KR102491922B1 - 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물, 다이 본드재 및 광 반도체 장치 - Google Patents

다이 본딩용 실리콘 수지 조성물, 다이 본드재 및 광 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

접착성이 양호하면서 고경도이고, 제품 신뢰성이 우수한 경화물을 부여할 수 있고, 다이 본딩에 유용한 실리콘 수지 조성물을 제공한다.
(A) 하기 식 (1)의, 23℃에서 밀랍상 또는 고체인 3차원 그물눈상 오르가노폴리실록산 수지 (R2 3SiO1/2)a(R1R2 2SiO1/2)b(R1R2SiO)c(R2 2SiO)d(R1SiO3/2)e(R2SiO3/2)f(R3SiO3/2)g(SiO4/2)h (1), (B) 1분자 중에 비닐기, CH2=CH-COO-(CH2)m-기 및 CH2=C(CH3)-COO-(CH2)m-기 중 하나 이상을 갖는 직쇄상 오르가노폴리실록산, (C) 1분자 중에 Si-H를 2개 이상 갖는 유기 규소 화합물, (D) 유기 과산화물, (E) 백금족 금속계 촉매를 함유하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물.

Description

다이 본딩용 실리콘 수지 조성물, 다이 본드재 및 광 반도체 장치{SILICONE RESIN COMPOSITION FOR DIE-BONDING, DIE-BOND MATERIAL, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물, 해당 조성물로 이루어지는 다이 본드재, 및 해당 다이 본드재의 경화물을 갖는 광 반도체 장치에 관한 것이다.
종래, 발광 다이오드(LED) 소자의 밀봉재 및 다이 본드재(즉, LED 소자 등의 다이와 패키지 등의 기체(基體)를 접착시키는 접착제)에는 에폭시 수지가 사용되고 있다. 특히 다이 본드재에 있어서는 수지가 지나치게 부드러우면, 다이 본드 공정 후에 행해지는 와이어 본딩 공정에서 본딩을 할 수 없다는 결함이 발생하기 때문에, 종래, 이 다이 본드재로서는 고경도의 접착제인 에폭시 수지가 사용되어 왔다.
그러나 에폭시 수지를 포함하는 밀봉재 및 다이 본드재는, 단파장의 광을 발하는 청색 LED나 그것을 사용한 백색 LED 등에 적용한 경우, 강한 자외선에 의하여 수지가 황변되기 쉬워 휘도의 저하를 초래하는 등, 내구성에 문제가 있다.
근년, LED 디바이스의 내구성에 대한 요구는 더욱 높아져서, LED 소자의 밀봉 용도에 있어서는 에폭시 수지로부터 내구성이 양호한 실리콘 수지로의 이행이 진행되고 있다. 마찬가지로 다이 본드재에도 내구성이 요구되고 있어서, 실리콘 수지를 포함하는 다이 본드재 조성물이 제안되어 있다(특허문헌 1).
특히 다이 본드재는 사용 부분의 대부분이 LED 소자와 직접 접촉하기 때문에 접착성의 향상이 한층 더 요구되고 있다. 구체적으로는 다이 본드재에는, LED 소자 상에 와이어를 장설할 때 소자가 어긋나지 않도록 높은 접착성이 요구되고 있다. 또한 소자의 개량에 의한 소형화가 진행되고 있다. 따라서 다이 본드재는 고경도·고접착인 것이 매우 중요하다.
일본 특허 공개 제2006-342200호 공보
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 접착성이 양호하면서 고경도이고, 제품 신뢰성이 우수한 경화물을 부여할 수 있고, LED 소자 등의 반도체 소자의 다이 본딩에 유용한 실리콘 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한 해당 조성물로 이루어지는 다이 본드재를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한 해당 다이 본드재의 경화물을 갖는 광 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 의하면,
(A) 하기 평균 구조식 (1)로 표시되는, 23℃에서 밀랍상 또는 고체인 3차원 그물눈상의 오르가노폴리실록산 수지: (A) 성분과 하기 (B) 성분의 합계 100질량부에 대하여 60 내지 90질량부,
(R2 3SiO1/2)a(R1R2 2SiO1/2)b(R1R2SiO)c(R2 2SiO)d(R1SiO3/2)e(R2SiO3/2)f(R3SiO3/2)g(SiO4/2)h (1)
[식 (1) 중, R1은 탄소 원자수 2 내지 10의 알케닐기를 나타내고, R2는 지방족 불포화 결합을 갖지 않는, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기를 나타내고, R3은 CH2=CH-COO-(CH2)n-기 또는 CH2=C(CH3)-COO-(CH2)n-기를 나타낸다. n은 0 내지 20의 정수이다. 또한 a, b, c, d, e, f, g 및 h는 각각 a≥0, b≥0, c≥0, d≥0, e≥0, f≥0, g>0, h≥0을 만족시키는 수이되, 단 b+c+e>0이며, 또한 a+b+c+d+e+f+g+h=1을 만족시키는 수이다.]
(B) 1분자 중에 비닐기, CH2=CH-COO-(CH2)m-기 및 CH2=C(CH3)-COO-(CH2)m-기 중 하나 이상을 갖는 직쇄상의 오르가노폴리실록산(m은 0 내지 20의 정수임): (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100질량부에 대하여 10 내지 40질량부,
(C) 1분자 중에 규소 원자 결합 수소 원자를 2개 이상 갖는 유기 규소 화합물: {(C) 성분의 SiH기의 합계}/{(A) 성분 및 (B) 성분 중의 알케닐기의 합계}로 표시되는 몰비가 0.2 내지 5.0이 되는 양,
(D) 유기 과산화물: (A) 성분의 오르가노폴리실록산 수지 및 (B) 성분의 오르가노폴리실록산의 합계량 100질량부에 대하여 0.01 내지 5질량부,
(E) 백금족 금속계 촉매: (A) 내지 (C) 성분의 합계 질량에 대하여 백금족 금속 원소의 질량 환산으로 0.1 내지 1,000ppm
를 함유하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물을 제공한다.
본 발명의 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물은, 접착성이 양호하면서 고경도이고, 제품 신뢰성이 우수한 경화물을 부여할 수 있어, LED 소자 등의 반도체 소자의 다이 본딩에 유용한 것이 된다.
