KR102585505B1 - 배기 장치, 처리 시스템 및 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 처리 장치 간의 기차를 저감할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시의 일 양태에 따른 배기 장치는, 처리 용기에 접속된 배기 배관에 설치된 제1 압력 조정부와, 상기 제1 압력 조정부의 하류측에 설치된 제2 압력 조정부와, 상기 제1 압력 조정부의 상류측에 설치된 제1 진공계와, 상기 제1 압력 조정부와 상기 제2 압력 조정부 사이에 설치된 제2 진공계를 갖는다.

Description

배기 장치, 처리 시스템 및 처리 방법{EXHAUST DEVICE, PROCESSING SYSTEM, AND PROCESSING METHOD}
본 개시는, 배기 장치, 처리 시스템 및 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 프로세스에서는, 가스 공급계 및 진공 배기계가 접속된 처리 용기 내에 반도체 웨이퍼를 수용하여 정해진 처리를 행하는 처리 장치가 이용된다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 그런데, 복수의 동일한 사양의 처리 장치를 이용하여 처리를 행하는 경우, 복수의 처리 장치 간의 배기 성능에 편차가 존재하면, 처리 장치마다의 처리 결과에 차이가 날 우려가 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2003-218098호 공보
본 개시는, 처리 장치 간의 기차(機差)를 저감할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 따른 배기 장치는, 처리 용기에 접속된 배기 배관에 설치된 제1 압력 조정부와, 상기 제1 압력 조정부의 하류측에 설치된 제2 압력 조정부와, 상기 제1 압력 조정부의 상류측에 설치된 제1 진공계와, 상기 제1 압력 조정부와 상기 제2 압력 조정부 사이에 설치된 제2 진공계를 갖는다.
본 개시에 따르면, 처리 장치 간의 기차를 저감할 수 있다.
도 1은 일 실시형태의 처리 시스템의 구성예를 나타낸 도면.
도 2는 일 실시형태의 처리 장치의 구성예를 나타낸 도면.
도 3은 배기 박스의 일례를 나타낸 도면.
도 4는 컨덕턴스 조정 처리의 흐름의 일례를 나타낸 도면.
도 5는 제로점 보정 처리의 흐름의 일례를 나타낸 도면.
도 6은 고압 처리의 흐름의 일례를 나타낸 도면.
이하, 첨부한 도면을 참조하면서, 본 개시의 한정적이지 않은 예시의 실시형태에 대해서 설명한다. 첨부한 전체 도면 중, 동일 또는 대응하는 부재 또는 부품에 대해서는 동일 또는 대응하는 참조 부호를 붙이고, 중복되는 설명을 생략한다.
[처리 시스템]
도 1을 참조하여, 일 실시형태의 처리 시스템에 대해서 설명한다. 도 1은 일 실시형태의 처리 시스템의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 일 실시형태의 처리 시스템은, 동일한 사양의 처리 장치(1)(1A, 1B, 1C, 1D)를 복수개 구비한다. 처리 장치(1A, 1B, 1C, 1D)는, 예컨대 각각 처리 용기 내에 있어서, 복수의 기판에 대하여 일괄로 처리를 실행하는 장치이다. 단, 처리 장치(1A, 1B, 1C, 1D)는, 예컨대 처리 용기 내에 기판을 1장씩 수용하여 처리를 실행하는 장치여도 좋다. 이하, 처리 장치(1A, 1B, 1C, 1D)의 각각을 처리 장치(1)이라고도 부른다.
[처리 장치]
도 2를 참조하여, 도 1의 처리 시스템이 구비하는 처리 장치(1)의 구성예에 대해서 설명한다. 도 2는 일 실시형태의 처리 장치(1)의 구성예를 나타낸 도면이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 처리 장치(1)는, 처리부(10), 가열부(30), 가스 도입부(50), 배기부(70), 제어부(90)를 갖는다.
