KR102507765B1

KR102507765B1 - 폴리메틴 화합물

Info

Publication number: KR102507765B1
Application number: KR1020197000165A
Authority: KR
Inventors: 유스케 쿠보타; 미츠히로 오카다
Original assignee: 가부시키가이샤 아데카
Priority date: 2016-09-05
Filing date: 2017-08-29
Publication date: 2023-03-08
Also published as: CN109511264B; TWI752078B; CN109511264A; TW201815783A; JP7000329B2; JPWO2018043451A1; WO2018043451A1; KR20190046755A

Abstract

하기 일반식(Ⅰ)로 나타내는 폴리메틴 화합물.

(R¹, R², R³, R⁴, R⁶ 및 R⁷은 수소원자, C1~30 탄화수소기 등을 나타내고, R⁵ 및 R⁹는 수소원자, C1~30 탄화수소기 등을 나타내며, R⁸은 C1~20 할로겐화 알킬기, C6~20 아릴기 등을 나타내고, X는 ＞CR¹⁰R¹¹, 산소원자 또는 황원자 또는 ＞NR¹²를 나타내며, R¹⁰및 R¹¹은 수소원자, C1~30 탄화수소기 등을 나타내고, R¹²는 수소원자, C1~30 탄화수소기 등을 나타내며, m은 1~6이고, m=1인 경우, A는 존재하지 않고, m≥2일 때, A는 직접 결합, 질소원자, ＞NR¹³, 산소원자, 황원자, -SO₂-, -SO-, 인원자, ＞PR¹³, E^m+, L^m- 또는 특정한 유기기를 나타내며, m≥2이고 A가 E^m+ 또는 L^m-가 아닌 경우, A는 R¹~R⁹로 나타내는 기의 수소원자를 치환하는 형태로 연결한다.)

Description

폴리메틴 화합물

본 발명은 특정한 구조를 가지는 폴리메틴 화합물에 관한 것이다.

폴리메틴 화합물은 광흡수제, 증감제, 염료 등으로서, 디스플레이나 광학 렌즈에 이용되는 광학 필름 및 광학 필터, 감광사진 재료, 염색물, 도료, 잉크, 전자사진 감광체, 토너, 감열기록지, 전사(轉寫) 리본, 광학 기록 색소, 태양전지, 광전 변환 소자, 반도체재료, 임상검사 시약, 레이저 치료용 색소, 염색 등에 널리 이용되고 있다.

특허문헌 1에는 메틴 색소 화합물을 함유하는 할로겐화은(銀) 사진 감광 재료가 개시되어 있고, 특허문헌 2에는 폴리메틴 화합물 그리고 상기 화합물을 이용한 광학 필터 및 광학 기록 재료가 개시되어 있으며, 특허문헌 3에는 폴리메틴 화합물을 포함하는 광전 변환 소자가 개시되어 있고, 특허문헌 4에는 산멜로시아닌 색소가 개시되어 있다.

일본 공개특허공보 2003-057777호 일본 공개특허공보 2008-222991호 미국 특허출원 공개공보 US2013/0087682호 미국 특허공보 US2526632호

그러나, 특허문헌 1~4에 기재된 화합물은 내광성 및 내열성이 충분하지 않았다.

본 발명의 목적은 내광성 및 내열성이 뛰어난 폴리메틴 화합물을 제공하는 것에 있다.

본 발명자들은 예의 검토를 거듭한 결과, 특정한 구조를 가지는 폴리메틴 화합물이 상기 목적을 달성할 수 있는 것을 지견하여, 본 발명에 이르렀다.

본 발명은 상기 지견에 기초하여 이루어진 것이며, 하기 일반식(Ⅰ)로 나타내는 폴리메틴 화합물을 제공하는 것이다.

(식 중, R¹, R², R³, R⁴, R⁶ 및 R⁷은, 각각 독립적으로 수소원자, 수산기, 니트로기, 시아노기, 할로겐 원자, 카르복실기, 술폰산기, 술폰아미드기, 탄소원자수 1~30의 탄화수소기, 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기 또는 메탈로세닐기를 나타내고,

R⁵ 및 R⁹는, 각각 독립적으로 수소원자, 탄소원자수 1~30의 탄화수소기, 또는 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기를 나타내며,

R⁸은, 탄소원자수 1~20의 할로겐화 알킬기, 탄소원자수 6~20의 아릴기, 또는 수산기, 니트로기, 시아노기, 할로겐 원자, 카르복실기, 술폰산기, 술폰아미드기 혹은 불화 알킬기로 치환된 탄소원자수 6~20의 아릴기를 나타내고,

X는 ＞CR¹⁰R¹¹, 산소원자, 황원자 또는 ＞NR¹²를 나타내며,

R¹⁰및 R¹¹은, 각각 독립적으로 수소원자, 탄소원자수 1~30의 탄화수소기, 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기 또는 메탈로세닐기를 나타내고,

R¹²는 수소원자, 탄소원자수 1~30의 탄화수소기, 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기를 나타내며,

R¹, R², R³, R⁴, R⁵, R⁶, R⁷, R⁸, R⁹, R¹⁰, R¹¹ 및 R¹²로 나타내는 기 중의 메틸렌기는, -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -COS-, -OCS-, -SO₂-, SO₃-, -NH-, -CONH-, -NHCO-, -SO₂NH-, -NH-SO₂-, -N=CH-, -CH=CH-, 또는 이들을 조합한 기에 의해 산소원자가 이웃하지 않는 조건으로 치환되어 있는 경우도 있고,

R¹, R², R³, R⁴, R⁵, R⁶, R⁷, R⁸, R⁹, R¹⁰, R¹¹ 및 R¹²로 나타내는 기의 알킬 부분은, 분기 측쇄 또는 환상 알킬인 경우가 있으며, 치환기를 가지는 경우도 있고,

R¹과 R², R²와 R³, R³과 R⁴, R⁴와 R⁵, R¹⁰과 R¹¹ 및 R¹²와 R¹은, 각각 결합해서 환을 형성하는 경우가 있으며, 형성한 환은 치환기를 가지는 경우도 있고,

m은 1~6의 정수이고,

m≥2인 경우, 복수 존재하는 R¹, R², R³, R⁴, R⁵, R⁶, R⁷, R⁸, R⁹ 및 X는 각각 동일한 경우가 있으며, 다른 경우도 있고,

m=1인 경우, A는 존재하지 않고, m≥2일 때, A는 직접 결합, 질소원자, ＞NR¹³, 산소원자, 황원자, -SO₂-, -SO-, 인원자, ＞PR¹³, E^m+, L^m- 또는 하기 (ⅰ), (ⅱ), (ⅲ), (ⅳ) 혹은 (ⅴ)에 나타내는 어느 하나의 연결기를 나타내며,

R¹³은 수소원자, 또는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기를 나타내고,

R¹³으로 나타내는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 중의 메틸렌기는, -COO-, -O-, -OCO-, -NHCO-, -NH-, -CONH-, 또는 이들을 조합한 기에 의해 산소원자가 이웃하지 않는 조건으로 치환되어 있는 경우도 있으며,

E^m+는 m가의 양이온을 나타내고, L^m-는 m가의 음이온을 나타내며,

m≥2이고 A가 E^m+ 또는 L^m-가 아닌 경우, A는 R¹, R², R³, R⁴, R⁵, R⁶, R⁷, R⁸ 또는 R⁹로 나타내는 기의 수소원자에 치환되는 형태로 연결한다.)

(ⅰ) m=2일 때, A는 하기 식(α)로 나타내는 연결기인 경우가 있다.

(식 중, X¹은 ＞NR¹⁴, 탄소원자수 1~30의 탄화수소기, 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기 또는 하기 (α-1), (α-2) 혹은 (α-3)으로 나타내는 기를 나타내고,

Z¹ 및 Z²는, 각각 독립적으로 직접 결합, -O-, -S-, -SO₂-, -SO-, ＞NR¹⁴, 또는 ＞PR¹⁵를 나타내며,

R¹⁴ 및 R¹⁵는, 각각 독립적으로 수소원자, 또는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기를 나타내고,

R¹⁴ 및 R¹⁵로 나타내는 기 중의 메틸렌기는, -COO-, -O-, -OCO-, -NHCO-, -NH-, -CONH-, 또는 이들을 조합한 기에 의해 산소원자가 이웃하지 않는 조건으로 치환되어 있어도 된다

단, 상기 식(α)로 나타내는 기는 탄소원자수 1~35의 범위 내이고, 식 중의 *는 *부분에서 인접하는 기와 결합하는 것을 의미한다.)

(식 중, R²¹은 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 또는 탄소원자수 1~10의 알콕시기에 의해 치환된 페닐기를 나타내고, R²²는 탄소원자수 1~10의 알콕시기, 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 또는 할로겐 원자를 나타내며,

상기의 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 및 탄소원자수 1~10의 알콕시기의 수소원자는 할로겐 원자로 치환되어 있는 경우가 있고,

d는 0~4의 정수이며,

식 중의 *는 *부분에서 인접하는 기와 결합하는 것을 의미한다.)

(식 중의 *는 *부분에서 인접하는 기와 결합하는 것을 의미한다. )

(식 중, R²³ 및 R²⁴는, 각각 독립적으로 탄소원자수 1~30의 탄화수소기, 탄소원자수 6~20의 아릴옥시기, 탄소원자수 6~20의 아릴티오기, 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기 또는 할로겐 원자를 나타내고,

R²³ 및 R²⁴로 나타내는 기 중의 수소원자는, 할로겐 원자로 치환되어 있는 경우가 있으며,

R²³ 및 R²⁴로 나타내는 기 중의 메틸렌기는, 불포화 결합, -O-, -S-, 또는 이들을 조합한 기에 의해 산소원자가 이웃하지 않는 조건으로 치환되어 있는 경우가 있고,

R²³은 인접하는 R²³끼리가 결합해서 환을 형성하는 경우가 있으며,

e는 0~4의 수를 나타내고, f는 0~8의 수를 나타내며, g는 0~4의 수를 나타내고, h는 0~4의 수를 나타내며, g와 h의 수의 합계는 2~4이고,

(ⅱ) m=3일 때, A는 하기 식(β)로 나타내는 연결기인 경우가 있다.

(식 중, X²는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 또는 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기를 나타내고,

X²로 나타내는 기 중의 메틸렌기는, -COO-, -O-, -OCO-, -NHCO-, -NH-, -CONH-, -O-CONH-, -NHCO-O-, 또는 이들을 조합한 기에 의해 산소원자가 이웃하지 않는 조건으로 치환되어 있는 경우도 있으며,

Z¹, Z² 및 Z³은, 각각 독립적으로 상기 식(α)에서의 Z¹ 및 Z²로 나타내는 기와 같다.

단, 상기 일반식(β)로 나타내는 기는 탄소원자수 1~35의 범위 내이고, 식 중의 *는 *부분에서 인접하는 기와 결합하는 것을 의미한다.)

(ⅲ) m=4일 때, A는 하기 식(γ)로 나타내는 연결기이다.

(식 중, X³은 탄소원자, 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 또는 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기를 나타내고,

X³으로 나타내는 기 중의 메틸렌기는, -COO-, -O-, -OCO-, -NHCO-, -NH-, -CONH-, -O-CONH-, -NHCO-O-, 또는 이들을 조합한 기에 의해 산소원자가 이웃하지 않는 조건으로 치환되어 있는 경우도 있으며,

Z¹, Z², Z³ 및 Z⁴는, 각각 독립적으로 상기 식(α)에서의 Z¹ 및 Z²로 나타내는 기와 같다.

단, 상기 일반식(γ)로 나타내는 기는 탄소원자수 1~35의 범위 내이고, 식 중의 *는 *부분에서 인접하는 기와 결합하는 것을 의미한다.)

(ⅳ) m=5일 때, A는 하기 식(δ)로 나타내는 연결기이다.

(식 중, X⁴는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 또는 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기를 나타내고,

X⁴로 나타내는 기 중의 메틸렌기는, -COO-, -O-, -OCO-, -NHCO-, -NH-, -CONH-, -O-CONH-, -NHCO-O-, 또는 이들을 조합한 기에 의해 산소원자가 이웃하지 않는 조건으로 치환되어 있는 경우도 있으며,

Z¹, Z², Z³, Z⁴ 및 Z⁵는, 각각 독립적으로 상기 식(α)에서의 Z¹ 및 Z²로 나타내는 기와 같다.

단, 상기 일반식(δ)로 나타내는 기는 탄소원자수 2~35의 범위 내이고, 식 중의 *는 *부분에서 인접하는 기와 결합하는 것을 의미한다.)

(ⅴ) m=6일 때, A는 하기 식(ε)으로 나타내는 연결기이다.

(식 중, X⁵는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 또는 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기를 나타내고,

X⁵로 나타내는 기 중의 메틸렌기는, -COO-, -O-, -OCO-, -NHCO-, -NH-, -CONH-, -O-CONH-, -NHCO-O-, 또는 이들을 조합한 기에 의해 산소원자가 이웃하지 않는 조건으로 치환되어 있는 경우도 있으며,

Z¹, Z², Z³, Z⁴, Z⁵ 및 Z⁶은, 각각 독립적으로 상기 식(α)에서의 Z¹ 및 Z²로 나타내는 기와 같다.

단, 상기 일반식(ε)으로 나타내는 기는 탄소원자수 2~35의 범위 내이고, 식 중의 *는 *부분에서 인접하는 기와 결합하는 것을 의미한다.)

또한, 본 발명은 하기 일반식(Ⅱ)로 나타내는 상기 폴리메틴 화합물을 제공하는 것이다.

