KR102522324B1 - 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체 및 해당 유도체를 포함하는 표면 처리제, 해당 표면 처리제를 사용한 표면 처리 방법 - Google Patents
플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체 및 해당 유도체를 포함하는 표면 처리제, 해당 표면 처리제를 사용한 표면 처리 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 발수 발유성, 저 동마찰성, 오염의 닦임성, 이형성, 내마모성 및 기재에 대한 밀착성이 우수한 피막을 형성하는 화합물 및 내구성을 구비한 표면 처리제, 표면을 처리하는 방법의 제공에 관한 것이다.
하기 식 (1)로 나타내는 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체.
(식 (1) 중, A는 불소 함유기 또는 상기 식 (2)로 나타내는 기이며, Rf1은 플루오로옥시알킬렌기이며, d는 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수이며, p, q, r, s, t는 0 내지 200의 정수이며, B는 단결합, 또는 어느 말단에 비치환 또는 치환된 알킬렌 구조를 갖는 2가의 연결기이며, D는 탄소 원자 또는 규소 원자, E는 각각 독립적으로 단결합, 산소 원자, 디오르가노실록산기 중 어느 것이며, Q는 양 말단에 규소 원자를 갖는 2가의 연결기이며, X는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기 등이며, a, b는 2 내지 20의 정수임.)
하기 식 (1)로 나타내는 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체.
(식 (1) 중, A는 불소 함유기 또는 상기 식 (2)로 나타내는 기이며, Rf1은 플루오로옥시알킬렌기이며, d는 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수이며, p, q, r, s, t는 0 내지 200의 정수이며, B는 단결합, 또는 어느 말단에 비치환 또는 치환된 알킬렌 구조를 갖는 2가의 연결기이며, D는 탄소 원자 또는 규소 원자, E는 각각 독립적으로 단결합, 산소 원자, 디오르가노실록산기 중 어느 것이며, Q는 양 말단에 규소 원자를 갖는 2가의 연결기이며, X는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기 등이며, a, b는 2 내지 20의 정수임.)
Description
본 발명은 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체 및 해당 유도체를 포함하는 표면 처리제 그리고 해당 표면 처리제를 사용한 표면 처리 방법에 관한 것이며, 상세하게는, 발수 발유성, 지문 닦임성이 우수한 처리 표면을 부여할 수 있는 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체 및 해당 유도체를 포함하는 표면 처리제, 그리고 해당 표면 처리제를 사용하여 물품 및 광학 물품 등의 표면을 처리하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 퍼플루오로옥시알킬렌기 함유 화합물은 그의 표면 자유 에너지가 매우 낮기 때문에, 발수 발유성, 내약품성, 윤활성, 이형성, 방오성 등의 특성을 가지며, 그 특성을 살려 공업적으로는 종이·섬유 등의 발수 발유 방오제, 자기 기록 매체의 활제, 정밀 기기의 방유제, 이형제, 화장품 재료, 보호막 등에 폭 넓게 이용되고 있다.
그러나, 이러한 성질은 동시에 다른 기재에 대하여 비점착성, 비밀착성인 것을 의미하며, 퍼플루오로옥시알킬렌기 함유 화합물을 기재 표면에 도포할 수는 있지만, 그 피막을 기재 표면에 직접적으로 밀착시키는 것은 곤란하였다.
한편, 유리나 천 등의 기재 표면과 유기 화합물을 결합시키는 재료로서, 실란 커플링제가 잘 알려져 있고, 각종 기재 표면의 코팅제로서 폭 넓게 이용되고 있다. 실란 커플링제는, 한 분자 중에 유기 관능기와 반응성 실릴기(특히 가수분해성 실릴기)를 갖는다. 가수분해성 실릴기는 공기 중의 수분 등에 의해 자기 축합 반응을 일으켜 피막을 형성한다. 해당 피막은, 가수분해성 실릴기가 유리나 천 등의 표면과 화학적 및/또는 물리적으로 결합함으로써 내구성을 갖는 견고한 피막이 된다.
특허문헌 1에서는, 하기 식 (I)로 나타내는 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 실란이 제안되어 있다.
(식 (I) 중, Rf1은 -CdF2dO-의 반복 단위를 5 내지 100개 포함하는 2가의 직쇄형 플루오로옥시알킬렌기(d는 1 내지 6의 정수이며, 반복 단위마다 상이할 수도 있음)이며, A 및 B는 서로 독립적으로, Rf2기 또는 하기 식 (II)로 나타내는 기이며, Rf2는 F, H, 및 말단이 -CF3기 또는 -CF2H기인 1가의 불소 함유기 중 어느 것이다. 하기 식 (II)에 있어서, Q는 2가의 유기기이며, Z는 실알킬렌 구조 또는 실아릴렌 구조를 포함하고, 또한 실록산 결합을 포함하지 않는 2 내지 7가의 연결기이며, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 페닐기이며, X는 가수분해성기이며, a는 2 또는 3, b는 1 내지 6, c는 1 내지 5의 정수임.)
해당 플루오로옥시알킬렌기 함유 실란으로 처리된 유리는, 오염에 의한 닦임성이 우수하고, 밀착성이 우수한 재료를 얻을 수 있지만, 유리나 이산화규소(실리카) 이외의 표면에 직접적으로 밀착시키는 것은 곤란하였다.
최근에는, 외관이나 시인성을 향상시키기 위하여 디스플레이의 표면이나 전자 기기 등의 케이스에 지문이 묻기 어렵게 하는 기술이나, 오염을 닦기 쉽게 하는 기술의 요구가 해마다 높아져 오고 있어, 유리나 이산화규소(실리카) 이외의 표면에도 밀착 가능한 재료의 개발이 요망되고 있다.
