KR102388688B1 - 합성 쿼츠 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 제조 공정 중 사용되는 포커스 링 또는 엣지링 세라믹부재로 웨이퍼를 지지하고 안착시키는 용도로 사용되는 합성 쿼츠의 제조방법에 관한 것으로, 시간 및 양적 손실을 최소화하고 합성 쿼츠 생산 속도를 크게 증가시켜 수율 향상에 긍정적인 실린더 타입의 합성 쿼츠 제조 방법을 제공한다.

Description

합성 쿼츠 제조 방법{SYNTHETIC QUARTZ MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 합성 쿼츠 제조방법에 관한 것으로, 상세하게 반도체 제조 공정 중 사용되는 포커스 링 또는 엣지링 세라믹부재로 웨이퍼를 지지하고 안착시키는 용도로 사용되는 합성 쿼츠 제조방법에 관한 것이다.
합성쿼츠의 제조 기술은 크게 2가지로 구분되는데, 첫째는 통신용 광섬유 제조 공법으로 내부의 코어(core)와 표피의 클래드(clad)로 이뤄지며, 굴절율을 가미하기 위해 코어에 도판트(dophant)로 게르마늄(Ge)을 사용한다. 제조된 잉곳(Ingot)은 광섬유를 만들기 위해 인발 공정을 거쳐 가느다란 광섬유로 제조된다. 인발 공정 전 잉곳은 대략 1 내지 2 미터, 직경은 100 내지 150mm의 소재가 제조된다.
두번째는 광학용 렌즈(lens)를 제조하기 위한 방법으로 광섬유와 달리 코어와 클래드의 구분이 없이 순수한 이산화규소(SiCl2)로 제조되며, 잉곳의 형태는 제조사마다 차이가 발생한다. 니콘(Nikon)의 경우 직경 600mm에 높이가 약 1000mm인 잉곳이 제조되며, 코닝(Corning)의 경우는 높이가 약 300mm에 직경이 1500mm로 제조되며, 이를 렌즈로 만들기 위한 자재로 사용하고 있다.
합성 쿼츠의 제조공정은 이산화규소의 전구체와 산소 수소의 화염으로 미립자(Soot)를 형성하는데 전구체는 OMCTS(OctaMethylCycloTetraSiloxane, C8H24O4Si4) 또는 메탄(CH4), 사염화규소(SiCl4) 가스를 사용한다.
미립자(Soot) 형성 후 열처리를 통해 완전한 합성 쿼츠 잉곳이 제조되는 것이며, 최근에 해외업체에서 상기 증착공정에서 떨어져 나온 Soot Powder를 이용하여 천연의 공법으로 녹여서 실린더(Cylinder) 타입의 합성 쿼츠를 제조하고 있다.
상술한 종래 기술은 모두 문제점을 가지고 있으며, 광섬유 제조 방법의 문제는 대구경 즉, 직경을 400mm까지 만들기가 어려우며, 렌즈 제조 방법은 디스크나 평평(flat)한 소재를 제조하기에 적합하며, 링(Ring)이나 실린더(Cylinder) 형태로 제조하려면 별도의 중심을 드릴링하는 Core drill 작업을 거쳐야 하며, 8"나 6"웨이퍼 제조공정은 생산성 측면에서 거의 모든 반도체 제조장비가 없어져 코어링(Coring) 후 내부 자재는 사용할 수 없는 폐기물로 처리가 된다.
대한민국 공개특허 10-2018-0095880호(2018.08.28. 공개)는 합성 공정에서 부착되지 않은 Soot Powder를 회수하여 2회 이상 열처리, 즉, 용융을 진행하여 내부 기공을 제고하는 방법으로 실린더 타입을 제조하고 있으나, 이는 대기의 노출과 2회 이상의 용융을 통한 공정의 증가로 Soot에 불순물이 흡착 및 부착되어 소재의 문제를 가진다.
대한민국 공개특허 10-2018-0095880호(2018.08.28. 공개)
상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 시간적 손실(loss) 및 양적 손실(loss)를 최소화하고 쿼츠 생산 속도를 트게 증가시켜 수율 향상에 긍정적인 실린더 타입의 합성 쿼츠 제조 방법을 제공하고자 한다.
