KR102516463B1 - 박리지 또는 박리 필름 제조용 실리콘 조성물 - Google Patents

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Abstract

(A) 2개 이상의 알켄일기를 갖고, 알켄일기 함유량이 0.001∼0.04mol/100g이며, 25℃에서의 30질량% 톨루엔 희석 점도로 0.01∼70Pa·s의 폴리오가노실록세인 (B), 규소 원자에 결합한 수소 원자를 3개 이상 갖는 오가노하이드로젠폴리실록세인 (C), 식 (2)의 폴리오가노실록세인(R2는 탄소수 1∼20의 알킬기 등이고, c는 2 이상, d는 1 이상, e는 0 이상, f는 0 이상의 정수, 25℃의 점도가 0.001∼4Pa·s.) (D), 백금족 금속계 촉매를 포함하는 부가반응 경화형의 박리지 또는 박리 필름 제조용 실리콘 조성물을 제공한다.

Description

박리지 또는 박리 필름 제조용 실리콘 조성물
본 발명은 박리지 또는 박리 필름 제조용 실리콘 조성물, 및 이 실리콘 조성물을 사용하여 얻어지는 박리지 또는 박리 필름에 관한 것이다.
박리지나 박리 필름으로서 종이나 플라스틱 필름 등의 기재의 표면에 실리콘계 박리제가 도포되고, 가교 반응에 의해 경화 피막을 형성시켜, 접착성 또는 점착성 물질에 대한 박리제 피막을 사용하는 것이 알려져 있다.
박리지 및 박리 필름의 용도에는, 양면 점착테이프나 표리 양면을 점착면으로 한 점착제층으로 이루어지는 심재 없는 점착 시트 등과 같은, 점착제층의 양측에 보호용 세퍼레이터를 필요로 하는 제품이 있고, 이들 제품은 공업용에 수요의 신장이 예상되고 있다. 이 타입의 제품에서는, 취급상의 편리성을 향상시킬 목적으로, 점착제층의 양측에서 박리력의 차를 만드는 것이 필요하게 된다. 또한, 박리 속도에 따라 박리력이 변화되는 것이 일반적이며, 박리 속도에 따라서는 박리력의 차가 없어져 박리 불량으로 되는 경우가 있으므로, 박리 속도 의존성을 제어하는 것이 요구된다.
박리력의 차 및 박리 속도 의존성을 제어하는 역할은 일반적으로 세퍼레이터가 담당하지만, 최근의 경향으로서, 광범한 점착제종에 대하여, 보다 정확하게 박리력의 차 및 박리 속도 의존성을 제어하는 것이 요구되게 되어 왔다. 종래부터, 저속 박리 속도역의 박리력을 작게 하기 위하여 바이닐기 함유량이 낮은 폴리오가노실록세인을 베이스로서 사용하는 것이 알려져 있지만, 이 경우, 고속 박리 속도역에서의 박리력은 극도로 커져 버린다. 바이닐기 함유량이 높은 폴리오가노실록세인을 베이스로서 사용한 경우, 고속 박리 속도역에서의 박리력은 작게 할 수 있지만, 저속 박리 속도역의 박리력이 커진다. 이와 같이, 저속 박리 속도역과 고속 박리 속도역의 박리저항을 동시에 작게 하는 것은 곤란했다.
저속 박리 속도역과 고속 박리 속도역의 박리력을 모두 작게 하는 방법으로서, 알켄일기 함유 폴리오가노실록세인으로서 바이닐기 함유량이 높고 또한 페닐기를 함유하는 폴리오가노실록세인과, 바이닐기 함유량이 낮은 폴리오가노실록세인을 병용하는 방법(일본 특개 평2-187466호 공보), 바이닐기 함유량이 높은 폴리오가노실록세인과 특정 몰비의 폴리다이오가노하이드로젠실록세인을 사용하고, 또한 수산기를 갖는 폴리오가노실록세인을 배합하는 방법(일본 특개 평6-93183호 공보)이 알려져 있다.
그러나, 이들 방법에서는, 상술한 바와 같은 고속 박리 속도역의 박리력을 어느 정도 작게 할 수 있지만 충분하지는 않고, 저속 박리 속도역의 박리력도 충분히 작게 할 수 있다고는 할 수 없었다. 특히, 후자의 방법에서는, 수산기를 갖는 폴리오가노실록세인에 의해 실리콘의 이행량이 증가하고, 잔류 접착률이 극단적으로 저하되어 버리는 경우가 있었다. 그 때문에 어느 방법도 실용적이지 않았다.
또한, 아릴기 함유의 폴리오가노실록세인을 병용하고, 저속 박리 속도역과 고속 박리 속도역의 박리력을 동시에 작게 하는 방법으로서, 부가반응형의 박리용 조성물에, 비반응성의 아릴기 함유 폴리오가노실록세인을 배합하는 방법(일본 특개 소60-133051호 공보), 말단에 수산기를 갖고, 또한 아릴기를 함유하는 폴리오가노실록세인을 배합하는 방법(일본 특개 평3-93858호 공보), 수산기를 갖는 고분자량의 폴리다이메틸실록세인과, 수산기를 갖고, 또한 아릴기를 갖는 폴리오가노실록세인을 병용하는 방법(일본 특개 평8-217980호 공보)이 알려져 있다.
그렇지만, 이들 아릴기 함유 폴리오가노실록세인을 사용하는 방법에서는, 고속 박리 속도역의 박리력을 작게 하는 효과는 확인할 수 있지만, 실리콘의 이행량이 증가해버려, 잔류 접착률의 저하를 억제하는 것이 곤란했다. 또한, 일본 특개 평8-217980호 공보에 기재된 방법에서도 실리콘의 이행량의 증가와 잔류 접착률의 저하가 확인되었다. 그 때문에 이들의 방법도 실용적이지 않았다.
이와 같이, 종래는, 수산기를 갖는 또는 갖지 않는 아릴기 함유의 폴리오가노실록세인을 사용하는 것, 또는 수산기를 갖는 고분자량의 폴리다이메틸실록세인을 병용하는 방법으로 잔류 접착률 저하의 억제를 검토해 왔다. 그렇지만, 이들 방법에서는 실리콘의 이행을 억제할 수 없어, 잔류 접착률이 저하되어 버리는 것이 현상이다.
또한, 아릴기 함유 폴리오가노실록세인과 같이 탄화수소의 함유율이 높은 폴리오가노실록세인을 배합하는 경우, 박리제 조성물과의 상용성이 나빠져, 폴리에스터 필름이나 폴리프로필렌 필름 등의 플라스틱 필름에 대한 밀착성이 부족하게 되는 경향이 있다. 그 때문에 밀착성 악화의 억제도 동시에 요구되고 있다.