또한, 전자 기기가 설치형에서 휴대형으로, 신호 입력 방식이 버튼 방식에서 터치 패널 방식으로 이행하는 것에 수반하여, 전자 기기에 직접 접촉할 기회가 늘어나므로, 지문이 묻기 어렵게 하는 처리 또는 오염을 닦아내기 쉽게 하는 처리가 필요한 기판의 종류가 다양화되고 있다. 이 기판으로서 유리 이외로는, 금속 산화물이나 수지를 들 수 있다. 또한, 터치 패널 디스플레이나 웨어러블 단말기의 표면에 피복되는 발수 발유층은 손상 방지 특성 및 지문 닦임성의 관점에서 동마찰 계수가 낮은 것이 바람직하다. 그 때문에 동마찰 계수가 낮은 발수 발유층의 개발도 요구되고 있다. 또한, 그들 단말기는 오염을 닦아내는 작업을 실시하는 경우가 많기 때문에, 내마모성을 필요로 한다.
따라서, 본 발명의 목적은 발수 발유성, 저 동마찰성, 오염의 닦임성, 이형성, 내마모성, 및 기재에 대한 밀착성이 우수한 피막을 형성하는 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체, 및 이것을 포함하고, 성능을 장기에 걸쳐 유지할 수 있는 내구성을 구비한 표면 처리제, 해당 표면 처리제로 물품 및 광학 물품 등의 표면을 처리하는 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 연구를 거듭한 결과, 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체를 주쇄 구조에 갖고, 포스폰산기류(포스폰산 알칼리 금속염기 및 포스폰산에스테르기)를 말단에 3개 갖는 하기 화합물이 금속 산화물에 밀착되고, 도포 후, 오염 닦임성, 저 동마찰성이 우수하며, 금속 산화물에 대하여 내마모성이 우수한 발수 발유층을 형성할 수 있음을 알아내어, 본 발명을 완성하였다.
즉, 본 발명은 하기의 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체 및 해당 유도체를 포함하는 표면 처리제, 해당 표면 처리제를 사용하여, 물품, 광학 물품 및 터치 패널 디스플레이 등의 표면을 처리하는 공정을 포함하는 표면 처리 방법을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명에서 「포스폰산 유도체」라 함은, 상기 변성기를 갖는 포스폰산 및 해당 포스폰산의 알칼리 금속염, 알킬에스테르, 아릴에스테르 및 트리오르가노실릴에스테르로부터 선택되는 적어도 1종인 것을 의미한다.
〔1〕
하기 식 (1)로 나타내는 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체.
(식 (1) 중, A는 말단이 -CF3기인 1가의 불소 함유기 또는 하기 식 (2)로 나타내는 기이며, Rf1은 -(CF2)d-(OCF2)p(OCF2CF2)q(OCF2CF2CF2)r(OCF2CF2CF2CF2)s(OCF(CF3)CF2)t-O(CF2)d-로 나타내는 플루오로옥시알킬렌기이며, d는 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수이며, p, q, r, s, t는 각각 독립적으로 0 내지 200의 정수이며, 또한, p+q+r+s+t는 3 내지 200이며, 괄호 내에 나타내는 각 단위는 랜덤하게 결합되어 있어도 되고, B는 단결합, 또는 어느 말단에 비치환 또는 치환된 알킬렌 구조를 갖는 2가의 연결기이며, D는 탄소 원자 또는 규소 원자, E는 각각 독립적으로 단결합, 산소 원자, 디오르가노실록산기 중 어느 것이며, Q는 양 말단에 규소 원자를 갖는 2가의 연결기이며, X는 각각 독립적으로 수소 원자, 알칼리 금속 원자, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 아릴기, 또는 J3Si-(J는 독립적으로 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬기 또는 아릴기임.)로 나타내는 1가의 기이며, a, b는 각각 독립적으로 2 내지 20의 정수임.)
(식 (2) 중, B, D, E, Q, X, a, b는, 각각 식 (1)과 동일한 의미를 나타냄)
〔2〕
상기 Rf1이 하기 식 (3)으로 나타내는 2가의 직쇄형 플루오로옥시알킬렌기인 〔1〕에 기재된 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체.
(식 (3) 중, d는 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수이며, p=1 내지 80, q=1 내지 80, r=0 내지 10, s=0 내지 10, p+q=5 내지 100을 만족하는 정수이며, 또한, p+q+r+s는 10 내지 100이며, 괄호 내에 나타내는 각 단위는 랜덤하게 결합되어 있어도 됨.)
〔3〕
상기 B가 단결합 또는 하기 식 (4-1) 내지 (4-8)로 이루어지는 군에서 선택되는 2가의 연결기인 〔1〕 또는 〔2〕기재의 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체.
(식 (4-1) 내지 (4-8) 중, h는 2 내지 10의 정수이며, R은 각각 독립적으로 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 10의 아릴기임.)
〔4〕
상기 Q가 하기 식 (5-1) 내지 (5-4)로 이루어지는 군에서 선택되는, 양 말단에 규소 원자를 갖는 2가의 연결기인 〔1〕 내지 〔3〕 중 어느 하나에 기재된 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체.
(식 (5-1) 내지 (5-4) 중, i는 1 내지 10의 정수이며, j는 1 내지 100의 정수이며, R은 각각 독립적으로 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 10의 아릴기임.)
〔5〕
〔1〕 내지 〔4〕의 어느 하나에 기재된 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산에스테르 유도체 중 적어도 1종 이상을 포함하는 표면 처리제.
〔6〕
〔5〕에 기재된 표면 처리제를 사용하여 물품의 표면을 처리하는 공정을 포함하는 물품의 표면 처리 방법.
〔7〕
〔5〕에 기재된 표면 처리제를 사용하여 광학 물품의 표면을 처리하는 공정을 포함하는 광학 물품의 표면 처리 방법.
〔8〕
〔5〕에 기재된 표면 처리제를 사용하여 터치 패널 디스플레이의 표면을 처리하는 공정을 포함하는 터치 패널 디스플레이의 표면 처리 방법.
본 발명의 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체는 기재에 대한 밀착성이 우수하고, 발수 발유성, 저 동마찰성, 오염의 닦임성이 우수한 피막을 부여할 수 있고, 다양한 코팅 용도에 장기에 걸쳐 유효하게 사용할 수 있다.
