KR102404459B1 - 도금 장치 및 도금 방법 - Google Patents

도금 장치 및 도금 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102404459B1
KR102404459B1 KR1020217037948A KR20217037948A KR102404459B1 KR 102404459 B1 KR102404459 B1 KR 102404459B1 KR 1020217037948 A KR1020217037948 A KR 1020217037948A KR 20217037948 A KR20217037948 A KR 20217037948A KR 102404459 B1 KR102404459 B1 KR 102404459B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plating
substrate
paddle
resistor
substrate holder
Prior art date
Application number
KR1020217037948A
Other languages
English (en)
Inventor
야스유키 마스다
마사시 시모야마
Original Assignee
가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 filed Critical 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
Application granted granted Critical
Publication of KR102404459B1 publication Critical patent/KR102404459B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/02—Tanks; Installations therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/008—Current shielding devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/002—Cell separation, e.g. membranes, diaphragms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/10—Agitating of electrolytes; Moving of racks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/12—Process control or regulation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
    • C25D5/022—Electroplating of selected surface areas using masking means

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

기판에 형성되는 도금막 두께의 균일성을 향상시킨다.
도금 모듈(400)은, 도금액을 수용하기 위한 도금조(410)와, 기판 Wf를 보유 지지하기 위한 기판 홀더(440)와, 도금조(410) 내에 수용된 애노드(430)와, 기판 홀더(440)에 보유 지지된 기판 Wf와 애노드(430) 사이에 배치되며, 중앙에 개구(466)가 형성된 애노드 마스크(460)와, 기판 홀더(440)에 보유 지지된 기판 Wf와 애노드 마스크(460) 사이에, 애노드 마스크(460)와 간격을 두고 배치되며, 복수의 구멍이 형성된 저항체(450)를 포함한다.

Description

도금 장치 및 도금 방법
본원은, 도금 장치 및 도금 방법에 관한 것이다.
도금 장치의 일례로서 컵식의 전해 도금 장치가 알려져 있다. 컵식의 전해 도금 장치는, 피도금면을 하방으로 향하게 하여 기판 홀더에 보유 지지된 기판(예를 들어 반도체 웨이퍼)을 도금액에 침지시키고, 기판과 애노드 사이에 전압을 인가함으로써, 기판의 표면에 도전막을 석출시킨다.
예를 들어 특허문헌 1에는, 컵식의 전해 도금 장치에 있어서, 중앙에 개구가 형성된 링 형상의 실드를 기판과 애노드 사이에 배치하는 것이 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 1에는, 실드의 개구의 크기를 조정하는 것, 및, 실드와 기판 사이의 거리를 조정함으로써, 기판에 형성되는 도금막 두께를 균일화하는 것이 개시되어 있다.
미국 특허 제6402923호 공보
그러나, 종래 기술에는, 기판에 형성되는 도금막 두께의 균일성을 향상시키는 것에 대하여 개선의 여지가 있다.
즉, 종래 기술은, 실드의 개구의 크기를 조정하거나, 실드와 기판 사이의 거리를 조정하거나 함으로써, 기판에 형성되는 도금막 두께를 균일화하는 것이다. 그러나, 실드의 개구의 크기 등을 조정하는 것만으로는, 기판의 외연부에 있어서의 도금막 두께를 충분히 균일화하는 것이 어려운 경우가 있다. 따라서, 기판의 외연부도 포함한 기판 전체의 도금막 두께를 균일화하기 위한 기술이 요구된다.
그래서, 본원은, 기판에 형성되는 도금막 두께의 균일성을 향상시키는 것을 하나의 목적으로 하고 있다.
일 실시 형태에 따르면, 도금액을 수용하기 위한 도금조와, 기판을 보유 지지하기 위한 기판 홀더와, 상기 도금조 내에 수용된 애노드와, 상기 기판 홀더에 보유 지지된 기판과 상기 애노드 사이에 배치되며, 중앙에 개구가 형성된 애노드 마스크와, 상기 기판 홀더에 보유 지지된 기판과 상기 애노드 마스크 사이에, 상기 애노드 마스크와 간격을 두고 배치되며, 복수의 구멍이 형성된 저항체를 포함하는, 도금 장치가 개시된다.
도 1은 본 실시 형태의 도금 장치의 전체 구성을 도시하는 사시도이다.
도 2는 본 실시 형태의 도금 장치의 전체 구성을 도시하는 평면도이다.
도 3은 일 실시 형태의 도금 모듈의 구성을 개략적으로 도시하는 종단면도이다.
도 4는 센서에 의한 도금막 두께 분포의 계측을 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 5는 애노드 마스크를 모식적으로 도시하는 평면도이다.
도 6은 애노드 마스크의 개구의 직경을 변화시켰을 때의 도금막 두께 분포를 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 7은 기판과 저항체 사이의 거리를 변화시켰을 때의 도금막 두께 분포를 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 8은 기판과 저항체 사이의 거리를 변화시켰을 때의 기판의 외연부에 있어서의 도금막 두께 분포를 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 9는 일 실시 형태의 도금 모듈의 구성을 개략적으로 도시하는 종단면도이다.
도 10은 기판과 저항체 사이의 거리를 변화시켰을 때의 피도금면에 있어서의 도금액의 유속을 도시하는 도면이다.
도 11은 일 실시 형태의 도금 모듈의 구성을 개략적으로 도시하는 종단면도이다.
도 12는 일 실시 형태의 도금 모듈의 구성을 개략적으로 도시하는 종단면도이다.
도 13은 기판과 저항체 사이의 거리를 변화시켰을 때의 피도금면에 있어서의 도금액의 유속을 도시하는 도면이다.
도 14는 본 실시 형태의 도금 방법을 나타내는 흐름도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 이하에서 설명하는 도면에 있어서, 동일 또는 상당하는 구성 요소에는, 동일한 부호를 붙이고 중복된 설명을 생략한다.
<도금 장치의 전체 구성>
도 1은 본 실시 형태의 도금 장치의 전체 구성을 도시하는 사시도이다. 도 2는 본 실시 형태의 도금 장치의 전체 구성을 도시하는 평면도이다. 도 1, 도 2에 도시한 바와 같이, 도금 장치(1000)는, 로드 포트(100), 반송 로봇(110), 얼라이너(120), 프리웨트 모듈(200), 프리소크 모듈(300), 도금 모듈(400), 세정 모듈(500), 스핀 린스 드라이어(600), 반송 장치(700), 및, 제어 모듈(800)을 구비한다.
로드 포트(100)는, 도금 장치(1000)에 도시하지 않은 FOUP 등의 카세트에 수납된 기판을 반입하거나, 도금 장치(1000)로부터 카세트에 기판을 반출하기 위한 모듈이다. 본 실시 형태에서는 4대의 로드 포트(100)가 수평 방향으로 나란하게 배치되어 있지만, 로드 포트(100)의 수 및 배치는 임의이다. 반송 로봇(110)은, 기판을 반송하기 위한 로봇이며, 로드 포트(100), 얼라이너(120), 및 반송 장치(700)의 사이에서 기판을 주고받도록 구성된다. 반송 로봇(110) 및 반송 장치(700)는, 반송 로봇(110)과 반송 장치(700) 사이에서 기판을 주고받을 때는, 도시하지 않은 임시 적재대를 통해 기판의 수수를 행할 수 있다.
얼라이너(120)는, 기판의 오리엔테이션 플랫이나 노치 등의 위치를 소정의 방향으로 맞추기 위한 모듈이다. 본 실시 형태에서는 2대의 얼라이너(120)가 수평 방향으로 나란하게 배치되어 있지만, 얼라이너(120)의 수 및 배치는 임의이다. 프리웨트 모듈(200)은, 도금 처리 전의 기판 피도금면을 순수 또는 탈기수 등의 처리액으로 적심으로써, 기판 표면에 형성된 패턴 내부의 공기를 처리액으로 치환한다. 프리웨트 모듈(200)은, 도금 시에 패턴 내부의 처리액을 도금액으로 치환함으로써 패턴 내부에 도금액을 공급하기 쉽게 하는 프리웨트 처리를 실시하도록 구성된다. 본 실시 형태에서는 2대의 프리웨트 모듈(200)이 상하 방향으로 나란하게 배치되어 있지만, 프리웨트 모듈(200)의 수 및 배치는 임의이다.
프리소크 모듈(300)은, 예를 들어 도금 처리 전의 기판의 피도금면에 형성한 시드층 표면 등에 존재하는 전기 저항이 큰 산화막을 황산이나 염산 등의 처리액으로 에칭 제거하여 도금 하지 표면을 세정 또는 활성화하는 프리소크 처리를 실시하도록 구성된다. 본 실시 형태에서는 2대의 프리소크 모듈(300)이 상하 방향으로 나란하게 배치되어 있지만, 프리소크 모듈(300)의 수 및 배치는 임의이다. 도금 모듈(400)은, 기판에 도금 처리를 실시한다. 본 실시 형태에서는, 상하 방향으로 3대 또한 수평 방향으로 4대 나란하게 배치된 12대의 도금 모듈(400)의 세트가 2개 있어, 합계 24대의 도금 모듈(400)이 마련되어 있지만, 도금 모듈(400)의 수 및 배치는 임의이다.
