KR102583911B1 - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판의 비표시 영역에 구비된 댐 구조물 및 상기 댐 구조물의 외곽에 구비된 얼라인 마크를 포함하여 이루어진다. 상기 얼라인 마크가 댐 구조물의 외곽에 형성되기 때문에, 댐 구조물에 의해서 상기 얼라인 마크가 가려지지 않으며 그에 따라 스크라이빙 공정이 원활히 수행될 수 있다.

Description

유기 발광 표시 장치{Organic Light Emitting Display Device}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 모 기판으로부터 복수 개의 단위 패널을 얻기 위한 스크라이빙 공정을 진행할 때 필요한 얼라인 마크(Align Mark)에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 자체 발광이 가능한 표시 장치로서, 음극(cathode)과 양극(anode) 사이에 유기 발광층이 형성된 구조를 가진다. 상기 구조에 의해서, 상기 음극에서 공급된 전자와 상기 양극에서 공급된 정공이 상기 유기 발광층 내부로 주입되어 액시톤(exiton)이 생성되고, 생성된 액시톤(exciton)이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 떨어지면서 발광을 하게 된다.
이와 같은 유기 발광 표시 장치는 모 기판 상에 복수 개의 단위 패널(Unit Panel; U/P)을 형성한 후, 스크라이빙 공정을 통해 상기 단위 패널을 절단하는 공정을 통해 얻어지는데, 이하 도면을 참조로 종래의 유기 발광 표시 장치에 대해서 설명하기로 한다.
도 1a 내지 도 1c는 종래의 유기 발광 표시 장치의 제조 공정을 도시한 개략적인 공정도이다.
우선, 도 1a에서 알 수 있듯이, 모 기판(1a) 상에 복수 개의 단위 패널(Unit panel; U/P)을 형성한다. 도면에는 편의상 2개의 단위 패널(U/P)만을 도시하였다.
이때, 상기 모 기판(1a)의 모서리 영역에는 제1 스크라이빙 공정을 위한 제1 얼라인 마크(2)가 형성되어 있고, 상기 복수 개의 단위 패널(U/P) 각각에는 제2 스크라이빙 공정을 위한 제2 얼라인 마크(2)가 형성되어 있다.
다음, 도 1b에서 알 수 있듯이, 상기 모 기판(1a)의 모서리 영역에 형성된 상기 제1 얼라인 마크(2)를 이용하여 제1 스크라이빙 공정을 수행한다. 그리하면, 복수 개의 단위 패널(U/P)이 얻어진다.
이때, 복수 개의 단위 패널(U/P) 각각에는 테스트 영역(Test Area; T/A)이 구비되어 있어, 단위 패널(U/P) 각각에 대한 테스트 공정을 수행한다.
다음, 도 1c에서 알 수 있듯이, 상기 단위 패널(U/P)의 모서리 영역에 형성된 상기 제2 얼라인 마크(3)를 이용하여 제2 스크라이빙 공정을 수행한다. 그리하면, 단위 패널(U/P)에서 상기 테스트 영역(T/A)이 제거된다.
이와 같이 종래의 유기 발광 표시 장치는 상기 제1 얼라인 마크(2)를 이용한 제1 스크라이빙 공정 및 상기 제2 얼라인 마크(3)를 이용한 제2 스크라이빙 공정을 통해 제조되는데, 이때 상기 제2 스크라이빙 공정시 상기 제2 얼라인 마크(3)의 식별이 용이하지 않아 상기 제2 스크라이빙 공정을 원활히 수행하지 못할 수 있다.
도 1c에서 화살표로 인출된 도면은 상기 제2 얼라인 마크(3)가 형성된 영역의 단면 모습을 도시한 것으로서, 기판(1) 상에 상기 제2 얼라인 마크(3)가 형성되어 있고, 상기 제2 얼라인 마크(3) 상에 수분 침투를 방지하기 위한 봉지층(Encapsulation layer)(5)이 형성되어 있고, 상기 봉지층(5) 상에 봉지 기판(7)이 형성되어 있다.
이와 같이 종래의 경우에는 상기 제2 얼라인 마크(3) 상에 상기 봉지층(5)이 형성되어 있기 때문에 상기 제2 얼라인 마크(3)에 대한 식별이 용이하지 않고, 그에 따라 상기 단위 패널(U/P)에서 상기 테스트 영역(T/A)을 제거하기 위한 제2 스크라이빙 공정 수행이 용이하지 않은 문제점이 있다.
본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 얼라인 마크의 식별이 용이하여 스크라이빙 공정을 원활히 수행할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판의 비표시 영역에 구비된 댐 구조물 및 상기 댐 구조물의 외곽에 구비된 제1 얼라인 마크를 포함하여 이루어진다. 이때, 상기 댐 구조물은 제1 방향으로 배열된 제1 댐 구조물, 제2 방향으로 배열된 제2 댐 구조물, 및 상기 제1 댐 구조물과 상기 제2 댐 구조물 각각과 경사지면서 연결된 제3 댐 구조물을 포함하여 이루어지고, 상기 제1 얼라인 마크는 상기 제3 댐 구조물의 외측에 구비되어 있다.
이상과 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명에 따르면, 얼라인 마크가 댐 구조물의 외곽에 형성되기 때문에, 댐 구조물에 의해서 상기 얼라인 마크가 가려지지 않으며 그에 따라 스크라이빙 공정이 원활히 수행될 수 있다.