이하에, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
본 발명의 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체는 하기 식 (1)로 나타내는 것이다.
(식 (1) 중, A는 말단이 -CF3기인 1가의 불소 함유기 또는 하기 식 (2)로 나타내는 기이며, Rf1은 -(CF2)d-(OCF2)p(OCF2CF2)q(OCF2CF2CF2)r(OCF2CF2CF2CF2)s(OCF(CF3)CF2)t-O(CF2)d-로 나타내는 플루오로옥시알킬렌기이며, d는 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수이며, p, q, r, s, t는 각각 독립적으로 0 내지 200의 정수이며, 또한, p+q+r+s+t는 3 내지 200이며, 괄호 내에 나타내는 각 단위는 랜덤하게 결합되어 있어도 되고, B는 단결합, 또는 어느 말단에 비치환 또는 치환된 알킬렌 구조를 갖는 2가의 연결기이며, D는 탄소 원자 또는 규소 원자, E는 각각 독립적으로 단결합, 산소 원자, 디오르가노실록산기 중 어느 것이며, Q는 양 말단에 규소 원자를 갖는 2가의 연결기이며, X는 각각 독립적으로 수소 원자, 알칼리 금속 원자, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 아릴기, 또는 J3Si-(J는 독립적으로 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬기 또는 아릴기임.)로 나타내는 1가의 기이며, a, b는 각각 독립적으로 2 내지 20의 정수임.)
(식 (2) 중, B, D, E, Q, X, a, b는, 각각 식 (1)과 동일한 의미를 나타냄)
본 발명의 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체는 말단이 -CF3기로 봉쇄된 1가의 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 잔기(A-Rf1), 또는 2가의 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 잔기(Rf1)와, 포스폰산기류((-(CH2)b-PO(OH)2) 또는 (-(CH2)b-PO(OX)2))가 디메틸실릴렌기, 디에틸실릴렌기, 디페닐실릴렌기 등의 디오르가노실릴렌기, 디메틸폴리실록산기, 디에틸폴리실록산기, 디페닐폴리실록산기 등의 디오르가노폴리실록산기의 어느 것을 포함하는 2가의 연결기를 통하여 결합한 구조이며, 포스폰산기류를 분자쇄의 편 말단에 3개 갖거나, 또는 분자쇄 양 말단에 각각 3개씩(즉, 한 분자 중에 합계 6개) 갖는 포스폰산 또는 그의 유도체(해당 포스폰산의 알칼리 금속염, 알킬에스테르, 아릴에스테르 및 트리오르가노실릴에스테르로부터 선택되는 적어도 1종)이다.
상기 식 (1)에 있어서, Rf1은 하기 식으로 표시되는 직쇄형 또는 분지형의 플루오로옥시알킬렌기이다.
식 중, d는 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수, p, q, r, s, t는 각각 독립적으로 0 내지 200의 정수이며, 또한, p+q+r+s+t는 3 내지 200이며, 괄호 내에 나타내는 각 단위는 랜덤하게 결합되어 있어도 된다. 해당 플루오로옥시알킬렌기의 반복 단위 합계(p+q+r+s+t)는 3 내지 200이며, 10 내지 150이 바람직하고, 15 내지 80이 보다 바람직하다.
상기 반복 단위를 포함하는 Rf1로서, 구체적으로는, 하기의 것을 예시할 수 있다.
(식 중 d'는 상기 d와 동일하고, p'는 상기 p와 동일하고, q'는 상기 q와 동일하고, r', s', t'는 각각 1 이상의 정수이며, 그 상한은 상기 r, s, t의 상한과 동일함.)
그 중에서도 터치 패널 등의 미끄러짐성을 중시하는 용도에는, 저 동마찰성의 관점에서, Rf1은 하기 식 (3)으로 나타내는 2가의 직쇄형 플루오로옥시알킬렌기가 바람직하다.
(식 (3) 중, d는 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수이며, p=1 내지 80, q=1 내지 80, r=0 내지 10, s=0 내지 10, p+q=5 내지 100을 만족하는 정수이며, 또한, p+q+r+s는 10 내지 100이며, 괄호 내에 나타내는 각 단위는 랜덤하게 결합되어 있어도 됨.)
상기 식 (1)에 있어서, A는 말단이 -CF3기인 1가의 불소 함유기이거나, 또는 상기 식 (2)로 나타내는 기이며, A가 불소 함유기의 경우(즉, A-Rf1이 말단 CF3기 봉쇄의 1가의 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 잔기인 경우)에는, A는 탄소수 1 내지 6, 특히 탄소수 1 내지 4의 퍼플루오로알킬기가 바람직하고, 그 중에서도 -CF3기, -CF2CF3기가 보다 바람직하다.
상기 식 (1) 및 (2)에 있어서, a 및 b는 2 내지 20의 정수이며, 2 내지 10의 정수가 바람직하다.
상기 식 (1) 및 (2)에 있어서, Q는 양 말단에 규소 원자를 갖는 2가의 규소 함유 연결기이며, -(CH2)a-기와 -(CH2)b-기의 연결기이며, 탄소수 4 내지 120, 특히 탄소수 6 내지 80, 특히 탄소수 6 내지 40의 2가의 규소 함유 유기기인 것이 바람직하다. 해당 유기기는 디메틸폴리실록산기, 디에틸폴리실록산기, 디페닐폴리실록산기, 메틸페닐폴리실록산기 등의 디오르가노폴리실록산기이거나, 또는 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 12의 2가의 탄화수소기의 양 말단이 디메틸실릴렌기, 디에틸실릴렌기, 디페닐실릴렌기 등의 디오르가노실릴렌기로 각각 봉쇄된 2가의 규소 함유 유기기로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다.