처리부(10)는, 기판의 일례인 반도체 웨이퍼[이하 단순히 「웨이퍼(W)」라고 함]에 대하여, 성막 처리, 에칭 처리 등의 정해진 처리를 행한다. 처리부(10)는, 처리 용기(11), 매니폴드(12), 인젝터(13), 배기 포트(14) 등을 갖는다.
처리 용기(11)는, 세로로 긴 수직 방향으로 연장된 형상을 갖는다. 처리 용기(11)는, 예컨대 석영, 탄화규소 등의 내열 재료에 의해 형성된다. 처리 용기(11)는, 예컨대 원통체의 내관(11a)과, 내관(11a)의 외측에 동심적으로 배치된 천장이 있는 외관(11b)의 이중관 구조를 갖는다. 단, 처리 용기(11)는, 단일관 구조여도 좋다.
매니폴드(12)는, 예컨대 베이스 플레이트(도시하지 않음)에 고정된다. 매니폴드(12)는, 예컨대 스테인리스강에 의해 형성되고, 처리 용기(11)의 하단을 기밀하게 유지한다.
인젝터(13)는, 매니폴드(12)에 부착된다. 인젝터(13)는, 예컨대 L자형으로 굴곡된 석영관이며, 처리 용기(11) 내에 각종 가스를 도입한다. 각종 가스는, 예컨대 성막 가스, 에칭 가스 등의 처리 가스나 퍼지 가스를 포함한다. 성막 가스는, 처리 용기(11) 내에 수용된 웨이퍼(W)에 대하여 막을 형성할 때에 이용되는 가스이며, 그 종류는 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 금속 함유 가스, 반도체 가스, 산화 가스, 환원 가스를 들 수 있다. 에칭 가스는, 처리 용기(11) 내에 수용된 웨이퍼(W) 또는 웨이퍼(W)에 형성된 막을 에칭할 때에 이용되는 가스이며, 그 종류는 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 할로겐 함유 가스를 들 수 있다. 퍼지 가스는, 처리 용기(11) 내를 퍼지할 때에 이용되는 가스이며, 그 종류는 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 불활성 가스를 들 수 있다.
배기 포트(14)는, 매니폴드(12)에 형성되어 있고, 처리 용기(11) 내의 가스를 배기한다.
매니폴드(12)의 하단에는, 로구(爐口)(15)가 형성되어 있다. 로구(15)에는, 예컨대 스테인리스강에 의해 형성된 원판형의 덮개체(16)가 설치되어 있다.
덮개체(16)는, 승강 기구(17)에 의해 승강 가능하게 설치되어 있고, 로구(15)를 기밀하게 밀봉한다. 덮개체(16) 위에는, 예컨대 석영에 의해 형성된 보온통(18)이 설치되어 있다. 보온통(18) 위에는, 다수 장의 웨이퍼(W)를 수평 상태에서 정해진 간격을 두고 다단으로 유지하는, 예컨대 석영에 의해 형성된 웨이퍼 보트(19)가 배치되어 있다.
웨이퍼 보트(19)는, 승강 기구(17)를 이용하여, 덮개체(16)를 상승시킴으로써 처리 용기(11) 내로 반입되어, 처리 용기(11) 내에 수용된다. 또한, 웨이퍼 보트(19)는, 덮개체(16)를 하강시킴으로써, 처리 용기(11) 내에서 반출된다. 웨이퍼 보트(19)는, 길이 방향으로 복수의 슬롯(지지홈)을 가지며, 웨이퍼(W)는 각각 수평 상태에서 상하로 간격을 두고 슬롯에 적재(積載)된다. 웨이퍼 보트(19)에 배치되는 복수의 웨이퍼(W)는, 하나의 배치(batch)를 구성하고, 배치 단위로 각종 처리가 행해진다.
가열부(30)는, 처리 용기(11) 내의 웨이퍼(W)를 정해진 온도로 가열한다. 가열부(30)는, 히터(31)를 갖는다. 히터(31)는, 처리 용기(11) 주위에 설치되고, 예컨대 원통 형상을 갖는다. 히터(31)는, 예컨대 저항 발열체여도 좋다.