세정 모듈(500)은, 도금 처리 후의 기판에 남는 도금액 등을 제거하기 위해 기판에 세정 처리를 실시하도록 구성된다. 본 실시 형태에서는 2대의 세정 모듈(500)이 상하 방향으로 나란하게 배치되어 있지만, 세정 모듈(500)의 수 및 배치는 임의이다. 스핀 린스 드라이어(600)는, 세정 처리 후의 기판을 고속 회전시켜 건조시키기 위한 모듈이다. 본 실시 형태에서는 2대의 스핀 린스 드라이어가 상하 방향으로 나란하게 배치되어 있지만, 스핀 린스 드라이어의 수 및 배치는 임의이다. 반송 장치(700)는, 도금 장치(1000) 내의 복수의 모듈간에서 기판을 반송하기 위한 장치이다. 제어 모듈(800)은, 도금 장치(1000)의 복수의 모듈을 제어하도록 구성되며, 예를 들어 오퍼레이터와의 사이의 입출력 인터페이스를 구비하는 일반적인 컴퓨터 또는 전용 컴퓨터로 구성할 수 있다.
도금 장치(1000)에 의한 일련의 도금 처리의 일례를 설명한다. 먼저, 로드 포트(100)에 카세트에 수납된 기판이 반입된다. 계속해서, 반송 로봇(110)은, 로드 포트(100)의 카세트로부터 기판을 취출하여, 얼라이너(120)로 기판을 반송한다. 얼라이너(120)는, 기판의 오리엔테이션 플랫이나 노치 등의 위치를 소정의 방향으로 맞춘다. 반송 로봇(110)은, 얼라이너(120)에서 방향을 맞춘 기판을 반송 장치(700)에 전달한다.
반송 장치(700)는, 반송 로봇(110)으로부터 수취한 기판을 프리웨트 모듈(200)로 반송한다. 프리웨트 모듈(200)은, 기판에 프리웨트 처리를 실시한다. 반송 장치(700)는, 프리웨트 처리가 실시된 기판을 프리소크 모듈(300)로 반송한다. 프리소크 모듈(300)은, 기판에 프리소크 처리를 실시한다. 반송 장치(700)는, 프리소크 처리가 실시된 기판을 도금 모듈(400)로 반송한다. 도금 모듈(400)은, 기판에 도금 처리를 실시한다.
반송 장치(700)는, 도금 처리가 실시된 기판을 세정 모듈(500)로 반송한다. 세정 모듈(500)은, 기판에 세정 처리를 실시한다. 반송 장치(700)는, 세정 처리가 실시된 기판을 스핀 린스 드라이어(600)로 반송한다. 스핀 린스 드라이어(600)는, 기판에 건조 처리를 실시한다. 반송 장치(700)는, 건조 처리가 실시된 기판을 반송 로봇(110)에 전달한다. 반송 로봇(110)은, 반송 장치(700)로부터 수취한 기판을 로드 포트(100)의 카세트로 반송한다. 마지막으로, 로드 포트(100)로부터 기판을 수납한 카세트가 반출된다.
<도금 모듈의 구성>
다음에, 도금 모듈(400)의 구성을 설명한다. 본 실시 형태에 있어서의 24대의 도금 모듈(400)은 동일한 구성이므로, 1대의 도금 모듈(400)만을 설명한다. 또한, 본 실시 형태에서는, 일례로서, 피도금면을 하방으로 향하게 한 기판을 도금액에 침지시켜 도금 처리를 행하는 컵식의 도금 모듈에 대하여 설명하지만, 도금 모듈은 컵식에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 도금 모듈은, 피도금면을 횡향 또는 상향 등 임의의 방향으로 향하게 한 기판에 대하여 도금 처리를 행하도록 구성되어 있어도 된다. 도 3은 일 실시 형태의 도금 모듈(400)의 구성을 개략적으로 도시하는 종단면도이다. 도 3에 도시한 바와 같이, 도금 모듈(400)은, 도금액을 수용하기 위한 도금조(410)를 구비한다. 도금 모듈(400)은, 도금조(410)의 내부를 상하 방향으로 이격하는 멤브레인(420)을 구비한다. 멤브레인(420)은, 예를 들어 탄성을 갖는 박막에 의해 구성된다. 도금조(410)의 내부는, 멤브레인(420)에 의해, 기판 Wf가 침지되는 캐소드 영역(422)과, 애노드가 배치되는 애노드 영역(424)으로 칸막이된다. 캐소드 영역(422)과 애노드 영역(424)에는 각각 도금액이 충전된다. 도금 모듈(400)은, 애노드 영역(424)에 있어서 도금조(410)의 저면에 배치된 애노드(430)를 구비한다.
도금 모듈(400)은, 피도금면 Wf-a를 하방으로 향하게 한 상태에서 기판 Wf를 보유 지지하기 위한 기판 홀더(440)를 구비한다. 기판 홀더(440)는, 도시하지 않은 전원으로부터 기판 Wf에 급전하기 위한 급전 접점을 구비한다. 일 실시 형태에서는, 급전 접점은, 기판 Wf의 외연부에 접촉하여, 기판 Wf의 외연부에 급전하도록 되어 있다. 도금 모듈(400)은, 기판 홀더(440)와 후술하는 저항체(450) 사이의 거리를 조정하기 위한 거리 조정 기구(442)를 구비한다. 본 실시 형태에서는, 거리 조정 기구(442)는, 저항체(450)에 대한 기판 홀더(440)의 위치를 조정하기 위해 기판 홀더(440)를 승강시키는 홀더 승강 기구에 의해 실현된다. 거리 조정 기구(홀더 승강 기구)(442)는, 예를 들어 모터 등의 공지의 기구에 의해 실현할 수 있다. 도금 모듈(400)은, 거리 조정 기구(홀더 승강 기구)(442)를 사용하여 기판 Wf를 캐소드 영역(422)의 도금액에 침지하고, 애노드(430)와 기판 Wf 사이에 전압을 인가함으로써, 기판 Wf의 피도금면 Wf-a에 도금 처리를 실시하도록 구성된다. 또한, 거리 조정 기구(442)는, 홀더 승강 기구에 의한 기판 홀더(440)의 승강에 의해 기판 홀더(440)와 저항체(450) 사이의 거리를 조정하는 구성에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 거리 조정 기구(442)는, 홀더 승강 기구 대신에, 기판 홀더(440)에 대한 저항체(450)의 위치를 조정하기 위해 저항체(450)를 승강시키는 저항체 승강 기구를 구비하고 있어도 된다. 또한, 거리 조정 기구(442)는, 홀더 승강 기구와 저항체 승강 기구의 양쪽을 구비하고 있어도 된다.
도금 모듈(400)은, 피도금면 Wf-a의 중앙을 수직으로 신장하는 가상적인 회전축 둘레로 기판 Wf가 회전하도록 기판 홀더(440)를 회전시키기 위한 회전 기구(446)를 구비한다. 회전 기구(446)는, 예를 들어 모터 등의 공지의 기구에 의해 실현할 수 있다.
도금 모듈(400)은, 기판 Wf의 피도금면 Wf-a의 직경 방향을 따라서 도금막 두께 분포 또는 전류 밀도 분포를 계측 가능한 센서(470)를 구비한다. 도 4는 센서에 의한 도금막 두께 분포의 계측을 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 4에 도시한 바와 같이, 일 실시 형태의 센서(470)는, 기판 Wf의 중앙부 Ct로부터 외연부 Eg를 향하여 직경 방향으로 점재하는 복수의 모니터점(일 실시 형태에서는 n개의 모니터점)에 있어서의 도금막 두께 또는 전류 밀도를 계측하도록 구성된다. 센서(470)는, 도금 처리 중에 일정한 시간 간격으로, 광학, 전장, 자장, 전위 등 임의의 방법을 사용하여 복수의 모니터점에 있어서의 도금막 두께 또는 전류 밀도 등의 정보를 취득한다. 도금 모듈(400)은, 센서(470)에 의해 취득된 정보에 기초하여, 기판 Wf의 피도금면 Wf-a의 직경 방향의 도금막 두께 분포 Th-1을 취득하도록 구성된다. 또한, 일 실시 형태에서는, 센서(470)는 후술하는 저항체(450) 상에 배치되어 있지만, 센서(470)의 배치 위치는 임의이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 도금 모듈(400)은, 기판 홀더(440)에 보유 지지된 기판 Wf와 애노드(430) 사이에 배치된 애노드 마스크(460)를 구비한다. 애노드 마스크(460)는, 애노드 영역(424)에 있어서 애노드(430)의 근방에 배치되어 있다. 애노드 마스크(460)는, 중앙에 개구(466)가 형성된 링상의 전장 차폐물이다.