또한 이 경우, 상기 (A) 성분의 R3이 CH2=C(CH3)-COO-(CH2)3-기인 것이 바람직하다.
이와 같은 R3을 갖는 (A) 성분을 포함하는 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물이면, 한층 더 접착성이 양호하면서 고경도이고, 제품 신뢰성이 우수한 경화물을 부여할 수 있다.
또한 이 경우, 상기 (B) 성분이 1분자 중에 CH2=C(CH3)-COO-(CH2)m-기(m은 상기와 마찬가지임)를 하나 이상 갖는 것인 것이 바람직하다.
이와 같은 (B) 성분을 포함하는 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물이면, 한층 더 접착성이 양호하면서 고경도이고, 제품 신뢰성이 우수한 경화물을 부여할 수 있다.
또한 이 경우, 상기 (D) 성분이 하기 식 (2)로 표시되는 유기 과산화물인 것이 바람직하다.
Figure 112018044244810-pat00001
이와 같은 (D) 성분이면, 본 발명의 조성물 경화를 확실히 촉진할 수 있다.
또한 본 발명에서는, 상기 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물로 이루어지는 다이 본드재를 제공한다.
본 발명의 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물은, 접착성이 양호하고 고경도인 경화물을 부여할 수 있기 때문에 다이 본드재로서 적합하게 사용할 수 있다.
또한 본 발명에서는, 상기 다이 본드재를 경화하여 얻어지는 경화물을 갖는 것인 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치를 제공한다.
이와 같은 본 발명의 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물로 이루어지는 다이 본드재를 경화하여 얻어지는 경화물을 갖는 광 반도체 장치는, 신뢰성이 높은 광 반도체 장치가 된다.
본 발명의 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물은, 유기 과산화물에 의한 경화와 부가 경화의 양쪽의 경화에 의하여 접착성이 우수하며 또한 고경도인 경화물을 부여할 수 있어, LED 소자 등의 다이 본딩에 사용되는 다이 본드재로서 유효한 것이다. 이와 같은 본 발명의 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물로 이루어지는 다이 본드재를 경화하여 얻어지는 경화물을 갖는 광 반도체 장치는, 신뢰성이 높은 광 반도체 장치가 된다.
도 1은 실시예, 비교예에서 얻어진 조성물을 사용하여 제작한 접착 시험용의 테스트 피스의 도면이다.
본 발명자는, 상기 목적을 달성하기 위하여 예의 검토를 행한 결과, 하기 (A) 내지 (E) 성분을 함유하는 것인 것을 특징으로 하는 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물이면, 유기 과산화물에 의한 경화와 부가 경화의 양쪽의 경화에 의하여 접착성이 우수하며 또한 고경도인 경화물을 부여할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다. 이하, 본 발명의 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물, 다이 본드재 및 광 반도체 장치에 대하여 상세히 설명한다.
즉, 본 발명은,
(A) 하기 평균 구조식 (1)로 표시되는, 23℃에서 밀랍상 또는 고체인 3차원 그물눈상의 오르가노폴리실록산 수지: (A) 성분과 하기 (B) 성분의 합계 100질량부에 대하여 60 내지 90질량부,
(R2 3SiO1/2)a(R1R2 2SiO1/2)b(R1R2SiO)c(R2 2SiO)d(R1SiO3/2)e(R2SiO3/2)f(R3SiO3/2)g(SiO4/2)h (1)
[식 (1) 중, R1은 탄소 원자수 2 내지 10의 알케닐기를 나타내고, R2는 지방족 불포화 결합을 갖지 않는, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기를 나타내고, R3은 CH2=CH-COO-(CH2)n-기 또는 CH2=C(CH3)-COO-(CH2)n-기를 나타낸다. n은 0 내지 20의 정수이다. 또한 a, b, c, d, e, f, g 및 h는 각각 a≥0, b≥0, c≥0, d≥0, e≥0, f≥0, g>0, h≥0을 만족시키는 수이되, 단 b+c+e>0이며, 또한 a+b+c+d+e+f+g+h=1을 만족시키는 수이다.]
(B) 1분자 중에 비닐기, CH2=CH-COO-(CH2)m-기 및 CH2=C(CH3)-COO-(CH2)m-기 중 하나 이상을 갖는 직쇄상의 오르가노폴리실록산(m은 0 내지 20의 정수임): (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100질량부에 대하여 10 내지 40질량부,
(C) 1분자 중에 규소 원자 결합 수소 원자를 2개 이상 갖는 유기 규소 화합물: {(C) 성분의 SiH기의 합계}/{(A) 성분 및 (B) 성분 중의 알케닐기의 합계}로 표시되는 몰비가 0.2 내지 5.0이 되는 양,
(D) 유기 과산화물: (A) 성분의 오르가노폴리실록산 수지 및 (B) 성분의 오르가노폴리실록산의 합계량 100질량부에 대하여 0.01 내지 5질량부,
(E) 백금족 금속계 촉매: (A) 내지 (C) 성분의 합계 질량에 대하여 백금족 금속 원소의 질량 환산으로 0.1 내지 1,000ppm
을 함유하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물을 제공한다.
이하, 각 성분에 대하여 상세히 설명한다. 또한 본 명세서에 있어서 「Me」는 메틸기, Ph는 「페닐기」, Vi는 「비닐기」를 나타낸다.
[(A) 성분]
(A) 성분은 경화물의 투명성을 유지한 채 보강성을 얻기 위한 성분이다. 하기 평균 구조식 (1)로 표시되며, 23℃에서 밀랍상 또는 고체인 3차원 그물눈상의 오르가노폴리실록산 수지이다. 「밀랍상」이란, 23℃에서 10,000,000m㎩·s 이상, 특히 100,000,000m㎩·s 이상인, 거의 자기 유동성을 나타내지 않는 껌상(생고무상)인 것을 의미한다.
