CN111048440B - 膜形成装置、膜形成方法以及物品的制造方法 - Google Patents

膜形成装置、膜形成方法以及物品的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及膜形成装置、膜形成方法以及物品的制造方法。一种用于在基板上形成膜的膜形成装置包括：驱动器，被配置为使布置在基板上的可固化组合物与平坦表面相互接触；加热器，被配置为通过电磁波加热可固化组合物以降低可固化组合物的粘度并使可固化组合物贴合平坦表面；以及固化设备，被配置为通过在可固化组合物贴合平坦表面的状态下使可固化组合物固化来形成由可固化组合物的固化产物制成的膜。

Description

膜形成装置、膜形成方法以及物品的制造方法
技术领域
本发明涉及一种膜形成装置、膜形成方法以及物品的制造方法。
背景技术
光刻技术用于制造诸如半导体器件的物品。光刻技术包括以下工序：通过使用曝光装置将原版的图案转印到布置在基板上的光致抗蚀剂膜来形成潜像图案，以及通过对潜像图案进行显影来形成抗蚀剂图案。随着曝光装置的分辨率的提高，曝光装置的投影光学系统的焦深已经变得极其狭窄。例如，在用于形成5nm至7nm的线和间隔图案的扫描曝光装置中，曝光狭缝所需的三维精度为4nm或更低。因此，在存在于基板的表面上的下层图案上形成平坦化膜，并且可以在平坦化膜上布置光致抗蚀剂膜。
美国专利No.7455955公开了一种方法，其中在包括形貌特征的基板上形成平坦化层，并且通过使平坦表面与平坦化层接触而固化平坦化层。在足以将平坦表面的平坦度转印到平坦化表面上的压力和温度下进行一段时间的平坦化层与平坦表面之间的接触。美国专利No.7455955公开了接触时的温度通常落入环境温度至350℃的范围内。然而，美国专利No.7455955没有公开在使平坦表面与平坦化层接触的工序中可以使用哪种方法来加热平坦化层。
发明内容
本发明提供一种有利于在基板上有效地形成平坦化膜的技术。
本发明的第一方面提供了一种在基板上形成膜的膜形成装置，所述膜形成装置包括：驱动器，被配置为使布置在基板上的可固化组合物与平坦表面相互接触；加热器，被配置为通过电磁波加热可固化组合物以降低可固化组合物的粘度并使可固化组合物贴合(conform to)所述平坦表面；以及，固化设备，被配置为通过在可固化组合物贴合所述平坦表面的状态下使可固化组合物固化来形成由可固化组合物的固化产物制成的膜。
本发明的第二方面提供了一种在基板上形成膜的膜形成装置，所述膜形成装置包括：基板保持器，被配置为保持基板；驱动器，被配置为使布置在基板上的可固化组合物与平坦表面相互接触；加热器，被设置到基板保持器，且被配置为经由基板加热可固化组合物以降低可固化组合物的粘度并使可固化组合物贴合所述平坦表面；以及，固化设备，被配置为通过在可固化组合物贴合所述平坦表面的状态下使可固化组合物固化来形成由可固化组合物的固化产物制成的膜。
本发明的第三方面提供一种物品的制造方法，所述方法包括：通过本发明的第一或第二方面中所限定的膜形成装置，在基板上形成由可固化组合物的固化产物制成的膜；在所述膜上布置光敏材料；通过对光敏材料进行曝光来形成图案；以及，通过使用所述图案来加工基板，其中，所述物品是从该基板制造的。
本发明的第四方面提供了一种用于在基板上形成膜的膜形成方法，所述方法包括：使布置在基板上的可固化组合物与平坦表面相互接触；通过电磁波加热可固化组合物以降低可固化组合物的粘度并使可固化组合物贴合所述平坦表面；以及，通过在可固化组合物贴合所述平坦表面的状态下使可固化组合物固化来形成由可固化组合物的固化产物制成的膜。
本发明的第五方面提供了一种用于在基板上形成膜的膜形成方法，所述方法包括：加热被配置为保持基板的基板保持器；将基板布置在基板保持器上；使布置在基板上的可固化组合物与平坦表面相互接触；以及，通过在已经在基板保持器的加热中经由基板加热可固化组合物以降低可固化组合物的粘度并使可固化组合物贴合所述平坦平面的状态下使可固化组合物固化来形成由可固化组合物的固化产物制成的膜。
本发明的第六方面提供一种物品的制造方法，所述方法包括：通过本发明的第四或第五方面中所限定的膜形成方法在基板上形成由可固化组合物的固化产物制成的膜；在所述膜上布置光敏材料；通过对光敏材料进行曝光来形成图案；以及，通过使用所述图案来加工基板，其中，所述物品是从该基板制造的。
根据下面参照附图对示例性实施例的描述，本发明的进一步特征将变得清晰。
附图说明
图1是示出根据本发明的第一实施例的膜形成装置的布置的图；
图2A至图2C是示例性地示出可以由根据本发明的第一实施例的膜形成装置执行的膜形成方法的图；
图3A至图3C是示例性地示出可以由根据本发明的第一实施例的膜形成装置执行的膜形成方法的图；