도 5는 애노드 마스크를 모식적으로 도시하는 평면도이다. 도 3 및 도 5에 도시한 바와 같이, 애노드 마스크(460)는, 도금조(410)의 내측벽에 고정된 링상의 제1 애노드 마스크(462)와, 제1 애노드 마스크(462) 상에 둘레 방향을 따라서 배치된 복수의 제2 애노드 마스크(464)를 구비한다. 일 실시 형태에서는, 제2 애노드 마스크(464)는, 8개의 제2 애노드 마스크(464-1 내지 464-8)를 포함하여 구성되지만, 제2 애노드 마스크(464)의 수는 임의이다. 복수의 제2 애노드 마스크(464)는 각각, 제1 애노드 마스크(462)의 직경 방향을 따라서 이동 가능하도록 구성되어 있다.
애노드 마스크(460)는, 복수의 제2 애노드 마스크(464)를 제1 애노드 마스크(462)의 직경 방향 내측으로 이동시킴으로써, 애노드 마스크(460)의 개구(466)의 직경을 작게 할 수 있다. 한편, 애노드 마스크(460)는, 복수의 제2 애노드 마스크(464)를 제1 애노드 마스크(462)의 직경 방향 외측으로 이동시킴으로써, 애노드 마스크(460)의 개구(466)의 직경을 크게 할 수 있다. 애노드 마스크(460)는, 개구(466)의 직경을 변화시킴으로써, 실질적으로 애노드(430)의 직경을 변화시키도록 작용한다. 그 결과, 애노드 마스크(460)는, 개구(466)의 직경을 변화시킴으로써, 기판 Wf의 중심으로부터 외연부까지의 전체의 막 두께 분포를 변화시키도록 작용한다. 이하, 이 점에 대하여 설명한다.
도 6은 애노드 마스크의 개구의 직경을 변화시켰을 때의 도금막 두께 분포를 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 6에 있어서 종축은 도금막 두께를 나타내고, 횡축은 기판 Wf의 피도금면 Wf-a의 중앙부 Ct로부터 외연부 Eg까지의 반경 위치를 나타내고 있다. 도 6에 있어서, 도금막 두께 분포 Th-11 내지 Th-17은, 애노드 마스크(460)의 개구(466)의 직경을 크게 하였을 때의 도금막 두께 분포를 순서대로 나타내고 있다.
도 6에 도시한 바와 같이, 애노드 마스크(460)의 개구(466)의 직경을 변화시키면, 기판 Wf의 중앙부 Ct로부터 외연부 Eg의 도금막 두께가 변화된다. 구체적으로는, 애노드 마스크(460)의 개구(466)의 직경이 작을 때는, 기판 Wf의 중앙부 Ct 근방에 전장이 집중되므로, 예를 들어 도금막 두께 분포 Th-11과 같이, 기판 Wf의 중앙부 Ct의 도금막 두께가 두꺼워지고, 기판 Wf의 외연부 Eg의 도금막 두께가 얇아진다. 한편, 애노드 마스크(460)의 개구(466)의 직경이 클 때는, 기판 Wf의 외연부 Eg에 전장이 집중되므로, 예를 들어 도금막 두께 분포 Th-17과 같이, 기판 Wf의 중앙부 Ct의 도금막 두께가 얇아지고, 기판 Wf의 외연부 Eg의 도금막 두께가 두꺼워진다. 도 6의 예에서는, 도금막 두께 분포 Th-14일 때 가장 도금막 두께 분포가 균일해지지만, 그래도 기판 Wf의 외연부 Eg 근방에서는 도금막 두께 분포가 다소 불균일해지므로, 기판 Wf의 외연부 Eg 근방에 있어서의 도금막 두께의 균일화가 요구된다.
이 점에서, 일 실시 형태의 도금 모듈(400)은, 도 3에 도시한 바와 같이, 기판 홀더(440)에 보유 지지된 기판 Wf와 애노드 마스크(460) 사이에, 애노드 마스크(460)와 간격을 두고 배치된 저항체(450)를 구비한다. 저항체(450)는 캐소드 영역(422)에 배치된다. 저항체(450)는, 일 실시 형태에서는, 애노드 영역(424)과 캐소드 영역(422)을 관통하는 복수의 관통 구멍(452)이 형성된 판상 부재(펀칭 플레이트)에 의해 구성된다. 그러나, 저항체(450)의 형상은 임의이다. 또한, 저항체(450)는, 펀칭 플레이트에 한정되지는 않고, 예를 들어 세라믹 재료에 다수의 세공이 형성된 다공질체에 의해 구성할 수 있다.
저항체(450)는, 애노드(430)와 기판 Wf 사이의 저항체로서 작용한다. 저항체(450)는, 예를 들어 1Ω·m 이상, 바람직하게는 3Ω·ｍ 이상의 저항률을 갖지만, 이것에 한정되지는 않고 저항체(450)의 저항률은 임의이다. 저항체(450)를 배치함으로써, 애노드(430)와 기판 Wf 사이의 저항값이 커지기 때문에 전장이 넓어지기 어려워지고, 그 결과, 기판 Wf의 피도금면 Wf-a에 형성되는 도금막 두께의 분포를 균일하게 할 수 있다.
저항체(450)는, 특히, 기판 Wf의 피도금면 Wf-a의 외연부에 있어서의 도금막 두께 분포에 영향을 미친다. 즉, 거리 조정 기구(442)는, 센서(470)에 의해 계측된 도금막 두께 분포 또는 전류 밀도 분포에 기초하여, 기판 홀더(440)와 저항체(450) 사이의 거리를 조정하도록 구성된다. 구체적으로는, 거리 조정 기구(홀더 승강 기구)(442)는, 센서(470)에 의해 계측된 도금막 두께 분포 또는 전류 밀도 분포에 기초하여, 기판 홀더(440)를 승강시키도록 구성되어 있다. 기판 홀더(440)를 승강시킴으로써, 기판 Wf와 저항체(450) 사이의 거리는 변화된다.
도 7은 기판과 저항체 사이의 거리를 변화시켰을 때의 도금막 두께 분포를 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 7에 있어서 종축은 도금막 두께를 나타내고, 횡축은 기판 Wf의 피도금면 Wf-a의 중앙부 Ct로부터 외연부 Eg까지의 반경 위치를 나타내고 있다. 도 7에 있어서, 도금막 두께 분포 Th-21, Th-22, Th-23은, 기판 Wf와 저항체(450) 사이의 거리를 크게 하였을 때의 도금막 두께 분포를 순서대로 나타내고 있다. 도 7에 도시한 바와 같이, 기판 Wf와 저항체(450) 사이의 거리를 변화시키면, 기판 Wf의 외연부 Eg 근방의 도금막 두께가 크게 변화된다. 이하, 이 점에 대하여 설명한다.
도 8은 기판과 저항체 사이의 거리를 변화시켰을 때의 기판의 외연부에 있어서의 도금막 두께 분포를 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 8의 (A)는 기판 Wf와 저항체(450) 사이의 거리를 가까워지게 한 경우의 도금막 두께 분포를 나타내고 있고, 도 8의 (B)는 기판 Wf와 저항체(450) 사이의 거리를 멀리 떨어지게 한 경우의 도금막 두께 분포를 나타내고 있다. 도 8에 도시한 바와 같이, 기판 Wf와 저항체(450) 사이의 거리를 크게 하면, 전장이 확대될 수 있는 공간이 커진다. 기판 홀더(440)의 급전 접점은 기판 Wf의 외연부에 접촉하고 있기 때문에, 상대적으로 전장이 기판 Wf의 외연부에 집중되게 되어, 외연부의 도금막 두께가 두꺼워진다.
도금 모듈(400)은, 이 성질을 이용하여, 거리 조정 기구(442)에 의해 기판 Wf의 외연부의 도금막 두께를 조정할 수 있다. 예를 들어 기판 Wf의 외연부의 도금막 두께 분포가, 도금막 두께 분포 Th-24와 같이 불균일해진 경우, 거리 조정 기구(홀더 승강 기구)(442)는, 기판 Wf와 저항체(450) 사이의 거리를 작게 함(기판 홀더(440)를 강하시킴)으로써, 도금막 두께 분포 Th-25와 같은 균일한 도금막 두께 분포로 조정할 수 있다. 한편, 예를 들어 기판 Wf의 외연부의 도금막 두께 분포가, 도금막 두께 분포 Th-26과 같이 불균일해진 경우, 거리 조정 기구(홀더 승강 기구)(442)는, 기판 Wf와 저항체(450) 사이의 거리를 크게 함(기판 홀더(440)를 상승시킴)으로써, 도금막 두께 분포 Th-27과 같은 균일한 도금막 두께 분포로 조정할 수 있다. 또한, 어떤 도금막 두께 분포로 될 것인지는, 애노드 마스크(460)의 개구(466)의 크기, 도금액의 종류, 피도금면 Wf-a에 있어서의 전류 밀도 등에 의해 결정된다.
