3b 및 도 5c에 예시되는 바와 같이, 구동부(40)가 경화성 조성물(CM)의 경화물로 이루어지는 막을 평탄면(FS)으로부터 분리한다. 이에 의해, 기판(S) 상에는, 경화성 조성물(CM)의 경화물로 이루어지는 막이 남는다. 이어서, 도 3c에 도시되는 바와 같이, 경화성 조성물(CM)의 경화물로 이루어지는 막이 형성된 기판(S)은, 이동 기구(20)에 의해 제2 위치(P2)로부터 제1 위치(P1)로 이동된다. 그후, 반송 기구(도시하지 않음)에 의해, 제1 위치(P1)에 배치된 기판 보유지지부(10)로부터 기판(S)이 제거된다.
이상과 같이, 제1 실시형태에 따른 막 형성 장치(100)에 의해 실시될 수 있는 막 형성 방법은, 기판(S) 상에 배치된 경화성 조성물(CM)과 평탄면(FS)을 서로 접촉시키는 공정을 포함할 수 있다. 또한, 해당 막 형성 방법은, 경화성 조성물(CM)의 점성을 저하시켜 경화성 조성물(CM)이 평탄면(FS)에 합치되게 하기 위해 경화성 조성물(CM)을 전자기파에 의해 가열하는 공정을 포함할 수도 있다. 또한, 해당 막 형성 방법은, 경화성 조성물(CM)이 평탄면(FS)에 합치하는 상태에서 경화성 조성물(CM)을 경화시킴으로써 경화성 조성물(CM)의 경화물로 이루어지는 막을 형성하는 공정을 포함할 수 있다.
도 6은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 막 형성 장치(200)의 구성을 도시한다. 제2 실시형태에 따른 막 형성 장치(200)는, 제2 실시형태에 따른 막 형성 장치가 기판(S) 위에 경화성 조성물(CM)을 도포 혹은 배치하는 디스펜서(공급부)(80)를 포함하고 있는 점을 제외하고 제1 실시형태에 따른 막 형성 장치(100)와 마찬가지의 구성을 가질 수 있다. 제2 실시형태로서 언급되지 않는 사항은 제1 실시형태에서 설명된 사항을 따른다. 디스펜서(80)는 경화성 조성물(CM)을 토출하는 오리피스를 포함할 수 있다. 경화성 조성물(CM)은 이동 기구(20)에 의해 기판(S)을 이동시키면서 디스펜서(80)가 그 오리피스로부터 경화성 조성물(CM)을 토출하게 함으로써 기판(S) 상의 목표 위치에 배치될 수 있다. 이 토출 동작은, 기판(S) 상에 경화성 조성물(CM)을 배치해야 할 복수의 위치를 지정하는 제어 정보(맵)를 따라서 제어될 수 있다. 기판(S)을 이동시키면서 디스펜서(80)의 오리피스로부터 경화성 조성물(CM)을 토출하는 대신에, 디스펜서(80)를 이동시키면서 디스펜서(80)의 오리피스로부터 경화성 조성물(CM)을 토출해도 된다. 즉, 기판(S)과 디스펜서(80)(오리피스) 사이의 상대 위치를 변경하면서 디스펜서(80)의 오리피스로부터 경화성 조성물(CM)을 토출함으로써 기판(S) 위에 경화성 조성물(CM)을 배치할 수 있다.
도 7에 도시되는 바와 같이, 기판(S)의 표면은, 패턴 밀도가 높은 고밀도 영역(3), 볼록부의 상면을 형성하는 오픈 영역(4), 및 오목부의 하면을 구성하는 욕조 영역(5)을 포함할 수 있다. 상술한 제어 정보는, 오픈 영역(4)에서 경화성 조성물(CM)의 밀도를 낮게 하고, 욕조 영역(5)에서 경화성 조성물(CM)의 밀도를 높게 하며, 고밀도 영역(3)에서 경화성 조성물(CM)의 밀도를 이들 밀도의 중간의 밀도로 하게 하도록 생성될 수 있다. 즉, 기판(S) 상에 경화성 조성물(CM)을 배치해야 할 복수의 위치를 지정하기 위해 사용되는 제어 정보는 기판(S)의 패턴에 따라 결정될 수 있다.