(R2 3SiO1/2)a(R1R2 2SiO1/2)b(R1R2SiO)c(R2 2SiO)d(R1SiO3/2)e(R2SiO3/2)f(R3SiO3/2)g(SiO4/2)h (1)
[식 (1) 중, R1은 탄소 원자수 2 내지 10의 알케닐기를 나타내고, R2는 지방족 불포화 결합을 갖지 않는, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기를 나타내고, R3은 CH2=CH-COO-(CH2)n-기 또는 CH2=C(CH3)-COO-(CH2)n-기를 나타낸다. n은 0 내지 20의 정수이다. 또한 a, b, c, d, e, f, g 및 h는 각각 a≥0, b≥0, c≥0, d≥0, e≥0, f≥0, g>0, h≥0을 만족시키는 수이되, 단 b+c+e>0이며, 또한 a+b+c+d+e+f+g+h=1을 만족시키는 수이다.]
상기 식 (1) 중, R1의 알케닐기는, 비닐기, 알릴기 등의 탄소 원자수 2 내지 10, 바람직하게는 2 내지 6의 알케닐기이며, 특히 비닐기가 바람직하다.
상기 평균 구조식 (1)에 있어서, (A) 성분의 오르가노폴리실록산 수지 중의 규소 원자에 결합한 알케닐기의 함유량은, 바람직하게는 (A) 성분 100g당 0.01 내지 1㏖의 범위이고, 0.05 내지 0.5㏖의 범위인 것이 보다 바람직하다. 0.01 내지 1㏖의 범위이면, 가교가 충분히 진행되어 보다 높은 경도의 경화물이 얻어진다.
R2는 지방족 불포화 결합을 갖지 않는, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기 등의 알킬기; 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등의 시클로알킬기; 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 나프틸기 등의 아릴기; 벤질기, 페네틸기 등의 아르알킬기; 클로로메틸기, 3-클로로프로필기 등의 할로겐화알킬기(할로알킬기) 등을 들 수 있고, 바람직하게는 탄소 원자수 1 내지 10의 알킬기, 특히 메틸기가 바람직하다.
R3은 CH2=CH-COO-(CH2)n-로 표시되는 기 또는 CH2=C(CH3)-COO-(CH2)n-로 표시되는 기이다. 여기서, n은 0 내지 20의 정수이며, 바람직하게는 3 내지 10의 정수, 특히 3 내지 5의 정수인 것이 바람직하다.
상기 평균 구조식 (1)에 있어서 g>0이며, (A) 성분 중에 분지 구조 및 R3을 갖는 단위(R3SiO3 / 2)를 포함함으로써 고접착, 고경도의 경화물을 얻는 것이 가능해진다.
(A) 성분의 오르가노폴리실록산 수지는 분지 구조를 갖는 것이다. R1SiO3 / 2 단위, R2SiO3 / 2 단위, R3SiO3 / 2 단위 및 SiO4 / 2 단위의 합계의 함유량은, 바람직하게는 (A) 성분의 오르가노폴리실록산 수지 중의 전체 실록산 단위의 5몰% 이상(상기 평균 구조식 (1)에 있어서 a+b+c+d+e+f+g+h=1로 했을 때, e+f+g+h≥0.05), 보다 바람직하게는 10몰 내지 95몰%, 특히 바람직하게는 20 내지 60몰%이다.
또한 (A) 성분의 오르가노폴리실록산 수지는, 단리, 정제 면에서 GPC(겔 투과 크로마토그래피)에 의한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이 500 내지 100,000의 범위인 것이 적합하다.
(A) 성분의 오르가노폴리실록산 수지는, 예를 들어 하기 평균 조성식으로 표시되는 것이 바람직하다.
(R2 3SiO1/2)a(R1R2 2SiO1/2)b(R3SiO3/2)g(SiO4/2)h
(R2 3SiO1/2)a(R1R2 2SiO1/2)b(R2 2SiO)d(R3SiO3/2)g(SiO4/2)h
(R1R2 2SiO1/2)b(R1R2SiO)c(R2 2SiO)d(R1SiO3/2)e(R3SiO3/2)g(SiO4/2)h
(R2 3SiO1/2)a(R1R2 2SiO1/2)b(R1R2SiO)c(R2 2SiO)d(R1SiO3/2)e(R2SiO3/2)f(R3SiO3/2)g
(R2 3SiO1/2)a(R1R2 2SiO1/2)b(R1R2SiO)c(R2SiO3/2)f(R3SiO3/2)g(SiO4/2)h
(식 중, R1, R2, R3, a, b, c, d, e, f, g 및 h는 상기 평균 구조식 (1)에서의 정의와 마찬가지임)
(A) 성분의 구체예로서는,
(Me3SiO1/2)0.35(ViMe2SiO1/2)0.07(R3SiO3/2)0.14(SiO4/2)0.44
(ViMe2SiO1/2)0.3(Me2SiO)0.15(R3SiO3/2)0.14(SiO4/2)0.41
(Me3SiO1 / 2)0.2(Me2SiO)0 .03(ViMeSiO)0.1(ViSiO3 / 2)0.2(R3SiO3/2)0 .15(SiO4 / 2)0.32 등을 들 수 있다.
또한 상기 식 중,
Figure 112018044244810-pat00002
인 것이 바람직하다.
(A) 성분은 1종 단독으로 사용해도, 2종 이상 병용해도 된다.
(A) 성분과 (B) 성분의 비율도 본 발명의 중요한 팩터의 하나이다. (A) 성분의 배합량은 (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100질량부에 대하여 60 내지 90질량부로 할 것이 필요하며, 바람직하게는 65 내지 85질량부, 보다 바람직하게는 70 내지 80질량부이다. (A) 성분의 배합량이 60부 미만인 경우에는, 목표로 하는 고경도가 얻어지지 않고, 90질량부를 초과하는 경우에는, 조성물의 점도가 현저히 높아져 조성물을 LED 소자 등의 다이 본드재로서 사용하는 것이 곤란해진다.
[(B) 성분]
(B) 성분의 오르가노폴리실록산은, 본 발명의 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물로 이루어지는 경화물의 응력을 완화시키는 것을 목적으로 한 베이스 중합체이다. (B) 성분은 1분자 중에 비닐기, CH2=CH-COO-(CH2)m-로 표시되는 기 및 CH2=C(CH3)-COO-(CH2)m-로 표시되는 기 중 하나 이상을 갖는 직쇄상의 오르가노폴리실록산이다. 이들 기는 분자쇄 말단 및 분자쇄 비말단 부분 중 어느 한쪽에만 위치해도, 그 양쪽에 위치해도 된다. 여기서, m은 0 내지 20의 정수이며, 바람직하게는 3 내지 10의 정수, 3 내지 5의 정수인 것이 특히 바람직하다.