특히, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 댐 구조물 및 제2 댐 구조물 각각과 경사지게 연결되도록 제3 댐 구조물을 형성하고, 상기 제3 댐 구조물의 외측에 제1 얼라인 마크를 형성함으로써, 비표시 영역의 크기를 증가시키지 않으면서도 제1 얼라인 마크와 댐 구조물 사이의 중첩을 방지할 수 있어, 유기 발광 표시 장치의 베젤 크기를 줄이면서도 스크라이빙 공정을 원활히 수행할 수 있다.
도 1a 내지 도 1c는 종래의 유기 발광 표시 장치의 제조 공정을 도시한 개략적인 공정도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도로서, 이는 도 3의 C 영역을 확대한 확대도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 제1 얼라인 마크의 형성 위치를 도시한 개략도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 9 는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 기판(100), 제2 기판(200), 댐 구조물(300), 충진제(400), 및 얼라인 마크(500a, 500b)를 포함하여 이루어진다.
상기 제1 기판(100)은 유리 또는 투명한 플라스틱으로 이루어질 수 있다. 상기 제1 기판(100) 상에는 액티브 영역(Active Area; A/A), 비표시 영역(Non Display Area; ND/A), 패드 영역(Pad Area/ P/A), 및 봉지 영역(Encapsulation Area; E/A)이 마련되어 있다.
상기 액티브 영역(A/A)에는 복수 개의 화소(P)가 형성되어 있어 화상이 표시된다. 이와 같이 화상을 표시하기 위해서, 상기 제1 기판(100) 상의 액티브 영역(A/A)에는 회로 소자층(110)과 발광 소자층(120)이 구비되어 있다.
상기 회로 소자층(110)은 상기 제1 기판(100) 상에 형성되며, 구체적으로 도시하지는 않았지만, 게이트 배선, 데이터 배선, 전원 배선, 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터, 및 커패시터를 포함하여 이루어진다. 이와 같은 회로 소자층(110)의 구체적인 구성은 당업계에 공지된 다양한 형태로 변경될 수 있다.
상기 발광 소자층(120)은 상기 회로 소자층(110) 상에 형성되며, 구체적으로 도시하지는 않았지만, 뱅크층, 양극, 음극, 및 상기 양극과 음극 사이에 구비된 유기 발광층을 포함하여 이루어진다. 상기 발광 소자층(120)의 구체적인 구성도 당업계에 공지된 다양한 형태로 변경될 수 있다.
상기 비표시 영역(Non Display Area; ND/A)은 화상을 디스플레이지 하지 않는 영역으로서 상기 액티브 영역(A/A)의 외곽에 마련된다.
상기 패드 영역(Pad Area/ P/A)은 상기 비표시 영역(ND/A) 내에 위치한다. 상기 패드 영역(P/A)에는 외부의 구동부와 연결되는 다수의 신호 패드가 형성되어 있다. 따라서, 외부의 구동부는 상기 패드 영역(P/A)에 구비된 신호 패드와 접속하여 상기 액티브 영역(A/A)에 신호를 인가할 수 있다. 이와 같이 외부의 구동부와 연결하기 위해서 상기 패드 영역(P/A)은 외부로 노출된다. 즉, 상기 제1 기판(100) 상에 구비되는 상기 패드 영역(P/A)을 외부로 노출시키기 위해서, 상기 제2 기판(100)은 상기 제1 기판(100)보다 짧게 형성되고, 또한, 상기 봉지 영역(E/A)은 상기 패드 영역(P/A)까지 연장되지 않는다.
상기 봉지 영역(Encapsulation Area; E/A)은 상기 액티브 영역(A/A) 내로 수분이 침투하는 것을 방지한다. 이와 같은 수분 침투 방지를 위해서, 상기 발광 소자층(120) 상에는 패시베이션층(130)이 구비되어 있고, 상기 패시베이션층(130) 상에는 충진제(400)가 구비되어 있고, 상기 충진제(400)의 외곽에 상기 댐 구조물(300)이 형성되어 있다. 따라서, 상기 패시베이션층(130), 상기 충진제(400), 및 상기 댐 구조물(300)의 형성 영역이 상기 봉지 영역(E/A)에 해당한다. 결국, 상기 봉지 영역(E/A)은 상기 액티브 영역(A/A)에서부터 상기 댐 구조물(300)이 형성된 영역까지를 포함한다.
상기 패시베이션층(130)은 상기 발광 소자층(120) 상에 형성되면서 상기 발광 소자층(120)과 상기 회로 소자층(110)을 덮고 있다. 즉, 상기 패시베이션층(130)은 상기 발광 소자층(120)의 상면과 측면 및 상기 회로 소자층(110)의 측면을 덮는다. 이와 같은 패시베이션층(130)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기절연물을 포함할 수 있으며, 특히 서로 상이한 무기절연물이 교대로 적층된 구조로 이루어질 수 있다.
상기 충진제(400)는 상기 패시베이션층(130) 상에 형성되며 특히 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200) 사이에 충진되어 있다. 상기 충진제(400)는 투습 방지효과가 있는 투명한 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 충진제(400)는 접착성 물질을 추가로 포함하여 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200) 사이의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 충진제(400)는 상기 액티브 영역(A/A)에서 상기 비표시 영역(ND/A)으로 연장되며 특히 상기 댐 구조물(300)의 안쪽까지 연장된다.
상기 댐 구조물(300)은 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200) 사이에 구비되어 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200) 사이를 접착시킨다. 이와 같은 댐 구조물(300)에 의해서 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200) 사이의 영역이 밀봉된다. 또한 상기 댐 구조물(300)은 상기 봉지 영역(E/A)을 정의하며, 따라서, 상기 댐 구조물(300)의 안쪽 영역이 상기 봉지 영역(E/A)에 해당한다.