일본 특개 평2-187466호 공보 일본 특개 평6-93183호 공보 일본 특개 소60-133051호 공보 일본 특개 평3-93858호 공보 일본 특개 평8-217980호 공보 일본 특개 2003-192897호 공보
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 잔류 접착률의 저하나 실리콘의 이행량 증가를 억제하면서, 기재와의 밀착성에 악영향을 주지 않고, 저속 및 고속 박리 시의 박리력을 작게 하는 것이 가능한 박리지 또는 박리 필름 제조용 실리콘 조성물, 및 박리지 또는 박리 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자는 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토를 행한 결과, 종래의 박리 필름 제조용의 실리콘 조성물에, 25℃의 점도가 0.001∼4Pa·s의 알켄일기 등의 지방족 불포화기를 함유하지 않는 폴리오가노실록세인을 필수 성분으로 배합함으로써, 잔류 접착률의 저하나 실리콘의 이행량 증가를 억제하면서, 기재와의 밀착성에 악영향을 주지 않고 저속 및 고속 박리 시의 박리력을 작게 하는 것이 가능한 박리지 또는 박리 필름 제조용 실리콘 조성물을 제공하는 것이 가능한 것을 발견했다.
따라서, 본 발명은 하기에 나타내는 박리지 또는 박리 필름 제조용 실리콘 조성물, 및 이 실리콘 조성물을 사용하여 얻어지는 박리지 또는 박리 필름을 제공한다.
[1]
(A) 1분자 중에 적어도 2개의 알켄일기를 갖고, 알켄일기 함유량이 0.001∼0.04mol/100g이며, 25℃에서의 30질량% 톨루엔 희석 점도로 0.01∼70Pa·s의 폴리오가노실록세인: 100질량부
(B) 1분자 중에 규소 원자에 결합한 수소 원자를 적어도 3개 갖고, 하기 평균 조성식 (1)로 표시되는 오가노하이드로젠폴리실록세인: 0.1∼30질량부
R1 aHbSiO(4-a-b)/2 (1)
(식 중, R1은 지방족 불포화 결합을 함유하지 않는 1가 유기기이고, a는 0.1∼2, b는 0.1∼2.9이며, a+b는 1∼3.0의 정수이고, 1분자 중에 3개 이상의 SiH기를 갖고, 25℃의 점도가 0.005∼10Pa·s의 범위에 들어가도록 선택된다.)
(C) 하기 일반식 (2)로 표시되는 폴리오가노실록세인: 1∼30질량부
Figure 112019039439024-pct00001
(식 중, R2는 동일 또는 상이해도 되는, 탄소수 1∼20의 비치환 또는 치환의 알킬기, 탄소수 6∼20의 비치환 또는 치환의 아릴기, 탄소수 7∼20의 비치환 또는 치환의 아르알킬기, 또는 수산기 혹은 탄소수 1∼3의 알콕시기이고, c는 2 이상, d는 1 이상, e는 0 이상, f는 0 이상의 정수이며, c+d+e+f는 25℃의 점도가 0.001∼4Pa·s의 범위에 들어가도록 선택된다.)
(D) 백금족 금속계 촉매: 촉매량
을 포함하는 부가반응 경화형의 박리지 또는 박리 필름 제조용 실리콘 조성물.
[2]
일반식 (2)에서, c+d+e+f가 25℃의 점도가 0.008∼1Pa·s의 범위에 들어가도록 선택되는 [1] 기재의 박리지 또는 박리 필름 제조용 실리콘 조성물.
[3]
일반식 (2)에서, c+d+e+f가 25℃의 점도가 0.015∼0.5Pa·s의 범위에 들어가도록 선택되는 [2] 기재의 박리지 또는 박리 필름 제조용 실리콘 조성물.
[4]
일반식 (2)에서, R2가 동일 또는 상이해도 되는 탄소수 1∼20의 비치환 또는 치환의 알킬기인 [1]∼[3] 중 어느 하나에 기재된 박리지 또는 박리 필름 제조용 실리콘 조성물.
[5]
(E) 유기 용제를 더 포함하는 [1]∼[4] 중 어느 하나에 기재된 박리지 또는 박리 필름 제조용 실리콘 조성물.
[6]
종이 기재 또는 필름 기재 위에, [1]∼[5] 중 어느 하나에 기재된 실리콘 조성물의 경화물이 형성되어 이루어지는 박리지 또는 박리 필름.
본 발명의 실리콘 조성물을 사용하여 얻어진 박리지 또는 박리 필름은 잔류 접착률의 저하나 실리콘의 이행량의 증가를 억제하면서, 밀착성에 악영향을 주지 않고 저속 및 고속 박리 시의 박리력을 작게 하는 것이 가능하다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
이하, 본 발명에 대하여 보다 상세하게 설명한다.
본 발명의 박리지 또는 박리 필름 제조용 실리콘 조성물(이하, 실리콘 조성물이라 약칭하는 경우도 있다.)은 부가반응 경화형 폴리오가노실록세인을 포함하고, 구체적으로는, 하기 (A)∼(D) 성분, 및 필요에 따라 하기 (E) 성분을 포함하는 조성물이며, 부가반응에 의해 경화하는 것이다.
[(A) 성분]
(A) 성분은 1분자 중에 적어도 2개의 알켄일기를 갖고, 알켄일기 함유량이 0.001∼0.04mol/100g이며, 25℃에서의 30질량% 톨루엔 희석 점도로 0.01∼70Pa·s의 폴리오가노실록세인이고, 하기 일반식 (3)으로 표시되는 것이 바람직하다.
Figure 112019039439024-pct00002
상기 식 (3) 중, R3은 동일 또는 상이해도 되는, 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 탄소수 1∼20의 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기, 또는 탄소수 2∼12의 산소 원자를 개재해도 되는 알켄일기로부터 선택되는 기이며, R3의 적어도 2개는 알켄일기이다.
상기 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 탄소수 1∼20의 1가 탄화수소기로서, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 뷰틸기 등의 바람직하게는 탄소수 1∼6의 알킬기, 사이클로헥실기 등의 바람직하게는 탄소수 5∼8의 사이클로알킬기, 페닐기, 톨릴기 등의 바람직하게는 탄소수 6∼10의 아릴기, 벤질기 등의 바람직하게는 탄소수 7∼10의 아르알킬기, 또는 이들 기의 탄소 원자에 결합하고 있는 수소 원자의 일부 또는 전부를 하이드록시기, 알콕시기, 폴리에터기, 알콕시알킬기, 에폭시기, 할로젠 원자 등으로 치환한 하이드록시프로필기, 1-클로로프로필기, 3,3,3-트라이플루오로프로필기 등으로부터 선택되는 탄소수 1∼10의 1가 탄화수소기를 들 수 있지만, 특히 박리성의 관점에서 알킬기, 아릴기인 것이 바람직하고, 더욱 메틸기, 에틸기, 프로필기, 페닐기가 보다 바람직하다.