图4A至图4C是示例性地示出可以由根据本发明的第一实施例的膜形成装置执行的膜形成方法中的基板的结构、可固化组合物的变化、可固化组合物与平坦构件的平坦表面之间的接触和分离等的图；
图5A至图5C是示例性地示出可以由根据本发明的第一实施例的膜形成装置执行的膜形成方法中的基板的结构、可固化组合物的变化、可固化组合物与平坦构件的平坦表面之间的接触和分离等的图；
图6是示出根据本发明的第二实施例的膜形成装置的布置的图；
图7是示出通过根据本发明的第二实施例的膜形成装置的分配器将可固化组合物涂布在基板上的示例的图；
图8是示出根据本发明的第三实施例的膜形成装置的布置的图；
图9是示例性地示出根据本发明的第一至第三实施例的可固化组合物的粘度变化的图；
图10是用于说明根据本发明的第一至第三实施例的膜形成装置的变型的图；以及
图11是示例性地示出可以通过根据本发明的第一至第三实施例的膜形成装置的变型执行的膜形成方法的图。
具体实施方式
以下，将参照附图描述本发明的膜形成装置和膜形成方法的示例性实施例。
图1示出了根据本发明的第一实施例的膜形成装置100的布置。膜形成装置100在基板S上形成由可固化组合物CM制成的膜。膜形成装置100例如可以包括驱动器40、加热器50以及固化设备60。虽然该膜是平坦化膜，但它不必完全平坦。驱动器40驱动基板S和平坦构件FM中的至少一个，以使布置在基板S上的可固化组合物CM与平坦构件FM的平坦表面FS相互接触。另外，驱动器40可以驱动基板S和平坦构件FM中的至少一个，以在可固化组合物CM已经固化后，将由可固化组合物CM的固化产物制成的膜与平坦构件FM的平坦表面FS分离。在图1所示的示例中，形成驱动器40以通过驱动平坦构件FM来执行可固化组合物CM与平坦表面FS之间的接触操作和分离操作。此外，尽管在图1中省略了描述，但是平坦构件FM可以由保持头保持。驱动器40可以通过驱动保持头来驱动平坦构件FM。
加热器50可以使用电磁波加热可固化组合物CM，以降低可固化组合物CM的粘度，并使可固化组合物CM贴合平坦表面FS。通过加热器50对可固化组合物CM的加热可以在驱动器40使可固化组合物CM和平坦构件FM的平坦表面FS相互接触之前开始，或者可以在驱动器40已经使可固化组合物CM和平坦构件FM的平坦表面FS相互接触之后开始。加热器50可以至少在可固化组合物CM与平坦构件FM的平坦表面FS接触的时段期间加热可固化组合物CM。加热器50可以包括磁控管。磁控管可以产生例如频率为2.45GHz或0.915GHz的电磁波。膜形成装置100包括可以覆盖整个基板S并具有开口部的盖构件70，并且加热器50可以被布置成通过盖构件70的开口部用电磁波照射基板S上的可固化组合物CM。盖构件70可以由例如金属等导电构件制成。盖构件70的至少一部分可以形成用于传输电磁波的波导或波导管。
固化设备60在基板S上的可固化组合物CM贴合平坦构件FM的平坦表面FS的状态下固化可固化组合物CM。结果，在基板S上形成由可固化组合物CM的固化产物制成的膜。该膜可以具有与平坦表面FS贴合的平坦上表面。可固化组合物CM是例如通过紫外线照射而固化的材料，并且固化设备60可以通过用紫外线光照射可固化组合物CM来固化可固化组合物CM。固化设备60可以经由平坦构件FM用紫外线光照射可固化组合物CM。
基板S可以包括多个投射区域，并且平坦构件FM的平坦表面FS的尺寸能够全部覆盖所述多个投射区域。结果，可以在整个基板S上一次形成由可固化组合物CM的固化产物制成的膜。然而，可针对每个局部区域进行基板S上的可固化组合物CM的固化。可替代地，可以进行基板S上的可固化组合物CM的固化，使得固化区域将逐渐或逐步地扩大。
膜形成装置100还可包括将基板保持器10布置在第一位置Pl和第二位置P2的移动机构20。基板保持器10可以在由基座构件30支撑的同时由例如移动机构20驱动、传送或定位。第一位置P1可以是基板保持器10从传送机构(未示出)接收基板S的位置。此外，第一位置P1可以是基板保持器10将基板S转移到传送机构(未示出)的位置。第二位置P2可以是固化设备60固化可固化组合物CM的位置。此外，第二位置P2可以是驱动器40使基板S上的可固化组合物CM与平坦构件FM的平坦表面FS相互接触、并在可固化组合物CM已经固化后使可固化组合物CM的固化产物与平坦表面FS相互分离的位置。第二位置P2也可以是加热器50加热可固化组合物CM的位置。传送机构(未示出)将通过旋涂机等涂布机涂布了可固化组合物CM的基板S供应到布置在第一位置P1上的基板保持器10。