(B) 성분은 실록산 주쇄 중에 디메틸실록산 단위나 디페닐실록산 단위를 포함해도 되며, 예를 들어 양 말단 비닐기 봉쇄 폴리디메틸실록산, 양 말단 비닐기 봉쇄 디메틸실록산-디페닐실록산 공중합체, 양 말단 비닐기 봉쇄 폴리디페닐실록산, 양 말단 메타크릴기 봉쇄 폴리디메틸실록산, 양 말단 메타크릴기 봉쇄 디메틸실록산-디페닐실록산 공중합체, 양 말단 메타크릴기 봉쇄 폴리디페닐실록산, 편 말단 메타크릴기 봉쇄 폴리디메틸실록산, 편 말단 메타크릴기 봉쇄 디메틸실록산-디페닐실록산 공중합체, 편 말단 메타크릴기 봉쇄 폴리디페닐실록산, 편 말단 비닐기 봉쇄 폴리디메틸실록산, 편 말단 비닐기 봉쇄 디메틸실록산-디페닐실록산 공중합체, 편 말단 비닐기 봉쇄 폴리디페닐실록산 등을 들 수 있다.
(B) 성분으로서 구체적으로는, 하기 일반식 (3) 또는 (4)로 표시되는 오르가노폴리실록산이 바람직하다.
Figure 112018044244810-pat00003
(식 (3) 및 (4) 중, i는 2 내지 20의 정수이며, 바람직하게는 2 내지 10의 정수, 더욱 바람직하게는 2 내지 5의 정수임)
(B) 성분은 1종 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 된다.
(B) 성분의 오르가노폴리실록산은, 회전 점도계에 의한 23℃에서의 점도가 1,000m㎩·s 이하의 범위에 해당하는 것이 적합하며, 10m㎩·s 내지 300m㎩·s의 범위가 보다 바람직하다. 1,000m㎩·s 이하이면, 여분에 소프트 세그먼트로서 작용하여 경화물의 경도가 저하될 우려가 없고, 또한 작업성이 우수하기 때문에 바람직하다.
(B) 성분의 배합량은 (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100질량부에 대하여 10 내지 40질량부이며, 바람직하게는 15 내지 35질량부, 보다 바람직하게는 20 내지 30질량부이다.
[(C) 성분]
(C) 성분은, 1분자 중에 규소 원자 결합 수소 원자(즉, SiH기)를 2개 이상 갖는 유기 규소 화합물이며, (A) 성분 및 (B) 성분과 히드로실릴화 반응하여 가교제로서 작용한다. 해당 유기 규소 화합물의 구조는, 1분자 중에 규소 원자 결합 수소 원자(즉, SiH기)를 2개 이상 갖는 것이면 특별히 제한은 없으며, 예를 들어 직쇄상, 환상, 분지쇄상, 3차원 그물눈 구조(수지상) 등의, 종래 제조되고 있는 각종 유기 규소 화합물을 사용할 수 있다. (C) 성분은 1종 단독으로 사용해도, 2종 이상 병용해도 된다.
또한 (C) 성분 중에, 규소 원자에 결합한 유기기를 포함하고 있어도 된다. 규소 원자에 결합한 유기기로서는, 비치환된 1가 탄화수소기 또는 할로겐 원자(예를 들어 염소 원자, 브롬 원자), 에폭시기 함유기(예를 들어 에폭시기, 글리시딜기, 글리시독시기), 알콕시기(예를 들어 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기) 등으로 치환된 1가 탄화수소기를 예시할 수 있다. 이와 같은 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기로서는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기, 보다 바람직하게는 메틸기, 에틸기 등을 들 수 있다. 또한 해당 1가 탄화수소기의 치환기로서 에폭시기 함유기 및/또는 알콕시기를 갖는 경우, 본 발명의 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물의 경화물에 한층 더 접착성을 부여할 수 있다.
(C) 성분 중에는, 레진과의 상용성이나 고접착의 관점에서 메타크릴산에스테르 부위나 아크릴산에스테르 부위를 포함하는 것이 바람직하며, 1분자 중에 단독이어도, 복수 있어도 된다. 또한 에스테르기가 결합하는 탄소쇄는 탄소수 1 내지 10의 알킬쇄, 특히 탄소수 2 내지 8의 알킬쇄가 바람직하다. 이들은 분자쇄 말단 및 분자쇄 비말단 부분 중 어느 한쪽에만 위치해도, 양쪽에 위치해도 된다.
(C) 성분의 유기 규소 화합물은 1분자 중에 적어도 2개(통상 2 내지 300개 정도), 바람직하게는 3개 이상(통상 3 내지 200개 정도)의 SiH기를 갖는다. (C) 성분의 유기 규소 화합물이 직쇄상 구조 또는 분지상 구조를 갖는 경우, 이들 SiH기는 분자쇄 말단 및 분자쇄 비말단 부분 중 어느 한쪽에만 위치하고 있어도, 그 양쪽에 위치해도 된다.
(C) 성분의 유기 규소 화합물의 1분자 중의 규소 원자의 수(중합도)는 바람직하게는 1 내지 1,000개, 보다 바람직하게는 1 내지 200개이다. 또한 (C) 성분의 유기 규소 화합물은 25℃에서 액상인 것이 바람직하며, 회전 점도계에 의하여 측정된 25℃에서의 점도는 바람직하게는 1 내지 1,000m㎩·s, 보다 바람직하게는 5 내지 200m㎩·s 정도이다.
(C) 성분의 유기 규소 화합물로서는, 예를 들어 하기 평균 조성식 (5)로 표시되는 것을 사용할 수 있다.
R4 jHkSiO(4-j-k)/ 2 (5)
(식 중, R4는 서로 동일 또는 이종의, 치환 또는 비치환된 규소 원자 결합 탄화수소기이며, j 및 k는 0.7≤j≤2.1, 0.001≤k≤1.0 및 0.8≤j+k≤3.0, 바람직하게는 1.0≤j≤2.0, 0.01≤k≤1.0 및 1.5≤j+k≤2.5를 만족시키는 수이다.)