상술한 디스펜서(80) 대신에, 막 형성 장치(200)는 기판(S)에 경화성 조성물(CM)을 스핀 코트하는 스핀 코터를 포함할 수 있다.
도 8은 제3 실시형태에 따른 막 형성 장치(300)의 구성을 도시한다. 제3 실시형태에 따른 막 형성 장치(300)는, 제1 실시형태 막 형성 장치(100)의 가열부(50)를 가열부(52)로 치환한 구성을 갖는다. 제3 실시형태에서 언급하지 않는 사항은 제1 및 제2 실시형태에 기재된 것을 따른다. 가열부(52)는, 기판(S) 상에 배치된 경화성 조성물(CM)의 점성을 저하시키고 경화성 조성물(CM)이 평탄 부재(FM)의 평탄면(FS)에 합치되게 하기 위해 기판(S)을 통해서 경화성 조성물(CM)을 가열할 수 있다. 가열부(52)는, 예를 들어 전력을 열로 변환하는 히터를 포함할 수 있다. 가열부(52)는 기판 보유지지부(10)에 배치될 수 있다. 막 형성 장치(300)는 가열부(52)를 제어하는 가열 제어부(54)를 포함할 수 있다. 가열 제어부(54)는, 기판 보유지지부(10)가 반송 기구(도시하지 않음)로부터 기판(S)을 수취하기 위해서 제1 위치에 배치되어 있는 상태에서, 기판 보유지지부(10)의 기판 보유지지면이 목표 온도로 유지되도록 가열부(52)를 제어할 수 있다. 또한, 가열 제어부(54)는, 기판 보유지지부(10)가 반송 기구(도시하지 않음)로부터 기판(S)을 수취한 후, 제2 위치(P2)에서 경화성 조성물(CM)이 평탄면에 합치할 때까지, 기판 보유지지부(10)의 기판 보유지지면이 목표 온도로 유지되도록 가열부(52)를 제어할 수 있다. 목표 온도는, 예를 들어 100℃ 내지 200℃의 범위 내의 온도일 수 있다.
제3 실시형태에 따른 막 형성 장치(100)에 의해 실시될 수 있는 막 형성 방법은, 기판(S)을 보유지지하는 기판 보유지지부(10)를 가열하는 공정과, 기판 보유지지부(10) 상에 기판(S)을 배치하는 공정을 포함할 수 있다. 또한, 해당 막 형성 방법은, 기판(S)의 상에 배치된 경화성 조성물(CM)과 평탄 부재(FM)의 평탄면(FS)을 서로 접촉시키는 공정을 포함할 수 있다. 이들의 공정의 결과로서, 기판 보유지지부(10)의 가열에 의해 기판(S)을 통해서 경화성 조성물(CM)이 가열되고, 경화성 조성물(CM)의 점성이 저하되어서 경화성 조성물(CM)이 평탄면(FS)에 합치할 수 있다. 또한, 해당 막 형성 방법은, 경화성 조성물(CM)이 평탄면(FS)에 합치하는 상태에서, 상기 경화성 조성물을 경화시킴으로써 상기 경화성 조성물의 경화물로 이루어지는 막을 형성하는 공정을 포함할 수 있다.