상기 댐 구조물(300)은 씰런트(Sealant)(310), 외측 댐 뱅크(Dam Bank)(320) 및 내측 댐 뱅크(330)를 포함하여 이루어진다.
상기 씰런트(310)는 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200) 사이를 접착시킨다. 이와 같은 씰런트(310)는 열경화성 수지 또는 광경화성 수지 등과 같은 당업계에 공지된 다양한 재료로 이루어질 수 있다.
상기 외측 댐 뱅크(320)와 상기 내측 댐 뱅크(330)는 각각 상기 씰런트(310)의 외측과 내측에 형성되어 상기 씰런트(310)의 도포 영역을 정의한다. 상기 외측 댐 뱅크(320)와 상기 내측 댐 뱅크(330)는 상기 발광 소자층(120) 내에서 화소 영역을 정의하도록 구비된 뱅크층과 동일한 재료로 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 외측 댐 뱅크(320)와 상기 내측 댐 뱅크(330)는 폴리이미드(polyimide), 포토아크릴(Photo acryl), 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등과 같은 유기 절연물로 이루어질 수 있다.
상기 외측 댐 뱅크(320)는 상기 씰런트(310)가 외측으로 확산되는 것을 방지하여 상기 씰런트(310)에 의해서 얼라인 마크(500a, 500b)가 가려지지 않도록 한다. 또한, 상기 내측 댐 뱅크(330)은 상기 씰런트(310)가 내측으로 확산되는 것을 방지하여 상기 씰런트(310)에 의해서 액티브 영역(A/A)이 가려지지 않도록 한다.
도 2의 화살표로 인출된 도면에서 알 수 있듯이, 상기 외측 댐 뱅크(320)와 상기 내측 댐 뱅크(330)는 요철 구조로 이루어질 수 있다. 상기 외측 댐 뱅크(320)와 상기 내측 댐 뱅크(330)가 요철 구조로 이루어진 경우, 상기 씰런트(310)가 외측 및 내측으로 확산되는 것을 보다 효율적으로 방지할 수 있다. 상기 외측 댐 뱅크(320)와 상기 내측 댐 뱅크(330) 중 어느 하나만 요철 구조로 이루어진 것도 가능하다.
상기 외측 댐 뱅크(320)와 상기 내측 댐 뱅크(330)는 도시된 바와 같이 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200)에 각각 형성될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 외측 댐 뱅크(320)가 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200) 중 어느 하나의 기판에만 형성될 수도 있고, 상기 내측 댐 뱅크(330)가 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200) 중 어느 하나의 기판에만 형성될 수도 있다.
상기 얼라인 마크(500a, 500b)는 상기 제1 기판(100) 상에 구비된다. 상기 얼라인 마크(500a, 500b)는 상기 제1 기판(100) 상의 회로 소자층(110)의 구성과 동일한 물질로 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 얼라인 마크(500a, 500b)는 상기 회로 소자층(110)의 게이트 배선과 동일한 물질로 동일한 공정을 통해 형성될 수도 있고, 상기 회로 소자층(110)의 데이터 배선과 동일한 물질로 동일한 공정을 통해 형성될 수도 있다.
상기 얼라인 마크(500a, 500b)는 비표시 영역(ND/A)에 형성된다. 상기 얼라인 마크(500a, 500b)는 상기 패드 영역(P/A)과 중첩되지 않는 비표시 영역(ND/A)에 구비되는 제1 얼라인 마크(500a) 및 상기 패드 영역(P/A)과 중첩되는 비표시 영역(ND/A)에 구비되는 제2 얼라인 마크(500b)를 포함하여 이루어진다. 즉, 상기 제2 얼라인 마크(500b)는 상기 패드 영역(P/A)에 형성되고, 상기 제1 얼라인 마크(500a)는 상기 패드 영역(P/A) 이외의 비표시 영역(ND/A)에 형성된다.
이와 같은 제1 얼라인 마크(500a) 및 제2 얼라인 마크(500b)는 상기 댐 구조물(300)의 외곽에 형성된다. 보다 구체적으로, 상기 제1 얼라인 마크(500a) 및 제2 얼라인 마크(500b)는 상기 외측 댐 뱅크(320)의 외곽에 형성된다. 이와 같이 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 얼라인 마크(500a) 및 제2 얼라인 마크(500b)가 상기 댐 구조물(300)의 외곽에 형성되기 때문에, 상기 댐 구조물(300) 또는 상기 충진제(400)와 같은 봉지 영역(E/A) 내의 봉지 물질에 의해서 상기 제1 얼라인 마크(500a) 및 제2 얼라인 마크(500b)가 가려지지 않으며 그에 따라 스크라이빙 공정이 원활히 수행될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 3에서 알 수 있듯이, 제1 기판(100) 상에는 액티브 영역(A/A)이 마련되어 있고, 상기 액티브 영역(A/A)의 외곽에 비표시 영역(ND/A)이 마련되어 있다. 또한, 상기 비표시 영역(ND/A)에는 패드 영역(Pad Area/ P/A)이 구비되어 있다.