R4의 치환 또는 비치환된 규소 원자 결합 1가 탄화수소기로서는, 비치환 또는 치환 1가 탄화수소기로서 구체적으로 예시한 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 할로알킬기, 및 탄소수 6 내지 10의 아릴기 등의 치환 또는 비치환기 등을 들 수 있다. R4는 바람직하게는 아릴기, 또는 탄소수 1 내지 6의 할로알킬기이다. 또한 R4는 메타크릴산에스테르기나 아크릴산에스테르기여도 된다.
상기 평균 조성식 (5)로 표시되는 오르가노하이드로겐실록산으로서는, 예를 들어 식: R4HSiO로 표시되는 오르가노하이드로겐실록산 단위를 적어도 4개 포함하는 환상 화합물, 식: R4 3SiO(HR4SiO)pSiR4 3으로 표시되는 화합물, 식: HR4 2SiO(HR4SiO)pSiR4 2H로 표시되는 화합물, 식: HR4 2SiO(HR4SiO)p(R4 2SiO)qSiR4 2H로 표시되는 화합물 등을 들 수 있다. 상기 식 중, R4는 상기와 마찬가지이며, p 및 q는 1 이상의 정수이다.
또는 상기 평균 조성식 (5)로 표시되는 오르가노하이드로겐실록산은, 식: H3SiO1/2로 표시되는 실록산 단위, 식: R4HSiO로 표시되는 실록산 단위 및/또는 식: R4 2HSiO1/2로 표시되는 실록산 단위를 포함하는 것이어도 된다. 해당 오르가노하이드로겐실록산은, SiH기를 포함하지 않는 R4 3SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위, R4 2SiO로 표시되는 실록산 단위, R4SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위 및/또는 SiO4 /2로 표시되는 실록산 단위를 포함하고 있어도 된다. 상기 식 중, R4는 상기와 마찬가지이다.
(C) 성분의 구체예로서는, 1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산, 트리스(하이드로겐디메틸실록산)메틸실란, 트리스(하이드로겐디메틸실록시)페닐실란, 메틸하이드로겐시클로폴리실록산, 메틸하이드로겐실록산-디메틸실록산 환상 공중합체, 분자쇄 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸하이드로겐폴리실록산, 분자쇄 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디페닐실록산-메틸하이드로겐실록산 공중합체, 분자쇄 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸페닐실록산-메틸하이드로겐실록산 공중합체, 분자쇄 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산-메틸하이드로겐실록산-메틸페닐실록산 공중합체, 분자쇄 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산-메틸하이드로겐실록산-디페닐실록산 공중합체, 분자쇄 양 말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 메틸하이드로겐폴리실록산, 분자쇄 양 말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산, 분자쇄 양 말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 디메틸실록산-메틸하이드로겐실록산 공중합체, 분자쇄 양 말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 디메틸실록산-메틸페닐실록산 공중합체, 분자쇄 양 말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 디메틸실록산-디페닐실록산 공중합체, 분자쇄 양 말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 메틸페닐폴리실록산, 분자쇄 양 말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 디페닐폴리실록산, 분자쇄 양 말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 디페닐실록산·메틸하이드로겐실록산 공중합체, 이들 각 예시 화합물에 있어서, 메틸기의 일부 또는 전부가 에틸기, 프로필기 등의 다른 알킬기로 치환된 오르가노하이드로겐폴리실록산, 식: R4 3SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위와 식: R4 2HSiO1 /2로 표시되는 실록산 단위와 식: SiO4/2로 표시되는 실록산 단위를 포함하는 오르가노실록산 공중합체, 식: R4 2HSiO1 /2로 표시되는 실록산 단위와 식: SiO4 /2로 표시되는 실록산 단위를 포함하는 오르가노실록산 공중합체, 식: R4HSiO2 /2로 표시되는 실록산 단위와 R4SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위 및 식: H3SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위 중 어느 한쪽 또는 양쪽을 포함하는 오르가노실록산 공중합체, 그리고 이들 오르가노폴리실록산 중 2종류 이상을 포함하는 혼합물을 들 수 있다. 상기 식 중의 R4는 상기와 마찬가지의 의미를 나타낸다.
(C) 성분의 배합량은, {(C) 성분의 SiH기의 합계}/{(A) 성분 및 상기 (B) 성분 중의 알케닐기의 합계}로 표시되는 몰비가 0.2 내지 5.0이 되는 양이며, 바람직하게는 0.5 내지 2.0이 되는 양이다.
[(D) 성분]
(D) 성분의 유기 과산화물은, 유기 과산화물로 이루어지는 경화제(촉매)이며, 본 발명의 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물을 경화시켜 실리콘 고무 또는 수지로 할 수 있는 것이다. (D) 성분을 첨가함으로써 아크릴기나 메타크릴기의 중합을 촉진하여 고경도 및 접착력의 향상에 기여한다.
유기 과산화물로서는, 예를 들어 벤조일퍼옥사이드, t-부틸퍼벤조에이트, o-메틸벤조일퍼옥사이드, p-메틸벤조일퍼옥사이드, 디-t-부틸퍼옥사이드, 디쿠밀퍼옥사이드, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-디(t-부틸퍼옥시)시클로헥산, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥산, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥신, 1,6-비스(p-톨루오일퍼옥시카르보닐옥시)헥산, 디(4-메틸벤조일퍼옥시)헥사메틸렌비스카르보네이트 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
(D) 성분으로서 하기 식 (2)로 표시되는 유기 과산화물인 것이 바람직하다. 또한 tBu는 tert-부틸기를 나타낸다.
Figure 112018044244810-pat00004
(D) 성분의 첨가량은 유효량(즉, 소위 촉매량)이며, (A) 성분의 오르가노폴리실록산 수지와 (B) 성분의 오르가노폴리실록산의 합계량 100질량부에 대하여 0.01 내지 5질량부이고, 0.05 내지 3질량부를 배합하는 것이 바람직하다.