도 9는 제1 내지 제3 실시형태에 따른 경화성 조성물(CM)의 점성의 변화의 예를 도시한다. 제1 실시형태 및 제3 실시형태에서는, 경화성 조성물(CM)이 막 형성 장치(100 또는 300)의 외부의 스핀 코터 등의 코터에 의해 기판(S) 상에 도포 혹은 배치되고, 경화성 조성물(CM)이 도포된 기판(S)은 제1 위치(P1)에 배치된 기판 보유지지부(10)에 반송되며, 기판 보유지지부(10)는 제2 위치(P2)에 반송된다. 스핀 코터가 사용되는 경우, 기판(S)에 경화성 조성물을 도포할 때의 경화성 조성물(CM)의 점성은 전형적으로는 103 내지 106(Pa × S)의 범위 내일 수 있다. 제2 실시형태에서는, 경화성 조성물(CM)은 디스펜서(80)에 의해 기판(S) 상에 도포 혹은 배치된다.
제1 실시형태에서는, 시각 0 내지 시각 T1의 기간이 코터에 의한 도포 기간이며, 시각 T1 내지 T2의 기간이 기판(S)이 코터로부터 제1 위치(P1)로 반송되고, 기판 보유지지부(10)(기판(S))가 제1 위치(P1)로부터 제2 위치(P2)로 반송되는 기간이다. 그후, 가열부(50)에 의한 가열이 개시되면, 경화성 조성물(CM)의 점성이 점성(V1)으로부터 저하되기 시작한다. 가열 동작과 병행하여, 경화성 조성물(CM)을 평탄 부재(FM)의 평탄면(FS)에 접촉시키도록 구동부(40)가 동작한다. 그후, 경화성 조성물(CM)의 점성이 목표 점성(V0)으로 변화되고, 경화성 조성물(CM)이 평탄면(FS)에 합치하는 상태에서 경화 장치(60)가 경화성 조성물(CM)을 경화시킨다. 결과적으로, 경화성 조성물(CM)이 경화되고, 경화성 조성물(CM)의 점성이 점성(V2)까지 상승한다. 그후, 경화한 경화성 조성물(CM)로부터 평탄면(FS)이 분리되며, 기판 보유지지부(10)(기판(S))가 제2 위치(P2)로부터 제1 위치로 반송된다.
제2 실시형태에서는, 시각 0 내지 T1의 기간이 디스펜서(80)에 의한 도포 기간이며, 시각 T1 내지 T2의 기간이 디스펜서(80)에 의한 도포가 완료된 위치로부터 제2 위치(P2)로 기판 보유지지부(10)(기판(S))가 반송되는 기간이다. 그후, 가열부(50)에 의해 가열 동작이 개시된 후, 경화성 조성물(CM)의 점성이 점성(V1)으로부터 저하되기 시작한다. 이 가열 동작과 병행하여, 경화성 조성물(CM)과 평탄 부재(FM)의 평탄면(FS)을 서로 접촉시키도록 구동부(40)가 동작한다. 그후, 경화성 조성물(CM)의 점성이 목표 점성(V0)에 도달하고, 경화성 조성물(CM)이 평탄면(FS)에 합치하는 상태에서, 경화 장치(60)가 경화성 조성물(CM)을 경화시킨다. 결과적으로, 경화성 조성물(CM)이 경화되고, 점성이 점성(V2)까지 상승한다. 그후, 경화한 경화성 조성물(CM)로부터 평탄면(FS)이 분리되며, 기판 보유지지부(10)(기판(S))가 제2 위치(P2)로부터 제1 위치로 반송된다.
제3 실시형태에서는, 시각 0 내지 T1의 기간이 코터에 의한 도포 기간이며, 시각 T1 내지 T2가 코터로부터 제1 위치(P1)로 기판(S)이 반송되는 기간이다. 제3 실시형태에서는, 기판(S)이 기판 보유지지부(10)에 의해 보유지지될 때 기판(S) 상의 경화성 조성물(CM)의 가열이 개시된다. 가열부(50)에 의한 가열이 개시되면, 경화성 조성물(CM)의 점성이 점성(V1)으로부터 저하되기 시작한다. 이 가열 동작과 병행하여, 기판 보유지지부(10)가 제1 위치(P1)로부터 제2 위치(P2)로 반송되고, 경화성 조성물(CM)과 평탄 부재(FM) 평탄면(FS)이 서로 접촉하도록 구동부(40)가 동작한다. 그후, 경화성 조성물(CM)의 점성이 목표 점성(V0)에 도달하고, 경화성 조성물(CM)이 평탄면(FS)에 합치하는 상태에서, 경화 장치(60)가 경화성 조성물(CM)을 경화시킨다. 결과적으로, 경화성 조성물(CM)이 경화되고, 경화성 조성물(CM)의 점성이 점성(V2)까지 상승한다. 그후, 경화한 경화성 조성물(CM)로부터 평탄면(FS)이 분리되며, 기판 보유지지부(10)(기판(S))가 제2 위치(P2)로부터 제1 위치로 반송된다.