탄소수 2∼12의 산소 원자를 개재해도 되는 알켄일기로서는 -(CH2)n-CH=CH2(n은 0 또는 1∼10의 정수)로 표시되는 기인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 바이닐기, 프로펜일기, 뷰텐일기, 헥센일기, 옥텐일기, 데센일기를 들 수 있다. 이것들 중에서도 바이닐기가 바람직하다.
(A) 성분의 폴리오가노실록세인의 1분자 중의 알켄일기는 2개 이상이며, 2개 미만에서는 경화 후에도 미가교 분자가 남을 가능성이 높아, 경화성이 저하된다. (A) 폴리오가노실록세인 100g당의 알켄일기 함유량으로서 0.001∼0.04몰이 바람직하고, 0.002∼0.02몰이 보다 바람직하다. 이 함유량이 0.001몰 미만에서는 경화성이 저하되는 경우가 있고, 0.04몰을 초과하면 저속 박리 속도역에서의 박리력이 커지는 경우가 있다.
또한, (A) 성분의 25℃에서의 점도는 30질량% 톨루엔 용액으로 0.01∼70Pa·s이며, 30질량% 톨루엔 용액으로 0.01∼50Pa·s인 것이 바람직하다. 0.01Pa·s 미만에서는 조성물로 했을 때의 도공성이 충분하지 않고, 70Pa·s를 초과하면 작업성이 저하된다. 또한, 점도는 회전점도계에 의해 측정할 수 있다(이하 동일).
상기 식 (3) 중의 g, h, i, j는 상기 점도의 범위로 하는 정수로부터 선택되는데, 특히, g는 2 이상, 바람직하게는 2∼300의 정수, h는 100 이상, 바람직하게는 200∼20,000의 정수, i는 0 이상, 바람직하게는 0∼100의 정수, j는 0 이상, 바람직하게는 0∼100의 정수이며, 150≤g+h+i+j≤20,000이고, 바람직하게는 200≤g+h+i+j≤15,000이다.
(A) 성분의 구체예로서는 이하의 것을 들 수 있지만, 이것들에 한정되지 않는다. 또한, 하기 식 중의 Me, Vi, Ph는 각각 메틸기, 바이닐기, 페닐기를 나타낸다.
Figure 112019039439024-pct00003
(150≤k1≤2,500)
Figure 112019039439024-pct00004
(150≤k2≤10,000)
Figure 112019039439024-pct00005
(150≤k3≤19,000, 2≤k4≤500)
Figure 112019039439024-pct00006
(150≤k5≤19,000, 1≤k6≤500)
Figure 112019039439024-pct00007
(150≤k7≤19,000, 1≤k8≤500, 1≤k9≤500)
Figure 112019039439024-pct00008
(150≤k10≤5,000, 0≤k11≤5,000, 0≤k12≤500, 0≤k13≤100)
Figure 112019039439024-pct00009
(150≤k14≤5,000, 0≤k15≤5,000, 0≤k16≤500, 0≤k17≤500, 0≤k18≤500, 0≤k19≤100, 0≤k20≤100)
[(B) 성분]
(B) 성분의 오가노하이드로젠폴리실록세인은 1분자 중에 규소 원자에 결합한 수소 원자(이하, 「SiH기」라고도 함)를 적어도 3개 갖고, 이 SiH기와 (A) 성분 중의 알켄일기가 부가반응하여 경화 피막이 형성되는 것이다. 이러한 (B) 성분으로서는, 예를 들면, 하기 평균 조성식 (1)로 표시되는 것을 들 수 있다.
R1 aHbSiO(4-a-b)/2 (1)
상기 식 (1) 중, R1은 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기이며, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 뷰틸기 등의 바람직하게는 탄소수 1∼6의 알킬기, 사이클로헥실기 등의 바람직하게는 탄소수 5∼8의 사이클로알킬기, 페닐기, 톨릴기 등의 바람직하게는 탄소수 6∼10의 아릴기, 벤질기 등의 바람직하게는 탄소수 7∼10의 아르알킬기, 또는 이들 기의 탄소 원자에 결합하고 있는 수소 원자의 일부 또는 전부를 하이드록시기, 알콕시기, 폴리에터기, 알콕시알킬기, 에폭시기, 할로젠 원자 등으로 치환한 하이드록시프로필기, 1-클로로프로필기, 3,3,3-트라이플루오로프로필기 등이 예시된다. 그중에서도 알킬기, 아릴기가 바람직하고, 부가반응 속도 향상의 관점에서 메틸기인 것이 더욱 바람직하다.
a는 0.1∼2, 바람직하게는 0.2∼1.5의 정수이고, b는 0.1∼2.9, 바람직하게는 0.2∼2의 정수이고, a+b는 1∼3.0의 정수이며, 특히 0.4∼2.7을 충족시킨다.
상기 식 (1)로 표시되는 오가노하이드로젠폴리실록세인의 예로서는 R1HSiO2 /2 단위(R1은 상기와 동일, 이하 동일), HSiO3 / 2 단위, 및 R1 2HSiO1 / 2 단위의 적어도 1종을 갖고, 경우에 따라 또한 R1 2SiO2 / 2 단위, R1SiO3 / 2 단위, 및 R1 3SiO1 / 2 단위의 적어도 1종을 포함하여 이루어지는 폴리머 또는 코폴리머가 예시되는데, R1HSiO2 / 2 단위 또는 R1 2HSiO1/2 단위를 합계하여 1분자 중에 적어도 2개, 특히 10∼100개 갖는 것이 바람직하다. 또한 SiO4/2 단위를 본 발명의 효과가 얻어지는 범위에서 함유해도 된다.
또한, SiH기의 함유량은 폴리오가노실록세인 중 0.1∼3몰/100g, 특히 0.2∼2몰/100g인 것이 바람직하다. 또한, 이 (B) 성분의 오가노하이드로젠폴리실록세인의 25℃에서의 점도는 0.001∼3mPa·s, 특히 0.005∼1.5mPa·s인 것이 바람직하다.
이 오가노하이드로젠폴리실록세인은 직쇄상, 분지상, 환상의 어느 것이어도 되고, 또한 그것들의 혼합물이어도 된다.