[(E) 성분]
(E) 성분은, (A) 성분 및/또는 (B) 성분과 (C) 성분의 히드로실릴화 부가 반응을 촉진하는 백금족 금속계 촉매이다.
(E) 성분으로서는, 예를 들어 백금, 팔라듐, 로듐 등의 백금족 금속이나, 염화백금산, 알코올 변성 염화백금산, 염화백금산과 올레핀류, 비닐실록산 또는 아세틸렌 화합물의 배위 화합물, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐, 클로로트리스(트리페닐포스핀)로듐 등의 백금족 금속 화합물을 들 수 있지만, 특히 바람직하게는 백금 화합물이다. (E) 성분은 1종 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 된다.
(E) 성분의 배합량은 히드로실릴화 촉매로서의 유효량이며, (A) 내지 (C) 성분의 합계 질량에 대하여 백금족 금속 원소의 질량 환산으로 0.1 내지 1,000ppm의 범위이고, 바람직하게는 1 내지 500ppm의 범위이다.
[그 외의 성분]
본 발명에서는, 강도의 향상, 점도 조정, 틱소트로픽성 부여 등을 목적으로 하여 무기 충전제를 더 첨가할 수 있다. 무기 충전제로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, BET법에 의한 비표면적이 바람직하게는 50㎡/g 이상, 보다 바람직하게는 80㎡/g, 더욱 바람직하게는 100㎡/g 이상인 연무상 무기 산화물을 들 수 있다. 또한 비표면적은 300㎡/g 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 250㎡/g 이하이다. 비표면적이 50㎡/g 이상이면 실리카 미립자 등의 무기 충전제의 첨가 효과가 충분히 인정되고, 300㎡/g 이하이면 수지 중으로의 분산 처리가 곤란해질 우려가 없기 때문에 바람직하다. 또한 무기 충전제로서는 실리카 미립자가 바람직하며, 실리카 미립자는, 예를 들어 친수성의 실리카 미립자의 표면에 존재하는 실라놀기와 표면 개질제를 반응시킴으로써 표면을 소수화한 것을 사용해도 된다. 표면 개질제로서는 알킬실란류의 화합물을 들 수 있으며, 구체예로서 디메틸디클로로실란, 헥사메틸디실라잔, 옥틸실란, 디메틸실리콘 오일 등을 들 수 있다.
실리카 미립자로서는, 예를 들어 퓸드 실리카를 들 수 있다. 퓸드 실리카는, H2와 O2의 혼합 가스를 연소시킨 1,100 내지 1,400℃의 불꽃으로 SiCl4 가스를 산화, 가수분해시킴으로써 제조된다. 퓸드 실리카의 1차 입자는, 평균 입경이 5 내지 50㎚ 정도인 비정질의 이산화규소(SiO2)를 주성분으로 하는 구상의 초미립자이며, 이 1차 입자가 각각 응집하여 입경이 수백 ㎚인 2차 입자를 형성한다. 퓸드 실리카는 초미립자임과 함께, 급랭에 의하여 제작되기 때문에 표면의 구조가 화학적으로 활성인 상태가 되어 있다.
구체적으로는, 예를 들어 닛폰 에어로질 가부시키가이샤 제조의 「에어로질」(등록 상표)을 들 수 있으며, 친수성 실리카의 예로서는 「90」, 「130」, 「150」, 「200」, 「300」, 소수성 실리카의 예로서는 「R8200」, 「R972」, 「R972V」, 「R972CF」, 「R974」, 「R202」, 「R805」, 「R812」, 「R812S」, 「RY200」, 「RY200S」, 「RX200」을 들 수 있다. 또한 가부시키가이샤 도쿠야마 제조의 「레올로실」(등록 상표)로서는 「DM-10」, 「DM-20」, 「DM-30」을 들 수 있다.
상기 실리카 미립자의 함유량은, 본 발명의 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물 100질량부에 대하여 바람직하게는 1 내지 15질량부, 보다 바람직하게는 2 내지 10질량부이다. 함유량이 1질량부 이상이면 실리카 미립자의 첨가 효과가 충분히 인정되고, 함유량이 15질량부 이하이면 수지 점도가 증대되어 작업성이 나빠질 우려가 없기 때문에 바람직하다.
또한 그 외의 성분으로서, 가용 시간을 확보하기 위하여 1-에틸닐시클로헥산올, 3,5-디메틸―1-헥신-3-올, 에틴일메틸데실카르비놀, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐시클로테트라실록산 등의 부가 반응 제어제를 배합할 수 있다. 또한 필요에 따라 염료, 안료, 난연제 등을 배합해도 되며, 접착력을 향상시키기 위하여 접착 보조제(실란 커플링제 등)를 배합해도 된다. 이들 성분은 1종 단독으로 사용해도, 2종 이상 병용해도 된다.
또한 본 발명의 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물의 경화 조건에 대해서는 특별히 제한되지 않지만, 통상 60 내지 180℃, 1 내지 5시간의 가열 조건으로 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물의 경화물은, JIS K6253에서의 쇼어 D 경도가 30 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50 이상이다.
본 발명에서는, 본 발명의 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물로 이루어지는 다이 본드재를 제공한다. 본 발명의 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물은, 접착성이 우수하며 또한 고경도인 경화물을 부여할 수 있기 때문에, 특히 LED 소자 등에 사용되는 다이 본드재로서 유용하다.
본 발명의 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물을 사용하여 LED 소자 등을 다이 본딩하는 방법의 일례로서는, 본 발명의 조성물을 시린지에 충전하고 디스펜서를 사용하여 패키지 등의 기체 상에 건조 상태에서 5 내지 100㎛의 두께가 되도록 도포한 후, 조성물 상에 LED 소자를 배치하고 해당 조성물을 경화시킴으로써, LED 소자를 기체 상에 다이 본딩하는 방법을 들 수 있다. 조성물의 경화는, 예를 들어 상술한 경화 조건에서 실시할 수 있다.
또한 본 발명에서는, 다이 본드재를 경화하여 얻어지는 경화물을 갖는 것인 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치를 제공한다. 이와 같은 광 반도체 장치이면, 신뢰성이 높은 광 반도체 장치가 된다.
[실시예]
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 하기 실시예에 제한되는 것은 아니다. 또한 실시예 및 비교예에서 사용한 각 성분은 하기와 같다.