제1 내지 제3 실시형태에서, 경화 장치(60)의 광로 전부 또는 광로 일부는 기판(S)과 평탄 부재(FM) 사이에서의 경화성 조성물(CM)의 상태를 관찰하기 위한 카메라의 광로 전부 또는 광로 일부와 공통으로 배치될 수 있다. 이하, 도 10을 참조하여, 경화 장치(60)의 광로 전부 또는 광로 일부를 카메라의 광로와 공통으로 배치함으로써 얻어지는 구성이 제1 실시형태에 따른 막 형성 장치(100)에 적용되는 예를 설명한다. 이러한 구성은 제2 실시형태에 따른 막 형성 장치(200) 및 제3 실시형태에 따른 막 형성 장치(300)에 적용가능하다는 것에 유의한다.
막 형성 장치(100)는, 기판(S)과 평탄 부재(FM) 사이에 배치되는 경화성 조성물(CM)의 상태를 관찰하기 위한 카메라(901)를 포함할 수 있다. 카메라(901)는, 예를 들어 경화성 조성물(CM)과 평탄 부재(FM)의 평탄면(FS)을 서로 접촉시킬 때의 평탄 부재(FM)의 배향(도 10에 기재된 좌표축을 따른 X축 둘레의 회전 및 Y축 둘레의 회전)을 제어하기 위해서 사용될 수 있다. 대안적으로, 카메라(901)는, 기판(S)과 평탄 부재(FM) 사이의 공간이 경화성 조성물(CM)에 의해 간극 없이 충전된 것을 확인하기 위해서 사용된다.
경화 장치(60)는, 경화성 조성물(CM)을 경화시키는 자외선을 발생시키는 자외선 광원(903)을 포함할 수 있다. 자외선 광원(903)으로부터 사출된 자외선은 다이크로익 미러(905)에 의해 반사되고, 기판(S) 상의 경화성 조성물(CM)에 입사하며, 경화성 조성물(CM)을 경화시킨다. 다이크로익 미러(905)는, 예를 들어 자외선 광원(903)으로부터 사출되는 자외선의 파장 범위의 광(예를 들어, 파장이 380 nm 이하인 광)을 반사하고, 이 광을 초과하는 파장 범위의 광을 투과하도록 구성될 수 있다.
막 형성 장치(100)는 카메라(901)에 의한 관찰을 위한 관찰 광원(902)을 포함할 수도 있다. 관찰 광원(902)은, 예를 들어 적색 LED에 의해 형성될 수 있으며, 630 nm의 파장에 피크를 갖는 광을 발생시킬 수 있다. 관찰 광원(902)으로부터 사출된 광은, 하프 미러(904)에 의해 반사되고, 다이크로익 미러(905)를 투과하며, 경화성 조성물(CM)을 조명한다. 관찰 광원(902)으로부터의 광에 의해 조명된 경화성 조성물(CM)로부터의 반사광은, 다이크로익 미러(905) 및 하프 미러(904)를 투과하고, 카메라(901)에 입사하며, 촬상면(센서면)에 광학 상을 형성한다. 카메라(901)는, 기판(S)과 평탄면(FS)의 사이에 배치된 경화성 조성물(CM)에 의해 촬상면에 형성되는 광학 상을 촬상한다.