상기 비표시 영역(ND/A)에는 댐 구조물(300)이 형성되어 있고, 상기 댐 구조물(300)의 안쪽에는 충진제(400)가 형성되어 있다. 상기 댐 구조물(300)은 상기 액티브 영역(A/A)을 둘러싸도록 형성되어 있고, 상기 충진제(400)는 상기 액티브 영역(A/A)에서부터 상기 댐 구조물(300)의 안쪽까지 형성되어 있다. 상기 패드 영역(P/A)이 노출될 수 있도록 상기 댐 구조물(300)은 상기 패드 영역(P/A)에는 형성되지 않는다. 따라서, 상기 댐 구조물(300)과 상기 충진제(400)를 포함하는 봉지 영역(E/A)은 상기 액티브 영역(A/A)과 상기 비표시 영역(ND/A)의 일부 영역에 형성되지만 상기 패드 영역(P/A)에는 형성되지 않는다.
상기 댐 구조물(300)의 외곽에는 얼라인 마크(500a, 500b)가 형성되어 있다. 상기 얼라인 마크(500a, 500b)는 상기 제1 기판(100)의 모서리 영역에 형성된다. 이와 같은 얼라인 마크(500a, 500b)는 제1 얼라인 마크(500a) 및 제2 얼라인 마크(500b)를 포함하여 이루어진다. 전술한 바와 같이, 상기 제1 얼라인 마크(500a)는 상기 패드 영역(P/A)과 중첩되지 않는 비표시 영역(ND/A)에 구비되고, 상기 제2 얼라인 마크(500b)는 상기 패드 영역(P/A)과 중첩되는 비표시 영역(ND/A)에 구비된다.
상기 댐 구조물(300)은 상기 패드 영역(P/A)에 형성되지 않기 때문에 상기 패드 영역(P/A)에 구비되는 제2 얼라인 마크(500b)가 상기 댐 구조물(300)과 중첩되어 상기 댐 구조물(300)에 의해 가려질 염려는 없다. 그러나, 상기 제1 얼라인 마크(500a)와 상기 댐 구조물(300)은 상기 패드 영역(P/A) 이외의 비표시 영역(ND/A)에 함께 형성되기 때문에 상기 제1 얼라인 마크(500a)가 상기 댐 구조물(300)과 중첩되어 상기 댐 구조물(300)에 의해 가려질 가능성이 있다.
본 발명의 일 실시예에서는 상기 댐 구조물(300)의 형상을 변형하여 상기 댐 구조물(300)이 제1 얼라인 마크(500a)와 중첩되지 않도록 함으로써 상기 제1 얼라인 마크(500a)가 상기 댐 구조물(300)에 가려지지 않아 스크라이빙 공정을 원활히 수행할 수 있게 된다.
구체적으로, 상기 댐 구조물(300)은 전체적으로 상기 액티브 영역(A/A)의 외곽에서 상기 액티브 영역(A/A)에 대응하는 형상을 가지도록 형성되지만 상기 제1 얼라인 마크(500a)가 위치한 영역(C 영역 참조)에서는 상기 액티브 영역(A/A)에 대응하는 형상을 가지지 않는다. 즉, 상기 액티브 영역(A/A)이 직사각형 구조로 이루어진 경우, 상기 댐 구조물(300)도 전체적으로는 직사각형 구조를 가지지만 상기 제1 얼라인 마크(500a)가 위치한 제1 기판(100)의 모서리 영역(C 영역 참조)에서는 상기 댐 구조물(300)이 수직 구조의 모서리를 가지지 않는다.
이와 같은 상기 제1 얼라인 마크(500a)가 위치한 제1 기판(100)의 모서리 영역을 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도로서, 이는 도 3의 C 영역을 확대한 확대도이다.
*도 4에서 알 수 있듯이, 상기 댐 구조물(300)은 제1 댐 구조물(300a), 제2 댐 구조물(300b), 및 제3 댐 구조물(300c)를 포함하여 이루어진다.
상기 제1 댐 구조물(300a)은 제1 방향, 예로서 가로 방향의 직선 구조로 배열되어 있다. 상기 제1 댐 구조물(300a)은 액티브 영역(A/A)의 제1 방향의 최외곽 라인(La)과 나란하게 배열되어 있다. 이와 같은 제1 댐 구조물(300a)은 제1 씰런트(310a), 제1 외측 댐 뱅크(320a) 및 제1 내측 댐 뱅크(330a)를 포함하여 이루어진다. 상기 제1 씰런트(310a), 제1 외측 댐 뱅크(320a) 및 제1 내측 댐 뱅크(330a) 모두 상기 액티브 영역(A/A)의 제1 방향의 최외곽 라인(La)과 나란하게 배열되어 있다. 특히, 상기 제1 내측 댐 뱅크(330a)는 상기 액티브 영역(A/A)의 제1 방향의 최외곽 라인(La)과 제1 거리(D1)를 두고 이격되어 있다.
상기 제2 댐 구조물(300b)은 제2 방향, 예로서 세로 방향의 직선 구조로 배열되어 있다. 상기 제2 댐 구조물(300b)은 액티브 영역(A/A)의 제2 방향의 최외곽 라인(Lb)과 나란하게 배열되어 있다. 이와 같은 제2 댐 구조물(300b)은 제2 씰런트(310b), 제2 외측 댐 뱅크(320b) 및 제2 내측 댐 뱅크(330b)를 포함하여 이루어진다. 상기 제2 씰런트(310b), 제2 외측 댐 뱅크(320b) 및 제2 내측 댐 뱅크(330b) 모두 상기 액티브 영역(A/A)의 제2 방향의 최외곽 라인(Lb)과 나란하게 배열되어 있다. 특히, 상기 제2 내측 댐 뱅크(330b)는 상기 액티브 영역(A/A)의 제2 방향의 최외곽 라인(Lb)과 제2 거리(D2)를 두고 이격되어 있다.