이상과 같이, 일 실시 형태의 도금 모듈(400)은, 애노드 마스크(460)와 저항체(450)의 양쪽을 구비한다. 따라서, 도금 모듈(400)은, 애노드 마스크(460)와 저항체(450)의 각각의 특성을 이용하여 기판 Wf 전체의 도금막 두께 분포의 균일성을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 도금 모듈(400)은, 기판 Wf에 대하여 도금 처리를 행하고 있는 동안에, 센서(470)를 사용하여 기판 Wf의 피도금면 Wf-a의 직경 방향을 따라서 도금막 두께 분포 또는 전류 밀도 분포를 계측한다.
계속해서, 도금 모듈(400)은, 센서(470)에 의해 계측된 도금막 두께 분포 또는 전류 밀도 분포에 기초하여, 애노드 마스크(460)의 개구(466)의 직경의 크기를 조정한다. 구체적으로는, 도 6에 도시한 피도금면 Wfa의 중앙부 Ct와, 피도금면 Wf-a의 중앙부 Ct와 외연부 Eg 사이의 중점 Md 사이의 도금막 두께 또는 전류 밀도의 차가 작아지도록, 애노드 마스크(460)의 개구(466)의 직경의 크기를 조정한다. 이에 의해, 기판 Wf의 피도금면 Wf-a의 중앙부 Ct와 중점 Md 사이의 도금막 두께의 균일성이 향상된다.
한편, 도금 모듈(400)은, 센서(470)에 의해 계측된 도금막 두께 분포 또는 전류 밀도 분포에 기초하여, 기판 홀더(440)를 승강시켜 기판 Wf와 저항체(450) 사이의 거리를 조정한다. 구체적으로는, 도 7에 도시한 피도금면 Wf-a의 중앙부 Ct와 외연부 Eg 사이의 중점 Md와, 피도금면 Wf-a의 외연부 Eg 사이의 도금막 두께 또는 전류 밀도의 차가 작아지도록, 기판 홀더(440)를 승강시킨다. 이에 의해, 기판 Wf의 피도금면 Wf-a의 중점 Md와 외연부 Eg 사이의 도금막 두께의 균일성이 향상된다.
이상과 같이, 도금 모듈(400)은, 도금 처리를 행하면서 애노드 마스크(460)의 개구(466)의 직경을 조정하고, 또한, 기판 Wf와 저항체(450) 사이의 거리를 조정함으로써, 기판 Wf의 피도금면 Wf-a의 도금막 두께 분포의 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한, 일 실시 형태에서는, 도금 처리를 행하면서 애노드 마스크(460)의 개구(466)의 직경을 조정하고, 또한, 기판 Wf와 저항체(450) 사이의 거리를 조정하는 예를 나타냈지만, 이것에 한정되지는 않는다. 예를 들어 미리 애노드 마스크(460)의 개구(466)의 직경, 및 기판 Wf와 저항체(450) 사이의 거리의 최적값이 구해지고, 이들이 최적값으로 설정되어 있는 경우에는, 도금 처리 중에 애노드 마스크(460)의 개구(466)의 직경 및 기판 홀더(440)의 승강을 조정하지 않아도 된다.
다음에, 도금 모듈(400)의 다른 실시 형태를 설명한다. 도 9는 일 실시 형태의 도금 모듈의 구성을 개략적으로 도시하는 종단면도이다. 도 9의 실시 형태는, 패들 및 패들 교반 기구 등을 구비하는 점을 제외하고, 도 3에 도시한 실시 형태와 마찬가지의 구성을 구비하고 있다. 따라서, 도 3에 도시한 실시 형태와 중복되는 설명을 생략한다.
도 9에 도시한 바와 같이, 도금 모듈(400)은, 기판 홀더(440)에 보유 지지된 기판 Wf와 저항체(450) 사이에 배치된 패들(480)과, 패들(480)을 도금액 내에서 교반시키기 위한 패들 교반 기구(482)를 구비한다. 패들 교반 기구(482)는, 기판 Wf의 피도금면 Wf-a와 평행하게 패들(480)을 왕복 운동시킴으로써, 도금액을 교반하도록 구성된다.
여기서, 상술한 실시 형태와 같이, 도금 처리 중에 기판 Wf와 저항체(450) 사이의 거리를 변화시키기 위해 기판 홀더(440)를 승강시키면(기판 홀더(440)의 높이를 변경하면), 동시에 패들(480)과 기판 Wf 사이의 거리도 변화된다. 그렇게 되면, 기판 Wf의 피도금면 Wf-a에 있어서의 도금액의 교반 강도도 변화되어, 피도금면 Wf-a에 있어서의 도금막 두께 분포의 균일성에 영향을 미칠 수 있다. 이하, 이 점에 대하여 설명한다.
도 10은 기판과 저항체 사이의 거리를 변화시켰을 때의 피도금면에 있어서의 도금액의 유속을 도시하는 도면이다. 도 10에 있어서 종축은 피도금면 Wf-a에 있어서의 도금액의 유속을 나타내고, 횡축은 기판 Wf와 저항체(450) 사이의 거리를 나타내고 있다. 도 10에 도시한 바와 같이, 기판 Wf와 저항체(450) 사이의 거리를 약 10％ 변화시키면, 피도금면 Wf-a에 있어서의 도금액의 유속은 약 8％ 변화된다. 피도금면 Wf-a에 있어서의 도금액의 유속이 변화되면, 도금막 두께 분포의 균일성에 영향을 미칠 수 있다.
이에 반해 일 실시 형태의 도금 모듈(400)은, 도 9에 도시한 바와 같이, 패들(480)의 위치를 조정하기 위해 패들(480)을 승강시키는 패들 위치 조정 기구(484)를 구비하고 있다. 패들 위치 조정 기구(484)는, 도금 처리 중에 거리 조정 기구(홀더 승강 기구)(442)에 의한 기판 홀더(440)의 위치 조정(승강)과 동기하여 패들(480)의 위치를 조정하도록(승강시키도록) 구성되어 있다. 일 실시 형태에 따르면, 도금 처리 중에 기판 홀더(440)의 승강과 동기하여 패들(480)을 승강시킴으로써, 패들(480)과 기판 Wf 사이의 거리를 일정하게 유지할 수 있다. 그 결과, 일 실시 형태의 도금 모듈(400)에 의하면, 도금 처리 중에 기판 홀더(440)의 높이를 변경하였다고 해도, 피도금면 Wf-a에 있어서의 도금액의 유속을 일정하게 유지할 수 있으므로, 도금막 두께 분포의 균일성을 향상시킬 수 있다.
다음에, 도금 모듈(400)의 다른 실시 형태를 설명한다. 도 11은 일 실시 형태의 도금 모듈의 구성을 개략적으로 도시하는 종단면도이다. 도 11의 실시 형태는, 패들 및 패들 교반 기구 등을 구비하는 점을 제외하고, 도 3에 도시한 실시 형태와 마찬가지의 구성을 구비하고 있다. 따라서, 도 3에 도시한 실시 형태와 중복되는 설명을 생략한다.
도 11에 도시한 바와 같이, 도금 모듈(400)은, 기판 홀더(440)에 보유 지지된 기판 Wf와 저항체(450) 사이에 배치된 패들(480)과, 패들(480)을 도금액 내에서 교반시키기 위한 패들 교반 기구(482)를 구비한다. 패들 교반 기구(482)는, 기판 Wf의 피도금면 Wf-a와 평행하게 패들(480)을 왕복 운동시킴으로써, 도금액을 교반하도록 구성된다.
도 11에 도시한 바와 같이, 패들(480)은, 패들 지지 기구(486)에 의해 기판 홀더(440)에 고정되어 있다. 따라서, 패들(480)은, 기판 홀더(440)의 승강에 연동하여 승강하므로, 기판 Wf와 패들(480) 사이의 거리는 일정하다. 그 결과, 일 실시 형태의 도금 모듈(400)에 의하면, 도금 처리 중에 기판 홀더(440)의 높이를 변경하였다고 해도, 피도금면 Wf-a에 있어서의 도금액의 유속을 일정하게 유지할 수 있으므로, 도금막 두께 분포의 균일성을 향상시킬 수 있다.
다음에, 도금 모듈(400)의 다른 실시 형태를 설명한다. 도 12는 일 실시 형태의 도금 모듈의 구성을 개략적으로 도시하는 종단면도이다. 도 12의 실시 형태는, 패들 및 패들 교반 기구 등을 구비하는 점을 제외하고, 도 3에 도시한 실시 형태와 마찬가지의 구성을 구비하고 있다. 따라서, 도 3에 도시한 실시 형태와 중복되는 설명을 생략한다.
도 12에 도시한 바와 같이, 도금 모듈(400)은, 기판 홀더(440)에 보유 지지된 기판 Wf와 저항체(450) 사이에 배치된 패들(480)과, 패들(480)을 도금액 내에서 교반시키기 위한 패들 교반 기구(482)를 구비한다. 패들 교반 기구(482)는, 기판 Wf의 피도금면 Wf-a와 평행하게 패들(480)을 왕복 운동시킴으로써, 도금액을 교반하도록 구성된다.