以下将参照图2A至图2C、图3A至图3C、图4A至图4C以及图5A至图5C例示可以由膜形成装置100执行的膜形成方法。图2A至图2C和图3A至图3C示出了可以由膜形成装置100执行的膜形成方法的示例。图4A至图4C和图5A至图5C示出了可以由膜形成装置100执行的膜形成方法中的基板S的结构、可固化组合物CM的变化、可固化组合物CM与平坦构件FM的平坦表面FS之间的接触和分离等的示例。
首先，如图4A所示，制备在表面上具有三维图案的基板S，然后通过旋涂机等涂布机(未示出)将可固化组合物CM涂布或布置在基板S上，如图4B所示。可固化组合物CM可以是例如通过紫外线照射而固化的SOC抗蚀剂。在这种情况下，可以在将可固化组合物CM涂布在基板S上之前在基板S上涂布粘附层。粘附层具有增强基板S与可固化组合物CM的固化产物之间的结合的作用。
接下来，如图2A所示，将已涂布有可固化组合物CM的基板S通过传送机构(未示出)传送到布置在第一位置P1的基板保持器10，并且基板S转移到基板保持器10。接下来，如图2B所示，移动机构20将基板保持器10从第一位置P1移动到第二位置P2。接下来，如图2C、图4C和图5A所示，执行通过驱动器40使可固化组合物CM与平坦构件FM的平坦表面FS相互接触的接触工序和通过加热器50加热可固化组合物CM的加热工序。如上所述，通过加热器50对可固化组合物CM的加热可以在驱动器40使可固化组合物CM和平坦构件FM的平坦表面FS相互接触之前开始，或者可以在驱动器40使可固化组合物CM和平坦构件FM的平坦表面FS相互接触之后开始。加热器50可以至少在可固化组合物CM与平坦构件FM的平坦表面FS相互接触的时段期间加热可固化组合物CM。加热器50可以将可固化组合物CM加热至例如落入100℃至200℃的温度范围内的温度。加热可固化组合物CM降低了可固化组合物CM的粘度，并且使可固化组合物CM更容易回流，从而由此促进了通过平坦构件FM的平坦化。
平坦构件FM由例如石英或硼硅酸盐玻璃板制成，并且其厚度落入0.3mm至1.0mm的范围内。平坦构件FM的平坦表面FS可以贴合基板S的具有大周期的表面轮廓。在一个示例中，平坦表面FS可以在26×7mm区域内具有等于或小于±1nm的平坦度，该区域对应于可以在光刻工序中使用的扫描曝光装置的曝光狭缝区域，该光刻工序是跟在膜形成工序之后的工序。通过膜形成工序形成的膜可以贴合平坦表面FS。通过膜形成工序形成的膜不必具有完全平坦的表面，并且具有在要执行的随后的光刻工序中使用的扫描曝光装置的曝光狭缝区域所需的平坦度就够了。扫描曝光装置的聚焦跟踪功能可用于应对整个基板S上具有大周期的表面轮廓。
例如，可以形成固化设备60以用波长范围为310nm至370nm的紫外线光照射可固化组合物CM以固化可固化组合物CM。平坦构件FM可以形成为透射至少部分紫外线光。驱动器40使按压力作用在可固化组合物CM和平坦构件FM之间，使得布置在基板S上的可固化组合物CM与平坦构件FM的平坦表面FS将相互接触。当可固化组合物CM和平坦表面FS相互接触时，在可固化组合物CM中发生毛细作用。因此，可固化组合物CM和平坦表面FS可通过按压力和毛细作用变得彼此更接近。这可以消除可固化组合物CM和平坦表面FS之间的间隙。通过在用氦填充在基板S(可固化组合物CM)与平坦构件FM之间的空间的环境下执行接触工序，可以有效地消除所述间隙。通过预先用多孔膜涂覆平坦表面FS，可以更有效地消除所述间隙，因为氦会通过多孔膜排出。适合作为所述多孔膜。
接下来，如图3A和图5B所示，固化设备60在基板S和平坦构件FM之间的可固化组合物CM上照射紫外线光，并且固化可固化组合物CM。接下来，如图3B和图5C所示，驱动器40将由可固化组合物CM的固化产物制成的膜与平坦表面FS分离。结果，由可固化组合物CM的固化产物制成的膜将残留在基板S上。接下来，如图3C所示，在其上形成有由可固化组合物CM的固化产物制成的膜的基板S通过移动机构20从第二位置P2移动到第一位置P1。随后，传送机构(未示出)从布置在第一位置P1上的基板保持器10去除基板S。
如上所述，可以由根据第一实施例的膜形成装置100执行的膜形成方法可以包括使布置在基板S上的可固化组合物CM和平坦表面FS相互接触的工序。另外，膜形成方法还可以包括加热工序，在加热工序中，通过电磁波加热可固化组合物CM来降低可固化组合物CM的粘度，以使可固化组合物CM贴合平坦表面FS。此外，膜形成方法可以包括以下工序：通过在可固化组合物CM贴合平坦表面FS的状态下固化可固化组合物CM，来形成由可固化组合物CM的固化产物制成的膜。