가스 도입부(50)는, 인젝터(13)에 대하여 각종 가스를 도입한다. 가스 도입부(50)는, 공급 배관(51), 유량 제어기(도시하지 않음), 개폐 밸브(도시하지 않음) 등을 갖는다. 공급 배관(51)은, 각종 가스 공급원(도시하지 않음)과 인젝터(13)를 접속시키고, 각종 가스 공급원으로부터 인젝터(13)에 가스를 도입한다. 유량 제어기는, 공급 배관(51)의 중간에 설치되어 있고, 공급 배관(51) 내를 흐르는 가스의 유량을 제어한다. 유량 제어기는, 예컨대 매스 플로우 컨트롤러여도 좋다. 개폐 밸브는, 공급 배관(51)의 중간에 설치되어 있고, 공급 배관(51) 내를 흐르는 가스의 인젝터(13)로의 공급·차단을 제어한다.
배기부(70)는, 배기 포트(14)를 통해 처리 용기(11) 내를 배기한다. 배기부(70)는, 배기 배관(71), 배기 장치(72), 배기 박스(73) 등을 갖는다. 배기 배관(71)은, 배기 포트(14)와 배기 장치(72)를 접속시킨다. 배기 장치(72)는, 예컨대 드라이 펌프, 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 가지며, 배기 배관(71)을 통해 처리 용기(11) 내를 배기한다. 배기 박스(73)는, 배기 배관(71)의 중간에 설치되어 있고, 진공 밸브, 진공계 등을 갖는다.
도 3은 처리 장치(1)에 있어서의 배기 박스(73)의 일례를 나타낸 도면이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 배기 박스(73)는, 배기 배관(71)의 중간에 상류측[처리 용기(11)측]에서부터 차례로 설치된, 일차측 진공계(VG1, VG2), 상류측 진공 밸브(VL1), 이차측 진공계(VG3), 하류측 진공 밸브(VL2)를 갖는다.
일차측 진공계(VG1, VG2)는, 배기 배관(71)에 있어서의 상류측 진공 밸브(VL1)보다 상류측에 설치되어 있고, 배기 배관(71)에 있어서의 상류측 진공 밸브(VL1)보다 상류측 부위의 압력을 검출한다. 배기 배관(71)에 있어서의 상류측 진공 밸브(VL1)보다 상류측 부위는 배기 포트(14)를 통해 처리 용기(11) 내와 연통하고 있고, 처리 용기(11) 내의 압력과 거의 동일한 압력이다. 따라서, 일차측 진공계(VG1, VG2)는, 배기 배관(71) 내의 압력을 검출함으로써, 처리 용기(11) 내의 압력을 검출한다. 일차측 진공계(VG1, VG2)는, 처리 용기(11) 내에 있어서 정해진 처리가 행해질 때에, 처리 용기(11) 내의 압력을 검출하고, 검출치를 제어부(90)에 출력한다. 일차측 진공계(VG1, VG2)의 종류는, 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 격막 진공계여도 좋다. 일차측 진공계(VG1)는, 예컨대 10 Torr(1.3×103 Pa) 이하의 압력을 검출하는 진공계이다. 일차측 진공계(VG2)는, 예컨대 10 Torr(1.3×103 Pa)∼1000 Torr(1.3×105 Pa)의 범위의 압력을 검출하는 진공계이다. 또한, 일차측 진공계(VG1, VG2)는, 하나의 진공계에 의해 구성되어 있어도 좋다.
상류측 진공 밸브(VL1)는, 배기 배관(71)에 있어서의 일차측 진공계(VG1, VG2)보다 하류측에 설치되어 있고, 배기 배관(71)의 컨덕턴스를 조정함으로써, 배기 배관(71)을 흐르는 가스의 유량을 제어한다. 상류측 진공 밸브(VL1)의 종류는, 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 버터플라이 밸브여도 좋다. 또한, 상류측 진공 밸브(VL1)는, 제어부(90)로부터의 제어 지령에 따라 배기 배관(71)의 컨덕턴스를 조정한다.