일 실시 형태에 있어서 패들 교반 기구(482)는, 거리 조정 기구(홀더 승강 기구)(442)에 의한 기판 홀더(440)의 위치 조정(승강)에 대응하여 패들(480)의 교반 속도를 조정하도록 구성되어 있다. 보다 구체적으로는, 패들 교반 기구(482)는, 거리 조정 기구(홀더 승강 기구)(442)에 의한 기판 홀더(440)의 승강에 대응하여, 피도금면 Wf-a에 있어서의 도금액의 유속이 일정해지도록, 패들(480)의 교반 속도를 조정하도록 구성된다. 이하, 이 점에 대하여 설명한다.
도 13은 기판과 저항체 사이의 거리를 변화시켰을 때의 피도금면에 있어서의 도금액의 유속을 패들의 교반 속도마다 도시하는 도면이다. 도 13에 있어서 종축은 피도금면 Wf-a에 있어서의 도금액의 유속을 나타내고, 횡축은 기판 Wf와 저항체(450) 사이의 거리를 나타내고 있다. 또한, 도 13에 있어서, 그래프(490)는 패들(480)을 표준 속도로 교반하였을 때의 피도금면 Wf-a에 있어서의 도금액의 유속을 나타내고, 그래프(492)는 패들(480)을 표준 속도보다도 저속도로 교반하였을 때의 피도금면 Wf-a에 있어서의 도금액의 유속을 나타내고, 그래프(494)는 패들(480)을 표준 속도보다도 고속도로 교반하였을 때의 피도금면 Wf-a에 있어서의 도금액의 유속을 나타내고 있다.
도 13에 도시한 바와 같이, 패들 교반 기구(482)는, 그래프(490)로 나타내는 바와 같이 패들(480)을 표준 속도로 교반하고 있는 상태에서, 기판 Wf와 저항체(450) 사이의 거리가 커진 경우에는, 그래프(494)로 나타내는 바와 같이 패들(480)의 교반 속도를 고속도로 조정함으로써, 피도금면 Wf-a에 있어서의 도금액의 유속을 일정하게 유지할 수 있다. 한편, 패들 교반 기구(482)는, 그래프(490)로 나타내는 바와 같이 패들(480)을 표준 속도로 교반하고 있는 상태에서, 기판 Wf와 저항체(450) 사이의 거리가 작아진 경우에는, 그래프(492)로 나타내는 바와 같이 패들(480)의 교반 속도를 저속도로 조정함으로써, 피도금면 Wf-a에 있어서의 도금액의 유속을 일정하게 유지할 수 있다. 그 결과, 일 실시 형태의 도금 모듈(400)에 의하면, 도금 처리 중에 기판 홀더(440)의 높이를 변경하였다고 해도, 피도금면 Wf-a에 있어서의 도금액의 유속을 일정하게 유지할 수 있으므로, 도금막 두께 분포의 균일성을 향상시킬 수 있다.
다음에, 본 실시 형태의 도금 방법에 대하여 설명한다. 도 14는 본 실시 형태의 도금 방법을 나타내는 흐름도이다. 이하에 설명하는 도금 방법은, 도 12에 나타낸 실시 형태의 도금 모듈(400)을 사용하여 실행되지만, 이것에 한하지 않고, 도 3, 도 9 또는 도 11에 도시한 실시 형태의 도금 모듈(400)을 사용하여 실행되어도 된다. 도 14에 도시한 바와 같이, 도금 방법은, 먼저, 피도금면 Wf-a를 하방으로 향하게 한 상태의 기판 Wf를 기판 홀더(440)에 설치한다(설치 스텝 110). 계속해서, 도금 방법은, 기판 홀더(440)를 강하시킴으로써 도금조(410)에 기판 Wf를 침지시킨다(침지 스텝 112).
계속해서, 도금 방법은, 패들 교반 기구(482)를 사용하여 패들(480)을 기판 Wf의 피도금면 Wf-a와 평행하게 요동시킴으로써 도금액을 교반한다(교반 스텝 113). 계속해서, 도금 방법은, 애노드 마스크(460) 및 저항체(450)를 통해 애노드(430)와 기판 Wf 사이에 전압을 인가함으로써 피도금면 Wf-a에 도금막을 형성한다(도금 스텝 114).
계속해서, 도금 방법은, 도금 스텝 114 중에, 피도금면 Wf-a의 직경 방향을 따라서 도금막 두께 분포 또는 전류 밀도 분포를 센서(470)에 의해 계측한다(계측 스텝 116). 계속해서, 도금 방법은, 도금 스텝 114 중에, 계측 스텝 116에 의해 계측된 도금막 두께 분포 또는 전류 밀도 분포에 기초하여, 애노드 마스크(460)의 개구(466)의 직경의 크기를 조정한다(개구 조정 스텝 118). 개구 조정 스텝 118은, 구체적으로는, 계측 스텝 116에 의해 계측된 피도금면 Wf-a의 중앙부 Ct와 중점 Md 사이의 도금막 두께 또는 전류 밀도의 차가 작아지도록, 애노드 마스크(460)의 개구(466)의 직경의 크기를 조정한다.
계속해서, 도금 방법은, 도금 스텝 114 중에, 계측 스텝 116에 의해 계측된 도금막 두께 분포 또는 전류 밀도 분포에 기초하여, 기판 홀더(440)와 저항체(450) 사이의 거리를 조정한다(거리 조정 스텝 120). 거리 조정 스텝 120은, 구체적으로는, 계측 스텝 116에 의해 계측된 피도금면 Wf-a의 중점 Md와 외연부 Eg 사이의 도금막 두께 또는 전류 밀도의 차가 작아지도록, 기판 홀더(440)와 저항체(450) 사이의 거리를 조정한다. 거리 조정 스텝 120에 있어서의 기판 홀더(440)와 저항체(450) 사이의 거리의 조정은, 거리 조정 기구(홀더 승강 기구)(442)를 사용하여 기판 홀더(440)를 승강시킴으로써 실행된다.
계속해서, 도금 방법은, 거리 조정 스텝 120에 의한 기판 홀더(440)와 저항체(450) 사이의 거리 조정에 대응하여 패들(480)의 교반 속도를 조정한다(속도 조정 스텝 122). 구체적으로는, 속도 조정 스텝 122는, 거리 조정 스텝 120에 의한 기판 홀더(440)와 저항체(450) 사이의 거리의 조정에 대응하여, 피도금면 Wf-a에 있어서의 도금액의 유속이 일정해지도록, 패들 교반 기구(482)를 사용하여 패들(480)의 교반 속도를 조정한다.
계속해서, 도금 방법은, 계측 스텝 116에 의해 계측된 도금막 두께 분포 또는 전류 밀도 분포에 기초하여, 피도금면 Wf-a에 원하는 두께의 도금막이 형성되었는지 여부를 판정한다(판정 스텝 124). 도금 방법은, 피도금면 Wf-a에 원하는 두께의 도금막이 형성되지 않았다고 판정한 경우에는(판정 스텝 124, "아니오"), 계측 스텝 116으로 되돌아가 처리를 계속한다. 한편, 도금 방법은, 피도금면 Wf-a에 원하는 두께의 도금막이 형성되었다고 판정한 경우에는(판정 스텝 124, "예"), 처리를 종료한다.
일 실시 형태의 도금 방법에 의하면, 도금 처리를 행하면서 애노드 마스크(460)의 개구(466)의 직경을 조정하고, 또한, 기판 Wf와 저항체(450) 사이의 거리를 조정함으로써, 기판 Wf의 피도금면 Wf-a의 도금막 두께 분포의 균일성을 향상시킬 수 있다. 이것에 더하여, 일 실시 형태의 도금 방법에 의하면, 도금 처리 중의 기판 홀더(440)의 승강에 대응하여 패들(480)의 교반 속도를 조정하므로, 피도금면 Wf-a에 있어서의 도금액의 유속을 일정하게 유지할 수 있고, 그 결과, 도금막 두께 분포의 균일성을 향상시킬 수 있다.
또한, 도 3에 도시한 실시 형태의 도금 모듈(400)을 사용하여 도금 방법을 실행하는 경우에는, 교반 스텝 113 및 속도 조정 스텝 122는 실행되지 않는다. 또한, 도 9에 도시한 실시 형태의 도금 모듈(400)을 사용하여 도금 방법을 실행하는 경우에는, 속도 조정 스텝 122 대신에, 거리 조정 스텝 120에 의한 기판 홀더(440)와 저항체(450) 사이의 거리의 조정과 동기하여 패들 위치 조정 기구(484)에 의해 패들(480)의 위치를 조정하는(승강시키는) 패들 위치 조정 스텝이 실행된다. 또한, 도 11에 도시한 실시 형태의 도금 모듈(400)을 사용하여 도금 방법을 실행하는 경우에는, 기판 Wf와 패들(480) 사이의 거리는 일정하므로, 속도 조정 스텝 122는 실행되지 않는다.
이상, 몇 가지의 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명하였지만, 상기한 발명의 실시 형태는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위한 것이고, 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 본 발명은, 그 취지를 일탈하지 않고, 변경, 개량될 수 있음과 함께, 본 발명에는 그 등가물이 포함되는 것은 물론이다. 또한, 상술한 과제의 적어도 일부를 해결할 수 있는 범위, 또는, 효과의 적어도 일부를 발휘하는 범위에 있어서, 특허 청구 범위 및 명세서에 기재된 각 구성 요소의 임의의 조합, 또는, 생략이 가능하다.