图6示出了根据本发明的第二实施例的膜形成装置200的布置。除了根据第二实施例的膜形成装置包括用于在基板S上涂布或布置可固化组合物CM的分配器(供应器)80的这一点之外，根据第二实施例的膜形成装置200可以具有与根据第一实施例的膜形成装置100类似的布置。在第二实施例中未提及的内容与在第一实施例中描述的那些对应。分配器80可包括排出可固化组合物CM的孔口。通过在由移动机构20移动基板S的同时使分配器80从孔口排出可固化组合物CM，可以将可固化组合物CM布置在基板S上的各目标位置处。根据指定要将可固化组合物CM布置在基板S上的多个位置的控制信息(图)来控制该排出操作。代替在移动基板S的同时从分配器80的孔口排出可固化组合物CM，可以在移动分配器80的同时从分配器80的孔口中排出可固化组合物CM。也就是说，可以通过在改变基板S和分配器80(孔口)之间的相对位置的同时从分配器80的孔口中排出可固化组合物CM，来将可固化组合物CM布置在基板S上。
如图7所示，基板S的表面可以包括具有高图案密度的高密度区域3、形成凸部的上表面的开口区域4和形成凹部的下表面的浴缸(bathtub)区域5。可以生成上述控制信息，使得在开口区域4中可固化组合物CM的密度将低，在浴缸区域5中可固化组合物CM的密度将高，并且高密度区域3中的可固化组合物CM的密度将是这些密度的中值密度。也就是说，可以根据基板S的图案来确定用于指定要在基板上布置可固化组合物CM的多个位置的控制信息。
代替上述分配器80，膜形成装置200可以包括旋涂机，该旋涂机用可固化组合物CM旋涂基板S。
图8示出了根据第三实施例的膜形成装置300的布置。根据第三实施例的膜形成装置300具有其中根据第一实施例的膜形成装置100的加热器50被加热器52替换的布置。在第三实施例中未提及的内容对应于在第一和第二实施例中描述的那些。加热器52可以经由基板S加热可固化组合物CM，以降低布置在基板S上的可固化组合物CM的粘度，并使可固化组合物CM贴合平坦构件FM的平坦表面FS。加热器52可以包括例如将电力转换成热的加热器。加热器52可以布置在基板保持器10上。膜形成装置300可以包括用于控制加热器52的加热控制器54。加热控制器54可以控制加热器52，使得在基板保持器10布置在第一位置以从传送机构(未示出)接收基板S的状态下基板保持器10的基板保持表面将保持在目标温度。加热控制器54还可以控制加热器52，以使得在基板保持器10已经从传送机构(未示出)接收到基板S后直到可固化组合物CM在第二位置P2处贴合平坦表面的时段基板保持器10的基板保持表面将保持在目标温度。目标温度可以是落入100℃至200℃的范围内的温度。
可以由根据第三实施例的膜形成装置100执行的膜形成方法可以包括加热保持基板S的基板保持器10的工序以及在基板保持器10上布置基板S的工序。膜形成方法还可以包括使布置在基板S上的可固化组合物CM与平坦构件FM的平坦表面FS相互接触的工序。作为这些工序的结果，通过基板保持件10的加热经由基板S加热可固化组合物CM，并且，因为可固化组合物CM的粘度降低了，因此可固化组合物CM能够贴合平坦表面FS。另外，膜形成方法可以包括以下工序：通过在可固化组合物CM贴合平坦表面FS的状态下固化可固化组合物，来形成由可固化组合物的固化产物制成的膜。
图9示出了根据第一至第三实施例的可固化组合物CM的粘度变化的示例。在第一实施例和第三实施例中，通过设置在膜形成装置100或300外部的旋涂机等涂布机将可固化组合物CM涂布或布置在基板S上，并将涂布有可固化组合物CM的基板S传送到布置在第一位置P1的基板保持器10，并且将基板保持器10传送到第二位置P2。在使用旋涂机的情况下，当将可固化组合物涂布到基板S时的可固化组合物CM的粘度通常可以落在103至106(Pa×S)的范围内。在第二实施例中，通过分配器80将可固化组合物CM涂布或布置在基板S上。
在第一实施例中，从时刻0到时刻T1的时段是涂布机的涂布时段，并且从时刻T1到时刻T2的时段是基板S从涂布机传送到第一位置P1和基板保持器10(基板S)从第一位置P1传送到第二位置P2的时段。随后，当开始通过加热器50加热时，可固化组合物CM的粘度从粘度V1开始降低。在加热操作的同时，驱动器40操作以使可固化组合物CM与平坦构件FM的平坦表面FS接触。随后，可固化组合物CM的粘度改变为目标粘度V0，并且固化设备60在可固化组合物CM贴合平坦表面FS的状态下固化可固化组合物CM。结果，可固化组合物CM被固化，并且可固化组合物CM的粘度增加到粘度V2。随后，使平坦表面FS从固化的可固化组合物CM分离，并且将基板保持器10(基板S)从第二位置P2传送至第一位置。
在第二实施例中，从时刻0到时刻T1的时段是分配器80的涂布时段，并且从时刻T1到时刻T2的时段是将基板保持器10(基板S)从分配器80已经完成涂布的位置传送到第二位置P2的时段。随后，在通过加热器50开始加热操作之后，可固化组合物CM的粘度从粘度V1开始降低。在加热操作的同时，驱动器40操作以使可固化组合物CM和平坦构件FM的平坦表面FS相互接触。随后，可固化组合物CM的粘度达到目标粘度V0，并且固化设备60在可固化组合物CM贴合平坦表面FS的状态下使可固化组合物CM固化。结果，可固化组合物CM被固化，并且粘度增加到粘度V2。随后，使平坦表面FS从固化的可固化组合物CM分离，并且将基板保持器10(基板S)从第二位置P2传送至第一位置。