이차측 진공계(VG3)는, 배기 배관(71)에 있어서의 상류측 진공 밸브(VL1)와 하류측 진공 밸브(VL2) 사이에 설치되어 있고, 배기 배관(71)에 있어서의 상류측 진공 밸브(VL1)와 하류측 진공 밸브(VL2) 사이의 부위의 압력을 검출한다. 이차측 진공계(VG3)는, 예컨대 격리 밸브(Vs)를 통해 배기 배관(71)에 접속되어 있고, 격리 밸브(Vs)가 개방되어 있는 경우에 배기 배관(71)의 압력을 검출하고, 검출치를 제어부(90)에 출력한다. 단, 격리 밸브(Vs)는 설치되어 있지 않아도 좋다. 이차측 진공계(VG3)의 종류는, 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 격막 진공계여도 좋다. 이차측 진공계(VG3)는, 예컨대 일차측 진공계(VG1)와 마찬가지로, 10 Torr(1.3×103 Pa) 이하의 압력을 검출하는 진공계이다.
하류측 진공 밸브(L2)는, 배기 배관(71)에 있어서의 이차측 진공계(VG3)보다 하류측에 설치되어 있고, 배기 배관(71)의 컨덕턴스를 조정함으로써, 배기 배관(71)을 흐르는 가스의 유량을 제어한다. 하류측 진공 밸브(VL2)의 종류는, 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 버터플라이 밸브여도 좋다. 또한, 하류측 진공 밸브(VL2)는, 제어부(90)로부터의 제어 지령에 따라 배기 배관(71)의 컨덕턴스를 제어한다.
제어부(90)는, 처리 장치(1)의 각부의 동작을 제어한다. 제어부(90)는, 예컨대 컴퓨터여도 좋다. 처리 장치(1)의 각부의 동작을 제어하는 컴퓨터의 프로그램은, 매체에 기억되며, 정해진 판독 장치에 의해 기억부로 판독되고, 제어부(90) 내에 인스톨된다. 매체는, 예컨대 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 광자기 디스크, 메모리 카드, 플렉시블 디스크여도 좋다.
예컨대, 제어부(90)는, 처리 용기(11) 내에 있어서 정해진 처리를 행하기 전에, 이차측 진공계(VG3)에 의해 검출되는 압력이 미리 정한 설정치가 되도록 하류측 진공 밸브(VL2)의 개도(開度)를 조정한다. 구체적으로는, 제어부(90)는, 이차측 진공계(VG3)에 의해 검출되는 압력이 미리 정한 설정치보다 큰 경우, 하류측 진공 밸브(VL2)의 컨덕턴스가 높아지도록 하류측 진공 밸브(VL2)의 개도를 크게 한다. 이것에 의해, 배기 장치(72)의 배기 성능이 경시적으로 열화한 경우여도, 배기부(70)의 컨덕턴스를 거의 일정하게 유지할 수 있다. 이때, 제어부(90)는, 처리 용기(11) 내의 온도를 일정하게 유지하고, 처리 용기(11) 내에 불활성 가스를 공급한 상태에서 하류측 진공 밸브(VL2)를 조정하는 것이 바람직하다. 또한, 설정치는, 예컨대 배기 장치(72)를 교환한 직후나 배기 장치(72)를 메인터넌스한 직후에 설정된다. 또한, 설정치는, 동일한 사양의 처리 장치(1) 사이에서 공통의 값인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 동일한 사양의 처리 장치(1) 사이에서 배기부(70)의 컨덕턴스를 거의 동일하게 조정할 수 있어, 처리 장치(1) 간의 기차를 저감할 수 있다.