(B) 성분의 구체예로서는 이하의 것을 들 수 있지만, 이것들에 한정되지 않는다. 또한, 하기 식 중의 Me, Ph는 각각 메틸기, 페닐기를 나타낸다.
Figure 112019039439024-pct00010
(2≤p1≤100)
Figure 112019039439024-pct00011
(2≤p2≤100, 0≤p3≤500)
Figure 112019039439024-pct00012
(0≤p4≤100, 0≤p5≤500)
Figure 112019039439024-pct00013
(2≤p6≤100, 0≤p7≤500)
Figure 112019039439024-pct00014
(0≤p8≤200, 0≤p9≤200, 0≤p10≤100, 0≤p11≤100)
(B) 성분의 배합량은, 적합한 가교 밀도가 얻어지는 점에서, (A) 성분 100질량부에 대하여 0.1∼30질량부이며, 0.5∼15질량부인 것이 바람직하고, 0.5∼10질량부인 것이 보다 바람직하다.
또한, 이때, (B) 성분의 배합량은 (A) 성분의 알켄일기 1몰 또는 후술하는 박리력 컨트롤제를 배합하는 경우에는 (A) 성분과 박리력 컨트롤제와의 합계 알켄일기 1몰에 대한 (B) 성분 중의 규소 원자에 결합한 수소 원자의 몰수가 0.5∼10의 범위가 되는 양인 것이 바람직하고, 1.0∼5.0의 범위가 되는 양이 보다 바람직하다. 몰비가 0.5보다 작으면 경화성이 저하되는데다, 기재와의 밀착이 나빠지는 경우가 있고, 10보다도 크면 중박리화 되어 버리는 경우가 있다.
[(C) 성분]
(C) 성분은 25℃에서의 점도가 0.001∼4Pa·s의 폴리오가노실록세인이며, 하기 일반식 (2)로 표시되는 것이 바람직하다.
Figure 112019039439024-pct00015
상기 식 (2) 중, R2는 동일 또는 상이해도 되는, 탄소수 1∼20의 비치환 또는 치환의 알킬기, 탄소수 6∼20의 비치환 또는 치환의 아릴기, 탄소수 7∼20의 비치환 또는 치환의 아르알킬기, 또는 수산기 혹은 탄소수 1∼3의 알콕시기이다.
상기 탄소수 1∼20의 알킬기로서, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 뷰틸기 등의 바람직하게는 탄소수 1∼6의 알킬기, 사이클로헥실기 등의 바람직하게는 탄소수 5∼8의 사이클로알킬기, 또는 이들 기의 탄소 원자에 결합하고 있는 수소 원자의 일부 또는 전부를 하이드록시기, 알콕시기, 폴리에터기, 알콕시알킬기, 에폭시기, 할로젠 원자 등으로 치환한 하이드록시프로필기, 1-클로로프로필기, 3,3,3-트라이플루오로프로필기 등으로부터 선택되는 탄소수 1∼10의 알킬기를 들 수 있지만, 특히 박리성의 관점에서, 알킬기가 바람직하고, 특히 메틸기, 에틸기, 프로필기가 보다 바람직하다.
또한, R2로서는 상기 페닐기, 톨릴기 등의 바람직하게는 탄소수 6∼10의 아릴기, 벤질기 등의 바람직하게는 탄소수 7∼10의 아르알킬기, 또는 이들 기의 탄소 원자에 결합하고 있는 수소 원자의 일부 또는 전부를 하이드록시기, 알콕시기, 폴리에터기, 알콕시알킬기, 에폭시기, 할로젠 원자 등으로 치환한 것을 들 수 있지만, 특히 박리성의 관점에서 페닐기가 보다 바람직하다.
또한, (C) 성분의 25℃에서의 점도는 0.001∼4Pa·s이며, 0.008∼1Pa·s인 것이 바람직하고, 0.015∼0.5Pa·s인 것이 특히 바람직하다. 점도가 0.001Pa·s 미만에서는 가열조건하에서 (C) 성분이 휘발하여, 박리력이 안정하지 않은 경우가 있다. 점도가 4Pa·s를 초과하면, 실리콘의 이행량 증가로 이어져 잔류 접착률이 저하되는 경우가 있다.
(C) 성분의 상압에서의 비점이 220℃ 이상인 것이 바람직하다. 상압에서의 비점이 220℃ 미만에서는, 박리력이 안정하지 않고, 시간 경과로 변화되는 경우가 있다.
상기 식 (2) 중의 c, d, e, f는 상기 점도의 범위로 하는 정수로부터 선택되는데, 특히, c는 2 이상, 바람직하게는 2∼30의 정수, d는 1 이상, 바람직하게는 1∼500의 정수, e는 0 이상, 바람직하게는 0∼10의 정수, f는 0 이상, 바람직하게는 0∼10의 정수이며, 3≤c+d+e+f≤500이고, 바람직하게는 4≤c+d+e+f≤200이다.
(C) 성분의 구체예로서는 이하의 것을 들 수 있지만, 이것들에 한정되지 않는다. 또한, 하기 식 중의 Me, Et, Ph는 각각 메틸기, 에틸기, 페닐기를 나타낸다.
Figure 112019039439024-pct00016
(2≤m1≤350)
Figure 112019039439024-pct00017
(1≤m2≤350)
Figure 112019039439024-pct00018
(2≤m3≤350)
Figure 112019039439024-pct00019
(2≤m4≤350)
Figure 112019039439024-pct00020
(2≤m5≤350, 1≤m6≤80)
Figure 112019039439024-pct00021
(1≤m7≤350, 1≤m8≤80)
Figure 112019039439024-pct00022
(2≤m9≤350, 1≤m10≤80)
Figure 112019039439024-pct00023
(2≤m11≤350, 1≤m12≤80)
Figure 112019039439024-pct00024
(1≤m13≤200, 1≤m14≤200, 1≤m15≤100, 1≤m16≤30)
Figure 112019039439024-pct00025
(1≤m17≤100, 1≤m18≤100, 1≤m19≤15, 1≤m20≤15, 1≤m21≤15, 0≤m22≤10, 0≤m23≤10)
이론에 속박되는 것은 아니지만, 박리제 조성물에 25℃의 점도가 0.001∼4Pa·s의 지방족 불포화기를 함유하지 않는 비반응성 폴리오가노실록세인을 배합함으로써, 실리콘의 이행량 증가와 잔류 접착률의 저하를 억제하면서, 밀착성에 악영향을 주지 않고, 저속 박리 속도역과 고속 박리 속도역의 박리력을 작게 하는 것이 가능한 것을 발견했다.