여기서, 양 말단이 디오르가노실릴렌기로 봉쇄된 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 12의 2가의 탄화수소기에서의 탄화수소기로서는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기(트리메틸렌기, 메틸에틸렌기), 부틸렌기(테트라메틸렌기, 메틸프로필렌기), 헥사메틸렌기, 옥타메틸렌기 등의 알킬렌기, 페닐렌기 등의 아릴렌기, 노르보르닐기 또는 이들 기의 2종 이상 조합(알킬렌·아릴렌기, 노르보르닐·알킬렌기 등)으로 나타내는 2가의 기 등을 들 수 있고, 이들 기의 수소 원자의 일부 또는 전부를 불소, 염소, 브롬, 요오드 등의 할로겐 원자로 치환한 것이어도 되고, 그 중에서도 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 3의 알킬렌기 또는 페닐렌기가 바람직하다.
상기 식 (1) 및 (2)에 있어서, B는 단결합 또는 어느 말단에 비치환 또는 치환된 알킬렌 구조를 갖는 2가의 연결기이며, 상기 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 잔기(Rf1)와 탄소 원자 또는 규소 원자(D)를 연결하는 2가의 연결기이다. 이 2가의 연결기는, 그의 구조 중에, 예를 들어 탄소수 1 내지 20, 적합하게는 2 내지 12의, 비치환 또는 할로겐 치환된 알킬렌 구조를 포함하는 것인데, 산소 원자(에테르 결합), 아미드기, N-메틸 치환 아미드기, N-페닐 치환 아미드기, 페닐렌기, 디오르가노실릴렌기, 트리오르가노실릴기, 실라놀기 등의 헤테로 원자를 함유하는 구조의 1종 또는 2종 이상을 포함하는 것이어도 된다. 이 B로서 구체적으로는, 예를 들어 단결합, 또는 하기에 나타내는 2가의 연결기 등을 들 수 있다.
(식 중, h는 2 내지 10의 정수이며, Me는 메틸기임.)
(식 중, h는 2 내지 10의 정수이며, Me는 메틸기임.)
예를 들어, Q로서는 하기의 기를 들 수 있다.
(식 중, i는 1 내지 10의 정수이며, j는 1 내지 100의 정수이며, Me는 메틸기이며, Ph는 페닐기임.)
본 발명의 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체는 상기 식 (1)로 나타내는 화합물이며, X는 각각 독립적으로 수소 원자, 알칼리 금속 원자, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 아릴기, 또는 J3Si-(J는 독립적으로 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬기 또는 아릴기임.)로 나타내는 1가의 기인데, 여기서, 알칼리 금속으로서는 예를 들어 나트륨, 칼륨 등을 들 수 있다.
본 발명의 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체는 기재에 대한 밀착성, 발수 발유성, 저 동마찰성, 이형성, 오염의 닦임성, 내마모성이 우수한 경화 피막을 부여할 수 있고, 다양한 코팅 용도에 장기에 걸쳐 유효하게 사용할 수 있다. 또한, 오염을 닦아내기 쉽고, 안경 렌즈, 반사 방지막, 편광판, TV, 터치 패널 디스플레이, 웨어러블 단말기, 태블릿 PC, 시계, 휴대 전화, 장식품, 정밀 금형의 피막으로서 적합하다.
상기 식 (1)로 나타내는 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체는 예를 들어 다음의 방법에 의해 제조할 수 있다.
우선, 공지된 방법에 의해 퍼플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체의 말단에 불포화 결합기를 3개 부가한 화합물을 얻는다.
다음에 말단에 불포화 결합기를 3개 갖는 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체와, SiH 결합을 2개 갖는 유기 규소 화합물을, 불소계 용제 중, 부가 반응 촉매, 예를 들어 염화백금산/비닐실록산 착체 존재 하에서, 40 내지 120℃, 바람직하게는 60 내지 100℃에서, 1 내지 72시간, 바람직하게는 3 내지 24시간 동안 반응시키고, 그 후, 용제 및 미반응물을 80 내지 150℃, 바람직하게는 90℃ 내지 120℃에서 감압 증류 제거함으로써, 말단에 SiH기를 갖는 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체를 얻을 수 있다.
다음에, 해당 중합체와 말단에 불포화 결합기를 갖는 포스폰산에스테르를 불소계 용제 중, 부가 반응 촉매, 예를 들어 염화백금산/비닐실록산 착체 존재 하에서, 40 내지 120℃, 바람직하게는 60 내지 100℃에서, 1 내지 72시간, 바람직하게는 3 내지 24시간동안 반응시키고, 그 후, 용제 및 미반응물을 80 내지 150℃, 바람직하게는 90℃ 내지 120℃에서 감압 증류 제거함으로써, 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산에스테르를 얻을 수 있다.
또한, 해당 에스테르를 가수분해함으로써 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산을 얻을 수 있다. 가수분해는, 염산이나 황산 등의 산의 존재 하에서, 대량의 수분과 반응시킴으로써 행할 수 있고, 환류 상태에서 3시간 이상 반응시키면 된다. 또한, 에스테르기가 트리메틸실릴에스테르기인 경우에는, 실온에서 물과 교반하는 것만으로도 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산을 얻을 수 있다.
분자쇄 말단에 불포화 결합기를 3개 갖는 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체로서는, 예를 들어 이하에 나타내는 것을 예시할 수 있다.
상기 식 중의 Rf1로서는, 예를 들어 이하의 구조를 예시할 수 있다.
본 발명의 표면 처리제는 본 발명의 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체를 주성분으로 하는 것이다.