또한, 제어부(90)는, 처리 용기(11) 내에 있어서 성막 처리를 행할 때에, 격리 밸브(Vs)를 폐쇄하도록 제어한다. 이것에 의해, 배기 배관(71)과 이차측 진공계(VG3)와의 연통이 차단되기 때문에, 성막 처리시에 생기는 반응생성물 등이 이차측 진공계(VG3)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 이차측 진공계(VG3)의 제로점이 시프트하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 제어부(90)는, 처리 용기(11) 내를 정해진 압력 이상으로 제어하는 경우, 하류측 진공 밸브(VL2)의 컨덕턴스가 작아지도록 하류측 진공 밸브(VL2)의 개도를 작게 한 후, 처리 용기(11) 내부가 원하는 압력이 되도록 상류측 진공 밸브(VL1)를 조정한다. 이것에 의해, 상류측 진공 밸브(VL1)에 의한 압력 제어시에 개도가 너무 작아져서, 압력 제어의 정밀도가 저하되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 정해진 압력은, 예컨대 상류측 진공 밸브(VL1)가 사용 가능한 압력 범위에 따라 정해진다.
이상으로 설명한 바와 같이, 일 실시형태에서는, 처리 용기(11)에 접속된 배기 배관(71)에, 일차측 진공계(VG1, VG2), 상류측 진공 밸브(VL1), 이차측 진공계(VG3) 및 하류측 진공 밸브(VL2)가 이 순서로 설치되어 있다. 이것에 의해, 복수의 동일한 사양의 처리 장치(1) 사이에서, 이차측 진공계(VG3)에 의해 검출되는 압력이 미리 정한 공통의 설정치가 되도록 하류측 진공 밸브(VL2)를 조정할 수 있다. 그 결과, 복수의 동일한 사양의 처리 장치(1) 사이에서 배기부(70)의 컨덕턴스를 거의 동일하게 조정할 수 있어, 처리 장치(1) 간의 기차를 저감할 수 있다.
그런데, 원자층 퇴적(ALD: Atomic Layer Deposition) 프로세스에서는, 짧은 주기로 제1 반응 가스의 공급, 제1 반응 가스의 배기, 제2 반응 가스의 공급 및 제2 반응 가스의 배기를 반복한다. 그 때문에, 진공 밸브의 응답성의 문제로, 압력 제어를 이용하지 않고, 개도 제어나 완전 개방을 이용하는 경우가 있다. 이 경우, 처리 용기(11) 내의 압력은 배기부(70)의 배기 성능에 의존한다. 그 때문에, 처리 장치(1) 사이에서의 배기부(70)의 배기 성능이 상이하면, 처리 장치(1) 사이에서 처리 용기(11) 내의 압력에 편차가 생겨, 웨이퍼(W)에 형성되는 막의 두께나 막질에 편차가 생긴다.
그러나, 일 실시형태에서는, 복수의 동일한 사양의 처리 장치(1) 사이에서 배기부(70)의 컨덕턴스를 거의 동일하게 조정할 수 있다. 그 때문에, ALD 프로세스에 있어서 개도 제어나 완전 개방을 이용하는 경우여도, 처리 장치(1) 사이에서 처리 용기(11) 내의 압력에 편차가 생기는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 웨이퍼(W)에 형성되는 막의 두께나 막질의 편차를 저감할 수 있다.
[처리 장치의 동작]
도 4를 참조하여, 처리 장치(1)의 동작(처리 방법)의 일례로서, 제어부(90)가 처리 장치(1)의 각부의 동작을 제어함으로써, 배기부(70)의 컨덕턴스를 조정하는 처리(이하 「컨덕턴스 조정 처리」라고 함)에 대해서 설명한다. 컨덕턴스 조정 처리는, 제어부(90)가 성막 처리, 에칭 처리 등의 정해진 처리를 실행하는 신호를 수신한 경우에 실행된다. 도 4는 컨덕턴스 조정 처리의 흐름의 일례를 나타낸 도면이다.
단계 S41에서는, 제어부(90)는, 처리 용기(11) 내에 정해진 유량으로 불활성 가스를 공급하도록 가스 도입부(50)를 제어한다. 또한, 제어부(90)는, 처리 용기(11) 내부가 일정 온도로 유지되도록 가열부(30)를 제어한다.