본원은, 일 실시 형태로서, 도금액을 수용하기 위한 도금조와, 기판을 보유 지지하기 위한 기판 홀더와, 상기 도금조 내에 수용된 애노드와, 상기 기판 홀더에 보유 지지된 기판과 상기 애노드 사이에 배치되며, 중앙에 개구가 형성된 애노드 마스크와, 상기 기판 홀더에 보유 지지된 기판과 상기 애노드 마스크 사이에, 상기 애노드 마스크와 간격을 두고 배치되며, 복수의 구멍이 형성된 저항체를 포함하는, 도금 장치를 개시한다.
또한, 본원은, 일 실시 형태로서, 상기 애노드 마스크는, 상기 개구의 직경의 크기를 조정 가능하게 구성되는, 도금 장치를 개시한다.
또한, 본원은, 일 실시 형태로서, 상기 기판 홀더에 보유 지지된 기판의 피도금면의 직경 방향을 따라서 도금막 두께 분포 또는 전류 밀도 분포를 계측 가능한 센서를 더 포함하고, 상기 애노드 마스크는, 상기 센서에 의해 계측된 도금막 두께 분포 또는 전류 밀도 분포에 기초하여, 상기 개구의 직경의 크기를 조정하도록 구성되는, 도금 장치를 개시한다.
또한, 본원은, 일 실시 형태로서, 상기 기판 홀더와 상기 저항체 사이의 거리를 조정하기 위한 거리 조정 기구를 더 포함하는, 도금 장치를 개시한다.
또한, 본원은, 일 실시 형태로서, 상기 기판 홀더에 보유 지지된 기판의 피도금면의 직경 방향을 따라서 도금막 두께 분포 또는 전류 밀도 분포를 계측 가능한 센서를 더 포함하고, 상기 거리 조정 기구는, 상기 센서에 의해 계측된 도금막 두께 분포 또는 전류 밀도 분포에 기초하여, 상기 기판 홀더와 상기 저항체 사이의 거리를 조정하도록 구성되는, 도금 장치를 개시한다.
또한, 본원은, 일 실시 형태로서, 상기 기판 홀더에 보유 지지된 기판과 상기 저항체 사이에 배치된 패들을 더 포함하고, 상기 패들은, 상기 기판 홀더에 고정되어 있는, 도금 장치를 개시한다.
또한, 본원은, 일 실시 형태로서, 상기 기판 홀더에 보유 지지된 기판과 상기 저항체 사이에 배치된 패들과, 상기 패들의 위치를 조정하기 위한 패들 위치 조정 기구를 더 포함하고, 상기 패들 위치 조정 기구는, 상기 거리 조정 기구에 의한 상기 기판 홀더의 위치 조정과 동기하여 상기 패들의 위치를 조정하도록 구성되는, 도금 장치를 개시한다.
또한, 본원은, 일 실시 형태로서, 상기 기판 홀더에 보유 지지된 기판과 상기 저항체 사이에 배치된 패들과, 상기 패들을 도금액 내에서 교반시키기 위한 패들 교반 기구를 더 포함하고, 상기 패들 교반 기구는, 상기 거리 조정 기구에 의한 상기 기판 홀더의 위치 조정에 대응하여 상기 패들의 교반 속도를 조정하도록 구성되는, 도금 장치를 개시한다.
또한, 본원은, 일 실시 형태로서, 상기 저항체는, 상기 기판측과 상기 애노드측을 관통하는 복수의 구멍이 형성된 펀칭 플레이트이거나, 또는 복수의 세공이 형성된 다공질체인, 도금 장치를 개시한다.
또한, 본원은, 일 실시 형태로서, 상기 도금조의 내부를, 상기 기판이 침지되는 캐소드 영역과, 상기 애노드가 배치되는 애노드 영역으로 칸막이하는 멤브레인을 더 포함하고, 상기 애노드 마스크는, 상기 애노드 영역에 배치되고, 상기 저항체는, 상기 캐소드 영역에 배치되는, 도금 장치를 개시한다.
또한, 본원은, 일 실시 형태로서, 기판을 기판 홀더에 설치하는 설치 스텝과, 상기 기판 홀더의 위치를 조정함으로써 도금액을 수용한 도금조에 기판을 침지시키는 침지 스텝과, 상기 도금조 내에 수용된 애노드와 상기 도금액 내에 침지된 기판 사이에 배치되며 중앙에 개구가 형성된 애노드 마스크, 및 상기 애노드 마스크와 상기 도금액 내에 침지된 기판 사이에 상기 애노드 마스크와 간격을 두고 배치되며 복수의 구멍이 형성된 저항체를 통해 상기 애노드와 상기 기판 사이에 전압을 인가함으로써 상기 기판의 피도금면에 도금막을 형성하는 도금 스텝을 포함하는, 도금 방법을 개시한다.
또한, 본원은, 일 실시 형태로서, 상기 도금 스텝 중에, 상기 기판의 피도금면의 직경 방향을 따라서 도금막 두께 분포 또는 전류 밀도 분포를 센서에 의해 계측하는 계측 스텝과, 상기 도금 스텝 중에, 상기 계측 스텝에 의해 계측된 도금막 두께 분포 또는 전류 밀도 분포에 기초하여, 상기 애노드 마스크의 상기 개구의 직경의 크기를 조정하는 개구 조정 스텝을 더 포함하는, 도금 방법을 개시한다.
또한, 본원은, 일 실시 형태로서, 상기 개구 조정 스텝은, 상기 계측 스텝에 의해 계측된 상기 피도금면의 중앙부와, 상기 피도금면의 중앙부와 외연부 사이의 중점 사이의 도금막 두께 또는 전류 밀도의 차가 작아지도록, 상기 애노드 마스크의 상기 개구의 직경의 크기를 조정하도록 구성되는, 도금 방법을 개시한다.
또한, 본원은, 일 실시 형태로서, 상기 도금 스텝 중에, 상기 계측 스텝에 의해 계측된 도금막 두께 분포 또는 전류 밀도 분포에 기초하여, 상기 기판 홀더와 상기 저항체 사이의 거리를 조정하는 거리 조정 스텝을 더 포함하는, 도금 방법을 개시한다.
또한, 본원은, 일 실시 형태로서, 상기 거리 조정 스텝은, 상기 계측 스텝에 의해 계측된 상기 피도금면의 중앙부와 외연부 사이의 중점과, 상기 피도금면의 외연부 사이의 도금막 두께 또는 전류 밀도의 차가 작아지도록, 상기 기판 홀더와 상기 저항체 사이의 거리를 조정하도록 구성되는, 도금 방법을 개시한다.
또한, 본원은, 일 실시 형태로서, 상기 도금액 내에 침지된 기판과 상기 저항체 사이에 배치되며, 상기 기판 홀더에 고정된 패들을 요동시킴으로써 상기 도금액을 교반하는 교반 스텝을 더 포함하는, 도금 방법을 개시한다.
또한, 본원은, 일 실시 형태로서, 상기 도금액 내에 침지된 기판과 상기 저항체 사이에 배치된 패들을 요동시킴으로써 상기 도금액을 교반하는 교반 스텝과, 상기 거리 조정 스텝에 의한 상기 기판 홀더와 상기 저항체 사이의 거리의 조정과 동기하여 상기 패들의 위치를 조정하는 패들 위치 조정 스텝을 더 포함하는, 도금 방법을 개시한다.
또한, 본원은, 일 실시 형태로서, 상기 도금액 내에 침지된 기판과 상기 저항체 사이에 배치된 패들을 요동시킴으로써 상기 도금액을 교반하는 교반 스텝과, 상기 거리 조정 스텝에 의한 상기 기판 홀더와 상기 저항체 사이의 거리의 조정에 대응하여 상기 패들의 교반 속도를 조정하는 속도 조정 스텝을 더 포함하는, 도금 방법을 개시한다.