일반적으로 비반응성의 폴리오가노실록세인을 배합함으로써 저속 박리 속도역 및 고속 박리 속도역의 박리력이 작아지는 것이 알려져 있다. 이것은 비반응성인 폴리오가노실록세인이 표면으로 이행함으로써 박리력이 작아져, 점착제에 실리콘이 이행함으로써 잔류 접착률이 저하된다고 생각된다. 예를 들면, 아릴기를 함유하는 폴리오가노실록세인은 탄화수소의 비율이 증가하기 때문에, 박리제 조성물과의 상용성이 나빠져, 박리력 및 잔류 접착률의 저하는 보다 현저하게 된다. 또한 이 경우, 상기 폴리오가노실록세인이 표면으로 이행함과 동시에 피막과 기재의 계면으로도 이행하여, 기재와의 밀착성의 악화로 이어진다. 이행을 억제하기 위해서는, 폴리오가노실록세인에 반응성 기를 도입하는 것이 유효하다. 그러나, 하이드로실릴화 반응성 기를 도입한 경우에는 피막 중에 완전히 받아들여져 버리기 때문에, 실리콘의 이행은 억제되지만 박리력을 작게 하는 효과도 작아진다. 다른 작용기로서 수산기를 도입한 경우, 수산기는 하이드로실릴화 반응성 기와 비교하여 반응성이 부족하기 때문에, 박리제와 같이 저온 단시간의 경화조건에서는 실리콘의 이행을 막을 수는 없다.
폴리오가노실록세인의 고분자량화도 실리콘의 이행을 억제하기 위해서는 유용한 수단이지만, 고분자량화한 폴리오가노실록세인도 본질적으로는 경화 피막과의 상용성이 나쁘기 때문에, 실리콘이 이행하여 잔류 접착률의 저하로 이어진다.
본 발명의, 25℃의 점도가 0.001∼4Pa·s의 폴리오가노실록세인을 배합한 경우, 저분자량이기 때문에 경화 피막과의 상용성이 양호하기 때문에, 경화 피막 중에 머무를 수 있다고 추측할 수 있다. 그 결과, 박리력은 작아지지만 실리콘의 이행이 억제되어, 잔류 접착률의 향상으로 이어졌다고 생각된다. 또한 경화 피막과의 상용성이 좋기 때문에, 경화 피막과 기재 사이로의 이행이 억제되어 밀착성이 악화되지 않는다고 생각된다.
[(D) 성분]
(D) 백금족 금속계 촉매(부가반응용 촉매)는 (A) 성분과 (B) 성분의 가교 반응을 촉진하여, 경화 피막을 형성하기 위해 사용된다. 이러한 부가반응용 촉매로서는, 예를 들면, 백금, 백금흑, 염화백금산, 염화백금산의 각종 올레핀 또는 바이닐실록세인과의 착체, 염화백금산-알코올 배위 화합물, 로듐, 로듐-올레핀 컴플렉스 등을 들 수 있다. 이것들은 1종 단독으로 또는 2종 이상을 적당히 조합하여 사용할 수 있다.
상기 부가 반응용 촉매는, (A) 성분 및 (B) 성분의 합계 질량에 대하여, 백금족 금속의 양으로서 10∼1,000ppm(질량비) 배합하는 것이 충분한 경화 피막을 형성하는데 바람직하고, 상기 성분의 반응성 또는 원하는 경화속도에 따라 적당히 증감시킬 수 있다.
[(E) 성분]
본 발명의 실리콘 조성물에는 (E) 유기 용제를 배합할 수 있다.
본 발명의 실리콘 조성물은 상기 (A)∼(D) 성분의 소정량을 배합함으로써 얻어지는 무용매형의 조성물로 할 수도 있지만, 필요에 따라 유기 용제로 희석한 용제형 조성물로서 사용하는 것도 가능하다. 유기 용제로 조성물을 희석함으로써 도공작업성의 개선, 도공 피막의 두께나 표면의 마무리 상태 등 도공 피막 상태의 개선 등 실용상의 이점이 얻어진다.
사용 가능한 (E) 유기 용제로서는 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소계 화합물, 헥세인, 헵테인, 아이소파라핀 등의 지방족 탄화수소계 화합물, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸아이소뷰틸케톤 등의 케톤 화합물, 아세트산 에틸, 아세트산 뷰틸 등의 에스터 화합물, 다이아이소프로필에터, 1,4-다이옥세인 등의 에터 화합물을 들 수 있지만, 실리콘을 용해시킬 수 있는 화합물이면 어느 것이어도 된다. 이것들은 1종 단독으로 또는 2종 이상을 적당히 조합하여 사용할 수 있다.
(E) 성분은 임의 성분이며, 그 배합량은 임의량으로 할 수 있다. 즉 0질량부이어도 된다. 유기 용제에 의한 위험성이나 안전성의 저하가 바람직하지 않은 경우에는, 당해 (E) 성분을 배합하지 않고, 무용제형의 박리지 또는 박리 필름 제조용 실리콘 조성물로 하는 것도 가능하다. (E) 성분을 배합하는 경우의 배합량은 상기 (A) 성분 100질량부에 대하여 100∼20,000질량부가 바람직하고, 200∼10,000질량부가 보다 바람직하다. (E) 성분의 배합량이 100질량부 미만에서는 희석에 의한 이점이 얻어지지 않는 경우가 있고, 20,000질량부를 초과해도 효과의 향상은 그다지 개대할 수 없다.
본 발명의 실리콘 조성물은 상기 (A)∼(E) 성분의 소정량을 배합함으로써 얻어지지만, 그 밖의 임의 성분을 필요에 따라 본 발명의 목적, 효과를 손상시키지 않는 범위에서 첨가할 수 있다. 실리콘계 박리제 조성물에 통상 사용되는 것으로서 공지의 것을 통상의 배합량으로 첨가할 수 있다.
그 밖의 임의 성분으로서는 박리력 컨트롤제를 들 수 있다. 본 성분은 처리욕 속에 잔존하는 SiH기를 감소시켜 박리력을 가볍게 하거나, 또는 가교 밀도를 높여 밀착성을 향상시킬 목적으로 사용된다. 이 목적으로는 1분자 중에 적어도 2개의 알켄일기를 갖고, 알켄일기 함유량이 (A) 성분의 알켄일기 함유량의 5∼1,000배에 상당하는 양이며, 25℃에서의 점도가 1Pa·s 미만 또는 30질량% 톨루엔 희석 점도로 0.1Pa·s 미만의 화합물이 사용된다.