단계 S42에서는, 제어부(90)는, 이차측 진공계(VG3)에 의해 검출되는 압력이 미리 정한 설정치가 되도록 하류측 진공 밸브(VL2)의 개도를 조정하고, 조정 후의 개도로 고정한다.
단계 S43에서는, 제어부(90)는, 격리 밸브(Vs)를 폐쇄한다.
단계 S44에서는, 제어부(90)는, 처리 장치(1)의 각부의 동작을 제어함으로써, 정해진 처리를 시작하게 한다. 정해진 처리가 종료된 후, 제어부(90)는, 컨덕턴스 조정 처리를 종료하게 한다.
이상의 컨덕턴스 조정 처리에서는, 제어부(90)는, 정해진 처리마다, 이차측 진공계(VG3)에 의해 검출되는 압력이 미리 정한 설정치가 되도록 하류측 진공 밸브(VL2)의 개도를 조정한다. 이것에 의해, 정해진 처리마다 배기부(70)의 컨덕턴스를 거의 동일하게 조정할 수 있기 때문에, 배기 장치(72)의 배기 성능이 경시적으로 열화한 경우여도, 배기부(70)의 컨덕턴스를 거의 일정하게 유지할 수 있다. 그 때문에, ALD 프로세스에 있어서 개도 제어나 완전 개방을 이용하는 경우여도, 배치 사이에서 처리 용기(11) 내의 압력에 편차가 생기는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 배치 사이에서 웨이퍼(W)에 형성되는 막의 두께나 막질의 편차가 생기는 것을 억제할 수 있다.
또한, 전술한 컨덕턴스 조정 처리를, 복수의 동일한 사양의 처리 장치(1)로 행함으로써, 동일한 사양의 처리 장치(1) 사이에서 배기부(70)의 컨덕턴스를 거의 동일하게 조정할 수 있어, 처리 장치(1) 간의 기차를 저감할 수 있다.
도 5를 참조하여, 처리 장치(1)의 동작(처리 방법)의 일례로서, 제어부(90)가 처리 장치(1)의 각부의 동작을 제어함으로써, 일차측 진공계(VG1)의 제로점을 보정하는 처리(이하 「제로점 보정 처리」라고 함)에 대해서 설명한다. 제로점 보정 처리는, 제어부(90)가 성막 처리, 에칭 처리 등의 정해진 처리를 실행하는 신호를 수신한 경우에 실행된다. 도 5는 제로점 보정 처리의 흐름의 일례를 나타낸 도면이다.
단계 S51에서 단계 S53까지는, 컨덕턴스 조정 처리의 단계 S41에서 단계 S43까지와 동일하기 때문에, 설명을 생략한다.
단계 S54에서는, 처리 용기(11) 내로의 불활성 가스의 공급을 정지하도록 가스 도입부(50)를 제어한다.
단계 S55에서는, 제어부(90)는, 일차측 진공계(VG1)의 압력치가 이차측 진공계(VG3)의 압력치와 같아지도록 일차측 진공계(VG1)의 제로점을 보정한다. 또한, 제로점의 보정은, 오퍼레이터에 의해 실행되어도 좋다.
단계 S56에서는, 제어부(90)는, 처리 장치(1)의 각부의 동작을 제어함으로써, 정해진 처리를 시작하게 한다. 정해진 처리가 종료된 후, 제어부(90)는, 제로점 보정 처리를 종료하게 한다.
이상의 제로점 보정 처리에서는, 정해진 처리마다, 일차측 진공계(VG1)의 압력치가 이차측 진공계(VG3)의 압력치와 같아지도록 일차측 진공계(VG1)의 제로점을 보정한다. 이것에 의해, 예컨대 성막 처리에 의해 일차측 진공계(VG1)에 막이 부착된 경우여도, 처리 용기(11) 내의 압력을 정밀도 좋게 조정할 수 있다. 그 결과, 안정된 프로세스 성능을 얻을 수 있다.