400: 도금 모듈
410: 도금조
430: 애노드
440: 기판 홀더
442: 거리 조정 기구
450: 저항체
452: 관통 구멍
460: 애노드 마스크
466: 개구
470: 센서
480: 패들
482: 패들 교반 기구
484: 패들 위치 조정 기구
1000: 도금 장치
Ct: 중앙부
Eg: 외연부
Md: 중점
Wf: 기판
Wf-a: 피도금면

Claims (22)

  1. 도금액을 수용하기 위한 도금조와,
    기판을 보유 지지하기 위한 기판 홀더와,
    상기 도금조 내에 수용된 애노드와,
    상기 기판 홀더에 보유 지지된 기판과 상기 애노드 사이에 배치되며, 중앙에 개구가 형성된 애노드 마스크와,
    상기 기판 홀더에 보유 지지된 기판과 상기 애노드 마스크 사이에, 상기 애노드 마스크와 간격을 두고 배치되며, 복수의 구멍이 형성된 저항체를
    포함하고,
    상기 애노드 마스크는, 상기 개구의 직경의 크기를 조정 가능하게 구성되어 있고,
    상기 기판 홀더에 보유 지지된 기판의 피도금면의 직경 방향을 따라서 도금막 두께 분포 또는 전류 밀도 분포를 도금 처리 중에 계측 가능한 센서를 더 포함하고,
    상기 애노드 마스크는, 도금 처리 중에 상기 센서에 의해 계측된 도금막 두께 분포 또는 전류 밀도 분포에 기초하여, 도금 처리 중에 상기 개구의 직경의 크기를 조정하도록 구성되는, 도금 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판 홀더에 보유 지지된 기판과 상기 저항체 사이에 배치된 패들을 더 포함하고,
    상기 패들은, 상기 기판 홀더에 고정되어 있는, 도금 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판 홀더에 보유 지지된 기판과 상기 저항체 사이에 배치된 패들과,
    상기 패들의 위치를 조정하기 위한 패들 위치 조정 기구와
    상기 기판 홀더와 상기 저항체 사이의 거리를 조정하기 위한 거리 조정 기구를
    더 포함하고,
    상기 패들 위치 조정 기구는, 상기 거리 조정 기구에 의한 상기 기판 홀더의 위치 조정과 동기하여 상기 패들의 위치를 조정하도록 구성되는, 도금 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 기판 홀더에 보유 지지된 기판과 상기 저항체 사이에 배치된 패들과,
    상기 패들을 운동시켜서 도금액을 교반하기 위한 패들 교반 기구를
    더 포함하고,
    상기 패들 교반 기구는, 상기 거리 조정 기구에 의한 상기 기판 홀더의 위치 조정에 대응하여 상기 패들의 운동 속도를 조정하도록 구성되는, 도금 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 저항체는, 상기 기판측과 상기 애노드측을 관통하는 복수의 구멍이 형성된 펀칭 플레이트이거나, 또는 복수의 세공이 형성된 다공질체인, 도금 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 도금조의 내부를, 상기 기판이 침지되는 캐소드 영역과, 상기 애노드가 배치되는 애노드 영역으로 칸막이하는 멤브레인을 더 포함하고,
    상기 애노드 마스크는, 상기 애노드 영역에 배치되고,
    상기 저항체는, 상기 캐소드 영역에 배치되는, 도금 장치.
  7. 도금액을 수용하기 위한 도금조와,
    기판을 보유 지지하기 위한 기판 홀더와,
    상기 도금조 내에 수용된 애노드와,
    상기 기판 홀더에 보유 지지된 기판과 상기 애노드 사이에 배치되며, 중앙에 개구가 형성된 애노드 마스크와,
    상기 기판 홀더에 보유 지지된 기판과 상기 애노드 마스크 사이에, 상기 애노드 마스크와 간격을 두고 배치되며, 복수의 구멍이 형성된 저항체를
    포함하고,
    상기 기판 홀더와 상기 저항체 사이의 거리를 조정하기 위한 거리 조정 기구를 더 포함하고,
    상기 기판 홀더에 보유 지지된 기판의 피도금면의 직경 방향을 따라서 도금막 두께 분포 또는 전류 밀도 분포를 도금 처리 중에 계측 가능한 센서를 더 포함하고,
    상기 거리 조정 기구는, 도금 처리 중에 상기 센서에 의해 계측된 도금막 두께 분포 또는 전류 밀도 분포에 기초하여, 도금 처리 중에 상기 기판 홀더와 상기 저항체 사이의 거리를 조정하도록 구성되는, 도금 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기판 홀더에 보유 지지된 기판과 상기 저항체 사이에 배치된 패들을 더 포함하고,
    상기 패들은, 상기 기판 홀더에 고정되어 있는, 도금 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 기판 홀더에 보유 지지된 기판과 상기 저항체 사이에 배치된 패들과,
    상기 패들의 위치를 조정하기 위한 패들 위치 조정 기구를
    더 포함하고,
    상기 패들 위치 조정 기구는, 상기 거리 조정 기구에 의한 상기 기판 홀더의 위치 조정과 동기하여 상기 패들의 위치를 조정하도록 구성되는, 도금 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 기판 홀더에 보유 지지된 기판과 상기 저항체 사이에 배치된 패들과,
    상기 패들을 운동시켜서 도금액을 교반하기 위한 패들 교반 기구를
    더 포함하고,
    상기 패들 교반 기구는, 상기 거리 조정 기구에 의한 상기 기판 홀더의 위치 조정에 대응하여 상기 패들의 운동 속도를 조정하도록 구성되는, 도금 장치.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 저항체는, 상기 기판측과 상기 애노드측을 관통하는 복수의 구멍이 형성된 펀칭 플레이트이거나, 또는 복수의 세공이 형성된 다공질체인, 도금 장치.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 도금조의 내부를, 상기 기판이 침지되는 캐소드 영역과, 상기 애노드가 배치되는 애노드 영역으로 칸막이하는 멤브레인을 더 포함하고,
    상기 애노드 마스크는, 상기 애노드 영역에 배치되고,
    상기 저항체는, 상기 캐소드 영역에 배치되는, 도금 장치.
  13. 기판을 기판 홀더에 설치하는 설치 스텝과,
    상기 기판 홀더의 위치를 조정함으로써 도금액을 수용한 도금조에 기판을 침지시키는 침지 스텝과,
    상기 도금조 내에 수용된 애노드와 상기 도금액 내에 침지된 기판 사이에 배치되며 중앙에 개구가 형성된 애노드 마스크, 및 상기 애노드 마스크와 상기 도금액 내에 침지된 기판 사이에 상기 애노드 마스크와 간격을 두고 배치되며 복수의 구멍이 형성된 저항체를 통해 상기 애노드와 상기 기판 사이에 전압을 인가함으로써 상기 기판의 피도금면에 도금막을 형성하는 도금 스텝과,
    상기 도금 스텝 중에, 상기 기판의 피도금면의 직경 방향을 따라서 도금막 두께 분포 또는 전류 밀도 분포를 센서에 의해 계측하는 계측 스텝과,
    상기 도금 스텝 중에, 상기 계측 스텝에 의해 계측된 도금막 두께 분포 또는 전류 밀도 분포에 기초하여, 상기 애노드 마스크의 상기 개구의 직경의 크기를 조정하는 개구 조정 스텝을 포함하고,
    상기 개구 조정 스텝은, 상기 계측 스텝에 의해 계측된 상기 피도금면의 중앙부와, 상기 피도금면의 중앙부와 외연부 사이의 중점 사이의 도금막 두께 또는 전류 밀도의 차가 작아지도록, 상기 애노드 마스크의 상기 개구의 직경의 크기를 조정하도록 구성되는, 도금 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 도금 스텝 중에, 상기 계측 스텝에 의해 계측된 도금막 두께 분포 또는 전류 밀도 분포에 기초하여, 상기 기판 홀더와 상기 저항체 사이의 거리를 조정하는 거리 조정 스텝을 더 포함하는, 도금 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 거리 조정 스텝은, 상기 계측 스텝에 의해 계측된 상기 피도금면의 중앙부와 외연부 사이의 중점과, 상기 피도금면의 외연부 사이의 도금막 두께 또는 전류 밀도의 차가 작아지도록, 상기 기판 홀더와 상기 저항체 사이의 거리를 조정하도록 구성되는, 도금 방법.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 도금액 내에 침지된 기판과 상기 저항체 사이에 배치되며, 상기 기판 홀더에 고정된 패들을 요동시킴으로써 상기 도금액을 교반하는 교반 스텝을 더 포함하는, 도금 방법.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 도금액 내에 침지된 기판과 상기 저항체 사이에 배치된 패들을 요동시킴으로써 상기 도금액을 교반하는 교반 스텝과,
    상기 거리 조정 스텝에 의한 상기 기판 홀더와 상기 저항체 사이의 거리의 조정과 동기하여 상기 패들의 위치를 조정하는 패들 위치 조정 스텝을
    더 포함하는, 도금 방법.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 도금액 내에 침지된 기판과 상기 저항체 사이에 배치된 패들을 요동시킴으로써 상기 도금액을 교반하는 교반 스텝과,
    상기 거리 조정 스텝에 의한 상기 기판 홀더와 상기 저항체 사이의 거리의 조정에 대응하여 상기 패들의 요동 속도를 조정하는 속도 조정 스텝을
    더 포함하는, 도금 방법.