상술한 문제를 해결하기 위해 본 발명은 실린더 타입으로 모재를 형성하고 이를 열처리하여 완전한 합성 쿼츠 잉곳을 제조한다.
합성 쿼츠의 우수성은 검증이 되었으며, 이를 실린더 타입으로 제조할 경우 로스를 최소화하고 쿼츠 생산속도를 크게 증가시켜 수율 향상에 긍정적인 결과를 기대할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 합성 쿼츠 제조 방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 합성 쿼츠와 천연 쿼츠 소재 내부의 기공 존재를 확인하는 실험 사진이다.
도 3은 합성 쿼츠와 천연 쿼츠의 플라즈마 조건에서 마이크로 기공 폭발 현상을 나타낸 사진이다.
도 4는 본 발명에 따른 합성 쿼츠 부재의 제조 공정을 나타낸 것이다.
도 5는 본 발명에 따른 합성 쿼츠 제조 방법 이후 가공 단계를 나타낸 것이다.
도 6은 본 발명에 따른 합성 쿼츠 제조 방법을 위한 설비를 간략히 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 합성 쿼츠 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명에 따른 증착 단계를 나타낸 것이다.
도 9 및 도 10은 본 발명에 따른 소결 단계를 나타낸 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여러가지 상이한 형태로 이루어질 수 있어 이하에서 기재되거나 도면에 도시되는 실시예에 한정되지 않는다. 또한, 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해 본 발명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 도면에서 동일하거나 유사한 부호들은 동일하거나 유사한 구성요소들을 나타낸다.
본 발명의 목적 및 효과는 하기의 설명에 의해서 자연스럽게 이해되거나 보다 분명해질 수 있으며, 하기의 기재만으로 본 발명의 목적 및 효과가 제한되는 것은 아니다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명하도록 한다.
본 발명을 간략히 먼저 설명하면, 반도체 제조 공정 중 사용되는 포커스 링(focus ring) 세라믹 부재로 웨이퍼를 지지하고 안착시키는 용도로 사용되는 합성 쿼츠의 제조 방법에 관한 것이다. 이하, 각 도면을 참고하여 본 발명을 상세하게 설명하기로 한다.
도 2 및 도 3을 참조하여 종래의 문제점 및 본 발명의 목적을 보다 상세히 요약하여 설명하도록 한다. 도 2는 빛을 투과시켜 합성 쿼츠와 천연 쿼츠 소재 내부의 기공 존재를 확인하는 실험 사진이고, 도 3은 합성 쿼츠와 천연 쿼츠의 플라즈마 조건에서 마이크로 기공 폭발 현상을 나타낸 사진이다.
반도체 웨이퍼 제조 공정에 사용되는 쿼츠(Quartz) 부재는 고체상의 이산화규소를 화염과 전기를 이용하여 몰드에서 녹여 생산하는 천연 쿼츠(Natural Quartz)가 있는데 이는 고체상의 이산화규소를 정제하기가 어렵고 고순도의 이산화규소로 만들지 못해 쿼츠 내부에 불순물이 존재하게 되며, 불순물뿐 아니라 소재 내부에 마이크로 기공(Micro pore)이 많이 존재하고 있다. 이 기공은 반도체 제조공정용 챔버 내부에서 진공 분위기의 플라즈마 하에서 쿼츠 표면이 깎여 나가는 식각이 이뤄지게 되면 기공의 계면이 오픈 되는 시점에 미세 폭발을 일으켜 분위기를 저해하고 SiO2, SiO 형태의 미세 파티클(particle)을 유발시켜 웨이퍼 위에 안착되면서 칩(chip) 생산성에 영향을 끼치게 된다.
도 3은 천연 쿼츠 및 합성 쿼츠를 RF power 3,000W, 진공 10mm torr이하, 사용 gas는 NF3, Ar 플라즈마 조건에서 90분 동안 테스트한 사진이다. 천연 쿼츠는 미세 폭발이 일어난 흔적이 나타난 반면 합성 쿼츠는 미세 폭발의 흔적이 없는 것을 알 수 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해 마이크로 기공이 없고 불순물이 적은 고순도 합성 쿼츠(Synthetic Quartz)를 이용하여 반도체 제조용 장비 부재로 사용하고 있으며, 이 사용량은 급격히 증가하고 있다.