카메라(901)에 의해 촬상된 화상은, 예를 들어 경화성 조성물(CM)과 평탄면(FS)의 접촉 영역과 이 영역 외측의 비접촉 영역 사이의 경계선을 검출하는데 효과적이다. 이 경계선은 전형적으로는 원과 같은 폐쇄 도형을 형성할 수 있다. 경계선이 점 대칭 또는 선 대칭이 아닌 경우, 평탄 부재(FM)가 기판(S)에 대하여 상대적으로 기울어질 수 있다. 이러한 경우, 기판(S)에 대한 평탄 부재(FM)의 상대적인 기울기를 보정하는 캘리브레이션이 실행될 수 있다.
또한, 카메라(901)에 의해 촬상된 화상은, 기판(S)과 평탄면(FS) 사이에 파티클이 존재하는 것에 기인해서 미충전 영역이 발생했는지를 검출하는데 효과적이다. 미충전 영역은, 예를 들어 파티클의 존재에 의해 경화성 조성물(CM)이 충전되지 않은 영역이다.
경화 장치(60)는, 기판(S) 상의 상기 경화성 조성물의 자외선 조사 영역을 변경하는 변경부로서의 가동 애퍼처(movable aperture)(906)를 포함할 수 있다. 도 11을 참조하여 후술하는 바와 같이, 예를 들어 가동 애퍼처(906)는 전술한 경계선의 이동에 따라서 자외선 조사 영역을 변경하도록 동작할 수 있다.
구동부(40)는, 기판(S)의 막 형성 영역의 일부분 상의 경화성 조성물(CM)과 평탄 부재(FM)의 평탄면(FS)을 서로 접촉시킨 후에, 경화성 조성물(CM)과 평탄면(FS) 사이의 접촉 영역을 확대시키도록 평탄 부재(FM)를 변형시키는 변형 기구(48)를 포함할 수도 있다. 이러한 변형 기구(48)는, 제1, 제2, 또는 제3 실시형태에 따른 막 형성 장치(100, 200, 또는 300)의 구동부(40)에 제공될 수 있다. 변형 기구(48)는, 평탄 부재(FM)를 보유지지하는 보유지지 헤드(44)를 사용하여 평탄 부재(FM)의 이면측(평탄면(FS)의 반대측)에 형성된 밀폐 공간(46)의 압력을 조정함으로써 평탄 부재(FM)를 변형시킨다. 예를 들어, 밀폐 공간(46)의 압력을 기준 압력보다 높게 함으로써, 평탄 부재(FM)의 평탄면(FS)을 하방(기판(S)) 방향으로 볼록 형상으로 변형시킬 수 있다. 결과적으로, 기판(S)의 막 형성 영역의 일부분 상의 경화성 조성물(CM)과 평탄 부재(FM)의 평탄면(FS)을 서로 접촉시킬 수 있다. 한편, 밀폐 공간(46)의 압력을 기준 압력으로 조정함으로써, 평탄 부재(FM)의 평탄면(FS)을 평탄하게 할 수 있다. 이 경우의 기준 압력은, 평탄 부재(FM)에 가해지는 중력을 상쇄함으로써 평탄 부재(FM)의 평탄면(FS)을 평탄하게 할 수 있는 압력이다.
이하, 도 11을 참조하여, 상술한 가동 애퍼처(906) 및 변형 기구(48)를 포함하는 막 형성 장치(100, 200, 300)에 적용될 수 있는 막 형성 방법을 설명한다. 도 11에서, 기판(S) 상의 경화성 조성물(CM)과 평탄 부재(FM)의 평탄면(FS) 사이의 접촉 영역은 접촉 영역(1001)으로서 나타나 있다. 또한, 가동 애퍼처(906)에 의해 규정되는 자외선 조사 영역은 조사 영역(1002)으로서 나타나 있다. 제1 내지 제3 실시형태에 따라, 경화성 조성물(CM)은 가열되어 그 점성이 저하되어서 평탄 부재(FM)의 평탄면에 용이하게 합치된다.