상기 제3 댐 구조물(300c)은 상기 제1 댐 구조물(300a)과 상기 제2 댐 구조물(300b)을 연결하는 직선 구조로 이루어진다. 상기 제3 댐 구조물(300c)은 상기 제1 댐 구조물(300a) 및 상기 제2 댐 구조물(300b) 각각과 경사지게 연결된다. 이와 같은 제3 댐 구조물(300c)은 상기 액티브 영역(A/A)의 제1 방향의 최외곽 라인(La) 및 제2 방향의 최외곽 라인(Lb)과 나란하지 않게 배열된다. 따라서, 상기 제3 댐 구조물(300c)에 의해서, 상기 댐 구조물(300)의 형상이 상기 액티브 영역(A/A)의 형상과 상이하게 된다. 상기 제3 댐 구조물(300c)은 제3 씰런트(310c), 제3 외측 댐 뱅크(320c) 및 제3 내측 댐 뱅크(330c)를 포함하여 이루어진다. 상기 제3 씰런트(310c), 제3 외측 댐 뱅크(320c) 및 제3 내측 댐 뱅크(330c) 모두 상기 액티브 영역(A/A)의 제1 방향의 최외곽 라인(La) 및 제2 방향의 최외곽 라인(Lb)과 나란하지 않게 배열된다. 상기 제3 내측 댐 뱅크(330c)는 상기 액티브 영역(A/A)의 최외곽 라인, 구체적으로 제1 방향의 최외곽 라인(La)과 제2 방향의 최외곽 라인(Lb)이 만나는 꼭지점(Lc)과 제3 거리(D3)를 두고 이격되어 있다.
상기 제3 실런트(310c)는 상기 제1 실런트(310a) 및 상기 제2 실런트(310b)와 각각 연결된다. 구체적으로, 상기 제3 실런트(310c)의 일단은 상기 제1 실런트(310a)와 연결되고 상기 제3 실런트(310c)의 타단은 상기 제2 실런트(310b)와 연결된다.
상기 제3 외측 댐 뱅크(320c)는 상기 제1 외측 댐 뱅크(320a) 및 상기 제2 외측 댐 뱅크(320b)와 각각 연결된다. 구체적으로, 상기 제3 외측 댐 뱅크(320c)의 일단은 상기 제1 외측 댐 뱅크(320a)와 연결되고 상기 제3 외측 댐 뱅크(320c)의 타단은 상기 제2 외측 댐 뱅크(320b)와 연결된다.
상기 제3 내측 댐 뱅크(330c)는 상기 제1 내측 댐 뱅크(330a) 및 상기 제2 내측 댐 뱅크(330b)와 각각 연결된다. 구체적으로, 상기 제3 내측 댐 뱅크(330c)의 일단은 상기 제1 내측 댐 뱅크(330a)와 연결되고 상기 제3 내측 댐 뱅크(330c)의 타단은 상기 제2 내측 댐 뱅크(330b)와 연결된다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 댐 구조물(300a) 및 상기 제2 댐 구조물(300b) 각각과 경사지게 연결되도록 상기 제3 댐 구조물(300c)을 형성함으로써, 상기 제3 댐 구조물(300c)의 외측 영역에 제1 얼라인 마크(500a)의 형성 영역을 마련할 수 있다. 따라서, 비표시 영역(ND/A)의 크기를 증가시키지 않으면서도 상기 제1 얼라인 마크(500a)와 댐 구조물(300b) 사이의 중첩을 방지할 수 있어, 유기 발광 표시 장치의 베젤(Bezel) 크기를 줄이면서도 스크라이빙 공정을 원활히 수행할 수 있다.
또한, 상기 제1 내측 댐 뱅크(330a)와 상기 액티브 영역(A/A)까지의 제1 거리(D1), 상기 제2 내측 댐 뱅크(330b)과 상기 액티브 영역(A/A)까지의 제2 거리(D2), 및 상기 제3 내측 댐 뱅크(330c)과 상기 액티브 영역(A/A)까지의 제3 거리(D3)를 적절히 유지함으로써, 상기 댐 구조물(300)에 의해서 상기 액티브 영역(A/A)이 가려지는 것을 방지할 수 있다. 특히, 상기 제3 거리(D3)를 줄이면 상기 제1 얼라인 마크(500a)의 형성 영역이 커질 수 있지만 상기 제3 거리(D3)가 너무 줄어들면 상기 제3 댐 구조물(300c) 내의 제3 실런트(310c)에 의해 상기 액티브 영역(A/A)이 가려질 수도 있다. 따라서, 상기 제3 거리(D3)는 상기 제1 거리(D1) 또는 제2 거리(D2)와 같거나 크도록 형성하는 것이 상기 제3 실런트(310c)에 의해 상기 액티브 영역(A/A)이 가려지지 않도록 하는데 바람직할 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 제1 얼라인 마크의 형성 위치를 도시한 개략도이다.
도 5a에서 알 수 있듯이, 제3 댐 구조물(300c)의 외측에 형성되는 제1 얼라인 마크(500a)는 제1 댐 구조물(300a)의 연장선상 또는 제2 댐 구조물(300b)의 연장선상에 형성될 수 있다.
도 5b에서 알 수 있듯이, 제3 댐 구조물(300c)의 외측에 형성되는 제1 얼라인 마크(500b)는 제1 댐 구조물(300a)의 연장선상의 내측 또는 제2 댐 구조물(300b)의 연장선상의 내측에 형성될 수 있다.