합성 쿼츠가 고순도인 이유는 출발물질이 액체나 기체를 이용하는 것으로 이는 고체보다 정제가 더 쉬워 고순도 달성이 용이하며, 액체는 기화기를 통해 기체로 바뀌고 이 모든 기체는 정제기(purifier)를 통해 한 번 더 정제가 되며, 잉곳을 형성하기 위한 최적의 조건으로 각 가스(gas)를 공급하는 valve를 장착하며, 조절은 수동이나 컴퓨터를 통해 조절이 가능하다.
합성 쿼츠의 대부분은 수입된 제품을 사용되고 있으며, 제조형상은 내부가 있는 디스크(disc)나 막대(Rod) 형태를 가지고 있다. 따라서, 반도체 제작용 부재로 사용하기 위해서는 내경을 파 낸 후 링(Ring) 타입으로 만들어야 한다. 이에 본 발명은 처음부터 링 타입 소재의 합성 쿼츠를 증착하고 열처리까지 하여 불필요한 가공 공정을 생략하는 것을 특징으로 한다.
도 4는 본 발명을 포함하는 쿼츠 부재의 제조 공정을 나타낸 것이다.
쿼츠 부재의 제조 공정은 합성 쿼츠 제조 공정, 가공 단계 및 세정 단계를 포함하며, 본 발명에서는 증착 단계, 소결 단계 및 탈형 단계를 포함하는 합성 쿼츠 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 5는 본 발명에 따른 합성 쿼츠 제조 방법 이후 가공 단계를 보다 상세히 나타낸 것이다. CNC, MCT 장비를 이용하여 가공하며, 면가공을 거친 후 사이즈(size) 및 표면 상태를 검사한 후 세정 및 포장 절차를 거쳐 쿼츠 부재 완제품이 제조된다.
도 6은 본 발명에 따른 합성 쿼츠 제조 방법을 위한 설비를 간략히 나타낸 도면이다. 합성 쿼츠 제조 설비는 증착챔버(Deposition Chamber), 진공펌프(Vacuum pump), 연료가스압축기(FGC) 및 가스탱크(Gas tank)를 포함할 수 있다.
증착챔버는 증착을 통해 산화 규소 미립자(soot)를 증착시켜 모재를 형성하기 위해 진공환경을 유지하기 위한 구성이다. 바람직하게, 증착챔버는 10mm torr 이하의 진공, NF3 및 Ar 플라즈마 조건을 유지할 수 있는 증착챔버가 요구된다. 진공펌프는 상기 증착챔버의 진공 환경을 조성하기 위한 배기펌프이다. 바람직하게, 진공펌프는 건식진공펌프가 사용될 수 있다.
증착챔버 내부에는 버너(Burner)가 구비되며, 가스탱크 내부의 원료가스(H2, O2, N2, Ar, SiCl4)들이 연료가스압축기(FGC)를 통해 압축된 후 버너를 통해 분출된다.
이하, 도 7 내지 10을 참조하여 상술한 문제점들을 해결하기 위한 본 발명을 상세히 설명하도록 한다.
도 7은 본 발명에 따른 합성 쿼츠 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
본 발명에 따른 합성 쿼츠 제조 방법은 모재를 형성하는 증착 단계(S10); 상기 모재를 소결시켜 잉곳을 형성하는 소결 단계(S20); 및 상기 잉곳을 상기 몰드로부터 분리하는 탈형 단계(S30);를 포함한다.
증착 단계(S10)는 산화 규소 미립자(soot)를 증착부재의 외주면에 증착시켜 모재를 형성하는 단계이다. 상세하게, 증착부재는 막대 형상으로 구비되어 외주면에 모재가 증착된다. 증착부재는 단면이 원형인 원기둥(cylinder), 원형관, 원뿔대 또는 도가니(crucible) 형상으로 구비될 수 있으며, 일 단이 개구되도록 구비될 수 있다. 또한, 외경은 12" 반도체 웨이퍼에 적합하고 가공 공정을 줄이기 위해 Ψ280 ~ 290으로 하는 것이 바람직하다.