  19. 기판을 기판 홀더에 설치하는 설치 스텝과,
    상기 기판 홀더의 위치를 조정함으로써 도금액을 수용한 도금조에 기판을 침지시키는 침지 스텝과,
    상기 도금조 내에 수용된 애노드와 상기 도금액 내에 침지된 기판 사이에 배치되며 중앙에 개구가 형성된 애노드 마스크, 및 상기 애노드 마스크와 상기 도금액 내에 침지된 기판 사이에 상기 애노드 마스크와 간격을 두고 배치되며 복수의 구멍이 형성된 저항체를 통해 상기 애노드와 상기 기판 사이에 전압을 인가함으로써 상기 기판의 피도금면에 도금막을 형성하는 도금 스텝과,
    상기 도금 스텝 중에, 상기 기판의 피도금면의 직경 방향을 따라서 도금막 두께 분포 또는 전류 밀도 분포를 센서에 의해 계측하는 계측 스텝을 포함하고,
    상기 도금 스텝 중에, 상기 계측 스텝에 의해 계측된 도금막 두께 분포 또는 전류 밀도 분포에 기초하여, 상기 기판 홀더와 상기 저항체 사이의 거리를 조정하는 거리 조정 스텝을 더 포함하고,
    상기 거리 조정 스텝은, 상기 계측 스텝에 의해 계측된 상기 피도금면의 중앙부와 외연부 사이의 중점과, 상기 피도금면의 외연부 사이의 도금막 두께 또는 전류 밀도의 차가 작아지도록, 상기 기판 홀더와 상기 저항체 사이의 거리를 조정하도록 구성되는, 도금 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 도금액 내에 침지된 기판과 상기 저항체 사이에 배치되며, 상기 기판 홀더에 고정된 패들을 요동시킴으로써 상기 도금액을 교반하는 교반 스텝을 더 포함하는, 도금 방법.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 도금액 내에 침지된 기판과 상기 저항체 사이에 배치된 패들을 요동시킴으로써 상기 도금액을 교반하는 교반 스텝과,
    상기 거리 조정 스텝에 의한 상기 기판 홀더와 상기 저항체 사이의 거리의 조정과 동기하여 상기 패들의 위치를 조정하는 패들 위치 조정 스텝을
    더 포함하는, 도금 방법.
  22. 제19항에 있어서,
    상기 도금액 내에 침지된 기판과 상기 저항체 사이에 배치된 패들을 요동시킴으로써 상기 도금액을 교반하는 교반 스텝과,
    상기 거리 조정 스텝에 의한 상기 기판 홀더와 상기 저항체 사이의 거리의 조정에 대응하여 상기 패들의 교반 속도를 조정하는 속도 조정 스텝을
    더 포함하는, 도금 방법.
KR1020217037948A 2021-03-10 2021-03-10 도금 장치 및 도금 방법 KR102404459B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2021/009476 WO2022190243A1 (ja) 2021-03-10 2021-03-10 めっき装置、およびめっき方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102404459B1 true KR102404459B1 (ko) 2022-06-07

Family

ID=78028243

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217037948A KR102404459B1 (ko) 2021-03-10 2021-03-10 도금 장치 및 도금 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230193501A1 (ko)
JP (1) JP6937974B1 (ko)
KR (1) KR102404459B1 (ko)
CN (1) CN115335555B (ko)
WO (1) WO2022190243A1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116234944A (zh) * 2021-11-05 2023-06-06 株式会社荏原制作所 镀敷装置和镀敷装置的制造方法
JP7108801B1 (ja) 2022-03-01 2022-07-28 株式会社荏原製作所 めっき装置
JP7135234B1 (ja) * 2022-04-22 2022-09-12 株式会社荏原製作所 めっき装置
JP7233588B1 (ja) * 2022-05-10 2023-03-06 株式会社荏原製作所 めっき装置
CN115142104B (zh) * 2022-07-28 2024-04-26 福州一策仪器有限公司 电镀装置、多通道电镀装置组和电镀反应系统
JP7279273B1 (ja) * 2022-12-16 2023-05-22 株式会社荏原製作所 めっき装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000087299A (ja) * 1998-09-08 2000-03-28 Ebara Corp 基板メッキ装置
US6402923B1 (en) 2000-03-27 2002-06-11 Novellus Systems Inc Method and apparatus for uniform electroplating of integrated circuits using a variable field shaping element
JP2004363422A (ja) * 2003-06-06 2004-12-24 Ebara Corp めっき方法
KR101204666B1 (ko) * 2010-04-16 2012-11-26 에스케이하이닉스 주식회사 웨이퍼 구리 도금 장비 및 방법
KR101515120B1 (ko) * 2007-12-04 2015-04-24 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금장치 및 도금방법
JP2017075405A (ja) * 2014-01-17 2017-04-20 株式会社荏原製作所 めっき方法およびめっき装置
KR101859395B1 (ko) * 2017-10-18 2018-05-18 (주)네오피엠씨 기판 도금장치
JP2020019991A (ja) * 2018-07-31 2020-02-06 キヤノントッキ株式会社 成膜装置及び電子デバイスの製造方法
KR20200035318A (ko) * 2017-08-21 2020-04-02 램 리써치 코포레이션 전기도금 동안 플로우 분리 및 집중을 위한 방법들 및 장치
JP2020063471A (ja) * 2018-10-16 2020-04-23 Ｊｓｗアフティ株式会社 プラズマ成膜装置およびプラズマ成膜方法
JP2020176303A (ja) * 2019-04-18 2020-10-29 株式会社荏原製作所 位置調整装置、めっき装置の調整方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7070686B2 (en) * 2000-03-27 2006-07-04 Novellus Systems, Inc. Dynamically variable field shaping element
JP2000232078A (ja) * 1999-02-10 2000-08-22 Toshiba Corp メッキ方法及びメッキ装置
US6632335B2 (en) * 1999-12-24 2003-10-14 Ebara Corporation Plating apparatus
JP4664320B2 (ja) * 2000-03-17 2011-04-06 株式会社荏原製作所 めっき方法
US8475636B2 (en) * 2008-11-07 2013-07-02 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for electroplating
JP3831345B2 (ja) * 2002-02-14 2006-10-11 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 ウェハーのめっき装置
JP4166131B2 (ja) * 2003-09-10 2008-10-15 株式会社荏原製作所 めっき装置及びめっき方法
US9822461B2 (en) * 2006-08-16 2017-11-21 Novellus Systems, Inc. Dynamic current distribution control apparatus and method for wafer electroplating
JP6993115B2 (ja) * 2017-06-16 2022-01-13 株式会社荏原製作所 めっき装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000087299A (ja) * 1998-09-08 2000-03-28 Ebara Corp 基板メッキ装置
US6402923B1 (en) 2000-03-27 2002-06-11 Novellus Systems Inc Method and apparatus for uniform electroplating of integrated circuits using a variable field shaping element
JP2004363422A (ja) * 2003-06-06 2004-12-24 Ebara Corp めっき方法
KR101515120B1 (ko) * 2007-12-04 2015-04-24 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금장치 및 도금방법
KR101204666B1 (ko) * 2010-04-16 2012-11-26 에스케이하이닉스 주식회사 웨이퍼 구리 도금 장비 및 방법
JP2017075405A (ja) * 2014-01-17 2017-04-20 株式会社荏原製作所 めっき方法およびめっき装置
KR20200035318A (ko) * 2017-08-21 2020-04-02 램 리써치 코포레이션 전기도금 동안 플로우 분리 및 집중을 위한 방법들 및 장치
KR101859395B1 (ko) * 2017-10-18 2018-05-18 (주)네오피엠씨 기판 도금장치
JP2020019991A (ja) * 2018-07-31 2020-02-06 キヤノントッキ株式会社 成膜装置及び電子デバイスの製造方法
JP2020063471A (ja) * 2018-10-16 2020-04-23 Ｊｓｗアフティ株式会社 プラズマ成膜装置およびプラズマ成膜方法
JP2020176303A (ja) * 2019-04-18 2020-10-29 株式会社荏原製作所 位置調整装置、めっき装置の調整方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN115335555A (zh) 2022-11-11
US20230193501A1 (en) 2023-06-22
WO2022190243A1 (ja) 2022-09-15
CN115335555B (zh) 2023-09-19
JPWO2022190243A1 (ko) 2022-09-15
JP6937974B1 (ja) 2021-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102404459B1 (ko) 도금 장치 및 도금 방법
KR20160113007A (ko) 전기도금 장치에서의 전류 밀도 제어
CN115135618A (zh) 镀覆方法及镀覆装置
JP6936422B1 (ja) めっき装置及び基板の膜厚測定方法
TWI759133B (zh) 鍍覆裝置及鍍覆方法
TWI740000B (zh) 鍍覆裝置及鍍覆槽構造的決定方法
JP7279273B1 (ja) めっき装置
KR102563631B1 (ko) 도금 장치
CN114981484B (zh) 镀覆装置、以及镀覆处理方法
JP6793742B2 (ja) 電解処理治具及び電解処理方法
JP2022059253A (ja) めっき装置及びめっき方法
KR102556683B1 (ko) 도금 장치
TWI809425B (zh) 鍍覆裝置
KR102493757B1 (ko) 도금 장치
WO2022264353A1 (ja) 抵抗体、及び、めっき装置
CN114787428B (zh) 调整镀覆模块的方法
WO2023228398A1 (ja) めっき装置用抵抗体、及び、めっき装置
US11542624B2 (en) Plating apparatus
TWI750018B (zh) 鍍覆裝置及基板之膜厚量測方法
JP7399365B1 (ja) めっき装置およびめっき装置の動作方法
WO2023157105A1 (ja) めっき装置、及びめっき方法

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant