KR102526552B1 - 은 제품 및 은 제품의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 은 제품의 비커스 경도(초기값)와, XRD 분석에 의해 얻어지는 X선 회절 차트의 소정 피크의 높이(h1, h2)의 비율(h2 / h1)과의 관계성을 나타내는 도이다.
도 3의 (a) ~ (b)는 도금 처리, 및 프레스 처리를 하지 않은 은 제품에 대한 배럴 처리에 의한 가공 시간을 변경한 경우의, 은 제품의 비커스 경도(초기값)의 변화와, 은 제품의 비커스 경도(에이징 후)의 변화를 나타내는 도이다.
도 4의 (a) ~ (b)는 도금 처리, 및 프레스 처리를 실시한 은 제품에 대한 배럴 처리에 의한 가공 시간을 변경한 경우의, 은 제품의 비커스 경도(초기값)의 변화와, 은 제품의 비커스 경도(에이징 후)의 변화를 나타내는 도이다.
도 5의 (a) ~ (c)는 도금 처리, 및 프레스 처리를 하지 않은 은 제품에 대한 배럴 처리에 의한 가공 시간(0, 5, 10, 30, 45, 60 분)을 변경한 경우의, 은 제품의 X선 회절 차트의 소정 피크에 있어서의 반값 폭 변화(W1, W2) 및 그들의 비율 변화(W2 / W1)를 나타내는 도이다.
도 6의 (a)는 도금 처리, 및 프레스 처리를 하지 않은 은 제품에 대한 배럴 처리에 의한 가공 시간을 변경한 경우의, HV x W2의 값의 변화를 나타내는 도이며, 도 6의 (b)는 도금 처리, 및 프레스 처리를 하지 않은 은 제품에 대한 배럴 처리에 의한 가공 시간을 변경한 경우의, HV x (W1 / W2)의 값의 변화를 나타내는 도이다.
도 7은 도금 처리, 및 프레스 처리를 하지 않은 은 제품에 대한 배럴 처리에 의한 가공 시간을 변경한 경우의, 은 제품(선 형상의 물체)의 체적 저항률의 변화를 나타내는 도이다.
도 8의 (a) ~ (c)는 각각 도금층을 가지는 은 제품을 설명하기 위하여 제공하는 도이다.
도 9의 (a)는 배럴 처리를 실시한 후에, 도금 처리를 실시한 은 제품의 비커스 경도(초기값)와, XRD 분석에 의해 얻어지는 X선 회절 차트의 소정 피크의 높이(h1, h2)의 비율(h2 / h1)과의 관계성을 나타내는 도이며, 도 9의 (b)는 도금 처리의 두께와 비커스 경도(초기값)의 값의 관계성을 나타내는 도이다.
도 10의 (a)는 은 제품에 대한 배럴 처리(실시예 1 상당히)에 의해 표면에서 확인되는 다각형 형상 모양(귀갑 모양)의 일례를 나타내는 도이며, 도 10의 (b)는 은 제품에 대한 배럴 처리 전의 표면 상태(비교예 1 상당)를 설명하기 위하여 제공하는 도이다.
도 11의 (a) ~ (b)는 코킹(calking) 구조의 제조 방법을 설명하기 위하여 제공하는 도이다.
도 12는 배럴 장치의 구성을 설명하기 위하여 제공하는 개략도이다.
도 13의 (a) ~ (b)는 가공 후의 은 제품의 용도를 설명하기 위한 일례를 나타내는 도이다.
도 14는 배럴 처리를 실시한 은 제품과 도금 처리 및 배럴 처리를 실시한 은 제품에 대하여, 100℃로 가열한 시간에 대한 비커스 경도의 변화를 나타내는 도이다.
도 15는 도금 처리 및 배럴 처리를 실시한 은 제품에 대하여, 100℃로 가열한 시간에 대한 XRD 분석에 의해 얻어지는 X선 회절 차트의 소정 피크의 높이(h1, h2)의 비율(h2 / h1)의 변화를 나타내는 도이다.
| 배럴 시간(분) |
은 도금 처리 |
평가1 | 평가2 | 평가3 | 평가4 | 평가5 | 평가6 | 평가7 | 평가8 | |
| 실험예1 | 10 | 없음 | 0.44 | ○ | △ | △ | ○ | ○ | ◎ | ◎ |
| 실험예2 | 5 | 없음 | 0.42 | △ | △ | △ | ○ | ○ | ◎ | ◎ |
| 실험예3 | 30 | 없음 | 0.39 | ◎ | ◎ | ○ | ○ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 실험예4 | 45 | 없음 | 0.81 | ◎ | ◎ | ○ | ○ | ○ | ◎ | ◎ |
| 실험예5 | 60 | 없음 | 0.43 | ○ | ○ | ◎ | ○ | ○ | ◎ | ◎ |
| 실험예6 | 10 | 있음 20μm | 0.63 | ◎ | ◎ | ○ | ○ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 실험예7 | 30 | 있음 30μm | 0.72 | ◎ | ◎ | ○ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 실험예8 | 45 | 있음 10μm | 0.75 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 비교예1 | 0 | 없음 | 0.18 | X | X | X | X | X | ◎ | ○ |
| 비교예2 | 0 | 있음 20μm | 0.19 | △ | △ | X | ○ | X | ◎ | ○ |
| 배럴 시간(분) |
은 도금 처리 |
평가1 | 평가2 | 평가3 | 평가4 | 평가5 | 평가6 | 평가7 | 평가8 | |
| 실험예9 | 10 | 없음 | 0.83 | ◎ | ◎ | ◎ | ○ | ○ | ◎ | ◎ |
| 실험예10 | 5 | 없음 | 0.81 | ◎ | ◎ | ◎ | ○ | ○ | ◎ | ◎ |
| 실험예11 | 30 | 없음 | 0.95 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 실험예12 | 45 | 없음 | 0.91 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 실험예13 | 60 | 없음 | 1.02 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ○ | ◎ | ◎ |
| 실험예14 | 10 | 있음 20μm | 1.35 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 실험예15 | 30 | 있음 30μm | 1.42 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 실험예16 | 45 | 있음 10μm | 1.56 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
Claims (9)
- 순은 또는 99.9 중량% 이상의 순도를 가지는 은 합금으로 이루어지는 은 제품(단, 은 장신구를 제외)으로서, 이하 구성 (a1)~(a3)을 구비하는 것을 특징으로 하는 은 제품.