在第三实施例中，从时刻0到时刻T1的时段是涂布机的涂布时段，并且从时刻T1到时刻T2的时段是将基板S从涂布机传送到第一位置P1的时段。在第三实施例中，当基板S由基板保持器10保持时，开始对基板S上的可固化组合物CM进行加热。当开始通过加热器50加热时，可固化组合物CM的粘度从粘度V1开始降低。在该加热操作的同时，将基板保持器10从第一位置P1传送到第二位置P2，并且驱动器40操作以使可固化组合物CM和平坦构件FM的平坦表面FS相互接触。随后，可固化组合物CM的粘度达到目标粘度V0，并且固化设备60在可固化组合物CM贴合平坦表面FS的状态下使可固化组合物CM固化。结果，可固化组合物CM被固化，并且可固化组合物CM的粘度增加到粘度V2。随后，使平坦表面FS从固化的可固化组合物CM分离，并且将基板保持器10(基板S)从第二位置P2传送至第一位置。
在第一至第三实施例中，可以将固化设备60的整个光路或光路的一部分与用于观察设置在基板S和平坦构件FM之间的可固化组合物CM的状态的照相机的整个光路或光路的一部分共同布置。下面将参照图10描述这样的示例，其中，将通过将固化设备60的整个光路或光路的一部分与照相机的光路共同布置而获得的布置应用于根据第一实施例的膜形成装置100。请注意，该布置也适用于根据第二实施例的膜形成装置200和根据第三实施例的膜形成装置300。
膜形成装置100可以包括照相机901，照相机901用于观察布置在基板S和平坦构件FM之间的可固化组合物CM的状态。照相机901可以用于控制例如当使平坦构件FM的平坦表面FS和可固化组合物CM相互接触时平坦构件FM的取向(根据图10中描述的坐标轴，绕X轴的旋转和绕Y轴的旋转)。可替代地，照相机901用于确认可固化组合物CM已经无间隙地填充了基板S和平坦构件FM之间的空间。
固化设备60可以包括产生用于固化可固化组合物CM的紫外线光的紫外线光源903。从紫外线光源903发出的紫外线光被二向色镜905反射，进入基板S上的可固化组合物CM，并固化该可固化组合物CM。二向色镜905可以布置为例如反射从紫外线光源903发出的紫外线光的波长范围的光(例如，其波长等于或小于380nm的光)，并透射超过此光的波长范围的光。
膜形成装置100还可以包括用于通过照相机901的观察的观察光源902。观察光源902可以由例如红色LED形成，并且可以产生在630nm的波长处具有峰值的光。从观察光源902发出的光被半反射镜904反射，透射通过二向色镜905，并照射可固化组合物CM。来自可固化组合物CM(可固化组合物CM被来自观察光源902的光照射)的反射光透射通过二向色镜905和半反射镜904，进入照相机901，并且在图像拍摄表面(传感器表面)上形成光学图像。照相机901拍摄通过布置在基板S和平坦表面FS之间的可固化组合物CM来在图像拍摄表面上形成的光学图像。
通过照相机901拍摄的图像在例如检测可固化组合物CM与平坦表面FS的接触区域和该区域外部的非接触区域之间的边界线方面是有效的。该边界线通常可以形成闭合图形，例如圆形。在边界线不是点对称或线对称的情况下，平坦构件FM可能相对于基板S倾斜。在这种情况下，可以执行校准以校正平坦构件FM相对于基板S的相对倾斜。
另外，通过照相机901拍摄的图像在检测是否由于在基板S和平坦表面FS之间存在颗粒而产生未填充区域方面是有效的。未填充区域是例如由于颗粒的存在而未被可固化组合物CM填充的区域。
固化设备60可以包括可移动孔906，作为改变基板S上可固化组合物的紫外线照射区域的改变器。如稍后将参照图11所描述的那样，例如，可移动孔906可以操作以根据上述边界线的移动来改变紫外线照射区域。
驱动器40还可以包括变形机构48，在使基板S的一部分膜形成区域上的可固化组合物CM与平面构件FM的平坦表面FS相互接触之后，该变形机构48使平坦构件FM变形，以扩大可固化组合物CM与平坦表面FS之间的接触区域。可以将这种变形机构48设置到根据第一、第二或第三实施例的膜形成装置100、200或300的驱动器40。变形机构48可以通过使用用于保持平坦构件FM的保持头44来使平坦构件FM变形，以调节形成在平坦构件FM的背表面侧(与平坦表面FS相反的侧)上的密封空间46的压力。例如，可以使密封空间46的压力高于基准压力，以使平坦构件FM的平坦表面FS在向下(基板S)方向上变形为凸形。结果，可以使基板S的一部分膜形成区域上的可固化组合物CM与平坦构件FM的平坦表面FS相互接触。另一方面，通过将密封空间46的压力调整为基准压力，可以使平坦构件FM的平坦表面FS平坦。在这种情况下的基准压力是可以通过抵消施加到平坦构件FM的重力来使平坦构件FM的平坦表面FS平坦的压力。