본 발명의 표면 처리제는, 편 말단에 포스폰산기류를 갖는 타입과, 양 말단에 포스폰산기류를 갖는 타입을 혼합해도 된다. 편 말단에 포스폰산기류를 갖는 타입은, 양 말단에 포스폰산기류를 갖는 타입과 비교하여, 발수 발유성이 높고, 동마찰 계수가 낮고, 내마모성도 우수하다. 한편, 양 말단에 포스폰산기류를 갖는 타입은 편 말단에 포스폰산기류를 갖는 타입과 비교하여, 박막 도공에서도 표면 개질이 가능한 점에서 우수하다. 그 때문에, 용도에 맞춰, 편 말단에 포스폰산기류를 갖는 타입과, 양 말단에 포스폰산기류를 갖는 타입을 혼합하여, 표면 처리제로서 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 표면 처리제는 무관능성 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체를 포함해도 되고, 이 무관능성 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체는, 편 말단 가수분해성 중합체와 양 말단 가수분해성 중합체의 합계 100질량부에 대하여 통상 5 내지 120질량부, 바람직하게는 10 내지 60질량부 포함되는 것이 낮은 동마찰 계수와 내구성을 양립하는 데에 있어서 유리하다.
또한, 해당 표면 처리제는, 상기의 무관능성 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 이외에도, 용매를 포함하고 있어도 되고, 적당한 용제에 용해시키고 나서 도공하는 것이 바람직하다. 이러한 용제로서는, 불소 변성 지방족 탄화수소계 용제(펜타플루오로부탄, 데카플루오로펜탄, 퍼플루오로헥산, 퍼플루오로헵탄, 메톡시퍼플루오로헵텐, 퍼플루오로옥탄, 퍼플루오로시클로헥산, 퍼플루오로1,3-디메틸시클로헥산 등), 불소 변성 방향족 탄화수소계 용제(m-크실렌헥사플루오라이드, 벤조트리플루오라이드, 1,3-트리플루오로메틸벤젠 등), 불소 변성 에테르계 용제(메틸퍼플루오로프로필에테르, 메틸퍼플루오로부틸에테르, 에틸퍼플루오로부틸에테르, 퍼플루오로(2-부틸테트라히드로푸란) 등), 불소 변성 알킬아민계 용제(퍼플루오로트리부틸아민, 퍼플루오로트리펜틸아민 등), 탄화수소계 용제(석유 벤진, 미네랄 스피릿, 톨루엔, 크실렌 등), 케톤계 용제(아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등), 에테르계 용제(테트라히드로푸란, 디에틸에테르 등), 에스테르계 용제(아세트산에틸 등), 알코올계 용제(이소프로필알코올 등)를 예시할 수 있다. 이들 중에서는, 용해성, 습윤성 등의 면에서, 불소 변성된 용제가 바람직하고, 메틸퍼플루오로부틸에테르, 에틸퍼플루오로부틸에테르, 메톡시퍼플루오로헵텐, 데카플루오로펜탄, 펜타플루오로부탄, 퍼플루오로헥산, m-크실렌헥사플루오라이드가 보다 바람직하고, 에틸퍼플루오로부틸에테르나 데카플루오로펜탄, 펜타플루오로부탄, 퍼플루오로헥산이 특히 바람직하다.
상기 용매는 그의 2종 이상을 혼합해도 되고, 용매에 용해시키는 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체의 최적 농도는, 처리 방법에 따라 상이하지만 0.01 내지 50질량％, 특히 0.03 내지 25질량％인 것이 바람직하다.
표면 처리제는, 웨트 도공법(브러시 도포, 디핑, 스프레이, 잉크젯), 증착법 등 공지된 방법으로 기재에 시여할 수 있다. 또한, 경화 온도는 경화 방법에 따라 상이하지만, 80℃에서 200℃까지의 범위가 바람직하다. 경화 습도로서는, 가습 하에서 행하는 것이 반응을 촉진하는 데 있어서 바람직하다.
또한, 경화 피막(불소층)의 막 두께는, 50㎚ 이하가 바람직하고, 특히 2 내지 20㎚가 바람직하고, 또한 4 내지 15㎚가 바람직하다.
상기 표면 처리제로 처리되는 기재는, 특별히 제한되지 않고, 종이, 천, 금속 및 그의 산화물, 유리, 플라스틱, 세라믹, 석영, 사파이어 등 각종 재질인 것이어도 되고, 사파이어, 금속 산화물인 것이 바람직하고, 이들에 발수 발유성, 저 동마찰성, 방오성을 부여할 수 있다.
기판의 표면이 하드 코팅 처리나 반사 방지 처리되어 있어도 된다. 밀착성을 더욱 향상시키기 위해서는, 프라이머층으로서, 금속 산화물층(TiO2, Al2O3, ZrO2, Ta2O5, ITO, AgO, CuO 등) 처리, 진공 플라스마 처리, 대기압 플라스마 처리, 이트로 처리, UV 처리, VUV(진공 자외선) 처리, 알칼리 처리, 산 처리 등의 공지된 처리 방법을 사용할 수도 있다.
본 발명의 표면 처리제로 처리되는 물품으로서는, 카 내비게이션, 카 오디오, 태블릿 PC, 스마트 폰, 웨어러블 단말기, 휴대 전화, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라, PDA, 포터블 오디오 플레이어, 게임기기, 각종 조작 패널, 전자 공고 등에 사용되는 액정 디스플레이, 유기 EL 디스플레이, 플라스마 디스플레이, 터치 패널 디스플레이나, 안경 렌즈, 카메라 렌즈, 렌즈 필터, 선글라스, 위 카메라 등의 의료용 기기, 복사기, 보호 필름, 반사 방지 필름 등의 광학 물품을 들 수 있다. 또한, 잉크젯 프린터나 스프레이 장치 등의 노즐, 레지스트의 발액제로서도 사용할 수 있다. 본 발명의 표면 처리제는, 상기 물품에 지문, 피지, 기름이 부착되는 것을 방지하고, 오염을 용이하게 닦아낼 수 있기 때문에, 특히 안경 렌즈, 스마트 폰, PC, 스마트 워치 등의 터치 패널 디스플레이나 수송용 기기의 인스트루먼트 패널의 발수 발유층으로서 특히 유용하다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 및 비교예에서 사용된 시험 방법은, 이하와 같다.
[발수 발유성의 평가 방법]
접촉각계(교와 인터페이스 사이언스사제 Drop Master)를 사용하여, 경화 피막의 물 접촉각 및 올레산에 대한 접촉각을 25℃, 습도 40％에서 측정하였다. 또한, 물 접촉각은 2㎕의 액적을 샘플 표면에 떨어지게 한 후, 1초 후에 측정하였다. 올레산 접촉각은 4㎕의 액적을 샘플 표면에 떨어지게 한 후, 1초 후에 측정하였다.
[동마찰 계수]
벰코트(아사히 가세이사제)에 대한 동마찰 계수를, 표면성 시험기(신토 카가쿠사제 HEIDON 14FW)를 사용하여 하기 조건으로 측정하였다.
접촉 면적: 10㎜×30㎜
하중: 100g
[매직 잉크 닦임성]
하기에서 제작한 경화 피막을 사용하고, 처리 표면에 유성 매직(제브라 가부시키가이샤 제조 『하이 맥키』)을 도포하고, 러빙 테스터(신토 카가쿠사제)에 의해 하기 조건으로 닦은 후의 매직 잉크의 닦임성을, 하기 지표를 사용하여 눈으로 평가하였다.
시험 환경 조건: 25℃, 습도 40％
닦아내기 재료: 시료와 접촉하는 테스터의 선단부에 티슈 페이퍼(카미 쇼지 가부시키가이샤제 엘레모아)를 고정한 것.
이동 거리(편도): 20㎜
이동 속도: 1800㎜/min
접촉 면적: 10㎜×30㎜
하중: 500g
◎: 1회 왕복의 닦아내기 조작으로 간단하게 완전히 닦아낸다.
○: 1회 왕복의 닦아내기 조작으로는 조금 잉크가 남는다.
△: 1회 왕복의 닦아내기 조작으로는 절반 정도 잉크가 남는다.
×: 완전히 닦아 내지 못한다.
[내마모 시험]
왕복 마모 시험기(신토 카가쿠사제 HEIDON) 30S)를 사용하여, 하기 조건으로 경화 피막의 내마모 시험을 실시하였다.
평가 환경 조건: 25℃, 습도 40％
마찰재: 시료와 접촉하는 테스터의 선단부(10㎜×30㎜)에 부직포를 8장 겹쳐서 고정하였다.
하중: 1kg
마찰 거리(편도): 40㎜
마찰 속도: 4,800㎜/min
왕복 횟수: 3000회 왕복
실시예 1
공정(1i)
반응 용기에, 테트라히드로푸란 150g, 1,3-비스트리플루오로메틸벤젠 300g을 혼합하고, 0.7M(몰농도)의 알릴마그네슘브로마이드 용액 160ml를 적하하였다. 계속해서, 하기 식 (1a)로 나타내는 화합물 300g을 천천히 첨가한 후, 60℃에서 4시간 가열하였다.
가열 종료 후, 실온까지 냉각하고, 1.2M 염산 수용액 300g 중에 용액을 적하하고, 반응을 정지시켰다. 분액 조작에 의해, 하층인 불소 화합물층을 회수 후, 아세톤으로 세정하였다. 세정 후의 하층인 불소 화합물층을 다시 회수하고, 용제 및 미반응물을 증류 제거함으로써, 하기 식 (1b)을 301g 얻었다.
화합물(1b)을 300g, 브롬화 알릴 50g, 테트라부틸암모늄 요오다이드 0.6g을 혼합하였다. 계속하여 수산화나트륨 23g을 첨가한 후, 70℃에서 6시간 가열하였다. 가열 종료 후, 실온까지 냉각하고, 염산 수용액을 적하하였다. 분액 조작에 의해, 하층인 불소 화합물층을 회수 후, 아세톤으로 세정하였다. 세정 후의 하층인 불소 화합물층을 다시 회수하고, 감압 하, 잔존 용제를 증류 제거하였다. 상기 조작을 다시 행함으로써, 하기 식 (1c)을 295g 얻었다.
공정(1ii)
이어서, 상기 공정(1i)에 의해 얻어진 화합물(식 (1c)) 20g, 1,3-트리플루오로메틸벤젠 30g, 1,2-비스(디메틸실릴)에탄 7.6g, 염화백금산/비닐실록산 착체의 톨루엔 용액 0.005g(Pt 단체로서 1.25×10-9몰을 함유)을 혼합하고, 80℃에서 3시간동안 반응시켰다. 그 후, 용제 및 미반응물을 감압 증류 제거한 결과, 액상의 생성물 20g을 얻었다. 얻어진 화합물을 1H-NMR에 의해 측정하고, 하기 식 (1d)인 것을 확인하였다.
공정(1iii)
이어서, 상기 공정(1ii)에 의해 얻어진 화합물(식 (1d)) 20g, 1,3-트리플루오로메틸벤젠 30g, 알릴포스폰산디에틸 5.1g, 염화백금산/비닐실록산 착체의 톨루엔 용액 0.005g(Pt 단체로서 1.25×10-9몰을 함유)을 혼합하고, 90℃에서 48시간동안 반응시켰다. 그 후, 용제 및 미반응물을 감압 증류 제거한 결과, 액상의 생성물 21g을 얻었다. 얻어진 혼합물을 1H-NMR에 의해 측정하고, 하기 식 (1e)인 것을 확인하였다.
공정(1iv)
이어서, 상기 공정(1iii)에 의해 얻어진 화합물(식 (1e)) 20g, 1,3-트리플루오로메틸벤젠 30g, 디에틸에테르 10g, 브로모트리메틸실란 4.4g을 혼합하고, 70℃에서 24시간동안 반응시켰다. 그 후, 용제 및 미반응물을 감압 증류 제거한 결과, 액상의 생성물 20g을 얻었다. 얻어진 혼합물을 1H-NMR에 의해 측정하고, 하기 식 (1f)인 것을 확인하였다.
상기 식 (1f)의 화합물(이하, 「화합물 1」이라고 함)의 1H-NMR(TMS 기준, ppm)데이터를 다음에 나타낸다.
공정(1v)
이어서, 상기 식 (1f)의 화합물 1 20g을 물 100g과 아세톤 50g을 혼합한 용액에 첨가하고, 20℃에서 3시간 교반해 1시간 정치하였다. 그 후, 하층을 취출하여, 용제를 감압 증류 제거한 결과, 액상의 생성물 15g을 얻었다. 얻어진 혼합물을 1H-NMR에 의해, 하기 식 (1g)인 것을 확인하였다.
상기 식 (1g)의 화합물(이하, 「화합물 2」라고 함)의 1H-NMR(TMS 기준, ppm)데이터를 이하에 나타낸다.
실시예 2
공정(2i)
실시예 1에 의해 얻어진 화합물(식 (1c)) 20g, 1,3-트리플루오로메틸벤젠 30g, 1,4-비스(디메틸실릴)벤젠 45g, 염화백금산/비닐실록산 착체의 톨루엔 용액 0.005g(Pt 단체로서 1.25×10-9몰을 함유)을 혼합하고, 80℃에서 5시간동안 반응시켰다. 그 후, 용제 및 미반응물을 감압 증류 제거한 결과, 액상의 생성물 23g을 얻었다. 얻어진 화합물을 1H-NMR에 의해 측정하고, 하기 식 (2c)인 것을 확인하였다.
공정(2ii)
이어서, 상기 공정(2i)에 의해 얻어진 화합물(식 (2c)) 20g, 1,3-트리플루오로메틸벤젠 30g, 알릴포스폰산디에틸 6.0g, 염화백금산/비닐실록산 착체의 톨루엔 용액 0.005g(Pt 단체로서 1.25×10-9몰을 함유)을 혼합하고, 90℃에서 48시간동안 반응시켰다. 그 후, 용제 및 미반응물을 감압 증류 제거한 결과, 액상의 생성물 25g을 얻었다. 얻어진 혼합물을 1H-NMR에 의해 측정하고, 하기 식 (2d)인 것을 확인하였다.
공정(2iii)
이어서, 상기 공정(2ii)에 의해 얻어진 화합물(식 (2d)) 20g, 1,3트리플루오로메틸벤젠 30g, 디에틸에테르 10g, 브로모트리메틸실란 5.5g을 혼합하고, 70℃에서 24시간동안 반응시켰다. 그 후, 용제 및 미반응물을 감압 증류 제거한 결과, 액상의 생성물 21g을 얻었다. 얻어진 혼합물을 1H-NMR에 의해 측정하고, 하기 식 (2e)인 것을 확인하였다.
상기 식 (2e)의 화합물(이하, 「화합물 3」이라고 함)의 1H-NMR(TMS 기준, ppm)데이터를 이하에 나타낸다.
실시예 3
공정(3i)
상기 식 (3b)로 표시되는 화합물 20g, 1,3-트리플루오로메틸벤젠 30g, 1,4-비스(디메틸실릴)벤젠 45g, 염화백금산/비닐실록산 착체의 톨루엔 용액 0.005g(Pt 단체로서 1.25×10-9몰을 함유)을 혼합하고, 80℃에서 5시간동안 반응시켰다. 그 후, 용제 및 미반응물을 감압 증류 제거한 결과, 액상의 생성물 22g을 얻었다. 얻어진 화합물을 1H-NMR에 의해 측정하고, 하기 식 (3c)인 것을 확인하였다.
공정(3ii)
이어서, 상기 공정(3i)에 의해 얻어진 화합물(식 (3c)) 20g, 1,3-트리플루오로메틸벤젠 30g, 알릴포스폰산디에틸 7.0g, 염화백금산/비닐실록산 착체의 톨루엔 용액 0.005g(Pt 단체로서 1.25×10-9몰을 함유)을 혼합하고, 90℃에서 48시간동안 반응시켰다. 그 후, 용제 및 미반응물을 감압 증류 제거한 결과, 액상의 생성물 28g을 얻었다. 얻어진 혼합물을 1H-NMR에 의해 측정하고, 하기 식 (3d)인 것을 확인하였다.
공정(3iii)
이어서, 상기 공정(3ii)에 의해 얻어진 화합물(식 (3d)) 20g, 1,3트리플루오로메틸벤젠 30g, 디에틸에테르 10g, 브로모트리메틸실란 6.0g을 혼합하고, 70℃에서 24시간동안 반응시켰다. 그 후, 용제 및 미반응물을 감압 증류 제거한 결과, 액상의 생성물 21g을 얻었다. 얻어진 혼합물을 1H-NMR에 의해 측정하고, 하기 식 (3e)인 것을 확인하였다.
상기 식 (3e)의 화합물(이하, 「화합물 4」라고 함)의 1H-NMR(TMS 기준, ppm)데이터를 이하에 나타낸다.
표면 처리제 및 경화 피막의 제조
실시예 1 내지 3에서 얻어진 퍼플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체 화합물 1 내지 4를, 농도 10질량％가 되도록, 불소계 용제 Novec 7200(3M사제)에 용해시키고, 처리제를 얻었다. 사파이어 유리의 표면을 플라스마 처리한 후에, 상기 각 표면 처리제를 하기 조건 및 장치로 진공 증착 도공하였다. 80℃, 습도 80％의 분위기 하에서 1시간 경화시킨 후, 150℃에서 3시간 경화시키고, 피막을 형성하였다.
[플라스마 처리 조건]
·장치: 플라스마 드라이 세정 장치 PDC 210
·가스: O2 가스 80cc, Ar 가스 10cc
·출력: 250W
·시간: 30초
[진공 증착에 의한 도공 조건 및 장치]
·측정 장치: 소형 진공 증착 장치 VPC-250F
·압력: 2.0×10-3Pa 내지 3.0×10-2Pa
·증착 온도(보트의 도달 온도): 500℃
·증착 거리: 20㎜
·처리제 투입량: 50㎎
·증착량: 50㎎
비교예 1 및 2의 표면 처리제 및 경화 피막은 화합물 1 내지 4를 대신하여 하기의 화합물 5 및 6을 사용한 것 이외는 실시예와 동일한 방법으로 제조하고, 평가 시험을 실시하였다.
(비교예 1) 화합물 5
(비교예 2) 화합물 6
얻어진 경화 피막을 상기의 방법에 의해 평가하였다.
평가 결과를 표 1(초기 성능) 및 표 2(내마모성)에 나타낸다.
표 1 및 표 2에 나타낸 바와 같이, 실시예 1 내지 4의 퍼플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체로 형성된 피막은 발수 발유성이 높고, 동마찰 계수가 낮고, 또한, 매직 잉크의 닦임성이 우수하였다. 한편, 포스폰산기 또는 포스폰산에스테르기를 갖지 않는 화합물로 형성된 비교예 1, 2의 피막에서는 발수 발유성, 동마찰 계수는 허용 범위 내였지만, 매직 잉크의 닦임성이 나빴다. 또한, 실시예 1 내지 4의 퍼플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체로 형성된 피막은, 천으로 마찰 후에 있어서도 물 접촉각 100도 이상, 올레산 접촉각 60도 이상이라는 높은 발수 발유성을 나타냈다. 한편, 포스폰산기 또는 포스폰산에스테르기를 갖지 않는 화합물로 형성된 비교예 1, 2의 피막에서는, 발수 발유성이 현저하게 저하되었다. 즉, 본 발명의 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체는 발수 발유성, 저 동마찰성, 오염의 닦임성, 내마모성 및 기재에 대한 밀착성이 우수한 경화 피막을 제공할 수 있는 것을 알 수 있었다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태는 예시이며, 본 발명의 특허 청구 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 동일한 작용 효과를 발휘하는 것은, 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 함유된다.
Claims (8)
- 하기 식 (1)로 나타내는 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체.
(식 (1) 중, A는 말단이 -CF3기인 1가의 불소 함유기이며, Rf1은 -(CF2)d-(OCF2)p(OCF2CF2)q(OCF2CF2CF2)r(OCF2CF2CF2CF2)s(OCF(CF3)CF2)t-O(CF2)d-로 나타내는 플루오로옥시알킬렌기이며,
d는 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수이며,
p, q, r, s, t는 각각 독립적으로 0 내지 200의 정수이며, 또한, p+q+r+s+t는 3 내지 200이며, 괄호 내에 나타내는 각 단위는 랜덤하게 결합되어 있어도 되고,
B는 단결합, 또는 하기 식 (4-1) 내지 (4-8)로 이루어지는 군에서 선택되는 2가의 연결기이며,
D는 탄소 원자 또는 규소 원자,
E는 각각 독립적으로 단결합, 산소 원자, 디오르가노실록산기 중 어느 것이며,
Q는 하기 식 (5-1) 내지 (5-4)로 이루어지는 군에서 선택되는 양 말단에 규소 원자를 갖는 2가의 연결기이며,
X는 각각 독립적으로 수소 원자, 알칼리 금속 원자, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 아릴기, 또는 J3Si-(J는 독립적으로 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬기 또는 아릴기임.)로 나타내는 1가의 기이며,
a, b는 각각 독립적으로 2 내지 20의 정수임.)
(식 (4-1) 내지 (4-8) 중, h는 2 내지 10의 정수이며, R은 각각 독립적으로 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 10의 아릴기임.)
(식 (5-1) 내지 (5-4) 중, i는 1 내지 10의 정수이며, j는 1 내지 100의 정수이며, R은 각각 독립적으로 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 10의 아릴기임.) - 제1항에 있어서, 상기 A가 탄소수 1 내지 6의 퍼플루오로알킬기이며,
B가 단결합 또는 식 (4-1), (4-2) 및 (4-3)으로 이루어지는 군에서 선택되는 2가의 연결기이며,
Q가 식 (5-1), (5-2) 및 (5-4)로 이루어지는 군에서 선택되는 양 말단에 규소 원자를 갖는 2가의 연결기인, 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체.
(식 (4-1) 내지 (4-3) 중, h는 2 내지 10의 정수임.)
(식 (5-1), (5-2) 및 (5-4) 중, i는 1 내지 10의 정수이며, j는 1 내지 100의 정수이며, R은 각각 독립적으로 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 10의 아릴기임.) - 제1항에 있어서, 상기 Rf1이 하기 식 (3)으로 나타내는 2가의 직쇄형 플루오로옥시알킬렌기인, 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체.
(식 (3) 중, d는 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수이며, p=1 내지 80, q=1 내지 80, r=0 내지 10, s=0 내지 10, p+q=5 내지 100을 만족하는 정수이며, 또한, p+q+r+s는 10 내지 100이며, 괄호 내에 나타내는 각 단위는 랜덤하게 결합되어 있어도 됨.) - 제2항에 있어서, 상기 Rf1이 하기 식 (3)으로 나타내는 2가의 직쇄형 플루오로옥시알킬렌기인, 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체.
(식 (3) 중, d는 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수이며, p=1 내지 80, q=1 내지 80, r=0 내지 10, s=0 내지 10, p+q=5 내지 100을 만족하는 정수이며, 또한, p+q+r+s는 10 내지 100이며, 괄호 내에 나타내는 각 단위는 랜덤하게 결합되어 있어도 됨.) - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 플루오로옥시알킬렌기 함유 중합체 변성 포스폰산 유도체 중 적어도 1종 이상을 포함하는, 표면 처리제.
- 제5항에 기재된 표면 처리제를 사용하여 물품의 표면을 처리하는 공정을 포함하는, 물품의 표면 처리 방법.
- 제5항에 기재된 표면 처리제를 사용하여 광학 물품의 표면을 처리하는 공정을 포함하는, 광학 물품의 표면 처리 방법.
- 제5항에 기재된 표면 처리제를 사용하여 터치 패널 디스플레이의 표면을 처리하는 공정을 포함하는, 터치 패널 디스플레이의 표면 처리 방법.
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