각각의 화살표로 나타낸 바와 같이, 접촉 영역(1001)을 서서히 확대시키도록 변형 기구(48)가 동작한다. 가동 애퍼처(906)는, 접촉 영역(1001)의 주변부(경계선) 보다 충분히 내측에 조사 영역(1002)이 규정되도록, 접촉 영역(1001)의 확대에 따라서 조사 영역(1002)을 변경한다.
이하, 본 발명의 일 실시형태에 따른 물품 제조 방법을 설명한다. 해당 물품 제조 방법은, 상술한 막 형성 장치 또는 막 형성 방법에 의해 기판(S) 위에 막을 형성하는 공정과 기판(S) 상의 막 위에 감광재를 배치하는 공정을 포함할 수 있다. 해당 감광재는, 예를 들어 포토레지스트일 수 있다. 해당 포토레지스트는, 예를 들어 스핀 코터 등의 코터를 사용해서 해당 막 상에 배치될 수 있다. 또한, 해당 물품 제조 방법은, 상기 감광재(포토레지스트막)를 노광하여 패턴을 형성하는 공정과, 해당 패턴을 사용하여 기판(S)을 처리하는 공정을 포함할 수 있다. 해당 감광재의 노광은 노광 장치, 바람직하게는 주사 노광 장치를 사용해서 행해진다. 대안적으로, 해당 감광재의 노광은 임프린트 장치에 의해 행해질 수 있다. 더 구체적으로는, 임프린트 장치는, 기판 상의 감광재와 몰드를 서로 접촉시키고, 해당 감광재를 노광함으로써 해당 감광재를 경화시킴으로써, 해당 감광재의 경화물로 이루어지는 패턴을 형성할 수 있다. 해당 물품 제조 방법에 의해 상기 공정을 거친 기판(S)으로부터 물품이 제조된다.
본 발명을 예시적인 실시형태를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (18)

  1. 기판 상에 막을 형성하는 막 형성 장치이며,
    상기 기판을 보유지지하도록 구성되는 기판 보유지지부;
    상기 기판 상에 배치된 경화성 조성물과 평탄면을 서로 접촉시키도록 구성되는 구동부;
    상기 기판 보유지지부에 제공되고, 상기 기판을 통해 상기 경화성 조성물을 가열하도록 구성되는 가열부;
    상기 경화성 조성물이 상기 평탄면을 따르는 상태에서 상기 경화성 조성물을 경화시킴으로써 상기 경화성 조성물의 경화물로 이루어지는 막을 형성하도록 구성되는 경화부; 및
    상기 기판 보유지지부를 제1 위치 및 제2 위치에 배치하도록 구성되는 이동 기구를 포함하며,
    상기 제1 위치는 상기 기판 보유지지부가 상기 기판을 수취하는 위치이며, 상기 제2 위치는 상기 경화부가 상기 경화성 조성물을 경화시키는 위치이고,
    상기 가열부는 상기 기판 보유지지부가 상기 제1 위치에 배치되어 있는 상태에서, 상기 기판 보유지지부의 기판 보유지지면이 목표 온도로 유지되도록 제어되는 막 형성 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가열부는 상기 기판 보유지지부가 상기 제1 위치에 배치된 후 상기 제2 위치에서 상기 경화성 조성물이 상기 평탄면을 따를 때까지 상기 기판 보유지지면이 상기 목표 온도로 유지되도록 제어되는 막 형성 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 가열부는 상기 경화성 조성물을 100℃ 내지 200℃의 온도 범위에 있는 온도로 가열하는 막 형성 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판은 복수의 샷 영역을 포함하며, 상기 평탄면은 상기 복수의 샷 영역의 전체를 커버할 수 있는 크기를 갖는 막 형성 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 경화성 조성물을 상기 기판 상에 공급하도록 구성되는 공급부를 더 포함하는 막 형성 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 공급부는 상기 경화성 조성물을 토출하도록 구성되는 오리피스를 포함하고, 상기 기판과 상기 오리피스 사이의 상대 위치를 변경하면서 상기 오리피스로부터 상기 경화성 조성물을 토출함으로써 상기 기판 상에 상기 경화성 조성물을 배치하는 막 형성 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 