以下将参照图11描述可应用于包括上述的可移动孔906和变形机构48的膜形成装置100、200或300的膜形成方法。在图11中，将基板S上的可固化组合物CM与平坦构件FM的平坦表面FS之间的接触区域表示为接触区域1001。此外，将由可移动孔906限定的紫外线照射区域表示为照射区域1002。根据第一至第三实施例，可固化组合物CM已经被加热以降低其粘度并容易地贴合平坦构件FM的平坦表面。
如各箭头所示，变形机构48操作以使接触区域1001逐渐扩大。可移动孔906根据接触区域1001的扩大而改变照射区域1002，从而照射区域1002将被充分地定义在接触区域1001的周界(边界线)内部。
以下将描述根据本发明实施例的物品的制造方法。物品的制造方法可以包括通过上述膜形成装置或膜形成方法在基板S上形成膜的工序以及在基板S上的膜上布置光敏材料的工序。光敏材料可以是光致抗蚀剂。可以通过使用诸如旋涂机的涂布机将光致抗蚀剂布置在膜上。物品的制造方法还可以包括通过对光敏材料(光致抗蚀剂膜)进行曝光来形成图案的工序以及通过使用所述图案来加工基板S的工序。对光敏材料的曝光通过使用曝光装置来进行，优选地，通过扫描曝光装置来进行。另外，对光敏材料的曝光可以通过压印装置来进行。更具体地，压印装置可以通过使基板上的光敏材料和模具相互接触并且通过对光敏材料进行曝光来固化光敏材料，形成由光敏材料的固化产物制成的图案。通过物品的制造方法，从经过了上述工序的基板S制成物品。
虽然已参照示例性实施例描述了本发明，但是，应该理解，本发明不限于公开的示例性实施例。所附权利要求的范围应当被赋予最宽的解释，以便涵盖所有这类修改以及等同的结构和功能。

Claims (15)

1.一种在基板上形成膜的膜形成装置，其特征在于，包括：
基板保持器，被配置为保持基板；
驱动器，被配置为使布置在基板上的可固化组合物与平坦表面相互接触；
加热器，被设置到基板保持器，且被配置为经由基板加热可固化组合物以降低可固化组合物的粘度并使可固化组合物贴合所述平坦表面；
固化设备，被配置为通过在可固化组合物贴合所述平坦表面的状态下使可固化组合物固化来形成由可固化组合物的固化产物制成的膜；以及
移动机构，被配置为将基板保持器布置在第一位置和第二位置，
其中，第一位置是基板保持器接收基板的位置，并且第二位置是固化设备使可固化组合物固化的位置，并且
加热器被控制为使得在基板保持器布置在第一位置的状态下基板保持器的基板保持表面保持在目标温度。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，加热器被控制为使得在基板保持器位于第一位置后直到可固化组合物在第二位置处贴合平坦表面，基板保持表面保持在所述目标温度。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，加热器将可固化组合物加热至落入100℃至200℃的温度范围内的温度。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，基板包括多个投射区域，并且所述平坦表面的尺寸能够全部覆盖所述多个投射区域。
5.根据权利要求1所述的装置，还包括：
供应器，被配置为在基板上供应可固化组合物。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，供应器包括被配置为排出可固化组合物的孔口，并且通过在改变基板和孔口之间的相对位置的同时从孔口排出可固化组合物来将可固化组合物布置在基板上。
7.根据权利要求5所述的装置，其中，供应器包括旋涂机，旋涂机被配置为用可固化组合物旋涂基板。
8.根据权利要求7所述的装置，其中，供应器基于根据基板的图案确定的控制信息将可固化组合物布置在基板上。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的装置，其中，固化设备通过紫外线光来使可固化组合物固化。
10.根据权利要求9所述的装置，其中，固化设备包括改变器，改变器被配置为改变对基板上的可固化组合物的紫外线照射区域。
11.根据权利要求10所述的装置，其中，在使基板的膜形成区域的一部分上的可固化组合物与所述平坦表面接触之后，驱动器扩大可固化组合物与所述平坦表面之间的接触区域；以及
固化设备根据接触区域的扩大来改变紫外线照射区域。
12.一种物品的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