(식 중, R¹, R², R³, R⁴, R⁵, R⁶, R⁷, R⁸, R⁹ 및 X는 상기 일반식(Ⅰ)과 같다.)

또한, 본 발명은 하기 일반식(Ⅲ)으로 나타내는 상기 폴리메틴 화합물을 제공하는 것이다.

(식 중, R¹, R², R³, R⁴, R⁶, R⁷, R⁸, R⁹ 및 X는 상기 일반식(Ⅰ)과 같고, X¹, Z¹ 및 Z²는 상기 일반식(α)와 같다.)

또한, 본 발명은 상기 일반식(Ⅰ), (Ⅱ) 및 (Ⅲ) 중의 R⁹가 하기 식(ζ)로 나타내는 기인 상기 폴리메틴 화합물을 제공하는 것이다.

(식 중, R³¹, R³², R³³, R³⁴ 및 R³⁵는 각각 독립적으로 수소원자, 수산기, 니트로기, 시아노기, 할로겐원자, 카르복실기, 술폰산기, -SO₂NR³⁶R³⁷, 탄소원자수 1~30의 탄화수소기, 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기 또는 메탈로세닐기를 나타내고,

R³¹, R³², R³³, R³⁴ 및 R³⁵중 1개 이상은 -SO₂NR³⁶R³⁷이며,

R³⁶ 및 R³⁷은, 각각 독립적으로 수소원자, 탄소원자수 1~30의 탄화수소기, 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기 또는 메탈로세닐기를 나타내고,

R³¹, R³², R³³, R³⁴, R³⁵, R³⁶ 및 R³⁷로 나타내는 기 중의 메틸렌기는, -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -COS-, -OCS-, -SO₂-, -SO₃-, -NH-, -CONH-, -NHCO-, -SO₂NH-, -NH-SO₂-, -N=CH-, -CH=CH-, 또는 이들을 조합한 기에 의해 산소원자가 이웃하지 않는 조건으로 치환되어 있는 경우도 있으며,

R³¹, R³², R³³, R³⁴, R³⁵, R³⁶ 및 R³⁷로 나타내는 기의 알킬 부분은, 분기 측쇄 또는 환상 알킬인 경우가 있으며, 치환기를 가지는 경우도 있고,

R³¹과 R³², R³²와 R³³, R³³과 R³⁴, R³⁴와 R³⁵ 및 R³⁶과 R³⁷은, 각각 결합해서 환을 형성하는 경우가 있고, 형성한 환은 치환기를 가지는 경우도 있다.)

또한, 본 발명은 상기 폴리메틴 화합물을 함유하는 조성물 그리고 상기 조성물을 이용한 광학 필름 및 광학 필터를 제공하는 것이다.

이하, 본 발명의 폴리메틴 화합물에 대해 바람직한 실시형태에 기초하여 설명한다.

본 발명의 폴리메틴 화합물은 상기 일반식(Ⅰ)로 나타내는 구조를 가진다.

R¹, R², R³, R⁴, R⁶ 및 R⁷로 나타내는 할로겐 원자로는, 불소, 염소, 브롬, 요오드를 들 수 있다.

R¹, R², R³, R⁴, R⁶, R⁷로 나타내는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기는, 특별히 한정되는 것이 아니지만, 바람직하게는 탄소원자수 1~20의 알킬기, 탄소원자수 2~20의 알케닐기, 탄소원자수 3~20의 시클로알킬기, 탄소원자수 4~20의 시클로알킬알킬기, 탄소원자수 6~30의 아릴기, 탄소원자수 7~30의 아릴알킬기, 탄소원자수 8~30의 아릴알케닐기 등을 나타내고, 흡광도가 높기 때문에, 탄소원자수 1~10의 알킬기, 탄소원자수 2~10의 알케닐기, 탄소원자수 3~10의 시클로알킬기, 탄소원자수 4~10의 시클로알킬알킬기, 탄소원자수 6~10의 아릴기, 탄소원자수 7~20의 아릴알킬기, 탄소원자수 8~20의 아릴알케닐기가 보다 바람직하다.

상기 탄소원자수 1~20의 알킬기로는, 예를 들면 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, s-부틸, t-부틸, 아밀, 이소아밀, t-아밀, 헥실, 헵틸, 옥틸, 이소옥틸, 2-에틸헥실, t-옥틸, 노닐, 이소노닐, 데실, 이소데실, 운데실, 도데실, 테트라데실, 헥사데실, 옥타데실 및 이코실 등을 들 수 있고, 상기 탄소원자수 1~10의 알킬기로는, 예를 들면 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, s-부틸, t-부틸, 아밀, 이소아밀, t-아밀, 헥실, 헵틸, 옥틸, 이소옥틸, 2-에틸헥실, t-옥틸, 노닐, 이소노닐, 데실 및 이소데실 등을 들 수 있다.

상기 탄소원자수 2~20의 알케닐기로는, 예를 들면 비닐, 2-프로페닐, 3-부테닐, 2-부테닐, 4-펜테닐, 3-펜테닐, 2-헥세닐, 3-헥세닐, 5-헥세닐, 2-헵테닐, 3-헵테닐, 4-헵테닐, 3-옥테닐, 3-노네닐, 4-데세닐, 3-운데세닐, 4-도데세닐, 3-시클로헥세닐, 2,5-시클로헥사디에닐-1-메틸, 및 4,8,12-테트라데카트리에닐알릴 등을 들 수 있고, 상기 탄소원자수 2~10의 알케닐기로는, 예를 들면 비닐, 2-프로페닐, 3-부테닐, 2-부테닐, 4-펜테닐, 3-펜테닐, 2-헥세닐, 3-헥세닐, 5-헥세닐, 2-헵테닐, 3-헵테닐, 4-헵테닐, 3-옥테닐, 3-노네닐 및 4-데세닐 등을 들 수 있다.

상기 탄소원자수 3~20의 시클로알킬기란, 전체로 3~20개의 탄소원자를 가지는, 포화 단환식 또는 포화 다환식 알킬기를 의미한다. 예를 들면, 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸, 시클로노닐, 시클로데실, 아다만틸, 데카하이드로나프틸, 옥타하이드로펜탈렌, 비시클로[1.1.1]펜타닐 및 테트라데카하이드로안트라세닐 등을 들 수 있고, 상기 탄소원자수 3~10의 시클로알킬기로는, 예를 들면 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸, 시클로노닐, 시클로데실, 아다만틸, 데카하이드로나프틸, 옥타하이드로펜탈렌 및 비시클로[1.1.1]펜타닐 등을 들 수 있다.

상기 탄소원자수 4~20의 시클로알킬알킬기란, 알킬기의 수소원자가 시클로알킬기로 치환된, 전체로 4~20개의 탄소원자를 가지는 기를 의미한다. 예를 들면, 시클로프로필메틸, 시클로부틸메틸, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 시클로헵틸메틸, 시클로옥틸메틸, 시클로노닐메틸, 시클로데실메틸, 2-시클로부틸에틸, 2-시클로펜틸에틸, 2-시클로헥실에틸, 2-시클로헵틸에틸, 2-시클로옥틸에틸, 2-시클로노닐에틸, 2-시클로데실에틸, 3-시클로부틸프로필, 3-시클로펜틸프로필, 3-시클로헥실프로필, 3-시클로헵틸프로필, 3-시클로옥틸프로필, 3-시클로노닐프로필, 3-시클로데실프로필, 4-시클로부틸부틸, 4-시클로펜틸부틸, 4-시클로헥실부틸, 4-시클로헵틸부틸, 4-시클로옥틸부틸, 4-시클로노닐부틸, 4-시클로데실부틸, 3-3-아다만틸프로필 및 데카하이드로나프틸프로필 등을 들 수 있고, 상기 탄소원자수 4~10의 시클로알킬알킬기로는, 예를 들면 시클로프로필메틸, 시클로부틸메틸, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 시클로헵틸메틸, 시클로옥틸메틸, 시클로노닐메틸, 2-시클로부틸에틸, 2-시클로펜틸에틸, 2-시클로헥실에틸, 2-시클로헵틸에틸, 2-시클로옥틸에틸, 3-시클로부틸프로필, 3-시클로펜틸프로필, 3-시클로헥실프로필, 3-시클로헵틸프로필, 4-시클로부틸부틸, 4-시클로펜틸부틸, 4-시클로헥실부틸, 비시클로[1.1.0]부틸, 비시클로[1.1.1]펜틸, 비시클로[2.1.0]펜틸, 비시클로[3.1.0]헥실, 비시클로[2.1.1]헥실, 비시클로[2.2.0]헥실, 비시클로[4.1.0]헵틸, 비시클로[3.2.0]헵틸, 비시클로[3.1.1]헵틸, 비시클로[2.2.1]헵틸, 비시클로[5.1.0]옥틸, 비시클로[4.2.0]옥틸, 비시클로[4.1.1]옥틸, 비시클로[3.3.0]옥틸, 비시클로[3.2.1]옥틸, 비시클로[2.2.2]옥틸, 스피로[4,4]노나닐, 스피로[4,5]데카닐, 데칼린, 트리시클로데카닐, 테트라시클로도데카닐 및 세도롤, 시클로도데카닐 등을 들 수 있다.

상기 탄소원자수 6~30의 아릴기로는, 예를 들면 페닐, 톨릴, 크실릴, 에틸페닐, 나프틸, 안트릴 및 페난트레닐 등이나, 상기 알킬기, 상기 알케닐기, 카르복실기, 할로겐 원자 등으로 1개 이상 치환된 페닐, 비페닐일, 나프틸, 안트릴, 예를 들면 4-클로로페닐, 4-카르복실페닐, 4-비닐페닐, 4-메틸페닐, 2,4,6-트리메틸페닐 등의 단환 또는 축환 구조의 방향족계 탄화수소환 혹은 그 연결 구조를 들 수 있고, 상기 탄소원자수 6~10의 아릴기로는, 예를 들면 페닐, 톨릴, 크실릴, 에틸페닐 및 나프틸 등이나, 상기 알킬기, 상기 알케닐기, 카르복실기, 할로겐 원자 등으로 1개 이상 치환된 페닐, 비페닐일 및 나프틸 등, 예를 들면 4-클로로페닐, 4-카르복실페닐, 4-비닐페닐, 4-메틸페닐, 2,4,6-트리메틸페닐 등의 단환 또는 축환 구조의 방향족계 탄화수소환 혹은 그 연결 구조를 들 수 있다.

상기 탄소원자수 7~30의 아릴알킬기란, 알킬기의 수소원자가 아릴기로 치환된, 전체로 7~30개의 탄소원자를 가지는 기를 의미하고, 예를 들면, 벤질, α-메틸벤질, α,α-디메틸벤질, 2-페닐에틸, 2-페닐프로필, 3-페닐프로필, 디페닐메틸, 트리페닐메틸, 트리페닐프로필 및 나프틸프로필 등을 들 수 있으며, 상기 탄소원자수 7~20의 아릴알킬기란, 알킬기의 수소원자가 아릴기로 치환된, 전체로 7~20개의 탄소원자를 가지는 기를 의미하고, 예를 들면, 벤질, α-메틸벤질, α,α-디메틸벤질디메틸벤질, 2-페닐에틸, 2-페닐프로필, 3-페닐프로필, 디페닐메틸, 트리페닐메틸 및 나프틸 프로필 등을 들 수 있다.

상기 탄소원자수 8~30의 아릴알케닐기란, 알케닐기의 수소원자가 아릴기로 치환된, 전체로 8~30개의 탄소원자를 가지는 기를 의미하고, 예를 들면, 스티레닐, 신나밀, 2-페닐-2-프로페닐, 3-페닐-2-프로페닐, 2-페닐-4-펜테닐, 2-페닐-4-헥세닐, 2,2-디페닐에틸레닐, 3,3-페닐-2-프로페닐, 2-나프틸-2-프로페닐, 3-나프틸-2-프로페닐, 3-나프틸-2-페닐-2-프로페닐, 5-안트라세닐-2-페닐-4-헥세닐 및 5-안트라세닐-2-나프틸-4-헥세닐 등을 들 수 있고, 상기 탄소원자수 8~20의 아릴알케닐기란, 알케닐기의 수소원자가 아릴기로 치환된, 전체로 8~20개의 탄소원자를 가지는 기를 의미하고, 예를 들면, 스티레닐, 신나밀, 2-페닐-2-프로페닐, 3-페닐-2-프로페닐, 2-페닐-4-펜테닐, 2-페닐-4-헥세닐, 2,2-디페닐에틸레닐, 3,3-페닐-2-프로페닐, 2-나프틸-2-프로페닐, 3-나프틸-2-프로페닐 및 3-나프틸-2-페닐-2-프로페닐 등을 들 수 있다.

R¹, R², R³, R⁴, R⁶ 및 R⁷로 나타내는 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기란, 적어도 하나의 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기를 의미하고, 탄소원자수는 기 전체의 탄소원자수를 의미한다. 이하의 설명에서 복소환을 함유하는 기의 탄소원자수가 규정되어 있는 경우는 전부, 기 전체의 탄소원자수를 의미한다. 상기 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기로는, 예를 들면 피리딜, 피리미딜, 피리다질, 피페라질, 피페리딜, 피라닐, 피라졸릴, 트리아질, 피롤리딜, 퀴놀릴, 이소퀴놀릴, 이미다졸릴, 벤즈이미다졸릴, 트리아졸릴, 푸릴, 푸라닐, 벤조푸라닐, 티에닐, 티오페닐, 벤조티오페닐, 티아디아졸릴, 티아졸릴, 벤조티아졸릴, 옥사졸릴, 벤조옥사졸릴, 이소티아졸릴, 이소옥사졸릴, 인돌일, 줄로리딘(julolidine), 모르폴리닐, 티오모르폴리닐, 2-피롤리디논-1-일, 2-피페리돈-1-일, 2,4-디옥시이미다졸리딘-3-일, 2,4-디옥시옥사졸리딘-3-일 등의 단환 또는 축환 구조의 복소환 혹은 그 연결 구조를 들 수 있다.

상기 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 또는 상기 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기는, 하기의 치환기를 가지는 경우가 있다.

상기 탄소원자수 1~30의 탄화수소기가 탄소원자수 1~20의 알킬기, 탄소원자수 3~20의 시클로알킬기 또는 탄소원자수 4~20의 시클로알킬알킬기인 경우, 치환기로는 이하에 예시된 치환기 중, 알킬기, 아릴알킬기 이외의 치환기를 들 수 있다.

상기 탄소원자수 1~30의 탄화수소기가 탄소원자수 6~30의 아릴기인 경우, 치환기로는, 바람직하게는 단환 혹은 축환 구조의 방향족계 탄화수소환(환 구조의 부분만을 말한다. 이하, "방향족계 탄화수소환"에 있어서 동일.) 또는 그 연결 구조의 치환기로는, 이하에 예시된 치환기 중, 아릴기 이외의 치환기를 들 수 있다.

상기 탄소원자수 1~30의 탄화수소기가 탄소원자수 2~20의 알케닐기, 탄소원자수 7~30의 아릴알킬기 또는 탄소원자수 8~30의 아릴알케닐기인 경우, 바람직한 치환기로는, 하기의 예시 중에서도 단환 혹은 축환 구조의 방향족계 탄화수소환 또는 그 연결 구조가 결합된 알킬기를 들 수 있다.

단, 이하에 예시된 치환기 중, 알킬기, 아릴알킬기, 아릴알케닐기는, 탄소원자수 7~30의 아릴알킬기 또는 탄소원자수 8~30의 아릴알케닐기의 방향족계 탄화수소환으로 치환된다.

복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 치환기로는, 이하에 예시된 치환기 중, 복소환을 함유하는 기 이외의 치환기를 들 수 있다.

또한, 상기 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 또는 상기 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기가, 이하의 치환기 중에서도 탄소원자를 함유하는 치환기를 가지는 경우는, 상기 치환기를 포함시킨 전체의 탄소원자수가, 규정된 범위를 충족시키는 것으로 한다. 즉, 탄소원자수 1~30의 탄화수소기가 탄소원자를 함유하는 치환기를 가지는 경우의 탄소원자수의 범위는 치환기도 포함시킨 전체로서 1~30이며, 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기가 탄소원자를 함유하는 치환기를 가지는 경우의 탄소원자수의 범위는 치환기도 포함시킨 전체로서 2~30이고, 또한, 예를 들면 탄소원자수 1~20의 알킬기가 탄소원자를 함유하는 치환기를 가지는 경우의 탄소원자수의 범위는 치환기도 포함시킨 전체로 1~20이다.

상기 치환기로는, 예를 들면 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 시클로프로필, 부틸, 제2부틸, 제3부틸, 이소부틸, 아밀, 이소아밀, 제3아밀, 시클로펜틸, 헥실, 2-헥실, 2-에틸헥실, 3-헥실(또는 헥산-3-일), 시클로헥실, 비시클로헥실, 1-메틸시클로헥실, 헵틸, 2-헵틸, 3-헵틸, 이소헵틸, 제3헵틸, n-옥틸, 이소옥틸, 제3옥틸, 노닐, 이소노닐, 데실, 라우릴 등의 알킬기; 메틸옥시, 에틸옥시, 프로필옥시, 이소프로필옥시, 부틸옥시, 제2부틸옥시, 제3부틸옥시, 이소부틸옥시, 아밀옥시, 이소아밀옥시, 제3아밀옥시, 헥실옥시, 시클로헥실옥시, 헵틸옥시, 이소헵틸옥시, 제3헵틸옥시, n-옥틸옥시, 이소옥틸옥시, 제3옥틸옥시, 2-에틸헥실옥시, 노닐옥시, 데실옥시 등의 알콕시기; 메틸티오, 에틸티오, 프로필티오, 이소프로필티오, 부틸티오, 제2부틸티오, 제3부틸티오, 이소부틸티오, 아밀티오, 이소아밀티오, 제3아밀티오, 헥실티오, 시클로헥실티오, 헵틸티오, 이소헵틸티오, 제3헵틸티오, n-옥틸티오, 이소옥틸티오, 제3옥틸티오, 2-에틸헥실티오 등의 알킬티오기; 비닐, 1-메틸에테닐, 2-메틸에테닐, 2-프로페닐, 1-메틸-3-프로페닐(또는 1-메틸-2-프로페닐), 3-부테닐, 1-메틸-3-부테닐, 이소부테닐, 3-펜테닐, 4-헥세닐, 시클로헥세닐, 비시클로헥세닐, 헵테닐, 옥테닐, 데세닐, 펜타데세닐, 에이코세닐, 트리코세닐 등의 알케닐기; 벤질, 페네틸, 디페닐메틸, 트리페닐메틸, 스티릴, 신나밀 등의 아릴알킬기; 페닐, 나프틸 등의 아릴기; 페녹시, 나프틸옥시 등의 아릴옥시기; 페닐티오, 나프틸티오 등의 아릴티오기; 피리딜, 피리미딜, 피리다질, 피페리딜, 피라닐, 피라졸릴, 트리아질, 피롤릴, 퀴놀릴, 이소퀴놀릴, 이미다졸릴, 벤즈이미다졸릴, 트리아졸릴, 푸릴, 푸라닐, 벤조푸라닐, 티에닐, 티오페닐, 벤조티오페닐, 티아디아졸릴, 티아졸릴, 벤조티아졸릴, 옥사졸릴, 벤조옥사졸릴, 이소티아졸릴, 이소옥사졸릴, 인돌일, 2-피롤리디논-1-일, 2-피페리돈-1-일, 2,4-디옥시이미다졸리딘-3-일, 2,4-디옥시옥사졸리딘-3-일 등의 복소환을 함유하는 기; 불소, 염소, 브롬, 요오드 등의 할로겐 원자; 아세틸, 2-클로로아세틸, 프로피오닐, 옥탄오일, 페닐카르보닐(벤조일), 프탈로일, 4-트리플루오로메틸벤조일, 피발로일, 살리실로일, 옥살로일, 스테아로일, 메톡시카르보닐, 에톡시카르보닐, t-부톡시카르보닐, n-옥타데실옥시카르보닐, 카르바모일 등의 아실기; 아세틸옥시, 벤조일옥시 등의 아실옥시기; 아미노, 에틸아미노, 디메틸아미노, 디에틸아미노, 부틸아미노, 시클로펜틸아미노, 2-에틸헥실아미노, 도데실아미노, 아닐리노, 클로로페닐아미노, 톨루이디노, 아니시디노, N-메틸-아닐리노, 디페닐아미노, 나프틸아미노, 2-피리딜아미노, 메톡시카르보닐아미노, 페녹시카르보닐아미노, 아세틸아미노, 벤조일아미노, 포르밀아미노, 피발로일아미노, 라우로일아미노, 카르바모일아미노, N,N-디메틸아미노카르보닐아미노, N,N-디에틸아미노카르보닐아미노, 모르폴리노카르보닐아미노, 메톡시카르보닐아미노, 에톡시카르보닐아미노, t-부톡시카르보닐아미노, n-옥타데실옥시카르보닐아미노, N-메틸-메톡시카르보닐아미노, 페녹시카르보닐아미노, 술파모일아미노, N,N-디메틸아미노술포닐아미노, 메틸술포닐아미노, 부틸술포닐아미노, 페닐술포닐아미노 등의 치환 아미노기; 술폰아미드기, 술포닐 함유기, 카르복실산기, 시아노기, 술폰산기, 수산기, 니트로기, 메르캅토기, 이미드기, 카르바모일기, 인산기 등을 들 수 있고, 이들 기는 더 치환되어 있어도 된다.

또한, 상기 카르복실산기, 술폰산기 및 인산기 등의 산성기는, 다양한 양이온과 염을 형성하고 있는 경우도 있고, 상기 치환 아미노기(예를 들면 디에틸아미노기, 디메틸아미노기)는, 4급화한 후, 예를 들면 메틸기, 에틸기 등의 탄화수소 수 1~10의 알킬기로 4급화한 후, 다양한 음이온과 염을 형성하고 있는 경우도 있다. 상기 양이온으로는, 알칼리 금속 이온, 알칼리 토류 금속 이온, 전이금속 양이온, 탄소원자수 4 이상의 암모늄, 아미디늄, 구아니듐 양이온 등을 들 수 있으며, 음이온으로는, 예를 들면 1가의 것으로서, 염화물 이온, 브롬화물 이온, 요오드화물 이온, 불화물 이온 등의 할로겐화물 이온; 과염소산 이온, 염소산 이온, 티오시안산 이온, 헥사플루오로인산 이온, 헥사플루오로안티몬산 이온, 테트라플루오로붕산 이온 등의 무기계 음이온; 메탄술폰산 이온, 도데실술폰산 이온, 벤젠술폰산 이온, 톨루엔술폰산 이온, 트리플루오로메탄술폰산 이온, 펜타플루오로벤젠술폰산 이온, 디페닐아민-4-술폰산 이온, 2-아미노-4-메틸-5-클로로벤젠술폰산 이온, 2-아미노-5-니트로벤젠술폰산 이온, 프탈로시아닌술폰산 이온, 퍼플루오로-4-에틸시클로헥산술폰산 이온, 나프탈렌모노술폰산, 나프탈렌디술폰산, 나프탈렌트리술폰산, 나프틸아민모노술폰산, 나프틸아민디술폰산, 나프틸아민트리술폰산, 나프톨모노술폰산, 나프톨디술폰산, 나프톨트리술폰산 등의 유기 술폰산계 음이온; 티오시안산 이온, 인텅스텐몰리브덴산 이온, 인텅스텐산 이온, 인몰리브덴산 이온, 탄닌산 이온, 주석산(酒石酸) 이온, 팔미트산 이온, 스테아린산 이온, 올레인산 이온, 리놀산 이온, 옥틸인산 이온, 도데실인산 이온, 옥타데실인산 이온, 페닐인산 이온, 노닐페닐인산 이온, 2,2'-메틸렌비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스폰산 이온 등의 유기 인산계 음이온, 비스트리플루오로메틸술포닐이미드 이온, 비스퍼플루오로부탄술포닐이미드 이온, 테트라키스(펜타플루오로페닐)붕산 이온, 트리스(플루오로알킬술포닐)카르보음이온, 테트라키스펜타플루오로페닐보레이트 음이온 등을 들 수 있다.

R¹, R², R³, R⁴, R⁶ 및 R⁷로 나타내는 메탈로세닐기로는, 페로세닐, 니켈로세닐, 코발토닐, 페로센알킬, 페로센알콕시 등을 들 수 있다.

R¹, R², R³, R⁴, R⁶ 및 R⁷로는, 수소원자 또는 하기 식으로 나타내는 기가 특히 바람직하다.

(식 중의 *는 *부분에서 인접하는 기와 결합하는 것을 의미한다.)

R⁵ 및 R⁹로 나타내는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 및 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기는, 각각 R¹, R², R³, R⁴, R⁶ 및 R⁷로 나타내는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 및 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기와 같다.

R⁵로는, 하기 식으로 나타내는 기가 특히 바람직하다.

R⁹로는, 하기 식으로 나타내는 기가 특히 바람직하다.

R⁸로 나타내는 탄소원자수 1~20의 할로겐화 알킬기란, 상기 탄소원자수 1~20의 알킬기 중의 수소원자의 1개 이상이 할로겐 원자로 치환된 기를 의미하고, 예를 들면 플루오로메틸, 디플루오로메틸, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 4-트리플루오로메틸페닐 및 4-트리플루오로메틸벤조일 등을 들 수 있다.

R⁸로 나타내는 탄소원자수 6~20의 아릴기는, 탄소원자수 1~30의 탄화수소기의 예로서 서술한 상기 탄소원자수 6~20의 아릴기와 같다.

R⁸로 나타내는 탄소원자수 6~20의 아릴기를 치환할 수 있는 할로겐 원자는, R¹, R², R³, R⁴, R⁶ 및 R⁷로 나타내는 할로겐 원자와 같다.

R⁸로 나타내는 탄소원자수 6~20의 아릴기를 치환할 수 있는 불화 알킬기로는, 플루오로메틸, 디플루오로메틸, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸 등을 들 수 있다.

R⁸로는, 하기 식으로 나타내는 기가 특히 바람직하다.

R¹⁰및 R¹¹로 나타내는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기, 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기 및 메탈로세닐기는, 각각 R¹, R², R³, R⁴, R⁶ 및 R⁷로 나타내는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기, 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기 및 메탈로세닐기와 같다.

＞CR¹⁰R¹¹로는, 하기 식으로 나타내는 기가 특히 바람직하다.

R¹²로 나타내는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 및 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기는, 각각 R¹, R², R³, R⁴, R⁶ 및 R⁷로 나타내는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 및 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기와 같다.

＞NR¹²로는, ＞N-Me가 특히 바람직하다.