공급부는 상기 기판을 상기 경화성 조성물로 스핀 코트하도록 구성되는 스핀 코터를 포함하는 막 형성 장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 공급부는 상기 기판의 패턴에 따라서 결정된 제어 정보에 기초하여 상기 기판 상에 상기 경화성 조성물을 배치하는 막 형성 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경화부는 자외선에 의해 상기 경화성 조성물을 경화시키는 막 형성 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 경화부는 상기 기판의 상의 상기 경화성 조성물의 자외선 조사 영역을 변경하도록 구성되는 변경부를 포함하는 막 형성 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 구동부는, 상기 기판의 막 형성 영역의 일부분 위의 상기 경화성 조성물을 상기 평탄면에 접촉시킨 후에, 상기 경화성 조성물과 상기 평탄면 사이의 접촉 영역을 확대시키며,
    상기 경화부는 상기 접촉 영역의 상기 확대에 따라 상기 자외선 조사 영역을 변경하는 막 형성 장치.
  12. 물품 제조 방법이며, 상기 방법은,
    제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에서 기재된 막 형성 장치에 의해 기판 상에 경화성 조성물의 경화물로 이루어지는 막을 형성하는 단계;
    상기 막 상에 포토레지스트막을 배치하는 단계;
    상기 포토레지스트막을 노광 및 현상 과정에 의해 패터닝함으로써 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 포토레지스트 패턴을 사용하여 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하며,
    상기 기판으로부터 상기 물품을 제조하는 물품 제조 방법.
  13. 기판 상에 막을 형성하는 막 형성 방법이며, 상기 방법은,
    상기 기판을 보유지지하는 기판 보유지지면을 갖는 기판 보유지지부가 제1 위치에 배치되어 있는 상태에서, 상기 기판 보유지지부에 제공되는 가열부에 의해 상기 기판 보유지지면을 목표 온도로 유지하는 단계;
    상기 제1 위치에 배치된 상기 기판 보유지지부의 상기 보유지지면이 상기 목표 온도로 유지된 상태에서, 상기 기판 보유지지면 상에 경화성 조성물이 배치된 상기 기판을 배치하는 단계;
    상기 기판을 보유지지하는 상기 기판 보유지지면을 상기 제1 위치에서 제2 위치로 반송하는 단계;
    상기 제2 위치에서, 상기 기판 상에 배치된 상기 경화성 조성물과 평탄면을 서로 접촉시키는 단계; 및
    상기 제2 위치에서, 상기 기판 보유지지부에 제공되는 상기 가열부에 의한 상기 기판 보유지지면의 가열에 의해 상기 기판을 통해 상기 경화성 조성물이 가열되어, 상기 경화성 조성물의 점성이 저하되고 상기 경화성 조성물이 상기 평탄면을 따르는 상태에서, 상기 경화성 조성물을 경화시킴으로써 상기 경화성 조성물의 경화물로 이루어지는 막을 형성하는 단계를 포함하는 막 형성 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 기판 보유지지부가 상기 제1 위치에 배치된 후 상기 제2 위치에서 상기 경화성 조성물이 상기 평탄면을 따를 때까지 상기 기판 보유지지면이 상기 목표 온도로 유지되는 막 형성 방법.
  15. 물품 제조 방법이며, 상기 방법은,
    제13항 또는 제14항에서 기재된 막 형성 방법에 의해 기판 상에 경화성 조성물의 경화물로 이루어지는 막을 형성하는 단계;
    상기 막 상에 포토레지스트막을 배치하는 단계;
    상기 포토레지스트막을 노광 및 현상 과정에 의해 패터닝함으로써 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 포토레지스트 패턴을 사용하여 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하며,
    상기 기판으로부터 상기 물품을 제조하는 물품 제조 방법.