通过权利要求1至8中任一项中所限定的膜形成装置，在基板上形成由可固化组合物的固化产物制成的膜；
在所述膜上布置光敏材料；
通过对光敏材料进行曝光来形成图案；以及
通过使用所述图案来加工基板，
其中，所述物品是从该基板制造的。
13.一种用于在基板上形成膜的膜形成方法，其特征在于，所述方法包括：
在具有基板保持表面的被配置为保持基板的基板保持器位于第一位置的状态下，通过被设置到基板保持器的加热器将基板保持表面保持在目标温度；
在布置在第一位置处的基板保持器的基板保持表面保持在所述目标温度的状态下，将已经布置有可固化组合物的基板布置在基板保持表面上；
通过基板保持表面将保持基板的基板保持器从第一位置传送到第二位置；
使布置在基板上的可固化组合物与平坦表面在第二位置处相互接触；以及
在基板保持表面已经被设置到基板保持器的加热器加热的状态下，在第二位置处通过固化可固化组合物来形成由可固化组合物的固化产物制成的膜，从而降低可固化组合物的粘度并使可固化组合物贴合所述平坦表面。
14.根据权利要求13所述的膜形成方法，其中，加热器被控制为使得在基板保持器位于第一位置后直到可固化组合物在第二位置处贴合平坦表面，基板保持表面保持在所述目标温度。
15.一种物品的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
通过权利要求13或14中所限定的膜形成方法在基板上形成由可固化组合物的固化产物制成的膜；
在所述膜上布置光敏材料；
通过对光敏材料进行曝光来形成图案；以及
通过使用所述图案来加工基板，
其中，所述物品是从该基板制造的。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005532576A (ja) * 2002-02-27 2005-10-27 ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． 多層リソグラフィープロセスに関する新規な平坦化方法
CN1700100A (zh) * 2004-05-07 2005-11-23 奥博杜卡特股份公司 光刻器件及方法
JP2008168447A (ja) * 2007-01-09 2008-07-24 Toshiba Mach Co Ltd 転写装置および転写方法
JP2015533692A (ja) * 2012-09-18 2015-11-26 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 型押し加工する方法および装置
JP2017139257A (ja) * 2016-02-01 2017-08-10 キヤノン株式会社 インプリント装置、制御方法及び物品の製造方法
CN107791512A (zh) * 2016-09-07 2018-03-13 佳能株式会社 三维制造装置、三维制造物体制作方法和用于三维制造装置的容器

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5941836A (ja) * 1982-09-02 1984-03-08 Toshiba Corp 塗布材塗布方法
US5434107A (en) 1994-01-28 1995-07-18 Texas Instruments Incorporated Method for planarization
WO2001018860A2 (en) * 1999-09-09 2001-03-15 Alliedsignal Inc. Improved apparatus and methods for integrated circuit planarization
US7144539B2 (en) * 2002-04-04 2006-12-05 Obducat Ab Imprint method and device
TW200504928A (en) * 2003-06-20 2005-02-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacturing method of semiconductor device
TW200507175A (en) 2003-06-20 2005-02-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Pattern forming method, and manufacturing method for semiconductor device