박리력 컨트롤제를 배합하는 경우, 그 배합량은 (A) 성분 100질량부에 대하여 0.1∼20질량부이며, 보다 바람직하게는 0.1∼15질량부이다. 상기 범위에서 목적으로 하는 박리력을 조정할 수 있다.
박리력 컨트롤제의 구체예로서는 이하의 것을 들 수 있지만, 이것들에 한정되지 않는다. 또한, 하기 식 중의 Me, Vi는 각각 메틸기, 바이닐기를 나타낸다.
Figure 112019039439024-pct00026
Figure 112019039439024-pct00027
Figure 112019039439024-pct00028
Figure 112019039439024-pct00029
Figure 112019039439024-pct00030
Figure 112019039439024-pct00031
Figure 112019039439024-pct00032
Figure 112019039439024-pct00033
(0≤n1≤100)
Figure 112019039439024-pct00034
(0≤n2≤100, 0≤n3≤100, 0≤n2+n3≤100)
Figure 112019039439024-pct00035
(0≤n4≤100)
Figure 112019039439024-pct00036
(0≤n5≤100, 0≤n6≤100, 0≤n7≤100, 0≤n8≤30)
Figure 112019039439024-pct00037
(0≤n9≤100, 0≤n10≤100, 0≤n11≤100, 0≤n12≤100, 0≤n13≤100, 0≤n14≤30, 0≤n15≤30)
그 밖의 임의 성분으로서는, 예를 들면, 포트라이프 연장제로서 각종 유기 질소 화합물, 유기 인 화합물, 아세틸렌계 화합물, 옥심 화합물, 유기 클로로 화합물 등을 공지의 것으로서 사용할 수 있다. 예를 들면, 3-메틸-1-뷰타인-3-올, 3,5-다이메틸-1-헥사인-3-올, 3-메틸-1-펜틴-3-올, 페닐뷰틴올 등의 아세틸렌계 알코올, 3-메틸-3-1-펜텐-1-인, 3,5-다이메틸-1-헥사인-3-인 등의 아세틸렌계 화합물, 이들 아세틸렌계 화합물과 알콕시실레인 또는 실록세인 혹은 하이드로젠실레인의 반응물, 테트라메틸바이닐실록세인 환상체 등의 바이닐실록세인, 벤조트라이아졸 등의 유기 질소 화합물 및 그 밖의 유기 인 화합물, 옥심 화합물, 유기 클로로 화합물 등을 들 수 있다.
포트 라이프 연장제의 배합량은 양호한 포트라이프가 얻어지는 양이면 되고, 일반적으로 (A) 성분 100질량부에 대하여 0.01∼10질량부가 바람직하다.
또한, 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에서 필요에 따라, 그 밖의 임의의 성분으로서 공지의 산화방지제, 안료, 안정제, 소포제, 밀착향상제, 증점제, 실리카 등의 무기 충전제를 배합할 수 있다.
[조제 방법]
박리지 또는 박리 필름 제조용 실리콘 조성물의 조제는 (A), (B), (C), (E) 성분 및 임의 성분을 미리 균일하게 혼합한 후, (D) 성분을 사용 직전에 첨가하는 방법이 포트라이프의 면에서 바람직하다.
[박리지 및 박리 필름]
박리지 및 박리 필름은 종이 기재 또는 필름 기재와, 이 기재에 형성된 상기 실리콘 조성물의 경화물로 이루어지는 박리층을 갖는 것이다. 박리층은 상기 기재의 적어도 1면에 형성되어 있으면 되고, 편면이어도 양면이어도 된다.
기재의 예로서는 폴리에틸렌 라미네이트지, 글라신지, 상질지, 크라프트지, 클레이코트지 등 각종 코트지, 유포 등 합성지, 폴리에틸렌 필름, CPP나 OPP 등의 폴리프로필렌 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등 폴리에스터 필름, 폴리아마이드 필름, 폴리이미드 필름, 폴리락트산 필름, 폴리페놀 필름, 폴리카보네이트 필름 등을 들 수 있다. 이들 기재와 박리층의 밀착성을 향상시키기 위해, 기재면에 코로나 처리, 에칭 처리, 혹은 플라스마 처리한 것을 사용해도 된다.
박리지 및 박리 필름의 제조 방법은 기재의 적어도 1면, 예를 들면, 편면 또는 양면에 실리콘 조성물을 도포하는 공정과, 이 실리콘 조성물을 건조하고, 경화시켜, 박리층을 형성하는 공정을 포함하는 방법을 들 수 있다. 도포 방법으로서는, 예를 들면, 콤마 코터, 립 코터, 롤 코터, 다이 코터, 나이프 코터, 블레이드 코터, 로드 코터, 키스 코터, 그라비아 코터, 와이어 바 코터 등에 의한 도공, 스크린 도공, 침지 도공, 캐스트 도공 등의 도공 방법을 들 수 있다. 이때, 상기 실리콘 조성물로서는, 그대로, 또는 또한 상술한 희석용의 용제나 물로 상술한 범위에서 희석한 것을 사용할 수 있다. 도공량은 특별히 제한은 없지만, 통상은, 고형분으로서 0.01∼100g/m2가 바람직하고, 0.03∼10g/m2가 보다 바람직하다. 건조하는 방법으로서는 가열함으로써 휘발 성분이나 용제 성분을 제거하는 방법을 들 수 있다. 구체적으로는, 열풍 건조기, IR 건조기 등을 들 수 있다. 혹은 그대로 상온에서 방치해도 된다. 경화 방법은 상법이 채용되지만, 경화 온도는 50∼200℃가 바람직하고, 70∼180℃가 보다 바람직하다. 경화 시간은 1∼120초가 바람직하고, 5∼90초가 보다 바람직하다. 기재의 양면에 박리층을 만드는 경우에는, 기재의 편면씩 경화 피막의 형성 조작을 행하는 것이 바람직하다.