  16. 삭제
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005532576A (ja) * 2002-02-27 2005-10-27 ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． 多層リソグラフィープロセスに関する新規な平坦化方法
JP2015012280A (ja) * 2013-07-02 2015-01-19 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法
JP2015533692A (ja) * 2012-09-18 2015-11-26 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 型押し加工する方法および装置
JP2016219679A (ja) * 2015-05-25 2016-12-22 株式会社東芝 基板平坦化方法および滴下量算出方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5941836A (ja) * 1982-09-02 1984-03-08 Toshiba Corp 塗布材塗布方法
US5434107A (en) * 1994-01-28 1995-07-18 Texas Instruments Incorporated Method for planarization
AU7367400A (en) * 1999-09-09 2001-04-10 Allied-Signal Inc. Improved apparatus and methods for integrated circuit planarization
US7144539B2 (en) * 2002-04-04 2006-12-05 Obducat Ab Imprint method and device
TW200504928A (en) * 2003-06-20 2005-02-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacturing method of semiconductor device
TW200507175A (en) * 2003-06-20 2005-02-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Pattern forming method, and manufacturing method for semiconductor device
JP2005101201A (ja) * 2003-09-24 2005-04-14 Canon Inc ナノインプリント装置
EP1594001B1 (en) * 2004-05-07 2015-12-30 Obducat AB Device and method for imprint lithography
JP2008018570A (ja) * 2006-07-11 2008-01-31 Nakano Seisakusho:Kk 誘電体表面微細成型方法及び装置ならびに誘電体接合方法及び装置
US7775785B2 (en) * 2006-12-20 2010-08-17 Brewer Science Inc. Contact planarization apparatus
JP4989234B2 (ja) * 2007-01-09 2012-08-01 東芝機械株式会社 転写装置
JP5257648B2 (ja) * 2007-11-27 2013-08-07 日立化成株式会社 感光性エレメント及びその製造方法
CN102089708A (zh) * 2008-06-09 2011-06-08 得克萨斯州大学系统董事会 适应性纳米形貌雕刻
US9330933B2 (en) * 2008-06-11 2016-05-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for planarizing a polymer layer
JP5235155B2 (ja) * 2009-04-08 2013-07-10 パナソニック株式会社 微細樹脂構造体及び光電回路基板の製造方法、微細樹脂構造体及び光電回路基板
JP2011199232A (ja) * 2010-03-17 2011-10-06 Sanei Kagaku Kk プリント配線板及びその製造方法
KR101200562B1 (ko) * 2011-01-17 2012-11-13 부산대학교 산학협력단 광정렬 일체형 대면적 금속 스탬프의 제조 방법 그리고 그를 이용한 고분자 광소자의 제조 방법
US8865599B2 (en) * 2011-11-08 2014-10-21 Brewer Science Inc. Self-leveling planarization materials for microelectronic topography
JP5880283B2 (ja) * 2012-05-29 2016-03-08 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
JP2014063791A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Tokyo Electron Ltd 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6679328B2 (ja) * 2016-02-01 2020-04-15 キヤノン株式会社 インプリント装置、制御方法及び物品の製造方法
JP6542141B2 (ja) * 2016-03-08 2019-07-10 東芝メモリ株式会社 パターン形成方法
US11130286B2 (en) * 2016-09-07 2021-09-28 Canon Kabushiki Kaisha Three-dimensional manufacturing apparatus, three-dimensional manufactured object producing method, and container for three-dimensional manufacturing apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005532576A (ja) * 2002-02-27 2005-10-27 ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． 多層リソグラフィープロセスに関する新規な平坦化方法
JP2015533692A (ja) * 2012-09-18 2015-11-26 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 型押し加工する方法および装置
JP2015012280A (ja) * 2013-07-02 2015-01-19 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法
JP2016219679A (ja) * 2015-05-25 2016-12-22 株式会社東芝 基板平坦化方法および滴下量算出方法

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