JP2005101201A (ja) * 2003-09-24 2005-04-14 Canon Inc ナノインプリント装置
JP2008018570A (ja) 2006-07-11 2008-01-31 Nakano Seisakusho:Kk 誘電体表面微細成型方法及び装置ならびに誘電体接合方法及び装置
US7775785B2 (en) * 2006-12-20 2010-08-17 Brewer Science Inc. Contact planarization apparatus
JP5257648B2 (ja) 2007-11-27 2013-08-07 日立化成株式会社 感光性エレメント及びその製造方法
WO2009151560A2 (en) 2008-06-09 2009-12-17 Board Of Regents, The University Of Texas System Adaptive nanotopography sculpting
US9330933B2 (en) * 2008-06-11 2016-05-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for planarizing a polymer layer
JP5235155B2 (ja) 2009-04-08 2013-07-10 パナソニック株式会社 微細樹脂構造体及び光電回路基板の製造方法、微細樹脂構造体及び光電回路基板
JP2011199232A (ja) * 2010-03-17 2011-10-06 Sanei Kagaku Kk プリント配線板及びその製造方法
KR101200562B1 (ko) * 2011-01-17 2012-11-13 부산대학교 산학협력단 광정렬 일체형 대면적 금속 스탬프의 제조 방법 그리고 그를 이용한 고분자 광소자의 제조 방법
US8865599B2 (en) 2011-11-08 2014-10-21 Brewer Science Inc. Self-leveling planarization materials for microelectronic topography
JP5880283B2 (ja) * 2012-05-29 2016-03-08 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
JP2014063791A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Tokyo Electron Ltd 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6338328B2 (ja) 2013-07-02 2018-06-06 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法
JP6437387B2 (ja) 2015-05-25 2018-12-12 東芝メモリ株式会社 基板平坦化方法
JP6542141B2 (ja) 2016-03-08 2019-07-10 東芝メモリ株式会社 パターン形成方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005532576A (ja) * 2002-02-27 2005-10-27 ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． 多層リソグラフィープロセスに関する新規な平坦化方法
CN1700100A (zh) * 2004-05-07 2005-11-23 奥博杜卡特股份公司 光刻器件及方法
JP2008168447A (ja) * 2007-01-09 2008-07-24 Toshiba Mach Co Ltd 転写装置および転写方法
JP2015533692A (ja) * 2012-09-18 2015-11-26 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 型押し加工する方法および装置
JP2017139257A (ja) * 2016-02-01 2017-08-10 キヤノン株式会社 インプリント装置、制御方法及び物品の製造方法
CN107791512A (zh) * 2016-09-07 2018-03-13 佳能株式会社 三维制造装置、三维制造物体制作方法和用于三维制造装置的容器

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