이와 같이, 상기 제1 얼라인 마크(500a)가 제1/제2 댐 구조물(300a, 300b)의 연장선상 또는 제1/제2 댐 구조물(300a, 300b)의 연장선상의 내측에 형성됨으로써, 비표시 영역의 크기를 줄일 수 있어 유기 발광 표시 장치의 베젤(bezel) 크기를 줄일 수 있다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도로서, 이는 도 4에서 제3 댐 구조물(300c)의 구조가 변경된 것을 제외하고 전술한 도 4에 따른 유기 발광 표시 장치와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서 동일한 도면부호를 부여하였고 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
전술한 도 4에 따르면, 제3 댐 구조물(300c)이 직선 구조로 이루어짐에 반하여, 도 6 및 도 7에 따르면, 제3 댐 구조물(300c)이 곡선 구조로 이루어진다.
특히, 도 6에 따르면 제3 댐 구조물(300c)을 이루는 곡선 구조의 중심점이 상기 제3 댐 구조물(300c)을 중심으로 그 안쪽에 위치함으로써 제3 댐 구조물(300c)을 이루는 곡선 구조가 외측 방향으로 볼록한 구조를 이룬다. 이 경우, 상기 제3 댐 구조물(300c)과 액티브 영역(A/A)의 최외곽 라인(Lc)까지의 거리(D3)를 충분히 확보할 수 있는 장점이 있다.
또한, 도 7에 따르면, 제3 댐 구조물(300c)을 이루는 곡선 구조의 중심점이 상기 제3 댐 구조물(300c)을 중심으로 그 바깥쪽에 위치함으로써 제3 댐 구조물(300c)을 이루는 곡선 구조가 내측 방향으로 볼록한 구조를 이룬다. 이 경우, 상기 제3 댐 구조물(300c)의 외측에 위치하는 제1 얼라인 마크(500a)의 형성 영역을 충분히 확보할 수 있는 장점이 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도로서, 이는 댐 구조물(300)의 구조가 변경된 것을 제외하고 전술한 도 3에 따른 유기 발광 표시 장치와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서 동일한 도면부호를 부여하였고 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
도 8에서 알 수 있듯이, 댐 구조물(300)은 제1 방향의 직선 구조로 배열된 2개의 제1 댐 구조물(300a), 제2 방향의 직선 구조로 배열된 2개의 제2 댐 구조물(300b), 및 상기 제1 댐 구조물(300a)과 상기 제2 댐 구조물(300b) 각각과 경사지면서 상기 제1 댐 구조물(300a)과 상기 제2 댐 구조물(300b)을 연결하는 직선 구조의 4개의 제3 댐 구조물(300c)을 포함하여 이루어진다.
전술한 도 3의 구조에서는 제1 얼라인 마크(500a) 근방에는 제3 댐 구조물(300c)을 형성하지만 제2 얼라인 마크(500b) 근방에는 제3 댐 구조물(300c)을 형성하지 않았고, 따라서, 제2 얼라인 마크(500b) 근방에서는 상기 제1 댐 구조물(300a)과 상기 제2 댐 구조물(300b)이 직접 연결되면서 액티브 영역(A/A)의 최외곽 라인과 대응하는 형상을 가진다.
그에 반하여, 도 8에 따르면 제1 얼라인 마크(500a) 근방에 제3 댐 구조물(300c)을 형성함과 더불어 제2 얼라인 마크(500b) 근방에도 제3 댐 구조물(300c)을 형성하였다. 따라서, 패드 영역(P/A)에 형성되는 제2 얼라인 마크(500b)가 댐 구조물(300)에 의해 가려질 가능성이 더욱 줄어든다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도로서, 이는 제3 댐 구조물(300c)의 구조가 곡선 구조로 이루어진 점을 제외하고 전술한 도 8에 도시한 유기 발광 표시 장치와 동일하다.
도 9는 전술한 도 6에 따른 제3 댐 구조물(300c)이 4개의 모서리 영역에 적용된 것이고, 도 10은 전술한 도 7에 따른 제3 댐 구조물(300c)이 4개의 모서리 영역에 적용된 것이다.