그런데, 예컨대 0.2 Torr의 성막 단계에 있어서, 일차측 진공계(VG1)의 제로점이 5 mTorr 시프트하고 있는 경우를 생각한다. 이 경우, 원래라면 처리 용기(11) 내부가 0.2 Torr로 조정된 상태에서 성막이 행해지는 바, 0.195 Torr 또는 0.205 Torr로 조정된 상태에서 성막이 행해지게 된다. 그 때문에, 형성되는 막의 두께가 설계 막 두께로부터 벗어나 버린다. 특히, 성막 단계와 에칭 단계를 교대로 반복하는 프로세스에 있어서는, 설계 막 두께로부터의 편차가 막 두께의 면내 균일성을 악화시킨다. 그러나, 상기한 제로점 보정 처리에서는, 이 과제를 해결할 수 있다.
도 6을 참조하여, 처리 장치(1)의 동작(처리 방법)의 일례로서, 제어부(90)가 처리 장치(1)의 각부의 동작을 제어함으로써, 처리 용기(11) 내부를 정해진 압력 이상의 고압으로 조정하여 행하는 처리(이하 「고압 처리」라고 함)에 대해서 설명한다. 고압 처리는, 제어부(90)가 성막 처리, 에칭 처리 등의 정해진 처리를 실행하는 신호를 수신한 경우에 실행된다. 도 6은 고압 처리의 흐름의 일례를 나타낸 도면이다.
단계 S61에서는, 제어부(90)는, 수신한 정해진 처리를 실행하는 신호에 기초하여, 상기 정해진 처리에 있어서의 설정 압력이 정해진 압력 이상인지 여부를 판정한다. 단계 S61에 있어서, 제어부(90)가, 정해진 처리에 있어서의 설정 압력이 정해진 압력 이상이라고 판정한 경우, 처리를 단계 S62로 진행시킨다. 한편, 단계 S61에 있어서, 제어부(90)가, 정해진 처리에 있어서의 설정 압력이 정해진 압력 미만이라고 판정한 경우, 처리를 단계 S63으로 진행시킨다.
단계 S62에서는, 제어부(90)는, 설정 압력에 따라 하류측 진공 밸브(VL2)의 개도가 작아지도록 하류측 진공 밸브(VL2)를 제어한다.
단계 S63에서는, 제어부(90)는, 처리 장치(1)의 각부의 동작을 제어함으로써, 정해진 처리를 시작하게 한다. 정해진 처리가 종료된 후, 제어부(90)는, 고압 처리를 종료하게 한다.
이상의 고압 처리에서는, 제어부(90)가, 정해진 처리에 있어서의 설정 압력이 정해진 압력 이상이라고 판정한 경우, 설정 압력에 따라 하류측 진공 밸브(VL2)의 개도가 작아지도록 하류측 진공 밸브(VL2)를 제어한다. 이것에 의해, 상류측 진공 밸브(VL1)를 이용하여 압력 제어를 행할 때에 상류측 진공 밸브(VL1)의 개도가 너무 작아져서, 압력 제어의 정밀도가 저하되는 것을 억제할 수 있다.
그런데, 예컨대 상류측 진공 밸브(VL1)를 이용하여 압력 제어를 행할 때의 설정 압력이 높은 경우를 생각한다. 이 경우, 상류측 진공 밸브(VL1)의 개도가 사용 가능한 범위의 하한치(예컨대 5%)를 하회하는 경우가 있다. 그 결과, 처리 용기(11) 내를 설정 압력으로 조정할 수 없거나 또는 처리 용기(11) 내의 압력이 안정되지 않는 상태가 된다. 그러나, 상기한 고압 처리에서는, 이 과제를 해결할 수 있다.
또한, 상기한 실시형태에 있어서, 상류측 진공 밸브(VL1)는 제1 압력 조정부의 일례이고, 하류측 진공 밸브(VL2)는 제2 압력 조정부의 일례이다. 또한, 일차측 진공계(VG1)는 제1 진공계의 일례이며, 이차측 진공계(VG3)는 제2 진공계의 일례이다.
이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시로서 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 상기한 실시형태는, 첨부한 청구범위 및 그 취지를 벗어나는 일없이, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.

Claims (10)

  1. 복수의 처리 장치의 각각에 설치되는 배기 장치로서,
    복수의 상기 처리 장치의 각각은, 처리 용기와, 상기 처리 용기에 접속된 배기 배관을 포함하며,
    상기 배기 장치는,
    상기 배기 배관에 설치된 제1 압력 조정부와,
    상기 제1 압력 조정부의 하류측에 설치된 제2 압력 조정부와,
    상기 제1 압력 조정부의 상류측에 설치된 제1 진공계와,
    상기 제1 압력 조정부와 상기 제2 압력 조정부 사이에 설치된 제2 진공계
    를 포함하고,
    상기 제2 압력 조정부는, 상기 처리 용기 내에 정해진 유량으로 불활성 가스가 공급된 상태에서, 상기 제2 진공계에 의해 검출되는 압력이 미리 정해진 설정치가 되도록 상기 배기 배관의 컨덕턴스를 조정하도록 구성되고,
    상기 정해진 유량 및 상기 설정치는, 각각 복수의 상기 처리 장치 사이에서 공통의 값인 것인, 배기 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 압력 조정부는, 상기 처리 용기 내에서 성막을 행하기 전에 조정되는 것인, 배기 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 진공계는, 격리 밸브를 통해 상기 배기 배관에 접속되어 있는 것인, 배기 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 격리 밸브는, 상기 처리 용기 내에서 성막을 행할 때에 폐쇄되는 것인, 배기 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 압력 조정부는, 상기 처리 용기 내를 일정한 온도로 유지한 상태에서 조정되는 것인, 배기 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 처리 용기 내를 정해진 압력 이상으로 제어하는 경우, 상기 제2 압력 조정부의 컨덕턴스가 작아지도록 상기 제2 압력 조정부가 조정된 후, 상기 처리 용기 내부가 원하는 압력이 되도록 상기 제1 압력 조정부가 조정되는 것인, 배기 장치.
  7. 처리 용기에 접속된 배기 배관에 설치된 제1 압력 조정부와,
    상기 제1 압력 조정부의 상류측에 설치된 제1 진공계와,
    상기 제1 압력 조정부의 하류측에 설치된 제2 압력 조정부와,
    상기 제1 압력 조정부와 상기 제2 압력 조정부 사이에 설치된 제2 진공계
    를 갖는 처리 장치를 복수개 포함하고,
    상기 제2 압력 조정부는, 상기 처리 용기 내에 정해진 유량으로 불활성 가스가 공급된 상태에서, 상기 제2 진공계에 의해 검출되는 압력이 미리 정해진 설정치가 되도록 상기 배기 배관의 컨덕턴스를 조정하도록 구성되고,
    상기 정해진 유량 및 상기 설정치는, 각각 복수의 상기 처리 장치 사이에서 공통의 값인 것인, 처리 시스템.
  8. 처리 용기에 접속된 배기 배관에 설치된 제1 압력 조정부와,
    상기 제1 압력 조정부의 상류측에 설치된 제1 진공계와,
    상기 제1 압력 조정부의 하류측에 설치된 제2 압력 조정부와,
    상기 제1 압력 조정부와 상기 제2 압력 조정부 사이에 설치된 제2 진공계
    를 갖는 처리 장치를 복수개 이용한 처리 방법으로서,
    상기 처리 용기 내에 정해진 유량으로 불활성 가스가 공급된 상태에서, 상기 제2 진공계에 의해 검출되는 압력이 미리 정한 설정치가 되도록 상기 제2 압력 조정부를 조정하는 것을 포함하고,
    상기 정해진 유량 및 상기 설정치는, 각각 복수의 상기 처리 장치 사이에서 공통의 값인 것인, 처리 방법.
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