(A-1) 하기 평균 조성식 (6)으로 표시되는, 23℃에서 밀랍상인 분지상 오르가노폴리실록산 수지
Figure 112018044244810-pat00005
(A-2) 하기 평균 조성식 (7)로 표시되는, 23℃에서 고체인 분지상 오르가노폴리실록산 수지
Figure 112018044244810-pat00006
(B-1) 하기 식 (8)로 표시되는, 회전 점도계에 의한 23℃에서의 점도가 1000m㎩·s인 직쇄상 오르가노폴리실록산
Figure 112018044244810-pat00007
(B-2) 하기 식 (9)로 표시되는, 회전 점도계에 의한 23℃에서의 점도가 1000m㎩·s인 직쇄상 오르가노폴리실록산
Figure 112018044244810-pat00008
(식 중, 각 실록산 단위의 배열 순은 임의임)
(B-3) 하기 식 (10)으로 표시되는, 회전 점도계에 의한 23℃에서의 점도가 60m㎩·s인 직쇄상 오르가노폴리실록산
Figure 112018044244810-pat00009
(C-1) 하기 식 (11)로 표시되는 오르가노하이드로겐폴리실록산
Figure 112018044244810-pat00010
(C-2) 하기 평균 조성식 (12)로 표시되는 오르가노하이드로겐폴리실록산
Figure 112018044244810-pat00011
(식 중, 각 실록산 단위의 배열순은 임의임)
(D) 하기 식 (2)로 표시되는 유기 과산화물
Figure 112018044244810-pat00012
(E-1)
6염화백금산과 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산의 착체를 백금 함유량 0.5질량%가 되도록 톨루엔으로 희석한 것
(E-2)
6염화백금산과 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산의 착체를 백금 함유량 0.04질량%가 되도록 상기 식 (10)의 오르가노폴리실록산로 희석한 것
(F-1)
하기 식 (13)으로 표시되는 접착 보조제
Figure 112018044244810-pat00013
(F-2)
하기 식 (14)로 표시되는 접착 보조제
Figure 112018044244810-pat00014
(실시예 1)
상기 (A-1) 75질량부를 크실렌에 용해시키고 상기 (B-1) 25질량부, 디부틸히드록시톨루엔 0.1질량부를 혼합하였다. 얻어진 액상 혼합물을, 90℃에서 10㎜Hg 이하의 감압 조건 하에서 크실렌을 증류 제거함으로써, 점조한 액체를 얻었다. 이 점조한 액체 100질량부에 대하여 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐시클로테트라실록산 3.4질량부, 에틴일메틸데실카르비놀 1질량부, 및 상기 (C-1) 18.8질량부를 혼합하여 투명한 액상 혼합물을 얻었다. 이 액상 혼합물에 대하여, 상기 (E-1)을 백금의 질량 환산으로 (A-1), (B-1) 및 (C-1)의 합계에 대하여 12ppm 첨가하고, 또한 상기 (F-1) 2.4질량부를 첨가하고, 상기 (F-2) 1질량부, 레올로실 DM30S(도쿠야마 제조) 12질량부, 및 상기 (D) 0.4질량부를 교반 혼합하여 실리콘 수지 조성물을 조제하였다.
이 조성물의, {상기 (C-1) 성분의 SiH기의 합계}/{상기 (A-1) 성분 및 상기 (B-1) 성분 중의 Si-비닐기의 합계}로 표시되는 몰비는 1.0이었다.
(실시예 2)
실시예 1에 있어서, 상기 (B-1) 25질량부 대신 상기 (B-2) 25질량부를 사용하고 상기 (C-1) 18.8질량부 대신 상기 (C-2) 12질량부를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지의 수순으로 실리콘 수지 조성물을 조제하였다.
이 조성물의, {상기 (C-2) 성분의 SiH기의 합계}/{상기 (A-1) 성분 및 상기 (B-1) 성분 중의 Si-비닐기의 합계}로 표시되는 몰비는 1.0이었다.
(비교예 1)
상기 (A-2) 75질량부를 크실렌에 용해시키고 상기 (B-3) 25질량부를 혼합하였다. 얻어진 액상 혼합물을, 90℃에서 10㎜Hg 이하의 감압 하에서 크실렌을 증류 제거함으로써, 점조한 액체를 얻었다. 이 점조한 액체 100질량부에 대하여 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐시클로테트라실록산 3.4질량부, 에틴일메틸데실카르비놀을 1질량부, 및 상기 (C-1) 15질량부를 혼합하여 투명한 액상 혼합물을 얻었다. 이 액상 혼합물에 대하여, 상기 (E-2) 성분을 백금의 질량 환산으로 (A-1), (B-3) 및 (C-1)의 합계에 대하여 12ppm 첨가하고, 또한 상기 (F-1) 2.4질량부와, 상기 (F-2) 1질량부, 레올로실 DM30S(도쿠야마 제조) 7질량부, 및 상기 (D) 0.4질량부를 교반 혼합하여 실리콘 수지 조성물을 조제하였다.
이 조성물의, {상기 (C-1) 성분의 SiH기의 합계}/{상기 (A-2) 성분 및 상기 (B-3) 성분 중의 Si-비닐기의 합계}로 표시되는 몰비는 1.0이었다.
(비교예 2)
실시예 2에 있어서, 상기 (D) 성분을 첨가하지 않은 것 이외에는 실시예 2와 마찬가지의 수순으로 실리콘 수지 조성물을 조제하였다. 이 조성물의, {상기 (C-2) 성분의 SiH기의 합계}/{상기 (A-1) 성분 및 상기 (B-1) 성분 중의 Si-비닐기의 합계}로 표시되는 몰비는 1.0이었다.
(비교예 3)
실시예 1에 있어서, 상기 (A-1) 50질량부, 상기 (B-1) 50질량부를 사용하고 상기 (C-1) 18.8질량부 대신 상기 (C-2) 9.7질량부를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지의 수순으로 실리콘 수지 조성물을 조제하였다. 이 조성물의, {상기 (C-2) 성분의 SiH기의 합계}/{상기 (A-1) 성분 및 상기 (B-1) 성분 중의 Si-비닐기의 합계}로 표시되는 몰비는 1.0이었다.