바람직한 실시예로서, 증착부재는 약 1,600℃ 이상의 온도에서 견딜 수 있는 Graphite(그래파이트), Alumina(알루미나) 또는 Silicon carbide(탄화 규소)를 포함하는 세라믹 재질 군 또는 Stainless Steel(스테인레스 강), Tungsten(텅스텐) 또는 Molybdenum(몰리브덴)을 포함하는 금속 재질 군에서 선택되는 재질일 수 있다. 이에 따라, 상기 규소화합물의 연소 반응 및 후술할 소결 온도에 대한 내구성을 가진다.
도 8은 본 발명에 따른 증착 단계를 나타낸 것이다.
증착부재(10)는 증착 챔버(chamber) 내부에 위치하여 고정된다. 고정된 증착부재는 회전을 할 수 있으며, 회전 속도가 조절될 수 있다. 증착부재는 미립자(soot)가 잘 부착되도록 외표면을 거칠게 하거나 소정의 패턴 또는 홈을 형성할 수 있다. 증착부재(10)의 회전은 수평 또는 수직 등 다양한 방향으로 구현될 수 있으며, 이에 따라 버너도 대응되도록 배치 및 이동된다. 상세하게, 증착부재(10)가 원통 형상으로 구비되는 것을 일례로, 원통의 증착부재(10)는 중심축이 지면과 수직 또는 수평이되도록 위치될 수 있으며, 중심축을 기준으로 회전 운동되도록 구비될 수 있다. 또한, 버너는 증착부재(10)의 크기 등에 따라 1개 내지 5개 이상 형성될 수 있으며, 버너의 배치는 증착부재(10)의 중심축의 길이 방향을 따라 평행하도록 배열될 수 있다. 즉, 버너는 수직 또는 수평 배치될 수 있다.
일 실시예에 따라, 증착부재는 원기둥(cylinder) 형상인 것을 기준으로 설명한다. 버너(burner, 20)가 증착부재의 외표면을 향해 가스를 분사하도록 위치되며, 버너는 상하로 이동될 수 있다.
OMCTS(C8H24O4Si4) 또는 사염화규소(SiCl4) 중 어느 하나인 규소화합물이 버너를 통해 산수소화염중에서 연소된다. 본 발명에서는 상기 규소화합물은 사염화규소인 것을 기준으로 설명한다.
사염화규소는 연소되어 다음의 화학식에 따라 산화 규소, 바람직하게는 이산화규소(SiO2) 미립자(soot)를 형성하고, 미립자가 증착부재의 외표면에 증착된다.
[화학식 1]
2H2 + O2 + SiCl4 → SiO2 + 4HCl
증착부재를 회전하면서 버너를 점화하고 가스 유량을 조절하여 증착을 진행한다. 이 때, 증착부재 또는 버너가 상하로 일정한 속도로 이동될 수 있다. 도 8의 <b> 및 도 8의 <c>는 버너가 미립자(soot)가 증착됨에 따라 후퇴하며, 버너가 상하로 이동하는 모식도이다. 버너나 증착부재가 이동되지 않으면 한 곳만 증착이 되기 때문에 길이가 긴 실린더 형태를 만들기 위해 어느 하나가 상하로 움직여야 한다.
지속적으로 버너를 통해 가스(gas)가 토출되면서 모재를 형성하며, 모재의 외경이 커지게 되면, 그 두께만큼 버너는 후퇴하여 모재의 외경 표면과 버너의 끝단은 일정한 거리를 유지한다. 바람직하게, 열처리 후 약 50%의 수축을 감안하여 증착 단계를 진행한다.
소결 단계는 상기 모재를 열처리하여 소결시켜 잉곳을 형성하는 단계이다.
미립자(soot)가 증착된 모재는 백색을 띄며, 완전 치밀화가 이뤄지지 않아 별도의 소결 공정을 거쳐야 한다. 소결공정을 거쳐야 완전한 합성 쿼츠 잉곳이 제조된다.