R¹과 R², R²와 R³, R³과 R⁴, R⁴와 R⁵, R¹⁰과 R¹¹, R¹²와 R¹이 결합해서 형성하는 환 구조로는, 시클로펜탄환, 시클로헥산환 및 시클로헵탄환 등의 탄소원자수 5~10의 지방족환, 벤젠환, 나프탈렌환 및 안트라센환 등의 탄소원자수 6~16의 방향족환, 피페리딘환, 피페라진환, 피롤리딘환, 모르폴린환, 티오모르폴린환, 피리딘환, 피라진환, 피리미딘환, 피리다진환, 트리아진환, 퀴놀린환, 이소퀴놀린환, 이미다졸환, 옥사졸환, 이미다졸리딘환, 피라졸리딘환, 이소옥사졸리딘환, 이미노옥사졸리딘환, 이소티아졸리딘환, 로다닌환, 티오옥사졸리돈환, 티오히단토인환, 인단디온환, 티아나프텐환, 피라졸론환, 피리돈환, 피라졸리딘디온환, 로다닌환, 바르비투르산환, 티오바르비투르산환, 옥사졸론환, 히단토인환, 티오히단토인환, 석신이미드환 및 말레이미드환 등의 탄소원자수 2~20의 복소환을 들 수 있고, 이들 환은 다른 환과 축합되어 있는 경우도 있으며, 또한 R¹, R², R³, R⁴, R⁶ 및 R⁷로 나타내는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 등과 같은 치환기를 가지는 경우가 있다.

R¹³으로 나타내는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기는, R¹, R², R³, R⁴, R⁶ 및 R⁷로 나타내는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기와 같다.

본 발명에서 "A는, R¹, R², R³, R⁴, R⁵, R⁶, R⁷, R⁸ 또는 R⁹로 나타내는 기의 수소원자에 치환되는 형태로 연결하는"이란, R¹, R², R³, R⁴, R⁵, R⁶, R⁷ 및 R⁹가 수소원자인 경우에는, 그 수소원자에 치환되는 형태로 연결하는 것을 의미한다. R¹, R², R³, R⁴, R⁵, R⁶, R⁷ 및 R⁹가 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 또는 복소환을 함유하는 탄소원자수가 2~20의 기인 경우에는, 그들 기에 포함되는 수소원자에 치환되는 형태로 연결하는 것을 의미한다. R⁸이 할로겐화 알킬기, 탄소원자수 6~20의 아릴기, 또는 수산기, 니트로기, 시아노기, 할로겐 원자, 카르복실기, 술폰산기, 술폰아미드기 혹은 불화 알킬기로 치환된 탄소원자수 6~20의 아릴기인 경우, 그들 기에 포함되는 수소원자에 치환되는 형태로 연결하는 것을 의미한다.

본 발명의 일반식(Ⅰ)로 나타내는 폴리메틴 화합물에 있어서, m이 2~6의 정수인 경우, A는 복수의 일반식(Ⅰ)로 나타내는 폴리메틴 화합물의 동일한 치환기의 수소원자에 치환되는 형태로 연결되는 경우가 있고, 다른 치환기의 수소원자에 치환되는 형태로 연결되는 경우가 있지만, 동일한 치환기의 수소원자에 치환되는 형태로 연결하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, m이 2인 화합물인 경우, A는 한 쪽의 일반식(Ⅰ)로 나타내는 폴리메틴 화합물을 R⁵로 나타내는 기의 수소원자에 치환되고, 다른 쪽의 일반식(Ⅰ)로 나타내는 폴리메틴 화합물을 R⁵로 나타내는 기의 수소원자에 치환되는 형태로, 2개의 일반식(Ⅰ)로 나타내는 폴리메틴 화합물을 연결할 수 있다. 또한, A는 한 쪽의 일반식(Ⅰ)로 나타내는 폴리메틴 화합물을 R⁵로 나타내는 기의 수소원자에 치환되고, 다른 쪽의 일반식(Ⅰ)로 나타내는 폴리메틴 화합물을 R⁹로 나타내는 기의 수소원자에 치환되는 형태로, 2개의 일반식(Ⅰ)로 나타내는 폴리메틴 화합물을 연결할 수 있다.

식(α)에서 X¹로 나타내는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 및 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기는, 각각 R¹, R², R³, R⁴, R⁶ 및 R⁷로 나타내는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 및 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기로부터 임의의 수소원자를 1개 제외함으로써 유도되는 2가의 기이다.

식(α)에서 R¹⁴ 및 R¹⁵로 나타내는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기는, R¹, R², R³, R⁴, R⁶ 및 R⁷로 나타내는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기와 같다.

식(α-1)에서 R²¹ 및 R²²로 나타내는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기는, R¹, R², R³, R⁴, R⁶ 및 R⁷로 나타내는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기와 같다.

식(α-1)에서 R²¹로 나타내는 기 중의 탄소원자수 1~10의 알콕시기 및 R²²로 나타내는 기 중의 탄소원자수 1~10의 알콕시기로는, 메틸옥시, 에틸옥시, 프로필옥시, 이소프로필옥시, 부틸옥시, 제2부틸옥시, 제3부틸옥시, 이소부틸옥시, 아밀옥시, 이소아밀옥시, 제3아밀옥시, 헥실옥시, 시클로헥실옥시, 헵틸옥시, 이소헵틸옥시, 제3헵틸옥시, n-옥틸옥시, 이소옥틸옥시, 제3옥틸옥시, 2-에틸헥실옥시, 노닐옥시, 데실옥시 등을 들 수 있다.

식(α-1)에서의 할로겐 원자는, R¹, R², R³, R⁴, R⁶ 및 R⁷로 나타내는 할로겐 원자와 같다.

상기 일반식(α-3)에서 R²³ 및 R²⁴로 나타내는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 및 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기는, 각각 R¹, R², R³, R⁴, R⁶ 및 R⁷로 나타내는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기, 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기와 같다.

상기 일반식(α-3)에서의 할로겐 원자는 모두, R¹, R², R³, R⁴, R⁶ 및 R⁷로 나타내는 할로겐 원자와 같다.

R²³ 및 R²⁴로 나타내는 탄소원자수 6~20의 아릴옥시기로는, 페닐옥시, 나프틸옥시, 2-메틸페닐옥시, 3-메틸페닐옥시, 4-메틸페닐옥시, 4-비닐페닐2옥시, 3-iso-프로필페닐옥시, 4-iso-프로필페닐옥시, 4-부틸페닐옥시, 4-tert-부틸페닐옥시, 4-헥실페닐옥시, 4-시클로헥실페닐옥시, 4-옥틸페닐옥시, 4-(2-에틸헥실)페닐옥시, 2,3-디메틸페닐옥시, 2,4-디메틸페닐옥시, 2,5-디메틸페닐옥시, 2,6-디메틸페닐옥시, 3,4-디메틸페닐옥시, 3,5-디메틸페닐옥시, 2,4-디-tert-부틸페닐옥시, 2,5-디-tert-부틸페닐옥시, 2,6-디-tert-부틸페닐옥시, 2,4-디-tert-펜틸페닐옥시, 2,5-tert-아밀페닐옥시, 4-시클로헥실페닐옥시, 2,4,5-트리메틸페닐옥시, 페로세닐옥시 등의 기 및 이들의 기가 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있으며,

탄소원자수 6~20의 아릴티오기로는, 상기 탄소원자수 6~20의 아릴옥시기의 산소원자를 황원자로 치환한 기 등을 들 수 있다.

상기 식(α-3) 중의 R²³끼리가 결합해서 형성하는 환 구조는, R¹과 R², R²와 R³, R³과 R⁴, R⁴와 R⁵, R¹⁰과 R¹¹, R¹²와 R¹이 결합해서 형성하는 환 구조와 같다.

식(α)로 나타내는 기로는, 하기 식으로 나타내는 기가 특히 바람직하다.

상기 식(β), (γ), (δ) 및 (ε)에서 X², X³, X⁴ 또는 X⁵로 나타내는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기는, 각각 R¹, R², R³, R⁴, R⁶ 및 R⁷로 나타내는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기로부터 임의의 수소원자를 2개, 3개, 4개 또는 5개 제외함으로써 유도되는 3가, 4가, 5가 또는 6가의 탄화수소기이다. 마찬가지로, X², X³, X⁴ 또는 X⁵로 나타내는 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기는, 각각 R¹, R², R³, R⁴, R⁶ 및 R⁷로 나타내는 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기로부터 임의의 수소원자를 2개, 3개, 4개 또는 5개 제외함으로써 유도되는 3가, 4가, 5가 또는 6가의 기이다.

식(β)로 나타내는 기로는, 하기 식으로 나타내는 기가 특히 바람직하다.

식(γ)로 나타내는 기로는, 하기 식으로 나타내는 기가 특히 바람직하다.

식(ζ)에서 R³¹, R³², R³³, R³⁴ 및 R³⁵로 나타내는 할로겐 원자는, R¹, R², R³, R⁴, R⁶ 및 R⁷로 나타내는 할로겐 원자와 같다.

R³¹, R³², R³³, R³⁴, R³⁵, R³⁶ 및 R³⁷로 나타내는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기, 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기 및 메탈로세닐기는, 각각 R¹, R², R³, R⁴, R⁶ 및 R⁷로 나타내는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기, 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기 및 메탈로세닐기와 같다.

R³¹과 R³², R³²와 R³³, R³³과 R³⁴, R³⁴와 R³⁵ 및 R³⁶과 R³⁷이 결합해서 형성하는 환 구조는, R¹과 R², R²와 R³, R³과 R⁴, R⁴와 R⁵, R¹⁰과 R¹¹, R¹²와 R¹이 결합해서 형성하는 환 구조와 같다.

식(ζ)로 나타내는 기로는, 하기 식으로 나타내는 기가 특히 바람직하다.

상기 일반식(Ⅰ) 또는 식(ζ)에서 R¹, R², R³, R⁴, R⁵, R⁶, R⁷, R⁹, R¹⁰, R¹¹, R¹² 또는 R³¹, R³², R³³, R³⁴, R³⁵, R³⁶, R³⁷로 나타내는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기로서는, 무치환인 것; 불소, 염소, 브롬 등의 할로겐 원자, 치환아미노기, 술폰아미드기, 술포닐기, 카르복실기, 시아노기, 술폰산기, 수산기, 니트로기, 메르캅토기, 이미드기, 카르바모일기, 인산기 등으로 치환된 것; 알킬기 중의 메틸렌기가 -SO₂NH-, -NHSO₂-, -O-, -OCO-, -NHCO- 또는 -CONH-로 치환된 것; 이하에 설명하는 알킬기(치환기를 가지는 알킬기를 포함한다)의 말단 메틸기가 염을 형성한 것이 바람직하다.

상기 일반식(Ⅰ) 또는 식(ζ)에서 R¹, R², R³, R⁴, R⁵, R⁶, R⁷, R⁹, R¹⁰, R¹¹, R¹², R³¹, R³², R³³, R³⁴, R³⁵, R³⁶, R³⁷로 나타내는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기의 말단 메틸기는, 카르복실기, 술폰산기 및 인산기 등의 산성기가 여러가지 양이온과 염을 형성한 치환기를 가지고 있는 경우가 있고, 혹은 치환 아미노기를 4급화한 후 여러가지 음이온과 염을 형성한 치환기를 가지는 경우가 있다.

이러한 염을 형성한 치환기 중, 산성기와 염을 형성하는 양이온으로는, 리튬, 나트륨, 칼륨 등의 알칼리 금속 이온, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨 등의 알칼리 토류 금속 이온, 알루미늄 등의 전형금속 이온, 아연, 니켈, 코발트, 구리, 바나듐 등 전이금속 양이온, 탄소원자수 4이상의 암모늄 등을 들 수 있고, 4급화한 치환 아미노기와 염을 형성하는 음이온으로는, 1가의 것으로서, 염화물 이온, 브롬화물 이온, 요오드화물 이온, 불화물 이온 등의 할로겐화물 이온; 과염소산 이온, 헥사플루오로인산 이온, 헥사플루오로안티몬산 이온, 테트라플루오로붕산 이온 등의 무기계 음이온; 메탄술폰산 이온, 도데실술폰산 이온 등의 유기 술폰산계 음이온; 인몰리브덴산 이온 등의 헤테로폴리산 이온, 비스트리플루오로메틸술포닐이미드 이온, 비스퍼플루오로부탄술포닐이미드 이온, 테트라키스(펜타플루오로페닐)붕산 이온, 트리스(플루오로알킬술포닐)카르보음이온, 테트라키스펜타플루오로페닐보레이트 음이온 등을 들 수 있다.

상술한 염을 형성한 치환기는, 산성염료를 레이크화하는 침전제, 혹은 염기성 염료를 레이크화하는 침전제를 이용하여 얻을 수 있다. 상기 산성염료를 레이크화하는 침전제로는, 예를 들면 염화바륨, 염화알루미늄, 알칼리토류 금속염, 망간염, 나트륨염 등을 이용할 수 있고, 상기 염기성 염료를 레이크화하는 침전제로는, 인텅스텐 몰리브덴산, 인텅스텐산, 인몰리브덴산, 규소텅스텐 몰리브덴산, 규소몰리브덴산, 탄닌산, 주석산, 카올린, 녹토(綠土), 고급지방산 등을 이용하여, 수용액 또는 수분산액 중에서 필요에 따라 가열, 여과함으로써 얻을 수 있다.

본 발명의 폴리메틴 화합물은, 상기 일반식(Ⅰ)에서의 A가 E^m+인 경우, m≥2이고, 또한 일반식(Ⅰ)에서의 A 이외의 부분이 m개의 1가의 음이온이 되고, 이들 음이온이 E^m+인 m가의 양이온과 결합하고 있는 상태가 된다. 후술하는 예시 화합물로 말하자면, No.64~No.69가 해당된다.