실시예
이하에, 실시예 및 비교예를 제시하지만, 본 발명은, 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
<사용 원료>
[(A) 성분]
(A-1)
(CH3)2(CH2=CH)SiO1 /2로 표시되는 다이메틸바이닐실록세인 단위 0.02몰%, (CH3)(CH2=CH)SiO2/2로 표시되는 메틸바이닐실록세인 단위가 0.58몰%, (CH3)2SiO2 /2로 표시되는 다이메틸실록세인 단위가 99.4몰%로 구성되어 있는 폴리오가노실록세인 30질량% 톨루엔 용액의 25℃에서의 점도가 15Pa·s
알켄일기 함유량=0.008몰/100g
(A-2)
(CH3)2(CH2=CH)SiO1 /2로 표시되는 다이메틸바이닐실록세인 단위 0.02몰%, (CH3)(CH2=CH)SiO2/2로 표시되는 메틸바이닐실록세인 단위가 0.63몰%, (CH3)2SiO2 /2로 표시되는 다이메틸실록세인 단위가 96.35몰%, Ph2SiO2 /2로 표시되는 다이페닐실록세인 단위가 3.0몰%로 구성되어 있는 폴리오가노실록세인 30질량% 톨루엔 용액의 25℃에서의 점도가 10Pa·s
알켄일기 함유량=0.008몰/100g
[(B) 성분]
(B-1)
(CH3)3SiO1 /2로 표시되는 트라이메틸실록세인 단위 5몰%, (CH3)HSiO2 /2로 표시되는 메틸하이드로젠실록세인 단위 95몰%로 이루어지는 오가노하이드로젠폴리실록세인
25℃에서의 점도가 0.02Pa·s
SiH기 함유량=1.6몰/100g
(B-2)
(CH3)3SiO1 /2로 표시되는 트라이메틸실록세인 단위 2몰%, (CH3)HSiO2 /2로 표시되는 메틸하이드로젠실록세인 단위 58몰%, (CH3)2SiO2 /2로 표시되는 다이메틸실록세인 단위 20몰%, Ph2SiO2 /2로 표시되는 다이페닐실록세인 단위 20몰%로 이루어지는 오가노하이드로젠폴리실록세인
25℃에서의 점도가 0.7Pa·s
SiH기 함유량=0.64몰/100g
[(C) 성분]
(C-1)∼(C-8)
일반식 (4)로 표시되는 폴리오가노실록세인. o는 C-1∼C-8의 점도를 충족시키는 수.
Figure 112019039439024-pct00038
(C-1) 25℃에서의 점도가 0.01Pa·s
(C-2) 25℃에서의 점도가 0.02Pa·s
(C-3) 25℃에서의 점도가 0.05Pa·s
(C-4) 25℃에서의 점도가 0.1Pa·s
(C-5) 25℃에서의 점도가 0.5Pa·s
(C-6) 25℃에서의 점도가 1Pa·s
(C-7) 25℃에서의 점도가 3Pa·s
(C-8) 25℃에서의 점도가 10Pa·s
(C-9) 및 (C-11)
일반식 (5)로 표시되는 폴리오가노실록세인. o1 및 o2는 (C-9) 및 (C-11)의 점도 및 Ph기 함유율을 충족시키는 수.
Figure 112019039439024-pct00039
(C-9) Ph기 함유율이 5몰%, 25℃에서의 점도가 0.02Pa·s
(C-11) Ph기 함유율이 5몰%, 25℃에서의 점도가 5Pa·s
(C-10) 및 (C-13)
일반식 (6)으로 표시되는 폴리오가노실록세인. o는 (C-10) 및 (C-13)의 점도를 충족시키는 수.
Figure 112019039439024-pct00040
(C-10) 25℃에서의 점도가 0.05Pa·s
(C-13) 25℃에서의 점도가 15Pa·s
(C-12)
일반식 (7)로 표시되는 폴리오가노실록세인. o1 및 o2는 (C-12)의 점도 및 Ph기 함유율을 충족시키는 수.
Figure 112019039439024-pct00041
(C-12) Ph기 함유율이 5몰%, 25℃에서의 점도가 50Pa·s
(C-14)
유동 파라핀 녹1급(간토카가쿠 가부시키가이샤제)
[(D) 성분]
촉매로서 백금-바이닐실록세인 착체
[(E) 성분]
톨루엔과 헥세인의 중량비 1:1 혼합 용제
[임의 성분]
포트라이프 연장제로서 3-메틸-1-뷰타인-3-올
<실시예 1∼10, 비교예 1∼11>
상기에 나타내는 (A)∼(E) 성분 및 임의 성분을 원료로서 사용하고, 이하의 수순으로 도공용의 실리콘 조성물을 조제했다.
(A), (B), (C) 성분을 표의 배합비에 따라 플라스크에 취하고, (E) 3,200질량부, 임의 성분 3질량부를 첨가하고, 교반하여 용해했다.
얻어진 용액에, (D) 성분을 (A) 성분에 대하여 백금 질량 환산으로 100ppm이 되도록 첨가하고, 교반 혼합함으로써 도공용의 실리콘 조성물을 얻었다. 이 조성물을 사용하여 후술의 방법으로 도공품을 제작하고 평가했다.
<평가>
각 예의 박리제에 대하여, 경화성, 박리에 요하는 힘(이하, 「박리 강도」라고 한다.), 잔류 접착률을 이하의 방법에 의해 평가 또는 측정했다. 결과를 표 1∼3에 나타낸다.
[경화성(경화 직후의 밀착성)]
얻어진 조성물을 두께 38㎛의 PET 필름에, 바 코터를 사용하여 도포하고, 120℃의 열풍식 건조기 중에서 1분간 가열하여 박리층을 형성했다. 이때, 도공량은 고형분으로 0.2g/m2로 했다. 이어서, 그 박리층을 손가락으로 10회 문지른 후, 흐림 및 탈락의 유무를 육안으로 관찰하고, 이하의 기준으로 평가했다.
A: 흐림 및 탈락은 보이지 않았다.
B: 조금 흐림 및 탈락이 보였다.
C: 흐림 또는 탈락이 보였다.
[박리 강도]
·저속 박리 시험
상기 경화성 평가와 동일하게 하여 박리층을 형성하고, FINAT법에 준거하여 이하 수순으로 평가했다.
박리층의 표면에 폭 25mm 점착테이프(Tesa 7475 테이프, Tesa Tape．Inc제 상품명)를 붙이고, 25℃의 건조기 중 70g/cm2의 하중을 걸어 20시간 가열 처리했다. 30분 정도 공냉한 후, 인장 시험기(가부시키가이샤 시마즈세사쿠쇼제 AGS-50G형)를 사용하여 180°의 각도, 박리 속도 0.3m/분으로 Tesa 7475 테이프를 인장하여, 박리시키는데 요하는 힘(N/25mm)을 측정했다.
·고속 박리 시험
상기 저속 박리 시험과 동일하게 하고, FINAT법에 준거하여 이하 수순으로 평가했다.
박리층의 표면에 폭 25mm 점착테이프(Tesa 7475 테이프, Tesa Tape．Inc제 상품명)를 붙이고, 25℃의 건조기 중 70g/cm2의 하중을 걸어 20시간 가열 처리했다. 30분쯤 공냉한 후, 인장 시험기(테스터산교 가부시키가이샤제 고속 박리 시험기)를 사용하여 180°의 각도, 박리 속도 60m/분으로 Tesa 7475 테이프를 인장하여, 박리시키는데 요하는 힘(N/25mm)을 측정했다.
[잔류 접착률]
·Tesa 7475 테이프
상기 경화성 평가와 동일하게 하여 박리층을 형성하고, 박리층의 표면에 폭 25mm 점착테이프(Tesa 7475 테이프, Tesa Tape．Inc제 상품명)를 붙이고, 25℃의 건조기 중 70g/cm2의 하중을 걸어 20시간 가열 처리했다. 그 후, 박리층으로부터 폭 25mm 점착테이프를 벗기고, 그 폭 25mm 점착테이프를 스테인리스판에 붙였다. 이어서, 인장 시험기(가부시키가이샤 시마즈 세사쿠쇼제 AGS-50G형)를 사용하여, 스테인리스판으로부터 폭 25mm 점착테이프를 박리하고, 박리강도 X를 측정했다.
또한, 박리층에 첩합하지 않은 폭 25mm 점착테이프를 스테인리스판에 붙이고, 인장 시험기를 사용하여, 스테인리스판으로부터 폭 25mm 점착테이프를 박리하고, 박리강도 Y를 측정했다.
그리고, (박리강도 X/박리강도 Y)×100(%)의 식으로부터, 잔류 접착률을 구했다.
잔류 접착률이 높을수록 박리층의 박리성이 우수하고, 박리층에 첩합하는 것에 의한 폭 25mm 점착테이프의 접착력 저하가 억제되어, 즉 피막으로부터의 블리드 아웃이 억제되고 있는 것을 나타낸다.
·닛토 31B
상기 경화성 평가와 동일하게 하여 박리층을 형성하고, 박리층의 표면에 폴리에스터 점착테이프(닛토 31B, 닛토덴코 가부시키가이샤제 상품명)을 올려놓고, 이어서, 그 점착테이프 위에 1,976Pa의 하중을 올려놓고, 박리층에 폴리에스터 점착테이프를 첩합했다. 그 후, 70℃에서 20시간 가열 처리하고 나서, 박리층으로부터 폴리에스터 점착테이프를 벗기고, 그 폴리에스터 점착테이프를 스테인리스판에 붙였다. 이어서, 인장 시험기(가부시키가이샤 시마즈 세사쿠쇼제 AGS-50G형)를 사용하고, 스테인리스판으로 폴리에스터 점착테이프를 박리하고, 박리강도 X를 측정했다.
또한, 박리층에 첩합하지 않은 폴리에스터 점착테이프를 스테인리스판에 붙이고, 인장 시험기를 사용하여, 스테인리스판으로부터 폴리에스터 점착테이프를 박리하고, 박리강도 Y를 측정했다.
그리고, (박리강도 X/박리강도 Y)×100(%)의 식으로부터, 잔류 접착률을 구했다.
잔류 접착률이 높을수록, 박리층의 박리성이 우수하고, 박리층에 첩합하는 것에 의한 폴리에스터 점착테이프의 접착력 저하가 억제되어, 즉 피막으로부터의 실리콘 이행이 억제되고 있는 것을 나타낸다.
Figure 112019039439024-pct00042
Figure 112019039439024-pct00043
Figure 112019039439024-pct00044
평가의 결과, 25℃의 점도가 0.001∼4Pa·s의 폴리오가노실록세인을 배합함으로써, 실리콘의 이행량 증가 및 잔류 접착률의 저하를 억제하면서, 저속 박리 속도역 및 고속 박리 속도역의 박리력을 동시에 작게 하는 것이 가능한 것이 나타났다.

Claims (7)

  1. (A) 1분자 중에 적어도 2개의 알켄일기를 갖고, 알켄일기 함유량이 0.001∼0.04mol/100g이며, 25℃에서의 30질량% 톨루엔 희석 점도로 0.01∼70Pa·s의 폴리오가노실록세인: 100질량부
    (B) 1분자 중에 규소 원자에 결합한 수소 원자를 적어도 3개 갖고, 하기 평균 조성식 (1)로 표시되는 오가노하이드로젠폴리실록세인: 0.1∼30질량부
    R1 aHbSiO(4-a-b)/2 (1)
    (식 중, R1은 지방족 불포화 결합을 함유하지 않는 1가 유기기이며, a는 0.1∼2, b는 0.1∼2.9이며, a+b는 1∼3.0의 정수이고, 1분자 중에 3개 이상의 SiH기를 갖고, 25℃의 점도가 0.005∼10Pa·s의 범위에 들어가도록 선택된다.)
    (C) 하기 일반식 (2)로 표시되는 폴리오가노실록세인: 1∼30질량부
    Figure 112023016589828-pct00045

    (식 중, R2는 동일 또는 상이해도 되는, 탄소수 1∼20의 비치환 또는 하이드록시기, 알콕시기, 폴리에터기, 알콕시알킬기, 혹은 할로젠 원자로 치환된 알킬기, 탄소수 6∼20의 비치환 또는 치환의 아릴기, 탄소수 7∼20의 비치환 또는 치환의 아르알킬기, 또는 수산기 혹은 탄소수 1∼3의 알콕시기이고, c는 2 이상, d는 1 이상, e는 0 이상, f는 0 이상의 정수이며, c+d+e+f는 25℃의 점도가 0.001∼4Pa·s의 범위에 들어가도록 선택된다.)
    (D) 백금족 금속계 촉매: 촉매량
    을 포함하는 부가반응 경화형의 박리지 또는 박리 필름 제조용 실리콘 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 일반식 (2)에서, c+d+e+f가 25℃의 점도가 0.008∼1Pa·s의 범위에 들어가도록 선택되는 것을 특징으로 하는 박리지 또는 박리 필름 제조용 실리콘 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 일반식 (2)에서, c+d+e+f가 25℃의 점도가 0.015∼0.5Pa·s의 범위에 들어가도록 선택되는 것을 특징으로 하는 박리지 또는 박리 필름 제조용 실리콘 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 일반식 (2)에서, R2가 동일 또는 상이해도 되는 탄소수 1∼20의 비치환 또는 치환의 알킬기인 것을 특징으로 하는 박리지 또는 박리 필름 제조용 실리콘 조성물.
  5. 제1항에 있어서, (E) 유기 용제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박리지 또는 박리 필름 제조용 실리콘 조성물.
  6. 종이 기재 또는 필름 기재 위에 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 실리콘 조성물의 경화물이 형성되어 이루어지는 박리지.
  7. 종이 기재 또는 필름 기재 위에 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 실리콘 조성물의 경화물이 형성되어 이루어지는 박리 필름.
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