소결 공정은 증착챔버에서 버너를 후퇴시키고 밀폐 후 온도를 올려 열처리할 수 있으며, 또는 별도의 열처리 장비를 이용하여 열처리할 수 있다. 별도의 열처리로에서 열처리할 경우 모재를 열처리 장비로 옮긴 후 증착챔버에서는 다음 생산을 위한 증착 단계가 바로 진행될 수 있어 생산성이 향상될 수 있다.
열처리 온도는 약 1,500 ~ 1,700℃의 온도에서 진행된다. 바람직하게 약 1,600℃ 온도에서 진행되며, 잉곳으로 소결되며 많은 수축을 하게 된다. 이때 소재 내부의 기공 형성을 방지하기 위해 헬륨(He) 가스를 일정량 투입하여 모재에 기공 형성을 억제한다. 통상 12" 반도체 장비용 링 부재는 내경이 296mm, 외경은 360mm가 통상적이다.
소결공정은 유도가열이나 저항가열 모두 가능하며, 유도가열은 단결정 실리콘 정제공정처럼 유도코일이 상하로 이동하면서 열처리하는 것이며, 이 공정 후 별도의 풀림 공정이 필요하며, 모재 증착 후 외경이 큰 경우는 준비된 깔대기형 몰드(미도시, 상부 직경이 하부 직경보다 큼)에 안착 후 열처리하여 외경이 수축되면 몰드로 들어가 형태를 완성하며, 모재 증착 후 외경이 작은 경우는 수직 몰드에 안착하여 열처리한다. 이 때 코어는 함께 열처리하여 실린더로 제조하는 것이다.
도 9 및 도 10은 외경이 작은 모재를 코어와 함께 몰드에 넣고 열처리하는 단계를 나타낸 도면이다.
도 9를 참고하면, 모재(s)를 증착부재(10)에서 분리하여 코어(c)가 장착된 몰드(30)에 안착시킨다.
도 10의 ①은 몰드(30)에 모재(s)를 안착시킨 상태이며, 도 10의 ② 내지 도 10의 ⑤까지 열처리가 진행됨에 따라 실린더 형태의 잉곳(cylinder type ingot)으로 변화되는 것을 나타낸다.
탈형 단계는 소결된 잉곳을 몰드로부터 분리하는 단계이다. 도 10의 ⑥은 탈형 후 잉곳(ingot)을 나타낸 것이다.
여기에서 몰드는 카본 재질로 구비될 수 있으며, 몰드는 미리 설정된 소정의 제1 내경을 갖도록 형성되도록 함으로써 후행되는 공정에서의 재료 손실을 최소화할 수 있다.
몰드에 모재(s)를 안착시킬 때 증착부재(10)와 일체로 위치시킬 수 있다. 상세하게, 증착 완료 후 그대로 증착부재까지 함께 열처리를 할 수 있으며, 이 때 몰드 내부에는 코어가 존재하지 않아도 된다.
한편, 코어가 별도로 구비되는 경우에는 모재로부터 증착부재를 제거한 다음 증착부재를 몰드로 안착시킨다. 이때, 몰드 내측엔 모재의 내경에 코어가 삽입된다. 코어는 모재와 일체 또는 분리가능하도록 구비될 수 있다. 상세하게, 몰드에 모재가 안착될 때 모재 중심에는 제1 내경보다 작은 크기의 제2 내경을 갖는 코어가 더 구비될 수 있다. 코어는 기둥 형상으로서 몰드에서 모재를 열처리하여 잉곳을 형성할 때 실린더(관) 형상을 갖게하기 위한 구성이다.