이와 같은 본 발명에 따른 유기 발광 장치는 상부 발광(Top Emission) 방식, 또는 하부 발광(Bottom Emission) 방식 등과 같은 당업계에 공지된 다양한 방식으로 적용될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 제1 기판 110: 회로 소자층
120: 발광 소자층 130: 패시베이션층
300: 댐 구조물 310: 씰런트
320: 외측 댐 뱅크 330: 내측 댐 뱅크
400: 충진제 500a, 500b: 제1, 제2 얼라인 마크

Claims (15)

  1. 화상을 표시하는 복수의 화소를 포함한 액티브 영역 및 상기 액티브 영역의 외곽에 마련된 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판의 비표시 영역에 구비된 댐 구조물; 및
    상기 기판의 비표시 영역에서 상기 댐 구조물의 외곽에 구비된 제1 얼라인 마크를 포함하여 이루어지고,
    상기 댐 구조물은 상기 액티브 영역의 최외곽 라인과 나란하게 배열된 제1 부분 및 상기 액티브 영역의 최외곽 라인과 나란하지 않게 배열된 제2 부분을 포함하여 이루어진 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 얼라인 마크는 상기 댐 구조물의 제2 부분의 외곽에 구비된 유기 발광 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 댐 구조물의 제2 부분은 상기 기판의 모서리 영역에 구비된 유기 발광 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 댐 구조물의 제1 부분은 제1 방향으로 배열된 제1 댐 구조물 및 제2 방향으로 배열된 제2 댐 구조물을 포함하고,
    상기 댐 구조물의 제2 부분은 상기 제1 댐 구조물 및 상기 제2 댐 구조물과 연결된 제3 댐 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제3 댐 구조물은 상기 제1 댐 구조물 및 상기 제2 댐 구조물과 경사지게 연결된 유기 발광 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 댐 구조물은 씰런트, 상기 씰런트의 외측에 구비된 외측 댐 뱅크, 및 상기 씰런트의 내측에 구비된 내측 댐 뱅크를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 외측 댐 뱅크 및 상기 내측 댐 뱅크 중 적어도 하나의 상면은 요철 구조로 이루어진 유기 발광 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 댐 구조물의 제2 부분에서 상기 액티브 영역의 최외곽 라인까지의 거리는 상기 댐 구조물의 제1 부분에서 상기 액티브 영역의 최외곽 라인까지의 거리와 같거나 큰 유기 발광 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 얼라인 마크는 상기 댐 구조물의 제1 부분의 가상의 연장선상에 구비되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 얼라인 마크는 상기 댐 구조물의 제1 부분의 가상의 연장선상의 내측에 구비되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 댐 구조물의 제2 부분은 직선 구조로 이루어진 유기 발광 표시 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 댐 구조물의 제2 부분은 곡선 구조로 이루어진 유기 발광 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 상기 비표시 영역 내에 패드 영역을 구비하고 있고,
    상기 패드 영역에 제2 얼라인 마크가 추가로 포함되어 있으며,
    상기 댐 구조물은 상기 패드 영역에는 구비되지 않은 유기 발광 표시 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 액티브 영역 내에 구비된 발광 소자 및 상기 발광 소자를 덮고 있는 충진제는 포함하고,
    상기 충진제는 상기 댐 구조물까지 연장되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 화소는 게이트 라인 및 데이터 라인을 구비하고,
    상기 제1 얼라인 마크는 상기 게이트 라인 또는 상기 데이터 라인과 동일한 물질로 이루어진 유기 발광 표시 장치.
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102402195B1 (ko) * 2015-06-30 2022-05-25 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN107452893B (zh) * 2016-05-31 2020-04-14 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
CN107104201B (zh) * 2017-05-25 2019-08-13 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示面板封装结构及其制作方法、显示装置
KR102426268B1 (ko) * 2017-09-15 2022-07-27 엘지디스플레이 주식회사 표시장치와 그의 제조방법
KR102404005B1 (ko) * 2017-10-31 2022-05-30 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그의 제조방법
KR102483563B1 (ko) * 2017-11-21 2022-12-30 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102491393B1 (ko) * 2017-12-07 2023-01-20 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
KR102515630B1 (ko) * 2017-12-20 2023-03-29 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US11765941B2 (en) * 2017-12-26 2023-09-19 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
CN208904069U (zh) 2018-11-07 2019-05-24 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板和显示装置
CN109545830B (zh) * 2018-11-23 2020-09-11 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制造方法、显示装置
CN109920932B (zh) * 2019-03-05 2020-08-28 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置及显示面板的制备工艺
KR20200117093A (ko) * 2019-04-02 2020-10-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TW202111721A (zh) * 2019-05-22 2021-03-16 加拿大商弗瑞爾公司 用於傳送設置之對準方法
CN110444681B (zh) * 2019-07-22 2020-12-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 发光面板及显示设备
CN113287198B (zh) * 2019-12-20 2023-04-18 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法和对位方法
CN111584460B (zh) * 2020-05-07 2022-02-22 武汉华星光电技术有限公司 一种显示面板、显示屏以及电子装置
KR20210157527A (ko) * 2020-06-19 2021-12-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그것의 제조 방법
KR20210157939A (ko) * 2020-06-22 2021-12-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN112505964B (zh) * 2020-11-20 2022-08-30 合肥鑫晟光电科技有限公司 发光基板及其制备方法、显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014102371A (ja) 2012-11-20 2014-06-05 Japan Display Inc 表示装置

Family Cites Families (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5220200A (en) * 1990-12-10 1993-06-15 Delco Electronics Corporation Provision of substrate pillars to maintain chip standoff
KR100411678B1 (ko) * 1999-01-28 2003-12-18 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전기 광학 패널, 투사형 표시 장치 및 전기 광학 패널의제조 방법
EP2161735A3 (en) * 1999-03-05 2010-12-08 Canon Kabushiki Kaisha Image formation apparatus
AU1904000A (en) * 1999-12-17 2001-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation for organic led device
WO2002021557A1 (en) * 2000-09-06 2002-03-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation for oled devices
JP3994655B2 (ja) * 2000-11-14 2007-10-24 住友電気工業株式会社 半導体受光素子
JP2002329576A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2003017259A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法
US6982178B2 (en) * 2002-06-10 2006-01-03 E Ink Corporation Components and methods for use in electro-optic displays
US6791660B1 (en) * 2002-02-12 2004-09-14 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing electrooptical device and apparatus for manufacturing the same, electrooptical device and electronic appliances
US7295279B2 (en) * 2002-06-28 2007-11-13 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. System and method for manufacturing liquid crystal display devices