E^m+로 나타내는 m가의 양이온은, 2가의 양이온으로는 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨 등의 알칼리 토류 금속 이온; 아연, 구리, 니켈 등의 전이금속 양이온 등을 들 수 있고, 3가의 양이온으로는 알루미늄 등의 전형금속 이온; 코발트, 철 등의 전이금속 양이온 등을 들 수 있으며, 4가 이상의 양이온으로는 망간 등의 전이금속 양이온 등을 들 수 있다.

본 발명의 폴리메틴 화합물은, 상기 일반식(Ⅰ)에서의 A가 L^m-인 경우, m≥2 또한 일반식(Ⅰ)에서의 A 이외의 부분이 m개의 1가의 양이온이 되고, 이들 양이온이 L^m-인 m가의 음이온과 결합하고 있는 상태가 된다. 후술하는 예시 화합물로 말하면, 화합물 No.70~No.75가 해당된다.

L^m-로 나타내는 m가의 음이온은, 2가의 음이온으로는 텅스텐산 이온, 몰리브덴산 이온(MoO₄ ^2-)크롬산 이온 등을 들 수 있고, 3가의 음이온으로는 인몰리브덴산 이온, 인텅스텐산 이온, 인텅스토몰리브덴산 이온, 바나듐산 이온 등을 들 수 있으며, 4가의 음이온으로는 규텅스텐산 이온 등을 들 수 있고, 5가 이상의 음이온으로는 인바나도몰리브덴산 이온, 몰리브덴산 이온(Mo₇O₂₄ ^6-) 등을 들 수 있다.

한편, 상기 일반식(Ⅰ)로 나타내는 본 발명의 폴리메틴 화합물은, 하기 일반식에 나타낸 것과 같은 구조를 취할 수 있지만, 어느 쪽의 구조식이어도 되고, 또한 어느 쪽의 구조식으로 나타내는 구조이성체를 단리(單離)해서 이용해도, 혹은 그들 혼합물로서 이용해도 된다. 또한, 하기 일반식에서는, NR⁵기와 R⁶기가 이중 결합에 대하여 시스배치(Z배치)가 되어 있지만, 이들 기가 트랜스배치(E배치)가 되어 있는 것도, 본 발명의 폴리메틴 화합물에 포함된다. 상기 일반식(Ⅰ)은, 이들 탄소-탄소 이중 결합에 기인하는 모든 기하이성체를 포함하는 것으로서 정의된다.

(식 중, R¹, R², R³, R⁴, R⁵, R⁶, R⁷, R⁸, R⁹, 및 X는 상기 일반식(Ⅰ)과 같다.)

또한, 상기 일반식(Ⅱ) 및 (Ⅲ) 그리고 후술하는 일반식(IV)에서도 상기 일반식(Ⅰ)과 마찬가지로, 이중 결합에 대하여 각각 시스배치(Z배치) 또는 트랜스배치(E배치)를 취하는 기하이성체가 존재하지만, 본 발명의 폴리메틴 화합물은 이들을 구별하는 것이 아니고, 이들 탄소-탄소 이중 결합에 기인하는 모든 기하이성체를 포함하는 것으로서 정의된다.

상기 일반식(Ⅰ)로 나타내는 본 발명의 폴리메틴 화합물의 구체적인 예로는, 하기 화합물 No.1~No.75를 들 수 있다.

본 발명의 폴리메틴 화합물 중에서도, 상기 일반식(Ⅱ)로 나타내는 폴리메틴 화합물은, 용제에 대한 용해성 또는 분산성이 뛰어나기 때문에 바람직하다.

상기 일반식(Ⅲ)으로 나타내는 폴리메틴 화합물은, 승화성이 낮기 때문에 바람직하다.

또한, 하기 일반식(IV)로 나타내는 폴리메틴 화합물은, 승화성이 낮기 때문에 바람직하다.

(식 중, R¹, R², R³, R⁴, R⁵, R⁶, R⁷, R⁸ 및 X는 상기 일반식(Ⅰ)과 같고, X¹, Z¹ 및 Z²는 상기 일반식(α)와 같다.)

상기 일반식(Ⅰ)~(Ⅲ) 중의 R⁹가 상기 식(ζ)로 나타내는 기인 폴리메틴 화합물은, 적절한 흡수 파장영역을 나타내기 때문에 적색의 보조 착색제로서 바람직하다. 흡수 파장영역이 450~550㎚인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 500~550㎚이다.

상기 일반식(Ⅰ)~(IV) 중의 R⁸이 트리플루오로메틸기 또는 4-니트로페닐기인 것은, 내광성 및 내열성이 특히 뛰어나기 때문에 바람직하다.

상기 일반식(Ⅰ)~(IV) 중의 X가 ＞CR¹⁰R¹¹ 또는 황원자인 것은, 내광성 및 내열성이 뛰어나기 때문에 바람직하고, 특히 ＞CR¹⁰R¹¹은 보다 바람직하다. 또한 CR¹⁰R¹¹중의 R¹⁰및 R¹¹이 메틸기인 것은, 특히 내열성이 뛰어나기 때문에 보다 바람직하다.

일반식(Ⅰ)로 나타내는 폴리메틴 화합물에 있어서 m이 1인 화합물은, 용제에 대한 용해성 또는 분산성이 뛰어나기 때문에 바람직하다. 또한, 일반식(Ⅰ)로 나타내는 폴리메틴 화합물에 있어서 m이 2인 화합물은, 승화성이 낮기 때문에 바람직하다.

상기 일반식(Ⅰ)로 나타내는 본 발명의 폴리메틴 화합물은, 그 제조방법에 의해 특별히 한정되지 않고, 주지 일반의 반응을 이용한 방법으로 얻을 수 있다. 상기 화합물은, 예를 들면 m=1인 경우, 하기 반응식 1과 같이 인돌레닌 4급염과 아미딘 화합물과의 반응 생성물에 활성 메틸렌을 가지는 화합물을 반응시키는 방법에 의해 합성할 수 있다.

(식 중, R⁴¹, R⁴² 및 R⁴³은, 수소원자, 탄소원자수 1~10의 알킬기, 탄소원자수 6~30의 아릴기, 탄소원자수 7~30의 아릴알킬기 또는 탄소원자수 8~30의 아릴알케닐기를 나타내며, An^q-는 q가의 음이온을 나타내고, q는 1 또는 2이며, p는 전하를 중성으로 유지하는 계수를 나타내고,

R¹, R², R³, R⁴, R⁵, R⁶, R⁷, R⁸, R⁹ 및 X는 상기 일반식(Ⅰ)과 같다.)

또한, m=2이고, A가 상기 일반식(α)로 나타내는 연결기로 R⁵와 연결하는 경우, 하기 반응식 2와 같이 알킬디할라이드와 2등량의 인돌레닌 4급염을 반응시키고, 이어서 상기 반응식 1과 마찬가지로 해서 합성할 수 있다.

m=3 이상의 폴리메틴 화합물도, A가 R⁵ 이외와 연결하는 경우도, 하기 반응식 2에 나타내는 루트에 준해서 합성할 수 있다.

(식 중, R¹, R², R³, R⁴, R⁵, R⁶, R⁷, R⁸, R⁹ 및 X는 상기 일반식(Ⅰ)과 같고, X¹, Z¹ 및 Z²는 상기 식(α)와 같으며, R⁴¹, R⁴², R⁴³, An^q-, q 및 p는 상기 반응식 1과 같고, X^*는 할로겐 원자이다.)

본 발명의 폴리메틴 화합물은, 광흡수제, 증감제, 염료 등으로서, 광학 필름, 광학 필터, 감광사진 재료, 염색물, 도료, 잉크, 전자사진 감광체, 토너, 감열기록지, 전사 리본, 광학기록 색소, 태양전지, 광전 변환 소자, 반도체재료, 임상검사 시약, 레이저 치료용 색소, 염색 등의 용도에 이용할 수 있다. 본 발명의 폴리메틴 화합물은, 특히 광학 필름 또는 광학 필터에 이용하는 광흡수제로서 바람직한다.

본 발명의 조성물은 본 발명의 폴리메틴 화합물을 함유하는 것이며, 상기의 각종 용도에 이용된다. 본 발명의 조성물은 통상, 본 발명의 폴리메틴 화합물의 이외에 용도에 따른 수지를 함유한다.

본 발명의 조성물에는 그 외에 용도에 따른 필요한 성분이나, 예를 들면 후술하는 유기용매, 본 발명의 폴리메틴 화합물 이외의 광흡수제, 각종 안정제 등의 임의성분 등을 필요량 더 함유시킬 수 있다.

본 발명의 조성물에 있어서, 본 발명의 폴리메틴 화합물 및 상기 바인더 수지 등의 사용량은 특별히 제한되지 않고, 용도에 따라 적절히 결정된다.

다음으로, 광학 필름 및 광학 필터에 대해 설명한다.

본 발명의 광학 필름 및 광학 필터는, 예를 들면 반사방지 필름, 위상차 필름, 편광 필름, 배향 필름, 보호 필름, 시야각 향상 필름, 휘도 향상 필름, 차광 필름, 전자파 실드 필름 등의 광학 필름으로서, 또는 로우 패스 필터, 컬러 필터 등의 광학 필터로서, 화상 표시 장치의 디스플레이나 광학 렌즈 등에 이용할 수 있는 것이며, 본 발명의 폴리메틴 화합물을 함유하는 본 발명의 조성물을 이용해서 제작되는 점 이외는, 종래의 광학 필름 및 광학 필터와 같게 할 수 있다.

본 발명의 폴리메틴 화합물의 용도 중 하나인 광학 필터에 대해, 이하에 상세하게 설명한다.

본 발명의 광학 필터는, 본 발명의 조성물을 이용해서 제작된 것이며, 상기 조성물에 의해 구성된 층을 가진다. 상기 조성물에 의해 구성되는 층은, 후술하는 각 층 중 어느 것의 층이어도 된다. 본 발명의 광학 필터를 제작할 때, 본 발명의 조성물에는 보통 바인더 수지가 배합된다. 상기 바인더 수지는, 본 발명의 조성물에 의해 구성하는 층의 종류에 따르지만, 대표적인 예로는, 예를 들면 젤라틴, 카제인, 전분, 셀룰로오스 유도체, 알긴산 등의 천연 고분자재료, 혹은 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리비닐부티랄, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알코올, 폴리염화비닐, 스티렌-부타디엔 코폴리머, 폴리스티렌, 폴리에스테르, 폴리에테르, 폴리카보네이트, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리우레탄, 멜라민수지, 환상 올레핀 수지 등의 합성 고분자재료, 후술하는 점착제 등을 들 수 있다.

본 발명의 광학 필터, 특히 화상표시용 광학 필터에 있어서 본 발명의 폴리메틴 화합물의 사용량은, 광학 필터의 단위면적당, 통상 1~1000㎎/㎡, 바람직하게는 5~100㎎/㎡의 범위이다. 1㎎/㎡ 미만의 사용량에서는, 광흡수 효과를 충분히 발휘할 수 없고, 1000㎎/㎡를 초과해서 사용한 경우에는, 필터의 색조가 지나치게 강해져 표시품질 등을 저하시킬 우려가 있으며, 또한 밝기가 저하될 우려도 있다. 한편, 본 발명의 폴리메틴 화합물이 복수종의 혼합물인 경우는, 본 발명의 폴리메틴 화합물의 사용량은 그 합계량으로 한다.

본 발명의 광학 필터를 제조할 때, 본 발명의 조성물에 있어서 본 발명의 폴리메틴 화합물 및 상기 바인더 수지 등의 사용량은 제한되지 않지만, 통상 다음과 같이 된다. 예를 들면 후술하는 바와 같이, 본 발명의 조성물로 구성되는 점착층을 가지는 본 발명의 광학 필터를 제조하는 경우에는, 상기 바인더 수지인 점착제의 고형분 100질량부에 대하여, 본 발명의 폴리메틴 화합물이 0.0001~50질량부, 바람직하게는 0.001~5.0질량부, 및 메틸에틸케톤 등의 용제가 0.1~1000질량부, 바람직하게는 1.0~500질량부가 되도록 점착제 용액(도공액)을 조제하고, 이 점착제 용액을, 이(易)밀착 처리를 한 PET필름 등의 투명지지체에 도포한 후, 건조시켜, 두께 2~400㎛, 바람직하게는 5~40㎛의 점착층을 가지는 본 발명의 광학 필터를 얻는다. 또한, 본 발명의 폴리메틴 화합물 이외의 다른 광흡수제, 각종 안정제 등의 임의성분 등을 본 발명의 조성물에 함유시키는 경우나, 본 발명의 조성물에 의해 점착층 이외의 층을 구성하는 경우도, 각 성분의 배합 비율은 상술한 배합 비율에 준하면 된다.

본 발명의 광학 필터는, 화상 표시 장치의 디스플레이에 이용하는 경우는, 통상 디스플레이의 전면(前面)에 배치된다. 예를 들면 본 발명의 광학 필터는, 디스플레이의 표면에 직접 붙여도 되고, 디스플레이 앞에 전면판이 마련되어 있는 경우는, 전면판의 겉쪽(외측) 또는 뒷쪽(디스플레이 측)에 붙여도 된다.

본 발명의 광학 필터의 구성으로는, 투명지지체 상에 광학 필터층, 언더코팅층, 반사 방지층, 하드코팅층, 윤활층, 점착층 등의 임의의 각 층을 마련한 것을 들 수 있다. 예를 들면 본 발명의 폴리메틴 화합물을, 투명지지체, 또는 언더코팅층, 반사 방지층, 하드코팅층, 윤활층, 점착층 등의 층 중 어느 하나에 함유시킨 구성으로 할 수 있고, 이들 층과는 달리 본 발명의 폴리메틴 화합물을 함유하는 색보정층을 가지는 구성으로 할 수도 있다. 본 발명의 광학 필터의 구성으로는, 본 발명의 폴리메틴 화합물을 점착층에 함유시킨 것이 제조 공정을 삭감할 수 있고, 적층된 광학 필터를 염가로 제조할 수 있으므로 바람직하다.

상기 점착층은 상기 점착제로 형성된다. 상기 점착제로는, 예를 들면 실리콘계, 우레탄계, 아크릴계 등의 점착제, 폴리비닐부티랄계 점착제, 폴리비닐에테르계 점착제, 에틸렌아세트산 비닐계 점착제, 폴리올레핀계 점착제, SBR계 점착제, 고무계 점착제 등의 공지된 합판 유리용 투명점착제를 이용할 수 있으며, 그 중에서도 아크릴계 점착제, 특히 산성 아크릴계 점착제가 바람직하게 이용된다.

상기 아크릴계 점착제로는 특별히 한정되지 않고, 카르복실기, 수산기, 아미드기, 아미노기, 에폭시기 등의 반응성 관능기 및 에틸렌성 불포화 이중 결합을 가지는 단량체의 단독중합체 혹은 복수종을 조합한 공중합체, 또는 상기 반응성 관능기 및 에틸렌성 불포화 이중 결합을 가지는 단량체와, (메타)아크릴계 단량체나 비닐계 단량체와 같은 에틸렌성 불포화 이중 결합을 가지는 단량체의 공중합체를 이용할 수 있으며, 필요에 따라 점착제의 응집력을 향상시키기 위해, 경화제로서, 금속 킬레이트계 화합물, 이소시아네이트계 화합물, 멜라민 화합물, 에폭시계 화합물, 아민계 화합물, 아지리딘계 화합물, 옥사졸린 화합물 등의 가교제를 함유하는 것을 이용할 수 있다.

상기 아크릴계 점착제로는 시판된 것을 이용할 수 있고, 예를 들면 데비 본드 5541(다이아본드사 제품), SK다인 AS-1925, KP-2230, SK-1811L(소켄가가쿠사 제품), DX2-PDP-19(닛폰쇼쿠바이사 제품), AT-3001(사이덴가가쿠사 제품), 오리바인 BPS5896(토요잉크사 제품), CS-9611(닛토덴코사 제품) 등을 들 수 있다.

상기 점착층을 가지는 본 발명의 광학 필터의 제조에 있어서, 본 발명의 폴리메틴 화합물이나, 본 발명의 폴리메틴 화합물 이외의 다른 광흡수제, 각종 안정제 등의 임의 성분을, 투명지지체 및 임의의 각 층으로부터 선택되는 임의의 이웃하는 2개 사이의 점착층에 함유시키는 경우에는, 본 발명의 폴리메틴 화합물 등을 점착제에 함유시켜 본 발명의 조성물로 한 후, 상기 조성물을 점착제로서 이용하고, 투명지지체 및 임의의 각 층 중 이웃하는 2개를 접착하면 된다. 또한, 점착층의 표면에 이밀착한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 공지된 세퍼레이터 필름을 마련할 수도 있다.

또한, 상기 투명지지체 재료로는, 예를 들면 유리 등의 무기재료; 디아세틸셀룰로오스, 트리아세틸셀룰로오스(TAC), 프로피오닐셀룰로오스, 부티릴셀룰로오스, 아세틸프로피오닐셀룰로오스, 니트로셀룰로오스 등의 셀룰로오스에스테르; 폴리아미드; 폴리카보네이트; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부티렌테레프탈레이트, 폴리-1,4-시클로헥산디메틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌-1,2-디페녹시에탄-4,4'-디카르복실레이트, 폴리부티렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르; 폴리스티렌; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀; 폴리메틸메타크릴레이트 등의 아크릴계 수지; 폴리카보네이트; 폴리술폰; 폴리에테르술폰; 폴리에테르케톤; 폴리에테르이미드; 폴리옥시에틸렌, 노보넨 수지 등의 고분자재료를 들 수 있다. 투명지지체의 투과율은 80% 이상인 것이 바람직하고, 86% 이상인 것이 더 바람직하다. 헤이즈는 2% 이하인 것이 바람직하고, 1% 이하인 것이 더 바람직하다. 굴절률은 1.45~1.70인 것이 바람직하다.

상기 투명지지체 중에는, 본 발명의 폴리메틴 화합물 이외의 다른 광흡수제, 적외선흡수제, 자외선흡수제, 형광소광제, 페놀계, 인계, 황계 등의 산화방지제, 난연제, 윤활제, 대전방지제, 무기미립자, 내광성 부여제, 방향족 니트로소 화합물, 아미늄 화합물, 이미늄 화합물, 전이금속 킬레이트 화합물, 점도광물 등을 첨가할 수 있고, 또한 상기 투명지지체에는, 각종의 표면 처리를 실시할 수도 있다.

본 발명의 폴리메틴 화합물 이외의 다른 광흡수제로는, 예를 들면 광학 필터를 화상표시장치 용도에 이용하는 경우에는, 색조조정용의 광흡수제, 외광의 반사나 글레어(glare) 방지용의 광흡수제를 들 수 있고, 화상표시장치가 플라즈마 디스플레이인 경우에는, 적외 리모컨 오작동 방지용의 광흡수제를 들 수 있다.

상기 색조조정용의 상기 광흡수제로는, 파장 450~620㎚의 오렌지광의 제거를 위해 이용되는 것으로서, 트리메틴인돌륨 화합물, 트리메틴벤조옥사졸륨 화합물, 트리메틴벤조티아졸륨 화합물 등의 트리메틴시아닌 유도체; 펜타메틴옥사졸륨 화합물, 펜타메틴티아졸륨 화합물 등의 펜타메틴시아닌 유도체; 스쿠아릴륨 색소유도체; 아조메틴 색소유도체; 크산텐 색소유도체; 아조 색소유도체; 옥소놀 색소유도체; 벤질리덴 색소유도체; 피로메텐 색소유도체; 아조 금속착체 유도체: 로다민 색소유도체; 프탈로시아닌 유도체; 포르피린 유도체; 디피로메텐 금속 킬레이트 화합물 등을 들 수 있다.

상기의 외광의 반사나 글레어 방지용의 광흡수제(파장 480~500㎚ 대응)로는, 트리메틴인돌륨 화합물, 트리메틴옥사졸륨 화합물, 트리메틴티아졸륨 화합물, 인돌리덴트리메틴티아조늄 화합물 등의 트리메틴시아닌 유도체; 프탈로시아닌 유도체; 나프탈로시아닌 유도체; 포르피린 유도체; 디피로메텐 금속 킬레이트화합물 등을 들 수 있다.

상기의 적외 리모컨 오작동 방지용의 광흡수제(파장 750~1100㎚ 대응)로는, 디이모늄 화합물; 펜타메틴벤조인돌륨 화합물, 펜타메틴벤조옥사졸륨 화합물, 펜타메틴벤조티아졸륨 화합물 등의 펜타메틴시아닌 유도체; 헵타메틴인돌륨 화합물, 헵타메틴벤조인돌륨 화합물, 헵타메틴옥사졸륨화합물, 헵타메틴벤조옥사졸륨 화합물, 헵타메틴티아졸륨 화합물, 헵타메틴벤조티아졸륨 화합물 등의 헵타메틴시아닌 유도체; 스쿠아릴륨 유도체; 비스(스틸벤디티올라토) 화합물, 비스(벤젠디티올라토)니켈 화합물, 비스(캄파디티올라토)니켈 화합물 등의 니켈 착체; 스쿠아릴륨 유도체; 아조 색소유도체; 프탈로시아닌 유도체; 포르피린 유도체; 디피로메텐 금속 킬레이트화합물 등을 들 수 있다.

또한, 상기 투명지지체에 첨가할 수 있는 상기 무기미립자로는, 예를 들면 이산화규소, 이산화티탄, 황산바륨, 탄산칼슘, 탈크, 카올린 등을 들 수 있다.

상기 투명지지체에 실시할 수 있는 상기의 각종 표면처리로는, 예를 들면 약품 처리, 기계적 처리, 코로나 방전 처리, 화염처리, 자외선 조사(照射) 처리, 고주파 처리, 글로우 방전 처리, 활성 플라즈마 처리, 레이저 처리, 혼산(混酸) 처리, 오존 산화 처리 등을 들 수 있다.

본 발명의 광학 필터에 마련할 수 있는 상기 언더코팅층은, 임의의 각 층과는 별도로 광흡수제를 함유하는 광학 필터층을 마련하는 경우에, 투명지지체와 광학 필터층 사이에 이용하는 층이다. 상기 언더코팅층은, 유리 전이온도가 -60~60℃인 폴리머를 포함하는 층, 광학 필터층 측의 표면이 조면(粗面)인 층, 또는 광학 필터층의 폴리머와 친화성을 가지는 폴리머를 포함하는 층으로서 형성한다. 또한 언더코팅층은, 광학 필터층이 마련되어 있지 않은 투명지지체의 면에 마련하고, 투명지지체와 그 위에 마련되는 층(예를 들면 반사 방지층, 하드코팅층)의 접착력을 개선하기 위해 마련해도 되며, 광학 필터와 화상 표시 장치를 접착하기 위한 접착제와 광학 필터의 친화성을 개선하기 위해 마련해도 된다. 언더코팅층의 두께는, 2㎚~20㎛가 바람직하고, 5㎚~5㎛가 보다 바람직하며, 20㎚~2㎛가 더 바람직하고, 50㎚~1㎛가 보다 더 바람직하며, 80㎚~300㎚가 가장 바람직하다. 유리 전이온도가 -60~60℃인 폴리머를 포함하는 언더코팅층은, 폴리머의 점착성으로 투명지지체와 광학 필터층을 접착한다. 유리 전이온도가 -60~60℃인 폴리머는, 예를 들면 염화비닐, 염화비닐리덴, 아세트산비닐, 부타디엔, 네오프렌, 스티렌, 클로로프렌, 아크릴산에스테르, 메타크릴산에스테르, 아크릴로니트릴 또는 메틸비닐에테르의 중합 또는 이들 공중합에 의해 얻을 수 있다. 유리 전이온도는 50℃ 이하인 것이 바람직하고, 40℃ 이하인 것이 보다 바람직하며, 30℃ 이하인 것이 더 바람직하고, 25℃ 이하인 것이 보다 더 바람직하며, 20℃ 이하인 것이 가장 바람직하다. 언더코팅층의 25℃에서의 탄성률은 1~1000㎫인 것이 바람직하고, 5~800㎫인 것이 더 바람직하며, 10~500㎫인 것이 가장 바람직하다. 광학 필터층의 표면이 조면인 언더코팅층은, 조면 상에 광학 필터층을 형성함으로써 투명지지체와 광학 필터층을 접착한다. 광학 필터층의 표면이 조면인 언더코팅층은, 폴리머 라텍스의 도포에 의해 용이하게 형성할 수 있다. 라텍스의 평균 입경은 0.02~3㎛인 것이 바람직하고, 0.05~1㎛인 것이 더 바람직하다. 광학 필터층의 바인더 폴리머와 친화성을 가지는 폴리머로는, 아크릴 수지, 셀룰로오스 유도체, 알긴산, 젤라틴, 카제인, 전분, 폴리비닐알코올, 폴리비닐부티랄, 폴리비닐피롤리돈, 가용성 나일론 및 고분자 라텍스 등을 들 수 있다. 또한, 본 발명의 광학 필터에는 2개 이상의 언더코팅층을 마련해도 된다. 언더코팅층에는, 투명지지체를 팽윤시키는 용제, 매트제, 계면활성제, 대전방지제, 도포조제, 경막제(硬膜劑) 등을 첨가해도 된다.

본 발명의 광학 필터에 마련할 수 있는 상기 반사 방지층에서는, 저(低)굴절률층이 필수이다. 저굴절률층의 굴절률은, 상기 투명지지체의 굴절률보다도 낮다. 저굴절률층의 굴절률은 1.20~1.55인 것이 바람직하고, 1.30~1.50인 것이 더 바람직하다. 저굴절률층의 두께는 50~400㎚인 것이 바람직하고, 50~200㎚인 것이 더 바람직하다. 저굴절률층은, 굴절률이 낮은 불소 함유 폴리머로 이루어지는 층(일본 공개특허공보 특개소57-34526호, 일본 공개특허공보 특개평3-130103호, 일본 공개특허공보 특개평6-115023호, 일본 공개특허공보 특개평8-313702호, 일본 공개특허공보 특개평7-168004호의 각 공보 기재), 졸겔법(sol-gel process)에 의해 얻어지는 층(일본 공개특허공보 특개평5-208811호, 일본 공개특허공보 특개평6-299091호, 일본 공개특허공보 특개평7-168003호의 각 공보 기재), 혹은 미립자를 포함하는 층(일본 특허공보 특공소60-59250호, 일본 공개특허공보 특개평5-13021호, 일본 공개특허공보 특개평6-56478호, 일본 공개특허공보 특개평7-92306호, 일본 공개특허공보 특개평9-288201호의 각 공보에 기재)로서 형성할 수 있다. 미립자를 포함하는 층에서는, 미립자 간 또는 미립자 내의 미크로 보이드로서, 저굴절률 층에 공극을 형성할 수 있다. 미립자를 포함하는 층은, 3~50체적%의 공극률을 가지는 것이 바람직하고, 5~35체적%의 공극률을 가지는 것이 더 바람직하다.

넓은 파장 영역의 반사를 방지하기 위해서는, 상기 반사 방지층에서 저굴절률층에 더하여, 굴절률이 높은 층(중·고굴절률층)을 적층하는 것이 바람직하다. 고굴절률층의 굴절률은 1.65~2.40인 것이 바람직하고, 1.70~2.20인 것이 더 바람직하다. 중굴절률층의 굴절률은, 저굴절률층의 굴절률과 고굴절률층의 굴절률과의 중간의 값이 되도록 조정한다. 중굴절률층의 굴절률은 1.50~1.90인 것이 바람직하고, 1.55~1.70인 것이 더 바람직하다. 중·고굴절률층의 두께는 5㎚~100㎛인 것이 바람직하고, 10㎚~10㎛인 것이 더 바람직하며, 30㎚~1㎛인 것이 가장 바람직하다. 중·고굴절률층의 헤이즈는, 5% 이하인 것이 바람직하고, 3% 이하인 것이 더 바람직하며, 1% 이하인 것이 가장 바람직하다. 중·고굴절률층은, 비교적 높은 굴절률을 가지는 폴리머 바인더를 이용해서 형성할 수 있다. 굴절률이 높은 폴리머로는, 폴리스티렌, 스티렌 공중합체, 스티렌-부타디엔 코폴리머, 폴리염화비닐, 폴리카보네이트, 폴리아미드, 멜라민 수지, 페놀 수지, 에폭시 수지, 환상(지환식 또는 방향족) 이소시아네이트와 폴리올의 반응으로 얻어지는 폴리우레탄 등을 들 수 있다. 그 외의 환상(방향족, 복소환식, 지환식)기를 가지는 폴리머나, 불소 이외의 할로겐 원자를 치환기로서 가지는 폴리머도 굴절률이 높다. 이중 결합을 도입해서 라디칼 경화를 가능하게 한 모노머의 중합 반응에 의해 형성된 폴리머를 이용해도 된다.

또한, 높은 굴절률을 얻기 위해, 상기 폴리머 바인더 중에 무기미립자를 분산해도 된다. 무기미립자의 굴절률은, 1.80~2.80인 것이 바람직하다. 무기미립자는, 금속의 산화물 또는 황화물로 형성하는 것이 바람직하다. 금속의 산화물 또는 황화물로는, 산화티탄(예를 들면, 루틸, 루틸/아나타제의 혼정(混晶), 아나타제, 아몰퍼스 구조), 산화주석, 산화인듐, 산화아연, 산화지르코늄, 황화아연 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 산화티탄, 산화주석 및 산화인듐이 특히 바람직하다. 무기미립자는, 이들 금속의 산화물 또는 황화물을 주성분으로 하고, 또 다른 원소를 포함할 수 있다. 주성분이란, 입자를 구성하는 성분 중에서 가장 함유량(질량%)이 많은 성분을 의미한다. 다른 원소로서는, Ti, Zr, Sn, Sb, Cu, Fe, Mn, Pb, Cd, As, Cr, Hg, Zn, Al, Mg, Si, P, S 등을 들 수 있다. 피막 형성성(形成性)으로 용제에 분산될 수 있거나, 그 자체가 액상인 무기재료, 예를 들면 각종 원소의 알콕시드, 유기산의 염, 배위성 화합물과 결합한 배위 화합물(예를 들면 킬레이트 화합물), 활성 무기 폴리머를 이용하여, 중·고굴절률층을 형성할 수도 있다.

상기 반사 방지층의 표면에는, 안티 글레어 기능(입사광을 표면에서 산란시켜 막 주위의 경치가 막 표면으로 옮겨지는 것을 방지하는 기능)을 부여할 수 있다. 예를 들면, 투명 필름의 표면에 미세한 요철을 형성하여 그 표면에 반사 방지층을 형성하거나, 혹은 반사 방지층을 형성한 후 엠보싱 롤에 의해 표면에 요철을 형성함으로써, 안티 글레어 기능을 가지는 반사 방지층을 얻을 수 있다. 안티 글레어 기능을 가지는 반사 방지층은, 일반적으로 3~30%의 헤이즈를 가진다.

본 발명의 광학 필터에 마련할 수 있는 상기 하드코팅층은, 상기 투명지지체의 경도보다도 높은 경도를 가진다. 하드코팅층은, 가교되어 있는 폴리머를 포함하는 것이 바람직하다. 하드코팅층은, 아크릴계, 우레탄계, 에폭시계의 폴리머, 올리고머 또는 모노머(예를 들면 자외선 경화형 수지) 등을 사용하여 형성할 수 있다. 실리카계 재료로 하드코팅층을 형성할 수도 있다.

상기 반사 방지층(저굴절률층)의 표면에는, 윤활층을 형성할 수 있다. 윤활층은 저굴절률층 표면에 미끄러짐성을 부여하고, 내상성(內傷性)을 개선하는 기능을 가진다. 윤활층은, 폴리오르가노실록산(예를 들면 실리콘 오일), 천연 왁스, 석유 왁스, 고급지방산 금속염, 불소계 윤활제 또는 그 유도체를 이용해서 형성할 수 있다. 윤활층의 두께는 2~20㎚인 것이 바람직하다.

상기의 각 층에서 폴리머 또는 바인더 수지를 사용할 때는, 동시에 유기용매를 사용할 수도 있고, 상기 유기용매로는 특별히 한정되지 않고 공지된 여러가지 용매를 적절히 이용할 수 있으며, 예를 들면 이소프로파놀 등의 알코올류; 메틸세로솔브, 에틸세로솔브, 부틸세로솔브, 부틸디글리콜 등의 에테르알코올류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 디아세톤알코올 등의 케톤류, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 아세트산메톡시에틸 등의 에스테르류; 아크릴산에틸, 아크릴산부틸 등의 아크릴산에스테르류, 2,2,3,3-테트라플루오로푸로파놀 등의 불화 알코올류; 헥산, 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등의 탄화수소류; 메틸렌디클로라이드, 디클로로에탄, 클로로포름 등의 염소화 탄화수소류 등을 들 수 있다. 이들 유기용매는, 단독으로 또는 혼합해서 이용할 수 있다.

또한 상기의 언더코팅층, 반사 방지층, 하드코팅층, 윤활층, 광학필터층 등은, 일반적인 도포 방법에 의해 형성할 수 있다. 도포 방법으로는, 딥 코팅법, 에어나이프 코팅법, 커튼 코팅법, 롤러 코팅법, 와이어바 코팅법, 그라비어 코팅법, 호퍼를 사용하는 익스트루전 코팅법(미국 특허공보 US2681294호 기재) 등을 들 수 있다. 2개 이상의 층을 동시 도포에 의해 형성해도 된다. 동시 도포법에 대해서는, 미국 특허공보 US2761791호, 미국 특허공보 US2941898호, 미국 특허공보 US3508947호, 미국 특허공보 US3526528호의 각 명세서 및 하라자키 유지 저 "코팅 공학" 253페이지(1973년 아사쿠라 서점 발행)에 기재가 있다.

광학 필터의 제작에 있어서 본 발명의 조성물을 도포에 의해 적용하는 경우는, 본 발명의 조성물에 유기용매를 함유시켜 본 발명의 조성물을 도공액으로 한다. 본 발명의 폴리메틴 화합물, 바인더 수지, 유기용매 및 본 발명의 폴리메틴 화합물 이외의 광흡수제, 각종 안정제 등의 임의 성분 등을 포함하는 도공액의 농도(고형분)는, 1~50질량%, 특히 10~30질량%인 것이 바람직하다.

실시예

이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 더 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예 등에 한정되는 것이 아니다.

[실시예 1] 화합물 No.1의 제조

화합물 No.1 및 그 중간체의 제조에 대해 하기에 나타낸다.

<스텝 1; 중간체 1A의 제조>

플라스크에 (4-니트로벤조일)아세트산에틸(156.6g, 0.66mol), 4-히드라지노벤젠술폰아미드 염산염(147.63g, 0.66mol), 피리딘(475.60g)을 넣고, 100℃에서 2시간 교반 후, 이에 메탄올을 적하해서 석출한 고체를 여과 분별하고, 감압하, 120℃에서 용제 증류 제거하여, 중간체 1A의 180.60g을 얻었다(수율 75.9%).

<스텝 2; 중간체 1B의 제조>

2L 플라스크에 1,1,2,3-테트라메틸-1H-벤즈[e]인돌륨=요오다이드(245.86g, 0.7mol), N,N'-디페닐포름아미딘(164.85g, 0.84mol), BuOH(636.1g)을 더하고, 내온(內溫) 85℃에서 3시간 반응을 행하였다. HPLC로 반응 완결을 확인하고, 물(12.6g, 0.7mol)을 적하하여 30분 교반 후, 이에 아세트산 에틸을 적하해서 석출한 고체를 여과 분별하고, 감압 하, 80℃에서 건조하여, 중간체 1B의 262.1g을 얻었다(수율 82.4%).

<스텝 3; 화합물 No.1의 제조>

2L 플라스크에 중간체 1B(113.6g, 0.25mol)와 피리딘(736g)을 투입하여 교반 후, 이에 무수아세트산(38g, 0.375mol)을 상온에서 적하하고, 50℃에서 교반을 1시간 행하였다. 이에 중간체 1A(90.1g, 0.25mol)를 첨가하고 3시간 반응 후, 유수(油水) 분리(클로로포름/물)를 행하여, 취출한 수층(水層)에 염산을 산성이 될 때까지 적하하고, 여과하여, 목적물을 80.7g 얻었다(수율 54.4%).

[실시예 2~11] 화합물 No.2~7 및 No.43~46의 제조

대응하는 중간체를 이용해서 실시예 1과 같은 제조 방법에 의해 화합물 No.2~7 및 43~46을 얻었다.

실시예 1~11에서 각각 얻어진 화합물 No.1~No.7, No.43~No.46, 및 비교화합물 No.1, No.2, No.3에 대해, 이하의 분석을 했다. 또한, 비교화합물 No.1~No.3의 구조는 아래와 같다.

<최대 흡수 파장(λmax) 및 몰 흡광계수(ε)>

화합물 No.1~No.7 또는 No.43~No.46을 10㎎ 칭량하여, 100㎖ 메스 플라스크에 넣고, 이에 클로로포름을 표선(標線)까지 첨가하고, 초음파에서 10분 진동시켜, 균일화한 용액을 얻었다. 얻어진 용액으로부터 홀 피펫으로 2㎖을 취출하고, 빈 100㎖ 메스 플라스크에 넣은 후, 이에 클로로포름을 표선까지 첨가하여, 측정 샘플을 조제했다.

상기 측정 샘플에 대해, 니혼 분코사 제품 U-3900으로 하기의 측정을 행하였다. 즉, 클로로포름의 베이스라인을 측정 후, 상기 측정 샘플을 광로길이 1㎝의 쿼츠 셀에 넣고, 800~300㎚의 가시광 영역을 0.5㎚ 간격으로 300㎚/min으로 흡광도 측정하여, 600~400㎚에서 최대 흡광도가 되는 파장을 λmax로 했다. 또한, λmax의 흡광도와 그 분자량으로부터 람베르트-베르의 법칙을 이용하여, 몰흡광계수 ε를 계산했다. 결과를 [표 1]에 나타낸다.

<분해 온도>

세이코 인스트루먼트 제품 시차열 동시 열중량 측정 장치 TG-DTA6200을 이용했다. 시료 알루미늄판에 화합물 No.1~No.7 또는 No.43~No.46을 2㎎ 칭량하고, 질소 플로우 200㎖/min, 승온속도 10℃/min, 측정온도 범위 35℃~550℃에서 측정을 행하였다. 얻어진 TG곡선의 중량감소 0%의 접선과 10% 중량 감소 시의 접선과의 교점에서 분해 온도를 산출했다. 결과를 [표 1]에 나타낸다.

<¹H-NMR>

화합물을 중(重)용매(DMSO-d6)에 각각 용해하여, ¹H-NMR을 측정했다. 결과를 [표 2]에 나타낸다.

[표 1]

[표 2-1]

[표 2-2]

[평가예 1]

화합물 No.3, No.4 및 비교화합물 No.3의 산화 전위를 하기의 방법에 따라 평가했다. 결과를 [표 3]에 나타낸다.

<산화 전위 측정>

과염소산 테트라부틸암모늄(나카라이테스크제품 폴라로그래피(polarography)용 시약)을 탈수 디클로로메탄에 0.1M의 농도로 용해하고, 이 용액에 색소(화합물 No.3, No.4 또는 비교화합물 No.3)을 1.0×10^-3M으로 용해시켰다. 이 색소용액을 전기화학셀에 5㎖ 넣고, Ag/AgCl 참조전극과 백금 와이어형 상대전극, 백금 작용극을 장착하고, BAS제품 전기화학 애널라이저 600C로 -0.4V~1.5V까지 통과(掃引; sweeping)하여, 산화 전위의 피크값을 구했다.

[표 3]

[표 3]으로부터, 본 발명의 폴리메틴 화합물(화합물 No.3 및 No.4)은, 일반식(Ⅰ) 중의 R⁸에 해당하는 기가 메틸기인 비교화합물(비교화합물 No.3)과 비교하여, 산화 전위가 높은 것은 분명하다.

[실시예 12~21 그리고 비교예 1 및 2]

화합물 No.2~7 혹은 No.43~46 또는 상기 비교화합물 No.1~No.3의 0.5질량% 아세톤 용액 0.4g과, 폴리메틸메타크릴레이트의 25질량% 톨루엔 용액 3.0g을 혼합하고, 15분간 초음파조사를 실시하여, 도공액을 조제했다. 상세한 내용을 [표 4]에 나타낸다.

[표 4]

상기에서 얻어진 도공액을, 이밀착 처리한 188㎛ 두께의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에, 바코터 #30에 의해 도포한 후, 70℃에서 15분간 건조하여, 광학 필터(막두께 7~8㎛)를 제작했다.

[평가예 2]

상기 광학 필터에 대해 이하의 내광성 시험을 행하였다.

광학 필터에, 크세논 내광성 시험기(ATLAS제품 SUNTESTCPS+)로 광을 48시간 조사했다. 광조사 전후의 광학 필터의 흡수 극대 파장에서의 흡광도를 측정하여, 초기값(광조사 전)을 100으로 하여 광조사 후의 상대값(흡광도 유지율)을 산출했다. 흡광도 유지율은 높은 쪽이 바람직하다. 결과를 [표 5]에 나타낸다.

[표 5]

[표 5]로부터, 본 발명의 광학 필터는 내광성이 뛰어난 것이 분명하다.

본 발명에 따르면 내광성 및 내열성이 뛰어나고, 광학 필름 및 광학 필터에 적합한 폴리메틴 화합물을 제공할 수 있다.

Claims

하기 일반식(Ⅰ)로 나타내는 폴리메틴 화합물.

(식 중, R¹, R², R³, R⁴, R⁶ 및 R⁷은, 각각 독립적으로 수소원자, 수산기, 니트로기, 시아노기, 할로겐 원자, 카르복실기, 술폰산기, 술폰아미드기, 탄소원자수 1~30의 탄화수소기, 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기 또는 메탈로세닐기를 나타내고,
R⁵는 수소원자, 탄소원자수 1~30의 탄화수소기, 또는 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기를 나타내며,
R⁸은, 탄소원자수 1~20의 할로겐화 알킬기, 탄소원자수 6~20의 아릴기, 또는 수산기, 니트로기, 시아노기, 할로겐 원자, 카르복실기, 술폰산기, 술폰아미드기 혹은 불화알킬기로 치환된 탄소원자수 6~20의 아릴기를 나타내고,
R⁹는 하기 식으로 나타내는 기를 나타내며,

(식 중의 *는 *부분에서 인접하는 기와 결합하는 것을 의미한다.)
X는 ＞CR¹⁰R¹¹, 산소원자, 황원자 또는 ＞NR¹²를 나타내며,
R¹⁰및 R¹¹은, 각각 독립적으로 수소원자, 탄소원자수 1~30의 탄화수소기, 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기 또는 메탈로세닐기를 나타내고,
R¹²는, 수소원자, 탄소원자수 1~30의 탄화수소기, 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기를 나타내며,
R¹, R², R³, R⁴, R⁵, R⁶, R⁷, R⁸, R⁹, R¹⁰, R¹¹ 및 R¹²로 나타내는 기 중의 메틸렌기는, -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -COS-, -OCS-, -SO₂-, -SO₃-, -NH-, -CONH-, -NHCO-, -SO₂NH-, -NH-SO₂-, -N=CH-, -CH=CH-, 또는 이들을 조합한 기에 의해 산소원자가 이웃하지 않는 조건으로 치환되어 있는 경우도 있고,
R¹, R², R³, R⁴, R⁵, R⁶, R⁷, R⁸, R⁹, R¹⁰, R¹¹ 및 R¹²로 나타내는 기의 알킬 부분은, 분기 측쇄 또는 환상 알킬인 경우가 있으며, 치환기를 가지는 경우도 있고,
R¹과 R², R²와 R³, R³과 R⁴, R⁴와 R⁵, R¹⁰과 R¹¹ 및 R¹²와 R¹은, 각각 결합해서 환을 형성하는 경우가 있으며, 형성한 환은 치환기를 가지는 경우도 있고,
m은 1~6의 정수이고,
m≥2인 경우, 복수 존재하는 R¹, R², R³, R⁴, R⁵, R⁶, R⁷, R⁸, R⁹ 및 X는 각각 동일한 경우가 있으며, 다른 경우도 있고,
m=1인 경우, A는 존재하지 않고, m≥2일 때, A는 직접 결합, 질소원자, ＞NR¹³, 산소원자, 황원자, -SO₂-, -SO-, 인원자, ＞PR¹³, E^m+, L^m- 또는 하기 (ⅰ), (ⅱ), (ⅲ), (ⅳ) 혹은 (ⅴ)에 나타내는 어느 하나의 연결기를 나타내며,
R¹³은, 수소원자, 또는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기를 나타내고,
R¹³으로 나타내는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 중의 메틸렌기는, -COO-, -O-, -OCO-, -NHCO-, -NH-, -CONH-, 또는 이들을 조합한 기에 의해 산소원자가 이웃하지 않는 조건으로 치환되어 있는 경우도 있으며,
E^m+는 m가의 양이온을 나타내고, L^m-는 m가의 음이온을 나타내며,
m≥2이고 A가 E^m+ 또는 L^m-가 아닌 경우, A는 R¹, R², R³, R⁴, R⁵, R⁶, R⁷, R⁸ 또는 R⁹로 나타내는 기의 수소원자에 치환되는 형태로 연결한다.)
(ⅰ) m=2일 때, A는 하기 식(α)로 나타내는 연결기인 경우가 있다.

(식 중, X¹은 ＞NR¹⁴, 탄소원자수 1~30의 탄화수소기, 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기 또는 하기 (α-1), (α-2) 혹은 (α-3)으로 나타내는 기를 나타내고,
Z¹ 및 Z²는, 각각 독립적으로 직접 결합, -O-, -S-, -SO₂-, -SO-, ＞NR¹⁴, 또는 ＞PR¹⁵를 나타내며,
R¹⁴ 및 R¹⁵는, 각각 독립적으로 수소원자, 또는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기를 나타내고,
R¹⁴ 및 R¹⁵로 나타내는 기 중의 메틸렌기는, -COO-, -O-, -OCO-, -NHCO-, -NH-, -CONH-, 또는 이들을 조합한 기에 의해 산소원자가 이웃하지 않는 조건으로 치환되어 있어도 된다.
단, 상기 식(α)로 나타내는 기는 탄소원자수 1~35의 범위 내이고, 식 중의 *는 *부분에서 인접하는 기와 결합하는 것을 의미한다.)

(식 중, R²¹은 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 또는 탄소원자수 1~10의 알콕시기에 의해 치환된 페닐기를 나타내고, R²²는 탄소원자수 1~10의 알콕시기, 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 또는 할로겐 원자를 나타내며,
상기의 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 및 탄소원자수 1~10의 알콕시기의 수소원자는 할로겐 원자로 치환되어 있는 경우가 있고,
d는 0~4의 정수이며,
식 중의 *는 *부분에서 인접하는 기와 결합하는 것을 의미한다.)

(식 중의 *는 *부분에서 인접하는 기와 결합하는 것을 의미한다.)

(식 중, R²³ 및 R²⁴는, 각각 독립적으로 탄소원자수 1~30의 탄화수소기, 탄소원자수 6~20의 아릴옥시기, 탄소원자수 6~20의 아릴티오기, 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기 또는 할로겐 원자를 나타내고,
R²³ 및 R²⁴로 나타내는 기 중의 수소원자는, 할로겐 원자로 치환되어 있는 경우가 있으며,
R²³ 및 R²⁴로 나타내는 기 중의 메틸렌기는, 불포화 결합, -O-, -S-, 또는 이들을 조합한 기에 의해 산소원자가 이웃하지 않는 조건으로 치환되어 있는 경우가 있고,
R²³은, 인접하는 R²³끼리가 결합해서 환을 형성하는 경우가 있으며,
e는 0~4의 수를 나타내고, f는 0~8의 수를 나타내며, g는 0~4의 수를 나타내고, h는 0~4의 수를 나타내며, g와 h의 수의 합계는 2~4이고,
식 중의 *는 *부분에서 인접하는 기와 결합하는 것을 의미한다.)
(ⅱ) m=3일 때, A는 하기 식(β)로 나타내는 연결기인 경우가 있다.

(식 중, X²는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 또는 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기를 나타내고,
X²로 나타내는 기 중의 메틸렌기는, -COO-, -O-, -OCO-, -NHCO-, -NH-, -CONH-, -O-CONH-, -NHCO-O-, 또는 이들을 조합한 기에 의해 산소원자가 이웃하지 않는 조건으로 치환되어 있는 경우도 있으며,
Z¹, Z² 및 Z³은, 각각 독립적으로 상기 식(α)에서의 Z¹ 및 Z²로 나타내는 기와 같다.
단, 상기 일반식(β)로 나타내는 기는 탄소원자수 1~35의 범위 내이고, 식 중의 *는 *부분에서 인접하는 기와 결합하는 것을 의미한다.)
(ⅲ) m=4일 때, A는 하기 식(γ)로 나타내는 연결기이다.

(식 중, X³은 탄소원자, 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 또는 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기를 나타내고,
X³으로 나타내는 기 중의 메틸렌기는, -COO-, -O-, -OCO-, -NHCO-, -NH-, -CONH-, -O-CONH-, -NHCO-O-, 또는 이들을 조합한 기에 의해 산소원자가 이웃하지 않는 조건으로 치환되어 있는 경우도 있으며,
Z¹, Z², Z³ 및 Z⁴는, 각각 독립적으로 상기 식(α)에서의 Z¹ 및 Z²로 나타내는 기와 같다.
단, 상기 일반식(γ)로 나타내는 기는 탄소원자수 1~35의 범위 내이고, 식 중의 *는 *부분에서 인접하는 기와 결합하는 것을 의미한다.)
(ⅳ) m=5일 때, A는 하기 식(δ)로 나타내는 연결기이다.

(식 중, X⁴는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 또는 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기를 나타내고,
X⁴로 나타내는 기 중의 메틸렌기는, -COO-, -O-, -OCO-, -NHCO-, -NH-, -CONH-, -O-CONH-, -NHCO-O-, 또는 이들을 조합한 기에 의해 산소원자가 이웃하지 않는 조건으로 치환되어 있는 경우도 있으며,
Z¹, Z², Z³, Z⁴ 및 Z⁵는, 각각 독립적으로 상기 식(α)에서의 Z¹ 및 Z²로 나타내는 기와 같다.
단, 상기 일반식(δ)로 나타내는 기는 탄소원자수 2~35의 범위 내이고, 식 중의 *는 *부분에서 인접하는 기와 결합하는 것을 의미한다.)
(ⅴ) m=6일 때, A는 하기 식(ε)으로 나타내는 연결기이다.

(식 중, X⁵는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기 또는 복소환을 함유하는 탄소원자수 2~20의 기를 나타내고,
X⁵로 나타내는 기 중의 메틸렌기는, -COO-, -O-, -OCO-, -NHCO-, -NH-, -CONH-, -O-CONH-, -NHCO-O-, 또는 이들을 조합한 기에 의해 산소원자가 이웃하지 않는 조건으로 치환되어 있는 경우도 있으며,
Z¹, Z², Z³, Z⁴, Z⁵ 및 Z⁶은, 각각 독립적으로 상기 식(α)에서의 Z¹ 및 Z²로 나타내는 기와 같다.
단, 상기 일반식(ε)으로 나타내는 기는 탄소원자수 2~35의 범위 내이고, 식 중의 *는 *부분에서 인접하는 기와 결합하는 것을 의미한다.)
제1항에 있어서,
하기 일반식(Ⅱ)로 나타내는 폴리메틴 화합물인 폴리메틴 화합물.

(식 중, R¹, R², R³, R⁴, R⁵, R⁶, R⁷, R⁸, R⁹ 및 X는 상기 일반식(Ⅰ)과 같다.)
제1항에 있어서,
하기 일반식(Ⅲ)으로 나타내는 폴리메틴 화합물인 폴리메틴 화합물.

(식 중, R¹, R², R³, R⁴, R⁶, R⁷, R⁸, R⁹ 및 X는 상기 일반식(Ⅰ)과 같고, X¹, Z¹ 및 Z²는 상기 식(α)와 같다.)
제1항에 있어서,
하기 일반식(Ⅱ) 또는 하기 일반식(Ⅲ)으로 나타내는 폴리메틴 화합물인 폴리메틴 화합물.

(식 중, R¹, R², R³, R⁴, R⁶ 및 R⁷은, 각각 독립적으로 수소원자 또는 하기 식으로 나타내는 기를 나타내고:

(식 중의 *는 *부분에서 인접하는 기와 결합하는 것을 의미한다.)
R⁵는 수소원자 또는 하기 식으로 나타내는 기를 나타내며:

(식 중의 *는 *부분에서 인접하는 기와 결합하는 것을 의미한다.)
R⁸은, 하기 식으로 나타내는 기를 나타내고:

(식 중의 *는 *부분에서 인접하는 기와 결합하는 것을 의미한다.)
R⁹는, 하기 식으로 나타내는 기를 나타내며:

(식 중의 *는 *부분에서 인접하는 기와 결합하는 것을 의미한다.)
X는 ＞CR¹⁰R¹¹을 나타내며,
R¹⁰및 R¹¹은, 각각 독립적으로 수소원자 또는 탄소원자수 1~30의 탄화수소기를 나타내고,
R¹과 R², R²와 R³, R³과 R⁴는, 각각 결합해서 환을 형성하는 경우가 있다.)

(식 중, R¹, R², R³, R⁴, R⁶, R⁷, R⁸, R⁹ 및 X는 상기 일반식(Ⅱ)와 동일하며, X¹은 탄소원자수 1~30의 탄화수소기를 나타내고, Z¹ 및 Z²는 직접 결합을 나타낸다.)
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 폴리메틴 화합물을 함유하는 조성물.
제5항에 기재된 조성물을 이용한 광학 필름.
제5항에 기재된 조성물을 이용한 광학 필터.