또한, 탈형을 용이하게 코어(core)와 몰드의 외벽은 2중으로 할 수 있으며, 경사를 형성할 수도 있다. 상세하게, 코어 또는 몰드는 열처리된 잉곳이 용이하게 탈형될 수 있도록 탈형되는 상측 방향으로 갈수록 내경이 증가하도록 할 수 있다. 즉, 몰드 또는 코어는 역전된 원뿔대 형상을 가질 수 있다. 또한. 탈형의 용이성을 위해 내주면에 이형재를 도포하거나 이형 시트(sheet)를 넣을 수 있다. 이때 이형시트는 카본 재질로 구비되는 카본 시트일 수 있다. 또한, 몰드는 열처리 및 열처리 후 과정에서 탈형의 용이성이나, 몰드 또는 잉곳의 변형을 방지하기 위해 몰드의 외벽은 잘려진 형상을 가질 수 있다. 즉, 몰드의 외벽은 사선으로 잘려 나누어진 형상으로 구비되어 소정 간격 이격되도록 구비될 수 있다.
상기한 본 발명은 일 실시예에 불과하며, 본 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예도 가능할 수 있다. 따라서, 본 발명의 권리범위는 상기한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것은 아니다.

Claims (14)

  1. 막대 형상의 증착부재의 외면을 따라 산화 규소 미립자 분말을 소정의 두께로 증착시켜 모재를 형성하는 증착 단계;
    상기 모재를 열처리를 통해 소결시켜 잉곳을 형성하는 소결 단계; 및
    상기 잉곳을 분리하는 탈형 단계;를 포함하되,
    상기 소결 및 탈형 단계에 사용되는 카본 재질 몰드의 외벽은 2중으로 형성되고, 상기 몰드 및 코어는 잉곳이 용이하게 탈형될 수 있도록 탈형되는 방향으로 갈수록 내경이 증가하며, 상기 몰드의 외벽은 사선으로 잘려 분할된 형상을 가지되, 분할된 몰드의 외벽은 소정 간격 이격되도록 구비되는 것을 특징으로 하는 합성 쿼츠(quartz) 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 증착부재는,
    Graphite, Alumina 또는 Silicon Carbide로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 세라믹 재질 군 또는, Stainless Steel, Tungsten 또는 Molybdenum로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 재질군으로 구비되는 것을 특징으로 하는 합성 쿼츠(quartz) 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 증착부재는,
    원기둥, 원형관, 원뿔대 또는 도가니(crucible) 형상으로 구비되는 것을 특징으로 하는 합성 쿼츠(quartz) 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 증착 단계는,
    이산화규소 전구체, 산소 및 수소를 가스 형태로 분출하는 버너를 통해 상기 규소화합물 전구체를 산수소화염 중에서 연소시켜 상기 미립자 분말을 형성 및 증착시키는 것을 특징으로 하는 합성 쿼츠 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 버너는 상기 증착부재의 외주면을 따라 이동되고, 상기 증착부재는 회전 운동함으로써 상기 증착부재 외면에 모재를 상기 소정의 두께로 고루 증착시키는 것을 특징으로 하는 합성 쿼츠 제조 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 이산화규소 전구체는,
    OMCTS(C8H24O4Si4), 메탄(CH4) 또는 사염화규소(SiCl4)인 것을 특징으로 하는 합성 쿼츠 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 소결 단계는,
    상기 모재를 미리 설정된 소정의 제1 내경을 갖는 몰드 내부에 위치시킨 후 열처리를 통해 소결시켜 잉곳을 형성하는 것을 특징으로 하는 합성 쿼츠(quartz) 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 몰드는 상기 소정의 제 1 내경보다 작은 소정의 제 2 직경을 갖는 원기둥 형상의 코어가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 합성 쿼츠(quartz) 제조 방법.
  9. 제 1 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 소결 단계의 열처리는 유도 코일을 이용한 유도가열 또는 저항가열을 이용하고, 1,500℃ 내지 1,700℃의 온도로 열처리되는 것을 특징으로 하는 합성 쿼츠 제조 방법.
  10. 제 1 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 소결 단계는,
    기공 형성을 방지하기 위한 He 가스가 투입되는 것을 특징으로 하는 합성 쿼츠(quartz) 제조 방법.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 증착 단계에서,
    상기 증착 부재에 증착되지 않은 산화 규소 미립자 분말을 포집하는 포집장치가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 합성 쿼츠 제조 방법.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 증착부재는 지면과 수직 또는 수평 방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 합성 쿼츠 제조 방법.
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