(a1) 상기 은 제품의 비커스 경도를 80 ~ 200 HV의 범위 내의 값으로 하는 것
(a2) 상기 은 제품의, XRD 분석에 의해 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ = 38˚ ± 0.2˚의 피크의 높이를 h1이라 하고, 2θ = 44˚ ± 0.4˚의 피크의 높이를 h2라 했을 때, h2 / h1의 값을 0.5 이상으로 하는 것
(a3) 상기 은 제품의 비커스 경도를 HV라 하고, 상기 은 제품의 XRD 분석에 의해 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ = 44˚ ± 0.4˚의 피크의 반값 폭을 W2라 했을 때에, HV x W2의 값을 25 이상의 값으로 하는 것 - 제 1 항에 있어서,
상기 은 제품의 비커스 경도를 100 ~ 200 HV의 범위 내의 값으로 하고, 또한,
상기 은 제품의, XRD 분석에 의해 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ = 38˚ ± 0.2˚의 피크의 높이를 h1이라 하고, 2θ = 44˚ ± 0.4˚의 피크의 높이를 h2라 했을 때, h2 / h1의 값을 1.0 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 은 제품. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 은 제품 상에, 또한 순은 또는 99.9 중량% 이상의 순도를 가지는 은 합금으로 이루어지는 은 도금을 가지는 것을 특징으로 하는 은 제품. - 삭제
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 은 제품의 비커스 경도를 HV라 하고, 상기 은 제품의 XRD 분석에 의해 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ = 38˚ ± 0.2˚의 피크의 반값 폭을 W1이라 하고, 2θ = 44˚ ± 0.4˚의 피크의 반값 폭을 W2라 했을 때에, HV x (W1 / W2)의 값을 48 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 은 제품. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
체적 저항률이 2 μΩ·cm 이하인 것을 특징으로 하는 은 제품. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 은 제품이 전극 부재, 전열 제품, 회로 부재, 땜납 대체재, 의료 기구, 반사재, 장식품, 은 점토, 은 식기 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 은 제품. - 순은 또는 99.9 중량% 이상의 순도를 가지는 은 합금으로 이루어지는 은 제품(단, 은 장신구를 제외)의 제조 방법으로서, 하기 공정 (1) ~ (2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 은 제품의 제조 방법.
(1) 소정 형상의 은 제품을 준비하는 공정
(2) 상기 소정 형상의 은 제품을 자기 배럴로 표면 처리를 실시함으로써, 상기 소정 형상의 은 제품의 비커스 경도를 80 ~ 200 HV의 범위 내의 값으로 하고, 또한 상기 소정 형상의 은 제품의 XRD 분석에 의해 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ = 38˚ ± 0.2˚의 피크의 높이를 h1이라 하고, 2θ = 44˚ ± 0.4˚의 피크의 높이를 h2라 했을 때, h2 / h1의 값을 0.5 이상으로 하고, 상기 은 제품의 비커스 경도를 HV라 하고, 상기 은 제품의 XRD 분석에 의해 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ = 44˚ ± 0.4˚의 피크의 반값 폭을 W2라 했을 때에, HV x W2의 값을 25 이상의 값으로 하는 공정 - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
100℃, 10 ~ 30 분의 어닐링 처리했을 경우의 비커스 경도를 80 ~ 200 HV의 범위 내의 값으로 하는 것을 특징으로 하는 은 제품.
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Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20201125 Comment text: Request for Examination of Application |
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| PG1501 | Laying open of application | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20220808 Patent event code: PE09021S01D |
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| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20221215 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20220808 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |
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| X091 | Application refused [patent] | ||
| AMND | Amendment | ||
| PX0901 | Re-examination |
Patent event code: PX09011S01I Patent event date: 20221215 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX09012R01I Patent event date: 20220926 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX09012R01I Patent event date: 20201125 Comment text: Amendment to Specification, etc. |
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| PX0701 | Decision of registration after re-examination |
Patent event date: 20230216 Comment text: Decision to Grant Registration Patent event code: PX07013S01D Patent event date: 20230207 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX07012R01I Patent event date: 20221215 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX07011S01I Patent event date: 20220926 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX07012R01I Patent event date: 20201125 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX07012R01I |
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| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20230424 Patent event code: PR07011E01D |
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| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20230425 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
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| PG1601 | Publication of registration |