JP4082239B2 (ja) * 2003-02-27 2008-04-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器
KR100750006B1 (ko) * 2003-07-04 2007-08-16 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 자동 프로그래밍 방법 및 장치
US9492820B2 (en) * 2003-09-19 2016-11-15 Applied Biosystems, Llc High density plate filler
US7279063B2 (en) * 2004-01-16 2007-10-09 Eastman Kodak Company Method of making an OLED display device with enhanced optical and mechanical properties
JP4024773B2 (ja) * 2004-03-30 2007-12-19 シャープ株式会社 配線基板、半導体装置およびその製造方法並びに半導体モジュール装置
US7936062B2 (en) * 2006-01-23 2011-05-03 Tessera Technologies Ireland Limited Wafer level chip packaging
KR101233144B1 (ko) * 2006-06-12 2013-02-14 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법
JP2008010450A (ja) 2006-06-27 2008-01-17 Canon Inc 電子機器パネル
US8140843B2 (en) * 2006-07-07 2012-03-20 Sandisk Technologies Inc. Content control method using certificate chains
WO2008102866A1 (ja) * 2007-02-22 2008-08-28 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子
US7916247B2 (en) * 2007-08-30 2011-03-29 Seiko Epson Corporation Electro-optic device, and electronic apparatus including the same
JP5104176B2 (ja) * 2007-10-04 2012-12-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
WO2009140798A1 (zh) * 2008-05-21 2009-11-26 精材科技股份有限公司 电子元件封装体及其制作方法
US7791089B2 (en) * 2008-08-26 2010-09-07 Albeo Technologies, Inc. LED packaging methods and LED-based lighting products
US8058659B2 (en) * 2008-08-26 2011-11-15 Albeo Technologies, Inc. LED chip-based lighting products and methods of building
JP5168160B2 (ja) * 2009-01-15 2013-03-21 ソニー株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
KR100993415B1 (ko) * 2009-03-24 2010-11-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시 장치
US8416370B2 (en) * 2009-04-22 2013-04-09 Japan Display Central Inc. Liquid crystal display device having patterned alignment fiducial mark and method for manufacturing the same
KR101084264B1 (ko) * 2009-08-07 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 봉지기판, 이를 포함하는 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법
DE102009046755A1 (de) * 2009-11-17 2011-05-26 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Organisches photoelektrisches Bauelement
KR101097317B1 (ko) * 2009-11-18 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
JP5853350B2 (ja) * 2010-03-08 2016-02-09 住友化学株式会社 電気装置
KR101401177B1 (ko) * 2010-07-23 2014-05-29 파나소닉 주식회사 표시 패널 및 그 제조 방법
KR101710180B1 (ko) * 2010-09-02 2017-03-09 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 평판 표시 장치용 원장기판
JP5927756B2 (ja) * 2010-12-17 2016-06-01 ソニー株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP6040448B2 (ja) * 2012-04-18 2016-12-07 株式会社Joled 表示装置および表示装置の製造方法
JPWO2013172040A1 (ja) * 2012-05-18 2016-01-12 株式会社Joled 表示パネルと表示パネルの製造方法
JP6042885B2 (ja) * 2012-05-31 2016-12-14 京セラ株式会社 電子素子搭載用基板および電子装置
KR101922528B1 (ko) * 2012-07-06 2018-11-28 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US8816507B2 (en) * 2012-07-26 2014-08-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package-on-Package structures having buffer dams and method for forming the same
JP6095301B2 (ja) * 2012-09-03 2017-03-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US9136293B2 (en) * 2012-09-07 2015-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and apparatus for sensor module
JP6045276B2 (ja) * 2012-09-28 2016-12-14 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法
KR102043177B1 (ko) * 2012-11-21 2019-11-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102145884B1 (ko) * 2012-12-24 2020-08-20 삼성디스플레이 주식회사 레티클, 이를 포함하는 노광 장치, 및 노광 방법
JP6270339B2 (ja) * 2013-05-22 2018-01-31 オリンパス株式会社 撮像装置、撮像装置の製造方法、及び内視鏡システム
WO2015000095A1 (en) * 2013-07-05 2015-01-08 Industrial Technology Research Institute Flexible display and method for fabricating the same
KR102153394B1 (ko) * 2013-07-29 2020-09-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20150025994A (ko) * 2013-08-30 2015-03-11 엘지디스플레이 주식회사 Oled 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP6425877B2 (ja) * 2013-09-26 2018-11-21 株式会社ジャパンディスプレイ 表示素子およびその製造方法
CN103500755A (zh) * 2013-10-16 2014-01-08 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示屏、oled显示屏的制造方法及显示装置
JP2015170702A (ja) * 2014-03-06 2015-09-28 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器
KR102250042B1 (ko) * 2014-03-17 2021-05-11 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102181237B1 (ko) * 2014-03-17 2020-11-23 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US9831387B2 (en) * 2014-06-14 2017-11-28 Hiphoton Co., Ltd. Light engine array
US9832860B2 (en) * 2014-09-26 2017-11-28 Intel Corporation Panel level fabrication of package substrates with integrated stiffeners
KR102352285B1 (ko) * 2014-10-10 2022-01-18 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR102244018B1 (ko) * 2014-11-20 2021-04-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102323242B1 (ko) * 2015-03-10 2021-11-08 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치
CN105140418A (zh) * 2015-08-25 2015-12-09 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光二极管封装件及包括其的显示装置
EP3386754A4 (en) * 2015-12-07 2019-08-07 Kateeva, Inc. TECHNIQUES FOR MANUFACTURING THIN FILMS WITH IMPROVED PRINTING SPEED AND HOMOGENEITY

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014102371A (ja) 2012-11-20 2014-06-05 Japan Display Inc 表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR102654679B1 (ko) 2024-04-03
KR20230141697A (ko) 2023-10-10
KR20220155959A (ko) 2022-11-24
US11968860B2 (en) 2024-04-23
KR102466959B1 (ko) 2022-11-11
US20210151532A1 (en) 2021-05-20
CN110085632A (zh) 2019-08-02
US10304916B2 (en) 2019-05-28
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