실시예 및 비교예에 있어서의 조성물의 각 성분의 배합량을 정리한 것을 표 1에 나타낸다.
Figure 112018044244810-pat00015
상기 표 1에 있어서, E-1, E-2 이외의 단위는 질량부이다.
실시예 및 비교예에서 얻어진 조성물을 이하와 같이 하여 평가하고, 결과를 표 2에 나타낸다.
[경도]
얻어진 실리콘 수지 조성물을 150℃의 열풍 순환식 오븐에서 2시간 가열함으로써 제작한 두께 2㎜의 경화물에 대하여, 우에시마 세이사쿠쇼 제조의 듀로미터 타입 D에 의하여 JIS K6253에 준거하여 경도를 측정하였다.
[접착성(접착 강도)]
도 1에 도시한 바와 같은 접착 시험용의 테스트 피스를 제작하였다. 즉, 2매의 알루미나 세라믹스 기판(11, 12)(케이디에스사 제조, 폭 25㎜×깊이 50㎜×두께 1㎜)의 단부가 5㎜ 중첩되도록, 얻어진 실리콘 수지 조성물을 1㎜ 두께로 끼워 넣도록 하고, 150℃에서 2시간 가열함으로써 해당 실리콘 수지 조성물을 경화시켜, 실리콘 수지 조성물의 경화물(13)에 의하여 접착(접착 면적 25㎜×5㎜=125㎟)된 2매의 알루미나 세라믹스 기판으로 이루어지는 테스트 피스를 제작하였다.
이 테스트 피스의 알루미나 세라믹스 기판(11, 12)의 각각의 단부를 반대 방향(도 1의 화살표 방향)으로, 인장 시험기(시마즈 세이사쿠쇼 제조, 오토그래프)를 사용하여 인장 속도 50㎜/분으로 인장하여, 단위 면적당 접착 강도(㎫)를 구하였다.
Figure 112018044244810-pat00016
표 2에 나타난 바와 같이 본 발명의 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물(실시예 1, 2)에서는, 얻어진 경화물이 고경도이며 또한 접착력이 우수한 것을 알 수 있었다. 한편, (A) 성분이 CH2=CH-COO-(CH2)n-기 및 CH2=C(CH3)-COO-(CH2)n-기를 갖지 않는 비교예 1에서는, 단단한 조성물이기는 했지만 접착력이 떨어지는 결과가 되었다. 비교예 2에서는, (D) 성분의 유기 과산화물을 사용하지 않음으로써 경도, 접착력 모두 현저히 저하되어, 다이 본드재로서의 신뢰성이 낮은 것이 나타났다. 비교예 3에서는, (A) 성분의 비율이 감소함으로써 경도의 저하 및 CH2=CH-COO-(CH2)n-기 및 CH2=C(CH3)-COO-(CH2)n-기의 함유량이 감소하여, 접착력이 저하되는 결과가 되었다.
또한 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태는 예시이며, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고 마찬가지의 작용 효과를 발휘하는 것은, 어떠한 것이더라도 본 발명의 기술적 범위에 함유된다.
11, 12: 알루미나 세라믹스 기판
13: 실리콘 수지 조성물의 경화물

Claims (6)

  1. (A) 하기 평균 구조식 (1)로 표시되는, 23℃에서 밀랍상 또는 고체인 3차원 그물눈상의 오르가노폴리실록산 수지: (A) 성분과 하기 (B) 성분의 합계 100질량부에 대하여 60 내지 90질량부,
    (R2 3SiO1/2)a(R1R2 2SiO1/2)b(R1R2SiO)c(R2 2SiO)d(R1SiO3/2)e(R2SiO3/2)f(R3SiO3/2)g(SiO4/2)h (1)
    [식 (1) 중, R1은 탄소 원자수 2 내지 10의 알케닐기를 나타내고, R2는 지방족 불포화 결합을 갖지 않는, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기를 나타내고, R3은 CH2=CH-COO-(CH2)n-기 또는 CH2=C(CH3)-COO-(CH2)n-기를 나타낸다. n은 0 내지 20의 정수이다. 또한 a, b, c, d, e, f, g 및 h는 각각 a≥0, b≥0, c≥0, d≥0, e≥0, f≥0, g>0, h≥0을 만족시키는 수이되, 단 b+c+e>0이며, 또한 a+b+c+d+e+f+g+h=1을 만족시키는 수이다.]
    (B) 1분자 중에 비닐기, CH2=CH-COO-(CH2)m-기 및 CH2=C(CH3)-COO-(CH2)m-기 중 하나 이상을 갖는 직쇄상의 오르가노폴리실록산(m은 0 내지 20의 정수임): (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100질량부에 대하여 10 내지 40질량부,
    (C) 1분자 중에 규소 원자 결합 수소 원자를 2개 이상 갖는 유기 규소 화합물: {(C) 성분의 SiH기의 합계}/{(A) 성분 및 (B) 성분 중의 알케닐기의 합계}로 표시되는 몰비가 0.2 내지 5.0이 되는 양,
    (D) 유기 과산화물: (A) 성분의 오르가노폴리실록산 수지 및 (B) 성분의 오르가노폴리실록산의 합계량 100질량부에 대하여 0.01 내지 5질량부,
    (E) 백금족 금속계 촉매: (A) 내지 (C) 성분의 합계 질량에 대하여 백금족 금속 원소의 질량 환산으로 0.1 내지 1,000ppm
    을 함유하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 (A) 성분의 R3이 CH2=C(CH3)-COO-(CH2)3-기인 것을 특징으로 하는 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (B) 성분이 1분자 중에 CH2=C(CH3)-COO-(CH2)m-기(m은 상기와 마찬가지임)를 하나 이상 갖는 것인 것을 특징으로 하는 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (D) 성분이 하기 식 (2)로 표시되는 유기 과산화물인 것을 특징으로 하는 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물.
    Figure 112018044244810-pat00017
  5. 제1항 또는 제2항에 기재된 다이 본딩용 실리콘 수지 조성물로 이루어지는 다이 본드재.
  6. 제5항에 기재된 다이 본드재를 경화하여 얻어지는 경화물을 갖는 것인 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.
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